KR101416061B1 - 오버레이 ｅｂｇ 구조체 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 EBG(Electromagnetic Bandgap) 구조에 관한 것으로, 특히 기판을 통한 전자기파의 누설 손실을 줄이기 위해 중심 신호선에 비아(via)와 플레이트(plate)를 기판과 이격시켜 주기적으로 형성한 오버레이(overlay) EBG 구조에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 전송라인에서 연장된 비아 및 플레이트가 기판과 일정 거리로 이격되어 형성되었기 때문에 전송라인을 통과하는 전자파가 기판을 통해 누설되는 것을 방지할 수 있고, 비아 및 플레이트의 수치를 조절하여 특이적인 주파수 특성을 얻을 수 있으며, 추가적인 공정 없이 기존의 CMOS 공정을 이용하여 이를 제작하는 것이 가능하다.
EBG(electromagnetic band gap), CPW(coplanar waveguide), 전송라인, 플레이트(plate), 비아(via), 고주파.

Description

오버레이 ＥＢＧ 구조체 및 그 제조방법{Overlay electromagnetic bandgap structure and a manufacturing method thereof}
본 발명은 EBG(Electromagnetic Bandgap) 구조에 관한 것으로, 특히 기판을 통한 전자기파의 누설 손실을 줄이기 위한 오버레이(overlay) EBG 구조체 및 그 제조방법과 관련된다.
최근 정보통신기술의 발달로 인해 다양한 통신 기기가 개발 및 보급되었다. 또한, 통신 채널을 다량으로 확보하고 통신 시스템을 작게 만들기 위하여, 높은 대역의 주파수를 이용한 통신 기기가 점점 많아지고 있는 실정이다.
이러한 통신 기기에는 특정 주파수를 선택하거나 제어하는 기능이 그 특성상 필수적으로 탑재되며, 주파수 선택 및 제어를 위한 회로 구조는 집중소자(lumped element) 타입의 수동소자(예컨대, 인덕터, 커패시터)들이 배치되어 구현되는 것이 일반적이다.
그러나, 주파수가 높으면 파장이 짧아지고 이로 인해 통신 선로간 간섭도 심 해지며 나아가 선로 하나하나가 회로소자로 동작해 버리게 된다. 즉 높은 주파수 환경에서는 예측치 못한 성분이 함께 증가하기 때문에 이러한 일반적인 수동소자를 초고주파 대역(또는 밀리미터파 대역)에서 사용하는 것은 한계가 있는 것이다.
그리하여, 초고주파 대역에서 사용가능한 수동소자 개발을 위해 많은 연구가 수행되었다. 예를 들어, 기존의 집중소자들을 평면적으로 구현하여 고주파 환경에서의 기생성분을 어느 정도 예측하고자 하는 시도 등이 있었다.
주목할 만한 방안으로 광자(photon)를 가이드(guide)하기 위한 포토닉 밴드갭(photonic band gap, PBG) 구조를 초고주파 영역에 적용한 전자기 밴드갭(electromagnetic band gap, EBG) 구조가 있다. 이러한 EBG 구조는 고주파 회로 실장에 적합한 평면형 EBG 필터, 공진기 등의 분야에 다양하게 응용되고 있는 상황이다.
그러나, 기존의 EBG 구조는 PBG를 평면화된 집적회로에 집적시키는 과정에서 전자기파의 기판을 통한 추가적인 누설손실이 생기게 되었고 이로 인해 필터의 대역 선택 특성의 열화문제를 야기시키는 문제가 있다.
본 발명은 전술한 문제점을 고려하여 안출한 것으로서, 기판을 통한 전자기파의 누설손실을 줄이고 간편하게 주파수 특성을 조정할 수 있는 EBG 구조체 및 그 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
전술한 목적은 중심 신호선에 주기적인 비아(via)와 플레이트(plate)를 기판과 이격시켜 형성한 오버레이(overlay) EBG 구조체 및 그 제조방법에 의해 달성된다.
보다 구체적으로 본 발명에 따른 오버레이 EBG 구조체는, 기판상에 형성되어 신호를 전달하는 전송라인; 상기 전송라인의 상측으로 상기 전송라인과 이격되어 형성되는 플레이트; 및 상기 전송라인과 상기 플레이트를 연결하는 비아(via);를 포함하며, 상기 플레이트 및 상기 비아는 상기 전송라인의 길이 방향을 따라 소정의 간격을 가지고 주기적으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 오버레이 EBG 구조체의 주파수 특성은 상기 비아 또는 플레이트를 적절히 변형시켜서 조정되는 것이 바람직하다. 예컨대, 상기 주파수 특성은 플레이트들 간의 간격, 면적 또는 모양 변화, 비아들의 간격, 두께변화 등을 통해 조정될 수 있다.
또한, 상기 주기적으로 형성된 플레이트들 사이에 삽입되는 버랙터(varactor)를 더 포함하며, 상기 오버레이 EBG 구조체의 주파수 특성은 상기 버랙터에 의해 조정되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 오버레이 EBG 구조체는 상기 기판을 중심으로 상하로 형성되는 것이 바람직하다.
한편, 본 발명에 따른 오버레이 EBG 구조체의 제조방법은, 기판상에 제 1 금속층을 증착하여 전송라인을 형성하는 단계; 상기 기판상에 산화막을 도포하고 이를 식각하여 상기 전송라인 상측으로 비아 홀(via hole)을 형성하는 단계; 및 상기 비아 홀을 통해 제 2 금속층을 증착하여 상기 전송라인으로부터 연장되는 비아(via) 및 상기 비아의 일단에 연결되는 플레이트를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 비아 및 상기 플레이트는 상기 전송라인의 길이 방향을 따라 소정의 간격을 가지고 주기적으로 형성되는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 오버레이 EBG 구조체 및 그 제조방법을 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 오버레이 EBG 구조체의 사시도이고, 도 2는 도 1에 따른 오버레이 EBG 구조체의 정면도이고, 도 3은 도 1에 따른 오버레이 EBG 구조체의 측면도이며, 도 4는 도 1에 따른 오버레이 EBG 구조체의 평면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 EBG 구조체는, 전송라인(101), 플레이트(102) 및 비아(via)(103)를 구비한다.
전송라인(101)은 기판(201) 상에 형성되어 신호를 전달한다. 여기서 전송라인(101)을 통과하는 신호는 높은 주파수를 갖는 전자기파가 될 수 있다. 또한, 상 기 전송라인(101)으로는 코플레너 웨이브가이드(coplanar waveguide, CPW)의 중심신호선을 사용할 수 있다.
플레이트(102)는 전송라인(101)의 상측으로 상기 전송라인(101)과 이격되어 형성된다. 플레이트(102)는 직육면체 또는 박막 형태로 형성될 수 있으며, 전송라인(101) 및 접지판(202)과 떨어져서 형성된다. 이때 플레이트(102)의 일부면은 접지판(202)과 대향하여 플레이트(102)와 접지판(202) 간에 커패시턴스(capacitance)가 형성되도록 하는 것이 가능하다.
또한, 플레이트(102)의 재질은 전송라인(101)과 동일한 금속으로 이루어져서 신호가 통할 수 있게 형성될 수 있다.
비아(via)(103)는 전송라인(101)과 플레이트(102)를 연결한다. 즉, 비아(103)는 전송라인(101)에서 수직으로 연장되어 그 일단이 플레이트(102)의 중심부와 연결된다. 비아(103)의 재질 역시 전송라인(101)과 동일한 금속으로 이루어질 수 있으며 이러한 경우 비아(103)는 전송라인(101)과 플레이트(102)를 신호적·구조적으로 연결시키게 되는 것이다.
기존의 코플래너 웨이브가이드(coplanar waveguide, CPW) 구조에서는 전자파의 진행을 위한 전기장이 중심 전송라인(101)과 접지판(202)사이의 커패시턴스(capacitance) 형태로 직접적으로 생기게 됨으로써, 전기장의 일부가 기판(201)을 통해 손실되는 문제점을 가지고 있었으나, 본 실시예에 따른 구조체의 경우에는 대부분의 전기장이 플레이트(102)와 접지판(202) 사이의 수직 커패시턴스(capacitance) 형태로 생기게 됨으로써 기판(201)을 통한 누설 손실이 줄어드는 효과를 얻을 수 있게 되는 것이다.
또한, 이러한 오버레이 구조의 장점을 EBG 구조에 응용하기 위하여, 상술한 플레이트(102) 및 비아(103)는 하나의 유니트(300)를 이루며 전송라인(101)의 길이 방향을 따라 소정의 간격을 가지고 주기적으로 형성된다. 여기서 주기적으로 형성되었다고 함은 상기 유니트(300)가 임의의 간격을 가지고 반복적으로 형성되는 것을 의미한다. 따라서 유니트(300)들 간의 거리는 일정할 필요가 없다.
나아가, 상기 유니트(300) 들의 치수(dimension)(예컨대, 간격, 면적 또는 두께 등)는 변할 수 있고, 각 치수를 적절히 조절하여 본 실시예에 따른 구조체를 필터(filter)로서 사용할 수 있음은 물론이다. 이러한 경우, 필터의 주파수 특성은 전술한 플레이트(102) 또는 비아(103)의 치수 변화에 의해 조절되는 것이 가능하다.
기존의 EBG 구조의 경우에는 주파수 특성을 위한 소정의 공간(cavity)이 평면상에 주기적으로 배치하였고 이를 위해 추가적인 영역(area)이 필요하였으나, 본 실시예의 경우 기판(201)으로부터 이격된 유니트(300)가 수직적으로 배열됨에 따라 추가적인 영역(area)이 불필요하다. 특히, 도 5에서 예시한 것과 같이, 플레이트(102)와 비아(103)가 기판(201)을 중심으로 상하로 형성되는 경우 필요한 영역을 더욱 줄일 수 있을 것이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 오버레이 EBG 구조체를 도시한 것으로, 상기 구조체를 필터로 사용하는 경우 플레이트(102) 간의 간격을 변화시키는 방식에 관한 일 예이다.
도 6을 참조하면, 비아(103)의 일단에 플레이트(102)가 연결되어 주기적으로 형성되는 것은 전술한 바와 같다. 이때, 플레이트(102)들 간의 간격(d)은 서로 다르게 설정될 수 있다(예컨대, d1≠d2). 플레이트(102)들 간의 간격이 변화되면 전체적인 주파수 특성 역시 변하게 되므로 이를 통해 주파수 튜닝(tuning)을 하는 것이 가능하다. 또한, 플레이트(102)들 간의 간격 변화를 위해 비아(103)들 간의 간격을 적절히 조절하는 것도 가능할 것이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 오버레이 EBG 구조체를 도시한 것으로, 상기 구조체를 필터로 사용하는 경우 플레이트(102)의 면적을 변화시키는 방식에 관한 일 예이다.
도 7을 참조하면, 비아(103)의 일단에 플레이트(102)가 연결되어 주기적으로 형성되는 것은 전술한 바와 같다. 이때 플레이트(102)의 면적(A)은 각각 서로 다로 다르게 형성될 수 있다(예컨대, A1≠A2). 이와 같이 플레이트(102)의 면적이 변하면 본 실시예에 따른 구조체의 주파수 특성이 바뀌게 되므로 이를 통한 주파수 튜닝이 가능하다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 오버레이 EBG 구조체를 도시한 것으로, 상기 구조체를 필터로 사용하는 경우 비아(103)의 두께를 변화시키는 방식에 관한 일 예이다.
도 8을 참조하면, 비아(103)의 일단에 플레이트(102)가 연결되어 주기적으로 형성되는 것은 전술한 바와 같다. 이때 비아(103)의 두께(t)는 각각 서로 다르게 형성될 수 있다(예컨대, t1≠t2). 여기서 비아(103)의 두께라 함은 수평 절단면의 면적을 의미한다. 전술한 바와 마찬가지로 비아(103)의 두께가 변하게 되면 본 실시예에 따른 구조체의 주파수 특성이 바뀌게 되므로 이를 통해 주파수 튜닝을 하는 것이 가능하다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 오버레이 EBG 구조체를 도시한 것으로, 플레이트(102)들 사이에 버랙터(varactor)(104)가 삽입되는 방식에 관한 일 예이다.
도 9에서, 버랙터(104)는 주기적으로 형성된 플레이트(102)들 사이에 삽입된다. 상기 버랙터(104)는 전압에 따라서 정전기 용량이 바뀌는 소자(예컨대, 가변 용량 다이오드)일 수 있다. 따라서 버랙터(104)에 의해 플레이트(102)들 사이의 커패시턴스가 변하게 되므로 이를 통해 본 실시예에 따른 구조체의 주파수 특성을 조절할 수 있게 된다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 오버레이 EBG 구조체를 도시한 것으로, 플레이트(102)의 모양을 변화시키는 방식에 관한 일 예이다.
도 10을 참조하면, 플레이트(102)의 한쪽 또는 양쪽면은 격자 형태로 형성되어 서로 교차된다. 즉 플레이트(102)들 간의 대향면에 소정의 돌출편(105)이 형성되고 상기 돌출편(105)이 서로 인터디지털(interdigital)형태로 교차되는 것이 가능하다. 이와 같이 플레이트(102)의 모양이 변하면 플레이트(102)들 간의 커패시턴스가 변하므로 이를 통해 본 실시예에 따른 구조체의 주파수 특성을 조절할 수 있 게 된다.
도 6 내지 도 10에서 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 오버레이 EBG 구조체는 플레이트(102)와 비아(103)를 포함하는 유니트(300)의 수치를 조절하여 주파수 특성이 조절될 수 있다. 따라서 임의의 주파수 대역을 억압하는 대역저지필터(band stop filter, BSF)로 사용하는 것이 가능할 것이나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니다.
다음으로, 도 11, 도 12a 내지 도 12d를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 오버레이 EBG 구조체의 제조방법을 설명하기로 한다. 여기서는 종래의 CMOS 생산공정을 기본적으로 이용하는 방법에 대하여 예시하였으므로 구체적인 CMOS 공정에 대한 설명은 생략하기로 한다.
단계 S101은 기판(201)상에 제 1 금속층(401)을 증착하여 전송라인(101)을 형성하는 단계이다(도 12a 참조). 이때 전송라인(101)의 양쪽으로 소정 거리 이격된 접지판(202)을 함께 형성할 수도 있다.
단계 S102는 기판(201)상에 산화막(403)을 도포하고 이를 식각하여 전송라인(101) 상측으로 비아홀(via hole)(404)을 형성하는 단계이다(도 12b 및 도 12c 참조). 산화막(403)은 기판(201)의 상부, 즉 전송라인(101)을 포함하는 영역으로 도포된다. 도포된 산화막(403) 위에 비아 마스크(via mask)를 놓고 패터닝(patterning)을 하여 비아홀(404)을 형성한다. 비아홀(404)은 이후에 비아(103)가 형성되어 전송라인(101)과 연결되는 부분을 제공한다.
단계 S103은 비아홀(404)을 통해 제 2 금속층(402)을 증착하여 비아(103)와 플레이트(102)를 형성하는 단계이다(도 12d 참조). 즉, 제 2 금속층(402)은 비아홀(404)을 통해 전송라인(101)과 연결되어 비아(103)와 플레이트(102)를 형성하게 되며, 이때 비아(103)와 플레이트(102)는 전송라인(101)의 길이 방향을 따라 소정의 간격을 가지고 주기적으로 형성되는 것이 가능하다.
참고적으로, 도 12d는 산화막(403)이 제거된 형태로 표현되었으나 이는 본 실시예에 따른 구조를 보다 명확하게 설명하기 위하여 산화막(403)을 표시하지 않은 것에 불과한 것으로 산화막(403)을 제거하지 않더라도 무방하다.
이와 같은 단계를 거치게 되면 전송라인(101)에서 연장되어 형성된 비아(103)와 플레이트(102)가 소정의 간격을 가지고 주기적으로 형성되는 오버레이 EBG 구조체를 만들 수 있게 되는 것이다.
결국, 전술한 실시예에 따른 오버레이 EBG 구조체 및 그 제조방법에 의하면, 전송라인에서 연장된 비아 및 플레이트가 기판과 일정 거리로 이격되어 형성되었기 때문에 전송라인을 통과하는 전자파가 기판을 통해 누설되는 것을 방지할 수 있고, 비아 및 플레이트의 수치를 조절하여 특이적인 주파수 특성을 얻을 수 있으며, 추가적인 공정 없이 기존의 CMOS 공정을 이용하여 이를 제작하는 것이 가능해진다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였으나 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니한다. 즉, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 첨부된 특허청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대한 다수의 변경 및 수정이 가능하며, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정의 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 오버레이 EBG 구조체의 사시도,
도 2는 도 1에 따른 구조체의 정면도,
도 3은 도 1에 따른 구조체의 측면도,
도 4는 도 1에 따른 구조체의 평면도,
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 기판을 중심으로 도 1의 구조체가 상하로 형성되는 것을 나타낸 도면,
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따라 플레이트의 간격이 변하는 것을 나타낸 도면,
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 플레이트의 면적이 변하는 것을 나타낸 도면,
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 비아의 두께가 변하는 것을 나타낸 도면,
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 플레이트 사이에 버랙터가 삽입된 것을 나타낸 도면,
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 플레이트의 모양이 격자형태로 형성된 것을 나타낸 도면,
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 오버레이 EBG 구조체의 제조방법을 나타낸 흐름도,
도 12a 내지 도 12d는 도 11에 따른 제조방법을 설명하기 위한 예시도이다.
<도면의 주요 부호에 대한 설명>
101 : 전송라인 102 : 플레이트(plate)
103 : 비아(via) 104 : 버랙터(varactor)
201 : 기판 202 : 접지판
300 : 유니트(unit) 401 : 제 1 금속층
402 : 제 2 금속층 403 : 산화막

Claims (11)

  1. 기판상에 형성되어 신호를 전달하는 전송라인;
    상기 전송라인의 상측으로 상기 전송라인과 이격되어 형성되는 플레이트; 및
    상기 전송라인과 상기 플레이트를 연결하는 비아(via);를 포함하며,
    상기 플레이트 및 상기 비아는 상기 전송라인의 길이 방향을 따라 소정의 간격을 가지고 주기적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 오버레이 EBG(electromagnetic bandgap) 구조체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 오버레이 EBG 구조체의 주파수 특성은 상기 주기적으로 형성된 플레이트들 간의 간격 변화로 인해 조정되는 것을 특징으로 하는 오버레이 EBG 구조체.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 오버레이 EBG 구조체의 주파수 특성은 상기 주기적으로 형성된 플레이트들의 면적 변화로 인해 조정되는 것을 특징으로 하는 오버레이 EBG 구조체.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 오버레이 EBG 구조체의 주파수 특성은 상기 주기적으로 형성된 비아들의 두께 변화로 인해 조정되는 것을 특징으로 하는 오버레이 EBG 구조체.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 주기적으로 형성된 플레이트들 사이에 삽입되는 버랙터(varactor)를 더 포함하며,
    상기 오버레이 EBG 구조체의 주파수 특성은 상기 버랙터에 의해 조정되는 것을 특징으로 하는 오버레이 EBG 구조체.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 주기적으로 형성된 플레이트들 간의 대향면은 격자 형태로 형성되어 서로 교차되는 것을 특징으로 하는 오버레이 EBG 구조체.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 오버레이 EBG 구조체는 상기 기판을 중심으로 상하로 형성되는 것을 특징으로 하는 오버레이 EBG 구조체.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 전송라인은 코플레너 웨이브가이드(coplanar waveguide:CPW)의 중심신호선인 것을 특징으로 하는 오버레이 EBG 구조체.
  9. 기판상에 제 1 금속층을 증착하여 전송라인을 형성하는 단계;
    상기 기판상에 산화막을 도포하고 이를 식각하여 상기 전송라인 상측으로 비아 홀(via hole)을 형성하는 단계; 및
    상기 비아 홀을 통해 제 2 금속층을 증착하여 상기 전송라인으로부터 연장되는 비아(via) 및 상기 비아의 일단에 연결되는 플레이트를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 오버레이 EBG(electromagnetic bandgap) 구조체의 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 비아 및 상기 플레이트는 상기 전송라인의 길이 방향을 따라 소정의 간격을 가지고 주기적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 오버레이 EBG 구조체의 제조방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 비아 및 상기 플레이트는 상기 제 2 금속층을 이용하여 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 오버레이 EBG 구조체의 제조방법.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101375660B1 (ko) * 2008-02-22 2014-03-19 삼성전자주식회사 오버레이 ｅｂｇ 구조를 이용한 공진기, 대역통과필터 및공진기의 제조방법
CN105305034B (zh) * 2015-10-30 2019-01-08 南京大学 带人工磁导体结构的高增益太赫兹天线
US11262966B2 (en) * 2019-09-27 2022-03-01 Apple Inc. Electromagnetic band gap structures

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040076658A (ko) * 2003-02-26 2004-09-03 (주)기가레인 새로운 포토닉 밴드갭 구조를 이용한 저역 통과 여파기와저역 통과 여파기를 내장한 초고주파 및 밀리미터파 대역패키지
KR20050043554A (ko) * 2003-11-06 2005-05-11 한국전자통신연구원 비아를 이용한 도파관 필터

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2851966B2 (ja) 1992-03-27 1999-01-27 日本碍子株式会社 積層型誘電体フィルター
JP3439985B2 (ja) 1998-06-05 2003-08-25 京セラ株式会社 導波管型帯域通過フィルタ
JP2001111303A (ja) 1999-10-12 2001-04-20 Advanced Space Communications Research Laboratory フィルタ
JP3804407B2 (ja) 2000-07-07 2006-08-02 日本電気株式会社 フィルタ
JP2002026611A (ja) 2000-07-07 2002-01-25 Nec Corp フィルタ
KR100521895B1 (ko) 2003-02-07 2005-10-14 박익모 인덕턴스 성분의 식각된 홀을 이용한 씨피더블유 저역통과필터
JP3847330B2 (ja) * 2004-04-21 2006-11-22 松下電器産業株式会社 フォトニック結晶デバイス
KR20060118062A (ko) 2005-05-16 2006-11-23 삼성전기주식회사 표면 탄성파 필터 패키지 및 그에 사용되는 기판의제조방법과 그 제조방법에 의하여 제조된 표면 탄성파 필터패키지용 기판
US7724109B2 (en) * 2005-11-17 2010-05-25 Cts Corporation Ball grid array filter

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040076658A (ko) * 2003-02-26 2004-09-03 (주)기가레인 새로운 포토닉 밴드갭 구조를 이용한 저역 통과 여파기와저역 통과 여파기를 내장한 초고주파 및 밀리미터파 대역패키지
KR20050043554A (ko) * 2003-11-06 2005-05-11 한국전자통신연구원 비아를 이용한 도파관 필터

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
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