KR101551597B1 - 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치 - Google Patents

폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치는, 상기 배기가스가 유입되어 배출되도록 마련되는 하전부용 챔버; 상기 하전부용 챔버에 설치되며, 소프트 엑스레이를 상기 하전부용 챔버로 유입되는 폭발성 가스에 조사하여 양이온 또는 음이온을 발생시키는 엑스레이부; 상기 하전부용 챔버의 내부에 설치되어 인가되는 단극의 고전압에 의해 상기 하전부용 챔버 내의 양이온 또는 음이온 중 어느 하나로 상기 배기가스의 입자를 단극 하전시키는 이온포집부; 상기 하전부용 챔버와 연통되도록 형성되되 상기 소프트 엑스레이가 조사되는 영역과 분리되도록 형성되며, 인가되는 고전압에 의해 상기 하전부용 챔버 내부의 단극 하전되는 배기가스 입자와 동일한 극성의 이온을 생성하여 상기 하전부용 챔버 내부로 전달하는 이온주입부; 및, 상기 하전부용 챔버에서 단극 하전된 배기가스 입자가 유입되어 포집되는 정전집진부;를 포함한다. 이에 의하여, 입자상 물질을 포함하는 폭발성 배기가스에 직접 고전압 방전을 하지 않아도 폭발성 배기가스의 입자를 단극 하전시킬 수 있고, 폭발성 배기가스의 입자를 완전하게 단극 하전 가능하여 폭발성 배기가스 입자를 보다 용이하게 포집 및 제거가능하며, 폭발성 배기가스에 직접 방전을 하지 않아도 되어 방전에 의한 폭발이 발생되지 않을 수 있는 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치를 제공함에 있다.

Description

폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치{ELECTROSTATIC PRECIPITATION DEVICE FOR PARTICLE REMOVAL IN EXPLOSIVE GASES}
본 발명은 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 입자상 물질을 포함하는 폭발성 배기가스에 직접 방전을 발생시키 않으면서도 단극으로 하전가능하여 폭발 위험성을 방지하면서도 입자상 물질을 완벽하게 제거할 수 있는 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치에 관한 것이다.
반도체 물질, 장치, 제조물 및 메모리 장치의 제조에서 발생되는 가스상 방출물은 프로세스 설비에 사용되며 여기서 생성되는 광범위한 화학적 화합물을 수반한다. 이들 화합물은 무기 및 유기 화합물, 포토-레지스트의 침전물 및 다른 반응 물질, 및 프로세스 설비로부터 대기로 방출되기 전에 폐가스로부터 제거되어야 하는 다양한 다른 가스들을 포함한다.
반도체 제조공정에 있어서는 독성이 강한유해물질이 함유된 배기가스가 발생하고, 공해방지의 관점에서 이 배기가스를 그대로 방산하는 것이 금지되고 있다.
또한, 반도체 제조공정에서는 배기가스로 폭발성 가스가 많이 발생하는데, 유해성분이나 분진을 함유한 배기가스를 그대로 대기 중에 방출하는 것은 허용되지 않으며, 각종 처리를 실시하여 안전하고 청정한 가스로서 방출할 것이 요구되고 있다.
따라서, 종래는 배기가스에 포함된 유해물질을 촉매로 분해하거나, 유해물질이나 분진을 흡착제로 흡착제거하거나, 무해화하는 유해물질처리장치와, 배기가스를 반도체제조장치에서 유해물질 제거장치로 유도하는 배기로를 구비하는 배기가스 처리장치를 설치하고, 반도체 제조장치의 배기가스를 배기로를 통하여 유해물질 처리장치로 유도하고, 이 유해물질 처리장치에서 유해물질을 화학적으로 무해화하거나, 물리적으로 제거하거나 하여 대기중에 방출하는 방법이 채용되고 있다.
이 같은 종래의 배기가스 중의 폭발성 가스를 처리하는 방법의 대표적인 방법으로는 스크러버(scrubber), 헤파필터(HEPA filter) 또는 전기집진 등의 방법을 사용하였다.
그러나, 상기 스크러버는 폐수 처리문제 및 초미세 입자 제거 성능이 현저하게 낮은 문제점이 있었고, 상기 헤파필터는 배압 변화에 따른 공정 압력 변화를 초래하는 문제점이 있었으며, 상기 전기집진 방식은 폭발성 가스의 특성상 방전에 의한 폭발이 발생하는 문제점이 있었다.
아울러 SiO2와 같은 입자상 물질 등은 스크러버(scrubber), 헤파필터(HEPA filter) 또는 전기집진 등의 방법으로는 완벽하게 제거할 수 없는 문제점이 있었다.
본 발명의 과제는 상술한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 입자상 물질을 포함하는 폭발성 배기가스에 직접 고전압 방전을 하지 않아도 폭발성 배기가스의 입자를 단극 하전시킬 수 있는 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치를 제공함에 있다.
또한, 입자상 물질을 포함하는 폭발성 배기가스에 직접 방전을 하지 않아도 되어 방전에 의한 폭발이 발생되지 않을 수 있는 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치를 제공함에 있다.
또한, 폭발성 배기가스 입자를 완전하게 단극 하전가능하여 폭발성 배기가스 입자를 용이하게 포집 및 제거가능한 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치를 제공함에 있다.
상기 과제는, 본 발명에 따라, 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치에 있어서, 상기 배기가스가 유입되어 배출되도록 마련되는 하전부용 챔버; 상기 하전부용 챔버에 설치되며, 소프트 엑스레이를 상기 하전부용 챔버로 유입되는 폭발성 가스에 조사하여 양이온 또는 음이온을 발생시키는 엑스레이부; 상기 하전부용 챔버의 내부에 설치되어 인가되는 단극의 고전압에 의해 상기 하전부용 챔버 내의 양이온 또는 음이온 중 어느 하나로 상기 배기가스의 입자를 단극 하전시키는 이온포집부; 상기 하전부용 챔버와 연통되도록 형성되되 상기 소프트 엑스레이가 조사되는 영역과 분리되도록 형성되며, 인가되는 고전압에 의해 상기 하전부용 챔버 내부의 단극 하전되는 배기가스 입자와 동일한 극성의 이온을 생성하여 상기 하전부용 챔버 내부로 전달하는 이온주입부; 및, 상기 하전부용 챔버에서 단극 하전된 배기가스 입자가 유입되어 포집되는 정전집진부;를 포함하는 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치에 의해 달성될 수 있다.
여기서, 상기 이온주입부는 상기 하전용 챔버와 연통되는 연통배관과, 상기 연통배관의 외측 단부에 설치되어 인가되는 고전압에 의해 방전되어 음이온 또는 양이온을 생성하는 방전부와, 상기 방전부와 인접하여 외부로부터 이송유체를 유입하도록 설치되어 상기 방전부에 의해 생성되는 음이온 또는 양이온을 상기 연통배관을 따라 이송시켜 상기 하전용 챔버로 유입시키는 유체유입부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 방전부와 상기 연통배관의 외측 단부 사이에는 절연부재가 설치될 수 있다.
또한, 상기 이온주입부는 한 쌍으로 마련되며, 각 연통배관은 서로 마주보는 방향에 각각 설치될 수 있다.
또한, 상기 정전집진부는 상기 하전부용 챔버로부터 단극 하전된 배기가스 입자를 전달받는 집진부용 챔버와, 상기 집진부용 챔버 내부에 설치되어 고전압이 인가되어 방전되는 방전판과, 상기 방전판과 이격배치되어 상기 단극 하전된 배기가스 입자가 포집되는 포집판을 포함할 수 있다.
이때, 이온포집부는 상기 하전부용 챔버의 상측에 설치되어 단극의 고전압이 선택적으로 인가되는 고전압 인가판과, 상기 하전부용 챔버의 하측에 설치되어 접지되는 이온포집판을 포함할 수 있다.
한편, 상기 방전판은 다수 개로 마련되어 이격배열되며, 상기 포집판은 다수 개로 마련되어 상기 방전판과 교번되어 위치하도록 배열되고, 이웃하는 방전판과 포집판은 적어도 일부가 상호 중첩되도록 설치될 수 있다.
본 발명에 따르면, 입자상 물질을 포함하는 폭발성 배기가스에 직접 고전압 방전을 하지 않아도 폭발성 배기가스의 입자를 단극 하전시킬 수 있는 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치가 제공된다.
또한, 입자상 물질을 포함하는 폭발성 배기가스에 직접 방전을 하지 않아도 되어 방전에 의한 폭발이 발생되지 않을 수 있는 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치가 제공된다.
또한, 폭발성 배기가스 입자를 완전하게 단극 하전가능하여 폭발성 배기가스 입자를 용이하게 포집 및 제거가능한 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치가 제공된다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치의 개략도,
도 2는 도 1의 엑스레이 하전부의 사시도,
도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'을 따라 절단한 단면도,
도 4 내지 도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치의 작동상태도,
도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치의 엑스레이 하전부의 개략도,
도 8은 본 발명의 제3실시예에 따른 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치의 정전집진부의 개략도이다.
설명에 앞서, 여러 실시예에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1실시예와 다른 구성에 대해서 설명하기로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 제1실시예에 따른 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치의 개략도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치는 엑스레이 하전부(10)와 정전집진부(20)를 포함하여 구성된다.
상기 엑스레이 하전부(10)는 SiO2와 같은 입자상 물질을 포함하는 폭발성 배기가스가 일 측으로부터 유입되고, 유입된 폭발성 배기가스 입자를 단극으로 하전시켜 정전집진부(20)로 배출하도록 마련된다.
상기 정전집진부(20)는 엑스레이 하전부(10)에서 단극 하전된 배기가스 입자를 전달받아 하전된 배기가스 입자를 포집하도록 마련된다.
도 2는 도 1의 엑스레이 하전부의 사시도이고, 도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'을 따라 절단한 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 엑스레이 하전부(10)는 하전부용 챔버(11), 엑스레이부(12), 이온포집부(13) 및 이온주입부(14)를 포함하여 구성된다.
상기 하전부용 챔버(11)는 유입관(11a)과 배출관(11b)이 각각 형성되어 입자상 물질을 포함하는 폭발성 배기가스가 유입관(11a)을 통해 유입되어 배출관(11b)을 통해 배출되도록 마련된다.
상기 엑스레이부(12)는 하전부용 챔버(11)의 상측에 설치되며, 소프트 엑스레이를 생성하여 하전부용 챔버(11) 내부로 소프트 엑스레이를 조사하며, 조사시에는 하전부용 챔버(11) 내부의 폭발성 배기가스 입자가 음이온 또는 양이온으로 변환된다.
상기 이온포집부(13)는 금속 재질로 마련되는 고전압 인가판(13a)과 이온포집판(13b)으로 구성되며, 고전압 인가판(13a)은 챔버의 내부 상면에 결합되고, 이온포집판(13b)은 내부 하면에 결합된다.
상기 고전압 인가판(13a)에는 (+) 또는 (-)의 단극의 고전압이 선택적으로 인가되며, 이온포집판(13b)는 접지된다.
구체적으로, 고전압 인가판(13a)에 (+)극이 인가된 상태에서는 이온포집판(13b)은 접지된 상태이다.
하전부용 챔버(11) 내의 음이온은 고전압 인가판(13a)과의 인력에 의해 포집되며, 하전부용 챔버(11) 내의 양이온은 고전압 인가판(13a)과의 척력에 의해 밀려남과 동시에 이온포집판(13b)과의 인력에 의해 끌어당겨져 이온포집판(13b)에 일부는 포집되고, 일부는 폭발성 배기가스 입자를 (+)극성을 띠도록 하전시킨다.
고전압 인가판(13a)에 (-)극이 인가된 상태에서는 이온포집판(13b)은 접지된 상태이다.
하전부용 챔버(11) 내의 양이온은 고전압 인가판(13a)과의 인력에 의해 포집되며, 하전부용 챔버(11) 내의 음이온은 고전압 인가판(13a)과의 척력에 의해 밀려남과 동시에 이온포집판(13b)과의 인력에 의해 끌어당겨져 일부는 이온포집판(13b)에 포집되고, 일부는 폭발성 배기가스 입자를 (-)극성을 띠도록 하전시킨다.
즉, 상기 이온포집부(13)를 통해 (+) 또는 (-)의 이온 중 어느 하나가 선택적으로 포집됨으로써, 하전부용 챔버(11) 내부의 폭발성 배기가스 입자는 단극으로 하전되어 후술할 정전집진부(20)로 배출되도록 할 수 있다.
상기 이온주입부(14)는 연통배관(141), 유체유입부(142), 방전부(143) 및 절연부재(144)를 포함하여, 하전부용 챔버(11)에 마주보는 방향에 각각 설치된다.
상기 연통배관(141)은 하전부용 챔버(11)의 내부와 연결되도록 설치되며, 연통배관(141)의 외측 단부에는 인가되는 고전압에 의해 방전되어 양이온 또는 음이온을 생성하는 방전부(143)가 설치된다.
상기 유체유입부(142)는 방전부(143)와 인접한 영역에 외부로부터 이송유체를 유입하도록 설치된다. 상기 유체유입부(142)를 통해 유입되는 이송유체는 방전부(143)에서 생성되는 음이온 또는 양이온을 연통배관(141)을 따라 이송시켜 하전부용 챔버(11)의 내부로 유입되도록 한다.
본 실시예에서는 방전부(143)는 금속섬유 또는 탄소섬유 등의 극세사를 이용하여 방전하므로 이송유체가 아르곤(Ar), 네온(Ne), 헬륨(He), 질소(N2), 이산화탄소(CO2) 등의 비활성 가스로 구성되나, 필요에 따라 방전부(143)를 코로나 방전 방식으로 구성하는 경우에는 이송유체가 공기일 수 있다.
상기 방전부(143)에서 생성되는 이온은 하전부용 챔버(11) 내부의 폭발성 배기가스 입자를 하전하고자 하는 극성에 따라 선택적으로 선택될 수 있다.
즉, 하전부용 챔버(11) 내부의 폭발성 배기가스 입자가 양이온이 되도록 하전하고자 하는 경우에는 양이온을 생성하도록 전압을 인가하며, 하전부용 챔버(11) 내부의 폭발성 배기가스 입자가 음이온이 되도록 하전하고자 하는 경우에는 음이온을 생성하도록 전압을 인가한다.
구체적으로, 고전압 인가판(13a)에 (+)극이 인가되면 하전부용 챔버(11) 내부는 양이온을 통해 폭발성 배기가스 입자가 (+)로 하전되므로, 방전부(143)에서 양이온을 발생시켜 하전부용 챔버(11) 내부로 전달하도록 전압을 인가한다.
또한, 고전압 인가판(13a)에 (-)극이 인가되면 하전부용 챔버(11) 내부는 음이온을 통해 폭발성 배기가스 입자가 (-)로 하전되므로, 방전부(143)에서 음이온을 발생시켜 하전부용 챔버(11) 내부로 전달하도록 전압을 인가한다.
한편, 방전부(143)와 연통배관(141)의 외측 단부 사이에는 절연부재(144)가 설치되며, 상기 절연부재(144)에 의해 연통배관(141)에서 방전이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
상기된 바와 같이, 폭발성 가스, 가연성 가스 및 SiO2와 같은 입자상 물질을 포함하는 폭발성 배기가스를 직접 방전하지 않고도 단극 하전되도록 할 수 있다.
또한, 방전부(143)를 통해 이온을 생성하는 방전영역과 입자상 물질을 포함하는 폭발성 배기가스가 위치하는 가스영역을 분리하여 방전에 의한 폭발이 발생하지 않을 수 있다.
상기 정전집진부(20)는 집진부용 챔버(21)와 방전판(22) 및 포집판(23)을 포함하여 구성된다(도 1참조). 상기 집진부용 챔버(21)는 상술한 하전부용 챔버(11)로부터 단극화된 폭발성 배기가스 입자를 전달받도록 마련된다.
상기 방전판(22)과 상기 포집판(23)은 금속재질로 마련되며, 방전판(22)은 집진부용 챔버(21)의 내부 상면에 설치되고, 포집판(23)은 집진부용 챔버(21)의 내부 하면에 설치된다.
방전판(22)과 포집판(23)은 방전판(22)으로부터 포집판(23)으로 전기장 방향이 형성되도록 고전압이 인가된다.
고전압 인가시, 단극화된 폭발성 배기가스 입자는 형성된 전기장을 따라 이동하여 포집판(23)에 포집된다.
다음으로, 상술한 본 발명의 제1실시예에 따른 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치의 작동상태에 대해 설명한다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치의 작동상태도이다. 먼저, 도 4를 참조하면, 입자상 물질을 포함하는 폭발성 가스를 하전부용 챔버(11) 내부로 유입관(11a)을 통해 유입시키고, 엑스레이부(12)를 통해 유입된 배기가스에 엑스레이를 조사하면 폭발성 배기가스에는 음이온 또는 양이온이 생성된다.
소프트 엑스레이 조사에 의해서는 음이온 및 양이온이 모두 생성되므로, 하전부용 챔버(11) 내부는 전체적으로 봤을 때는 중화된 상태와 같게 된다.
이때, 이온포집부(13)의 이온포집판(13b)는 접지된 상태에서 고전압 인가판(13a)에 (+)극의 고전압을 인가하면, 하전부용 챔버(11) 내의 음이온은 고전압 인가판(13a)에 인력에 의해 끌어당겨져 포집되고, 양이온은 척력에 의해 밀려나면서 이온포집판(13a)과의 인력에 의해 끌어당겨져 하전부용 챔버(11) 내의 폭발성 배기가스 입자를 (+)극성을 띠도록 하전시킨다.
또한, 도 5에서와 같이, 이온주입부(14)의 방전부(143)에 양이온을 생성하도록 고전압을 인가하여 이송유체를 통해 하전부용 챔버(11) 내부로 전달되도록 한다.
즉, 하전부용 챔버(11) 내부의 폭발성 배기가스 입자는 양이온이 결합되어 (+)극성으로 단극화된 상태로 배출관(11b)을 통해 정전집진부(20)로 전달된다.
이어, 도 6에서와 같이, 정전집진부(20)로 전달되는 (+)극성을 띠는 단극화된 폭발성 배기가스 입자(a)는 고전압이 인가되는 방전판(22)으로부터 포집판(23)으로 형성되는 전기장을 따라 이동하여 포집판(23)에 포집된다.
상술한 바는 폭발성 배기가스 입자를 (+)극성으로 단극 하전시켜 포집하는 것에 대해 설명하였으며, 같은 이치로 폭발성 배기가스 입자를 (-)극성으로 단극 하전시켜 포집할 수도 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 제1실시예에 따른 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치를 이용하면, 입자상 물질을 포함하는 폭발성 배기가스에 직접 방전(간접 방전 방식)하지 않아 방전에 의한 폭발위험성을 방지할 수 있다.
또한, 폭발성 배기가스 입자를 단극화시켜 포집가능함으로써 SiO2와 같은 입자상 물질도 실질적으로 완벽하게 포집하여 제거가능하다.
다음으로, 본 발명의 제2실시예에 따른 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치에 대해 설명한다. 제2실시예에서는 이온주입부(14)가 고전압 인가판(13a) 측에 설치되며, 엑스레이부(12)가 하전용 챔버(11)의 측면에 설치된다.
즉, 제1실시예에서는 고전압 인가판(13a)의 판면에 대해 수직방향으로 소프트 엑스레이를 조사하나, 제2실시예에서는 고전압 인가판(13a)의 판면과 평행한 방향으로 소프트 엑스레이를 조사한다.
상기와 같이 설치된 상태에서 제1실시예에서와 같이, 이온포집부(13)에 (+)극의 고전압을 인가한 상태에서, 엑스레이부(12)의 소프트 엑스레이를 조사함과 동시에 이온주입부(14)로부터 음이온을 생성하여 하전용 챔버(11)의 내부로 주입하면, 이온포집부(13)에 양이온이 포집되면서 폭발성 배기가스 입자는 음이온과 결합되어 (-)의 단극으로 하전될 수 있다.
다음으로, 본 발명의 제3실시예에 따른 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치에 대해 설명한다. 제2실시예에서는 정전집진부(20)의 구성이 변경된다.
도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 폭발성 배기가스 입자의 정전제거장치의 정전집진부의 개략도이다. 도 8을 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치의 정전집진부(20)는 집진부용 챔버(21) 내에 다수 개의 방전판(22)과 다수의 포집판(23)이 구성된다.
이때, 방전판(22)은 일정 간격으로 이격배열되며, 포집판(23)은 방전판(22)과 교번되어 위치하도록 배열되고, 이웃하는 방전판(22)과 포집판(23)은 적어도 일부가 상호 중첩되도록 설치된다.
상기와 같이 설치되면, 포집판(23)의 표면적을 제1실시예보다 더 크게 확장이 가능하여 더 많은 단극화된 폭발성 배기가스 입자를 포집할 수 있다.
본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.
※도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명※
10 : 엑스레이 하전부 11 : 하전부용 챔버
11a : 유입관 11b : 배출관
12 : 엑스레이부 13 : 이온포집부
13a : 고전압 인가판 13b : 이온포집판
14 : 이온주입부 141 : 연통배관
142 : 유체유입부 143 : 방전부
144 : 절연부재 20 : 정전집진부
21 : 집진부용 챔버 22 : 방전판
23 : 포집판

Claims (7)

  1. 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치에 있어서,
    상기 배기가스가 유입되어 배출되도록 마련되는 하전부용 챔버;
    상기 하전부용 챔버에 설치되며, 소프트 엑스레이를 상기 하전부용 챔버로 유입되는 폭발성 배기가스에 조사하여 양이온 또는 음이온을 발생시키는 엑스레이부;
    상기 하전부용 챔버의 내부에 단극의 고전압이 인가되도록 설치되며, 인가되는 고전압의 극성과 동일한 극성을 가지는 이온을 통해 상기 배기가스의 입자가 단극으로 하전되도록, 인가되는 고전압의 극성과 반대 극성을 가지는 이온을 포집하는 이온포집부;
    상기 하전부용 챔버와 연통되도록 형성되되 상기 소프트 엑스레이가 조사되는 영역과 분리되도록 형성되며, 인가되는 고전압에 의해 상기 하전부용 챔버 내부에서 단극으로 하전된 배기가스 입자와 동일한 극성의 이온을 생성하여 상기 하전부용 챔버 내부로 전달하는 이온주입부; 및,
    상기 하전부용 챔버에서 단극 하전된 배기가스 입자가 유입되어 포집되는 정전집진부;를 포함하는 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 이온주입부는 상기 하전부용 챔버와 연통되는 연통배관과, 상기 연통배관의 외측 단부에 설치되어 인가되는 고전압에 의해 방전되어 음이온 또는 양이온을 생성하는 방전부와, 상기 방전부와 인접하여 외부로부터 이송유체를 유입하도록 설치되어 상기 방전부에 의해 생성되는 음이온 또는 양이온을 상기 연통배관을 따라 상기 하전부용 챔버로 유입시키는 유체유입부를 포함하는 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 방전부와 상기 연통배관의 외측 단부 사이에는 절연부재가 설치되는 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치.
  4. 제 2항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 이온주입부는 한 쌍으로 마련되며, 각 연통배관은 서로 마주보는 방향에 각각 형성되는 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 정전집진부는 상기 하전부용 챔버로부터 단극 하전된 배기가스 입자를 전달받는 집진부용 챔버와, 상기 집진부용 챔버 내부에 설치되어 고전압이 인가되어 방전되는 방전판과, 상기 방전판과 이격배치되어 상기 단극 하전된 배기가스 입자가 포집되는 포집판을 포함하는 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 방전판은 다수 개로 마련되어 이격배열되며, 상기 포집판은 다수 개로 마련되어 상기 방전판과 교번되어 위치하도록 배열되고, 이웃하는 방전판과 포집판은 적어도 일부가 상호 중첩되도록 설치되는 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 이온포집부는 상기 하전부용 챔버의 상측에 설치되어 단극의 고전압이 선택적으로 인가되는 고전압 인가판과, 상기 하전부용 챔버의 하측에 설치되어 접지되는 이온포집판을 포함하는 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치.

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