KR101463047B1 - Electrode Connection Structure for Parallel Cooling Type HVDC Valve - Google Patents

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정택선
백승택
이욱화
정용호
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엘에스산전 주식회사
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Abstract

The present invention relates to an electrode connection structure for a parallel cooling type HVDC valve. More particularly, the present invention relates to an electrode connection structure for a parallel cooling type HVDC valve to prevent the corrosion and cooling of a resistance element and a semiconductor in a thyristor valve which is essentially necessary for a high voltage direct current transmission system. An electrode connection structure for a parallel cooling type HVDC valve according to an aspect of the prevent invention includes a thyristor valve module including thyristor valve sections formed by combining thyristors and a heat radiation plate; a main cooling water inlet pipe and a main cooling wafer outlet pipe which are prepared on one side of the thyristor valve module; a cooling water inlet pipe which is connected in parallel from the main cooling water inlet pipe to one side of the thyristor; and a cooling water outlet pipe which is connected in parallel from the other side of the thyristor to the main cooling outlet pipe. One end of the electrode of the main cooling water inlet pipe is electrically connected to the heat radiation plate of one end of the thyristor valve section and the electrode of one end of the main cooling water outlet pipe, thereby forming equipotentiality. The electrode of the other end of the main cooling water inlet pipe is electrically connected to the heat radiation plate of the other end of the thyristor valve section and the electrode of the other end of the main cooling water outlet pipe, thereby forming equipotentiality.

Description

병렬 냉각 방식 HVDC 밸브의 전극 연결 구조{Electrode Connection Structure for Parallel Cooling Type HVDC Valve}[0001] The present invention relates to an electrode connection structure for a parallel cooling type HVDC valve,

본 발명은 병렬 냉각 방식 HVDC 밸브의 전극 연결 구조에 관한 것으로, 보다 상세하게는 초고압 직류 송전 시스템에 핵심적으로 필요한 싸이리스터 밸브 내부의 반도체 소자 및 저항 소자의 냉각 및 부식 방지를 위한 병렬 냉각 방식 HVDC 밸브의 전극 연결 구조에 관한 것이다.
The present invention relates to an electrode connection structure of a parallel cooling type HVDC valve, and more particularly, to a parallel cooling HVDC valve for cooling and corrosion of semiconductor elements and resistive elements inside a thyristor valve, To an electrode connection structure.

일반적으로 HVDC 밸브 모듈(HVDC Valve Module)은 초고압 직류 송전 장치(High Voltage Direct Current; HVDC)의 핵심부품인 전력변환기를 이루는 것으로 설계에 있어 HVDC시스템의 설계에 있어 주요한 부분을 차지한다.In general, the HVDC Valve Module constitutes a power converter which is a core component of High Voltage Direct Current (HVDC), which is a major part of the design of HVDC systems in design.

이러한 HVDC 밸브 모듈의 내부에는, 반도체 소자인 싸이리스터(Thyristor), 스누버 레지스터(Snubber Resistor), 스누버 커패시터(Snubber Capasitor), 가포화 리액터(Saturable Reactor) 등이 구성되는데 이들 구성부품에서는 고열이 발생하므로 이를 냉각하기 위해 필수적으로 쿨링 시스템(cooling System)이 구비되어야 한다.Inside the HVDC valve module, a semiconductor device such as a thyristor, a snubber resistor, a snubber capacitor, and a saturable reactor is formed. In these components, A cooling system must be provided in order to cool it.

쿨링 시스템은 크게 공냉식과 수냉식으로 나눌 수 있다. 공냉식 쿨링 시스템의 대표적인 예로는 미국특허 US3,646,400호에 개시된 'Air-cooling System for HVDC Valve with staggered Rectifiers'를 참조할 수 있고, 수냉식 쿨링 시스템의 예로서 미국특허 US4,475,152호에 개시된 'Water-cooled High Voltage Device'를 들 수 있다.Cooling systems can be roughly divided into air-cooled type and water-cooled type. For example, US Pat. No. 3,646,400 entitled 'Air-cooling System for HVDC Valve with Staggered Rectifiers' can be referred to as a representative example of the air-cooling type cooling system. cooled High Voltage Device '.

공냉식 쿨링 시스템은 팬(Fan)을 사용하여 냉각대상(싸이리스터, 스누버 레지스터, 스누버 커패시터, 가포화 리액터 등)을 냉각시키는 방식이다. 공냉식 쿨링 시스템 경우에는 부피가 커지며, 열량에 따른 제한이 크다. An air-cooled cooling system uses a fan to cool the object to be cooled (thyristor, snubber resistor, snubber capacitor, saturable reactor, etc.). In the case of an air-cooled cooling system, the volume becomes large and is limited by the amount of heat.

수냉식 쿨링 시스템은 직렬 방식과 병렬방식으로 나눌 수 있다. 직렬방식의 쿨링 시스템의 예로 미국특허 US6,185,116호 'HVDC power transmission system with cooling and switching device temperature detection'과 미국 공개특허 US2010/0014338 A1호 'Cooling and Shielding of a High Voltage Converter'를 참조할 수 있다. 병렬 방식의 쿨링 시스템의 예로는 전술한 미국특허 US4,475,152호 'Water-cooled High Voltage Device'를 참조할 수 있다.A water-cooled cooling system can be divided into a serial system and a parallel system. As an example of a serial cooling system, reference can be made to U.S. Patent No. 6,185,116 entitled "HVDC power transmission system with cooling and switching device temperature detection" and U.S. Patent Application Publication No. US 2010/1014338 A1 entitled "Cooling and Shielding of a High Voltage Converter" . An example of a parallel cooling system can be found in the aforementioned U.S. Patent No. 4,475,152, " Water-cooled High Voltage Device ".

도 1에 직렬 방식의 쿨링시스템이 나타나 있다. 냉각수는 냉각관(3)을 통해 IN 방향으로 흘러 방열판(2)을 순차적으로 거치며 열을 흡수하고 OUT방향으로 나와 열교환기(4)로 들어가게 된다. 싸이리스터(1)는 방열판(2)에 열이 전달되므로 냉각이 일어나게 되는 구조이다. 여기서 싸이리스터(1)는 냉각 대상의 일례로서 이외에도 스누버 레지스터, 스누버 커패시터, 가포화 리액터 등이 적용될 수 있다. 직렬 방식 냉각 시스템의 일 설계의 예로는 냉각관을 통해 유입된 냉각수가 가포화 ㄹ리리액터, 싸이리스터의 방열판, 스누버 레지스터를 거쳐 열교환기로 들어가 순환되는 방식으로 구현될 수 있다.1 shows a cooling system in a serial system. The cooling water flows in the IN direction through the cooling pipe 3, sequentially passes through the heat sink 2, absorbs heat, and exits in the OUT direction and enters the heat exchanger 4. The thyristor (1) is a structure in which heat is transferred to the heat sink (2) and therefore cooling occurs. Here, the thyristor 1 may be a snubber resistor, a snubber capacitor, a saturable reactor, or the like as an example of a cooling object. One example of the design of the series cooling system is that the cooling water introduced through the cooling pipe is circulated through the heat exchanger through the gasifier reactor, the heat sink of the thyristor, and the snubber resistor.

그런데, 직렬 방식 쿨링 시스템의 경우 각 냉각 대상에 전압 분배를 이루기 어려우며 방열판 등 금속성 물질의 부식 위험이 있다. 더욱이, 초고압 전송에 있어서는, 냉매(여기서는 물)에도 전류가 흐르게 됨에 따라 누설전류(leakage current)에 대해서도 고려해야 한다.However, in the case of a serial cooling system, it is difficult to distribute the voltage to each cooling object and there is a risk of corrosion of metallic materials such as heat sinks. Furthermore, in the ultra-high pressure transfer, leakage current must be considered as current flows in the refrigerant (here, water).

직렬 방식 쿨링 시스템의 한계를 극복하기 위한 방법으로 제안되는 병렬 방식 쿨링 시스템에 있어서도 누설전류에 따른 물저항(Water Resistance)을 고려하여야 한다. 도 2에 병렬 연결 방식에 따른 싸이리스터 밸브 모듈의 냉각 구조가 도시되어 있다. 주냉각수유입관(5)을 흐르는 냉각수는 싸이리스터(7)의 방열판(8)에 각각 병렬로 연결되어 냉각을 이룬 후 각각 주냉각수출구관(8)에 연결되어 배출되는 구조이다.In a parallel cooling system proposed as a method to overcome the limitation of the serial cooling system, the water resistance according to the leakage current should be considered. FIG. 2 shows a cooling structure of the thyristor valve module according to the parallel connection method. The cooling water flowing through the main cooling water inflow pipe 5 is connected to the heat sink 8 of the thyristor 7 in parallel, cooled and then connected to the main cooling export pipe 8 and discharged.

싸이리스터 밸브 모듈에서 냉각관(cooling pipe)에 들어가는 냉매(Coolant)는 물이다. 저전압(예를 들어, 380V ~ 1kV)이 인가되는 시스템과는 달리 초고압(예를 들어 80kV ~ 500kV)이 인가되는 시스템에서는 물의 전도도 관리가 필요하다. 물의 전도도는 물의 저항 값의 역수를 취하며, us(micro Siemens) 단위를 사용한다. 일반적으로 0.2us 이하의 전도도 관리를 요구한다. 하지만 식 I = VA ~G / (Rin - Rout)의 원리에 따라 낮은 전도도를 유지시키더라도, 전압이 매우 높게 형성되면 싸이리스터의 on/off 동작이나 주변 여건에 따라 누설전류가 발생하게 되고, 이는 A~G사이의 물 저항값 및 주변 등가 저항값에 따라, 전압 불균형을 가져오는 요소가 될 수 있다.The refrigerant entering the cooling pipe in the thyristor valve module is water. Unlike systems where low voltages (eg, 380V to 1kV) are applied, water conductivity management is required in systems where ultra-high voltages (eg, 80kV to 500kV) are applied. Conductivity of water takes the reciprocal of the resistance value of water and uses us (micro Siemens) unit. Generally, it requires conductivity control of 0.2us or less. However, even if the conductivity is kept low according to the principle of the formula I = V A ~G / (R in - R out ), if the voltage is very high, leakage current may be generated depending on the on / , Which may be an element that causes voltage imbalance depending on the water resistance value between A and G and the surrounding equivalent resistance value.

도 2b에는 도 2a의 구성에 대한 등가 임피던스 회로가 나타나 있다. 싸이리스터 밸브 모듈 내부에는 누설전류(Leakage Current)가 흐르게 되어 각 싸이리스터 사이의 전압 불평형을 야기하고 방열판 등 내부식성이 약한 금속재료에 부식을 일으키는 등의 문제점이 있다.
Figure 2b shows an equivalent impedance circuit for the configuration of Figure 2a. Leakage current flows inside the thyristor valve module, causing voltage unbalance between each thyristor and corrosion of metal materials with weak corrosion resistance such as heat sink.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 그 목적은 초고압 직류 송전 장치에 사용되는 전력변환기인 싸이리스터 밸브 모듈에 있어서 병렬 방식 냉각 구조가 사용되는 경우, 전압불평형에 따른 누설전류가 발생하지 않도록 하는 전극 연결 구조를 제공하는 것이다.  It is an object of the present invention to provide a thyristor valve module, which is a power converter used in an ultrahigh voltage DC transmission apparatus, in which leakage currents due to voltage imbalance are generated when a parallel cooling structure is used Electrode connection structure.

본 발명의 다른 목적은 병렬 방식 냉각 구조가 적용된 싸이리스터 밸브 모듈로 이루어진 밸브 타워에 있어서, 이러한 시스템에 있어서 전압불평형에 따른 누설전류가 발생하지 않도록 하는 전극 연결 구조를 제공하는 것이다.
Another object of the present invention is to provide an electrode connection structure that prevents leak current from occurring due to voltage unbalance in a valve tower composed of a thyristor valve module to which a parallel type cooling structure is applied.

본 고안의 일 측면에 따른 병렬 냉각 방식 HVDC 밸브의 전극 연결 구조는 복수 개의 싸이리스터 및 방열판이 교대로 결합되어 이루어진 싸이리스터 밸브 섹션 복수 개가 포함되는 싸이리스터 밸브 모듈; 상기 싸이리스터 밸브 모듈의 일측에 마련되는 주냉각수유입관 및 주냉각수출구관; 상기 주냉각수유입관으로부터 상기 싸이리스터 일측에 각각 병렬로 연결되는 냉각수유입관; 상기 싸이리스터 싸이리스터 타측으로부터 상기 주냉각수출구관에 각각 병렬로 연결되는 냉각수출구관;을 포함하며, 상기 주냉각수유입관 및 주냉각수출구관에는 상기 싸이리스터 밸브 섹션의 양단에 연결되는 노드에 각각 전극이 형성되고, 상기 주냉각수유입관 일단의 전극과 상기 싸이리스터 밸브 섹션 일단의 방열판 및 상기 주냉각수출구관 일단의 전극이 전기적으로 연결되어 서로 등전위를 이루고, 상기 주냉각수유입관 타단의 전극과 상기 싸이리스터 밸브 섹션 타단의 방열판 및 상기 주냉각수출구관 타단의 전극이 전기적으로 연결되어 서로 등전위를 이루는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, an electrode connection structure of a parallel cooling type HVDC valve includes: a thyristor valve module including a plurality of thyristor valve sections in which a plurality of thyristors and heat sinks are alternately combined; A main cooling water inflow pipe and a main cooling inflow pipe provided at one side of the thyristor valve module; A cooling water inflow pipe connected in parallel to the one side of the thyristor from the main cooling water inflow pipe; And a cooling exporters connected in parallel to the main cooling exporters from the other side of the thyristor thyristor, wherein the main cooling water inflow pipe and the main cooling exporters are respectively connected to nodes connected to both ends of the thyristor valve section An electrode at one end of the main cooling water inflow pipe is electrically connected to an electrode at one end of the heat dissipation plate at the end of the thyristor valve section and the electrode at one end of the main cooling water outlet pipe, And the heat sink of the other end of the thyristor valve section and the electrode of the other end of the main cooling exporter are electrically connected to each other to form an equal potential.

여기서, 상기 주냉각수유입관 및 주냉각수출구관에서 상기 각 노드에는 전극 안착부가 돌출 형성되고 상기 전극 안착부에는 삽입홈이 형성되어 상기 전극이 삽입 결합되는 것을 특징으로 한다.Here, in the main cooling water inflow pipe and the main cooling exporters, an electrode seating part is protruded from each of the nodes, and an insertion groove is formed in the electrode seating part, so that the electrode is inserted and coupled.

또한, 상기 전극은 전극 몸체 및 상기 전극 몸체를 관통하여 형성되는 전극도체를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the electrode includes an electrode body and an electrode conductor formed through the electrode body.

한편, 상기 싸이리스터 밸브 모듈이 적층되어 싸이리스터 밸브 타워를 형성하는 것을 특징으로 하는 병렬 냉각 방식 HVDC 밸브 타워의 전극 연결 구조.The electrode connection structure of the parallel cooling type HVDC valve tower is characterized in that the thyristor valve module is laminated to form a thyristor valve tower.

여기서, 상기 싸이리스터 밸브 모듈은 정류기인 것을 특징으로 할 수 있다.Here, the thyristor valve module may be a rectifier.

그리고, 상기 싸이리스터 밸브 모듈은 인버터인 것을 특징으로 할 수 있다.
The thyristor valve module may be an inverter.

본 발명의 일 측면에 따른 병렬 냉각 방식 HVDC 밸브의 전극 연결 구조에 의하면, 싸이리스터 밸브 모듈에 있어서 각 싸이리스터 밸브 섹션별로 등전위가 형성되어 전압불평형이 발생하지 않으므로 누설전류가 발생하지 않는 효과가 있다. 이에 따라 전압이 안정적으로 전송되고 냉각성능이 저하되지 않으며 방열판 등 내부식성이 약한 금속재료에 부식이 방지되는 효과가 있다.According to the electrode connection structure of the parallel cooling type HVDC valve according to an aspect of the present invention, since the equal potential is formed for each thyristor valve section in the thyristor valve module, no voltage imbalance occurs, and no leakage current is generated . As a result, the voltage is stably transferred, the cooling performance is not deteriorated, and corrosion is prevented in a metal material having low corrosion resistance such as a heat sink.

본 발명의 다른 측면에 따른 병렬 냉각 방식 HVDC 밸브 타워의 전극 연결 구조에 의하면, 싸이리스터 밸브 모듈이 적층되어 형성된 인버터 또는 정류기에 있어서 각 싸이리스터 밸브 모듈별로 등전위가 형성되어 전압불평형이 발생하지 않으므로 누설전류가 발생하지 않는 효과가 있다. 이에 따라 전압이 안정적으로 전송되고 냉각성능이 저하되지 않으며 방열판 등 내부식성이 약한 금속재료에 부식이 방지되는 효과가 있다.
According to another aspect of the present invention, in the electrode connection structure of the parallel cooling type HVDC valve tower, in the inverter or the rectifier formed by stacking the thyristor valve modules, equipotential is formed for each thyristor valve module so that voltage unbalance does not occur, There is an effect that no current is generated. As a result, the voltage is stably transferred, the cooling performance is not deteriorated, and corrosion is prevented in a metal material having low corrosion resistance such as a heat sink.

도 1은 종래기술에 따른 HVDC 밸브 모듈의 직렬 방식 냉각 구조이다.
도 2는 종래기술에 따른 HVDC 밸브 모듈의 병렬 방식 냉각 구조와 등가 임피던스 회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 싸이리스터 밸브 모듈의 평면도 및 단선도이다.
도 4는 도 3의 싸이리스터 밸브 모듈의 냉각 및 전극 연결 구조와 등가 임피던스 회로도이다.
도 5는 도 4에 있어서 전극의 상세사시도이다.
도 6은 인버터 밸브 타워의 정면도 및 전극 연결 구조도이다.
도 7은 정류기 밸브 타워의 정면도 및 전극 연결 구조도이다.1 is a serial cooling scheme of a conventional HVDC valve module.
FIG. 2 is a parallel type cooling structure and an equivalent impedance circuit diagram of a conventional HVDC valve module.
3 is a plan view and a single line view of a thyristor valve module according to an embodiment of the present invention.
4 is an equivalent impedance circuit diagram of the cooling and electrode connection structure of the thyristor valve module of FIG.
5 is a detailed perspective view of the electrode in Fig.
6 is a front view and an electrode connection structure of an inverter valve tower.
7 is a front view of the rectifier valve tower and an electrode connection structure.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 설명하되, 이는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세하게 설명하기 위한 것이지, 이로 인해 본 발명의 기술적인 사상 및 범주가 한정되는 것을 의미하지는 않는 것이다.
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings, which are intended to illustrate the present invention in a manner that allows a person skilled in the art to easily carry out the invention. And does not mean that the technical idea and scope of the invention are limited.

본 발명의 일 측면에 따른 병렬 냉각 방식 HVDC 밸브의 전극 연결 구조는 싸이리스터(Thyristor, 11b) 및 방열판(Heat sink, 11a) 복수 개가 교대로 결합된 싸이리스터 밸브 섹션(Thyristor Valve Section, 10), 가포화 리액터(Saturable Reactor, 50), 스누버 레지스터(Snubber Resistor), 스누버 커패시터(Snubber Capacitor)가 각각 복수 개 포함되는 싸이리스터 밸브 모듈(Thyristor Valve Module, 100), 상기 싸이리스터 밸브 모듈(100) 일측에 마련되는 주냉각수유입관(20) 및 주냉각수출구관(30); 상기 주냉각수유입관(20)으로부터 싸이리스터(11b,12b,...19b) 일측에 각각 병렬로 연결되는 냉각수유입관(21); 상기 싸이리스터(11b,12b,...19b) 타측으로부터 상기 주냉각수출구관(30)에 각각 병렬로 연결되는 냉각수출구관(31);을 포함한다.
An electrode connection structure of a parallel cooling type HVDC valve according to an aspect of the present invention includes a thyristor valve section 10 in which a plurality of thyristors 11b and a plurality of heat sinks 11a are alternately connected, A thyristor valve module 100 including a plurality of saturable reactors 50, a snubber resistor and a snubber capacitor, a thyristor valve module 100, A main cooling water inflow pipe 20 and a main cooling export pipe 30 provided at one side; A cooling water inflow pipe 21 connected in parallel to one side of the thyristor 11b, 12b, ..., 19b from the main cooling water inflow pipe 20; And a cooling exhaust port 31 connected in parallel to the main cooling exhaust port 30 from the other side of the thyristors 11b, 12b, ..., 19b.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 싸이리스터 밸브 모듈의 평면도 및 단선도이다. 도 4는 도 3에 있어서 밸브 모듈의 냉각구조도이다. 도 5는 도 4에 있어서 전극의 상세사시도이다. 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 병렬 냉각 방식 HVDC 밸브의 전극 연결 구조에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
3 is a plan view and a single line view of a thyristor valve module according to an embodiment of the present invention. 4 is a cooling structure diagram of the valve module in Fig. 5 is a detailed perspective view of the electrode in Fig. The electrode connection structure of the parallel cooling type HVDC valve according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 3a에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 싸이리스터 밸브 모듈(Thyristor Valve Module, 100)은 싸이리스터(Thyristor, 11b) 및 방열판(Heat sink, 11a) 복수 개가 교대로 결합된 싸이리스터 밸브 섹션(Thyristor Valve Section, 10), 가포화 리액터(Saturable Reactor, 50), 스누버 레지스터(Snubber Resistor, 미도시), 스누버 커패시터(Snubber Capacitor, 미도시)가 각각 복수 개 포함되어 구성된다. 3A, a thyristor valve module 100 according to an embodiment of the present invention includes a thyristor 11b and a plurality of heat sinks 11a, A valve section (Thyristor Valve Section) 10, a saturable reactor 50, a snubber resistor (not shown), and a snubber capacitor (not shown).

여기서, 가포화 리액터(Saturable Reactor, 50)는 초기 전류 감쇄(damping)를 위해 마련되는 것이며, 스누버 레지스터(Snubber Resistor)와 스누버 커패시터(Snubber Capacitor)는 전압의 감쇄를 위해 마련되는 것으로 싸이리스터 밸브 섹션(10)에 인접하여 배치될 수 있다. Here, the saturable reactor 50 is provided for initial current damping, and the snubber resistor and the snubber capacitor are provided for attenuating the voltage, and the thyristor (snubber) May be disposed adjacent to the valve section (10).

싸이리스터 밸브 섹션(Thyristor Valve Section, 10)은 싸이리스터(11a) 및 방열판(11b) 복수 개가 교대로 배열되어 결합 형성된다. 싸이리스터에 대한 부호(11a,12a,...,19a)는 복수 개 임을 나타내기 위한 것으로 일단의 싸이리스터(11a)와 타단의 싸이리스터(19a)가 각각 양단의 싸이리스터를 지시하게 된다. 방열판에 대한 부호(11b,12b,...,19b)에 대해서도 마찬가지다.A thyristor valve section (10) is formed by alternately arranging a plurality of thyristors (11a) and a plurality of heat sinks (11b). The signs 11a, 12a, ..., and 19a for the thyristor are for indicating a plurality of thyristors, and one thyristor 11a and thyristor 19a at the other end indicate thyristors at both ends, respectively. The same applies to the heat sinks 11b, 12b, ..., and 19b.

각 구성부품들은 버스바(Busbar, 60)에 의해 전기적으로 접속된다. 각 구성부품들을 지지하여 싸이리스터 밸브 모듈(100)의 전체적인 형상을 형성하는 동시에 코로나(Corona) 방전 현상을 방지하기 위하여 코로나 쉴드(Corona Shield, 70)가 마련된다. Each component is electrically connected by a bus bar (60). A corona shield 70 is provided to support the respective components to form the overall shape of the thyristor valve module 100 and to prevent a corona discharge phenomenon.

한편, 도체와 도체 간 또는 도체와 부도체 간 절연간격을 유지하기 위하여 인슐레이터(Insulator, 80)가 마련된다. 전술한 싸이리스터 밸브 모듈(Thyristor Valve Module, 100)에 관한 각 사항은 일반적인 사항이며 그 세부적인 구조는 설계에 따라 변경될 수 있다.
On the other hand, an insulator 80 is provided to maintain insulation intervals between the conductor and the conductor or between the conductor and the non-conductor. The details of the thyristor valve module 100 described above are general matters, and the detailed structure thereof may be changed according to the design.

도 3b는 도 3a의 단선도를 나타낸 것이다. 전체적인 회로 구성은 도 3a의 구성과 같으며, 냉각관(20, 30) 및 전극이 추가로 나타나 있다. 주냉각수유입관(20) 및 주냉각수출구관(30)이 싸이리스터 밸브 모듈(100)의 일측에 마련된다. 전체적인 냉각수의 흐름은 다음과 같다. 외부에서 냉각수가 공급되어 싸이리스터 밸브 모듈(100)의 일측에 길게 연장 형성되는 주냉각수유입관(20)으로 급수된다. 냉각수는 주냉각수유입관(20)으로부터 냉각수유입관(21,22,...,29)을 통해 각 방열판(11b,12b,...,19b)에 병렬적으로 공급되어 각 싸이리스터(11a,12a,...,19a)를 냉각시키고, 냉각수출구관(31,32,...,39)을 통해 주냉각수출구관(30)으로 배출되어 외부의 열교환기에 연결된다. Fig. 3b shows a single line view of Fig. 3a. The overall circuit configuration is the same as that of Fig. 3A, and cooling tubes 20 and 30 and electrodes are additionally shown. A main cooling water inlet pipe 20 and a main cooling outlet port 30 are provided on one side of the thyristor valve module 100. The overall flow of cooling water is as follows. The cooling water is supplied from the outside to the main cooling water inflow pipe 20 formed in a long side on one side of the thyristor valve module 100. Cooling water is supplied in parallel from the main cooling water inflow pipe 20 to the respective heat sinks 11b, 12b, ..., 19b via the cooling water inflow pipes 21, 22, ..., 29, ..., 19a and is discharged to the main cooling export port 30 through the cooling export ports 31, 32, ..., 39 and connected to the external heat exchanger.

이때, 주냉각수유입관(20)의 양단 노드(21a, 29a) 및 주냉각수출구관(30)의 양단 노드(31a, 39a)에는 전극(40)이 형성된다.At this time, the electrodes 40 are formed at the both end nodes 21a and 29a of the main cooling water inflow pipe 20 and at the both end nodes 31a and 39a of the main cooling exporters 30.

그리고, 상기 주냉각수유입관(20) 일단 노드(21a)의 전극과 상기 싸이리스터 밸브 섹션(10) 일단의 방열판(11a) 및 상기 주냉각수출구관(30) 일단 노드(31a)의 전극이 전기적으로 연결되어 서로 등전위를 이루게 된다. The electrode of the node 21a at one end of the main cooling water inflow pipe 20 and the electrode of the node 31a at one end of the main cooling exporters 30 and the heat sink 11a at the end of the thyristor valve section 10 are electrically So that they become equal to each other.

또한, 상기 주냉각수유입관(20) 타단 노드(29a)의 전극과 상기 싸이리스터 밸브 섹션(10) 타단의 방열판(19a) 및 상기 주냉각수출구관(30) 타단 노드(39a)의 전극이 전기적으로 연결되어 서로 등전위를 이루게 된다. The electrodes of the other end node 29a of the main cooling water inflow pipe 20 and the electrodes of the heat dissipation plate 19a at the other end of the thyristor valve section 10 and the node 39a at the other end of the main cooling exporter 30 are electrically So that they become equal to each other.

여기서, 노드 간의 전기적 접속은 도체 또는 도선에 의해 이루어질 수 있다.Here, the electrical connection between the nodes can be made by a conductor or a wire.

도 4를 참조하기로 한다. 싸이리스터 밸브 모듈(100)에 전류가 흐를 때 각 부품에는 내부저항이 발생하게 된다. 즉, 싸이리스터(11a,12a,...,19a)나 방열판(11b,12b,...,19b)에는 내부저항이 발생하며 이러한 저항을 도식화하여 나타낸 것이 도 4b이다. 각 내부 등가저항을 회로로 간략히 나타내면, A~G까지로 구분하여 등가회로로 나타낼 수 있다. A~G의 구분은 HVDC 시스템의 송전 용량에 따라 변경될 수 있다. Referring to FIG. When a current flows through the thyristor valve module 100, an internal resistance is generated in each component. That is, an internal resistance is generated in the thyristors 11a, 12a, ..., and 19a and the heat sinks 11b, 12b, ..., and 19b. If each internal equivalent resistance is briefly shown as a circuit, it can be divided into A to G and expressed by an equivalent circuit. Classification of A ~ G can be changed according to transmission capacity of HVDC system.

한편, 싸이리스터 밸브 모듈(100)에서 일반적으로 사용하는 냉매(Coolant)는 물이다. 저전압(예를 들어, 380~1kV)이 인가되는 시스템과 달리 초고압(예를 들어80kV~500kV)이 인가되는 시스템에서는, 물의 전도도(Conductivity) 관리가 필요하다. 물의 전도도는 물의 저항값의 역수를 취하며, us(micro siemens) 단위를 사용한다. 일반적으로 물의 전도도는 0.2us 이하로 유지될 것이 요구된다. 하지만 식 I = VA ~G / (Rin - Rout)의 원리에 따라 낮은 전도도를 가지고 관리하더라도, 초고압 하에서는 싸이리스터의 개폐 동작이나 주변 여건에 따라 누설전류(leakage current)가 발생하게 되고, 이는 A~G까지의 물저항값 및 주변 등가저항값에 따라, 전압 불균형을 발생시키는 요인이 될 수 있다.On the other hand, a coolant commonly used in the thyristor valve module 100 is water. Conductivity management of water is required in a system where ultra high voltage (for example, 80kV to 500kV) is applied unlike a system in which a low voltage (for example, 380 to 1kV) is applied. Conductivity of water takes the reciprocal of the resistance value of water and uses us (micro siemens) unit. In general, the conductivity of water is required to be kept below 0.2us. However, even if the conductivity is controlled according to the principle of the formula I = V A ~G / (R in - R out ), leakage current occurs depending on the opening and closing operation of the thyristor or ambient conditions under ultra- This may be a cause of the voltage imbalance depending on the water resistance value from A to G and the peripheral equivalent resistance value.

상기 주냉각수유입관(20) 일단의 노드(21a)와 상기 싸이리스터 밸브 섹션(10) 일단의 방열판(11a) 및 상기 주냉각수출구관(30) 일단의 노드(31a)를 전기적으로 연결시키면 서로 등전위를 이루게 되어 누설전류가 흐르지 않게 된다. 또한, 상기 주냉각수유입관(20) 타단의 노드(29a)와 상기 싸이리스터 밸브 섹션(10) 타단의 방열판(19a) 및 상기 주냉각수출구관(30) 타단의 노드(39a)도 전기적으로 연결시켜 서로 등전위를 이루므로 누설전류가 흐르지 않게 된다.When the node 21a at one end of the main cooling water inflow pipe 20 is electrically connected to the node 31a at the end of the main cooling exporters 30 and the heat sink 11a at the end of the thyristor valve section 10, So that the leakage current does not flow. The node 29a at the other end of the main cooling water inflow pipe 20 and the heat sink 19a at the other end of the thyristor valve section 10 and the node 39a at the other end of the main cooling exporter 30 are also electrically connected So that the leakage current does not flow.

이와 같이 함으로써, 싸이리스터 밸브 섹션(10) 내부에 누설전류가 내부에 발생하지 않음에 따라 방열판(11b,12b,...,19b) 등 내부식성이 약한 금속재료로 이루어진 부품에 있어서 냉매가 지나가더라도 부식을 방지할 수 있게 된다. 또한, A~G 사이의 전압 불평형에 의한 영향을 최소화시킬 수 있게 된다.By doing so, the leakage current does not occur inside the thyristor valve section 10, so that the refrigerant passes through the parts made of the metal material having low corrosion resistance such as the heat sinks 11b, 12b, ..., 19b It is possible to prevent corrosion. In addition, it is possible to minimize the influence of voltage unbalance between A and G.

도 5에 전극(40)이 상세히 도시되어 있다. 전극(40)은 전극 몸체(41)와 전극 몸체(41)를 관통하여 삽입되는 전극 도체(42)로 이루어질 수 있다. 주냉각수유입관(20) 및 주냉각수출구관(30) 양단의 노드에는 전극 안착부(25,35)가 돌출 형성되고, 전극 안착부(25,35)에는 삽입홈이 형성되어 상기 전극(40)이 삽입 결합될 수 있다. 전극 도체(42)은 하단은 관 내부의 냉매(물)에 잠기게 되며, 상단은 도체 또는 도선이 연결되어 다른 노드의 전극에 연결된다.
The electrode 40 is shown in detail in Fig. The electrode 40 may include an electrode body 41 and an electrode conductor 42 inserted through the electrode body 41. Electrode seating portions 25 and 35 protrude from nodes at both ends of the main cooling water inflow pipe 20 and the main cooling exporters 30 and insertion grooves are formed in the electrode seating portions 25 and 35, ) Can be inserted and bonded. The lower end of the electrode conductor 42 is submerged in the refrigerant (water) inside the tube, and the upper end is connected to the electrode of the other node through the conductor or lead wire.

본 발명의 다른 측면에 따른 HVDC 밸브 타워의 병렬 냉각 구조에 대해서 상세히 설명하기로 한다. 도 6은 인버터 밸브 타워의 (6a) 정면도 및 (6b) 전극 연결 구조도이고, 도 7은 정류기 밸브 타워의 (7a) 정면도 및 (7b) 전극 연결 구조도이다. 도 6과 도 7에는 각각 밸브 타워의 1상(Phase)이 도시되어 있다. The parallel cooling structure of the HVDC valve tower according to another aspect of the present invention will be described in detail. FIG. 6 is a front view of the inverter valve tower and FIG. 7 is a front view of the rectifier valve tower, and FIG. 7 is an electrode connection structure of the rectifier valve tower. 6 and 7 show one phase of the valve tower, respectively.

여기서, 각 싸이리스터 밸브 모듈(110)은 전술한 본 발명의 일 측면에 따른 싸이리스터 밸브 모듈(100)이 적용될 수 있다. Here, the thyristor valve module 100 according to one aspect of the present invention may be applied to each thyristor valve module 110.

HVDC 밸브 타워(200)는 복수 개의 싸이리스터 밸브 모듈(110)이 층을 이루어 형성될 수 있다. 각 싸이리스터 밸브 모듈(110)은 인슐레이터(180)에 의해 절연간격을 유지하며 지지되고, 버스바(160)에 의해 전기적으로 연결된다.The HVDC valve tower 200 may have a plurality of thyristor valve modules 110 formed in layers. Each thyristor valve module 110 is supported by an insulator 180 while maintaining an insulation gap, and is electrically connected by a bus bar 160.

HVDC 밸브 타워(200)의 일측에(예를 들면 상부에, 미도시) 주냉각수유입관과 주냉각수출구관이 마련된다. On one side of the HVDC valve tower 200 (for example, at the top, not shown) a main cooling water inlet pipe and a main cooling outlet port are provided.

주냉각수유입관으로부터 냉각수유입관(120)이 분기되어 하방으로 각 싸이리스터 밸브 모듈(110)에 순차적으로 연결되어 냉각수를 제공하게 된다. 최하단의 싸이리스터 밸브 모듈(110)로부터 시작되는 냉각수출구관(130)은 상방으로 각 싸이리스터 밸브 모듈(110)에 순차적으로 연결되어 냉각수가 배출되며 주냉각수출구관(130)에 연결된다. 냉각수유입관(120)과 냉각수출구관(130)의 상단은 접지된다. The cooling water inflow pipe 120 is branched from the main cooling water inflow pipe and sequentially connected to each thyristor valve module 110 downward to provide cooling water. The cooling exhaust pipe 130 starting from the lowermost thyristor valve module 110 is connected to each thyristor valve module 110 in an upward direction so that cooling water is discharged and connected to the main cooling exhaust pipe 130. The cooling water inflow pipe 120 and the upper end of the cooling export pipe 130 are grounded.

싸이리스터 밸브 모듈(110)의 사이사이의 노드에는 전극이 형성된다. 사이리스터 밸브 모듈(110)은 냉각수유입관(120)의 상부에 형성된 인접노드의 전극(141) 및 냉각수출구관(130)의 상부에 형성된 인접노드의 전극(142)과 서로 전기적으로 연결되어 등전위를 이루게 된다. 이에 따라, 싸이리스터 밸브 모듈(110)의 양단 노드 사이에 연결된 냉각수유입관(120) 및 냉각수출구관(130)의 전압이 일정하게 형성되므로 누설전류가 흐르지 않게 된다. 또한, 밸브 내의 방열판 등 내부식성이 약한 금속재료의 부식을 방지하게 된다. 이와 같은 방식으로 각 싸이리스터 밸브 모듈(110)은 냉각수유입관(120)과 냉각수출구관(130)의의 상부 인접노드에 형성된 전극에 전기적으로 접속되어 등전위를 이룬다.An electrode is formed at a node between the thyristor valve modules 110. The thyristor valve module 110 is electrically connected to the electrode 141 of the adjacent node formed at the upper portion of the cooling water inflow pipe 120 and the electrode 142 of the adjacent node formed at the upper portion of the cooling expeller 130, . Accordingly, since the voltage of the cooling water inflow pipe 120 and the cooling expulsion pipe 130 connected between both ends of the thyristor valve module 110 is constantly formed, the leakage current does not flow. Further, corrosion of a metal material having low corrosion resistance such as a heat sink in the valve can be prevented. In this manner, each thyristor valve module 110 is electrically connected to the electrodes formed at the upper adjacent nodes of the cooling water inflow pipe 120 and the cooling exporter premises 130 to form an equipotential.

여기서, 싸이리스터 밸브 모듈(110) 간에 연결되는 냉각관(120,130)은 싸이리스터 밸브 섹션(10)과 같은 물저항을 가지도록 외경 및 길이가 조절된다. 냉각관에 들어가는 냉매인 물의 저항은 물의 온도, 파이프의 외경 및 길이, 유속, 공기 유입 유무, 다른 물질의 혼합 여부, 유속에 따라 달라질 수 있으며, 이와 같은 요소는 물의 저항 즉, 전도도의 값에 영향을 미치기 때문이다. 이러한 물저항 값은 IEC 60700-1의 합성 시험 중에 측정을 하며, 일정 오차 범위 내의 값에 들어오도록, 연결 지점 및, 냉각관의 외경, 냉매 등을 조절함으로써 달성된다.Here, the cooling tubes 120 and 130 connected between the thyristor valve modules 110 are adjusted in outer diameter and length to have the same water resistance as the thyristor valve section 10. The resistance of water, which is the refrigerant entering the cooling tube, can vary depending on the temperature of the water, the outer diameter and length of the pipe, the flow rate, the presence of air, the mixing of other materials, and the flow rate. These factors affect the resistance of water, . This water resistance value is measured during the synthetic test of IEC 60700-1 and is achieved by adjusting the connection point, the outer diameter of the cooling pipe, the refrigerant, etc. so that it falls within a certain error range.

도 6에는 각 싸이리스터 밸브 모듈(110)이 인버터(Inverter)로 작용하는 경우의 예가 도시되어 있고, 도 7에는 각 싸이리스터 밸브 모듈(110)이 정류기(converter)로 작용하는 경우의 예가 도시되어 있다.
FIG. 6 shows an example in which each thyristor valve module 110 acts as an inverter, and FIG. 7 shows an example in which each thyristor valve module 110 acts as a converter have.

비록 본 발명이 상기 언급된 바람직한 실시 예와 관련하여 설명되어졌지만, 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정 및 변형이 가능한 것은 당업자라면 용이하게 인식할 수 있을 것이며, 이러한 변경 및 수정은 모두 첨부된 청구의 범위에 속함은 자명하다.
Although the present invention has been described in connection with the above-mentioned preferred embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made without departing from the spirit and scope of the invention, It is obvious that the claims fall within the scope of the claims.

10 싸이리스터 밸브 섹션 11a,12a,19a 싸이리스터
11b,12b,19b 방열판 20 주냉각수유입관
21,22,29 냉각수유입관 21a, 29a 노드
25,35 전극 안착부 30 주냉각수출구관
31,32,39 냉각수출구관 31a, 39a 노드
40 전극 41 전극 몸체
42 전극 도체 100, 110 싸이리스터 밸브 모듈
120 냉각수유입관 130 냉각수출구관
141, 142 전극 160 버스바
180 인슐레이터 200 싸이리스터 밸브 타워10 thyristor valve section 11a, 12a, 19a thyristor
11b, 12b, 19b Heat sink 20 Main cooling water inlet pipe
21, 22, 29 cooling water inflow pipe 21a, 29a node
25,35 Electrode fittings 30-week cooling exports
31, 32, 39 Cooling export premises 31a, 39a node
40 Electrode 41 Electrode Body
42 electrode conductor 100, 110 thyristor valve module
120 Cooling water inlet tube 130 Cooling water outlet tube
141, 142 electrode 160 bus bar
180 Insulator 200 Thyristor Valve Tower

Claims (6)

복수 개의 싸이리스터 및 방열판이 교대로 결합되어 이루어진 싸이리스터 밸브 섹션 복수 개가 포함되는 싸이리스터 밸브 모듈;
상기 싸이리스터 밸브 모듈의 일측에 마련되는 주냉각수유입관 및 주냉각수출구관;
상기 주냉각수유입관으로부터 상기 싸이리스터 일측에 각각 병렬로 연결되는 냉각수유입관;
상기 싸이리스터 타측으로부터 상기 주냉각수출구관에 각각 병렬로 연결되는 냉각수출구관;을 포함하며,
상기 주냉각수유입관 및 주냉각수출구관에는 상기 싸이리스터 밸브 섹션의 양단에 연결되는 노드에 각각 전극이 형성되고,
상기 주냉각수유입관 일단의 전극과 상기 싸이리스터 밸브 섹션 일단의 방열판 및 상기 주냉각수출구관 일단의 전극이 전기적으로 연결되어 서로 등전위를 이루고,
상기 주냉각수유입관 타단의 전극과 상기 싸이리스터 밸브 섹션 타단의 방열판 및 상기 주냉각수출구관 타단의 전극이 전기적으로 연결되어 서로 등전위를 이루며,
상기 주냉각수유입관 및 주냉각수출구관에서 상기 각 노드에는 전극 안착부가 형성되고 상기 전극 안착부에는 상기 전극이 결합되는 것을 특징으로 하는 병렬 냉각 방식 HVDC 밸브의 전극 연결 구조.
A thyristor valve module including a plurality of thyristor valve sections in which a plurality of thyristors and heat sinks are alternately combined;
A main cooling water inflow pipe and a main cooling inflow pipe provided at one side of the thyristor valve module;
A cooling water inflow pipe connected in parallel to the one side of the thyristor from the main cooling water inflow pipe;
And a cooling exhaust port connected to the main cooling exhaust port in parallel from the other side of the thyristor,
The main cooling water inlet pipe and the main cooling outlet pipe are respectively provided with electrodes at nodes connected to both ends of the thyristor valve section,
An electrode at one end of the main cooling water inflow pipe is electrically connected to a heat sink at one end of the thyristor valve section and an electrode at one end of the main cooling exporter,
The electrode of the other end of the main cooling water inflow pipe is electrically connected to the electrode of the other end of the main cooling exporter and the heat sink of the other end of the thyristor valve section,
Wherein an electrode seating part is formed at each of the nodes in the main cooling water inflow pipe and the main cooling venturi and the electrode is coupled to the electrode seating part.
제1항에 있어서, 상기 각 노드에는 상기 전극 안착부가 돌출 형성되고, 상기 전극 안착부에는 삽입홈이 형성되어 상기 전극이 삽입 결합되는 것을 특징으로 하는 병렬 냉각 방식 HVDC 밸브의 전극 연결 구조.
The electrode connection structure of a parallel cooling type HVDC valve according to claim 1, wherein the electrode seating portion is protruded from each of the nodes, and the electrode seating portion is formed with an insertion groove.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전극은 전극 몸체 및 상기 전극 몸체를 관통하여 형성되는 전극도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 병렬 냉각 방식 HVDC 밸브의 전극 연결 구조.
The electrode connection structure of claim 1 or 2, wherein the electrode comprises an electrode body and an electrode conductor formed through the electrode body.
제1항에 있어서, 상기 싸이리스터 밸브 모듈이 적층되어 싸이리스터 밸브 타워를 형성하는 것을 특징으로 하는 병렬 냉각 방식 HVDC 밸브의 전극 연결 구조.
The electrode connection structure of a parallel cooling HVDC valve according to claim 1, wherein the thyristor valve module is laminated to form a thyristor valve tower.
제4항에 있어서, 상기 싸이리스터 밸브 모듈은 정류기인 것을 특징으로 하는 병렬 냉각 방식 HVDC 밸브의 전극 연결 구조.
The electrode connection structure of a parallel cooling HVDC valve according to claim 4, wherein the thyristor valve module is a rectifier.
제4항에 있어서, 상기 싸이리스터 밸브 모듈은 인버터인 것을 특징으로 하는 병렬 냉각 방식 HVDC 밸브의 전극 연결 구조.5. The electrode connection structure of a parallel cooling HVDC valve according to claim 4, wherein the thyristor valve module is an inverter.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110323752A (en) * 2018-03-30 2019-10-11 Ls产电株式会社 The switch block of reactive power compensation device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06165371A (en) * 1992-11-16 1994-06-10 Toshiba Corp Water-cooled thyristor valve
JP2005073400A (en) * 2003-08-25 2005-03-17 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp Power converter

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06165371A (en) * 1992-11-16 1994-06-10 Toshiba Corp Water-cooled thyristor valve
JP2005073400A (en) * 2003-08-25 2005-03-17 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp Power converter

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110323752A (en) * 2018-03-30 2019-10-11 Ls产电株式会社 The switch block of reactive power compensation device
CN110323752B (en) * 2018-03-30 2023-09-12 Ls产电株式会社 Switch assembly of reactive power compensation device

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