KR101504221B1 - Large scale plate and method for uniform polishing of the same - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 기판 연마 방법은 대형 기판을 연마하는 공정에서 대형 기판의 중심부와 테두리 부분의 연마량 차이를 최소화할 수 있다. The substrate polishing method according to the present invention can minimize the difference in the amount of polishing between the central portion and the rim portion of the large substrate in the process of polishing the large substrate.

Description

대형기판 및 대형기판의 균일한 연마를 위한 연마 방법{Large scale plate and method for uniform polishing of the same } BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a polishing method for uniform polishing of a large substrate and a large substrate,

본 발명은 대형 기판 및 그 연마 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 대형 기판을 연마하는 공정에서 대형 기판의 중심부와 테두리 부분의 연마량 차이를 최소화할 수 있는 연마방법 및 그에 의해 생산된 대형기판에 관한 것이다. More particularly, the present invention relates to a polishing method capable of minimizing a difference in polishing amount between a central portion and a rim portion of a large substrate in a process of polishing a large substrate, and a method of polishing a large substrate .

일반적으로, 기계적인 한계로 인해서 연마기는 대형 기판보다 작게 설계된다. 이 경우에는 대형 기판의 전체면을 연마하기 위해서 연마기를 이동시키면서 기판을 연마한다.Generally, due to mechanical limitations, the polishers are designed to be smaller than large substrates. In this case, the substrate is polished while moving the polisher to polish the entire surface of the large substrate.

도 1을 참조하면, 통상적인 연마기의 상정반(1)이 기판(2)의 장축 방향(x 방향)으로 이동하는 거리(P1)는 상정반(1) 반지름의 60%~80%이고 기판(2)의 단축 방향(y 방향)으로 이동하는 거리(P2)는 상정반(1) 반지름의 50%~70%이다. 도 1에서 점선으로 이루어진 직사각형(10)은 연마시에 상정반(1)의 중심이 이동하는 경로를 나타낸다.Referring to FIG. 1, a distance P1 at which the base 1 of the conventional polishing machine moves in the longitudinal direction (x direction) of the substrate 2 is 60% to 80% of the radius of the base 1, 2) in the minor axis direction (y direction) is 50% to 70% of the radius of the anticipated half (1). In FIG. 1, a rectangle 10 formed by a dotted line represents a path along which the center of the target half 1 moves during polishing.

상정반(1)이 상기 거리(P1)(P2)만큼 이동하면서 대형 기판(2)을 연마하면 대형 기판(2)의 중심부에서는 연마가 많이 이루어지는 반면에 대형 기판(2)의 테두리 부분에서는 연마가 작게 이루어져서 연마 편차가 심하게 발생한다는 문제점이 있다. 도 2는 상기 연마 편차를 보여준다. 도 2에서 붉은 색일수록 연마량이 많은 것을 나타내고 푸른 색일수록 연마량이 작은 것을 나타낸다. When the large-size substrate 2 is polished while the estimated thickness 1 moves by the distance P1 or P2, a large amount of polishing is performed at the center of the large size substrate 2. On the other hand, There is a problem in that abrasive deviations are generated severely. Fig. 2 shows the polishing deviation. In Fig. 2, the red color indicates that the polishing amount is larger, and the blue color indicates the polishing amount is smaller.

상기 연마 편차는 상기 경로(10)를 따라 상정반(1)이 이동할 때, 상정반(1)이 상기 중심부를 항상 지나는 반면에 상기 테두리 부분을 중심부의 1/4정도만 지나기 때문에 발생한다. The polishing deviation occurs because the imaginary circle 1 always passes through the center portion while the edge portion passes only about a quarter of the center portion when the imaginary plane 1 moves along the path 10.

한편, 연마패드의 연마량은 연마패드의 마모 상태, 연마패드가 기판(2)에 가하는 압력 등에 따라 영향을 받는다. 따라서, 상기 연마 편차를 줄이기 위해서는 연마패드의 마모 상태와 연마패드가 기판(2)에 가하는 압력도 고려해야 한다. On the other hand, the polishing amount of the polishing pad is influenced by the abrasion state of the polishing pad, the pressure applied to the substrate 2 by the polishing pad, and the like. Therefore, in order to reduce the polishing deviation, the wear state of the polishing pad and the pressure applied to the substrate 2 by the polishing pad must be considered.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 대형 기판을 연마하는 공정에서 대형 기판의 중심부와 테두리 부분의 연마량 차이(연마 편차)를 최소화할 수 있는 연마방법을 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a polishing method capable of minimizing a difference in polishing amount (polishing deviation) between a central portion and a rim portion of a large substrate in a process of polishing a large substrate.

특히, 본 발명은 연마패드의 마모 상태와 연마패드가 기판에 가하는 압력도 고려하여 상기 연마량 차이(연마 편차)를 최소화하는 연마 방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다.In particular, it is an object of the present invention to provide a polishing method that minimizes the difference in abrasion amount (abrasion deviation) in consideration of the abrasion state of the abrasive pad and the pressure applied to the substrate by the abrasive pad.

본 발명의 또 다른 목적은 상기 연마방법에 의해서 생산된 대형 기판을 제공하는데 있다. It is still another object of the present invention to provide a large substrate produced by the above polishing method.

상기 목적들을 이루기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 연마 방법은, 연마시에 상정반이 사각형의 경로를 따라 연마공정을 수행하고, 상기 상정반이 기판의 장축방향으로 이동하는 거리(S1) 및 기판의 단축방향으로 이동하는 거리(S2)는 상정반에 설치된 연마패드의 지름(D)의 90% 내지 100%이다. In order to achieve the above-mentioned objects, a substrate polishing method according to a preferred embodiment of the present invention is a polishing method in which a polishing process is performed along a quadrangle path of an assumption half at the time of polishing, a distance S1 at which the predicted half moves in a major axis direction of the substrate, And the distance S2 in the direction of the short axis of the substrate is 90% to 100% of the diameter D of the polishing pad provided in the half-height half.

바람직하게, 상기 경로는 직사각형이다.Preferably, the path is rectangular.

바람직하게, 상기 S1 및 S2는 아래 식 1,2로부터 계산된 값 중에서 작은 값을 갖는다. Preferably, S1 and S2 have a smaller value among the values calculated from the following equations (1) and (2).

[식 1][Formula 1]

D-dD-d

[식 2][Formula 2]

Figure 112010049911212-pat00001
Figure 112010049911212-pat00002
Figure 112010049911212-pat00001
Figure 112010049911212-pat00002

상기 식 1,2에서In Equations 1 and 2,

d : 연마패드의 테두리 부분에서 마모된 부분의 반경 방향 길이의 합.d is the sum of the radial length of the worn portion of the edge of the polishing pad.

D' : 연마패드가 기판에 가하는 압력이 기판을 마모시키기에 적합한 유효압력(Peff) 이상이 되는 부분의 직경.D ': Diameter of the portion where the pressure applied to the substrate by the polishing pad is not less than the effective pressure (P eff ) suitable for abrading the substrate.

Pend : 연마패드에서 상기 마모된 부분을 제외한 나머지 부분 중 최외곽에서 연마패드가 기판에 가하는 압력.P end : the pressure that the polishing pad applies to the substrate at the outermost portion of the polishing pad excluding the worn portion.

Peff : 기판을 마모시키기에 적합하도록 연마패드가 기판에 가하는 압력.P eff is the pressure applied by the polishing pad to the substrate, suitable for abrading the substrate.

아울러, 본 발명은 상기 연마방법에 의해서 균일하게 연마된 대형기판을 제공한다. In addition, the present invention provides a large substrate uniformly polished by the above-mentioned polishing method.

본 발명에 따른 기판 연마 방법은 대형 기판의 중심부와 테두리 부분의 연마량 차이(연마 편차)를 최소화할 수 있다. The substrate polishing method according to the present invention can minimize the difference in polishing amount (polishing deviation) between the central portion and the rim portion of the large substrate.

특히, 본 발명에 따른 기판 연마 방법은 연마량 차이(연마 편차)를 최소화하는데 있어서 연마패드의 마모 상태와 연마패드가 기판에 가하는 압력을 고려하기 때문에 대형 기판의 연마를 더욱 균일하게 할 수 있다. Particularly, since the method of polishing a substrate according to the present invention takes into account the abrasion state of the polishing pad and the pressure applied to the substrate in minimizing the difference in polishing amount (polishing deviation), the polishing of the large substrate can be more uniform.

아울러, 본 발명은 상기 연마방법에 의해서 균일하게 연마된 대형기판을 제공한다.In addition, the present invention provides a large substrate uniformly polished by the above-mentioned polishing method.

도 1은 종래 기술에 따른 대형기판 연마시에 연마기 상정반의 중심이 이동하는 경로를 보여주는 구성도.
도 2는 도 1의 연마에 따른 연마 편차를 보여주는 도면.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 연마방법에서 연마기 상정반의 중심이 이동하는 경로를 보여주는 도면.
도 4는 연마패드와 기판이 접촉된 상태를 보여주는 단면도.
도 5는 도 4의 상태에서 연마패드가 기판에 인가하는 압력을 보여주는 그래프.
도 6은 도 3의 연마에 따른 연마 편차를 보여주는 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic view showing a path along which a center of a grinding machine is moved during polishing of a large-size substrate according to a related art.
Fig. 2 is a view showing the polishing deviation according to the polishing of Fig. 1; Fig.
3 is a view showing a path along which a center of a grinding machine assuming part moves in a grinding method according to a preferred embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view showing the polishing pad and the substrate in contact with each other.
FIG. 5 is a graph showing the pressure applied to the substrate by the polishing pad in the state of FIG. 4; FIG.
Fig. 6 is a view showing a polishing deviation according to the polishing of Fig. 3; Fig.

이하, 첨부된 도면들을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Prior to this, terms and words used in the present specification and claims should not be construed as limited to ordinary or dictionary terms, and the inventor should appropriately interpret the concepts of the terms appropriately It should be interpreted in accordance with the meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention based on the principle that it can be defined. Therefore, the embodiments described in this specification and the configurations shown in the drawings are merely the most preferred embodiments of the present invention and do not represent all the technical ideas of the present invention. Therefore, It is to be understood that equivalents and modifications are possible.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 연마방법에서 연마기 상정반의 중심이 이동하는 경로를 보여주는 도면이고, 도 4는 연마패드와 기판이 접촉된 상태를 보여주는 단면도이다. FIG. 3 is a view showing a path of movement of the center of the grinding machine in the polishing method according to a preferred embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a sectional view showing a state in which the polishing pad and the substrate are in contact with each other.

본 발명에 따른 연마방법은 연마패드(3)가 설치된 상정반(1)이 기판(2)의 장축 방향(x 방향)으로 이동하는 거리(S1)와 단축 방향(y 방향)으로 이동하는 거리(S2)가 연마패드(3)의 지름(D)의 90% 내지 100%라는 특징을 가진다. 도면에서 점선으로 이루어진 사각형은 상기 연마시에 상정반(1)이 이동하는 경로(20)를 나타내는데, 상기 경로(20)는 직사각형인 것이 바람직하다.The polishing method according to the present invention is a polishing method in which the distance between the distance S1 in which the polishing table 1 provided with the polishing pad 3 moves in the major axis direction (x direction) of the substrate 2 and the distance S2 is 90% to 100% of the diameter D of the polishing pad 3. In the drawing, a square formed by a dotted line indicates a path 20 in which the pretensioner 1 moves during the polishing, and the path 20 is preferably rectangular.

상기 S1, S2가 상기 D의 90% 보다 작으면 연마 공정시에 대형 기판(2)의 중심부를 상정반(1)이 중첩(반복)해서 지나가기 때문에 상기 중심부에서의 연마량이 테두리에서의 연마량보다 훨씬 많아지게 되고, 이에 따라 연마 편차가 커지게 된다는 문제점이 있다. If S1 and S2 are smaller than 90% of D, the center of the large substrate 2 is overlapped (repeated) in the central portion of the large substrate 2, so that the amount of polishing at the central portion is larger than the amount of polishing at the edge And thus there is a problem that the polishing deviation becomes large.

상기 S1, S2가 상기 D의 100% 보다 크면 연마 공정시에 상정반(1)이 대형 기판(2)의 중심부를 지나가지 않는 경우가 발생할 수도 있다. If S1 and S2 are larger than 100% of D, there may occur a case where the substrate 1 does not pass through the center of the large substrate 2 during the polishing process.

한편, 상정반(1)에 설치된 연마패드(3)가 기판(2)을 연마하면 연마패드(3)도 마모되는데, 상기 마모는 연마패드(3)의 테두리 부분부터 발생된다. 도 4에 나타난 바와 같이, 연마패드(3)가 기판(2)과 접촉된 상태일 때, 상기 마모된 테두리 부분(d/2)은 기판(2)과 접촉하지 못하기 때문에 기판(2)의 연마에 기여하지 못한다. 도 4의 참조부호 d는 마모된 테두리 부분의 반경방향 길이의 합을 나타낸다. 도 4에서는 연마패드(3)의 상면에 구비되는 상정반(1)의 도시가 생략되었다.On the other hand, when the substrate 2 is polished by the polishing pad 3 provided on the supporter 1, the abrasive pad 3 is also worn out. This abrasion occurs from the edge of the polishing pad 3. As shown in Fig. 4, when the abrasive pad 3 is in contact with the substrate 2, the abraded rim portion d / 2 does not contact the substrate 2, It does not contribute to polishing. 4, d represents the sum of the radial lengths of the worn edge portions. In Fig. 4, the illustration of the supposing plate 1 provided on the upper surface of the polishing pad 3 is omitted.

연마패드(3)가 기판(2)을 연마할 수 있으려면 연마패드(3)가 기판(2)에 소정 압력(이하, ‘유효 압력(Peff)’이라 함) 이상을 인가해야 한다. 기판(2)을 연마할 수 있도록 연마패드(3)가 기판(2)에 인가하는 압력이 유효압력(Peff) 이상되는 부분의 직경을 D’라고 할 때, 연마에 유효한 부분의 직경(이하, ‘연마 유효 지름(Deff)’이라 함)은 (D-d)와 D’중에서 작은 값으로 정의할 수 있다. 도 5는 연마패드(3)의 실제 직경(D)과 D’의 관계를 예시적으로 보여준다. The polishing pad 3 must apply a predetermined pressure (hereinafter referred to as "effective pressure P eff ") or more to the substrate 2 in order that the polishing pad 3 can polish the substrate 2. When the diameter of the portion where the pressure applied to the substrate 2 by the polishing pad 3 is equal to or greater than the effective pressure P eff so that the substrate 2 can be polished is D ' , And 'effective diameter of polishing (D eff )') can be defined as a smaller value among (Dd) and D '. 5 shows an exemplary relationship between the actual diameter D of the polishing pad 3 and D '.

상기 연마 유효 지름(Deff)이 기판(2)의 장축방향(x 방향) 길이(a) 및 단축방향(y 방향) 길이(b) 보다 큰 경우에는 상정반(1)을 이동시키지 않고서도 기판(2)을 연마할 수 있으나, 상기 연마 유효 지름(Deff)이 상기 a, b 보다 작은 경우에는 상정반(1)을 이동시키면서 연마를 하여야 한다. 이 경우에 상기 상정반(1)의 장축방향(x 방향) 이동거리(S1) 및 단축방향(y 방향) 이동거리(S2)는 다음의 수학식 1, 2로부터 계산된 값 중에서 작은 값을 갖는 것이 바람직하다.
Substrate even without moving the major axis direction (x direction), a length (a) and minor axis direction if (y direction) is greater than the length (b), assuming a half (1) of the polishing effective diameter (D eff) of the substrate (2) (2) can be polished, but when the effective diameter of the abrasive (D eff ) is smaller than a, b, the abrasive should be polished while moving the supporter (1). In this case, the movement distance S1 in the major axis direction (x direction) and the movement distance S2 in the minor axis direction (y direction) of the imaginary circle 1 have a smaller value among the values calculated from the following equations (1) and .

Figure 112010049911212-pat00003
Figure 112010049911212-pat00003

Figure 112010049911212-pat00004
Figure 112010049911212-pat00004

상기 수학식 2에서, Pend 는 연마패드에서 상기 마모된 부분을 제외한 나머지 부분 중 최외곽에서 연마패드가 기판에 가하는 압력을 나타낸다.In Equation (2), P end represents the pressure applied to the substrate by the polishing pad at the outermost portion of the polishing pad excluding the worn portion.

상기 수학식 1,2를 이용하면 연마패드(3)의 마모상태와 연마패드(3)가 기판(2)에 인가하는 압력도 고려하여 S1, S2를 정할 수 있기 때문에 대형 기판(2)의 연마를 더욱 균일하게 할 수 있다. 도 6은 상기 수학식 1,2를 이용하여 결정된 이동거리(S1)(S2)를 갖는 경우의 연마량을 나타낸 것이다. 도 6과 도 2를 비교하면, 도 6의 경우가 도 2의 경우보다 연마편차가 훨씬 작음을 알 수 있다. S1 and S2 can be determined in consideration of the abrasion state of the polishing pad 3 and the pressure applied to the substrate 2 by the use of the equations 1 and 2 so that the polishing of the large substrate 2 Can be made more uniform. FIG. 6 shows the amount of polishing in the case of having the movement distance S1 (S2) determined using Equations (1) and (2). 6 and FIG. 2, it can be seen that the polishing deviation in FIG. 6 is much smaller than that in FIG.

<도면의 주요 참조부호에 대한 설명>
1 : 상정반 2 : 기판
3 : 연마패드
S1 : 상정반의 장축방향(x 방향) 이동거리
S2 : 상정반의 단축방향(y 방향) 이동거리
a : 기판의 장축방향(x 방향) 길이
b : 기판의 단축방향(y 방향) 길이
D : 연마패드의 직경 Peff : 유효압력
D': 연마패드가 기판에 인가하는 압력이 유효압력(Peff) 이상되는 부분의 직경
Deff : 연마 유효 지름DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS OF THE DRAWINGS
1: Assumption panel 2: substrate
3: Polishing pad
S1: Moving distance in the direction of major axis (x direction)
S2: Moving distance in the short axis direction (y direction)
a: length of the substrate in the major axis direction (x direction)
b: length of the substrate in the minor axis direction (y direction)
D: diameter of polishing pad P eff : effective pressure
D ': the diameter of the portion where the pressure applied to the substrate by the polishing pad is equal to or greater than the effective pressure (P eff )
D eff : Effective diameter of polishing

Claims (4)

연마패드가 설치된 상정반을 이동시켜 기판을 연마하는 방법으로 제조된 대형기판에 있어서,
상기 기판을 연마하는 방법은,
상기 연마시에 상정반은 사각형의 경로를 따라 연마공정을 수행하고,
상기 상정반이 기판의 장축방향으로 이동하는 거리(S1) 및 기판의 단축방향으로 이동하는 거리(S2)는 상정반에 설치된 연마패드의 지름(D)의 90% 내지 100%이며,
상기 기판의 가로 및 세로의 길이는 상기 연마패드 직경의 2배 이하이고,
상기 S1 및 S2는, 상기 연마패드의 전체 직경, 연마패드의 테두리 영역에서 발생된 마모의 정도, 연마에 요구되는 유효압력, 상기 연마패드 중 상기 유효압력 이상을 나타내는 부분의 직경 및 상기 연마패드 중 마모된 부분을 제외한 나머지 부분 중 최외곽 부분에서 상기 기판에 가하는 압력을 모두 고려하여 결정되는 것으로서, 아래 식 1,2로부터 계산된 값 중에서 작은 값을 갖는 기판 연마 방법인 것을 특징으로 하는 대형기판.
[식 1]
D-d
[식 2]
Figure 112014123888694-pat00005
Figure 112014123888694-pat00006

(단, 상기 식 1,2에서
d : 연마패드의 테두리 부분에서 마모된 부분의 반경 방향 길이의 합,
D' : 연마패드가 기판에 가하는 압력이 기판을 마모시키기에 적합한 유효압력(Peff) 이상이 되는 부분의 직경,
Pend : 연마패드에서 상기 마모된 부분을 제외한 나머지 부분 중 최외곽에서 연마패드가 기판에 가하는 압력,
Peff : 기판을 마모시키기에 적합하도록 연마패드가 기판에 가하는 압력)In a large-size substrate manufactured by a method of polishing a substrate by moving an in-plane half equipped with a polishing pad,
A method for polishing a substrate,
During the polishing, the polishing step is performed along the path of the quadrilateral of the assumed half,
The distance S1 in which the supposition half moves in the major axis direction of the substrate and the distance S2 in which it moves in the minor axis direction of the substrate is 90% to 100% of the diameter D of the polishing pad installed in the supposition half,
The length of the substrate in the lateral and vertical directions is not more than twice the diameter of the polishing pad,
The above-mentioned S1 and S2 are set to satisfy the following conditions: the total diameter of the polishing pad, the degree of wear generated in the edge region of the polishing pad, the effective pressure required for polishing, Wherein the substrate polishing method is a method of polishing a substrate having a smaller value among the values calculated from the following formulas 1 and 2, in consideration of all the pressures applied to the substrate at the outermost portion of the remaining portions except for the worn portion.
[Formula 1]
Dd
[Formula 2]
Figure 112014123888694-pat00005
Figure 112014123888694-pat00006

(However,
d: the sum of the radial lengths of the worn portions at the rim of the polishing pad,
D 'is a diameter of a portion where the pressure applied to the substrate by the polishing pad becomes equal to or greater than the effective pressure P eff suitable for abrading the substrate,
P end : the pressure applied to the substrate by the polishing pad at the outermost portion of the polishing pad except for the worn portion;
P eff : the pressure the polishing pad applies to the substrate to make it suitable for abrading the substrate) 제1항에 있어서,
상기 경로는 직사각형을 이루는 것을 특징으로 하는 대형기판. The method according to claim 1,
Wherein said path is a rectangle. 삭제delete 삭제delete
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106670944A (en) * 2016-12-31 2017-05-17 上海合晶硅材料有限公司 Silicon wafer polishing method

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070096878A (en) * 2006-03-27 2007-10-02 가부시키가이샤 시바기켕 Grinding surface plate, surface grinding apparatus and grinding method

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1865284A (en) * 1931-04-21 1932-06-28 Charleston Dry Dock & Machine Metal plate construction and method of forming the same
DE1151196B (en) * 1958-11-03 1963-07-04 Battista De Zordo Device for polishing marble slabs u. like
GB8522441D0 (en) * 1985-09-10 1985-10-16 Lindsey A F Flat glass
JP2657655B2 (en) * 1988-01-18 1997-09-24 八千代マイクロサイエンス株式会社 Aircraft window polishing equipment
JP3444715B2 (en) * 1996-03-15 2003-09-08 日立造船株式会社 Polishing apparatus and polishing method using this polishing apparatus
US6413156B1 (en) 1996-05-16 2002-07-02 Ebara Corporation Method and apparatus for polishing workpiece
JPH1058317A (en) * 1996-05-16 1998-03-03 Ebara Corp Polishing method and device for substrate
US6790763B2 (en) 2000-12-04 2004-09-14 Ebara Corporation Substrate processing method
JP2002217143A (en) * 2001-01-18 2002-08-02 Fujitsu Ltd Polishing method and polishing apparatus
CN100566938C (en) * 2002-12-27 2009-12-09 株式会社荏原制作所 Substrate polishing apparatus
JP4384954B2 (en) * 2004-08-30 2009-12-16 篤暢 宇根 Processing method, processing device, and rectangular flat plate processed product processed by this processing method
JP2006278977A (en) * 2005-03-30 2006-10-12 Fujitsu Ltd Manufacturing method of semiconductor device and polishing method
JP5428171B2 (en) * 2008-03-12 2014-02-26 東ソー株式会社 Polishing method
JP2010064196A (en) * 2008-09-11 2010-03-25 Ebara Corp Substrate polishing device and substrate polishing method
JP5388212B2 (en) * 2009-03-06 2014-01-15 エルジー・ケム・リミテッド Lower unit for float glass polishing system
KR101383600B1 (en) * 2010-03-11 2014-04-11 주식회사 엘지화학 Apparatus and method for monitoring glass plate polishing state

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070096878A (en) * 2006-03-27 2007-10-02 가부시키가이샤 시바기켕 Grinding surface plate, surface grinding apparatus and grinding method

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
류춘회 외 2명, 고속가공기를 이용한 CAD/CAM 포켓가공에 관한 연구, 한국기계가공학회지, 제3권, 제3호, 2004.9(pp 32-38) *
류춘회 외 2명, 고속가공기를 이용한 CAD/CAM 포켓가공에 관한 연구, 한국기계가공학회지, 제3권, 제3호, 2004.9(pp 32-38)*

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