KR101466154B1 - Method of controling wafer transfer robot - Google Patents

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Abstract

웨이퍼 이송 로봇의 제어 방법에 있어서, 웨이퍼 이송 로봇의 로봇암을 기준 티칭 위치보다 제1 방향으로 일정 간격 이격된 제1 위치까지 상기 제1 방향으로 이동한다. 상기 로봇암을 상기 제1 위치로부터 상기 기준 티칭 위치로 이동한다. 이에 따라, 상기 로봇암에 수납된 웨이퍼의 위치를, 변형의 크기가 매우 작은 상기 로봇암의 몸체부쪽으로 치우치게 함으로써, 상기 로봇암의 변형이 상기 웨이퍼의 위치에 미치는 영향을 최소화할 수 있다.In the control method for the wafer transfer robot, the robot arm of the wafer transfer robot moves in the first direction to a first position spaced apart from the reference teaching position by a predetermined distance in the first direction. And moves the robot arm from the first position to the reference teaching position. Accordingly, the influence of the deformation of the robot arm on the position of the wafer can be minimized by biasing the position of the wafer received in the robot arm toward the body portion of the robot arm having a very small deformation size.

Description

웨이퍼 이송 로봇의 제어 방법{METHOD OF CONTROLING WAFER TRANSFER ROBOT}METHOD OF CONTROLLING WAFER TRANSFER ROBOT [0002]

본 발명은 웨이퍼 이송 로봇의 제어 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼의 위치 재현성을 높일 수 있는 웨이퍼 이송 로봇의 제어 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a control method for a wafer transfer robot, and more particularly, to a control method for a wafer transfer robot capable of improving positional reproducibility of a wafer.

일반적으로 반도체 장치와 같은 집적 회로 소자들은 기판으로서 사용되는 반도체 웨이퍼에 대하여 일련의 단위 공정들을 반복적으로 수행함으로써 제조될 수 있다. 예를 들면, 상기 웨이퍼 상에는 증착, 포토리소그래피, 식각, 세정, 건조 등의 단위 공정들을 수행함으로써 상기 집적 회로 소자들을 구성하는 전기적인 회로 패턴들이 형성될 수 있다. In general, integrated circuit elements such as semiconductor devices can be manufactured by repeatedly performing a series of unit processes on a semiconductor wafer used as a substrate. For example, electrical circuit patterns constituting the integrated circuit elements can be formed on the wafer by performing unit processes such as deposition, photolithography, etching, cleaning, and drying.

상기 공정들은 웨이퍼 처리 장치에 의해서 수행되며, 상기 웨이퍼 처리 장치에는 웨이퍼 이송 로봇이 배치된다. 상기 웨이퍼 이송 로봇은 로봇암을 이용하여 웨이퍼를 이송하며, 상기 로봇암은 일반적으로 상기 로봇암의 몸체를 이루는 메인 몸체부 및 웨이퍼를 파지하는 집게부로 구성된다. The processes are performed by a wafer processing apparatus, and the wafer transfer robot is disposed in the wafer processing apparatus. The wafer transfer robot transfers a wafer using a robot arm. The robot arm is generally composed of a main body constituting the body of the robot arm and a gripper holding the wafer.

상기 로봇암은 상기 공정들을 수행하는 과정에서 고온의 환경에 노출되고, 따라서 상기 고온에 의한 변형이 생기게 된다. 특히, 상기 로봇암의 집게부는 일측이 개방된 구조로 이루어지고 상기 메인 몸체부에 비해서 상대적으로 얇은 형상을 가지게 되는바, 상기 로봇암은 상기 메인 몸체부에 비해 상기 집게부쪽에서 변형이 더욱 크게 이루어진다. 일반적으로, 상기 로봇암은 상기 집게부가 앞으로 향하는 방향으로 이동하게 되는바, 상기 로봇암에 파지된 웨이퍼는 상기 로봇암의 정지시에 관성에 의해 상기 집게부측으로 치우쳐지게 된다. 따라서, 상기 웨이퍼의 위치는 상기 로봇암의 변형에 영향을 받게 되고, 이로 인해, 기준 티칭 위치에서 정확한 위치 재현성을 유지하지 못하는 문제점이 발생한다. The robot arm is exposed to a high temperature environment in the process of performing the above processes, and therefore, the robot arm is deformed due to the high temperature. Particularly, the grip portion of the robot arm has a structure in which one side is opened and has a relatively thin shape compared to the main body portion, and the robot arm is more deformed at the grip portion side than the main body portion . Generally, the robot arm is moved in a direction toward the front of the robot arm, and the wafer held by the robot arm is biased toward the robot arm by inertia when the robot arm is stopped. Therefore, the position of the wafer is affected by the deformation of the robot arm, thereby causing a problem that accurate position reproducibility can not be maintained at the reference teaching position.

이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 웨이퍼의 위치를 조절하여 상기 웨이퍼의 위치 재현성을 높일 수 있는 웨이퍼 이송 로봇의 제어 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a control method of a wafer transfer robot capable of improving the positional reproducibility of the wafer by adjusting the position of the wafer.

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 일 실시예에 따른 기판 이송 로봇의 티칭 방법에 있어서, 웨이퍼 이송 로봇의 로봇암을 기준 티칭 위치보다 제1 방향으로 일정 간격 이격된 제1 위치까지 상기 제1 방향으로 이동한다. 상기 로봇암을 상기 제1 위치로부터 상기 기준 티칭 위치로 이동한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of teaching a substrate transfer robot according to an embodiment of the present invention, the robot arm of the wafer transfer robot is moved from a reference teaching position to a first position spaced apart from a reference teaching position by a predetermined distance, Direction. And moves the robot arm from the first position to the reference teaching position.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 로봇암을 상기 제1 위치로부터 상기 기준 티칭 위치로 이동하는 단계는 상기 로봇암을 상기 제1 위치로부터 상기 기준 티칭 위치보다 상기 제1 방향에 반대하는 제2 방향으로 일정 간격 이격된 제2 위치까지 상기 제2 방향으로 이동하고, 상기 로봇암을 상기 제2 위치로부터 상기 기준 티칭 위치로 이동할 수 있다. 상기 로봇암이 상기 제2 위치로부터 상기 기준 티칭 위치로 이동하는 제3 속도는 상기 로봇암이 상기 제1 위치까지 이동하는 제1 속도 및 상기 로봇암이 상기 제1 위치로부터 상기 제2 위치까지 이동하는 제2 속도보다 상대적으로 느릴 수 있다. In one embodiment of the present invention, the step of moving the robot arm from the first position to the reference teaching position includes moving the robot arm from the first position to the second teaching position opposite the first teaching position, And moves the robot arm from the second position to the reference teaching position. The robot arm may be moved from the second position to the reference teaching position. Wherein a third speed at which the robot arm moves from the second position to the reference teaching position is a first speed at which the robot arm moves to the first position and a second speed at which the robot arm moves from the first position to the second position Lt; RTI ID = 0.0 > speed. ≪ / RTI >

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 로봇암에 수납된 웨이퍼의 위치를, 변형의 크기가 매우 작은 상기 로봇암의 몸체부쪽으로 치우치게 함으로써, 고온 환경에 의한 상기 로봇암의 변형이 상기 웨이퍼의 위치에 미치는 영향을 최소화할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, the position of the wafer housed in the robot arm is biased toward the body portion of the robot arm having a very small deformation amount, so that the deformation of the robot arm due to the high- Can be minimized.

또한, 상기 로봇암이 공정 설비 내의 한정된 공간 내에서 다른 장치 및 구성 요소들과 간섭되지 않도록 함으로써, 전체적인 공간을 효율적으로 활용하면서도 동시에 상기 웨이퍼의 위치 재현성을 높일 수 있다.In addition, by preventing the robot arm from interfering with other devices and components within a limited space within the process facility, it is possible to improve the position reproducibility of the wafer at the same time while efficiently utilizing the entire space.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 이송 로봇의 제어 방법을 설명하기 위해 웨이퍼 이송 로봇의 로봇암을 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 로봇암의 제어 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 3은 도 2의 제어 방법을 설명하기 위한 개념도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 이송 로봇의 제어 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 5는 도 4의 제어 방법을 설명하기 위한 개념도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨이퍼 이송 로봇의 제어 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 7은 도 6의 제어 방법을 설명하기 위한 개념도이다.1 is a perspective view illustrating a robot arm of a wafer transfer robot for explaining a method of controlling a wafer transfer robot according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a flowchart for explaining a control method of the robot arm of FIG. 1. FIG.
FIG. 3 is a conceptual diagram for explaining the control method of FIG. 2. FIG.
4 is a flowchart illustrating a method of controlling a wafer transfer robot according to another embodiment of the present invention.
5 is a conceptual diagram for explaining the control method of FIG.
6 is a flowchart illustrating a method of controlling a wafer transfer robot according to another embodiment of the present invention.
7 is a conceptual diagram for explaining the control method of FIG.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 처리 방법에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Hereinafter, a method for processing a wafer according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are enlarged to illustrate the present invention in order to clarify the present invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this application, the terms "comprises", "having", and the like are used to specify that a feature, a number, a step, an operation, an element, a part or a combination thereof is described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 이송 로봇의 제어 방법을 설명하기 위해 웨이퍼 이송 로봇의 로봇암을 나타낸 사시도이다.1 is a perspective view illustrating a robot arm of a wafer transfer robot for explaining a method of controlling a wafer transfer robot according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 웨이퍼 이송 로봇의 로봇암(100)은 몸체부(110), 집게부(120) 및 지지부(130)를 포함한다. 웨이퍼(미도시)는 상기 지지부(130)상에 안착되어 상기 지지부(130) 및 상기 집게부(120)에 의해서 지지된다. 상기 로봇암(100)은 상기 웨이퍼를 수납하여 상기 웨이퍼를 다수의 제조 공정으로 이송한다. 상기 로봇암(100)은 금속으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 금속은 알루미늄일 수 있다. 상기 로봇암(100)의 형상은 본 실시예에 따른 로봇암의 제어 방법을 설명하기 위해 기본적인 구성만을 간략히 도시한 것이며, 이에 한정되는 것이 아니다. 따라서 본 실시예에 따른 로봇암의 제어 방법은 웨이퍼를 이송하기 위한 다양한 형태의 로봇암들에 적용될 수 있음은 자명하다. Referring to FIG. 1, a robot arm 100 of a wafer transfer robot according to the present embodiment includes a body 110, a clamp 120, and a support 130. A wafer (not shown) is seated on the support 130 and supported by the support 130 and the catch 120. The robot arm 100 houses the wafer and transfers the wafer to a plurality of manufacturing processes. The robot arm 100 may be formed of a metal. For example, the metal may be aluminum. The shape of the robot arm 100 is merely a basic structure for illustrating the control method of the robot arm according to the present embodiment, and is not limited thereto. Therefore, it is apparent that the control method of the robot arm according to the present embodiment can be applied to various types of robot arms for transferring wafers.

상기 로봇암(100)은 일반적으로 제1 방향으로 이동하며 웨이퍼를 이송한다. 각 공정들마다 상기 웨이퍼를 정확하게 이송하기 위한 티칭 위치(Teaching Point, TP)가 설정되어 있으며, 상기 로봇암(100)은 상기 제1 방향으로 이동하며 상기 티칭 위치까지 상기 웨이퍼를 이송하게 된다. 본 실시예에 따른 상기 로봇암(100)의 제어 방법에 대해서는 이하 도 2 및 도 3을 참조하여 상세하게 설명한다. The robot arm 100 generally moves in a first direction to transfer wafers. A teaching point TP for accurately transferring the wafer is set for each process and the robot arm 100 moves in the first direction and transfers the wafer to the teaching position. The control method of the robot arm 100 according to the present embodiment will be described below in detail with reference to FIG. 2 and FIG.

도 2는 도 1의 로봇암의 제어 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 3은 도 2의 제어 방법을 설명하기 위한 개념도이다.FIG. 2 is a flowchart for explaining a control method of the robot arm of FIG. 1. FIG. FIG. 3 is a conceptual diagram for explaining the control method of FIG. 2. FIG.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 웨이퍼 이송 로봇의 제어 방법(S100)에서, 웨이퍼 이송 로봇의 로봇암(100)을 기준 티칭 위치(TP)보다 제1 방향으로 일정 간격 이격된 제1 위치(P1)까지 상기 제1 방향으로 이동시킨다(S110). 즉, 상기 로봇암(100)은 이전 공정에서 다음 공정으로 웨이퍼를 이송하는 과정에서 상기 제1 방향으로 이동하게 되며, 상기 기준 티칭 위치(TP)보다 일정 간격 초과하여 상기 제1 위치(P1)까지 이동된 상태로 정지하게 된다.1 to 3, in the control method (S100) of the wafer transfer robot according to the present embodiment, the robot arm 100 of the wafer transfer robot is spaced apart from the reference teaching position TP in the first direction by a predetermined distance And moves to the first position P1 in the first direction (S110). That is, the robot arm 100 is moved in the first direction in the process of transferring the wafer to the next process in the previous process, and the robot arm 100 moves to the first position P1 It is stopped in the moved state.

상기 로봇암(100)은 상기 제1 위치(P1)까지 일정 속도로 이동하게 되며, 상기 제1 위치(P1)에서 정지하게 된다. 따라서 상기 로봇암(100)에 수납된 웨이퍼는 상기 로봇암(100)의 정지시 관성에 의해서 상기 로봇암(100) 내에서 상기 제1 방향으로 쏠리게 된다. 결과적으로, 상기 로봇암(100)에 수납된 웨이퍼는 상기 로봇암(100)의 집게부(120)에 치우쳐진 상태로 정지하게 된다.The robot arm 100 moves to the first position P1 at a constant speed and stops at the first position P1. Therefore, the wafer stored in the robot arm 100 is moved in the first direction within the robot arm 100 due to inertia when the robot arm 100 stops. As a result, the wafer stored in the robot arm 100 is stopped in a state where it is biased toward the grip 120 of the robot arm 100.

상기 제1 위치(P1)까지 이동된 상기 로봇암(100)을 상기 기준 티칭 위치(TP)로 이동시킨다(S120). 상기 로봇암(100)은 상기 제1 방향에 반대하는 제2 방향으로 이동하게 되며, 결국 상기 기준 티칭 위치(TP)로부터 초과된 거리만큼 다시 반대로 이동하여 상기 기준 티칭 위치(TP)에 정지하게 된다. The robot arm 100 moved to the first position P1 is moved to the reference teaching position TP in step S120. The robot arm 100 is moved in the second direction opposite to the first direction and eventually moves backward by the distance exceeded from the reference teaching position TP to stop at the reference teaching position TP .

상기 로봇암(100)이 상기 제1 위치(P1)로 이동하는 단계(S110) 및 상기 기준 티칭 위치(TP)로 다시 돌아가는 단계(S120)에서 상기 로봇암(100)의 이동 속도는 서로 동일하다. 따라서, 상기 로봇암(100)에 수납된 웨이퍼는 상기 단계(S120)에서 관성에 의해 상기 로봇암(100) 내에서 상기 제2 방향으로 쏠리게 된다. 결과적으로, 상기 로봇암(100)에 수납된 웨이퍼는 상기 로봇암(100)의 몸체부(110)에 치우쳐진 상태로 정지하게 된다.The moving speeds of the robot arm 100 in the step S110 of moving the robot arm 100 to the first position P1 and the step S120 of returning to the reference teaching position TP are the same . Therefore, the wafer stored in the robot arm 100 is moved in the second direction within the robot arm 100 by inertia in the step S120. As a result, the wafer stored in the robot arm 100 is stopped in a state where it is biased toward the body 110 of the robot arm 100.

본 실시예에 따르면, 상기 로봇암(100)이 일정 공정상의 기준 티칭 위치(TP)까지 웨이퍼를 이송함에 있어서, 상기 로봇암(100)을 상기 기준 티칭 위치(TP)보다 다소 초과된 위치까지 이동한 이후에 다시 상기 기준 티칭 위치(TP)로 돌아오는 단계를 거치게 됨으로써, 상기 로봇암(100)에 수납된 웨이퍼의 위치를 상기 로봇암의 집게부(120)가 아닌 몸체부(110)쪽으로 치우치게 할 수 있다. 일반적으로, 공정상의 고온 환경과 상기 로봇암의 재질 및 형상에 의해 상기 로봇암의 변형이 생길 수 있는데, 상기 로봇암의 몸체부(110)가 가장 변형이 작은 위치에 해당된다. According to the present embodiment, when the robot arm 100 moves the wafer to the reference teaching position TP in a predetermined process, the robot arm 100 is moved to a position slightly exceeding the reference teaching position TP The position of the wafer stored in the robot arm 100 is biased toward the body 110 rather than toward the grip 120 of the robot arm, can do. Generally, the robot arm may be deformed due to the high temperature environment in the process and the material and shape of the robot arm. The body portion 110 of the robot arm corresponds to a position where the deformation is the smallest.

따라서 상술한 바와 같이, 상기 로봇암에 수납된 웨이퍼의 위치를, 변형의 크기가 매우 작은 상기 로봇암의 몸체부쪽으로 치우치게 함으로써, 고온 환경에 의한 상기 로봇암의 변형이 상기 웨이퍼의 위치에 미치는 영향을 최소화할 수 있다. 또한, 이에 따라, 상기 웨이퍼의 위치 재현성을 최대화할 수 있다.Therefore, as described above, since the position of the wafer housed in the robot arm is biased toward the body portion of the robot arm having a very small deformation, the deformation of the robot arm due to the high temperature environment affects the position of the wafer Can be minimized. In this way, the position reproducibility of the wafer can be maximized.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 이송 로봇의 제어 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 5는 도 4의 제어 방법을 설명하기 위한 개념도이다.4 is a flowchart illustrating a method of controlling a wafer transfer robot according to another embodiment of the present invention. 5 is a conceptual diagram for explaining the control method of FIG.

도 1, 도 4 및 도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 웨이퍼 이송 로봇의 제어 방법(S200)에서, 웨이퍼 이송 로봇의 로봇암(100)을 기준 티칭 위치(TP)보다 제1 방향으로 일정 간격 이격된 제1 위치(P1)까지 상기 제1 방향으로 이동시킨다(S210). 상기 로봇암(100)을 상기 제1 위치(P1)까지 이동시키는 단계(S210)는 상기 도 2를 참조하여 설명한 실시예의 단계(S110)와 실질적으로 동일한바, 중복되는 설명은 이를 생략한다.1, 4 and 5, in the control method (S200) of the wafer transfer robot according to the present embodiment, the robot arm 100 of the wafer transfer robot is moved in the first direction And moves to the first position P1 spaced apart in the first direction (S210). The step S210 of moving the robot arm 100 to the first position P1 is substantially the same as the step S110 of the embodiment described with reference to FIG. 2, and redundant description thereof is omitted.

상기 제1 위치(P1)까지 이동된 상기 로봇암(100)을 상기 제1 위치(P1)로부터 상기 기준 티칭 위치(TP)보다 제2 방향으로 일정 간격 이격된 제2 위치(P2)까지 상기 제2 방향으로 이동시킨다(S220). 구체적으로, 상기 로봇암(100)은 상기 제1 방향에 반대하는 상기 제2 방향으로 이동하게 되며, 상기 기준 티칭 위치(TP)보다 일정 거리 모자란 위치에 해당되는 상기 제2 위치(P2)에 정지하게 된다. The robot arm 100 moved to the first position P1 is moved from the first position P1 to the second position P2 spaced apart from the reference teaching position TP by a predetermined distance in the second direction, And moves in two directions (S220). Specifically, the robot arm 100 moves in the second direction opposite to the first direction, and stops at the second position P2 corresponding to a position less than a predetermined distance from the reference teaching position TP. .

상기 로봇암(100)이 상기 제1 위치(P1)로 이동하는 단계(S210) 및 상기 제2 위치(P2)로 돌아가는 단계(S220)에서 상기 로봇암(100)의 이동 속도는 서로 동일하다. 따라서, 상기 로봇암(100)에 수납된 웨이퍼는 상기 단계(S220)에서 관성에 의해 상기 로봇암(100) 내에서 상기 제2 방향으로 쏠리게 된다. 결과적으로, 상기 로봇암(100)에 수납된 웨이퍼는 상기 로봇암(100)의 몸체부(110)에 치우쳐진 상태로 정지하게 된다.The moving speeds of the robot arm 100 are the same in the step S210 of moving the robot arm 100 to the first position P1 and the step S220 of returning to the second position P2. Therefore, the wafer stored in the robot arm 100 is moved in the second direction within the robot arm 100 by inertia in the step S220. As a result, the wafer stored in the robot arm 100 is stopped in a state where it is biased toward the body 110 of the robot arm 100.

상기 제2 위치(P2)까지 이동된 상기 로봇암(100)을 상기 기준 티칭 위치(TP)로 이동시킨다(S230). 상기 로봇암(100)은 다시 상기 제1 방향으로 이동하게 되며, 결국 상기 기준 티칭 위치(TP)에 정지하게 된다. 상기 로봇암(100)이 상기 기준 티칭 위치(TP)로 이동하는 단계(S230)에서의 상기 로봇암(100)의 이동 속도는 그 이전의 두 단계(S210, S220)에서의 상기 로봇암(100)의 이동 속도보다 상대적으로 느리다. 구체적으로, 상기 로봇암(100)을 상기 기준 티칭 위치(TP)로 이동시키는 단계(S230)에서의 상기 로봇암(100)의 속도는 매우 느린 속도에 해당되고, 따라서 상기 로봇암(100)에 수납된 웨이퍼는 관성의 영향을 거의 받지 않아 위치의 변화가 없게 된다. 따라서 상기 웨이퍼는 위치의 변화 없이 이전 단계(S220)에서의 위치를 유지하게 되는바, 결과적으로, 상기 로봇암(100)에 수납된 웨이퍼는 상기 로봇암(100)의 몸체부(110)에 치우쳐진 상태로 상기 기준 티칭 위치(TP)에 정지하게 된다.The robot arm 100 moved to the second position P2 is moved to the reference teaching position TP in step S230. The robot arm 100 moves again in the first direction, and eventually stops at the reference teaching position TP. The moving speed of the robot arm 100 in the step S230 of moving the robot arm 100 to the reference teaching position TP is determined by the robot arm 100 in the two previous steps S210 and S220 ) Is relatively slow. Specifically, the speed of the robot arm 100 in the step S230 of moving the robot arm 100 to the reference teaching position TP corresponds to a very low speed, The received wafer is hardly influenced by the inertia and there is no change in position. Accordingly, the wafers stored in the robot arm 100 are biased toward the body portion 110 of the robot arm 100. Accordingly, And stops at the reference teaching position TP in a normal state.

본 실시예에 따르면, 상기 로봇암에 수납된 웨이퍼의 위치를, 변형의 크기가 매우 작은 상기 로봇암의 몸체부쪽으로 치우치게 함으로써, 고온 환경에 의한 상기 로봇암의 변형이 상기 웨이퍼의 위치에 미치는 영향을 최소화할 수 있다. 또한, 상기 로봇암을 기준 티칭 위치보다 다소 초과된 위치까지 이동한 이후에 다시 상기 기준 티칭 위치보다 다소 모자란 위치까지 이동시키고, 이후 상기 기준 티칭 위치까지 이동하는 단계를 거침으로써, 상기 기준 티칭 위치까지 상기 로봇암을 보다 정밀하게 제어할 수 있다. 따라서, 상기 웨이퍼의 위치 재현성을 보다 높일 수 있다.According to the present embodiment, the position of the wafer housed in the robot arm is biased toward the body portion of the robot arm having a very small deformation amount, so that the deformation of the robot arm due to the high temperature environment affects the position of the wafer Can be minimized. After moving the robot arm to a position slightly exceeding the reference teaching position, the robot arm is moved to a position slightly less than the reference teaching position and then moved to the reference teaching position, The robot arm can be more precisely controlled. Therefore, it is possible to further improve the positional reproducibility of the wafer.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨이퍼 이송 로봇의 제어 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 7은 도 6의 제어 방법을 설명하기 위한 개념도이다.6 is a flowchart illustrating a method of controlling a wafer transfer robot according to another embodiment of the present invention. 7 is a conceptual diagram for explaining the control method of FIG.

도 1, 도 6 및 도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 웨이퍼 이송 로봇의 제어 방법(S300)에서, 웨이퍼 이송 로봇의 로봇암(100)을 기준 티칭 위치(TP)까지 제1 방향으로 이동시킨다(S310). 즉, 상기 로봇암(100)은 이전 공정에서 다음 공정으로 웨이퍼를 이송하는 과정에서 상기 제1 방향으로 이동하게 되며, 상기 기준 티칭 위치(TP)까지 이동된 상태로 정지하게 된다.Referring to Figs. 1, 6 and 7, in the control method S300 of the wafer transfer robot according to the present embodiment, the robot arm 100 of the wafer transfer robot is moved in the first direction to the reference teaching position TP (S310). That is, the robot arm 100 moves in the first direction in the process of transferring the wafer to the next process in the previous process, and stops moving to the reference teaching position TP.

상기 로봇암(100)은 상기 기준 티칭 위치(TP)까지 일정 속도로 이동하여 정지하게 된다. 따라서 상기 로봇암(100)에 수납된 웨이퍼는 관성에 의해 상기 로봇암(100) 내에서 상기 제1 방향으로 쏠리게 된다. 결과적으로, 상기 로봇암(100)에 수납된 웨이퍼는 상기 로봇암(100)의 집게부(120)에 치우쳐진 상태로 정지하게 된다.The robot arm 100 moves to the reference teaching position TP at a constant speed and stops. Therefore, the wafer housed in the robot arm 100 is moved in the first direction within the robot arm 100 by inertia. As a result, the wafer stored in the robot arm 100 is stopped in a state where it is biased toward the grip 120 of the robot arm 100.

상기 기준 티칭 위치(TP)까지 이동된 상기 로봇암(100)을 상기 기준 티칭 위치(TP)로부터 제2 방향으로 일정 간격 이격된 제2 위치(P2)까지 상기 제2 방향으로 이동시킨다(S320). 구체적으로, 상기 로봇암(100)은 상기 제1 방향에 반대하는 상기 제2 방향으로 이동하게 되며, 상기 기준 티칭 위치(TP)보다 일정 거리 모자란 위치에 해당되는 상기 제2 위치(P2)에 정지하게 된다. The robot arm 100 moved to the reference teaching position TP is moved in the second direction from the reference teaching position TP to the second position P2 spaced apart from the reference teaching position TP by a predetermined distance in step S320. . Specifically, the robot arm 100 moves in the second direction opposite to the first direction, and stops at the second position P2 corresponding to a position less than a predetermined distance from the reference teaching position TP. .

상기 로봇암(100)이 상기 기준 티칭 위치(TP)로 이동하는 단계(S310) 및 상기 제2 위치(P2)로 돌아가는 단계(S320)에서 상기 로봇암(100)의 이동 속도는 서로 동일하다. 따라서, 상기 로봇암(100)에 수납된 웨이퍼는 상기 단계(S320)에서 관성에 의해 상기 로봇암(100) 내에서 상기 제2 방향으로 쏠리게 된다. 결과적으로, 상기 로봇암(100)에 수납된 웨이퍼는 상기 로봇암(100)의 몸체부(110)에 치우쳐진 상태로 정지하게 된다.The moving speeds of the robot arm 100 are the same in the step S310 of moving the robot arm 100 to the reference teaching position TP and the step S320 of returning to the second position P2. Accordingly, the wafer received in the robot arm 100 is moved in the second direction within the robot arm 100 by inertia in the step S320. As a result, the wafer stored in the robot arm 100 is stopped in a state where it is biased toward the body 110 of the robot arm 100.

상기 제2 위치(P2)까지 이동된 상기 로봇암(100)을 상기 기준 티칭 위치(TP)로 다시 이동시킨다(S330). 상기 로봇암(100)은 다시 상기 제1 방향으로 이동하게 되며, 결국 상기 기준 티칭 위치(TP)에 정지하게 된다. 상기 로봇암(100)이 상기 기준 티칭 위치(TP)로 이동하는 단계(S330)에서의 상기 로봇암(100)의 이동 속도는 그 이전의 두 단계(S310, S320)에서의 상기 로봇암(100)의 이동 속도보다 상대적으로 느리다. 구체적으로, 상기 로봇암(100)을 상기 기준 티칭 위치(TP)로 이동시키는 단계(S330)에서의 상기 로봇암(100)의 속도는 매우 느린 속도에 해당되고, 따라서 상기 로봇암(100)에 수납된 웨이퍼는 관성의 영향을 거의 받지 않아 위치의 변화가 없게 된다. 따라서 상기 웨이퍼는 위치의 변화 없이 이전 단계(S320)에서의 위치를 유지하게 되는바, 결과적으로, 상기 로봇암(100)에 수납된 웨이퍼는 상기 로봇암(100)의 몸체부(110)에 치우쳐진 상태로 상기 기준 티칭 위치(TP)에 정지하게 된다.The robot arm 100 moved to the second position P2 is moved back to the reference teaching position TP at step S330. The robot arm 100 moves again in the first direction, and eventually stops at the reference teaching position TP. The moving speed of the robot arm 100 in the step S330 in which the robot arm 100 moves to the reference teaching position TP is determined by the robot arm 100 in the two previous steps S310 and S320 ) Is relatively slow. More specifically, the speed of the robot arm 100 in the step S330 of moving the robot arm 100 to the reference teaching position TP corresponds to a very slow speed, The received wafer is hardly influenced by the inertia and there is no change in position. Accordingly, the wafer held in the previous step S320 without changing its position, as a result, the wafer housed in the robot arm 100 is biased toward the body 110 of the robot arm 100 And stops at the reference teaching position TP in a normal state.

본 실시예에 따르면, 상기 로봇암에 수납된 웨이퍼의 위치를, 변형의 크기가 매우 작은 상기 로봇암의 몸체부쪽으로 치우치게 함으로써, 고온 환경에 의한 상기 로봇암의 변형이 상기 웨이퍼의 위치에 미치는 영향을 최소화할 수 있다. According to the present embodiment, the position of the wafer housed in the robot arm is biased toward the body portion of the robot arm having a very small deformation amount, so that the deformation of the robot arm due to the high temperature environment affects the position of the wafer Can be minimized.

또한, 상기 로봇암의 제어 과정에서 상기 로봇암의 위치가 상기 기준 티칭 위치보다 초과되지 않도록 제어함으로써, 공정 설비 내의 한정된 공간 내에서 다른 장치 및 구성 요소들과 간섭되지 않도록 할 수 있다. 따라서 전체적인 공간을 효율적으로 활용하면서도 동시에 상기 웨이퍼의 위치 재현성을 높일 수 있다. In addition, by controlling the position of the robot arm in the control process of the robot arm not to exceed the reference teaching position, it is possible to prevent interference with other devices and components within a limited space in the process facility. Therefore, it is possible to improve the position reproducibility of the wafer at the same time while efficiently utilizing the entire space.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 로봇암에 수납된 웨이퍼의 위치를, 변형의 크기가 매우 작은 상기 로봇암의 몸체부쪽으로 치우치게 함으로써, 고온 환경에 의한 상기 로봇암의 변형이 상기 웨이퍼의 위치에 미치는 영향을 최소화할 수 있다.As described above, according to the embodiments of the present invention, the position of the wafer housed in the robot arm is biased toward the body portion of the robot arm having a very small deformation, The influence on the position of the wafer can be minimized.

또한, 상기 로봇암이 공정 설비 내의 한정된 공간 내에서 다른 장치 및 구성 요소들과 간섭되지 않도록 함으로써, 전체적인 공간을 효율적으로 활용하면서도 동시에 상기 웨이퍼의 위치 재현성을 높일 수 있다.In addition, by preventing the robot arm from interfering with other devices and components within a limited space within the process facility, it is possible to improve the position reproducibility of the wafer at the same time while efficiently utilizing the entire space.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims. It can be understood that it is possible.

100 : 로봇암 110 : 메인 몸체부
120 : 집게부 130 : 지지부
TP : 티칭 위치 P1 : 제1 위치
P2 : 제2 위치 100: robot arm 110: main body part
120: clamping unit 130:
TP: Teaching position P1: 1st position
P2: 2nd position

Claims (2)

웨이퍼 이송 로봇의 로봇암을 기준 티칭 위치보다 제1 방향으로 일정 간격 이격된 제1 위치까지 상기 제1 방향으로 이동하는 단계; 및
상기 로봇암을 상기 제1 위치로부터 상기 기준 티칭 위치로 이동하는 단계를 포함하고,
상기 로봇암을 상기 제1 위치로부터 상기 기준 티칭 위치로 이동하는 단계는,
상기 로봇암을 상기 제1 위치로부터 상기 기준 티칭 위치보다 상기 제1 방향에 반대하는 제2 방향으로 일정 간격 이격된 제2 위치까지 상기 제2 방향으로 이동하는 단계; 및
상기 로봇암을 상기 제2 위치로부터 상기 기준 티칭 위치로 이동하는 단계를 포함하고,
상기 로봇암이 상기 제2 위치로부터 상기 기준 티칭 위치로 이동하는 제3 속도는 상기 로봇암이 상기 제1 위치까지 이동하는 제1 속도 및 상기 로봇암이 상기 제1 위치로부터 상기 제2 위치까지 이동하는 제2 속도보다 상대적으로 느린 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이송 로봇의 제어 방법.Moving the robot arm of the wafer transfer robot in the first direction to a first position spaced apart from the reference teaching position by a predetermined distance in the first direction; And
Moving the robot arm from the first position to the reference teaching position,
Wherein the step of moving the robot arm from the first position to the reference teaching position comprises:
Moving the robot arm in the second direction from the first position to a second position spaced apart from the reference teaching position by a predetermined distance in a second direction opposite to the first direction; And
Moving the robot arm from the second position to the reference teaching position,
Wherein a third speed at which the robot arm moves from the second position to the reference teaching position is a first speed at which the robot arm moves to the first position and a second speed at which the robot arm moves from the first position to the second position Wherein the second speed is relatively slower than the second speed . 삭제delete
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KR100348831B1 (en) * 1995-10-13 2002-12-18 주식회사 하이닉스반도체 Teaching method in wire bonding
KR20070082144A (en) * 2006-02-15 2007-08-21 삼성전자주식회사 Wafer teaching apparatus for overlay equipment and method thereof

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