KR101415168B1 - Preparation method of fibrous solar cells having metal grid electrode, and the fibrous solar cells thereby - Google Patents

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Abstract

본 발명은 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지에 관한 것으로, 상세하게는 유연기판 상에 금속배선을 포함하는 대면적 태양전지를 제조하는 단계(단계 1); 및 상기 단계 1에서 제조된 대면적 태양전지를 섬유형태로 절단하는 단계(단계 2)를 포함하는 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지는 현재 이용되고 있는 태양전지 제조장치를 이용하여 태양전지를 제조한 후, 이를 절단함으로써 손쉽게 섬유형 태양전지를 제조할 수 있어 추가적인 장비설치비용 등의 비용이 들지않아 상대적으로 적은 비용으로 섬유형 태양전지를 제조할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 섬유형 태양전지를 직조함으로써 의류, 커튼, 텐트, 가방 등의 다양한 물품에 적용할 수 있는 효과가 있다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method of manufacturing a fibrous solar cell including a metal wiring and a fibrous solar cell including the metal wiring fabricated thereby, A manufacturing step (step 1); And a step of cutting the large area solar cell produced in the step 1 into a fiber form (step 2). A method of manufacturing a fiber-type solar cell including a metal wiring according to the present invention, and a fiber-type solar cell including the metal wiring fabricated according to the method of manufacturing the solar cell according to the present invention, The fiber type solar cell can be easily manufactured by cutting it, so that it is possible to manufacture the fibrous type solar cell at a relatively low cost because it does not incur the additional equipment installation cost and the like. Further, the fibrous type solar cell according to the present invention can be applied to various articles such as clothes, curtains, tents, and bags by weaving.

Description

금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지{Preparation method of fibrous solar cells having metal grid electrode, and the fibrous solar cells thereby}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a fibrous solar cell including a metal wiring,

본 발명은 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method of manufacturing a fiber-type solar cell including a metal wiring and a fiber-type solar cell including the metal wiring fabricated thereby.

최근 에너지 문제는 전 세계적인 관심사가 되고 있다. 지금까지 주요 에너지원으로 사용해 온 값싼 화석연료들은 더 이상 값싼 에너지가 될 수 없을 것이라는 전망이 나오고 있다. 일예로 원유의 가격은 매년 상승하고 있으며, 석유 매장량의 한계로 인하여 원유의 가격은 점차 상승할 수밖에 없다는 것이 전문가들의 의견이다. 세계에서 가장 큰 에너지 기업 중 하나인 BP의 통계에 따르면 현재 인류가 사용하고 있는 주 에너지원들의 가채년수(매장량/1년 생산량)는 석유가 약 40년, 길게는 80년으로 평가되고 있다. 또한, 천연가스, 석탄의 경우 각각 60 내지 176년, 200년으로 추정된다. 이와 같이, 가장 많이 소비하고 있는 에너지인 석유의 고갈이 예상되는 향후 40년 후에는 타 에너지의 고갈 속도가 더욱 가속화 될 것이다. Recent energy issues are becoming a global concern. There are prospects that cheap fossil fuels that have been used as major energy sources can no longer be cheap energy. For example, the price of crude oil is rising year by year, and experts say that the price of crude oil will gradually increase due to the limit of oil reserves. According to BP statistics, one of the largest energy companies in the world, the years of use (reserves / annual production) of main energy sources currently used by humankind are estimated to be about 40 years for oil and 80 years for oil. For natural gas and coal, it is estimated to be 60 to 176 years and 200 years, respectively. Thus, the depletion rate of other energies will accelerate in the next 40 years, when the depletion of oil, the most consumed energy, is anticipated.

또한, 화석연료는 연소할 때 이산화탄소나 아황산가스 같은 대기오염 물질을 배출하여 환경오염을 유발시킨다. 특히, 이산화탄소는 대기 중에서 온실효과를 일으켜 지구의 온난화를 초래하여 평균온도의 상승, 해수면 상승, 이상기후 등 자연 재앙을 일으키는 원인이 된다. 지구온난화의 주범인 이산화탄소 배출을 규제하기 위하여 1997년 12월 교토의정서를 채택하게 되었고, 2005년 2월 16일 교토의정서가 정식으로 발효되어 이산화탄소 감소 프로그램이 시행되고 있다. 우리나라는 2013년부터 이산화탄소 규제 대상국에 포함되어 이에 대한 대비가 시급한 실정이다.In addition, fossil fuels cause environmental pollution by discharging air pollutants such as carbon dioxide and sulfur dioxide when burning. In particular, carbon dioxide causes greenhouse effect in the atmosphere, causing global warming, which causes natural disasters such as rising average temperature, sea level rise, and abnormal climate. The Kyoto Protocol was adopted in December 1997 to regulate carbon dioxide emissions, the main cause of global warming. On February 16, 2005, the Kyoto Protocol was officially inaugurated and a carbon dioxide reduction program was implemented. Korea is included in the target countries for carbon dioxide regulation from 2013, and it is urgent to prepare for it.

이 같은 상황하에서 인류의 생존을 위해 청정 대체에너지에 대한 개발은 필수적이다. 이를 해결하기 위한 대표적인 대체에너지로 태양에너지, 수력에너지, 풍력에너지, 조력에너지 등이 있으며, 이 중 태양에너지는 공해가 발생하지 않으며, 자원의 무한함 등의 장점이 있어 화석연료로 인한 환경오염과 에너지 문제를 효율적으로 해결할 수 있는 에너지원으로 손꼽히고 있다.
Under these circumstances, the development of clean alternative energy is essential for the survival of mankind. Solar energy, hydro energy, wind energy, and tidal energy are examples of alternative energy to solve this problem. Among them, solar energy does not cause pollution and has advantages such as infinite resource, It is regarded as an energy source that can solve problems efficiently.

태양전지는 태양 에너지를 직접 전기 에너지로 전환시키는 장치를 의미하며,통상적으로 p형과 n형의 반도체를 접합시킨 pn접합형 반도체 구조인 태양 전지를 광노출킴으로써 (+)전기를 가진 전자와 (-)전기를 가진 정공(hole)을 생성시킨 후, 전자와 정공을 각각의 전극으로 이동시켜 기전력을 발생시키는 원리로 작동된다. 현재 태양 전지는 실리콘 태양전지가 발전용으로 가장 많이 사용되고 있지만, 실리콘 태양전지는 제작 비용이 상당히 고가이기 때문에 실용화에 어려움을 겪고 있고, 전지효율을 개선하는데도 많은 어려움이 있다. 이를 해결하기 위하여 제작비용이 현저히 저렴한 염료감응형 태양전지(Dye Sensitized Solar Cell), 유기태양전지, CIGS(Cu(In,Ga)Se2) 박막형 태양전지, Si 박막형 태양전지, CdTe 박막형 태양전지 등의 다양한 태양전지에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
The term "solar cell" refers to a device that converts solar energy directly into electric energy. Typically, a pn junction type semiconductor structure of a p-type and an n-type semiconductor is exposed to a solar cell, And electrons and holes are transferred to the respective electrodes to generate an electromotive force. Currently, silicon solar cells are the most used for power generation, but silicon solar cells are difficult to commercialize because they are expensive to produce, and there are many difficulties in improving battery efficiency. (Dye Sensitized Solar Cell), organic solar cell, CIGS (Cu (In, Ga) Se 2 ) thin film type solar cell, Si thin film type solar cell, CdTe thin film type solar cell etc. And various researches on various solar cells have been actively conducted.

일예로 상기 염료 감응형 태양전지는 광합성원리를 이용한 고효율의 광전기 화학적 태양전지로 표면에 감광성 염료가 부착된 n형 나노입자 반도체 산화물 전극에 가시광선이 흡수되면 염료분자는 전자-홀 쌍을 생성하며 전자는 반도체 산화물의 전도띠로 주입되고, 반도체 산화물의 전극으로 주입된 전자는 나노입자간 계면을 통하여 투명 전도성 막으로 전달되어 전류를 발생시키는 원리로 에너지 변환효율이 실리콘 태양전지에 버금가는 높은 에너지 변환 효율과 함께 매우 저렴한 제조단가로 인하여 세계적으로 많은 연구와 개발이 되고 있다.For example, the dye-sensitized solar cell is a high-efficiency optoelectrochemical solar cell using photosynthesis principle. When visible light is absorbed into an n-type nanoparticle semiconductor oxide electrode having a photosensitive dye attached on its surface, dye molecules generate electron-hole pairs The electrons are injected into the conduction band of the semiconductor oxide and the electrons injected into the electrode of the semiconductor oxide are transferred to the transparent conductive film through the interface between the nanoparticles to generate electric current. The energy conversion efficiency is higher than that of the silicon solar cell Due to its efficiency and very low manufacturing cost, it has become a world-wide research and development.

그러나, 염료감응형 태양전지의 투명 전도성 막으로는 대체로 유리기판이 주로 사용되는데 이러한 유리기판은 특성상 제조된 태양전지를 구부리는 것이 불가능하므로 유연성이 요구되는 응용분야에서는 그 사용이 어려운 문제가 있다.However, as a transparent conductive film of a dye-sensitized solar cell, a glass substrate is generally used. Such a glass substrate can not bend a manufactured solar cell due to its characteristics. Therefore, it is difficult to use the solar cell in applications where flexibility is required.

또한, 최근에는 염료감응형 태양전지에 적용할 수 있는 다양한 재료들이 개발되어 연구가 진행되고 있으나, 현재까지 개발된 염료감응형 태양전지는 단순한 원통형 형상의 염료감응형 태양전지이거나 연질의 소재를 사용하여 구부릴 수 있는 정도의 염료감응형 태양전지 등으로 종래의 염료감응형 태양전기의 형태를 크게 벗어 나지 못하는 실정이다.
Recently, a variety of materials applicable to dye-sensitized solar cells have been developed and studied. However, the dye-sensitized solar cell developed up to now is a simple cylindrical dye-sensitized solar cell or a soft material Sensitive dye-sensitized solar cell to such an extent that the dye-sensitized solar cell can not be largely deviated from the conventional dye-sensitized solar cell.

한편, 대한민국 등록특허 제10-1001547호 (등록일 2010년 12월 09일), 대한민국 공개특허 제10-2008-0085328호 (공개일 2008년 09월 24일), 대한민국 공개특허 제10-2011-0077446 (공개일 2011년 07월 07일) 등에는 섬유형(또는 와이어형) 태양전지 또는 이의 제조방법이 개시된 바 있다. 이러한 섬유형 태양전지는 의류형태로 제조될 수 있는 효과가 있으며, 이외에도 다양한 분야에 적용될 수 있을 것으로 예측되고 있다.
Korean Patent Registration No. 10-1001547 (December 09, 2010), Korean Patent Publication No. 10-2008-0085328 (Published September 24, 2008), Korean Patent Publication No. 10-2011-0077446 (Or a wire type) solar cell or a manufacturing method thereof has been disclosed. Such a fiber type solar cell can be manufactured in the form of clothes, and it is expected that it can be applied to various fields other than the above.

그러나, 상기 선행특허들은 섬유형 기판에 태양전지를 형성시킨 것들로써, 섬유 상에 태양전지를 구성하는 각각의 적층물을 코팅하는 데 어려움이 있으며, 코팅된 적층물의 두께 또한 고르게 형성시키기 어려운 문제점이 있다.
However, the above-mentioned prior arts have a problem that it is difficult to coat each laminate constituting a solar cell on a fiber, in which a solar cell is formed on a fibrous substrate, and a problem that it is difficult to form the thickness of the laminated coating evenly have.

이에, 본 발명자들은 섬유형 태양전지를 제조하는 방법을 연구하던 중, 금속배선을 포함하는 고분자 기판 또는 금속 기판 등의 유연기판 상에 태양전지를 형성시킨 후, 형성된 태양전지를 얇은 섬유형태로 절단하여 섬유형 태양전지를 제조하는 방법을 개발하고, 본 발명을 완성하였다.
Accordingly, the inventors of the present invention have been studying a method of fabricating a fibrous solar cell, in which a solar cell is formed on a flexible substrate such as a polymer substrate including a metal wiring or a metal substrate, and then the formed solar cell is cut into a thin fiber form And a method for manufacturing a fiber type solar cell was developed and the present invention was completed.

본 발명의 목적은 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지를 제공하는 데 있다.
It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a fiber-type solar cell including a metal wiring and a fiber-type solar cell including the metal wiring fabricated thereby.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 In order to achieve the above object,

유연기판 상에 금속배선을 포함하는 대면적 태양전지를 제조하는 단계(단계 1); 및Manufacturing a large area solar cell including metal wiring on a flexible substrate (step 1); And

상기 단계 1에서 제조된 대면적 태양전지를 섬유형태로 절단하는 단계(단계 2)를 포함하는 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지의 제조방법을 제공한다.
And a step of cutting the large area solar cell manufactured in the step 1 into a fiber form (step 2).

본 발명에 따른 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지는 현재 이용되고 있는 태양전지 제조장치를 이용하여 태양전지를 제조한 후, 이를 절단함으로써 손쉽게 섬유형 태양전지를 제조할 수 있어 추가적인 장비설치비용 등의 비용이 들지않아 상대적으로 적은 비용으로 섬유형 태양전지를 제조할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 섬유형 태양전지를 직조함으로써 의류, 커튼, 텐트, 가방 등의 다양한 물품에 적용할 수 있는 효과가 있다.
A method of manufacturing a fiber-type solar cell including a metal wiring according to the present invention, and a fiber-type solar cell including the metal wiring fabricated according to the method of manufacturing the solar cell according to the present invention, The fiber type solar cell can be easily manufactured by cutting it, so that it is possible to manufacture the fibrous type solar cell at a relatively low cost because it does not incur the additional equipment installation cost and the like. Further, the fibrous type solar cell according to the present invention can be applied to various articles such as clothes, curtains, tents, and bags by weaving.

도 1 내지 도 14은 본 발명에 따른 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지의 일예를 개략적으로 나타낸 도면이고;
도 15는 본 발명에 따른 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지를 이용하여 직물을 직조하는 것을 개략적으로 나타낸 도면이고;
도 16은 본 발명에 따른 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지의 사진이고;
도 17은 본 발명에 따른 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지를 직조하여 제조한 반투명 태양전지(직물)의 사진이다.
FIGS. 1 to 14 are schematic views showing an example of a fiber type solar cell including a metal wiring according to the present invention; FIG.
15 is a view schematically showing woven fabrics using a fibrous solar cell including a metal wiring according to the present invention;
16 is a photograph of a fiber type solar cell including a metal wiring according to the present invention;
17 is a photograph of a semi-transparent solar cell (fabric) produced by weaving a fibrous solar cell including a metal wiring according to the present invention.

본 발명은 The present invention

유연기판 상에 금속배선을 포함하는 대면적 태양전지를 제조하는 단계(단계 1); 및Manufacturing a large area solar cell including metal wiring on a flexible substrate (step 1); And

상기 단계 1에서 제조된 대면적 태양전지를 섬유형태로 절단하는 단계(단계 2)를 포함하는 섬유형 태양전지의 제조방법을 제공한다.
And a step (step 2) of cutting the large area solar cell produced in the step 1 into a fiber form.

이하, 본 발명에 따른 섬유형 태양전지의 제조방법을 단계별로 상세히 설명한다.
Hereinafter, a method of fabricating a fibrous solar cell according to the present invention will be described in detail.

본 발명에 따른 섬유형 태양전지의 제조방법에 있어서, 단계 1은 유연기판 상에 금속배선을 포함하는 대면적 태양전지를 제조하는 단계이다. In the method of manufacturing a fibrous solar cell according to the present invention, step 1 is a step of manufacturing a large area solar cell including a metal wiring on a flexible substrate.

단계 1의 상기 유연기판은 고분자 유연기판 또는 금속 유연기판인 것이 바람직하며, 상기 고분자 유연기판으로는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌 설폰(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리이미드 (PI), 에틸렌비닐아세테이트(EVA), 아몰포스폴리에틸렌테레프탈레이트(APET), 폴리프로필렌테레프탈레이트(PPT), 폴리에틸렌테레프탈레이트글리세롤(PETG), 폴리사이클로헥실렌디메틸렌테레프탈레이트(PCTG), 변성트리아세틸셀룰로스(TAC), 사이클로올레핀폴리머(COP), 사이클로올레핀코폴리머(COC), 디시클로펜타디엔폴리머(DCPD), 시클로펜타디엔폴리머(CPD), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리다이메틸실론세인(PDMS), 실리콘수지, 불소수지 및 변성에폭시수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상 고분자를 사용할 수 있다. Preferably, the flexible substrate in step 1 is a polymer flexible substrate or a metal flexible substrate. Examples of the flexible polymer substrate include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene sulfone (PES), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate , Polymethyl methacrylate (PMMA), polyimide (PI), ethylene vinyl acetate (EVA), amorphous polyethylene terephthalate (APET), polypropylene terephthalate (PPT), polyethylene terephthalate glycerol (PETG) (COD), cyclopentadiene polymer (DCPD), cyclopentadiene polymer (CPD), cyclopentadiene polymer (CPD), cyclohexadiene polymer A group consisting of polyarylate (PAR), polyetherimide (PEI), polydimethylsilonane (PDMS), silicone resin, fluororesin and modified epoxy resin More selected one kinds may be used a polymer.

또한, 상기 금속 유연기판은 구리, 니켈, 알루미늄, 철, 크롬, 스테인레스로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 재질인 것이 바람직하나, 상기 금속 유연기판의 재질이 상기 금속들로 제한되는 것은 아니다.
The metal flexible substrate may be at least one metal selected from the group consisting of copper, nickel, aluminum, iron, chromium, and stainless steel. However, the material of the metal flexible substrate is not limited to the metals.

상기 단계 1에서는 유연기판 상에 대면적 태양전지를 제조하며, 이때 대면적이라는 것은 연구목적으로 제조되는 소면적 태양전지 외의 다양한 크기로 제조되는 태양전지를 의미하는 것으로 상기 대면적이라는 표현이 제조되는 태양전지의 크기를 제한함은 아니다.
In the step 1, a large-area solar cell is manufactured on a flexible substrate. The large area means a solar cell manufactured in various sizes other than a small-area solar cell manufactured for research purpose, It does not limit the size of solar cells.

한편, 상기 단계 1의 태양전지로는 유기태양전지 (Oraganic solar cell), 염료감응형 태양전지 (Dye sensitized solar cell), 박막실리콘 태양전지 (Silicon solar cell), CIGS(Cu(In,Ga)Se2) 박막형 태양전지, 카드뮴텔룰라이드(CdTe) 박막태양전지, 양자점(Quantum dot) 태양전지, 하이브리드 태양전지 (Hybrid solar cell) 등이 있다. The solar cell of step 1 may be an organic solar cell, a dye sensitized solar cell, a thin film silicon solar cell, a CIGS (Cu (In, Ga) Se 2 ) thin film solar cells, cadmium telluride (CdTe) thin film solar cells, quantum dot solar cells, and hybrid solar cells.

일예로 CIGS(Cu(In,Ga)Se2), 카드뮴텔룰라이드(CdTe) 등의 박막형 태양전지의 경우, 후면전극, 광흡수층, 버퍼층 투명전극 등을 단계 1의 유연기판 상에 형성시킴으로써 제조되며, 상기 광흡수층으로 사용되는 물질에 따라 CIGS(Cu(In,Ga)Se2) 박막형 태양전지, 카드뮴텔룰라이드(CdTe) 박막태양전지로 구분할 수 있다. 이때, 상기 박막형 태양전지의 제조는 열증착, 스퍼터링 증착, 전기화학증착, 스프레이 코팅, 스핀 코팅, 롤투롤 코팅, 딥코팅, 스크린 프린팅 등의 장치를 이용하여 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.For example, in the case of thin film solar cells such as CIGS (Cu (In, Ga) Se 2 ) and cadmium telluride (CdTe), a back electrode, a light absorbing layer, a buffer layer transparent electrode, , And CIGS (Cu (In, Ga) Se 2 ) thin film solar cells and cadmium telluride (CdTe) thin film solar cells according to the material used as the light absorption layer. At this time, the thin-film solar cell can be manufactured by using a device such as thermal deposition, sputtering deposition, electrochemical deposition, spray coating, spin coating, roll-to-roll coating, dip coating and screen printing, but is not limited thereto .

또한, 염료감응형 태양전지의 경우 투명전극, TiO2 광전극, 상대전극 등을 포함하여 구성될 수 있으며, 이때 전해질로 일반적으로 사용되는 액체전해질의 경우, 누액 등의 문제가 있어 고체 전해질을 사용하는 것이 바람직하며, 고분자 전해질을 사용하는 것이 더욱 바람직하나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 염료감응형 태양전지는 전기화학증착. 스프레이 코팅, 스크린 프린팅 등의 장치를 통해 제조될 수 있으며, 염료감응 태양전지를 제조하는 공지된 기술을 이용하여 제조될 수 있다.
In addition, the dye-sensitized solar cell may include a transparent electrode, a TiO 2 optical electrode, a counter electrode, and the like. In the case of a liquid electrolyte generally used as an electrolyte, there is a problem such as leakage, And it is more preferable to use a polymer electrolyte, but the present invention is not limited thereto. The dye-sensitized solar cell is an electrochemical deposition. Spray coating, screen printing, or the like, and can be manufactured using known techniques for producing dye-sensitized solar cells.

상기한 박막형 태양전지, 염료감응형 태양전지 외에도 양자점(Quantum dot) 태양전지, 하이브리드 태양전지 (Hybrid solar cell) 등을 상기 유연기판 상에 형성시킬 수 있다. 이때, 이러한 태양전지들의 제조공정은 유연기판 상에 태양전지를 형성시킬 수 있는 공지된 방법들을 이용하여 수행될 수 있다.
A quantum dot solar cell, a hybrid solar cell, and the like may be formed on the flexible substrate in addition to the thin film solar cell, the dye sensitized solar cell, and the like. At this time, the manufacturing process of these solar cells can be performed using known methods capable of forming a solar cell on a flexible substrate.

본 발명에 따른 섬유형 태양전지의 제조방법에 있어서, 단계 2는 상기 단계 1에서 제조된 대면적 태양전지를 섬유형태로 절단하는 단계이다. In the method of manufacturing a fibrous solar cell according to the present invention, step 2 is a step of cutting the large area solar cell manufactured in step 1 into a fiber form.

상기 단계 2의 절단은 슬리팅 (slitting) 공정 또는 레이져를 이용하여 수행될 수 있으며,이때 절단되는 태양전지의 폭은 10 내지 50000 μm인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 100 내지 20000 μm인 것이 바람직하다. 절단되는 태양전지의 폭이 10 μm 미만인 경우에는 태양전지의 구조를 유지하기 어렵고, 절단공정을 수행하는 데 어려움이 있는 문제가 있으며, 절단되는 태양전지의 폭이 50000 μm를 초과하는 경우에는 직조에 적합한 섬유형 태양전지를 제조할 수 없는 문제가 있다. The cutting in the step 2 may be performed using a slitting process or a laser, and the width of the solar cell to be cut at this time is preferably 10 to 50,000 mu m, more preferably 100 to 20,000 mu m Do. When the width of the solar cell to be cut is less than 10 μm, it is difficult to maintain the structure of the solar cell and it is difficult to carry out the cutting process. If the width of the solar cell to be cut exceeds 50000 μm, There is a problem that a suitable fiber type solar cell can not be manufactured.

상기 단계 2에서 대면적 태양전지를 섬유형태로 절단함으로써 섬유형 태양전지를 제조할 수 있으며, 이는 종래의 섬유형 기판에 태양전지를 코팅(적층)시켜 제조되었던 종래의 제조방법보다 더욱 간단하게 섬유형 태양전지를 제조할 수 있다.
In the step 2, a large-area solar cell is cut into a fiber shape to produce a fiber-type solar cell. This is because the fiber is more easily fabricated than a conventional manufacturing method in which a solar cell is coated (laminated) Type solar cell can be manufactured.

본 발명은 The present invention

고분자 유연기판/투명전극/N형 전도막/광활성층/P형 전도막/금속전극, Polymer flexible substrate / transparent electrode / N-type conductive film / photoactive layer / P-type conductive film / metal electrode,

고분자 유연기판/투명전극/P형 전도막/광활성층/N형 전도막/금속전극,Polymer flexible substrate / transparent electrode / P-type conductive film / photoactive layer / N-type conductive film / metal electrode,

고분자 유연기판/투명전극/P형 전도막/광활성층/N형 전도막, 또는 Polymer flexible substrate / transparent electrode / P-type conductive film / photoactive layer / N-type conductive film, or

고분자 유연기판/투명전극/N형 전도막/광활성층/P형 전도막의 순으로 순차적으로 적층되어 이루어지되, 금속배선을 포함하는 태양전지를 제조하는 단계(단계 1); 및A step (step 1) of producing a solar cell including a metal flexible wiring substrate, a transparent flexible electrode, a transparent flexible polymer substrate, a transparent flexible polymer substrate, a transparent flexible electrode, an N-type conductive film, a photoactive layer and a P-type conductive film. And

상기 단계 1에서 제조된 태양전지를 금속배선의 길이방향을 따라 절단하는 단계(단계 2)를 포함하는 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지의 제조방법을 제공한다.
And a step of cutting the solar cell manufactured in the step 1 along the longitudinal direction of the metal wiring (step 2).

또한, 본 발명은 In addition,

금속 유연기판/투명전극/N형 전도막/광활성층/P형 전도막, Metal flexible substrate / transparent electrode / N-type conductive film / photoactive layer / P-type conductive film,

금속 유연기판/N형 전도막/광활성층/P형 전도막/투명전극, Metal flexible substrate / N-type conductive film / photoactive layer / P-type conductive film / transparent electrode,

금속 유연기판/투명전극/P형 전도막/광활성층/N형 전도막, Metal flexible substrate / transparent electrode / P-type conductive film / photoactive layer / N-type conductive film,

금속 유연기판/P형 전도막/광활성층/N형 전도막/투명전극,Metal flexible substrate / P-type conductive film / photoactive layer / N-type conductive film / transparent electrode,

금속 유연기판/N형 전도막/광활성층/P형 전도막, 또는 Metal flexible substrate / N-type conductive film / photoactive layer / P-type conductive film, or

금속 유연기판/P형 전도막/광활성층/N형 전도막의 순으로 순차적으로 적층되어 이루어지되, 금속배선을 포함하는 태양전지를 제조하는 단계(단계 1); 및A step (step 1) of manufacturing a solar cell including a metal flexible substrate, a P-type conductive film, a photoactive layer, and an N-type conductive film successively stacked in this order; And

상기 단계 1에서 제조된 태양전지를 금속배선의 길이방향을 따라 절단하는 단계(단계 2)를 포함하는 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지의 제조방법을 제공한다.
And a step of cutting the solar cell manufactured in the step 1 along the longitudinal direction of the metal wiring (step 2).

상기 제조방법들을 통해 제조되는 태양전지의 개략도를 도 1 내지 도 14에 나타내었다.
A schematic view of a solar cell manufactured through the above-described manufacturing methods is shown in Figs.

이하, 본 발명에 따른 상기 섬유형 태양전지의 제조방법들을 상세히 설명한다.
Hereinafter, methods of manufacturing the fiber type solar cell according to the present invention will be described in detail.

유기태양전지는 광활성층이 빛을 흡수하여 전자와 정공이 짝을 이룬 엑시톤(exciton)이 형성되고, 형성된 엑시톤이 확산되어 전자수용체(electron acceptor)와 만나 전자와 정공이 분리됨으로써 전자는 음극(cathode)으로 이동하고 정공은 양극(anode)으로 이동하여 전기를 생산하며, 본 발명의 섬유형 태양전지 제조방법은 대면적 유기태양전지를 제조한 후, 이를 절단하여 섬유상으로 형성시킴으로써 섬유형 태양전지를 제조한다. 이때, 장섬유 태양전지, 즉 길이가 긴 섬유형 태양전지를 제조하는 경우, 길이에 비례하여 저항이 증가함에 따라 에너지 변환효율이 저하될 수 있다.In the organic solar cell, the photoactive layer absorbs light to form an exciton in which electrons and holes are paired. The formed exciton diffuses and meets with an electron acceptor to separate electrons and holes. As a result, And the hole moves to the anode to produce electricity. In the method of manufacturing a fibrous solar cell of the present invention, a large-area organic solar cell is manufactured and then cut into a fibrous shape, . In this case, when a long-fiber solar cell, that is, a long-length fiber-type solar cell is manufactured, the energy conversion efficiency may be lowered as the resistance increases in proportion to the length.

이러한 에너지 변환효율 저하를 방지하고자, 본 발명에 따른 상기 섬유형 태양전지의 제조방법은 금속배선을 포함하는 태양전지를 제조한 후, 금속배선의 길이방향을 따라 태양전지를 절단하여 섬유형 태양전지를 제조한다. 이때, 상기 태양전지는 도 1 내지 도 14에 나타낸 바와 같이, 고분자 유연기판 또는 금속 유연기판 상으로 투명전극, N형 전도막, 광활성층, P형 전도막 및 금속전극을 적절한 순서로 적층하여 제조될 수 있다.
In order to prevent such energy conversion efficiency deterioration, the method for manufacturing a fibrous solar cell according to the present invention comprises the steps of preparing a solar cell including a metal wiring, cutting the solar cell along the longitudinal direction of the metal wiring, . 1 to 14, the solar cell is manufactured by stacking a transparent electrode, an N-type conductive film, a photoactive layer, a P-type conductive film, and a metal electrode in a proper order on a polymer flexible substrate or a metal flexible substrate .

한편, 상기 금속배선은 고분자 유연기판 내부에 매립된 형태로 태양전지에 포함될 수 있다. 태양전지의 제조 시 고분자 유연기판이 사용되는 경우, 상기 금속배선은 고분자 유연기판, 투명전극, N형 전도막, 광활성층, P형 전도막 또는 금속전극의 상부에 구비될 수 있고, 태양전지의 최상부에 구비되어 투명전극 또는 N형 전도막 또는 P형 전도막의 상부에 전극으로써 구비될 수 있다. Meanwhile, the metal wiring may be embedded in the solar cell in a form embedded in the polymer flexible substrate. When a polymer flexible substrate is used in manufacturing a solar cell, the metal wiring may be provided on a polymer flexible substrate, a transparent electrode, an N-type conductive film, a photoactive layer, a P-type conductive film or a metal electrode, And may be provided as an electrode on the upper portion of the transparent electrode, the N-type conductive film, or the P-type conductive film.

또한, 상기 금속배선은 태양전지의 제조 시 금속 유연기판이 사용되는 경우, 태양전지의 최상부에 구비되어 투명전극 또는 N형 전도막 또는 P형 전도막의 상부에 전극으로써 구비될 수 있다.
In addition, when the metal flexible substrate is used in manufacturing the solar cell, the metal wiring may be provided at the top of the solar cell and may be provided as an electrode on the transparent electrode, the N-type conductive film, or the P-type conductive film.

이때, 상기 고분자 유연기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌 설폰(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리이미드 (PI), 에틸렌비닐아세테이트(EVA), 아몰포스폴리에틸렌테레프탈레이트(APET), 폴리프로필렌테레프탈레이트(PPT), 폴리에틸렌테레프탈레이트글리세롤(PETG), 폴리사이클로헥실렌디메틸렌테레프탈레이트(PCTG), 변성트리아세틸셀룰로스(TAC), 사이클로올레핀폴리머(COP), 사이클로올레핀코폴리머(COC), 디시클로펜타디엔폴리머(DCPD), 시클로펜타디엔폴리머(CPD), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리다이메틸실론세인(PDMS), 실리콘수지, 불소수지 및 변성에폭시수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상 고분자 재질인 것이 바람직하다.At this time, the polymer flexible substrate may be formed of at least one selected from the group consisting of polyethylene terephthalate (PET), polyethylene sulfone (PES), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), polyimide (EVA), amorphous polyethylene terephthalate (APET), polypropylene terephthalate (PPT), polyethylene terephthalate glycerol (PETG), polycyclohexylenedimethylene terephthalate (PCTG), modified triacetyl cellulose (TAC) (COP), cycloolefin copolymer (COC), dicyclopentadiene polymer (DCPD), cyclopentadiene polymer (CPD), polyarylate (PAR), polyetherimide (PEI), polydimethylsilane (PDMS), a silicone resin, a fluororesin, and a modified epoxy resin.

또한, 상기 금속 유연기판은 구리, 니켈, 알루미늄, 철, 크롬, 스테인레스로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 재질인 것이 바람직하나, 상기 금속 유연기판의 재질이 상기 금속들로 제한되는 것은 아니다.
The metal flexible substrate may be at least one metal selected from the group consisting of copper, nickel, aluminum, iron, chromium, and stainless steel. However, the material of the metal flexible substrate is not limited to the metals.

또한, 상기 투명전극은 금속산화전도막, 전도성 폴리머, 나노금속와이어, 카본계 박막 등을 사용할 수 있고, 상기 물질이 둘 이상 포함된 혼합물질 등을 사용할 수 있다.The transparent electrode may be a metal oxide conductive film, a conductive polymer, a nano-metal wire, a carbon-based thin film, or the like, or a mixed material containing two or more of the above materials.

이때, 금속산화전도막으로는 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드(IZTO-Ag-IZTO) 및 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO) 등을 사용할 수 있고, 상기 물질이 둘 이상 포함된 혼합물도 사용할 수 있다.At this time, as the metal oxide conductive film, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), aluminum zinc oxide (AZO), indium tin oxide- IZTO-Ag-IZTO), indium zinc oxide-silver-indium zinc oxide (IZO-Ag-IZO), indium zinc tin oxide-silver indium zinc tin oxide AZO-Ag-AZO), and mixtures containing two or more of the above materials may be used.

또한, 전도성 폴리머로는 PEDOT:PSS, 폴리아닐린(PANI) 등을 사용할 수 있으며,As the conductive polymer, PEDOT: PSS, polyaniline (PANI) and the like can be used.

나노금속 와이어로는 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al) 등의 나노와이어를 사용할 수 있고, 상기금속들이 둘 이상 포함된 혼합물도 사용할 수 있고,As the nano metal wire, there may be used a nanowire such as silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), titanium (Ti), aluminum (Al) or the like, ,

카본계 박막으로는 그래핀(graphene), 카본나노튜브(carbon nanotube) 등을 사용할 수 있다.
As the carbon-based thin film, graphene, carbon nanotube, or the like can be used.

상기 N형 전도막은 산화아연(ZnO), 산화티타늄(TiO2) 및 탄산세슘(Cs2CO3) 등을 사용할 수 있으며, 일예로 상기 산화아연 전도막은 스퍼터링법으로 박막을 증착하여 형성시킬 수 있으며, 또한 아연 아세테이트(Zinc acetate), 2-메톡시에탄올(2-Methoxyethanol) 및 에탄올아민(ethanolamine)으로 이루어진 혼합용액을 코팅한 후, 열처리하여 제조할 수 있다. 또한, 상기 산화티타늄 전도막은 스퍼터링법으로 박막을 증착하여 형성시킬 수 있으며, 또한 티타늄 이소프로프옥사이드(Ti[OCH(CH3)2]4), 2-메톡시에탄올(2-Methoxyethanol) 및 에탄올아민(ethanolamine)으로 이루어진 혼합용액을 코팅한 후, 열처리하여 제조될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
The N-type conductive film may be formed of zinc oxide (ZnO), titanium oxide (TiO 2 ), cesium carbonate (Cs 2 CO 3 ), or the like. For example, the zinc oxide conductive film may be formed by depositing a thin film by a sputtering method And a mixed solution of zinc acetate, 2-methoxyethanol, and ethanolamine, followed by heat treatment. The titanium oxide conductive film may be formed by depositing a thin film by a sputtering method, and titanium isopropoxide (Ti [OCH (CH 3 ) 2 ] 4 ), 2-methoxyethanol, (ethanolamine), followed by heat treatment, but the present invention is not limited thereto.

상기 광활성층은 전자주게 물질(electron donor)과 전자받게 물질(electron acceptor)을 적절하게 혼합하고 스핀코팅한 후 열처리함으로써 제조할 수 있으며, 전하 이동이 효율적으로 이루어지는 이중연속상 상호침투 망상형 고분자 복합막으로 제조되는 것이 바람직하다. The photoactive layer may be prepared by appropriately mixing an electron donor and an electron acceptor, spin-coating the mixture, and then heat-treating the mixture. The photoactive layer may include a double-shear interpenetrating network polymer composite membrane .

이때, 상기 전자주게 물질로는 폴리티오팬 유도체, 폴리(파라-페닐렌) 유도체, 폴리 플로렌 유도체, 폴리아세틸렌 유도체, 폴리피롤 유도체, 폴리비닐카바졸 유도체, 폴리아닐린 유도체, 폴리페닐렌비닐렌 유도체 등을 사용할 수 있고, Examples of the electron donor material include polythiophene derivatives, poly (para-phenylene) derivatives, polyfluorene derivatives, polyacetylene derivatives, polypyrrole derivatives, polyvinylcarbazole derivatives, polyaniline derivatives, polyphenylene vinylene derivatives , ≪ / RTI >

전자받게 물질로는 플러렌(C60 플러렌 및 C70 플러렌) 및 3,4,9,10-페릴렌테트라카복실 비스벤즈이미다졸(3,4,9,10-perylenetetracarboxylic bisbenzimidazole, PTCBI)과 같은 유기계 전자친화성 재료 및 이의 유도체 등을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
Examples of electron accepting materials include organic electron affinity compounds such as fullerene (C60 fullerene and C70 fullerene) and 3,4,9,10-perylene tetracarboxylic bisbenzimidazole (PTCBI) Materials and derivatives thereof, but are not limited thereto.

상기 금속전극은 리튬플로라이드와 알루미늄 적층(LiF/Al), 칼슘과 알루미늄 적층(Ca/Al), 칼슘과 은 적층(Ca/Ag), 마그네슘과 은 적층(Mg/Ag), 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 구리 (Cu) 등을 사용할 수 있고, 상기 물질이 둘 이상 포함된 혼합물도 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
The metal electrode may be formed of a material selected from the group consisting of lithium fluoride and aluminum laminate (LiF / Al), calcium and aluminum laminate (Ca / Al), calcium and silver laminate (Ca / Ag), magnesium and silver laminate (Mg / Ag) Silver (Ag), gold (Au), copper (Cu) or the like may be used, and mixtures containing two or more of the above materials may be used.

상기 금속배선은 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 철(Fe) 등의 전도성 금속을 사용할 수 있고, 2종 이상의 전도성 금속을 혼합하여 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
The metal wiring may be a conductive metal such as silver (Ag), copper (Cu), gold (Au), aluminum (Al), nickel (Ni), chromium (Cr), iron (Fe) The conductive metal may be used in combination, but is not limited thereto.

본 발명에 따른 섬유형 태양전지 제조방법에 있어서, 상기 단계 2의 절단은 슬리팅 (slitting) 공정 또는 레이져를 이용하여 수행될 수 있으며, 이때 절단되는 태양전지의 폭은 10 내지 50000 μm인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 100 내지 20000 μm인 것이 바람직하다. 절단되는 태양전지의 폭이 10 μm 미만인 경우에는 태양전지의 구조를 유지하기 어렵고, 절단공정을 수행하는 데 어려움이 있는 문제가 있으며, 절단되는 태양전지의 폭이 50000 μm를 초과하는 경우에는 섬유형 태양전지로 제조할 수 없는 문제가 있다.
In the method of manufacturing a fibrous solar cell according to the present invention, the cutting in the step 2 may be performed using a slitting process or a laser, and the width of the solar cell to be cut at this time is preferably 10 to 50000 m More preferably 100 to 20000 mu m. When the width of the solar cell to be cut is less than 10 μm, it is difficult to maintain the structure of the solar cell and it is difficult to perform the cutting process. When the width of the solar cell to be cut exceeds 50000 μm, There is a problem that it can not be manufactured by a solar cell.

또한, 본 발명은 상기 제조방법으로 제조되는 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지를 제공한다.
In addition, the present invention provides a fibrous solar cell including a metal wiring fabricated by the above manufacturing method.

본 발명에 따른 섬유형 태양전지는 유연기판 상에 일반적인 태양전지 제조공정을 통해 금속배선을 포함하는 태양전지를 제조한 후, 제조된 태양전지를 섬유형태로 절단함으로써 제조되며, 절단장비 외에 별도의 장비설치 비용이 요구되지 않아 종래의 섬유형 태양전지보다 더욱 낮은 공정비용으로 제조될 수 있다. 또한, 제조된 태양전지는 금속배선을 포함함에 따라, 장섬유 형태로 제조되더라도 저항에 따른 에너지 변환효율 저하를 방지할 수 있어 더욱 우수한 에너지 변환효율을 나타낼 수 있다. The fiber type solar cell according to the present invention is manufactured by manufacturing a solar cell including a metal wiring through a general solar cell manufacturing process on a flexible substrate, cutting the manufactured solar cell into a fiber form, The equipment installation cost is not required, so that it can be manufactured at a lower processing cost than conventional fiber type solar cells. In addition, since the manufactured solar cell includes a metal wiring, even if the solar cell is manufactured into a long fiber form, deterioration of energy conversion efficiency due to resistance can be prevented, and more excellent energy conversion efficiency can be exhibited.

이때, 상기 섬유형 태양전지는 유기태양전지(organic solar cell), 염료감응형 태양전지 (Dye sensitized solar cell), 박막실리콘 태양전지 (Silicon solar cell), CIGS(Cu(In,Ga)Se2) 박막형 태양전지, 카드뮴텔룰라이드(CdTe) 박막태양전지, 양자점(Quantum dot) 태양전지, 하이브리드 태양전지 (Hybrid solar cell) 등이 적용될 수 있으며, 유연기판 상에 적용할 수 있는 모든 태양전지를 적용할 수 있다.
The fiber type solar cell may be an organic solar cell, a dye sensitized solar cell, a silicon solar cell, CIGS (Cu (In, Ga) Se 2 ) Thin film solar cells, cadmium telluride (CdTe) thin film solar cells, quantum dot solar cells, hybrid solar cells, etc., and all solar cells applicable to flexible substrates .

이때, 상기 섬유형 태양전지의 폭은 10 내지 50000 μm인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 100 내지 20000 μm인 것이 바람직하다. At this time, the width of the fibrous solar cell is preferably 10 to 50,000 mu m, more preferably 100 to 20000 mu m.

또한 상기 섬유형 태양전지의 두께는 10 내지 5000 μm인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 50 내지 2000 μm인 것이 바람직하다.The thickness of the fibrous solar cell is preferably 10 to 5000 μm, more preferably 50 to 2000 μm.

예를 들어, 도 1 내지 도 14에 나타낸 바와 같이 태양전지를 제조한 후, 제조된 태양전지를 섬유형태로 절단함으로써 섬유형 태양전지를 제조할 수 있으며, 절단된 태양전지의 폭이 10 μm 미만인 경우에는 태양전지의 구조를 유지하기 어렵고, 절단공정을 수행하는 데 어려움이 있는 문제가 있으며, 절단되는 태양전지의 폭이 50000 μm를 초과하는 경우에는 절단된 태양전지를 섬유형태라고 표현할 수 없는 문제가 있다. For example, as shown in FIGS. 1 to 14, a solar cell may be manufactured, and then the solar cell may be cut into a fiber form to produce a fibrous solar cell. In the case where the width of the cut solar cell is less than 10 μm It is difficult to maintain the structure of the solar cell and it is difficult to perform the cutting process. When the width of the solar cell to be cut exceeds 50000 μm, the cut solar cell can not be expressed as a fiber form .

또한, 상기 태양전지의 높이가 10 μm 미만인 경우에는 두께가 얇은 유연기판을 이용하여 태양전지를 제조하기가 어려우며 그 결과 태양전지의 효율이 저하되는 문제가 있고, 태양전지의 높이가 5000 μm를 초과하는 경우에는 과도하게 두께운 후막으로 태양전지가 제조됨에 따라 섬유형 태양전지로 제조될 수 없는 문제가 있다.
In addition, when the height of the solar cell is less than 10 μm, it is difficult to manufacture a solar cell using a flexible substrate having a small thickness. As a result, there is a problem that the efficiency of the solar cell is lowered. There is a problem that a solar cell can not be manufactured using a fibrous solar cell because the solar cell is manufactured with an excessively thick thick film.

이때, 상기 섬유형 태양전지의 폭 및 두께는 본 발명에 따른 섬유형 태양전지로 적용될 수 있는 모든 태양전지들에도 적용되는 부분이다.
At this time, the width and the thickness of the fibrous solar cell are also applicable to all the solar cells applicable to the fibrous solar cell according to the present invention.

나아가, 본 발명은 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지를 직조하여 제조되는 직물을 제공한다.
Furthermore, the present invention provides a fabric produced by weaving a fibrous solar cell comprising a metal wiring.

상기 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지는 섬유형태로 존재하여 일반적인 섬유들과 마찬가지로 직조하는 것이 가능하며, 도 15에 개략적으로 나타낸 바와 같이 광발전이 가능한 직물로 제조될 수 있다. The fibrous solar cell including the metal wiring exists in a fiber form and can be woven in the same manner as ordinary fibers, and can be fabricated as a photovoltaic fabric as schematically shown in Fig.

이때, 상기 섬유형 태양전지를 직조하여 제조되는 직물은 다양한 형태로 응용될 수 있으며, 특히 의류, 커튼, 텐트, 가방 등을 제조하는 데 이용될 수 있다.
At this time, the fabrics fabricated by weaving the fibrous solar cells can be applied in various forms, and in particular, can be used for manufacturing clothes, curtains, tents, bags, and the like.

이하, 본 발명을 실시예를 통해 보다 구체적으로 설명한다. 그러나, 하기 실시예는 본 발명을 설명하기 위한 것일 뿐, 하기 실시예에 의하여 본 발명의 권리범위가 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described more specifically by way of examples. However, the following examples are intended to illustrate the present invention, but the scope of the present invention is not limited by the following examples.

<실시예 1> 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지의 제조 1 &Lt; Example 1 > Preparation of a fibrous solar cell including metal wiring 1

도 1에 나타낸 형태로 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지를 제조하였으며, 상기 섬유형 태양전지의 제조공정은 하기와 같다.
A fiber type solar cell including a metal wiring was manufactured in the form shown in FIG. 1, and the fabrication process of the fiber type solar cell is as follows.

단계 1 : 유리기판을 아세톤과 이소프로필알콜을 이용하여 세정한 후, 기판 표면을 친수성으로 개질하기 위하여 O2 플라즈마 처리(공정조건: 1 sccm의 O2 가스, 10 mTorr의 공정 압력, 500 W의 DC power에서 300 초간 처리)를 수행하였다. 이후, 증류수에 10 중량%의 농도인 폴리비닐알콜(PVA, 분자량: 90,000 ~ 120,000, 99%, Sigma-Aldrich)을 10 중량%의 농도로 첨가하여 폴리비닐알콜 용액을 제조하였으며, 이를 상기 유리 기판상에 스핀코팅 공정(1000 rpm으로 60초 수행)을 통하여 코팅하였다. 코팅이 완료된 후 90 ℃의 hot-plate에서 5분간 열처리하여 약 700 nm 두께의 희생층을 형성하였다.
Step 1: After cleaning the glass substrate with acetone and isopropyl alcohol, O 2 plasma treatment (process condition: 1 sccm of O 2 gas, 10 mTorr process pressure, 500 W of DC power for 300 seconds). Then, a polyvinyl alcohol solution (PVA, molecular weight: 90,000 to 120,000, 99%, Sigma-Aldrich) at a concentration of 10% by weight was added to distilled water at a concentration of 10% by weight to prepare a polyvinyl alcohol solution. Lt; / RTI &gt; was coated through a spin coating process (performed at 1000 rpm for 60 seconds). After the coating was completed, a sacrifice layer having a thickness of about 700 nm was formed by heat treatment at 90 ° C for 5 minutes on a hot plate.

단계 2 : 그라비아 오프셋(Gravure Offset) 프린팅 장비를 이용하여 상기 단계 1에서 형성된 희생층 상부로 Ag paste(silver nano paste DGP, 나노신소재(ANP))를 코팅함으로써 20 μm의 선폭 및 1000 μm의 간격을 가지는 Ag 배선을 형성하였고, 형성된 배선을 200 ~ 300 ℃의 온도인 hot-plate에서 1시간 열처리 하였다. 열처리 후 Ag 배선의 두께는 약 1 ~ 5 μm를 나타내었다.
Step 2: Gravure Offset By coating Ag paste (silver nano paste DGP, Nano Advanced Material (ANP)) on the sacrificial layer formed in step 1 above using a printing machine, a line width of 20 μm and a gap of 1000 μm Ag wires were formed and the formed wires were heat-treated in a hot-plate at a temperature of 200 to 300 ° C for 1 hour. The thickness of Ag wire after annealing was about 1 ~ 5 μm.

단계 3 : 상기 단계 2에서 형성된 Ag 배선 상부로 열경화성 투명 폴리이미드 (Polyimide)를 닥터블레이딩 (Doctor blading) 방법을 이용하여 일정한 두께를 가지는 액체상태의 막으로 코팅하였으며, 150 ~ 250 ℃의 온도인 hot-plate에서 경화시킴으로써 10 ~ 500 μm 두께를 가지는 필름을 제작하였다.
Step 3: A thermosetting transparent polyimide was coated on the Ag wiring formed in the step 2 with a liquid film having a constant thickness using a Doctor blading method, and a temperature of 150 to 250 ° C The film was cured at a hot plate to produce a film having a thickness of 10 to 500 μm.

단계 4 : 상기 단계 1에서 형성된 희생층을 물에 녹여 제거함으로써 상기 단계 3에서 제조된 필름과 기판을 분리하였고, 금속배선(Ag)이 함몰된 유연 기판을 제조하였다.
Step 4: The film produced in step 3 was separated from the substrate by dissolving the sacrificial layer formed in step 1 in water, and a flexible substrate having a metal wiring (Ag) embedded therein was prepared.

단계 5 : 상기 단계 4에서 형성된 금속배선(Ag)이 함몰된 유연 기판 상부에 인듐틴옥사이드(ITO) 타겟을 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering) 방법으로 ITO 투명전극을 증착하였고, 금속 배선이 결합된 투명전극 기판을 제조하였다. 이때, 상기 증착은 2.4E-6 torr의 초기 진공도, 1.2E-3 torr의 공정 압력, 30 sccm의 아르곤 가스 및 0.3 sccm의 산소 가스를 주입하였고, 0.25 kV의 DC 와 50 W의 RF 파워를 인가하여 수행하였으며, 이를 통해 10 ~ 150 nm 두께를 가지는 투명전극을 형성하였다.
Step 5: An indium tin oxide (ITO) target was deposited on the flexible substrate having the metal wiring (Ag) formed therein in the step 4 by magnetron sputtering to form an ITO transparent electrode, Substrate. At this time, the deposition was performed by injecting an initial vacuum of 2.4E-6 torr, a process pressure of 1.2E-3 torr, an argon gas of 30 sccm and an oxygen gas of 0.3 sccm, and applying 0.25 kV of DC and 50 W of RF power And a transparent electrode having a thickness of 10 to 150 nm was formed.

단계 6 : 상기 투명전극(ITO) 상부에 ZnO를 타겟을 사용하여 진공 스퍼터링 공정(공정 조건; RF 파워 : 100 W, 아르곤(Ar) 30 sccm 공급, 공정압력 : 1.0 × 10-3 Torr)을 수행하여 5 ~ 50 nm 두께의 N형 ZnO 전도막을 증착시켰다.
Step 6: Vacuum sputtering using ZnO as a target on the transparent electrode (ITO) N-type ZnO conduction films having a thickness of 5 to 50 nm were deposited by performing a process (process conditions: RF power: 100 W, supply of argon (Ar) at 30 sccm, process pressure : 1.0 × 10 -3 Torr)

단계 7 : 1,2-디클로로벤젠 (1,2-dichlorobenzene) 1 mL에 poly[4,8-bis-substituted-benzo[1,2-b:4,5-b0]dithiophene-2,6-diyl-alt-4-substituted-thieno[3, 4-b]thiophene-2,6-diyl] (PBDTTT) 및 [6, 6]-phenyl-C71 butyric acid methyl ester (PC70BM)를 각각 10 mg씩 혼합하여 녹인 후, 이를 스프레이 코팅하여 상기 단계 6에서 제조된 ZnO 전도막 상부에 50 ~ 250 nm 두께의 광활성층을 제조하였다.
Step 7: To a solution of poly [4,8-bis-substituted-benzo [1,2-b: 4,5-b0] dithiophene-2,6-diyl in 1,2-dichlorobenzene (PBDTTT) and [6, 6] -phenyl-C71 butyric acid methyl ester (PC70BM) were mixed in an amount of 10 mg each, After spraying, the photoactive layer having a thickness of 50 to 250 nm was formed on the ZnO conductive layer prepared in the step 6.

단계 8 : 상기 광활성층 박막 상부에 스프레이 코팅 공정을 통하여 10 ~ 40 nm 두께의 PEDOT:PSS 전도막을 제조하였다.
Step 8: A PEDOT: PSS conductive film having a thickness of 10 to 40 nm was formed on the photoactive layer by spray coating.

단계 9 : 상기 단계 8에서 제조된 PEDOT:PSS 전도막 상부에 진공 열증착기를 이용하여 은(Ag)를 3 - 4 Å/sec 속도로 증착하여 100 nm 두께인 금속전극을 형성시킴으로써 유기태양전지를 제조하였다.
Step 9: Silver (Ag) was deposited at a rate of 3 - 4 Å / sec on the PEDOT: PSS conductive film prepared in the above step 8 using a vacuum thermal evaporator to form a metal electrode having a thickness of 100 nm, .

단계 10 : 상기 단계 9에서 제조된 유기태양전지를 1000 μm의 폭으로 절단하여 섬유형 태양전지를 제조하였으며, 이때 상기 절단은 슬리팅(slitting) 공정을 사용하여 수행하였다. Step 10: The organic solar cell prepared in the step 9 was cut to a width of 1000 μm to prepare a fibrous solar cell. The cutting was performed using a slitting process.

실시예 1의 단계 9에서 제조된 유기태양전지와, 단계 10의 절단을 통해 제조된 섬유형 태양전지의 사진을 도 16에 나타내었다.
FIG. 16 shows photographs of the organic solar cell produced in step 9 of Example 1 and the fibrous solar cell produced by cutting the step 10.

<실시예 2> 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지의 제조 2&Lt; Example 2 > Fabrication of a fibrous solar cell including a metal wiring 2

실시예 1의 단계 10에서 유기태양전지를 500 μm의 폭으로 절단하여 섬유형 태양전지를 제조하는 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하게 수행하여 섬유형 태양전지를 제조하였다.
A fibrous solar cell was produced in the same manner as in Example 1, except that the organic solar cell was cut into a width of 500 mu m in step 10 of Example 1 to prepare a fibrous solar cell.

<실시예 3> 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지의 제조 3&Lt; Example 3 > Fabrication of fiber type solar cell including metal wiring 3

도 9에 나타낸 형태로 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지를 제조하였으며, 상기 섬유형 태양전지의 제조공정은 하기와 같다.
A fiber type solar cell including a metal wiring in the form shown in FIG. 9 was fabricated, and the fabrication process of the fiber type solar cell is as follows.

단계 1 : 알루미늄(Al) 유연기판 상부로 인듐틴옥사이드(ITO) 타겟을 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering) 방법으로 ITO 투명전극을 증착하였다. 이때, 상기 증착은 2.4E-6 torr의 초기 진공도, 1.2E-3 torr의 공정 압력, 30 sccm의 아르곤 가스 및 0.3 sccm의 산소 가스를 주입하였고, 0.25 kV의 DC 와 50 W의 RF 파워를 인가하여 수행하였으며, 이를 통해 10 ~ 150 nm 두께를 가지는 투명전극을 형성하였다.
Step 1: An indium tin oxide (ITO) target was deposited on an aluminum (Al) flexible substrate by a magnetron sputtering method to deposit an ITO transparent electrode. At this time, the deposition was performed by injecting an initial vacuum of 2.4E-6 torr, a process pressure of 1.2E-3 torr, an argon gas of 30 sccm and an oxygen gas of 0.3 sccm, and applying 0.25 kV of DC and 50 W of RF power And a transparent electrode having a thickness of 10 to 150 nm was formed.

단계 2 : 상기 투명전극(ITO) 상부에 ZnO를 타겟을 사용하여 진공 스퍼터링 공정(공정 조건; RF 파워 : 100 W, 아르곤(Ar) 30 sccm 공급, 공정압력 : 1.0 × 10-3 Torr)을 수행하여 5 ~ 50 nm 두께의 N형 ZnO 전도막을 증착시켰다.
Step 2: A vacuum sputtering process (process condition: RF power: 100 W, supply of argon (Ar) of 30 sccm, process pressure: 1.0 x 10 -3 Torr) was performed using ZnO as a target on the transparent electrode To form a 5 to 50 nm thick N-type ZnO conducting film.

단계 3 : 상기 광활성층 박막 상부에 스프레이 코팅 공정을 통하여 10 ~ 40 nm 두께의 PEDOT:PSS 전도막을 제조하였다.
Step 3: A PEDOT: PSS conductive film having a thickness of 10 to 40 nm was formed on the photoactive layer by spray coating.

단계 4 : 상기 광활성층 박막 상부에 스프레이 코팅 공정을 통하여 10 ~ 40 nm 두께의 PEDOT:PSS 전도막을 제조하였다.
Step 4: A PEDOT: PSS conductive film having a thickness of 10 to 40 nm was formed on the photoactive layer by spray coating.

단계 5 : 상기 단계 8에서 제조된 PEDOT:PSS 전도막 상부에 진공 열증착기를 이용하여 은(Ag)를 3 - 4 Å/sec 속도로 증착하여 100 nm의 두께를 가지며, 20 μm의 선폭 및 1000 μm의 간격을 가지는 금속배선을 형성시킴으로써 유기태양전지를 제조하였다.
Step 5: Silver (Ag) was vapor deposited at a rate of 3 - 4 Å / sec on the PEDOT: PSS conductive film prepared in the above step 8 to have a thickness of 100 nm, a line width of 20 μm and a line width of 1000 thereby forming an organic solar cell.

단계 6 : 상기 단계 9에서 제조된 유기태양전지를 1000 μm의 폭으로 절단하여 섬유형 태양전지를 제조하였으며, 이때 상기 절단은 슬리팅(slitting) 공정을 사용하여 수행하였다.
Step 6: The organic solar cell prepared in the above step 9 was cut into a width of 1000 μm to fabricate a fibrous solar cell, wherein the cutting was performed using a slitting process.

<실시예 4> 금속배선을 포함하는 섬유형 태양전지의 제조 4&Lt; Example 4 > Fabrication of fiber type solar cell including metal wiring 4

실시예 3의 단계 6에서 유기태양전지를 500 μm의 폭으로 절단하여 섬유형 태양전지를 제조하는 것을 제외하고, 실시예 3과 동일하게 수행하여 섬유형 태양전지를 제조하였다.
A fibrous solar cell was prepared in the same manner as in Example 3, except that the organic solar cell was cut into a width of 500 μm in step 6 of Example 3 to prepare a fibrous solar cell.

<실시예 5> 섬유형 태양전지의 직조&Lt; Example 5 > Weaving of fiber type solar cell

상기 실시예 1에서 제조된 섬유형 태양전지를 직조하여 직물을 제조하였으며, 제조된 직물의 사진을 도 13에 나타내었다.
The fabricated solar cell fabricated in Example 1 was woven to produce a fabric, and a photograph of the fabric was shown in FIG.

<비교예 1> 섬유형 유기태양전지의 제조 1&Lt; Comparative Example 1 > Preparation of fibrous organic solar cell 1

단계 1 : 투명폴리이미드 유연 기판 위에 인듐틴옥사이드(ITO) 타겟을 이용하여 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering)법으로 ITO 투명전극을 증착하여 투명전극 기판을 제조하였다. 이때, 상기 증착은 2.4E-6 torr의 초기 진공도, 1.2E-3 torr의 공정 압력, 30 sccm의 아르곤 가스 및 0.3 sccm의 산소 가스를 주입하였고, 0.25 kV의 DC 와 50 W의 RF 파워를 인가하여 수행하였으며, 이를 통해 10 ~ 150 nm 두께를 가지는 투명전극을 형성하였다.
Step 1: An ITO transparent electrode was deposited on a transparent polyimide flexible substrate by magnetron sputtering using an indium tin oxide (ITO) target to prepare a transparent electrode substrate. At this time, the deposition was performed by injecting an initial vacuum of 2.4E-6 torr, a process pressure of 1.2E-3 torr, an argon gas of 30 sccm and an oxygen gas of 0.3 sccm, and applying 0.25 kV of DC and 50 W of RF power And a transparent electrode having a thickness of 10 to 150 nm was formed.

단계 2 : 상기 단계 1에서 제조된 투명전극(ITO) 상부에 ZnO를 타겟을 사용하여 진공 스퍼터링 공정(공정 조건; RF 파워 : 100 W, 아르곤(Ar) 30 sccm 공급, 공정압력 : 1.0 × 10-3 Torr)을 수행하여 5 ~ 50 nm 두께의 N형 ZnO 전도막을 증착시켰다.
Step 2: ZnO is sputtered on the transparent electrode (ITO) prepared in the step 1 by vacuum sputtering N-type ZnO conduction films having a thickness of 5 to 50 nm were deposited by performing a process (process conditions: RF power: 100 W, supply of argon (Ar) at 30 sccm, process pressure : 1.0 × 10 -3 Torr)

단계 3 : 1,2-디클로로벤젠 (1,2-dichlorobenzene) 1 mL에 poly[4,8-bis-substituted-benzo[1,2-b:4,5-b0]dithiophene-2,6-diyl-alt-4-substituted-thieno[3, 4-b]thiophene-2,6-diyl] (PBDTTT) 및 [6, 6]-phenyl-C71 butyric acid methyl ester (PC70BM)를 각각 10 mg씩 혼합하여 녹인 후, 스프레이 코팅 공정을 통하여 상기 단계 2에서 제조된 ZnO 전도막 위에 50 ~ 250 nm 두께의 광활성층을 제조하였다.
Step 3: To a solution of poly [4,8-bis-substituted-benzo [1,2-b: 4,5-b0] dithiophene-2,6-diyl in 1,2- dichlorobenzene (PBDTTT) and [6, 6] -phenyl-C71 butyric acid methyl ester (PC70BM) were mixed in an amount of 10 mg each, After the dissolution, a photoactive layer having a thickness of 50 to 250 nm was formed on the ZnO conductive film prepared in the step 2 through a spray coating process.

단계 4 : 상기 단계 3에서 제조된 광활성층 상부에 스프레이 코팅 공정을 통하여 10 ~ 40 nm 두께인 PEDT:PSS 전도막을 제조하였다.
Step 4: A PEDT: PSS conductive film having a thickness of 10 to 40 nm was prepared by spray coating on the photoactive layer prepared in step 3 above.

단계 5 : 상기 단계 4에서 제조된 PEDOT:PSS 전도막 위에 진공 열증착기를 이용하여 은(Ag)를 3 - 4 Å/sec 속도로 증착하여 100 nm 두께인 금속전극을 형성시킴으로써 유기태양전지를 제조하였다.
Step 5: Ag (Ag) was deposited on the PEDOT: PSS conductive film prepared in the above step 4 at a rate of 3 - 4 Å / sec using a vacuum thermal evaporator to form a metal electrode having a thickness of 100 nm, Respectively.

단계 6 : 상기 단계 5에서 제조된 유기태양전지를 1000 μm의 폭으로 절단하여 섬유형 태양전지를 제조하였으며, 이때 상기 절단은 슬리팅(slitting) 공정을 사용하여 수행하였다.
Step 6: The organic solar cell prepared in the step 5 was cut to a width of 1000 m to fabricate a fibrous solar cell, wherein the cutting was performed using a slitting process.

<비교예 2> 섬유형 유기태양전지의 제조 2&Lt; Comparative Example 2 > Production of fibrous organic solar cell 2

상기 비교예 1의 단계 6에서 유기태양전지를 500 μm의 폭으로 절단하여 섬유형 태양전지를 제조하는 것을 제외하고, 비교예 1과 동일하게 수행하여 섬유형 유기태양전지를 제조하였다.
A fibrous organic solar cell was prepared in the same manner as in Comparative Example 1, except that the organic solar cell was cut into a width of 500 μm in Step 6 of Comparative Example 1 to prepare a fibrous solar cell.

<실험예 1> 에너지 변환효율 측정<Experimental Example 1> Measurement of energy conversion efficiency

본 발명에 따른 실시예 1 및 2에서 제조된 섬유형 유기태양전지와 비교예 1 및 2에서 제조된 섬유형 유기태양전지의 개방전압(V), 광전류밀도(mA/cm2) 및 에너지 변환효율을 측정하기 위하여 Keithley SMU2410 및 AM1.5 100 mW/cm2의 솔라 시뮬레이터(Pecell Technologies Inc., PEC-L11 model)를 이용하여 상기 유기태양전지들을 분석하였으며, 상기 분석의 결과를 하기 표 1에 나타내었다. 이때 소자의 광변환효율 측정 시, 금속전극에 의해서 가려지는 부분을 제외한 실제로 광흡수층에 조사되는 면적을 사용하여 섬유형 태양전지의 효율을 측정하였다.
Open voltage (V), photocurrent density (mA / cm 2 ), and energy conversion efficiency of the fibrous organic solar cell manufactured in Examples 1 and 2 and the fibrous organic solar cells prepared in Comparative Examples 1 and 2 according to the present invention a using a Keithley SMU2410 and AM1.5 100 mW / cm 2 solar simulator (Pecell Technologies Inc., PEC-L11 model) in order to measure the organic solar battery were analyzed, represented in the result of the analysis in Table 1 . At this time, in measuring the light conversion efficiency of the device, the efficiency of the fiber type solar cell was measured using the area actually irradiated to the light absorption layer except for the portion covered by the metal electrode.

단락전류밀도
(mA/cm2)
Short circuit current density
(mA / cm 2 )
개방전압
(V)
Open-circuit voltage
(V)
곡선인자
(%)
Curve factor
(%)
변환효율
(%)
Conversion efficiency
(%)
실시예 1Example 1 11.3511.35 0.750.75 5353 4.54.5 실시예 2Example 2 11.3711.37 0.750.75 5454 4.64.6 비교예 1Comparative Example 1 7.167.16 0.740.74 4545 2.52.5 비교예 2Comparative Example 2 6.906.90 0.740.74 4848 2.42.4

표 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예 1 및 2에서 제조된 섬유형 태양전지는 금속배선을 포함함에 따라, 금속배선을 포함하지 않는 비교예 1 및 2에서 제조된 섬유형 태양전지보다 더욱 높은 에너지 변환효율을 나타내는 것을 알 수 있다. 이를 통해, 본 발명에 따른 섬유형 태양전지가 금속배선을 포함하여 우수한 에너지 변환효율을 나타냄을 확인하였다.
As shown in Table 1, the fibrous solar cells prepared in Examples 1 and 2 according to the present invention had metal wirings, and thus, compared with the fibrous solar cells prepared in Comparative Examples 1 and 2 The higher energy conversion efficiency can be obtained. Thus, it was confirmed that the fiber type solar cell according to the present invention exhibits excellent energy conversion efficiency including metal wiring.

Claims (27)

유연기판 상에 복수개의 장섬유형태 금속배선을 포함하는 대면적 태양전지를 제조하는 단계(단계 1); 및
상기 단계 1에서 제조된 대면적 태양전지에 있어서, 금속배선의 길이방향을 따라, 각각의 금속배선 사이를 절단하여 폭이 10 내지 50000 μm이며 금속배선을 포함하는 장섬유형태 태양전지 복수개를 제조하는 단계(단계 2); 및
상기 단계 2의 장섬유형태 태양전지들을 직조하여 직물형태의 태양전지를 제조하는 단계(단계 3)를 포함하는 태양전지 직물의 제조방법.
Fabricating a large area solar cell comprising a plurality of long-fiber type metal wiring on a flexible substrate (step 1); And
In the large area solar cell produced in the step 1, a plurality of long-fiber type solar cells each having a width of 10 to 50000 m and a metal wiring are cut along the longitudinal direction of the metal wiring, Step (step 2); And
(Step 3) of fabricating long-fiber type solar cells of step 2 and fabricating a solar cell in the form of a fabric (step 3).
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 유연기판은 고분자 유연기판 또는 금속 유연기판인 것을 특징으로 하는 태양전지 직물의 제조방법.
2. The method of claim 1, wherein the flexible substrate of step 1 is a polymer flexible substrate or a metal flexible substrate.
제2항에 있어서, 상기 고분자는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌 설폰(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리이미드 (PI), 에틸렌비닐아세테이트(EVA), 아몰포스폴리에틸렌테레프탈레이트(APET), 폴리프로필렌테레프탈레이트(PPT), 폴리에틸렌테레프탈레이트글리세롤(PETG), 폴리사이클로헥실렌디메틸렌테레프탈레이트(PCTG), 변성트리아세틸셀룰로스(TAC), 사이클로올레핀폴리머(COP), 사이클로올레핀코폴리머(COC), 디시클로펜타디엔폴리머(DCPD), 시클로펜타디엔폴리머(CPD), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리다이메틸실론세인(PDMS), 실리콘수지, 불소수지 및 변성에폭시수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 고분자인 것을 특징으로 하는 태양전지 직물의 제조방법.
The method of claim 2, wherein the polymer is selected from the group consisting of polyethylene terephthalate (PET), polyethylene sulfone (PES), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), polymethylmethacrylate (PMMA), polyimide (PET), polycyclohexylenedimethylene terephthalate (PCTG), modified triacetylcellulose (TAC), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene terephthalate ), Cycloolefin polymer (COP), cycloolefin copolymer (COC), dicyclopentadiene polymer (DCPD), cyclopentadiene polymer (CPD), polyarylate (PAR), polyetherimide Wherein the polymer is at least one polymer selected from the group consisting of methyl cellosane (PDMS), silicone resin, fluororesin, and modified epoxy resin.
제2항에 있어서, 상기 금속 유연기판은 구리, 니켈, 알루미늄, 철, 크롬, 스테인레스로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속으로 제조된 금속 유연기판인 것을 특징으로 하는 태양전지 직물의 제조방법.
The method according to claim 2, wherein the metal flexible substrate is a metal flexible substrate made of at least one metal selected from the group consisting of copper, nickel, aluminum, iron, chromium, and stainless steel.
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 태양전지는 유기태양전지 (Organic solar cell), 염료감응형 태양전지 (Dye sensitized solar cell), 박막실리콘 태양전지 (Silicon solar cell), CIGS(Cu(In,Ga)Se2) 박막형 태양전지, 카드뮴텔룰라이드(CdTe) 박막태양전지, 양자점(Quantum dot) 태양전지 및 하이브리드 태양전지 (Hybrid solar cell)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 태양전지 직물의 제조방법.
The method of claim 1, wherein the solar cell of step 1 is an organic solar cell, a dye sensitized solar cell, a silicon solar cell, CIGS (Cu (In) Ga) Se 2) thin-film solar cell, cadmium telrul fluoride (CdTe) thin film solar cells, quantum dot (quantum dot) solar cells and hybrid solar cells (solar cells fabric, characterized in that species, one selected from the group consisting of a hybrid solar cell) &Lt; / RTI &gt;
제1항에 있어서, 대면적 태양전지를 장섬유형태로 절단하는 상기 단계 2는 슬리팅(slitting) 공정 또는 레이져를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지 직물의 제조방법.
The method of manufacturing a solar cell fabric according to claim 1, wherein the step 2 for cutting a large area solar cell into a long fiber form is performed using a slitting process or a laser.
삭제delete 고분자 유연기판/투명전극/N형 전도막/광활성층/P형 전도막/금속전극,
고분자 유연기판/투명전극/P형 전도막/광활성층/N형 전도막/금속전극,
고분자 유연기판/투명전극/P형 전도막/광활성층/N형 전도막, 또는
고분자 유연기판/투명전극/N형 전도막/광활성층/P형 전도막의 순으로 순차적으로 적층되어 이루어지되, 복수개의 장섬유형태 금속배선을 포함하는 태양전지를 제조하는 단계(단계 1); 및
상기 단계 1에서 제조된 태양전지에 있어서, 금속배선의 길이방향을 따라, 각각의 금속배선 사이를 절단하여 폭이 10 내지 50000 μm이며 금속배선을 포함하는 장섬유형태 태양전지 복수개를 제조하는 단계 (단계 2); 및
상기 단계 2의 장섬유형태 태양전지들을 직조하여 직물형태의 태양전지를 제조하는 단계(단계 3)를 포함하는 태양전지 직물의 제조방법.
Polymer flexible substrate / transparent electrode / N-type conductive film / photoactive layer / P-type conductive film / metal electrode,
Polymer flexible substrate / transparent electrode / P-type conductive film / photoactive layer / N-type conductive film / metal electrode,
Polymer flexible substrate / transparent electrode / P-type conductive film / photoactive layer / N-type conductive film, or
A step (step 1) of producing a solar cell comprising a plurality of long-fiber-type metal interconnections sequentially laminated in this order: a polymer flexible substrate / transparent electrode / N-type conductive film / photoactive layer / P-type conductive film in this order; And
In the solar cell produced in the step 1, a plurality of long-fiber solar cells including a metal wiring having a width of 10 to 50000 袖 m are cut out along the longitudinal direction of the metal wirings Step 2); And
(Step 3) of fabricating long-fiber type solar cells of step 2 and fabricating a solar cell in the form of a fabric (step 3).
금속 유연기판/투명전극/N형 전도막/광활성층/P형 전도막,
금속 유연기판/N형 전도막/광활성층/P형 전도막/투명전극,
금속 유연기판/투명전극/P형 전도막/광활성층/N형 전도막,
금속 유연기판/P형 전도막/광활성층/N형 전도막/투명전극,
금속 유연기판/N형 전도막/광활성층/P형 전도막, 또는
금속 유연기판/P형 전도막/광활성층/N형 전도막의 순으로 순차적으로 적층되어 이루어지되, 복수개의 장섬유형태 금속배선을 포함하는 태양전지를 제조하는 단계(단계 1); 및
상기 단계 1에서 제조된 태양전지에 있어서, 금속배선의 길이방향을 따라, 각각의 금속배선 사이를 절단하여 폭이 10 내지 50000 μm이며 금속배선을 포함하는 장섬유형태 태양전지 복수개를 제조하는 단계 (단계 2); 및
상기 단계 2의 장섬유형태 태양전지들을 직조하여 직물형태의 태양전지를 제조하는 단계(단계 3)를 포함하는 태양전지 직물의 제조방법.
Metal flexible substrate / transparent electrode / N-type conductive film / photoactive layer / P-type conductive film,
Metal flexible substrate / N-type conductive film / photoactive layer / P-type conductive film / transparent electrode,
Metal flexible substrate / transparent electrode / P-type conductive film / photoactive layer / N-type conductive film,
Metal flexible substrate / P-type conductive film / photoactive layer / N-type conductive film / transparent electrode,
Metal flexible substrate / N-type conductive film / photoactive layer / P-type conductive film, or
A step (step 1) of manufacturing a solar cell comprising a metal flexible substrate, a P-type conductive film, a photoactive layer, and an N-type conductive film successively stacked in this order; And
In the solar cell produced in the step 1, a plurality of long-fiber solar cells including a metal wiring having a width of 10 to 50000 袖 m are cut out along the longitudinal direction of the metal wirings Step 2); And
(Step 3) of fabricating long-fiber type solar cells of step 2 and fabricating a solar cell in the form of a fabric (step 3).
제8항에 있어서, 상기 단계 1의 금속배선은 고분자 유연기판 내부에 매립된형태인 것을 특징으로 하는 태양전지 직물의 제조방법.
The method of manufacturing a solar cell fabric according to claim 8, wherein the metal wiring of step 1 is embedded in a polymer flexible substrate.
제8항에 있어서, 상기 단계 1의 금속배선은 고분자 유연기판, 투명전극, N형 전도막, 광활성층, P형 전도막 또는 금속전극의 상부로 구비되는 것을 특징으로 하는 태양전지 직물의 제조방법.
9. The method of manufacturing a solar cell fabric according to claim 8, wherein the metal wiring of step 1 is provided on top of a polymer flexible substrate, a transparent electrode, an N-type conductive film, a photoactive layer, a P- .
제9항에 있어서, 상기 단계 1의 금속배선은 투명전극, N형 전도막 또는 P형 전도막 상부에 형성되어, 태양전지의 최상층부에 금속전극으로써 구비되는 것을 특징으로 하는 태양전지 직물의 제조방법.
The method of manufacturing a solar cell fabric according to claim 9, wherein the metal wiring of the step 1 is formed on the transparent electrode, the N-type conductive film or the P-type conductive film and is provided as a metal electrode on the uppermost layer of the solar cell .
제8항에 있어서, 상기 고분자 유연기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌 설폰(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리이미드 (PI), 에틸렌비닐아세테이트(EVA), 아몰포스폴리에틸렌테레프탈레이트(APET), 폴리프로필렌테레프탈레이트(PPT), 폴리에틸렌테레프탈레이트글리세롤(PETG), 폴리사이클로헥실렌디메틸렌테레프탈레이트(PCTG), 변성트리아세틸셀룰로스(TAC), 사이클로올레핀폴리머(COP), 사이클로올레핀코폴리머(COC), 디시클로펜타디엔폴리머(DCPD), 시클로펜타디엔폴리머(CPD), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리다이메틸실론세인(PDMS), 실리콘수지, 불소수지 및 변성에폭시수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 고분자 재질인 것을 특징으로 하는 태양전지 직물의 제조방법.
The method of claim 8, wherein the polymer flexible substrate is at least one selected from the group consisting of polyethylene terephthalate (PET), polyethylene sulfone (PES), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), polymethylmethacrylate (PMMA) ), Ethylene vinyl acetate (EVA), amorphous polyethylene terephthalate (APET), polypropylene terephthalate (PPT), polyethylene terephthalate glycerol (PETG), polycyclohexylenedimethylene terephthalate (PCTG) (PEI), polyetherimide (PEI), polyetherimide (PEI), polyetheretherketone (PEI), polyetheretherketone (PEI), polyetheretherketone Wherein the material is at least one polymer material selected from the group consisting of polydimethylsiloxane (PDMS), silicone resin, fluororesin, and modified epoxy resin. &Lt; / RTI &gt;
제9항에 있어서, 상기 단계 1의 금속 유연기판은 구리, 니켈, 알루미늄, 철, 크롬, 스테인레스로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속으로 제조된 금속 유연기판인 것을 특징으로 하는 태양전지 직물의 제조방법.
The solar cell fabric according to claim 9, wherein the metal flexible substrate in step 1 is a metal flexible substrate made of at least one metal selected from the group consisting of copper, nickel, aluminum, iron, Gt;
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 단계 1의 N형 전도막은 산화아연, 산화티타늄 및 탄산세슘으로 구성되는 군으로부터 선택되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 직물의 제조방법.
The method of manufacturing a solar cell fabric according to claim 8 or 9, wherein the N-type conductive film of step 1 comprises a compound selected from the group consisting of zinc oxide, titanium oxide, and cesium carbonate.
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 단계 1의 P형 전도막은 PEDOT:PSS[폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) 폴리(스티렌설포네이트)], 산화니켈 (NiO), 산화구리 (CuO)을 코팅함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 직물의 제조방법.
10. The method of claim 8 or 9, wherein the P-type conductive film of step 1 is selected from the group consisting of PEDOT: PSS [poly (3,4-ethylenedioxythiophene) poly (styrene sulfonate)], nickel oxide (NiO) CuO). &Lt; / RTI &gt;
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 단계 1의 광활성층은 전자주게 물질(electron donor)및 전자받게 물질(electron acceptor)의 혼합물을 코팅함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 직물의 제조방법.
10. The method of claim 8 or 9, wherein the photoactive layer of step 1 is formed by coating a mixture of an electron donor and an electron acceptor.
제17항에 있어서, 상기 전자주게 물질은 폴리티오팬 유도체, 폴리(파라-페닐렌) 유도체, 폴리 플로렌 유도체, 폴리아세틸렌 유도체, 폴리피롤 유도체, 폴리비닐카바졸 유도체, 폴리아닐린 유도체 및 폴리페닐렌비닐렌 유도체, 포르피린(porphyrin)화합물, 프탈로시아닌 (phthalocyanine) 화합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 태양전지 직물의 제조방법.
The method of claim 17, wherein the electron donor material is selected from the group consisting of polythiophene derivatives, poly (para-phenylene) derivatives, polyfluorene derivatives, polyacetylene derivatives, polypyrrole derivatives, polyvinylcarbazole derivatives, polyaniline derivatives, Wherein the photoresist composition is selected from the group consisting of a phenol derivative, a phenol derivative, a phenol derivative, a phenol derivative, a porphyrin compound, and a phthalocyanine compound.
제17항에 있어서, 상기 전자받게 물질은 C60 플러렌 및 C70 플러렌을 포함하는 플러렌, 3,4,9,10-페릴렌테트라카복실 비스벤즈이미다졸(3,4,9,10-perylenetetracarboxylic bisbenzimidazole, PTCBI)을 포함하는 유기계 전자친화성 재료 및 이의 유도체로 구성되는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 태양전지 직물의 제조방법.
18. The method of claim 17, wherein the electron accepting material is selected from the group consisting of fullerene including C60 fullerene and C70 fullerene, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic bisbenzimidazole, PTCBI &Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 1, &lt; / RTI &gt; wherein the organic electron affinity material is selected from the group consisting of organic electron affinity materials and derivatives thereof.
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 단계 2의 절단은 슬리팅 (slitting) 공정 또는 레이져를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지 직물의 제조방법.
10. The method of claim 8 or 9, wherein the cutting of step 2 is performed using a slitting process or a laser.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항, 제8항 및 제9항 중 어느 한 항에 따른 제조방법으로 제조된 태양전지 직물.
10. A solar cell fabric produced by the method of any one of claims 1, 8, and 9.
제26항에 있어서, 상기 직물은 의류, 커튼, 텐트 및 가방을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 태양전지 직물.
27. The fabric of claim 26, wherein the fabric is selected from the group comprising garments, curtains, tents, and bags.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN103715279B (en) * 2013-12-23 2016-08-17 常州时创能源科技有限公司 A kind of positive pole grid line structure of solar battery sheet
CN106024920B (en) * 2016-07-07 2018-05-01 太极能源科技(昆山)有限公司 Solar battery sheet, solar panel and solar charger
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KR101976131B1 (en) * 2019-01-10 2019-05-07 한국기계연구원 Energy conversion device and manufacturing method thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060046380A (en) * 2004-06-01 2006-05-17 코나르카 테크놀로지, 인코포레이티드 Photovoltaic module architecture
KR20100069706A (en) * 2007-11-15 2010-06-24 가부시키가이샤후지쿠라 Electrode substrate for photoelectric conversion device, method for manufacturing electrode substrate for photoelectric conversion device, and photoelectric conversion device
KR20100123755A (en) * 2008-03-05 2010-11-24 더 보드 오브 트러스티즈 오브 더 유니버시티 오브 일리노이 Stretchable and foldable electronic devies
JP2011096914A (en) * 2009-10-30 2011-05-12 Mitsubishi Chemicals Corp Solar cell and method of manufacturing the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060046380A (en) * 2004-06-01 2006-05-17 코나르카 테크놀로지, 인코포레이티드 Photovoltaic module architecture
KR20100069706A (en) * 2007-11-15 2010-06-24 가부시키가이샤후지쿠라 Electrode substrate for photoelectric conversion device, method for manufacturing electrode substrate for photoelectric conversion device, and photoelectric conversion device
KR20100123755A (en) * 2008-03-05 2010-11-24 더 보드 오브 트러스티즈 오브 더 유니버시티 오브 일리노이 Stretchable and foldable electronic devies
JP2011096914A (en) * 2009-10-30 2011-05-12 Mitsubishi Chemicals Corp Solar cell and method of manufacturing the same

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