KR101495239B1 - Method for manufacturing flexible substrate with buried conducting trace using modification layer and flexible substrate manufactured thereby - Google Patents

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Abstract

본 발명은 종래 버퍼층(본 발명의 경우 변이층)을 제거하지 않고 그대로 활용할 수 있어 종래 버퍼층 사용에 따른 공정 속도 저하, 전기적 특성 감소, 이물 잔류, 환경 오염 등의 문제점을 근본적으로 제거할 수 있는 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법은, 기판 상에 금속, 전도성 고분자 또는 탄소계 물질로 이루어진 변이층을 형성하는 단계와; 상기 변이층 상에 도전 배선을 형성하는 단계와; 상기 도전 배선을 포함하여 상기 변이층 상에 고분자를 코팅하고 경화시켜 고분자 필름을 형성하는 단계와; 물리적 힘을 가하여 상기 고분자 필름으로부터 상기 기판을 제거하는 단계; 및 상기 기판이 제거됨으로써 노출되는 상기 변이층에 전하를 띈 입자를 조사하여 산화 또는 환원시킴으로써 상기 변이층을 투명 전극으로 변환시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention can be utilized as it is without removing the conventional buffer layer (in the case of the present invention, a mutation layer), and thus it is possible to fundamentally remove problems such as a process speed drop, a decrease in electrical characteristics, And a method for manufacturing a flexible substrate in which a conductive wiring using a layer is embedded.
A method of manufacturing a flexible substrate including a conductive layer using a transition layer according to the present invention includes the steps of: forming a transition layer made of a metal, a conductive polymer, or a carbon-based material on a substrate; Forming a conductive wiring on the transition layer; Coating the polymer layer on the transition layer including the conductive wire and curing the polymer layer to form a polymer film; Applying a physical force to remove the substrate from the polymer film; And converting the transition layer into a transparent electrode by irradiating charged particles to the transition layer exposed by the removal of the substrate to oxidize or reduce the transition layer.

Description

변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법 및 이에 의해 제조된 도전 배선이 함입된 유연 기판{METHOD FOR MANUFACTURING FLEXIBLE SUBSTRATE WITH BURIED CONDUCTING TRACE USING MODIFICATION LAYER AND FLEXIBLE SUBSTRATE MANUFACTURED THEREBY}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method of manufacturing a flexible substrate in which a conductive wiring using a transition layer is embedded, and a flexible substrate having the conductive wiring embedded therein,

본 발명은 유연 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 도전성 배선이 함몰된 폴리머 기판과 이에 적층되는 투명전극을 효과적으로 형성할 수 있는 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법 및 이에 의해 제조된 도전 배선이 함입된 유연 기판에 관한 것이다.
The present invention relates to a flexible substrate and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a flexible substrate manufacturing method in which a conductive wiring is embedded in a polymer substrate on which a conductive wiring is embedded and a transparent electrode laminated thereon, To a flexible substrate into which a conductive wiring is embedded.

최근 플렉서블(Flexible)한 특성을 갖는 전기 전자 장치, 예컨데, 플렉서블 디스플레이, 태양전지, 면조명, e-페이퍼, 플렉서블 이차전지 및 터치패널이 미래 유망 기술 분야로 각광받고 있는 실정이다.2. Description of the Related Art Recently, electric and electronic devices having flexible characteristics such as flexible displays, solar cells, surface lighting, e-paper, flexible secondary batteries, and touch panels have attracted attention as promising technologies.

이처럼 플렉서블한 특성을 갖는 전기 전자 장치를 구현하기 위해서는 투명하면서 낮은 저항을 갖는 투명 전극을 포함한 유연 기판 제조 기술이 필수적으로 요구된다. 현재 실질적으로 적용 가능한 투명 전극으로는 인듐-주석 산화물(ITO)이 대표적인데, 이처럼 ITO를 포함한 산화물계 투명전극은 금속에 비해 저항이 높아 소자의 면적이 커지게 되면 성능이 급격히 감소되어 이를 보완하기 위해 보조 배선으로 금속 배선이 사용되고 있다. 또한, 회로에서 금속 배선이 단독으로 사용될 때 얇은 두께로 인한 저항 증가와 이로 인한 전력 손실 및 발열 등의 문제가 있다.In order to realize an electric and electronic device having such a flexible characteristic, a flexible substrate manufacturing technology including a transparent electrode having a transparent and low resistance is indispensably required. Indium-tin oxide (ITO) is a typical transparent electrode which is practically applicable at present. Since the oxide-based transparent electrode including ITO has a higher resistance than metal, the performance is greatly reduced when the area of the device is increased. Metal wiring is used as auxiliary wiring. In addition, when the metal wiring is used alone in the circuit, there is a problem such as an increase in resistance due to a thin thickness and power loss and heat generation due to the increase in resistance.

따라서, 상기와 같은 문제의 해결을 위해서는 금속 배선의 저항이 낮추는 것이 가장 중요한데, 이를 위해서 (1) 비저항(ρ) 값을 낮추거나, (2) 배선 길이를 짧게 하거나, (3) 배선 높이(두께)를 두껍게 하는 방안이 있다. 그러나, (1) 방안의 경우, 비저항은 물질에 대한 한계가 존재하고 현재 많이 사용되는 구리의 경우 충분히 비저항이 낮은 물질이며 은과 같은 물질은 가격이 비싼 문제가 있어 적용하기 어려운 한계가 있다. (2) 방안의 경우, 회로설계와 관련된 문제로 물리적인 한계가 존재한다. 결국, 배선의 높이를 높여야 하는데 이 경우 배선의 높이가 커질수록 배선의 모양 흐트러짐, 전기적 단락, 배선간 쇼트, 배선 손상 등의 문제가 발생할 수 있다.Therefore, in order to solve the above problems, it is most important that the resistance of the metal wiring is lowered. For this purpose, it is necessary to (1) lower the resistivity value, (2) shorten the wiring length, ). However, in the case of (1), there is a limitation that the resistivity is limited to the material, and the material having a low resistivity is low enough for copper currently used, and silver is expensive. (2) In the case of a room, physical limitations exist due to problems related to circuit design. As a result, the height of the wiring must be increased. In this case, as the height of the wiring becomes larger, problems such as the shape of the wiring, electrical short, short circuit between the wiring, and wiring damage may occur.

따라서, 금속 배선을 기판 내부로 삽입하는 기술이 요구되며, 금속 배선을 기판 내부로 삽입하는 종래 기술로는 증착과 식각을 통해 원하는 패턴으로 식각하는 방법과, 패턴형성을 위한 드라이 에칭이 곤란한 구리(Cu) 박막 등에 CMP법을 응용하여 절연막 홈 내에 배선을 박아 넣는 다마신(Damascene) 공법 등이 있다.Accordingly, there is a demand for a technique of inserting a metal interconnection into a substrate. Conventional techniques for inserting a metal interconnection into a substrate include a method of etching a desired pattern through deposition and etching, a method of etching a copper Cu damascene method for applying a CMP method to a thin film of a copper (Cu) thin film or the like and inserting a wiring in an insulating film groove.

하지만 이러한 종래 방법은 증착, 식각을 반복함에 따라 재료 소모가 많고 공정 단계가 복잡하며, 플라스틱 기판에 형성된 금속층을 열처리할 때 플라스틱 기판이 열에 의해 손상될 수 있는 문제점이 있다.However, such a conventional method has a problem that the plastic substrate is damaged by heat when the metal layer formed on the plastic substrate is heat-treated because material consumption is large and the process steps are complicated by repeated deposition and etching.

상기의 문제점을 해결하기 위하여 경질의 기판 상에 금속 배선을 먼저 형성하고 그 위에 경화성 고분자를 코팅 경화한 다음, 상기 경질의 기판을 기계적으로 뜯어내는 방식이 제안되었다.In order to solve the above problems, a method has been proposed in which a metal wiring is first formed on a hard substrate, a hardening polymer is coated and cured on the hardening substrate, and then the hard substrate is mechanically torn.

그러나, 이러한 종래 기술의 경우 금속 배선이 함입된 고분자 필름으로부터 상기 경질의 기판을 강제적으로 박리시키는 과정에서 금속 배선 내지 고분자 필름의 손상을 야기하여 제품 불량으로 이어질 수 있고, 또한 상기 경질의 기판이 고분자 필름으로부터 완전하게 제거되지 못하고 일부 잔류하여 이물로 작용하는 문제점이 있었다.However, in such a conventional technique, the metal wiring or the polymer film may be damaged during the process of forcibly peeling the hard substrate from the polymer film containing the metal wiring, leading to defective products, And some of them remain as foreign matters.

이에 따라, 상기와 같은 또 다른 문제점을 해결하기 위하여 고분자 필름과 기판 간의 용이한 박리를 위해 별도의 박막을 개재시켜 버퍼층으로 사용하는 방식이 제안되었다. 예컨대, 용매로 녹여 제거 가능한 임시 코팅층을 기판 상부에 버퍼층으로 형성하고, 기판 분리 후 이를 용매에 녹여 제거하는 방식이 전술한 문제점의 해결 방법 중 하나로 제안되었다.Accordingly, in order to solve the above-mentioned another problem, a method of using a separate thin film as a buffer layer for easy peeling between a polymer film and a substrate has been proposed. For example, a method of forming a temporary coating layer, which can be removed by dissolving with a solvent, in a buffer layer on a substrate and dissolving the substrate in a solvent to remove the substrate is proposed as one of the above-mentioned problems.

그런데, 이와 같이 사후 제거 가능하게 구성된 버퍼층을 채용할 경우, 특히 용매에 의한 제거시 이를 전부 녹여 제거하기까지 매우 긴 시간이 소요되어 공정 속도를 저하시키고, 환경 문제를 야기할 수 있으며, 이러한 버퍼층을 제거하더라도 이의 일부가 잔류하여 전기적 특성을 저하시키거나 이물로 작용하는 등의 문제점이 발생될 수 있었다.
However, when the buffer layer configured to be post-removable as described above is employed, it takes a very long time to completely dissolve and remove the buffer layer, especially when the buffer layer is removed by a solvent, thereby lowering the process speed and causing environmental problems. A part thereof may remain, which may cause problems such as deterioration of electric characteristics or foreign matter.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서 본 발명의 목적은 도전 배선이 함몰된 고분자 필름을 최선의 상태로 분리하여 수득할 수 있고, 특히 고분자 필름과 기판 간의 용이한 분리를 위해 별도의 버퍼층을 채용하더라도, 이를 제거할 필요 없이 그대로 활용할 수 있어 종래 버퍼층 사용에 따른 공정 속도 저하, 전기적 특성 감소, 이물 잔류, 환경 오염 등의 문제점을 근본적으로 제거할 수 있는 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법을 제공하는 것이다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a polymer film in which a conductive wire is embedded in a polymer film, It is possible to utilize the buffer layer of the present invention as it is without any need to remove it, so that the conductive wiring using the transition layer, which can fundamentally eliminate problems such as a decrease in process speed, reduction in electrical characteristics, And to provide a method of manufacturing the embedded flexible substrate.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법은, 기판 상에 금속, 전도성 고분자 또는 탄소계 물질로 이루어진 변이층을 형성하는 단계와; 상기 변이층 상에 도전 배선을 형성하는 단계와; 상기 도전 배선을 포함하여 상기 변이층 상에 고분자를 코팅하고 경화시켜 고분자 필름을 형성하는 단계와; 물리적 힘을 가하여 상기 고분자 필름으로부터 상기 기판을 제거하는 단계; 및 상기 기판이 제거됨으로써 노출되는 상기 변이층에 전하를 띈 입자를 조사하여 산화 또는 환원시킴으로써 상기 변이층을 투명 전극으로 변환시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of fabricating a flexible substrate including a conductive layer using a transition layer, the method including: forming a transition layer made of a metal, a conductive polymer, or a carbonaceous material on a substrate; Forming a conductive wiring on the transition layer; Coating the polymer layer on the transition layer including the conductive wire and curing the polymer layer to form a polymer film; Applying a physical force to remove the substrate from the polymer film; And converting the transition layer into a transparent electrode by irradiating charged particles to the transition layer exposed by the removal of the substrate to oxidize or reduce the transition layer.

또 다른 실시예에 따르면, 상기 변이층을 투명 전극으로 변환시키는 단계는 상기 변이층에 전하를 띈 입자를 조사하는 대신, 자외선, 열, 또는 용매에 의한 화학 반응을 통해 상기 변이층을 산화 또는 환원시킴으로써 투명 전극으로 변환시키도록 구성된다.According to another embodiment, the step of converting the transition layer into a transparent electrode may include oxidizing or reducing the transition layer through chemical reaction with ultraviolet rays, heat, or a solvent, instead of irradiating charged particles to the transition layer So as to convert it into a transparent electrode.

그리고, 상기 변이층에 조사되는 전하를 띈 입자는 플라즈마 또는 이온 빔일 수 있다.
The particles having the charge applied to the transition layer may be a plasma or an ion beam.

본 발명에 따른 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법에 의하면, 접착력이 상대적으로 좋지 않은 물질로 이루어진 변이층을 개재시켜 버퍼 역할을 하도록 구성함으로써, 도전 배선이 함몰된 고분자 필름으로부터 기판을 강제 분리시 도전 배선 내지 고분자 필름을 손상시키지 않고 기판을 최선으로 분리할 수 있는 탁월한 효과가 있다.According to the method for producing a flexible substrate in which the conductive wiring is embedded using the transition layer according to the present invention, the conductive layer is formed to serve as a buffer through a mutual layer made of a material having a relatively poor adhesive force, There is an excellent effect that the substrate can be best separated without damaging the conductive wiring or the polymer film upon forced separation.

또한, 고분자 필름과 기판 간의 용이한 분리를 위해 별도의 버퍼층을 사용할 경우, 종래의 경우 앞서 언급한 바와 같이 버퍼층 제거에 매우 긴 시간이 소요되고, 버퍼층을 제거하더라도 이의 일부가 잔류하여 전기적 특성을 저하시키거나 이물로 작용하는 등의 문제점이 야기될 수 있었으나, 본 발명의 경우 이처럼 버퍼층 역할을 하는 변이층을 제거하지 않고 그대로 투명 전극으로 전환시켜 활용하도록 구성함으로써 이형 물질의 잔류에 의한 문제점을 근본적으로 제거할 수 있는 탁월한 효과가 있다.In addition, when a separate buffer layer is used for easy separation between the polymer film and the substrate, it takes a very long time to remove the buffer layer as described above, and even if the buffer layer is removed, a part thereof remains, However, in the case of the present invention, since the transition layer serving as the buffer layer is not removed and the transparent electrode is directly used as it is, the problem caused by the residual of the release material is fundamentally eliminated There is an excellent effect that can be removed.

또한, 변이층을 제거하지 않고 그대로 사용할 수 있는 바, 화학 물질의 배출을 최소화할 수 있어 친환경적인 공정을 구현할 수 있는 장점이 있다.In addition, since the transition layer can be used as it is without being removed, the emission of chemical substances can be minimized, and an eco-friendly process can be realized.

또한, 배선 높이에 제한되지 않아 낮은 저항의 배선의 형성할 수 있고, 배선이 기판에 삽입된 구조로 구비되어 스크래치 등에 강하고 유연성은 더욱 향상된 유연 기판을 제조할 수 있으며, 롤투롤(Roll to Roll) 시스템에 적용 가능할 수 있는 효과가 있다.
In addition, it is possible to form a flexible wiring board having a low resistance without being restricted by the wiring height, and having a structure in which wirings are inserted into the board, which is strong against scratches and the like, There is an effect that can be applied to the system.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법의 블록 순서도.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 공정을 단계별로 도시한 공정 흐름도.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법의 블록 순서도.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 공정을 단계별로 도시한 공정 흐름도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block flow diagram of a method of manufacturing a flexible substrate incorporating a conductive wiring using a transition layer according to a first embodiment of the present invention; FIG.
FIG. 2 is a process flow chart showing a step of manufacturing a flexible substrate including a conductive wiring using a transition layer according to a first embodiment of the present invention. FIG.
3 is a block flow diagram of a method of manufacturing a flexible substrate in which a conductive wiring is incorporated using a transition layer according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a process flow chart showing a step of manufacturing a flexible substrate in which a conductive wiring using a transition layer is embedded according to a second embodiment of the present invention; FIG.

본 발명에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

또한, 명세서 전체에서, "~ 상에 또는 ~ 상부에" 라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상 측에 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에 또는 상부에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 상에 또는 상부에" 접촉하여 있거나 간격을 두고 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.Also, throughout the specification, the term " above or above "means located above or below the object portion, and does not necessarily mean that the object is located on the upper side with respect to the gravitational direction. It will also be understood that when a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on or over" another portion, It also includes cases where there are other parts.

또한, 본 명세서에서, 일 구성요소가 다른 구성요소와 "연결된다" 거나 "접속된다" 등으로 언급된 때에는, 상기 일 구성요소가 상기 다른 구성요소와 직접 연결되거나 또는 직접 접속될 수도 있지만, 특별히 반대되는 기재가 존재하지 않는 이상, 중간에 또 다른 구성요소를 매개하여 연결되거나 또는 접속될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.Also, in this specification, when an element is referred to as being "connected" or "connected" with another element, the element may be directly connected or directly connected to the other element, It should be understood that, unless an opposite description is present, it may be connected or connected via another element in the middle.

이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예, 장점 및 특징에 대하여 상세히 설명하도록 한다.In the following, preferred embodiments, advantages and features of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법의 블록 순서도이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 공정을 단계별로 도시한 공정 흐름도이다.FIG. 1 is a block flow diagram of a method of manufacturing a flexible substrate incorporating a conductive wiring using a transition layer according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross- FIG. 2 is a flow chart showing the steps of manufacturing a flexible substrate according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 제1 실시예에 따른 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법은 변이층 형성 단계(S10)와, 도전 배선 형성 단계(S20)와, 고분자층 형성 단계(S30)와, 기판 제거 단계(S40)와, 변이층 변환 단계(S50)를 포함한다.The method for manufacturing a flexible substrate in which a conductive wiring using a transition layer according to the first embodiment of the present invention is embedded includes a transition layer forming step S10, a conductive wiring forming step S20, a polymer layer forming step S30, A substrate removal step S40, and a mutation layer conversion step S50.

도 1 및 도 2를 참조하여 공정을 각 단계별로 상세히 설명하도록 한다.1 and 2, the steps will be described in detail.

(1) 변이층 형성 단계(S10)(1) Transition layer forming step (S10)

제1 실시예의 변이층 형성 단계는 도전성을 띠거나 또는 도전성을 띠는 물질로 변환될 수 있는 박막을 기판(10) 상에 형성하는 단계이다.The transition layer forming step of the first embodiment is a step of forming on the substrate 10 a thin film which can be converted into a conductive or conductive material.

여기서, 기판(10)은 도전 배선(30)을 고분자 필름(40)에 함입시키기 전, 목적하는 패턴의 도전 배선(30)을 형성하고 이를 지지하기 위한 기체로서, 바람직하게는 경질의 기판(10)을 사용하며 대표적인 예로 유리 기판, 실리콘 웨이퍼 등을 들 수 있으나 반드시 이에 한정하지는 않는다. 예컨대, 종이 기판, 금속 기판, 플라스틱 기판 등을 사용할 수도 있다.Here, the substrate 10 is a substrate for forming and supporting a conductive wiring 30 of a desired pattern before incorporating the conductive wiring 30 into the polymer film 40, preferably a rigid substrate 10 ). Typical examples include, but are not necessarily limited to, glass substrates, silicon wafers, and the like. For example, a paper substrate, a metal substrate, a plastic substrate, or the like may be used.

특히, 변이층(20)은 특정 에너지를 조사하거나 인가시 산화 또는 환원 반응을 일으킬 수 있는 물질로 구성하되, 상기 산화 또는 환원 작용에 의해 투명한 전도성 물질로 변환될 수 있는 박막 형태로 구성된다.In particular, the transition layer 20 is composed of a material capable of inducing an oxidation or reduction reaction upon irradiation of a specific energy or upon application of a specific energy, and is formed in the form of a thin film which can be converted into a transparent conductive material by the oxidation or reduction action.

한편, 이러한 변이층(20)은 10nm 내지 2000nm(바람직하게는 50nm 내지 900nm) 범위 내의 두께로 형성하는 것이 좋다.On the other hand, the transition layer 20 is preferably formed to a thickness within a range of 10 nm to 2000 nm (preferably 50 nm to 900 nm).

바람직한 실시예에 따르면, 변이층(20)은 구리(Cu), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 주석(Sn), 크롬(Cr), 아연(Zn)과 같은 전도성 금속, PEDOT:PSS, 폴리아닐린(PANI) 등의 전도성 고분자, 또는 그래핀 옥사이드(graphene oxide), 리듀스 그래핀 옥사이드(reduced graphene oxide), 탄소나노튜브(carbon nanotube), 그래핀(graphene) 등의 탄소(carbon)계 물질을 사용할 수 있다.According to a preferred embodiment, the transition layer 20 is formed of a conductive metal such as copper (Cu), nickel (Ni), molybdenum (Mo), silver (Ag), tin (Sn), chromium (Cr) , Conductive polymers such as PEDOT: PSS and polyaniline (PANI), carbon such as graphene oxide, reduced graphene oxide, carbon nanotube, and graphene carbon based materials can be used.

특히, 변이층(20)을 구성함에 있어서, 탄소계 물질을 사용하고 환원에 의해 투명 전극(25)으로 변환될 수 있도록 구성할 경우, 변이층(20)은 그래핀 옥사이드(graphene oxide) 또는 리듀스 그래핀 옥사이드(reduced graphene oxide)로 형성하는 것이 바람직하다.In particular, when the transition layer 20 is constructed so that it can be converted into the transparent electrode 25 by using a carbonaceous material, the transition layer 20 may be formed of graphene oxide or It is preferably formed of reduced graphene oxide.

한편, 변이층(20)을 구성함에 있어서, 산화에 의해 투명 전극(25)으로 변환될 수 있도록 구성할 경우 P-타입 옥사이드(P-type Oxide)로 변환될 수 있는 물질로 구성하는 것이 바람직하다. 예컨대, 변이층(20)을 구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 또는 니켈(Ni)로 형성할 경우, 이에 산소 이온 빔을 조사하여 산화시킴으로써 산화구리, 산화몰리브덴, 산화니켈 등의 투명 전극(25)으로 변환할 수 있다.On the other hand, when the transition layer 20 is configured to be converted into the transparent electrode 25 by oxidation, it is preferable that the transition layer 20 is formed of a material that can be converted into a P-type oxide . For example, when the transition layer 20 is formed of copper (Cu), molybdenum (Mo), or nickel (Ni), an oxygen ion beam is irradiated thereto to oxidize the transparent electrode 25 ). ≪ / RTI >

변이층(20)은 박막 형태로 형성되는데, 바람직하게는 스퍼터링, 전자빔과 같은 물리 기상 증착(PVD) 방식 또는 열을 이용한 화학 기상 증착(CVD) 방식을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 선택된 물질에 따라 그에 적합한 공법 중 하나를 사용할 수 있다. 예컨대, 스핀코팅, 딥 코팅, 닥터블레이딩, 슬릿코팅, 잉크젯 프린팅, 임프린팅과 같은 코팅 공법, 또는 전기도금을 사용할 수도 있을 것이다.The transition layer 20 is formed in a thin film form. Preferably, the transition layer 20 may be formed by a physical vapor deposition (PVD) method such as sputtering or an electron beam or a chemical vapor deposition (CVD) method using heat. It is possible to use one of the suitable methods according to the present invention. For example, a coating method such as spin coating, dip coating, doctor blading, slit coating, ink jet printing, imprinting, or electroplating may be used.

바람직한 실시예에 따르면, 변이층 형성 단계는 기판 전처리 단계를 더 포함할 수 있다. 기판 전처리 단계는 기판(10)의 일면 상에 변이층(20)을 형성하기 전 기판(10) 표면에 플라즈마(plasma)를 조사하여 기판(10)을 전처리하는 공정이다.According to a preferred embodiment, the transition layer forming step may further comprise a substrate pretreatment step. The substrate pretreatment step is a step of pretreating the substrate 10 by irradiating plasma on the surface of the substrate 10 before forming the mutation layer 20 on one side of the substrate 10.

기판 전처리를 더 수행할 경우, 후술할 기판 제거 단계(S40)의 수행시 고분자 필름(40)으로부터 기판(10)을 더욱 깔끔하고 용이하게 박리시킬 수 있는 효과가 있다.When the pre-processing of the substrate is further performed, the substrate 10 can be more cleanly and easily peeled off from the polymer film 40 during the substrate removing step S40, which will be described later.

여기서, 플라즈마는 Ar, N2O, CF4, CH4, C2H2, H2O, C2H5OH, 헥사메틸디실록산 (hexamethyldisiloxane, HMDSO) 및 테트라메틸실란(tetramethylsilane, TMS)으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나 이상의 플라즈마인 것이 바람직하다. 상기 플라즈마를 기판(10)에 조사함으로써 기판(10) 표면의 특성을 변화시킬 수 있으며, 플라즈마 조사를 통해 기판(10) 표면에 존재하는 불순물들을 제거할 수 있다. 일례로, 유리기판에 CF4 플라즈마를 조사하는 경우 유리 기판의 표면에 불소(fluorine) 기를 형성해 소수성으로 변화시킬 수 있고, 실리콘(Si) 기판에 N2O 플라즈마를 조사하는 경우 실리콘(Si) 표면의 미세 산화막을 제거함으로써 표면을 소수성으로 변화시킬 수 있다. 상기 플라즈마는 압력, 인가전압 등의 공정조건에 따라 적절히 선택하여 사용할 수 있다.Here, the plasma may be formed by a combination of Ar, N 2 O, CF 4 , CH 4 , C 2 H 2 , H 2 O, C 2 H 5 OH, hexamethyldisiloxane (HMDSO) and tetramethylsilane And at least one plasma selected from the group consisting of The characteristics of the surface of the substrate 10 can be changed by irradiating the plasma to the substrate 10, and the impurities existing on the surface of the substrate 10 can be removed through the plasma irradiation. For example, when a glass substrate is irradiated with a CF 4 plasma, a fluorine group may be formed on the surface of the glass substrate to change its hydrophobicity. When a silicon (Si) substrate is irradiated with an N 2 O plasma, It is possible to change the surface to hydrophobic by removing the fine oxide film. The plasma may be appropriately selected according to process conditions such as pressure, applied voltage, and the like.

기판 전처리 단계를 통해 전처리된 기판의 표면은 이형(異形)의 특성으로 변화되며, 이에 따라 타 접합층(즉, 변이층(20))과의 접착력이 낮아져 쉽게 박리될 수 있다. 즉, 이러한 박리 특성의 변화는 플라즈마 처리에 의한 기판 표면의 이형특성에 기인하는 것으로, 이러한 이형 특성의 지표로서는 물에 대한접촉각(친수성)을 들 수 있다.The surface of the substrate pretreated through the substrate pretreatment step is changed in the shape of a deformed shape and accordingly the adhesion with the other bonding layer (that is, the mutation layer 20) is lowered and can be easily peeled off. That is, the change in the peeling property is attributable to the property of releasing the surface of the substrate by the plasma treatment. The index of the releasing property is the contact angle (hydrophilicity) with respect to water.

이때, 플라즈마가 조사되어 전처리된 기판(10) 표면은 45 내지 150°(바람직하게는 45 내지 120°)의 물에 대한 접촉각을 갖는 것이 바람직하다. 전처리된 기판(10) 표면이 상기와 같이 물에 대한 접촉각을 가짐으로써 기판(10)과 고분자 필름(40)을 상호 쉽게 분리시킬 수 있다. 여기서, 상기 전처리된 기판(10) 표면이 45°미만인 물에 대한 접촉각을 갖는 경우에는 기판(10)에 형성되는 변이층(20)이 잘 박리되지 않는 문제가 있으며, 전처리된 기판(10) 표면이 150°를 초과하는 물에 대한 접촉각을 갖는 경우에는 변이층(20)을 기판 상에 코팅하기 어려운 문제가 있다.At this time, it is preferable that the surface of the substrate 10 to which the plasma is irradiated and pretreated has a contact angle with respect to water of 45 to 150 (preferably 45 to 120). The substrate 10 and the polymer film 40 can be easily separated from each other by having the surface of the pretreated substrate 10 have a contact angle with respect to water as described above. If the surface of the preprocessed substrate 10 has a contact angle with respect to water of less than 45 °, there is a problem that the deformation layer 20 formed on the substrate 10 is not easily peeled off. There is a problem that it is difficult to coat the mutation layer 20 on the substrate when the contact angle with water exceeding 150 deg.

(2) 도전 배선 형성 단계(S20)(2) Conductive wiring formation step (S20)

제1 실시예의 도전 배선 형성 단계는 기판(10) 상부에 도전 배선(30)을 형성하는 공정에 해당한다. 여기서, 상기 도전 배선(30)이 형성되는 기판(10) 상부란 구체적으로 기판(10)에 증착 또는 코팅된 변이층(20)의 외측 표면일 수 있다. 또한, 도전 배선(30)의 두께는 1㎛ 내지 4㎛ 범위 내의 두께로 형성할 수 있다.The conductive wiring forming step of the first embodiment corresponds to the step of forming the conductive wiring 30 on the substrate 10. The upper surface of the substrate 10 on which the conductive wires 30 are formed may be an outer surface of the transition layer 20 deposited or coated on the substrate 10. In addition, the thickness of the conductive wiring 30 can be formed within a range of 1 탆 to 4 탆.

한편, 이하에서 사용하는 용어 “도전 배선(30)” 이란 전도성 성질을 갖는 재질로 이루어진 모든 전도성 배선을 통칭하는 의미로 사용되는 것임을 밝혀둔다.As used herein, the term " conductive wiring 30 " is used to mean all conductive wirings made of a material having a conductive property.

구체적으로는, 도전 배선(30)은 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 주석(Sn), 크롬(Cr), 아연(Zn) 등의 전도성 금속 또는 이들의 합금, 또는 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드 (IZTO-Ag-IZTO), 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드 (AZO-Ag-AZO) 등의 전도성 금속 산화물 1종 이상으로 형성될 수 있다.Specifically, the conductive wiring 30 is formed of a material such as Ag, Cu, Al, Au, Pt, Ni, Sn, Cr, (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), indium tin oxide-silver-indium tin oxide (IZTO), zinc oxide (Zn), or alloys of these metals or indium tin oxide (IZO-Ag-IZO), indium zinc tin oxide-silver-indium zinc-tin oxide (IZTO-Ag-IZTO), aluminum zinc oxide- May be formed of at least one conductive metal oxide such as silver-aluminum zinc oxide (AZO-Ag-AZO).

상기의 물질 이외에, 도전 배선(30)은 PEDOT:PSS 또는 폴리아닐린(PANI) 등의 유기전도체 물질을 사용하여 형성될 수 있고, 또는 직경 5~100 nm 정도의 은 나노와이어(nanowire), 금 나노와이어, 구리 나노와이어, 백금 나노와이어 등을 코팅하여 형성될 수 있다.In addition to the above materials, the conductive wiring 30 may be formed using an organic conductive material such as PEDOT: PSS or polyaniline (PANI), or may be formed using a silver nanowire having a diameter of 5 to 100 nm, , Copper nanowires, platinum nanowires, and the like.

또는, 도전 배선(30)은 탄소나노튜브(carbon nanotube), 그래핀(graphene), 그래핀 옥사이드(graphene oxide), 리듀스 그래핀 옥사이드 (reduced graphene oxide) 등의 탄소(carbon)계 물질을 코팅함으로써 형성될 수 있다. 또한, 상기의 물질들 중 1종 이상을 혼합하여 도전 배선을 형성할 수 있도 있음은 물론이다.Alternatively, the conductive wiring 30 may be formed by coating a carbon-based material such as carbon nanotube, graphene, graphene oxide, or reduced graphene oxide . It goes without saying that one or more of the above materials may be mixed to form a conductive wiring.

한편, 도전 배선(30)은 프린팅, 전기도금, 진공증착, 열증착, 스퍼터링, 전자빔 증착 등의 방법을 통해 경질의 기판(10) 상에 코팅 또는 증착하여 형성할 수 있다.The conductive wiring 30 may be formed by coating or vapor deposition on a rigid substrate 10 by a method such as printing, electroplating, vacuum deposition, thermal deposition, sputtering, or electron beam deposition.

상기의 다양한 코팅 또는 증착 기법 중 하나를 이용하여, 목적하는 패턴을 갖는 도전 배선(30)을 형성하면, 열처리 등을 통한 경화 공정을 더 수행하는 것이 바람직하다.When the conductive wiring 30 having a desired pattern is formed by using one of the above various coating or deposition techniques, it is preferable to further perform a curing process by heat treatment or the like.

이는, 도전 배선(30)의 코팅 또는 증착 후 경화 공정을 더 수행함으로써, 도전 배선의 우수한 전기적 특성, 치수 안정성, 균일한 미세구조 및 조직 치밀화를 달성할 수 있기 때문이다.This is because the excellent electrical characteristics, dimensional stability, uniform microstructure and texture densification of the conductive wiring can be achieved by further performing the coating or curing process after the conductive wiring 30.

(3) 고분자층 형성 단계(S30)(3) Polymer layer formation step (S30)

제1 실시예의 고분자층 형성 단계는 코팅 후 경화 방식을 통해 도전 배선(30)이 내부에 포함된 구조의 고분자 필름(40)을 형성하는 공정에 해당한다. 여기서, 최종 형성되는 고분자 필름(40)은 바람직하게는 2㎛ 내지 400㎛ 범위 내의 두께로 형성될 수 있다.The polymer layer forming step of the first embodiment corresponds to the step of forming the polymer film 40 having the structure in which the conductive wiring 30 is contained through the post-coating curing method. Here, the finally formed polymer film 40 may preferably be formed to a thickness within a range of 2 to 400 mu m.

구체적으로, 고분자층 형성 단계는 도전 배선(30)이 형성된 변이층(20) 상부에 액상의 수지를 소정 두께로 코팅하여 도 2(c)와 같이 도전 배선(30)이 내부에 포함된 고분자층을 형성한 후 이를 경화시킴으로써 도전 배선(30)이 함입된 고분자 필름(40)을 형성하게 된다.Specifically, in the polymer layer forming step, a liquid resin is coated to a predetermined thickness on the transition layer 20 on which the conductive wiring 30 is formed to form a polymer layer including the conductive wiring 30 as shown in FIG. 2 (c) And then the conductive film 30 is cured to form the polymer film 40 in which the conductive wires 30 are embedded.

고분자층 형성 단계에 사용되는 상기 수지는 후술할 변이층 변환 단계에서 인가되는 에너지에 의한 고온 분위기를 고려하여 유리전이점이 180℃ 이상(바람직하게는 200℃ 이상)인 내열성 수지로 구성하는 것이 바람직하다. 이는, 고온의 열이 고분자 필름(40)의 유리전이 온도에 근접하게 되면 상기 고분자 필름의 불량(예컨데, 열팽창 등에 의한 기판 변형, 표면 조도 감소, 황변(yellowing) 현상에 의한 광투과율 감소 등)이 야기될 수 있기 때문이다.The resin used in the polymer layer forming step is preferably composed of a heat resistant resin having a glass transition point of 180 占 폚 or higher (preferably 200 占 폚 or higher) in consideration of a high-temperature atmosphere due to energy applied in a later- . This is because when the heat of high temperature becomes close to the glass transition temperature of the polymer film 40, the polymer film becomes defective (for example, the substrate is deformed due to thermal expansion, surface roughness is reduced, and the light transmittance is reduced due to yellowing) Because it can be caused.

이와 같은 점을 고려한 바람직한 예를 들면, 본 발명의 수지는 폴리술폰(polysulfone) 수지, 폴리에테르(polyether) 수지, 폴리에테르이미드 (polyether lmide) 수지, 폴리아릴레이트(PAR:polyarylate) 수지, 플루오렌 (fluorene)기를 포함하는 아크릴레이트계 모노머/올리고머 혼합물, 및 비페닐 (biphenyl)형 지환식 에폭시(epoxy) 수지 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 사용할 수 있다.As a preferable example taking such a point into consideration, the resin of the present invention may be selected from the group consisting of a polysulfone resin, a polyether resin, a polyether lmide resin, a polyarylate resin, an acrylate monomer / oligomer mixture containing a fluorene group, and a biphenyl type alicyclic epoxy resin may be used.

한편, 자외선 조사, 용매 처리 등과 같이 변이층 변환 단계가 비교적 낮은 온도에서 수행될 경우 유리전이점에 대한 특별한 제약없이 다양한 수지 소재를 사용하여 형성할 수 있다. 구체적으로는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌 설폰(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리이미드(PI), 에틸렌비닐아세테이트(EVA), 아몰포스폴리에틸렌테레프탈레이트(APET), 폴리프로필렌테레프탈레이트(PPT), 폴리에틸렌테레프탈레이트글리세롤(PETG),폴리사이클로헥실렌디메틸렌테레프탈레이트(PCTG), 변성트리아세틸셀룰로스(TAC), 사이클로올레핀폴리머(COP), 사이클로올레핀코폴리머(COC), 디시클로펜타디엔폴리머(DCPD), 시클로펜타디엔폴리머(CPD), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리다이메틸실론세인(PDMS), 실리콘수지, 불소수지, 변성에폭시수지 등을 사용할 수 있다.On the other hand, when the transition layer conversion step such as ultraviolet irradiation, solvent treatment or the like is performed at a relatively low temperature, various resin materials can be used without particular restriction on the glass transition point. Concretely, it is possible to use polyethylene terephthalate (PET), polyethylene sulfone (PES), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), polyimide (PI), ethylene vinyl acetate (EVA) , Amorphous polyethylene terephthalate (APET), polypropylene terephthalate (PPT), polyethylene terephthalate glycerol (PETG), polycyclohexylenedimethylene terephthalate (PCTG), modified triacetyl cellulose (TAC), cycloolefin polymer COP), cycloolefin copolymer (COC), dicyclopentadiene polymer (DCPD), cyclopentadiene polymer (CPD), polyarylate (PAR), polyetherimide (PEI), polydimethylsilonane , A silicone resin, a fluororesin, and a modified epoxy resin.

고분자 필름(40)을 형성하는 수지 소재는 코팅 후 실온 경화, 열 경화, 자외선 경화, 습기 경화, 마이크로 웨이브 경화(microwave), 적외선(IR) 경화 등 사용되는 고분자의 특성에 맞는 적절한 방법으로 경화 가능하다.The resin material forming the polymer film 40 can be cured by a suitable method suitable for the properties of the polymer used, such as room temperature curing, thermal curing, ultraviolet curing, moisture curing, microwave curing, infrared Do.

한편, 고분자 필름(40)을 형성하는 수지 소재의 코팅은 닥터블레이딩(doctor blading), 바코팅(bar coating), 스핀코팅(spin coating), 딥코팅(dip coating), 마이크로 그라비아 코팅(micro gravure), 임프린팅 (imprinting), 잉크젯 프린팅(injet pringting), 스프레이(spray) 등과 같이 용액공정이 가능한 코팅법을 통해 수행될 수 있다.The coating of the resin material forming the polymer film 40 may be performed by a doctor blading, a bar coating, a spin coating, a dip coating, a micro gravure coating, ), Imprinting, inkjet printing (spraying), spraying, and the like.

(4) 기판 제거 단계(S40)(4) Substrate removal step (S40)

제1 실시예의 기판 제거 단계는 고분자 필름(40)으로부터 기판(10)을 제거하는 공정으로서, 이때 기판(10)을 제거하기 위한 수단은 물리적 힘을 사용하게 된다.The substrate removing step of the first embodiment is a process of removing the substrate 10 from the polymer film 40, wherein the means for removing the substrate 10 uses physical force.

구체적으로, 기판 제거 단계는 단계 S10 내지 단계 S30을 통해 형성된 "기판-변이층-도전배선-고분자 필름" 적층체에 있어서, 가장 하층에 구비된 기판(10)에 물리적 힘을 가하여 이를 나머지 적층체로부터 완전히 분리 또는 박리시킴으로써, 기판(10)과 고분자 필름(40) 사이에 개재된 변이층(20)의 일측 전면(全面)을 외부로 노출시키는 공정이다.Specifically, in the substrate removing step, a physical force is applied to the substrate 10 provided at the lowest layer in the "substrate-mutating layer-conductive wiring-polymer film" laminate formed through steps S10 to S30, The entire surface of the mutation layer 20 sandwiched between the substrate 10 and the polymer film 40 is exposed to the outside.

한편, 기판 제거 단계에서 가해지는 상기 물리적 힘은 사람에 의한 외력이거나, 기구 또는 장치에 의한 기계적 힘일 수 있다.On the other hand, the physical force applied in the substrate removing step may be an external force by a person, or a mechanical force by an apparatus or an apparatus.

(5) 변이층 변환 단계(S50)(5) Transition layer conversion step (S50)

제1 실시예의 변이층 변환 단계는 단계 S40을 통해 기판(10)이 제거됨으로써 노출되는 변이층(20)에 소정의 에너지를 인가하여 산화 또는 환원시킴으로써 상기 변이층(20)을 투명전극으로 변환시키는 공정이다.The transition layer transforming step of the first embodiment transforms the transition layer 20 into a transparent electrode by applying a predetermined energy to the transition layer 20 exposed by removing the substrate 10 through step S40 to oxidize or reduce the transition layer Process.

바람직한 실시예에 따르면, 단계 S40에서 변이층(20)에 인가되는 에너지는 전하를 띈 입자(50)의 조사일 수 있으며, 구체적으로 플라즈마 내지 이온 빔의 조사일 수 있다.According to a preferred embodiment, the energy applied to the transition layer 20 in step S40 may be the irradiation of the charged particles 50, and may be specifically a plasma or ion beam irradiation.

예컨대, 바람직한 실시예에 따라, 변이층(20)을 그래핀 옥사이드(graphene oxide) 또는 리듀스 그래핀 옥사이드(reduced graphene oxide)로 구성하였다면, 상기 변이층(20)에 조사되는 에너지는 플라즈마일 수 있으며, 상기 경우 변이층(20)의 그래핀 옥사이드는 플라즈마 처리에 의해 환원을 일으켜 그래핀(graphene)으로 변환되고, 이렇게 변환된 그래핀은 투명 전극(25)으로 작용하게 된다.For example, according to a preferred embodiment, if the transition layer 20 is formed of graphene oxide or reduced graphene oxide, the energy applied to the transition layer 20 may be plasma In this case, the graphene oxide of the transition layer 20 is reduced by the plasma treatment and converted into graphene, and the graphene thus converted acts as the transparent electrode 25.

또 다른 예로, 변이층(20)을 구리(Cu) 재질로 구성하였다면, 상기 변이층 (20)에 조사되는 에너지는 산소 이온 빔일 수 있으며, 상기 경우 변이층(20)은 산소 이온 빔에 의해 산화되어 산화구리로 변환되고, 이렇게 변환된 산화구리는 투명 전극(25)으로 작용하게 된다.As another example, if the mutation layer 20 is made of copper (Cu), the energy applied to the mutation layer 20 may be an oxygen ion beam. In this case, the mutation layer 20 may be oxidized And the converted copper oxide acts as the transparent electrode 25.

한편, 상기의 바람직한 실시예는 변이층(20)의 산화 또는 환원 수단으로서 플라즈마, 이온 빔과 같은 전하를 띈 입자를 제시하였으나, 이외에 변이층(20)을 구성하는 물질에 따라 이에 적합한 에너지(예컨대, 자외선 또는 열)를 인가하거나 용매에 의한 화학 반응을 통해 산화 또는 환원을 일으키도록 구성할 수도 있음은 물론이다.In the meantime, although the above-mentioned preferred embodiments disclose charged particles such as plasma or ion beam as a means for oxidizing or reducing the transition layer 20, it is also possible to use an energy (for example, , Ultraviolet rays or heat), or may be configured to cause oxidation or reduction through a chemical reaction by a solvent.

상기의 모든 공정이 완료되면, 도 2(f)와 같이 일측에는 투명전극이 형성되어 있고, 내부에는 도전 배선(30)이 삽입되어 있는 고분자 필름(40)을 수득할 수 있게 된다.When the above processes are completed, the polymer film 40 having the transparent electrode formed on one side and the conductive wiring 30 inserted therein can be obtained as shown in FIG. 2 (f).

이하에서는, 본 발명에 따른 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법의 구체적인 실시예를 설명하도록 한다. 참고로 다음의 실시예는 본 발명의 구성 및 효과를 보다 명확히 설명하기 위한 것일 뿐 본 발명의 권리범위를 이에 한정하는 것은 아니다.Hereinafter, a concrete embodiment of a method of manufacturing a flexible substrate in which a conductive wiring using a transition layer according to the present invention is embedded will be described. For the sake of reference, the following embodiments are merely for explaining the constitution and effect of the present invention more clearly, but do not limit the scope of the present invention.

(1) 변이층 형성 단계(S10)(1) Transition layer forming step (S10)

실시예 1의 변이층 형성 단계는 기판으로서 실리콘 웨이퍼를 사용하였고, 이러한 실리콘 웨이퍼의 표면 개질을 위해 변이층 형성 전에 전술한 플라즈마 전처리를 먼저 수행하였다.A silicon wafer was used as a substrate in the transition layer forming step of Example 1, and the plasma pretreatment described above was performed before the formation of the transition layer for surface modification of such a silicon wafer.

여기서, 플라즈마 전처리는 기저진공도 3*10-6 torr에서 30 sccm의 Ar 가스와 10 sccm의 CF4 가스를 주입하여 진공도 2*10-2 torr를 맞춘 후, 300W의 13.56MHz RF 파워를 가하여 1분간 표면 처리를 진행하였다.The plasma pretreatment was performed by injecting Ar gas of 30 sccm and CF4 gas of 10 sccm at a base vacuum degree of 3 * 10 -6 torr, adjusting the vacuum degree to 2 * 10 -2 torr, applying RF power of 13.56 MHz at 300 W, Processing was continued.

상기의 플라즈마 전처리를 완료한 후, 기판의 개질된 표면 상에 변이층을 형성하였다. 구체적으로 실시예 1의 변이층 형성 단계는 구리(Cu) 타켓을 사용한 스퍼터링 방식을 통해 구리 재질로 이루어진 변이층을 형성하였다.After completing the above plasma pretreatment, a transition layer was formed on the modified surface of the substrate. Specifically, in the mutation layer forming step of Example 1, a mutation layer made of a copper material was formed by a sputtering method using a copper (Cu) target.

여기서, 세부 공정 조건은 마그네트론 스퍼터링 시스템에서 기저진공도 3*10-6 torr에서 30 sccm의 Ar 가스를 주입하여 진공도 1.2*10-3 torr를 맞춘 후, 90초간 200W의 13.56MHz RF 파워를 가하여 약 50nm의 구리 박막을 증착하였다.Herein, detailed process conditions were as follows: Ar gas of 30 sccm was injected at a base vacuum degree of 3 * 10 -6 torr in a magnetron sputtering system, the vacuum was adjusted to 1.2 * 10 -3 torr, and RF power of 13.56 MHz of 200 W was applied for 90 seconds, Of copper thin films were deposited.

(2) 도전 배선 형성 단계(S20)(2) Conductive wiring formation step (S20)

실시예 1의 도전 배선 형성 단계는 Gravure Offset 프린팅 장비를 이용하여 상기 단계 S10에서 형성된 변이층 상부로 Ag paste(silver nano paste DGP, 나노신소재(ANP))를 코팅함으로써 20 ~ 500 ㎛의 선폭 및 20 ~ 2000 ㎛의 간격을 가지는 Ag 배선을 형성하였고, 형성된 배선을 200 ℃의 온도인 hot-plate에서 1시간 열처리 하였다. 열처리 후 Ag 배선의 두께는 약 1 ~ 2㎛를 나타내었다.The conductive wiring forming step of Example 1 is performed by applying a silver paste (silver nano paste DGP, nano-new material (ANP)) to the upper portion of the transition layer formed in step S10 using a gravure offset printing apparatus, Ag wires having an interval of ~2000 mu m were formed, and the formed wires were heat-treated for 1 hour in a hot-plate at a temperature of 200 ° C. The thickness of the Ag wiring after annealing was about 1 to 2 탆.

(3) 고분자층 형성 단계(S30)(3) Polymer layer formation step (S30)

실시예 1의 고분자층 형성 단계는 상기 단계 S10,S20을 통해 형성된 구리 변이층과 도전 배선 상부에 닥터블레이딩(Doctor blading)을 이용하여 열경화성 폴리머(VTEC-PI-051)를 일정한 두께의 액체 상태의 막으로 코팅한 후, 200℃의 온도인 hot-plate에서 1시간 열처리하여 40㎛ 두께의 고분자 필름을 제조하였다.In the polymer layer forming step of Example 1, a thermosetting polymer (VTEC-PI-051) was formed in a liquid state of a constant thickness by doctor blading on the copper transition layer and the conductive wiring formed through steps S10 and S20 And then heat-treated at a temperature of 200 ° C in a hot-plate for 1 hour to prepare a polymer film having a thickness of 40 μm.

(4) 기판 제거 단계(S40)(4) Substrate removal step (S40)

실시예의 1의 기판 제거 단계는 단계 S30에서 형성한 고분자 필름에 물리적 힘을 가해 실리콘 웨이퍼로부터 분리하였다. 이때, 단계 S10에서 기판 상부에 형성한 변이층(구리 박막)은 단계 S30에서 형성한 고분자 필름측에 포함되어 함께 분리된다.The substrate removing step of the embodiment 1 was separated from the silicon wafer by applying physical force to the polymer film formed in the step S30. At this time, the transition layer (copper thin film) formed on the substrate in step S10 is included in the polymer film side formed in step S30 and separated together.

(5) 변이층 변환 단계(S50)(5) Transition layer conversion step (S50)

실시예 1의 변이층 변환 단계는 단계 S40을 통해 외부로 노출된 변이층에 이온 빔을 조사하여 산화시킴으로써 구리 박막을 산화구리 투명전극으로 변환시켰다.The transition layer conversion step of Example 1 transforms the copper thin film into a copper oxide transparent electrode by irradiating an ion beam to the outwardly exposed transition layer through step S40 and oxidizing.

여기서, 세부 공정 조건은 선형이온소스를 통해 산소 이온 빔을 조사함으로써 구리 변이층을 산화시켰고, 산소 이온 빔은 기저진공도 5*10-5 torr에서 50 sccm의 Ar 가스를 주입하여 진공도 1*10-3 torr를 맞춘 후, 1kV/80mA의 파워를 가하였으며, 경화된 고분자 필름을 10 mm/s의 속도로 이동시켜 2회 진행하였다.Here, the detailed process conditions sikyeotgo by irradiating the oxygen ion beam from a linear ion source oxidizing the copper transition layer, an oxygen ion beam is a degree of vacuum 1 × 10 by injecting Ar gas of 50 sccm at a base vacuum of 5 * 10 -5 torr - After 3 torrs were fitted, a power of 1 kV / 80 mA was applied and the cured polymer film was transferred twice at a speed of 10 mm / s.

상기의 실시예 1의 공정을 따름으로써, 내부에는 도전 배선이 함입되어 있고, 상부에는 상기 도전 배선과 전기적으로 접속된 투명 전극(25)이 적층되어 있는 유연 기판(즉, 고분자 필름)을 제조할 수 있음을 확인하였다.By following the process of Embodiment 1, a flexible substrate (that is, a polymer film) having conductive wires embedded therein and transparent electrodes 25 electrically connected to the conductive wires is laminated on the substrate Respectively.

또한, 접착력이 상대적으로 좋지 않은 물질로 이루어진 변이층을 개재시켜 버퍼 역할을 하도록 구성함으로써, 도전 배선이 함몰된 고분자 필름으로부터 기판을 강제 분리시 도전 배선 내지 고분자 필름을 손상시키지 않고 기판을 최선으로 제거할 수 있음을 확인하였다.In addition, since the buffer layer serves as a buffer through a mutual layer made of a material having a relatively poor adhesive force, the substrate can be best removed without damaging the conductive wiring or the polymer film during forced separation of the substrate from the polymer film .

특히, 고분자 필름과 기판 간의 용이한 분리를 위해 별도의 버퍼층을 사용할 경우, 종래의 경우 앞서 언급한 바와 같이 버퍼층 제거에 매우 긴 시간이 소요되고, 버퍼층을 제거하더라도 이의 일부가 잔류하여 전기적 특성을 저하시키거나 이물로 작용하는 등의 문제점이 야기될 수 있었으나, 본 발명의 경우 이처럼 버퍼층 역할을 하는 변이층을 제거하지 않고 그대로 투명 전극(25)으로 전환시켜 활용하도록 구성함으로써 이형 물질의 잔류에 의한 문제점을 근본적으로 제거할 수 있음을 확인하였다.Particularly, when a separate buffer layer is used for easy separation between the polymer film and the substrate, it takes a very long time to remove the buffer layer as described above, and even if the buffer layer is removed, a part thereof remains, However, in the case of the present invention, the transition layer serving as the buffer layer is not removed but is directly used as the transparent electrode 25, so that problems such as the problem due to the residual of the release material Can be fundamentally removed.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법의 블록 순서도이고, 도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 공정을 단계별로 도시한 공정 흐름도이다.FIG. 3 is a block flow diagram of a method of manufacturing a flexible substrate incorporating a conductive interconnection using a transition layer according to a second embodiment of the present invention. FIG. 4 is a cross- FIG. 2 is a flow chart showing the steps of manufacturing a flexible substrate according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 제2 실시예에 따른 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법은 변이층 형성 단계(S11)와, 투명전극 형성 단계(S21)와, 도전 배선 형성 단계(S31)와, 고분자층 형성 단계(S41)와, 기판 제거 단계(S51)와, 변이층 변환 단계(S61)를 포함한다.The method for producing a flexible substrate in which a conductive wiring using a transition layer according to the second embodiment of the present invention is formed includes a transition layer forming step S11, a transparent electrode forming step S21, a conductive wiring forming step S31, A polymer layer forming step S41, a substrate removing step S51, and a mutation layer converting step S61.

제2 실시예는 제1 실시예 대비 투명 전극 형성 단계를 더 포함하는 것이 차이점인 바, 이하에서는 도 3 및 도 4를 참조하여 그 차이점만 위주로 설명하도록 한다.The second embodiment differs from the first embodiment in that it further includes a transparent electrode forming step. Hereinafter, only the difference will be mainly described with reference to FIG. 3 and FIG.

(1) 변이층 형성 단계(S11)(1) Mutation layer formation step (S11)

제2 실시예의의 변이층 형성 단계는 제1 실시예와 마찬가지로 도전성을 띠거나 또는 도전성을 띠는 물질로 변환될 수 있는 박막을 기판(10) 상에 형성하는 단계이다.The transition layer forming step of the second embodiment is a step of forming on the substrate 10 a thin film which can be converted into a conductive or conductive material as in the first embodiment.

여기서, 변이층(20) 및 기판(10)의 재질을 비롯한 구체적인 구성 및 형성 방법은 제1 실시예와 동일하므로 자세한 설명은 생략하기로 한다.Here, the specific structure and forming method including the material of the transition layer 20 and the substrate 10 are the same as those of the first embodiment, and thus a detailed description thereof will be omitted.

또한, 제1 실시예와 마찬가지로 변이층 형성 단계는 기판 전처리 단계를 더 포함할 수 있음은 물론이다.Also, as in the first embodiment, it is needless to say that the mutating layer forming step may further include a substrate pretreatment step.

(2) 투명전극 형성 단계(S21)(2) Transparent electrode formation step (S21)

변이층(20) 상부에 바로 도전 배선(30)을 형성하는 제1 실시예와 달리, 제2 실시예는 도 4(b)와 같이 변이층(20) 상부에 투명 전도막 형태의 투명 전극(60)을 먼저 형성한 후 도전 배선(30)을 형성하게 된다.The second embodiment differs from the first embodiment in that the conductive wiring 30 is directly formed on the transition layer 20 and the transparent electrode in the form of a transparent conductive film is formed on the transition layer 20 as shown in FIG. 60 are first formed and then the conductive wiring 30 is formed.

제2 실시예의 투명 전극(60)은 물리적 기상 증착법(PVD), 화학적 기상 증착법(CVD)과 같이 일반적으로 물질의 증착에 이용되는 증착법을 사용하거나 공지된 다양한 코팅법을 사용하여 형성할 수 있다.The transparent electrode 60 of the second embodiment can be formed using a deposition method generally used for deposition of materials such as physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD), or by using various known coating methods.

구체적으로, 투명 전극(60)은 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 갈륨징크옥사이드(GZO), 플로린틴옥사이드(FTO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드(IZTO-Ag-IZTO) 및 알루미늄징크옥사이드-은- 알루미늄징크옥사이드 (AZO-Ag-AZO)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속 산화물 또는 금속 산화물-금속-금속 산화물로 형성할 수 있다.Specifically, the transparent electrode 60 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), gallium zinc oxide (GZO) ), Indium tin oxide-silver-indium tin oxide (ITO-Ag-ITO), indium zinc oxide-silver-indium zinc oxide (IZO-Ag-IZO), indium zinc tin oxide- Ag-IZTO) and aluminum zinc oxide-silver-aluminum zinc oxide (AZO-Ag-AZO).

또한, 투명 전극(60)은 PEDOT:PSS, 폴리아닐린(PANI) 등의 유기전도체 물질을 사용하여 형성하거나, 10 ~ 20 nm 정도 두께의 은 박막, 금 박막 등의 금속 박막으로 형성하거나, 직경이 5~100 nm 정도의 은 나노와이어(nanowire), 금 나노와이어, 구리 나노와이어, 백금 나노와이어 등을 코팅하여 형성하거나, 상기 투명 전극을 형성하는 재료들 중 1종 이상을 혼합하여 형성할 수도 있다. The transparent electrode 60 may be formed using an organic conductive material such as PEDOT: PSS or polyaniline (PANI), a metal thin film such as a silver thin film or a gold thin film having a thickness of about 10 to 20 nm, A gold nanowire, a copper nanowire, a platinum nanowire, or the like, or a mixture of at least one of the materials forming the transparent electrode.

더 나아가, 투명 전극(60)은 탄소나노튜브(carbon nanotube), 그래핀 (graphene), 그래핀 옥사이드(graphene oxide), 리듀스 그래핀 옥사이드(reduced graphene oxide) 등의 탄소(carbon)계 물질을 코팅함으로써 형성할 수도 있다.Further, the transparent electrode 60 may be formed of a carbon material such as carbon nanotube, graphene, graphene oxide, or reduced graphene oxide Or may be formed by coating.

(3) 도전 배선 형성 단계(S31)(3) Conductive wiring formation step (S31)

제2 실시예의 도전 배선 형성 단계는 도 4(c)와 같이 투명 전극(60) 상부에 도전 배선(30)을 형성시키는 단계로서, 변이층 대신 투명 전극 상부에 도전 배선(30)을 형성시키는 점을 제외하면 제1 실시예의 도전 배선 형성 단계와 동일하다. 이렇게 형성된 도전 배선(30)은 투명 전극과 전기적으로 접촉 연결되어 전기적 특성을 향상시키게 된다.The conductive wiring forming step of the second embodiment is a step of forming the conductive wiring 30 on the transparent electrode 60 as shown in Fig. 4C, and the step of forming the conductive wiring 30 on the transparent electrode instead of the muting layer Is the same as the conductive wiring forming step of the first embodiment. The conductive wiring 30 thus formed is electrically contacted with the transparent electrode to improve the electrical characteristics.

이후, 제2 실시예의 고분자층 형성 단계(S41)와, 기판 제거 단계(S51)와, 변이층 변환 단계(S61)는 제1 실시예의 그것과 동일하므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.Since the polymer layer forming step S41, the substrate removing step S51 and the mutation layer converting step S61 of the second embodiment are the same as those of the first embodiment, a detailed description thereof will be omitted.

상기와 같은 제2 실시예의 공정을 따르게 되면, 제1 실시예와 마찬가지로 내부에는 도전 배선(30)이 삽입되어 있고, 상부에는 상기 도전 배선(30)과 전기적으로 접속된 투명 전극이 적층되어 있는 유연 기판(즉, 고분자 필름)을 제조하게 된다.In the same manner as in the first embodiment, the conductive wiring 30 is inserted therein, and the upper portion of the flexible wiring board 30 is electrically connected to the conductive wiring 30, Thereby producing a substrate (i.e., a polymer film).

다만, 제1 실시예의 경우 1종의 투명 전극(즉, 변이층에 의해 생성된 투명전극(25))만이 구비된 구조를 갖추게 되나, 제2 실시예의 경우 2종의 투명 전극 (25,60)이 상호 전기적으로 연결되며 접합된 구조를 형성하게 되는 것이 차이점이다.However, in the case of the first embodiment, only one kind of transparent electrode (that is, the transparent electrode 25 produced by the mutation layer) is provided, but in the case of the second embodiment, two kinds of transparent electrodes 25, Are electrically connected to each other to form a bonded structure.

즉, 제2 실시예의 경우 변이층(20)의 산화 또는 환원에 의해 형성되는 투명 전극(25)과 단계 S21에 의해 형성된 투명 전극(60)이 함께 구비되게 된다.That is, in the case of the second embodiment, the transparent electrode 25 formed by oxidation or reduction of the transition layer 20 and the transparent electrode 60 formed by step S21 are provided together.

따라서, 제1 실시예의 경우 제2 실시예 대비 일부 공정(즉, 단계 S21)의 생략에 따른 비용 절감 및 공정 속도 향상의 장점이 있으나, 기판(10) 제거 과정(즉, 단계 S40)에서 변이층(즉, 투명 전극)의 일부가 의도하지 않게 박리되거나 손상되어 전기적 특성이 저하될 수 있는 단점이 있는 반면, 제2 실시예의 경우 이와 반대로 일부 공정(즉, 단계 S21)의 추가에 따른 비용 및 공정 속도 증대의 단점이 있으나, 기판 제거 과정(즉, 단계 S40)에서 변이층(즉, 투명 전극)의 일부가 박리 또는 손상되더라도 단계 S21에서 형성된 또 다른 투명 전극이 이를 보상해 줄 수 있어 전기적 특성을 더 향상시킬 수 있는 장점이 있게 된다.Therefore, in the case of the first embodiment, there is an advantage of cost reduction and process speed improvement owing to omission of some processes (that is, step S21) compared with the second embodiment, but in the process of removing the substrate 10 (I.e., the transparent electrode) may be unintentionally peeled off or damaged to deteriorate the electrical characteristics. On the contrary, in the case of the second embodiment, the cost and the cost due to the addition of some processes (that is, step S21) The transparent electrode formed in step S21 can compensate for the deterioration even if a part of the transition layer (i.e., the transparent electrode) is peeled or damaged in the substrate removal process (i.e., step S40) There is an advantage that it can be further improved.

한편, 상기의 제1 및 제2 실시예에 따라 제조된 도전 배선이 함입된 유연 기판은 태양전지, 면조명, e-페이퍼, 터치패널, FPCB(Flexible Printed Circuit Board), RFID(Radio Frequency Identification), 또는 디스플레이 패널 등과 같은 전기 전자 장치에 적용될 수 있다.
Meanwhile, the flexible substrate having the conductive wires embedded therein according to the first and second embodiments may be used for a solar cell, a surface lighting, an e-paper, a touch panel, a flexible printed circuit board (FPCB) , Or a display panel or the like.

상기에서 본 발명의 바람직한 실시예가 특정 용어들을 사용하여 설명 및 도시되었지만 그러한 용어는 오로지 본 발명을 명확히 설명하기 위한 것일 뿐이며, 본 발명의 실시예 및 기술된 용어는 다음의 청구범위의 기술적 사상 및 범위로부터 이탈되지 않고서 여러가지 변경 및 변화가 가해질 수 있는 것은 자명한 일이다. 이와 같이 변형된 실시예들은 본 발명의 사상 및 범위로부터 개별적으로 이해되어져서는 안되며, 본 발명의 청구범위 안에 속한다고 해야 할 것이다.
While the preferred embodiments of the present invention have been described and illustrated above using specific terms, such terms are used only for the purpose of clarifying the invention, and it is to be understood that the embodiment It will be obvious that various changes and modifications can be made without departing from the spirit and scope of the invention. Such modified embodiments should not be understood individually from the spirit and scope of the present invention, but should be regarded as being within the scope of the claims of the present invention.

10: 기판 20: 변이층
25: 변이층에 의해 형성된 투명 전극
30: 도전 배선 40: 고분자 필름
50: 전하를 띈 입자 60: 투명 전극10: substrate 20: transition layer
25: transparent electrode formed by the transition layer
30: conductive wiring 40: polymer film
50: charged particles 60: transparent electrode

Claims (11)

P-타입 옥사이드(P-type Oxide)로 변환될 수 있는 금속 또는 전도성 고분자 물질, 또는 그래핀 옥사이드(graphene oxide)나 리듀스 그래핀 옥사이드(reduced graphene oxide)를 포함한 탄소계 물질로 이루어진 변이층을 기판 상에 형성하는 단계;
상기 변이층 상에 도전 배선을 형성하는 단계;
상기 도전 배선을 포함하여 상기 변이층 상에 고분자를 코팅하고 경화시켜 고분자 필름을 형성하는 단계;
물리적 힘을 가하여 상기 고분자 필름으로부터 상기 기판을 제거하는 단계; 및
상기 기판이 제거됨으로써 노출되는 상기 변이층에 전하를 띈 입자를 조사하여 산화 또는 환원시킴으로써 상기 변이층을 투명 전극으로 변환시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법.
A transition layer made of a carbon-based material including a metal or a conductive polymer material that can be converted into a P-type oxide, or a graphene oxide or a reduced graphene oxide, Forming on a substrate;
Forming a conductive wiring on the transition layer;
Coating the polymer layer on the transition layer including the conductive wire and curing the polymer layer to form a polymer film;
Applying a physical force to remove the substrate from the polymer film; And
And a step of converting the transition layer into a transparent electrode by irradiating charged particles to the transition layer exposed by removing the substrate to oxidize or reduce the transition layer to form a transparent electrode. Gt;
P-타입 옥사이드(P-type Oxide)로 변환될 수 있는 금속 또는 전도성 고분자 물질, 또는 그래핀 옥사이드(graphene oxide)나 리듀스 그래핀 옥사이드(reduced graphene oxide)를 포함한 탄소계 물질로 이루어진 변이층을 기판 상에 형성하는 단계;
상기 변이층 상에 투명 전극을 형성하는 단계;
상기 투명 전극 상에 도전 배선을 형성하는 단계;
상기 도전 배선을 포함하여 상기 변이층 상에 고분자를 코팅하고 경화시켜 고분자 필름을 형성하는 단계;
물리적 힘을 가하여 상기 고분자 필름으로부터 상기 기판을 제거하는 단계; 및
상기 기판이 제거됨으로써 노출되는 상기 변이층에 전하를 띈 입자를 조사하여 산화 또는 환원시킴으로써 상기 변이층을 투명 전극으로 변환시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법.
A transition layer made of a carbon-based material including a metal or a conductive polymer material that can be converted into a P-type oxide, or a graphene oxide or a reduced graphene oxide, Forming on a substrate;
Forming a transparent electrode on the transition layer;
Forming a conductive wiring on the transparent electrode;
Coating the polymer layer on the transition layer including the conductive wire and curing the polymer layer to form a polymer film;
Applying a physical force to remove the substrate from the polymer film; And
And a step of converting the transition layer into a transparent electrode by irradiating charged particles to the transition layer exposed by removing the substrate to oxidize or reduce the transition layer to form a transparent electrode. Gt;
제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 변이층을 투명 전극으로 변환시키는 단계는,
상기 변이층에 전하를 띈 입자를 조사하는 대신, 자외선, 열, 또는 용매에 의한 화학 반응을 통해 상기 변이층을 산화 또는 환원시킴으로써 투명 전극으로 변환시키는 것을 특징으로 하는 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the step of converting the transition layer into a transparent electrode comprises:
Wherein the transition layer is oxidized or reduced by a chemical reaction using ultraviolet rays, heat, or a solvent, instead of irradiating charged particles to the transition layer, thereby converting the transition layer into a transparent electrode. Wherein the flexible substrate has a thickness of at least 10 mm.
제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 변이층에 조사되는 상기 전하를 띈 입자는 산소 이온 빔인 것을 특징으로 하는 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the conductive particles irradiated on the transition layer are oxygen ion beams.
제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 변이층에 조사되는 상기 전하를 띈 입자는 플라즈마인 것을 특징으로 하는 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
And the charged particles irradiated on the transition layer are plasma.
제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 변이층에 조사되는 상기 전하를 띈 입자는 플라즈마 또는 이온 빔인 것을 특징으로 하는 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the charged particles irradiated to the transition layer are plasma or ion beams. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI >
제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 변이층을 형성하는 단계는 기판 전처리 단계를 더 포함하고,
상기 기판 전처리 단계는, 상기 기판 상에 상기 변이층을 형성하기 전 기판 표면에 플라즈마(plasma)를 조사하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the step of forming the transition layer further comprises a substrate pretreatment step,
Wherein the substrate preprocessing step is performed by irradiating a plasma onto the surface of the substrate before forming the transition layer on the substrate.
제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 도전 배선은, 전도성 금속 또는 이들의 합금, 전도성 금속 산화물, 전도성 폴리머, 폴리아닐린(PANI)으로 이루어진 유기전도체 물질, 전도성 금속으로 이루어진 나노 와이어, 전도성 탄소계 나노 물질 중에서 선택된 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
The conductive wiring is formed of at least one selected from the group consisting of a conductive metal or an alloy thereof, a conductive metal oxide, an electrically conductive polymer, an organic conductor material comprising polyaniline (PANI), a nanowire made of a conductive metal, Wherein the conductive layer is formed of a conductive material.
제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 고분자는 유리전이점이 180℃ 이상인 내열성 수지인 것을 특징으로 하는 변이층을 이용한 도전 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the polymer is a heat-resistant resin having a glass transition point of 180 ° C or higher.
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