KR101461672B1 - Semiconductor laser diode package system and Method the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 레이저 다이오드 패키지 시스템 및 그 방법에 관한 것으로서, 반도체 레이저 다이오드의 벽개면에 흡착되어 있는 탄화수소 오염원을 O2 플라즈마 애싱(Plasma Ashing) 공정을 통해 제거한 후, 외부 오염원에 노출되지 않는 상태에서 캡 실링 웰더로 이송하여 반도체 레이저 다이오드를 외부로부터 보호하기 위한 캡 웰딩(Cap Welding) 공정을 비활성 가스 분위기에서 수행하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a semiconductor laser diode package system and a method thereof, in which a hydrocarbon contaminant source adsorbed on a cleavage plane of a semiconductor laser diode is removed through an O 2 plasma ashing process, And a cap welding process for transferring the semiconductor laser diode to the sealing welder to protect the semiconductor laser diode from the outside is performed in an inert gas atmosphere.

본 발명에 의하면, 반도체 레이저 다이오드의 벽개면에 흡착된 탄화수소 오염원을 제거함으로써, 반도체 레이저 다이오드의 광학 특성을 향상시킬 수 있으며, 특히 종래에 문제되던 소자의 신뢰성을 개선할 수 있다.According to the present invention, the optical characteristics of the semiconductor laser diode can be improved by removing the hydrocarbon contamination source adsorbed on the cleaved surface of the semiconductor laser diode, and reliability of the device, which has been a problem in the prior art, can be improved.

반도체 레이저 다이오드, 벽개면, 탄화수소, 오염원, 플라즈마 애싱, 캡 Semiconductor laser diodes, cleavage planes, hydrocarbons, contaminants, plasma ashing, caps

Description

반도체 레이저 다이오드 패키지 시스템 및 그 방법{ Semiconductor laser diode package system and Method the same }TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a semiconductor laser diode package system,

본 발명은 반도체 레이저 다이오드 패키지 시스템 및 그 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 레이저 다이오드의 벽개면에 흡착된 탄화수소 오염원을 제거하여 소자의 광 특성 및 신뢰성을 개선하는 반도체 레이저 다이오드 패키지 시스템 및 그 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor laser diode package system and a method thereof, and more particularly, to a semiconductor laser diode package system and a method thereof for removing hydrocarbon contaminants adsorbed on a cleaved surface of a semiconductor laser diode to improve optical characteristics and reliability of the device. .

최근 반도체 레이저 다이오드는 광의 주파수 폭이 좁고 지향성이 첨예하다는 이유로 광 통신, 다중 통신, 우주 통신과 같은 곳에서 실용화되어 가고 있으며, 아울러 고속 레이저 프린터나 컴팩트 디스크 플레이어(Compact Disk Player : CDP) 및 컴팩트 디스크 재생/기록 장치와 같은 광 저장 장치 등에서 폭 넓게 사용되고 있다. 2. Description of the Related Art Recently, semiconductor laser diodes have been put to practical use such as optical communication, multiple communication, and space communication because of their narrow frequency width and high directivity. In addition, high speed laser printers, compact disk players (CDP) And is widely used in an optical storage device such as a reproducing / recording device.

특히, 질화물계 반도체 레이저 다이오드는 천이 방식이 레이저 발진 확률이 높은 직접 천이형이고, 넓은 밴드 갭 에너지에 의해 자외선 영역에서 녹색영역으로 이어지는 단파장의 발진 파장을 제공하기 때문에 광 저장 장치의 광원용으로 주목 받고 있다.In particular, the nitride semiconductor laser diode is a direct-transition type in which the transition method has a high probability of laser oscillation and provides a short wavelength oscillation wavelength leading from the ultraviolet region to the green region by the wide band gap energy, .

광 저장 장치의 광원용으로 사용되는 반도체 레이저 다이오드는 단일 모드 및 고출력 특성을 만족시켜야 하며, 이를 위해 리지 웨이브 가이드(Ridge Waveguide)를 구비하여 주입되는 전류를 제한함으로써, 임계 전류를 낮추고 단일 모드만이 이득을 가지도록 하고 있다.The semiconductor laser diode used for the light source of the optical storage device must satisfy the single mode and the high output characteristic. To this end, the ridge waveguide is provided to restrict the injected current so that the threshold current is lowered, So as to have a gain.

일반적인 질화물계 반도체 레이저 다이오드는 사파이어 기판 상부에 레이저광을 방출하는 활성층을 포함하는 에피층이 형성되어 있고, 상기 에피층 상부에 리지(Ridge)가 형성되어 있고, 상기 리지의 상부에는 p-전극이 형성되어 있으며, 상기 에피층의 일부분이 메사(Mesa) 식각되어 노출된 영역에 n-전극이 형성되어 이루어진다.In a typical nitride semiconductor laser diode, an epi layer including an active layer for emitting laser light is formed on a sapphire substrate, a ridge is formed on the epi layer, and a p-electrode is formed on the ridge And a portion of the epi layer is mesa-etched to form an n-electrode in the exposed region.

여기서, 상기 p-전극에서 리지를 통하여 전류를 주입하면, 활성층에서 정공-전자(Hole-Electron)의 재결합에 의해 광이 발생하게 되며, 활성층에서 발생된 광은 반도체 레이저 다이오드의 벽개면(Cleavage Facet)과 벽개면 사이를 왕복하면서 증폭되다가 공진 조건을 충족하면 외부로 방출하게 된다.When a current is injected through the ridge in the p-electrode, light is generated by recombination of holes and electrons in the active layer. Light generated in the active layer is emitted from the cleavage facet of the semiconductor laser diode. And the cleavage plane, and when the resonance condition is satisfied, it is emitted to the outside.

이때, 반도체 레이저 다이오드에는 반도체 레이저 다이오드의 프론트(Front) 벽개면으로만 레이저광이 방출되도록, 백(Back) 벽개면에는 HR(High Reflection)막을 형성하여 레이저광을 반사시키고, 프론트 벽개면에는 AR(Anti Reflection)막을 형성하여, 레이저광을 비 반사시킨다.At this time, an HR (High Reflection) film is formed on the back cleavage surface to reflect the laser light so that laser light is emitted only to the front cleaved surface of the semiconductor laser diode, and an anti reflection ) Film, and reflects the laser light.

한편, BD(Blue-ray Disk)-RW용이나 HD-RW용의 대용량 고속 장치의 픽업(Pick Up)용으로 사용되는 레이저 다이오드의 경우, 데이터 저장 속도의 고속화에 따른 레이저 다이오드의 고출력화가 진행 중에 있다.On the other hand, in the case of a laser diode used for pickup of a high-capacity high-speed device for BD (Blue-ray Disk) -RW or HD-RW, high output of laser diode have.

이러한 고출력 반도체 레이저 다이오드의 경우, 미러 벽개면(Mirror facet)에서 열화(Degradation)가 쉽게 발생하는데, 이는 벽개면에 표면 결함이 있거나 원치 않는 막 생성 등에 기인한 것으로, 특히 COD(Catastrophic Optical Damage)는 소자의 수명에 직접적인 영향을 미치게 된다.In such a high-power semiconductor laser diode, degradation easily occurs in the mirror facet, which is caused by surface defects on the cleaved surface, unwanted film formation, and particularly, COD (Catastrophic Optical Damage) It directly affects the service life.

즉, 상기 활성층으로부터 방출되는 광은 미러 벽개면의 열화로 생성된 표면 결함에 의해 벽개면에서 흡수되어 열을 발생시키는데, 그로 인해 벽개면 표면에서의 에너지 밴드 갭(Energy band gab)이 줄어들게 된다.That is, the light emitted from the active layer is absorbed at the cleaved surface due to surface defects caused by deterioration of the mirror cleavage surface to generate heat, thereby reducing the energy band gap at the cleavage surface.

이처럼 벽개면 표면에서 에너지 밴드 갭이 줄어들면, 벽개면에서 더욱 더 많은 광을 흡수하게 되는데 이런 과정이 되풀이됨으로써, 벽개면 표면이 녹아버리게 되어 벽개면의 기능이 저하되는데 이런 현상을 COD(Catastrophic Optical Damage) 현상이라고 한다.When the energy bandgap is reduced at the cleavage surface, the cleavage surface absorbs more light at the cleavage surface. This process is repeated, and the cleavage surface is melted and the function of the cleavage surface is degraded. This phenomenon is called a catastrophic optical damage do.

상기 COD 현상은 반도체 레이저 다이오드의 수명을 단축시키고, 소자의 신뢰성을 저하시키는 등의 문제점을 일으킨다.The COD phenomenon shortens the lifetime of the semiconductor laser diode and lowers the reliability of the device.

반도체 레이저 다이오드에서 벽개면에 열화가 생기는 원인은, 반도체 레이저 다이오드를 제조하는 공정 중에 반도체 레이저 다이오드의 벽개면에 탄화수소(Hydrocarbon : CxHy) 등과 같은 오염원이 잔류하게 되기 때문이다.The reason why the cleavage plane is deteriorated in the semiconductor laser diode is that contamination sources such as hydrocarbons (CxHy) remain on the cleavage plane of the semiconductor laser diode during the process of manufacturing the semiconductor laser diode.

즉, 반도체 레이저 다이오드의 제조 공정 중 포토 레지스트를 이용한 패터닝 공정, 평탄화를 위한 왁스(Wax) 공정, 알코올을 이용한 크리닝(Cleaning) 공정 등에서 탄화수소가 레이저 다이오드의 벽개면에 흡착되어 오염원으로 존재하게 된다.That is, hydrocarbons are adsorbed on the cleaved surface of the laser diode in a patterning process using a photoresist, a wax process for planarization, and a cleaning process using alcohol during the manufacturing process of semiconductor laser diodes.

이러한 탄화수소는 장파장인 CD-RW용(780㎚)이나 DVD-RW용(650㎚) 레이저 다이오드의 경우에는 큰 문제가 되지 않는다.Such hydrocarbons are not a big problem in the case of CD-RW (780 nm) and DVD-RW (650 nm) laser diodes, which are long wavelengths.

그러나, 자외선(UV)에 가까운 BD-RW용 레이저 다이오드의 경우, 자외선의 광 출력에 의해 탄화수소 오염원들이 분해되어, 벽개면에 C-C 본딩(C-C Bonding)이 형성되는데, 상기 C-C 본딩에서 광을 흡수하여 광학 특성을 저하시키는 결과를 가져오게 된다.However, in the case of a BD-RW laser diode close to ultraviolet (UV), hydrocarbon contamination sources are decomposed by the light output of ultraviolet rays, and CC bonding is formed on the cleaved surface. Resulting in deterioration of characteristics.

도 1은 종래의 BD-RW용 레이저 다이오드에 있어서, 그 벽개면에 C-C 본딩(C-C Bonding)이 형성되는 상태를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a view schematically showing a state in which C-C bonding (C-C bonding) is formed on a cleavage plane of a conventional BD-RW laser diode.

이에 도시된 바와 같이, 반도체 레이저 다이오드를 제조하는 과정 중에 레이저 다이오드(10)의 벽개면(즉, 광이 출력되는 면)(11)에 탄화수소(12) 등과 같은 오염원이 흡착하게 된다.A contamination source such as hydrocarbon 12 is adsorbed on the cleaved surface 11 of the laser diode 10 (that is, the surface on which light is output) during the manufacturing process of the semiconductor laser diode.

이때, 레이저 다이오드(10)가 구동되어 근 자외선을 방출하면, 근 자외선이 방출되는 벽개면(11)에 흡착된 탄화수소(12)들이 분해되어 탄소 이온(13)을 생성하게 된다.At this time, when the laser diode 10 is driven to emit near-ultraviolet rays, the hydrocarbons 12 adsorbed on the cleavage plane 11 from which the near ultraviolet rays are emitted are decomposed to generate carbon ions 13.

여기서, 벽개면(11)에 흡착된 탄화수소(12)가 탄소 이온(13)으로 분해되는 반응식은 다음과 같다.Here, the reaction formula in which the hydrocarbon (12) adsorbed on the cleavage plane (11) is decomposed into carbon ions (13) is as follows.

CxHy + hυ(자외선) → C + CaHb C x H y + hυ (ultraviolet ray) → C + C a H b

상기 벽개면(11)에 형성되는 탄소 이온(13)은 C-C 본딩(C-C Bonding)이 되어 레이저 다이오드(10)에서 발생하는 광을 흡수하는데, 이로 인해 레이저 다이오드(10)의 광학 특성이 저하된다.The carbon ions 13 formed on the cleavage plane 11 are subjected to C-C bonding to absorb light generated in the laser diode 10, thereby deteriorating the optical characteristics of the laser diode 10.

실제로, BD-RW용 레이저 다이오드의 레이징 파장은 400㎚이지만, 자연 방출(Spontaneous Emission)에 의한 광 출력의 파장은 370㎚ ~ 430㎚ 정도가 된다. 이러한 파장의 근 자외선에 장시간 노출되면 벽개면에 C-C 본딩(C-C Bonding)에 의한 탄소 성장(Carbon Growth)이 나타나 광 출력의 저하가 발생하게 된다.Actually, the laser wavelength of the laser diode for BD-RW is 400 nm, but the wavelength of light output by spontaneous emission is about 370 nm to 430 nm. When exposed to the near ultraviolet rays of such wavelength for a long time, carbon growth is caused by C-C bonding (C-C bonding) on the cleaved surface, resulting in a decrease in light output.

도 2는 종래의 BD-RW용 레이저 다이오드의 프론트 미러(Front Mirror) 부분을 주사 전자 현미경(Scanning Electron Microscope : SEM)으로 촬영한 사진이다.이에 도시된 바와 같이, 레이저 다이오드의 리지 하단의 벽개면 부근에 탄소 성장(Carbon Growth)이 발생한 것을 볼 수 있다.2 is a photograph of a front mirror portion of a conventional BD-RW laser diode taken by a scanning electron microscope (SEM). As shown in FIG. 2, in the vicinity of the cleavage plane of the lower edge of the laser diode (Carbon Growth) occurs in the carbon monoxide.

본 발명의 목적은 반도체 레이저 다이오드의 벽개면에 흡착된 탄화수소 오염원을 제거하여 소자의 광 특성 및 신뢰성을 향상시키는 반도체 레이저 다이오드 패키지 시스템 및 그 방법을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor laser diode package system and a method thereof, which improve optical characteristics and reliability of a device by removing a hydrocarbon contaminant source adsorbed on a cleaved surface of the semiconductor laser diode.

상기 문제점을 해결하기 위해 고안된 본 발명의 반도체 레이저 다이오드 패키지 시스템의 바람직한 실시예는, 반도체 레이저 다이오드의 벽개면에 흡착되어 있는 탄화수소 오염원을 제거하는 O2 플라즈마 애싱(Plasma Ashing) 장치와, 상기 탄화수소 오염원이 제거된 반도체 레이저 다이오드를 외부로부터 보호하기 위한 캡 웰딩(Cap Welding) 공정을 수행하는 캡 실링 웰더(Cap Sealing Welder)와, 상기 O2 플라즈마 애싱 장치에 의해 탄화수소 오염원이 제거된 반도체 레이저 다이오드를 외부 오염원에 노출되지 않는 상태에서 상기 캡 실링 웰더로 이송하는 이송 장치를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.A preferred embodiment of the semiconductor laser diode package system of the present invention designed to solve the above problems is an O 2 plasma ashing device for removing a hydrocarbon contaminant source adsorbed on a cleavage plane of a semiconductor laser diode, A Cap Sealing Welder for performing a cap welding process for protecting the removed semiconductor laser diode from the outside, a semiconductor laser diode having a hydrocarbon source removed by the O 2 plasma ashing device, To the cap sealing welder without being exposed to the cap sealing welder.

여기서, 상기 캡 실링 웰더는, 내부가 외부로부터 밀폐된 하우징과, 상기 이송 장치로부터 이송된 반도체 레이저 다이오드를 안착 및 고정시키는 캡 로딩(Cap Loading)부와, 상기 캡 로딩부 상부에 형성되어 반도체 레이저 다이오드의 스템 상에 캡을 웰딩시키는 아크 용접부와, 상기 하우징 내부로 비활성 가스를 주입하는 주입관;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The cap sealing welder includes a housing having an interior sealed from the outside, a cap loading unit for mounting and fixing the semiconductor laser diode transferred from the transfer device, An arc welding portion for welding the cap on the stem of the diode, and an injection tube for injecting an inert gas into the housing.

또한, 상기 반도체 레이저 다이오드는 자외선 파장의 광을 출력하는 것으로서, 특히 370㎚ ~ 430㎚ 파장의 광을 출력하는 것을 특징으로 한다.In addition, the semiconductor laser diode outputs light having a wavelength of ultraviolet light, and is characterized in that it outputs light having a wavelength of 370 nm to 430 nm in particular.

본 발명의 반도체 레이저 다이오드 패키지 방법의 바람직한 실시예는, 반도체 레이저 다이오드의 벽개면에 흡착되어 있는 탄화수소 오염원을 O2 플라즈마 애싱(Plasma Ashing) 공정을 통해 제거하는 단계와, 상기 탄화수소 오염원이 제거된 반도체 레이저 다이오드를 외부 오염원에 노출되지 않는 상태에서 캡 실링 웰더로 이송하는 단계와, 상기 탄화수소 오염원이 제거된 반도체 레이저 다이오드를 외부로부터 보호하기 위한 캡 웰딩(Cap Welding) 공정을 수행하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.A preferred embodiment of the semiconductor laser diode package method of the present invention includes the steps of removing a hydrocarbon contaminant source adsorbed on a cleavage plane of a semiconductor laser diode through an O 2 plasma ashing process, Transferring the diode to a cap sealing welder in a state that the diode is not exposed to an external contaminant source, and performing a cap welding process for protecting the semiconductor laser diode from which the hydrocarbon contamination source is removed from the outside .

여기서, 상기 캡 웰딩 공정은 비활성 가스 분위기에서 수행하며, 상기 비활성 가스는 Ar, He, N2 중에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.Here, the cap welding process may be performed in an inert gas atmosphere, and the inert gas may be any one selected from the group consisting of Ar, He, and N 2 .

본 발명에 의하면, 반도체 레이저 다이오드의 벽개면에 흡착된 탄화수소 오염원을 제거함으로써, 반도체 레이저 다이오드의 광학 특성을 향상시킬 수 있으며, 특히 종래에 문제되던 소자의 신뢰성을 개선할 수 있다.According to the present invention, the optical characteristics of the semiconductor laser diode can be improved by removing the hydrocarbon contamination source adsorbed on the cleaved surface of the semiconductor laser diode, and reliability of the device, which has been a problem in the prior art, can be improved.

이하, 도 3 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 반도체 레이저 다이오드 패키지 시스템 및 그 방법에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the semiconductor laser diode package system and method of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 7. FIG.

본 발명을 설명함에 있어서, 본 발명과 관련된 공지기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 그리고, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.In the following description, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. The following terms are defined in consideration of the functions of the present invention, and may be changed according to the intention or custom of the user, the operator, and the like. Therefore, the definition should be based on the contents throughout this specification.

도 3은 본 발명의 반도체 레이저 다이오드의 패키지 방법을 나타낸 순서도이다.3 is a flowchart showing a method of packaging a semiconductor laser diode of the present invention.

이에 도시된 바와 같이, 먼저 개별 반도체 레이저 다이오드 칩을 제작한다(S 100).As shown in the figure, first, an individual semiconductor laser diode chip is manufactured (S100).

즉, 웨이퍼 상에 복수의 반도체 레이저 다이오드 에피층을 성장시키고 스크라이빙 공정을 수행하여 레이저 바(Bar)를 형성한 후, 또 한 번의 스크라이빙 공정을 수행하여 상기 레이저 바를 복수 개의 반도체 레이저 다이오드 칩으로 분리시킨다. 이러한 공정은 반도체 레이저 다이오드를 제조하는 데 있어 통상적인 공정이다.That is, a plurality of semiconductor laser diode epilayers are grown on a wafer, a scribing process is performed to form a laser bar, and another scribing process is performed to form the laser bar into a plurality of semiconductor laser diode Chip. Such a process is a typical process for manufacturing a semiconductor laser diode.

여기서, 상기 반도체 레이저 다이오드 칩은 자외선 파장 대의 광을 출력하는 레이저 다이오드로서, 특히 370㎚ ~ 430㎚ 파장의 광을 출력하는 레이저 다이오드인 것이 바람직하다.Here, it is preferable that the semiconductor laser diode chip is a laser diode which outputs light of an ultraviolet wavelength band, and in particular, a laser diode which outputs light of a wavelength of 370 nm to 430 nm.

다음으로, 상기 반도체 레이저 다이오드 칩을 스템(Stem)에 패키징한다(S 110).Next, the semiconductor laser diode chip is packaged in a stem (S 110).

즉, 상기 분리된 개별 반도체 레이저 다이오드 칩을 검사하여 양호한 반도체 레이저 다이오드 칩을 선별한 후, 선별된 반도체 레이저 다이오드 칩을 스템 상에 다이 본딩(Die Bonding) 하여 접착한다.That is, the separated individual semiconductor laser diode chips are inspected to select good semiconductor laser diode chips, and then the selected semiconductor laser diode chips are bonded by die bonding on the stem.

그리고, 반도체 레이저 다이오드의 전극과 스템의 리드를 전기적으로 연결하기 위한 와이어 본딩(Wire Bonding) 공정을 수행한다.Then, a wire bonding process is performed to electrically connect the electrode of the semiconductor laser diode and the lead of the stem.

이러한 패키징 공정 중에 반도체 레이저 다이오드의 벽개면이 오랜 시간 대기에 노출되어 탄화수소 오염원이 흡착하게 된다.During such a packaging process, the cleavage plane of the semiconductor laser diode is exposed to the atmosphere for a long time and the hydrocarbon contamination source is adsorbed.

즉, 상기 분리된 개별 반도체 레이저 다이오드 칩을 선별하는 과정에서, 반도체 레이저 다이오드가 대기 중에 노출되어 탄화수소 오염원이 벽개면에 흡착하게 되고, 반도체 레이저 다이오드에서 방출된 근 자외선으로 인해 벽개면에 흡착된 탄화수소 오염원이 분해되어 C-C 본딩(C-C Bonding)이 형성되게 된다.That is, in the process of sorting the separated individual semiconductor laser diode chips, the semiconductor laser diode is exposed to the atmosphere, the hydrocarbon contaminant source is adsorbed on the cleavage surface, and the hydrocarbon contaminant source adsorbed on the cleavage surface due to the near- So that CC bonding is formed.

또한, 선별된 반도체 레이저 다이오드 칩을 스템의 서브 마운트 상에 다이 본딩하는 공정은, 대기에 노출된 상태에서 솔더(Solder)를 녹여 반도체 레이저 다이오드 칩을 서브 마운트 상에 접착하는 공정으로, 반도체 레이저 다이오드의 벽개면에 탄화수소 오염원의 집진 가능성이 상당히 높다.The step of die-bonding the selected semiconductor laser diode chip onto the submount of the stem includes a step of bonding the semiconductor laser diode chip onto the submount by melting the solder in a state exposed to the atmosphere, The possibility of collecting hydrocarbon pollutants on the cleaved surface of the catalyst is considerably high.

이어서, O2 플라즈마 애싱(Plasma Ashing) 공정을 통해 반도체 레이저 다이오드의 벽개면에 흡착된 탄화수소 오염원을 제거한다(S 120).Subsequently, a hydrocarbon contaminant source adsorbed on the cleavage plane of the semiconductor laser diode is removed through an O 2 plasma ashing process (S 120).

즉, O2 플라즈마 애셔 챔버 내로 O2 플라즈마 가스를 유입하면, 유입된 O2 플라즈마 가스가 반도체 레이저 다이오드 칩의 벽개면에 흡착된 탄화수소 오염원과 반응하여 산화가 일어나게 되고, 그 반응물들(예를 들어, CO, CO2, H2O)이 펌프에 의해 배기구를 통해 빠져나가게 된다.That is, O 2 plasma when introducing an O 2 plasma gas into the asher chamber, an inlet O 2 plasma gas reacts with the adsorbed hydrocarbon contaminants on the cleaved facet of the semiconductor laser diode chip is to occur is oxidation of the reactants (e.g., CO, CO 2 , H 2 O) is pumped out through the exhaust port.

연이어, 상기 탄화수소 오염원이 제거된 반도체 레이저 다이오드 패키지를 이송 장치를 통해 캡 실링 웰더(Cap Sealing Welder)로 운반한다(S 130).Subsequently, the semiconductor laser diode package from which the hydrocarbon contamination source is removed is transported to a cap sealing welder through a transfer device (S 130).

이때, 반도체 레이저 다이오드 패키지는 대기에 노출됨이 없이 캡 실링 웰더로 이송되어야 하는데, 이를 위해 이송 장치는 외부와 차단되어 있어야 한다.At this time, the semiconductor laser diode package must be transported to the cap sealing welder without being exposed to the atmosphere, so that the transfer device should be shielded from the outside.

즉, 반도체 레이저 다이오드가 더 이상의 오염원에 노출되지 않도록 O2 플라즈마 애셔 장비에서 캡 실링 웰더로 이송 장치를 통해 곧바로 이송한다.That is, the semiconductor laser diode is transported directly from the O 2 plasma asher equipment through the transfer device to the cap sealing welder so as not to be exposed to further contaminants.

다음으로, 상기 캡 실링 웰더에서 캡 웰딩(Cap Welding) 공정을 수행한다(S 140).Next, a cap welding process is performed in the cap sealing welder (S 140).

즉, 반도체 레이저 다이오드를 외부로부터 보호하기 위해 캡(Cap)을 스템 상에 웰딩하여 고정하는데, 상기 캡은 반도체 레이저 다이오드의 광을 외부로 출사시 키기 위해 투명창이 마련되어 있어야 한다.That is, in order to protect the semiconductor laser diode from the outside, the cap is welded on the stem and fixed. The cap must have a transparent window to emit the light of the semiconductor laser diode to the outside.

이때, 상기 캡 실링 웰더는 반응성이 없는 비활성 가스(Inert Gas)(예를 들어, Ar, He, N2 등)로 충전되어 있어야 하며, 이러한 비활성 가스 분위기에서 캡 웰딩 공정이 이루어진다.At this time, the cap sealing welder must be filled with an inert gas (for example, Ar, He, N 2 or the like) having no reactivity, and a cap welding process is performed in such an inert gas atmosphere.

이를 위해 상기 캡 실링 웰더는 내부가 외부로부터 밀폐된 하우징과, 상기 하우징을 관통하여 비활성 가스를 하우징 내부로 주입하는 주입관을 포함하여 구성된다.To this end, the cap sealing welder comprises a housing which is hermetically sealed from the outside, and an injection pipe which penetrates the housing and injects inert gas into the housing.

또한, 상기 캡 실링 웰더는 반도체 레이저 다이오드 패키지를 안착 및 고정시킬 수 있는 기구가 설치되어 있고, 이 기구의 상부에서 캡을 스템 상에 웰딩시킬 용접부가 마련되어 있는 것이 바람직하다.In addition, the cap sealing welder is provided with a mechanism capable of placing and fixing the semiconductor laser diode package, and a welding part for welding the cap on the stem at the upper part of the mechanism is preferably provided.

이와 같이 본 발명에 의하면, 반도체 레이저 다이오드의 벽개면에 흡착된 탄화수소 오염원을 제거함으로써, 반도체 레이저 다이오드의 광학 특성을 향상시킬 수 있으며, 특히 종래에 문제되던 소자의 신뢰성을 개선할 수 있다.As described above, according to the present invention, it is possible to improve the optical characteristics of the semiconductor laser diode by removing the hydrocarbon contamination source adsorbed on the cleaved surface of the semiconductor laser diode, and particularly, reliability of the device, which has been a problem in the related art, can be improved.

도 4는 본 발명의 O2 플라즈마 애싱(Plasma Ashing) 공정을 통해 탄화수소 오염원이 제거되는 상태를 개략적으로 나타낸 도면이다.FIG. 4 is a schematic view illustrating a state in which a hydrocarbon contaminant source is removed through an O 2 plasma ashing process of the present invention. FIG.

먼저, 플라즈마 소스는 산소(O2) 및 아르곤(Ar) 가스를 포함하는데, 여기에 13.56MHz의 주파수를 가지는 RF 전력을 인가하여 O2 플라즈마를 생성한 후, 챔버 내 로 O2 플라즈마 가스를 주입한다(A).First, the plasma source includes oxygen (O 2 ) and argon (Ar) gas. An RF power having a frequency of 13.56 MHz is applied to generate an O 2 plasma, and then an O 2 plasma gas is injected into the chamber (A).

이와 같이, 챔버 내로 주입된 O2 플라즈마는 탄화 수소 오염원(50)과 산화 반응하여 탄화 수소 오염원(50)을 분해시키는데, 이때 O2 플라즈마는 탄화 수소 오염원(50)의 C-C 본딩을 절단한 후, C와 결합하여 일산화탄소(CO) 또는 이산화탄소(CO2)를 생성한다(B).The O 2 plasma injected into the chamber is oxidized with the hydrocarbon contaminant 50 to decompose the hydrocarbon contaminant 50. The O 2 plasma is generated by cutting the CC bonding of the hydrocarbon contaminant 50, C (CO) or carbon dioxide (CO 2 ) (B).

그리고, O2 플라즈마는 탄화 수소 오염원(50)의 C-H 결합을 절단한 후, H와 결합하여 물(H2O)을 생성한다(C).Then, the O 2 plasma cuts off the CH bond of the hydrocarbon contaminant source 50 and then combines with H to produce water (H 2 O) (C).

상기 O2 플라즈마와 탄화 수소 오염원(50)의 산화 반응 결과 생성된 반응물(CO, CO2 , H2O)들은 배기구를 통하여 외부로 배출된다.The reactants produced as a result of the oxidation reaction of the O 2 plasma and the hydrocarbon contaminant source 50 (CO, CO 2 , H 2 O) are discharged to the outside through the exhaust port.

도 5는 본 발명의 반도체 레이저 다이오드 패키지가 캡 웰딩된 상태를 나타낸 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing a state in which the semiconductor laser diode package of the present invention is cap-welded.

이에 도시된 바와 같이, 반도체 레이저 다이오드(110)가 스템(100) 상에 접합되어 있고, 스템(100) 상부에 상기 반도체 레이저 다이오드(110)를 보호하기 위한 캡(120)이 형성된다. A semiconductor laser diode 110 is bonded on the stem 100 and a cap 120 for protecting the semiconductor laser diode 110 is formed on the stem 100. [

여기서, 상기 캡(120)은 상기 반도체 레이저 다이오드(110)에서 발생한 광을 외부로 출사하기 위한 투명 창(125)을 구비하며, 상기 캡(120)은 웰딩(Welding)에 의해 상기 스템(100) 상에 고정된다.The cap 120 has a transparent window 125 for emitting light generated from the semiconductor laser diode 110 to the outside and the cap 120 is welded to the stem 100 by welding, .

도 6은 본 발명의 반도체 레이저 다이오드 패키지 시스템을 개략적으로 나타낸 도면이다.6 is a schematic diagram of a semiconductor laser diode package system of the present invention.

이에 도시된 바와 같이, 반도체 레이저 다이오드의 벽개면에 흡착되어 있는 탄화수소 오염원을 제거하기 위한 O2 플라즈마 애싱(Plasma Ashing) 장치(200)와, 상기 반도체 레이저 다이오드를 외부로부터 보호하기 위한 캡 웰딩 공정을 수행하는 캡 실링 웰더(Cap Sealing Welder)(210)와, 상기 반도체 레이저 다이오드가 오염원에 노출됨이 없도록 상기 O2 플라즈마 애싱 장치(200)에서 상기 캡 실링 웰더(210)로 이송하는 이송 장치(220)로 이루어진다.As shown in the figure, an O 2 plasma ashing device 200 for removing a hydrocarbon contaminant source adsorbed on the cleavage surface of the semiconductor laser diode, and a cap welding process for protecting the semiconductor laser diode from the outside And a transfer device 220 for transferring the semiconductor laser diode from the O 2 plasma ashing device 200 to the cap sealing welder 210 so that the semiconductor laser diode is not exposed to a contamination source. .

여기서, 상기 O2 플라즈마 애싱(Plasma Ashing) 장치(200)는 원격 플라즈마 소스(미도시)와, 상기 원격 플라즈마 소스로부터 플라즈마 가스를 공급받는 가스 주입구 및 배기구를 가지는 진공 챔버(미도시)와, 상기 진공 챔버 내에 서로 일정 간격으로 이격되어 대향하는 상부 전극 및 하부 전극(미도시)과, 상기 상부 전극 하측에 플라즈마 가스를 확산시켜 주는 샤워 헤드(Shower Head)(미도시)와, 상기 하부 전극을 지지하며 하부 전극 상에 형성된 기판을 이동시키는 서셉터(Susceptor)(미도시) 등을 포함하여 이루어진다.Here, the O 2 plasma ashing apparatus 200 includes a remote plasma source (not shown), a vacuum chamber (not shown) having a gas inlet and an outlet for receiving a plasma gas from the remote plasma source, A shower head (not shown) for diffusing a plasma gas at a lower side of the upper electrode and a lower electrode (not shown) spaced apart from each other at a predetermined distance in the vacuum chamber, And a susceptor (not shown) for moving the substrate formed on the lower electrode.

상기 캡 실링 웰더(Cap Sealing Welder)(210)는 내부가 외부로부터 밀폐된 하우징(211)과, 상기 이송 장치(220)로부터 이송된 반도체 레이저 다이오드 패키지를 안착 및 고정시키는 캡 로딩부(213)와, 상기 캡 로딩부(213) 상부에 형성되어 반도체 레이저 다이오드 패키지의 스템 상에 캡을 웰딩시키는 아크 용접부(215)와, 상기 하우징(211) 내부로 비활성 가스를 주입하는 주입관(217)을 포함하여 이루어진다.The cap sealing welder 210 includes a housing 211 which is sealed from the outside, a cap loading unit 213 which seats and fixes the semiconductor laser diode package transferred from the transfer device 220, An arc welding part 215 formed on the cap loading part 213 to weld the cap on the stem of the semiconductor laser diode package and an injection tube 217 for injecting an inert gas into the housing 211 .

상기 이송 장치(220)는 상기 O2 플라즈마 애싱 장치(200)와 캡 실링 웰더(210)를 직접 연결하는 컨베이어(Conveyer)를 포함하여 이루어지며, O2 플라즈마 애싱 장치(200)를 통해 탄화수소 오염원이 제거된 반도체 레이저 다이오드 패키지를 외부 오염원에 노출됨이 없이 캡 실링 웰더(210)로 이송한다.The transfer device 220 includes a conveyor that directly connects the O 2 plasma ashing device 200 and the cap sealing welder 210. The O 2 plasma ashing device 200 is used to transfer the hydrocarbon contamination source And transfers the removed semiconductor laser diode package to the cap sealing welder 210 without exposure to external contaminants.

도 7은 종래의 반도체 레이저 다이오드의 광 특성과 본 발명의 반도체 레이저 다이오드의 광 특성을 비교한 그래프이다. 여기서는 여러 개의 시료를 테스트한 결과를 함께 나타내었다.7 is a graph comparing optical characteristics of a conventional semiconductor laser diode and optical characteristics of a semiconductor laser diode of the present invention. Here, the test results of several samples are shown together.

이에 도시된 바와 같이, 종래의 반도체 레이저 다이오드는 광 출력이 시간에 따라 변하는 폭이 크고 시료에 따라 광 출력의 차이가 많이 나는 것을 볼 수 있으나, 본 발명의 반도체 레이저 다이오드는 광 출력이 시간 및 시료에 따라 거의 일정한 것을 볼 수 있다.As shown in the figure, the conventional semiconductor laser diode has a large width of light output varying with time and a large difference in light output depending on the sample. However, in the semiconductor laser diode of the present invention, Can be seen to be almost constant.

이상에서 대표적인 실시예를 통하여 본 발명에 대하여 상세하게 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 상술한 실시예에 대하여 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 변형이 가능함을 이해 할 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation, I will understand.

그러므로 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the above-described embodiments, but should be determined by equivalents to the appended claims, as well as the appended claims.

도 1은 종래의 BD-RW용 레이저 다이오드에 있어서, 그 벽개면에 C-C 본딩(C-C Bonding)이 형성되는 상태를 개략적으로 나타낸 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic view showing a state in which C-C bonding (C-C bonding) is formed on a cleaved surface of a conventional BD-RW laser diode.

도 2는 종래의 BD-RW용 레이저 다이오드의 프론트 미러(Front Mirror) 부분을 주사 전자 현미경(Scanning Electron Microscope : SEM)으로 촬영한 사진.FIG. 2 is a photograph of a front mirror portion of a conventional laser diode for a BD-RW by a scanning electron microscope (SEM).

도 3은 본 발명의 반도체 레이저 다이오드의 패키지 방법을 나타낸 순서도.3 is a flowchart showing a method of packaging a semiconductor laser diode of the present invention.

도 4는 본 발명의 O2 플라즈마 애싱(Plasma Ashing) 공정을 통해 탄화수소 오염원이 제거되는 상태를 개략적으로 나타낸 도면.4 is a schematic view illustrating a state in which a hydrocarbon contaminant source is removed through an O 2 plasma ashing process of the present invention.

도 5는 본 발명의 반도체 레이저 다이오드 패키지가 캡 웰딩된 상태를 나타낸 단면도.5 is a cross-sectional view showing a state in which the semiconductor laser diode package of the present invention is cap-welded.

도 6은 본 발명의 반도체 레이저 다이오드 패키지 시스템을 개략적으로 나타낸 도면.6 is a schematic diagram of a semiconductor laser diode package system of the present invention.

도 7은 종래의 반도체 레이저 다이오드의 광 특성과 본 발명의 반도체 레이저 다이오드의 광 특성을 비교한 그래프.7 is a graph comparing optical characteristics of a conventional semiconductor laser diode and optical characteristics of a semiconductor laser diode of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Description of the Related Art [0002]

100 : 스템 110 : 반도체 레이저 다이오드100: Stem 110: Semiconductor laser diode

120 : 캡 125 : 투명 창120: Cap 125: Transparent window

200 : O2 플라즈마 애싱 장치 210 : 캡 실링 웰더200: O 2 plasma ashing device 210: cap sealing welder

211 : 하우징 213 : 캡 로딩부211: housing 213: cap loading section

215 : 아크 용접부 217 : 주입관215: arc welding part 217: injection tube

220 : 이송 장치220: Feeding device

Claims (10)

산소 플라즈마를 이용하여, 반도체 레이저 다이오드의 벽개면에 흡착되어 있는 탄화수소 오염원을 제거하는 산소 플라즈마 애싱 장치;An oxygen plasma ashing apparatus for removing a hydrocarbon contaminant source adsorbed on a cleaved surface of a semiconductor laser diode using oxygen plasma; 탄화수소 오염원이 제거된 반도체 레이저 다이오드를 외부로부터 보호하기 위한 캡 웰딩 공정을 수행하는 캡 실링 웰더; 및A cap sealing welder for performing a cap welding process for protecting the semiconductor laser diode from which the hydrocarbon contamination source is removed from the outside; And 탄화수소 오염원이 제거된 반도체 레이저 다이오드를 외부 오염원에 노출되지 않는 상태에서 상기 캡 실링 웰더로 이송하는 이송 장치를 포함하고, 상기 캡 실링 웰더는,And a transfer device for transferring the semiconductor laser diode from which the hydrocarbon contamination source has been removed to the cap sealing welder in a state in which the semiconductor laser diode is not exposed to external contaminants, 내부가 외부로부터 밀폐된 하우징;A housing having an interior sealed from the outside; 상기 이송 장치로부터 이송된 반도체 레이저 다이오드를 안착 및 고정하는 캡 로딩부;A cap loading unit for mounting and fixing the semiconductor laser diode transferred from the transfer device; 상기 캡 로딩부 상부에 형성되어 반도체 레이저 다이오드의 스템 상에 캡을 웰딩하는 아크 용접부; 및An arc welding portion formed on the cap loading portion to weld the cap on the stem of the semiconductor laser diode; And 상기 하우징 내부로 비활성 가스를 주입하는 주입관을 포함하는 반도체 레이저 다이오드 패키지 시스템.And an injection tube for injecting an inert gas into the housing. 제1항에 있어서, 상기 반도체 레이저 다이오드는, 자외선(UV) 파장의 광을 출력하는 반도체 레이저 다이오드 패키지 시스템.The semiconductor laser diode package system according to claim 1, wherein the semiconductor laser diode outputs light having an ultraviolet (UV) wavelength. 제2항에 있어서, 상기 반도체 레이저 다이오드는, 370㎚ ~ 430㎚ 파장의 광을 출력하는 반도체 레이저 다이오드 패키지 시스템.The semiconductor laser diode package system according to claim 2, wherein the semiconductor laser diode outputs light having a wavelength of 370 nm to 430 nm. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 캡 실링 웰더는, 내부가 비활성 가스로 충전되어 있는 반도체 레이저 다이오드 패키지 시스템.The semiconductor laser diode package system according to any one of claims 1 to 3, wherein the cap sealing welder is filled with an inert gas. 삭제delete 제1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 비활성 가스는 Ar, He, N2 중에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어지는 반도체 레이저 다이오드 패키지 시스템.Wherein the inert gas is made of any one material selected from the group consisting of Ar, He and N 2 . 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH11229150A (en) * 1998-02-16 1999-08-24 Anelva Corp Film forming device for information recording disk
JP2005129814A (en) * 2003-10-27 2005-05-19 Nec Engineering Ltd Manufacturing apparatus of semiconductor device
JP2007059732A (en) * 2005-08-26 2007-03-08 Sharp Corp Nitride semiconductor laser element and its manufacturing method
KR20070069033A (en) * 2005-12-27 2007-07-02 산요덴키가부시키가이샤 Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11229150A (en) * 1998-02-16 1999-08-24 Anelva Corp Film forming device for information recording disk
JP2005129814A (en) * 2003-10-27 2005-05-19 Nec Engineering Ltd Manufacturing apparatus of semiconductor device
JP2007059732A (en) * 2005-08-26 2007-03-08 Sharp Corp Nitride semiconductor laser element and its manufacturing method
KR20070069033A (en) * 2005-12-27 2007-07-02 산요덴키가부시키가이샤 Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

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