KR101496248B1 - Apparatus for auto seeding of sapphire ingot growth furnace - Google Patents

Apparatus for auto seeding of sapphire ingot growth furnace Download PDF

Info

Publication number
KR101496248B1
KR101496248B1 KR20130079296A KR20130079296A KR101496248B1 KR 101496248 B1 KR101496248 B1 KR 101496248B1 KR 20130079296 A KR20130079296 A KR 20130079296A KR 20130079296 A KR20130079296 A KR 20130079296A KR 101496248 B1 KR101496248 B1 KR 101496248B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
unit
crucible
ingot
elevation
seed
Prior art date
Application number
KR20130079296A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20150005384A (en
Inventor
박종관
마용준
이서호
이학형
Original Assignee
디케이아즈텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 디케이아즈텍 주식회사 filed Critical 디케이아즈텍 주식회사
Priority to KR20130079296A priority Critical patent/KR101496248B1/en
Publication of KR20150005384A publication Critical patent/KR20150005384A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101496248B1 publication Critical patent/KR101496248B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/32—Seed holders, e.g. chucks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B17/00—Single-crystal growth onto a seed which remains in the melt during growth, e.g. Nacken-Kyropoulos method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/20—Aluminium oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

본 발명은 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치에 관한 것으로서, 사파이어 단결정의 원자재가 장입되는 도가니부를 가열하여, 용융된 원자재에 시드를 접촉하고 인상시켜 잉곳을 성장시키도록 사파이어 잉곳 성장로에 설치된 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치로서, 도가니부의 상부에 승강하도록 설치된 승강부와, 이 승강부의 일방에 결합되어 승강부에 승강구동력을 제공하는 승강구동부와, 도가니부의 상부에 설치되어 도가니부의 내부상태를 감시하는 영상분석부와, 도가니부에 설치되어 도가니부의 온도를 감시하는 온도측정부와, 영상분석부에 의한 도가니부의 내부상태 및 온도측정부에 의한 도가니부의 내부온도에 따라 승강구동부에 제어신호를 제공하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서 본 발명은 도가니부의 내부상태를 영상분석과 온도측정을 통해 상호 유기적으로 잉곳의 성장을 성장구동부에 의해 자동으로 제어함으로써, 시드의 승강을 수작업으로 조작하여 발생되는 잉곳의 편심성장이나 다결정성장과 같은 잉곳의 불량을 최소화할 수 있는 효과를 제공한다.The present invention relates to an autosiding device for growing a sapphire ingot by heating a crucible part in which raw materials of a sapphire single crystal are loaded to bring the seed into contact with the molten raw material, An elevator according to any one of claims 1 to 3, further comprising: an elevation portion provided on an upper portion of the crucible portion to raise and lower the crucible portion; an elevation driving portion coupled to one of the elevation portions to provide an elevation driving force to the elevation portion; A control unit for controlling the temperature of the crucible in accordance with an internal temperature of the crucible by the image analysis unit and an internal temperature of the crucible by the temperature measuring unit, And a control unit for providing the control signal to the control unit. Therefore, it is an object of the present invention to provide a method and apparatus for controlling the growth of an ingot by automatically controlling the growth of the ingot by means of image growth analysis and temperature measurement through the growth driving unit automatically by the internal state of the crucible, It is possible to minimize the defects of the same ingot.

Description

사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치{Apparatus for auto seeding of sapphire ingot growth furnace}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sapphire ingot growth furnace,

본 발명은 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 성장로의 도가니에 원자재를 장입하고 가열하여 사파이어 단결정의 잉곳을 성장시키는 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an autosiding apparatus for growing a sapphire ingot, and more particularly, to an autosiding apparatus for a sapphire ingot growing furnace for growing a sapphire single crystal ingot by charging raw materials into a crucible for a growth furnace .

반도체 직접회로, 발광 다이오드, 데이터 저장 장치, 광 탐지기등 현대의 정밀한 전자 제품에 소요되는 많은 소자들은 일반적으로 단결정으로부터 제조된다. 예를 들면, 반도체 직접회로는 단결정 실리콘 기판에서 제조되며, 발광다이오드, 데이터 저장장치, 광 탐지기 등과 같은 소자들은 일반적으로 사파이어 단결정 기판으로부터 제조된다.Many devices for modern precision electronic products such as semiconductor integrated circuits, light emitting diodes, data storage devices, and light detectors are generally manufactured from single crystals. For example, semiconductor integrated circuits are fabricated on single crystal silicon substrates, and devices such as light emitting diodes, data storage devices, photodetectors and the like are typically fabricated from sapphire monocrystalline substrates.

특히, 친환경적이고 저전력소비를 위한 LED(Light-Emitting Diode)에 관련된 각종 사업영역이 확장됨에 따라, LED의 제조시 사용되는 사파이어 기판재료에 대한 대구경화 및 대량 생산화가 요구되고 있다. Particularly, as various business fields related to LED (Light-Emitting Diode) for environment-friendly and low power consumption are expanded, it is required to increase the mass of the sapphire substrate material used for LED manufacturing.

이러한, 사파이어 기판은 잉곳이라고 불리는 덩어리를 절단하여 형성되며, 이러한 잉곳을 제조하는 방법으로는 2050 ℃의 고온에서 알루미나 분말을 융해하여 결정을 성장시켰으며, 베르누이법 (Verneuil method), 플럭스법 (flux growth), 쵸크랄스키법(Czochralski method), 온도구배법(thermal gradient technique), EF법(edge-defined film-fed growth), 카이로풀러스법(Kyropoulos method) 등이 개발되었다. 구체적으로, 한국공개특허 제2011-0042433호 및 국제공개특허 WO 2010/071142호는 쵸크랄스키법에 대한 발명이고, 한국등록특허 제0573525호는 카이로풀러스법에 대한 발명이다.The sapphire substrate is formed by cutting a mass called an ingot. As a method of producing such an ingot, a crystal is grown by melting alumina powder at a high temperature of 2050 DEG C, and the crystal is grown by a Verneuil method, a flux method a Czochralski method, a thermal gradient technique, an edge-defined film-fed growth (EF) method, and a Kyropoulos method have been developed. Specifically, Korean Patent Publication No. 2011-0042433 and International Patent Publication No. WO 2010/071142 are inventions for the Czochralski method, and Korean Patent No. 0573525 is an invention for the Cairo fullulus method.

즉, 사파이어 잉곳을 제조하는 쵸크랄스키법과 카이로풀러스법은 도가니에 알루미나 원재료를 충진하여 가열 및 용융시킨 후, 사파이어 시드(seed)를 용융체로 하향 및 접촉시킨 후, 제어된 속도로 인상시키거나 그대로 온도를 낮춤으로써, 시드에 용융물이 점진적으로 부착되어 잉곳이 형성되도록 하는 방법이다. That is, the Czochralski method and the CairoPulse method for manufacturing a sapphire ingot are performed by filling the crucible with the alumina raw material, heating and melting the sapphire raw material, and then lowering and contacting the sapphire seed with the molten material, By lowering the temperature, the melt is gradually adhered to the seed to form the ingot.

또한, 사파이어 기판들은 큰덩어리의 잉곳을 실린더 형상으로 절단하며, 절단된 실린더를 웨이퍼 형상으로 절단을 하여 이루어진다. 이때 실린더 내부에는 기포, 불순물 등의 형태의 결함이 존재하게 되며, 웨이퍼 절단시 이러한 기포등의 결함이 발생된 부위를 제외하게 되므로, 실린더 내부에 결함이 발생된 부위를 제외한 부분만이 양호한 제품으로 판단하게 된다. 따라서, 실린더 형상의 내부의 결함을 사전에 방지하여 잉곳제품의 불량율을 낮출 수 있는 방안의 개발이 절실한 실정이다.Further, the sapphire substrates are cut by cutting a large ingot into a cylinder shape and cutting the cut cylinder into a wafer shape. At this time, defects such as bubbles and impurities are present inside the cylinder, and when defects such as bubbles are excluded at the time of wafer cutting, only the parts except defective parts inside the cylinder are good products . Therefore, it is inevitable to develop a method capable of preventing the defects in the inside of the cylinder shape in advance to lower the defective rate of the ingot product.

또한, 잉곳의 제조시 시드를 통해서 잉곳이 성장되나, 종래의 제조방법은 시드가 샤프트에 비해서 편심이 빈번하게 발생되며 시드를 중심으로 온도 분포가 대칭이 되지 않고 편심되어, 잉곳이 편심되어 성장한다는 문제점이 있다.In addition, the ingot is grown through the seed during the production of the ingot. However, in the conventional manufacturing method, the seed is generated more frequently than the shaft, the eccentricity is frequently generated, the temperature distribution is not symmetrical about the seed, There is a problem.

특히, 종래에는 단순하게 작업자의 시각분석을 통해 시드의 승강이나 접촉이 수작업에 의한 승강작업에 의해 이루어지므로, 잉곳의 상부에 형성되는 시드링의 상층 및 하층의 간격이 불일치하여 다결정으로 성장하거나, 잉곳에 이물질이나 기포가 발생되어 양질의 잉곳을 제조하기 어렵다는 문제점도 있었다.Particularly, conventionally, since the lifting or contacting of the seeds is carried out by a manual lifting operation through a visual analysis of the operator, the spacing between the upper layer and the lower layer of the seed ring formed on the upper part of the ingot is inconsistent, Foreign matter or bubbles are generated in the ingot, making it difficult to produce a high quality ingot.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위해 안출한 것으로서, 시드의 승강을 수작업으로 조작하여 발생되는 잉곳의 편심성장이나 다결정성장과 같은 잉곳의 불량을 최소화할 수 있는 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.DISCLOSURE Technical Problem The present invention has been made in order to solve the conventional problems as described above, and it is an object of the present invention to provide a sapphire ingot growth type autosampler capable of minimizing the defects of the ingot such as eccentric growth of the ingot generated by manually operating the lifting / And to provide a seeding device.

또한, 본 발명은 잉곳의 성장초기 환경을 더욱 정밀하게 제어하여 잉곳의 편심성장을 방지할 수 있고, 시드와 용융 알루미나의 초기 접촉시 발생되는 부유물이나 먼지 등의 이물질을 제거하여 잉곳의 성장시 이물질의 유입을 방지하는 동시에 잉곳의 품질을 향상시킬 수 있는 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.In addition, the present invention can prevent the eccentric growth of the ingot by more precisely controlling the initial growth environment of the ingot, and remove foreign materials such as floating matters and dust generated during initial contact between the seed and fused alumina, It is another object of the present invention to provide an autodidating apparatus for sapphire ingot growth which can prevent the inflow of sapphire ingot and improve the quality of the ingot.

또한, 본 발명은 시드의 승강을 제어부에 의한 제어신호에 따라 정밀하게 승강할 수 있고 도가니부 내부의 성장상태의 변화를 최소화하여 영상획득 및 영상분석이 가능할 뿐만 아니라 카메라의 손상도 방지할 수 있는 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. In addition, the present invention can precisely elevate and descend a seed according to a control signal from a control unit, minimize a change in a growth state inside the crucible to thereby perform image acquisition and image analysis, Another object of the present invention is to provide an autosiding apparatus for sapphire ingot growth.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 사파이어 단결정의 원자재가 장입되는 도가니부를 가열하여, 용융된 원자재에 시드를 접촉하고 인상시켜 잉곳을 성장시키도록 사파이어 잉곳 성장로에 설치된 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치로서, 도가니부의 상부에 승강하도록 설치된 승강부; 상기 승강부의 일방에 결합되어 상기 승강부에 승강구동력을 제공하는 승강구동부; 상기 도가니부의 상부에 설치되어 도가니부의 내부상태를 감시하는 영상분석부; 상기 도가니부에 설치되어 도가니부의 온도를 감시하는 온도측정부; 및 상기 영상분석부에 의한 도가니부의 내부상태 및 상기 온도측정부에 의한 도가니부의 내부온도에 따라 상기 승강구동부에 제어신호를 제공하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a sapphire ingot growth furnace which includes a sapphire ingot growing furnace installed in a sapphire ingot growing furnace for heating a crucible to which raw materials of a sapphire single crystal are charged, contacting the seed to a molten raw material, An autocoding apparatus comprising: a lifting unit installed to move up and down on an upper portion of a crucible; An elevation driving unit coupled to one of the elevation units to provide an elevation driving force to the elevation unit; An image analyzer installed on the crucible to monitor an internal state of the crucible; A temperature measuring unit installed in the crucible to monitor the temperature of the crucible; And a control unit for providing a control signal to the elevation driving unit according to an internal state of the crucible part by the image analysis unit and an internal temperature of the crucible part by the temperature measurement unit.

본 발명의 상기 승강부의 상부에 설치되어 잉곳의 무게를 측정하는 제1 무게측정부를 더 포함하고, 상기 제어부는, 상기 제1 무게측정부에 의한 잉곳의 무게에 따라 상기 승강구동부에 제어신호를 제공하는 것을 특징으로 한다.The control unit may further include a first weight measuring unit installed on the elevating unit of the present invention for measuring the weight of the ingot, and the control unit may provide a control signal to the elevation driving unit according to the weight of the ingot by the first weight measuring unit .

본 발명의 상기 제1 무게측정부는, 상기 승강부의 상부 고정단에 설치된 레벨조정 플레이트; 상기 레벨조정 플레이트의 하부에 이격 설치된 고정브래킷; 및 상기 레벨조정 플레이트와 상기 고정브래킷 사이에 설치되어 상기 잉곳의 무게를 측정하는 로드셀 유닛;을 포함한다.The first weight measuring unit of the present invention may further include: a level adjusting plate provided on an upper fixed end of the elevating unit; A fixing bracket spaced apart from a lower portion of the level adjusting plate; And a load cell unit installed between the level adjusting plate and the fixing bracket and measuring the weight of the ingot.

본 발명의 상기 로드셀 유닛은, 상기 승강부의 중력에 대한 편심을 측정하도록 3개 또는 4개의 로드셀로 이루어져 있다.The load cell unit of the present invention is composed of three or four load cells so as to measure the eccentricity with respect to gravity of the lifting unit.

본 발명의 상기 도가니부의 하부에 설치되어 도가니의 무게를 측정하는 제2 무게측정부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.And a second weight measuring unit installed at a lower portion of the crucible of the present invention for measuring the weight of the crucible.

본 발명의 상기 승강부에 설치되어, 용융된 원자재에 시드의 접촉개시시 이물질을 제거하도록 시드에 진동을 부여하는 진동부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention is further characterized by a vibrating portion provided in the elevating portion of the present invention for applying vibration to the seed to remove foreign substances at the start of contact of the seed with the molten raw material.

본 발명의 상기 승강구동부는, 상기 승강부의 일방에 설치되어, 상기 승강부를 0∼25 ㎜/sec의 속도로 승강시키는 고속구동부; 상기 고속구동부의 일방에 설치되어, 상기 승강부와 상기 고속구동부를 함께 0.1∼30 ㎜/hr의 속도로 승강시키는 저속구동부; 및 상기 고속구동부의 일방에 설치되어, 상기 승강부와 상기 고속구동부를 함께 0.1∼0.5 ㎜/hr의 속도로 승강시키는 핸들구동부;를 포함한다.The elevation driving unit of the present invention includes a high-speed driving unit installed at one side of the elevating unit to elevate the elevating unit at a speed of 0 to 25 mm / sec; A low speed driving unit installed at one side of the high speed driving unit to raise and lower the elevation unit and the high speed driving unit at a rate of 0.1-30 mm / hr; And a handle driving unit installed at one of the high-speed driving units to raise and lower the elevating unit and the high-speed driving unit at a speed of 0.1 to 0.5 mm / hr.

본 발명의 상기 영상분석부는, 상기 승강부의 둘레 일방에 시드를 향해서 수직을 기준해서 하방으로 소정각도 경사지게 입설된 카메라; 상기 카메라의 하부를 개폐하도록 회전가능하게 설치된 셔터; 및 상기 셔터의 일방에 설치되어 상기 셔터에 회전구동력을 제공하는 셔터구동기;를 포함한다.The image analyzing unit of the present invention may further include a camera installed at one side of the elevating unit to be inclined downward at a predetermined angle with respect to a vertical direction to the seed; A shutter rotatably installed to open and close a lower portion of the camera; And a shutter driver installed at one side of the shutter to provide a rotational driving force to the shutter.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 도가니부의 내부상태를 영상분석과 온도측정을 통해 상호 유기적으로 잉곳의 성장을 성장구동부에 의해 자동으로 제어함으로써, 시드의 승강을 수작업으로 조작하여 발생되는 잉곳의 편심성장이나 다결정성장과 같은 잉곳의 불량을 최소화할 수 있는 효과를 제공한다.As described above, according to the present invention, the inner state of the crucible portion is automatically controlled by the growth driving unit by the growth driving unit mutually organically through the image analysis and the temperature measurement, whereby the eccentricity of the ingot generated by manually operating the lifting / It is possible to minimize the defects of ingots such as growth and polycrystalline growth.

또한, 승강부와 도가니부에 무게측정부를 설치하고 잉곳의 무게변화나 도가니의 무게변화에 의해 시드의 승강을 제어함으로써, 잉곳의 성장초기 환경을 더욱 정밀하게 제어할 수 있게 된다.In addition, by controlling the lifting and lowering of the seed by changing the weight of the ingot and the weight of the crucible, the initial growth environment of the ingot can be controlled more precisely by providing a weight measuring part on the elevating part and the crucible part.

또한, 승강부에 설치된 무게측정부에 복수개의 로드셀을 배치하여 시드의 승강시 편심을 감시하여 제어함으로써, 이로 인한 잉곳의 편심성장을 방지할 수 있게 된다.Further, it is possible to prevent the eccentric growth of the ingot due to this, by arranging a plurality of load cells in the weighing part installed in the elevating part to monitor and control the eccentricity when the seed is moved up and down.

또한, 승강부에 진동부를 설치함으로써, 시드와 용융 알루미나의 초기 접촉시 발생되는 부유물이나 먼지 등의 이물질을 제거하여 잉곳의 성장시 이물질의 유입을 방지하는 동시에 잉곳의 품질을 향상시킬 수 있게 된다.In addition, by providing the oscillating part in the lifting part, it is possible to remove impurities such as dirt and dust generated at the time of initial contact between the seed and the fused alumina, thereby preventing the ingress of foreign matter during growth of the ingot and improving the quality of the ingot.

또한, 시드를 승강시키는 승강구동부에 고속, 저속, 수동의 구동부를 별도로 구비함으로써, 시드의 승강을 제어부에 의한 제어신호에 따라 정밀하게 승강할 수 있게 된다.Further, by separately providing high-speed, low-speed, and manual driving sections in the elevation driving section for elevating and descending the seed, it is possible to elevate and descend the seeds precisely in accordance with the control signal by the control section.

또한, 영상분석부의 카메라 하부에 구동기에 동작하는 셔터를 구비함으로써, 도가니부 내부의 성장상태의 변화를 최소화하여 영상획득 및 영상분석이 가능할 뿐만 아니라 카메라의 손상도 방지할 수 있는 효과를 제공한다.Further, by providing a shutter that operates on the driver under the camera of the image analysis unit, it is possible to minimize the change in the growth state inside the crucible, thereby achieving image acquisition and image analysis as well as preventing damage to the camera.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치를 나타내는 구성도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치가 설치되는 사파이어 잉곳 성장로를 나타내는 구성도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치의 승강부와 진동부를 나타내는 구성도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치의 승강구동부를 나타내는 구성도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치의 영상분석부를 나타내는 구성도.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치의 제1 무게측정부를 나타내는 구성도.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치의 제1 무게측정부를 나타내는 확대도.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 의한 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치의 제1 무게측정부의 로드셀 유닛의 일예를 나타내는 상세도.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 의한 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치의 제1 무게측정부의 로드셀 유닛의 다른예를 나타내는 상세도.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 의한 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치에 의한 시드링의 성장상태를 나타내는 상태도.
도 11은 본 발명의 일실시예에 의한 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치를 이용한 사파이어 단결정의 잉곳 성장방법을 나타내는 흐름도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a configuration diagram showing an autosiding apparatus for a sapphire ingot growth according to an embodiment of the present invention; Fig.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a sapphire ingot growth furnace.
Fig. 3 is a view showing a lifting portion and a vibrating portion of an autocoding device for sapphire ingot growth according to an embodiment of the present invention; Fig.
4 is a view showing a lifting and driving part of an autosiding device of a sapphire ingot growing method according to an embodiment of the present invention.
5 is a configuration diagram showing an image analysis unit of an autosiding apparatus according to an embodiment of the present invention.
6 is a view showing a first weight measuring unit of an autosiding apparatus of a sapphire ingot growing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is an enlarged view of a first weight measuring unit of an autosiding apparatus in a sapphire ingot growing apparatus according to an embodiment of the present invention; FIG.
8 is a detailed view showing an example of a load cell unit of a first weight measuring unit of an autosiding apparatus according to an embodiment of the present invention.
9 is a detailed view showing another example of the load cell unit of the first weight measuring unit of the autosiding apparatus of the sapphire ingot growing apparatus according to the embodiment of the present invention.
10 is a state view showing a growth state of a seed ring by an autosiding device in a sapphire ingot growing step according to an embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a flow chart illustrating a method of growing a sapphire single crystal ingot using an autocoding apparatus for sapphire ingot growth according to an embodiment of the present invention. FIG.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예를 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치를 나타내는 구성도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치가 설치되는 사파이어 잉곳 성장로를 나타내는 구성도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치의 승강부와 진동부를 나타내는 구성도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치의 승강구동부를 나타내는 구성도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치의 영상분석부를 나타내는 구성도이다.FIG. 1 is a view illustrating a sapphire ingot growing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of a sapphire ingot growth apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a configuration diagram showing a lifting portion and a vibrating portion of the autodidating apparatus in the sapphire ingot growing method according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a view showing an embodiment of the present invention FIG. 5 is a view illustrating a structure of an image analysis unit of an autosiding apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 5 is a schematic view illustrating an image analysis unit of the autosiding apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치의 제1 무게측정부를 나타내는 구성도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치의 제1 무게측정부를 나타내는 확대도이고, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 의한 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치의 제1 무게측정부의 로드셀 유닛의 일예를 나타내는 상세도이고, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 의한 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치의 제1 무게측정부의 로드셀 유닛의 다른예를 나타내는 상세도이고, 도 10은 본 발명의 일 실시예에 의한 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치에 의한 잉곳 성장상태를 나타내는 상태도이다.FIG. 6 is a view illustrating a first weight measuring unit of the autosiding apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a view illustrating a first weight measuring unit of the autosiding apparatus of the sapphire ingot growing apparatus according to an embodiment of the present invention. 8 is a detailed view showing an example of a load cell unit of the first weight measuring unit of the autosiding apparatus of the sapphire ingot growing method according to the embodiment of the present invention, FIG. 10 is a view illustrating a sapphire ingot growth apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 10 is a view illustrating a sapphire ingot growth apparatus according to an embodiment of the present invention. Fig. 3 is a state view showing the ingot growth state by the autocoding device of Fig.

도 11은 본 발명의 일실시예에 의한 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치를 이용한 사파이어 단결정의 잉곳 성장방법을 나타내는 흐름도.FIG. 11 is a flow chart illustrating a method of growing a sapphire single crystal ingot using an autocoding apparatus for sapphire ingot growth according to an embodiment of the present invention. FIG.

도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에 따른 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치는, 승강부(20), 승강구동부(30), 영상분석부(40), 온도측정부(50), 제어부(60)를 포함하여 이루어져, 사파이어 단결정의 원자재로서 알루미나(Al2O3)가 장입되는 도가니부(10)를 가열하여, 용융된 알루미나에 시드를 접촉하고 인상시켜 잉곳을 성장시키도록 사파이어 잉곳 성장로에 설치된 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치이다.1 and 2, the sapphire ingot growth autocoding apparatus according to the present embodiment includes a lifting unit 20, an elevation driving unit 30, an image analysis unit 40, a temperature measurement unit 50 ) And a control unit 60 so as to heat the crucible portion 10 in which alumina (Al 2 O 3 ) is charged as a raw material of the sapphire single crystal so that the seed is brought into contact with the molten alumina and pulled up to grow the ingot. It is an autosiding device of a sapphire ingot growth furnace installed in a sapphire ingot growth furnace.

도가니부(10)는, 사파이어 단결정의 원자재로서 알루미나가 장입되어 가열수단(12)에 의해 가열되어 알루미나가 용융되도록 텅스텐(tungsten)이나 몰리브덴(molybdenum), 이들의 합금 등과 같은 금속재료로 제조된 도가니(11)로 이루어진 사파이어 잉곳의 성장로이다.The crucible portion 10 is made of a crucible 10 made of a metal material such as tungsten or molybdenum or an alloy thereof such that alumina is charged as a raw material of the sapphire single crystal and heated by the heating means 12 to melt the alumina And a sapphire ingot (11).

가열수단(12)은, 도가니(11)의 측면 및 하면의 둘레에 설치되어 도가니(11)를 가열하는 가열부재로서, 그라파이트(graphite) 재질의 카본재 히터로 이루어지며, 측면히터와 하면히터의 분리형으로 이루어져 있는 것이 바람직하다.The heating means 12 is a heating member which is provided around the side surface and the bottom surface of the crucible 11 and heats the crucible 11 and is made of a carbon material heater made of a graphite material, It is preferable that it is of a separate type.

측면히터는 도가니(11)의 측면 둘레에 원통형상으로 형성된 히터로서 도가니(11)의 측면을 가열하게 되고, 하면히터는 도가니(11)의 하면 둘레에 원형으로 형성된 히터로서 도가니(11)의 하면을 가열하게 된다.The side heater is a heater formed in a cylindrical shape around the side surface of the crucible 11 and heats the side surface of the crucible 11. The lower heater is a heater formed in a circular shape around the lower surface of the crucible 11, .

승강부(20)는, 도가니부(10)의 상부에 승강하도록 설치된 승강수단으로서, 도 3에 나타낸 바와 같이 지지블럭(21), 승강봉(22), 구동모터(23)로 이루어져, 도가니부(10)에서 용융된 알루미나에 시드를 접촉시켜 상승에 의해 시드링을 성장시키게 된다.The elevating portion 20 is an elevating means provided so as to be raised and lowered on the upper portion of the crucible 10 and is constituted by a supporting block 21, an elevating rod 22 and a driving motor 23, The seed is brought into contact with the molten alumina in the reactor 10 to grow the seed ring by the lift.

지지블럭(21)은, 승강구동부(30)에 의해 상하방향으로 승강되도록 설치된 승강지지수단으로서, 대략 사각형상의 블럭으로 형성되어 승강부(20)를 지지하게 되며, 지지블럭(21)의 내부에는 승강봉(22)과 구동모터(23) 사이의 구동력전달을 단속하도록 커플러(coupler)가 설치되어 있는 것이 바람직하다.The support block 21 is an elevation support means provided so as to be vertically raised and lowered by the elevation drive portion 30 and is formed as a substantially rectangular block to support the elevation portion 20, It is preferable that a coupler is provided so as to intermittently transmit the driving force between the elevating rod 22 and the driving motor 23. [

승강봉(22)은, 지지블럭(21)의 하부에 설치되되 수직축을 기준해서 회전하도로록 설치된 승강부재로서, 지지블럭(21)과 함께 승강구동부(30)에 의해 상하방향으로 승강하는 동시에 상하방향의 수직축을 기준해서 수평방향으로 회전가능하게 된다.The elevating rod 22 is an elevating member provided at the lower portion of the supporting block 21 and provided to be rotatable with respect to the vertical axis and is vertically moved up and down by the elevating driving portion 30 together with the supporting block 21 And is rotatable in the horizontal direction with reference to the vertical axis in the vertical direction.

구동모터(23)는, 지지블럭(21)의 상부에 설치된 회전구동수단으로서, 승강봉(22)에 연결되어 승강봉(22)에 수직축을 기준해서 수평방향의 회전구동력을 제공하게 된다. 이러한 구동모터(23)로는 0∼20RPM에 대한 펄스 피드백을 통한 정밀제어가 가능한 서보모터를 사용하는 것이 바람직하다.The driving motor 23 is connected to the elevating rod 22 as a rotational driving means provided on the upper portion of the supporting block 21 and provides a horizontal driving force to the elevating rod 22 based on the vertical axis. As the driving motor 23, it is preferable to use a servo motor capable of precise control through pulse feedback for 0 to 20 RPM.

승강구동부(30)는, 승강부(20)의 일방에 승강부(20)를 승강시키도록 결합되어 승강부(20)에 승강구동력을 제공하는 승강구동수단으로서, 도 4에 나타낸 바와 같이 고속구동부(31), 저속구동부(32) 및 핸들구동부(33)으로 이루어져 있다.The elevation drive unit 30 is elevation driving means coupled to one side of the elevation unit 20 so as to raise and lower the elevation unit 20 to provide an elevation driving force to the elevation unit 20, (31), a low-speed driving unit (32), and a handle driving unit (33).

고속구동부(31)는, 승강부(20)의 일방에 승강부(20)를 상하방향으로 슬라이딩시켜 승강하도록 설치되어, 승강부(20)를 0∼25 ㎜/sec의 속도로 모터의 구동에 의해 승강시키게 된다.The high-speed driving unit 31 is provided to one side of the elevating unit 20 so as to lift the elevating unit 20 in the vertical direction so that the elevating unit 20 can be driven at a speed of 0 to 25 mm / sec .

저속구동부(32)는, 고속구동부(31)의 일방에 고속구동부(31)를 상하방향으로 슬라이딩시켜 승강하도록 설치되어, 승강부(20)와 고속구동부(31)를 함께 0.1∼30 ㎜/hr의 속도로 모터의 구동에 의해 승강시키게 된다.The low speed driving section 32 is provided to one side of the high speed driving section 31 so as to move up and down by sliding the high speed driving section 31 in the vertical direction so that the elevation section 20 and the high speed driving section 31 are jointed together at 0.1 to 30 mm / And is moved up and down by the motor.

핸들구동부(33)는, 고속구동부(31)의 일방에 고속구동부(31)를 상하방향으로 슬라이딩시켜 승강하도록 설치되어, 승강부(20)와 고속구동부(31)를 함께 0.1∼0.5 ㎜/hr의 속도로 핸들의 조작에 의해 승강시키게 된다.The handle drive section 33 is provided to one side of the high speed drive section 31 so as to move up and down by sliding the high speed drive section 31 in the vertical direction so that the lift section 20 and the high speed drive section 31 together operate at 0.1 to 0.5 mm / By the operation of the handle.

영상분석부(40)는, 도가니부(10)의 상부에 설치되어 도가니부(10)의 내부상태를 감시하는 영상분석수단으로서, 도 5에 나타낸 바와 같이 카메라(41), 셔터(42), 셔터구동기(43), 구동축(44)으로 이루어져 있다.The image analyzing unit 40 is an image analyzing means provided on the crucible 10 to monitor the internal state of the crucible 10 and includes a camera 41, a shutter 42, A shutter driver 43, and a drive shaft 44, as shown in Fig.

카메라(41)는, 승강부(20)의 둘레 일방에 시드를 향해서 수직을 기준해서 하방으로 소정각도 경사지게 입설된 촬영수단으로서, 알루미나의 용융상태, 시드와 용융 알루미나의 접촉상태, 시드링의 성장상태 등과 같이 도가니부(10)의 내부상태를 촬영하게 감시하도록 CCD카메라 등과 같이 다양한 카메라를 사용할 수 있게 된다.The camera 41 is a photographing means which is installed on one side of the elevation portion 20 in the circumferential direction of the elevation portion 20 and downwardly inclined at a predetermined angle with reference to the vertical direction. The camera 41 is arranged in a state of molten alumina, a contact state of the seed and fused alumina, A variety of cameras such as a CCD camera can be used to monitor the internal state of the crucible 10 such as a state.

셔터(42)는, 카메라(41)의 하부를 개폐하도록 카메라(41)의 수직축을 기준해서 수평방향으로 회전가능하게 설치된 개폐부재로서, 복수개의 셔터(42)가 카메라(41)의 조리개와 마찬가지로 카메라(41)의 하부에 집합되거나 분산되어 카메라(41)를 개폐하게 된다. The shutter 42 is an opening and closing member rotatably provided in the horizontal direction with respect to the vertical axis of the camera 41 so as to open and close the lower portion of the camera 41 And is collected or dispersed in the lower portion of the camera 41 to open and close the camera 41.

따라서, 이러한 셔터(42)에 의해 도가니부(10) 내부로부터 가스와 열의 외부 유출을 최소화하는 동시에 복사열을 차단하고 완전밀폐시 지연시간을 확보할 수 있게 된다.Therefore, it is possible to minimize the outflow of gas and heat from the inside of the crucible 10 by the shutter 42, and to block the radiant heat and to secure the delay time in the complete sealing.

셔터구동기(43)는, 셔터(42)의 일방에 설치되어 셔터(42)에 회전구동력을 제공하는 셔터동력원으로서, 에어실린더 또는 유압실린더 등과 같은 유공압부재를 이용한 유공압모터를 사용하는 것이 바람직하다.The shutter driver 43 is preferably a pneumatic / hydraulic motor using a pneumatic pressure member such as an air cylinder or a hydraulic cylinder as a shutter power source provided on one side of the shutter 42 and providing a rotational driving force to the shutter 42. [

구동축(44)은, 셔터(42)와 셔터구동기(43) 사이에 설치되어 셔터구동기의 회전구동력을 셔터(42)에 전달하는 동력전달부재로서, 셔터구동기(43)와 구동축(44) 사이에는 동력전달을 단속하도록 커플러(coupler)가 설치되어 있는 것이 바람직하다.The drive shaft 44 is a power transmitting member provided between the shutter 42 and the shutter drive 43 and transmitting the rotational drive force of the shutter drive to the shutter 42. The drive shaft 44 is provided between the shutter drive 43 and the drive shaft 43 It is preferable that a coupler is provided to interrupt the power transmission.

따라서, 이러한 영상분석부(40)에 의해 대류속도의 수치화가 가능하고, 용융 알루미나의 각 영역에 대한 구분연산이 가능하며, 시드링의 단계별 구분 및 수치화도 가능하며, 제어부에서 사용가능하는 프로그램의 구현도 가능하게 된다.Therefore, it is possible to numerically calculate the convection velocity by the image analysis unit 40, to perform the divisional computation for each area of the fused alumina, to classify and quantify the seed ring step by step, Implementation is possible.

온도측정부(50)는, 도 1에 나타낸 바와 같이 도가니부(10)에 설치되어 도가니(11)의 온도를 감시하는 온도측정수단으로서, 파이로미터(pyrometer) 등과 같이 고온을 측정할 수 있는 다양한 온도측정수단을 적용하는 것이 가능함은 물론이다.1, the temperature measuring unit 50 is provided on the crucible 10 to monitor the temperature of the crucible 11. The temperature measuring unit 50 is a temperature measuring unit that is capable of measuring a high temperature such as a pyrometer, It goes without saying that it is possible to apply various temperature measuring means.

이러한 온도측정부(50)를 이용하여 도가니(11) 내부에서 알루미나의 용융상태를 측정하거나 알루미나의 고체 또는 액체 상태변화에 따른 시드의 접촉시점을 파악할 수 있게 된다.By using the temperature measuring unit 50, it is possible to measure the melting state of the alumina in the crucible 11 or grasp the contact point of the seed due to the change of solid or liquid state of the alumina.

또한, 온도측정부(50)의 측정부위에는 도가니부(10)의 고온상태로부터 손상을 방지하게 위해 카메라(41)의 셔터(42)와 마찬가지로 구동기에 의해 개폐되는 셔터와 같은 개폐부재가 설치되는 것도 가능함은 물론이다.An opening and closing member such as a shutter that is opened or closed by a driver is provided in the measurement site of the temperature measuring unit 50 in the same manner as the shutter 42 of the camera 41 in order to prevent damage from the high temperature state of the crucible 10 Of course it is possible.

제어부(60)는, 도 2에 나타낸 바와 같이 도가니부(10)의 측면 일방에 설치되되 승강부(20) 및 승강구동부(30)에 연결되고, 영상분석부(40) 및 온도측정부(50)와 접속된 제어수단으로서, 영상분석부(40)에 의한 도가니부(10)의 내부상태 및 온도측정부(50)에 의한 도가니부(10)의 내부온도에 따라 승강부(20) 및 승강구동부(30)에 제어신호를 제공하므로, 수작업이 아닌 각종 감시데이터 및 제어데이터에 의한 오토시딩이 가능하게 된다.2, the control unit 60 is provided on one side of the crucible 10 and is connected to the elevation unit 20 and the elevation driving unit 30 and includes an image analysis unit 40 and a temperature measurement unit 50 The elevation portion 20 and the elevation portion 20 are controlled by the internal state of the crucible portion 10 by the image analysis portion 40 and the internal temperature of the crucible portion 10 by the temperature measurement portion 50, Since the control signal is provided to the rotor 30, it is possible to perform autoshing by various kinds of supervisory data and control data instead of manual operation.

또한, 본 실시예의 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치는, 승강부(20)의 상부에 설치되어 잉곳의 무게를 측정하는 제1 무게측정부(70)를 더 포함하는 것이 바람직하다.The autosiding apparatus of the sapphire ingot growing furnace according to the present embodiment may further include a first weight measuring unit 70 installed at an upper portion of the elevating unit 20 to measure the weight of the ingot.

제1 무게측정부(70)는, 도 6 및 도 7에 나타낸 바와 같이 승강부(20)의 상단에 설치되어 승강봉(22)의 하부에 설치된 시드에 접촉되어 성장되는 사파이어 단결정의 잉곳의 무게변화를 측정하는 측정수단으로서, 레벨조정 플레이트(71), 고정브래킷(72) 및 로드셀 유닛(73)으로 이루어져 있다.6 and 7, the first weight measuring unit 70 is provided at the upper end of the elevating unit 20 to measure the weight of the ingot of the sapphire single crystal grown in contact with the seed provided at the lower portion of the elevating rod 22 And includes a level adjusting plate 71, a fixing bracket 72, and a load cell unit 73 as measurement means for measuring the change.

레벨조정 플레이트(71)는, 승강부의 상부 고정단에 설치된 플레이트로서, 제1 무게측정부(70)의 상판을 구성하게 되며 승강부(20)의 지지블럭(21)의 하부에 결합되어 있다.The level adjusting plate 71 is a plate provided at an upper fixed end of the elevating unit and constitutes an upper plate of the first weight measuring unit 70 and is coupled to a lower portion of the supporting block 21 of the elevating unit 20. [

고정브래킷(72)은, 레벨조정 플레이트(71)의 하부에 복수의 지지대에 의해 소정거리 이격 설치된 브래킷으로서, 제1 무게측정부(70)의 하판을 구성하게 되며 승강부(20)의 지지블럭(21)의 하부에 소정거리 이격되어 결합된다.The fixing bracket 72 is a bracket spaced apart from the level adjusting plate 71 by a plurality of supports at a predetermined distance and constitutes a lower plate of the first weight measuring unit 70, (21).

로드셀 유닛(73)은, 레벨조정 플레이트(71)와 고정브래킷(72) 사이에 설치되어 도가니부(10)에서 시드와 접촉되어 성장되는 잉곳의 무게를 측정하는 무게측정수단이다. The load cell unit 73 is a weight measuring means provided between the level adjusting plate 71 and the fixing bracket 72 for measuring the weight of the ingot that is grown in contact with the seed in the crucible portion 10.

또한, 이러한 로드셀 유닛(73)은, 도 8 및 도 9에 나타낸 바와 같이 승강부(20)의 중력에 대한 편심을 측정하도록 3개의 로드셀(73a, 73b, 73c) 또는 4개의 로드셀(73d, 73e, 73f, 73g)로 이루어져 있는 것이 바람직하다.8 and 9, the load cell unit 73 includes three load cells 73a, 73b, and 73c or four load cells 73d and 73e to measure the eccentricity of gravity of the lifting unit 20 , 73f, and 73g.

즉, 로드셀 유닛(73)이 제1 로드셀(73a), 제2 로드셀(73b) 및 제3 로드셀(73c)과 같이 3개의 로드셀(73a, 73b, 73c)로 이루어진 경우에는, 제1 로드셀(73a)의 무게중심에 제1 브리지(73a-1), 제2 로드셀(73b)의 무게중심에 제2 브리지(73b-1), 제3 로드셀(73c)의 무게중심에 제3 브리지(73c-1)를 설치하여 이들 3개의 브리지(73a-1, 73b-1, 73c-1) 사이의 무게변화에 의해 승강부(20)의 중력에 대한 편심을 측정하게 된다.That is, when the load cell unit 73 includes three load cells 73a, 73b and 73c as the first load cell 73a, the second load cell 73b and the third load cell 73c, the first load cell 73a The second bridge 73b-1 is located at the center of gravity of the second load cell 73b and the third bridge 73c-1 is located at the center of gravity of the third load cell 73c. And the eccentricity of gravity of the lifting portion 20 is measured by the weight change between the three bridges 73a-1, 73b-1 and 73c-1.

이때, 제1 로드셀(73a)은 전체무게의 36.5%, 제2 로드셀(73b)은 전체무게의 31.75%, 제3 로드셀(73c)은 전체무게의 31.75%를 부담하여 지지하도록 설치되어 있는 것이 바람직하다.The first load cell 73a preferably has a weight of 36.5%, the second load cell 73b has a weight of 31.75%, and the third load cell 73c has a weight of 31.75%. Do.

또한, 로드셀 유닛(73)이 제4 로드셀(73d), 제5 로드셀(73e), 제6 로드셀(73f) 및 제7 로드셀(73g)과 같이 4개의 로드셀(73d, 73e, 73f, 73g)로 이루어진 경우에는, 제4 로드셀(73d)의 무게중심에 제4 브리지(73d-1), 제5 로드셀(73e)의 무게중심에 제2 브리지(73e-1), 제6 로드셀(73f)의 무게중심에 제6 브리지(73f-1), 제7 로드셀(73g)의 무게중심에 제7 브리지(73g-1)를 각각 설치하여 이들 4개의 브리지(73d-1, 73e-1, 73f-1, 73g-1) 사이의 무게변화에 의해 승강부(20)의 중력에 대한 편심을 측정하게 된다.The load cell unit 73 is connected to four load cells 73d, 73e, 73f, and 73g as the fourth load cell 73d, the fifth load cell 73e, the sixth load cell 73f, and the seventh load cell 73g The weight of the fourth bridge 73d-1 is placed at the center of gravity of the fourth load cell 73d and the weight of the sixth bridge cell 73e-1 and the sixth load cell 73f at the center of gravity of the fifth load cell 73e The seventh bridge 73g-1 is provided at the center of gravity of the sixth bridge 73f-1 and the seventh load cell 73g in the center and the four bridges 73d-1, 73e-1, 73f- 73g-1, the eccentricity of the lifting portion 20 with respect to gravity is measured.

이때, 제4 로드셀(73d), 제5 로드셀(73e), 제6 로드셀(73f) 및 제7 로드셀(73g)는 각각 전체무게의 25%씩 동일하게 부담하여 지지하도록 설치되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the fourth load cell 73d, the fifth load cell 73e, the sixth load cell 73f and the seventh load cell 73g are installed so as to bear the same weight by 25% of the total weight.

이러한 경우에, 제어부(60)는, 제1 무게측정부(70)에 의한 도가니부(10) 내부에서의 잉곳의 무게변화에 따라 승강부(20) 및 승강구동부(30)에 제어신호를 제공하는 것이 바람직하다.In this case, the control unit 60 provides a control signal to the elevating unit 20 and the elevation driving unit 30 in accordance with the weight change of the ingot inside the crucible 10 by the first weight measuring unit 70 .

또한, 본 실시예의 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치는, 도 1에 나타낸 바와 같이 도가니부(10)의 하부에 설치되어 도가니(11)의 무게를 측정하는 제2 무게측정부(80)를 더 포함하는 것이 바람직하다.The autosiding device of the sapphire ingot growing furnace according to the present embodiment is provided with a second weight measuring part 80 provided below the crucible part 10 for measuring the weight of the crucible 11 .

이러한 제2 무게측정부(80)는 도가니(11)의 무게변화를 측정하는 로드셀 유닛으로서, 승강부(20)의 하단에 설치된 시드가 용융된 알루미나에 접촉시의 도가니(11)의 무게변화 및 시드링 성장시의 도가니(11)의 무게변화 등과 같이 도가니부(10)의 다양한 무게변화를 측정하여 제어부(60)에 전달함으로써, 제어부(60)에서 이에 의거한 각종 제어신호를 제공할 수 있게 된다.The second weight measuring unit 80 is a load cell unit for measuring the weight change of the crucible 11. The second weight measuring unit 80 is a load cell unit for measuring the weight change of the crucible 11 when the seed installed at the lower end of the elevating unit 20 contacts the molten alumina, Such as a change in the weight of the crucible 11 at the time of seed ring growth and the like to the control unit 60 so that the control unit 60 can provide various control signals based thereon do.

또한, 본 실시예의 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치는, 도 3에 나타낸 바와 같이 승강부(20)의 일방에 설치되어, 용융된 알루미나에 시드의 접촉개시시 이물질을 제거하도록 시드에 진동을 부여하는 진동부(90)를 더 포함하는 것이 바람직하다.As shown in Fig. 3, the autoceding device of the present embodiment of the present invention is provided at one side of the elevation portion 20, and vibrates the seed so as to remove foreign substances at the start of contact of the seed with molten alumina And a vibrating unit 90 for imparting a vibration.

이러한 진동부(90)로는 수압이나 압축공기를 사용하여 피스톤 로드부를 구동시켜 진동을 발생시키는 진동발생기를 사용하며, 진동발생기의 진동세기와 진동폭은 진동발생기의 유량 및 압력조절에 의해 제어가 가능하게 되어 있다.As the vibration unit 90, a vibration generator that generates vibration by driving the piston rod unit using water pressure or compressed air is used. The vibration intensity and the vibration width of the vibration generator can be controlled by controlling the flow rate and pressure of the vibration generator .

따라서, 진동부(90)에 의해 시드와 용융 알루미나의 접촉개시시에 시드에 부착되는 이물질을 제거하고 시드를 상부로 상승시킨 후 다시 용융 알루미나에 접촉하여 시드링을 성장시킴으로써, 잉곳의 품질을 개선할 수 있게 된다.Therefore, by improving the quality of the ingot by removing the foreign substances adhering to the seed at the start of contact between the seed and the fused alumina by the vibration portion 90, raising the seed to the top, and then contacting the fused alumina again to grow the seed ring. .

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 일실시예에 의한 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치를 이용한 사파이어 단결정의 잉곳 성장방법을 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, a sapphire single crystal ingot growth method using the autodidating apparatus of a sapphire ingot growing furnace according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 및 도 11에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에 의한 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치를 이용한 사파이어 단결정의 잉곳 성장방법은, 가열단계(S10), 용융단계(S20), 시드 준비단계(S30, S40, S50), 시드 접촉단계(S60, S70, S80), 시드링 성장단계(S90)를 포함하여 이루어져 있다.1 and 11, the sapphire single crystal ingot growing method using the autodidating apparatus according to the present embodiment includes a heating step S10, a melting step S20, a seed preparation step S30, S40, S50), seed contact steps (S60, S70, S80), and seed ring growth step (S90).

가열단계(S10)는, 도가니부(10)의 도가니(11)에 사파이어 단결정의 원자재로서 알루미나를 장입하여 가열수단(12)에 의해 소정의 설정온도까지 가열하는 단계이다.The heating step S10 is a step of charging alumina as a raw material of the sapphire single crystal to the crucible 11 of the crucible 10 and heating it to a predetermined set temperature by the heating means 12. [

용융단계(S20)는, 도가니부(10)에 장입된 알루미나를 가열수단(12)의 가열에 의해 용융시키는 단계로서, 영상분석부(40)에 의해 알루미나의 용융상태를 확인하고 온도측정부(50)에 의해 용융 알루미나의 온도상태를 확인하게 된다.The melting step S20 is a step of melting the alumina charged in the crucible 10 by heating the heating means 12 and confirming the molten state of the alumina by the image analysis unit 40, 50) to confirm the temperature state of the fused alumina.

시드 준비단계(S30, S40, S50)는, 용융된 알루미나의 영상분석 및 온도분석에 의해 승강부(20)의 시드를 준비하는 단계로서, 안정화단계(S30), 온도 설정단계(S40), 시드 하강단계(S50)를 포함하여 이루어진다.The seed preparing steps S30, S40 and S50 are steps of preparing the seed of the elevating portion 20 by image analysis and temperature analysis of the molten alumina and include a stabilization step S30, a temperature setting step S40, And a descending step S50.

안정화단계(S30)는, 도가니부(10)에서 용융된 알루미나를 영상분석에 의해 소정시간 안정화시키는 단계로서, 영상분석부(40)에 의해 용융된 알루미나의 용융상태를 확인하여 용융이 완료된 상태로 판단된 경우에 대략 5∼7시간 동안 안정화시키게 된다. 이때 매 1시간별로 영상분석부(40)에 의해 알루미나의 용융상태를 확인하는 것이 바람직하다. The stabilization step S30 is a step of stabilizing the molten alumina in the crucible 10 by image analysis for a predetermined period of time. The molten alumina is confirmed by the image analysis unit 40 and is melted If so, it stabilizes for about 5 to 7 hours. At this time, it is preferable to confirm the melting state of alumina by the image analysis unit 40 every one hour.

온도 설정단계(S40)는, 용융된 알루미나를 영상분석에 의해 대류점을 파악하고 전력을 조절하여, 알루미나의 용융온도를 설정하는 단계로서, 안정화와 영상분석의 반복에 의해 알루미나에 15∼20㎜의 섬이 생성되는 주기가 대략 15분 내외인 경우를 기준해서 용융온도를 설정하게 된다. The temperature setting step S40 is a step of setting the melting temperature of the alumina by grasping the convection point by the image analysis of the molten alumina and regulating the electric power. The temperature is set to 15-20 mm The melting temperature is set on the basis of the case where the cycle of generating the islands of about 15 minutes is about 15 minutes.

또한, 온도 설정단계(S40)에서 반복적인 용융온도의 설정에 의해 재현성이 확보되는 경우에는 확보된 용융온도를 미리 설정하여 전력을 조절하는 것도 가능함은 물론이다.In addition, when reproducibility is ensured by setting the melting temperature repeatedly in the temperature setting step S40, it is of course possible to adjust the power by setting the secured melting temperature in advance.

시드 하강단계(S50)는, 승강부(20)의 시드를 소정위치로 하강하여 용융 알루미나와 접촉을 준비하는 단계로서, 시드를 승강구동부(30)에 의해 5㎜씩 하강과 대기를 반복하여 접촉위치의 상부 10㎜의 목표위치까지 하강시키게 된다.The seed descending step S50 is a step of descending the seed of the ascending / descending section 20 to a predetermined position and preparing for contact with the fused alumina. The seed is repeatedly lowered by 5 mm by the ascending / To the target position of the upper 10 mm of the position.

시드 접촉단계(S60, S70, S80)는, 준비된 시드를 용융된 알루미나에 접촉하는 단계로서, 1차 시드 접촉단계(S60), 시드 클리닝단계(S70), 2차 시드 접촉단계(S80)를 포함하여 이루어진다.The seed contact steps S60, S70, and S80 include contacting the prepared seed with molten alumina, including a primary seed contacting step (S60), a seed cleaning step (S70), and a secondary seed contacting step (S80) .

1차 시드 접촉단계(S60)는, 시드를 하강하여 용융된 알루미나에 1차로 접촉하는 단계로서, 승강부(20)에 설치된 제1 무게측정부(70)에서의 측정무게의 변화에 따라 시드의 접촉여부를 판단하게 된다.The primary seed contacting step S60 is a step of first contacting the molten alumina with the seeds descending. The primary seed contacting step S60 is a step of contacting the molten alumina with the seed, It is determined whether or not the contact is made.

시드 클리닝단계(S70)는, 1차 접촉된 시드에 진동을 부여하여 시드에 부착된 이물질을 제거하는 단계로서, 시드를 용융된 알루미나에 1차 접촉한 상태에서 소정거리 하강하여 승강부(20)에 설치된 진동부(90)의 진동에 의해 이물질을 제거하고 상승시키게 된다.The seed cleaning step S70 is a step of applying vibration to the primary contacted seed to remove foreign substances adhered to the seed. The seed cleaning step S70 is a step in which the seed is lowered by a predetermined distance in the primary contact with molten alumina, The foreign substance is removed and raised by the vibration of the vibrating unit 90 provided on the side surface of the housing.

2차 시드 접촉단계(S80)는, 이물질이 제거된 시드를 다시 하강하여 용융된 알루미나에 2차로 접촉하는 단계로서, 승강부(20)에 설치된 제1 무게측정부(70)에서의 측정무게의 변화에 따라 시드의 접촉여부를 판단하게 된다.The second seed contacting step S80 is a step of secondarily contacting the molten alumina with the seed having the foreign substance removed therefrom and lowering the seed so that the weight of the first weight measuring part 70 installed in the elevating part 20 It is judged whether or not the seed contacts with the change.

시드링 성장단계(S90)는, 2차 접촉된 시드를 승강구동부(30)에 의해 승강부(20)를 인상시켜 시드링을 성장시키는 단계로서, 영상분석부(40)에 의한 시드링의 영상분석 또는 제1 무게측정부(70)에 의한 시드링의 무게분석에 의해 시드링의 성장상태를 파악하게 된다.The seed ring growth step (S90) is a step of growing the seed ring by pulling up the elevation part (20) by the lifting drive part (30) And the growth state of the seed ring is grasped by the analysis or the weight analysis of the seed ring by the first weight measuring unit 70.

이때, 시드링의 성장상태가 도 10의 (a)에 나타낸 바와 같이 시드링의 하단부가 만곡형성된 경우에는 정상상태로 판단하게 되고, 도 10의 (b) 및 (c)에 나타낸 바와 같이 시드링의 하단부가 상하방향으로 일자로 형성되거나 수평방향으로 평탄하게 형성된 경우에는 비정상상태로 판단하게 된다. 또한, 시드링의 성장상태가 상하방향으로 편심지는 경우이거나, 각층의 높이가 서로 다른 다결정화되는 경우에도 비정상상태로 판단하게 된다.At this time, when the growth state of the seed ring is curved and the lower end of the seed ring is curved as shown in Fig. 10A, it is determined that the seed ring is in a steady state. As shown in Figs. 10B and 10C, It is determined that the lower end portion is in an abnormal state when it is formed in a straight line in the vertical direction or in the horizontal direction. Also, when the growth state of the seed ring is eccentric in the up-and-down direction, or when the height of each layer is polycrystalline, which is different from each other, the seed ring is determined to be in an abnormal state.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 도가니부의 내부상태를 영상분석과 온도측정을 통해 상호 유기적으로 잉곳의 성장을 성장구동부에 의해 자동으로 제어함으로써, 시드의 승강을 수작업으로 조작하여 발생되는 잉곳의 편심성장이나 다결정성장과 같은 잉곳의 불량을 최소화할 수 있는 효과를 제공한다.As described above, according to the present invention, the growth state of the ingot is automatically controlled by the growth drive unit, by mutually organizing the internal state of the crucible part through the image analysis and the temperature measurement, and the eccentricity of the ingot It is possible to minimize the defects of ingots such as growth and polycrystalline growth.

또한, 승강부와 도가니부에 무게측정부를 설치하고 잉곳의 무게변화나 도가니의 무게변화에 의해 시드의 승강을 제어함으로써, 잉곳의 성장초기 환경을 더욱 정밀하게 제어할 수 있게 된다.In addition, by controlling the lifting and lowering of the seed by changing the weight of the ingot and the weight of the crucible, the initial growth environment of the ingot can be controlled more precisely by providing a weight measuring part on the elevating part and the crucible part.

또한, 승강부에 설치된 무게측정부에 복수개의 로드셀을 배치하여 시드의 승강시 편심을 감시하여 제어함으로써, 이로 인한 잉곳의 편심성장을 방지할 수 있게 된다.Further, it is possible to prevent the eccentric growth of the ingot due to this, by arranging a plurality of load cells in the weighing part installed in the elevating part to monitor and control the eccentricity when the seed is moved up and down.

또한, 승강부에 진동부를 설치함으로써, 시드와 용융 알루미나의 초기 접촉시 발생되는 부유물이나 먼지 등의 이물질을 제거하여 잉곳의 성장시 이물질의 유입을 방지하는 동시에 잉곳의 품질을 향상시킬 수 있게 된다.In addition, by providing the oscillating part in the lifting part, it is possible to remove impurities such as dirt and dust generated at the time of initial contact between the seed and the fused alumina, thereby preventing the ingress of foreign matter during growth of the ingot and improving the quality of the ingot.

또한, 시드를 승강시키는 승강구동부에 고속, 저속, 수동의 구동부를 별도로 구비함으로써, 시드의 승강을 제어부에 의한 제어신호에 따라 정밀하게 승강할 수 있게 된다.Further, by separately providing high-speed, low-speed, and manual driving sections in the elevation driving section for elevating and descending the seed, it is possible to elevate and descend the seeds precisely in accordance with the control signal by the control section.

또한, 영상분석부의 카메라 하부에 구동기에 동작하는 셔터를 구비함으로써, 도가니부 내부의 성장상태의 변화를 최소화하여 영상획득 및 영상분석이 가능할 뿐만 아니라 카메라의 손상도 방지할 수 있는 효과를 제공한다.Further, by providing a shutter that operates on the driver under the camera of the image analysis unit, it is possible to minimize the change in the growth state inside the crucible, thereby achieving image acquisition and image analysis as well as preventing damage to the camera.

이상 설명한 본 발명은 그 기술적 사상 또는 주요한 특징으로부터 벗어남이 없이 다른 여러 가지 형태로 실시될 수 있다. 따라서 상기 실시예는 모든 점에서 단순한 예시에 지나지 않으며 한정적으로 해석되어서는 안 된다. The present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. Therefore, the above embodiments are merely illustrative in all respects and should not be construed as limiting.

10: 도가니부 20: 승강부
30: 승강구동부 40: 영상분석부
50: 온도측정부 60: 제어부
70: 제1 무게측정부 80: 제2 무게측정부
90: 진동부10: crucible part 20: elevating part
30: elevator opening part 40: image analysis part
50: temperature measuring unit 60:
70: first weight measuring unit 80: second weight measuring unit
90:

Claims (8)

사파이어 단결정의 원자재가 장입되는 도가니부를 가열하여, 용융된 원자재에 시드를 접촉하고 인상시켜 잉곳을 성장시키도록 사파이어 잉곳 성장로에 설치된 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치로서,
도가니부의 상부에 승강하도록 설치된 승강부;
상기 승강부의 일방에 결합되어 상기 승강부에 승강구동력을 제공하는 승강구동부;
상기 도가니부의 상부에 설치되어 도가니부의 내부상태를 감시하는 영상분석부;
상기 도가니부에 설치되어 도가니부의 온도를 감시하는 온도측정부; 및
상기 영상분석부에 의한 도가니부의 내부상태 및 상기 온도측정부에 의한 도가니부의 내부온도에 따라 상기 승강구동부에 제어신호를 제공하는 제어부;를 포함하고,
상기 승강구동부는,
상기 승강부의 일방에 설치되어, 상기 승강부를 0∼25 ㎜/sec의 속도로 승강시키는 고속구동부;
상기 고속구동부의 일방에 설치되어, 상기 승강부와 상기 고속구동부를 함께 0.1∼30 ㎜/hr의 속도로 승강시키는 저속구동부; 및
상기 고속구동부의 일방에 설치되어, 상기 승강부와 상기 고속구동부를 함께 0.1∼0.5 ㎜/hr의 속도로 승강시키는 핸들구동부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치.An autosiding apparatus of a sapphire ingot growing furnace provided with a sapphire ingot growing furnace for heating a crucible to which raw materials of a sapphire single crystal are charged to bring the seed into contact with the molten raw material to pull up the ingot,
An elevating part installed on the upper part of the crucible to move up and down;
An elevation driving unit coupled to one of the elevation units to provide an elevation driving force to the elevation unit;
An image analyzer installed on the crucible to monitor an internal state of the crucible;
A temperature measuring unit installed in the crucible to monitor the temperature of the crucible; And
And a control unit for providing a control signal to the elevation driving unit according to an internal state of the crucible part by the image analysis unit and an internal temperature of the crucible part by the temperature measurement unit,
The lifting /
A high-speed driving unit installed at one side of the elevating unit to elevate the elevating unit at a speed of 0 to 25 mm / sec;
A low speed driving unit installed at one side of the high speed driving unit to raise and lower the elevation unit and the high speed driving unit at a rate of 0.1-30 mm / hr; And
And a handle driving unit installed at one of the high-speed driving units to raise and lower the elevating unit and the high-speed driving unit at a speed of 0.1 to 0.5 mm / hr. 제 1 항에 있어서,
상기 승강부의 상부에 설치되어 잉곳의 무게를 측정하는 제1 무게측정부를 더 포함하고,
상기 제어부는, 상기 제1 무게측정부에 의한 잉곳의 무게에 따라 상기 승강구동부에 제어신호를 제공하는 것을 특징으로 하는 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치.The method according to claim 1,
And a first weight measuring unit installed on the elevating unit to measure the weight of the ingot,
Wherein the control unit provides a control signal to the elevation driving unit according to the weight of the ingot by the first weight measuring unit. 제 2 항에 있어서,
상기 제1 무게측정부는,
상기 승강부의 상부 고정단에 설치된 레벨조정 플레이트;
상기 레벨조정 플레이트의 하부에 이격 설치된 고정브래킷; 및
상기 레벨조정 플레이트와 상기 고정브래킷 사이에 설치되어 상기 잉곳의 무게를 측정하는 로드셀 유닛;을 포함하는 것을 특징으로 하는 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the first weight measuring unit comprises:
A level adjusting plate provided on an upper fixed end of the lifting unit;
A fixing bracket spaced apart from a lower portion of the level adjusting plate; And
And a load cell unit installed between the level adjusting plate and the fixing bracket for measuring the weight of the ingot. 제 3 항에 있어서,
상기 로드셀 유닛은, 상기 승강부의 중력에 대한 편심을 측정하도록 3개 또는 4개의 로드셀로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치.The method of claim 3,
Wherein the load cell unit comprises three or four load cells for measuring the eccentricity of gravity of the lifting unit. 제 1 항에 있어서,
상기 도가니부의 하부에 설치되어 도가니의 무게를 측정하는 제2 무게측정부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치.The method according to claim 1,
And a second weighing unit installed at a lower portion of the crucible to measure the weight of the crucible. 제 1 항에 있어서,
상기 승강부에 설치되어, 용융된 원자재에 시드의 접촉개시시 이물질을 제거하도록 시드에 진동을 부여하는 진동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a vibrating part installed in the elevating part to apply vibration to the seed to remove foreign substances when the seed is brought into contact with the molten raw material. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 영상분석부는,
상기 승강부의 둘레 일방에 시드를 향해서 수직을 기준해서 하방으로 소정각도 경사지게 입설된 카메라;
상기 카메라의 하부를 개폐하도록 회전가능하게 설치된 셔터; 및
상기 셔터의 일방에 설치되어 상기 셔터에 회전구동력을 제공하는 셔터구동기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 사파이어 잉곳 성장로의 오토시딩 장치.The method according to claim 1,
Wherein the image analyzing unit comprises:
A camera disposed on one side of the elevation portion at a predetermined angle inclination downward with respect to a vertical direction toward the seed;
A shutter rotatably installed to open and close a lower portion of the camera; And
And a shutter driver installed on one side of the shutter to provide a rotational driving force to the shutter.
KR20130079296A 2013-07-05 2013-07-05 Apparatus for auto seeding of sapphire ingot growth furnace KR101496248B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130079296A KR101496248B1 (en) 2013-07-05 2013-07-05 Apparatus for auto seeding of sapphire ingot growth furnace

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130079296A KR101496248B1 (en) 2013-07-05 2013-07-05 Apparatus for auto seeding of sapphire ingot growth furnace

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150005384A KR20150005384A (en) 2015-01-14
KR101496248B1 true KR101496248B1 (en) 2015-02-26

Family

ID=52477247

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20130079296A KR101496248B1 (en) 2013-07-05 2013-07-05 Apparatus for auto seeding of sapphire ingot growth furnace

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101496248B1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109097832A (en) * 2018-09-25 2018-12-28 天通银厦新材料有限公司 A kind of dedusting attemperator of sapphire finishing stove
KR102571715B1 (en) * 2021-03-25 2023-08-28 에스케이실트론 주식회사 Moving apparatus of silicon single crystal ingot and continuous growing method of silicon single crystal ingot

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000034189A (en) 1998-07-17 2000-02-02 Komatsu Electronic Metals Co Ltd Single crystal-pulling machine and pulling method
JP2002104896A (en) 2000-09-27 2002-04-10 Shin Etsu Handotai Co Ltd Method of growing single crystal and growing device
JP2007055886A (en) * 2005-07-26 2007-03-08 Toshiba Ceramics Co Ltd Method, apparatus and controlling program for manufacturing semiconductor single crystal and recording medium that records the controlling program and can be read by computer
KR20120070080A (en) * 2010-12-21 2012-06-29 (주)티피에스 Single crystal growth device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000034189A (en) 1998-07-17 2000-02-02 Komatsu Electronic Metals Co Ltd Single crystal-pulling machine and pulling method
JP2002104896A (en) 2000-09-27 2002-04-10 Shin Etsu Handotai Co Ltd Method of growing single crystal and growing device
JP2007055886A (en) * 2005-07-26 2007-03-08 Toshiba Ceramics Co Ltd Method, apparatus and controlling program for manufacturing semiconductor single crystal and recording medium that records the controlling program and can be read by computer
KR20120070080A (en) * 2010-12-21 2012-06-29 (주)티피에스 Single crystal growth device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150005384A (en) 2015-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5059596B2 (en) A system for continuous growth in single crystal silicon.
CN106687624B (en) The manufacturing method and manufacture system of monocrystalline silicon
CN103562443A (en) Method for producing sic single crystals and production device
JP5789676B2 (en) Resistance heating sapphire single crystal ingot growth apparatus and method of manufacturing resistance heating sapphire single crystal ingot
CN102191535B (en) Manufacturing device for sapphire monocrystal
EP2773797B1 (en) Crucible and method for the production of a (near) monocrystalline semiconductor ingot
KR20170099950A (en) Cleaning method for monocrystal pulling device, cleaning tool used for same, and production method for monocrystal
JP5731349B2 (en) A system for continuous growth in single crystal silicon.
KR101496248B1 (en) Apparatus for auto seeding of sapphire ingot growth furnace
KR101496249B1 (en) Method for auto seeding of sapphire ingot growth furnace
JP6326136B2 (en) Single crystal growth equipment
US7335257B2 (en) Apparatus for and method of manufacturing a single crystal rod
KR20100085470A (en) Method for growing single crystal improved in tail-process and grower for the same
KR20100056640A (en) Single crystal growth apparatus
CN110291231B (en) Method and device for pulling single crystal by FZ method
KR101596550B1 (en) Apparutus and Method for Growing Ingot
KR20110086985A (en) Melt temperature controlling system and the control method of the same
KR101464564B1 (en) Method for manufacturing sapphire ingot
KR20160012511A (en) Apparatus for auto seeding of sapphire ingot growth furnace
CN116334744A (en) Crystal preparation method
KR101679071B1 (en) Melt Gap Controlling System, Method of Manufacturing Single Crystal including the Melt Gap Controlling System
KR20130007354A (en) Apparatus for growing silicon crystal and method for growing silicon crystal using the same
KR101758983B1 (en) Ingot growing apparatus and growing method by it
JPH05221783A (en) Crystal pull up method and apparatus for implementing the same
CN217709751U (en) Germanium single crystal growth device by crucible descending method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180219

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190115

Year of fee payment: 5