KR101483753B1 - 액정 토출장치 및 그 제어방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 순차로 서로 다른 전압의 펄스를 노즐로 인가하여 노즐에서 토출되는 액정을 균일하게 성장시키며, 액정과 상이한 전하로 대전된 기판으로 성장된 액정이 전기적으로 견인되어 토출되도록 하는 액정 토출장치 및 방법을 제안한다. 이를 위해 본 발명은 제1전하로 대전되는 기판을 향해 액정토출을 위한 노즐을 구비하는 액정 토출장치의 제어방법에 관한 것으로서, 노즐의 토출구에 액정이 맺히도록 노즐에 제1펄스를 인가하고, 액정을 제2전하로 대전하는 단계, 노즐에 제2펄스를 인가하여 액정을 성장시키는 단계, 액정이 미리 설정된 기준질량이 되는 시간에 도달할 때, 노즐에 제3펄스를 인가하여 액정의 성장을 중단하는 단계 및 기판과 액정 사이의 전기적인 인력을 이용하여 성장된 액정을 기판으로 토출하는 단계를 포함할 수 있다.

Description

액정 토출장치 및 그 제어방법{Liquid crystal dispensing device and control method using the same}
본 발명은 액정 토출장치 및 그 제어방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 노즐과 기판에 서로 상이한 전하로 대전하되, 노즐에는 펄스를 인가하여 대전시킴으로써 액정을 일정한 크기로 성형하는 액정 토출장치 및 그 제어방법에 관한 것이다.
휴대단말기, 휴대형 컴퓨팅 디바이스 및 기타 디스플레이장치를 구비하는 전자장치에 액정 표시장치가 널리 이용되고 있다.
액정 표시장치는 블랙 매트릭스, 컬러 필터, 공통전극 및 배향막이 마련되는 컬러 필터 기판과, 박막 트랜지스터(TFT : Thin Film Transistor), 화소 전극 및 배향막이 마련되는 어레이 기판 사이에 액정층을 형성하며, 액정의 이방성에 따른 빛의 굴절율 차이를 이용하여 이미지를 표현하고 있다.
컬러 필터 기판과 어레이 기판 사이에 형성되는 액정층을 형성하는 방법은 크게 두 가지로 나뉜다.
컬러 필터 기판과 어레이 기판을 이격한 상태에서 실링 후, 이격된 공간에 액정을 주입하는 액정 주입방법과, 컬러 필터 기판이나 어레이 기판에 액정을 토출하는 액정 적하방법이 있다. 액정 적하방법은 컬러 필터 기판이나 어레이 기판에 액정이 토출된 후, 액정이 기판에서 균일하게 퍼지도록 가압하며, 자외선(UV) 또는 열에 의해 경화처리되고 있다.
한편, 액정 적하방법에 따라 컬러 필터 기판이나 어레이 기판에 액정을 토출할 때, 토출되는 액정의 크기가 균일한 것이 요구된다. 그러나, 액정 적하방법에 의해 기판에 토출되는 액정의 크기가 통상 수 mg 내지 수십 mg에 불과하며, 액정이 갖는 점성에 의해 노즐에서 컬러 필터 기판이나 어레이 기판으로 토출되는 액정의 량을 균일하게 유지하기 곤란한 문제가 있다.
이에 대해 공개특허 10-2005-0121937에서는 토출되는 액정의 부피를 비 접촉식 측정방법에 따라 측정하고, 측정된 부피에 따라 추후 토출되는 액정의 부피를 제어하는 액정 토출장치를 제안한 바 있다. 공개특허 10-2005-0121937는 비접촉식 센서를 이용하여 기판에 토출되는 액정의 부피는 어느 정도 일정하게 유지할 수 있으나, 노즐에서 토출되는 액정이 기판을 향해 정확하게 낙하하도록 유도하는 것은 아니며, 액정의 부피가 기준을 초과하면 다음번 토출되는 액정의 크기를 감소시키는 피드백 방식의 부피 제어 방식이므로, 토출되는 액정이 모두 균일하다고 보기 어려울 수 있다.
본 발명의 목적은 균일한 크기와 질량을 갖는 액정을 성형하여 기판으로 토출하는 액정 토출장치 및 그 제어방법을 제공함에 있다.
상기한 목적은 본 발명에 따라 제1전하로 대전되는 기판을 향해 액정토출을 위한 노즐을 구비하는 액정 토출장치의 제어방법에 있어서, 상기 노즐의 토출구에 액정이 맺히도록 상기 노즐에 제1펄스를 인가하고, 상기 액정을 제2전하로 대전하는 단계, 상기 노즐에 제2펄스를 인가하여 상기 액정을 성장시키는 단계, 상기 액정이 미리 설정된 기준질량이 되는 시간에 도달할 때, 상기 노즐에 제3펄스를 인가하여 상기 액정의 성장을 중단하는 단계 및 상기 기판과 상기 액정 사이의 전기적인 인력을 이용하여 상기 성장된 액정을 상기 기판으로 토출하는 단계에 의해 달성된다.
상기한 목적은 본 발명에 따라, 액정 토출장치에 있어서, 제1전하로 대전된 기판으로 액정(Liquid Crystal)을 토출하기 위한 적어도 하나의 노즐을 구비하는 노즐부 및 상기 노즐에 전압이 순차 상승하는 제1펄스 및 제2펄스를 순차로 인가하여 상기 각 노즐의 토출구에 제2전하로 대전된 액정이 맺히도록 한 후, 미리 설정된 기준질량까지 성장하도록 제어하며, 상기 제2펄스에 이어 제3펄스를 인가하여 상기 액정에 대한 성장을 중단하고, 상기 제1전하로 대전된 기판이 상기 제2전하로 대전된 액정을 견인하도록 하여 상기 액정이 상기 기판으로 토출되도록 제어하는 토출 제어부에 의해 달성된다.
본 발명에 따르면 노즐로 순차로 서로 다른 전압의 펄스를 인가하여 노즐에서 토출되는 액정을 균일하게 성형하며, 성장된 액정이 전기적인 인력을 이용하여 기판을 향해 균일하게 토출되도록 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 토출장치를 구비하는 액정 도포장치의 사시도를 도시한다.
도 2는 도 1에 도시된 액정 토출장치에 대한 작동 개념도를 도시한다.
도 3은 토출 제어부의 일 실시예에 따른 블록개념도를 도시한다.
도 4 내지 도 6은 제1펄스 내지 제3펄스에 의해 노즐에서 액정이 토출되는 과정에 대한 참조도면을 도시한다.
도 7은 노즐에 인가되는 펄스의 일 예에 대한 참조도면을 도시한다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 토출장치 제어방법에 대한 흐름도를 도시한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 토출장치를 구비하는 액정 도포장치의 사시도를 도시하고, 도 2는 액정 토출장치에 대한 작동 개념도를 도시한다.
도 1과 도 2를 함께 참조하여 설명하면, 실시예에 따른 액정 토출장치는, 기판 이송부(50), 갠트리(52), 갠트리(52)에 내장되는 노즐부(100), 액정 정렬패널(120), 토출 제어부(130) 및 레일(51)을 포함하여 구성될 수 있다. 갠트리(52)는 노즐부(100) 및 토출 제어부(130)를 수납하며, 노즐부(100)의 일 영역은 레일 이송부(50)를 향해 노출될 수 있다. 노즐부(100)는 레일(51) 상을 이동하는 갠트리(52)를 따라 D3 방향 또는 D3' 방향으로 이동할 수 있다.
노즐부(100)와 기판(10) 사이에는 액정 정렬패널(120)이 마련될 수 있다. 액정 정렬패널(120)은 액정 통과를 위한 복수의 관통 홀(121)을 구비하며, 관통 홀(121)은 노즐부(100)에서 토출되는 액정의 직경보다는 더 크게 형성되어야 한다.
액정 정렬패널(120)은 금속, 합금 및 플라스틱 중 하나로 형성될 수 있는데, 노즐부(100)와 별개로 형성되거나, 노즐부(100)와 이웃하게 배치되거나 또는 노즐부(100)와 일체로 형성되어 갠트리(52)에 함께 수납될 수도 있다. 액정 정렬패널(120)은 노즐부(100)에서 토출되는 액정이 기판(10)상 정해진 위치로 토출되도록 한다. 도 1에는 액정 정렬패널(120)이 노즐부(100)와 이웃하게 배치되며, 갠트리(52)에 수납되는 구조를 예시하고 있다. 그러나, 전술한 바와 같이, 액정 정렬패널(120)은 갠트리(52)에서 돌출되어 배치될 수도 있다. 다만 한정하지는 않는다.
토출 제어부(130)는 고압의 펄스를 생성하고, 생성된 펄스를 노즐부(100)를 구성하는 각 노즐(100a ∼ 100n)로 인가한다. 토출 제어부(130)는 서로 다른 전압을 갖는 펄스를 생성하고 생성된 펄스를 노즐부(100)에 순차로 인가할 수 있다.
예컨대, 토출 제어부(130)는 각각 제1전압, 제2전압 및 제3전압을 갖는 제1펄스, 제2펄스 및 제3펄스를 노즐부(100)에 마련되는 각 노즐(100a 내지 100n)에 순차로 인가하고, 전압의 크기가 각각 제3전압 < 제1전압 < 제2전압 이며, 제3전압은 제로(0) 전압이라고 가정하면,
먼저, 제1펄스를 노즐(100a 내지 100n)에 인가하여 노즐(100a ∼ 100n)의 토출구에 액정이 맺히도록 한다. 제1전압은 1000V 내지 2000V일 수 있으며, 제1전압에 의해 액정은 노즐(100a ∼ 100n)에서 토출되지는 않으면서, 노즐(100a ∼ 100n)의 토출구에 구슬 형상으로 맺힐 수 있다. 이 상태에서 제2펄스를 노즐(100a ∼ 100n)에 인가하면, 노즐(100a ∼ 100n)에 맺힌 액정은 크기가 증가하면서 성장하게 된다. 제2펄스의 듀티비가 증가할수록 이에 비례하여 액정이 성장할 수 있으며, 노즐(100a ∼ 100n)의 토출구에서 성장되는 액정의 크기는 1mg 내지 100mg일 수 있다. 여기서, 제2펄스는 2000V 내지 5000V일 수 있다.
노즐(100a ∼ 100n)은 제1펄스 내지 제3펄스에 의해 양(+) 전하로 대전되며, 노즐(100a ∼ 100n) 내부에 수납되는 액정은 노즐(100a ∼ 100n)에 의해 양(+) 전하로 대전될 수 있다. 이때, 기판(10) 또는 기판(10)을 지지하는 지지대(1)는 음(-) 전하로 대전 상태를 유지할 수 있는데, 이를 통해 노즐(100a ∼ 100n)의 토출구에서 성장된 액정이 기판(10)을 향해 토출되도록 할 수 있다.
노즐(100a ∼ 100n)에서 액정이 성장되면, 성장된 액정이 기판(10)을 향해 토출되는데, 노즐(100a ∼ 100n)에 제2펄스가 가해지는 상태일 때, 액정이 지속적으로 성장하므로, 액정은 성장 한계를 넘을 때, 일부를 기판(10)으로 누출시킬 수 있다. 이렇게 누출되는 누출 액정은 일정한 크기나 형상 또는 질량을 유지하지 못하고, 액정 토출장비에서 설정한 시간에 토출되는 것도 아니다. 따라서, 누출 액정은 최소화해야 할 필요가 있는데, 이를 위해, 노즐(100a ∼ 100n)에는 제2펄스에 이어 제3펄스를 인가할 수 있다.
제3펄스는 제로 전압의 펄스로서, 노즐(100a ∼ 100n)에서 성장되는 액정이 더 이상 성장하지 않도록 한다. 제3펄스가 노즐(100a ∼ 100n)에 인가되면, 액정은 성장을 멈추고, 제1펄스 및 제2펄스에 의해 양(+) 전하로 대전된 상태를 유지할 수 있다. 기판(10) 또는 지지대(1)는 음(-) 전하로 대전된 상태이므로, 기판(10)(또는 지지대(1))은 토출 가능한 크기로 성장한 액정을 견인할 수 있다.
성장된 액정은 제3펄스가 인가된 상태에서 기판(10)을 향해 토출되고, 토출 제어부(130)는 노즐(100a ∼ 100n)로 재차 제1펄스, 제2펄스 및 제3펄스를 순차 인가하여 액정 토출을 반복할 수 있다.
도 1에서 레일(51)을 따라 D3 또는 D3' 방향으로 이동하는 갠트리(52)의 내부에는 노즐(100a ∼ 100n)이 기판(10) 방향으로 노출되어 기판(10)을 향해 액정을 토출하도록 배치된다. 갠트리(52) 내부에는 노즐(100a ∼ 100n)로 제1펄스 내지 제3펄스를 인가하기 위한 토출 제어부(130)가 내장될 수 있는데, 토출 제어부(130)는 직류(DC) 전압을 고압으로 승압하는 승압부와 승압된 전압을 제어하여 제1펄스 및 제2펄스를 생성하도록 하는 펄스 제어부를 포함할 수 있다. 토출 제어부(130)는 도 3을 함께 참조하여 설명하도록 한다.
도 3은 토출 제어부(130)의 일 실시예에 따른 블록개념도를 도시한다.
도 3을 참조하면, 토출 제어부(130)는 승압부(131) 및 펄스 제어부(132)를 포함하여 구성될 수 있다.
승압부(131)는 직류 전압(DC-IN)을 이용하여 고 전압을 생성한다. 직류를 이용하여 고압의 직류를 생성하기 방법은,
1) 직류(DC-IN) - 고압의 교류 - 고압의 직류로 변환하는 방법,
2) 직류(DC-IN) - 커패시터를 이용한 N 배압 회로(여기서, N은 자연수)를 이용하여 전류 값은 작고 전압은 높은 고압의 직류를 생성할 수 있다.
승압부(131)는 직류(DC-IN)를 입력으로 하여 고압의 직류를 생성 후, 생성된 고압의 직류를 펄스 전압으로 변환하여 노즐부(100)를 구성하는 각 노즐(100a ∼ 100n)로 고압의 펄스를 제공할 수 있다. 이때, 승압부(131)에서 출력되는 펄스 전압의 듀티비와 진폭(전압)은 펄스 제어부(132)에 의해 설정될 수 있다. 펄스 제어부(132)는 각각 제1전압, 제2전압 및 제3전압을 갖는 제1펄스, 제2펄스 및 제3펄스가 순차 생성되도록 승압부(131)의 펄스 출력 순서를 제어하며, 승압부(131)에서 각 노즐(100a ∼ 100n)로 출력되는 펄스(제1펄스 내지 제3펄스)의 전압과 듀티비 정보를 피드백 받아(Feedback) 승압부(131)에서 각 노즐(100a ∼ 100n)로 출력되는 펄스(Out 1 ∼ Out n)의 전압과 듀티비를 변경하기 위한 제어신호(ctrl-nozzle)를 생성하고, 이를 승압부(131)로 제공할 수 있다.
도 4 내지 도 6은 제1펄스 내지 제3펄스에 의해 노즐에서 액정이 토출되는 과정에 대한 참조도면을 도시한다. 도 4 내지 도 6을 함께 참조하여 설명하도록 한다.
먼저, 도 4를 참조하면, 노즐(Nozzle)에는 1000V 내지 2000V의 제1펄스가 인가된다. 제1펄스(P1)는 노즐(Nozzle)에 인가되어 노즐(Nozzle)에서 액정이 토출되도록 하며, 이때, 노즐(Nozzle), 및 노즐(Nozzle)에 내장되는 액정은 양(+) 전하로 대전된다.
제1펄스(P1)는 제2펄스(P2)에 비해 비교적 저전압이며, 노즐(Nozzle)에 수납되는 액정은 노즐(Nozzle)의 토출구에 구슬 형태로 맺힐 수 있다. 그러나, 이 상태에서 액정은 충분한 질량을 가질만큼 성장되지는 않으므로 기판을 향해 토출되지는 않는다.
다음으로, 도 5를 참조하면, 노즐(Nozzle)에는 제1펄스(P1)에 비해 고압인 제2펄스(P2)가 인가된다. 제2펄스(P2)는 2000V 내지 5000V의 전압 범위를 가질 수 있다. 제2펄스(P2)는 제1펄스(P1)에 이어서 노즐(Nozzle)에 인가되며, 노즐(Nozzle)은 이때부터 액정을 성장시키게 된다.
한편, 노즐(Nozzle)에 제2펄스가 인가되면, 제2펄스가 고전압(2000V 내지 5000V)을 유지하는 동안 액정이 성장하는 과정에서 성장 한계를 넘을 수 있으며, 이때, 액정에서 분리되어 기판 방향으로 누출되는 누출 액정이 발생할 수 있다.
도 5에서 참조부호 "ODT 1"이 성장중인 성장 액정을 나타내고, 참조부호 "DOT 2"가 누출 액정을 나타낸다. 도 5에서, 액정이 성장 한계를 넘는 경우 발생하는 누출 액정은 제2펄스(P2)가 지속적으로 노즐(Nozzle)에 인가될 때 발생할 수 있다. 즉, 제2펄스(P2)를 기준시간(예컨대 수 ms 내지 수십 ms) 동안만 인가하는 경우 누출 액정은 발생하지 않을 수 있는 것이다. 이를 위해, 노즐(Nozzle)에는 제3펄스(P3)을 인가하는데, 여기서, 제3펄스(P3)은 제로 전압의 펄스를 의미한다.
제로 전압의 펄스인 제3펄스(P3)는 노즐(Nozzle)의 토출구에서 액정이 성장하지 않도록 한다. 제3펄스가 인가되는 경우, 도 6에 도시된 바와 같이 노즐(Nozzle)의 토출구에서 성장하던 액정은 성장을 멈추며, 성장이 멈춘 액정은 노즐(Nozzle)에 가해지는 펄스(제1펄스 내지 제3펄스)에 의해 양(+) 전하로 대전된 상태이다. 이 상태에서, 기판(10) 또는 지지대(1)에 대전된 음(-) 전하에 의해 성장된 액정은 기판(10)을 향해 토출될 수 있다. 이때, 노즐(Nozzle)에서 기판(10)을 향해 토출되는 액정은 전기적인 인력에 의해 토출되는 것으로, 노즐(Nozzle)에 압력을 가하지 않은 상태에서 토출되므로 깨끗한 방울 형태로 성형되어 기판(10)으로 토출될 수 있다.
도 7은 노즐에 인가되는 펄스의 일 예에 대한 참조도면을 도시한다.
도 7을 참조하면, 노즐에 인가되는 펄스는, 제1펄스(P1), 제2펄스(P2), 및 제3펄스(P3)의 순서이며, 제펄스(P1)는 제2펄스(P2) 보다는 전압(VP)이 작고, 제3펄스(P3) 보다는 큰 값을 가질 수 있다. 제1펄스(P1)는 1000V 내지 2000V의 전압 범위를 가질 수 있고, 제2펄스(P2)는 2000V 내지 5000V의 전압 범위를 가지는 반면, 제3펄스(P2)는 제로 전압(0V)일 수 있다. 제3펄스(P3)는 제2펄스(P2)에 의해 성장한 액정을 기판(10)으로 토출하기 위해 인가되는 펄스에 해당한다.
도 7에서, 제1펄스, 제2펄스 및 제3펄스는 노즐로 연속하게 인가되는 것을 예시하고 있다. 그러나, 도 7은 펄스의 일 예를 도시한 것일 뿐, 도시된 형태로 제1펄스 내지 제3펄스가 노즐로 인가되어야 하는 것은 아니다.
제1펄스(P1)와 제2펄스(P2) 사이 및 제2펄스(P2)와 제3펄스(P3) 사이에 시간 텀이 주어질 수도 있으며, 제1펄스(P1)와 제2펄스(P2) 또는 제2펄스(P2)와 제3펄스(P3) 사이에 중 어느 일 측에만 시간 텀이 주어질 수도 있는 것이다. 다만 한정하지는 않는다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 토출장치 제어방법에 대한 흐름도를 도시한다. 도 8에 대한 설명은 도 1 내지 도 7에 대한 도면과 설명을 함께 참조할 수 있다.
도 8을 참조하면, 먼저, 토출 제어부(130)는 제1펄스(P1)를 노즐(100a ∼ 100n)에 인가하여(S301), 노즐(100a ∼ 100n)의 토출구에 액정이 맺히도록 한다. 이때, 노즐(100a ∼ 100n)에 인가되는 제1펄스는 1000V 내지 2000V일 수 있으며, 제1펄스(P1)에 의해 노즐(100a ∼ 100n) 및 노즐(100a ∼ 100n)에 수납되는 액정은 양(+) 전하로 대전된다.
다음으로, 토출 제어부(130)는 노즐(100a ∼ 100n)에 제2펄스(P2)를 인가하여(S302) 노즐(100a ∼ 100n)에 맺힌 액정을 성장시킨다. 노즐(100a ∼ 100n)은 중심부에 토출구를 향하는 파이프 형상의 유로가 마련될 수 있는데, 유로를 통해 액정이 주입되고, 주입된 액정은 제2펄스에 의해 토출구로 향할 수 있다. 이때, 노즐(100a ∼ 100n)은 제2펄스(P2)에 의해 양(+) 전하로 대전된다.
다음으로, 토출 제어부(130)는 미리 설정된 시간(수ms 내지 수백 ms) 동안 제2펄스(P2)가 노즐(100a ∼ 100n)로 인가되도록 함으로써, 노즐(100a ∼ 100n)의 토출구에서 성장되는 액정이 기준질량(수 mg 내지 수백 mg)에 이르도록 한다.
토출 제어부(130)는 시간 대비 노즐(100a ∼ 100n)의 토출구에서 성장되는 액정의 질량(또는 부피)에 대한 액정 데이터를 구비할 수 있으며, 액정 데이터를 이용하여 액정이 필요한 질량(또는 부피)가 되도록 제2펄스(P2)를 노즐(100a ∼ 100n)에 인가할 수 있다. 토출 제어부(130)는 액정 테이블을 참조하여 노즐(100a ∼ 100n)의 토출구에서 성장되는 액정이 기준질량으로 성장하는데 필요한 시간인가를 판단하며, 판단결과 기준질량을 충족할 시간이 되면 제3펄스(P3)를 노즐(100a ∼ 100n)에 인가할 수 있다(S304).
제3펄스(P3)가 인가되면, 노즐(100a ∼ 100n)의 토출구에서 성장하던 액정은 성장을 멈추게된다. 성장을 중단한 액정은 양(+) 전하로 대전되어 있는 상태이고, 기판(10)(또는 지지대(1))은 음(-) 전하로 대전된 상태이므로, 충분히 성장된 액정은 기판(10)(또는 지지대(1))를 향해 전기적으로 견인되어 토출된다(S305).
P1 : 제1펄스 P2 : 제2펄스
P3 : 제3펄스 10 : 기판
100a ∼ 100n : 노즐

Claims (11)

  1. 제1전하로 대전되는 기판을 향해 액정토출을 위한 노즐을 구비하는 액정 토출장치의 제어방법에 있어서,
    상기 노즐의 토출구에 액정이 맺히도록 상기 노즐에 제1펄스를 인가하고, 상기 액정을 제2전하로 대전하는 단계;
    상기 노즐에 제2펄스를 인가하여 상기 액정을 성장시키는 단계;
    상기 액정이 미리 설정된 기준질량이 되는 시간에 도달할 때, 상기 노즐에 제3펄스를 인가하여 상기 액정의 성장을 중단하는 단계; 및
    상기 기판과 상기 액정 사이의 전기적인 인력을 이용하여 상기 성장된 액정을 상기 기판으로 토출하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 토출장치 제어방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1펄스의 전압은,
    상기 제3펄스의 전압보다는 크고 상기 제2펄스의 전압보다는 작은 것을 특징으로 하는 액정 토출장치 제어방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제3펄스는,
    제로(0) 전압인 것을 특징으로 하는 액정 토출장치 제어방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 액정은,
    상기 제2전하로 대전되며,
    상기 제1전하로 대전된 기판을 향해 전기적으로 견인되어 상기 기판으로 토출되는 것을 특징으로 하는 액정 토출장치 제어방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 성장시키는 단계는,
    상기 액정의 질량이 1mg 내지 100mg이 되도록 성형하는 단계인 것을 특징으로 하는 액정 토출장치 제어방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1펄스 및 상기 제2펄스는,
    상기 액정을 제2전하로 대전하는 것을 특징으로 하는 액정 토출장치 제어방법.
  7. 액정 토출장치에 있어서,
    제1전하로 대전된 기판으로 액정(Liquid Crystal)을 토출하기 위한 적어도 하나의 노즐을 구비하는 노즐부; 및
    상기 노즐에 전압이 순차 상승하는 제1펄스 및 제2펄스를 순차로 인가하여 상기 노즐의 토출구에 제2전하로 대전된 액정이 맺히도록 한 후, 미리 설정된 기준질량까지 성장하도록 제어하며,
    상기 제2펄스에 이어 제3펄스를 인가하여 상기 액정에 대한 성장을 중단하고, 상기 제1전하로 대전된 기판이 상기 제2전하로 대전된 액정을 견인하도록 하여 상기 액정이 상기 기판으로 토출되도록 제어하는 토출 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 토출장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 토출 제어부는,
    직류 전압을 미리 설정된 기준 전압까지 승압하는 승압부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 토출장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 기준질량은,
    1mg 내지 100mg인 것을 특징으로 하는 액정 토출장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 제1펄스의 전압은,
    상기 제3펄스의 전압보다는 크고 상기 제2펄스의 전압보다는 작은 것을 특징으로 하는 액정 토출장치.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 제3펄스는,
    제로(0) 전압인 것을 특징으로 하는 액정 토출장치.
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