KR101418907B1 - Apparatus for detecting semiconductor device - Google Patents

Apparatus for detecting semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
KR101418907B1
KR101418907B1 KR1020130002627A KR20130002627A KR101418907B1 KR 101418907 B1 KR101418907 B1 KR 101418907B1 KR 1020130002627 A KR1020130002627 A KR 1020130002627A KR 20130002627 A KR20130002627 A KR 20130002627A KR 101418907 B1 KR101418907 B1 KR 101418907B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
antenna
frequency signal
module
receiving
detection
Prior art date
Application number
KR1020130002627A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김경수
Original Assignee
김경수
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김경수 filed Critical 김경수
Priority to KR1020130002627A priority Critical patent/KR101418907B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101418907B1 publication Critical patent/KR101418907B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G08—SIGNALLING
    • G08B—SIGNALLING OR CALLING SYSTEMS; ORDER TELEGRAPHS; ALARM SYSTEMS
    • G08B13/00—Burglar, theft or intruder alarms
    • G08B13/22—Electrical actuation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Waveguide Aerials (AREA)

Abstract

The present invention relates to an apparatus for detecting a semiconductor device, including a main body providing a component mounting space and forming a detection passing region; a semiconductor device detecting module for detecting a semiconductor device; an alarm module for notifying the detected result of the semiconductor device detecting module; a display module for displaying data for a user; and a control module for controlling the operations of the semiconductor detecting module, the alarm module, and the display module. Multiple pieces of the semiconductor device detecting module are installed in the main body, and each of them has a frequency signal transmitting/receiving unit for transmitting a frequency signal to an object to be detected and receiving the frequency signal reflected from the object. The frequency signal transmitting/receiving unit has a transmission antenna transmitting the transmittance frequency signal, a first reception antenna receiving a first reception frequency signal, and a second reception antenna receiving a second reception frequency signal, wherein two or more pieces of the first and second reception antennas are provided.

Description

반도체 소자 탐지 장치 {Apparatus for detecting semiconductor device}[0001] Apparatus for detecting semiconductor device [0002]

본 발명은 반도체 소자 탐지 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 단위 안테나 소자를 필요한 수 만큼 배열하여 송신기 및 수신기의 주파수별 최적 설계를 수행하고, 이를 통하여 반도체 탐지 오경보율을 낮추고, 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 탐지 장치에 관한 것이다. More particularly, the present invention relates to an apparatus for detecting a semiconductor element, and more particularly, to arrange as many unit antenna elements as necessary to perform an optimal design for each frequency of a transmitter and a receiver, thereby lowering the false alarm rate of semiconductor detection, To a semiconductor device detection device.

최근 휴대폰, 녹음기, 도청기, 디지털 카메라, USB 및 반도체메모리카드 등은 초소형으로 개발되고 있다. 기밀탐지 또는 불법 기술정보 유출 등의 비합법적 또는 불순한 목적으로 휴대한 초소형 반도체전자소자 및 전자제품을 신뢰성 높게 탐지해내는 것은 쉬운 일이 아니다. 이에 따라 은닉되어있는 초소형 전자부품 및 전자기기들을 오경보율이 적으며 높은 탐지확률로 쉽게 탐지할 수 있는 초소형 전자소자 탐지기술과 탐지기가 개발되고 있다. Recently, cellular phones, recorders, tapping devices, digital cameras, USB and semiconductor memory cards are being developed in a very small size. It is not easy to reliably detect ultra-small semiconductor electronic devices and electronic products carried by illegal or impure purposes such as confidentiality detection or leakage of illegal technology information. As a result, ultra-small electronic devices and electronic devices that can be easily detected with low false alarm rate and high detection probability have been developed.

반도체소자 및 반도체소자가 내장된 전자기기를 탐지하는 기본원리는 탐지기 안테나를 통해 송출된 전파가 은닉되어 있는 반도체소자 또는 전자기기의 다이오드, 트랜지스터 등 반도체 접합부분(semiconductor junction)의 비선형 특성에 의해 반사될 때 극소량으로 방출되는 고조파(harmonic)성분을 안테나로 수신하여 증폭한 후 내장된 알고리즘을 통해 실시간 주파수 스펙트럼을 분석하여 전자부품의 유무 및 전자부품과 금속접합물(이종금속접합부)을 구분하는 하는 것이다. 즉, 반도체소자의 접합부 반사특성과 이종금속접합부의 반사특성이 상이한 점을 이용하여 전원공급 유무와 상관없이 은닉한 초소형 전자기기 또는 부품을 탐지해 내는 것이다.The basic principle of detecting a semiconductor device and an electronic device with a built-in semiconductor device is that the reflected wave is transmitted through a detector antenna by a nonlinear characteristic of a semiconductor junction such as a diode or a transistor of an electronic device, The harmonic components emitted by a very small amount are amplified by an antenna and then amplified and then analyzed in real time frequency spectrum by the built-in algorithm to distinguish the presence of electronic components and the electronic components and metal joints (dissimilar metal junctions) will be. That is, the microelectronic device or part that is hiding is detected regardless of whether or not the power is supplied by using the fact that the reflection characteristic of the bonding portion of the semiconductor element is different from the reflection characteristic of the dissimilar metal bonding portion.

반도체소자와 이종금속접합부(이하 금속접합물)의 접합부분의 서로 다른 비선형 특성으로 방사되는 고조파 성분이 약간 다르게 나타나는데 그 이유는 접합부분의 전압 변화에 따른 전류특성의 차이 때문에 생기게 된다. The harmonic components radiated by the different nonlinear characteristics of the junction of the semiconductor device and the dissimilar metal junction (hereinafter referred to as the metal junction) are slightly different because of the difference in the current characteristics due to the voltage change at the junction.

도 1은 반도체일 경우 반사되는 고조파 특성을 나타낸 도이다. 고주파를 은닉되어 있는 전자장비에 송신하면, 전자장비에 반사되어 되돌아오는데, 2차 고조파 신호와 3차 고조파 신호의 크기가 서로 상이하게 나타난다. 송신된 고주파(F1)는 다이오드나 트랜지스터 등 반도체가 존재할 경우에, 도 1에 도시된 바와 같이, 2차 고조파(F2 = 2XF1)성분을 가진 신호가 3차 고조파(F3 = 3XF1) 성분을 가진 신호에 비해 더 강하게 반사된다. 한편, 서로 다른 재질로 접합된 금속류나 부식된 금속접합물에서는 3차 고조파 신호가 2차 고조파 신호에 비해 더 강하게 반사된다. 이와 같은 특성을 이용하여 은닉된 반도체가 포함된 전자제품을 탐지할 수 있다.Fig. 1 is a graph showing harmonic characteristics reflected in the case of a semiconductor. When the high frequency is transmitted to the hidden electronic equipment, the second harmonic signal and the third harmonic signal are different in magnitude because they are reflected back to the electronic equipment. The transmitted radio frequency (F 1), as shown in the case where the semiconductor such as a diode or a transistor is present, Fig. 1, the second harmonic (F 2 = 2XF 1) a third harmonic signal having a component (F 3 = 3XF 1 ) Component of the signal. On the other hand, the third harmonic signal is reflected more strongly than the second harmonic signal in the metals or the corroded metal joints bonded with different materials. By using such characteristics, it is possible to detect electronic products containing hidden semiconductors.

한편, 일반적인 금속 탐지 장치는 피측정자의 소지품 중 금속 성분이 있는 물품이 존재하는지 여부만을 탐지할 수 있으며, 반도체소자는 탐지할 수 없다는 문제점이 있다. 또한, 반도체소자의 접합부 반사특성을 이용한 반도체소자 탐지기의 경우 반도체소자의 탐지는 가능하나 금속 소자의 탐지율이 다소 떨어진다는 문제점이 있다.On the other hand, a general metal detecting device can detect only the existence of a metal-containing article among the belongings of the subject, and the semiconductor device can not be detected. In addition, in the case of a semiconductor device detector using reflection characteristics of junctions of semiconductor devices, it is possible to detect semiconductor devices, but the detection rate of metal devices is somewhat lowered.

한국공개특허공보 제10-2006-0016760호Korean Patent Publication No. 10-2006-0016760

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 보다 상세하게는 단위 안테나 소자를 필요한 수 만큼 배열하여 반도체 탐지 오경보율을 낮추고, 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 탐지 장치를 제공하기 위한 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to overcome the above-described problems of the related art. More specifically, the present invention relates to a semiconductor device which can arrange as many unit antenna elements as necessary to lower the false detection rate of semiconductor detection, And to provide a detection device.

본 발명의 예시적인 실시예에 따르면, 부품 실장 공간을 제공하며, 탐색 통과 영역을 형성하는 탐지 장치 본체; 반도체 소자를 탐지하기 위한 반도체 소자 탐지 모듈; 상기 반도체 소자 탐지 모듈의 탐지 결과를 알려주는 알람 모듈; 데이터를 사용자에게 디스플레이 하는 디스플레이 모듈; 및 상기 반도체 소자 탐지 모듈, 알람 모듈 및 디스플레이 모듈의 동작을 제어하는 제어 모듈을 포함하며, 상기 반도체 소자 탐지 모듈은 상기 탐지 장치 본체에 복수개가 설치되며, 각 반도체 소자 탐지 모듈은 주파수 신호를 탐지 대상 물체로 송신하며, 탐지 대상 물체로부터 반사된 주파수 신호를 수신하는 주파수 신호 송수신 유닛을 포함하며, 상기 주파수 신호 송수신 유닛은 송신 주파수 신호를 송신하는 송신 안테나, 제1 수신 주파수 신호를 수신하는 제1 수신 안테나 및 제2 수신 주파수 신호를 수신 제2 수신 안테나를 포함하며, 상기 제1 수신 안테나 및 제2 수신 안테나는 2개 이상의 복수개로 구성되는 반도체 소자 탐지 장치가 제공된다.According to an exemplary embodiment of the present invention, there is provided a detection apparatus comprising: a detection apparatus main body for providing a component mounting space and forming a search passage region; A semiconductor element detection module for detecting a semiconductor element; An alarm module for indicating a detection result of the semiconductor element detection module; A display module for displaying data to a user; And a control module for controlling operation of the semiconductor element detection module, the alarm module, and the display module, wherein the semiconductor element detection module is installed in the body of the detection device, and each semiconductor element detection module detects a frequency signal And a frequency signal transmitting / receiving unit for transmitting a frequency signal reflected from an object to be detected, the frequency signal transmitting / receiving unit comprising a transmitting antenna for transmitting a transmitting frequency signal, a first receiving for receiving a first receiving frequency signal An antenna and a second reception antenna for receiving a second reception frequency signal, wherein the first reception antenna and the second reception antenna are constituted by a plurality of two or more.

상기 송신 안테나는 복수개의 단위 송신 안테나 소자가 격자형태로 배치된 NxN의 제1 어레이 안테나 소자로 구성되며, N은 2 이상의 자연수인 것을 특징으로 한다. Wherein the transmission antenna is constituted by a first array antenna element of NxN in which a plurality of unit transmission antenna elements are arranged in a lattice form, and N is a natural number of 2 or more.

상기 단위 송신 안테나 소자는 패치 안테나이며, 상기 패치 안테나는 유전체 기판 평면상에 도체 소자인 방사 패치가 형성되며, 상기 방사 패치는 십자가 형태(cross type)로 형성된다. The unit transmission antenna element is a patch antenna, and the patch antenna is formed with a radiation patch, which is a conductive element, on the dielectric substrate plane, and the radiation patch is formed in a cross type.

상기 제1 수신 안테나는 복수개의 단위 수신 안테나 소자가 격자형태로 배치된 MxM의 제2 어레이 안테나 소자로 구성되며, M은 2 이상의 자연수이며, 상기 제2 수신 안테나는 복수개의 단위 수신 안테나 소자가 격자형태로 배치된 KxK의 제3 어레이 안테나 소자로 구성되며, K는 2 이상의 자연수인 것을 특징으로 한다.Wherein the first reception antenna comprises MxM second array antenna elements having a plurality of unit reception antenna elements arranged in a lattice form, M is a natural number of 2 or more, and the second reception antenna has a plurality of unit reception antenna elements arranged in a lattice And a third array antenna element of KxK arranged in the form of K, where K is a natural number of 2 or more.

상기 제1 수신 안테나 및 제2 수신 안테나의 단위 수신 안테나 소자는 패치 안테나이며, 상기 패치 안테나는 유전체 기판 평면상에 도체 소자인 방사 패치가 형성되며, 상기 방사 패치는 십자가 형태(cross type)로 형성되는 것을 특징으로 한다.Wherein the unit receiving antenna elements of the first receiving antenna and the second receiving antenna are patch antennas, and the patch antenna is formed with a radiation patch, which is a conductive element, on a plane of the dielectric substrate, and the radiation patch is formed into a cross type .

상기 송신 안테나는 상기 탐지 장치 본체의 제1 지지부 또는 제2 지지부의 내측벽 중앙 부분에 설치되고, 상기 제1 수신 안테나 상기 송신 안테나의 일 측에 인접되게 설치되고, 상기 제2 수신 안테나는 상기 송신 안테나의 타 측에 인접되게 설치된다. Wherein the transmission antenna is installed at a center portion of an inner wall of a first support portion or a second support portion of the detection apparatus body, the first reception antenna is provided adjacent to one side of the transmission antenna, And is installed adjacent to the other side of the antenna.

금속을 탐지하는 금속 탐지 모듈을 더 포함한다.
And a metal detection module for detecting the metal.

본 발명에서와 같이, 송신부의 안테나 및 수신부의 안테나 구성 시, 복수개의 패치 안테나를 격자형 어레이로 배치함으로써 각 안테나별 최적 설계가 가능하게 되며, 그 결과 반도체 소자의 이종접합부분에 반사되어 되돌아오는 2차 고조파 신호와 3차 고조파 신호의 수신 품질이 향상되어 반도체 소자의 탐지 오경보율을 낮추고, 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.
As in the present invention, when a plurality of patch antennas are arranged in a lattice array in the antenna construction of the antenna of the transmitter and the antenna of the receiver, the optimum design for each antenna becomes possible. As a result, The reception quality of the second harmonic signal and the third harmonic signal is improved, so that the false false alarm rate of the semiconductor device can be lowered and the reliability can be improved.

도 1은 반도체일 경우 반사되는 고조파 특성을 나타낸 도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 탐지 장치의 기능 블록도이다.
도 3은 반도체 소자 탐지 모듈의 기능 블록도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 탐지 장치의 정면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 탐지 장치의 개략적인 사시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 탐지 장치의 측면도이다.
도 7은 송신 안테나, 제1 수신 안테나 및 제2 수신 안테나의 개략적인 구성도이다.
도 8a 및 도 8b는 단위 안테나 소자의 복사 패턴과 2x2 어레이 안테나의 복사 패턴을 나타낸 도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 탐지 장치의 개략적인 사시도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 탐지 장치의 기능 블록도이다.
도 11은 주파수 신호 송수신 유닛의 제어 과정을 설명하기 위한 도이다.Fig. 1 is a graph showing harmonic characteristics reflected in the case of a semiconductor.
2 is a functional block diagram of a semiconductor device detection apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a functional block diagram of a semiconductor device detection module.
4 is a front view of a semiconductor element detection apparatus according to an embodiment of the present invention.
5 is a schematic perspective view of a semiconductor element detection apparatus according to an embodiment of the present invention.
6 is a side view of a semiconductor element detection apparatus according to an embodiment of the present invention.
7 is a schematic configuration diagram of a transmitting antenna, a first receiving antenna, and a second receiving antenna.
8A and 8B are diagrams illustrating a radiation pattern of a unit antenna element and a radiation pattern of a 2x2 array antenna.
9 is a schematic perspective view of a semiconductor element detection apparatus according to another embodiment of the present invention.
10 is a functional block diagram of a semiconductor element detection apparatus according to another embodiment of the present invention.
11 is a diagram for explaining a control process of the frequency signal transmitting and receiving unit.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 탐지 장치의 기능 블록도이며, 도 3은 반도체 소자 탐지 모듈의 기능 블록도이다.FIG. 2 is a functional block diagram of a semiconductor element detection apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a functional block diagram of a semiconductor element detection module.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 탐지 장치는 탐지 장치 본체(100), 반도체 소자 탐지 모듈(600), 알람 모듈(700), 사용자 인터페이스 모듈(800), 디스플레이 모듈(900) 및 제어 모듈(1000)을 포함한다. 2 and 3, a semiconductor device detection apparatus according to an embodiment of the present invention includes a detection device body 100, a semiconductor element detection module 600, an alarm module 700, a user interface module 800, A display module 900 and a control module 1000.

탐지 장치 본체(100)는 게이트 형태로 형성되어 피탐색자가 게이트를 통과하면 탐색이 이루어지게 된다. The detection device body 100 is formed in a gate shape and is searched when the searcher passes the gate.

반도체 소자 탐지 모듈(600)은 피탐색자가 소지하고 있는 반도체 소자를 탐지하여 알려주는 기능을 수행한다. The semiconductor device detection module 600 detects and informs the semiconductor device being held by the searcher.

알람 모듈(700)은 반도체 탐지 소자 모듈(600)이 피탐색자가 소지하고 있는 반도체 소자를 탐지한 경우 이를 관리자에게 알려주는 기능을 수행한다. 알람 모듈(700)은 LED 또는 램프를 이용하여 시각적으로 알려주거나 경고음을 발생하여 청각적으로 알려줄 수 있다. The alarm module 700 functions to inform the manager when the semiconductor detector module 600 detects a semiconductor device possessed by the searcher. The alarm module 700 can be visually informed by using an LED or a lamp or audibly informed by generating a warning sound.

사용자 인터페이스 모듈(800)은 사용자 또는 관리자가 반도체 소자 탐지 장치의 동작에 필요한 다양한 명령을 입력하는 기능을 수행한다. The user interface module 800 functions to allow the user or the administrator to input various commands necessary for the operation of the semiconductor element detection apparatus.

디스플레이 모듈(900)은 다양한 정보를 사용자에게 알려주는 기능을 수행한다. 본 실시예의 경우 디스플레이 모듈(900)은 탐지 장치 본체의 연결부(130)에 설치되나, 디스플레이 모듈(900)의 설치 위치가 이에 한정되는 것은 아니다.The display module 900 performs a function of informing a user of various information. In this embodiment, the display module 900 is installed in the connection part 130 of the detection device main body, but the installation position of the display module 900 is not limited thereto.

제어 모듈(1000)은 반도체 소자 탐지 모듈(600), 알람 모듈(700), 사용자 인터페이스 모듈(800) 및 디스플레이 모듈(900)의 동작을 제어하는 기능을 수행한다.
The control module 1000 controls the operations of the semiconductor element detection module 600, the alarm module 700, the user interface module 800, and the display module 900.

반도체 소자 탐지 모듈(600)은 주파수 합성부(200), 탐지식별파형 발생부(300), 탐지부(400) 및 주파수 신호 송수신 유닛(500)을 포함한다. The semiconductor device detection module 600 includes a frequency synthesizer 200, a detection identification waveform generator 300, a detection unit 400, and a frequency signal transmission and reception unit 500.

주파수 합성부(200)는 기준 주파수 신호를 생성하고, 생성된 기준 주파수 신호와 탐지식별파형 발생부(300)에서 생성된 탐지식별 파형신호을 합성하는 역할을 수행한다. The frequency synthesizer 200 generates a reference frequency signal and synthesizes the generated reference frequency signal with the detection identification waveform signal generated by the detection identification waveform generator 300.

주파수 신호 송수신 유닛(500)은 주파수 신호를 탐지 대상 물체로 송신하며, 탐지 대상 물체로부터 반사된 주파수 신호를 수신하는 기능을 수행한다. 주파수 신호 송수신 유닛(500)은 송신 주파수 신호(F1)를 송신하는 송신부(510), 제1 수신 주파수 신호(F2)를 수신하는 제1 수신부(520) 및 제2 수신 주파수 신호(F3)를 수신하는 제2 수신부(530)를 포함한다. 송신부(510)는 송신기(519)와 송신 안테나(515)로 구성되며, 제1 수신부(520)는 제1 수신기(529)와 제1 수신 안테나(525)로 구성되고, 제2 수신부(530)는 제2 수신기(539)와 제2 수신 안테나(535)로 구성된다.The frequency signal transmitting and receiving unit 500 transmits the frequency signal to the object to be detected and performs a function of receiving the frequency signal reflected from the object to be detected. The frequency signal transmission and reception unit 500 includes a transmission unit 510 for transmitting a transmission frequency signal F 1 , a first reception unit 520 for receiving a first reception frequency signal F 2 and a second reception frequency signal F 3 And a second receiving unit 530 for receiving the first receiving unit 530. The transmission unit 510 includes a transmitter 519 and a transmission antenna 515. The first reception unit 520 includes a first receiver 529 and a first reception antenna 525. The second reception unit 530, A second receiver 539 and a second receive antenna 535. [

주파수 합성부(200)에서 합성된 주파수 신호는 주파수 신호 송수신 유닛(500)의 송신부(510)의 송신기(519)로 입력되고, 송신기(519)는 송신 안테나(515)를 통하여 탐지 대상 물체로 송신 주파수 신호(F1)를 송신한다.The frequency synthesized by the frequency synthesizer 200 is input to the transmitter 519 of the transmission unit 510 of the frequency signal transmission and reception unit 500 and the transmitter 519 is transmitted to the detection object via the transmission antenna 515 And transmits the frequency signal F 1 .

비선형 접합된 반도체소자를 포함하는 탐지 대상 물체에 반사되어 되돌아오는 제1수신 주파수 신호 및 제2 수신 주파수 신호(F2, F3)는 각각 제1 수신 안테나(525)와 제2 수신 안테나(535)를 통하여 수신되며, 각각 제1 수신기(529)와 제2 수신기(539)를 거쳐 탐지부(400)로 입력된다. 송신 주파수 신호(F1)와 제1 수신 주파수 신호(F2) 및 제2 수신 주파수 신호(F3)는 고조파(harmonic) 관계에 있다. 즉, F2는 F1의 2배 주파수, F3는 F1의 3배 주파수 관계에 있다. The first reception frequency signal and the second reception frequency signal F 2 and F 3 reflected back from the object to be detected including the nonlinearly bonded semiconductor device are respectively transmitted to the first reception antenna 525 and the second reception antenna 535 And are input to the detection unit 400 via the first receiver 529 and the second receiver 539, respectively. The transmission frequency signal F 1 and the first reception frequency signal F 2 and the second reception frequency signal F 3 are in a harmonic relationship. That is, F 2 is a frequency twice that of F 1 , and F 3 is a frequency three times that of F 1 .

탐지부(400)는 탐지식별파형 발생부(300)로부터 입력되는 탐지식별 파형신호와 제1 수신기(529) 및 제2 수신기(539)로부터 입력되는 신호를 비교하여 탐지 대상 물체가 비선형 접합된 반도체소자를 포함하고 있는지 여부를 판단한다. 제1 수신기(529)로부터 입력되는 신호 즉, 제1 수신 주파수 신호(F2 = 2XF1)가 제2 수신기(539)로부터 입력되는 신호 즉, 제2 수신 주파수 신호(F3 = 3XF1) 성분을 가진 신호 보다 더 클 경우, 탐지부(400)는 탐지 대상 물체가 비선형 접합된 반도체소자를 포함하고 있는 것으로 판단하고, 판단 결과를 제어 모듈(1000)로 전송한다.The detection unit 400 compares the detection identification waveform signal input from the detection identification waveform generation unit 300 with the signal input from the first receiver 529 and the second receiver 539 to determine whether the detection object is a non- It is judged whether or not it includes a device. The signal inputted from the first receiver 529, that is, a first reception frequency signal (F 2 = 2XF 1) is the signal received from the second receiver (539), that is, the second reception frequency signal (F 3 = 3XF 1) component The detection unit 400 determines that the object to be detected includes the non-linearly bonded semiconductor device, and transmits the determination result to the control module 1000. [

본 실시예에서 주파수 신호 송수신 유닛(500)의 송신 안테나(515), 제1 수신 안테나(525) 및 제2 수신 안테나(535)는 서로 다른 3개의 주파수에서 동작한다. 송신 안테나(515)는 1개로 구성되며, 제1 수신 안테나(525)는 2개 이상의 복수개로 구성되고, 제2 수신 안테나(535)도 2개 이상의 복수개 구성된다. 본 실시예에서 송신 안테나(515), 제1 수신 안테나(525) 및 제2 수신 안테나(535)는 패치 안테나를 사용한다.
In this embodiment, the transmission antenna 515, the first reception antenna 525, and the second reception antenna 535 of the frequency signal transmission and reception unit 500 operate at three different frequencies. The number of the first receiving antennas 525 is two or more, and the number of the second receiving antennas 535 is two or more. In this embodiment, the transmission antenna 515, the first reception antenna 525, and the second reception antenna 535 use patch antennas.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 탐지 장치의 정면도이며, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 탐지 장치의 개략적인 사시도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 탐지 장치의 측면도이고, 도 7은 송신 안테나, 제1 수신 안테나 및 제2 수신 안테나의 개략적인 구성도이고, 도 8a 및 도 8b는 단위 안테나 소자의 복사 패턴과 2x2 어레이 안테나의 복사 패턴을 나타낸 도이다.FIG. 4 is a front view of a semiconductor device detection apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 5 is a schematic perspective view of a semiconductor device detection apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7A and 7B are schematic side views of a transmitting antenna, a first receiving antenna, and a second receiving antenna. FIGS. 8A and 8B are views showing a radiation pattern of a unit antenna element and a radiation pattern of a 2x2 array antenna Fig.

도 4 내지 도 7을 참조하면, 탐지 장치 본체(100)는 제1 지지부(110), 제2 지지부(120) 및 연결부(130)를 포함한다. 제1 지지부(110)는 지면으로부터 세로 방향으로 연장되게 설치된 프레임으로 구성되며, 제2 지지부(120)는 제1 지지부(110)와 동일한 구조로 형성되며, 제1 지지부(110)와 이격되어 설치되된다. 연결부(130)는 제1 지지부(110)와 제2 지지부(130)의 상단부를 연결하여 고정시킨다. 제1 지지부(110) 및 제2 지지부(120)는 장방형 프레임 형태 형성되며, 연결부(130)는 소정 두께를 갖는 장방형 또는 정방형 플레이트의 형태로 형성된다. 제1 지지부(110) 및 제2 지지부(120)는 그 내부에 수납 공간이 형성되며, 이러한 수납 공간에 반도체 소자 탐지 모듈을 포함한 다양한 부품들이 실장된다. 4 to 7, the detection device body 100 includes a first support portion 110, a second support portion 120, and a connection portion 130. The first supporting part 110 is formed of a frame extending in the longitudinal direction from the ground and the second supporting part 120 is formed in the same structure as that of the first supporting part 110. The first supporting part 110 is installed apart from the first supporting part 110 . The connection part 130 connects the first support part 110 and the upper end of the second support part 130 and fixes them. The first support part 110 and the second support part 120 are formed in the shape of a rectangular frame and the connection part 130 is formed in the form of a rectangular or square plate having a predetermined thickness. The first support part 110 and the second support part 120 have a storage space therein, and various components including the semiconductor element detection module are mounted in the storage space.

반도체 소자 탐지 모듈(600)은 2 개 이상의 복수개로 구성되며, 피탐색자가 통과할 수 있는 지역 보다 넓은 탐색 영역을 갖게 된다. 본 실시예의 경우, 반도체 소자 탐지 모듈(600)은 8개로 구성되며, 반도체 소자 탐지 모듈(600)은 제1 반도체 소자 탐지 모듈(610) 내지 제8 반도체 소자 탐지 모듈(680)을 포함한다. 제1 반도체 탐지 소자 모듈(610) 내지 제4 반도체 소자 탐지 모듈(640)은 제1 지지부(110)의 내측벽에 상호 이격되게 설치되며, 제5 반도체 탐지 소자 모듈(650) 내지 제8 반도체 소자 탐지 모듈(680)은 제2 지지부(120)의 내측벽에 상호 이격되게 설치된다.The semiconductor element detection module 600 is composed of a plurality of two or more, and has a search area wider than an area through which the searcher can pass. In the case of this embodiment, the semiconductor element detection module 600 is composed of eight, and the semiconductor element detection module 600 includes the first semiconductor element detection module 610 to the eighth semiconductor element detection module 680. The first semiconductor detector module 610 to the fourth semiconductor element detection module 640 are spaced apart from each other on the inner wall of the first support portion 110 and the fifth semiconductor detector module 650 to the eighth semiconductor element The detection module 680 is installed on the inner wall of the second support part 120 so as to be spaced apart from each other.

본 실시예의 경우 8개의 반도체 소자 탐지 모듈을 이용하고 있으나, 반도체 소자 탐지 모듈의 개수가 이에 한정되는 것은 아니다. In this embodiment, eight semiconductor element detection modules are used, but the number of semiconductor element detection modules is not limited thereto.

알람 모듈(700)은 탐지 장치 본체의 연결부(130)에 설치되며, 반도체 탐지 소자 모듈(600)이 반도체 소자를 탐지하면 LED나 램프를 이용하여 이를 알려주게 된다.The alarm module 700 is installed in the connection unit 130 of the detection apparatus main body. When the semiconductor detection element module 600 detects a semiconductor element, the alarm module 700 uses an LED or a lamp.

본 실시예의 경우, LED나 램프가 연결부(130)에 설치되고 있으나, 이와는 달리 LED나 램프가 제1 연결부(110)의 전면부 및 제2 연결부(120)의 전면부에 설치될 수 있다. 즉, LED나 램프가 제1 내지 제4 반도체 소자 탐지 모듈이 설치된 위치에 대응되는 제1 연결부(110)의 전면부에 설치되고, 제5 내지 제8 반도체 소자 탐지 모듈이 설치된 위치에 대응되는 제2 연결부(120)의 전면부에 설치된다. 이하의 제어 모듈의 제어 신호에 따라, 반도체 소자를 탐지한 반도체 소자 탐지 모듈의 위치에 대응되는 LED나 램프를 작동시켜서 피탐색자가 반도체 소자를 소지하고 있는 위치를 보다 정확하게 알려줄 수 있게 된다.In this embodiment, LEDs or lamps may be installed on the front portion of the first connection portion 110 and the front portion of the second connection portion 120, although LEDs or lamps are installed on the connection portion 130. [ That is, the LED or the lamp is installed on the front portion of the first connection part 110 corresponding to the position where the first to fourth semiconductor element detection modules are installed, 2 connecting portion 120 of the first embodiment. The LED or lamp corresponding to the position of the semiconductor element detecting module that detects the semiconductor element can be operated in accordance with the control signals of the control modules below so that the position of the semiconductor element can be informed more precisely.

그리고, 제어 모듈(900)은 각 반도체 소자 탐지 모듈이 소정 시간 간격으로 순차적으로 작동하도록 제어하는 기능을 수행한다. 이와 같이 각 탐지 유닛을 순차적으로 작동시키면, 각 반도체 소자 탐지 모듈간의 주파수 신호의 간섭 현상을 최소화하여 오경보율을 최소화할 수 있게 된다.The control module 900 controls each semiconductor element detection module to sequentially operate at predetermined time intervals. By sequentially activating the detection units in this manner, the interference phenomenon of the frequency signals between the semiconductor element detection modules can be minimized and the false alarm rate can be minimized.

한편, 상호 멀리 이격되어 있는 반도체 소자 탐지 모듈의 경우에는 동시에 작동시키더라도 주파수 신호의 간섭이 거의 없으므로, 대각 방향으로 이격되어 있는 반도체 소자 탐지 모듈은 동시에 작동시킨다. 예를 들면, 제1 반도체 소자 탐지 모듈(610)과 제5 반도체 소자 탐지 모듈(650)은 동시에 작동시키고, 마찬가지로 제4 반도체 소자 탐지 모듈(640)과 제8 반도체 소자 탐지 모듈(680)은 동시에 작동시키되, 나머지 반도체 소자 탐지 모듈은 순차 작동시킬 수도 있다.
On the other hand, in the case of the semiconductor element detection module which is spaced apart from each other, since there is almost no interference of the frequency signals even when operated simultaneously, the semiconductor element detection module spaced in the diagonal direction operates simultaneously. For example, the first semiconductor element detection module 610 and the fifth semiconductor element detection module 650 operate simultaneously, and similarly, the fourth semiconductor element detection module 640 and the eighth semiconductor element detection module 680 operate simultaneously And the remaining semiconductor element detection modules may be operated sequentially.

각 반도체 소자 탐지 모듈의 주파수 신호 송수신 유닛의 구성에 대하여 보다 상세히 살펴보면, 주파수 신호 송수신 유닛의 안테나는 송신 안테나(515), 제1 수신 안테나(525) 및 제2 수신 안테나(535)로 구성된다. The antenna of the frequency signal transmitting and receiving unit is composed of a transmitting antenna 515, a first receiving antenna 525, and a second receiving antenna 535.

송신 안테나(515)는 복수개의 단위 송신 안테나 소자가 격자형태로 배치된 NxN의 제1 어레이 안테나 소자로 구성된다(이때, N은 2, 3,...,n). 도 7에 도시된 실시예를 살펴보면, 송신 안테나(515)는 제1 단위 송신 안테나 소자(511) 내지 제4 단위 송신 안테나 소자(514) 총 4개의 단위 송신 안테나 소자를 포함하며, 4개의 단위 송신 안테나 소자는 격자 형태로 배치되어 2x2의 제1 어레이 안테나 소자를 구성한다. 이때, 단위 송신 안테나 소자는 패치 안테나(patch antenna)를 이용한다. 본 실시예에 사용되는 패치 안테나는 유전체 기판 평면상에 도체 소자인 방사 패치가 형성되며, 방사 패치는 십자가 형태(cross type)로 형성된다. The transmission antenna 515 is composed of N × N first array antenna elements in which a plurality of unit transmission antenna elements are arranged in a lattice form (where N is 2, 3, ..., n). 7, the transmission antenna 515 includes a total of four unit transmission antenna elements, that is, a first unit transmission antenna element 511 to a fourth unit transmission antenna element 514, The antenna elements are arranged in a lattice form to constitute a 2x2 first array antenna element. At this time, the unit transmission antenna element uses a patch antenna. In the patch antenna used in this embodiment, a radiation patch is formed as a conductor element on the plane of the dielectric substrate, and the radiation patch is formed in a cross type.

제1 수신 안테나(525)는 복수개의 단위 수신 안테나 소자가 격자형태로 배치된 MxM의 제2 어레이 안테나 소자로 구성되며(이때, M은 2, 3,...,m), 제1 수신 안테나(525)는 2개 이상의 MxM 제2 어레이 안테나 소자를 포함한다. 도 7에 도시된 실시예를 살펴보면, 제1 수신 안테나(525)는 제1 단위 수신 안테나 소자(521) 내지 제4 단위 수신 안테나 소자(524) 총 4개의 단위 수신 안테나 소자를 포함하며, 4개의 단위 수신 안테나 소자는 격자 형태로 배치되어 2x2의 제2 어레이 안테나 소자를 구성한다. 제1 수신 안테나(525)의 단위 수신 안테나 소자는 송신 안테나(515)의 단위 송신 안테나 소자 보다 작게 형성된다.The first reception antenna 525 is composed of MxM second array antenna elements in which a plurality of unit reception antenna elements are arranged in a lattice form (where M is 2, 3, ..., m) (525) includes two or more MxM second array antenna elements. 7, the first reception antenna 525 includes a total of four unit reception antenna elements, that is, a first unit reception antenna element 521 to a fourth unit reception antenna element 524, and four The unit receive antenna elements are arranged in a lattice form to constitute a 2x2 second array antenna element. The unit receiving antenna element of the first receiving antenna 525 is formed smaller than the unit transmitting antenna element of the transmitting antenna 515. [

제2 수신 안테나(535)는 복수개의 단위 수신 안테나 소자가 격자형태로 배치된 KxK의 제3 어레이 안테나 소자로 구성되며(이때, K는 2, 3,...,k), 제2 수신 안테나(535)는 2개 이상의 KxK 제3 어레이 안테나 소자를 포함한다. 제2 수신 안테나(535)의 단위 수신 안테나 소자는 제1수신 안테나(525)의 단위 수신 안테나 소자 보다 작게 형성되며, 나머지 구성은 유사하다.
The second reception antenna 535 is composed of a third array antenna element of KxK (where K is 2, 3, ..., k) in which a plurality of unit reception antenna elements are arranged in a lattice form, RTI ID = 0.0 > 535 < / RTI > includes two or more KxK third array antenna elements. The unit receive antenna elements of the second receive antenna 535 are formed to be smaller than the unit receive antenna elements of the first receive antenna 525, and the remaining structures are similar.

도 5 및 도 6을 참조하면, 송신 안테나(515)는 1개의 제1 어레이 안테나 소자로 구성되며, 제1 지지부(110) 또는 제2 지지부(120)의 내측벽 중앙 부분에 설치되고, 제1 어레이 안테나 소자는 2X2 어레이로 구성된다.5 and 6, the transmission antenna 515 is constituted by one first array antenna element, and is installed at the central portion of the inner wall of the first support portion 110 or the second support portion 120, The array antenna elements are configured in a 2X2 array.

제1 수신 안테나(525)는 2개의 제2 어레이 안테나 소자를 포함하되, 송신 안테나(515)의 일 측에 인접되게 설치된다. 각 제2 어레이 안테나 소자는 2X2 어레이로 구성된다. The first reception antenna 525 includes two second array antenna elements, and is installed adjacent to one side of the transmission antenna 515. [ Each second array antenna element is comprised of a 2X2 array.

또한, 제2 수신 안테나(535)는 2개의 제3 어레이 안테나 소자를 포함하되, 송신 안테나(515)의 타 측에 인접되게 설치된다. 각 제3 어레이 안테나 소자는 2X2 어레이로 구성된다. The second reception antenna 535 includes two third array antenna elements, and is installed adjacent to the other side of the transmission antenna 515. Each third array antenna element is comprised of a 2X2 array.

본 실시예의 경우, 제1 수신 안테나(525)와 제2 수신 안테나(535)는 각각 2개의 2x2 어레이 안테나 소자로 구성되나, 어레이 안테나 소자의 개수나 어레이 안테나 소자를 구성하는 단위 수신 안테나 소자의 개수가 이에 한정되는 것은 아니다. In this embodiment, the first reception antenna 525 and the second reception antenna 535 are each composed of two 2x2 array antenna elements, but the number of array antenna elements and the number of unit reception antenna elements constituting the array antenna element The present invention is not limited thereto.

송신부의 안테나 및 수신부의 안테나 구성 시, 복수개의 패치 안테나를 격자형 어레이로 배치함으로써 각 안테나별 최적 설계가 가능하게 되며, 그 결과 반도체 소자의 이종접합부분에 반사되어 되돌아오는 2차 고조파 신호와 3차 고조파 신호의 수신 품질이 향상되어 반도체 소자의 탐지 오경보율을 낮추고, 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.
By arranging a plurality of patch antennas in a lattice type array, it is possible to design an optimal antenna for each antenna. As a result, the second harmonic signal reflected back to the heterojunction portion of the semiconductor device and the third harmonic signal The receiving quality of the next harmonic signal is improved, so that the false false alarm rate of the semiconductor device can be lowered and the reliability can be improved.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 탐지 장치의 개략적인 사시도이며, 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 탐지 장치의 기능 블록도이다.FIG. 9 is a schematic perspective view of a semiconductor element detection apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a functional block diagram of a semiconductor element detection apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 9 및 도 10을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 소자 탐지 장치는 탐지 장치 본체(100), 반도체 소자 탐지 모듈(600), 알람 모듈(700), 사용자 인터페이스 모듈(800), 디스플레이 모듈(900), 금속 탐지 모듈(950) 및 제어 모듈(1000)을 포함한다. 9 and 10, a semiconductor device detection apparatus according to another embodiment of the present invention includes a detection device body 100, a semiconductor element detection module 600, an alarm module 700, a user interface module 800, A display module 900, a metal detection module 950, and a control module 1000.

탐지 장치 본체(100)는 게이트 형태로 형성되어 피탐색자가 게이트를 통과하면 탐색이 이루어지게 된다. 반도체 소자 탐지 모듈(600)은 피탐색자가 소지하고 있는 반도체 소자를 탐지하여 알려주는 기능을 수행한다. 금속 탐지 모듈(950)은 피탐색자가 소지하고 있는 금속을 탐지하여 알려주는 기능을 수행한다.The detection device body 100 is formed in a gate shape and is searched when the searcher passes the gate. The semiconductor device detection module 600 detects and informs the semiconductor device being held by the searcher. The metal detection module 950 detects and informs the metal that the searcher has.

제어 모듈(1000)은 반도체 소자 탐지 모듈(600), 알람 모듈(700), 사용자 인터페이스 모듈(800), 디스플레이 모듈(900) 및 금속 탐지 모듈(950)의 동작을 제어하는 기능을 수행한다. The control module 1000 controls the operations of the semiconductor element detection module 600, the alarm module 700, the user interface module 800, the display module 900, and the metal detection module 950.

송신 안테나(515)는 1개의 제1 어레이 안테나 소자로 구성되며, 제1 지지부(110) 또는 제2 지지부(120)의 내측벽 중앙 부분에 설치되고, 제1 어레이 안테나 소자는 2X2 어레이로 구성된다. 제1 수신 안테나(525)는 송신 안테나(515)의 일 측에 인접되게 설치되며, 제2 수신 안테나(535)는 송신 안테나(515)의 타 측에 인접되게 설치된다. The transmitting antenna 515 is constituted by one first array antenna element and is installed at the central portion of the inner wall of the first supporting portion 110 or the second supporting portion 120 and the first array antenna element is constituted by a 2X2 array . The first reception antenna 525 is installed adjacent to one side of the transmission antenna 515 and the second reception antenna 535 is installed adjacent to the other side of the transmission antenna 515.

금속 탐지 모듈(950)은 제1 지지부(110) 또는 제2 지지부(120)의 내측벽에 설치되며, 제1수신 안테나(525) 또는 제2 수신 안테나(535)에 인접하게 설치된다.
The metal detection module 950 is installed on the inner wall of the first support part 110 or the second support part 120 and is installed adjacent to the first reception antenna 525 or the second reception antenna 535.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 반도체 소자 탐지 장치의 예시적인 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이, 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, but can be applied to a semiconductor device detecting apparatus according to the present invention. It will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention.

100 : 본체
200 : 주파수 합성부
300 : 탐지식별파형 발생부
400 : 탐지부
500 : 주파수 신호 송수신 유닛
600 : 반도체 소자 탐지 모듈
700 : 알람 모듈
800 : 사용자 인터페이스 모듈
900 : 디스플레이 모듈
950 : 금속 탐지 모듈
1000 : 제어 모듈100:
200: Frequency synthesizer
300: a detection identification waveform generator
400: Detector
500: frequency signal transmitting / receiving unit
600: Semiconductor element detection module
700: Alarm module
800: User Interface Module
900: Display module
950: Metal detection module
1000: Control module

Claims (7)

반도체 소자 탐지 장치에 있어서,
부품 실장 공간을 제공하며, 탐색 통과 영역을 형성하는 탐지 장치 본체;
반도체 소자를 탐지하기 위한 반도체 소자 탐지 모듈;
상기 반도체 소자 탐지 모듈의 탐지 결과를 알려주는 알람 모듈;
데이터를 사용자에게 디스플레이 하는 디스플레이 모듈; 및
상기 반도체 소자 탐지 모듈, 알람 모듈 및 디스플레이 모듈의 동작을 제어하는 제어 모듈을 포함하며,
상기 반도체 소자 탐지 모듈은 상기 탐지 장치 본체에 복수개가 설치되며, 각 반도체 소자 탐지 모듈은 주파수 신호를 탐지 대상 물체로 송신하며, 탐지 대상 물체로부터 반사된 주파수 신호를 수신하는 주파수 신호 송수신 유닛을 포함하며,
상기 주파수 신호 송수신 유닛은 송신 주파수 신호를 송신하는 송신 안테나, 제1 수신 주파수 신호를 수신하는 제1 수신 안테나 및 제2 수신 주파수 신호를 수신 제2 수신 안테나를 포함하며, 상기 제1 수신 안테나 및 제2 수신 안테나는 2개 이상의 복수개로 구성되며,
상기 제어 모듈은 복수개의 반도체 소자 탐지 모듈이 소정 시간 간격으로 순차적으로 작동하도록 제어하며,
상기 송신 안테나는 복수개의 단위 송신 안테나 소자가 격자형태로 배치된 NxN의 제1 어레이 안테나 소자로 구성되며, N은 2 이상의 자연수이고,
상기 제1 수신 안테나는 복수개의 단위 수신 안테나 소자가 격자형태로 배치된 MxM의 제2 어레이 안테나 소자로 구성되며, M은 2 이상의 자연수이며,
상기 제2 수신 안테나는 복수개의 단위 수신 안테나 소자가 격자형태로 배치된 KxK의 제3 어레이 안테나 소자로 구성되며, K는 2 이상의 자연수인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 탐지 장치.
A semiconductor device detection device comprising:
A detection device body providing a component mounting space and forming a search passage region;
A semiconductor element detection module for detecting a semiconductor element;
An alarm module for indicating a detection result of the semiconductor element detection module;
A display module for displaying data to a user; And
A control module for controlling operations of the semiconductor element detection module, the alarm module, and the display module,
The semiconductor device detection module includes a plurality of detection devices, and each semiconductor device detection module includes a frequency signal transmission / reception unit that transmits a frequency signal to an object to be detected and receives a frequency signal reflected from the object to be detected ,
Wherein the frequency signal transmitting and receiving unit includes a transmitting antenna for transmitting a transmission frequency signal, a first receiving antenna for receiving a first receiving frequency signal, and a second receiving antenna for receiving a second receiving frequency signal, 2 receive antennas are composed of a plurality of two or more antennas,
Wherein the control module controls the plurality of semiconductor element detection modules to sequentially operate at predetermined time intervals,
Wherein the transmission antenna comprises a first array antenna element of NxN in which a plurality of unit transmission antenna elements are arranged in a lattice form, N is a natural number of 2 or more,
Wherein the first reception antenna comprises a second array antenna element of MxM in which a plurality of unit reception antenna elements are arranged in a lattice form, M is a natural number of 2 or more,
Wherein the second reception antenna comprises a third array antenna element of KxK in which a plurality of unit reception antenna elements are arranged in a lattice form, and K is a natural number of 2 or more.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 단위 송신 안테나 소자는 패치 안테나이며,
상기 패치 안테나는 유전체 기판 평면상에 도체 소자인 방사 패치가 형성되며, 상기 방사 패치는 십자가 형태(cross type)로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 탐지 장치.
The method according to claim 1,
The unit transmission antenna element is a patch antenna,
Wherein the patch antenna is formed with a radiation patch as a conductor element on a plane of the dielectric substrate, and the radiation patch is formed in a cross type.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 수신 안테나 및 제2 수신 안테나의 단위 수신 안테나 소자는 패치 안테나이며, 상기 패치 안테나는 유전체 기판 평면상에 도체 소자인 방사 패치가 형성되며, 상기 방사 패치는 십자가 형태(cross type)로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 탐지 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the unit receiving antenna elements of the first receiving antenna and the second receiving antenna are patch antennas, and the patch antenna is formed with a radiation patch, which is a conductive element, on a plane of the dielectric substrate, and the radiation patch is formed into a cross type Wherein the semiconductor device is a semiconductor device.
제1항에 있어서,
상기 송신 안테나는 상기 탐지 장치 본체의 제1 지지부 또는 제2 지지부의 내측벽 중앙 부분에 설치되고, 상기 제1 수신 안테나 상기 송신 안테나의 일 측에 인접되게 설치되고, 상기 제2 수신 안테나는 상기 송신 안테나의 타 측에 인접되게 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 탐지 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the transmission antenna is installed at a center portion of an inner wall of a first support portion or a second support portion of the detection apparatus body, the first reception antenna is provided adjacent to one side of the transmission antenna, And is disposed adjacent to the other side of the antenna.
제1항에 있어서,
금속을 탐지하는 금속 탐지 모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 탐지 장치.
The method according to claim 1,
≪ / RTI > further comprising a metal detection module for detecting metal.
KR1020130002627A 2013-01-09 2013-01-09 Apparatus for detecting semiconductor device KR101418907B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130002627A KR101418907B1 (en) 2013-01-09 2013-01-09 Apparatus for detecting semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130002627A KR101418907B1 (en) 2013-01-09 2013-01-09 Apparatus for detecting semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101418907B1 true KR101418907B1 (en) 2014-07-11

Family

ID=51742026

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130002627A KR101418907B1 (en) 2013-01-09 2013-01-09 Apparatus for detecting semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101418907B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010017556A (en) * 1999-08-12 2001-03-05 김복순 A gate type metal detctor
KR101208759B1 (en) * 2011-09-21 2012-12-05 이용희 Antenna for detecting semiconductor device and detector therewith

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010017556A (en) * 1999-08-12 2001-03-05 김복순 A gate type metal detctor
KR101208759B1 (en) * 2011-09-21 2012-12-05 이용희 Antenna for detecting semiconductor device and detector therewith

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11624851B1 (en) Electronic marker devices and systems
US7614556B2 (en) Distributed RFID antenna array utilizing circular polarized helical antennas
KR100747970B1 (en) Position locator for locating position of rfid tag
CN102859560B (en) Reduce the method and system of interference effect in integrated metal detection/electronic article monitoring system
ES2310305T3 (en) WIRELESS TRANSPONDER FOR A SECURITY SYSTEM.
US8878563B2 (en) System and apparatus for arc detection and location in solar arrays
US7864107B1 (en) RF receiver sensing by harmonic generation
WO2006012358A3 (en) Systems and methods for testing radio frequency identification tags
US20140333466A1 (en) Passive detection of unauthorized electronic devices using wafer scale beam forming
Parthiban Fixed UHF RFID reader antenna design for practical applications: A guide for antenna engineers with examples
ES2589149T3 (en) Combination of electronic article surveillance antenna / radiofrequency identification
CN105842547A (en) Measuring device, system and method for wirelessly measuring radiation patterns
WO1999033017A1 (en) Tag and detection system
KR102262764B1 (en) Wireless tiled display
KR101295726B1 (en) Fixed type apparatus for detecting semiconductor device and metal device
KR101042367B1 (en) Security apparatus and method thereof
KR101418907B1 (en) Apparatus for detecting semiconductor device
JP5665104B1 (en) Radio wave measuring instrument
CN107293077B (en) Perimeter intrusion detecting device and method based on orthogonal CPPM signal
US10055959B1 (en) Systems and methods for intrusion detection using GHz beams
KR102093467B1 (en) Powerless Wi-Fi Extender
KR101208759B1 (en) Antenna for detecting semiconductor device and detector therewith
RU38412U1 (en) RADIO RADIATION DEVICE FOR PERIMETER PROTECTION
KR101588948B1 (en) Detector
CN113471702B (en) Antenna device and electronic equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170704

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180702

Year of fee payment: 5