KR101424521B1 - Positive resist composition - Google Patents

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Abstract

본 발명은 아크릴산 3급 부틸 또는 메타아크릴산 3급 부틸로부터 유도된 중합 단위(a)와 화학식 1의 화합물로부터 유도된 중합 단위(b)를 함유하고, 전체 중합 단위에 대하여 중합 단위(a)의 함유량이 10 내지 70mol%이고, 중합 단위(b)의 함유량이 30 내지 90mol%이며, 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이 50,000 내지 300,000인 중합체(A), 알칼리에 가용인 중합체(B) 및 산 발생제(C)를 포함하는 포지티브형 레지스트 조성물에 관한 것이다.(A) derived from a tertiary butyl acrylate or tertiary butyl methacrylate and a polymerization unit (b) derived from a compound of the general formula (1), wherein the content of the polymerized units (a) (B) and 10 to 70 mol% of the polymer (A), 30 to 90 mol% of the polymer (B) and 50 to 300,000 in terms of polystyrene C). ≪ / RTI >

화학식 1Formula 1

Figure 112013006062417-pat00001
Figure 112013006062417-pat00001

위의 화학식 1에서,In the above formula (1)

R1은 수소원자 또는 메틸기이고,R 1 is a hydrogen atom or a methyl group,

R2는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 5 내지 10의 환식 탄화수소기 또는 화학식 2의 기이다.R 2 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a cyclic hydrocarbon group having 5 to 10 carbon atoms, or a group represented by formula (2).

화학식 2(2)

Figure 112013006062417-pat00002
Figure 112013006062417-pat00002

위의 화학식 2에서,In the above formula (2)

R3은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기이고,R 3 is an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms,

R4는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고,R 4 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms,

n은 1 내지 30의 정수이다.n is an integer of 1 to 30;

포지티브형 레지스트 조성물, 중합 단위, 중합체, 산 발생제, 염기성 화합물.A positive resist composition, a polymerization unit, a polymer, an acid generator, and a basic compound.

Description

포지티브형 레지스트 조성물{Positive resist composition}[0001] The present invention relates to a positive resist composition,

본 발명은 포지티브형 레지스트 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a positive resist composition.

포지티브형 레지스트 조성물은, 반도체 소자의 제조에 있어서의 범프의 형성, 회로 기판의 제조에 있어서의 배선 패턴이나 후막 포토레지스트 적층체의 형성, 반도체 소자의 제조에 있어서의 후막 레지스트 패턴의 형성 등에 사용되고 있다.The positive resist composition is used for the formation of bumps in the production of semiconductor devices, the formation of wiring patterns or thick film photoresist laminations in the production of circuit boards, and the formation of thick resist patterns in the production of semiconductor devices .

후막용 포지티브형 레지스트 조성물로서, 미국특허공개 제2004/038148호 명세서에는, p-하이드록시스티렌, 스티렌 및 2-벤질-2-프로필아크릴레이트의 공중합체 및 산 발생제를 포함하는 조성물이, 일본 공개특허공보 2004-309775호에는, 1-에틸사이클로헥실메타크릴레이트와 2-에톡시에틸아크릴레이트의 공중합체, 노볼락 수지 및 산 발생제를 포함하는 조성물이, 각각 개시되어 있다.As a positive resist composition for a thick film, US Patent Publication No. 2004/038148 discloses a composition comprising a copolymer of p-hydroxystyrene, styrene and 2-benzyl-2-propyl acrylate and an acid generator, Open Patent Publication No. 2004-309775 discloses a composition comprising a copolymer of 1-ethylcyclohexyl methacrylate and 2-ethoxyethyl acrylate, a novolac resin and an acid generator.

해상도 및 형상이 양호한 패턴이 수득되는 포지티브형 레지스트 조성물을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a positive resist composition in which a pattern having good resolution and shape is obtained.

본 발명은 다음을 제공하는 것이다.The present invention provides the following.

<1> 아크릴산 3급 부틸 또는 메타아크릴산 3급 부틸로부터 유도된 중합 단위(a)와 화학식 1의 화합물로부터 유도된 중합 단위(b)를 함유하며, 전체 중합 단위에 대하여 중합 단위(a)의 함유량이 10 내지 70mol%이고, 중합 단위(b)의 함유량이 30 내지 90mol%이며, 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이 50,000 내지 300,000인 중합체(A), 알칼리에 가용인 중합체(B) 및 산 발생제(C)를 포함하는 포지티브형 레지스트 조성물.(1) A polymer composition comprising (a) a polymerization unit derived from tertiary butyl acrylate or tert-butyl (meth) acrylate and (b) a polymerization unit derived from a compound represented by the formula (1) (B) and 10 to 70 mol% of the polymer (A), 30 to 90 mol% of the polymer (B) and 50 to 300,000 in terms of polystyrene C). &Lt; / RTI >

Figure 112008022735966-pat00003
Figure 112008022735966-pat00003

위의 화학식 1에서,In the above formula (1)

R1은 수소원자 또는 메틸기이고,R 1 is a hydrogen atom or a methyl group,

R2는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 5 내지 10의 환식 탄화수소기 또는 화학식 2의 기이다.R 2 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a cyclic hydrocarbon group having 5 to 10 carbon atoms, or a group represented by formula (2).

Figure 112008022735966-pat00004
Figure 112008022735966-pat00004

위의 화학식 2에서,In the above formula (2)

R3은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기이고,R 3 is an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms,

R4는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고,R 4 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms,

n은 1 내지 30의 정수이다.n is an integer of 1 to 30;

<2> R2가 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 5 내지 10의 환식 탄화수소기인 상기 항목 <1>에 기재된 포지티브형 레지스트 조성물.<2> The positive resist composition according to <1>, wherein R 2 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a cyclic hydrocarbon group having 5 to 10 carbon atoms.

<3> R2가 화학식 2의 기인 상기 항목 <1>에 기재된 포지티브형 레지스트 조성물.<3> R 2, the positive resist composition according to a group of the formula (2) wherein the items <1>.

<4> 알칼리에 가용인 중합체가 노볼락 중합체인 상기 항목 <1> 내지 <3> 중의 어느 하나에 기재된 포지티브형 레지스트 조성물.<4> The positive resist composition according to any one of <1> to <3>, wherein the alkali-soluble polymer is a novolac polymer.

<5> 알칼리에 가용인 중합체가 하이드록시스티렌으로부터 유도된 중합 단위를 포함하는 중합체인 상기 항목 <1> 내지 <3> 중의 어느 하나에 기재된 포지티브형 레지스트 조성물.<5> The positive resist composition according to any one of <1> to <3>, wherein the alkali-soluble polymer is a polymer containing a polymerization unit derived from hydroxystyrene.

<6> 산 발생제가, 화학식 3의 염 또는 화학식 4의 화합물인 상기 항목 <1> 내지 <5> 중의 어느 하나에 기재된 포지티브형 레지스트 조성물.<6> The positive resist composition according to any one of <1> to <5>, wherein the acid generator is a salt of the formula 3 or a compound of the formula 4.

Figure 112008022735966-pat00005
Figure 112008022735966-pat00005

Figure 112008022735966-pat00006
Figure 112008022735966-pat00006

위의 화학식 3 및 화학식 4에서,In the above formulas (3) and (4)

A는 산소원자 또는 황원자이고,A is an oxygen atom or a sulfur atom,

R5 및 R6은 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로, 메틸기 또는 페닐기이고,R 5 and R 6 are the same or different and are each independently a methyl group or a phenyl group,

R7 및 R8은 각각 탄소수 1 내지 8의 퍼플루오로알킬기이다.R 7 and R 8 are each a perfluoroalkyl group having 1 to 8 carbon atoms.

<7> 염기성 화합물을 추가로 포함하는 상기 항목 <1> 내지 <6> 중의 어느 하나에 기재된 포지티브형 레지스트 조성물.<7> The positive resist composition according to any one of <1> to <6>, further comprising a basic compound.

<8> 아크릴산 3급 부틸 또는 메타아크릴산 3급 부틸로부터 유도된 중합 단위(a)와 화학식 1의 화합물로부터 유도된 중합 단위(b)를 함유하고, 전체 중합 단위에 대하여 중합 단위(a)의 함유량이 10 내지 70mol%이고, 중합 단위(b)의 함유량이 30 내지 90mol%이며, 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이 50,000 내지 300,000인 중합체.(8) A polymer composition comprising a polymerization unit (a) derived from tertiary butyl acrylate or tertiary butyl methacrylate and a polymerization unit (b) derived from a compound represented by formula (1) , The content of the polymeric unit (b) is 30 to 90 mol%, and the weight average molecular weight in terms of polystyrene is 50,000 to 300,000.

화학식 1Formula 1

위의 화학식 1에서,In the above formula (1)

R1은 수소원자 또는 메틸기이고,R 1 is a hydrogen atom or a methyl group,

R2는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 5 내지 10의 환식 탄화수소기 또는 화학식 2의 기이다.R 2 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a cyclic hydrocarbon group having 5 to 10 carbon atoms, or a group represented by formula (2).

화학식 2(2)

Figure 112008022735966-pat00008
Figure 112008022735966-pat00008

위의 화학식 2에서,In the above formula (2)

R3은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기이고,R 3 is an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms,

R4는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고,R 4 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms,

n은 1 내지 30의 정수이다.n is an integer of 1 to 30;

본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물을 사용함으로써 해상도 및 형상이 양호한 패턴이 수득되기 때문에, 당해 포지티브형 레지스트 조성물은, 반도체 소자의 제조에 있어서의 범프의 형성, 회로 기판의 제조에 있어서의 배선 패턴의 형성이나 후막 포토레지스트 적층체의 형성, 반도체 소자의 제조에 있어서의 후막 레지스트 패턴의 형성 등의 후막 형성에 적합하다.The use of the positive resist composition of the present invention enables a pattern having good resolution and shape to be obtained. Therefore, the positive resist composition of the present invention can be suitably used for forming a bump in the production of a semiconductor device, Formation of a thick film resist layered product, formation of a thick resist film in the production of a semiconductor device, and the like.

본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물의 중합체(A)는, 아크릴산 3급 부틸 또는 메타크릴산 3급 부틸로부터 유도된 중합 단위(a)와 화학식 1의 화합물로부터 유도되는 하나 이상의 중합 단위(b)를 함유하고, 전체 중합 단위에 대하여 중합 단위(a)의 함유량이 10 내지 70mol%이고, 중합 단위(b)의 함유량이 30 내지 90mol%이며, 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이 50,000 내지 300,000인 중합체이다.The polymer (A) of the positive resist composition of the present invention can be obtained by copolymerizing a polymerized unit (a) derived from tertiary butyl acrylate or tertiary butyl methacrylate and at least one polymerized unit (b) derived from the compound of formula (A) in an amount of 10 to 70 mol%, a content of a polymeric unit (b) of 30 to 90 mol%, and a weight average molecular weight in terms of polystyrene of 50,000 to 300,000 based on the total polymerized units.

화학식 1Formula 1

Figure 112008022735966-pat00009
Figure 112008022735966-pat00009

위의 화학식 1에서,In the above formula (1)

R1은 수소원자 또는 메틸기이고,R 1 is a hydrogen atom or a methyl group,

R2는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 5 내지 10의 환식 탄화수소기 또는 화학식 2의 기이다.R 2 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a cyclic hydrocarbon group having 5 to 10 carbon atoms, or a group represented by formula (2).

화학식 2(2)

Figure 112008022735966-pat00010
Figure 112008022735966-pat00010

위의 화학식 2에서,In the above formula (2)

R3은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기이고,R 3 is an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms,

R4는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고,R 4 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms,

n은 1 내지 30의 정수이다.n is an integer of 1 to 30;

중합 단위(a)는 아크릴산 3급 부틸로부터 유도된 중합 단위 또는 메타크릴산 3급 부틸로부터 유도된 중합 단위이고, 구체적으로는, 하기 화학식으로 나타내는 중합 단위이다.The polymerization unit (a) is a polymerization unit derived from a tertiary butyl acrylate or tertiary butyl methacrylate, and specifically a polymerization unit represented by the following formula.

Figure 112008022735966-pat00011
Figure 112008022735966-pat00011

이러한 중합 단위(a)의 함유량은, 중합체(A)의 전체 중합 단위에 대하여, 10 내지 70mol%이다.The content of such a polymerized unit (a) is 10 to 70 mol% with respect to the total polymerized units of the polymer (A).

중합 단위(b)는, 화학식 1의 화합물로부터 유도된 하나 이상의 중합 단위이다. 중합체(A)로서는, 중합 단위(b)로서, 화학식 1의 화합물로부터 유도된 중합 단위를 1 내지 3개 포함하는 것이 바람직하고, 1 내지 2개 포함하는 것이 보다 바람직하다.Polymeric unit (b) is at least one polymeric unit derived from the compound of formula (1). As the polymer (A), the polymer unit (b) preferably contains 1 to 3 polymerization units derived from the compound of the formula (1), more preferably 1 to 2.

화학식 1에 있어서, 탄소수 1 내지 6의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, 2급-부틸기, 3급 부틸기, n-펜틸기, n-헥실기 등을 들 수 있으며, 탄소수 5 내지 10의 환식 탄화수소기로서는, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 아다만틸기 등을 들 수 있다.Examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms in the general formula (1) include a methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, , and n-hexyl group. Examples of the cyclic hydrocarbon group having 5 to 10 carbon atoms include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and an adamantyl group.

화학식 2에 있어서, 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기로서는, 메틸렌기, 에틸렌 기, 트리메틸렌기, 테트라메틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기 등을 들 수 있고, 메틸렌기 및 에틸렌기가 바람직하다. 탄소수 1 내지 6의 알킬기로서는, 상기한 바와 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the alkylene group having 1 to 6 carbon atoms in the general formula (2) include a methylene group, an ethylene group, a trimethylene group, a tetramethylene group, a pentamethylene group and a hexamethylene group, and a methylene group and an ethylene group are preferable. Examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms include the same ones as described above.

화학식 1의 화합물의 구체예로서는, 아크릴산메틸, 메타크릴산메틸, 아크릴산에틸, 메타크릴산에틸, 아크릴산사이클로펜틸, 메타크릴산사이클로펜틸, 아크릴산사이클로헥실, 메타크릴산사이클로헥실, 아크릴산아다만틸, 메타크릴산아다만틸, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아크릴레이트, 에틸렌글리콜모노메틸에테르메타크릴레이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아크릴레이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르메타크릴레이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르아크릴레이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르메타크릴레이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아크릴레이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아크릴레이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르메타크릴레이트, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르메타크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜모노메틸에테르아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜모노메틸에테르메타크릴레이트, 펜타에틸렌글리콜모노메틸에테르아크릴레이트, 펜타에틸렌글리콜모노메틸에테르메타크릴레이트, 헥사에틸렌글리콜모노메틸에테르아크릴레이트, 헥사에틸렌글리콜모노메틸에테르메타크릴레이트, 옥타에틸렌글리콜모노메틸에테르아크릴레이트, 옥타에틸렌글리콜모노메틸에테르메타크릴레이트, 노나에틸렌글리콜모노메틸에테르아크릴레이트, 노나에틸렌글리콜모노메틸에테르메타크릴레이트를 들 수 있다.Specific examples of the compound of formula (1) include methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, cyclopentyl acrylate, cyclopentyl methacrylate, cyclohexyl acrylate, cyclohexyl methacrylate, adamantyl acrylate, Ethylene glycol monomethyl ether acrylate, ethylene glycol monomethyl ether methacrylate, ethylene glycol monoethyl ether acrylate, ethylene glycol monoethyl ether methacrylate, ethylene glycol monopropyl ether acrylate, ethylene glycol mono Ethylene glycol monobutyl ether acrylate, ethylene glycol monobutyl ether methacrylate, diethylene glycol monomethyl ether acrylate, diethylene glycol monomethyl ether methacrylate, triethylene glycol monomethyl ether acrylate Triethylene glycol monomethyl ether methacrylate, tetraethylene glycol monomethyl ether acrylate, tetraethylene glycol monomethyl ether methacrylate, pentaethylene glycol monomethyl ether acrylate, pentaethylene glycol monomethyl ether methacrylate, Hexaethylene glycol monomethyl ether acrylate, hexaethylene glycol monomethyl ether acrylate, hexaethyleneglycol monomethyl ether methacrylate, octaethyleneglycol monomethyl ether acrylate, octaethyleneglycol monomethyl ether methacrylate, nonaethylene glycol monomethyl ether acrylate, nonaethylene glycol And monomethyl ether methacrylate.

이러한 화학식 1의 화합물로서는, 통상적으로 시판되고 있는 것이 사용된다. As the compound of the formula (1), commercially available ones are used.

중합 단위(a)가 아크릴산 3급 부틸로부터 유도된 중합 단위인 경우에는, R1은 수소원자인 것이 바람직하고, 중합 단위(a)가 메타크릴산 3급 부틸로부터 유도된 중합 단위인 경우에는, R1은 메틸기인 것이 바람직하다.When the polymerization unit (a) is a polymerization unit derived from tertiary butyl acrylate, R 1 is preferably a hydrogen atom, and when the polymerization unit (a) is a polymerization unit derived from tertiary butyl methacrylate, R 1 is preferably a methyl group.

중합 단위(b)로서는, R2가 화학식 2의 기인 중합 단위가 바람직하고, R2가 화학식 2의 기이고, n이 2 내지 16인 중합 단위가 보다 바람직하다.As the polymerization unit (b), a polymerization unit in which R 2 is a group represented by the formula (2) is preferable, and a polymerization unit in which R 2 is a group represented by the formula (2) and n is 2 to 16 is more preferable.

중합체(A)의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은, 50,000 내지 300,000이고, 100,000 내지 250,000이 바람직하고, 100,000 내지 200,000이 바람직하다.The weight average molecular weight of the polymer (A) in terms of polystyrene is 50,000 to 300,000, preferably 100,000 to 250,000, and preferably 100,000 to 200,000.

이러한 중합 단위(b)의 함유량은, 중합체(A)의 전체 중합 단위에 대하여, 30 내지 90mol%이다.The content of such a polymerized unit (b) is 30 to 90 mol% with respect to the total polymerized units of the polymer (A).

중합체(A)는, 대응하는 단량체(아크릴산 3급 부틸 또는 메타크릴산 3급 부틸과, 하나 이상의 화학식 1의 화합물)를, 중합개시제의 존재하에 중합시킴으로써 제조할 수 있다.Polymer (A) can be produced by polymerizing a corresponding monomer (tertiary butyl acrylate or tertiary butyl methacrylate and at least one compound of formula (I)) in the presence of a polymerization initiator.

중합개시제로서는, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스(2-메틸부티로니트릴), 1,1'-아조비스(사이클로헥산-1-카보니트릴), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 등의 아조 화합물이 바람직하다. 이의 사용량은 전체 단량체에 대하여, 통상적으로 1 내지 20mol%이고, 중합개시제의 사용량을 조정함으로써, 수득되는 중합체(A)의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량을 조정할 수 있다.Examples of the polymerization initiator include 2,2'-azobisisobutyronitrile, 2,2'-azobis (2-methylbutyronitrile), 1,1'-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile) , 2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), and the like. The amount thereof is usually from 1 to 20 mol% based on the total monomers, and the weight average molecular weight of the obtained polymer (A) in terms of polystyrene can be adjusted by adjusting the amount of the polymerization initiator used.

사용하는 단량체의 사용량을 조정함으로써, 수득되는 중합체(A) 중의 중합 단위(a) 및 (b)의 함유량을 조정할 수 있다.The content of the polymerized units (a) and (b) in the obtained polymer (A) can be adjusted by adjusting the amount of the monomer used.

중합 온도는 통상적으로 0 내지 150℃이다.The polymerization temperature is usually 0 to 150 ° C.

중합 반응은, 통상적으로 용매의 존재하에 실시되고, 용매로서는, 사용하는 단량체, 중합개시제, 수득되는 중합체를 용해하는 용매인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 톨루엔 등의 탄화수소 용매, 1,4-디옥산, 테트라하이드로푸란 등의 에테르 용매, 메틸이소부틸케톤 등의 케톤 용매, 이소프로필알콜 등의 알콜 용매, γ-부티로락톤 등의 환상 에스테르 용매, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 글리콜에테르에스테르 용매 등을 들 수 있다. 이의 사용량은 특별히 제한되지 않는다.The polymerization reaction is usually carried out in the presence of a solvent, and it is preferable that the solvent is a solvent which dissolves the monomers to be used, the polymerization initiator and the polymer to be obtained. Specific examples of the solvent include hydrocarbon solvents such as toluene, ether solvents such as 1,4-dioxane and tetrahydrofuran, ketone solvents such as methyl isobutyl ketone, alcohol solvents such as isopropyl alcohol, and cyclic solvents such as gamma -butyrolactone Glycol ether ester solvents such as ester solvents and propylene glycol monomethyl ether acetate, and the like. The amount thereof to be used is not particularly limited.

반응 종료 후, 예를 들면, 수득된 반응 혼합물과, 중합체(A)를 용해하지 않거나 또는 용해하기 어려운 용매를 혼합하여, 중합체(A)를 석출시키고, 석출된 중합체(A)를 여과 등의 분리 수단에 의해 분리함으로써 취출할 수 있다.After completion of the reaction, the polymer (A) is precipitated, for example, by mixing the obtained reaction mixture with a solvent which does not dissolve or hardly dissolve the polymer (A), and the precipitated polymer (A) And can be taken out by separation by means.

본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물의 중합체(B)는, 알칼리에 가용이다.The polymer (B) of the positive resist composition of the present invention is soluble in alkali.

중합체(B)의 구체예로서는, 노볼락 중합체, 하이드록시스티렌으로부터 유도된 중합 단위를 포함하는 중합체를 들 수 있고, 노볼락 중합체가 바람직하다.As specific examples of the polymer (B), polymers containing polymerized units derived from novolac polymers and hydroxystyrene can be mentioned, and novolak polymers are preferred.

노볼락 중합체는, 예를 들면, 페놀 화합물과 알데히드 화합물을 산 촉매의 존재하에 반응시킴으로써 제조할 수 있다.The novolak polymer can be produced, for example, by reacting a phenol compound and an aldehyde compound in the presence of an acid catalyst.

페놀 화합물로서는, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 2,3-크실레놀, 2,5-크실레놀, 3,4-크실레놀, 3,5-크실레놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 2-3급 부틸페놀, 3-3급 부틸페놀, 4-3급 부틸페놀, 2-3급 부틸-4-메틸페놀, 2-3급 부틸-5-메틸페놀, 2-메틸레조르시놀, 4-메틸레조르시놀, 5-메틸레조르시놀, 2-메톡시페놀, 3-메톡시 페놀, 4-메톡시페놀, 2,3-디메톡시페놀, 2,5-디메톡시페놀, 3,5-디메톡시페놀, 2-메톡시레조르시놀, 4-3급 부틸카테콜, 2-에틸페놀, 3-에틸페놀, 4-에틸페놀, 2,5-디에틸페놀, 3,5-디에틸페놀, 2,3,5-트리에틸페놀, 2-나프톨, 1,3-디하이드록시나프탈렌, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,7-디하이드록시나프탈렌, 크실레놀과 하이드록시벤즈알데히드의 중합 반응에 의해 수득되는 폴리하이드록시트리페닐메탄 등을 들 수 있다. 이러한 페놀 화합물은 각각 단독으로 사용할 수도 있으며, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 이 중에서도, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 2,3-크실레놀, 2,5-크실레놀, 3,4-크실레놀, 3,5-크실레놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 2-3급 부틸페놀, 3-3급 부틸페놀, 4-3급 부틸페놀, 2-3급 부틸-4-메틸페놀, 2-3급 부틸-5-메틸페놀이 적합하다.Examples of the phenol compound include phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, 2,3-xylenol, 2,5-xylenol, 3,4- 2,3,5-trimethylphenol, 2,3-butylphenol, 3-tert-butylphenol, 4-tert-butylphenol, 2,3-butylphenylmethylphenol, Phenol, 2-methyl resorcinol, 4-methyl resorcinol, 5-methyl resorcinol, 2-methoxyphenol, 3-methoxyphenol, 4-methoxyphenol, 2,3-dimethoxyphenol, 2 3-ethylphenol, 4-ethylphenol, 2,5-dimethoxyphenol, 2-methoxyphenol, 4- Diethylphenol, 3,5-diethylphenol, 2,3,5-triethylphenol, 2-naphthol, 1,3-dihydroxynaphthalene, 1,5-dihydroxynaphthalene, And polyhydroxytriphenylmethane obtained by a polymerization reaction of xylanol and hydroxybenzaldehyde. These phenol compounds may be used alone or in combination of two or more. Among these, o-cresol, m-cresol, p-cresol, 2,3-xylenol, 2,5-xylenol, 3,4-xylenol, 3,5- , 5-trimethylphenol, 2,3-butylphenol, 3-tert-butylphenol, 4-tert-butylphenol, 2,3-butylphenylmethylphenol and 2,3- Do.

알데히드 화합물로서는, 포름알데히드, 아세트알데히드, 프로피온알데히드, n-부틸알데히드, 이소부틸알데히드, 아크로레인, 크로톤알데히드, 사이클로헥산알데히드, 사이클로펜탄알데히드, 푸르푸랄, 푸릴아크로레인, 벤즈알데히드, o-메틸벤즈알데히드, m-메틸벤즈알데히드, p-메틸벤즈알데히드, p-에틸벤즈알데히드, 2,4-디메틸벤즈알데히드, 2,5-디메틸벤즈알데히드, 3,4-디메틸벤즈알데히드, 3,5-디메틸벤즈알데히드, o-하이드록시벤즈알데히드, m-하이드록시벤즈알데히드, p-하이드록시벤즈알데히드, 페닐아세트알데히드, 신남알데히드 등을 들 수 있다. 이들 알데히드 화합물도 각각 단독으로 사용할 수도 있으며, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 이러한 알데히드 화합물 중에서도, 공업적으로 입수하기 쉬운 점에서, 포름알데히드가 바람직하다.Examples of the aldehyde compound include aldehyde compounds such as formaldehyde, acetaldehyde, propionaldehyde, n-butylaldehyde, isobutylaldehyde, acrolein, crotonaldehyde, cyclohexanaldehyde, cyclopentanaldehyde, furfural, furacrylate, benzaldehyde, there may be mentioned m-methylbenzaldehyde, p-methylbenzaldehyde, p-ethylbenzaldehyde, 2,4-dimethylbenzaldehyde, 2,5-dimethylbenzaldehyde, 3,4-dimethylbenzaldehyde, 3,5-dimethylbenzaldehyde, o-hydroxybenzaldehyde, m -Hydroxybenzaldehyde, p-hydroxybenzaldehyde, phenylacetaldehyde, cinnamaldehyde and the like. These aldehyde compounds may be used alone or in combination of two or more. Of these aldehyde compounds, formaldehyde is preferable in view of industrial availability.

통상적으로 알데히드 화합물에 대하여, 과잉량의 페놀 화합물이 사용된다. Usually, an excessive amount of phenol compound is used for the aldehyde compound.

산 촉매로서는, 염산, 황산, 과염소산, 인산 등의 무기산, 포름산, 아세트산, 옥살산, 트리클로로아세트산, p-톨루엔설폰산 등의 유기산, 아세트산아연, 염화아연, 아세트산마그네슘 등의 2가 금속염 등을 들 수 있다. 이러한 산 촉매도 각각 단독으로 사용할 수도 있으며, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 이러한 산 촉매의 사용량은, 통상적으로 알데히드 화합물 1mol에 대하여, 0.01 내지 1mol배이다.Examples of the acid catalyst include inorganic acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, perchloric acid and phosphoric acid, organic acids such as formic acid, acetic acid, oxalic acid, trichloroacetic acid and p-toluenesulfonic acid, and divalent metal salts such as zinc acetate, zinc chloride and magnesium acetate. . These acid catalysts may be used alone or in combination of two or more. The amount of such an acid catalyst to be used is usually 0.01 to 1 mol times, based on 1 mol of the aldehyde compound.

페놀 화합물과 알데히드 화합물의 반응은, 공지의 노볼락 중합체의 제조방법에 따라서 실시할 수 있다. 반응 온도는 통상적으로 60 내지 120℃이고, 반응 시간은 통상적으로 2 내지 30시간 정도이다. 반응은 통상적으로 반응에 불활성인 용매 중에서 실시된다.The reaction of the phenol compound and the aldehyde compound can be carried out according to a known method for producing a novolac polymer. The reaction temperature is usually 60 to 120 ° C, and the reaction time is usually about 2 to 30 hours. The reaction is usually carried out in a solvent inert to the reaction.

반응 종료후, 예를 들면, 필요에 따라 반응 혼합물에 물에 불용인 유기 용매를 가하고, 반응 혼합물을 물로 세정하여, 농축함으로써, 노볼락 중합체를 취출할 수 있다.After completion of the reaction, the novolak polymer can be taken out, for example, by adding an insoluble organic solvent to the reaction mixture, if necessary, and washing the reaction mixture with water and concentrating.

하이드록시스티렌으로부터 유도된 중합 단위를 포함하는 중합체로서는, 폴리(o-하이드록시스티렌), 폴리(m-하이드록시스티렌), 폴리(p-하이드록시스티렌), 화학식 11 및 12의 중합 단위를 포함하는 중합체, 화학식 12 및 하기 화학식 13의 중합 단위를 포함하는 중합체 등을 들 수 있다.Examples of the polymer containing polymerized units derived from hydroxystyrene include poly (o-hydroxystyrene), poly (m-hydroxystyrene), poly (p-hydroxystyrene) , A polymer containing a polymerization unit represented by the general formula (12) and a general formula (13), and the like.

Figure 112008022735966-pat00012
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Figure 112008022735966-pat00013
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Figure 112008022735966-pat00014
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위의 화학식 11 내지 13에서,In the above formulas (11) to (13)

R10은 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고,R 10 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms,

R11은 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 5 내지 7의 사이클로알킬기이며,R 11 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms,

R10과 R11이 결합하여 트리메틸렌기 또는 테트라메틸렌기를 형성할 수도 있다.R 10 and R 11 may combine to form a trimethylene group or a tetramethylene group.

R10으로 나타내는 탄소수 1 내지 4의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기 등의 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 측쇄의 알킬기를 들 수 있고, 메틸기가 바람직하다. R11로 나타내는 탄소수 1 내지 6의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기 등의 탄소수 1 내지 6의 직쇄 또는 측쇄의 알킬기를 들 수 있으며, 탄소수 5 내지 7의 사이클로알킬기로서는, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기를 들 수 있고, 에틸기, n-프로필기, 사이클로헥실기가 바람직하고, 사이클로헥실기가 보다 바람직하다.Examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 10 include a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group and n-butyl group, . Examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms represented by R 11 include linear or branched alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms such as a methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, n- Examples of the cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group and a cycloheptyl group, preferably an ethyl group, an n-propyl group and a cyclohexyl group, and a cyclohexyl group is more preferable Do.

상기 화학식 2 및 3의 중합 단위를 포함하는 중합체는, 아세탈 구조를 갖고 있다. The polymer containing the polymerization units of the above formulas (2) and (3) has an acetal structure.

상기 화학식 2 및 3의 중합 단위를 포함하는 중합체에 있어서, 화학식 3의 중합 단위의 비율은, 전체 중합 단위에 대하여, 통상적으로 10 내지 90mol%이다. In the polymer containing the polymeric units of the above formulas (2) and (3), the proportion of the polymeric units of the general formula (3) is usually 10 to 90 mol% based on the total polymerized units.

하이드록시스티렌으로부터 유도된 중합 단위를 포함하는 중합체는, 대응하는 단량체를, 산 촉매의 존재하에 중합시킴으로써 제조할 수 있다.Polymers containing polymerized units derived from hydroxystyrene can be prepared by polymerizing the corresponding monomers in the presence of an acid catalyst.

산 촉매로서는, 염산, 황산, 과염소산, 인산 등의 무기산, 포름산, 아세트산, 옥살산, 트리클로로아세트산, p-톨루엔설폰산 등의 유기산 등을 들 수 있다. 이러한 산 촉매의 사용량은, 통상적으로 하이드록시스티렌과 스티렌의 합계에 대하여, 0.0001 내지 1중량%이다.Examples of the acid catalyst include inorganic acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, perchloric acid and phosphoric acid, and organic acids such as formic acid, acetic acid, oxalic acid, trichloroacetic acid and p-toluenesulfonic acid. The amount of such an acid catalyst to be used is usually 0.0001 to 1% by weight based on the sum of hydroxystyrene and styrene.

이러한 중합 반응은, 통상적으로 용매의 존재하에 실시되고, 용매로서는, 반응에 불활성인 용매이면 특별히 제한되지 않는다. 반응 온도는 통상적으로 0 내지 100℃이고, 반응 시간은 통상적으로 0.5 내지 48시간 정도이다.Such a polymerization reaction is usually carried out in the presence of a solvent, and the solvent is not particularly limited as long as it is a solvent inert to the reaction. The reaction temperature is usually 0 to 100 占 폚, and the reaction time is usually about 0.5 to 48 hours.

반응 종료후, 예를 들면, 필요에 따라 반응 혼합물에 물에 불용인 유기 용매 를 가하고, 반응 혼합물에, 필요에 따라 트리에틸아민 등의 염기성 물질을 가한 후, 물로 세정하여, 농축함으로써, 하이드록시스티렌으로부터 유도된 중합 단위를 포함하는 중합체를 취출할 수 있다.After completion of the reaction, for example, an organic solvent insoluble in water is added to the reaction mixture, if necessary, and a basic substance such as triethylamine is added to the reaction mixture if necessary, followed by washing with water and concentration, Polymers containing polymerized units derived from styrene may be withdrawn.

본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물의 산 발생제(C)로서는, 빛 또는 방사선의 조사에 의해 분해되어, 산을 발생하는 화합물이면 특별히 제한되지 않는다. 산 발생제로부터 발생하는 산이, 포지티브형 레지스트 조성물중의 중합체에 작용하여, 당해 중합체내에 존재하는 산에 불안정한 기의 개열 반응이 진행되어 중합체가 알칼리 수용액에 가용이 된다.The acid generator (C) of the positive resist composition of the present invention is not particularly limited as long as it is a compound which decomposes upon irradiation with light or radiation to generate an acid. The acid generated from the acid generator acts on the polymer in the positive resist composition and the cleavage reaction of the unstable group in the acid existing in the polymer progresses so that the polymer becomes soluble in the aqueous alkali solution.

산 발생제로서는, 오늄염, 할로겐 함유 화합물, 디아조케톤 화합물, 설폰 화합물 및 설폰산 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 화합물을 들 수 있고, 오늄염 또는 설폰산 화합물이 바람직하다.As the acid generator, there may be mentioned at least one compound selected from the group consisting of an onium salt, a halogen-containing compound, a diazoketone compound, a sulfon compound and a sulfonic acid compound, and onium salt or sulfonic acid compound is preferable.

오늄염의 구체예로서는, 화학식 5a의 염, 화학식 5b의 염, 화학식 5c의 염, 화학식 3의 염, 화학식 4의 염을 들 수 있다.Specific examples of onium salts include salts of the formula (5a), salts of the formula (5b), salts of the formula (5c), salts of the formula (3) and salts of the formula (4).

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Figure 112008022735966-pat00016
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Figure 112008022735966-pat00017
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화학식 3(3)

Figure 112008022735966-pat00018
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화학식 4Formula 4

Figure 112008022735966-pat00019
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위의 화학식 5a, 5b, 5c, 3 및 4에서,In the above formulas (5a), (5b), (5c), (3) and (4)

P1, P2 및 P3은 독립적으로, 하이드록실기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기이고,P 1 , P 2 and P 3 independently represent a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms,

a, b 및 c는 독립적으로, 0 내지 3의 정수이고, a가 2 또는 3인 경우, 복수의 P1은, 서로 동일하거나 상이할 수 있고, b가 2 또는 3인 경우, 복수의 P2는 서로 동일하거나 상이할 수 있고, c가 2 또는 3인 경우, 복수의 P3은 서로 동일하거나 상이할 수 있고,a, b and c are, independently, an integer from 0 to 3, if A is a case of 2 or 3, a plurality of P 1 is, may be the same or different, b is 2 or 3, a plurality of P 2 And when c is 2 or 3, the plurality of P &lt; 3 &gt; may be the same as or different from each other,

Z-는 유기 대이온이고,Z - is an organic counterion,

P4 및 P5는 독립적으로, 하이드록실기, 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 탄소 수 1 내지 6의 알콕시기이고,P 4 and P 5 independently represent a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms,

d 및 e는 독립적으로, 0 또는 1이고,d and e are, independently, 0 or 1,

P6 및 P7은 독립적으로, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 3 내지 10의 사이클로알킬기이거나, P6과 P7이 결합하여 탄소수 3 내지 7의 2가의 지방족 탄화수소기를 형성(여기서, 지방족 탄화수소기의 하나 이상의 -CH2-는 카보닐기, 산소원자 또는 황원자로 치환될 수 있다)하고, 인접하는 S+와 함께 환을 형성하고,P 6 and P 7 are independently an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms or a combination of P 6 and P 7 to form a divalent aliphatic hydrocarbon group having 3 to 7 carbon atoms, one or more of -CH 2 - may be substituted with a carbonyl group, an oxygen atom or a sulfur atom), and form a ring together with the adjacent S + a,

P8은 수소원자이고,P 8 is a hydrogen atom,

P9는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 3 내지 10의 사이클로알킬기 또는 치환될 수 있는 방향족환기이거나,P 9 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, or an aromatic ring group which may be substituted,

P8과 P9는 결합하여 2가의 지방족 탄화수소기를 형성하거나 인접하는 -CHCO-와 함께 환을 형성하고,P 8 and P 9 combine to form a divalent aliphatic hydrocarbon group or form a ring together with adjacent -CHCO-,

A는 산소원자 또는 황원자이고,A is an oxygen atom or a sulfur atom,

R5 및 R6은 독립적으로, 메틸기 또는 페닐기이고,R 5 and R 6 are, independently, a methyl group or a phenyl group,

R7 및 R8은 각각 탄소수 1 내지 8의 퍼플루오로알킬기이다.R 7 and R 8 are each a perfluoroalkyl group having 1 to 8 carbon atoms.

P1, P2, P3, P4 및 P5에 있어서, 탄소수 1 내지 6의 알킬기의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 3급 부틸기, n-펜틸기, n- 헥실기 등을 들 수 있으며, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기로서는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기 등을 들 수 있다.In the P 1, P 2, P 3 , P 4 and P 5, Specific examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, methyl group, ethyl group, n- propyl group, isopropyl group, n- butyl group, a tert-butyl group, pentyl group, n-hexyl group and the like. Examples of the alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group and n-butoxy group .

P6, P7 및 P9에 있어서, 탄소수 1 내지 6의 알킬기의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 3급 부틸기, n-펜틸기, n-헥실기 등을 들 수 있으며, 탄소수 3 내지 10의 사이클로알킬기로서는, 사이클로프로필기, 사이클로부틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms in P 6 , P 7 and P 9 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, And hexyl group. Examples of the cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cycloheptyl group.

P6과 P7이 결합하여 형성하는 탄소수 3 내지 7의 2가의 지방족 탄화수소기로서는, 트리메틸렌기, 테트라메틸렌기, 펜타메틸렌기 등을 들 수 있으며, 이러한 P6과 P7이 결합하여 인접하는 S+이 형성하는 환의 구체예로서는, 펜타메틸렌설포니오기, 테트라메틸렌설포니오기, 옥시비스에틸렌설포니오기 등을 들 수 있다.Examples of the divalent aliphatic hydrocarbon group having 3 to 7 carbon atoms formed by combining P 6 and P 7 include a trimethylene group, a tetramethylene group, and a pentamethylene group. P 6 and P 7 are bonded to each other to form an adjacent Specific examples of the ring formed by S &lt; + &gt; include pentamethylene sulfonyl group, tetramethylene sulfonyl group, oxybisethylene sulfonyl group and the like.

P9에 있어서, 탄소 치환될 수 있는 방향족환기로서는, 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 나프틸기 등을 들 수 있다. P8과 P9가 결합하여 형성하는 2가의 지방족 탄화수소기로서는, 메틸렌기, 에틸렌기, 트리메틸렌기, 테트라메틸렌기, 펜타메틸렌기 등을 들 수 있으며, P8과 P9가 결합하여, 인접하는 -CHCO-와 함께 형성하는 환으로서는, 2-옥소사이클로헥실기, 2-옥소사이클로펜틸기 등을 들 수 있다. In P 9 , examples of the aromatic ring group which may be substituted with carbon include a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group and a naphthyl group. Examples of the divalent aliphatic hydrocarbon group formed by combining P 8 and P 9 include a methylene group, an ethylene group, a trimethylene group, a tetramethylene group and a pentamethylene group. P 8 and P 9 are bonded to each other to form a Examples of the ring formed together with -CHCO- include a 2-oxocyclohexyl group and a 2-oxocyclopentyl group.

화학식 3 및 화학식 4에 있어서, 탄소수 1 내지 8의 퍼플루오로알킬기로서 는, 퍼플루오로메틸기, 퍼플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로이소프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, 퍼플루오로이소부틸기, 퍼플루오로-2급-부틸기, 퍼플루오로-3급 부틸기, 퍼플루오로-n-펜틸기, 퍼플루오로-n-헥실기, 퍼플루오로-n-헵틸기, 퍼플루오로-n-옥틸기 등을 들 수 있고, 탄소수 1 내지 4의 퍼플루오로알킬기가 바람직하다.Examples of the perfluoroalkyl group having 1 to 8 carbon atoms in the general formulas (3) and (4) include a perfluoromethyl group, a perfluoroethyl group, a perfluoro-n-propyl group, a perfluoroisopropyl group, butyl group, a perfluoro-n-pentyl group, a perfluoro-n-hexyl group, a perfluoro-n-pentyl group, N-heptyl group, perfluoro-n-octyl group and the like, and a perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms is preferable.

화학식 5a, 화학식 5b 및 화학식 5c의 염에 있어서의 양이온의 구체예로서는, 하기에 나타내는 양이온을 들 수 있다.Specific examples of the cations in the salts of the formulas (5a), (5b) and (5c) include the following cations.

Figure 112008022735966-pat00020
Figure 112008022735966-pat00020

Figure 112008022735966-pat00021
Figure 112008022735966-pat00021

Figure 112008022735966-pat00022
Figure 112008022735966-pat00022

화학식 3의 염에 있어서의 양이온의 구체예로서는, 하기에 나타내는 양이온 을 들 수 있다.Specific examples of the cation in the salt of the formula (3) include the following cations.

Figure 112008022735966-pat00023
Figure 112008022735966-pat00023

유기 대이온 Z-로서는, 화학식 6의 음이온을 들 수 있다.Examples of the organic counter ion Z &lt; - &gt; include an anion of the formula (6).

Figure 112008022735966-pat00024
Figure 112008022735966-pat00024

위의 화학식 6에서,In the above formula (6)

Q1, Q2, Q3, Q4 및 Q5는 독립적으로, 수소원자, 할로겐원자, 알데히드기, 탄소수 1 내지 16의 직쇄 또는 측쇄의 알킬기, 탄소수 1 내지 16의 직쇄 또는 측쇄의 알콕시기, 탄소수 1 내지 8의 할로겐화알킬기, 탄소수 6 내지 12의 아릴기, 탄소수 7 내지 12의 아르알킬기, 시아노기, 탄소수 1 내지 4의 알킬티오기, 탄소수 1 내지 4의 알킬설포닐기, 하이드록실기, 니트로기 또는 화학식 7의 기이다.Q 1 , Q 2 , Q 3 , Q 4 and Q 5 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an aldehyde group, a straight or branched alkyl group having 1 to 16 carbon atoms, a straight or branched alkoxy group having 1 to 16 carbon atoms, A halogenated alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms, a cyano group, an alkylthio group having 1 to 4 carbon atoms, an alkylsulfonyl group having 1 to 4 carbon atoms, Or a group of formula (7).

Figure 112008022735966-pat00025
Figure 112008022735966-pat00025

위의 화학식 7에서,In the above formula (7)

X는 산소원자 또는 황원자를 포함할 수 있는 직쇄 알킬렌기이고,X is a straight chain alkylene group which may contain an oxygen atom or a sulfur atom,

Cy1은 탄소수 3 내지 20의 지환식 탄화수소기이다.Cy 1 is an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms.

화학식 6의 탄소수 1 내지 16의 직쇄 또는 측쇄의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 3급 부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, n-헥사데실기 등을 들 수 있다.Examples of the straight or branched chain alkyl group having 1 to 16 carbon atoms represented by the formula (6) include a methyl group, an ethyl group, a n-propyl group, an isopropyl group, a n-butyl group, a tertiary butyl group, Octyl group, n-decyl group, n-dodecyl group, and n-hexadecyl group.

탄소수 1 내지 16의 직쇄 또는 측쇄형 알콕시기로서는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기, 3급 부톡시기, n-펜틸옥시기, n-헥실옥시기, 이소펜틸옥시기, n-데실옥시기, n-도데실옥시기, n-헥사데실옥시기 등을 들 수 있다.Examples of the straight or branched chain alkoxy group having 1 to 16 carbon atoms include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an isopropoxy group, a n-butoxy group, a tert- An isopentyloxy group, an n-decyloxy group, an n-dodecyloxy group, and an n-hexadecyloxy group.

탄소수 1 내지 8의 할로겐화알킬기로서는, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로에틸, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로이소프로필기, 퍼플루오로부틸기 등을 들 수 있다.Examples of the halogenated alkyl group having 1 to 8 carbon atoms include a trifluoromethyl group, a perfluoroethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluoroisopropyl group, and a perfluorobutyl group.

할로겐 원자로서는, 불소원자, 염소원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.

탄소수 6 내지 12의 아릴기로서는, 페닐기, 톨릴기, 메톡시페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있다. 탄소수 7 내지 12의 아르알킬기로서는, 벤질기, 클로로벤질기, 메톡시벤질기 등을 들 수 있다. 탄소수 1 내지 4의 알킬티오기로서는, 메틸티오기, 에틸티오기, 프로필티오기, 이소프로필티오기, 부틸티오기 등을 들 수 있다. 탄소수 1 내지 4의 알킬설포닐기로서는, 메틸설포닐기, 에틸설포닐기, n-프로필설포닐기, 이소프로필설포닐기, n-부틸설포닐기 등을 들 수 있다. Examples of the aryl group having 6 to 12 carbon atoms include a phenyl group, a tolyl group, a methoxyphenyl group, and a naphthyl group. Examples of the aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms include a benzyl group, a chlorobenzyl group, and a methoxybenzyl group. Examples of the alkylthio group having 1 to 4 carbon atoms include a methylthio group, an ethylthio group, a propylthio group, an isopropylthio group, and a butylthio group. Examples of the alkylsulfonyl group having 1 to 4 carbon atoms include a methylsulfonyl group, an ethylsulfonyl group, an n-propylsulfonyl group, an isopropylsulfonyl group and an n-butylsulfonyl group.

화학식 6의 Q1, Q2, Q3, Q4 및 Q5중, 2개 이상의 화학식 7의 기인 경우에는, 당해 기의 X 및 Cy1은 각각 독립적으로 선택할 수 있다.When at least two of Q 1 , Q 2 , Q 3 , Q 4 and Q 5 in the general formula (6) are a group of the general formula (7), X and Cy 1 of the corresponding group may be independently selected.

X로서는, 하기에 나타내는 기를 들 수 있으며, 다음 (a-1) 내지 (a-15)의 탄소수 1 내지 7의 직쇄의 알킬렌기가 바람직하다.X is a group shown below, and a straight chain alkylene group having 1 to 7 carbon atoms represented by the following (a-1) to (a-15) is preferable.

Figure 112008022735966-pat00026
Figure 112008022735966-pat00026

Cy1로서는, 하기에 나타내는 기를 들 수 있고, 사이클로헥실기(b-4), 2-노르보르닐기(b-21), 2-아다만틸기(b-23), 1-아다만틸기(b-24)가 바람직하다.As Cy 1 , the following groups may be mentioned, and examples thereof include a cyclohexyl group (b-4), a 2-norbornyl group (b-21), a 2- adamantyl group -24).

Figure 112008022735966-pat00027
Figure 112008022735966-pat00027

또한, 유기 대이온 Z-로서, 하기 화학식에 나타내는 음이온도 들 수 있다.As the organic counter ion Z &lt; - & gt ;, an anion represented by the following formula may also be used.

Figure 112008022735966-pat00028
Figure 112008022735966-pat00028

Figure 112008022735966-pat00029
Figure 112008022735966-pat00029

Figure 112008022735966-pat00030
Figure 112008022735966-pat00030

Figure 112008022735966-pat00031
Figure 112008022735966-pat00031

Figure 112008022735966-pat00032
Figure 112008022735966-pat00032

Figure 112008022735966-pat00033
Figure 112008022735966-pat00033

또한, 유기 대이온 Z-로서, 하기 화학식 8a의 음이온도 들 수 있다.The organic counter ion Z &lt; - &gt; may also be an anion of the following general formula (8a).

Figure 112008022735966-pat00034
Figure 112008022735966-pat00034

위의 화학식 8a에서,In the above formula (8a)

Q6은 탄소수 1 내지 20의 퍼플루오로알킬기, 치환될 수 있는 나프틸기 또는 치환될 수 있는 안트릴기이다.Q 6 is a perfluoroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a naphthyl group which may be substituted or an anthryl group which may be substituted.

화학식 8a의 음이온의 구체예로서는, 다음의 것을 들 수 있다.Specific examples of the anion of formula (8a) include the following.

Figure 112008022735966-pat00035
Figure 112008022735966-pat00035

유기 대이온 Z-로서 하기 화학식 8b의 음이온도 들 수 있다.As an organic counter ion Z &lt; - & gt ;, an anion of the following formula (8b) may also be mentioned.

Figure 112008022735966-pat00036
Figure 112008022735966-pat00036

위의 화학식 8b에서,In the above formula (8b)

Q7 및 Q8은 독립적으로, 탄소수 1 내지 20의 퍼플루오로알킬기 또는 탄소수 6 내지 20의 치환될 수 있는 방향족환기이다.Q 7 and Q 8 are independently a perfluoroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aromatic ring group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted.

화학식 8b의 음이온의 구체예로서는, 다음의 것을 들 수 있다.Specific examples of the anion of formula (8b) include the following.

Figure 112008022735966-pat00037
Figure 112008022735966-pat00037

화학식 4의 염으로서는, N-트리플루오로메틸설포닐옥시-1,8-나프탈이미드, N-노나플루오로부틸설포닐옥시-1,8-나프탈이미드 등을 들 수 있다.Examples of the salt of the formula (4) include N-trifluoromethylsulfonyloxy-1,8-naphthalimide, N-nonafluorobutylsulfonyloxy-1,8-naphthalimide and the like.

이러한 산 발생제 중에서도, 화학식 3의 염 또는 화학식 4의 화합물이 바람 직하고, 화학식 4의 화합물이 보다 바람직하다.Among these acid generators, the salt of the formula (3) or the compound of the formula (4) is preferred, and the compound of the formula (4) is more preferable.

본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물에 있어서의 중합체(A)와 중합체(B)의 중량비(중합체(A)/중합체(B))는, 통상적으로 7/3 내지 5/5이다.The weight ratio of the polymer (A) to the polymer (B) (polymer (A) / polymer (B)) in the positive resist composition of the present invention is usually 7/3 to 5/5.

본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물은, 포지티브형 레지스트 조성물의 전체 고형분량을 기준으로 하여, 통상적으로 중합체 성분을 95 내지 99중량%, 산 발생제(C)를 1 내지 5중량% 포함한다. 본 발명에 있어서, 전체 고형분량이란, 용매를 제외한 전량을 의미한다.The positive resist composition of the present invention usually contains 95 to 99% by weight of a polymer component and 1 to 5% by weight of an acid generator (C) based on the total solid content of the positive resist composition. In the present invention, the total solids content means the whole amount excluding the solvent.

본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물은, 중합체(A), 중합체(B) 및 산 발생제(C) 외에, 다른 중합체를 포함할 수도 있다.The positive resist composition of the present invention may contain other polymer besides the polymer (A), the polymer (B) and the acid generator (C).

다른 중합체로서는, 산에 불안정한 기를 가지며, 그 자신은 알칼리 수용액에 불용 또는 난용이지만, 산의 작용에 의해 알칼리 수용액에 가용이 되는 중합체가 바람직하다.The other polymer is preferably a polymer which has an acid-labile group and is itself insoluble or sparingly soluble in an aqueous alkali solution but is soluble in an aqueous alkaline solution by the action of an acid.

산에 불안정한 기를 가지며, 그 자신은 알칼리 수용액에 불용 또는 난용이지만, 산의 작용에 의해 알칼리 수용액에 가용이 되는 중합체의「산에 불안정한 기」로서는, 산소원자에 인접하는 탄소원자가 4급 탄소원자인 알킬에스테르기, 산소원자에 인접하는 탄소원자가 4급 탄소원자인 지환식 에스테르기, 산소원자에 인접하는 탄소원자가 4급 탄소원자인 락톤에스테르기 등의 카복실산의 에스테르를 들 수 있다. 또한, 본 명세서중, 「에스테르기」란, 카복실산의 에스테르를 갖는 구조를 의미한다. 구체적으로는, 「3급 부틸에스테르기」는, 「카복실산의 3급 부틸에스테르를 갖는 구조」를 의미하며, 「-COOC(CH3)3」으로 기재하는 경우도 있다. 또 한, 「4급 탄소원자」는, 「수소원자 이외의 4개의 치환기에 결합한 탄소원자」를 의미한다.Acid-unstable group &quot; of the polymer that is insoluble or sparingly soluble in an aqueous alkali solution but becomes soluble in an aqueous alkali solution by the action of an acid is not limited to an alkyl group having a carbon atom adjacent to the oxygen atom An ester group, an ester of a carboxylic acid such as an alicyclic ester group in which a carbon atom adjacent to an oxygen atom is a quaternary carbon atom, and a lactone ester group in which a carbon atom adjacent to an oxygen atom is a quaternary carbon atom. In the present specification, the "ester group" means a structure having an ester of a carboxylic acid. Specifically, the "tertiary butyl ester group" means "a structure having a tertiary butyl ester of a carboxylic acid" and may be described as "-COOC (CH 3 ) 3 ". In addition, the "quaternary carbon atom" means a "carbon atom bonded to four substituents other than a hydrogen atom".

산에 불안정한 기로서는, 3급 부틸에스테르기 등의 산소원자에 인접하는 탄소원자가 4급 탄소원자인 알킬에스테르기: 메톡시메틸에스테르기, 에톡시메틸에스테르기, 1-에톡시에틸에스테르기, 1-이소부톡시에틸에스테르기, 1-이소프로폭시에틸에스테르기, 1-에톡시프로필에스테르기, 1-(2-메톡시에톡시)에틸에스테르기, 1-(2-아세톡시에톡시)에틸에스테르기, 1-[2-(1-아다만틸옥시)에톡시]에틸에스테르기, 1-[2-(1-아다만탄카보닐옥시)에톡시]에틸에스테르기, 테트라하이드로-2-푸릴에스테르, 테트라하이드로-2-피라닐에스테르기 등의 아세탈형 에스테르기; 이소보르닐에스테르기, 1-알킬사이클로알킬에스테르기, 2-알킬-2-아다만틸에스테르기, 1-(1-아다만틸)-1-알킬알킬에스테르기 등의 산소원자에 인접하는 탄소원자가 4급 탄소원자인 지환식 에스테르기 등을 들 수 있다.Examples of the acid-unstable group include alkyl ester groups: methoxymethyl ester group, ethoxymethyl ester group, 1-ethoxyethyl ester group, 1- Ethoxypropyl ester group, a 1- (2-methoxyethoxy) ethyl ester group, a 1- (2-acetoxyethoxy) ethyl ester group , 1- [2- (1-adamantyloxy) ethoxy] ethyl ester group, 1- [2- (1-adamantanecarbonyloxy) ethoxy] ethyl ester group, tetrahydro- , Acetal-type ester groups such as tetrahydro-2-pyranyl ester group; A carbon atom adjacent to an oxygen atom such as an isobornyl ester group, a 1-alkylcycloalkyl ester group, a 2-alkyl-2-adamantyl ester group and a 1- (1-adamantyl) And alicyclic ester groups which are self-quaternary carbon atoms.

산에 불안정한 기를 가지며, 그 자신은 알칼리 수용액에 불용 또는 난용이지만, 산의 작용에 의해 알칼리 수용액에 가용이 되는 중합체로서는, 산에 불안정한 기를 갖는 아크릴산의 에스테르로부터 유도되는 구조 단위를 갖는 중합체, 산에 불안정한 기를 갖는 메타크릴산의 에스테르로부터 유도되는 구조 단위를 갖는 중합체가 바람직하다.Examples of polymers which are unstable in acid and which are insoluble or hardly soluble in an aqueous alkali solution but which are soluble in an aqueous alkali solution by the action of an acid include polymers having structural units derived from esters of acrylic acid having an acid labile group, Polymers having structural units derived from esters of methacrylic acid having an unstable group are preferred.

산에 불안정한 기를 가지며, 그 자신은 알칼리 수용액에 불용 또는 난용이지만, 산의 작용에 의해 알칼리 수용액에 가용이 되는 중합체의 구체예로서는, 메톡시메틸아크릴레이트, 메톡시메틸메타크릴레이트, 에톡시메틸아크릴레이트, 에톡시 메틸메타크릴레이트, 1-에톡시에틸아크릴레이트, 1-에톡시에틸메타크릴레이트, 1-이소부톡시에틸아크릴레이트, 1-이소부톡시에틸메타크릴레이트, 1-이소프로폭시에틸아크릴레이트, 1-이소프로폭시에틸메타크릴레이트, 1-에톡시프로필아크릴레이트, 1-에톡시프로필메타크릴레이트, 1-(2-메톡시에톡시)에틸아크릴레이트, 1-(2-메톡시에톡시)에틸메타크릴레이트, 1-(2-아세톡시에톡시)에틸아크릴레이트, 1-(2-아세톡시에톡시)에틸메타크릴레이트, 1-[2-(1-아다만틸옥시)에톡시]에틸아크릴레이트, 1-[2-(1-아다만틸옥시)에톡시]에틸메타크릴레이트, 1-[2-(1-아다만탄카보닐옥시)에톡시]에틸아크릴레이트, 1-[2-(1-아다만탄카보닐옥시)에톡시]에틸메타크릴레이트, 테트라하이드로-2-푸릴아크릴레이트, 테트라하이드로-2-푸릴메타크릴레이트, 테트라하이드로-2-피라닐아크릴레이트, 테트라하이드로-2-피라닐메타크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트, 이소보르닐메타크릴레이트, 1-알킬사이클로알킬아크릴레이트, 1-알킬사이클로알킬메타크릴레이트, 2-알킬-2-아다만틸아크릴레이트, 2-알킬-2-아다만틸메타크릴레이트, 1-(1-아다만틸)-1-알킬알킬아크릴레이트, 1-(1-아다만틸)-1-알킬알킬메타크릴레이트 등을 들 수 있다.Specific examples of the polymer which is unstable in acid and which itself is insoluble or hardly soluble in an aqueous alkali solution but which is soluble in an alkali aqueous solution by the action of an acid include methoxymethyl acrylate, methoxymethyl methacrylate, ethoxymethyl acrylate Methoxyethyl methacrylate, 1-ethoxyethyl methacrylate, 1-ethoxyethyl methacrylate, 1-isobutoxyethyl acrylate, 1-isobutoxyethyl methacrylate, 1- Methacryloxypropyl methacrylate, 1-ethoxypropyl methacrylate, 1-ethoxypropyl methacrylate, 1- (2-methoxyethoxy) ethyl acrylate, 1- Ethyl methacrylate, 1- [2- (1-adamantyloxy) ethyl methacrylate, 1- (2-acetoxyethoxy) Ethoxy] ethyl acrylate, 1- [2- (1-adamantyloxy) Ethyl methacrylate, 1- [2- (1-adamantanecarbonyloxy) ethoxy] ethyl acrylate, 1- [2- (1-adamantanecarbonyloxy) ethoxy] ethyl methacrylate Tetrahydro-2-furyl methacrylate, tetrahydro-2-pyranyl acrylate, tetrahydro-2-pyranyl methacrylate, isobornyl acrylate, isoboron Alkyl-2-adamantyl acrylate, 2-alkyl-2-adamantyl methacrylate, 1- ( 1-adamantyl) -1-alkyl alkyl acrylate, and 1- (1-adamantyl) -1-alkyl alkyl methacrylate.

이 중에서도, 아크릴산 3-하이드록시-1-아다만틸로부터 유도된 중합 단위, 메타크릴산 3-하이드록시-1-아다만틸로부터 유도된 중합 단위, 아크릴산 3,5-디하이드록시-1-아다만틸로부터 유도된 중합 단위, 메타크릴산 3,5-디하이드록시-1-아다만틸로부터 유도된 중합 단위, 하기 (a)의 중합 단위 또는 (b)의 중합 단위를 포함하는 중합체가 바람직하다.Among them, polymerization units derived from 3-hydroxy-1-adamantyl acrylate, polymerization units derived from methacrylic acid 3-hydroxy-1-adamantyl, acrylic acid 3,5-dihydroxy- A polymer comprising a polymerization unit derived from adamantyl, a polymerization unit derived from 3,5-dihydroxy-1-adamantyl methacrylate, a polymerization unit represented by the following formula (a) or a polymerization unit represented by the following formula desirable.

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[여기서, R21 및 R22는 독립적으로, 수소원자 또는 메틸기이고; R23 및 R24는 독립적으로, 메틸기, 트리플루오로메틸기 또는 할로겐원자이고; p 및 q는 0 내지 3의 정수이고, p가 2 또는 3인 경우, R3은 서로 상이한 기일 수 있고, q가 2 또는 3인 경우, R24는 서로 상이한 기일 수 있다]Wherein R 21 and R 22 are independently a hydrogen atom or a methyl group; R 23 and R 24 are, independently, a methyl group, a trifluoromethyl group or a halogen atom; p and q are integers of 0 to 3, and when p is 2 or 3, R 3 may be different from each other, and when q is 2 or 3, R 24 may be different from each other]

아크릴산 3-하이드록시-1-아다만틸, 메타크릴산 3-하이드록시-1-아다만틸 등의 단량체는, 시판되고 있는 것을 사용할 수 있고, 대응하는 하이드록시아다만탄을 아크릴산, 메타크릴산 또는 이의 할라이드와 반응시킴으로써, 제조한 것을 사용할 수도 있다.Acrylate, 3-hydroxy-1-adamantyl acrylate, 3-hydroxy-1-adamantyl methacrylate and the like can be used. Commercially available monomers such as acrylic acid, methacrylic With an acid or a halide thereof, may be used.

화학식 a 및 화학식 b의 중합 단위를 부여하는 단량체로서는, 하기에 나타내는 하이드록실기를 갖는 지환식 락톤의 아크릴산에스테르 또는 메타크릴산에스테르, 이들의 혼합물 등을 들 수 있다. 이러한 에스테르는, 대응하는 하이드록실기를 갖는 지환식 락톤과 아크릴산, 메타크릴산 등과의 반응에 의해 제조할 수 있다[참조: 일본 공개특허공보 2000-26446호].Examples of the monomer giving the polymeric units of the formulas (a) and (b) include acrylic acid esters or methacrylic acid esters of alicyclic lactones having a hydroxyl group shown below, and mixtures thereof. Such esters can be produced by reacting an alicyclic lactone having a corresponding hydroxyl group with acrylic acid, methacrylic acid, etc. (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-26446).

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다른 중합체로서는, 아크릴로일옥시-γ-부티로락톤, 메타크릴로일옥시-γ-부티로락톤 등을 들 수 있으며, 이의 구체예로서는, α-아크릴로일옥시-γ-부티로락톤, α-메타크릴로일옥시-γ-부티로락톤, α-아크릴로일옥시-β,β-디메틸-γ-부티로락톤, α-메타크릴로일옥시-β,β-디메틸-γ-부티로락톤, α-아크릴로일옥시-α-메틸-γ-부티로락톤, α-메타크릴로일옥시-α-메틸-γ-부티로락톤, β-아크릴로일옥시-γ-부티로락톤, β-메타크릴로일옥시-γ-부티로락톤, β-메타크릴로일옥시-α-메틸-γ-부티로락톤 등을 들 수 있다.Examples of other polymers include acryloyloxy- gamma -butyrolactone, methacryloyloxy- gamma -butyrolactone, and specific examples thereof include alpha -acryloyloxy- gamma -butyrolactone, alpha -Methacryloyloxy- gamma -butyrolactone,? -Acryloyloxy-?,? -Dimethyl-? -Butyrolactone,? -Methacryloyloxy- ?,? -Dimethyl-? -Butyro Lactone,? -Acryloyloxy-? -Methyl-? -Butyrolactone,? -Methacryloyloxy-? -Methyl-? -Butyrolactone,? -Acryloyloxy-? -Butyrolactone, ? -methacryloyloxy-? -butyrolactone,? -methacryloyloxy-? -methyl-? -butyrolactone, and the like.

이러한 다른 중합체의 함유량은, 중합체(A)와 중합체(B)와 다른 중합체의 합계에 대하여, 0 내지 50중량%가 바람직하다.The content of such another polymer is preferably 0 to 50% by weight based on the total amount of the polymer (A), the polymer (B) and the other polymer.

본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물에 있어서는, 노광 후의 경과에 따르는 산의 실활에 의한 성능 열화를, 유기 염기성 화합물, 특히 질소 함유 염기성 유기 화합물을 켄처(Quencher)로서 첨가함으로써, 개량할 수 있다. 이러한 질소 함유 염기성 유기 화합물의 구체예로서는, 이하의 각 화학식의 아민 화합물In the positive resist composition of the present invention, deterioration in performance due to deactivation of an acid with the passage of time after exposure can be improved by adding an organic basic compound, particularly a nitrogen-containing basic organic compound, as a quencher. Specific examples of such nitrogen-containing basic organic compounds include amine compounds

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[여기서, T1 및 T2는 독립적으로, 수소원자, 알킬기, 사이클로알킬기 또는 아릴기이고, 당해 알킬기, 당해 사이클로알킬기 및 당해 아릴기는, 하이드록실기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 치환될 수 있는 아미노기, 및 탄소수 1 내지 6의 알콕시기로 치환될 수 있는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환될 수 있고; T3 및 T4는 독립적으로, 수소원자, 알킬기, 사이클로알킬기, 아릴기 또는 알콕시기이고, 당해 알킬기, 당해 사이클로알킬기, 당해 아릴기 및 당해 알콕시기는, 하이드록실기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 치환될 수 있는 아미노기, 및 탄소수 1 내지 6의 알콕시기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환될 수 있으며, 또한, T3과 T4가 결합하여 이의 결합 탄소원자와 함께 방향족환을 형성할 수 있고; T5는 수소원자, 알킬기, 사이클로알킬기, 아릴기, 알콕시기 또는 니트로기이고, 당해 알킬기, 당해 사이클로알킬기, 당해 아릴기 및 당해 알콕시기는, 하이드록실기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 치환될 수 있는 아미 노기, 및 탄소수 1 내지 6의 알콕시기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환될 수 있고; T6은 알킬기 또는 사이클로알킬기이고, 당해 알킬기 및 당해 사이클로알킬기는, 하이드록실기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 치환될 수 있는 아미노기, 및 탄소수 1 내지 6의 알콕시기로 치환될 수 있는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환될 수 있고; A1은 -CO-, -NH-, -S-, -S-S-, 알킬렌기 또는 알케닐렌기이고, 당해 알킬렌기 및 당해 알케닐렌기의 하나 이상의 메틸렌기는, -O-으로 치환될 수도 있다]T 1 and T 2 are independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, and the alkyl group, the cycloalkyl group and the aryl group may be substituted with a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms An amino group, and an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms; T 3 and T 4 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an alkoxy group, and the alkyl group, the cycloalkyl group, the aryl group and the alkoxy group may be substituted with a hydroxyl group or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms An amino group which may be substituted, and an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and T 3 and T 4 may combine to form an aromatic ring together with the bonding carbon atoms thereof; T 5 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an alkoxy group or a nitro group, and the alkyl group, the cycloalkyl group, the aryl group and the alkoxy group may be substituted with a hydroxyl group or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms An amino group having 1 to 6 carbon atoms, and an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms; T 6 is an alkyl group or a cycloalkyl group, and the alkyl group and the cycloalkyl group may be substituted with a hydroxyl group, an amino group which may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and an amino group with 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms Lt; / RTI &gt; alkoxy group; A 1 is -CO-, -NH-, -S-, -SS-, an alkylene group or an alkenylene group, and the alkylene group and at least one methylene group of the alkenylene group may be substituted with -O-]

및 화학식

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의 수산화 4급 암모늄[여기서, T1, T2 및 T6은 위에서 정의한 바와 같고; T7은 수소원자, 알킬기, 사이클로알킬기 또는 아릴기이고, 당해 알킬기, 당해 사이클로알킬기는, 하이드록실기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 치환될 수 있는 아미노기 및 탄소수 1 내지 6의 알콕시기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환될 수 있으며, 당해 아릴기는 하이드록실기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 치환될 수 있는 아미노기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기 및 탄소수 1 내지 4의 퍼플루오로알킬기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환될 수 있다]을 들 수 있다. And formula
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Quaternary ammonium hydroxide, wherein T 1 , T 2 and T 6 are as defined above; T 7 represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an aryl group, and the alkyl group, the cycloalkyl group may be substituted with a group selected from the group consisting of a hydroxyl group, an amino group which may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms The aryl group may be substituted with one or more selected from the group consisting of a hydroxyl group, an amino group which may be substituted with an alkyl group having from 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having from 1 to 6 carbon atoms and a perfluoroalkyl group having from 1 to 4 carbon atoms Which may be substituted with one or more selected groups.

T1, T2, T3, T4, T5, T6 및 T7에 있어서의 알킬기는, 탄소수 1 내지 10 정도가 바람직하고, 탄소수 1 내지 6 정도가 보다 바람직하다. The alkyl group in T 1 , T 2 , T 3 , T 4 , T 5 , T 6 and T 7 preferably has about 1 to 10 carbon atoms and more preferably about 1 to 6 carbon atoms.

탄소수 1 내지 4의 알킬기로 치환될 수 있는 아미노기로서는, 아미노기, 메틸아미노기, 에틸아미노기, n-부틸아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기 등을 들 수 있다.Examples of the amino group which may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms include an amino group, a methylamino group, an ethylamino group, an n-butylamino group, a dimethylamino group and a diethylamino group.

탄소수 1 내지 6의 알콕시기로 치환될 수 있는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기로서는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기, 3급 부톡시기, n-펜틸옥시기, n-헥실옥시기, 2-메톡시에톡시기 등을 들 수 있다. Examples of the alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms include methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, n-butoxy, N-hexyloxy group, 2-methoxyethoxy group and the like.

이러한 하이드록실기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 치환될 수 있는 아미노기, 및 탄소수 1 내지 6의 알콕시기로 치환될 수 있는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환될 수 있는 알킬기의 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 3급 부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, 2-(2-메톡시에톡시)에틸기, 2-하이드록시에틸기, 2-하이드록시프로필기, 2-아미노에틸기, 4-아미노부틸기, 6-아미노헥실기 등을 들 수 있다.An alkyl group which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of a hydroxyl group, an amino group which may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms Specific examples thereof include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a tertiary butyl group, an n-pentyl group, , A 2- (2-methoxyethoxy) ethyl group, a 2-hydroxyethyl group, a 2-hydroxypropyl group, a 2-aminoethyl group, a 4-aminobutyl group and a 6-aminohexyl group.

T1, T2, T3, T4, T5, T6 및 T7에 있어서의 사이클로알킬기는, 탄소수 5 내지 10 정도가 바람직하다. 이러한 하이드록실기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 치환될 수 있는 아미노기, 및 탄소수 1 내지 6의 알콕시기로 치환될 수 있는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환될 수 있는 사이클로알킬기의 구체예로서는, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로펜틸기, 사이클로옥틸기 등을 들 수 있다.The cycloalkyl group in T 1 , T 2 , T 3 , T 4 , T 5 , T 6 and T 7 preferably has about 5 to 10 carbon atoms. A cycloalkyl group which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of a hydroxyl group, an amino group which may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms , Specific examples thereof include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclopentyl group, and a cyclooctyl group.

T1, T2, T3, T4 및 T5에 있어서의 아릴기는, 탄소수 6 내지 10 정도가 바람직하다. 이러한 하이드록실기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 치환될 수 있는 아미노기, 및 탄소수 1 내지 6의 알콕시기로 치환될 수 있는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환될 수 있는 아릴기의 구체예로서는, 페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있다.The aryl group in T 1 , T 2 , T 3 , T 4 and T 5 preferably has about 6 to 10 carbon atoms. An aryl group which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of a hydroxyl group, an amino group which may be substituted with an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms Is a phenyl group, a naphthyl group, or the like.

T7에 있어서의 아릴기는 탄소수 6 내지 10 정도가 바람직하다. 하이드록실기, 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 치환될 수 있는 아미노기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기 및 탄소수 1 내지 4의 퍼플루오로알킬기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환될 수 있는 아릴기의 구체예로서는, 페닐기, 나프틸기, 3-트리플루오로메틸페닐기 등을 들 수 있다.T 7 aryl group is preferably about 6 to 10 carbon atoms in the. Specific examples of the aryl group which may be substituted with at least one group selected from the group consisting of a hydroxyl group, an amino group which may be substituted with an alkyl group having from 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having from 1 to 6 carbon atoms and a perfluoroalkyl group having from 1 to 4 carbon atoms Examples include a phenyl group, a naphthyl group, and a 3-trifluoromethylphenyl group.

T3, T4 및 T5에 있어서의 알콕시기로서는, 탄소수 1 내지 6 정도가 바람직하고, 이의 구체예로서는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기, 3급 부톡시기, n-펜틸옥시기, n-헥실옥시기 등을 들 수 있다.The alkoxy group in T 3 , T 4 and T 5 is preferably about 1 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, Tert-butoxy group, n-pentyloxy group, n-hexyloxy group and the like.

A1에 있어서의 알킬렌기 및 알케닐렌기는, 탄소수 2 내지 6이 바람직하다. 이러한 알킬렌기의 구체예로서는, 에틸렌기, 트리메틸렌기, 테트라메틸렌기, 메틸렌디옥시기, 에틸렌-1,2-디옥시기 등이, 알케닐렌기의 구체예로서는, 에텐-1,2-디일기, 1-프로펜-1,3-디일기, 2-부텐-1,4-디일기 등을, 각각 들 수 있다.The alkylene group and alkenylene group in A 1 preferably have 2 to 6 carbon atoms. Specific examples of the alkylene group include an ethylene group, a trimethylene group, a tetramethylene group, a methylenedioxy group, an ethylene-1,2-dioxy group and the like. Specific examples of the alkenylene group include an ethene-1,2-diyl group, Propene-1,3-diyl group, 2-butene-1,4-diyl group and the like.

이러한 아민 화합물의 구체예로서는, 헥실아민, 헵틸아민, 옥틸아민, 노닐아 민, 데실아민, 아닐린, 2-메틸아닐린, 3-메틸아닐린, 4-메틸아닐린, 4-니트로아닐린, 1-나프틸아민, 2-나프틸아민, 에틸렌디아민, 테트라메틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 4,4'-디아미노-1,2-디페닐에탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디에틸디페닐메탄, 디부틸아민, 디펜틸아민, 디헥실아민, 디헵틸아민, 디옥틸아민, 디노닐아민, 디데실아민, N-메틸아닐린, 피페리딘, 디페닐아민, 트리에틸아민, 트리메틸아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민, 트리펜틸아민, 트리헥실아민, 트리헵틸아민, 트리옥틸아민, 트리노닐아민, 트리데실아민, 메틸디부틸아민, 메틸디펜틸아민, 메틸디헥실아민, 메틸디사이클로헥실아민, 메틸디헵틸아민, 메틸디옥틸아민, 메틸디노닐아민, 메틸디데실아민, 에틸디부틸아민, 에틸디펜틸아민, 에틸디헥실아민, 에틸디헵틸아민, 에틸디옥틸아민, 에틸디노닐아민, 에틸디데실아민, 디사이클로헥실메틸아민, 트리스〔2-(2-메톡시에톡시)에틸〕아민, 트리이소프로판올아민, N,N-디메틸아닐린, 2,6-이소프로필아닐린, 이미다졸, 피리딘, 4-메틸피리딘, 4-메틸이미다졸, 비피리딘, 2,2'-디피리딜아민, 디-2-피리딜케톤, 1,2-디(2-피리딜)에탄, 1,2-디(4-피리딜)에탄, 1,3-디(4-피리딜)프로판, 1,2-비스(2-피리딜)에틸렌, 1,2-비스(4-피리딜)에틸렌, 1,2-비스(4-피리딜옥시)에탄, 4,4'-디피리딜설피드, 4,4'-디피리딜디설피드, 1,2-비스(4-피리딜)에틸렌, 2,2'-디피코릴아민, 3,3'-디피코릴아민 등을 들 수 있다.Specific examples of such amine compounds include hexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, aniline, 2-methylaniline, 3-methylaniline, 4-methylaniline, 4-nitroaniline, 1-naphthylamine , 2-naphthylamine, ethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4'-diamino-1,2-diphenylethane, 4,4'-diamino-3,3'-dimethyldiphenyl Methane, 4,4'-diamino-3,3'-diethyldiphenylmethane, dibutylamine, dipentylamine, dihexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, -Methylaniline, piperidine, diphenylamine, triethylamine, trimethylamine, tripropylamine, tributylamine, tripentylamine, trihexylamine, triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine , Methyldibutylamine, methyldipentylamine, methyldihexylamine, methyldicyclohexylamine, methyldiheptylamine, methyldioctylamine, methyldinonyl There may be mentioned, for example, aliphatic amines such as dimethylamine, diethylamine, diethylamine, diethylamine, diethylamine, diethylamine, diethylamine, diethylamine, diethylamine, diethylamine, diethylamine, (2-methoxyethoxy) ethylamine, triisopropanolamine, N, N-dimethylaniline, 2,6-isopropylaniline, imidazole, pyridine, 4-methylpyridine, Di (2-pyridyl) ethane, 1,2-di (4-pyridyl) ethane, 1,3 Di (4-pyridyl) propane, 1,2-bis (2-pyridyl) ethylene, 1,2- 4,4'-dipyridyl disulfide, 4,4'-dipyridyl disulfide, 1,2-bis (4-pyridyl) ethylene, 2,2'- Picolylamine and the like.

이러한 수산화 4급 암모늄의 구체예로서는, 수산화테트라메틸암모늄, 수산화테트라이소프로필암모늄, 수산화테트라부틸암모늄, 수산화테트라-n-헥실암모늄, 수산화테트라-n-옥틸암모늄, 수산화페닐트리메틸암모늄, 수산화 3-(트리플루오로메 틸)페닐트리메틸암모늄, 수산화(2-하이드록시에틸)트리메틸암모늄(소위 콜린) 등을 들 수 있다.Specific examples of such quaternary ammonium hydroxide include tetramethylammonium hydroxide, tetraisopropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetra-n-hexylammonium hydroxide, tetra-n-octylammonium hydroxide, phenyltrimethylammonium hydroxide, Trifluoromethyl) phenyltrimethylammonium hydroxide, (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (so-called choline), and the like.

또한, 일본 공개특허공보 제(평)11-52575호에 개시되어 있는 바와 같은, 피페리딘 골격을 갖는 장애 아민 화합물을 켄처로서 사용할 수도 있다.Also, a hindered amine compound having a piperidine skeleton as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-52575 may be used as a quencher.

본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물은, 전체 고형분량을 기준으로 하여, 0.001 내지 1중량%의 켄처를 포함하는 것이 바람직하다.The positive resist composition of the present invention preferably contains a quencher in an amount of 0.001 to 1% by weight based on the total solids content.

본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한, 필요에 따라, 증감제, 용해억지제, 계면활성제, 안정제, 염료 등, 각종 첨가물을 소량 함유할 수 있다.The positive resist composition of the present invention may contain a small amount of various additives such as a sensitizer, a dissolution inhibiting agent, a surfactant, a stabilizer, and a dye, as needed, so long as the effect of the present invention is not impaired.

본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물은, 통상적으로 상기의 각 성분이 용제에 용해된 레지스트액 조성물의 형태로 사용되고, 레지스트액 조성물은, 실리콘 웨이퍼 등의 기체위에, 스핀 코팅 등의 통상의 방법에 의해 도포된다. 사용되는 용제로서는, 상기 각 성분을 용해하여, 적당한 건조 속도를 갖고, 용제의 증발 후에 균일하고 평활한 도막을 제공하는 것일 수 있다. 이 분야에서 일반적으로 사용되고 있는 용제를 사용할 수 있다.The positive resist composition of the present invention is usually used in the form of a resist solution composition in which each of the above components is dissolved in a solvent. The resist solution composition is applied onto a substrate such as a silicon wafer by a conventional method such as spin coating do. As the solvent to be used, it is possible to dissolve each of the above-mentioned components to provide a uniform and smooth coating film having a proper drying rate and evaporating the solvent. A solvent commonly used in this field can be used.

이러한 용제로서는, 에틸셀로솔브아세테이트, 메틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 글리콜에테르에스테르; 락트산에틸, 아세트산부틸, 아세트산아밀, 피루브산에틸 등의 비환식 에스테르; 아세톤, 메틸이소부틸케톤, 2-헵타논, 사이클로헥사논 등의 케톤: γ-부티로락톤 등의 환상 에스테르 등을 들 수 있다. 이러한 용제는, 각각 단독으로 사용할 수 있으며, 2종 이상 을 혼합하여 사용할 수도 있다.Examples of such a solvent include glycol ether esters such as ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate; Acyclic esters such as ethyl lactate, butyl acetate, amyl acetate and ethyl pyruvate; And cyclic esters such as ketone: gamma -butyrolactone such as acetone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone, and cyclohexanone. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

기체 위에 도포되고, 그 후 건조된 레지스트막에는, 패터닝을 위한 노광 처리가 실시되고, 이어서 탈보호기 반응을 촉진하기 위한 가열 처리를 실시한 후, 알칼리 현상액으로 현상된다. 사용되는 알칼리 현상액은, 이 분야에서 사용되는 여러 가지 알칼리성 수용액 중 어느 것이라도 될 수 있다. 일반적으로는, 수산화테트라메틸암모늄, 수산화(2-하이드록시에틸)트리메틸암모늄(통칭 콜린)의 수용액이 사용되는 경우가 많다.The resist film which is applied on the substrate and then dried is subjected to an exposure treatment for patterning, followed by a heat treatment for promoting the reaction of the deprotection, followed by development with an alkaline developer. The alkali developing solution to be used may be any one of various alkaline aqueous solutions used in this field. In general, aqueous solutions of tetramethylammonium hydroxide and (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (commonly referred to as choline) are often used.

실시예Example

이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되지 않는다. 실시예에 있어서, 함유량 또는 사용량을 나타내는 % 및 부는, 특기하지 않는 한 중량 기준이다. 수득된 수지의 중량 평균 분자량은, 폴리스티렌을 표준품으로 하여, 겔 침투 크로마토그래피(장치: 토소 가부시키가이샤 제조 HLC-8120GPC, 칼럼: 토소 가부시키가이샤 제조 MultiporeHXL-M)에 의해 구하였다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples. In the examples,% and parts representing the content or amount are based on weight unless otherwise specified. The weight average molecular weight of the obtained resin was determined by gel permeation chromatography (apparatus: HLC-8120GPC manufactured by TOSOH CORPORATION; column: Multipore HXL-M manufactured by TOSOH CORPORATION) using polystyrene as a standard product.

합성예 1 <중합체 R1의 합성> Synthesis Example 1 <Synthesis of Polymer R1>

메타크릴산 3급 부틸 42.7g, 쿄에샤가가쿠 가부시키가이샤 제조의 라이트에스테르(LIGHT-ESTER) 130MA(R1이 메틸기이고, R2가 화학식 2의 기이고, R3이 에틸렌 기이고, R4가 메틸기이고, n이 약 9인 화학식 1의 화합물) 29.8g, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르메타크릴레이트 45.2g 및 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 0.4g을, 디옥산 59g에 용해시켜 용액을 수득하였다.(LIGHT-ESTER) 130MA (R 1 is a methyl group, R 2 is a group of the formula (2), R 3 is an ethylene group, 29.8 g of a compound represented by the general formula (1) wherein R 4 is a methyl group and n is about 9, 45.2 g of diethylene glycol monomethyl ether methacrylate and 0.4 g of 2,2'-azobisisobutyronitrile are dissolved in 59 g of dioxane And dissolved to obtain a solution.

교반기, 환류냉각관 및 온도계를 구비한 4구 플라스크에, 디옥산 118g을 가하고, 77℃로 조정한 후, 상기 용액을 1시간에 걸쳐 적가하였다. 수득된 혼합물을, 동 온도에서 추가로 10시간 동안 교반하였다. 수득된 반응 혼합물을 냉각시킨 후, 디옥산 130g을 가하고, 수득된 혼합물을, 메탄올 600g과 물 900g의 혼합 용액중에 부었다. 석출된 중합체를 취출하여 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트에 용해시켰다. 수득된 용액을 농축하여, 고형분 함량 40%의 중합체 용액을 수득하였다. 수득된 중합체의 중량 평균 분자량은 160,000이었다. 수득된 중합체를 중합체 R1이라고 약기한다.A four-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser and a thermometer was charged with 118 g of dioxane, and the mixture was adjusted to 77 DEG C, and then the solution was added dropwise over 1 hour. The resulting mixture was stirred at the same temperature for a further 10 hours. After the obtained reaction mixture was cooled, 130 g of dioxane was added, and the obtained mixture was poured into a mixed solution of 600 g of methanol and 900 g of water. The precipitated polymer was taken out and dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate. The obtained solution was concentrated to obtain a polymer solution having a solid content of 40%. The weight average molecular weight of the obtained polymer was 160,000. The resulting polymer is referred to as polymer R1.

합성예 2 <중합체 R2의 합성> Synthesis Example 2 < Synthesis of Polymer R2 >

합성예 1에 있어서, 메타크릴산 3급 부틸 42.7g 대신, 메타크릴산 1-에틸사이클로펜틸 54.7g을 사용한 것 이외에는 합성예 1과 동일하게 실시하여, 중량 평균 분자량 160,000의 중합체를 수득하였다. 수득된 중합체를 중합체 R2라고 약기한다.A polymer having a weight average molecular weight of 160,000 was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except that 54.7 g of 1-ethylcyclopentyl methacrylate was used instead of 42.7 g of tert-butyl methacrylate. The resulting polymer is referred to as polymer R2.

합성예 3 <중합체 R3의 합성> Synthesis Example 3 < Synthesis of Polymer R3 >

합성예 1에 있어서, 메타크릴산 3급 부틸 42.7g 대신, 메타크릴산 2-에틸-2- 아다만틸 74.5g을 사용한 것 이외에는 합성예 1과 동일하게 실시하여, 중량 평균 분자량 51,000의 중합체를 수득하였다. 수득된 중합체를 중합체 R3으로 약기한다.A polymer having a weight average molecular weight of 51,000 was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1, except that 74.5 g of 2-ethyl-2-adamantyl methacrylate was used instead of 42.7 g of tert-butyl methacrylate. . The resulting polymer is abbreviated as polymer R3.

합성예 4 <중합체 R4의 합성> Synthesis Example 4 < Synthesis of Polymer R4 >

교반기, 환류냉각관 및 온도계를 구비한 4구 플라스크에, 2,5-크실레놀413.5g, o-하이드록시벤즈알데히드 103.4g, p-톨루엔설폰산 20.1g 및 메탄올 826.9g을 가하고, 수득된 혼합물을 4시간 동안 환류시켰다. 반응 혼합물을 냉각시킨 후, 메틸이소부틸케톤 1320g을 가하였다. 상압 조건하에서, 수득된 혼합물을 농축하여, 메틸이소부틸케톤 1075g을 증류 제거하였다. 수득된 농축 용액에, m-크레졸 762.7g 및 2-3급 부틸-5-메틸페놀 29.0g을 가하고, 65℃로 승온시켰다. 수득된 혼합물에, 37% 포르말린 678g을, 적가 종료시에 87℃가 되도록 조정하면서 1.5시간에 걸쳐 적가한 후, 87℃에서 10시간 동안 보온하였다. 반응 혼합물에, 메틸이소부틸케톤 1115g을 가한 후, 이온교환수로 3회 세정하였다. 수득된 중합체 용액에 메틸이소부틸케톤 500g을 가하고, 현압(現壓) 조건하에서 농축하여, 농축 용액 3435g을 수득하였다. 수득된 농축 용액에 메틸이소부틸케톤 3796g 및 n-헵탄 4990g을 가하고, 60℃에서 1시간 동안 교반하였다. 정치 후, 하층의 중합체 함유층을 분리하였다. 중합체 함유층을 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 3500g으로 희석한 후, 농축하여, 노볼락 중합체 함유 용액 1690g을 수득하였다. 수득된 노볼락 중합체의 중량 평균 분자량은 7,000이었다. 수득된 노볼락 중합체를 중합체 R4로 약기한다.A four-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser and a thermometer was charged with 413.5 g of 2,5-xylenol, 103.4 g of o-hydroxybenzaldehyde, 20.1 g of p-toluenesulfonic acid and 826.9 g of methanol, Was refluxed for 4 hours. After cooling the reaction mixture, 1320 g of methyl isobutyl ketone was added. Under atmospheric pressure, the obtained mixture was concentrated, and 1075 g of methyl isobutyl ketone was distilled off. To the obtained concentrated solution, 762.7 g of m-cresol and 29.0 g of tert-butyl-5-methylphenol were added and the temperature was raised to 65 ° C. To the obtained mixture, 678 g of 37% formalin was added dropwise over 1.5 hours while adjusting the temperature to 87 캜 at the end of the dropwise addition, and the mixture was kept at 87 캜 for 10 hours. To the reaction mixture, 1115 g of methyl isobutyl ketone was added and the mixture was washed three times with ion-exchanged water. To the resulting polymer solution, 500 g of methyl isobutyl ketone was added and the mixture was concentrated under a current pressure to obtain 3435 g of a concentrated solution. To the obtained concentrated solution, 3796 g of methyl isobutyl ketone and 4990 g of n-heptane were added, and the mixture was stirred at 60 ° C for 1 hour. After standing, the polymer-containing layer in the lower layer was separated. The polymer-containing layer was diluted with 3500 g of propylene glycol monomethyl ether acetate and then concentrated to obtain 1690 g of a novolac polymer-containing solution. The weight average molecular weight of the obtained novolak polymer was 7,000. The resultant novolak polymer is abbreviated as polymer R4.

합성예 5 <중합체 R5의 합성> Synthesis Example 5 < Synthesis of Polymer R5 >

합성예 1에 있어서, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴의 사용량을 0.25g로 한 것 이외에는 합성예 1과 동일하게 실시하여, 고형분 함량 38%의 중합체 용액을 수득하였다. 수득된 중합체의 중량 평균 분자량은 250,000이었다. 수득된 중합체를 중합체 R5로 약기한다.A polymer solution having a solid content of 38% was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except that the amount of 2,2'-azobisisobutyronitrile used was changed to 0.25 g. The weight average molecular weight of the obtained polymer was 250,000. The resulting polymer is abbreviated as Polymer R5.

합성예 6 <중합체 R6의 합성> Synthesis Example 6 <Synthesis of Polymer R6>

합성예 1에 있어서, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴의 사용량을 0.74g로 한 것 이외에는 합성예 1과 동일하게 실시하고, 고형분 함량 33%의 중합체 용액을 수득하였다. 수득된 중합체의 중량 평균 분자량은 80,000이었다. 수득된 중합체를 중합체 R6으로 약기한다.A polymer solution having a solid content of 33% was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except that the amount of 2,2'-azobisisobutyronitrile used in Synthesis Example 1 was changed to 0.74 g. The weight average molecular weight of the obtained polymer was 80,000. The resulting polymer is abbreviated as Polymer R6.

합성예 7 <중합체 R7의 합성> Synthesis Example 7 <Synthesis of Polymer R7>

메타크릴산 3급 부틸 20.5g, 상기 합성예 1에서 사용한 것과 동일한 라이트에스테르(LIGHT-ESTER) 130MA 47.7g, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르메타크릴레이트 45.2g 및 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 0.32g을, 디옥산 59g에 용해시켜, 용액을 수득하였다.20.5 g of tert-butyl methacrylate, 47.7 g of the same LIGHT-ESTER 130MA as used in Synthesis Example 1, 45.2 g of diethylene glycol monomethyl ether methacrylate, and 20 g of 2,2'-azobisisobutylo 0.32 g of nitrile was dissolved in 59 g of dioxane to obtain a solution.

교반기, 환류냉각관 및 온도계를 구비한 4구 플라스크에, 디옥산 118g을 가하고, 77℃로 조정한 후, 상기 용액을 1시간에 걸쳐 적가하였다. 수득된 혼합물 을, 동 온도에서 추가로 10시간 동안 교반하였다. 수득된 반응 혼합물을 냉각시킨 후, 디옥산 130g을 가하여, 수득된 혼합물을, 메탄올 600g과 물 1600g의 혼합 용액중에 부었다. 석출된 중합체를 취출하여 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트에 용해시켰다. 수득된 용액을 농축하여, 고형분 함량 38%의 중합체 용액을 수득하였다. 수득된 중합체의 중량 평균 분자량은 150,000이었다. 수득된 중합체를 중합체 R7로 약기한다.A four-necked flask equipped with a stirrer, a reflux condenser and a thermometer was charged with 118 g of dioxane, and the mixture was adjusted to 77 DEG C, and then the solution was added dropwise over 1 hour. The resulting mixture was stirred at the same temperature for a further 10 hours. After the obtained reaction mixture was cooled, 130 g of dioxane was added, and the obtained mixture was poured into a mixed solution of 600 g of methanol and 1600 g of water. The precipitated polymer was taken out and dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate. The obtained solution was concentrated to obtain a polymer solution having a solid content of 38%. The weight average molecular weight of the obtained polymer was 150,000. The obtained polymer is abbreviated as polymer R7.

실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3 Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3

다음에, 각 중합체, 이하에 나타내는 산 발생제 및 켄처를 사용하여 레지스트 조성물을 제조하여, 평가한 예를 나타낸다.Next, examples in which a resist composition is prepared using each of the polymers, acid generators and quenchers shown below, and evaluation is shown.

<산 발생제> <Acid Generator>

S1: N-트리플루오로메틸설포닐옥시-1,8-나프탈이미드 S1: N-trifluoromethylsulfonyloxy-1,8-naphthalimide

S2: (2-(4-메틸페닐)설포닐옥시이미노-2H-티오펜-3-이리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴S2: (2- (4-methylphenyl) sulfonyloxyimino-2H-thiophen-3-ylidene) - (2- methylphenyl) acetonitrile

<켄처> <Kenter>

Q: 디사이클로헥실메틸아민Q: Dicyclohexylmethylamine

<용제> <Solvent>

프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 25부 Propylene glycol monomethyl ether acetate 25 parts

이하의 각 성분을 혼합하여 용해하고, 수득된 용액을 구멍 직경 5㎛의 불소 수지제 필터로 여과하여, 레지스트액을 제조하였다.The following components were mixed and dissolved, and the resulting solution was filtered through a fluororesin filter having a pore diameter of 5 탆 to prepare a resist solution.

중합체(종류 및 사용량은 표 1에 기재)The polymer (type and amount used are listed in Table 1)

산 발생제(종류 및 사용량은 표 1에 기재)The acid generator (type and amount used are listed in Table 1)

켄처(종류 및 사용량은 표 1에 기재)Kinder (type and amount used are listed in Table 1)

실리콘 웨이퍼에, 제조한 레지스트액을, 건조후의 막 두께가 20㎛이 되도록 스핀 코팅하였다. 레지스트액 도포후, 열판 위에서 130℃에서 5분간 프리베이킹하였다. 이렇게 해서 레지스트막을 형성한 각각의 웨이퍼에, 가부시키가이샤 니콘 제조의 i-선 스텝퍼 "NSR 1755i7A"(NA=0.5)을 사용하여, 노광량을 단계적으로 변화시켜 라인 앤드 스페이스 패턴을 노광하였다.The prepared resist solution was spin-coated on a silicon wafer so that the film thickness after drying was 20 占 퐉. After the resist solution was applied, it was prebaked on a hot plate at 130 DEG C for 5 minutes. Each wafer on which a resist film was formed in this manner was exposed to a line-and-space pattern by changing the exposure amount stepwise by using an i-line stepper "NSR 1755i7A" (NA = 0.5) manufactured by Nikon Corporation.

노광후, 열판 위에서 100℃에서 5분간 포스트 익스포저 베이킹을 실시하고, 추가로 2.38중량% 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액으로 100초 동안 패들 현상을 3회 실시하였다.After exposure, post exposure baking was performed on a hot plate at 100 DEG C for 5 minutes, and paddle development was further performed three times with a 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution for 100 seconds.

현상후의 다크 필드 패턴을 주사형 전자현미경으로 관찰하여, 그 결과를 표 2에 기재하였다. 또한, 여기에서 말하는 다크 필드 패턴이란, 외측에 크롬층(차광부)을 베이스로 하여 라인상으로 유리층(투광층)이 형성된 레티클을 통한 노광 및 현상에 의해서 수득되며, 따라서 노광 현상후에는, 라인 앤드 스페이스 패턴 주위의 레지스트층이 남겨지는 패턴이다.The dark field pattern after development was observed with a scanning electron microscope, and the results are shown in Table 2. The dark field pattern referred to herein is obtained by exposure and development through a reticle in which a glass layer (light-transmitting layer) is formed in a line on the outer side with a chromium layer (light-shielding portion) as a base, A pattern in which the resist layer around the line and space pattern is left.

실효 감도: 20㎛의 라인 앤드 스페이스 패턴이 1:1이 되는 노광량으로 표시하였다. Effective sensitivity: Represented by an exposure dose at which a line-and-space pattern of 20 탆 was 1: 1.

해상성: 20㎛의 라인 앤드 스페이스 패턴이 1:1이 되는 노광량에 있어서, 4㎛ 의 라인 앤드 스페이스 패턴이 해상되지 않은 것을 ×, 해상된 것을 ○로 하였다. Resolution: A line-and-space pattern of 4 m was not resolved at an exposure amount of 1: 1 in a line-and-space pattern of 20 m, and X was resolved.

패턴 프로파일: 20㎛의 라인 앤드 스페이스 패턴에 있어서, 라인 부분의 톱의 형상이 구형(矩形)인 것을 ○, 톱의 형상이 둥그스름한 것을 ×로 하였다.Pattern profile: In a line and space pattern of 20 占 퐉, the top portion of the line portion was?, The top portion was rounded, and the top portion was rounded?.

Figure 112008022735966-pat00042
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Figure 112008022735966-pat00043
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Claims (8)

아크릴산 3급 부틸 또는 메타아크릴산 3급 부틸로부터 유도된 중합 단위(a)와 화학식 1의 화합물로부터 유도된 중합 단위(b)를 함유하고, 전체 중합 단위에 대하여 중합 단위(a)의 함유량이 10 내지 70mol%이고, 중합 단위(b)의 함유량이 30 내지 90mol%이며, 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이 50,000 내지 300,000인 중합체(A), 알칼리에 가용인 중합체(B) 및 산 발생제(C)를 포함하는 포지티브형 레지스트 조성물. (A) derived from a tertiary butyl acrylate or tertiary butyl methacrylate and a polymerization unit (b) derived from a compound of the general formula (1), wherein the content of the polymerized units (a) (A), the polymer (B) soluble in alkali, and the acid generator (C) in an amount of 70 to 70 mol%, the content of the polymerized unit (b) is 30 to 90 mol%, the weight average molecular weight in terms of polystyrene is 50,000 to 300,000 Wherein the photoresist composition is a positive resist composition. 화학식 1Formula 1
Figure 112014015863619-pat00044
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위의 화학식 1에서,In the above formula (1) R1은 수소원자 또는 메틸기이고,R 1 is a hydrogen atom or a methyl group, R2는 화학식 2의 기이다.R 2 is a group of formula (2). 화학식 2(2)
Figure 112014015863619-pat00045
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위의 화학식 2에서,In the above formula (2) R3은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기이고,R 3 is an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, R4는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고,R 4 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, n은 1 내지 30의 정수이다.n is an integer of 1 to 30;
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, 알칼리에 가용인 중합체가 노볼락 중합체인, 포지티브형 레지스트 조성물. The positive resist composition according to claim 1, wherein the alkali-soluble polymer is a novolac polymer. 제1항에 있어서, 알칼리에 가용인 중합체가 하이드록시스티렌으로부터 유도된 중합 단위를 포함하는 중합체인, 포지티브형 레지스트 조성물.The positive resist composition according to claim 1, wherein the alkali-soluble polymer is a polymer containing a polymerized unit derived from hydroxystyrene. 제1항에 있어서, 산 발생제가, 화학식 3의 염 또는 화학식 4의 화합물인, 포지티브형 레지스트 조성물.The positive resist composition according to claim 1, wherein the acid generator is a salt of the formula (3) or a compound of the formula (4). 화학식 3(3)
Figure 112008022735966-pat00046
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화학식 4Formula 4
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위의 화학식 3 및 화학식 4에서,In the above formulas (3) and (4) A는 산소원자 또는 황원자이고,A is an oxygen atom or a sulfur atom, R5 및 R6은 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로, 메틸기 또는 페닐기이고,R 5 and R 6 are the same or different and are each independently a methyl group or a phenyl group, R7 및 R8은 각각 탄소수 1 내지 8의 퍼플루오로알킬기이다.R 7 and R 8 are each a perfluoroalkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
제1항에 있어서, 염기성 화합물을 추가로 포함하는, 포지티브형 레지스트 조성물. The positive resist composition according to claim 1, further comprising a basic compound. 아크릴산 3급 부틸 또는 메타아크릴산 3급 부틸로부터 유도된 중합 단위(a)와 화학식 1의 화합물로부터 유도된 중합 단위(b)를 함유하고, 전체 중합 단위에 대하여 중합 단위(a)의 함유량이 10 내지 70mol%이고, 중합 단위(b)의 함유량이 30 내지 90mol%이며, 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이 50,000 내지 300,000인 중합체.(A) derived from a tertiary butyl acrylate or tertiary butyl methacrylate and a polymerization unit (b) derived from a compound of the general formula (1), wherein the content of the polymerized units (a) , The content of the polymeric unit (b) is 30 to 90 mol%, and the weight average molecular weight in terms of polystyrene is 50,000 to 300,000. 화학식 1Formula 1
Figure 112014015863619-pat00048
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위의 화학식 1에서,In the above formula (1) R1은 수소원자 또는 메틸기이고,R 1 is a hydrogen atom or a methyl group, R2는 화학식 2의 기이다.R 2 is a group of formula (2). 화학식 2(2)
Figure 112014015863619-pat00049
Figure 112014015863619-pat00049
위의 화학식 2에서,In the above formula (2) R3은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기이고,R 3 is an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, R4는 탄소수 1 내지 6의 알킬기이고,R 4 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, n은 1 내지 30의 정수이다.n is an integer of 1 to 30;
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