KR101446069B1 - Graphene Transfer Method By Using Electromagnetic Inductive Levitation - Google Patents

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Abstract

본 발명은 그래핀 전사 방법을 제공한다.이 그래핀 전사 방법은 전자기 공중 부양법을 사용하여 공중 부양된 상태에서 그래핀 박막을 어닐링하는 단계, 및 그래핀 박막을 공중 부양된 상태에서 기판을 그래핀 박막과 접촉시켜 전사하는 단계를 포함한다.The present invention provides a graphene transfer method comprising the steps of annealing a graphene film in a levitated state using electromagnetic levitation, and transferring the graphene film to a substrate in a levitated state And transferring the pin thin film in contact with the pin thin film.

Description

전자기 유도 공중 부양을 이용한 그래핀 전사 방법{Graphene Transfer Method By Using Electromagnetic Inductive Levitation}Technical Field [0001] The present invention relates to a graphene transfer method using electromagnetic induction levitation,

본 발명은 그래핀 제조 방법에 관한 것으로, 더 구체적으로 전자기 부양을 이용한 그래핀 박막 전사 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a graphene manufacturing method, and more particularly, to a graphene thin film transfer method using electromagnetic levitation.

그래핀은 탄소로 이루어진 물질로 흑연과 다이아몬드, 플러렌과 동소체이다. 그래핀은 흑연을 물리적으로 분리시켰을 때 만들어지는 하나의 단층이다. 그래핀은 2차원의 벌집 모양 격자 구조를 가지고 있다. 그래핀은 여러 가지 우수한 성질을 갖고 있다. 그래핀은 우수한 물리적 강도, 우수한 열 전도성, 빠른 전자 이동도, 유연성 등의 특성을 가진다. 그래핀은 결정 성장, 전자 공학, 혼합물, 분자 기체 센서, 에너지의 저장 및 변환의 분야 등에 응용될 수 있다.Graphene is a material made of carbon, which is graphite and diamond, fullerene and isoprene. Graphene is a single layer created by physically separating graphite. Graphene has a two-dimensional honeycomb lattice structure. Graphene has many excellent properties. Graphene has properties such as excellent physical strength, excellent thermal conductivity, fast electron mobility, and flexibility. Graphene can be applied to the fields of crystal growth, electronics, mixtures, molecular gas sensors, energy storage and conversion, and the like.

본 발명의 해결하고자 하는 일 기술적 과제는 전자기 공중 부양(electromagnetic levitation) 기술을 이용하여 그래핀 박막을 기판에 전사하는 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a method for transferring a graphene thin film onto a substrate using an electromagnetic levitation technique.

본 발명의 일실시예에 따른 그래핀 전사 방법은 전자기 공중 부양법을 사용하여 공중 부양된 상태에서 그래핀 박막을 어닐링하는 단계; 및 상기 그래핀 박막을 공중 부양된 상태에서 기판을 상기 그래핀 박막과 접촉시켜 전사하는 단계를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a graphene transfer method comprising: annealing a graphene thin film in a floating state using electromagnetic levitation; And transferring the substrate in contact with the graphene thin film while the graphene thin film is levitated.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 그래핀 박막을 어닐링하기 전에 금속 기판 상에 전자기 공중 부양 장치 내에서 플라즈마 화학 기상 증착법을 이용하여 상기 그래핀 박막을 형성하는 단계; 및 상기 그래핀 박막 형성 후, 상기 금속 기판 상에 형성된 상기 그래핀 박막을 전자기 부양 장치 내에서 공중 부양시키고 유도 가열하여 상기 금속 기판을 증발시키는 단계;를 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, there is provided a method of fabricating a semiconductor device, comprising: forming the graphene thin film on a metal substrate using a plasma chemical vapor deposition method in an electromagnetic levitating apparatus before annealing the graphene thin film; And evaporating the graphene thin film formed on the metal substrate after the formation of the graphene thin film by levitating and induction heating the graphene thin film in an electromagnetic flotation apparatus.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 금속 기판은 구리, 니켈, 또는 코발트 일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the metal substrate may be copper, nickel, or cobalt.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 화학 기상 증착법을 이용하여 상기 그래핀 박막을 형성하는 동안, 상기 금속 기판의 온도는 섭씨 600 도 내지 섭씨 800 도일 수 있다.In one embodiment of the present invention, during the formation of the graphene thin film using the plasma enhanced chemical vapor deposition method, the temperature of the metal substrate may be 600 ° C to 800 ° C.

본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 전사 방법은 종래의 화학적 전사방법의 문제점인 화학물질의 오염없이 어닐링 효과에 의한 고순도 그래핀 박막의 전사가 가능하다.The graphene transfer method according to an embodiment of the present invention can transfer a high-purity graphene thin film by an annealing effect without contamination of a chemical substance, which is a problem of a conventional chemical transfer method.

도 1a 내지 도 1d은 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 전사 방법을 설명하는 도면들이다.1A to 1D are views for explaining a graphene transfer method according to an embodiment of the present invention.

그래핀은 주로 기계적 박리법, 화학적 박리법, 화학 기상 증착법, 에피탁시 합성법, 또는 유기합성법으로 제조될 수 있다. 그 중에서, 화학 기상 증착법이 상업성이 있으나, 화학 기상 증착법은 금속 촉매층을 필요하다. 따라서, 그래핀 박막 형성 후, 상기 금속 촉매층의 제거하는 기술, 및 남은 그래핀 박막의 전사 기술이 요구된다.Graphene can be produced mainly by mechanical stripping, chemical stripping, chemical vapor deposition, epitaxial synthesis, or organic synthesis. Among them, the chemical vapor deposition method is commercially available, but the chemical vapor deposition method requires a metal catalyst layer. Therefore, there is a demand for a technique of removing the metal catalyst layer after the formation of the graphene thin film and a technique of transferring the remaining graphene thin film.

화학 기상 증착법은 실리콘 기판 상에 고온에서 탄소를 잘 흡착하는 전이금속을 촉매층으로 이용하여 그래핀을 형성한다. 촉매층은 구리, 니켈 등의 전이 금속일 수 있다. 기판 상에 형성된 촉매층은 약 섭씨 1000 도 정도의 고온에서 메탄, 수소 혼합 가스와 반응하여, 적절한 양의 탄소과 촉매층에 들어가거나 흡착된다. 한편, 플라즈마를 이용하는 경우, 그래핀 성장 온도는 약 섭씨 700도 정도로 감소될 수 있다. 이어서, 이후 냉각을 통하여 촉매층에 포함된 탄소 원자들은 표면에서 결정화되어 그래핀 구조를 형성한다. 이어서, 촉매층은 화학 약품을 이용하여 제거되고, 남은 그래핀 박막은 다른 기판에 전사된다. In the chemical vapor deposition method, graphene is formed on a silicon substrate by using a transition metal which adsorbs carbon well at a high temperature as a catalyst layer. The catalyst layer may be a transition metal such as copper or nickel. The catalyst layer formed on the substrate reacts with a methane / hydrogen mixed gas at a high temperature of about 1000 degrees Celsius and enters or adsorbs an appropriate amount of carbon and a catalyst layer. On the other hand, when a plasma is used, the graphene growth temperature can be reduced to about 700 degrees centigrade. Subsequently, the carbon atoms contained in the catalyst layer after cooling are crystallized on the surface to form a graphene structure. Then, the catalyst layer is removed using a chemical agent, and the remaining graphene film is transferred to another substrate.

그러나, 상기 촉매층을 제거하는 동안, 불순물이 상기 그래핀 박막을 오염시킬 수 있다. 또한, 전사 공정에서도 상기 그래핀 박막은 오염될 수 있다. 따라서, 오염을 최소화하면서 그래핀 박막을 전사할 수 있는 방법이 요구된다.However, during removal of the catalyst layer, impurities may contaminate the graphene thin film. Also, the graphene thin film may be contaminated in a transfer step. Therefore, a method of transferring the graphene thin film while minimizing contamination is required.

통상적으로 그래핀 박막은 금속 촉매층 상에 금속 촉매 작용에 의하여 손쉽게 성장시킬 수 있다. 한편, 금속촉매로 사용한 구리(Cu) 또는 니켈(Ni)은 화학적 에칭 방법으로 제거된다. 남은 그래핀 박막은 원하는 기판(예:산화실리콘(SiO2)) 위에 전사될 수 있다. 에칭 공정 또는 전사 과정에서 금속 촉매가 그래핀에서 완전히 제거되지 않거나, 그래핀이 화학약품에 의하여 오염될 수 있다. 이에 따라, 그래핀 박막의 순도가 저하될 수 있다. 따라서 고순도 그래핀 박막을 성장하고 원하는 기판 위에 고순도 그래핀의 품질을 유지한 채로 전사하는 방법이 요구되고 있다.Typically, the graphene thin film can be easily grown on the metal catalyst layer by metal catalysis. Meanwhile, copper (Cu) or nickel (Ni) used as a metal catalyst is removed by a chemical etching method. The remaining graphene film may be transferred onto a desired substrate (e.g., silicon oxide (SiO2)). The metal catalyst may not be completely removed from the graphene during the etching or transfer process, or graphene may be contaminated by the chemical. Thus, the purity of the graphene thin film may be lowered. Therefore, there is a demand for a method of growing a high-purity graphene thin film and transferring the high purity graphene on a desired substrate while maintaining the quality of the graphene.

본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 박막 전사 방법은 그래핀 박막을 공중 부양하고, 상기 그래핀 박막을 어닐링하여, 상기 그래핀 박막을 다른 기판 상에 전사한다.In the method of transferring a thin film of graphene according to an embodiment of the present invention, a graphene thin film is levitated, and the graphene thin film is annealed to transfer the graphene thin film onto another substrate.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 고진공 챔버에서 유도 가열(inductive heating)을 이용하여 금속 촉매로 사용하는 금속 기판을 가열하면서 동시에 리모트 플라즈마를 이용한 화학 기상 증착법을 이용하여 고순도 그래핀을 상기 금속 기판 상에 성장시킬 수 있다. 이어서, 전자기 유도 공중 부양법(electromagnetic indutive levitation method)으로 그래핀이 성장된 금속기판을 공중 부양하고 가열하여, 상기 금속 기판을 열 증발(thermal evaporation) 방법으로 제거할 수 있다. 이어서, 금속 촉매(금속 기판)가 완벽히 제거된 그래핀 박막만을 공중 부양한 채로 열 어닐링(thermal annealing)하여 불순물을 제거하고 그래핀의 결정성을 높인다. 이어서, 공중 부양된 상태에서 원하는 기판 위에 올려놓는다. 이에 따라, 오염없는그래핀 전사가 가능하다.According to an embodiment of the present invention, a metal substrate used as a metal catalyst is heated using inductive heating in a high vacuum chamber, and at the same time, high purity graphene is deposited on the metal substrate by chemical vapor deposition using remote plasma Lt; / RTI > Subsequently, the metal substrate on which the graphene is grown by the electromagnetic induction levitation method is levitated and heated to remove the metal substrate by a thermal evaporation method. Then, only the graphene thin film having the metal catalyst (metal substrate) completely removed is subjected to thermal annealing while lifting the impurity to increase the crystallinity of graphene. Then, it is placed on the desired substrate in a levitated state. Thus, grainy transfer without contamination is possible.

본 발명의 그래핀 전사 기술은 ITO를 대체할 전극 박막 기술, 그래핀 트랜지스터 기술, 광소자 응용 기술 등에 활용될 수 있다.The graphene transfer technology of the present invention can be applied to electrode thin film technology, graphene transistor technology, optical device application technology, etc. that replace ITO.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 구성요소는 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments disclosed herein are being provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the components have been exaggerated for clarity. Like numbers refer to like elements throughout the specification.

도 1a 내지 도 1d은 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 전사 방법을 설명하는 도면들이다.1A to 1D are views for explaining a graphene transfer method according to an embodiment of the present invention.

도 1a을 참조하면, 그래핀 전사 장치(100)는 진공 용기(110), 상기 진공 용기(110) 내부에 배치된 전자기 유도 코일(130), 상기 전자기 유도 코일(130)에 전력을 공급하는 RF 전원(120), 및 수직 이동이 가능한 기판 홀더(150)를 포함한다. 1A, a graphen transfer apparatus 100 includes a vacuum container 110, an electromagnetic induction coil 130 disposed inside the vacuum container 110, an RF (radio frequency) RF power supply unit 130 for supplying power to the electromagnetic induction coil 130, A power source 120, and a substrate holder 150 that is vertically movable.

상기 진공 용기(110)는 진공 펌프(102)에 의하여 극진공으로 배기될 수 있다. 상기 진공 용기(110)의 하부면에는 상기 기판 홀더(150)가 배치된다. 상기 기판 홀더(150)는 유전체 재질로 형성되며, 수직 운동할 수 있다.The vacuum container 110 may be evacuated by a vacuum pump 102 with a vacuum. The substrate holder 150 is disposed on the lower surface of the vacuum container 110. The substrate holder 150 is formed of a dielectric material and can vertically move.

상기 진공 용기(110)의 중심 영역에는 상기 전자기 유도 코일(130)이 배치될 수 있다. 상기 전자기 유도 코일(130)은 2 턴의 상부 코일과 4 턴의 하부 코일을 포함할 수 있다. 상기 상부 코일의 전류의 방향과 상기 하부 코일의 전류 방향은 서로 반대이다. 상기 전자기 유도 코일은 비균일 시변 자기장을 생성하고, 시변 자기장(time varying magnetic field)은 유도 전기장(inductive electric field)을 생성한다. 상기 유도 전기장은 부양 물체에 유도 전류를 형성한다. 상기 부양 물체에 생성된 유도 전류와 상기 전자기 유도 코일에 흐르는 전류는 서로 상호 작용하여 상기 부양 물체에 힘을 인가하여 상기 부양 물체를 부양한다. 또한, 상기 부양 물체에 흐르는 유도 전류는 유도 가열(inductive heating)에 의하여 상기 부양 물체를 가열할 수 있다.The electromagnetic induction coil 130 may be disposed in a central region of the vacuum container 110. The electromagnetic induction coil 130 may include two turns of the top coil and four turns of the bottom coil. The current direction of the upper coil and the current direction of the lower coil are opposite to each other. The electromagnetic induction coil produces a non-uniform time-varying magnetic field, and a time varying magnetic field produces an inductive electric field. The induced electric field forms an induced current in the floating body. The induced current generated in the floating body and the current flowing in the electromagnetic induction coil interact with each other to apply the force to the floating body to float the floating body. In addition, the induction current flowing in the floating body can heat the floating body by inductive heating.

RF 전원(120)은 상기 전자기 유도 코일(130)에 RF 전력을 인가할 수 있다. 상기 RF 전원은 금속 기판을 제1 온도로 가열하기 위한 제1 모드, 상기 금속 기판을 제2 온도로 가열하고 부양하면서 증발시키는 제2 모드, 및 그래핀 박막을 제3 온도로 가열하고 부양하는 제3 모드로 동작할 수 있다. 상기 RF 전원의 주파수는 수백 kHz 내지 수 MHz일 수 있다.The RF power source 120 may apply RF power to the electromagnetic induction coil 130. The RF power source includes a first mode for heating the metal substrate to a first temperature, a second mode for heating the metal substrate to a second temperature and allowing the metal substrate to evaporate while floating, and a second mode for heating and floating the graphene film to a third temperature 3 mode. The frequency of the RF power source may be several hundred kHz to several MHz.

리모트 플라즈마 발생부(140)는 상기 진공 용기(110)의 외부에 배치될 수 있다. 상기 리모트 플라즈마 발생부(140)는 유도 결합 플라즈마, 마이크로웨이브 플라즈마, 또는 축전 결합 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 상기 리모트 플라즈마 발생부(140)는 메탄(CH4), 수소(H2), 및 아르곤(Ar)을 이용하여 플라즈마를 형성하고, 그 부산물을 상기 진공 챔버(102)의 금속 기판(162) 상에 제공할 수 있다. 이에 따라, 통상적인 화학 기상 증착법에 비하여 낮은 온도에서, 상기 금속 기판(162) 상에 그래핀 박막이 형성될 수 있다. The remote plasma generator 140 may be disposed outside the vacuum vessel 110. The remote plasma generator 140 may generate an inductively coupled plasma, a microwave plasma, or a capacitive coupling plasma. The remote plasma generator 140 generates plasma by using methane (CH 4), hydrogen (H 2), and argon (Ar), and supplies the byproducts to the metal substrate 162 of the vacuum chamber 102 can do. Accordingly, the graphene thin film can be formed on the metal substrate 162 at a lower temperature than the conventional chemical vapor deposition method.

상기 금속 기판(162)은 금속 포일이나 금속 판일 수 있다. 상기 금속 기판(162)의 재질은 구리 또는 니켈일 수 있다. 상기 금속 기판의 두께(162)는 수십 마이크로 미터 내지 수백 마이크로 미터일 수 있다. The metal substrate 162 may be a metal foil or a metal plate. The material of the metal substrate 162 may be copper or nickel. The thickness 162 of the metal substrate may be from several tens of micrometers to several hundreds of micrometers.

상기 금속 기판(162)은 기판 홀더(150)를 이용하여 전자기 유도 코일(130)의 중심 영역으로 이동한다. 이어서, 상기 전자기 유도 코일(130)에 제1 RF 전력을 인가하면, 상기 기판 홀더(150) 상에 배치된 상기 금속 기판(162)은 유도 가열된다. 상기 금속 기판(162)의 제1 온도는 섭씨 600도 내지 800도 일 수 있다. 상기 제1 온도는 상기 금속 기판(162)의 녹는 점보다 낮을 수 있다. 상기 기판 홀더(150)의 재질은 유전체이다. 따라서, 상기 기판 홀더(150) 상에 금속 기판(162)이 배치된 경우에도 상기 기판 홀더(150)는 유도 가열되지 않는다.The metal substrate 162 is moved to the central region of the electromagnetic induction coil 130 using the substrate holder 150. Subsequently, when the first RF power is applied to the electromagnetic induction coil 130, the metal substrate 162 disposed on the substrate holder 150 is induction-heated. The first temperature of the metal substrate 162 may be between 600 and 800 degrees centigrade. The first temperature may be lower than the melting point of the metal substrate 162. The material of the substrate holder 150 is a dielectric. Accordingly, even when the metal substrate 162 is disposed on the substrate holder 150, the substrate holder 150 is not heated by induction heating.

플라즈마 화학 기상 증착법으로 그래핀 박막(163)을 성장시키 위한 상기 금속 기판(162)의 온도는 약 섭씨 700 도 정도이다. 상기 그래핀 박막(163)을 상기 금속 기판(162) 상에 성장시키기 위하여, 상기 리모트 플라즈마 발생부(140)는 메탄(CH4), 수소(H2), 및 아르곤(Ar)을 이용하여 플라즈마를 형성하고, 그 부산물을 가이드 파이프(141)를 통하여 상기 진공 챔버(102)의 상기 금속 기판(162) 상에 제공한다. 이에 따라, 상기 금속 기판(162) 상에 그래핀 박막(163)이 형성된다. 상기 그래핀 박막(163)이 충분히 성장되면, 상기 리모트 플라즈마 발생부는 동작을 중지한다.The temperature of the metal substrate 162 for growing the graphene thin film 163 by the plasma CVD method is about 700 degrees centigrade. In order to grow the graphene thin film 163 on the metal substrate 162, the remote plasma generating unit 140 generates plasma by using CH 4, H 2, and Ar And provides the byproducts on the metal substrate 162 of the vacuum chamber 102 through the guide pipe 141. Thus, a graphene thin film 163 is formed on the metal substrate 162. When the graphene thin film 163 is sufficiently grown, the remote plasma generating unit stops operating.

도 1b를 참조하면, 상기 RF 전원(120)은 제2 RF 전력을 출력하고, 상기 전자기 유도 코일(130)은 상기 금속 기판(162) 및 상기 그래핀 박막(163)을 공중 부양하면서 유도 가열한다. 이와 동시에 상기 기판 홀더(150)는 상기 전자기 유도 코일(130)로부터 아래로 이동한다. 상기 금속 기판(162)의 제2 온도는 녹는점 이상일 수 있다. 상기 금속 기판(162)은 공중 부양된 상태에서 증발하여 제거된다. 한편, 상기 그래핀 박막(163)의 녹는점은 상기 금속 기판(162)의 녹는점보다 높다. 상기 금속 기판(162)이 구리인 경우, 상기 금속 기판(162)의 제2 온도는 섭씨 1100 도 이상일 수 있다.Referring to FIG. 1B, the RF power source 120 outputs a second RF power, and the electromagnetic induction coil 130 induces and heats the metal substrate 162 and the graphene thin film 163 while levitating . At the same time, the substrate holder 150 moves downward from the electromagnetic induction coil 130. The second temperature of the metal substrate 162 may be above the melting point. The metal substrate 162 is evaporated and removed in a floating state. On the other hand, the melting point of the graphene thin film 163 is higher than the melting point of the metal substrate 162. If the metal substrate 162 is copper, the second temperature of the metal substrate 162 may be at least 1100 degrees Celsius.

도 1c를 참조하면, 금속 기판(162)이 증발하여 제거된 상태에서, 그래핀 박막(163)은 공중 부양된 상태에 있을 수 있다. 상기 RF 전원(120)은 제3 RF 전력을 출력하고, 상기 전자기 유도 코일(130)은 상기 그래핀 박막(163)을 공중 부양하면서 유도 가열한다. 이에 따라, 상기 그래핀 박막(163)은 열 어닐링되어, 상기 그래핀 박막(163)의 결정성이 향상되고, 오염물이 제거될 수 있다.Referring to FIG. 1C, in a state where the metal substrate 162 is evaporated and removed, the graphene thin film 163 may be in a levitated state. The RF power source 120 outputs a third RF power, and the electromagnetic induction coil 130 induction-heats the levitated thin film 163 while levitating it. Accordingly, the graphene thin film 163 is thermally annealed, the crystallinity of the graphene thin film 163 is improved, and contaminants can be removed.

도 1d를 참조하면, 상기 그래핀 박막(163)은 공중 부양 상태에 있으면서, 상기 기판 홀더(150)는 새로운 기판(164)을 수용하고, 수직으로 이동할 수 있다. 이에 따라, 상기 그래핀 박막(163)과 상기 기판(164)은 서로 접촉하여, 상기 그래핀 박막(163)은 상기 기판(164)에 전사될 수 있다. 이어서, 상기 RF 전원은 동작을 멈춘다. 상기 기판(164)에 전사된 그래핀 박막은 패터닝되어 사용될 수 있다.Referring to FIG. 1D, while the graphene film 163 is in a levitated state, the substrate holder 150 can receive a new substrate 164 and move vertically. Accordingly, the graphene thin film 163 and the substrate 164 can be in contact with each other, and the graphene thin film 163 can be transferred to the substrate 164. Then, the RF power source stops operating. The graphene thin film transferred to the substrate 164 may be patterned and used.

이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이러한 실시예에 한정되지 않으며, 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 실시할 수 있는 다양한 형태의 실시예들을 모두 포함한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, And all of the various forms of embodiments that can be practiced without departing from the technical spirit.

110: 진공 챔버 102: 진공 펌프
120: RF 전원 130: 전자기 유도 코일
162: 금속 기판 163: 그래핀 박막
150: 기판 홀더 164: 기판110: vacuum chamber 102: vacuum pump
120: RF power supply 130: electromagnetic induction coil
162: metal substrate 163: graphene thin film
150: substrate holder 164: substrate

Claims (4)

삭제delete 전자기 공중 부양법을 사용하여 공중 부양된 상태에서 그래핀 박막을 어닐링하는 단계; 및
상기 그래핀 박막을 공중 부양된 상태에서 기판을 상기 그래핀 박막과 접촉시켜 전사하는 단계를 포함하고,
상기 그래핀 박막을 어닐링하기 전에 금속 기판 상에 전자기 공중 부양 장치 내에서 플라즈마 화학 기상 증착법을 이용하여 상기 그래핀 박막을 형성하는 단계; 및
상기 그래핀 박막 형성 후, 상기 금속 기판 상에 형성된 상기 그래핀 박막을 전자기 부양 장치 내에서 공중 부양시키고 유도 가열하여 상기 금속 기판을 용융하여 증발시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 전사 방법.Annealing the graphene thin film in a levitated state using electromagnetic levitation; And
And transferring the substrate in contact with the graphene thin film while the graphene thin film is levitated,
Forming the graphene thin film on a metal substrate by using a plasma chemical vapor deposition method in an electromagnetic levitating apparatus before annealing the graphene thin film; And
Further comprising, after forming the graphene thin film, floating the graphene thin film formed on the metal substrate in an electromagnetic floating device and induction heating to melt the metal substrate and evaporate the graphene film Way. 제2 항에 있어서,
상기 금속 기판은 구리, 니켈, 또는 코발트인 것을 특징으로 하는 그래핀 전사 방법.3. The method of claim 2,
Wherein the metal substrate is copper, nickel, or cobalt. 제2 항에 있어서,
상기 플라즈마 화학 기상 증착법을 이용하여 상기 그래핀 박막을 형성하는 동안, 상기 금속 기판의 온도는 섭씨 600 도 내지 섭씨 800 도인 것을 특징으로 하는 그래핀 전사 방법.3. The method of claim 2,
Wherein the temperature of the metal substrate during the formation of the graphene thin film by the plasma enhanced chemical vapor deposition method is 600 to 800 degrees centigrade.
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