KR101426887B1 - Wafer loading system of vertical diffusion furnace for manufacturing semiconductor - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 웨이퍼 로딩 시스템 및 이를 이용한 웨이퍼 로딩 방법에 관한 것으로서, 상기 웨이퍼 로딩 시스템은 서로 일렬로 배치되는 한 쌍의 수직형 확산로, 웨이퍼의 증착 공정이 진행되는 반응 공간을 제공하도록 상기 수직형 확산로의 내부에 각각 마련되는 튜브, 상기 튜브의 내부 공간에 로딩되는 다수의 웨이퍼가 일정 간격으로 수평하게 탑재되는 보트, 상기 보트에 웨이퍼를 제공하기 위하여 웨이퍼가 수납되고, 상기 한 쌍의 수직형 확산로에 각각 대향되도록 배치되는 한 쌍의 카세트 및 상기 카세트에 수납된 웨이퍼를 상기 보트에 탑재하도록 상기 수직형 확산로와 상기 카세트 사이에 배치되는 트랜스퍼 를 포함하며, 상기 트랜스퍼는 상기 한 쌍의 수직형 확산로 중 어느 하나에 마련되는 보트에 웨이퍼를 탑재시킨 후 다른 하나에 마련되는 보트에 웨이퍼를 탑재시키기 위하여 직선 이동하는 것을 특징으로 한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vertical-type diffusion furnace wafer loading system for manufacturing semiconductor devices and a wafer loading method using the same, wherein the wafer loading system comprises a pair of vertical diffusion furnaces arranged in a line, A plurality of wafers loaded in the inner space of the tube are horizontally mounted at regular intervals; a wafer is accommodated in the boat to provide wafers; A pair of cassettes disposed so as to face the pair of vertical diffusion paths, and a transfer disposed between the vertical diffusion furnace and the cassette so as to mount the wafer housed in the cassette on the boat, The transfer is carried out in a boat provided in any one of the pair of vertical diffusion furnaces, And then moves linearly in order to mount the wafer on a boat provided in the other one.

Description

반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 웨이퍼 로딩 시스템{WAFER LOADING SYSTEM OF VERTICAL DIFFUSION FURNACE FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a vertical spreading furnace for loading semiconductor devices,

본 발명은 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 웨이퍼 로딩 시스템 및 이를 이용한 웨이퍼 로딩 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 다수의 웨이퍼를 배치(batch) 방식으로 보트에 로딩시키기 위한 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 웨이퍼 로딩 시스템에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vertical diffusion furnace for semiconductor device fabrication and a wafer loading method using the same, and more particularly, to a vertical diffusion furnace for semiconductor device fabrication for loading a plurality of wafers into a boat in a batch manner. ≪ / RTI >

일반적으로 반도체 소자의 제조시에는 다양한 공정을 거치게 되며, 그 중에서 폴리실리콘 및 질화막 등을 웨이퍼 상에 증착시키는 데는 주로 화학 기상 증착(CVD; Chemical Vapor Deposition)법이 이용된다. 상기 CVD법은 화학 소스를 가스 상태로 장치 내에 공급하여 웨이퍼 표면상에서 확산을 일으킴으로써 유전체막, 도전막 및 반도전막 등을 웨이퍼 표면에 증착시키는 기술이다.In general, semiconductor devices are manufactured through various processes. Among them, chemical vapor deposition (CVD) is mainly used for depositing polysilicon, nitride films, and the like on wafers. The CVD method is a technique for depositing a dielectric film, a conductive film, a semiconductive film, and the like on a wafer surface by supplying a chemical source in a gaseous state into the apparatus to cause diffusion on the surface of the wafer.

이러한 CVD법은 통상 장치 내의 압력에 따라 저압 CVD(LPCVD; Low Pressure CVD), 상압 CVD(APCVD; Atmospheric Pressure CVD)로 구분하고, 그 외에도 플라즈마 CVD(PECVD; Plasma Enhanced CVD) 및 광여기 CVD 등이 일반적으로 사용되고 있다. 상기 저압 CVD는 상압보다 낮은 압력에서 웨이퍼의 표면상에 필요한 물질을 침적시키는 방법으로서 확산공정에서 주로 사용되며, 상기 저압 CVD 공정과 산화막 성장 공정을 수행하는 장치로는 수직형 확산로(Vertical diffusion furnace)가 주로 사용된다.Such a CVD method is generally divided into low pressure CVD (LPCVD) and atmospheric pressure CVD (APCVD) according to the pressure in the apparatus. Plasma enhanced CVD (PECVD) and photoexcitation CVD It is generally used. The low-pressure CVD is a method of depositing a necessary substance on the surface of a wafer at a pressure lower than normal pressure, and is mainly used in a diffusion process. Examples of the apparatus for performing the low-pressure CVD process and the oxide film growth process include a vertical diffusion furnace ) Is mainly used.

도 1은 종래의 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 웨이퍼 로딩 시스템을 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 1에 도시된 바와 같이 종래의 웨이퍼 로딩 시스템은 다수개의 웨이퍼(W)가 종방향으로 탑재되는 보트(30a, 30b), 상기 보트(30a, 30b)가 내측으로 로딩 또는 언로딩되고 상단으로 반응가스가 유입되는 튜브(20a, 20b), 상기 튜브(20a, 20b)의 외측으로 소정 간격 이격되어 설치되고 상기 튜브(20a, 20b)를 감싸는 확산로(10), 상기 보트(30a, 30b)에 웨이퍼(W)를 제공하기 위하여 웨이퍼(W)가 수납되고 상기 확산로(10)에 대향되도록 배치되는 한 쌍의 카세트(50a, 50b) 및 상기 확산로(10)와 상기 한 쌍의 카세트(50a, 50b) 사이에 마련되는 트랜스퍼(40)를 포함하여 구성된다.1 is a plan view schematically showing a wafer loading system of a vertical diffusion furnace for manufacturing a conventional semiconductor device. As shown in FIG. 1, the conventional wafer loading system includes a boat 30a, 30b in which a plurality of wafers W are loaded in the longitudinal direction, a boat 30a, 30b which is loaded or unloaded inward, A diffusion furnace 10 installed at a predetermined distance outside the tubes 20a and 20b and surrounding the tubes 20a and 20b, A pair of cassettes 50a and 50b accommodated in the wafer W and arranged so as to face the diffusion furnace 10 in order to provide a wafer W and a pair of cassettes 50a and 50b, , And 50b, respectively.

즉, 웨이퍼(W)에 증착 공정을 수행하기 위하여 상기 트랜스퍼(40)는 먼저 제1카세트(50a)에 수납된 웨이퍼(W)를 제1보트(30a)에 탑재시키고, 웨이퍼(W)가 탑재된 제1보트(30a)는 제1튜브(20a) 내로 로딩된 후 상기 제1튜브(20a)가 상기 확산로(10)로 이동되어 상기 확산로(10) 내부로 반응 가스가 공급된다.That is, in order to perform the deposition process on the wafer W, the transfer 40 first mounts the wafer W accommodated in the first cassette 50a on the first boat 30a, The first tube 30a is loaded into the first tube 20a and then the first tube 20a is moved to the diffusion furnace 10 and the reaction gas is supplied into the diffusion furnace 10. [

그리고, 상기 확산로(10)에서 증착 공정이 끝나면, 상기 제1튜브(20a)는 상기 확산로(10)로부터 인출되고, 상기 트랜스퍼(40)는 제2카세트(50a) 측을 향하여 직선 이동하여 제2카세트(50b)에 수납된 웨이퍼(W)를 제2보트(30b)에 탑재시키며, 웨이퍼(W)가 탑재된 제2보트(30b)는 제2튜브(20b) 내로 로딩된 후 상기 제2튜브(20b)가 상기 확산로(10)로 이동되어 상기 제2튜브(20b) 내부로 반응 가스가 공급된다.When the deposition process is completed in the diffusion furnace 10, the first tube 20a is taken out of the diffusion furnace 10 and the transfer 40 is linearly moved toward the second cassette 50a The wafer W housed in the second cassette 50b is mounted on the second boat 30b and the second boat 30b on which the wafer W is mounted is loaded into the second tube 20b, 2 tube 20b is moved to the diffusion furnace 10 and the reaction gas is supplied into the second tube 20b.

그러나, 이와 같은 종래의 웨이퍼 로딩 시스템에 의하면 웨이퍼(W)의 증착 공정 수행시 확산로에 하나의 보트만을 배치시킬 수 있으므로 웨이퍼의 대량 생산 공정에서 시간의 절감에 따른 생산성을 향상시키는데 한계가 있는 문제점이 있다.However, according to the conventional wafer loading system, only one boat can be disposed in the diffusion furnace during the deposition process of the wafer W, so that it is difficult to improve the productivity due to the time saving in the mass production process of the wafer .

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 웨이퍼의 증착 공정시 한 쌍의 튜브 내부 각각에 다수의 웨이퍼를 배치 방식으로 로딩하고, 이에 대한 증착 공정을 동시에 수행함으로써 시간의 절감에 따른 웨이퍼의 생산성을 향상시키는데 적합한 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 웨이퍼 로딩 시스템 및 이를 이용한 웨이퍼 로딩 방법을 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a method and apparatus for loading a plurality of wafers into a pair of tubes in a batch manner during a wafer deposition process, And a wafer loading method using the vertical loading furnace.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical object of the present invention is not limited to the above-mentioned technical objects and other technical objects which are not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description will be.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 한 쌍의 수직형 확산로와, 웨이퍼의 증착 공정이 진행되는 반응 공간을 제공하도록 상기 한 쌍의 수직형 확산로의 내부에 각각 마련되는 튜브와, 상기 튜브의 내부 공간에 로딩되는 다수의 웨이퍼가 일정 간격으로 수평하게 탑재되며 회전가능하도록 마련되는 보트와, 상기 보트에 웨이퍼를 제공하기 위하여 웨이퍼가 수납되고, 상기 한 쌍의 수직형 확산로에 각각 대향되도록 배치되는 한 쌍의 카세트와, 상기 카세트에 수납된 웨이퍼를 상기 한 쌍의 수직형 확산로 중 어느 하나에 마련되는 보트에 탑재시키기 위하여 상기 한 쌍의 수직형 확산로와 상기 카세트 사이 지면에 마련되는 레일을 직선이동하도록 배치되는 트랜스퍼를 포함하는 웨이퍼 로딩 시스템에 관한 것으로,
상기 트랜스퍼는 상기 보트의 전방에 웨이퍼를 탑재시킨 후 180도 회전한 상기 보트의 후방에 웨이퍼를 탑재시킬 수 있도록 한 쌍의 지그가 마련되는 로딩 수단과, 상기 로딩 수단의 후방에 연결되어 상기 로딩 수단을 회전시키는 회전 수단을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a vertical diffusion furnace including a pair of vertical diffusion furnaces, a tube provided in each of the pair of vertical diffusion furnaces to provide a reaction space in which a wafer is deposited, A plurality of wafers loaded in the inner space of the boat are horizontally mounted at regular intervals and are rotatable, a wafer is accommodated to provide wafers to the boats, A pair of vertical spreading paths and a pair of vertical diffusion paths provided on a surface between the vertical direction spreading path and the cassette for mounting a wafer accommodated in the cassette to a boat provided in any one of the pair of vertical diffusion paths To a wafer loading system including a transfer arranged to move the rail linearly,
Wherein the transfer includes loading means provided with a pair of jigs for mounting a wafer on the rear side of the boat rotated 180 degrees after mounting the wafer on the front side of the boat and a loading means connected to the rear side of the loading means, And rotating means for rotating the rotating shaft.

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본 발명에 따르면, 웨이퍼의 증착 공정이 수행되는 확산로 및 보트에 웨이퍼를 제공하기 위하여 웨이퍼가 수납되는 카세트가 각각 한 쌍으로 마련되어 확산로와 카세트 사이에서 직선 이동하는 트랜스퍼가 웨이퍼의 증착 공정시 한 쌍의 튜브 내부 각각에 다수의 웨이퍼를 배치 방식으로 로딩하고, 이에 대한 증착 공정을 동시에 수행함으로써 시간의 절감에 따른 웨이퍼의 생산성을 향상시킨다는 장점이 있다.According to the present invention, a pair of a diffusion path in which a wafer deposition process is performed and a cassette in which a wafer is accommodated in order to provide a wafer to a boat, and a transfer in which a linear movement is performed between the diffusion path and the cassette, A plurality of wafers are loaded in each of the pair of tubes in a batch manner and the deposition process is simultaneously performed on the wafers, thereby improving the productivity of wafers due to the reduction of time.

도 1은 종래의 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 웨이퍼 로딩 시스템을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 웨이퍼 로딩 시스템을 나타낸 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 웨이퍼 로딩 시스템을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 웨이퍼 로딩 방법을 나타낸 순서도이다.1 is a plan view schematically showing a wafer loading system of a vertical diffusion furnace for manufacturing a conventional semiconductor device.
2 is a perspective view showing a wafer loading system of a vertical diffusion furnace for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view schematically showing a wafer loading system of a vertical diffusion furnace for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
4 is a flowchart illustrating a method of loading a wafer in a vertical diffusion furnace for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시될 수 있다. 또한, 본 발명의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 한다. 그리고 본 발명의 사상은 제시되는 실시예에 제한되지 아니하고 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서 다른 실시예를 용이하게 실시할 수 있을 것이나, 이 또한 본 발명의 범위 내에 속함은 물론이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The sizes and shapes of the components shown in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience. In addition, terms defined in consideration of the configuration and operation of the present invention may be changed according to the intention or custom of the user, the operator. Definitions of these terms should be based on the content of this specification. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventions. Of course.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 웨이퍼 로딩 시스템을 나타낸 사시도이며, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 웨이퍼 로딩 시스템을 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 로딩 시스템의 구체적인 구성 및 작동 과정에 대하여 상세히 설명한다.FIG. 2 is a perspective view showing a wafer loading system of a vertical diffusion furnace for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view of a vertical diffusion furnace wafer loading system for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. Fig. 2 and 3, a detailed configuration and operation of the wafer loading system according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

도 2에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼 로딩 시스템은 한 쌍의 수직형 확산로(310, 330), 상기 한 쌍의 수직형 확산로(310, 330) 내부에 각각 마련되는 튜브(320, 340), 보트(300), 한 쌍의 카세트(100), 상기 수직형 확산로(310, 330)와 상기 카세트(100) 사이에 마련되는 트랜스퍼(200) 및 레일(210)을 포함하여 구성된다.2, the wafer loading system includes a pair of vertical diffusion paths 310 and 330, tubes 320 and 340, respectively, provided in the pair of vertical diffusion paths 310 and 330, A boat 300, a pair of cassettes 100, a transfer 200 provided between the vertical diffusion paths 310 and 330 and the cassette 100, and a rail 210.

상기 수직형 확산로(310, 330)는 서로 일렬로 배치되도록 한 쌍이 마련된다. 즉, 제1확산로(310) 및 제2확산로(320)가 이웃하도록 나란히 배치되는데, 이는 웨이퍼(W)의 증착 공정시 상기 제1확산로(310) 및 상기 제2확산로(320)에서 증착 공정을 동시에 수행함으로써 시간의 절감에 따른 웨이퍼의 생산성을 향상시키기 위함이다.The pair of vertical diffusion paths 310 and 330 are arranged in a line. That is, the first diffusion furnace 310 and the second diffusion furnace 320 are arranged side by side so that the first diffusion furnace 310 and the second diffusion furnace 320 are adjacent to each other in the deposition process of the wafer W. That is, So as to improve the productivity of wafers due to the reduction of time.

상기 튜브(320, 340)는 웨이퍼(W)의 증착 공정이 진행되는 반응 공간을 제공하는 것으로서, 상기 한 쌍의 수직형 확산로(310, 330) 즉, 상기 제1확산로(310) 및 상기 제2확산로(320)의 내부에 각각 마련된다. 즉, 가스 공급관(미도시) 등을 통하여 제1튜브(320) 및 제2튜브(340) 내부에 반응 가스가 동시에 유입됨으로써 웨이퍼(W)의 표면에 대한 증착 공정이 상기 제1튜브(320) 및 상기 제2튜브(340)의 내부에서 동시에 수행된다.The tubes 320 and 340 provide a reaction space in which the deposition process of the wafer W proceeds and the pair of vertical diffusion paths 310 and 330, And are provided inside the second diffusion furnace 320, respectively. That is, a reactive gas is simultaneously introduced into the first tube 320 and the second tube 340 through a gas supply pipe (not shown), so that the deposition process on the surface of the wafer W is performed by the first tube 320, And inside the second tube 340. [0035]

상기 보트(300)는 상기 튜브(320, 340)의 내부 공간에 배치 방식으로 로딩되는 다수의 웨이퍼(W)를 일정 간격으로 수평하게 탑재한다. 즉, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 보트(300)는 상기 제1튜브(320) 및 상기 제2튜브(340)의 내부 공간으로 각각 로딩되는 제1보트(302) 및 제2보트(304)로 구성됨으로써 웨이퍼(W)의 표면에 대한 증착 공정이 상기 제1튜브(320) 및 상기 제2튜브(340)의 내부에서 동시에 수행되도록 한다.The boat 300 horizontally mounts a plurality of wafers W loaded in a manner arranged in an inner space of the tubes 320 and 340 at predetermined intervals. 3, the boat 300 includes a first boat 302 and a second boat 304 which are respectively loaded into the inner spaces of the first tube 320 and the second tube 340, Such that a deposition process on the surface of the wafer W is performed simultaneously within the first tube 320 and the second tube 340. [

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1보트(302) 및 상기 제2보트(304)는 웨이퍼(W)를 전방에 2열, 후방에 2열을 탑재함으로써 총 4열을 탑재할 수 있도록 마련되므로 웨이퍼의 로딩 효율이 향상된다.According to an embodiment of the present invention, the first boat 302 and the second boat 304 may be configured to mount a total of four rows by mounting two rows of wafers W in the front and two rows in the rear The loading efficiency of the wafer is improved.

상기 한 쌍의 카세트(100)는 상기 제1보트(302) 및 상기 제2보트(304)에 각각 웨이퍼(W)를 제공하기 위하여 웨이퍼(W)를 수납하는 것으로서, 상기 제1확산로(310) 및 상기 제2확산로(320)에 각각 대향되도록 배치되는 제1카세트(110) 및 제2카세트(120)로 구성된다.The pair of cassettes 100 accommodate the wafers W in order to provide the wafers W to the first boat 302 and the second boat 304 respectively, And a second cassette 120 disposed opposite to the second diffusion path 320. The first cassette 110 and the second cassette 120 are disposed to face the first diffusion path 320 and the second diffusion path 320, respectively.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1카세트(110)는 도 2에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)를 2열로 각각 수납하는 제1수납부(110a) 및 제2수납부(110b)로 구성되는데, 이는 상기 트랜스퍼(200)가 상기 제1수납부(110a)에 수납된 2열의 웨이퍼(W)를 상기 제1보트(302)의 전방에 탑재한 후, 상기 제2수납부(110b)에 수납된 2열의 웨이퍼(W)를 상기 제2보트(304)의 후방에 탑재하기 위함이다. 한편, 상기 제2카세트(120) 역시 상기 제1카세트(110)와 마찬가지로 총 4열의 수납부(미도시)로 구성됨으로써, 상기 트랜스퍼(200)가 웨이퍼(W)를 상기 제2보트(304)의 전방 및 후방에 2열로 각각 탑재한다.According to an embodiment of the present invention, the first cassette 110 includes a first storage part 110a and a second storage part 110b for storing the wafers W in two rows, as shown in FIG. 2 This is because the transfer 200 mounts two rows of wafers W accommodated in the first storage portion 110a in front of the first boat 302 and then transfers the wafers W to the second storage portion 110b, The two rows of wafers W accommodated in the second boat 304 are mounted on the rear side of the second boat 304. The second cassette 120 is also constituted by four rows of storage units (not shown) in the same manner as the first cassette 110 so that the transfer 200 transfers the wafers W to the second boat 304, Respectively, in two rows.

상기 트랜스퍼(200)는 상술한 바와 같이 상기 수직형 확산로(310, 330)와 상기 카세트(100) 사이에 배치되어 상기 카세트(100)에 수납된 웨이퍼(W)를 상기 보트(300)에 탑재한다. 구체적으로, 상기 트랜스퍼(200)는 상기 제1확산로(310)에 마련되는 상기 제1보트(302)에 웨이퍼(W)를 탑재하고 상기 제2확산로(320) 측으로 직선 이동한 후 상기 제2확산로(320)에 마련되는 상기 제2보트(304)에 웨이퍼(W)를 탑재한다.The transfer 200 is mounted between the vertical diffusion paths 310 and 330 and the cassette 100 to mount the wafer W accommodated in the cassette 100 on the boat 300, do. Specifically, the transfer 200 mounts the wafer W on the first boat 302 provided in the first diffusion furnace 310 and linearly moves toward the second diffusion furnace 320, The wafer W is mounted on the second boat 304 provided in the second diffusion furnace 320.

상기 레일(210)은 상기 수직형 확산로(310, 330)와 상기 카세트(100) 사이의 지면에 마련되는데, 이는 상기 트랜스퍼(200)가 상기 제1확산로(310)에 웨이퍼(W)를 탑재한 후 상기 제2확산로(320) 측으로 이동되는 경우 상기 트랜스퍼(200)의 이동을 안내하기 위함이다.The rail 210 is provided on the ground between the vertical diffusion paths 310 and 330 and the cassette 100 because the transfer 200 transfers the wafer W to the first diffusion path 310 And to guide the movement of the transfer 200 when it is moved to the second diffusion path 320 side.

한편, 상기 트랜스퍼(200)는 로딩 수단(202) 및 회전 수단(204)을 포함하여 구성되는데, 상기 로딩 수단(202)에는 상기 보트(300)에 웨이퍼(W)를 로딩시키는 한 쌍의 지그(202a, 202b)가 마련되며, 상기 회전 수단(204)은 상기 로딩 수단(202)의 후방에 연결됨으로써 상기 로딩 수단(202)을 회전시킨다.The transfer unit 200 includes a loading unit 202 and a rotating unit 204. The loading unit 202 includes a pair of jigs for loading the wafer W onto the boat 300 202a and 202b and the rotating means 204 is connected to the rear of the loading means 202 to rotate the loading means 202. [

즉, 상기 회전 수단(204)은, 상기 로딩 수단(202)이 상기 카세트(100)에 수납된 웨이퍼(W)를 로딩한 후 상기 보트(300) 측으로 웨이퍼(W)를 탑재하기 위하여 회전되는 경우 또는 상기 로딩 수단(202)이 상기 보트(300)에 웨이퍼(W)를 탑재한 후 상기 카세트(100) 측으로 웨이퍼(W)를 수납하기 위하여 회전되는 경우 등에 상기 로딩 수단(202)을 180도 회전시킨다.That is, when the loading means 202 is rotated to load the wafer W to the boat 300 after the loading means 202 loads the wafer W stored in the cassette 100 Or when the loading means 202 is rotated to accommodate the wafer W to the cassette 100 side after mounting the wafer W to the boat 300, the loading means 202 is rotated 180 degrees .

한편, 상기 보트(300)는 각각 회전 가능하도록 마련되는데, 이는 상기 트랜스퍼(200)가 상기 보트(300)의 전방에 웨이퍼(W)를 탑재시킨 후 상기 보트(300)가 180도 회전됨으로써 상기 보트(300)의 후방에 웨이퍼(W)를 탑재하기 위함이다.The boat 300 is rotatably mounted on the boat 300. The boat 300 rotates 180 degrees after the transfer 200 mounts the wafer W in front of the boat 300, The wafer W is mounted on the rear side of the wafer 300.

구체적으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼(W)의 증착 공정에 의하면, 먼저 별도로 마련되는 감지부(미도시) 등이 상기 제1카세트(110)에 웨이퍼(W)가 수납되었는지 여부를 맵핑(mapping)하고, 상기 제1카세트(110)에 웨이퍼(W)가 수납된 경우에는 상기 트랜스퍼(200)에 마련되는 한 쌍의 지그(202a, 202b)가 상기 제1카세트(110)의 제1수납부(110a)에 2열로 수납된 웨이퍼(W)를 로딩한 후 상기 제1보트(302)의 전방에 웨이퍼(W)를 2열로 탑재한다.According to the deposition process of the wafer W according to an embodiment of the present invention, a separate sensing unit (not shown) first determines whether or not the wafer W is stored in the first cassette 110 And a pair of jigs 202a and 202b provided on the transfer 200 are inserted into the first cassette 110 when the wafer W is accommodated in the first cassette 110. In this case, The wafers W are loaded in two rows on the front side of the first boat 302 after the wafers W accommodated in two rows are loaded on the first accommodating portion 110a.

그리고 상기 제1보트(302)의 전방에 웨이퍼(W)가 2열로 탑재되면 상기 감지부 등은 상기 제1보트(302)의 전방에 웨이퍼(W)가 모두 탑재되었는지 여부를 맵핑하고, 상기 제1보트(302)의 전방에 웨이퍼(W)가 모두 탑재되었으면 상기 제1보트(302)는 180도 회전하여 상기 제1보트(302)의 후방이 상기 트랜스퍼(200)를 향하게 된다.When the wafers W are mounted in two rows in front of the first boat 302, the sensing unit or the like maps whether or not all of the wafers W are mounted in front of the first boat 302, If all of the wafers W are mounted on the front of the first boat 302, the first boat 302 rotates 180 degrees so that the rear of the first boat 302 faces the transfer 200.

상기 제1보트(302)의 후방이 상기 트랜스퍼(200)를 향하게 되면, 상기 트랜스퍼(200)에 마련되는 한 쌍의 지그(202a, 202b)는 상기 제1카세트(110)의 제2수납부(110b)에 2열로 수납된 웨이퍼(W)를 로딩한 후 상기 제1보트(302)의 후방에 웨이퍼(W)를 2열로 탑재한다.The pair of jigs 202a and 202b provided on the transfer 200 are moved to the second storage part of the first cassette 110 The wafers W are loaded in two rows on the rear side of the first boat 302 after the wafers W stored in two rows are loaded on the first wafers 110a and 110b.

그리고 상기 제1보트(302)의 후방에 웨이퍼(W)가 2열로 탑재되면 상기 감지부 등은 상기 제1보트(302)의 후방에 웨이퍼(W)가 모두 탑재되었는지 여부를 맵핑하고, 상기 제1보트(302)의 후방에 웨이퍼(W)가 모두 탑재되었으면 상기 트랜스퍼(200)는 초기 위치로 이동된다.When the wafers W are mounted in two rows behind the first boat 302, the sensing unit or the like maps whether or not all the wafers W are mounted on the rear of the first boat 302, When all of the wafers W are mounted on the back of the boat 302, the transfer 200 is moved to the initial position.

초기 위치로 이동된 상기 트랜스퍼(200)는 상기 레일(210)을 따라 상기 제2확산로(320)와 상기 제2카세트(120) 사이로 직선 이동하고, 상술한 방식과 마찬가지로 상기 제2카세트(120)에 수납된 웨이퍼(W)를 상기 제2보트(304)의 전방 및 후방에 각각 2열로 탑재시키게 된다.The transfer 200 moved to the initial position is linearly moved along the rail 210 between the second diffusion path 320 and the second cassette 120 and the second cassette 120 Are mounted on the front and rear of the second boat 304 in two rows, respectively.

따라서, 본 발명에 의하면 웨이퍼의 증착 공정시 상기 제1튜브(320) 및 상기 제2튜브(340)의 내부 각각에 다수의 웨이퍼(W)를 배치 방식으로 로딩한 후 상기 제1확산로(310) 및 상기 제2확산로(320) 상에서 웨이퍼(W)의 증착 공정을 동시에 수행함으로써 시간의 절감에 따른 웨이퍼의 생산성을 향상시킬 수 있다.Therefore, according to the present invention, a plurality of wafers W are loaded in the first tube 320 and the second tube 340 in a batch manner in the wafer deposition process, and then the first diffusion furnace 310 And the deposition process of the wafer W on the second diffusion furnace 320 at the same time, it is possible to improve the productivity of the wafer due to the reduction of the time.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 웨이퍼 로딩 방법을 나타낸 순서도이다. 이하에서는 도 4를 참조하여 상기 트랜스퍼(200)가 상기 카세트(100)에 수납된 웨이퍼(W)를 상기 보트(300)에 탑재하는 과정에 대하여 상세히 설명한다.4 is a flowchart illustrating a method of loading a wafer in a vertical diffusion furnace for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, the process of mounting the wafer W stored in the cassette 100 to the boat 300 by the transfer 200 will be described in detail with reference to FIG.

먼저, 상기 수직형 확산로(310, 330)와 상기 카세트(100) 사이에 배치되는 트랜스퍼(200)는 상기 제1카세트(110)에 수납된 웨이퍼(W)를 상기 제1확산로(310) 마련되는 제1보트(302)에 탑재한다(S10).The transfer 200 disposed between the vertical diffusion paths 310 and 330 and the cassette 100 transfers the wafer W stored in the first cassette 110 to the first diffusion path 310, And mounted on the first boat 302 (S10).

상기 트랜스퍼(200)가 상기 제1카세트(110)에 수납된 웨이퍼(W)를 상기 제1보트(302)에 탑재하면, 상기 트랜스퍼(200)는 상기 제1확산로(310)로부터 상기 제2확산로(320)로 레일(210)을 따라 직선 이동한다(S20).When the transfer 200 mounts the wafer W accommodated in the first cassette 110 on the first boat 302, the transfer 200 transfers the wafer W from the first diffusion furnace 310 to the second And is linearly moved along the rail 210 by the diffusion path 320 (S20).

상기 트랜스퍼(200)가 상기 제2확산로(320) 측에 배치되면, 상기 트랜스퍼(200)는 상기 제2카세트(120)에 수납된 웨이퍼(W)를 상기 제2확산로(320)에 마련되는 제2보트(304)에 탑재한다(S30).When the transfer 200 is disposed on the second diffusion path 320 side, the transfer 200 transfers the wafer W stored in the second cassette 120 to the second diffusion path 320 (S30).

한편, 상기 카세트(100)에 수납된 웨이퍼(W)를 상기 보트(300)에 탑재하는 단계(S10, S30)에 있어서, 상기 트랜스퍼(200)는 상기 보트(300)의 전방에 웨이퍼(W)를 탑재시킨 후 180도 회전한 상기 보트(300)의 후방에 웨이퍼(W)를 탑재시킨다.The transfer 200 transfers the wafer W to the front of the boat 300 in steps S10 and S30 in which the wafer W accommodated in the cassette 100 is mounted on the boat 300. [ And the wafer W is mounted on the rear side of the boat 300 rotated 180 degrees.

상기 트랜스퍼(200)가 상기 제1카세트(110) 및 상기 제2카세트(120)에 수납된 웨이퍼(W)를 각각 상기 제1보트(302) 및 상기 제2보트(304)에 탑재하는 과정은 상술한 바와 같으므로 그 설명은 생략하기로 한다.The process of mounting the wafer W accommodated in the first cassette 110 and the second cassette 120 to the first boat 302 and the second boat 304 by the transfer 200 The description thereof will be omitted.

이상에서 본 발명에 따른 실시예들이 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 범위의 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 다음의 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.While the invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the following claims.

100: 카세트 110: 제1카세트
120: 제2카세트 200: 트랜스퍼
202: 로딩 수단 204: 회전 수단
210: 레일 300: 보트
302: 제1보트 304: 제2보트
310: 제1확산로 320: 제1튜브
330: 제2확산로 340: 제2튜브100: cassette 110: first cassette
120: second cassette 200: transfer
202: loading means 204: rotating means
210: rail 300: boat
302: first boat 304: second boat
310: first diffusion furnace 320: first tube
330: second diffusion furnace 340: second tube

Claims (6)

삭제delete 삭제delete 한 쌍의 수직형 확산로와, 웨이퍼의 증착 공정이 진행되는 반응 공간을 제공하도록 상기 한 쌍의 수직형 확산로의 내부에 각각 마련되는 튜브와, 상기 튜브의 내부 공간에 로딩되는 다수의 웨이퍼가 일정 간격으로 수평하게 탑재되며 회전가능하도록 마련되는 보트와, 상기 보트에 웨이퍼를 제공하기 위하여 웨이퍼가 수납되고, 상기 한 쌍의 수직형 확산로에 각각 대향되도록 배치되는 한 쌍의 카세트와, 상기 카세트에 수납된 웨이퍼를 상기 한 쌍의 수직형 확산로 중 어느 하나에 마련되는 보트에 탑재시키기 위하여 상기 한 쌍의 수직형 확산로와 상기 카세트 사이 지면에 마련되는 레일을 직선이동하도록 배치되는 트랜스퍼를 포함하는 웨이퍼 로딩 시스템에 있어서,
상기 트랜스퍼는 상기 보트의 전방에 웨이퍼를 탑재시킨 후 180도 회전한 상기 보트의 후방에 웨이퍼를 탑재시킬 수 있도록 한 쌍의 지그가 마련되는 로딩 수단과, 상기 로딩 수단의 후방에 연결되어 상기 로딩 수단을 회전시키는 회전 수단을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 수직형 확산로의 웨이퍼 로딩 시스템.A pair of vertical diffusion furnaces, tubes each provided inside the pair of vertical diffusion paths to provide a reaction space in which a wafer is deposited, and a plurality of wafers loaded in the inner space of the tube A pair of cassettes which are housed horizontally at regular intervals and are rotatable, a pair of cassettes accommodating wafers for providing wafers to the boats and arranged so as to be opposed to the pair of vertical diffusion paths, And a transfer arranged to linearly move the pair of vertical diffusion paths and the rail provided on the surface between the cassettes so as to mount the wafer housed in the pair of vertical diffusion paths on a boat provided in any one of the pair of vertical diffusion paths The wafer loading system comprising:
Wherein the transfer includes loading means provided with a pair of jigs for mounting a wafer on the rear side of the boat rotated 180 degrees after mounting the wafer on the front side of the boat and a loading means connected to the rear side of the loading means, And a rotating means for rotating the vertical diffusion furnace. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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