KR101490519B1 - Solar Cell with Back-Side Buffer Layer and its Fabrication Method. - Google Patents
Solar Cell with Back-Side Buffer Layer and its Fabrication Method. Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 박막 태양전지에 관한 것으로, 종래 광흡수층 상부에 버퍼층, 투명전극, 그리드 전극을 형성하여 제조하던 것을 광흡수층 상부에는 버퍼층, 투명전극을 형성하지 않고, 버퍼층, 투명전극, 그리드 전극을 CIGS 하부면에 형성함으로써 태양광이 장애물 없이 직접 광흡수층으로 입사하도록 하고, 또한 제 1 전극과 버퍼층을 서로 맞물리는 나선형상으로 패터닝하여 빛에너지를 흡수하여 발생하게 되는 전자-정공이 전극 또는 버퍼층으로 이동하게 되는 거리를 단축할 수 있게 하는 태양전지에 관한 것이다.A buffer layer, a transparent electrode, and a grid electrode are formed on a light absorption layer without forming a buffer layer and a transparent electrode on the light absorption layer. And the first electrode and the buffer layer are patterned in a helical shape to mesh with each other, and the electron-hole generated by absorbing the light energy is transferred to the electrode or the buffer layer Thereby shortening the distance between the electrodes.
Description
본 발명은 버퍼, 투명전극, 그리드 전극이 CIGS 광흡수층 아래에 형성하여 태양광이 장애물 없이 광흡수층으로 입사하는 것이 가능한 CIGS 태양전지에 관한 것이다.
The present invention relates to a CIGS solar cell in which a buffer, a transparent electrode, and a grid electrode are formed below a CIGS light absorption layer, and sunlight can enter the light absorption layer without an obstacle.
태양전지 및 발전시스템은 태양에너지를 직접 전기에너지로 변환시키는 기술로 반도체, 염료, 고분자 등의 물질로 이루어진 태양전지를 이용하여 태양 빛을 받아 바로 전기를 생성한다. 이와 비교되는 기술로는 태양의 복사에너지를 흡수하여 열에너지로 변환하여 이용하는 태양열발전이 있다. Solar cells and power generation systems convert solar energy directly into electrical energy. Solar cells are made of materials such as semiconductors, dyes, and polymers to generate electricity. The technology that is comparable to this is the solar power generation which absorbs the sun's radiant energy and converts it into thermal energy.
태양광발전(PV, Photovoltaic)은 무한정, 무공해의 태양에너지를 직접 전기에너지로 변환하는 발전방식으로 태양전지(모듈), PCS, 축전장치 등의 요소로 구성된다. 가장 일반적인 실리콘 태양전지의 기본 구조로서, 태양전지는 p형 반도체와 n형 반도체를 접합시키고 (p-n 접합) 양단에 투명전도막 및 금속전극을 코팅하여 제작한다. 태양 빛이 입사되어 반도체 내부에서 흡수되면 전자와 정공이 발생하여 p-n 접합에 의한 전기장에 끌려 전자는 n측으로 정공은 p측으로 이동하여 외부회로에 전류가 흐르게 된다. 태양광 시스템은 빛을 받아서 전기로 전환시켜 주는 부분(모듈)과 생산된 전기를 수요에 맞도록 교류로 변환시키고 계통에 연결시켜 주는 부분(PCS)으로 구성된다. Photovoltaic (PV) is a power generation method that converts infinite, pollution-free solar energy directly into electrical energy. It consists of elements such as solar cell (module), PCS, and power storage device. As the basic structure of the most common silicon solar cell, solar cells are made by bonding p-type semiconductor and n-type semiconductor (p-n junction) and coating transparent conductive film and metal electrode on both ends. When sunlight is incident and absorbed inside the semiconductor, electrons and holes are generated and attracted to the electric field by the p-n junction, so that the electrons move to the n side and the holes move to the p side. The photovoltaic system consists of a part (module) that converts light into electricity and a part (PCS) that converts the generated electricity into AC to meet demand and connects it to the grid.
태양광발전 시스템의 구성 요소 기기 중 핵심부품은 태양전지이다. 태양전지는 기본적으로 반도체 소자 기술로서 태양 빛을 전기에너지로 변환하는 기능을 수행하는데, 이는 전기를 빛으로 변환시키는 레이저나 발광다이오드(Light Emitting Diode) 등 정보 표시 소자와 작동 방향이 반대일 뿐 기본 구조나 재료특성이 동일하다. The core component of the components of the photovoltaic power generation system is solar cells. The solar cell is basically a semiconductor device technology that converts solar light into electrical energy, which is opposite in direction to the information display device, such as a laser or a light emitting diode that converts electricity into light. The structure and material characteristics are the same.
태양전지의 최소단위를 셀이라고 하며 보통 셀 1개로부터 나오는 전압이 약 0.5V로 매우 작으므로 다수의 태양전지를 직병렬로 연결하여 사용범위에 따라 실용적인 범위의 전압과 출력을 얻을 수 있도록 1매로 패키징하여 제작된 발전장치를 태양전지 모듈(PV Module)이라고 한다. The minimum unit of a solar cell is called a cell. Since the voltage from a single cell is very small, about 0.5V, it is possible to connect a large number of solar cells in series and in parallel to achieve a practical range of voltage and output. The power generation device manufactured by packaging is called a solar cell module (PV module).
태양전지 모듈은 외부 환경으로부터 태양전지를 보호하기 위해서 유리, 완충재 및 표면제 등을 사용하여 패널 형태로 제작하며 내구성 및 내후성을 가진 출력을 인출하기 위한 외부단자를 포함한다. 복수 개의 태양전지 모듈에 태양빛이 많이 입사할 수 있도록 경사각, 방위각 등의 설치조건을 고려, 가대 및 지지대를 이용하여 전기적인 직병렬로 연결하여 사용범위에 맞게 구성한 발전장치를 태양전지 어레이(PV Array)라고 한다. The solar cell module is manufactured in a panel form using glass, buffer material and surface agent to protect the solar cell from the external environment and includes an external terminal for taking out the output having durability and weatherability. Considering installation conditions such as inclination angle and azimuth angle so that a large amount of sunlight can be incident on a plurality of solar cell modules, a power generation device that is electrically connected in series and parallel by using a mount and a support, Array).
태양광발전용 PCS(Power Conditioning System)는 태양전지 어레이에서 발전된 직류전력을 교류전력으로 변환하기 위한 인버터 장치를 말한다. PCS는 태양전지 어레이에서 발전한 직류전원을 상용계통과 같은 전압과 주파수의 교류전력으로 변환하는 장치가 인버터이기 때문에 PCS를 인버터라고도 한다. PCS는 인버터, 전력제어장치 및 보호 장치로 구성되어 있다. 태양전지 본체를 제외한 주변장치 중에서 가장 큰 비중을 차지하는 요소이다.
The PCS (Power Conditioning System) for the photovoltaic power generation refers to an inverter device for converting DC power generated in the solar cell array into AC power. PCS is also referred to as inverter because PCS is an inverter that converts DC power generated from a solar cell array to AC power of the same voltage and frequency as the commercial system. The PCS consists of an inverter, a power control device and a protection device. It is the largest factor among the peripheral devices excluding the solar cell main body.
박막 태양전지는 결정질 실리콘 태양전지에 비하여 원료사용량이 매우 적고 대면적화 및 대량생산이 가능하여 태양전지 제조단가를 낮출 수 있으며, 광흡수층 소재의 두께가 수 ㎛로 원소재 소비가 매우 적으며 5세대급의 대면적 모듈 제조가 가능하고 태양전지 및 모듈제조가 함께 이루어져 가치사슬(Value chain)이 단순하다. 또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 실리콘 박막과 CI(G)S 및 CdTe 등의 화합물 박막을 이용한 박막 태양전지(모듈)이 상용화되고 있다.
Thin film solar cell can reduce the manufacturing cost of solar cell by making it possible to reduce the amount of raw material and enable large size and mass production compared with crystalline silicon solar cell. The thickness of the light absorbing layer material is several ㎛ and the consumption of raw material is very small. The value chain is simple because large scale module production is possible and solar cells and modules are manufactured together. Also, as shown in FIG. 1, a thin film solar cell (module) using a silicon thin film and a compound thin film such as CI (G) S and CdTe is being commercialized.
이러한 박막 태양전지는 기판 위에 박막을 적층하여 제조하며, 태양광이 입사하는 방향에 따라서 상판(superstrate)형과 하판(substrate)형으로 구분된다. 상판형은 태양광이 기판을 통해서 입사하는 구조이며, 투명한 유리 기판에 전면전극을 형성하고, 광흡수층을 차례로 형성한 뒤에 마지막에 후면반사막을 형성한다. 하판형은 태양광이 기판의 반대쪽을 통해서 입사하는 구조이며, 후면 반사막의 역할을 하는 금속 기판 위에 광흡수층을 차례로 형성하고 마지막에 전면전극을 형성한다.
Thin film solar cells are fabricated by laminating thin films on a substrate and are divided into superstrate type and substrate type according to the direction of incident sunlight. The top plate type is a structure in which sunlight is incident through a substrate. A front electrode is formed on a transparent glass substrate, a light absorbing layer is sequentially formed, and finally a rear reflective film is formed. The bottom plate is a structure in which sunlight is incident through the opposite side of the substrate. A light absorbing layer is sequentially formed on a metal substrate serving as a rear reflecting film, and finally, a front electrode is formed.
상판형 박막 태양전지에서 유리 기판 위에 형성되는 투명전도막은 전면전극으로 사용되며, 전면전극을 통하여 투과되는 태양광을 전면전극 표면 텍스처 구조를 통하여 산란시켜줌으로써 광흡수층 내에서의 입사광 이동경로를 증가시켜 흡수율을 증가시킨다. 그리고 하판형 박막 태양전지에서 금속 기판 위에 형성되는 투명전도막은 금속 기판과 함께 입사광 중 광흡수층에서 흡수되지 않는 빛을 다시 광흡수층으로 반사시켜 입사광이 최대한 흡수될 수 있도록 하는 역할을 하는 후면반사막으로 사용되며, 후면반사막의 표면 텍스처 구조를 통하여 후면반사막의 반사광을 산란(light scattering)시켜 이동경로를 증가시키게 된다.
The transparent conductive film formed on the glass substrate in the planar thin film solar cell is used as the front electrode and scattering the sunlight transmitted through the front electrode through the texture structure of the front electrode surface increases the incident light traveling path in the light absorbing layer Increase the absorption rate. In addition, the transparent conductive film formed on a metal substrate in a bottom plate type thin film solar cell is used as a rear reflection film which serves to absorb incident light as much as possible by reflecting the light not absorbed in the light absorption layer of the incident light, And the scattered light of the back reflection film is scattered through the surface texture structure of the rear reflection film to increase the movement path.
태양전지의 광전변환 효율을 높이기 위해서는 광흡수층에 흡수되는 태양광의 비율을 높여야 한다. 박막형 태양전지의 경우, 기판형 태양전지에 대비하여 박막의 광흡수층을 사용함에 따라 제조단가를 낮출 수 있으나 광흡수율이 떨어지는 문제점이 있다. 이와 같은 광흡수율 저하를 극복하기 위한 방안으로, 태양광이 광흡수층에 도달하는 양을 늘려줄 필요가 있다.In order to increase the photoelectric conversion efficiency of the solar cell, the proportion of sunlight absorbed in the light absorbing layer must be increased. In the case of a thin film solar cell, the manufacturing cost can be lowered by using a thin film light absorbing layer as compared with a substrate solar cell, but the light absorption rate is lowered. In order to overcome such a decrease in light absorption rate, it is necessary to increase the amount of sunlight reaching the light absorption layer.
박막형 태양전지의 경우 일반적으로 기판/후면전극/CIGS광흡수층/버퍼층/전면전극의 구조로 되어있는데, 태양광이 상기 광흡수층에 도달하기 위해서는 전면전극과 버퍼층을 통과하여야 하고, 따라서 전면전극과 버퍼층은 빛의 투과성이 있는 재료를 사용하여야 하고, 빛의 투과성이 좋을수록 광흡수층에 도달하게 되는 태양광이 증가할 것이므로 광전변환 효율이 더 높아질 수 있다. In the case of a thin-film solar cell, generally, a substrate, a rear electrode, a CIGS light absorbing layer, a buffer layer, and a front electrode are formed. In order to reach the light absorbing layer, sunlight must pass through the front electrode and the buffer layer. A material having light transmittance should be used, and as the light transmittance is better, the solar light reaching the light absorbing layer is increased, so that the photoelectric conversion efficiency can be higher.
본 발명은 CIGS 태양전지에서 버퍼층, 전면전극, 그리드 전극에서 태양광의 일부가 반사 또는 흡수되어 광흡수층에 도달하지 못하는 문제를 해결하고, 광흡수층에 도달하는 태양광을 증가하여 효율을 높일 수 있는 CIGS 태양전지를 제공하는데 그 목적이 있다.
The present invention solves the problem that part of sunlight is not reflected or absorbed by the buffer layer, the front electrode, and the grid electrode in the CIGS solar cell and does not reach the light absorption layer, and CIGS The purpose is to provide a solar cell.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해, 종래 일반적으로 광흡수층 상부에 위치하던 버퍼층, 전면전극 및 그리드 전극을 광흡수층 상부에 형성하지 않음으로써, 태양광이 상기 단위기능막을 거치지 않고 광흡수층에 도달하게 할 수 있다. 태양광 중 일부가 그리드 전극에서 반사되거나 또는 전면전극 및 버퍼층에서 흡수되던 것이 곧바로 손실없이 광흡수층에 도달할 수 있게 된다.In order to solve the above problems, in the present invention, a buffer layer, a front electrode, and a grid electrode, which are generally located above the light absorbing layer, are not formed on the light absorbing layer, so that sunlight reaches the light absorbing layer without passing through the unit functional film can do. A part of the solar light reflected from the grid electrode or absorbed in the front electrode and the buffer layer can immediately reach the light absorbing layer without loss.
태양전지는 PN접합구조를 가지고 있고, 태양광 에너지로부터 전자-정공쌍이 발생하게 되고 P형 반도체에 정공이 N형 반도체에 전자가 이동하게 되면서 전기에너지가 발생하게 된다. CIGS 광흡수층 상부에 N형 반도체층에 해당하는 버퍼층을 형성하지 않는 경우, 이러한 PN접합구조를 유지하기 위해서는 하부에 버퍼층을 형성하는 것이 필요한데, 본 발명은 CIGS 광흡수층의 하부면에 제 1 전극과 버퍼층이 서로 전기적으로 연결되지 않도록 형성하였다. 그리고 상기 버퍼층 하부에 그리드 전극을 형성하여, CIGS 광흡수층 상부에서는 태양광이 장애물 없이 광흡수층에 도달할 수 있다.The solar cell has a PN junction structure, and electron-hole pairs are generated from the solar energy, and electrons are transferred to the N-type semiconductor in the P-type semiconductor. When a buffer layer corresponding to the N-type semiconductor layer is not formed on the CIGS light absorption layer, it is necessary to form a buffer layer below the PN junction structure to maintain the PN junction structure. So that the buffer layers are not electrically connected to each other. A grid electrode is formed under the buffer layer so that sunlight can reach the light absorption layer without an obstacle at the top of the CIGS light absorption layer.
광흡수층에서 전자-정공쌍이 제 1 전극 또는 버퍼층으로 이동하는 거리를 고려하였을 때, 상기 버퍼층과 상기 제 1 전극을 맞물리는 나선형으로 제작함으로써 전자 또는 정공의 이동거리를 줄일 수 있게 된다.
Considering the distance that the electron-hole pairs move to the first electrode or the buffer layer in the light absorption layer, the buffer layer and the first electrode are formed in a helical shape engaged with each other, so that the distance of movement of electrons or holes can be reduced.
버퍼층, 전면전극 및 그리드 전극을 광흡수층 상부에 형성하지 않음으로써, 태양광이 상기 단위기능막을 거치지 않고 광흡수층에 도달하게 할 수 있다. 태양광 중 일부가 그리드 전극에서 반사되거나 또는 전면전극 및 버퍼층에서 흡수되던 것이 곧바로 손실 없이 광흡수층에 도달할 수 있게 된다. 태양광이 광흡수층에 도달하는 양이 증가하게 되므로 태양전지의 효율을 높일 수 있다. 버퍼층과 제 1 전극을 맞물리는 나선형 구조로 서로 맞물리도록 배치함으로써 전자 또는 정공의 이동거리를 줄일 수 있게 된다.
The buffer layer, the front electrode, and the grid electrode are not formed on the light absorbing layer, solar light can reach the light absorbing layer without passing through the unit functional film. A part of the solar light reflected from the grid electrode or absorbed in the front electrode and the buffer layer can immediately reach the light absorbing layer without loss. The amount of sunlight reaching the light absorbing layer is increased, thereby increasing the efficiency of the solar cell. By arranging the buffer layer and the first electrode to be in mesh with each other with a helical structure in which the first electrode and the first electrode are engaged with each other, the movement distance of electrons or holes can be reduced.
도 1은 종래의 박막형 태양전지의 요부 단면도.
도 2는 본 발명의 후면버퍼의 요부 평면도.
도 3은 본 발명의 후면버퍼의 요부 발췌 단면도.
도 4는 본 발명의 후면버퍼를 적용한 태양전지의 요부 발췌 단면도.
도 5는 본 발명의 다른 실시예의 요부 평면도.
도 6은 본 발명의 박막태양전지용 후면버퍼의 제조방법의 순서도.
도 7, 도 8은 본 발명의 박막태양전지용 후면버퍼의 제조방법의 설명도.
도 9는 본 발명의 다른 실시예의 박막태양전지용 후면버퍼의 제조방법의 순서도.
도 10, 도 11은 본 발명의 다른 실시예의 박막태양전지용 후면버퍼의 제조방법의 설명도.
도 12는 본 발명의 다른 실시예의 박막태양전지용 후면버퍼를 적용한 태양전지의 요부 발췌 단면도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a cross-sectional view of a main portion of a conventional thin film solar cell.
2 is a plan view of the main part of the back buffer of the present invention.
3 is a cross-sectional view of the main part of the back buffer of the present invention.
4 is a cross-sectional view of a main part of a solar cell to which a back buffer according to the present invention is applied.
5 is a plan view of the main part of another embodiment of the present invention.
6 is a flowchart of a method for manufacturing a back buffer for a thin film solar cell according to the present invention.
7 and 8 are explanatory diagrams of a method of manufacturing a back buffer for a thin film solar cell according to the present invention.
9 is a flowchart of a method of manufacturing a back buffer for a thin film solar cell according to another embodiment of the present invention.
10 and 11 are explanatory views of a method of manufacturing a back buffer for a thin film solar cell according to another embodiment of the present invention.
12 is a cross-sectional view of a main portion of a solar cell to which a back buffer for a thin film solar battery according to another embodiment of the present invention is applied.
본 발명은 버퍼, 투명전극, 그리드 전극이 CIGS 광흡수층 아래에 형성하여 태양광이 장애물 없이 광흡수층으로 입사하는 것이 가능한 CIGS 태양전지에 관한 것으로서, 하기 첨부된 도면을 참조하여 설명하도록 한다. 도 2는 본 발명의 후면버퍼의 요부 발췌 평면도이고, 도 3은 본 발명의 후면버퍼의 요부 발췌 단면도이다. The present invention relates to a CIGS solar cell in which a buffer, a transparent electrode, and a grid electrode are formed below a CIGS light absorbing layer so that solar light can enter the light absorbing layer without obstacles, and will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 2 is a plan view of the main part of the back buffer of the present invention, and FIG. 3 is a sectional view of the main part of the back buffer of the present invention.
본 발명은 태양전지에 있어서, 기판(100)과, 상기 기판(100) 위에 나선형상으로 패터닝되어 형성된 제 1 전극층(200)과, 상기 기판 위에서 상기 제 1 전극층(200)과 소정의 간격을 두고 분리되어 나선형상으로 배치되는 제 2 전극층(300)과, 상기 제 1 전극층과 이격되며 제 2 전극층(300)을 덮어 형성된 버퍼층(400)으로 형성된 것을 특징으로 하는 박막태양전지용 후면버퍼를 제공한다. A solar cell includes a substrate (100), a first electrode layer (200) patterned in a spiral pattern on the substrate (100), and a second electrode layer A
광흡수층에 광이 입사하게 되면 전자-정공 쌍이 발생하게 되고, 전자는 버퍼층으로 정공은 제 1 전극층(200)으로 이동하 된다. 이와 같이 빛에너지를 흡수하여 전자와 정공이 분리되는 원리를 이용하여 전기에너지를 발생하게 되며, 이를 위하여 상기 제 1 전극층(200)과 상기 버퍼층(400)은 이격되어 서로 전기적으로 분리되어 형성된다. 상기와 같은 구성은 광흡수층 하부에 버퍼층(400)을 위치시켜, 광흡수층(100)의 광의 입사량을 증가시키게 된다.When light is incident on the light absorption layer, electron-hole pairs are generated, and electrons are transferred to the buffer layer and holes are transferred to the
도 4는 본 발명의 후면버퍼를 적용한 태양전지의 요부발췌 단면도이며, 도시된 바와 같이, 상기 제 1 전극층(200)과 상기 버퍼층(400)이 이격된 공간은 광흡수층(500)으로 채워지게 된다. 상기 태양전지는 광흡수층(500) 위에 광포획성능을 향상시키기 위한 반사방지층(600)이 형성될 수 있다.
4 is a cross-sectional view of a major portion of a solar cell to which a back buffer according to the present invention is applied. As shown in FIG. 4, a space where the
본 발명의 상기 기판(100) 위에 나선형상으로 패터닝되어 형성된 제 1 전극층(200)과, 상기 기판 위에서 상기 제 1 전극층(200)과 소정의 간격을 두고 분리되어 나선형상으로 배치되는 제 2 전극층(300)은 도 1에 도시된 바와 같이 형성되는 것이 바람직하나, 일반적인 기판(100)이 형상이 사각형인점을 고려하여 도 5와 같이 맞물리는 각진 나선형으로 구성될 수 있다. 이러한 구성들은 전자와 정공이 어느 위치에 형성되더라도 전극 또는 버퍼층으로 이동하는 거리를 단축하도록 하기 위함이다. 상기와 같은 도면은 본 발명의 한 실시예일 뿐 이에 한정되지 아니한다.
A
상기 제 1 전극층(200)은 니켈, 구리, 몰리브덴 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 것이 바람직하며, 상기 제 2 전극층(300)은 산화아연, 산화갈륨, 산화알루미늄, 산화인듐, 산화납, 산화구리, 산화티탄, 산화주석, 산화철, 이산화주석, 인듐주석산화물 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.
The
또한, 상기 버퍼층(400)은 CdS, CdZnS, ZnS, Zn(S,O), Zn(OH,S), ZnS(O,OH), ZnSe, ZnInS, ZnInSe, ZnMgO, Zn(Se,OH), ZnSnO, ZnO, InSe, InOH, In(OH,S), In(OOH,S), In(S,O) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하여 구성시킨다.
The
본 발명에 있어서, 상기 태양전지 버퍼층의 제조방법은, 도 6 내지 8에 도시된 바와 같이, 기판(100)을 준비하는 단계(s100);In the present invention, the manufacturing method of the solar cell buffer layer may include the steps (s100) of preparing the
상기 기판(100)에 제 1 전극층(200)을 형성시키는 단계(s200);A step (s200) of forming a first electrode layer (200) on the substrate (100);
상기 제 1 전극층(200)을 나선형패터닝하는 단계(s300);Spirally patterning the first electrode layer 200 (s300);
상기 기판(100)에 제 2 전극층(300)을 형성시키는 단계(s400);Forming a
상기 제 2 전극층(300)을 상기 제 1 전극층(200)과 소정의 간격을 두고 이격시켜 나선형 패터닝하는 단계(s410);Spirally patterning the
상기 제 2 전극층(300) 위에 버퍼층(400)을 형성시키는 단계(s500);Forming a
상기 버퍼층(400)을 상기 제 1 전극층(200)과 소정의 간격을 두고 이격시키며, 상기 제 2전극층을 덮어 씌우도록 나선형으로 패터닝하는 단계(s510);(S510) spirally patterning the buffer layer (400) so as to cover the second electrode layer, spacing the buffer layer (400) at a predetermined interval from the first electrode layer (200);
를 포함하는 것을 특징으로 한다.
And a control unit.
상기 기판(100)에 제 1 전극층(200)을 형성시키는 단계(s200)에서의 제 1 전극층(200)은 니켈, 구리, 몰리브덴 중에서 선택된 어느 하나인 것이 바람직하며, 스퍼터링법(Sputtering), 열증착법(Thermal evaporation), 전자선증착법(E-beam evaporation), 전착법(Electrodeposition) 중 어느 하나의 방법으로 형성시키는 것이 바람직하다.
The
상기 제 1 전극층(200)을 나선형패터닝하는 단계(s300)는 레이저 스크라이빙(laser scribing) 공정으로 수행되며, 상기 레이저 스크라이빙 공정에서 적용되는 레이저는 파장이 900-1100nm이고 2-4W의 출력인 것이 바람직하다.
The step of spirally patterning (S300) the
상기 기판(100)에 제 2 전극층(300)을 형성시키는 단계(s400)에서 상기 제 2 전극층(300)은 산화아연, 산화갈륨, 산화알루미늄, 산화인듐, 산화납, 산화구리, 산화티탄, 산화주석, 산화철, 이산화주석, 인듐주석산화물 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 구성시키며, RF 스퍼터링법, 반응성 스퍼터링법, 증발증착법 (Evaporation), 전자선증착법 (E-beam evaporation), 유기금속화학증착법(MOCVD), 원자층성장법(Atomic Layer Epitaxy), 원자층증착법(Atomic Layer Deposition), 분자선성장법(MBE), 전착법(Electrodeposition) 중에서 어느 하나의 방법을 사용하여 형성시키는 것이 바람직하다.
The
상기 제 2 전극층(300) 위에 버퍼층(400)을 형성시키는 단계(s500)에서 상기 버퍼층(400)은 CdS, CdZnS, ZnS, Zn(S,O), Zn(OH,S), ZnS(O,OH), ZnSe, ZnInS, ZnInSe, ZnMgO, Zn(Se,OH), ZnSnO, ZnO, InSe, InOH, In(OH,S), In(OOH,S), In(S,O) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하여 구성시키며, 용액성장법(CBD), 전착법(Electrodeposition), 동시증착법(Coevaporation), 스퍼터링법(Sputtering), 원자층성장법(Atomic Layer Epitaxy), 원자층증착법(Atomic Layer Deposition), 화학기상증착법(CVD), 유기금속화학기상증착법(MOCVD), 분자선성장법(MBE), 분무열분해법(Spray pyrolysis), ILGAR(Ion Layer Gas Reaction), 레이저증착법(Pulsed Laser Deposition)중에서 적어도 어느 하나의 방법으로 형성시키는 것이 바람직하다.
ZnS, ZnS, ZnS, ZnS (O, S), ZnS (O, S), and the like are formed on the
상기 제 2 전극층(300)을 상기 제 1 전극층(200)과 소정의 간격을 두고 이격시켜 나선형 패터닝하는 단계(s410)는 레이저 스크라이빙(laser scribing) 공정으로 수행되는 것이 바람직하며, 상기 레이저 스크라이빙 공정에서 적용되는 레이저는 제 1전극을 손상시키지 않는 범위에서 파장이 900-1100nm이고 2-4W의 출력인 것이 바람직하다. 상기의 파장과 출력의 레이저를 적용함으로써 레이저스크라이빙 공정시 제 1전극을 손상시키지 아니하고 상기 제 2 전극층만 패터닝 할 수 있는 것이다.
The step (s410) of spirally patterning the
상기 버퍼층(400)을 상기 제 1 전극층(200)과 소정의 간격을 두고 이격시키며, 상기 제 2전극층을 덮어 씌우도록 나선형으로 패터닝하는 단계(s510) 역시 레이저 스크라이빙(laser scribing) 공정으로 수행되는 것이 바람직하며, 상기 레이저 스크라이빙 공정에서 적용되는 레이저는 제 1전극을 손상시키지 아니하기 위하여 파장이 500-600nm이고 0.2-0.4W의 출력인 것이 바람직하다.
The step of spirally patterning the
본 발명은 태양전지에서의 후면버퍼층 제조방법의 다른 실시예로서, 도 9 내지 도 11에서 도시되는 바와 같이,The present invention is another embodiment of the method of manufacturing the back buffer layer in a solar cell, and as shown in Figs. 9 to 11,
기판(100)을 준비하는 단계(s100);Preparing a substrate 100 (S100);
상기 기판(100)에 제 1 전극층(200)을 형성시키는 단계(s200);A step (s200) of forming a first electrode layer (200) on the substrate (100);
상기 제 1 전극층(200)을 나선형패터닝하는 단계(s300);Spirally patterning the first electrode layer 200 (s300);
상기 기판(100)에 제 2 전극층(300)을 형성시키는 단계(s400);Forming a
상기 제 2 전극층(300) 위에 버퍼층(400)을 형성시키는 단계(s500);Forming a
상기 제 2 전극층(300)과 상기 버퍼층(400)을 상기 제 1 전극층(200)과 소정의 간격을 두고 이격시켜 나선형 패터닝하는 단계(s600);A step (s600) of spirally patterning the
를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막태양전지용 후면버퍼의 제조방법을 제공한다. The present invention also provides a method of fabricating a back buffer for a thin film solar cell.
상기와 같은 방법에 따르면, 도 10에 도시되는 바와 같이, 제 2전극층(300)의 단면이 직접 광흡수층(500)에 접하게 되는 문제점이 있으나, 통상의 박막 태양전지에 있어서 상기 접면에 해당하는 제 2 전극층(300)의 두께가 수십μm 이하로 매우 얇기 때문에 발생되는 전자의 손실은 무시할 수준이다.
10, there is a problem that the end face of the
상기 제 2 전극층(300)과 상기 버퍼층(400)을 상기 제 1 전극층(200)과 소정의 간격을 두고 이격시켜 나선형 패터닝하는 단계(s600)는 상술한 바와 같이, 레이저 스크라이빙(laser scribing) 공정으로 수행되며, 상기 레이저 스크라이빙 공정에서 적용되는 레이저는 제 1전극층을 손상시키지 않는 범위에서 파장이 900-1100nm이고 2-4W의 출력인 것이 바람직하다.
The step s600 of spirally patterning the
또한 본 발명은 상기의 후면버퍼의 제조방법에 더하여, Further, in addition to the above-described method of manufacturing the back buffer,
상기 후면버퍼층에 Cu-In-Se, Cu-In-S, Cu-Ga-S, Cu-Ga-Se, Cu-In-Ga-Se, Cu-In-Ga-Se-(S,Se), Cu-In-Al-Ga-(S,Se) 및 Cu-In-Al-Ga-Se-S을 포함하는 CIS/CIGS계 화합물군에서 선택된 광흡수층(500)을 동시증착법(Coevaporation), 스퍼터링법(Sputtering), 전착법(Electrodeposition), 유기금속화학기상증착법(MOCVD), 분자선성장법(MBE), 전착법(Electrodeposition), 스크린프린팅법(Screen printing), 입자증착법(Particle deposition) 중에서 어느 하나의 방법으로 형성시키는 단계(s1000);(S, Se), Cu-In-Se, Cu-In-S, Cu-Ga-S, Cu- A
를 포함하는 것을 특징으로 하는 후면버퍼를 이용한 태양전지의 제조방법을 제공한다.
The present invention provides a method of manufacturing a solar cell using a back buffer.
본 발명을 첨부된 도면과 함께 설명하였으나, 이는 본 발명의 요지를 포함하는 다양한 실시 형태 중의 하나의 실시예에 불과하며, 당업계에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 하는 데에 그 목적이 있는 것으로, 본 발명은 상기 설명된 실시예에만 국한되는 것이 아님은 명확하다. 따라서, 본 발명의 보호범위는 하기의 청구범위에 의해 해석되어야 하며, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서의 변경, 치환, 대체 등에 의해 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함될 것이다. 또한, 도면의 일부 구성은 구성을 보다 명확하게 설명하기 위한 것으로 실제보다 과장되거나 축소되어 제공된 것임을 명확히 한다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it should be understood that various changes and modifications will be apparent to those skilled in the art. Obviously, the invention is not limited to the embodiments described above. Accordingly, the scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas which fall within the scope of equivalence by alteration, substitution, substitution, Range. In addition, it should be clarified that some configurations of the drawings are intended to explain the configuration more clearly and are provided in an exaggerated or reduced size than the actual configuration.
100. 투명기판
200. 제 1 전극층
300. 제 2 전극층
400. 버퍼층
500. 광흡수층
600. 반사방지막100. Transparent substrate
200. First electrode layer
300. Second electrode layer
400. The buffer layer
500. The light absorbing layer
600. Antireflection film
Claims (21)
기판(100)과, 상기 기판 위에 나선형상으로 패터닝되어 형성된 제 1 전극층(200)과, 상기 기판 위에서 상기 제 1 전극층(200)과 소정의 간격을 두고 분리되어 나선형상으로 배치되는 제 2 전극층(300)과, 상기 제 1 전극층과 이격되며 제 2 전극층(300)을 덮어 형성된 버퍼층(400)으로 형성된 것을 특징으로 하는 박막태양전지용 후면버퍼.
In solar cells,
A first electrode layer 200 formed by patterning in a spiral pattern on the substrate, a second electrode layer 200 separated from the first electrode layer 200 at a predetermined interval and arranged in a spiral shape on the substrate, And a buffer layer (400) formed to cover the second electrode layer (300) and spaced apart from the first electrode layer.
상기 제 1 전극층(200)은 니켈, 구리, 몰리브덴 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막태양전지용 후면버퍼.
The method according to claim 1,
Wherein the first electrode layer (200) is one selected from the group consisting of nickel, copper, and molybdenum.
상기 제 2 전극층(300)은 산화아연, 산화갈륨, 산화알루미늄, 산화인듐, 산화납, 산화구리, 산화티탄, 산화주석, 산화철, 이산화주석, 인듐주석산화물 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막태양전지용 후면버퍼.
The method according to claim 1,
The second electrode layer 300 may include at least one selected from zinc oxide, gallium oxide, aluminum oxide, indium oxide, lead oxide, copper oxide, titanium oxide, tin oxide, iron oxide, tin dioxide, and indium tin oxide Wherein the back buffer for the thin film solar cell is a back buffer.
상기 버퍼층(400)은 CdS, CdZnS, ZnS, Zn(S,O), Zn(OH,S), ZnS(O,OH), ZnSe, ZnInS, ZnInSe, ZnMgO, Zn(Se,OH), ZnSnO, ZnO, InSe, InOH, In(OH,S), In(OOH,S), In(S,O) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막태양전지용 후면버퍼.
The method according to claim 1,
The buffer layer 400 may include at least one selected from the group consisting of CdS, CdZnS, ZnS, Zn (S, O), Zn (OH, S), ZnS (O, OH), ZnSe, ZnInS, ZnInSe, ZnMgO, Zn Wherein the back buffer comprises at least one of ZnO, InSe, InOH, In (OH, S), In (OOH, S) and In (S, O).
기판(100)을 준비하는 단계(s100);
상기 기판(100)에 제 1 전극층(200)을 형성시키는 단계(s200);
상기 제 1 전극층(200)을 나선형패터닝하는 단계(s300);
상기 기판(100)에 제 2 전극층(300)을 형성시키는 단계(s400);
상기 제 2 전극층(300)을 상기 제 1 전극층(200)과 소정의 간격을 두고 이격시켜 나선형 패터닝하는 단계(s410);
상기 제 2 전극층(300) 위에 버퍼층(400)을 형성시키는 단계(s500);
상기 버퍼층(400)을 상기 제 1 전극층(200)과 소정의 간격을 두고 이격시키며, 상기 제 2전극층을 덮어 씌우도록 나선형으로 패터닝하는 단계(s510);
를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막태양전지용 후면버퍼의 제조방법.
A method of fabricating a back buffer for a thin film solar cell,
Preparing a substrate 100 (S100);
A step (s200) of forming a first electrode layer (200) on the substrate (100);
Spirally patterning the first electrode layer 200 (s300);
Forming a second electrode layer 300 on the substrate 100 (S400);
Spirally patterning the second electrode layer 300 with a predetermined gap from the first electrode layer 200 (s410);
Forming a buffer layer 400 on the second electrode layer 300 (S500);
(S510) spirally patterning the buffer layer (400) so as to cover the second electrode layer, spacing the buffer layer (400) at a predetermined interval from the first electrode layer (200);
Wherein the back buffer is formed on the substrate.
기판(100)을 준비하는 단계(s100);
상기 기판(100)에 제 1 전극층(200)을 형성시키는 단계(s200);
상기 제 1 전극층(200)을 나선형패터닝하는 단계(s300);
상기 기판(100)에 제 2 전극층(300)을 형성시키는 단계(s400);
상기 제 2 전극층(300) 위에 버퍼층(400)을 형성시키는 단계(s500);
상기 제 2 전극층(300)과 상기 버퍼층(400)을 상기 제 1 전극층(200)과 소정의 간격을 두고 이격시켜 나선형 패터닝하는 단계(s600);
를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막태양전지용 후면버퍼의 제조방법.
A method of fabricating a back buffer for a thin film solar cell,
Preparing a substrate 100 (S100);
A step (s200) of forming a first electrode layer (200) on the substrate (100);
Spirally patterning the first electrode layer 200 (s300);
Forming a second electrode layer 300 on the substrate 100 (S400);
Forming a buffer layer 400 on the second electrode layer 300 (S500);
A step (s600) of spirally patterning the second electrode layer 300 and the buffer layer 400 with a predetermined gap from the first electrode layer 200;
Wherein the back buffer is formed on the substrate.
상기 기판(100)에 제 1 전극층(200)을 형성시키는 단계(s200)에서의 제 1 전극층(200)은 니켈, 구리, 몰리브덴 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막태양전지용 후면버퍼의 제조방법.
The method according to claim 5 or 6,
Wherein the first electrode layer 200 in step s200 of forming the first electrode layer 200 on the substrate 100 is selected from the group consisting of nickel, copper, and molybdenum .
상기 기판(100)에 제 1 전극층(200)을 형성시키는 단계(s200)의 제 1 전극층(200)은 스퍼터링법(Sputtering), 열증착법(Thermal evaporation), 전자선증착법(E-beam evaporation), 전착법(Electrodeposition) 중 어느 하나의 방법으로 형성시키는 것을 특징으로 하는 박막태양전지용 후면버퍼의 제조방법.
The method according to claim 5 or 6,
The first electrode layer 200 of the step s200 of forming the first electrode layer 200 on the substrate 100 may be formed by a sputtering method, a thermal evaporation method, an E-beam evaporation method, Wherein the buffer layer is formed by a method selected from the group consisting of a photolithography method and an electrodeposition method.
상기 제 1 전극층(200)을 나선형패터닝하는 단계(s300)는 레이저 스크라이빙(laser scribing) 공정으로 수행되며, 상기 레이저 스크라이빙 공정에서 적용되는 레이저는 파장이 900-1100nm이고 2-4W의 출력인 것을 특징으로 하는 박막태양전지용 후면버퍼의 제조방법.
The method according to claim 5 or 6,
The step of spirally patterning (S300) the first electrode layer 200 is performed by a laser scribing process. The laser used in the laser scribing process has a wavelength of 900-1100 nm and a wavelength of 2-4 W Wherein the thin film solar cell comprises a plurality of thin film solar cells.
상기 기판(100)에 제 2 전극층(300)을 형성시키는 단계(s400)에서 상기 제 2 전극층(300)은 산화아연, 산화갈륨, 산화알루미늄, 산화인듐, 산화납, 산화구리, 산화티탄, 산화주석, 산화철, 이산화주석, 인듐주석산화물 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막태양전지용 후면버퍼의 제조방법.
The method according to claim 5 or 6,
The second electrode layer 300 may be formed of a material selected from the group consisting of zinc oxide, gallium oxide, aluminum oxide, indium oxide, lead oxide, copper oxide, titanium oxide, Wherein the buffer layer comprises at least one selected from tin, iron oxide, tin dioxide, and indium tin oxide.
상기 기판(100)에 제 2 전극층(300)을 형성시키는 단계(s400)에서 상기 제 2 전극층(300)은 RF 스퍼터링법, 반응성 스퍼터링법, 증발증착법 (Evaporation), 전자선증착법 (E-beam evaporation), 유기금속화학증착법(MOCVD), 원자층성장법(Atomic Layer Epitaxy), 원자층증착법(Atomic Layer Deposition), 분자선성장법(MBE), 전착법(Electrodeposition) 중에서 어느 하나의 방법을 사용하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 박막태양전지용 후면버퍼의 제조방법.
The method according to claim 5 or 6,
The second electrode layer 300 may be formed by RF sputtering, reactive sputtering, evaporation, E-beam evaporation, or the like in operation S400 of forming the second electrode layer 300 on the substrate 100. [ (MOCVD), Atomic Layer Epitaxy, Atomic Layer Deposition, Molecular Beam Growth (MBE), Electrodeposition, or the like. Wherein the thin film solar cell is formed on a substrate.
상기 제 2 전극층(300) 위에 버퍼층(400)을 형성시키는 단계(s500)에서 상기 버퍼층(400)은 CdS, CdZnS, ZnS, Zn(S,O), Zn(OH,S), ZnS(O,OH), ZnSe, ZnInS, ZnInSe, ZnMgO, Zn(Se,OH), ZnSnO, ZnO, InSe, InOH, In(OH,S), In(OOH,S), In(S,O) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하여 구성시키는 것을 특징으로 하는 박막태양전지용 후면버퍼의 제조방법.
The method according to claim 5 or 6,
ZnS, ZnS, ZnS, ZnS (O, S), ZnS (O, S), and the like are formed on the second electrode layer 300 in step s500 of forming a buffer layer 400 on the second electrode layer 300, OH), ZnSe, ZnInS, ZnInSe, ZnMgO, Zn (Se, OH), ZnSnO, ZnO, InSe, InOH, In (OH, S) And forming a back buffer for a thin film solar cell.
상기 제 2 전극층(300) 위에 버퍼층(400)을 형성시키는 단계(s500)에서 상기 버퍼층(400)은 용액성장법(CBD), 전착법(Electrodeposition), 동시증착법(Coevaporation), 스퍼터링법(Sputtering), 원자층성장법(Atomic Layer Epitaxy), 원자층증착법(Atomic Layer Deposition), 화학기상증착법(CVD), 유기금속화학기상증착법(MOCVD), 분자선성장법(MBE), 분무열분해법(Spray pyrolysis), ILGAR(Ion Layer Gas Reaction), 레이저증착법(Pulsed Laser Deposition)중에서 적어도 어느 하나의 방법으로 형성시키는 것을 특징으로 하는 박막태양전지용 후면버퍼의 제조방법.
The method according to claim 5 or 6,
The buffer layer 400 may be formed by CBD, electrodeposition, coevaporation, sputtering, or the like in step s500 of forming the buffer layer 400 on the second electrode layer 300. [ Atomic Layer Deposition, Chemical Vapor Deposition (MOCVD), Molecular Beam Growth (MBE), Spray Pyrolysis (PECVD), and Atomic Layer Deposition , ILGAR (Ion Layer Gas Reaction), and laser deposition (Pulsed Laser Deposition).
상기 제 2 전극층(300)을 상기 제 1 전극층(200)과 소정의 간격을 두고 이격시켜 나선형 패터닝하는 단계(s410)는 레이저 스크라이빙(laser scribing) 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 박막태양전지용 후면버퍼의 제조방법.
6. The method of claim 5,
The step (s410) of spirally patterning the second electrode layer (300) with a predetermined gap from the first electrode layer (200) is performed by a laser scribing process. A method of fabricating a back buffer.
상기 레이저 스크라이빙 공정에서 적용되는 레이저는 파장이 900-1100nm이고 2-4W의 출력의 출력인 것을 특징으로 하는 박막태양전지용 후면버퍼의 제조방법.
15. The method of claim 14,
Wherein the laser used in the laser scribing process has a wavelength of 900-1100 nm and an output of 2-4 W.
상기 버퍼층(400)을 상기 제 1 전극층(200)과 소정의 간격을 두고 이격시키며, 상기 제 2전극층을 덮어 씌우도록 나선형으로 패터닝하는 단계(s510)는 레이저 스크라이빙(laser scribing) 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 박막태양전지용 후면버퍼의 제조방법.
6. The method of claim 5,
The step of spirally patterning the buffer layer 400 so as to cover the second electrode layer by spacing the buffer layer 400 from the first electrode layer 200 at a predetermined interval is performed by a laser scribing process Wherein the thin film solar cell comprises a plurality of thin film solar cells.
상기 레이저 스크라이빙 공정에서 적용되는 레이저는 파장이 500-600nm이고 0.2-0.4W의 출력인 것을 특징으로 하는 박막태양전지용 후면버퍼의 제조방법.
17. The method of claim 16,
Wherein the laser used in the laser scribing process has a wavelength of 500-600 nm and an output of 0.2-0.4W.
상기 제 2 전극층(300)과 상기 버퍼층(400)을 상기 제 1 전극층(200)과 소정의 간격을 두고 이격시켜 나선형 패터닝하는 단계(s600)는 레이저 스크라이빙(laser scribing) 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 박막태양전지용 후면버퍼의 제조방법.
The method according to claim 6,
The step (s600) of spirally patterning the second electrode layer 300 and the buffer layer 400 with a predetermined gap from the first electrode layer 200 is performed by a laser scribing process Wherein the backbuffer is formed of a thin film solar cell.
상기 레이저 스크라이빙 공정에서 적용되는 레이저는 파장이 900-1100nm이고 2-4W의 출력인 것을 특징으로 하는 박막태양전지용 후면버퍼의 제조방법.
19. The method of claim 18,
Wherein the laser used in the laser scribing process has a wavelength of 900-1100 nm and an output of 2-4 W.
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항의 후면버퍼를 포함하며,
상기 후면버퍼위에 Cu-In-Se, Cu-In-S, Cu-Ga-S, Cu-Ga-Se, Cu-In-Ga-Se, Cu-In-Ga-Se-(S,Se), Cu-In-Al-Ga-(S,Se) 및 Cu-In-Al-Ga-Se-S을 포함하는 CIS/CIGS계 화합물군에서 선택된 광흡수층(500)이 형성된 것을 특징으로 하는 후면버퍼를 포함하는 박막 태양전지.
In a thin film solar cell,
A back-off buffer according to any one of claims 1 to 4,
(S, Se), Cu-In-Se, Cu-In-S, Cu-Ga-S, Cu- Wherein a light absorption layer (500) selected from the group consisting of CIS / CIGS compounds including Cu-In-Al-Ga- (S, Se) and Cu- Thin film solar cells included.
제 5항 또는 제 6항의 후면버퍼의 제조방법에 더하여,
상기 후면버퍼에 Cu-In-Se, Cu-In-S, Cu-Ga-S, Cu-Ga-Se, Cu-In-Ga-Se, Cu-In-Ga-Se-(S,Se), Cu-In-Al-Ga-(S,Se) 및 Cu-In-Al-Ga-Se-S을 포함하는 CIS/CIGS계 화합물군에서 선택된 광흡수층(500)을 동시증착법(Coevaporation), 스퍼터링법(Sputtering), 전착법(Electrodeposition), 유기금속화학기상증착법(MOCVD), 분자선성장법(MBE), 전착법(Electrodeposition), 스크린프린팅법(Screen printing), 입자증착법(Particle deposition) 중에서 어느 하나의 방법으로 형성시키는 단계(s1000)
를 포함하는 것을 특징으로 하는 후면버퍼를 이용한 태양전지의 제조방법.
A method of manufacturing a solar cell,
In addition to the manufacturing method of the back buffer of the fifth or sixth aspect,
(Cu, In-Se, Cu-In-S, Cu-Ga-S, Cu-Ga-Se, Cu- A light absorbing layer 500 selected from the group consisting of CIS / CIGS compounds including Cu-In-Al-Ga- (S, Se) and Cu-In-Al-Ga-Se-S is formed by coevaporation, sputtering (Eg, sputtering, electrodeposition, metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD), molecular beam epitaxy (MBE), electrodeposition, screen printing, or particle deposition (S1000)
And a second buffer layer formed on the second buffer layer.
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| KR20130080225A KR101490519B1 (en) | 2013-07-09 | 2013-07-09 | Solar Cell with Back-Side Buffer Layer and its Fabrication Method. |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7704352B2 (en) * | 2006-12-01 | 2010-04-27 | Applied Materials, Inc. | High-aspect ratio anode and apparatus for high-speed electroplating on a solar cell substrate |
| US20100154876A1 (en) | 2008-12-19 | 2010-06-24 | Stmicroelectronics S.R.L. | Modular interdigitated back contact photovoltaic cell structure on opaque substrate and fabrication process |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7704352B2 (en) * | 2006-12-01 | 2010-04-27 | Applied Materials, Inc. | High-aspect ratio anode and apparatus for high-speed electroplating on a solar cell substrate |
| US20110217809A1 (en) | 2008-11-14 | 2011-09-08 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Inks and pastes for solar cell fabricaton |
| US20100154876A1 (en) | 2008-12-19 | 2010-06-24 | Stmicroelectronics S.R.L. | Modular interdigitated back contact photovoltaic cell structure on opaque substrate and fabrication process |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101671002B1 (en) | 2015-07-24 | 2016-11-01 | 청주대학교 산학협력단 | Anti-reflection layer of solar cells and anti-reflection coating method |
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