KR101484273B1 - 플라즈마 반응기 및 이를 구비한 기판 처리 시스템 - Google Patents

Abstract

본 발명은 플라즈마 반응기 및 이를 구비한 기판 처리 시스템에 관한 것이다. 플라즈마 반응기는 피처리 기판이 놓이는 기판 지지대가 구비되는 챔버 하우징, 상기 피처리 기판의 가장 자리 영역을 선택적으로 처리하기 위한 에지 처리 공정에서 상기 피처리 기판의 상부 공간을 격벽 내측 영역과 격벽 외측 영역으로 구분하도록 제1 위치에 정렬되는 환형 격벽 부재, 및 상기 에지 처리 공정에서 상기 외측 영역에서 상기 피처리 기판의 가장 자리 영역을 따라 환형의 플라즈마를 발생하는 환형 플라즈마 발생기를 포함한다. 본 발명의 플라즈마 반응기에 의하면, 이동형 환형 격벽 부재와 환형 플라즈마 발생기에 의해서 피처리 기판의 에지 처리 공정을 보다 정확하게 수행할 수 있다. 또한 환격 격벽 부재의 정렬 편차를 감지하고 보정하여 더욱 정밀한 에지 처리 공정을 수행할 수 있다. 피처리 기판의 사이즈가 증가되는 경우에도 효율적으로 대응하여 나갈 수 있다.

플라즈마, 반응기, 용량 결합 플라즈마, 유도 결합 플라즈마

Description

플라즈마 반응기 및 이를 구비한 기판 처리 시스템{PLASMA REACTOR AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}

본 발명은 반도체 장치의 제조에 사용되는 플라즈마 반응기 및 이를 구비한 기판 처리 시스템에 관한 것으로, 구체적으로는 피처리 기판의 가장 자리 영역을 선택적 처리할 수 있는 플라즈마 반응기 및 이를 구비한 기판 처리 시스템에 관한 것이다.

고집적 반도체 칩, 액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 등의 반도체 장치를 제조하기 위한 반도체 제조 공정에서는 물리적 또는 화학적 증착이나 물리적 또는 화학적 식각 공정을 통하여 웨이퍼 기판이나 유리 기판과 같은 피처리 기판 위에 원하는 패턴의 박막을 형성한다. 이러한 반도체 제조 공정에서 회로 패턴이 형성되지 않는 기판의 가장 자리 영역이나 후면에도 불필요한 막이 형성되는데 이렇게 형성되어지는 막 또는 파티클 등은 불필요한 오염원으로 작용하게 된다. 이에 기판의 가장 자리 영역에 형성된 파티클 또는 이물질 등을 제거할 수 있는 플라즈마 반응기가 제공되고 있다.

이러한 피처리 기판의 가장자리 영역을 선택적으로 처리하는 플라즈마 반응기는 일반적으로 상부전극과 하부전극에 의한 용량 결합 플라즈마를 발생시켜 기판의 파티클 또는 이물질을 제거한다. 그런데 피처리 기판이 대형화되면서 상부전극과 하부전극의 크기도 증가될 수밖에 없기 때문에 수직위치 및 수평위치를 정확하게 정렬하는 것이 용이하지 않게 되며 이와 관련되거나 또는 별개로 상부전극과 하부전극 사이에 발생하는 플라즈마의 밀도 또한 피처리 기판의 가장자리 영역을 따라서 불균일하게 발생될 우려가 있다.

한편, 반도체 장치는 여러 공정을 통하여 제조되며 각 공정을 수행하기 위한 여러 공정 설비가 제공되고 있다. 여러 공정 설비에서 제조 공정을 수행하기 위하여 공정 챔버 사이에 발생되는 이송 시간의 증가는 곧 생산성 저하로 이어지기 때문에 가급적 기판 이송은 신속히 처리되어야 한다. 만약, 두 개의 공정이 하나의 공정 챔버에서 이루어진다면 기판 이송에 별도의 시간이 소요되지 않기 때문에 생산성을 높일 수 있을 것이다. 또한 설비간의 기판 이송 행위에 따른 발생될 수 있는 여러 문제점들도 회피될 수 있을 것이다.

생산성을 높이기 위한 하나의 방법으로 여러 장의 피처리 기판을 동시에 처리하기 위한 다중 기판 처리 시스템이 제공되고 있다. 다중 기판 처리 시스템은 여러 개의 공정 챔버와 이송 챔버를 포함한다. 그런데 다중 기판 처리 시스템에서의 기판 이송 과정의 효율성은 생산성에 영향을 주기 때문에 이 또한 효율적으로 신속히 이루어질 필요가 있다.

본 발명의 목적은 피처리 기판의 가장자리 영역에 대한 보다 정확한 에지 처리 공정을 수행할 수 있는 플라즈마 반응기 및 이를 구비한 기판 처리 시스템을 제공하는데 있다.

본 발명의 다른 목적은 하나의 플라즈마 반응기에서 피처리 기판의 자장 자리 영역을 식각하는 에지 처리 공정을 포함하는 둘 이상의 공정을 겸용할 수 있는 플라즈마 반응기 및 이를 구비한 기판 처리 시스템을 제공하는데 있다.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 플라즈마 반응기에 관한 것이다. 본 발명의 플라즈마 반응기는: 피처리 기판이 놓이는 기판 지지대가 구비되는 챔버 하우징; 상기 피처리 기판의 가장 자리 영역을 선택적으로 처리하기 위한 에지 처리 공정에서 상기 피처리 기판의 상부 공간을 격벽 내측 영역과 격벽 외측 영역으로 구분하도록 제1 위치에 정렬되는 환형 격벽 부재; 및 상기 에지 처리 공정에서 상기 외측 영역에서 상기 피처리 기판의 가장 자리 영역을 따라 환형의 플라즈마를 발생하는 환형 플라즈마 발생기를 포함한다.

일 실시예에 있어서, 상기 환형 격벽 부재는 상기 에지 처리 정공 이외에는 상기 제1 위치에서 이동하여 제2 위치를 갖는다.

일 실시예에 있어서, 상기 환형 격벽 부재를 상기 제1 위치와 상기 제2 위치 사이에서 이동시키기 위한 격벽 구동부를 포함하고, 상기 격벽 구동부는 상기 환형 격벽 부재와 연결되는 이동 축과 상기 이동축으로 구동력을 제공하는 동력원 및 상 기 동력원으로부터 발생된 동력을 이동축으로 전달하기 위한 동력 전달 부재를 포함한다.

일 실시예에 있어서, 상기 동력 전달 부재는 기계적 동력 전달 메커니즘 또는 자기적 동력 전달 메커니즘을 포함한다.

일 실시예에 있어서, 상기 환형 플라즈마 발생기는 상기 피처리 기판의 가장 자리 영역을 사이에 두고 마주 대향하도록 상기 챔버 하우징의 내부에 설치되는 환형 구조의 제1 및 제2 전극을 포함하는 용량 결합 플라즈마 소스이다.

일 실시예에 있어서, 상기 환형 격벽 부재는 제1 위치와 다른 제2 위치를 갖도록 이동 가능 하되, 상기 제1 전극은 상기 환형 격벽 부재와 연동한다.

일 실시예에 있어서, 상기 환형 플라즈마 발생기는 상기 피처리 기판의 가장 자리 영역에 환형 플라즈마를 유도하도록 상기 반응기 몸체의 내부에 설치되는 유도 안테나를 포함하는 유도 결합 플라즈마 소스이다.

일 실시예에 있어서, 상기 유도 결합 플라즈마 소스는 자속 출입구가 상기 피처리 기판을 지향하면서 상기 유도 안테나를 덮는 마그네틱 코어 커버를 더 포함한다.

일 실시예에 있어서, 상기 피처리 기판의 중심 영역을 처리하기 위한 기판 처리 공정을 수행하기 위한 메인 플라즈마 소스를 포함하고, 상기 메인 플라즈마 소스는 격벽 내측 영역에 위치하면서 상기 챔버 하우징의 상부에 설치된다.

일 실시예에 있어서, 상기 메인 플라즈마 소스에 의해서 진행되는 기판 처리 공정은 에싱 공정, 증착 공정, 에칭 공정 중 어느 하나이다.

일 실시예에 있어서, 상기 환형 격벽 부재는 상기 에지 처리 공정을 위한 제1 가스가 제공되는 제1 가스 공급 채널과 상기 제1 가스를 상기 피처리 기판의 가장 자리 영역을 향하여 분사하는 다수개의 가스 분사공을 포함한다.

일 실시예에 있어서, 상기 환형 격벽 부재의 내측 영역으로 제2 가스를 공급하기 위한 제2 가스 공급 채널을 포함한다.

일 실시예에 있어서, 상기 환형 격벽 부재가 상기 제1 위치에 위치될 때 결합되도록 상기 환형 격벽 부재와 상기 기판 지지대에 구비되는 정렬 부재를 포함한다.

일 실시예에 있어서, 상기 정렬 부재는 기계적 결합 메커니즘 또는 자기적 결합 메커니즘을 포함한다.

일 실시예에 있어서, 상기 환형 격벽 부재가 상기 제1 위치에 위치되는 경우 상기 피처리 기판의 가장 자리 영역에 바르게 정렬되었는가를 판별하기 위한 격벽 정렬 감지부를 포함한다.

본 발명의 다른 일 면은 기판 처리 시스템에 관한 것으로 상술한 플라즈마 반응기를 포함하는 기판 처리 시스템이다. 본 발명의 기판 처리 시스템은: 하나 이상의 캐리어가 적재되는 인덱스; 상기 인덱스의 후방으로 연결된 로드락 챔버; 상기 로드락 챔버에 연결된 트랜스퍼 챔버; 상기 트랜스퍼 챔버에 연결되며 상기 플라즈마 반응기를 포함하는 하나 이상의 프로세스 모듈; 상기 로드락 챔버에 구비되어 상기 인덱스와 상기 트랜스퍼 챔버 사이에서 피처리 기판의 이송을 담당하는 제1 기판 이송 장치; 및 상기 트랜스퍼 챔버에 구비되어 상기 로드락 챔버와 상기 하나 이상의 프로세스 모듈 사이에서 피처리 기판의 이송을 담당하는 제2 기판 이송 장치를 포함한다.

일 실시예에 있어서, 상기 제2 기판 이송 장치는 하나 이상의 스핀들과 상기 하나 이상의 스핀들에 각기 장착되는 하나 이상의 회전 플레이트 암을 포함한다.

일 실시예에 있어서, 상기 프로세스 모듈은 하나의 피처리 기판을 독립적으로 처리하기 위한 하나 이상의 독립된 처리 영역을 갖는다.

일 실시예에 있어서, 상기 프로세스 모듈은 둘 이상의 피처리 기판을 처리하기 위한 비독립적 처리 영역을 갖는다.

본 발명의 플라즈마 반응기에 의하면, 이동형 환형 격벽 부재와 환형 플라즈마 발생기에 의해서 피처리 기판의 에지 처리 공정을 보다 정확하게 수행할 수 있다. 또한 환격 격벽 부재의 정렬 편차를 감지하고 보정하여 더욱 정밀한 에지 처리 공정을 수행할 수 있다. 피처리 기판의 사이즈가 증가되는 경우에도 효율적으로 대응하여 나갈 수 있다. 또한, 본 발명의 플라즈마 반응기는 메인 플라즈마 소스에 의한 피처리 기판의 중심 영역을 처리하는 기판 처리 공정과 환형 플라즈마 발생기에 의한 에지 처리 공정을 각기 수행할 수 있어서 기판 처리 공정을 수행하고서 피처리 기판을 플라즈마 반응기의 외부로 반출하지 않고 계속해서 에지 처리 공정을 수행할 수 있다. 그럼으로 피처리 기판에 대하여 기판 처리 공정과 에지 처리 공정을 별개의 공정 챔버에서 수행하는 경우 발생될 수 있는 여러 문제점들을 해소할 수 있다.

본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 부재는 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 구성을 보여주는 단면도이고, 도 2는 도 1의 환형 격벽 부재와 기판 지지대의 사시도이다.

도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 반응기(10)는 피처리 기판(11)을 수용하여 기판 처리 공정을 수행하는 챔버 하우징(12)이 구비된다. 챔버 하우징(12)의 내측 하부에는 피처리 기판(11)이 놓이는 기판 지지대(14)가 구비되며 그에 대향되어 챔버 하우징(12)의 내측 상부에는 환형 격벽 부재(20)가 구비된다. 환형 격벽 부재(20)는 상부와 하부가 개통된 관형 구조를 갖고, 격벽 구동부(30)에 연결되어 하강과 승강이 가능하다. 구체적인 설명은 후 술되겠지만, 환형 격벽 부재(20)는 피처리 기판(11)의 가장 자리 영역을 선택적으로 처리하기 위한 에지 처리 공정에서는 피처리 기판의 상부 공간(70)을 격벽 내측 영역과 격벽 외측 영역으로 구분하는 제1 위치(S1)(도 5 참조)로 이동되어지고, 그 외에는 메인 플라즈마 소스(60)의 저면과 동일한 위치(또는 적어도 제1 위치(S1) 보다는 높은 위치에서)인 제2 위치(S2)(도 4 참조)에서 대기한다.

챔버 하우징(12)은 알루미늄, 스테인리스, 구리와 같은 금속 물질로 제작될 수 있다. 또는 코팅된 금속 예를 들어, 양극 처리된 알루미늄이나 니켈 도금된 알루미늄으로 제작될 수도 있다. 또는 탄소나노튜브가 공유 결합된 복합 금속을 사용할 수도 있다. 또는 내화 금속(refractory metal)으로 제작될 수도 있다. 또 다른 대안으로 챔버 하우징(12)을 전체적 또는 부분적으로 석영, 세라믹과 같은 전기적 절연 물질로 제작하는 것도 가능하다. 이와 같이 챔버 하우징(12)은 의도된 플라즈마 프로세스가 수행되기에 적합한 어떠한 물질로도 제작 될 수 있다.

챔버 하우징(12)과 환형 격벽 부재(20)의 평면 구조는 피처리 기판(11)에 따라 그리고 플라즈마의 균일한 발생을 위하여 적합한 구조 예를 들어, 원형 구조나 사각형 구조 그리고 이외에도 어떠한 형태의 구조를 가질 수 있다. 피처리 기판(11)은 예를 들어, 반도체 장치, 디스플레이 장치, 태양전지 등과 같은 다양한 장치들의 제조를 위한 웨이퍼 기판, 유리 기판, 플라스틱 기판 등과 같은 기판들이다. 챔버 하우징(12)에 하단에 구비되는 가스 출구(16)는 진공펌프(미도시)에 연결된다.

플라즈마 반응기(10)는 피처리 기판(11)의 가장 자리 영역을 선택적으로 처 리하는 에지 처리 공정을 수행하기 위한 환형 플라즈마 발생기(40)를 구비한다. 환형 플라즈마 발생기(40)는 용량 결합 플라즈마 소스로 구성될 수 있다. 용량 결합 플라즈마 소스로 구성되는 환형 플라즈마 발생기(40)는 피처리 기판(11)의 가장 자리 영역을 사이에 두고 마주 대향하도록 챔버 하우징(12)의 내부에 설치되며 각기 환형 구조를 갖는 제1 및 제2 전극(42, 44)을 포함한다. 예를 들어, 제1 전극(42)은 환형 격벽 부재(20)의 하단에 설치되고, 제2 전극(44)은 기판 지지대(14)의 테두리에 장착된다. 제1 전극(42)은 환형 격벽 부재(20)와 같이 연동된다. 기판 지지대(14)가 도전성 재료로 구성되는 경우 제2 전극(44)과 기판 지지대(14)의 사이에는 절연층(13)이 구비되어 상호 전기적으로 절연된다. 제1 및 제2 전극(42, 44)은 금속 물질이나 절연 코팅된 금속을 사용할 수도 있다.

제1 전극(42)과 제2 전극(44)은 환형 구조를 갖고 각각의 단면 형상은 사각형 구조를 갖는다. 그러나 플라즈마의 발생 효율을 높이기 위하여 전체적인 구조와 단면 형상은 다른 형태로 변형될 수 있다. 예를 들어, 첨부 도면 도 3에 예시한 바와 같이, 기판 지지대(14)에 장착되는 제2 전극(44)은 상부에 트렌치(trench) 영역(43)이 형성된 구조를 가질 수 있다. 제1 전극(42)도 동일한 구조로 변형 실시될 수 있다. 이외에도 요철 구조, 돌기가 형성된 구조 등과 같이 다양한 구조로 변형될 수 있다.

제1 전극(42)은 접지되며, 제2 전극(44)은 임피던스 정합기(53)를 통하여 무선 주파수를 공급하는 전원 공급원(51)에 전기적으로 연결된다. 전원 공급원(51)은 임피던스 정합기(53)를 사용하지만, 별도의 임피던스 정합기 없이 출력의 제어 가 가능한 무선 주파수 발생기를 사용하여 구성될 수도 있다. 제1 전극(42)과 제2 전극(44)의 위치는 서로 바뀔 수 있다. 제1 전극(42)과 접지 사이에는 스위칭 회로(57)가 구비될 수 있다. 스위칭 회로(57)는 에지 처리 공정에서 온 상태를 유지하여 제1 전극(42)을 전기적으로 접지되게 하며, 에지 처리 공정 이외에는 오프 상태를 유지하여 제1 전극(42)을 전기적으로 플로팅 되게 한다. 제2 전극(44)의 경우에도 제1 전극(42)과 동일하게 에지 처리 공정 이외에는 전기적으로 플로팅 되도록 할 수 있다.

플라즈마 반응기(10)는 피처리 기판(11)의 중심 영역(피처리 기판(11)의 가장 자리 영역을 제외한 전면 영역)을 처리하는 기판 처리 공정을 수행하기 위한 메인 플라즈마 소스(60)를 구비한다. 메인 플라즈마 소스(60)는 환형 격벽 부재(20)의 내측 영역에 위치하도록 챔버 하우징(12)의 상부에 설치된다. 메인 플라즈마 소스(60)는 임피던스 정합기(52)를 통하여 무선 주파수를 공급하는 전원 공급원(50)에 전기적으로 연결된다. 전원 공급원(51)은 임피던스 정합기(52)를 사용하지만, 별도의 임피던스 정합기 없이 출력의 제어가 가능한 무선 주파수 발생기를 사용하여 구성될 수도 있다. 메인 플라즈마 소스(60)는 예를 들어, 기판 처리 공정에서 플라즈마 발생을 위한 상부 전극으로 기능하며 공정 가스 공급이 이루어지는 가스 샤워 헤드로 구성될 수 있다. 메인 플라즈마 소스(60)는 용량 결합 플라즈마 소스 구조를 예시하고 있지만 무선 주파수 안테나를 사용하는 유도 결합 플라즈마 소스나 변합기를 이용한 변압기 결합 플라즈마 소스 등으로 구현될 수도 있다.

기판 지지대(11)는 하나 이상의 바이어스 전원 공급원(54, 55)에 연결되어 바이어스 된다. 예를 들어, 서로 다른 무선 주파수 전원을 공급하는 두 개의 바이어스 전원 공급원(54, 55)이 공통 임피던스 정합기(56)(또는 각각의 임피던스 정합기)를 통하여 기판 지지대(14)에 전기적으로 연결되어 바이어스 된다. 기판 지지대(14)의 이중 바이어스 구조는 반응기 몸체(12)의 내부에 플라즈마 발생을 용이하게 하고, 플라즈마 이온 에너지 조절을 더욱 개선시켜 공정 생산력을 향상 시킬 수 있다. 또는 단일 바이어스 구조로 변형 실시할 수도 있다. 또는 기판 지지대(14)는 바이어스 전원의 공급 없이 제로 퍼텐셜(zero potential)을 갖는 구조로 변형 실시될 수도 있다. 기판 지지대(14)의 상부면에는 냉매 유로(15)가 형성되어 있을 수 있다. 기판 지지대(14)는 정전척을 포함할 수 있으며, 이와 더불어 또는 별개로 히터를 포함할 수 있다.

플라즈마 반응기(10)는 챔버 하우징(12)의 내부로 에지 처리 공정을 위한 제1 가스(Gas1)가 공급되는 제1 가스 공급 채널을 구비한다. 제1 가스(Gas1)는 피처리 기판(11)의 가장 자리 영역에 누적된 오염 물질을 처리하기 위한 반응 가스로서 예를 들어 CF4, SF6 등을 사용할 수 있다. 제1 가스 공급 채널은 예를 들어, 환형 격벽 부재(20)를 통하여 구성될 수 있다.

환형 격벽 부재(20)는 제1 가스(Gas1)를 주입받는 하나 이상의 가스 공급관(35)에 연결된다. 가스 공급관(35)은 챔버 하우징(12)의 외부에서 환형 격벽 부재(20)로 연결된다. 환형 격벽 부재(20)는 제1 가스(Gas1)를 피처리 기판(11)의 가장 자리 영역을 향하여 분사하는 다수개의 가스 분사공(24)이 하단에 구비된다. 환형 격벽 부재(20)는 내부에 제1 가스(Gas1)가 분배되는 가스 분배로(22)가 형성되어 있으며, 가스 분배로(22)와 다수개의 가스 분사공(24) 사이에는 다수개의 가스 배출로(23)가 연결된다. 환형 격벽 부재(20)의 하단에 장착되는 제1 전극(42)은 다수개의 가스 분사공(24)에 대응되어 다수개의 관통된 홀(46)이 형성되어 있다.

플라즈마 반응기(10)는 제1 가스 공급 채널과 독립적으로 챔버 하우징(12)의 내부로 제2 가스(Gas2)가 공급되는 제2 가스 공급 채널을 구비한다. 제2 가스(Gas2)는 에지 처리 공정에서 피처리 기판(11)의 중심 영역으로 활성화된 반응 가스가 유입되는 것을 차단하는 에어 커튼을 형성하기 위한 보조 가스로서 예를 들어 질소, 헬륨과 같은 불활성 가스이다.

제2 가스 공급 채널은 챔버 하우징(12)의 상부 중심에 구비된 가스 입구(62)를 통하여 제2 가스(Gas2)가 환형 격벽 부재(20)의 내측 영역으로 공급되는 구조이다. 예를 들어, 가스 샤워 헤드 구조를 갖는 메인 플라즈마 소스(60)를 경유하여 환형 격벽 부재(20)의 내측 영역으로 제2 가스(Gas2)가 공급될 수 있다. 또는 메인 플라즈마 소스(60)를 경유하지 않고 환형 격벽 부재(20)의 내측 영역으로 제2 가스(Gas2)가 공급되는 구조로 실시될 수도 있다.

도 4는 메인 플라즈마 소스에 의한 기판 처리 공정에서 환형 격벽 부재의 위치를 보여주는 플라즈마 반응기의 부분 단면도이고, 도 5는 환형 플라즈마 소스에 의한 에지 처리 공정에서 환형 격벽 부재의 위치를 보여주는 플라즈마 반응기의 부분 단면도이다.

도 4 및 도 5를 참조하여, 환형 격벽 부재(20)는 격벽 구동부(30)에 의해 제1 위치(S1)와 제2 위치(S2) 사이에서 승강과 하강이 제어된다. 메인 플라즈마 소스(60)에 의한 기판 처리 공정이 진행 될 때 환형 격벽 부재(20)는 메인 플라즈마 소스(60)의 하단과 동일한 위치인 제2 위치(S2)에서 대기한다. 격벽 구동부(30)는 챔버 하우징(12)의 상부를 관통하여 환형 격벽 부재(30)와 연결되는 이동 축(34)과 이동 축(34)으로 구동력을 제공하는 동력원(미도시) 및 상기 동력원으로부터 발생된 동력을 이동축으로 전달하기 위한 동력 전달 부재(32, 33)를 포함하며, 이들 구성들은 전체적으로 커버 부재(31)에 의해 밀봉되어 진다.

동력 전달 부재(32, 33)는 예를 들어, 랙 기어(32)와 피니언(33)으로 구성되는 기계적 동력 전달 메커니즘으로 구성될 수 있다. 또는 도 6에 도시된 바와 같이 이동 축(34)에 장착된 선형 자석 조립체(36)와 원형 자석 조립체(38)로 구성되는 자기적 동력 전달 메커니즘으로 구성될 수도 있다. 선형 자석 조립체(36)와 원형 자석 조립체(38)는 각기 복수개의 자석 유닛들이 극성을 달리하여 교대적으로 조립된다. 그리고 선형 자석 조립체(36)와 원형 자석 조립체(38)는 서로 다른 극성으로 결합되며, 회전 운동이 직선 운동으로 전환되어서 환형 격벽 부재(20)를 승강 및 하강 시킨다.

기판 처리 공정에서, 도 4에 도시된 바와 같이, 환형 격벽 부재(20)는 제2 위치(S2)에서 대기하고, 메인 플라즈마 소스(60)로 유입되는 가스는 피처리 기판(11)의 상부 공간(70)으로 분사되며 메인 플라즈마 소스(60)가 전원 공급원(50)으로부터 무선 주파수를 공급받아 구동되면 상부 공간(70)에 플라즈마(P1)가 발생 된다. 이와 같이 기판 처리 공정에서 피처리 기판(11)의 상부 공간(70)에는 메인 플라즈마 소스(60)에 의한 플라즈마(P1)가 형성된다. 기판 처리 공정에서 메인 플라즈마 소스(60)에 연결된 가스 입구(62)를 통해 입력되는 가스는 제3 가스(Gas3)로 피처리 기판(11)의 중심 영역을 처리하기 위한 공정 가스이다. 기판 처리 공정은 예를 들어, 에싱 공정, 증착 공정, 에칭 공정 중 어느 하나 일 수 있다.

반면, 도 5에 도시된 바와 같이, 에지 처리 공정에서 환형 격벽 부재(20)는 제1 위치(S1)로 이동되어 위치한다. 가스 공급관(34)을 통하여 유입된 제1 가스(Gas1)는 가스 분배로(22)와 가스 배출로(23)를 거쳐서 다수개의 가스 분사공(24)을 통하여 피처리 기판(11)의 가장 자리 영역을 향해서 고르게 분사된다. 스위칭 회로(57)가 온 되어 제1 전극(42)이 접지되고, 전원 공급원(51)으로부터 무선 주파수가 제2 전극(44)으로 공급되어 제1 및 제2 전극(42, 44)이 구동되면 피처리 기판의 가장 자리 영역을 따라서 플라즈마(P2)가 발생된다. 발생된 플라즈마에 의해 피처리 기판(11)의 가장 자리 영역에 증착된 오염 물질이 식각된다. 이때, 가스 입구(62)를 통하여 유입된 제2 가스(Gas2)는 메인 플라즈마 소스(60)를 통과하여 피처리 기판(11)의 중심 영역으로 분출되어 피처리 기판(11)의 가장 자리 영역으로 흐르면서 환형 플라즈마 발생기(40)에 의해 발생된 플라즈마(P2)가 피처리 기판(11)의 상부 공간(70)으로 유입되는 것을 방지한다. 제2 가스(Gas2)는 에지 처리 공정에는 실질적으로 참여하지 않는 불활성 가스를 사용한다.

본 발명의 플라즈마 반응기(10)는 메인 플라즈마 소스(60)에 의한 피처리 기판(11)의 중심 영역을 처리하는 기판 처리 공정과 환형 플라즈마 발생기(40 or 40a)에 의한 에지 처리 공정을 각기 수행할 수 있다. 그럼으로 기판 처리 공정을 수행하고서 피처리 기판(11)을 플라즈마 반응기(10)의 외부로 반출하지 않고 계속해서 에지 처리 공정을 수행할 수 있다. 그럼으로 피처리 기판(11)에 대하여 기판 처리 공정과 에지 처리 공정을 별개의 공정 챔버에서 수행하는 경우 발생될 수 있는 여러 문제점들을 해소할 수 있다.

도 7은 환형 격벽 부재를 기계적 결합 메커니즘으로 정렬하는 정렬 부재가 설치된 예를 보여주는 플라즈마 반응기의 부분 단면도이고, 도 8은 도 7에서 기판 지지대의 외주연에 구성된 결합 홈의 배치 구조를 보여주는 기판 지지대의 평면도이다.

먼저, 도 7 및 도 8을 참조하여, 플라즈마 반응기(10)는 환형 격벽 부재(20)가 에지 처리 공정에서 제1 위치(S1)에 위치될 때 피처리 기판(11)의 상부에 정확히 수평적 및/또는 수직적으로 정렬시키기 위한 기계적 결합 메커니즘을 갖는 정렬 부재를 포함할 수 있다. 기계적 결합 메커니즘을 갖는 정렬 부재는 예를 들어, 환형 격벽 부재(20)의 외측벽으로 장착된 하나 이상의 정렬 리브(80)와 이와 대응되어 기판 지지대(14)의 외주연으로 장착되며 리브 결합 홈(84)을 갖는 하나 이상의 리브 커넥터(82)로 구성될 수 있다. 정렬 리브(80)와 리브 커넥터(82)는 환형 격벽 부재(20)가 제1 위치(S1)에 위치될 때 상호 결합되어 환형 격벽 부재(20)가 피처리 기판(11)의 상부에 정확히 정렬되도록 함으로서 제1 및 제2 전극(42, 44)이 피처리 기판(11)의 가장 자리 영역을 사이에 두고 정확히 대치되도록 한다.

도 9는 환형 격벽 부재를 자기적 결합 메커니즘으로 정렬하는 정렬 부재가 설치된 예를 보여주는 플라즈마 반응기의 부분 단면도이다.

도 9를 참조하여, 환형 격벽 부재(20)의 정렬 방식은 자기적 결합 메커니즘을 이용하여 변형 실시될 수도 있다. 예를 들어, 자기적 결합 메커니즘을 이용한 정렬 부재는 예를 들어, 환형 격벽 부재(20)의 외측벽으로 장착된 하나 이상의 정렬 리브(85)와 이와 대응되어 기판 지지대(14)의 외주연으로 장착된 또 다른 하나 이상의 정렬 리브(87)로 구성될 수 있다. 쌍을 이루는 정렬 리브들(85, 87)은 마주 대향하는 종단에 극성이 상호 반대 위치된 정렬 자석(86, 88)이 장착되어 환형 격벽 부재(20)가 제1 위치(S1)에 위치될 때 상호 자기적으로 결합되어 환형 격벽 부재(20)가 피처리 기판(11)의 상부에 정확히 정렬되도록 함으로서 제1 및 제2 전극(42, 44)이 피처리 기판(11)의 가장 자리 영역을 사이에 두고 정확히 대치되도록 한다. 자기적 결합 메커니즘을 사용하는 경우에는 물리적 접촉이 없기 때문에 파티클 발생에 따른 반응기 몸체 내부의 오염을 방지할 수 있다.

도 10은 환형 격벽 부재의 정렬 상태를 판별하기 위한 격벽 정렬 감지부가 설치된 플라즈마 반응기의 평면도이다.

도 10을 참조하여, 플라즈마 반응기(10)는 환형 격벽 부재(20)가 제1 위치(S1)에 위치되는 경우 피처리 기판(11)의 가장 자리 영역에 바르게 정렬되었는가를 판별하기 위한 격벽 정렬 감지부(90)를 구비할 수 있다. 격벽 정렬 감지부(90)는 하나 이상의 발광부(91)와 하나 이상의 수광부(92)로 구성된다. 쌍을 이루는 발광부(91)와 수광부(92)는 챔버 하우징(12)을 사이에 두고 플라즈마 반응기(10)에 설치된다. 발광부(91)는 예를 들어, 레이저 빔을 발생하는 레이저 발생 원으로 구성할 수 있다. 챔버 하우징(12)은 한 쌍의 발광부(91)와 수광부(92) 사이의 정렬선에 위치되는 복수개의 투광 윈도우(17, 18)를 갖는다. 격벽 정렬 감지부(90)는 여러 쌍의 발광부(91)와 수광부(92)를 챔버 하우징(12)의 주변에 설치하여 환형 격벽 부재(20)의 정렬 상태를 감지해 낼 수 있다. 예를 들어, 환형 격벽 부재(20)의 횡방향과 종방향에 대한 정렬 상태를 감지하기 위하여 네 쌍의 발광부(91)와 수광부(92)를 교대적으로 그리고 수직으로 교차되도록 챔버 하우징(12)의 주변에 설치할 수 있다.

격벽 정렬 감지부(90)는 환형 격벽 부재(20)가 제1 위치(S1)에 위치되는 경우 다양한 위치에서 환형 격벽 부재(20)가 피처리 기판(11)의 가장 자리 영역에 바르게 정렬되었는가를 판별한다. 플라즈마 반응기(10)의 전반적인 제어를 수행하는 시스템 제어부(미도시)는 격벽 정렬 감지부(90)를 통해서 환형 격벽 부재(20)의 정렬 편차를 감지하는 경우 정렬 편차를 줄이도록 격벽 구동부(30)를 제어한다. 예를 들어, 환형 격벽 부재(20)는 다수개의 이동 축(34)에 의해 승강과 하강이 제어되는데 각각의 이동 축(34)을 각기 제어하면서 수평적 및/또는 수직적 정렬 편차를 보정할 수 있다.

환형 격벽 부재(20)의 정렬 편차는 에지 처리 공정에 있어서 여러 가지 문제점을 야기할 수 있다. 예를 들어, 피처리 기판(11)의 가장 자리 영역 이외에 중심 영역에 대한 식각을 유발할 수 있다. 또한 환형 플라즈마 발생기(40)에 의해 발생되는 플라즈마가 기판 가장 자리 영역을 따라 불균일하게 발생될 수 있어서 불균일한 식각 처리가 이루어질 수 있다. 이러한 문제점은 피처리 기판이 대형화 되는 경우에는 더욱 심화될 수 있다. 이러한 문제점들은 상술한 정렬 부재와 격벽 정렬 감지부(90)에 의해서 정렬 편차를 보정함으로서 해결될 수 있다.

도 11은 환형 플라즈마 발생기를 유도 결합 플라즈마 소스로 구성한 예를 보여주는 플라즈마 반응기의 단면도이다.

도 11을 참조하여, 플라즈마 반응기(10)는 유도 결합 플라즈마 소스를 사용한 환형 플라즈마 발생기(40a)를 구비할 수 있다. 예를 들어, 환형 플라즈마 발생기(40a)는 환형 격벽 부재(20)의 하단부에 나선형으로 설치되는 무선 주파수 안테나(46)를 포함한다. 무선 주파수 안테나(46)는 에지 처리 공정에서 임피던스 정합기(59)를 통하여 전원 공급원(58)로부터 무선 주파수를 공급 받아 구동되어 피처리 기판(11)의 가장 자리 영역을 따라서 환형 플라즈마 형성한다.

환형 플라즈마 발생기(40a)는 환형 격벽 부재(20)의 하단 외측에서 무선 주파수 안테나(46)를 커버하기 위한 안테나 커버 부재(48)를 포함할 수 있다. 안테나 커버 부재(48)의 하부는 환형의 절연판(49)에 의해서 밀폐되어 안테나 수용 영역을 형성한다. 안테나 커버 부재(48)와 환형의 절연판(49)에 의해 형성되는 안테나 수용 영역에 무선 주파수 안테나(46)가 설치된다. 환형 플라즈마의 발생 효율이 높아지도록 무선 주파수 안테나(46)는 코어 커버(47)에 의해 덥혀질 수 있다. 코어 커버(47)는 무선 주파수 안테나(46)를 따라서 덥혀지며 자속 출입구가 피처리 기판(11)의 가장 자리 영역을 향하도록 설치된다. 그럼으로 무선 주파수 안테나(46)에 의해 발생되는 자속은 코어 커버(47)에 의해 강하게 집속된다. 코어 커버(47)는 페라이트 재질로 제작되지만 다른 대안의 재료로 제작될 수 도 있다. 코 어 커버(294)는 말편자 형상의 페라이트 코어 조각들을 조립하여 구성할 수 있으며, 각 코어 조각들의 조립면에는 비자성 물질로 구성되는 절연 갭(미도시)을 설치할 수도 있다.

도 12는 환형 플라즈마 발생기를 기판 지지대에 구성한 예를 보여주는 플라즈마 반응기의 단면도이다.

도 12에 도시된 바와 같이, 환형 플라즈마 발생기(40a)는 기판 지지대(14)에 외주연에 설치될 수 있다. 이때, 환형 플라즈마 발생기(40a)와 기판 지지대(14) 사이에는 절연층(13)이 구비되며, 그 외측으로 무선 주파수 안테나(46)가 나선형으로 권선된다. 환형의 절연판(49)은 피처리 기판(11)의 가장 자리 영역을 향하도록 하여 설치되며, 코어 커버(47)도 자속 출입구가 피처리 기판(11)의 가장 자리 영역을 향하도록 하여 무선 주파수 안테나(36) 덮도록 설치된다.

도 13은 본 발명의 플라즈마 반응기를 구비한 기판 처리 시스템의 평면도이고, 도 14는 제2 기판 이송 장치의 기판 이송 동작을 보여주는 도면이다.

도 13을 참조하여, 본 발명의 기판 처리 시스템은 전방에는 다수개의 캐리어(110)가 적재되는 인덱스(100)가 구비되고 그 후방으로 로드락 챔버(200)가 구비된다. 로드락 챔버(200)의 후방으로 트랜스퍼 챔버(300)가 연결된다. 로드락 챔버(200)와 트랜스퍼 챔버(300) 사이에는 제1 기판 출입구(220)가 연결된다. 로드락 챔버(200)에는 인덱스(100)와 트랜스퍼 챔버(300) 사이에서 기판 이송을 담당하는 제1 기판 이송 장치(210)가 구비된다. 트랜스퍼 챔버(300)에는 하나 이상의 프로세스 모듈(400, 500)이 연결된다. 예를 들어, 트랜스퍼 챔버(300)의 양편으로 제1 및 제2 프로세스 모듈(400, 500)이 연결된다. 트랜스퍼 챔버(300)와 제1 및 제2 프로세스 모듈(400, 500) 사이에는 각기 제2 및 제3 기판 출입구(310, 320)가 구비된다. 제1 내지 제3 기판 출입구(220, 310, 320)는 출입구의 개폐를 담당하는 각각의 슬릿 밸브(미도시)가 구비된다. 트랜스퍼 챔버(300)에는 로드락 챔버(200)와 제1 및 제2 프로세스 모듈(400, 500) 사이에서 기판 이송을 담당하는 제2 기판 이송 장치(330)가 구비된다.

제1 및 제2 프로세스 모듈(400, 500)은 피처리 기판에 대한 기판 처리 공정과 에지 처리 공정이 실행되는 상술한 플라즈마 반응기를 포함한다. 특히, 제1 및 제2 프로세스 모듈(400, 500)은 각기 하나 이상의 기판 지지대(410, 510)가 구비되어 하나 이상의 피처리 기판을 동시에 처리할 수 있다. 예들 들어, 제1 및 제2 프로세스 모듈(400, 500)은 각기 세 개의 기판 지지대(410, 510)가 구비되고 각각의 기판 지지대(410, 510)의 상부에는 상술한 바와 같은 환형 격벽 부재(20)(도 1 참조)와 환형 플라즈마 발생기(40 or 40a) 그리고 메인 플라즈마 소스(60)가 각기 구비된다.

제1 및 제2 프로세스 모듈(400, 500)은 각기 세 개의 피처리 기판을 동시에 처리하기 위한 비독립적 처리 영역을 갖는다. 즉, 제1 및 제2 프로세스 모듈(400, 500)의 내부는 각기 세 개의 기판 지지대(410, 510)가 하나의 연속된 공간에 위치한다. 그러나 제1 및 제2 프로세스 모듈(400, 500)의 내부 공간을 각각의 기판 지지대(410, 510)에 대하여 독립된 처리 영역으로 분할 구성할 수도 있다. 이러한 경우 독립된 처리 영역에 대응하여 각기 환형 격벽 부재(20)와 환형 플라즈마 발생 기(40 or 40a) 그리고 메인 플라즈마 소스(60)가 독립된 처리 영역 내에 각기 구성된다.

제2 기판 이송 장치(330)는 하나 이상의 스핀들(331)과 이에 장착되는 하나 이상의 회전 플레이트 암(332)을 포함한다. 예를 들어, 여섯 개의 스핀들(331)이 구비될 수 있으며 이중 세 개는 제1 프로세스 모듈(400)로의 기판 이송을 담당하고 다른 세 개는 제2 프로세스 모듈(500)로의 기판 이송을 담당한다. 각각의 스핀들(331)에는 두 개의 회전 플레이트 암(332)이 장착될 수 있는데 그 중 하나는 로딩용이고 다른 하나는 언로딩용이다. 여섯 개의 스핀들(331)과 각각에 장착되는 두 개의 회전 플레이트 암(332) 들은 기판 이송 동작에서 상호 간섭이 발생되지 않도록 스핀들(331)의 설치 위치와 회전 플레이트 암(332)의 길이가 결정된다. 그리고 복수개의 회전 플레이트 암(332)들은 제1 기판 이송 장치(210)와의 기판 교환 동작에서 각각의 엔드 이펙터는, 도 13에 도시된 바와 같이, 수직적으로 동일한 위치에 정렬된다.

이와 같은 제2 기판 이송 장치(330)는, 도 14에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 프로세스 모듈(400, 550)로 기판을 이송하는 과정이 동시에 진행되기 때문에 고속의 기판 이송이 가능하다. 예를 들어, 한 번의 기판 교환 동작에서 처리된 여섯 장의 피처리 기판과 처리될 여섯 장의 피처리 기판을 동시에 교환 처리할 수 있다.

제1 및 제2 프로세스 모듈(400, 500)은 각기 기판 처리 공정과 에지 처리 공정을 순차적으로 실행할 수 있다. 또는 제1 프로세스 모듈(400)에서 기판 처리 공 정을 수행하고, 기판 처리 공정이 수행된 피처리 기판을 제2 프로세스 모듈(500)로 이송하여 에지 처리 공정을 실행하도록 할 수도 있다. 이러한 경우 제1 프로세스 모듈(400)은 메인 플라즈마 소스(60)만을 구비하고, 제2 프로세스 모듈(500)은 환형 격벽 부재(20)와 격벽 구동부(30) 그리고 환형 플라즈마 발생기(40 or 40a)가 구비된다.

이상에서 설명된 본 발명의 플라즈마 반응기 및 이를 구비한 기판 처리 시스템의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 반응기의 구성을 보여주는 단면도이다.

도 2는 도 1의 환형 격벽 부재와 기판 지지대의 사시도이다.

도 3은 하부 전극의 변형 구조를 보여주는 기판 지지대의 단면도이다.

도 4는 메인 플라즈마 소스에 의한 기판 처리 공정에서 환형 격벽 부재의 위치를 보여주는 플라즈마 반응기의 부분 단면도이다.

도 5는 환형 플라즈마 소스에 의한 에지 처리 공정에서 환형 격벽 부재의 위치를 보여주는 플라즈마 반응기의 부분 단면도이다.

도 6은 자기 기어를 이용한 동력 전달 방식을 갖는 격벽 구동부의 변형 예를 보여주는 부분 단면도이다.

도 7은 환형 격벽 부재를 기계적 결합 메커니즘으로 정렬하는 정렬 부재가 설치된 예를 보여주는 플라즈마 반응기의 부분 단면도이다.

도 8은 도 7에서 기판 지지대의 외주연에 구성된 결합 홈의 배치 구조를 보여주는 기판 지지대의 평면도이다.

도 9는 환형 격벽 부재를 자기적 결합 메커니즘으로 정렬하는 정렬 부재가 설치된 예를 보여주는 플라즈마 반응기의 부분 단면도이다.

도 10은 환형 격벽 부재의 정렬 상태를 판별하기 위한 격벽 정렬 감지부가 설치된 플라즈마 반응기의 평면도이다.

도 11은 환형 플라즈마 발생기를 유도 결합 플라즈마 소스로 구성한 예를 보 여주는 플라즈마 반응기의 단면도이다.

도 12는 환형 플라즈마 발생기를 기판 지지대에 구성한 예를 보여주는 플라즈마 반응기의 단면도이다.

도 13은 본 발명의 플라즈마 반응기를 구비한 기판 처리 시스템의 평면도이다.

도 14는 제2 기판 이송 장치의 기판 이송 동작을 보여주는 도면이다.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

S1: 제1 위치 S2: 제2 위치

10: 플라즈마 반응기 11: 피처리 기판

12: 챔버 하우징 13: 절연층

14: 기판 지지대 16: 가스 출구

17: 투광 윈도우 20: 환형 격벽 부재

22: 가스 분배로 23: 가스 배출로

24: 가스 분사공 30: 격벽 구동부

32: 랙 기어 33: 피니언

34: 이동 축 35: 가스 공급관

36: 선형 자석 조립체 37: 원형 자석 조립체

40, 40a: 환형 플라즈마 발생기 42: 제1 전극

44: 제2 전극 48: 안테나 커버 부재

47: 코어 커버 49: 환형 절연판

50: 전원 공급원 51: 전원 공급원

52: 임피던스 정합기 53: 임피던스 정합기

54: 바이어스 전원 공급원 55: 바이어스 전원 공급원

56: 임피던스 정합기 57: 스위칭 회로

60: 메인 플라즈마 소스 62: 가스 입구

70: 상부 공간 80: 정렬 리브

82: 리브 커넥터 84: 리브 결합 홈

85, 87: 정렬 리브 86, 88: 정렬 자석

90: 격벽 정렬 감지부 91: 발광부

92: 수광부 100: 인덱스

110: 케리어 200: 로드락 챔버

210: 제1 기판 이송 장치 220: 제1 기판 출입구

300: 트랜스퍼 챔버 310: 제2 기판 출입구

320: 제3 기판 출입구 330: 제2 기판 이송 장치

331: 스핀들 332: 회전 플레이트 암

400: 제1 프로세스 모듈 410: 기판 지지대

500: 제2 프로세스 모듈 510: 기판 지지대

Claims (19)

1. 피처리 기판이 놓이는 기판 지지대가 구비되는 챔버 하우징;

   상기 피처리 기판의 가장 자리 영역을 선택적으로 처리하기 위한 에지 처리 공정에서 상기 피처리 기판의 상부 공간을 격벽 내측 영역과 격벽 외측 영역으로 구분하도록 제1 위치에 정렬되는 환형 격벽 부재; 및

   상기 에지 처리 공정에서 상기 외측 영역에서 상기 피처리 기판의 가장 자리 영역을 따라 환형의 플라즈마를 발생하는 환형 플라즈마 발생기를 포함하되,

   상기 환형 격벽 부재가 상기 제1 위치에 위치될 때 결합되도록 상기 환형 격벽 부재와 상기 기판 지지대에 구비되는 정렬 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
2. 제1 항에 있어서,

   상기 환형 격벽 부재는 상기 에지 처리 정공 이외에는 상기 제1 위치에서 이동하여 제2 위치를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
3. 제2 항에 있어서,

   상기 환형 격벽 부재를 상기 제1 위치와 상기 제2 위치 사이에서 이동시키기 위한 격벽 구동부를 포함하고,

   상기 격벽 구동부는

   상기 환형 격벽 부재와 연결되는 이동 축과 상기 이동축으로 구동력을 제공하는 동력원 및 상기 동력원으로부터 발생된 동력을 이동축으로 전달하기 위한 동력 전달 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
4. 제3 항에 있어서,

   상기 동력 전달 부재는

   기계적 동력 전달 메커니즘 또는 자기적 동력 전달 메커니즘을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
5. 제1 항에 있어서,

   상기 환형 플라즈마 발생기는

   상기 피처리 기판의 가장 자리 영역을 사이에 두고 마주 대향하도록 상기 챔버 하우징의 내부에 설치되는 환형 구조의 제1 및 제2 전극을 포함하는 용량 결합 플라즈마 소스인 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
6. 제5 항에 있어서,

   상기 환형 격벽 부재는 제1 위치와 다른 제2 위치를 갖도록 이동 가능 하되,

   상기 제1 전극은 상기 환형 격벽 부재와 연동하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
7. 제1 항에 있어서,

   상기 환형 플라즈마 발생기는

   상기 피처리 기판의 가장 자리 영역에 환형 플라즈마를 유도하도록 상기 반응기 몸체의 내부에 설치되는 유도 안테나를 포함하는 유도 결합 플라즈마 소스인 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
8. 제7 항에 있어서,

   상기 유도 결합 플라즈마 소스는

   자속 출입구가 상기 피처리 기판을 지향하면서 상기 유도 안테나를 덮는 마그네틱 코어 커버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
9. 제1 항에 있어서,

   상기 피처리 기판의 중심 영역을 처리하기 위한 기판 처리 공정을 수행하기 위한 메인 플라즈마 소스를 포함하고,

   상기 메인 플라즈마 소스는 격벽 내측 영역에 위치하면서 상기 챔버 하우징의 상부에 설치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
10. 제9 항에 있어서,

    상기 메인 플라즈마 소스에 의해서 진행되는 기판 처리 공정은 에싱 공정, 증착 공정, 에칭 공정 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
11. 제1 항에 있어서,

    상기 환형 격벽 부재는

    상기 에지 처리 공정을 위한 제1 가스가 제공되는 제1 가스 공급 채널과

    상기 제1 가스를 상기 피처리 기판의 가장 자리 영역을 향하여 분사하는 다수개의 가스 분사공을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
12. 제11 항에 있어서,

    상기 환형 격벽 부재의 내측 영역으로 제2 가스를 공급하기 위한 제2 가스 공급 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
13. 삭제
14. 제1 항에 있어서,

    상기 정렬 부재는 기계적 결합 메커니즘 또는 자기적 결합 메커니즘을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
15. 제1 항에 있어서,

    상기 환형 격벽 부재가 상기 제1 위치에 위치되는 경우 상기 피처리 기판의 가장 자리 영역에 바르게 정렬되었는가를 판별하기 위한 격벽 정렬 감지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기.
16. 제1 항 내지 제12항, 제14항, 제15 항 중 어느 한 항의 플라즈마 반응기를 구비한 기판 처리 시스템에 있어서,

    하나 이상의 캐리어가 적재되는 인덱스;

    상기 인덱스의 후방으로 연결된 로드락 챔버;

    상기 로드락 챔버에 연결된 트랜스퍼 챔버;

    상기 트랜스퍼 챔버에 연결되며 상기 플라즈마 반응기를 포함하는 하나 이상의 프로세스 모듈;

    상기 로드락 챔버에 구비되어 상기 인덱스와 상기 트랜스퍼 챔버 사이에서 피처리 기판의 이송을 담당하는 제1 기판 이송 장치; 및

    상기 트랜스퍼 챔버에 구비되어 상기 로드락 챔버와 상기 하나 이상의 프로세스 모듈 사이에서 피처리 기판의 이송을 담당하는 제2 기판 이송 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
17. 제16 항에 있어서,

    상기 제2 기판 이송 장치는 하나 이상의 스핀들과 상기 하나 이상의 스핀들에 각기 장착되는 하나 이상의 회전 플레이트 암을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
18. 제16 항에 있어서,

    상기 프로세스 모듈은 하나의 피처리 기판을 독립적으로 처리하기 위한 하나 이상의 독립된 처리 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
19. 제16 항에 있어서,

    상기 프로세스 모듈은 둘 이상의 피처리 기판을 처리하기 위한 비독립적 처리 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.

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