KR101465085B1 - Flexible conductive metal structure and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 다양한 임의의 방향으로 스트레칭이나 휨과 같은 변형이 이루어지더라도 이에 따른 스트레스를 완화하면서 우수한 유연성 및 균일한 도전성을 갖는 금속 구조체를 구현할 수 있고, 요구되는 다양한 물성에 대응되게 제조할 수 있으며, 간편하면서도 저렴하고 신속하게 제조할 수 있는 플렉서블 도전성 금속 구조체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 플렉서블 도전성 금속 구조체는 상부로 돌출되는 나노 단위의 융기부가 측 방향으로 다수 배열 및 연결되는 구조로 형성된다.
본 발명에 따른 플렉서블 도전성 금속 구조체의 제조방법은, (a) 기판의 상부에 나노 단위의 성형물질을 배열하여 성형체를 형성하는 단계; (b) 상기 성형체의 상부에 도전성 금속을 내재하는 물질을 증착시켜 도전성 금속 구조체를 형성하는 단계; 및 (c) 상기 성형체를 제거하는 단계;를 포함한다.The present invention can realize a metal structure having excellent flexibility and uniform conductivity while relieving the stress even if deformation such as stretching or warping is performed in various arbitrary directions and can be manufactured to cope with various physical properties required , A flexible conductive metal structure that can be manufactured simply, inexpensively, and quickly, and a method of manufacturing the same.
The flexible conductive metal structure according to the present invention has a structure in which a plurality of protruding nano unit protrusions are arranged and connected in a lateral direction.
A method of fabricating a flexible conductive metal structure according to the present invention includes the steps of: (a) arranging a nano-sized molding material on a substrate to form a molded body; (b) forming a conductive metal structure by depositing a material containing a conductive metal on the formed body; And (c) removing the molded body.

Description

플렉서블 도전성 금속 구조체 및 이의 제조방법 {FLEXIBLE CONDUCTIVE METAL STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}[0001] FLEXIBLE CONDUCTIVE METAL STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF [0002]

본 발명은 플렉서블 도전성 금속 구조체 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 다양한 임의의 방향으로 스트레칭이나 휨과 같은 변형이 이루어지더라도 이에 따른 스트레스를 완화하면서 우수한 유연성 및 균일한 도전성을 갖는 금속 구조체를 구현할 수 있고, 요구되는 다양한 물성에 대응되게 제조할 수 있으며, 간편하면서도 저렴하고 신속하게 제조할 수 있는 플렉서블 도전성 금속 구조체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a flexible conductive metal structure and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a flexible conductive metal structure having a metal structure having excellent flexibility and uniform electrical conductivity while mitigating stresses such as stretching or warping in various arbitrary directions, To a flexible conductive metal structure which can be manufactured in a simple manner, inexpensively, and quickly, and which can be manufactured to cope with various physical properties required, and a method for manufacturing the flexible conductive metal structure.

일반적으로, 도전성 금속 구조체는 전자 소자의 구현이나 전자 소자의 연결을 위해 전자 시스템에 필수적으로 구비되고 있으며, 근래에 전자 소자를 적용하는 분야가 디스플레이 분야, 의료 분야, 건설 분야, 센서 분야, 로봇 분야 등으로 다양화됨에 따라, 전자 소자의 특성에 대한 요구도 다양화되고 있다.2. Description of the Related Art Generally, a conductive metal structure is indispensably provided in electronic systems for the implementation of electronic devices and connection of electronic devices. In recent years, electronic devices have been applied to display fields, medical fields, construction fields, , The demand for the characteristics of electronic devices has also been diversified.

특히, 플렉서블 디스플레이 분야에서 적용되는 도전성 금속 구조체는 다양한 가역적 스트레칭 등의 변형을 견딜 수 있으면서 전기적인 상호 연결이 균일하게 유지되어야 하고, 우수한 유연성을 가지면서도 기계적인 변형에도 불구하고 균일한 도전성이 확보되어야 하기 때문에 스트레칭 및 휨이 가능한 플렉서블한 특성이 요구되었다.Particularly, the conductive metal structure used in the flexible display field is required to be able to withstand various deformation such as reversible stretching, maintain the electrical interconnections uniformly, maintain uniform conductivity despite mechanical deformation A flexible characteristic capable of stretching and warping is required.

종래의 플렉시블 도전성 금속 구조체는 도 1에 도시된 바와 같이 유연성을 갖는 기판(10)의 상부에 도전성 금속 구조체(20)가 물결모양의 주름진 구조로 형성되었으며, 다음과 같은 방법을 통해 제조되었다.A conventional flexible conductive metal structure has a conductive metal structure 20 formed on a substrate 10 having flexibility as shown in FIG. 1 in a wavy corrugated structure, and is manufactured by the following method.

우선, 도 2a에 도시된 바와 같이, PDMS(Polydimethylsiloxane) 기판과 같이 유연성을 갖는 물질로 기판(10)을 형성하고, 도 2b에 도시된 바와 같이 상기 기판(10)을 인장력을 인가하여 양쪽으로 늘리고, 도 2c에 도시된 바와 같이 기판(10) 상부에 도전성 금속 구조체(20)를 형성한 후, 도 2d에 도시된 바와 같이 기판(10)에 인가된 인장력을 해제하면, 일 방향성에 물결모양의 주름을 갖는 형태의 플렉시블 도전성 금속 구조체가 완성되었다.2A, a substrate 10 is formed of a material having flexibility such as a PDMS (Polydimethylsiloxane) substrate, and the substrate 10 is stretched in both directions by applying tensile force as shown in FIG. 2B , After forming the conductive metal structure 20 on the substrate 10 as shown in FIG. 2C and then releasing the tensile force applied to the substrate 10 as shown in FIG. 2D, the unidirectional wavy A flexible conductive metal structure of a wrinkled shape was completed.

그러나 이와 같은 제조방법에 의한 종래의 플렉서블 금속 구조체는 제조 과정에서 기판(10)에 인장력을 인가했던 특정 일방향에 대한 스트레칭 및 휨 등에 의한 스트레스는 완화할 수 있으나, 임의의 방향으로 가해지는 스트레칭 및 휨 등에 의한 스트레스는 완화할 수 없는 한계가 있었다.However, the conventional flexible metal structure according to this manufacturing method can relieve the stress due to stretching and warping with respect to a specific one direction in which tensile force is applied to the substrate 10 during the manufacturing process, but the stretching and bending There was a limit that the stress caused by the back pain could not be alleviated.

그리고 종래의 플렉서블 금속 구조체의 제조방법에 있어서도, 기판(10)의 소재가 변경될 경우, 기판(10)의 탄성 계수도 달라짐에 따라, 종래의 플렉시블 금속 구조체를 균일한 품질로 제조하기가 매우 어려웠다.Also, in the conventional method of manufacturing a flexible metal structure, when the material of the substrate 10 is changed, the modulus of elasticity of the substrate 10 is also changed, so that it is very difficult to fabricate a conventional flexible metal structure with uniform quality .

또, 종래의 플렉시블 금속 구조체의 물결 모양의 주름진 구조는 마이크로미터 이하의 단위로 미세하게 형성할 수 없으므로, 종래의 플렉서블 금속 구조체를 나노 스케일의 얇은 두께로 제조할 수 없는 단점이 있었다.
In addition, since the wavy corrugated structure of the conventional flexible metal structure can not be finely formed in units of micrometers or less, there is a disadvantage that conventional flexible metal structures can not be manufactured with a nanoscale thin thickness.

이에 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 다양한 임의의 방향으로 스트레칭이나 휨과 같은 변형이 이루어지더라도 이에 따른 스트레스를 완화하면서 우수한 유연성 및 균일한 도전성을 확보할 수 있게 하고, 그 제조방법에 있어서도 플렉서블 금속 구조체를 나노 스케일의 얇은 두께로 제조할 수 있는 플렉서블 도전성 금속 구조체 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor device, which is capable of achieving excellent flexibility and uniform electrical conductivity while relieving stresses such as stretching or warping in various arbitrary directions And a method of manufacturing the flexible conductive metal structure. The present invention also provides a flexible conductive metal structure and a method of manufacturing the flexible conductive metal structure, which can manufacture the flexible metal structure with a nanoscale thin thickness.

상기한 바와 같은 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따른 플렉서블 도전성 금속 구조체는, 도전성 금속을 내재하는 물질로 이루어져 임의의 방향으로 스트레칭 및 휨이 가능한 플렉서블 도전성 금속 구조체로서, 상기 도전성 금속 구조체는 상부로 돌출되는 나노 단위의 융기부가 측 방향으로 다수 배열 및 연결되는 구조를 이루도록 형성되는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above-mentioned problems, the flexible conductive metal structure according to the present invention is a flexible conductive metal structure which is made of a material containing a conductive metal and is capable of stretching and bending in an arbitrary direction, And protruding nano unit protrusions are formed so as to be arranged and connected in plural in the lateral direction.

상기 융기부는 내부에 중공을 갖는 반구 형상인 것을 특징으로 한다.The raised portion is characterized by a hemispherical shape having a hollow inside.

상기 융기부는 배열 및 연결이 규칙적인 것을 특징으로 한다.The protrusions are characterized by regular arrangement and connection.

상기 융기부는 크기가 100 ~ 3000nm인 것을 특징으로 한다.The protrusions may have a size of 100 to 3000 nm.

상기 융기부는 단층 형태인 것을 특징으로 한다.The raised portion is characterized by being of a single layer type.

상기 융기부는 다층 형태인 것을 특징으로 한다.The ridge portion is characterized by being of a multi-layer type.

상기 도전성 금속은 Au, Ag, Cu, Ni, Cr, Al, W, Ti 및 Pd 중에서 하나 이상을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.Wherein the conductive metal comprises at least one of Au, Ag, Cu, Ni, Cr, Al, W, Ti and Pd.

본 발명에 따른 플렉서블 도전성 금속 구조체의 제조방법은 (a) 기판의 상부에 나노 단위의 성형물질을 배열하여 성형체를 형성하는 단계; (b) 상기 성형체의 상부에 도전성 금속을 내재하는 물질을 증착시켜 도전성 금속 구조체를 형성하는 단계; 및 (c) 상기 성형체를 제거하는 단계;를 포함하여 이루어지는 특징으로 한다.A method of fabricating a flexible conductive metal structure according to the present invention includes the steps of: (a) arranging a nano-sized molding material on a substrate to form a formed body; (b) forming a conductive metal structure by depositing a material containing a conductive metal on the formed body; And (c) removing the molded body.

상기 (c) 단계는 하소(calcination) 공정에 의해 이루어지는 것을 특징으로 한다.The step (c) is characterized in that it is performed by a calcination process.

상기 하소 공정은 열처리를 이용한 기화의 하소 공정 또는 톨루엔을 이용한 수용액상의 하소 공정인 것을 특징으로 한다.The calcination step is characterized by being a calcination step of vaporization using a heat treatment or a calcination step of an aqueous solution using toluene.

상기 (a) 단계 및 (b) 단계 사이에는 상기 성형체에 플라즈마를 인가하여 상기 성형물질의 크기를 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.Between the steps (a) and (b), the plasma may be applied to the molded body to adjust the size of the molded body.

상기 (c) 단계 이후에는 상기 금속 구조체의 표면에 상기 도전성 금속을 내재하는 물질을 덮어 손상부위를 보강하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.After the step (c), a step of covering the surface of the metal structure with a material containing the conductive metal to reinforce the damaged part.

상기 성형물질은 배열이 규칙적인 것을 특징으로 한다.The molding material is characterized by a regular arrangement.

상기 성형물질은 단층으로 배열되고 그 측부가 서로 연결된 형태인 것을 특징으로 한다.The molding material is characterized in that it is arranged in a single layer and its sides are connected to each other.

상기 성형물질은 구형인 것을 특징으로 한다.The molding material is characterized by being spherical.

상기 성형물질은 폴리스티렌(polystyrene)인 것을 특징으로 한다.The molding material is characterized by being polystyrene.

상기 성형물질은 크기가 100 ~ 3000nm인 것을 특징으로 한다.The molding material has a size of 100 to 3000 nm.

상기 (a) 단계는 스핀 코팅하거나 랭뮤어-블라젯(Langmuir-Blodgett)법에 의해 이루어지는 것을 특징으로 한다.The step (a) is characterized by spin coating or Langmuir-Blodgett method.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 플렉서블 도전성 금속 구조체는 다양한 임의의 방향으로 스트레칭이나 휨과 같은 변형이 이루어지더라도 이에 따른 스트레스를 완화하면서 우수한 유연성 및 균일한 도전성을 유지할 수 있는 효과가 있다.As described above, even if the flexible conductive metal structure according to the present invention is deformed in various arbitrary directions such as stretching or warping, excellent flexibility and uniform conductivity can be maintained while relieving the stress.

또, 본 발명에 따른 플렉서블 도전성 금속 구조체의 제조방법은 플렉서블 도전성 금속 구조체를 나노 스케일의 얇은 두께로 제조할 수 있으며, 요구되는 다양한 물성에 각각 대응되게 제조할 수 있으면서도 종래보다 간편하면서도 저렴하고 신속하게 플렉서블 도전성 금속 구조체를 제조할 수 있는 효과가 있다.
In addition, the method of manufacturing a flexible conductive metal structure according to the present invention can manufacture a flexible conductive metal structure with a nanoscale thin thickness, and can manufacture the flexible conductive metal structure corresponding to various required physical properties, There is an effect that a flexible conductive metal structure can be manufactured.

도 1은 종래의 플렉서블 도전성 금속 구조체를 개략적으로 도시한 단면도 이다.
도 2a 내지 도 2d는 종래의 플렉서블 도전성 금속 구조체의 제조방법을 도시한 각 공정도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플렉서블 도전성 금속 구조체를 개략적으로 도시한 단면도이다
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플렉서블 도전성 금속 구조체의 제조방법을 도시한 플로차트이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플렉서블 도전성 금속 구조체의 제조방법을 도시한 각 공정도이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플렉서블 도전성 금속 구조체의 제조방법에 있어서, 성형체에 플라즈마를 인가하여 성형물질의 크기를 조절하기 전과 후의 주사 전자 현미경(SEM) 사진이다
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플렉서블 도전성 금속 구조체의 제조방법에 있어서, 플렉서블 도전성 금속 구조체의 표면을 보강하기 전과 후의 주사 전자 현미경 사진이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional flexible conductive metal structure.
FIGS. 2A to 2D are process drawings showing a conventional method of manufacturing a flexible conductive metal structure.
3 is a cross-sectional view schematically showing a flexible conductive metal structure according to a preferred embodiment of the present invention
4 is a flow chart showing a method of manufacturing a flexible conductive metal structure according to a preferred embodiment of the present invention.
5A to 5C are process diagrams showing a method of manufacturing a flexible conductive metal structure according to a preferred embodiment of the present invention.
6A and 6B are scanning electron microscope (SEM) photographs of a flexible conductive metal structure according to a preferred embodiment of the present invention before and after controlling the size of a molding material by applying plasma to the molding
7A to 7C are scanning electron microscope photographs before and after reinforcing the surface of the flexible conductive metal structure in the method of manufacturing the flexible conductive metal structure according to the preferred embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자(이하, '통상의 기술자'라 한다)가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 그 범위가 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art will be able to easily carry out the present invention . The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

본 발명에 따른 플렉서블 도전성 금속 구조체 및 이의 제조방법은, 우수한 유연성을 가지면서도 기계적인 변형에도 불구하고 균일한 도전성을 확보할 수 있을 뿐만 아니라, 요구되는 다양한 물성에 대응되게 저렴하면서도 간편 신속하게 제조될 수 있는 플렉서블 도전성 금속 구조체 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 명세서 첨부된 도면에서 각 구성요소 및 영역들 일부의 크기나 두께는 발명을 더욱 명확하게 설명하기 위해 과장 도시된 것임을 밝혀둔다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The flexible conductive metal structure and the method of manufacturing the same according to the present invention are capable of ensuring uniform conductivity in spite of mechanical deformation while having excellent flexibility, The present invention relates to a flexible conductive metal structure and a method of manufacturing the same. It is to be noted that, in the accompanying drawings, each element and a part of the sizes or thicknesses thereof are exaggerated for clarifying the invention.

이하, 첨부된 도 3을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플렉서블 도전성 금속 구조체의 구성, 작용효과, 동작 및 사용 상태를 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the structure, operation, effect, operation, and use state of the flexible conductive metal structure according to the preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플렉서블 도전성 금속 구조체는 도전성 금속을 내재하는 물질로 이루어지는 플렉서블 도전성 금속 구조체로서, 상기 도전성 금속 구조체(300)는 상부로 돌출되는 나노 단위의 융기부(310)가 측 방향으로 규칙적으로 다수 배열 및 연결되어 단층 이루도록 구조로 형성되되, 상기 융기부(310)는 내부에 중공을 갖는 반구형상, 즉 눈썹 형상과 유사한 형상으로 형성된다.The flexible conductive metal structure according to the preferred embodiment of the present invention is a flexible conductive metal structure made of a material containing a conductive metal. The conductive metal structure 300 has a nano unit protrusion 310 protruding upward, And the protruding portion 310 is formed in a hemispherical shape having a hollow inside, that is, a shape resembling the eyebrow shape.

그러나 상기 도전성 금속 구조체(300)는 상술한 바와 같은 구조가 가장 바람직하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.However, the conductive metal structure 300 is most preferably formed as described above, but it is not limited thereto.

예를 들어, 상기 도전성 금속 구조체(300)에 있어서, 상기 융기부(310)가 반타원체를 이루며 상부로 돌출되는 형상으로 구현될 수도 있고, 하나의 동일한 형상이 아닌 서로 다른 직경을 갖는 복수의 반구형상이 다수 배열 및 연결된 형태로 구현될 수도 있으며, 또 상기 융기부(310)는 규칙적으로 한 층을 이루는 것이 아니라 다소 불규칙하게 복층 또는 다층을 이루는 형태로 구현될 수도 있다.For example, in the conductive metal structure 300, the protuberance 310 may be formed as a semi-ellipsoid, protruding upward, or a plurality of hemispherical shapes having different diameters, And the protrusions 310 may be formed in a form of a multi-layered or multi-layered structure rather than a regular layer.

또한, 상기 융기부(310)는 나노 스케일로 형성되는 것이 바람직하며, 여기서 나노 스케일이라 함은 그 크기가 수십 nm에서 수천 nm의 범위의 값인 것을 의미한다. In addition, it is preferable that the protrusion 310 is formed at a nanoscale, and the term nanoscale means that the protrusion has a size ranging from several tens of nanometers to several thousands of nanometers.

예를 들어, 상기 융기부(310)는 그 크기가 100 ~ 3000nm의 범위의 값을 갖게 구현될 수 있고, 이렇게 상기 융기부(310)가 나노 스케일로 규칙적으로 배열되면, 도전성 금속 구조체(300) 전체에 걸쳐 균일한 품질을 가질 수 있을 뿐만 아니라, 필요에 따라 나노 스케일의 얇은 두께로도 제조할 수 있으므로 바람직하다.For example, the protrusion 310 may have a size in the range of 100 to 3000 nm. When the protrusions 310 are regularly arranged on the nanoscale, It is preferable not only to have a uniform quality over the whole but also to make a nanoscale thin film as necessary.

이와 같은 상기 융기부(310)의 크기, 모양, 배열 등은 도전성 금속 구조체(300)에 대한 요구 물성치에 따라 조절하여 형성될 수 있다.The size, shape, and arrangement of the protrusions 310 may be adjusted according to the required physical properties of the conductive metal structure 300.

그리고 이러한 도전성 금속 구조체(300)에 대한 요구 물성치에 따라, 도전성 금속 구조체(300)에 내재하는 도전성 금속은, Au, Ag, Cu, Ni, Cr, Al, W, Ti 및 Pd 중에서 하나 이상을 포함할 수 있다.The conductive metal included in the conductive metal structure 300 may include at least one of Au, Ag, Cu, Ni, Cr, Al, W, Ti, and Pd depending on required properties of the conductive metal structure 300 can do.

그러므로 본 발명의 플렉서블 도전성 금속 구조체는 다양한 임의의 방향으로 스트레칭이나 휨과 같은 변형이 이루어지더라도 이에 따른 스트레스를 완화하면서 우수한 유연성 및 균일한 도전성을 유지할 수 있다.
Therefore, even if the flexible conductive metal structure of the present invention is deformed such as stretching or warping in various arbitrary directions, excellent flexibility and uniform conductivity can be maintained while relieving the stress accordingly.

이하, 도 4 및 도 7c를 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플렉서블 도전성 금속 구조체의 제조방법을 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a method for manufacturing a flexible conductive metal structure according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 4 and 7C.

먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이, 기판(100) 상부에 구형의 나노 단위의 성형물질(210)을 다수 배열하여 성형체(200)를 형성한다(s100).First, as shown in FIG. 5A, a plurality of spherical nano-sized molding materials 210 are arranged on a substrate 100 to form a formed body 200 (S100).

여기서, 상기 성형체(200)는 후술되는 하소 공정 등에 의해 제거될 수 있도록 기화점이 낮거나 톨루엔 등의 용매에 용해될 수 있는 물질인 폴리스티렌 등으로 이루어지며, 상기 성형체(200)는 그 상부에 도전성 금속을 내재한 물질이 증착 형성될 때 일종의 성형 틀의 역할을 하게 된다.The formed body 200 is made of polystyrene or the like which is low in vaporization point or can be dissolved in a solvent such as toluene so that it can be removed by a calcining process which will be described later, Which is a kind of a mold when the material having the built-in material is deposited.

이러한 상기 성형체(200)는 통상의 기술자에게 자명한 다양한 나노 입자 기술을 통해 기판(100) 상에 100 ~ 3000nm의 크기인 구형의 상기 성형물질(210)이 한 층으로 배열 및 연결된 형태로 형성될 수 있으나, 그 형상 및 크기가 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제조하고자 하는 도전성 금속 구조체(300)에 요구되는 물성치에 맞게 적절히 변경될 수 있다.The molded body 200 may be formed in the form of a spherical shaped molding material 210 having a size of 100 to 3000 nm on the substrate 100 through a variety of nanoparticle techniques, However, the shape and size of the conductive metal structure 300 are not limited thereto, and may be appropriately changed according to the required physical properties of the conductive metal structure 300 to be manufactured.

한편, 상기 성형체(200)는 구형의 상기 성형물질(210)이 균일한 단층 형태로 배열될 수 있도록 스핀 코팅 또는 랭뮤어-블라젯법을 사용하여 이루어질 수 있다.Meanwhile, the molded body 200 may be formed using spin coating or Langmuir-Blodgett method so that the spherical molding material 210 may be arranged in a uniform monolayer form.

그 다음 단계로, 기판(100) 상부에 형성된 상기 성형체(200)에 플라즈마를 인가함으로써, 다수의 상기 성형물질(210)의 크기를 줄여 상기 성형체(200)의 형상을 조절한다.(s200). 이러한 플라즈마 인가를 통해 상기 성형체(200)를 이루는 다수의 상기 성형물질(210) 간에 간격을 조절할 수 있다.In the next step, the shape of the formed body 200 is adjusted by reducing the size of the plurality of shaped materials 210 by applying plasma to the formed body 200 formed on the substrate 100 (s200). Through the application of the plasma, the interval between the plurality of molding materials 210 constituting the molded body 200 can be adjusted.

도 6a 및 도 6b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플렉서블 도전성 금속 구조체의 제조방법에 있어서, 성형체에 플라즈마를 인가하여 성형물질의 크기를 조절하기 전과 후의 주사 전자 현미경(SEM) 사진이다6A and 6B are scanning electron microscope (SEM) photographs of a flexible conductive metal structure according to a preferred embodiment of the present invention before and after controlling the size of a molding material by applying plasma to the molding

사진을 참조하면, 플라즈마 인가를 통해 상기 성형체(200)를 이루는 상기 성형물질(210) 간에 간격을 조절됨을 볼 수 있다.Referring to the photograph, it can be seen that the gap between the molding materials 210 forming the molding body 200 is controlled through plasma application.

그리고 상기 성형체(200)에 인가하는 플라즈마의 세기 및 인가 시간 등을 제어함으로써, 상기 성형체(200)의 형태를 이루는 상기 성형물질(210) 간에 간격을 조절할 수 있다.The gap between the molding materials 210 forming the shape of the molding body 200 can be controlled by controlling the intensity of the plasma applied to the molding body 200 and the application time.

여기서 도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 성형체(200)에 플라즈마를 인가하더라도 다수의 상기 성형물질(210)은 그 측부가 서로 연결된 형태를 유지하게 되는데, 이러한 연결 부분은 추후 상기 성형체(200) 제거시에 상기 성형체(200)가 신속하게 기화 제거될 수 있는 통로, 또는 톨루엔과 같은 용매가 용이하게 침투할 수 있는 통로의 역할을 한다.6B, even if plasma is applied to the molded body 200, a plurality of the molded bodies 210 are maintained in a state where the side portions thereof are connected to each other. A passage through which the molded body 200 can be quickly vaporized or a passage through which a solvent such as toluene can easily penetrate.

한편, 이와 같은 상기 성형체(200)에 플라즈마를 인가하여 상기 성형물질(210)의 크기를 조절하는 단계(s200)는 요구 물성치에 따라 플렉서블 도전성 금속 구조체의 형상 구현을 위해 수행되는 것으로서, 본 발명에 있어서 필수적인 공정은 아니다.Meanwhile, the step (s200) of controlling the size of the molding material 210 by applying plasma to the formed body 200 is performed for realizing the shape of the flexible conductive metal structure according to the required property values. It is not an essential process.

그 다음 단계로, 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 성형체(200) 상에 도전성 금속을 내재한 물질을 증착시켜 도전성 금속구조체(300)를 형성한다(s300).Next, as shown in FIG. 5B, a conductive metal structure 300 is formed by depositing a conductive metal-containing material on the formed body 200 (S300).

이렇게 상기 도전성 금속 구조체(300)를 증착하는 방식은 간편하면서도 저렴하고 대면적화도 용이하여 플렉서블한 도전성 금속 구조체(200)를 신속하게 제조할 수 있게 된다.The method of depositing the conductive metal structure 300 is simple, inexpensive, and easy to make large-sized, so that the flexible conductive metal structure 200 can be manufactured quickly.

이후, 도 5c에 도시된 바와 같이, 상기 성형체(200)를 제거는 단계(s400)로써, 상기 성형체(200)를 제거하면, 내부에 중공을 갖는 반구형상의 융기부(310)가 다수 배열 및 연결된 구조로 도전성 금속 구조체(300)가 기판(100) 상부에 남게 된다.Thereafter, as shown in FIG. 5C, when the molded body 200 is removed in step S400 of removing the molded body 200, a plurality of hemispherical ridges 310 having hollows are arranged and connected to each other The conductive metal structure 300 is left on the substrate 100.

여기서 상기 성형체(200)는 구형의 상기 성형물질(210)이 다수 배열된 형태로 이루어지지만, 도전성 금속 구조체(200)가 성형체(200) 상부에 증착하여 형성되기 때문에, 실제 상기 기판(100)의 상면에는 도전성 금속 구조체(200)가 거의 증착되지 않게 되고, 이 상태에서 상기 성형체(200)가 제거되면 내부에 중공을 갖는 반구형상의 상기 융기부(210)가 다수 배열 및 연결된 구조로 도전성 금속 구조체(200)가 기판(100) 상에 위치되게 된다.Since the conductive metal structure 200 is formed by depositing the conductive metal structure 200 on the upper surface of the molded body 200, The conductive metal structure 200 is hardly deposited on the upper surface of the conductive metal structure 200. In this state, when the formed body 200 is removed, a plurality of hemispherical ridges 210 having a hollow therein are arranged and connected, 200 are positioned on the substrate 100.

한편, 상기 성형체(200)를 제거하는 방식은 하소 공정에 의해 이루어질 수 있는데, 이 하소 공정은 열처리를 하여 상기 성형체(200)를 이루는 폴리스티렌을 기화시켜 제거하는 열처리를 이용한 기화의 하소 공정, 또는 톨루엔 등의 용매를 침투시켜 상기 성형체(200)를 이루는 폴리스티렌을 용해시켜 제거하는 수용액상의 하소 공정이 될 수 있다.Meanwhile, the method of removing the molded body 200 may be performed by a calcining process. The calcining process may include a calcining step of vaporizing using a heat treatment in which heat treatment is performed to vaporize and remove polystyrene constituting the molded body 200, Or the like, to dissolve and remove the polystyrene constituting the molded body 200. [0064]

도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플렉서블 도전성 금속 구조체의 제조방법에 있어서, 플렉서블 도전성 금속 구조체의 표면을 보강하기 전과 후의 주사 전자 현미경 사진이다.7A to 7C are scanning electron microscope photographs before and after reinforcing the surface of the flexible conductive metal structure in the method of manufacturing the flexible conductive metal structure according to the preferred embodiment of the present invention.

사진을 참조하면, 도 7b에 도시된 바와 같이 상기 성형체(200)가 기화 제거되면서 상기 도전성 금속 구조체(300)가 홀이 형성되는 등의 손상을 받을 수 있는데, 도 7c에 도시된 바와 같이, 손상부위를 상기 도전성 금속 구조체(300)를 이루는 물질과 동일한 물질로 상기 도전성 금속 구조체(300) 표면을 보강하는 공정이 추가로 이루어질 수 있다.(s500).Referring to the photograph, as shown in FIG. 7B, the formed body 200 is vaporized and removed, and the conductive metal structure 300 may be damaged, such as forming a hole. As shown in FIG. 7C, A step of reinforcing the surface of the conductive metal structure 300 with the same material as the material of the conductive metal structure 300 may be further performed (S500).

물론, 이러한 상기 도전성 금속 구조체(300) 표면 보강 공정은 필수적인 것은 아니며, 특히 수용액상의 하소 공정으로 상기 성형체(200)를 제거한 경우에는 꼭 필요하지 않을 수 있다.Of course, such a step of reinforcing the surface of the conductive metal structure 300 is not essential, and may not be necessary when the formed body 200 is removed by a calcination process in an aqueous solution.

따라서 본 발명의 플렉서블 도전성 금속 구조체의 제조방법은 플렉시블 도전성 금속 구조체를 나노 스케일의 얇은 두께로 제조하면서도 종래보다 간편하면서도 저렴하고 신속하게 제조할 수 있고, 제조과정에서 플렉서블 도전성 금속 구조체의 형태를 조절하여 그 특성을 제어할 수 있으므로, 요구되는 다양한 물성에 각각 대응되게 제조하기가 용이하다.Therefore, the method of manufacturing flexible conductive metal structure of the present invention can manufacture the flexible conductive metal structure at a thinner thickness of nanoscale, while simpler, less expensive and quicker manufacture than the conventional method, and can control the shape of the flexible conductive metal structure It is possible to control the characteristics thereof, and thus it is easy to manufacture in correspondence with various required physical properties.

[실시예 1][Example 1]

PDMS 기판을 준비하고, 아세톤, IPA 를 사용하여 세척을 하고 흐르는 증류수(DI)로 헹궈주었다. 이후 PDMS 기판에 UV/산소 표면처리를 하여 PDMS 기판 표면을 친수성(hydrophilic)으로 처리하였다. 그 후, 스핀 코터를 이용하여 먼저 나노 구조체를 PDMS 기판에 떨어뜨려 놓은 후, 나노 구조체들이 기판에서 분산될 수 있는 시간 1~2분을 기다린 후, 스핀 코팅을 시작한다. 스핀 코팅은 단계별로 시작하며 먼저 200 RPM에서 1분, 800 RPM에서 30초, 마지막으로 1200 RPM에서 10초간 코팅을 하여 준다. 도 6a는 PDMS 기판 표면에 스핀 코팅 방법으로 형성된 구 모양의 폴리스틸렌 재질의 나노구조체들의 배열을 보여주는 사진이다. 도 6a 를 통해 본 발명의 실시예에 따른 방법을 통해 구 모양의 나노구조체가 균일하게 기판 표면에 형성되었음을 확인할 수 있다. 이때 나노구조체는 서로 교차 결합이 되어 있어 하소 공정시, 톨루엔 등 하소 용액이 쉽게 침투되도록 한다. 여기서 사용된 폴리스티렌 나노구조체의 크기는 지름 1㎛ 구조체이다.A PDMS substrate was prepared, washed with acetone, IPA and rinsed with running DI (DI). Subsequently, the surface of the PDMS substrate was treated with a hydrophilic surface by UV / O2 surface treatment on the PDMS substrate. Thereafter, the nanostructure is first dropped on the PDMS substrate using a spin coater, and then the spin coating is started after waiting for 1 to 2 minutes for the nanostructures to disperse on the substrate. Spin coating begins at step 1, first at 200 RPM for 1 min, at 800 RPM for 30 sec, and finally at 1200 RPM for 10 sec. 6A is a photograph showing the arrangement of spherical polystyrene nanostructures formed on a PDMS substrate surface by a spin coating method. 6A, it can be seen that spherical nanostructures are uniformly formed on the substrate surface by the method according to the embodiment of the present invention. At this time, the nanostructures are cross-linked with each other so that the calcination solution such as toluene is easily permeated during the calcination process. The size of the polystyrene nanostructure used here is a 1 mu m diameter structure.

폴리스티렌 나노 구조체가 배열된 PDMS 기판에 도전성 구조체를 형성하기 위하여 Cu 금속을 전자선 (e-beam) 증착기를 이용하여 증착하였다. 상온에서 증착하였으며 증착 챔버 내부는 3×10-6 torr로 유지되었고, 기판에 증착한 Cu의 두께는 300nm 이었다. Cu를 구조체 상에 증착 후, 톨루엔의 용액에 5분간 담궈서 증착된 Cu 내부의 구조체를 하소시키는 과정을 진행하였다. 그 후 흐르는 증류수로 헹궈주고 질소를 이용하여 건조시킨 후, 100℃의 온도에서 표면에 남아있는 수분제거를 진행하였다. 폴리스티렌 나노 구조체가 톨루엔에 하소되는 과정에서 도 7b와 같은 도전성 구조체 외벽에 구멍이 생기는 손상이 발생한다. 이를 보강하여 도전성 구조체의 전도도를 높이기 위해서 다시 전자선 증착기에 샘플을 준비시키고 상온, 3×10-6 torr의 진공에서 300nm 두께의 Cu를 추가적으로 증착한다. 이런 보강 과정을 통하여 도 7c와 같은 손상이 메워진 도전성 구조체를 완성할 수 있다.Cu metal was deposited using an e-beam evaporator to form a conductive structure on a PDMS substrate having polystyrene nanostructures arranged thereon. The inside of the deposition chamber was maintained at 3 × 10 -6 torr, and the thickness of Cu deposited on the substrate was 300 nm. Cu was deposited on the structure, and then immersed in a solution of toluene for 5 minutes to calcine the structure inside the deposited Cu. After that, it was rinsed with flowing distilled water, dried using nitrogen, and then the remaining water was removed from the surface at a temperature of 100 ° C. In the process of calcining the polystyrene nanostructure into toluene, damage occurs in the outer wall of the conductive structure as shown in FIG. 7B. In order to enhance the conductivity of the conductive structure, a sample is further prepared in an electron beam evaporator, and a 300 nm thick Cu is further deposited at a room temperature and a vacuum of 3 × 10 -6 torr. Through such a reinforcement process, the conductive structure filled with the damage as shown in FIG. 7C can be completed.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만, 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 통상의 기술자에게 있어 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부되어 있는 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is evident that many alternatives, modifications and variations will be apparent to those skilled in the art in light of the above teachings. Of course.

＊ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ＊
100 : 기판 200 : 성형체
210: 성형물질 300 : 도전성 금속 구조체
310: 융기부Description of the Related Art [0002]
100: substrate 200:
210: molding material 300: conductive metal structure
310: ridge

Claims (18)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete (a) 기판의 상부에 복수의 나노 구조체를 배열하여 성형체를 형성하는 단계;
(b) 상기 성형체에 플라즈마를 인가하여 상기 복수의 나노 구조체의 크기를 조절하고 복수의 나노 구조체의 측부의 일부가 연결되도록 하는 단계;
(c) 상기 성형체의 상부에 도전성 금속을 내재하는 물질을 증착시켜 금속 구조체를 형성하는 단계;
(d) 상기 성형체를 제거하는 단계;를 포함하는 플렉서블 도전성 금속 구조체의 제조방법.
(a) arranging a plurality of nanostructures on a substrate to form a formed body;
(b) adjusting a size of the plurality of nanostructures by applying a plasma to the formed body and connecting a plurality of side portions of the plurality of nanostructures;
(c) depositing a material containing a conductive metal on the formed body to form a metal structure;
(d) removing the formed body.
제 8 항에 있어서,
상기 (d) 단계는 하소(calcination) 공정에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 플렉서블 도전성 금속 구조체의 제조방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the step (d) is performed by a calcination process.
제 9 항에 있어서,
상기 하소 공정은 열처리를 이용한 기화의 하소 공정 또는 톨루엔을 이용한 수용액상의 하소 공정인 것을 특징으로 하는 플렉서블 도전성 금속 구조체의 제조방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the calcination step is a calcination step of vaporization using a heat treatment or a calcination step of an aqueous solution using toluene.
삭제delete 제 8 항에 있어서,
상기 (d) 단계 이후에는 상기 금속 구조체의 표면에 상기 도전성 금속을 내재하는 물질을 덮어 손상부위를 보강하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 도전성 금속 구조체의 제조방법.
9. The method of claim 8,
Further comprising: after step (d), covering a surface of the metal structure with a material containing the conductive metal to reinforce a damaged part of the metal structure.
제 8 항에 있어서,
상기 나노 구조체의 배열이 규칙적인 것을 특징으로 하는 플렉서블 도전성 금속 구조체의 제조방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the arrangement of the nanostructures is regular.
삭제delete 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 나노 구조체는 구형인 것을 특징으로 하는 플렉서블 도전성 금속 구조체의 제조방법.
11. The method according to any one of claims 8 to 10,
Wherein the nanostructure is spherical. ≪ RTI ID = 0.0 > 21. < / RTI >
제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 나노 구조체는 폴리스티렌(polystyrene)로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 도전성 금속 구조체의 제조방법.
11. The method according to any one of claims 8 to 10,
Wherein the nanostructure is made of polystyrene. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI >
제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 나노 구조체는 크기가 100 ~ 3000nm인 것을 특징으로 하는 플렉서블 도전성 금속 구조체의 제조방법.
11. The method according to any one of claims 8 to 10,
Wherein the nanostructure has a size of 100 to 3000 nm.
제 8 항에 있어서,
상기 (a) 단계는 스핀 코팅하거나 랭뮤어-블라젯(Langmuir-Blodgett)법에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 플렉서블 도전성 금속 구조체의 제조방법.9. The method of claim 8,
Wherein the step (a) is performed by spin coating or Langmuir-Blodgett method.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0562981A (en) * 1991-06-18 1993-03-12 Oki Electric Ind Co Ltd Method of forming protrudent electrode of semiconductor element and connection method thereof
KR20090092982A (en) * 2008-02-28 2009-09-02 재단법인서울대학교산학협력재단 Stretchable and bendable wiring structure and fabricating method thereof
KR101105355B1 (en) * 2010-03-26 2012-01-16 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 Flexible collector for electrode, method for manufactuirng thereof and negative electrode using thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0562981A (en) * 1991-06-18 1993-03-12 Oki Electric Ind Co Ltd Method of forming protrudent electrode of semiconductor element and connection method thereof
KR20090092982A (en) * 2008-02-28 2009-09-02 재단법인서울대학교산학협력재단 Stretchable and bendable wiring structure and fabricating method thereof
KR101105355B1 (en) * 2010-03-26 2012-01-16 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 Flexible collector for electrode, method for manufactuirng thereof and negative electrode using thereof

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