KR101547626B1 - Electric power supply for forming phosphor film - Google Patents

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Abstract

형광체막 형성용 전류인가장치가 개시되며, 상기 형광체막 형성용 전류인가장치는, 형광체 혼합물이 도포된 발광소자 칩부에 인가되는 전류를 조절하는 제어신호를 발생시키는 제어부; 상기 제어신호에 따라 상기 전류를 출력하는 전류발생부; 및, 상기 전류를 인가받아, 상기 복수개의 발광소자 칩부에 각각 전달하는 컨택부를 포함하되, 상기 복수개의 발광소자 칩부에 상기 전류가 인가됨에 의해, 상기 복수개의 발광소자 칩부에 도포된 상기 형광체 혼합물 중 적어도 일부가 경화될 수 있다.A current application device for forming a phosphor film is disclosed in which a current application device for forming a phosphor film includes a control part for generating a control signal for controlling a current applied to a light emitting device part to which a phosphor mixture is applied; A current generator for outputting the current according to the control signal; And a contact portion receiving the current and transmitting the current to each of the plurality of light emitting device chip portions, wherein the current is applied to the plurality of light emitting device chip portions, At least a part of which can be cured.

Description

형광체막 형성용 전류인가장치{ELECTRIC POWER SUPPLY FOR FORMING PHOSPHOR FILM}[0001] ELECTRIC POWER SUPPLY FOR FORMING PHOSPHOR FILM [0002]

본원은 형광체막 형성용 전류인가장치에 관한 것이다.The present invention relates to a current applying apparatus for forming a phosphor film.

LED 등과 같은 발광소자는, 발광소자 칩으로부터 나온 광에 의해 여기되어 다른 파장의 광을 방사하는 형광체가 코팅됨으로써, 특정 파장광을 변환하여 다른 파장광을 방출한다. 예를 들어, 백색 발광소자는 LED 칩이 발한 광과 그 광에 의해 여기된 형광체가 발한 광의 혼합에 의해 백색광을 만든다.A light emitting element such as an LED is coated with a phosphor that is excited by light emitted from the light emitting element chip and emits light of a different wavelength, thereby converting specific wavelength light to emit different wavelength light. For example, a white light emitting device produces white light by mixing light emitted by an LED chip and light emitted by a phosphor excited by the light.

종래에는 발광소자 칩 상에 형광체를 코팅하기 위해, 기판 상에 형성된 캐비티(cavity) 또는 리세스(recess)에 발광소자 칩을 배치한 다음, 캐비티 또는 리세스를 형광체 물질이 포함된 수지로 채워 이를 경화시키는 방법을 사용하였다. Conventionally, in order to coat a phosphor on a light emitting device chip, a light emitting device chip is disposed in a cavity or a recess formed on a substrate, and then the cavity or recess is filled with a resin containing a phosphor material, Curing method was used.

그러나, 이와 같은 방법은 각각의 발광소자 칩에 대해 형광체 물질이 포함된 수지를 전기적인 스프레이나 스크린 프린팅 등을 통해 도포한 다음 경화시키는 과정을 반복하여 수행해야 하므로, 형광체 코팅을 위해 많은 시간과 비용이 소요된다는 문제점이 있었다. However, in such a method, since the resin containing the phosphor material is applied to each light emitting element chip through electrical spraying or screen printing and then cured repeatedly, it takes a lot of time and cost .

또한, 기판에는 형광체 물질이 포함되는 수지를 채워 넣기 위한 캐비티 또는 리세스가 형성되어야 하므로, 기판의 형상과 코팅의 형태가 제한되어 있고, 기판에 캐비티 또는 리세스 등을 형성하기 위한 과정이 별도로 필요하다는 문제점이 있었다. Further, since a cavity or recess for filling a resin containing a phosphor material is formed on the substrate, the shape of the substrate and the shape of the coating are limited, and a process for forming a cavity or a recess in the substrate is separately required There was a problem.

뿐만 아니라, 형광체 물질이 포함된 수지의 경화를 위해 가해지는 열 등으로 인해 발광소자 칩이 손상될 염려도 있었다.In addition, there is a concern that the light emitting device chip may be damaged due to heat applied for curing the resin containing the fluorescent material.

본원은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 복수의 발광소자 칩에 일괄적으로 형광체 물질이 코팅될 수 있도록 하는 형광체막 형성용 전류인가장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a current application device for forming a phosphor film capable of collectively coating phosphor materials on a plurality of light emitting device chips.

또한, 본원은 발광소자 칩이 실장되는 기판의 형상 또는 형광체 물질의 코팅 형상을 다양하게 할 수 있도록 하는 형광체막 형성용 전류인가장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a current application device for forming a phosphor film capable of varying the shape of a substrate on which a light emitting device chip is mounted or a coating shape of a phosphor material.

또한, 본원은 형광체 물질을 경화시키는 과정에서 발광소자 칩의 손상을 방지할 수 있도록 하는 형광체막 형성용 전류인가장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a current application device for forming a phosphor film capable of preventing damage of a light emitting device chip during curing of a phosphor material.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본원의 제 1 측면에 따른 형광체막 형성용 전류인가장치는, 형광체 혼합물이 도포된 발광소자 칩부에 인가되는 전류를 조절하는 제어신호를 발생시키는 제어부; 상기 제어신호에 따라 상기 전류를 출력하는 전류발생부; 및, 상기 전류를 인가받아, 상기 복수개의 발광소자 칩부에 각각 전달하는 컨택부를 포함하되, 상기 복수개의 발광소자 칩부에 상기 전류가 인가됨에 의해, 상기 복수개의 발광소자 칩부에 도포된 상기 형광체 혼합물 중 적어도 일부가 경화될 수 있다.According to a first aspect of the present invention, there is provided a current application apparatus for forming a phosphor film, comprising: a control unit for generating a control signal for controlling a current applied to a light emitting device chip portion coated with a phosphor mixture; A current generator for outputting the current according to the control signal; And a contact portion receiving the current and transmitting the current to each of the plurality of light emitting device chip portions, wherein the current is applied to the plurality of light emitting device chip portions, At least a part of which can be cured.

전술한 본원의 과제 해결 수단 중 어느 하나에 의하면, 형광체 혼합물이 도포된 복수개의 발광소자 칩에 전류를 인가하여, 발광소자 칩에 발생되는 열을 통해 형광체 혼합물을 경화시킴으로써, 복수개의 발광소자 칩에 대해 형광체막이 동시에 형성되도록 할 수 있으므로, 복수개의 발광소자 칩에 형광체막을 형성하기 위해 소요되는 시간 및 비용을 줄일 수 있다.According to any one of the above-mentioned methods of the present invention, a current is applied to a plurality of light emitting device chips coated with a phosphor mixture, and the phosphor mixture is cured through heat generated in the light emitting device chip, It is possible to reduce the time and cost required for forming a phosphor film on a plurality of light emitting device chips.

또한, 발광소자 칩이 실장되는 기판의 캐비티 또는 리세스에 형광체 혼합물을 채워 넣어 경화하는 방식이 아니라, 발광소자 칩 상에 형광체 혼합물을 도포한 뒤 이를 경화시키므로, 기판에 캐비티 또는 리세스 등이 형성될 필요가 없어 발광소자 패키지의 형태를 다양하게 할 수 있고, 발광소자 칩을 손상시키지 않는 전류를 인가해주므로 발광소자 칩의 손상도 방지할 수 있다.In addition, not a method of filling a cavity or recess of a substrate on which a light emitting device chip is mounted with a phosphor mixture to cure it, but rather a method of applying a phosphor mixture on the light emitting device chip and then curing the mixture to form a cavity or recess So that the shape of the light emitting device package can be varied and the damage to the light emitting device chip can be prevented by applying a current that does not damage the light emitting device chip.

도 1은 본원의 일 실시예에 따른 전류인가장치의 사시도이다.
도 2는 발광소자 칩부에 전류를 인가하는 컨택부가 안착되는 도 1의 A 부분을 확대한 도면이다.
도 3은 본원의 일 실시예에 따른 전류인가장치의 구성도이다.
도 4의 좌측 도면은 컨택부의 개략적인 정면도이고, 도 4의 우측 도면은 컨택부의 개략적인 평면도이다.
도 5는 복수개의 발광소자 칩부가 배열된 상태를 개략적으로 나타낸 평면도이다.1 is a perspective view of a current application device according to an embodiment of the present invention;
2 is an enlarged view of a portion A of Fig. 1 in which a contact portion for applying a current to the light emitting element chip is seated.
3 is a configuration diagram of a current application device according to an embodiment of the present invention.
4 is a schematic front view of the contact portion, and the right side view of Fig. 4 is a schematic plan view of the contact portion.
5 is a plan view schematically showing a state in which a plurality of light emitting device chip portions are arranged.

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. It should be understood, however, that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In the drawings, the same reference numbers are used throughout the specification to refer to the same or like parts.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. Throughout this specification, when a part is referred to as being "connected" to another part, it is not limited to a case where it is "directly connected" but also includes the case where it is "electrically connected" do.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout this specification, when a member is " on " another member, it includes not only when the member is in contact with the other member, but also when there is another member between the two members.

본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "~(하는) 단계" 또는 "~의 단계"는 "~ 를 위한 단계"를 의미하지 않는다.Throughout this specification, when an element is referred to as "including " an element, it is understood that the element may include other elements as well, without departing from the other elements unless specifically stated otherwise. The terms "about "," substantially ", etc. used to the extent that they are used throughout the specification are intended to be taken to mean the approximation of the manufacturing and material tolerances inherent in the stated sense, Accurate or absolute numbers are used to help prevent unauthorized exploitation by unauthorized intruders of the referenced disclosure. The word " step (or step) "or" step "used to the extent that it is used throughout the specification does not mean" step for.

본원의 일 실시예에 따른 형광체막 형성용 전류인가장치(1)(이하 '본 형광체막 형성용 전류인가장치'라 함)에 대해 설명한다.A current application device 1 for forming a phosphor film (hereinafter referred to as " current application device for forming a phosphor film ") according to one embodiment of the present application will be described.

형광체막은 발광소자 칩으로부터 나온 광에 의해 여기되어 다른 파장의 광을 방사하는 형광체가 포함된 막으로서, 특정 파장광을 변환하여 다른 파장광을 방출하는 역할을 한다.The phosphor film is a film containing a phosphor that is excited by light emitted from the light emitting device chip and emits light of a different wavelength, and plays a role of converting specific wavelength light to emit different wavelength light.

이 때, 발광소자는 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED), 반도체 레이저(Laser Diode, LD), 고체 레이저(Solid Laser) 등일 수 있다.In this case, the light emitting device may be a light emitting diode (LED), a semiconductor laser (LD), a solid laser, or the like.

본 형광체막 형성용 전류인가장치(1)는 제어부(10)를 포함한다.The current applying apparatus 1 for forming a phosphor film includes a control unit 10. [

도 3을 참조하면, 제어부(10)는 형광체 혼합물이 도포된 발광소자 칩부(220)에 인가되는 전류를 조절하는 제어신호를 발생시킨다.Referring to FIG. 3, the control unit 10 generates a control signal for controlling a current applied to the light emitting device part 220 to which the phosphor mixture is applied.

제어부(10)는 발광소자 칩의 스펙에 따라 전류가 인가되도록 제어신호를 형성시킬 수 있다. The control unit 10 may form a control signal so that current is applied according to the specification of the light emitting device chip.

보다 구체적으로, 제어부(10)는, LED 칩, LD 칩 등과 같은 발광소자 칩의 종류에 따라 인가 가능한 전류의 한계치, 형광체 혼합물을 경화시킬 수 있는 열을 발생시키는 전류의 크기, 요구되는 형광체막의 두께 등이 다를 수 있으므로, 이에 맞게 전류가 출력되도록 제어신호를 조절할 수 있다.More specifically, the control unit 10 controls the threshold value of the current that can be applied according to the type of the light emitting device chip such as the LED chip or the LD chip, the magnitude of the current that generates heat capable of curing the phosphor mixture, And so on, so that the control signal can be adjusted so that the current is outputted accordingly.

본 형광체막 형성용 전류인가장치(1)는 제어부(10)를 통해 발광소자 칩의 스펙에 맞게 인가되는 전류를 조절함으로써, 그 발광소자 칩에 대해 최적의 형광체막을 형성할 수 있고, 발광효율을 높일 수 있다. The current application device 1 for forming a phosphor film can control the current applied to the specification of the light emitting device chip through the control section 10 to form an optimum phosphor film for the light emitting device chip, .

예시적으로, 형광체 혼합물은 형광체 입자들(즉, 형광체 분말)을 포함하는 액상 또는 겔상의 수지일 수 있다. 이 때, 수지는 이를 테면 에폭시 또는 실리콘일 수 있지만, 다른 투광성 수지 재료가 이용될 수도 있다. Illustratively, the phosphor mixture may be a liquid or gel-like resin comprising phosphor particles (i.e., phosphor powder). At this time, the resin may be epoxy or silicone, for example, but other translucent resin materials may be used.

또한, 형광체 혼합물에 포함되는 형광체 입자들은 1 종 이상이 선택될 수 있으며, 이 때, 발광소자 칩이 발하는 광의 파장을 고려하여 선택될 수 있다.Also, one or more kinds of phosphor particles included in the phosphor mixture may be selected, and the phosphor particles may be selected in consideration of the wavelength of light emitted by the light emitting device chip.

또한, 형광체 혼합물은 EHD(elctrohydrodynamic) 펌프, ESD(electrostatic discharge) 펌프, 디스펜서(dispenser), 스프레이(spray) 등에 의해 발광소자 칩부(220)에 도포될 수 있다.The phosphor mixture may be applied to the light emitting device chip portion 220 by an EHD (elctrohydrodynamic) pump, an ESD (electrostatic discharge) pump, a dispenser, a spray, or the like.

도 5를 참조하면, 여기서, 발광소자 칩부(220)는 기판에 발광소자 칩이 배치된 패키지 형태일 수 있다.Referring to FIG. 5, the light emitting device chip portion 220 may be in the form of a package in which a light emitting device chip is disposed on a substrate.

본 형광체막 형성용 전류인가장치(1)는 전류발생부(30)를 포함한다.The current application device 1 for forming a phosphor film includes a current generating portion 30.

도 3을 참조하면, 전류발생부(30)는 제어신호에 따라 전류를 출력한다. 이 때, 전류는 발광소자 칩부(220)에 열을 발생시켜 형광체 혼합물을 경화시킨다.Referring to FIG. 3, the current generator 30 outputs a current according to a control signal. At this time, the current generates heat in the light emitting device chip portion 220 to cure the phosphor mixture.

전류발생부(30)는 발광소자 칩이 손상되지 않는 범위의 전류를 출력함이 바람직하다.It is preferable that the current generating section 30 outputs a current in a range in which the light emitting device chip is not damaged.

본 형광체막 형성용 전류인가장치(1)는 컨택부(50)를 포함한다.The current application device 1 for forming a phosphor film includes a contact portion 50.

컨택부(50)는 전류를 인가받아, 복수개의 발광소자 칩부(220) 각각에 전달한다.The contact unit 50 receives a current and transmits the current to each of the plurality of light emitting device chips 220.

발광소자 칩에 전류가 인가됨으로 인해 발광소자 칩에는 열이 발생하게 되고, 이를 통해 발광소자 칩 상에 도포된 형광체 혼합물이 경화될 수 있다. 즉, 복수개의 발광소자 칩에 동시에 전류가 전달됨으로써, 형광체 혼합물을 일괄적으로 경화시킬 수 있다. As a current is applied to the light emitting device chip, heat is generated in the light emitting device chip, and the phosphor mixture coated on the light emitting device chip can be cured. That is, current is simultaneously transferred to the plurality of light emitting device chips, whereby the phosphor mixture can be cured at one time.

이 때, 발광소자 칩 상에 형광체 혼합물이 잔류하는 경우, 잔여 형광체 혼합물을 제거함으로써, 형광체막을 완성시킬 수 있다. At this time, when the phosphor mixture remains on the light emitting device chip, the phosphor film can be completed by removing the remaining phosphor mixture.

본 형광체막 형성용 전류인가장치(1)는 복수개의 발광소자 칩부(220) 각각에 동시에 전류를 인가하여 형광체막이 일괄적으로 형성되도록 할 수 있다. 따라서, 종래와 같이 발광소자 칩 각각마다 형광체 물질이 포함된 수지를 코팅하는 과정을 반복하지 않아도 되고, 복수개의 발광소자 칩 각각의 형광체막이 한꺼번에 형성될 수 있으므로, 형광체 코팅을 위해 소요되는 시간 및 비용을 줄일 수 있다.The current application device 1 for forming a phosphor film may simultaneously apply a current to each of the plurality of light emitting device chips 220 to form a phosphor film collectively. Therefore, it is not necessary to repeat the process of coating the resin containing the phosphor material for each of the light emitting device chips, and the phosphor films of the plurality of light emitting device chips can be formed all at once, .

또한, 종래의 방식과 같이 발광소자 칩이 실장되는 기판의 캐비티 또는 리세스에 형광체 혼합물을 채워 넣어 경화하는 방식이 아니라, 발광소자 칩 상에 형광체 혼합물을 도포한 뒤 이를 경화시키므로, 기판의 형상 및 코팅의 형태를 다양하게 할 수 있다. Further, as in the conventional method, the phosphor mixture is coated on the light emitting device chip and then hardened by filling the cavity or the recess of the substrate on which the light emitting device chip is mounted with the phosphor mixture, The shape of the coating can be varied.

뿐만 아니라, 형광체 혼합물을 경화시키기 위해 발광소자 칩에 가해주는 전류의 크기는 발광소자 칩을 손상시키지 않는 범위 내에서 선택되므로 발광소자 칩의 손상도 방지할 수 있다.In addition, since the size of the current applied to the light emitting device chip for curing the phosphor mixture is selected within a range that does not damage the light emitting device chip, damage to the light emitting device chip can be prevented.

도 1 및 도 2를 참조하면, 안착부(1000)에는 도 4에 도시된 바와 같은 컨택부(50)가 구비될 수 있고, 컨택부(50)의 하측에는 도 5에 도시된 바와 같은 발광소자 칩부(220)들이 구비될 수 있다. 컨택부(50)는 하측에 위치한 발광소자 칩부(220)와 접촉되어 발광소자 칩부(220)에 전류를 인가할 수 있다. 1 and 2, a contact portion 50 as shown in FIG. 4 may be provided on the seating part 1000, and a light emitting element Chip portions 220 may be provided. The contact unit 50 may contact the light emitting device chip 220 located at the lower side to apply current to the light emitting device chip unit 220.

이 때, 컨택부(50)에 형성된 발광소자 칩 관찰홀(53)을 통해, 발광소자 칩 상의 형광체 혼합물의 경화 정도 등을 관찰할 수 있다.At this time, the degree of curing of the phosphor mixture on the light emitting device chip can be observed through the light emitting element chip observation hole 53 formed in the contact portion 50.

예시적으로, 컨택부(50)는 프로브 카드일 수 있다.Illustratively, the contact portion 50 may be a probe card.

도 4를 참조하면, 컨택부(50)는 복수개의 발광소자 칩부(220) 각각에 접촉하는 프로브핀(51)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the contact unit 50 may include a probe pin 51 contacting each of the plurality of light emitting device chips 220.

프로브핀(51)은 도 5에 도시된 발광소자 칩부(200)에 접촉되어, 전류를 발광소자 칩부(220)에 인가할 수 있다. 예를 들어, 프로브핀(51)은 발광소자 칩부(220)의 (+) 극과 (-) 극에 각각 접촉되어, 발광소자 칩부(220)에 전류를 인가할 수 있다.The probe pin 51 contacts the light emitting device chip portion 200 shown in FIG. 5, and can apply a current to the light emitting device chip portion 220. For example, the probe pin 51 may be in contact with the (+) and (-) poles of the light emitting device part 220 to apply current to the light emitting device chip part 220.

제어부(10)는 복수개의 발광소자 칩부(220)에 인가되는 전류의 전류 인가 시간을 조절 가능하며, 복수개의 발광소자 칩부(220) 각각에 도포된 형광체 혼합물의 경화 두께는 전류 인가 시간에 따라 조절될 수 있다.The control unit 10 can control the current application time of the current applied to the plurality of light emitting device chip units 220 and the curing thickness of the phosphor mixture applied to each of the plurality of light emitting device chip units 220 can be adjusted .

이를 통해, 제어부(10)는 발광소자 칩의 종류, 스펙 등에 따라 요구되는 형광체막의 두께가 달라지도록 할 수 있다. 즉, 발광소자 칩에 전류가 인가되는 시간을 조절함으로써 발광소자 칩에서 열이 발생하는 시간을 다르게 할 수 있고, 이에 따라 형광체 혼합물이 경화되는 시간의 조절이 가능하므로, 형광체막의 두께를 달라지게 할 수 있다. 따라서, 제어부(10)는 전류가 출력되는 시간을 조절함으로써 발광소자 칩에 최적화된 두께를 갖는 형광체막을 형성시킬 수 있다.Accordingly, the controller 10 can vary the thickness of the phosphor film required according to the type, specification, etc. of the light emitting device chip. That is, by adjusting the time for applying current to the light emitting device chip, the time for generating heat in the light emitting device chip can be made different, and thus the time for curing the phosphor mixture can be controlled. . Therefore, the control unit 10 can form a phosphor film having a thickness optimized for the light emitting device chip by controlling the time for outputting the current.

예를 들어, 비교적 두꺼운 형광체막의 형성이 필요한 경우, 발광소자 칩 상의 형광체 혼합물이 긴 시간동안 경화될 수 있도록, 제어부(10)는 전류발생부(30)가 전류를 긴 시간동안 출력시키도록 명령하는 제어신호를 발생시킬 수 있다. 또는, 이와 반대로, 비교적 얇은 형광체막의 형성이 필요한 경우, 제어부(10)는 전류발생부(30)가 전류를 짧은 시간동안만 출력시키도록 명령하는 제어신호를 발생시킬 수 있다.For example, when it is necessary to form a relatively thick phosphor film, the control section 10 instructs the current generating section 30 to output the current for a long time so that the phosphor mixture on the light emitting device chip can be cured for a long time A control signal can be generated. Alternatively, when it is necessary to form a relatively thin phosphor film, the control section 10 can generate a control signal instructing the current generating section 30 to output current for only a short time.

또한, 제어부(10)는 전류의 인가시간을 적절히 조절함으로써, 전류로 인해 발광소자 칩에 높은 열이 발생하여 발광소자 칩이 손상되는 것을 방지할 수도 있다. In addition, the controller 10 can prevent the light emitting device chip from being damaged by generating a high heat in the light emitting device chip due to the current by appropriately adjusting the current application time.

제어부(10)는 복수개의 발광소자 칩부(220) 각각의 특성에 따라 복수개의 발광소자 칩부(220) 각각에 인가되는 전류의 전류 크기 및 전압 크기를 조절할 수 있다.The control unit 10 may adjust the current magnitude and voltage magnitude of the current applied to each of the plurality of light emitting device chips 220 according to the characteristics of the plurality of light emitting device chip units 220. [

여기서, 발광소자 칩부(220)의 특성은 발광소자 칩의 허용 전류 또는 허용 전압일 수 있다.Here, the characteristic of the light emitting device chip part 220 may be the allowable current or allowable voltage of the light emitting device chip.

예를 들어, 복수개의 발광소자 칩 각각에 인가되는 전류의 크기, 전류의 인가시간 등을 모두 다르게 할 수 있다. For example, the magnitude of the current applied to each of the plurality of light emitting device chips, the application time of the current, and the like can be made different from each other.

이를 통해, 해당 발광소자 칩에 최적화된 형광체막을 형성시키기 위해 요구되는 전류의 크기, 전류의 인가시간 등을 찾을 수 있다.Thus, the magnitude of the current required for forming the phosphor film optimized for the light emitting device chip, the application time of the current, and the like can be found.

예시적으로, 도 5를 참조하면, 복수개의 발광소자 칩부(220)가 20 개인 경우, 제어부(10)는 20 개의 발광소자 칩부(220) 각각마다 인가시간, 크기 등이 다른 전류가 인가되도록 할 수도 있고, 2 개의 발광소자 칩부(220)를 하나의 세트로 하여 10 개 세트 각각에 대해 인가시간, 크기 등이 다른 전류가 인가되도록 할 수도 있다. 5, when the plurality of light emitting device parts 220 are 20, the controller 10 applies different currents to each of the 20 light emitting device parts 220, Alternatively, a current having a different application time, size, etc. may be applied to each of the ten sets of the two light emitting device chips 220 as one set.

전류발생부(30)는 제어부(10)로부터 입력되는 제어신호를 변환하는 컨버팅부(31)를 포함할 수 있다.The current generating unit 30 may include a converting unit 31 for converting a control signal input from the control unit 10. [

컨버팅부(31)는 후술하는 파워 서플라이(33)가 명령을 수신할 수 있는 신호로 제어신호를 변환시킬 수 있다.The converting unit 31 can convert the control signal into a signal that can be received by the power supply 33, which will be described later.

도 3을 참조하면, 컨버팅부(31)는 제어부(10)로부터 인가된 제어신호를 아날로그로 변환하는 D/A 컨버터(311)를 포함할 수 있다.3, the converting unit 31 may include a D / A converter 311 for converting a control signal applied from the control unit 10 into an analog signal.

D/A 컨버터(311)는 부호화되어 있는 디지털 신호 형식의 제어신호를 아날로그 신호 형식으로 변환할 수 있다. 이를 통해, 후술하는 파워 서플라이(33)가 제어신호의 명령을 수신할 수 있다.The D / A converter 311 can convert a control signal of the encoded digital signal format into an analog signal format. Thereby, the power supply 33, which will be described later, can receive the command of the control signal.

또한, 컨버팅부(31)는 D/A 컨버터(311)로부터 아날로그로 변환된 제어신호를 입력받아 변압시켜 후술하는 파워 서플라이(33)로 전달하는 DC-DC 스위칭(313)을 포함할 수 있다.The converting unit 31 may include a DC-DC switching unit 313 that receives the control signal converted from the D / A converter 311 and converts the received analog control signal to a power supply 33, which will be described later.

DC-DC 스위칭(313)은 어떤 전압의 직류전원에서 다른 전압의 직류전원으로 변환하는 역할을 한다. 다시 말해, 도 3을 참조하면, DC-DC 스위칭(313)은 D/A 컨버터(311)로부터 직류 형태의 아날로그로 제어신호를 입력받아 이를 교류로 바꾸어 정류한 뒤 다시 직류 형태로 바꾸어 후술하는 파워 서플라이(33)가 명령을 수신할 수 있도록 한다.The DC-DC switching 313 serves to convert a DC voltage of a certain voltage to a DC voltage of a different voltage. 3, the DC-DC switching 313 receives a control signal from a D / A converter 311 in the form of a DC-like analogue signal, converts the control signal into an AC signal, rectifies the signal, Thereby allowing the supply 33 to receive the command.

또한, 전류발생부(30)는 컨버팅부(31)로부터 변환된 제어신호를 입력받아, 이에 따라 전류를 출력하는 파워 서플라이(33)를 포함할 수 있다.The current generator 30 may include a power supply 33 that receives the converted control signal from the converting unit 31 and outputs a current according to the control signal.

파워 서플라이(33)는 제어신호의 명령에 따른 크기, 인가시간 등으로 전류를 출력할 수 있다. The power supply 33 can output a current in accordance with a command of a control signal, an application time, or the like.

도 3을 참조하면, 파워 서플라이(33)에서 출력된 전류는 발광소자 칩부(220)에 인가되도록 전달될 수 있다.Referring to FIG. 3, the current output from the power supply 33 may be transmitted to the light emitting device unit 220.

파워 서플라이(33)는 제어신호에 따라 정전압 모드 또는 정전류 모드로 설정될 수 있다.The power supply 33 can be set to a constant voltage mode or a constant current mode according to a control signal.

여기서, 정전압 모드는 부하의 변화에 관계없이 파워 서플라이(33)가 언제나 일정 전압을 출력하도록 하는 모드이고, 정전류 모드는 부하의 변화에 관계없이 파워 서플라이(33)가 언제나 일정 전류를 출력하도록 하는 모드이다.Here, the constant voltage mode is a mode in which the power supply 33 always outputs a constant voltage irrespective of changes in the load. In the constant current mode, the mode in which the power supply 33 always outputs a constant current, to be.

파워 서플라이(33)는 제어신호의 명령에 따라 정전압 모드 또는 정전류 모드로 설정됨으로써, 발광소자 칩의 특성에 맞게 전류를 출력할 수 있다.The power supply 33 is set to the constant voltage mode or the constant current mode in accordance with the command of the control signal, so that the current can be outputted in accordance with the characteristics of the light emitting device chip.

이 때, 제어부(10)는 정전류의 크기 또는 정전압의 크기를 설정할 수 있다.At this time, the controller 10 can set the magnitude of the constant current or the magnitude of the constant voltage.

예를 들어, 파워 서플라이(33)의 정전압은 0 V 내지 50 V에서 가변 가능하다.For example, the constant voltage of the power supply 33 may vary from 0 V to 50 V.

또한, 도 3을 참조하면, 전류발생부(30)는 파워 서플라이(33)로부터 피드백 신호를 입력받아 디지털로 변환하여 제어부(10)로 전달하는 A/D 컨버터(35)를 포함할 수 있다.3, the current generator 30 may include an A / D converter 35 that receives a feedback signal from the power supply 33, converts the digital signal into a digital signal, and transmits the digital signal to the controller 10.

A/D 컨버터(35)는 아날로그 신호를 디지털 신호 형식으로 변환할 수 있다. 따라서, 제어부(10)가 피드백 신호를 수신하여 인식할 수 있다.The A / D converter 35 can convert an analog signal into a digital signal format. Therefore, the control unit 10 can receive and recognize the feedback signal.

이를 통해, 제어부(10)는 파워 서플라이(33)가 명령에 따라 작동하고 있는지 여부를 감시할 수 있다. 예를 들어, 제어부(10)는 피드백 신호를 통해, 설정된 전류의 크기, 설정된 전류 인가 시간 등으로 전류가 출력되는지 여부를 감시할 수 있다.Thereby, the control unit 10 can monitor whether or not the power supply 33 is operating in accordance with an instruction. For example, the control unit 10 can monitor whether the current is outputted through the feedback signal, the magnitude of the set current, the set current application time, or the like.

본 형광체막 형성용 전류인가장치(1)는 전류발생부(30)로부터 출력되는 전류가 과전류인 경우, 컨택부(50)로 공급되지 않도록 전류를 차단하는 차단부(미도시)를 포함할 수 있다.The current application device 1 for forming a phosphor film may include a blocking part (not shown) for blocking current so as not to be supplied to the contact part 50 when the current outputted from the current generating part 30 is an overcurrent have.

이를 통해, 발광소자 칩에 과전류가 인가되어, 발광소자 칩의 과부하로 인한 손상을 방지할 수 있다.As a result, an overcurrent is applied to the light emitting device chip, thereby preventing damage due to overload of the light emitting device chip.

예를 들어, 설정된 정전압 또는 정전류 이상으로 파워 서플라이(33)가 전류를 출력하는 경우, 차단부는 이를 차단할 수 있다.For example, when the power supply 33 outputs a current in excess of a set constant voltage or a constant current, the blocking portion can block this.

종래에는 발광소자 칩 상에 형광체를 코팅하기 위해, 기판 상에 형성된 캐비티(cavity) 또는 리세스(recess)에 발광소자 칩을 배치한 다음, 캐비티 또는 리세스를 형광체 물질이 포함된 수지로 채워 이를 경화시키는 방법을 사용하였다.Conventionally, in order to coat a phosphor on a light emitting device chip, a light emitting device chip is disposed in a cavity or a recess formed on a substrate, and then the cavity or recess is filled with a resin containing a phosphor material, Curing method was used.

그러나, 이와 같은 방법은 각각의 발광소자 칩마다 형광체 물질이 포함된 수지를 전기적인 스프레이나 스크린 프린팅 등을 통해 도포한 다음 경화시키는 과정을 반복 수행해야 하므로 비용이 많이 들고 번거롭다는 문제점이 있었다.However, such a method has a problem in that the resin containing the phosphor material is applied to each light emitting element chip through electrical spraying or screen printing and then cured repeatedly, which is costly and troublesome.

또한, 기판에는 형광체 물질이 포함되는 수지를 채워 넣기 위한 캐비티 또는 리세스가 형성되어야 하므로, 기판의 형상과 코팅의 형태가 제한되어 있고, 기판에 캐비티 또는 리세스 등을 형성하기 위한 과정이 별도로 필요하다는 문제점이 이었다. 뿐만 아니라, 형광체 물질이 포함된 수지를 경화하기 위해 가해지는 열 등으로 인해 발광소자 칩이 손상될 염려도 있었다.Further, since a cavity or recess for filling a resin containing a phosphor material is formed on the substrate, the shape of the substrate and the shape of the coating are limited, and a process for forming a cavity or a recess in the substrate is separately required There was a problem. In addition, the light emitting device chip may be damaged due to heat applied to cure the resin containing the fluorescent material.

반면, 본 형광체막 형성용 전류인가장치(1)는, 형광체 혼합물이 도포된 복수개의 발광소자 칩에 전류를 인가하여, 발광소자 칩에 발생되는 열을 통해 형광체 혼합물이 경화되도록 함으로써, 복수개의 발광소자 칩에 대해 형광체막이 동시에 형성되도록 할 수 있으므로, 형광체막을 형성하기 위해 소요되는 시간 및 비용을 줄일 수 있다.On the other hand, the current application device 1 for forming a phosphor film has a structure in which a current is applied to a plurality of light emitting device chips coated with a phosphor mixture to cure the phosphor mixture through heat generated in the light emitting device chip, The phosphor film can be simultaneously formed on the element chip, so that the time and cost required for forming the phosphor film can be reduced.

또한, 발광소자 칩이 실장되는 기판의 캐비티 또는 리세스에 형광체 혼합물을 채워 넣어 경화하는 방식이 아니라, 발광소자 칩 상에 형광체 혼합물을 도포한 뒤 이를 경화시키므로, 다양한 형태의 발광소자 패키지를 형성할 수 있고, 발광소자 칩을 손상시키지 않는 범위의 전류를 인가해주므로 발광소자 칩의 손상도 방지할 수 있다.Further, instead of a method of filling a cavity or recess of a substrate on which a light emitting device chip is mounted with a phosphor mixture to cure the light emitting device chip, a phosphor mixture is coated on the light emitting device chip and then cured, thereby forming various types of light emitting device packages And a current in a range that does not damage the light emitting device chip is applied, so that the damage of the light emitting device chip can also be prevented.

전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.It will be understood by those of ordinary skill in the art that the foregoing description of the embodiments is for illustrative purposes and that those skilled in the art can easily modify the invention without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. For example, each component described as a single entity may be distributed and implemented, and components described as being distributed may also be implemented in a combined form.

본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.

1: 형광체막 형성용 전류인가장치 1000: 안착부
10: 제어부 30: 전류발생부
31: 컨버팅부 33: 파워 서플라이
35: A/D 컨버터 311: D/A 컨버터
313: DC-DC 스위칭 50: 컨택부
51: 프로브핀 53: 발광소자 칩 관찰홀
220: 발광소자 칩부1: Current applying device for forming a phosphor film 1000:
10: control unit 30: current generating unit
31: Converting unit 33: Power supply
35: A / D converter 311: D / A converter
313: DC-DC switching 50:
51: probe pin 53: light emitting element chip observation hole
220: light emitting element chip portion

Claims (9)

형광체막 형성용 전류인가장치에 있어서,
형광체 혼합물이 도포된 복수개의 발광소자 칩부에 인가되는 전류를 조절하는 제어신호를 발생시키는 제어부;
상기 제어신호에 따라 상기 전류를 출력하는 전류발생부; 및
상기 전류를 인가받아, 상기 복수개의 발광소자 칩부에 각각 전달하는 컨택부를 포함하되,
상기 복수개의 발광소자 칩부에 상기 전류가 인가됨에 의해, 상기 복수개의 발광소자 칩부에 도포된 상기 형광체 혼합물 중 적어도 일부가 경화되고,
상기 제어부는,
상기 복수개의 발광소자 칩부에 인가되는 전류의 전류 인가 시간을 조절 가능하며,
상기 복수개의 발광소자 칩부 각각에 도포된 형광체 혼합물의 경화 두께는 상기 전류 인가 시간에 따라 조절되고,
상기 복수개의 발광소자 칩부 각각의 특성에 따라 상기 복수개의 발광소자 칩부 각각에 인가되는 전류의 전류 크기 및 전압 크기를 조절 가능한 것인 형광체막 형성용 전류인가장치.In the current applying device for forming a phosphor film,
A control unit for generating a control signal for controlling a current applied to the plurality of light emitting device chips to which the phosphor mixture is applied;
A current generator for outputting the current according to the control signal; And
And a contact portion receiving the current and transmitting the current to the plurality of light emitting device portions,
At least a part of the phosphor mixture applied to the plurality of light emitting device parts is cured by applying the current to the plurality of light emitting device parts,
Wherein,
Wherein the current application time of the current applied to the plurality of light emitting device parts is adjustable,
Wherein the curing thickness of the phosphor mixture applied to each of the plurality of light emitting device chip portions is adjusted according to the current application time,
Wherein a current magnitude and a voltage magnitude of a current applied to each of the plurality of light emitting device portions are adjustable according to characteristics of the plurality of light emitting device portions. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 전류발생부는,
상기 제어부로부터 입력되는 상기 제어신호를 변환하는 컨버팅부; 및
상기 컨버팅부로부터 변환된 상기 제어신호를 입력받아, 상기 제어신호에 따라 전류를 출력하는 파워 서플라이를 포함하는 것인 형광체막 형성용 전류인가장치.The method according to claim 1,
Wherein the current-
A converter for converting the control signal input from the controller; And
And a power supply for receiving the control signal converted from the converting unit and outputting a current according to the control signal. 제 4 항에 있어서,
상기 파워 서플라이는, 상기 제어신호에 따라 정전압 모드 또는 정전류 모드로 설정되는 것인 형광체막 형성용 전류인가장치.5. The method of claim 4,
Wherein the power supply is set to a constant voltage mode or a constant current mode in accordance with the control signal. 제 5 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 정전류의 크기 또는 상기 정전압의 크기를 설정할 수 있는 것인 형광체막 형성용 전류인가장치.6. The method of claim 5,
Wherein the controller is capable of setting the magnitude of the constant current or the magnitude of the constant voltage. 제 4 항에 있어서,
상기 컨버팅부는,
상기 제어부로부터 인가된 상기 제어신호를 아날로그로 변환하는 D/A 컨버터; 및
상기 D/A 컨버터로부터 아날로그로 변환된 상기 제어신호를 입력받아 변압시켜 상기 파워 서플라이로 전달하는 DC-DC 스위칭을 포함하는 것인 형광체막 형성용 전류인가장치.5. The method of claim 4,
Wherein the converting unit comprises:
A D / A converter for converting the control signal applied from the control unit to analog; And
And DC-DC switching for receiving the control signal converted from the D / A converter to an analog and transforming the received control signal to the power supply. 제 4 항에 있어서,
상기 전류발생부는, 상기 파워 서플라이로부터 피드백 신호를 입력받아 디지털로 변환하여 상기 제어부로 전달하는 A/D 컨버터를 포함하는 것인 형광체막 형성용 전류인가장치.5. The method of claim 4,
Wherein the current generator includes an A / D converter that receives a feedback signal from the power supply, converts the feedback signal to digital, and transmits the digital signal to the controller. 제 1 항에 있어서,
상기 전류발생부로부터 출력되는 상기 전류가 과전류인 경우, 상기 컨택부로 공급되지 않도록 상기 전류를 차단하는 차단부를 더 포함하는 형광체막 형성용 전류인가장치. The method according to claim 1,
And a blocking portion for blocking the current so as not to be supplied to the contact portion when the current outputted from the current generating portion is an overcurrent.
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