KR101485739B1 - Nanostructure manufacturing, nanostructure by the same method and biosensor including the nanostructure - Google Patents

Nanostructure manufacturing, nanostructure by the same method and biosensor including the nanostructure Download PDF

Info

Publication number
KR101485739B1
KR101485739B1 KR20140089240A KR20140089240A KR101485739B1 KR 101485739 B1 KR101485739 B1 KR 101485739B1 KR 20140089240 A KR20140089240 A KR 20140089240A KR 20140089240 A KR20140089240 A KR 20140089240A KR 101485739 B1 KR101485739 B1 KR 101485739B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photoresist
nanostructure
layer
substrate
light source
Prior art date
Application number
KR20140089240A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김동현
오영진
이홍기
양희진
Original Assignee
연세대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 연세대학교 산학협력단 filed Critical 연세대학교 산학협력단
Priority to KR20140089240A priority Critical patent/KR101485739B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101485739B1 publication Critical patent/KR101485739B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/117—Shapes of semiconductor bodies
    • H10D62/118—Nanostructure semiconductor bodies
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B82B3/0042—Assembling discrete nanostructures into nanostructural devices
    • B82B3/0052—Aligning two or more elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/201—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by an oblique exposure; characterised by the use of plural sources; characterised by the rotation of the optical device; characterised by a relative movement of the optical device, the light source, the sensitive system or the mask
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

나노구조체 제조 방법, 그에 따라 제조된 나노구조체 및 이를 포함하는 바이오센서가 개시된다. 나노구조체 제조 방법은 기판 위에 형성된 나노구조 층에 포토레지스트를 도포하는 단계; 상기 기판의 저면을 통해 광원을 조사하여 상기 포토레지스트를 노광시키는 단계; 및 상기 노광된 포토레지스트를 현상하는 단계를 포함한다.A nanostructure manufacturing method, a nanostructure produced thereby, and a biosensor including the same are disclosed. A method of fabricating a nanostructure includes: applying a photoresist to a nanostructure layer formed on a substrate; Irradiating a light source through a bottom surface of the substrate to expose the photoresist; And developing the exposed photoresist.

Description

나노구조체 제조 방법, 그에 따라 제조된 나노구조체 및 이를 포함하는 바이오센서{Nanostructure manufacturing, nanostructure by the same method and biosensor including the nanostructure}TECHNICAL FIELD The present invention relates to a nanostructure manufacturing method, a nanostructure manufacturing method, and a biosensor including the nanostructure,

본 발명은 나노구조체 제조 방법, 그에 따라 제조된 나노구조체 및 이를 포함하는 바이오센서에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a nanostructure, a nanostructure produced thereby, and a biosensor comprising the nanostructure.

최근 BT-NT-IT를 융합한 새로운 융합학문이 미래를 선도할 차세대 사업으로 부상하고 있으며, 이에 따라 측정 시스템 분야에서도 반도체 공정기술, 나노소자 및 광학 분석장치 등 여러가지 기술을 접목시켜 다양한 생체분자 및 생물학 반응을 확인하는 새로운 측정법이 개발되고 있는 추세이다.Recently, new convergence of BT-NT-IT fusion has emerged as the next generation business that will lead the future. Therefore, in the field of measurement system, various biomolecules such as semiconductor process technology, nano device and optical analysis device, New methods of identifying biological responses have been developed.

이 중, 표면 플라즈몬을 기반으로 하는 광센서는 실시간으로 생체분자 및 약물반응, 세포의 분자 반응 등을 관찰하는데 용이하고 상대적으로 측정이 쉽다는 장점을 지니고 있다. 따라서 본 표면 플라즈몬 기반 광학 센서는 생물학, 화학, 의약학등의 넓은 분야에서 물질간 상호 작용을 연구하는데 주로 사용된다. 기존의 표면 플라즈몬 기반 광센서의 경우 일반적으로 금속 박막을 활용하며 측정 시료를 금속 박막 위에 고정시키고, 금속 박막과 하단 기판 사이의 계면에서 입사광을 전반사시켜 발생하는 표면 플라즈몬을 활용한다. 이때 표면의 특성에 따라 반사되는 광파의 세기, 파장, 위상(phase) 등이 변화되는 것을 착안하여 입사광원의 각도, 파장 등을 변조하여 반사광신호를 분석하는 방법으로 표면 플라즈몬 광학 센서의 구성이 가능하다. 하지만 본 방법의 경우, 최근의 연구 추세로 하는 초 정밀 센서로써는 측정 감도의 한계를 지닌다. 특히, 단일분자 측정이 대세가 되는 지금에 있어서 상용화된 표면 플라즈몬 광센서는 측정 감도의 향상이 필요한 상황이다. Among these, the optical sensor based on the surface plasmon has the advantage that it is easy to observe biomolecules, drug reaction, and molecular reaction of the cell in real time and is relatively easy to measure. Thus, the surface plasmon based optical sensor is mainly used to study intermaterial interactions in a wide range of fields such as biology, chemistry, and medicine. In the case of a conventional surface plasmon based optical sensor, a surface plasmon is used which is generated by fixing a measurement sample on a metal thin film using a metal thin film, and totally reflecting the incident light at the interface between the metal thin film and the lower substrate. At this time, the surface plasmon optical sensor can be configured by analyzing the reflected light signal by modulating the angle, wavelength, etc. of the incident light source by taking into account that the intensity, wavelength, and phase of the reflected light wave are changed according to the surface characteristics Do. However, in the case of this method, there is a limit of measurement sensitivity as a super-precision sensor which is a recent research trend. Particularly, now that single molecule measurement is popular, commercialization of a surface plasmon optical sensor is required to improve the measurement sensitivity.

이를 해결하기 위하여 표면 금속박막에 나노구조를 제작하여 활용하는 방법이 많은 부분 활용되고 있다. 특히 나노구조를 활용하여 국소화된 근접장과 측정 물질의 위치를 중첩시킴으로써 측정 감도를 극대화 시킬 수 있는 것으로 알려져 있다. 하지만, 근접장이 국소화 되는 부분과 측정 분자를 중첩시키는 것에 대한 방법은 아직 많은 부분 연구 및 방법론에 대한 발견이 부족한 현실이다. In order to solve this problem, nanostructures have been widely used in surface metal thin films. Especially, it is known that the sensitivity of measurement can be maximized by superimposing the position of the measurement substance with the localized near-field by utilizing the nanostructure. However, the method of superimposing the measurement molecule with the localization part of the near field is still a reality that lacks many researches and methodological discoveries.

또한 플라즈몬 기반 센서에서 나노구조를 활용하는 경우, 나노구조간 간격(nano-gap)의 크기가 작을수록 근접장이 작은 영역에 강하게 국소화 되고, 그로 인해 측정 감도를 더욱 늘릴 수 있는 것으로 알려져 있지만 이 경우 나노구조 제작기술 및 여러 방법에 있어서 어려움이 있다. In addition, in the case of utilizing a nanostructure in a plasmon-based sensor, it is known that as the size of the nano-gap is small, the near-field is strongly localized in a small region and thus the measurement sensitivity can be further increased. There are difficulties in the structure production technology and various methods.

본 발명은 복수의 나노구조가 형성된 나노구조 층을 통해 광원이 투과되는 영역 또는 나노구조 층 표면에서 발생되는 근접장 영역을 국소화시키고, 측정하고자 하는 분자반응을 국소화된 근접장 영역과 일치하는 나노구조를 제공하기 위한 것이다.The present invention relates to a method for localizing a region where a light source is transmitted through a nanostructure layer on which a plurality of nanostructures are formed or a near-field region generated on a surface of the nanostructure layer, and a molecular reaction to be measured is provided with a nanostructure matching with a localized near- .

또한 본 발명은 국소화된 근접장 영역을 기반으로 생체적합성을 개선하고 근접장 분포를 유지 및 강화할 수 있는 이차 나노구조체를 제조하는 방법, 그에 따라 제조된 나노구조체 및 이를 포함하는 바이오센서를 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a method for preparing a secondary nanostructure capable of improving biocompatibility and maintaining and enhancing a near-field distribution based on a localized near-field region, a nanostructure produced thereby, and a biosensor comprising the nanostructure.

본 발명의 일 측면에 따르면, 복수의 나노구조가 형성된 나노구조 층을 통해 광원이 투과되는 영역 또는 나노구조 층 표면에서 발생되는 국소화된 근접장 영역과 측정하고자 하는 분자반응이 공간적으로 일치하는 나노구조체를 제조하는 방법, 그에 따라 제조된 나노구조체 및 이를 포함하는 바이오센서가 제공된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a nanostructure having a plurality of nanostructured nanostructured layers through which a light source is transmitted, or a nanostructure having a spatially coincident molecular reaction with a localized near- A nanostructure produced thereby, and a biosensor including the same are provided.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판위에 형성된 나노구조 층에 포토레지스트를 도포하는 단계; 상기 기판의 저면을 통해 광원을 조사하여 상기 포토레지스트를 노광시키는 단계; 및 상기 노광된 포토레지스트를 현상하는 단계를 포함하는 나노구조체 제조 방법이 제공될 수 있다. 이와 같은 제조방법을 이용하면 근접장이 국소화된 부분이에 노광되므로 노광된 부분에 선택적인 분자반응을 일으킴으로써 국소화된 근접장과 분자반응을 공간적으로 일치시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: applying a photoresist to a nanostructure layer formed on a substrate; Irradiating a light source through a bottom surface of the substrate to expose the photoresist; And developing the exposed photoresist. ≪ IMAGE > By using such a manufacturing method, since the localized portion of the near-field is exposed to, a selective molecular reaction is caused in the exposed portion, so that the localized near-field and the molecular reaction can be spatially matched.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 기판 위에 형성된 나노구조 층에 포토레지스트를 도포하는 단계; 상기 기판의 저면을 통해 광원을 조사하여 상기 포토레지스트를 노광시키는 단계; 노광된 포토레지스트를 제거하는 단계; 상기 포토레지스트위에 유전체 또는 비금속물질을 증착시키는 단계; 및 상기 노광된 포토레지스트층을 현상하는 단계를 포함하는 나노구조체 제조 방법이 제공될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a method comprising: applying a photoresist to a nanostructured layer formed on a substrate; Irradiating a light source through a bottom surface of the substrate to expose the photoresist; Removing the exposed photoresist; Depositing a dielectric or non-metallic material over the photoresist; And developing the exposed photoresist layer to form a nanostructure.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 기판 위에 형성된 나노구조 층에 포토레지스트를 도포하는 단계; 상기 기판의 저면을 통해 광원을 조사하여 상기 포토레지스트를 노광시키는 단계; 상기 노광된 포토레지스트를 현상하는 단계; 상기 현상된 포토레지스트 위에 박막을 증착하는 단계; 및 노광된 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계를 포함하는 나노구조체 제조 방법이 제공될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: applying a photoresist to a nanostructured layer formed on a substrate; Irradiating a light source through a bottom surface of the substrate to expose the photoresist; Developing the exposed photoresist; Depositing a thin film on the developed photoresist; And removing the exposed photoresist layer may be provided.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 기판 위에 형성된 나노구조 층에 유전체 또는 비금속물질층을 증착시키는 단계; 상기 증착된 유전체 또는 비금속물질층위에 포토레지스트를 도포하는 단계; 상기 기판의 일면을 통해 광원을 조사하여 상기 포토레지스트를 노광시키는 단계; 상기 노광된 포토레지스트를 현상하는 단계; 상기 현상된 포토레지스트층 위에 박막을 증착하는 단계; 및 노광된 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계를 포함하는 나노구조체 제조 방법이 제공될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: depositing a dielectric or non-metallic material layer on a nanostructured layer formed on a substrate; Applying a photoresist over the deposited dielectric or non-metallic material layer; Irradiating a light source through one surface of the substrate to expose the photoresist; Developing the exposed photoresist; Depositing a thin film on the developed photoresist layer; And removing the exposed photoresist layer may be provided.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 방법에 의해 제조된 나노구조체가 제공될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the nanostructure produced by the above method can be provided.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 방법에 의해 제조된 나노구조체를 포함하는 바이오센서가 제공될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, a biosensor including the nanostructure fabricated by the above method can be provided.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 기판 일면에 형성되며 복수의 나노구조를 포함하는 나노구조 층; 및 상기 나노구조 내부 또는 상기 나노구조 층위에 형성되는 나노갭을 포함하되, 상기 나노갭은 상기 나노구조 층 위에 도포된 포토레지스트의 노광 및 현상 공정을 통해 상기 기판의 저면을 통해 조사되는 광원이 상기 나노구조를 투과하는 영역 또는 상기 나노구조의 표면에서 발생되는 근접장 영역을 국소화시키고 이를 측정 대상에 일치되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 나노구조체가 제공될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a nanostructure layer formed on one surface of a substrate and including a plurality of nanostructures; And a nanogap formed on the nanostructure or on the nanostructure layer, wherein the nanogap is formed by exposing the nanostructure layer to a light source irradiated through a bottom surface of the substrate through an exposure and development process of the photoresist applied on the nanostructure layer, Wherein the nanostructure is localized to a region transmitting the nanostructure or a near-field region generated on the surface of the nanostructure, and the nanostructure is formed to conform to the object to be measured.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 기판 일면에 형성되며, 복수의 나노구조를 포함하는 나노구조 층; 및 상기 나노구조 내부 또는 상기 나노구조 층위에 형성되는 박막층을 포함하되, 상기 박막은 상기 나노구조 층 위에 도포된 포토레지스트의 노광 및 현상 공정을 통해 상기 기판의 저면을 통해 조사되는 광원이 상기 나노구조를 투과하는 영역 또는 상기 나노구조 층의 표면에서 발생되는 근접장 영역을 국소화시키고 이를 측정 대상에 일치되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 나노구조체가 제공될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a nanostructure layer formed on a surface of a substrate, the nanostructure layer including a plurality of nanostructures; And a thin film layer formed on the nanostructure or on the nanostructure layer, wherein the thin film is formed by exposing and developing the photoresist coated on the nanostructure layer, Or a near-field region generated on the surface of the nanostructured layer is localized and formed so as to coincide with an object to be measured.

본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체 제조 방법, 그에 따라 제조된 나노구조체 및 이를 포함하는 바이오센서를 제공함으로써, 복수의 나노구조가 형성된 나노구조 층을 통해 광원이 투과되는 영역 또는 나노구조 층 표면에서 발생되는 국소화된 근접장 영역과 측정하고자 하는 분자분포가 일치하도록 할 수 있다.The present invention provides a method of fabricating a nanostructure, a nanostructure manufactured thereby, and a biosensor including the nanostructure, wherein a region through which the light source is transmitted through the nanostructured layer formed with a plurality of nanostructures, The localized near-field region generated in the measurement region can be matched with the molecular distribution to be measured.

이를 통해, 본 발명은 측정하고자 하는 대상과 시료의 반응을 보다 정확하게 관찰할 수 있는 이점이 있다.Accordingly, the present invention has an advantage that the reaction between the object to be measured and the sample can be more accurately observed.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체를 제조하는 방법을 나타낸 순서도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조를 예시한 도면.
도 3은 도 1에 따른 나노구조체 제조 과정을 설명하기 위해 도시한 도면.
도 4는 도 1에 제조 방법에 따라 제조된 나노구조체의 전자현미경 사진.
도 5 및 도 6는 본 발명의 다른 실시예에 따른 입사 특성 변경에 따라 상이한 포토레지스트의 노광 패턴에 따라 제조되는 나노구조체를 설명하기 위해 도시한 도면.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 광원의 수직 입사에 따른 나노구조 층 표면에서 발생하는 근접장을 관찰한 결과를 나타낸 도면.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 광원의 사선 방향으로의 입사에 따른 나노구조 층 표면에서 발생하는 근접장을 관찰한 결과를 나타낸 도면.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 나노구조체를 제조하는 공정을 나타낸 순서도.
도 10은 도 9의 나노구조체 제조 공정을 설명하기 위해 도시한 도면.
도 11 및 도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 나노구조체 제조 공정을 설명하기 위해 도시한 도면.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 나노구조체 제조 공정을 설명하기 위해 도시한 도면.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 나노구조체 제조 공정을 설명하기 위해 도시한 도면.1 is a flow diagram illustrating a method of fabricating a nanostructure according to one embodiment of the present invention.
Figure 2 illustrates nanostructures according to one embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a view for explaining a manufacturing process of the nanostructure according to FIG. 1; FIG.
FIG. 4 is an electron micrograph of a nanostructure produced according to the method of FIG. 1; FIG.
5 and 6 are diagrams for explaining a nanostructure manufactured according to an exposure pattern of a different photoresist according to an incident characteristic change according to another embodiment of the present invention.
7 is a view showing a result of observing a near-field occurring on the surface of a nano structure layer according to a normal incidence of a light source according to an embodiment of the present invention.
8 is a view showing a result of observing a near-field occurring on the surface of a nano structure layer according to incidence of a light source in an oblique direction according to an embodiment of the present invention.
9 is a flowchart showing a process of manufacturing a nanostructure according to another embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a view for explaining a process of manufacturing the nanostructure of FIG. 9; FIG.
11 and 12 are diagrams for explaining a manufacturing process of a nanostructure according to another embodiment of the present invention.
13 is a view illustrating a process of fabricating a nanostructure according to another embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a view for explaining a manufacturing process of a nanostructure according to another embodiment of the present invention. FIG.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. It is to be understood, however, that the invention is not to be limited to the specific embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조체를 제조하는 방법을 나타낸 순서도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 나노구조를 예시한 도면이며, 도 3은 도 1에 따른 나노구조체 제조 과정을 설명하기 위해 도시한 도면이고, 도 4는 도 1에 제조 방법에 따라 제조된 나노구조체의 전자현미경 사진이다.FIG. 1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a nanostructure according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a view illustrating a nanostructure according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a cross- FIG. 4 is an electron micrograph of a nanostructure fabricated according to the manufacturing method of FIG. 1; FIG.

단계 110에서 나노구조 층(20)위에 포토레지스트(30)를 도포한다.At step 110, a photoresist 30 is applied over the nanostructured layer 20.

도 2에는 나노구조 층(20)이 도시되어 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 나노구조 층(20)은 기판(10)위에 다양한 패턴으로 형성된 복수의 나노구조를 구비하고 있다. 도 2에는 나노구조체가 일정한 주기를 가지고 규칙적으로 배열된 나노구조로 도시되어 있다. 다른 예를 들어, 나노구조 층(20)은 불규칙하게 배열된 나노구조를 포함할 수도 있다. 또한, 나노구조는 나노 섬, 나노 기둥 또는 나노 개구조일 수도 있다. 또한, 나노구조 층(20)은 그 형태에 따라 전자빔 리소그래피, 포토리소그래피, 집중 이온빔 등을 이용하여 패터닝될 수 있다. 이와 같은 나노구조는 금속 또는 비금속 박막 상에 제작될 수 있다.The nanostructured layer 20 is shown in FIG. As shown in FIG. 2, the nanostructured layer 20 has a plurality of nanostructures formed on the substrate 10 in various patterns. In FIG. 2, the nanostructures are shown with nanostructures arranged regularly at regular intervals. As another example, the nanostructured layer 20 may comprise irregularly arranged nanostructures. In addition, the nanostructure may be a nano-island, a nanopillar, or a nanostructure. In addition, the nanostructured layer 20 may be patterned by using electron beam lithography, photolithography, intensive ion beam, or the like depending on its shape. Such a nanostructure can be fabricated on a metal or non-metal thin film.

이와 같이 다양한 형태/방법으로 형성된 나노구조 층(20) 위에 포토레지스트(30)를 도포한다. 여기서, 포토레지스트는 포지티브 포토레지스트일 수 있다.The photoresist 30 is applied on the nanostructured layer 20 formed in various forms / methods. Here, the photoresist may be a positive photoresist.

도 3의 310 나노구조 층(20)위에 포토레지스트(30)를 도포한 일 예가 도시되어 있다. 도 3의 310과 같이, 나노구조 층(20)위에 포토레지스트(30)를 도포하면, 규칙적 또는 불규칙적으로 배열된 나노구조는 포토레지스트(30)에 의해 채워지게 된다.An example of applying the photoresist 30 on the 310 nanostructure layer 20 of FIG. 3 is shown. 3, when the photoresist 30 is applied on the nanostructured layer 20, the regularly or irregularly arranged nanostructures are filled with the photoresist 30.

단계 115에서 포토레지스트(30)가 나노구조 층(20) 위에 도포된 상태에서 기판(10)의 저면을 통해 광원을 조사하여 포토레지스트층(30)를 노광시킨다. 이때, 포토레지스트층(30)의 노광되는 영역은 나노구조 층(20)을 통해 광원이 투과된 영역 또는 발생된 근접장 영역과 일치하게 된다.The photoresist layer 30 is exposed by irradiating the light source through the bottom surface of the substrate 10 in a state where the photoresist 30 is applied on the nanostructured layer 20 in step 115. [ At this time, the exposed region of the photoresist layer 30 is coincident with the region through which the light source is transmitted or the near-field region generated through the nanostructure layer 20. [

포토레지스트(30)의 노광 패턴은 광원의 입사 특성에 따라 상이해질 수 있다. 여기서, 입사 특성은 광원의 입사 방향 또는 광원의 세기에 따라 상이해질 수 있다.The exposure pattern of the photoresist 30 may differ depending on the incident characteristics of the light source. Here, the incident characteristics may differ depending on the incident direction of the light source or the intensity of the light source.

도 3의 315는 기판(10)의 저면을 통해 광원이 수직 입사되어 나노구조체의 나노구조를 투과함에 따라 나노구조 층(20)상에 도포된 포토레지스트(30)가 노광되는 패턴이 도시되어 있다.3, a pattern 315 is shown in which the photoresist 30 applied on the nano-structure layer 20 is exposed as the light source is normally incident on the bottom surface of the substrate 10 and transmits the nano structure of the nano structure .

단계 120에서 노광에 의해 패터닝된 포토레지스트를 현상한다.In step 120, the photoresist patterned by exposure is developed.

포토레지스트 현상 과정은 포토레지스트에 대응하여 디벨로퍼가 이용될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면 나노구조체의 나노구조는 음각 형태일 수 있다. 이로 인해, 포토레지스트(30)의 노광에 의해 현상되는 패턴은 음각 형태가 될 수 있다. 따라서, 포토레지스트 현상 과정은 포토레지스트의 노광 패턴 또는 나노구조체의 나노구조 형태에 따라 음각 디벨로퍼가 이용될 수 있다. 포토레지스트를 현상하는 과정 자체는 공지되어 있으므로 이에 대해서는 별도의 설명을 생략하기로 한다.The development process of the photoresist can be used in correspondence with the photoresist. According to an embodiment of the present invention, the nanostructure of the nanostructure may be in a negative shape. As a result, the pattern developed by the exposure of the photoresist 30 may be in a negative shape. Accordingly, the photoresist developing process can be performed using a recessed developer according to the exposure pattern of the photoresist or the nanostructured form of the nanostructure. Since the process of developing the photoresist is known, a detailed description thereof will be omitted.

도 3의 315와 같이 포토레지스트의 국소 영역이 노광되면, 포토레지스트 현상 과정에 의해 도 3의 320에 도시된 바와 같이, 국소화된 근접장에 노광된 음각 형태의 포토레지스트 일부 영역만 국소적으로 현상된다. 이와 같이 형성된 나노구조는 기판(10) 또는 나노구조 층(20)에 측정 대상이 위치되도록 하여 국소화된 근접장과 측정하고자 하는 분자 반응을 일치시킬 수 있는 바이오센서로 응용 가능하다.When the localized area of the photoresist is exposed as shown at 315 in FIG. 3, only a part of the photoresist partially exposed in the localized near field is locally developed by the photoresist developing process, as shown in 320 of FIG. 3 . The nanostructure thus formed can be applied as a biosensor capable of aligning a localized near-field with a molecular reaction to be measured by allowing an object to be measured to be placed on the substrate 10 or the nanostructured layer 20.

현상되어 국소화된 영역이 음각 형태로 포토레지스트층의 일부가 국소적으로 현상된다.A part of the photoresist layer is locally developed in a developed and localized region in a negative shape.

단계 125에서 현상된 포토레지스트층(30) 위에 박막(40)을 증착한다.A thin film 40 is deposited on the developed photoresist layer 30 in step 125.

증착되는 박막(40)은 금속물질이거나 비금속물질일 수 있다. 또한 증착되는 박막(40)은 금속과 비금속 물질이 혼합된 물질일 수도 있다. 예를 들어, 금속물질인 경우, 박막(40)은 Au, Al, Ag, Cr, Ni, Ti 중 적어도 하나이거나 둘 이상의 조합일 수 있다. 또한, 비금속 물질인 경우, 박막(40)은 Si, SiO2일 수 있다.The thin film 40 to be deposited may be a metallic material or a non-metallic material. The thin film 40 to be deposited may be a mixture of a metal and a non-metal material. For example, in the case of a metal material, the thin film 40 may be at least one of Au, Al, Ag, Cr, Ni, Ti, or a combination of two or more thereof. In the case of a non-metallic material, the thin film 40 may be Si or SiO2.

도 3의 325에는 현상된 포토레지스트층(30) 위에 박막(40)을 증착한 일 예가 도시되어 있다. 현상된 포토레지스트층(30) 위에 박막(40)을 증착하는 경우, 현상 과정에서 포토레지스트가 소거되어 노출된 나노구조 층(20)의 국소 영역에 박막이 증착될 수 있다.An example of the deposition of the thin film 40 on the developed photoresist layer 30 is shown at 325 in FIG. When the thin film 40 is deposited on the developed photoresist layer 30, the photoresist may be erased during development to deposit a thin film in the localized region of the exposed nanostructured layer 20.

또한, 복수의 나노구조가 형성된 나노구조 층을 통해 광원이 투과되는 영역 또는 나노구조 층 표면에서 발생되는 국소화된 근접장 영역과 일치하도록 나노갭이 형성된 나노구조체를 제조하는 경우, 단계 130과 단계 135는 생략될 수 있다.In the case of fabricating a nano-structure in which a nanogap is formed so as to coincide with a region through which a light source is transmitted or a localized near-field region generated from a surface of the nanostructure layer through a nanostructure layer having a plurality of nanostructures formed, steps 130 and 135 Can be omitted.

단계 130에서 포토레지스트를 제거한다.At step 130, the photoresist is removed.

포토레지스트를 제거하는 경우, 도 3의 330에 도시된 바와 같이, 나노구조체상에 남아있는 포토레지스트층(30)이 제거되어 나노구조 층(20)이 노출되고, 또한 포토레지스트가 노광된 영역(도 3의 315의 경우, 나노구조를 통해 광원이 투과된 영역)에 증착된 박막(40)이 존재하게 된다.When the photoresist is removed, the remaining photoresist layer 30 on the nanostructure is removed to expose the nano-structured layer 20, as shown in 330 of FIG. 3, In the case of 315 in FIG. 3, the thin film 40 deposited in the region where the light source is transmitted through the nanostructure is present.

이와 같이 제조된 나노구조체의 전자현미경 사진은 도 4에 예시되어 있다.An electron micrograph of the nanostructure thus produced is illustrated in FIG.

이와 같이, 나노구조 층(20)에 포토레지스트를 도포하여 광원이 투과되는 국소화된 영역에 박막(40)을 증착시키고 박막(40)에 측정 대상이 위치되도록 하여 측정 대상의 위치와 근접장 발생 위치(또는 광원 투과 위치)를 일치시킴으로써 측정 대상 반응을 보다 정확하고, 효과적으로 측정할 수 있는 이점이 있다.As described above, the photoresist is coated on the nanostructure layer 20 to deposit the thin film 40 in the localized region through which the light source is transmitted, and the position of the measurement object and the near-field occurrence position Or the light source transmitting position) are matched, there is an advantage that the measurement subject reaction can be measured more accurately and effectively.

도 1에서 설명한 바와 같이, 복수의 나노구조가 형성된 나노구조 층을 통해 광원이 투과되는 영역 또는 나노구조 층 표면에서 발생되는 국소화된 근접장 영역과 일치하도록 나노갭 또는 2차 증착된 박막층이 형성된 나노구조체를 제조할 수 있다. As described with reference to FIG. 1, a nanostructure in which a nano-gap or a second-deposited thin film layer is formed so as to coincide with a region through which a light source is transmitted through a nanostructure layer on which a plurality of nanostructures are formed or a localized near- Can be produced.

단계 135에서 단계 110 내지 단계 130을 통해 제조된 나노구조체를 이용하여 바이오 센서를 제조한다.
In step 135, the biosensor is manufactured using the nanostructure fabricated through steps 110 to 130.

도 5 및 도 6는 본 발명의 다른 실시예에 따른 입사 특성 변경에 따라 상이한 포토레지스트의 노광 패턴에 따라 제조되는 나노구조체를 설명하기 위해 도시한 도면이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 광원의 수직 입사에 따른 나노구조 층 표면에서 발생하는 근접장을 관찰한 결과를 나타낸 도면이고, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 광원의 사선 방향으로의 입사에 따른 나노구조 층 표면에서 발생하는 근접장을 관찰한 결과를 나타낸 도면이다. 도 5 및 도 6에는 기판(10)에 다수의 나노구조를 포함하는 나노구조 층(20)이 형성되어 있으며, 나노구조 층(20)에 포토레지스트(30)가 도포되어 있는 것을 가정하여 설명하기로 한다.FIGS. 5 and 6 are views for explaining a nanostructure manufactured according to an exposure pattern of a different photoresist according to an incident characteristic change according to another embodiment of the present invention. FIG. 7 is a cross- FIG. 8 is a view showing a result of observation of the near-field occurring on the surface of the nano structure layer according to the normal incidence of the light source according to the embodiment of the present invention. And Fig. 5 and 6, it is assumed that a nanostructure layer 20 including a plurality of nanostructures is formed on a substrate 10 and a photoresist 30 is applied to the nanostructure layer 20 .

도 5는 기판에 형성된 나노구조가 파장과 비례하여 작은 경우 나노구조 표면에서 발생하는 근접장 영역과 일치하여 포토레지스트층(30)을 노광시키고 현상한 후 박막(40)을 추가 증착한 일 예가 도시되어 있다. 5 shows an example in which the photoresist layer 30 is exposed and developed in conformity with the near-field region generated on the nanostructure surface when the nanostructure formed on the substrate is small in proportion to the wavelength, and the thin film 40 is additionally deposited have.

기판(10)에 형성된 나노구조 층(20)에 포함된 다수의 나노구조가 파장과 비례하여 크고, 광원을 기판(10) 저면에서 수직으로 입사하는 경우 입사 패턴은 도 4와 같다. 그러나, 기판(10)에 형성된 나노구조 층(20)에 포함된 다수의 나노 구조가 입사되는 광원의 파장과 비례하여 작은 경우 광원은 나노구조를 투과하지 못하고 나노구조 표면에서 근접장이 발생하게 된다. 도 7에는 기판(10) 저면에서 나노구조 층(20)으로 광원이 수직 입사되는 경우, 나노구조 층(20)표면에서 발생하는 근접장을 상단에서 관찰한 결과가 도시되어 있다.The incident pattern is as shown in FIG. 4 when a plurality of nanostructures included in the nanostructured layer 20 formed on the substrate 10 are large in proportion to the wavelength and the light source is vertically incident on the bottom surface of the substrate 10. However, when a plurality of nanostructures included in the nanostructure layer 20 formed on the substrate 10 are small in proportion to the wavelength of the incident light source, the light source can not transmit the nanostructure, and a near-field occurs on the surface of the nanostructure. 7 shows a result of observing a near-field occurring at the surface of the nanostructure layer 20 from the top when the light source is vertically incident on the nanostructure layer 20 from the bottom surface of the substrate 10. [

근접장이 발생하는 패턴을 세부적으로 도시하면, 도 5의 510과 같다. 이에 따라 나노구조 층(20)에 도포된 포토레지스트(30)도 나노구조의 표면에서 발생하는 근접장 영역과 동일하게 노광된다.The detailed pattern of the occurrence of the near field is the same as 510 of FIG. Accordingly, the photoresist 30 applied to the nanostructure layer 20 is exposed in the same manner as the near-field region generated on the surface of the nanostructure.

이어, 노광된 포토레지스트층(30)를 현상하면 도 5의 515과 같이 나노구조의 표면에서 발생된 국소화된 근접장 영역에 패터닝되어 제거된다. Then, the developed photoresist layer 30 is patterned and removed in a localized near-field region generated at the surface of the nanostructure as shown in 515 of FIG.

도 5의 515과 같이 현상된 포토레지스트층(30) 위에 박막(40)을 증착하면 도 5의 520과 같이 국소화된 근접장 영역에 박막이 채워지게 된다.When the thin film 40 is deposited on the developed photoresist layer 30 as shown in 515 of FIG. 5, the thin film is filled in the localized near-field region as shown by 520 in FIG.

또한, 복수의 나노구조가 형성된 나노구조 층 통해 광원이 투과되는 영역 또는 나노구조 층 표면에서 발생되는 국소화된 근접장 영역과 일치하도록 나노갭이 형성된 나노구조체를 제조하는 경우, 단계 520 및 단계 525는 생략될 수 있다.In the case of fabricating a nano-structure in which a nanogap is formed such that a light source is transmitted through a nanostructured layer having a plurality of nanostructures or a localized near-field region generated on the surface of the nanostructure layer, steps 520 and 525 are omitted .

마지막으로, 포토레지스트층(30)을 제거하면, 도 5의 530과 같이, 포토레지스트층(30)위에 증착된 박막은 제거되고, 포토레지스트의 노광 패턴에 의해 국소적으로 제거된 영역(나노구조 층(20) 저면에서 광원을 수직 입사하여 발생되는 국소화된 근접장 영역)에 박막(40)층이 형성되게 된다.Finally, removing the photoresist layer 30 removes the thin film deposited on the photoresist layer 30, as in 530 of FIG. 5, and removes the locally removed regions (nanostructured A localized near-field region generated by normal incidence of the light source at the bottom of the layer 20).

도 6은 기판(10) 저면에서 광원을 비스듬하게 입사시키는 경우, 여기 및 국소화된 표면 근접장 영역에 일치시켜 박막층(40)을 형성하는 나노구조체 제조 과정을 도시한 도면이다.6 is a view showing a process of fabricating a nanostructure in which a thin film layer 40 is formed in accordance with excitation and localized surface near-field regions when a light source is obliquely incident on a bottom surface of the substrate 10.

기판(10) 저면에서 광원을 우상향 대각선 방향으로 비스듬하게 조사하면, 나노구조 오른쪽 표면에서 근접장이 발생하게 되고, 포토레지스트(30)는 나노구조 층(20) 표면에서 국소화된 근접장이 발생되는 영역이 노광되어 패터닝되게 된다(도 6의 610 참조). 도 8에는 기판(10) 저면에서 나노구조 층(20)으로 광원이 우상향 대각선 방향 입사되는 경우, 나노구조 층(20)표면에서 발생하는 근접장을 상단에서 관찰한 결과가 도시되어 있다.When the light source is obliquely irradiated in the diagonally upward direction on the bottom surface of the substrate 10, a near-field occurs on the right surface of the nanostructure, and the photoresist 30 has a region where a localized near- Exposed and patterned (refer to 610 in Fig. 6). 8 shows a result of observing a near-field generated from the surface of the nanostructure layer 20 from the top when the light source is incident on the nanostructure layer 20 from the bottom surface of the substrate 10 in the right-upward diagonal direction.

도 6의 610과 같은 패턴으로 노광된 포토레지스트(30)를 현상하면 도 6의 615와 같이 나노구조 층(20) 표면에서 발생된 국소화된 영역과 일치되는 패터닝된 영역만 제거되게 된다. 도 6의 615와 같이 노광된 포토레지스트(30) 영역이 제거된 후 박막(40)을 잔존하는 포토레지스트층(30) 위에 박막(40)을 증착시킨다. 현상된 포토레지스트층(30)위에 박막(40)을 증착시키면 도 6의 620에 도시된 바와 같이 현상 과정에서 포토레지스트(30)가 제거된 영역에 박막(40)에 증착되게 된다.When the photoresist 30 exposed in the pattern 610 of FIG. 6 is developed, only the patterned region corresponding to the localized region generated on the surface of the nanostructure layer 20 is removed as shown in 615 of FIG. The thin film 40 is deposited on the remaining photoresist layer 30 after the photoresist 30 region is removed as shown at 615 of FIG. When the thin film 40 is deposited on the developed photoresist layer 30, the photoresist 30 is deposited on the thin film 40 in the region where the photoresist 30 is removed as shown in 620 of FIG.

이어, 잔존하는 포토레지스트층(30)을 제거하면 도 6의 625와 같이 광원의 우상향 대각선 방향으로의 비스듬한 조사에 따라 나노구조 층(20) 표면에서 발생된 근접장 영역과 일치하는 영역에만 증착된 박막(40)이 형성되게 된다.Subsequently, when the remaining photoresist layer 30 is removed, the thin film deposited only on the region corresponding to the near-field region generated on the surface of the nanostructure layer 20 according to the oblique irradiation in the right- (40) is formed.

이로 인해, 결과적으로 나노구조 층(20) 표면에서 발생되는 근접장 영역과 일치하도록 박막(40)을 형성하여 특정 대상의 반응을 보다 정확하게 관찰할 수 있는 이점이 있다.As a result, there is an advantage that the thin film 40 can be formed so as to coincide with the near-field region generated on the surface of the nanostructure layer 20, and the reaction of a specific object can be more accurately observed.

또한, 복수의 나노구조가 형성된 나노구조 층을 통해 광원이 투과되는 영역 또는 나노구조 층 표면에서 발생되는 국소화된 근접장 영역과 일치하도록 나노갭이 형성된 나노구조체를 제조하는 경우, 단계 620 및 단계 625는 생략될 수 있다.
In the case of fabricating a nanogap having a nanogap formed so as to coincide with a region through which a light source is transmitted or a localized near-field region generated from a surface of the nanostructure layer through a nanostructure layer having a plurality of nanostructures formed, steps 620 and 625 Can be omitted.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 나노구조체를 제조하는 공정을 나타낸 순서도이고, 도 10은 도 9의 나노구조체 제조 공정을 설명하기 위해 도시한 도면이다.FIG. 9 is a flowchart illustrating a process of fabricating a nanostructure according to another embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a view illustrating a process of fabricating the nanostructure of FIG.

단계 910에서 복수의 나노구조가 형성된 나노구조 층(20) 위에 유전체 또는 비금속물질(25)을 증착한다. 나노구조는 도 1에서 전술한 바와 같이, 음각 또는 양각 형태일 수 있다. 나노구조 층(20)위에 유전체 또는 비금속물질(25)을 증착하면 도 10의 1010에 도시된 바와 같이 나노구조 표면이 유전체 또는 비금속물질(25)로 덧씌워진다.In step 910, a dielectric or non-metallic material 25 is deposited on the nanostructured layer 20 on which the plurality of nanostructures are formed. The nanostructure may be in the form of a relief or relief, as described above in FIG. When a dielectric or non-metallic material 25 is deposited on the nanostructured layer 20, the nanostructured surface is overlaid with a dielectric or non-metallic material 25, as shown at 1010 in FIG.

단계 915에서 증착된 유전체 또는 비금속물질(25) 위에 포토레지스트(30)를 도포한다. 증착된 유전체 또는 비금속물질(25) 위에 포토레지스트(30)가 도포된 형상은 도 10의 1015에 도시되어 있다.The photoresist 30 is applied over the deposited dielectric or non-metallic material 25 in step 915. The shape to which the photoresist 30 is applied on the deposited dielectric or non-metallic material 25 is shown at 1015 in FIG.

단계 920에서 기판(10) 저면을 통해 광원을 조사하여 포토레지스트(30)를 노광시킨다. 포토레지스트(30)의 노광 패턴은 도 1에서 전술한 바와 같이, 나노구조 층(20)에서의 광원이 투과되는 영역 또는 나노구조 층(20) 표면에서 발생되는 근접장 영역과 일치하게 된다. In step 920, the light source is irradiated through the bottom surface of the substrate 10 to expose the photoresist 30. The exposure pattern of the photoresist 30 coincides with a region where the light source is transmitted through the nanostructure layer 20 or a near-field region generated from the surface of the nanostructure layer 20, as described above with reference to FIG.

기판(10) 저면에서 광원을 수직 입사한 경우 도 10의 1020과 같이 투과 영역과 일치하여 포토레지스트(30)가 노광된다.When the light source is vertically incident on the bottom surface of the substrate 10, the photoresist 30 is exposed in conformity with the transmissive region as in 1020 of FIG.

이어, 단계 925에서 노광에 의해 패터닝된 포토레지스트(30)를 현상한다. Then, in step 925, the photoresist 30 patterned by exposure is developed.

포토레지스트 현상 과정을 통해 노광에 의해 패터닝된 포토레지스트 영역(즉, 나노구조 층(20)을 통해 광원이 투과되거나 표면 근접장이 발생된 영역)만 제거된다.Only the photoresist region patterned by exposure through the photoresist development process (i.e., the region where the light source is transmitted through the nanostructure layer 20 or the near-surface region is generated) is removed.

단계 930에서 현상된 포토레지스트층(30) 위에 박막(40)을 증착한다.A thin film 40 is deposited on the developed photoresist layer 30 in step 930.

현상된 포토레지스트(30) 위에 박막(40)이 증착된 형상이 도 10의 1025에 도시되어 있다.The shape in which the thin film 40 is deposited on the developed photoresist 30 is shown at 1025 in FIG.

단계 935에서 포토레지스트(30)를 제거한다.At step 935, the photoresist 30 is removed.

포토레지스트(30)를 제거하는 경우, 도 10의 1030과 같이 유전체를 통해 남아있는 포토레지스트(30)가 제거되어 유전체 및 비금속물질층(25)가 노출되고, 또한 포토레지스트가 노광된 영역(도 10의 1020과 같이, 나노 구조를 통해 광원이 투과된 영역)에 증착된 박막(40)이 존재하게 된다. 이와 같이 나노구조 층(20)위에 유전체 또는 비금속물질층(25)을 증착하여 나노구조 층(20)과 증착된 박막(40)간의 접촉이 일어나지 않도록 할 수 있다.When removing the photoresist 30, the photoresist 30 remaining through the dielectric is removed as shown at 1030 in FIG. 10 to expose the dielectric and non-metallic material layers 25, 10, the thin film 40 deposited in the region where the light source is transmitted through the nanostructure is present. In this way, a dielectric or non-metallic material layer 25 may be deposited on the nanostructure layer 20 to prevent contact between the nanostructure layer 20 and the deposited thin film 40.

단계 945에서 단계 910 내지 단계 940을 통해 제조된 나노구조체를 이용하여 바이오 센서를 제조한다.
In step 945, the biosensor is manufactured using the nanostructure manufactured through steps 910 to 940.

도 11 및 도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 나노구조체 제조 공정을 설명하기 위해 도시한 도면이다.FIGS. 11 and 12 are diagrams illustrating a process for fabricating a nanostructure according to another embodiment of the present invention.

도 11은 도 3 또는 도 5와 같은 나노구조가 형성된 나노구조 층(20)에 유전체 또는 비금속물질(25)을 증착한 후 포토레지스트(30)를 도포하고, 기판(10) 저면에서 광원을 조사하여 나노구조 층(20) 표면에서의 국소화된 영역에서 발생된 근접장에 따라 포토레지스트(30)를 노광시키고 현상한 후 박막(40)을 증착시키고, 남아있는 포토레지스트를 제거하여 형성된 나노구조체의 형상이 도시되어 있다.FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a method of depositing a dielectric or non-metal material 25 on a nanostructure layer 20 having a nanostructure as shown in FIG. 3 or FIG. 5 and then applying a photoresist 30, The photoresist 30 is exposed and developed according to the near-field generated in the localized region on the surface of the nanostructured layer 20, and then the thin film 40 is deposited and the remaining photoresist is removed to form the nanostructure Respectively.

도 12은 도 6과 같은 나노구조가 형성된 나노구조 층(20)에 유전체 또는 비금속물질(25)을 증착한 후 포토레지스트(30)를 도포하고, 기판(10) 저면에서 사선(우상향 대각선 방향)으로 광원을 조사하여 나노구조 층(20) 표면에서 발생된 근접장에 따라 포토레지스트(30)를 노광시키고 현상한 후 박막(40)을 증착시키고, 남아있는 포토레지스트(30)를 제거하여 형성된 나노구조체의 형상이 도시되어 있다.12 is a schematic view illustrating a method of applying a photoresist 30 after depositing a dielectric or non-metal material 25 on a nanostructured layer 20 having a nanostructure as shown in FIG. 6, The photoresist 30 is exposed and developed according to the near-field generated on the surface of the nanostructure layer 20, and the thin film 40 is deposited, and the remaining photoresist 30 is removed, Are shown.

도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 나노구조 층(20)에 유전체 또는 비금속물질(25)을 증착하고, 나노구조 층(20)에서의 광원이 투과되는 영역 또는 표면에서 발생되는 근접장 영역과 일치하도록 박막(40)을 증착하여 측정 대상을 보다 정확하게 관찰하도록 할 수 있는 이점이 있다.
11 and 12, a dielectric or non-metal material 25 is deposited on the nanostructured layer 20, and a near-field region and a near-field region generated in the region or surface through which the light source is transmitted in the nanostructure layer 20 There is an advantage that the thin film 40 can be deposited so that the measurement target can be more accurately observed.

도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 나노구조체 제조 공정을 설명하기 위해 도시한 도면이다.FIG. 13 is a view illustrating a process for fabricating a nanostructure according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG.

단계 1310에서 복수의 나노구조 층(20)에 포토레지스트(30)를 도포하고, 포토레지스트(30)를 노광시킨다. 여기서, 포토레지스트는 네거티브 포토레지스트일 수 있다.In step 1310, the photoresist 30 is applied to the plurality of nanostructured layers 20, and the photoresist 30 is exposed. Here, the photoresist may be a negative photoresist.

기판(10) 저면에서 광원을 수직으로 입사하면, 나노구조 층(20)에 포함된 복수의 나노구조의 나노홀 영역(국소화된 영역)에서 발생된 근접장에 따라 포토레지스트(30)이 노광된다.When the light source is vertically incident on the bottom surface of the substrate 10, the photoresist 30 is exposed according to a near-field generated in a plurality of nano-structured nanohole regions (localized regions) included in the nanostructure layer 20.

단계 1315에서 노광된 포토레지스트를 현상한다.In step 1315, the exposed photoresist is developed.

포토레지스트의 노광된 영역만을 현상하면, 도 1315에 도시된 바와 같이 복수의 나노구조의 나노홀 영역(국소화된 영역)에서 발생된 근접장 영역과 일치되는 영역에만 포토레지스트가 남게 된다.When only the exposed region of the photoresist is developed, the photoresist remains only in the region corresponding to the near-field region generated in the nano-hole region (localized region) of the plurality of nanostructures, as shown in Figure 1315. [

단계 1320에서 유전체 또는 비금속 물질을 증착시킨다.In step 1320, a dielectric or non-metallic material is deposited.

단계 1325에서 남아있는 포토레지스트를 제거한다.At step 1325, the remaining photoresist is removed.

도 13에 도시된 바와 같이 나노구조 층(20)에 포토레지스트(30)를 도포하고, 나노구조 층(20)에서 광원이 투과되는 영역 또는 표면에서 발생되는 근접장 영역과 일치하도록 나노갭(50)을 형성할 수 있는 이점이 있다.
The photoresist 30 is applied to the nanostructured layer 20 as shown in FIG. 13 and the nanogap 50 is formed so as to coincide with a near-field region generated on the surface or the surface of the nanostructure layer 20, Can be formed.

도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 나노구조체 제조 공정을 설명하기 위해 도시한 도면이다.FIG. 14 is a view illustrating a process of fabricating a nanostructure according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG.

단계 1410에서 복수의 나노구조 층(20)에 포토레지스트(30)를 도포하고, 포토레지스트(30)를 노광시킨다. 여기서, 포토레지스트는 네거티브 포토레지스트일 수 있다.In step 1410, the photoresist 30 is applied to the plurality of nanostructured layers 20, and the photoresist 30 is exposed. Here, the photoresist may be a negative photoresist.

기판(10) 저면에서 광원을 우상향 사선으로 입사하면, 나노구조 층(20)의 표면에서 도 14에 도시된 바와 같이 근접장이 발생하게 되고 발생된 근접장에 일치하는 영역에만 포토레지스트(30)가 노광된다.When a light source is incident on the bottom surface of the substrate 10 in an obliquely upward slanting line, a near-field is generated at the surface of the nanostructure layer 20 as shown in FIG. 14, and only the region corresponding to the generated near- do.

단계 1415에서 노광된 포토레지스트를 현상한다.In step 1415, the exposed photoresist is developed.

포토레지스트의 노광된 영역만을 현상하면, 나노구조 층(20)의 표면에서 발생된 근접장 영역과 일치되는 영역에만 포토레지스트가 남게 된다.If only the exposed region of the photoresist is developed, the photoresist remains only in the region that coincides with the near-field region generated on the surface of the nanostructure layer 20.

단계 1420에서 유전체 또는 비금속 물질을 증착시킨다.In step 1420, a dielectric or non-metallic material is deposited.

단계 1425에서 남아있는 포토레지스트를 제거한다.In step 1425, the remaining photoresist is removed.

도 14에 도시된 바와 같이 나노구조 층(20)에 포토레지스트(30)를 도포하고, 나노구조 층(20)에서 광원이 투과되는 영역 또는 표면에서 발생되는 근접장 영역과 일치하도록 나노갭(50)을 형성할 수 있는 이점이 있다.
14, the photoresist 30 is applied to the nanostructured layer 20, and the nanogap 50 is formed so as to coincide with the near-field region generated in the region or the surface through which the light source is transmitted in the nanostructure layer 20. [ Can be formed.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It will be understood that the invention may be varied and varied without departing from the scope of the invention.

Claims (13)

기판위에 형성된 나노구조 층에 포토레지스트를 도포하는 단계;
상기 기판의 저면을 통해 광원을 조사하여 상기 포토레지스트를 노광시키는 단계; 및
상기 노광된 포토레지스트를 현상하는 단계를 포함하는 나노구조체 제조 방법.Applying a photoresist to the nanostructure layer formed on the substrate;
Irradiating a light source through a bottom surface of the substrate to expose the photoresist; And
And developing the exposed photoresist. ≪ RTI ID = 0.0 > 21. < / RTI > 기판위에 형성된 나노구조 층에 포토레지스트를 도포하는 단계;
상기 기판의 저면을 통해 광원을 조사하여 상기 포토레지스트를 노광시키는 단계;
상기 노광된 포토레지스트를 제거하는 단계;
상기 포토레지스트위에 유전체 또는 비금속물질을 증착시키는 단계; 및
상기 노광된 포토레지스트층을 현상하는 단계를 포함하는 나노구조체 제조 방법.Applying a photoresist to the nanostructure layer formed on the substrate;
Irradiating a light source through a bottom surface of the substrate to expose the photoresist;
Removing the exposed photoresist;
Depositing a dielectric or non-metallic material over the photoresist; And
And developing the exposed photoresist layer. ≪ RTI ID = 0.0 > 21. < / RTI > 기판위에 형성된 나노구조 층에 포토레지스트를 도포하는 단계;
상기 기판의 저면을 통해 광원을 조사하여 상기 포토레지스트를 노광시키는 단계;
상기 노광된 포토레지스트를 현상하는 단계;
상기 현상된 포토레지스트 위에 박막을 증착하는 단계; 및
상기 포토레지스트층을 제거하는 단계를 포함하는 나노구조체 제조 방법.Applying a photoresist to the nanostructure layer formed on the substrate;
Irradiating a light source through a bottom surface of the substrate to expose the photoresist;
Developing the exposed photoresist;
Depositing a thin film on the developed photoresist; And
And removing the photoresist layer. 기판위에 형성된 나노구조 층에 유전체 또는 비금속물질층을 증착시키는 단계;
상기 증착된 유전체 또는 비금속물질층위에 포토레지스트를 도포하는 단계;
상기 기판의 일면을 통해 광원을 조사하여 상기 포토레지스트를 노광시키는 단계;
상기 노광된 포토레지스트를 현상하는 단계;
상기 현상된 포토레지스트층 위에 박막을 증착하는 단계; 및
상기 포토레지스트층을 제거하는 단계를 포함하는 나노구조체 제조 방법.Depositing a dielectric or non-metallic material layer on the nanostructured layer formed over the substrate;
Applying a photoresist over the deposited dielectric or non-metallic material layer;
Irradiating a light source through one surface of the substrate to expose the photoresist;
Developing the exposed photoresist;
Depositing a thin film on the developed photoresist layer; And
And removing the photoresist layer. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 포토레지스트를 노광시키는 단계는,
상기 광원의 입사 특성에 따른 상기 나노구조 층의 투과 영역 또는 표면 근접장 발생 영역을 노광시키는 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조 방법.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The step of exposing the photoresist comprises:
And exposing a transmissive region or a surface near-field generation region of the nanostructure layer according to incident characteristics of the light source. 제5 항에 있어서,
상기 입사 특성은 입사 방향 및 광원의 세기 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조 방법.6. The method of claim 5,
Wherein the incident characteristic is at least one of an incident direction and an intensity of a light source. 제3 항 또는 제4 항에 있어서,
상기 박막은 금속물질 및 비금속물질 중 어느 하나이거나 둘의 조합인 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조 방법.The method according to claim 3 or 4,
Wherein the thin film is one of a metal material and a non-metal material, or a combination of both. 제7 항에 있어서,
상기 금속물질은 Au, Al, Ag, Cr, Ni, Ti 중 어느 하나 또는 둘 이상의 조합인 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조 방법.8. The method of claim 7,
Wherein the metal material is at least one of Au, Al, Ag, Cr, Ni, and Ti, or a combination of two or more thereof. 제7 항에 있어서,
상기 비금속물질은 Si, SiO2 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노구조체 제조 방법.8. The method of claim 7,
Wherein the non-metallic material is one of Si and SiO2. 제1항 내지 제4 항 중 어느 하나의 항에 따른 방법에 의해 제조된 나노 구조체. A nanostructure produced by the method according to any one of claims 1 to 4. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 하나의 항에 따른 방법에 의해 제조된 나노구조체를 포함하는 바이오센서.A biosensor comprising a nanostructure produced by the method according to any one of claims 1 to 4. 기판 일면에 형성되며 복수의 나노구조를 포함하는 나노구조 층; 및
상기 나노구조 내부 또는 상기 나노구조 층위에 형성되는 나노갭을 포함하되,
상기 나노갭은 상기 나노구조 층 위에 도포된 포토레지스트의 노광 및 현상 공정을 통해 상기 기판의 저면을 통해 조사되는 광원이 상기 나노구조를 투과하는 영역 또는 상기 나노구조의 표면에서 발생되는 근접장 영역에 국소화시켜 측정 대상에 일치되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 나노구조체.A nanostructure layer formed on one surface of the substrate and including a plurality of nanostructures; And
A nanogap formed within the nanostructure or on the nanostructure layer,
The nanogap may be formed by exposing and developing the photoresist coated on the nanostructured layer to localize a light source irradiated through the bottom surface of the substrate to a region transmitting the nanostructure or a near- So as to conform to the object to be measured. 기판 일면에 형성되며, 복수의 나노구조를 포함하는 나노구조 층; 및
상기 나노구조 내부 또는 상기 나노구조 층위에 형성되는 박막층을 포함하되,
상기 박막은 상기 나노구조 층 위에 도포된 포토레지스트의 노광 및 현상 공정을 통해 상기 기판의 저면을 통해 조사되는 광원이 상기 나노구조를 투과하는 영역 또는 상기 나노구조 층의 표면에서 발생되는 근접장 영역을 국소화시켜 측정 대상에 일치되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 나노구조체.A nanostructure layer formed on one surface of the substrate and including a plurality of nanostructures; And
And a thin film layer formed on the nanostructure or on the nanostructure layer,
The thin film is formed by exposing and developing the photoresist coated on the nano structure layer to localize a region through which the nano structure is transmitted or a near-field region generated on the surface of the nano structure layer, So as to conform to the object to be measured.
KR20140089240A 2014-07-15 2014-07-15 Nanostructure manufacturing, nanostructure by the same method and biosensor including the nanostructure KR101485739B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20140089240A KR101485739B1 (en) 2014-07-15 2014-07-15 Nanostructure manufacturing, nanostructure by the same method and biosensor including the nanostructure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20140089240A KR101485739B1 (en) 2014-07-15 2014-07-15 Nanostructure manufacturing, nanostructure by the same method and biosensor including the nanostructure

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101485739B1 true KR101485739B1 (en) 2015-01-22

Family

ID=52592429

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20140089240A KR101485739B1 (en) 2014-07-15 2014-07-15 Nanostructure manufacturing, nanostructure by the same method and biosensor including the nanostructure

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101485739B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180015489A (en) * 2016-08-03 2018-02-13 삼성전자주식회사 Meta optical device and method of designing the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120113916A (en) * 2011-04-06 2012-10-16 한국과학기술연구원 Method of fabrication for array of nano-structures and devices containing the same
KR20130094505A (en) * 2012-02-16 2013-08-26 한국광기술원 Method for manufacturing zno nano structure

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120113916A (en) * 2011-04-06 2012-10-16 한국과학기술연구원 Method of fabrication for array of nano-structures and devices containing the same
KR20130094505A (en) * 2012-02-16 2013-08-26 한국광기술원 Method for manufacturing zno nano structure

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180015489A (en) * 2016-08-03 2018-02-13 삼성전자주식회사 Meta optical device and method of designing the same
KR102610832B1 (en) 2016-08-03 2023-12-06 삼성전자주식회사 Meta optical device and method of designing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Valsecchi et al. Periodic metallic nanostructures as plasmonic chemical sensors
Yavas et al. Unravelling the role of electric and magnetic dipoles in biosensing with Si nanoresonators
US7403287B2 (en) Sensing element used in sensing device for sensing target substance in specimen by using plasmon resonance
D’Andrea et al. SERS enhancement and field confinement in nanosensors based on self-organized gold nanowires produced by ion-beam sputtering
Yang et al. Enhanced optical transmission mediated by localized plasmons in anisotropic, three-dimensional nanohole arrays
Zhao et al. Switchable chiroptical hot-spots in silicon nanodisk dimers
Manoccio et al. Femtomolar biodetection by a compact core–shell 3D chiral metamaterial
JP2008216055A (en) Surface plasmon resonance sensor and chip therefor
Le Thi Ngoc et al. Large area metal nanowire arrays with tunable sub-20 nm nanogaps
Ahmed et al. Large-scale functionalized metasurface-based SARS-CoV-2 detection and quantification
Raphael et al. A new methodology for quantitative LSPR biosensing and imaging
JP2010526316A (en) Methods and systems for detecting biological and chemical substances on submicron structured substrates
Wallace et al. Superimposed arrays of nanoprisms for multispectral molecular plasmonics
Peters et al. Surface enhanced Raman spectroscopy detection of biomolecules using EBL fabricated nanostructured substrates
Zhao et al. Large-area nanogap-controlled 3D nanoarchitectures fabricated via layer-by-layer nanoimprint
Nam et al. Au/SiO2-Nanolaminated plasmonic nanoantennas as refractive-index-insensitive and transparent surface-enhanced raman spectroscopy substrates
Kandziolka et al. Silicon nanopillars as a platform for enhanced fluorescence analysis
Zhao et al. Scalable fabrication of quasi-one-dimensional gold nanoribbons for plasmonic sensing
Kim et al. Fiber optic plasmonic sensors based on nanodome arrays with nanogaps
US20220074857A1 (en) Nanohole array based sensors with various coatings and temperature control for covid-19
Kumar et al. Plasmonic nanoslit arrays fabricated by serial bideposition: Optical and surface-enhanced Raman scattering study
Barroso et al. Selective ultrasensitive optical fiber nanosensors based on plasmon resonance energy transfer
Wu et al. Nanogratings fabricated by wet etching assisted femtosecond laser modification of silicon for surface plasmon resonance sensing
Hackett et al. Plasmonic metal–insulator–metal capped polymer nanopillars for SERS analysis of protein–protein interactions
Tuckmantel Bido et al. Digital SERS Protocol Using Au Nanoparticle-Based Extrinsic Raman Labels for the Determination of SARS-CoV-2 Spike Protein in Saliva Samples

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20140715

PA0201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
PA0302 Request for accelerated examination

Patent event date: 20141217

Patent event code: PA03022R01D

Comment text: Request for Accelerated Examination

Patent event date: 20140715

Patent event code: PA03021R01I

Comment text: Patent Application

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20150109

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20150116

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20150116

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20180115

Start annual number: 4

End annual number: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee