KR101412634B1 - Multi-touch panel, multi-touch sensing device having the same and method of sensing multi-touch using the same - Google Patents

Multi-touch panel, multi-touch sensing device having the same and method of sensing multi-touch using the same Download PDF

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KR101412634B1 KR1020120100783A KR20120100783A KR101412634B1 KR 101412634 B1 KR101412634 B1 KR 101412634B1 KR 1020120100783 A KR1020120100783 A KR 1020120100783A KR 20120100783 A KR20120100783 A KR 20120100783A KR 101412634 B1 KR101412634 B1 KR 101412634B1
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Abstract

반사펄스를 수신하여 터치 발생 위치들을 검출하기 위해 구성된 멀티-터치패널, 이를 갖는 멀티-터치 센싱장치 및 이를 이용한 멀티-터치 센싱방법이 개시된다. 일실시예에 따른 멀티-터치패널은 베이스기판 및 터치-센싱배선을 포함한다. 터치-센싱배선은 베이스기판상에 구불구불한 형태로 형성되고, 일단을 통해 송신펄스를 수신하고, 사용자의 터치에 따라 일단을 통해 송신펄스에 대응하는 반사펄스를 출력한다. 이에 따라, 평면상에 구불구불한 형태로 배치된 터치-센싱배선이 터치센서와 라우터 배선으로 이용되므로 싱글레이어의 터치패널을 구현할 수 있다. 이에 따라, 멀티-터치패널의 제조 공정수나 제조 원가를 절감할 수 있다.A multi-touch panel configured to receive reflected pulses to detect touch generation positions, a multi-touch sensing device having the same, and a multi-touch sensing method using the same. A multi-touch panel according to an embodiment includes a base substrate and a touch-sensing wiring. The touch-sensing wiring is formed in a meandering shape on the base substrate, receives the transmission pulse through one end, and outputs a reflection pulse corresponding to the transmission pulse through the one end according to the touch of the user. Accordingly, a single-layer touch panel can be realized because the touch-sensing wiring arranged in a meandering shape on a plane is used as a touch sensor and a router wiring. Accordingly, the number of manufacturing steps and manufacturing cost of the multi-touch panel can be reduced.

Description

멀티-터치패널, 이를 갖는 멀티-터치 센싱장치 및 이를 이용한 멀티-터치 센싱방법{MULTI-TOUCH PANEL, MULTI-TOUCH SENSING DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF SENSING MULTI-TOUCH USING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multi-touch panel, a multi-touch sensing device having the same, and a multi-touch sensing device using the multi-

본 발명은 멀티-터치패널, 이를 갖는 멀티-터치 센싱장치 및 이를 이용한 멀티-터치 센싱방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반사펄스를 수신하여 터치 발생 위치들을 검출하기 위해 구성된 멀티-터치패널, 이를 갖는 멀티-터치 센싱장치 및 이를 이용한 멀티-터치 센싱방법에 관한 것이다.The present invention relates to a multi-touch panel, a multi-touch sensing device using the same, and a multi-touch sensing method using the multi-touch panel. More particularly, And a multi-touch sensing method using the multi-touch sensing device.

전자공학기술과 정보기술이 발전을 거듭함에 따라 업무환경을 포함한 일상생활에서 전자기기가 차지하는 비중은 꾸준히 증가하고 있다. 근래에 들어서는 전자기기의 종류도 매우 다양해 졌다. 특히 노트북, 휴대폰, PMP(portable multimedia Player), 태블렛(Tablet)PC 등의 휴대용 전자기기 분야에서는 날마다 새로운 기능이 부가된 새로운 디자인의 기기들이 쏟아져 나오고 있다. As electronic technology and information technology continue to evolve, the proportion of electronic devices in everyday life, including work environments, is steadily increasing. In recent years, the kinds of electronic devices have become very diverse. Portable electronic devices such as laptops, mobile phones, portable multimedia players (PMPs), and tablet PCs are pouring new design devices with new functions every day.

이처럼 일상생활에서 접하게 되는 전자기기의 종류가 점차 다양해지고, 각 전자기기의 기능이 고도화, 복잡화함에 따라, 사용자가 쉽게 익힐 수 있고 직관적인 조작이 가능한 사용자 인터페이스의 필요성이 제기되고 있다. 이러한 필요를 충족시킬 수 있는 입력 장치로서 터치패널 장치가 주목받고 있으며, 이미 여러 전자기기에 널리 적용되고 있다. As the types of electronic devices to be encountered in everyday life are gradually diversified and the function of each electronic device becomes more sophisticated and complicated, there is a need for a user interface that can be easily learned by a user and can be intuitively manipulated. A touch panel device has attracted attention as an input device capable of satisfying such a requirement, and has already been widely applied to various electronic devices.

특히 터치패널 장치의 가장 일반적인 응용 제품인 터치스크린 장치는 디스플레이 화면상의 사용자의 접촉 위치를 센싱하고, 센싱된 접촉 위치에 관한 정보를 입력정보로 하여 디스플레이 화면 제어를 포함한 전자기기의 전반적인 제어를 수행하기 위한 장치를 일컫는다. In particular, the touch screen device, which is the most general application product of a touch panel device, senses a touch position of a user on a display screen and uses information about the sensed contact position as input information to perform overall control of the electronic device including the display screen control Device.

하지만, 상기한 터치패널 장치를 구현하기 위해서는 통상적으로 서로 다른 층에 전극을 배치한다. 즉, 제1 방향으로 연장되는 제1 전극을 제1 층에 형성하고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 제2 전극을 제2 층에 배치하여 터치패널 장치를 구현한다. 이에 따라, 터치패널 장치의 제조 원가가 증가하는 문제점이 있다. However, in order to realize the above-described touch panel device, electrodes are usually disposed on different layers. That is, a first electrode extending in a first direction is formed on the first layer, and a second electrode extending in a second direction intersecting the first direction is disposed on the second layer to implement the touch panel device. As a result, the manufacturing cost of the touch panel device increases.

이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에 착안한 것으로, 본 발명의 목적은 동일 평면상에 배치된 터치-센싱배선상에 통해 터치가 발생됨에 따라, 상기 터치에 대응하는 반사펄스를 수신하여 터치 발생 위치들을 검출하기 위해 구성된 터치멀티-터치패널을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a touch sensing device and a touch sensing method, A touch multi-touch panel configured to detect positions of the touch screen.

또한, 본 발명의 다른 목적은 상기한 멀티-터치패널을 갖는 멀티-터치 센싱장치를 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a multi-touch sensing apparatus having the multi-touch panel.

또한, 본 발명의 또 다른 목적은 상기한 멀티-터치 센싱장치를 이용한 멀티-터치 센싱방법을 제공하는 것이다. Still another object of the present invention is to provide a multi-touch sensing method using the multi-touch sensing device.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위하여, 일실시예에 따른 멀티-터치패널은 베이스기판 및 터치-센싱배선을 포함한다. 상기 터치-센싱배선은 상기 베이스기판상에 구불구불한 형태로 형성되고, 일단을 통해 송신펄스를 수신하고, 사용자의 터치에 따라 상기 일단을 통해 상기 송신펄스에 대응하는 반사펄스를 출력한다. In order to realize the object of the present invention, a multi-touch panel according to an embodiment includes a base substrate and a touch-sensing wiring. The touch-sensing wiring is formed on the base substrate in a serpentine shape, receives a transmission pulse through one end, and outputs a reflection pulse corresponding to the transmission pulse through the one end according to a user's touch.

상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위하여, 일실시예에 따른 멀티-터치 센싱장치는 멀티-터치패널 및 멀티-터치 센싱회로를 포함한다. 상기 멀티-터치패널은 베이스기판과, 상기 베이스기판상에 구불구불한 형태로 형성되고, 일단을 통해 송신펄스를 수신하고, 사용자의 터치에 따라 상기 일단을 통해 상기 송신펄스에 대응하는 반사펄스를 출력하는 터치-센싱배선을 포함한다. 상기 멀티-터치 센싱회로는 상기 터치-센싱배선에 상기 송신펄스를 출력하고, 수신되는 반사펄스를 근거로 터치 위치를 연산한다.According to another aspect of the present invention, a multi-touch sensing apparatus includes a multi-touch panel and a multi-touch sensing circuit. The multi-touch panel includes a base substrate and a plurality of reflection pulses formed on the base substrate in a serpentine shape. The multi-touch panel receives a transmission pulse through one end, And outputting touch-sensing wiring. The multi-touch sensing circuit outputs the transmission pulse to the touch-sensing wiring, and calculates a touch position based on the received reflection pulse.

상기한 본 발명의 또 다른 목적을 실현하기 위하여, 일실시예에 따른 멀티-터치 센싱방법은 베이스기판상에 구불구불한 형태로 형성된 터치-센싱배선에 송신펄스를 출력하는 단계; 상기 터치-센싱배선상에 발생되는 사용자의 터치에 응답하여 반사되는 반사펄스를 수신하는 단계; 복수의 딜레이신호들을 생성하는 단계; 상기 딜레이신호들 각각을 근거로 상기 반사펄스를 디지털 변환하여 반사펄스데이터를 생성하고, 생성된 반사펄스 데이터를 메모리에 저장하는 단계; 상기 반사펄스 데이터에서 임계범위보다 낮거나 높은 값에 대응하는 반사펄스 데이터를 상기 메모리에서 추출하는 단계; 및 추출된 반사펄스 데이터에 대응하는 주소를 근거로 터치 좌표를 인식하는 단계를 포함한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a multi-touch sensing method including: outputting a transmission pulse to a touch-sensing wiring formed in a meandering shape on a base substrate; Receiving a reflected pulse reflected in response to a touch of a user generated on the touch-sensing wire; Generating a plurality of delay signals; Generating reflection pulse data by digitally converting the reflection pulse based on each of the delay signals, and storing the generated reflection pulse data in a memory; Extracting from the memory reflected pulse data corresponding to a value lower or higher than a critical range in the reflected pulse data; And recognizing the touch coordinates based on the address corresponding to the extracted reflected pulse data.

이러한 멀티-터치패널, 이를 갖는 멀티-터치 센싱장치 및 이를 이용한 멀티-터치 센싱방법에 의하면, 평면상에 구불구불한 형태로 배치된 터치-센싱배선이 터치센서와 라우터 배선으로 이용되므로 싱글레이어의 터치패널을 구현할 수 있다. 이에 따라, 터치패널의 제조 공정수나 제조 원가를 절감할 수 있다. 또한, 싱글레이어(single layer)인 터치-센싱배선상에 복수의 터치들이 발생되더라도 해당 터치들 각각에 대응하는 정보가 반사펄스에 포함되므로 멀티-터치를 인식할 수 있다.According to such a multi-touch panel, a multi-touch sensing device using the same, and a multi-touch sensing method using the touch-sensing panel, the touch-sensing wiring arranged in a twisted manner on a plane is used as a touch sensor and a router wiring. A touch panel can be implemented. Accordingly, it is possible to reduce the number of manufacturing steps and manufacturing cost of the touch panel. In addition, even if a plurality of touches are generated on a single layer touch-sensing line, information corresponding to each of the plurality of touches is included in the reflected pulse, so that the multi-touch can be recognized.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 멀티-터치 센싱장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도 2는 본 발명에 따른 멀티-터치 센싱회로를 이용한 터치위치의 검출 원리를 설명하기 위한 개념도이다.
도 3은 도 1에 도시된 영역 A의 일례를 설명하기 위한 확대도이다.
도 4는 도 1에 도시된 영역 A의 다른 일례를 설명하기 위한 확대도이다.
도 5는 도 1에 도시된 영역 A의 또 다른 예를 설명하기 위한 확대도이다.
도 6은 도 1에 도시된 영역 A의 또 다른 예를 설명하기 위한 확대도이다.
도 7은 도 1에 도시된 영역 A의 또 다른 예를 설명하기 위한 확대도이다.
도 8은 도 1에 도시된 TDR측정부의 일례를 설명하기 위한 블록도이다.
도 9는 도 8에 도시된 플래시 아날로그-디지털 컨버터를 설명하기 위한 블록도이다.
도 10은 도 1에 도시된 TDR측정부의 다른 예를 설명하기 위한 블록도이다.
도 11은 도 1에 도시된 TDR측정부의 또 다른 예를 설명하기 위한 블록도이다.
도 12는 도 1에 도시된 TDR측정부의 또 다른 예를 설명하기 위한 블록도이다.
도 13은 도 1에 도시된 종단처리부를 설명하기 위한 블록도이다.
도 14a는 도 13에 도시된 그라운드 설정부에 의한 반사펄스를 설명하기 위한 파형도이다.
도 14b는 도 13에 도시된 회로 오픈부에 의한 반사펄스를 설명하기 위한 파형도이다.
도 14c는 도 13에 도시된 임피던스 매칭부에 의한 반사펄스를 설명하기 위한 파형도이다.
도 15는 도 13에 도시된 임피던스 매칭부의 일례를 설명하기 위한 개념도이다.
도 16은 도 13에 도시된 임피던스 매칭부의 다른 예를 설명하기 위한 개념도이다.
도 17a는 송신펄스출력부에서 출력되는 송신펄스를 설명하기 위한 파형도이다.
도 17b는 종단처리부가 오픈회로로 설정될 때 TDR측정부에서 수신되는 송신펄스를 설명하기 위한 파형도이다.
도 17c는 첫번째 내지 여섯번째 TDR 송신펄스와 ADC 변환을 설명하기 위한 파형도들이다.
도 17d는 디지털 변환된 TDR 데이터값을 설명하기 위한 파형도이다.
도 18a는 송신펄스출력부에서 출력되는 송신펄스를 설명하기 위한 파형도이다.
도 18b는 종단처리부가 임피던스 매칭부로 설정될 때 TDR측정부에서 수신되는 송신펄스를 설명하기 위한 파형도이다.
도 18c는 첫번째 내지 여섯번째 TDR 송신펄스와 ADC 변환을 설명하기 위한 파형도들이다.
도 18d는 디지털 변환된 TDR 데이터값을 설명하기 위한 파형도이다.
도 19a는 송신펄스출력부에서 출력되는 송신펄스를 설명하기 위한 파형도이다.
도 19b는 종단처리부가 그라운드 설정부로 설정될 때 TDR측정부에서 수신되는 송신펄스를 설명하기 위한 파형도이다.
도 19c는 첫번째 내지 여섯번째 TDR 송신펄스와 ADC 변환을 설명하기 위한 파형도들이다.
도 19d는 디지털 변환된 TDR 데이터값을 설명하기 위한 파형도이다.
도 20은 도 1에 도시된 송신펄스출력부에서 출력되는 송신펄스를 설명하기 위한 파형도이다.
도 21은 디지털 변환된 반사펄스 데이터들이 메모리에 저장되는 구조의 일례를 설명하기 위한 개념도이다.
도 22는 본 발명의 다른 실시예에 따른 멀티-터치 센싱장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도 23은 디지털 변환된 반사펄스 데이터들이 메모리에 저장되는 구조의 다른 예를 설명하기 위한 개념도이다.
도 24는 본 발명의 일실시예에 따른 멀티-터치 센싱방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 25는 도 23에 도시된 초기 구동 모드 수행 단계를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 26은 본 발명의 다른 실시예에 따른 멀티-터치 센싱방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 27a 및 도 27b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 멀티-터치 센싱방법을 설명하기 위한 흐름도들이다.
1 is a block diagram for explaining a multi-touch sensing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a conceptual diagram for explaining a principle of detecting a touch position using the multi-touch sensing circuit according to the present invention.
3 is an enlarged view for explaining an example of the area A shown in Fig.
4 is an enlarged view for explaining another example of the area A shown in Fig.
5 is an enlarged view for explaining another example of the area A shown in Fig.
6 is an enlarged view for explaining another example of the area A shown in Fig.
7 is an enlarged view for explaining another example of the area A shown in Fig.
8 is a block diagram for explaining an example of the TDR measuring unit shown in FIG.
9 is a block diagram illustrating the flash analog-digital converter shown in FIG.
10 is a block diagram for explaining another example of the TDR measuring unit shown in FIG.
11 is a block diagram for explaining another example of the TDR measurement unit shown in FIG.
12 is a block diagram for explaining another example of the TDR measurement unit shown in FIG.
13 is a block diagram for explaining the termination processing unit shown in Fig.
14A is a waveform diagram for explaining a reflection pulse by the ground setting unit shown in FIG.
14B is a waveform diagram for explaining the reflection pulse by the circuit open portion shown in FIG.
14C is a waveform diagram for explaining the reflection pulse by the impedance matching unit shown in FIG.
15 is a conceptual diagram for explaining an example of the impedance matching unit shown in FIG.
16 is a conceptual diagram for explaining another example of the impedance matching unit shown in FIG.
17A is a waveform diagram for explaining a transmission pulse output from the transmission pulse output section.
17B is a waveform diagram for explaining a transmission pulse received by the TDR measurement section when the termination processing section is set as an open circuit;
17C is a waveform diagram for explaining the first to sixth TDR transmission pulses and the ADC conversion.
17D is a waveform diagram for explaining the digitally converted TDR data value.
18A is a waveform diagram for explaining a transmission pulse output from the transmission pulse output section.
18B is a waveform diagram for explaining a transmission pulse received by the TDR measurement unit when the termination processing unit is set as the impedance matching unit.
18C is a waveform diagram for explaining the first to sixth TDR transmission pulses and the ADC conversion.
18D is a waveform diagram for explaining the digitally converted TDR data value.
19A is a waveform diagram for explaining a transmission pulse output from the transmission pulse output unit.
19B is a waveform diagram for explaining transmission pulses received by the TDR measurement unit when the termination processing unit is set as the ground setting unit.
FIG. 19C is a waveform diagram for explaining the first to sixth TDR transmission pulses and the ADC conversion.
19D is a waveform diagram for explaining the digitally converted TDR data value.
20 is a waveform diagram for explaining transmission pulses output from the transmission pulse output unit shown in FIG.
21 is a conceptual diagram for explaining an example of a structure in which digitally converted reflection pulse data is stored in a memory.
22 is a block diagram for explaining a multi-touch sensing apparatus according to another embodiment of the present invention.
23 is a conceptual diagram for explaining another example of a structure in which digitally converted reflection pulse data is stored in a memory.
24 is a flowchart illustrating a multi-touch sensing method according to an embodiment of the present invention.
25 is a flowchart for explaining the initial driving mode performing step shown in FIG.
26 is a flowchart illustrating a multi-touch sensing method according to another embodiment of the present invention.
27A and 27B are flowcharts for explaining a multi-touch sensing method according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명에 따른 멀티-터치패널, 이를 갖는 멀티-터치 센싱장치 및 이를 이용한 멀티-터치 센싱방법을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. Hereinafter, a multi-touch panel according to the present invention, a multi-touch sensing device having the same, and a multi-touch sensing method using the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention.

각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are enlarged to illustrate the present invention in order to clarify the present invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. In this application, the terms "comprises", "having", and the like are used to specify that a feature, a number, a step, an operation, an element, a part or a combination thereof is described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

또한, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Also, unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

명세서 전체에서, "멀티-터치 센싱장치(multi-touch sensing device)"라 함은 입력 수단으로 터치 패널을 채택하고, 댁내 교류 전원을 강압 및 직류화한 전원과 배터리 전원 등과 같이 복수의 전원을 동시에 지원하는 전자 기기를 통칭하는 것으로서, 터치 방식의 셀룰러 폰(cellular phone), 스마트폰(smart phone), PDA(personal digital assistant), PMP(personal multimedia player), 네비게이션(car navigation) 등을 가리킨다. 그 외에, 터치 방식의 키오스크(kiosk), 가전 기기(home electronic instrument like TV, refrigerator etc.), 컴퓨터(computer like tablet pc) 등도 전술한 복수의 전원 지원 조건을 만족할 경우 본 발명의 터치스크린 장치에 포함될 수 있다.Throughout the specification, the term "multi-touch sensing device" refers to a touch panel as an input means, a plurality of power sources such as a power source for transforming a household AC power source into a step- Refers to a touch-enabled cellular phone, a smart phone, a personal digital assistant (PDA), a personal multimedia player (PMP), and a car navigation system. In addition, if a touch-type kiosk, a home electronic instrument like a TV, a refrigerator etc., a computer (like a tablet pc) and the like satisfy a plurality of power supply support conditions described above, .

명세서 전체에서, "터치 패널(touch panel)"이라 함은 상기 터치스크린 장치에서 특히 터치 입력 수단에 상응하는 부분을 지칭하는 것으로서 정전용량 방식의 터치 센서를 내장하는 입력 수단을 통칭하며 터치 패드(touch pad), 싸인 패드(sign pad) 및 터치스크린(touch screen)으로 불릴 수 있다.Throughout the specification, the term "touch panel" refers to a portion corresponding to the touch input means in the above-mentioned touch screen device, and collectively refers to an input means including a capacitive touch sensor, a pad, a sign pad, and a touch screen.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 멀티-터치 센싱장치(100)를 설명하기 위한 블록도이다. 1 is a block diagram for explaining a multi-touch sensing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 멀티-터치 센싱장치(100)는 멀티-터치패널(110) 및 멀티-터치 센싱회로(120)를 포함한다. Referring to FIG. 1, a multi-touch sensing apparatus 100 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a multi-touch panel 110 and a multi-touch sensing circuit 120.

상기 멀티-터치패널(110)은 베이스기판(112) 및 터치-센싱배선(114)을 포함한다. The multi-touch panel 110 includes a base substrate 112 and a touch-sensing wiring 114.

상기 베이스기판(112)은 유리와 같은 리지드 타입(ridge type) 기판을 포함할 수 있다. 한편, 상기 베이스기판(114)은 필름과 같은 플렉서블 타입(flexible type) 기판을 포함할 수 있다. The base substrate 112 may include a ridge type substrate such as glass. Meanwhile, the base substrate 114 may include a flexible type substrate such as a film.

상기 터치-센싱배선(114)은 상기 베이스기판(112) 상에 구불구불한 형태로 형성되고, 일단을 통해 송신펄스를 수신하고, 사용자의 터치에 따라 상기 일단을 통해 상기 송신펄스에 대응하는 반사펄스를 출력한다. 예를들어, 사용자가 하나의 위치를 터치하면, 하나의 반사펄스가 상기 일단을 통해 출력되고, 사용자가 두 개의 위치를 터치하면, 두 개의 반사펄스들이 상기 일단을 통해 출력된다. 물론, 사용자가 3개 또는 3개 이상의 위치를 터치하면, 3개의 반사펄스들 또는 3개 이상의 반사펄스들이 상기 일단을 통해 출력된다. 이에 따라, 본 발명에 따른 멀티-터치패널(110)은 멀티-터치의 기능을 수행할 수 있다. The touch-sensing wiring 114 is formed on the base substrate 112 in a serpentine shape. The touch-sensing wiring 114 receives a transmission pulse through one end thereof, and transmits a reflection And outputs a pulse. For example, when the user touches one position, one reflection pulse is output through the one end, and when the user touches two positions, two reflection pulses are output through the one end. Of course, when the user touches three or more positions, three reflection pulses or three or more reflection pulses are outputted through the one end. Accordingly, the multi-touch panel 110 according to the present invention can perform a multi-touch function.

상기 터치-센싱배선(114)의 폭은 50 마이크로미터보다 작을 수 있다. 이에 따라, 표시패널 위에 멀티-터치패널(110)이 배치되더라도 사용자에 의해 상기 터치-센싱배선(114)은 시인되지 않는다. 또한, 평면상에서 관찰할 때, 상기 터치-센싱배선(114)의 절곡부는 라운드질 수 있다. 상기 절곡부는 송신펄스나 반사펄스가 상기 터치-센싱배선(114)의 굴곡에 의해 반사되지 않도록 일정 곡률을 갖는다. 이에 따라, 상기 터치-센싱배선(114)을 통해 전달되는 송신펄스나 반사펄스가 굴곡에 의해 반사되는 것을 최소화할 수 있다.The width of the touch-sensing wiring 114 may be less than 50 micrometers. Accordingly, even if the multi-touch panel 110 is disposed on the display panel, the touch-sensing wiring 114 is not visually recognized by the user. Further, when viewed on a plane, the bent portion of the touch-sensing wiring 114 may be rounded. The bending portion has a certain curvature so that the transmission pulse or the reflection pulse is not reflected by the bending of the touch-sensing wiring 114. Accordingly, reflection of the transmission pulse or the reflection pulse transmitted through the touch-sensing wiring 114 by bending can be minimized.

상기 터치-센싱배선(114)은 평면상에 구불구불한 형태로 배치되어 터치센서의 기능과 라우터 배선의 기능을 수행하도록 이용된다. 여기서, 터치센서의 기능은 사용자의 터치를 센싱하는 것을 칭한다. 즉, 상기 터치센서는 사용자의 핑거나 스타일러스펜이 접촉되는 부위일 수 있다. 또한, 라우터 배선의 기능은 상기 멀티-터치 센싱회로(120)에서 제공되는 송신펄스를 상기 터치센서에 제공하거나 터치에 따라 발생되는 반사펄스를 상기 멀티-터치 센싱회로(120)에 전달하는 것을 칭한다. 즉, 상기 라우터 배선은 상기 터치-센싱배선의 종단부위로서, 상기 멀티-터치 센싱회로(120)에 연결된 부위일 수 있다. 따라서, 상기 터치-센싱배선(114)은 싱글레이어의 터치패널을 구현할 수 있다. 이에 따라, 터치패널의 제조 공정수나 제조 원가를 절감할 수 있다. The touch-sensing wiring 114 is arranged on a plane in a serpentine shape, and is used to perform functions of a touch sensor and wiring of a router. Here, the function of the touch sensor refers to sensing the user's touch. That is, the touch sensor may be a portion where a user's finger or a stylus pen is contacted. The function of the router wiring also refers to providing a transmission pulse provided by the multi-touch sensing circuit 120 to the touch sensor or delivering a reflection pulse generated by a touch to the multi-touch sensing circuit 120 . That is, the router wiring may be a portion connected to the multi-touch sensing circuit 120 as an end portion of the touch-sensing wiring. Accordingly, the touch-sensing wiring 114 can realize a single-layer touch panel. Accordingly, it is possible to reduce the number of manufacturing steps and manufacturing cost of the touch panel.

상기 멀티-터치패널(110)은 영상을 표시하는 표시패널(미도시됨) 위에 배치될 수 있다. 상기 표시패널이 액정표시패널인 경우, 상기 터치-센싱배선(114)의 신장방향은 데이터 라인과 평행할 수도 있고, 게이트 라인과 평행할 수도 있다. The multi-touch panel 110 may be disposed on a display panel (not shown) for displaying an image. When the display panel is a liquid crystal display panel, the extending direction of the touch-sensing wiring 114 may be parallel to the data line or parallel to the gate line.

상기 멀티-터치 센싱회로(120)는 송신펄스출력부(122), TDR측정부(124), 종단처리부(126) 및 콘트롤러(128)를 포함하고, 상기 멀티-터치패널(110)의 상기 터치-센싱배선(114)에 상기 송신펄스를 출력하고, 수신되는 반사펄스를 근거로 터치 위치를 연산한다. 상기 멀티-터치 센싱회로(120)는 IC 형태로 구현될 수 있다. 본 실시예에서, 상기 멀티-터치 센싱회로(120)는 송신펄스출력부(122), TDR측정부(124), 종단처리부(126) 및 콘트롤러(128)를 포함하는 것을 설명하였으나 이는 설명의 편의를 위해 논리적으로 구분하였을 뿐, 하드웨어적으로 구분한 것은 아니다. The multi-touch sensing circuit 120 includes a transmission pulse output unit 122, a TDR measurement unit 124, a termination unit 126 and a controller 128. The multi- - The transmission pulse is output to the sensing wiring 114 and the touch position is calculated based on the received reflection pulse. The multi-touch sensing circuit 120 may be implemented in the form of an IC. In the present embodiment, the multi-touch sensing circuit 120 includes the transmission pulse output unit 122, the TDR measuring unit 124, the terminating unit 126, and the controller 128. However, , But it is not classified by hardware.

상기 송신펄스출력부(122)는 상기 터치-센싱배선(114)의 일단에 연결되어 복수의 송신펄스들을 상기 터치-센싱배선(114)에 출력한다. 이때, 송신펄스들 각각의 폭은 동일하고, 상기 송신펄스들 각각의 간격은 서로 다를 수 있다. The transmission pulse output unit 122 is connected to one end of the touch-sensing wiring 114 to output a plurality of transmission pulses to the touch-sensing wiring 114. At this time, the widths of the transmission pulses are the same, and the intervals of the transmission pulses may be different from each other.

상기 TDR측정부(124)는 상기 터치-센싱배선(114)의 일단에 연결되어 상기 반사펄스 도달까지 걸린 시간을 측정하여 터치위치를 검출한다. The TDR measurement unit 124 is connected to one end of the touch-sensing wiring 114 to measure the time taken until the reflection pulse arrives to detect the touch position.

상기 종단처리부(126)는 상기 터치-센싱배선(114)의 타단에 연결되어 주변 환경에 따라 상기 터치-센싱배선(114)의 종단저항값을 설정한다. 예를들어, 상기 종단처리부(126)는 상기 터치-센싱배선(114)의 종단을 오픈(Open)시켜 플로팅 상태로 설정할 수도 있고, 그라운드시켜 그라운드 상태로 설정할 수도 있으며, 상기 터치-센싱배선(114)의 임피던스와 동일한 임피던스로 설정할 수도 있다. The termination processing unit 126 is connected to the other end of the touch-sensing wiring 114 to set a termination resistance value of the touch-sensing wiring 114 according to the surrounding environment. For example, the termination processing unit 126 may set the floating state or the ground state to the ground state by opening the end of the touch-sensing wiring 114, and the touch-sensing wiring 114 The same impedance as that of the impedance of the input / output terminal may be set.

상기 콘트롤러(128)는, 초기 구동시, 상기 터치-센싱배선(114)의 종단저항값을 오픈 레벨, 그라운드 레벨 및 임피턴스매칭 레벨로 각각 설정하도록 상기 종단처리부(126)를 제어하고, 오픈 레벨, 그라운드 레벨 및 임피던스 매칭 레벨중 어느 하나로 설정된 터치-센싱배선(114)에 송신펄스를 출력하도록 상기 송신펄스출력부(122)를 제어한다. 이어, 상기 콘트롤러(128)는 상기 TDR측정부(124)를 통해 반사펄스를 수신한 후, 설정된 종단저항값에 대응하는 반사펄스들 각각에서 가장 작은 노이즈 성분을 갖는 반사펄스에 대응하는 종단저항값이 선택되도록 상기 종단처리부(126)를 제어한다. 이에 따라, 상기 종단처리부(126)는 선택된 종단저항값에 대응하도록 상기 터치-센싱배선의 종단저항값을 설정한다. The controller 128 controls the termination processor 126 to set the termination resistance value of the touch-sensing wiring 114 at an initial level, an open level, a ground level, and an impedance matching level, respectively, The transmission pulse output section 122 is controlled so as to output the transmission pulse to the touch-sensing wiring 114 set to either the ground level or the impedance matching level. The controller 128 receives the reflected pulse through the TDR measuring unit 124 and then calculates a terminal resistance value corresponding to the reflected pulse having the smallest noise component in each of the reflected pulses corresponding to the set terminal resistance value And controls the termination processor 126 to select the terminal. Accordingly, the termination processor 126 sets the termination resistance value of the touch-sensing wiring to correspond to the selected terminal resistance value.

초기 구동 시간이 경과한 후, 상기 콘트롤러(128)는 상기 송신펄스출력부(122)가 송신펄스를 터치-센싱배선에 출력하도록 제어한다. 또한, 상기 콘트롤러(128)는 상기 TDR측정부(124)의 동작을 제어한다. 이에 따라, 상기 TDR측정부(124)는 상기 터치-센싱배선상에 사용자의 터치에 응답하여 반사되는 반사펄스를 수신하고, 복수의 딜레이신호들을 생성한 후, 상기 딜레이신호들 각각을 근거로 상기 반사펄스를 디지털 변환하여 반사펄스데이터를 생성하고, 생성된 반사펄스 데이터를 메모리에 저장한다. After the initial driving time has elapsed, the controller 128 controls the transmission pulse output unit 122 to output a transmission pulse to the touch-sensing wiring. Also, the controller 128 controls the operation of the TDR measuring unit 124. Accordingly, the TDR measuring unit 124 receives the reflected pulse reflected in response to the user's touch on the touch-sensing wire, generates a plurality of delay signals, and then, based on each of the delay signals, Converts the reflection pulse into a digital signal to generate reflection pulse data, and stores the generated reflection pulse data in a memory.

상기 콘트롤러(128)는 상기 반사펄스 데이터에서 임계범위보다 낮거나 높은 값에 대응하는 반사펄스 데이터를 상기 메모리에서 추출하고, 추출된 반사펄스 데이터에 대응하는 주소를 근거로 터치 좌표를 인식한다. The controller 128 extracts reflection pulse data corresponding to a value lower or higher than a critical range in the reflection pulse data from the memory and recognizes touch coordinates based on the address corresponding to the extracted reflection pulse data.

상기 멀티-터치 센싱회로(120)를 이용한 터치위치를 검출하는 원리를 설명하면 아래와 같다. The principle of detecting the touch position using the multi-touch sensing circuit 120 will be described below.

도 2는 본 발명에 따른 멀티-터치 센싱회로(120)를 이용한 터치위치의 검출 원리를 설명하기 위한 개념도이다. 2 is a conceptual diagram for explaining a principle of detecting a touch position using the multi-touch sensing circuit 120 according to the present invention.

도 2를 참조하면, 동시에 4개의 핑거들이 터치-센싱배선(114)에 터치되면, 상기 터치에 의해 터치-센싱배선(114)의 임피던스들은 변경된다. 예를들어, 송신펄스의 입력단과 첫번째 핑거의 터치위치간의 터치-센싱배선(114)의 임피던스는 Z0이고, 첫번째 핑거의 터치위치와 두번째 핑거의 터치위치간의 터치-센싱배선(114)의 임피던스는 Z1이며, 두번째 핑거의 터치위치와 세번째 핑거의 터치위치간의 터치-센싱배선(114)의 임피던스는 Z2이다. 또한, 세번째 핑거의 터치위치와 네번째 핑거의 터치위치간의 터치-센싱배선(114)의 임피던스는 Z3이고, 네번째 핑거의 터치위치와 터치-센싱배선(114)의 종단의 임피던스는 Z4이다. 송신펄스가 터치-센싱배선(114)에 출력되면, 첫번째 핑거의 터치위치에서 제1 반사되고, 두번째 핑거의 터치위치에서 제2 반사되며, 세번째 핑거의 터치위치에서 제3 반사되고, 네번째 핑거의 터치위치에서 제4 반사된다. 이에 따라, 수신된 반사펄스에는 제1 내지 제4 반사에 대응하는 정보가 포함된다. 즉, 반사펄스에는 임계범위보다 낮은 값들이 4개의 시간들(t1, t2, t3, t4)에 대해 존재하므로 4개의 시간들(t1, t2, t3, t4)을 근거로 송신펄스의 출력단에서 핑거들간의 거리를 연산할 수 있다. 본 실시예에서, 터치-센싱배선(114)은 평면상에 구불구불한 형태로 형성되므로 4개의 터치좌표를 인식할 수 있다. Referring to FIG. 2, when the four fingers touch the touch-sensing wiring 114 at the same time, the impedances of the touch-sensing wiring 114 are changed by the touch. For example, the impedance of the touch-sensing wiring 114 between the input terminal of the transmission pulse and the touch position of the first finger is Z0, and the impedance of the touch-sensing wiring 114 between the touch position of the first finger and the touch position of the second finger is Z1, and the impedance of the touch-sensing wiring 114 between the touch position of the second finger and the touch position of the third finger is Z2. Further, the impedance of the touch-sensing wiring 114 between the touch position of the third finger and the touch position of the fourth finger is Z3, and the impedance of the touch position of the fourth finger and the end of the touch-sensing wiring 114 is Z4. When a transmission pulse is output to the touch-sensing wiring 114, a first reflection is made at the touch position of the first finger, a second reflection is made at the touch position of the second finger, a third reflection is made at the touch position of the third finger, And is reflected at the fourth position at the touch position. Accordingly, information corresponding to the first to fourth reflections is included in the received reflected pulse. That is, since reflection pulses exist for four times (t1, t2, t3, t4) which are lower than the threshold range, the output pulses of the transmission pulses on the basis of four times (t1, t2, t3, t4) Can be calculated. In this embodiment, since the touch-sensing wiring 114 is formed in a serpentine shape on a plane, four touch coordinates can be recognized.

일반적으로, 파동(Wave)이 진행할 때 매질의 특성이 변하거나 중간에 방해물이 존재하면, 굴절(Refraction)이나 반사(Reflection) 등과 같이 파동 변형이 발생한다. Generally, when the characteristics of a medium change when a wave progresses or an obstacle exists in the middle, a wave deformation such as refraction or reflection occurs.

이 중 반사는 파동이 진행하고 있는 반대 방향으로 파동이 보유하고 있는 에너지 중 일부가 되돌아가는 것을 의미한다. 본 실시예에 따른 상기 멀티-터치 센싱회로(120)는 송신펄스의 입사 지점에서 터치에 따라 발생된 반사펄스의 도착 시간을 검출하여 터치에 따른 반사펄스의 발생 위치를 검출한다. This reflection means that some of the energy held by the wave in the opposite direction of the wave propagates back. The multi-touch sensing circuit 120 detects the arrival time of the reflection pulse generated at the incident point of the transmission pulse and detects the generation position of the reflection pulse according to the touch.

진공 속을 진행하는 전자기파의 속도는 광속인 30만㎞/sec가 되지만, 터치-센싱배선과 같은 매질 속을 진행할 때에는 속도의 감소가 발생된다. 진공 속에서의 광속을 1 혹은 100%로 놓고, 금속매질내의 속도를 광속에 대한 비율로 나타내는데 이를 전파 속도(Velocity Of Propagation; VOP)라고 정의한다. The velocity of the electromagnetic wave traveling through the vacuum is 300,000 km / sec, which is the speed of light. However, when traveling through the medium such as touch-sensing wiring, the velocity is reduced. Velocity of Propagation (VOP) is defined as the ratio of the velocity in the metal medium to the velocity of light.

상기 TDR측정부(124)를 이용하여 반사펄스가 발생된 거리를 측정하는 경우, 반사펄스가 되돌아오는데 걸리는 시간을 측정한다. 따라서, 반사펄스가 발생된 지점의 거리를 측정하기 위해서는 시간에 속도를 곱해서 계산하게 된다. 즉, 거리를 계산하는 방식은 아래의 수학식 1과 같다. When measuring the distance at which the reflection pulse is generated using the TDR measuring unit 124, the time taken for the reflection pulse to return is measured. Therefore, in order to measure the distance of the point where the reflection pulse is generated, the time is multiplied by the velocity. That is, the method of calculating the distance is expressed by Equation 1 below.

[수학식 1][Equation 1]

(반사 지점 거리) = (반사펄스의 도착 시간)ㅧ(터치-센싱배선의 VOP)(Reflection point distance) = (arrival time of reflected pulse) ㅧ (VOP of touch-sensing wiring)

따라서, VOP가 실제와 다른 경우, 측정된 반사 지점의 거리는 VOP의 오차율과 비례하여 나타나게 된다. 정확한 측정을 위해서는 측정 대상인 터치-센싱배선의 VOP를 정확히 확인하는 것이 중요하다. 터치-센싱배선의 VOP는 특성 임피던스와 마찬가지로 터치-센싱배선의 구성 형태에 따라 달라지며, 특히, 터치-센싱배선의 기하학적 형태에 의해서도 변화된다. 즉, 동일한 터치-센싱배선이라 하더라도 터치-센싱배선이 굴곡되어 있는지 직선 형태로 형성되어 있는지에 따라서도 미세한 변화가 나타날 수 있다.Therefore, when the VOP is different from the actual value, the distance of the measured reflection point is proportional to the error rate of the VOP. For accurate measurement, it is important to accurately check the VOP of the touch-sensing wiring to be measured. The VOP of the touch-sensing wiring depends on the configuration of the touch-sensing wiring as well as the characteristic impedance, and in particular, also changes according to the geometry of the touch-sensing wiring. That is, even in the case of the same touch-sensing wiring, slight changes may occur depending on whether the touch-sensing wiring is bent or formed in a straight line.

즉, 상기 멀티-터치 센싱회로(120)는 반사펄스(Reflection)의 형태와 반사펄스 도달까지 걸린 시간 등을 시간의 흐름에 따라, 시간축(Time Domain)에서 분석하여 터치-센싱배선의 어느 위치에서 터치가 발생되었는지를 판정한다. 즉, 상기 멀티-터치 센싱회로(120)에서, 상기 송신펄스출력부(122)는 터치-센싱배선(114)에 송신펄스를 보내고, 상기 TDR측정부(124)가 터치의 발생에 따라 되돌아오는 반사펄스를 받아서 터치 위치를 측정한다. That is, the multi-touch sensing circuit 120 analyzes the shape of the reflection pulse and the time taken to reach the reflection pulse in the time domain according to the time domain, It is determined whether a touch has occurred. That is, in the multi-touch sensing circuit 120, the transmission pulse output unit 122 sends a transmission pulse to the touch-sensing wiring 114. When the TDR measuring unit 124 returns The reflected pulse is received and the touch position is measured.

본 실시예에서, 상기 송신펄스출력부(122)와 상기 터치-센싱배선(114) 사이에 TDR측정용 직렬저항(Rs)이 배치된다. 상기 직렬저항(Rs)의 저항값은 통상적인 50 Ohm일 수 있다. 하지만, 필요에 따라서, 상기 직렬저항(Rs)의 저항값은 약 10 Ohm 대역에서 수백 Ohm대역까지 가변될 수 있다. In the present embodiment, a series resistance Rs for TDR measurement is disposed between the transmission pulse output section 122 and the touch-sensing wiring 114. [ The resistance value of the series resistor Rs may be a typical 50 Ohm. However, if necessary, the resistance value of the series resistor Rs can be varied from about 10 Ohm to several hundred Ohm.

상기 직렬저항(Rs)은 상기 송신펄스출력부(122), 상기 TDR측정부(124), 상기 종단처리부(126) 및 상기 콘트롤러(128)가 구현되는 IC의 내부에 내장할 수도 있고, IC의 외부에 개별 부품으로 사용할 수도 있다. 상기 직렬저항(Rs)을 IC의 외부에 사용하게 될 경우, IC에 핀이 증가하는 단점은 있다. 하지만 정밀한 저항을 사용할 수 있어 멀티-터치 센싱장치의 특성을 개선시킬 수 있다. The series resistance Rs may be embedded in an IC in which the transmission pulse output section 122, the TDR measurement section 124, the termination processing section 126 and the controller 128 are implemented, It can also be used as an external part. If the series resistance Rs is used outside the IC, there is a disadvantage that the number of pins in the IC increases. However, it is possible to use a precise resistor to improve the characteristics of the multi-touch sensing device.

상기 직렬저항(Rs)은 터치-센싱배선(114)의 임피던스값과 동일하거나 근사한 값을 사용할 때 TDR신호가 안정적으로 반영되는 특징을 갖는다. 따라서, 터치-센싱배선(114)의 임피던스에 따라 직렬저항(Rs)의 저항값을 가변시킬 수 있다. The series resistance Rs is characterized in that the TDR signal is stably reflected when a value equal to or approximate to the impedance value of the touch-sensing wiring 114 is used. Therefore, the resistance value of the series resistance Rs can be varied in accordance with the impedance of the touch-sensing wiring 114. [

이상에서 설명된 바와 같이, 본 실시예에 따른 멀티-터치 센싱장치는 셀프캡 방식을 이용하여 터치좌표를 인식할 수 있다. 여기서, 셀프캡 방식은 센싱 패턴들에 독립적으로 센싱신호를 인가함과 동시에 동일한 신호선을 이용하여 사용자의 터치 행위로부터 변형된 센싱 신호 자체의 변화량을 측정하여 터치의 발생 유/무를 센싱하는 방식이다.As described above, the multi-touch sensing apparatus according to the present embodiment can recognize the touch coordinates using the self-capping method. Here, the self-capping method is a method of sensing the presence / absence of touch by measuring the amount of change of the sensing signal itself modified from the touch action of the user by applying the sensing signal independently of the sensing patterns and using the same signal line.

또한, 본 실시예에 따른 멀티-터치 센싱장치에 의하면, 평면상에 구불구불한 형태로 배치된 터치-센싱배선이 터치센서와 라우터 배선으로 이용되므로 싱글레이어의 터치패널을 구현할 수 있고, 터치패널의 제조 공정수나 제조 원가를 절감할 수 있다.According to the multi-touch sensing apparatus of the present embodiment, since the touch-sensing wiring arranged in a meandering shape on a plane is used as a touch sensor and a router wiring, a single-layer touch panel can be realized, It is possible to reduce the number of manufacturing steps and manufacturing cost of the semiconductor device.

또한, 본 실시예에 따른 멀티-터치 센싱장치에 의하면, 싱글레이어(single layer)인 터치-센싱배선상에 복수의 터치들이 발생되더라도 해당 터치들 각각에 대응하는 정보가 반사펄스에 포함되므로 멀티-터치를 인식할 수 있다.In addition, according to the multi-touch sensing apparatus of the present embodiment, even if a plurality of touches are generated on a single-layer touch-sensing wire, information corresponding to each of the touches is included in the reflected pulse, The touch can be recognized.

또한, 본 실시예에 따른 멀티-터치 센싱장치에 의하면, 터치-센싱배선을 대형 베이스기판에 구불구불한 형태로 형성하므로써, 대화면 터치패널을 용이하게 구현할 수 있다. In addition, according to the multi-touch sensing device according to the present embodiment, the touch-sensing wiring is formed in a meandering shape on a large base substrate, so that a large-sized touch panel can be easily realized.

또한, 본 실시예에 따른 멀티-터치 센싱장치에 의하면, 터치-센싱배선이 구불구불한 형태로 형성되는 베이스기판으로 필름과 같은 플렉서블 기판을 이용하므로써, 플렉서블 터치패널을 용이하게 구현할 수 있다.In addition, according to the multi-touch sensing apparatus according to the present embodiment, a flexible touch panel can be easily implemented by using a flexible substrate such as a film as a base substrate having a touch-sensing wiring formed in a meandering shape.

도 3은 도 1에 도시된 영역 A의 일례를 설명하기 위한 확대도이다. 3 is an enlarged view for explaining an example of the area A shown in Fig.

도 1 및 도 3을 참조하면, 터치-센싱배선(114)은 직선형상의 배선으로 이루어져 상기 베이스기판을 커버한다. 상기 터치-센싱배선(114)의 폭은 0보다 크고 50 마이크로미터보다 작을 수 있다. 이에 따라, 멀티-터치패널이 표시패널 위에 배치되더라도 사용자의 눈에 시인되지 않을 수 있다. 상기 터치-센싱배선(114)의 두께는 1 마이크로미터 내지 2 마이크로미터일 수 있고, 폭은 20 마이크로미터 내지 30 마이크로미터일 수 있으며, 선저항값은 약 0.02 Ohm/sq. 내지 0.10 Ohm/sq. 일 수 있다. Referring to FIGS. 1 and 3, the touch-sensing wiring 114 is formed of a linear wiring and covers the base substrate. The width of the touch-sensing wiring 114 may be greater than zero and less than 50 micrometers. Accordingly, even when the multi-touch panel is disposed on the display panel, it may not be visible to the user's eyes. The thickness of the touch-sensing wiring 114 may be from 1 micrometer to 2 micrometers, the width may be from 20 micrometers to 30 micrometers, and the line resistance value may be about 0.02 Ohm / sq. To 0.10 Ohm / sq. Lt; / RTI >

도 4는 도 1에 도시된 영역 A의 다른 일례를 설명하기 위한 확대도이다. 특히, 터치-센싱배선(114)을 평면상에서 둘러싸는 그라운드 배선이 더 형성된 예가 도시된다. 4 is an enlarged view for explaining another example of the area A shown in Fig. In particular, an example in which a ground wiring that further surrounds the touch-sensing wiring 114 in a plan view is further formed.

도 1 및 도 4를 참조하면, 터치-센싱배선(114)은 직선형상의 배선으로 이루어지는 금속배선(MW)과, 평면상에서 상기 금속배선(MW)을 둘러싸는 그라운드 배선들(GW)을 포함한다. 상기 그라운드 배선들(GW)은 기준전압을 제공하는 역할을 수행한다. 1 and 4, the touch-sensing wiring 114 includes a metal wiring MW formed of a linear wiring and a ground wiring GW surrounding the metal wiring MW on a plane. The ground lines GW serve to provide a reference voltage.

상기 금속배선(MW)은 직선형상의 배선으로 이루어져 상기 베이스기판(112)을 커버한다. 상기 금속배선(MW)의 폭은 0보다 크고 50 마이크로미터보다 작을 수 있다. 이에 따라, 멀티-터치패널이 표시패널 위에 배치되더라도 사용자의 눈에 시인되지 않을 수 있다.The metal wiring (MW) is formed of a linear wiring and covers the base substrate 112. The width of the metal wire (MW) may be greater than zero and less than 50 micrometers. Accordingly, even when the multi-touch panel is disposed on the display panel, it may not be visible to the user's eyes.

부가적으로, 상기 그라운드 배선들(GW)은 외부의 노이즈가 상기 금속배선(MW)에 미치는 악영향을 제거한다. 상기 그라운드 배선들(GW)은 광학적으로 투명하고 전기적으로 도전성을 갖는 재질을 포함할 수 있다. 예를들어, 상기 그라운드 배선들(GW)은 ITO(indium tin oxide)나 IZO(indium zinc oxide)와 같은 재질을 포함할 수 있다. In addition, the ground wirings GW eliminate adverse effects of external noises on the metal wiring MW. The ground lines GW may include an optically transparent and electrically conductive material. For example, the ground lines GW may include a material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

도 4에서, 그라운드 배선(GW)이 한쌍으로 구성된 것으로 도시하였으나, 상기 그라운드 배선은 상기 금속배선(MW)의 일측에 상기 금속배선과 평행하게 형성될 수도 있다. Although the ground wiring GW is shown as a pair in FIG. 4, the ground wiring may be formed on one side of the metal wiring MW in parallel with the metal wiring.

도 3 또는 도 4에서는 금속배선(MW)이 베이스기판(112)의 단변 또는 장변과 평행하게 직선형태로 형성된 것으로 도시하였다. 하지만, 터치-센싱배선(114)은 도 3 또는 도 4에 도시된 길이보다 긴 형태를 갖도록 베이스기판(112)상에 형성될 수 있다. In FIG. 3 or FIG. 4, the metal wiring MW is formed as a straight line parallel to the short side or the long side of the base substrate 112. However, the touch-sensing wiring 114 may be formed on the base substrate 112 to have a shape longer than the length shown in FIG. 3 or FIG.

도 5는 도 1에 도시된 영역 A의 또 다른 예를 설명하기 위한 확대도이다. 5 is an enlarged view for explaining another example of the area A shown in Fig.

도 1 및 도 5를 참조하면, 터치-센싱배선(114)은 상기 터치-센싱배선(114)의 신장방향(또는 X-축 방향)과 수직하게 지그재그 형태로 형성된 복수의 서브-금속배선(SMW)들을 포함한다. 이때, 서로 인접하는 상기 서브-금속배선(SMW)들의 신장 방향은 평행하다. 서로 인접하는 서브-금속배선(SMW)들 사이의 간격은 동일할 수 있다. 상기 서브-금속배선(SMW)의 폭은 0보다 크고 50 마이크로미터보다 작을 수 있다. 이에 따라, 멀티-터치패널이 표시패널 위에 배치되더라도 사용자의 눈에 시인되지 않을 수 있다. 1 and 5, the touch-sensing wiring 114 includes a plurality of sub-metal wirings (SMW) formed in a zigzag manner perpendicular to the extending direction (or X-axis direction) of the touch- ). At this time, the extension directions of the sub-metal wirings SMW adjacent to each other are parallel. The spacing between adjacent sub-metal wirings (SMW) may be the same. The width of the sub-metal wiring SMW may be greater than zero and less than 50 micrometers. Accordingly, even when the multi-touch panel is disposed on the display panel, it may not be visible to the user's eyes.

+Y-축 방향으로 신장된 서브-금속배선(SMW)은 다시 Y-축 방향으로 회귀하며, 이때 절곡부가 형성된다. 상기 절곡부는 평면상에서 라운드지게 형성된다. 이에 따라, 서브-금속배선(SMW)을 통해 전달되는 송신펄스나 반사펄스는 서브-금속배선(SMW)내에서 반사되지 않고 직진성을 유지하면서 전달될 수 있다. The sub-metal wiring SMW extending in the + Y-axis direction returns again in the Y-axis direction, and the bent portion is formed at this time. The bent portion is formed to be round on a plane. Accordingly, the transmission pulse or the reflection pulse transmitted through the sub-metal wiring SMW can be transmitted while maintaining the linearity without being reflected in the sub-metal wiring SMW.

별도로 도시하지는 않지만, 상기 터치-센싱배선(114)을 둘러싸는 그라운드 배선이 더 형성될 수 있다. 이때, 상기 그라운드 배선은 상기 터치-센싱배선(114)의 일측에 상기 터치-센싱배선(114)과 평행하게 배치될 수 있다. 한편, 상기 그라운드 배선은 한쌍으로 구성되어 상기 터치-센싱배선(114)의 양측에 상기 터치-센싱배선(114)과 평행하게 배치될 수 있다. A ground line surrounding the touch-sensing line 114 may be further formed. At this time, the ground wiring may be disposed on one side of the touch-sensing wiring 114 in parallel with the touch-sensing wiring 114. The ground lines may be arranged in parallel with the touch-sensing line 114 on both sides of the touch-sensing line 114.

도 6은 도 1에 도시된 영역 A의 또 다른 예를 설명하기 위한 확대도이다. 6 is an enlarged view for explaining another example of the area A shown in Fig.

도 1 및 도 6을 참조하면, 터치-센싱배선(114)은 상기 터치-센싱배선(114)의 신장방향과 수직하게 지그재그 형태로 형성된 제1 서브-금속배선(SMW1)과, 상기 제1 서브-금속배선(SMW1)과 연결되고 상기 터치-센싱배선(114)의 신장 방향과 평행하게 지그재그 형태로 형성된 제2 서브-금속배선(SMW2)을 포함한다. 여기서, 상기 터치-센싱배선(114)의 신장 방향은 X-축 방향이다. 1 and 6, the touch-sensing wiring 114 includes a first sub-metal wiring SMW1 formed in a zigzag shape perpendicular to the extending direction of the touch-sensing wiring 114, And a second sub-metal wiring SMW2 connected to the metal wiring SMW1 and formed in a zigzag shape parallel to the extending direction of the touch-sensing wiring 114. [ Here, the extending direction of the touch-sensing wiring 114 is the X-axis direction.

상기 제1 및 제2 서브-금속배선들(SMW1, SMW2) 각각의 폭은 0보다 크고 50 마이크로미터보다 작을 수 있다. 이에 따라, 멀티-터치패널이 표시패널 위에 배치되더라도 사용자의 눈에 시인되지 않을 수 있다.The width of each of the first and second sub-metal wirings SMW1 and SMW2 may be greater than zero and less than 50 micrometers. Accordingly, even when the multi-touch panel is disposed on the display panel, it may not be visible to the user's eyes.

서로 인접하는 상기 제1 서브-금속배선들(SMW1)의 신장 방향은 평행하고, 서로 인접하는 제1 서브-금속배선들(SMW1) 사이의 간격은 동일할 수 있다. 또한, 서로 인접하는 상기 제2 서브-금속배선들(SMW2)의 신장 방향은 평행하고, 서로 인접하는 제2 서브-금속배선들(SMW2) 사이의 간격은 동일할 수 있다.The extension directions of the first sub-metal wirings SMW1 adjacent to each other are parallel, and the interval between the first sub-metal wirings SMW1 adjacent to each other may be the same. In addition, the extending directions of the second sub-metal wirings SMW2 adjacent to each other are parallel, and the interval between the adjacent second sub-metal wirings SMW2 may be the same.

+Y-축 방향으로 신장된 제1 서브-금속배선(SMW1)은 다시 Y-축 방향으로 회귀하며, 이때 절곡부가 형성된다. 상기 절곡부는 평면상에서 라운드지게 형성된다. 이에 따라, 제1 서브-금속배선(SMW1)을 통해 전달되는 송신펄스나 반사펄스는 제1 서브-금속배선(SMW1)내에서 반사되지 않고 직진성을 유지하면서 전달될 수 있다. The first sub-metal wiring SMW1 extending in the + Y-axis direction again returns in the Y-axis direction, and a bent portion is formed at this time. The bent portion is formed to be round on a plane. Accordingly, the transmission pulse or the reflection pulse transmitted through the first sub-metal interconnection SMW1 can be transmitted while maintaining the linearity without being reflected in the first sub-metal interconnection SMW1.

이와 유사하게, +X-축 방향으로 신장된 제2 서브-금속배선(SMW2)은 다시 X-축 방향으로 회귀하며, 이때 절곡부가 형성된다. 상기 절곡부는 평면상에서 라운드지게 형성된다. 이에 따라, 제2 서브-금속배선(SMW2)을 통해 전달되는 송신펄스나 반사펄스는 제2 서브-금속배선(SMW2)내에서 반사되지 않고 직진성을 유지하면서 전달될 수 있다.Similarly, the second sub-metal interconnection SMW2, which is elongated in the + X-axis direction, returns again in the X-axis direction, at which time a bent portion is formed. The bent portion is formed to be round on a plane. Accordingly, the transmission pulse or the reflection pulse transmitted through the second sub-metal interconnection SMW2 can be transmitted while maintaining the linearity without being reflected in the second sub-metal interconnection SMW2.

별도로 도시하지는 않지만, 상기 터치-센싱배선(114)을 둘러싸는 그라운드 배선이 더 형성될 수 있다. 이때, 상기 그라운드 배선은 상기 터치-센싱배선(114)의 일측에 상기 터치-센싱배선(114)과 평행하게 배치될 수 있다. 한편, 상기 그라운드 배선은 한쌍으로 구성되어 상기 터치-센싱배선(114)의 양측에 상기 터치-센싱배선(114)과 평행하게 배치될 수 있다. A ground line surrounding the touch-sensing line 114 may be further formed. At this time, the ground wiring may be disposed on one side of the touch-sensing wiring 114 in parallel with the touch-sensing wiring 114. The ground lines may be arranged in parallel with the touch-sensing line 114 on both sides of the touch-sensing line 114.

도 7은 도 1에 도시된 영역 A의 또 다른 예를 설명하기 위한 확대도이다. 7 is an enlarged view for explaining another example of the area A shown in Fig.

도 1 및 도 7을 참조하면, 터치-센싱배선(114)은 상기 터치-센싱배선(114)의 신장방향과 일정 각도를 갖고서 지그재그 형태로 형성된 서브-금속배선(SMW)을 포함하되, 서로 인접하는 상기 서브-금속배선(SMW)들의 신장 방향은 교차한다. 여기서, 상기 터치-센싱배선(114)의 신장 방향은 X-축 방향이다.1 and 7, the touch-sensing wiring 114 includes a sub-metal wiring SMW formed in a zigzag shape at an angle to the extending direction of the touch-sensing wiring 114, The extension directions of the sub-metal wirings SMW crossing each other. Here, the extending direction of the touch-sensing wiring 114 is the X-axis direction.

상기 서브-금속배선(SMW)의 폭은 0보다 크고 50 마이크로미터보다 작을 수 있다. 이에 따라, 멀티-터치패널이 표시패널 위에 배치되더라도 사용자의 눈에 시인되지 않을 수 있다. The width of the sub-metal wiring SMW may be greater than zero and less than 50 micrometers. Accordingly, even when the multi-touch panel is disposed on the display panel, it may not be visible to the user's eyes.

상기 서브-금속배선(SMW)은 X-축을 기준으로 90도보다 큰 제1 각도를 갖고서 Y-축 방향을 향해 일정 길이만큼 신장되고, X-축과 평행하게 일정 길이만큼 신장된 후, X-축을 기준으로 상기 제1 각도를 갖고서 -Y-축 방향을 향해 일정 길이만큼 신장된다. 이때 상기 서브-금속배선(SMW)은 신장될 때, 절곡부가 형성될 수 있다. 상기 절곡부는 평면상에서 라운드지게 형성된다. 이에 따라, 서브-금속배선(SMW)을 통해 전달되는 송신펄스나 반사펄스는 서브-금속배선(SMW)내에서 반사되지 않고 직진성을 유지하면서 전달될 수 있다. The sub-metal wiring SMW is extended by a predetermined length toward the Y-axis with a first angle larger than 90 degrees with respect to the X-axis, elongated by a predetermined length in parallel with the X-axis, Axis direction with the first angle with respect to the axis. At this time, when the sub-metal wiring SMW is elongated, a bent portion may be formed. The bent portion is formed to be round on a plane. Accordingly, the transmission pulse or the reflection pulse transmitted through the sub-metal wiring SMW can be transmitted while maintaining the linearity without being reflected in the sub-metal wiring SMW.

별도로 도시하지는 않지만, 상기 터치-센싱배선(114)을 둘러싸는 그라운드 배선이 더 형성될 수 있다. 이때, 상기 그라운드 배선은 상기 터치-센싱배선(114)의 일측에 상기 터치-센싱배선(114)과 평행하게 배치될 수 있다. 한편, 상기 그라운드 배선은 한쌍으로 구성되어 상기 터치-센싱배선(114)의 양측에 상기 터치-센싱배선(114)과 평행하게 배치될 수 있다. A ground line surrounding the touch-sensing line 114 may be further formed. At this time, the ground wiring may be disposed on one side of the touch-sensing wiring 114 in parallel with the touch-sensing wiring 114. The ground lines may be arranged in parallel with the touch-sensing line 114 on both sides of the touch-sensing line 114.

이상에서는 터치-센싱배선의 일례들을 설명하였으나, 평면상에 형성되는 터치-센싱배선의 길이를 연장할 수 있는 형상은 다양하게 채용될 수 있음은 자명하다.Although an example of the touch-sensing wiring has been described above, it is apparent that various shapes can be employed to extend the length of the touch-sensing wiring formed on the plane.

도 8은 도 1에 도시된 TDR측정부의 일례를 설명하기 위한 블록도이다. 8 is a block diagram for explaining an example of the TDR measuring unit shown in FIG.

도 1 및 도 8을 참조하면, 일례에 따른 TDR측정부(124)는 딜레이신호 출력부(124a), 멀티플렉서(124b), 아날로그-디지털 컨버터(124c) 및 메모리(124d)를 포함한다. Referring to FIGS. 1 and 8, a TDR measuring unit 124 according to an exemplary embodiment includes a delay signal output unit 124a, a multiplexer 124b, an analog-to-digital converter 124c, and a memory 124d.

상기 딜레이신호 출력부(124a)는 직렬 연결된 복수의 버퍼들로 구성되어, 상기 송신펄스의 출력에 동기하여 복수의 딜레이신호들(d0, d1, d2, d3,..., dn-1, dn)을 상기 멀티플렉서(124b)에 출력한다. 도 7에서, n+1개의 버퍼들이 직렬 연결되어, 송신펄스의 출력에 동기하여 n+1개의 딜레이신호들(d0, d1, d2, d3,..., dn-1, dn)을 출력한다. The delay signal output unit 124a includes a plurality of buffers serially connected to generate a plurality of delay signals d0, d1, d2, d3, ..., dn-1, dn To the multiplexer 124b. 7, n + 1 buffers are serially connected to output n + 1 delay signals d0, d1, d2, d3, ..., dn-1, dn in synchronization with the output of the transmission pulse .

상기 멀티플렉서(124b)는 외부로부터 제공되는 선택신호에 응답하여 상기 딜레이신호들(d0, d1, d2, d3,..., dn-1, dn)을 멀티플렉싱하여 상기 아날로그-디지털 컨버터(124c)에 제공한다. 즉, 상기 멀티플렉서(124b)는 선택신호에 응답하여 딜레이신호들 중 어느 하나를 아날로그-디지털 컨버터(124c)에 제공한다. The multiplexer 124b multiplexes the delay signals d0, d1, d2, d3, ..., dn-1, dn in response to a selection signal provided from the outside and outputs the multiplexed signals to the analog- to provide. That is, the multiplexer 124b provides any one of the delay signals to the analog-to-digital converter 124c in response to the selection signal.

상기 아날로그-디지털 컨버터(124c)는 상기 멀티플렉서(124b)에 의해 멀티플렉싱된 딜레이신호에 응답하여 아날로그 타입의 반사펄스를 디지털 변환하고, 디지털 변환된 반사펄스 데이터를 상기 메모리(124d)에 제공한다. 본 실시예에서, 아날로그-디지털 컨버터(124c)는 아날로그 타입의 반사펄스를 이진데이터로 변환하고, 변환된 이진데이터를 인코딩하여 상기 메모리(124d)에 제공한다. 본 실시예에서, 아날로그-디지털 컨버터(124c)는 플래시 아날로그-디지털 컨버터이다. 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.The analog-to-digital converter 124c digitally converts the reflection pulse of the analog type in response to the delay signal multiplexed by the multiplexer 124b, and provides the digitally converted reflection pulse data to the memory 124d. In this embodiment, the analog-to-digital converter 124c converts the reflection pulse of the analog type into binary data, encodes the converted binary data, and provides it to the memory 124d. In this embodiment, the analog-to-digital converter 124c is a flash analog-to-digital converter. A detailed description thereof will be given later.

상기 메모리(124d)는 상기 아날로그-디지털 컨버터(124c)에 의해 인코딩된 반사펄스 데이터를 저장한다. 상기 메모리(124d)는 콘트롤러(128)의 요청에 따라 저장된 반사펄스 데이터를 상기 콘트롤러(128; 도 1에 도시됨)에 제공한다. The memory 124d stores the reflected pulse data encoded by the analog-to-digital converter 124c. The memory 124d provides the stored reflection pulse data to the controller 128 (shown in FIG. 1) at the request of the controller 128.

본 실시예에서는 상기 메모리(124d)가 TDR측정부(124)에 구비된 것을 설명하였으나, 상기 메모리(124d)는 상기 콘트롤러(128) 내부에 배치될 수도 있고, 상기 콘트롤러(128)와는 별도로 배치될 수도 있다. Although the memory 124d is provided in the TDR measuring unit 124 in the present embodiment, the memory 124d may be disposed inside the controller 128 or separately from the controller 128 It is possible.

도 9는 도 8에 도시된 플래시 아날로그-디지털 컨버터(124c)를 설명하기 위한 블록도이다. 9 is a block diagram for explaining the flash analog-digital converter 124c shown in FIG.

도 8 및 도 9를 참조하면, 플래시 아날로그-디지털 컨버터(124c)는 복수의 저항들이 직렬 연결된 저항스트링(410), 상기 저항스트링(410)에 의해 분배된 전압들 각각과 아날로그 타입의 반사펄스를 비교하는 복수의 전압비교기들을 포함하는 전압비교부(420), 및 상기 전압비교부(420)에서 출력되는 2m 비트를 m비트로 인코딩하는 인코더(430)를 포함하여, 아날로그 타입의 반사펄스와 기준 전압을 동시에 처리하여 반사펄스와 기준 전압 사이의 전압 비교결과를 획득한다. 8 and 9, the flash analog-to-digital converter 124c includes a resistor string 410 in which a plurality of resistors are serially connected, a plurality of resistive strings 410, And an encoder 430 for encoding the 2m bits output from the voltage ratio allocator 420 to m bits so that the reflection pulse of the analog type and the reference voltage are simultaneously supplied to the voltage comparator 420. [ To obtain a voltage comparison result between the reflection pulse and the reference voltage.

상기 저항스트링(410)의 일단에는 제1 극성의 기준전압(REF+)이 인가되고, 타단에는 제2 극성의 기준전압(REF-)이 인가되어, 직렬 연결된 저항들에 의해 전압이 분배된다. 분배된 전압들은 상기 전압비교부(420)에 제공된다. A reference voltage REF + of a first polarity is applied to one end of the resistor string 410, and a reference voltage REF- of a second polarity is applied to the other end thereof, thereby dividing the voltage by the serially connected resistors. The divided voltages are provided to the voltage ratio distributor 420.

상기 반사펄스는 모든 전압비교기에 입력되고, 기준 전압은 모든 전압 비교기 각각에 입력된다. 이에 따라, 전압비교기들 각각은 반사펄스와 저항스트링에 의해 분배된 전압들 각각을 동시에 비교하여 논리1 또는 논리0을 전압 비교결과로서 출력한다. The reflected pulse is input to all voltage comparators, and the reference voltage is input to each of the voltage comparators. Thus, each of the voltage comparators simultaneously compares each of the voltages distributed by the reflected pulse and the resistor string and outputs a logic 1 or logic 0 as a result of the voltage comparison.

상기 인코더(430)는 상기 전압비교기들 각각에서 제공되는 비교결과를 m비트로 인코딩하여 출력한다. 예를들면, 반사펄스에 대응하는 전압이 모든 기준 전압보다 낮은 경우(즉, 모든 비교기가 논리 0을 출력함), 인코더는 비교결과를 데이터 0으로 인코딩한다. 반사펄스에 대응하는 전압이 부극성 기준전압에 최근접하는 기준전압보다 크고, 다른 기준 전압들보다 낮은 경우(즉, 비교기(X1)가 논리 1을 출력하고, 다른 비교기들은 논리 0을 출력함), 인코더는 비교결과를 데이터 1로 인코딩한다.The encoder 430 encodes the comparison result provided by each of the voltage comparators into m bits and outputs the result. For example, if the voltage corresponding to the reflected pulse is lower than all of the reference voltages (i.e., all comparators output a logic 0), the encoder will encode the comparison result to data 0. If the voltage corresponding to the reflected pulse is greater than the reference voltage closest to the negative reference voltage and lower than the other reference voltages (i.e., comparator X1 outputs logic 1 and the other comparators output logic 0) The encoder encodes the comparison result as data 1.

전압비교기가 10개로 구성될 때, 상기 인코더(430)에서 출력되는 비교결과는 아래의 표 1과 같이 정리될 수 있다. When the voltage comparators are composed of 10, the comparison result outputted from the encoder 430 can be summarized as shown in Table 1 below.

[표 1][Table 1]

Figure 112012073513646-pat00001
Figure 112012073513646-pat00001

도 10은 도 1에 도시된 TDR측정부의 다른 예를 설명하기 위한 블록도이다. 10 is a block diagram for explaining another example of the TDR measuring unit shown in FIG.

도 1 및 도 10을 참조하면, 다른 예에 따른 TDR측정부는 딜레이신호 출력부(124a), 복수의 아날로그-디지털 컨버터들(124c0, 124c1,..., 124cn) 및 메모리(124d)를 포함한다. 1 and 10, the TDR measurement unit according to another example includes a delay signal output unit 124a, a plurality of analog-to-digital converters 124c0, 124c1, ..., 124cn, and a memory 124d .

상기 딜레이신호 출력부(124a)는 직렬 연결된 복수의 버퍼들로 구성되어, 상기 송신펄스의 출력에 동기하여 복수의 딜레이신호들(d0, d1, d2, d3,..., dn-1, dn)을 상기 아날로그-디지털 컨버터들(124c0, 124c1,..., 124cn)에 출력한다. 도 9에서, n+1개의 버퍼들이 직렬 연결되어, 송신펄스의 출력에 동기하여 n+1개의 딜레이신호들(d0, d1, d2, d3,..., dn-1, dn)을 출력한다. The delay signal output unit 124a includes a plurality of buffers serially connected to generate a plurality of delay signals d0, d1, d2, d3, ..., dn-1, dn To the analog-to-digital converters 124c0, 124c1, ..., and 124cn. In FIG. 9, n + 1 buffers are serially connected to output n + 1 delay signals d0, d1, d2, d3, ..., dn-1, dn in synchronization with the output of the transmission pulse .

상기 아날로그-디지털 컨버터들(124c0, 124c1,..., 124cn) 각각은 상기 버퍼들에서 출력되는 딜레이신호에 응답하여 아날로그 타입의 반사펄스를 디지털 변환하고, 디지털 변환된 반사펄스 데이터를 상기 메모리(124d)에 제공한다. 본 실시예에서, 아날로그-디지털 컨버터들(124c0, 124c1,..., 124cn) 각각은 아날로그 타입의 반사펄스를 이진데이터로 변환하고, 변환된 이진데이터를 인코딩하여 상기 메모리(124d)에 제공한다. 본 실시예에서, 아날로그-디지털 컨버터들(124c0, 124c1,..., 124cn) 각각은 플래시 아날로그-디지털 컨버터이다. 플래시 아날로그-디지털 컨버터는 도 8에서 설명되었으므로 자세한 설명은 생략한다.Each of the analog-to-digital converters 124c0, 124c1, ..., 124cn digitally converts an analog type of reflection pulse in response to a delay signal output from the buffers, 124d. In this embodiment, each of the analog-to-digital converters 124c0, 124c1, ..., 124cn converts the reflection pulse of the analog type into binary data, encodes the converted binary data and provides it to the memory 124d . In this embodiment, each of the analog-to-digital converters 124c0, 124c1, ..., 124cn is a flash analog-to-digital converter. Since the flash analog-to-digital converter has been described with reference to FIG. 8, a detailed description thereof will be omitted.

상기 메모리(124d)는 상기 아날로그-디지털 컨버터들(124c0, 124c1,..., 124cn) 각각에 의해 인코딩된 반사펄스 데이터를 저장한다. 상기 메모리(124d)는 콘트롤러(128)의 요청에 따라 저장된 반사펄스 데이터를 상기 콘트롤러(128; 도 1에 도시됨)에 제공한다. The memory 124d stores the reflected pulse data encoded by each of the analog-to-digital converters 124c0, 124c1, ..., 124cn. The memory 124d provides the stored reflection pulse data to the controller 128 (shown in FIG. 1) at the request of the controller 128.

본 실시예에서는 상기 메모리(124d)가 TDR측정부에 구비된 것을 설명하였으나, 상기 메모리(124d)는 상기 콘트롤러(128) 내부에 배치될 수도 있고, 별도로 배치될 수도 있다.In the present embodiment, the memory 124d is provided in the TDR measuring unit. However, the memory 124d may be disposed inside the controller 128 or separately.

도 11은 도 1에 도시된 TDR측정부의 또 다른 예를 설명하기 위한 블록도이다.11 is a block diagram for explaining another example of the TDR measurement unit shown in FIG.

도 11을 참조하면, 또 다른 예에 따른 TDR측정부는 딜레이신호 출력부(124a), 제1 멀티플렉서(124b1), 제2 멀티플렉서(124b2), 제1 아날로그-디지털 컨버터(124c1), 제2 아날로그-디지털 컨버터(124c2) 및 메모리(124d)를 포함한다. 11, a TDR measurement unit according to another example includes a delay signal output unit 124a, a first multiplexer 124b1, a second multiplexer 124b2, a first analog-to-digital converter 124c1, a second analog- Digital converter 124c2 and a memory 124d.

상기 딜레이신호 출력부(124a)는 직렬 연결된 복수의 버퍼들로 구성되어, 상기 송신펄스의 출력에 동기하여 복수의 딜레이신호들(d0, d1, d2, d3,..., dn-1, dn)을 상기 제1 멀티플렉서(124b1) 및 상기 제2 멀티플렉서(124b2)에 출력한다. 도 10에서, n+1개의 버퍼들이 직렬 연결되어, 송신펄스의 출력에 동기하여 n+1개의 딜레이신호들(d0, d1, d2, d3,..., dn-1, dn)을 출력한다. 예를들어, 홀수번째 딜레이신호들은 상기 제1 멀티플렉서(124b1)에 출력되고, 짝수번째 딜레이신호들은 상기 제2 멀티플렉서(124b2)에 출력된다. The delay signal output unit 124a includes a plurality of buffers serially connected to generate a plurality of delay signals d0, d1, d2, d3, ..., dn-1, dn To the first multiplexer 124b1 and the second multiplexer 124b2. In FIG. 10, n + 1 buffers are serially connected to output n + 1 delay signals d0, d1, d2, d3, ..., dn-1, dn in synchronization with the output of the transmission pulse . For example, odd-numbered delay signals are output to the first multiplexer 124b1, and even-numbered delay signals are output to the second multiplexer 124b2.

상기 제1 멀티플렉서(124b1)는 외부로부터 제공되는 선택신호에 응답하여 상기 딜레이신호들(d0, d1, d2, d3,..., dn-1, dn) 중 제1 내지 제(n/2)번째 딜레이신호들(d0, d1, d2,..., d(n/2))을 멀티플렉싱하여 상기 제1 아날로그-디지털 컨버터에 제공한다. 즉, 상기 제1 멀티플렉서(124b1)는 선택신호에 응답하여 제1 내지 제(n/2)번째 딜레이신호들(d0, d1, d2,..., d(n/2)) 중 어느 하나를 상기 제1 아날로그-디지털 컨버터에 제공한다. The first multiplexer 124b1 multiplexes the first to the (n / 2) bits of the delay signals d0, d1, d2, d3, ..., dn-1, dn in response to a selection signal provided from the outside, D delay signals d0, d1, d2, ..., d (n / 2) to the first analog-to-digital converter. That is, the first multiplexer 124b1 selects any one of the first through (n / 2) -th delay signals d0, d1, d2, ..., d (n / 2) To the first analog-to-digital converter.

상기 제2 멀티플렉서(124b2)는 외부로부터 제공되는 선택신호에 응답하여 상기 딜레이신호들(d0, d1, d2, d3,..., dn-1, dn) 중 제(n/2+1) 내지 제n번째 딜레이신호들(d(n/2+1), d(n/2+2),..., d(n-1), dn)을 멀티플렉싱하여 상기 제2 아날로그-디지털 컨버터에 제공한다. 즉, 상기 제2 멀티플렉서(124b2)는 선택신호에 응답하여 제(n/2+1) 내지 제n번째 딜레이신호들(d(n/2+1), d(n/2+2),..., d(n-1), dn) 중 어느 하나를 상기 제2 아날로그-디지털 컨버터에 제공한다.The second multiplexer 124b2 selects the (n / 2 + 1) th to (n / 2 + 1) th to (n / 2) (N / 2 + 2), ..., d (n-1), dn) to the second analog-to-digital converter do. That is, the second multiplexer 124b2 outputs the (n / 2 + 1) th to (n / 2) th to (n / 2 + 1) th to the nth delay signals d (n / 2 + 1), d ..., d (n-1), dn to the second analog-to-digital converter.

상기 제1 아날로그-디지털 컨버터(124c1)는 상기 제1 버퍼에서 출력되는 딜레이신호에 응답하여 아날로그 타입의 반사펄스를 디지털 변환하고, 디지털 변환된 반사펄스 데이터를 상기 메모리(124d)에 제공한다. The first analog-to-digital converter 124c1 digitally converts analog-type reflection pulses in response to the delay signal output from the first buffer, and provides the digital-converted reflection pulse data to the memory 124d.

상기 제2 아날로그-디지털 컨버터(124c2)는 상기 제2 버퍼에서 출력되는 딜레이신호에 응답하여 아날로그 타입의 반사펄스를 디지털 변환하고, 디지털 변환된 반사펄스 데이터를 상기 메모리(124d)에 제공한다. The second analog-to-digital converter 124c2 digitally converts the analog-type reflection pulse in response to the delay signal output from the second buffer, and provides the digital-converted reflection pulse data to the memory 124d.

본 실시예에서, 제1 및 제2 아날로그-디지털 컨버터들(124c1,124c2) 각각은 아날로그 타입의 반사펄스를 이진데이터로 변환하고, 변환된 이진데이터를 인코딩하여 상기 메모리(124d)에 제공한다. 본 실시예에서, 제1 및 제2 아날로그-디지털 컨버터들(124c1,124c2)은 플래시 아날로그-디지털 컨버터이다. 플래시 아날로그-디지털 컨버터는 도 8에서 설명되었으므로 자세한 설명은 생략한다.In this embodiment, each of the first and second analog-to-digital converters 124c1 and 124c2 converts the reflection pulse of the analog type into binary data, encodes the converted binary data, and provides it to the memory 124d. In this embodiment, the first and second analog-to-digital converters 124c1 and 124c2 are flash analog-to-digital converters. Since the flash analog-to-digital converter has been described with reference to FIG. 8, a detailed description thereof will be omitted.

상기 메모리(124d)는 상기 제1 및 제2 아날로그-디지털 컨버터들(124c1,124c2) 각각에 의해 인코딩된 반사펄스 데이터를 저장한다. 상기 반사펄스 데이터들은 상기 메모리(124d)의 하나의 주소라인에 교호로 저장될 수 있다. 즉, 상기 메모리(124d)의 하나의 주소라인은 논리적으로 2등분되어 좌측 주소라인과 우측 주소라인으로 정의될 수 있다. 상기 좌측 주소라인에 대응하는 영역에는 홀수번째 딜레이 신호에 대응하여 디지털 변환된 반사펄스 데이터들이 순차적으로 저장되고, 상기 우측 주소라인에 대응하는 영역에는 짝수번째 딜레이 신호에 대응하여 디지털 변환된 반사펄스 데이터들이 순차적으로 저장될 수 있다. The memory 124d stores the reflected pulse data encoded by each of the first and second analog-to-digital converters 124c1 and 124c2. The reflection pulse data may alternately be stored in one address line of the memory 124d. That is, one address line of the memory 124d may be logically bisected and defined as a left address line and a right address line. In the area corresponding to the left address line, the reflection pulse data digitally converted corresponding to the odd-numbered delay signal are sequentially stored. In the area corresponding to the right address line, the reflection pulse data May be sequentially stored.

예를들어, 상기 제1 아날로그-디지털 컨버터(124c1)에서 제공되는 첫번째 반사펄스 데이터는 상기 메모리(124d)의 좌측 주소라인의 첫번째 주소에 대응하여 저장되고, 상기 제2 아날로그-디지털 컨버터(124c2)에서 제공되는 두번째 반사펄스 데이터는 상기 메모리(124d)의 우측 주소라인의 두번째 주소에 대응하여 저장된다. For example, the first reflection pulse data provided from the first analog-to-digital converter 124c1 is stored corresponding to the first address of the left address line of the memory 124d, and the second analog-to- The second reflection pulse data provided in the memory 124d is stored corresponding to the second address of the right address line of the memory 124d.

이러한 방식으로 상기 메모리(124d)의 하나의 주소라인에는 교호로, 그리고 순차적으로 반사펄스 데이터들이 저장된다. 상기 메모리(124d)의 첫번째 주소라인에 대응하는 각각의 주소들에 반사펄스 데이터들이 저장된 후, 두번째 주소라인에 대응하는 각각의 주소들에 반사펄스 데이터들이 저장될 수 있다.In this way, one address line of the memory 124d stores alternately and sequentially reflected pulse data. Reflection pulse data may be stored in each of the addresses corresponding to the first address line of the memory 124d, and then reflected pulse data may be stored in each of the addresses corresponding to the second address line.

도 12는 도 1에 도시된 TDR측정부의 또 다른 예를 설명하기 위한 블록도이다.12 is a block diagram for explaining another example of the TDR measurement unit shown in FIG.

도 12를 참조하면, 또 다른 예에 따른 TDR측정부는 딜레이신호 출력부(124a), 제1 멀티플렉서(124b1), 제2 멀티플렉서(124b2), 제1 아날로그-디지털 컨버터(124c1), 제2 아날로그-디지털 컨버터(124c2) 및 메모리(124d)를 포함한다. 12, a TDR measurement unit according to another example includes a delay signal output unit 124a, a first multiplexer 124b1, a second multiplexer 124b2, a first analog-to-digital converter 124c1, a second analog- Digital converter 124c2 and a memory 124d.

상기 딜레이신호 출력부(124a)는 직렬 연결된 복수의 버퍼들로 구성되어, 상기 송신펄스의 출력에 동기하여 복수의 딜레이신호들(d0, d1, d2, d3,..., dn-1, dn)을 상기 아날로그-디지털 컨버터들에 출력한다. 도 11에서, n+1개의 버퍼들이 직렬 연결되어, 송신펄스의 출력에 동기하여 n+1개의 딜레이신호들(d0, d1, d2, d3,..., dn-1, dn)을 출력한다. The delay signal output unit 124a includes a plurality of buffers serially connected to generate a plurality of delay signals d0, d1, d2, d3, ..., dn-1, dn To the analog-to-digital converters. 11, n + 1 buffers are serially connected to output n + 1 delay signals d0, d1, d2, d3, ..., dn-1, dn in synchronization with the output of the transmission pulse .

상기 제1 멀티플렉서(124b1)는 외부로부터 제공되는 선택신호에 응답하여 상기 딜레이신호들(d0, d1, d2, d3,..., dn-1, dn) 중 홀수번째 딜레이신호들(d0, d2, d4,..., dn-1)을 멀티플렉싱하여 상기 제1 아날로그-디지털 컨버터(124c1)에 제공한다. 즉, 상기 제1 멀티플렉서(124b1)는 선택신호에 응답하여 홀수번째 딜레이신호들(d0, d2, d4,..., dn-1) 중 어느 하나를 상기 제1 아날로그-디지털 컨버터(124c1)에 제공한다. The first multiplexer 124b1 receives the odd-numbered delay signals d0 and d2 (d0, d2, d3, ..., dn-1, dn) of the delay signals d0, , d4, ..., dn-1) to the first analog-digital converter 124c1. That is, the first multiplexer 124b1 outputs any one of the odd-numbered delay signals d0, d2, d4, ..., dn-1 to the first analog-to-digital converter 124c1 to provide.

상기 제2 멀티플렉서(124b2)는 외부로부터 제공되는 선택신호에 응답하여 상기 딜레이신호들(d0, d1, d2, d3,..., dn-1, dn) 중 짝수번째 딜레이신호들(d1, d3, d5,..., dn)을 멀티플렉싱하여 상기 제2 아날로그-디지털 컨버터(124c2)에 제공한다. 즉, 상기 제2 멀티플렉서(124b2)는 선택신호에 응답하여 짝수번째 딜레이신호들(d1, d3, d5,..., dn) 중 어느 하나를 상기 제2 아날로그-디지털 컨버터(124c2)에 제공한다.The second multiplexer 124b2 receives the even-numbered delay signals d1 and d3 of the delay signals d0, d1, d2, d3, ..., dn-1 and dn in response to a selection signal provided from the outside. , d5, ..., dn) to the second analog-to-digital converter (124c2). That is, the second multiplexer 124b2 provides any one of the even-numbered delay signals d1, d3, d5, ..., dn to the second analog-to-digital converter 124c2 in response to the selection signal .

상기 제1 아날로그-디지털 컨버터(124c1)는 상기 제1 멀티플렉서(124b1)에서 출력되는 홀수번째 딜레이신호에 응답하여 아날로그 타입의 반사펄스를 디지털 변환하고, 디지털 변환된 반사펄스 데이터를 상기 메모리(124d)에 제공한다. The first analog-to-digital converter 124c1 digitally converts the reflection pulse of the analog type in response to the odd-numbered delay signal output from the first multiplexer 124b1, and outputs the digitally-converted reflection pulse data to the memory 124d. .

상기 제2 아날로그-디지털 컨버터(124c2)는 상기 제2 멀티플렉서(124b2)에서 출력되는 짝수번째 딜레이신호에 응답하여 아날로그 타입의 반사펄스를 디지털 변환하고, 디지털 변환된 반사펄스 데이터를 상기 메모리(124d)에 제공한다. The second analog-to-digital converter 124c2 digitally converts the reflection pulse of the analog type in response to the even-numbered delay signal output from the second multiplexer 124b2, and outputs the digitally-converted reflection pulse data to the memory 124d. .

본 실시예에서, 제1 및 제2 아날로그-디지털 컨버터들(124c1, 124c2) 각각은 아날로그 타입의 반사펄스를 이진데이터로 변환하고, 변환된 이진데이터를 인코딩하여 상기 메모리(124d)에 제공한다. 본 실시예에서, 제1 및 제2 아날로그-디지털 컨버터들(124c1, 124c2)은 플래시 아날로그-디지털 컨버터이다. 플래시 아날로그-디지털 컨버터는 도 8에서 설명되었으므로 자세한 설명은 생략한다.In this embodiment, each of the first and second analog-to-digital converters 124c1 and 124c2 converts the reflection pulse of analog type into binary data, encodes the converted binary data, and provides it to the memory 124d. In this embodiment, the first and second analog-to-digital converters 124c1 and 124c2 are flash analog-to-digital converters. Since the flash analog-to-digital converter has been described with reference to FIG. 8, a detailed description thereof will be omitted.

상기 메모리(124d)는 상기 제1 및 제2 아날로그-디지털 컨버터들(124c1, 124c2) 각각에 의해 인코딩된 반사펄스 데이터를 저장한다. 상기 반사펄스 데이터들은 상기 메모리(124d)의 하나의 주소라인에 순차적으로 저장될 수 있다. The memory 124d stores the reflected pulse data encoded by each of the first and second analog-to-digital converters 124c1 and 124c2. The reflection pulse data may be sequentially stored in one address line of the memory 124d.

예를들어, 상기 제1 아날로그-디지털 컨버터(124c1)에서 제공되는 첫번째 반사펄스 데이터는 상기 메모리(124d)의 첫번째 주소라인의 첫번째 주소에 대응하여 저장되고, 상기 제2 아날로그-디지털 컨버터(124c2)에서 제공되는 두번째 반사펄스 데이터는 상기 메모리(124d)의 첫번째 주소라인의 두번째 주소에 대응하여 저장된다. For example, the first reflection pulse data provided from the first analog-to-digital converter 124c1 is stored corresponding to the first address of the first address line of the memory 124d, and the second analog-to- The second reflection pulse data provided in the memory 124d is stored corresponding to the second address of the first address line of the memory 124d.

이러한 방식으로 상기 메모리(124d)의 하나의 주소라인에는 순차적으로 반사펄스 데이터들이 저장된다. 상기 메모리(124d)의 첫번째 주소라인에 대응하는 각각의 주소들에 반사펄스 데이터들이 저장된 후, 두번째 주소라인에 대응하는 각각의 주소들에 반사펄스 데이터들이 저장될 수 있다. In this manner, reflection pulse data is sequentially stored in one address line of the memory 124d. Reflection pulse data may be stored in each of the addresses corresponding to the first address line of the memory 124d, and then reflected pulse data may be stored in each of the addresses corresponding to the second address line.

도 13은 도 1에 도시된 종단처리부(126)를 설명하기 위한 블록도이다. 도 14a는 도 13에 도시된 그라운드 설정부(620)에 의한 반사펄스를 설명하기 위한 파형도이다. 도 14b는 도 13에 도시된 회로 오픈부(630)에 의한 반사펄스를 설명하기 위한 파형도이다. 도 14c는 도 13에 도시된 임피던스 매칭부(640)에 의한 반사펄스를 설명하기 위한 파형도이다. 도 14a 내지 도 14c에서, 2Tp는 송신펄스 출력후 반사펄스의 도달시간을 나타내고, V는 반사펄스의 전압레벨을 나타낸다. 13 is a block diagram for explaining the termination processing unit 126 shown in FIG. 14A is a waveform diagram for explaining a reflection pulse by the ground setting unit 620 shown in FIG. 14B is a waveform diagram for explaining the reflection pulse by the circuit open portion 630 shown in FIG. 14C is a waveform diagram for explaining the reflection pulse by the impedance matching unit 640 shown in FIG. 14A to 14C, 2Tp represents the arrival time of the reflection pulse after transmission pulse output, and V represents the voltage level of the reflection pulse.

도 1 및 도 13을 참조하면, 종단처리부(126)는 종단스위치(610), 그라운드 설정부(620), 회로 오픈부(630) 및 임피던스 매칭부(640)를 포함한다. 1 and 13, the terminating unit 126 includes a terminating switch 610, a ground setting unit 620, a circuit open unit 630, and an impedance matching unit 640.

상기 종단스위치(610)는 상기 터치-센싱배선(114; 도 1에 도시됨)의 종단을 상기 그라운드 설정부(620), 상기 회로 오픈부(630) 및 상기 임피던스 매칭부(640) 중 어느 하나와 연결시킨다. 예를들어, 상기 종단스위치(610)는 콘트롤러(128; 도 1에 도시됨)의 제어에 응답하여 주변 환경에 따라 상기 그라운드 설정부(620), 상기 회로 오픈부(630) 및 상기 임피던스 매칭부(640) 중 어느 하나를 선택한다.The termination switch 610 connects the terminating end of the touch-sensing wiring 114 (shown in FIG. 1) to either the ground setting part 620, the circuit opening part 630, or the impedance matching part 640 . For example, in response to control of the controller 128 (shown in FIG. 1), the termination switch 610 may be connected to the ground setting unit 620, the circuit opening unit 630, (640).

상기 그라운드 설정부(620)는 상기 터치-센싱배선(114)의 종단을 접지단과 연결시킨다. 이에 따라, 상기 터치-센싱배선(114)의 종단임피던스가 그라운드 레벨로 설정되므로, 도 14a에 도시된 바와 같이, 반사펄스는 0V로 유지된다. The ground setting unit 620 connects the terminal of the touch-sensing wiring 114 with the ground terminal. Accordingly, since the termination impedance of the touch-sensing wiring 114 is set to the ground level, the reflected pulse is maintained at 0 V as shown in FIG. 14A.

상기 회로 오픈부(630)는 상기 터치-센싱배선(114)의 종단을 플로팅시킨다. 이에 따라, 상기 터치-센싱배선(114)의 종단임피던스가 플로팅레벨로 설정되므로, 도 14b에 도시된 바와 같이, 반사펄스는 2V로 유지된다. The circuit open portion 630 floats the end of the touch-sensing wiring 114. Accordingly, since the termination impedance of the touch-sensing wiring 114 is set to the floating level, the reflected pulse is maintained at 2V as shown in FIG. 14B.

상기 임피던스 매칭부(640)는 상기 터치-센싱배선(114)의 임피던스와 동일한 임피던스를 갖도록 매칭된다. 이에 따라, 상기 터치-센싱배선(114)의 종단임피던스는 도 14c에 도시된 바와 같이, 반사펄스의 전압과 동일하게 1V로 유지된다. The impedance matching unit 640 is matched with the impedance of the touch-sensing wiring 114 to have the same impedance. Accordingly, the termination impedance of the touch-sensing wiring 114 is maintained at 1 V as the voltage of the reflection pulse, as shown in FIG. 14C.

도 15는 도 13에 도시된 임피던스 매칭부(640)의 일례를 설명하기 위한 개념도이다. FIG. 15 is a conceptual diagram for explaining an example of the impedance matching unit 640 shown in FIG.

도 15를 참조하면, 임피던스 매칭부(640)는 복수의 저항들로 구성된 저항스트링(642)과, 상기 저항들 각각의 노드에 연결된 스위칭부(644)를 포함한다. 본 실시예에서, 상기 저항스트링(642)은 제1 저항(R11), 제2 저항(R12), 제3 저항(R13) 및 제4 저항(R14)으로 구성되고, 상기 스위칭부(644)는 제1 스위치(SW11), 제2 스위치(SW12), 제3 스위치(SW13) 및 제4 스위치(SW14)로 구성된 것을 도시한다. Referring to FIG. 15, the impedance matching unit 640 includes a resistor string 642 composed of a plurality of resistors, and a switching unit 644 connected to each node of the resistors. In the present embodiment, the resistor string 642 is composed of a first resistor R11, a second resistor R12, a third resistor R13 and a fourth resistor R14, The first switch SW11, the second switch SW12, the third switch SW13 and the fourth switch SW14.

여기서, 상기 제1 내지 제4 저항들(R11, R12, R13, R14) 각각의 저항값은 서로 동일할 수 있다. 또한, 상기 제1 내지 제4 스위치들(SW11, SW12, SW13, SW14)은 병렬 연결되어 상기 제1 내지 제4 저항들(R11, R12, R13, R14) 각각의 노드에 연결된다. 본 실시예에서, 저항스트링(642)은 4개의 저항들로 구성되고, 스위칭부(644)는 4개의 스위치들로 구성된 것을 도시하였으나, 4개의 저항들과 4개의 스위치들로 한정하는 것은 아니다.Here, the resistance values of the first to fourth resistors R11, R12, R13, and R14 may be equal to each other. The first to fourth switches SW11, SW12, SW13 and SW14 are connected in parallel to nodes of the first to fourth resistors R11, R12, R13 and R14. In this embodiment, the resistor string 642 is composed of four resistors, and the switching unit 644 is composed of four switches, but it is not limited to four resistors and four switches.

동작시, 예를들어, 상기 제1 내지 제4 스위치들(SW11, SW12, SW13, SW14)이 오프되면, 상기 임피던스 매칭부(640)의 임피던스는 직렬 연결된 제1 내지 제4 저항들(R11, R12, R13, R14)에 의해 정의된다. In operation, for example, when the first to fourth switches SW11, SW12, SW13, and SW14 are turned off, the impedance of the impedance matching unit 640 is connected to the first through fourth resistors R11, R12, R13, R14).

상기 제1 스위치(SW11)가 온되고 상기 제2 내지 제4 스위치(R12, R13, R14)가 오프되면, 상기 임피던스 매칭부(640)의 임피던스는 직렬 연결된 제2 내지 제4 저항들(R11, R12, R13, R14)에 의해 정의된다. 이와 유사하게, 상기 제2 스위치(SW12)가 온되고 상기 제1, 제3 및 제4 스위치들(SW11, SW13, SW14)이 오프되면, 상기 임피던스 매칭부(640)의 임피던스는 상기 제1, 제3 및 제4 저항들(R11, R13, R14)에 의해 정의된다. 상기 제3 스위치(SW13)가 온되고, 상기 제1, 제2 및 제4 스위치(SW11, SW12, SW14)가 오프되면, 상기 임피던스 매칭부(640)의 임피던스는 상기 제1, 제2 및 제4 저항들(R11, R12, R14)에 의해 정의된다. When the first switch SW11 is turned on and the second to fourth switches R12, R13, and R14 are turned off, the impedance of the impedance matching unit 640 is lower than the impedance of the second through fourth resistors R11, R12, R13, R14). Similarly, when the second switch SW12 is turned on and the first, third, and fourth switches SW11, SW13, and SW14 are turned off, the impedance of the impedance matching unit 640 is' Third and fourth resistors R11, R13 and R14. When the third switch SW13 is turned on and the first, second, and fourth switches SW11, SW12, and SW14 are turned off, the impedance of the impedance matching unit 640 is lower than the impedance of the first, 4 resistors (R11, R12, R14).

이러한 방식으로 상기 스위칭부(644)의 절환 동작에 의해 상기 임피던스 매칭부(640)의 임피던스가 가변된다. 이러한 임피던스 가변은 콘트롤러(도 1에 도시됨)의 제어에 의해 이루어질 수 있다. In this way, the impedance of the impedance matching unit 640 is varied by the switching operation of the switching unit 644. This impedance variable can be achieved by controlling the controller (shown in FIG. 1).

도 16은 도 13에 도시된 임피던스 매칭부(640)의 다른 예를 설명하기 위한 개념도이다. FIG. 16 is a conceptual diagram for explaining another example of the impedance matching unit 640 shown in FIG.

도 16을 참조하면, 임피던스 매칭부(640)는 복수의 저항들로 구성된 저항스트링(646)과, 상기 저항들 각각의 노드에 연결된 스위칭부(648)를 포함한다. 본 실시예에서, 상기 저항스트링(646)은 제1 저항(R21), 제2 저항(R22), 제3 저항(R23) 및 제4 저항(R24)으로 구성되고, 상기 스위칭부(648)는 제1 스위치(SW21), 제2 스위치(SW22), 제3 스위치(SW23) 및 제4 스위치(SW24)로 구성된 것을 도시한다. 16, the impedance matching unit 640 includes a resistor string 646 composed of a plurality of resistors, and a switching unit 648 connected to each node of the resistors. In the present embodiment, the resistor string 646 is composed of a first resistor R21, a second resistor R22, a third resistor R23 and a fourth resistor R24, The first switch SW21, the second switch SW22, the third switch SW23, and the fourth switch SW24.

여기서, 상기 제1 저항(R21)의 저항값은 상기 제2 저항(R22)의 저항값의 두배이고, 상기 제2 저항(R22)의 저항값은 상기 제3 저항(R23)의 저항값의 두배이며, 상기 제3 저항(R23)의 저항값은 제4 저항(R24)의 저항값의 두배일 수 있다. Here, the resistance value of the first resistor R21 is twice the resistance value of the second resistor R22, and the resistance value of the second resistor R22 is twice the resistance value of the third resistor R23 And the resistance value of the third resistor R23 may be twice the resistance value of the fourth resistor R24.

또한, 상기 제1 내지 제4 스위치들(SW11, SW22, SW23, SW24)은 직렬 연결되고, 상기 제1 내지 제4 스위치들(SW11, SW22, SW23, SW24)은 상기 제1 내지 제4 저항들(R21, R22, R23, R24) 각각과 병렬 연결된다. 본 실시예에서, 저항스트링(646)은 4개의 저항들로 구성되고, 스위칭부(648)는 4개의 스위치들로 구성된 것을 도시하였으나, 4개의 저항들과 4개의 스위치들로 한정하는 것은 아니다. The first through fourth switches SW11, SW22, SW23 and SW24 are connected in series, and the first through fourth switches SW11, SW22, SW23 and SW24 are connected to the first through fourth resistors (R21, R22, R23, R24). In this embodiment, the resistance string 646 is composed of four resistors, and the switching unit 648 is composed of four switches, but it is not limited to four resistors and four switches.

동작시, 예를들어, 상기 제1 내지 제4 스위치들(SW21, SW22, SW23, SW24)이 오프되면, 상기 임피던스 매칭부(640)의 임피던스는 직렬 연결된 제1 내지 제4 저항들(R21, R22, R23, R24)에 의해 정의된다. In operation, for example, when the first to fourth switches SW21, SW22, SW23, and SW24 are off, the impedance of the impedance matching unit 640 is connected to the first through fourth resistors R21, R22, R23, R24).

상기 제1 스위치(SW21)가 온되고 상기 제2 내지 제4 스위치들(SW22, SW23, SW24)이 오프되면, 상기 임피던스 매칭부(640)의 임피던스는 직렬 연결된 상기 제2, 제3 및 제4 저항들(R22, R23, R24)에 의해 정의된다.When the first switch SW21 is turned on and the second to fourth switches SW22, SW23, and SW24 are turned off, the impedance of the impedance matching unit 640 is lower than the impedance of the second, And is defined by resistors R22, R23, and R24.

상기 제1 및 제2 스위치들(SW21, SW22)이 온되고 상기 제3 및 제4 스위치들(SW23, SW24)이 오프되면, 상기 임피던스 매칭부(640)의 임피던스는 직렬 연결된 상기 제3 및 제4 저항들(R23, R24)에 의해 정의된다. When the first and second switches SW21 and SW22 are turned on and the third and fourth switches SW23 and SW24 are turned off, the impedance of the impedance matching unit 640 is changed to the third and 4 resistors (R23, R24).

상기 제2 스위치(SW22)가 온되고 상기 제1, 제3 및 제4 스위치들(SW21, SW23, SW24)이 오프되면, 상기 임피던스 매칭부(640)의 임피던스는 상기 제1, 제3 및 제4 저항들(R21, R23, R24)에 의해 정의된다. When the second switch SW22 is turned on and the first, third, and fourth switches SW21, SW23, and SW24 are turned off, the impedance of the impedance matching unit 640 is switched to the first, 4 resistors (R21, R23, R24).

이러한 방식으로 상기 스위칭부(648)의 절환 동작에 의해 상기 임피던스 매칭부(640)의 임피던스가 가변된다. 이러한 임피던스 가변은 콘트롤러(도 1에 도시됨)의 제어에 의해 이루어질 수 있다. In this way, the impedance of the impedance matching unit 640 is varied by the switching operation of the switching unit 648. This impedance variable can be achieved by controlling the controller (shown in FIG. 1).

도 17a는 송신펄스출력부에서 출력되는 송신펄스를 설명하기 위한 파형도이다. 도 17b는 종단처리부가 오픈회로로 설정될 때 TDR측정부에서 수신되는 송신펄스를 설명하기 위한 파형도이다. 도 17c는 첫번째 내지 여섯번째 TDR 송신펄스와 ADC 변환을 설명하기 위한 파형도들이다. 도 17d는 디지털 변환된 TDR 데이터값을 설명하기 위한 파형도이다.17A is a waveform diagram for explaining a transmission pulse output from the transmission pulse output section. 17B is a waveform diagram for explaining a transmission pulse received by the TDR measurement section when the termination processing section is set as an open circuit; 17C is a waveform diagram for explaining the first to sixth TDR transmission pulses and the ADC conversion. 17D is a waveform diagram for explaining the digitally converted TDR data value.

도 17a 내지 도 17d를 참조하면, 일정 폭을 갖는 송신펄스를 출력한다(도 17a에 도시됨). 상기 송신펄스는 멀티-터치패널 아래에 배치된 표시패널을 구동하는 신호들의 블랭크구간 동안 출력될 수 있다. Referring to Figs. 17A to 17D, a transmission pulse having a constant width is output (shown in Fig. 17A). The transmission pulse may be output during a blank interval of signals driving a display panel disposed under the multi-touch panel.

예를들어, 상기 표시패널이 액정표시패널이라면, 상기 표시패널을 구동하는 신호는 상기 액정표시패널의 구동시 존재하는 수직블랭크구간(vertical blank period) 동안 출력될 수도 있고, 수평블랭크구간(horizontal blank period) 동안 출력될 수도 있다. 여기서, 상기 수직블랭크구간은 프레임과 프레임을 구별하기 위해 존재하는 시간이다. 또한, 상기 수평블랭크구간은 라인 단위로 전달된 이미지데이터가 소스구동장치의 내부회로에서 처리되는데 필요한 시간을 보전하기 위한 시간으로 시스템의 안정을 위해 충분한 시간이 할당되어 있다. For example, if the display panel is a liquid crystal display panel, a signal for driving the display panel may be output during a vertical blank period during driving the liquid crystal display panel, a horizontal blank interval period. Here, the vertical blank period is a time period for distinguishing a frame from a frame. In addition, the horizontal blank section is time enough to conserve the time required for the image data transferred in units of lines to be processed in the internal circuit of the source driver device, and sufficient time is allocated to stabilize the system.

이어, 출력된 송신펄스에 대응하여 반사펄스를 수신한다(도 17b에 도시됨). 이때, 반사펄스는 출력되는 송신펄스에 대응하여 제1 하이레벨을 갖는다. 종단처리부가 오픈회로로 구성되므로, 반사펄스는 송신펄스가 로우레벨로 유지됨과 동시에 상기 제1 하이레벨보다 높은 제2 하이레벨을 유지한다. Then, a reflected pulse is received corresponding to the output transmission pulse (shown in FIG. 17B). At this time, the reflected pulse has the first high level corresponding to the output transmission pulse. Since the termination processing section is constituted by an open circuit, the reflection pulse maintains the transmission pulse at the low level and at the same time, maintains the second high level higher than the first high level.

송신펄스가 출력되는 터치-센싱배선(114; 도 1에 도시됨)상의 임의의 지점에서 사용자의 터치가 이루어진다면, 수신되는 반사펄스에는 기준레벨보다 낮거나 높은 레벨의 전압 파형이 존재한다. 이는 사용자의 터치에 따라 전기적 저항 등이 변화되기 때문이다. 터치-센싱배선(114)상에 사용자의 핑거 터치가 이루어지면, 사용자의 핑거는 캐패시터(C)를 형성하여 기준레벨보다 낮은 레벨의 전압 파형이 존재한다. 한편, 터치-센싱배선(114)상에 스타일러스펜에 의한 터치가 이루어지면, 스타일러스펜은 인덕터(L)를 형성하여 기준레벨보다 높은 레벨의 전압 파형이 존재한다. If a user's touch is made at an arbitrary point on the touch-sensing wiring 114 (shown in Fig. 1) where a transmission pulse is output, the received reflection pulse has a voltage waveform lower or higher than the reference level. This is because the electrical resistance or the like changes depending on the user's touch. When a finger touch of the user is made on the touch-sensing wiring 114, the finger of the user forms a capacitor C, and a voltage waveform having a level lower than the reference level exists. On the other hand, when the stylus pen touches the touch-sensing wiring 114, the stylus pen forms an inductor L, and a voltage waveform having a level higher than the reference level exists.

이에 따라, 본 실시예에서 도시된 반사펄스에는 사용자의 핑거 터치가 두군데에서 이루어진 것을 확인할 수 있다. Accordingly, it can be seen that the user's finger touch is performed in two places in the reflection pulse shown in this embodiment.

이어, 수신된 반사펄스에서 거리를 환산하기 위해, n회의 샘플링이 순차적으로 수행되어(도 17c에 도시됨) 반사펄스가 복수의 디지털 값들로 변환된다(도 16d에 도시됨). 예를들어, 송신펄스의 폭이 반사펄스의 폭보다 같거나 크고, 반사펄스의 폭이 대략 1nsec이고, n을 200으로 한다면, 5 psec의 간격으로 반복되는 송신펄스에 대한 반사펄스를 샘플링하여 터치 위치에 대응하는 거리를 환산할 수 있다.Then, in order to convert the distance in the received reflected pulse, n times of sampling are performed sequentially (as shown in Fig. 17C) and the reflected pulse is converted into a plurality of digital values (shown in Fig. 16D). For example, if the width of the transmission pulse is equal to or larger than the width of the reflection pulse, the width of the reflection pulse is approximately 1 nsec, and n is 200, a reflection pulse for a transmission pulse repeated at intervals of 5 psec is sampled The distance corresponding to the position can be converted.

도 18a는 송신펄스출력부에서 출력되는 송신펄스를 설명하기 위한 파형도이다. 도 18b는 종단처리부가 임피던스 매칭부로 설정될 때 TDR측정부에서 수신되는 송신펄스를 설명하기 위한 파형도이다. 도 18c는 첫번째 내지 여섯번째 TDR 송신펄스와 ADC 변환을 설명하기 위한 파형도들이다. 도 18d는 디지털 변환된 TDR 데이터값을 설명하기 위한 파형도이다.18A is a waveform diagram for explaining a transmission pulse output from the transmission pulse output section. 18B is a waveform diagram for explaining a transmission pulse received by the TDR measurement unit when the termination processing unit is set as the impedance matching unit. 18C is a waveform diagram for explaining the first to sixth TDR transmission pulses and the ADC conversion. 18D is a waveform diagram for explaining the digitally converted TDR data value.

도 18a 내지 도 18d를 참조하면, 일정 폭을 갖는 송신펄스를 출력한다(도 18a에 도시됨). 상기 송신펄스는 멀티-터치패널 아래에 배치된 표시패널을 구동하는 신호들의 블랭크구간 동안 출력될 수 있다. 예를들어, 상기 표시패널이 액정표시패널이라면, 상기 표시패널을 구동하는 신호는 상기 액정표시패널의 구동시 존재하는 수직블랭크구간 동안 출력될 수도 있고, 수평블랭크구간 동안 출력될 수도 있다. Referring to Figs. 18A to 18D, a transmission pulse having a constant width is output (shown in Fig. 18A). The transmission pulse may be output during a blank interval of signals driving a display panel disposed under the multi-touch panel. For example, if the display panel is a liquid crystal display panel, a signal for driving the display panel may be output during a vertical blank interval during driving of the liquid crystal display panel, or during a horizontal blank interval.

이어, 출력된 송신펄스에 대응하여 반사펄스를 수신한다(도 18b에 도시됨). 이때, 반사펄스는 출력되는 송신펄스에 대응하여 제1 하이레벨을 갖는다. 종단처리부가 임피던스 매칭부로 구성되므로, 반사펄스는 송신펄스가 로우레벨로 유지된 후에도 제1 하이레벨을 유지한다. Then, a reflected pulse is received corresponding to the output transmission pulse (shown in FIG. 18B). At this time, the reflected pulse has the first high level corresponding to the output transmission pulse. Since the termination processing section is constituted by the impedance matching section, the reflected pulse maintains the first high level even after the transmission pulse is maintained at the low level.

송신펄스가 출력되는 터치-센싱배선(114; 도 1에 도시됨)상의 임의의 지점에서 사용자의 터치가 이루어진다면, 수신되는 반사펄스에는 기준레벨보다 낮거나 높은 레벨의 전압 파형이 존재한다. 본 실시예에서 도시된 반사펄스에는 사용자의 핑거 터치가 두군데에서 이루어진 것을 확인할 수 있다. If a user's touch is made at an arbitrary point on the touch-sensing wiring 114 (shown in Fig. 1) where a transmission pulse is output, the received reflection pulse has a voltage waveform lower or higher than the reference level. It can be seen that the user's finger touch is made in two places in the reflection pulse shown in this embodiment.

이어, 수신된 반사펄스에서 거리를 환산하기 위해, n회의 샘플링이 순차적으로 수행되어(도 18c에 도시됨) 반사펄스가 복수의 디지털 값들로 변환된다(도 17d에 도시됨). 예를들어, 송신펄스의 폭이 반사펄스의 폭보다 같거나 크고, 반사펄스의 폭이 대략 1nsec이고, n을 200으로 한다면, 5 psec의 간격으로 반복되는 송신펄스에 대한 반사펄스를 샘플링하여 터치 위치에 대응하는 거리를 환산할 수 있다.Then, in order to convert the distance in the received reflected pulse, n times of sampling are performed sequentially (as shown in Fig. 18C), and the reflected pulse is converted into a plurality of digital values (shown in Fig. 17D). For example, if the width of the transmission pulse is equal to or larger than the width of the reflection pulse, the width of the reflection pulse is approximately 1 nsec, and n is 200, a reflection pulse for a transmission pulse repeated at intervals of 5 psec is sampled The distance corresponding to the position can be converted.

도 19a는 송신펄스출력부에서 출력되는 송신펄스를 설명하기 위한 파형도이다. 도 19b는 종단처리부가 그라운드 설정부로 설정될 때 TDR측정부에서 수신되는 송신펄스를 설명하기 위한 파형도이다. 도 19c는 첫번째 내지 여섯번째 TDR 송신펄스와 ADC 변환을 설명하기 위한 파형도들이다. 도 19d는 디지털 변환된 TDR 데이터값을 설명하기 위한 파형도이다.19A is a waveform diagram for explaining a transmission pulse output from the transmission pulse output unit. 19B is a waveform diagram for explaining transmission pulses received by the TDR measurement unit when the termination processing unit is set as the ground setting unit. FIG. 19C is a waveform diagram for explaining the first to sixth TDR transmission pulses and the ADC conversion. 19D is a waveform diagram for explaining the digitally converted TDR data value.

도 19a 내지 도 19d를 참조하면, 일정 폭을 갖는 송신펄스를 출력한다(도 19a에 도시됨). 상기 송신펄스는 멀티-터치패널 아래에 배치된 표시패널을 구동하는 신호들의 블랭크구간 동안 출력될 수 있다. 예를들어, 상기 표시패널이 액정표시패널이라면, 상기 표시패널을 구동하는 신호는 상기 액정표시패널의 구동시 존재하는 수직블랭크구간 동안 출력될 수도 있고, 수평블랭크구간 동안 출력될 수도 있다. Referring to Figs. 19A to 19D, a transmission pulse having a constant width is output (shown in Fig. 19A). The transmission pulse may be output during a blank interval of signals driving a display panel disposed under the multi-touch panel. For example, if the display panel is a liquid crystal display panel, a signal for driving the display panel may be output during a vertical blank interval during driving of the liquid crystal display panel, or during a horizontal blank interval.

이어, 출력된 송신펄스에 대응하여 반사펄스를 수신한다(도 19b에 도시됨). 이때, 반사펄스는 출력되는 송신펄스에 대응하여 제1 하이레벨을 갖는다. 종단처리부가 그라운드 설정부로 구성되므로, 반사펄스는 송신펄스가 로우레벨로 유지됨과 동시에 그라운드 레벨을 유지한다. Then, a reflected pulse is received corresponding to the output transmission pulse (shown in FIG. 19B). At this time, the reflected pulse has the first high level corresponding to the output transmission pulse. Since the termination processing section is constituted by the ground setting section, the reflection pulse maintains the ground level while the transmission pulse is maintained at the low level.

송신펄스가 출력되는 터치-센싱배선(114; 도 1에 도시됨)상의 임의의 지점에서 사용자의 터치가 이루어진다면, 수신되는 반사펄스에는 기준레벨보다 낮거나 높은 레벨의 전압 파형이 존재한다. 본 실시예에서 도시된 반사펄스에는 사용자의 핑거 터치가 두군데에서 이루어진 것을 확인할 수 있다. If a user's touch is made at an arbitrary point on the touch-sensing wiring 114 (shown in Fig. 1) where a transmission pulse is output, the received reflection pulse has a voltage waveform lower or higher than the reference level. It can be seen that the user's finger touch is made in two places in the reflection pulse shown in this embodiment.

이어, 수신된 반사펄스에서 거리를 환산하기 위해, n회의 샘플링이 순차적으로 수행되어(도 19c에 도시됨) 반사펄스가 복수의 디지털 값들로 변환된다(도 19d에 도시됨). 예를들어, 송신펄스의 폭이 반사펄스의 폭보다 같거나 크고, 반사펄스의 폭이 대략 1nsec이고, n을 200으로 한다면, 5 psec의 간격으로 반복되는 송신펄스에 대한 반사펄스를 샘플링하여 터치 위치에 대응하는 거리를 환산할 수 있다. Then, in order to convert the distance in the received reflected pulse, n times of sampling are sequentially performed (shown in Fig. 19C), and the reflected pulse is converted into a plurality of digital values (shown in Fig. 19D). For example, if the width of the transmission pulse is equal to or larger than the width of the reflection pulse, the width of the reflection pulse is approximately 1 nsec, and n is 200, a reflection pulse for a transmission pulse repeated at intervals of 5 psec is sampled The distance corresponding to the position can be converted.

도 20은 도 1에 도시된 송신펄스출력부에서 출력되는 송신펄스를 설명하기 위한 파형도이다. 20 is a waveform diagram for explaining transmission pulses output from the transmission pulse output unit shown in FIG.

도 20을 참조하면, 송신펄스의 높이들(h) 각각은 동일하고 송신펄스의 폭들(w) 각각은 동일하되, 송신펄스들 사이의 간격(d)은 서로 다르다. 이에 따라, 노이즈를 줄일 수 있다.Referring to Fig. 20, each of the heights h of the transmission pulses is the same and each of the widths w of the transmission pulses is the same, and the distances d between the transmission pulses are different from each other. As a result, noise can be reduced.

도 21은 디지털 변환된 반사펄스 데이터들이 메모리에 저장되는 구조의 일례를 설명하기 위한 개념도이다. 21 is a conceptual diagram for explaining an example of a structure in which digitally converted reflection pulse data is stored in a memory.

도 21을 참조하면, 메모리 주소 (x0,y0)에는 딜레이신호 d0에 대응하여 디지털 변환된 반사펄스 데이터가 저장되고, 메모리 주소 (x1,y0)에는 딜레이신호 d1에 대응하여 디지털 변환된 반사펄스 데이터가 저장되며, 메모리 주소 (x2,y0)에는 딜레이 신호 d2에 대응하여 디지털 변환된 반사펄스 데이터가 저장된다. 이러한 타이밍으로 메모리 주소 (x1,ym)에는 딜레이신호 dnn-1에 대응하여 디지털 변환된 반사펄스 데이터가 저장되며, 메모리 주소 (x0,ym)에는 딜레이 신호 dnn에 대응하여 디지털 변환된 반사펄스 데이터가 저장된다. Referring to FIG. 21, reflection pulse data digitally converted corresponding to the delay signal d0 is stored in the memory address (x0, y0), and reflection pulse data And the reflection pulse data digitally converted corresponding to the delay signal d2 is stored in the memory address (x2, y0). At this time, digital-converted reflection pulse data corresponding to the delay signal dnn-1 is stored in the memory address (x1, ym), and reflection pulse data digitally converted corresponding to the delay signal dnn is stored in the memory address (x0, ym) .

이러한 방식으로 디지털 변환된 반사펄스 데이터들이 메모리에 저장되는 경우는 터치-센싱배선이 단일 배선으로 이루어져 터치스크린의 전체 영역을 커버하게 되는 경우이다. 본 실시예의 경우, IC에서 TDR TX 및 센싱을 위한 배선은 1개로 구성된다. In the case where the reflected pulse data digitally converted in this manner is stored in the memory, the touch-sensing wiring is formed as a single wiring to cover the entire area of the touch screen. In the case of this embodiment, the IC has one wiring for TDR TX and sensing.

도 22는 본 발명의 다른 실시예에 따른 멀티-터치 센싱장치를 설명하기 위한 블록도이다. 22 is a block diagram for explaining a multi-touch sensing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 22를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 멀티-터치 센싱장치(200)는 멀티-터치패널(210) 및 멀티-터치 센싱회로(220)를 포함한다. Referring to FIG. 22, a multi-touch sensing apparatus 200 according to another embodiment of the present invention includes a multi-touch panel 210 and a multi-touch sensing circuit 220.

상기 멀티-터치패널(210)은 베이스기판(212) 및 복수의 터치-센싱배선들(214)을 포함한다. 상기 베이스기판(212)은 유리와 같은 리지드 타입(ridge type) 기판을 포함할 수 있다. 한편, 상기 베이스기판(214)은 필름과 같은 플렉서블 타입(flexible type) 기판을 포함할 수 있다. The multi-touch panel 210 includes a base substrate 212 and a plurality of touch-sensing wires 214. The base substrate 212 may include a ridge type substrate such as glass. Meanwhile, the base substrate 214 may include a flexible type substrate such as a film.

상기 터치-센싱배선들(214) 각각은 상기 베이스기판(212)상에 구불구불한 형태로 형성되고, 일단을 통해 송신펄스를 수신하고, 사용자의 터치에 따라 상기 일단을 통해 상기 송신펄스에 대응하는 반사펄스를 출력한다. 본 실시예에서, 터치-센싱배선들(214) 각각은 라인 단위로 배치된다. 예를들어, 사용자가 하나의 위치를 터치하면, 하나의 반사펄스가 상기 일단을 통해 출력되고, 사용자가 두개의 위치를 터치하면, 두개의 반사펄스들이 상기 일단을 통해 출력된다. 물론, 사용자가 3개 또는 3개 이상의 위치를 터치하면, 3개의 반사펄스 또는 3개 이상의 반사펄스들이 상기 일단을 통해 출력된다. 이에 따라, 본 발명에 따른 멀티-터치패널(210)은 멀티-터치의 기능을 수행할 수 있다. Each of the touch-sensing wirings 214 is formed on the base substrate 212 in a serpentine shape. The touch-sensing wirings 214 receive a transmission pulse through one end and correspond to the transmission pulse through the one end And outputs the reflected pulse. In this embodiment, each of the touch-sensing wirings 214 is arranged line by line. For example, when the user touches one position, one reflection pulse is output through the one end, and when the user touches two positions, two reflection pulses are outputted through the one end. Of course, when the user touches three or more positions, three reflection pulses or three or more reflection pulses are outputted through the one end. Accordingly, the multi-touch panel 210 according to the present invention can perform a multi-touch function.

상기 멀티-터치패널(210)은 영상을 표시하는 표시패널(미도시됨) 위에 배치될 수 있다. 상기 표시패널이 액정표시패널인 경우, 상기 터치-센싱배선들(214) 각각의 신장방향은 데이터 라인과 평행할 수도 있고, 게이트 라인과 평행할 수도 있다. The multi-touch panel 210 may be disposed on a display panel (not shown) for displaying an image. When the display panel is a liquid crystal display panel, the extending direction of each of the touch-sensing wirings 214 may be parallel to the data line or parallel to the gate line.

본 실시예에 따른 터치-센싱배선들(214) 각각은 가로 방향과 평행한 라인을 따라 배치된다. 동작시, 순차적으로 특정 라인에 대응하는 터치-센싱배선에 송신펄스가 인가될 때 다른 라인들에 대응하는 터치-센싱배선들은 그라운드 전압이 인가될 수 있다. 예를들어, 첫번째 라인에 대응하는 터치-센싱배선에 송신펄스가 인가될 때 다른 라인에 대응하는 터치-센싱배선들에는 그라운드 전압이 인가되고, 두번째 라인에 대응하는 터치-센싱배선에 송신펄스가 인가될 때 다른 라인에 대응하는 터치-센싱배선들에는 그라운드 전압이 인가될 수 있다.Each of the touch-sensing wirings 214 according to the present embodiment is disposed along a line parallel to the lateral direction. In operation, when a transmission pulse is applied to a touch-sensing line corresponding to a particular line, the touch-sensing lines corresponding to the other lines may be grounded. For example, when a transmission pulse is applied to the touch-sensing wiring corresponding to the first line, a ground voltage is applied to the touch-sensing wiring corresponding to the other line, and a transmission pulse is applied to the touch- When applied, a ground voltage may be applied to the touch-sensing lines corresponding to the other lines.

상기 멀티-터치 센싱회로(220)는 송신펄스출력부(222), 제1 스위치(223), TDR측정부(224), 제2 스위치(225), 종단처리부(226) 및 콘트롤러(228)를 포함하고, 상기 멀티-터치패널(210)의 상기 터치-센싱배선들(214) 각각에 상기 송신펄스를 출력하고, 수신되는 반사펄스를 근거로 터치 위치를 연산한다. 상기 멀티-터치 센싱회로(220)는 IC 형태로 구현될 수 있다. 본 실시예에서, 상기 멀티-터치 센싱회로(220)는 송신펄스출력부(222), 제1 스위치(223), TDR측정부(224), 제2 스위치(225), 종단처리부(226) 및 콘트롤러(228)를 포함하는 것을 설명하였으나 이는 설명의 편의를 위해 논리적으로 구분하였을 뿐, 하드웨어적으로 구분한 것은 아니다. The multi-touch sensing circuit 220 includes a transmission pulse output unit 222, a first switch 223, a TDR measurement unit 224, a second switch 225, a termination unit 226, and a controller 228 And outputs the transmission pulse to each of the touch-sensing wirings 214 of the multi-touch panel 210, and calculates a touch position based on the received reflection pulse. The multi-touch sensing circuit 220 may be implemented in an IC form. In the present embodiment, the multi-touch sensing circuit 220 includes a transmission pulse output section 222, a first switch 223, a TDR measurement section 224, a second switch 225, a termination processing section 226, Controller 228. However, this is logically divided for the sake of convenience of description, but is not limited to hardware.

상기 송신펄스출력부(222)는 상기 터치-센싱배선들(214) 각각의 일단에 연결되어 복수의 송신펄스들을 상기 터치-센싱배선들(214) 각각에 출력한다. 이때, 송신펄스들 각각의 폭은 동일하고, 상기 송신펄스들 각각의 간격은 서로 다를 수 있다. The transmission pulse output unit 222 is connected to one end of each of the touch-sensing wirings 214 and outputs a plurality of transmission pulses to each of the touch-sensing wirings 214. At this time, the widths of the transmission pulses are the same, and the intervals of the transmission pulses may be different from each other.

상기 제1 스위치(223)는 상기 터치-센싱배선들(214) 각각의 일단에 연결되어 상기 콘트롤러(228)의 스위칭 제어에 응답하여 상기 송신펄스출력부(222)에서 제공되는 송신펄스를 상기 터치-센싱배선들(214) 각각의 일단에 출력한다. The first switch 223 is connected to one end of each of the touch-sensing wirings 214 and outputs a transmission pulse provided from the transmission pulse output unit 222 in response to the switching control of the controller 228, -Sensing wirings 214, respectively.

상기 TDR측정부(224)는 상기 스위치(223)의 일단에 연결되어 상기 반사펄스 도달까지 걸린 시간을 측정하기 위한 반사펄스 데이터들을 저장한다. 상기 제2 스위치(225)는 상기 콘트롤러(228)의 스위칭 제어에 응답하여 상기 터치-센싱배선들(214) 각각의 타단과 상기 종단처리부(226)를 연결한다. The TDR measuring unit 224 is connected to one end of the switch 223 and stores reflection pulse data for measuring a time taken until the reflection pulse arrives. The second switch 225 connects the other end of each of the touch-sensing wirings 214 and the termination processor 226 in response to the switching control of the controller 228.

상기 종단처리부(226)는 상기 제2 스위치(225)에 의해 상기 터치-센싱배선들(214) 각각의 타단에 연결되어 주변 환경에 따라 상기 터치-센싱배선들(214) 각각의 종단저항값을 설정한다. 예를들어, 상기 종단처리부(226)는 상기 터치-센싱배선의 종단을 오픈(Open)시켜 플로팅 상태로 설정할 수도 있고, 그라운드시켜 그라운드 상태로 설정할 수도 있으며, 상기 터치-센싱배선의 임피던스와 동일한 임피던스로 설정할 수도 있다. The termination processing unit 226 is connected to the other end of each of the touch-sensing wirings 214 by the second switch 225 and outputs a termination resistance value of each of the touch-sensing wirings 214 according to the surrounding environment Setting. For example, the termination processing unit 226 may set the terminal to the floating state by opening the end of the touch-sensing wiring, or may set the ground state to the ground state. Also, the termination processing unit 226 may be provided with the same impedance as the impedance of the touch- .

상기 콘트롤러(228)는 상기 송신펄스출력부(222)가 복수의 송신펄스들을 터치-센싱배선들 각각에 출력하도록 제어한다. 또한, 상기 콘트롤러(228)는 상기 TDR측정부(224)의 동작을 제어한다. 이에 따라, 상기 TDR측정부(224)는 상기 터치-센싱배선들상에 사용자의 터치에 응답하여 반사되는 반사펄스들을 수신하고, 복수의 딜레이신호들을 생성한 후, 상기 딜레이신호들 각각을 근거로 상기 반사펄스들 각각을 디지털 변환하여 반사펄스데이터들을 생성하고, 생성된 반사펄스 데이터들을 메모리에 저장한다. The controller 228 controls the transmission pulse output unit 222 to output a plurality of transmission pulses to each of the touch-sensing wirings. Also, the controller 228 controls the operation of the TDR measuring unit 224. Accordingly, the TDR measuring unit 224 receives the reflected pulses reflected on the touch-sensing wires in response to the touch of the user, generates a plurality of delay signals, and then, based on each of the delay signals Converts each of the reflection pulses into digital data to generate reflection pulse data, and stores the generated reflection pulse data in a memory.

상기 콘트롤러(228)는 상기 반사펄스 데이터에서 임계범위보다 낮거나 높은 값에 대응하는 반사펄스 데이터를 상기 메모리에서 추출하고, 추출된 반사펄스 데이터에 대응하는 주소를 근거로 터치 좌표를 인식한다. The controller 228 extracts reflection pulse data corresponding to a value lower or higher than the critical range in the reflection pulse data from the memory and recognizes touch coordinates based on the address corresponding to the extracted reflection pulse data.

상기 반사펄스 데이터에서 임계범위보다 낮은 값에 대응하는 반사펄스 데이터는 사용자의 터치가 핑거라는 것을 의미할 수 있다. 즉, 사용자의 핑거는 일정의 캐패시턴스 성분을 가지므로, 사용자의 핑거가 터치되면, 반사펄스는 임계범위보다 낮아진다. Reflected pulse data corresponding to a value lower than the threshold range in the reflection pulse data may mean that the user's touch is a finger. That is, since the finger of the user has a certain capacitance component, when the finger of the user is touched, the reflected pulse becomes lower than the critical range.

또한, 상기 반사펄스 데이터에서 임계범위보다 높은 값에 대응하는 반사펄스 데이터는 사용자의 터치가 스타일러스펜에 의해 이루어지는 것을 의미할 수 있다. 즉, 스타일러스펜은 인덕터 코일이 감겨진 구조를 가지므로, 스타일러스펜이 터치되면, 반사펄스는 임계범위보다 높아진다. In addition, reflection pulse data corresponding to a value higher than the critical range in the reflection pulse data may mean that the touch of the user is made by the stylus pen. That is, since the stylus pen has a structure in which the inductor coil is wound, when the stylus pen is touched, the reflected pulse becomes higher than the critical range.

본 실시예에서, 상기 송신펄스출력부(222)의 출력단자와 상기 제1 스위치(223) 사이에 TDR측정용 복수의 직렬저항들(Rs)이 배치된다. 상기 직렬저항들(Rs) 각각의 저항값은 통상적으로 50 Ohm일 수 있다. 하지만, 필요에 따라서, 상기 직렬저항들(Rs) 각각의 저항값은 약 10 Ohm 대역에서 수백 Ohm대역까지 가변될 수 있다. In the present embodiment, a plurality of series resistors Rs for TDR measurement are disposed between the output terminal of the transmission pulse output section 222 and the first switch 223. The resistance value of each of the series resistors Rs may be typically 50 Ohm. However, if necessary, the resistance value of each of the series resistors Rs may be varied from about 10 Ohm to several hundred Ohm.

상기 직렬저항들(Rs) 각각은 상기 송신펄스출력부(222), 상기 제1 스위치(223), 상기 TDR측정부(224), 상기 제2 스위치(225), 상기 종단처리부(226) 및 상기 콘트롤러(228)가 구현되는 IC의 내부에 내장할 수도 있고, IC의 외부에 개별 부품으로 사용할 수도 있다. 상기 직렬저항들(Rs) 각각을 IC의 외부에 사용하게 될 경우, IC에 핀이 증가하는 단점은 있다. 하지만 정밀한 저항을 사용할 수 있어 멀티-터치 센싱장치의 특성을 개선시킬 수 있다. Each of the series resistors Rs is connected to the transmission pulse output section 222, the first switch 223, the TDR measurement section 224, the second switch 225, the termination processing section 226, The controller 228 may be incorporated in the IC in which the controller 228 is implemented, or may be used as an individual component outside the IC. If each of the series resistors Rs is used outside of the IC, there is a drawback that the number of pins in the IC increases. However, it is possible to use a precise resistor to improve the characteristics of the multi-touch sensing device.

상기 직렬저항들(Rs) 각각은 터치-센싱배선들(214)의 임피던스값과 동일하거나 근사한 값을 사용할 때 TDR신호가 가장 안정적으로 반영되는 특징을 갖는다. 따라서, 터치-센싱배선들(214)의 임피던스에 따라 직렬저항들(Rs) 각각의 저항값을 가변시키는 것이 바람직하다.Each of the series resistors Rs has a characteristic that the TDR signal is most stably reflected when a value equal to or approximate to the impedance value of the touch-sensing wires 214 is used. Therefore, it is preferable to vary the resistance value of each of the series resistors Rs according to the impedance of the touch-sensing wirings 214. [

도 22에서는 제1 스위치(223) 및 제2 스위치(225)가 배치된 멀티-터치 센싱회로(220)가 도시되었으나, 상기 제1 스위치(223) 및 상기 제2 스위치(225)가 생략될 수도 있다. 이때, 상기 송신펄스 출력부(222)는 상기 터치-센싱배선들(214) 각각에 연결되되, 그 사이에 직렬저항들(Rs)이 배치될 수 있다. 또한, 상기 종단처리부(226)는 상기 터치-센싱배선들(214) 각각에 연결될 수 있다. Although the multi-touch sensing circuit 220 in which the first switch 223 and the second switch 225 are disposed is shown in FIG. 22, the first switch 223 and the second switch 225 may be omitted have. At this time, the transmission pulse output unit 222 is connected to each of the touch-sensing wirings 214, and series resistors Rs may be disposed therebetween. In addition, the termination processor 226 may be coupled to each of the touch-sensing wires 214.

도 23은 디지털 변환된 반사펄스 데이터들이 메모리에 저장되는 구조의 다른 예를 설명하기 위한 개념도이다. 23 is a conceptual diagram for explaining another example of a structure in which digitally converted reflection pulse data is stored in a memory.

도 23을 참조하면, 첫번째 스캔에서 메모리 주소 (x0,y0)에는 딜레이신호 d0에 대응하여 디지털 변환된 반사펄스 데이터가 저장되고, 메모리 주소 (x1,y0)에는 딜레이신호 d1에 대응하여 디지털 변환된 반사펄스 데이터가 저장되고, 메모리 주소 (x2,y0)에는 딜레이신호 d2에 대응하여 디지털 변환된 반사펄스 데이터가 저장된다. 이러한 타이밍으로 첫번째 스캔에서 메모리 주소 (xn,y0)에는 딜레이신호 dn에 대응하여 디지털 변환된 반사펄스 데이터가 저장되어, 첫번째 x라인에 딜레이 신호들 각각에 대응하는 디지털 변환된 반사펄스 데이터들이 순차적으로 저장된다.Referring to FIG. 23, in the first scan, digital-converted reflection pulse data corresponding to the delay signal d0 is stored in the memory address (x0, y0), and the memory address (x1, y0) Reflection pulse data is stored. At the memory address (x2, y0), reflection-pulse data that is digitally converted corresponding to the delay signal d2 is stored. At this timing, the digital-converted reflection pulse data corresponding to the delay signal dn is stored in the memory address (xn, y0) in the first scan, and the digitally converted reflection pulse data corresponding to each of the delay signals in the first x- .

또한, 두번째 스캔에서 메모리 주소 (x0,y1)에는 딜레이신호 d0에 대응하여 디지털 변환된 반사펄스 데이터가 저장되고, 메모리 주소 (x1,y1)에는 딜레이신호 d1에 대응하여 디지털 변환된 반사펄스 데이터가 저장되고, 메모리 주소 (x2,y1)에는 딜레이신호 d2에 대응하여 디지털 변환된 반사펄스 데이터가 저장된다. 이러한 타이밍으로 두번째 스캔에서 메모리 주소 (xn,y1)에는 딜레이신호 dn에 대응하여 디지털 변환된 반사펄스 데이터가 저장되어, 첫번째 x라인에 딜레이 신호들 각각에 대응하는 디지털 변환된 반사펄스 데이터들이 순차적으로 저장된다.In the second scan, digital-converted reflection pulse data corresponding to the delay signal d0 is stored in the memory address (x0, y1), and reflection pulse data digitally-converted corresponding to the delay signal d1 is stored in the memory address (x1, y1) And stored in the memory address (x2, y1), the digital-converted reflection pulse data corresponding to the delay signal d2. At this timing, in the second scan, the digital-converted reflection pulse data corresponding to the delay signal dn is stored in the memory address (xn, y1), and the digitally converted reflection pulse data corresponding to each of the first x lines are sequentially .

이러한 타이밍으로 m번째 스캔에서 메모리 주소 (x0,ym)에는 딜레이신호 dnn에 대응하여 디지털 변환된 반사펄스 데이터가 저장되며, 메모리 주소 (x1,ym)에는 딜레이 신호 dnn-1에 대응하여 디지털 변환된 반사펄스 데이터가 저장된다. 이러한 방식으로 메모리 주소 (xn,ym)에는 딜레이 신호 dp+1에 대응하여 디지털 변환된 반사펄스 데이터가 저장된다.At this time, in the m-th scan, the digital-converted reflection pulse data corresponding to the delay signal dnn is stored in the memory address (x0, ym), and the memory address (x1, ym) Reflection pulse data is stored. In this way, the memory address (xn, ym) stores the reflected pulse data digitally converted corresponding to the delay signal dp + 1.

이러한 방식의 경우, IC에서 TDR 및 센싱을 위한 배선들의 수가 m개만큼 필요하다. 하지만, 딜레이 버퍼가 도 21에 도시된 방식에 비해서 n개만큼만 필요하는 장점이 있다. In this case, the number of wires required for TDR and sensing in the IC is required to be m. However, there is an advantage that only n delay buffers are required compared to the scheme shown in Fig.

한편, 별도로 도시하지는 않지만, 아날로그-디지털 컨버터를 두 개 이상 사용하게 될 때에는 다음과 같이 타이밍을 사용할 수 있다. On the other hand, although not separately shown, when using two or more analog-to-digital converters, the following timing can be used.

일례로, 두개의 아날로그-디지털 컨버터들이 사용되는 경우, 홀수번째 딜레이신호에 대해서는 첫번째 아날로그-디지털 컨버터를 이용하여 AD변환하여 메모리에 저장하고, 짝수번째 딜레이신호에 대해서는 두번째 아날로그-디지털 컨버터를 이용하여 AD변환하여 메모리에 저장할 수 있다. For example, when two analog-to-digital converters are used, the odd-numbered delay signals are A / D converted using the first analog-to-digital converter and stored in the memory, and the second analog- AD conversion and can be stored in the memory.

다른 예로, 세개의 아날로그-디지털 컨버터들이 사용되는 경우, 3n번째 딜레이신호에 대해서는 첫번째 아날로그-디지털 컨버터를 이용하여 AD변환하여 메모리에 저장하고, 3n+1번째 딜레이신호에 대해서는 두번째 아날로그-디지털 컨버터를 이용하여 AD변환하여 메모리에 저장하며, 3n+2번째 딜레이신호에 대해서는 세번째 아날로그-디지털 컨버터를 이용하여 AD변환하여 메모리에 저장한다.As another example, when three analog-to-digital converters are used, the 3n-th delay signal is A / D converted using the first analog-to-digital converter and stored in memory, and the second analog- And stores it in the memory. The 3n + 2th delay signal is A / D converted using a third analog-to-digital converter, and is stored in the memory.

이러한 방식으로 아날로그-디지털 컨버터의 수를 최대 n개까지 증가시켜 IC를 구현할 수 있다. 이러한 경우, IC의 사이즈는 증가하지만, 터치스크린 전체 영역의 측정 시간을 단축시킬 수 있다. In this way, the IC can be implemented by increasing the number of analog-to-digital converters to a maximum of n. In this case, the size of the IC increases, but the measurement time of the entire area of the touch screen can be shortened.

도 24는 본 발명의 일실시예에 따른 멀티-터치 센싱방법을 설명하기 위한 흐름도이다. 특히, 핑거 터치 센싱방법이 설명된다. 설명의 편의를 위해, 도 1에 도시된 멀티-터치 센싱장치를 이용하여 멀티-터치 센싱방법이 설명되지만, 도 22에 도시된 멀티-터치 센싱장치를 이용할 수도 있다. 24 is a flowchart illustrating a multi-touch sensing method according to an embodiment of the present invention. In particular, a finger touch sensing method will be described. For convenience of explanation, a multi-touch sensing method using the multi-touch sensing device shown in FIG. 1 is described, but the multi-touch sensing device shown in FIG. 22 may also be used.

도 1 및 도 24를 참조하면, 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 초기 구동인지의 여부를 체크하는 단계(단계 S50). Referring to FIGS. 1 and 24, the controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 checks whether it is an initial operation (step S50).

단계 S50에서 초기 구동으로 체크되면, 상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 초기 구동 모드를 수행한다(단계 S60). If the initial driving is checked in step S50, the controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 performs an initial driving mode (step S60).

단계 S50에서 초기 구동으로 체크되지 않거나 단계 S60을 수행한 후, 상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 송신펄스출력부(122)는 터치-센싱배선에 터치 센싱을 위한 송신펄스를 출력한다(단계 S100).After the initial driving is not checked in step S50 or step S60 is performed, the transmission pulse output unit 122 of the multi-touch sensing apparatus 100 outputs a transmission pulse for touch sensing to the touch-sensing wiring S100).

상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 TDR측정부(124)는 사용자의 터치에 응답하여 반사되는 반사펄스를 수신한다(단계 S102). 이때 수신되는 반사펄스에는 해당 반사펄스의 기준레벨보다 낮은 레벨이 없을 수도 있고, 하나 또는 복수개의 레벨이 존재할 수 있다. 수신된 반사펄스에 기준레벨보다 낮은 레벨이 없는 것은 터치가 이루어지지 않은 것을 의미한다. 수신된 반사펄스에 기준레벨보다 낮은 레벨이 하나 존재하는 것은 터치 포인트가 하나인 것을 의미한다. 한편, 수신된 반사펄스에 기준레벨보다 낮은 레벨이 두개 또는 세개 존재하는 것은 터치 포인트가 두개 또는 세개인 것을 의미한다. The TDR measuring unit 124 of the multi-touch sensing apparatus 100 receives a reflected pulse reflected in response to a user's touch (step S102). At this time, the received reflection pulse may not have a level lower than the reference level of the reflection pulse, and one or a plurality of levels may exist. If the received reflected pulse does not have a level lower than the reference level, it means that the touch is not performed. The presence of one level lower than the reference level in the received reflected pulse means that there is one touch point. On the other hand, the presence of two or three levels lower than the reference level in the received reflected pulse means that there are two or three touch points.

상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 TDR측정부(124)는 단계 S102에서 반사펄스에 포함된 노이즈 성분을 제거한다(단계 S104). 반사펄스에서 노이즈 성분을 제거하기 위해 디지털 미분기를 이용할 수 있다. 상기 디지털 미분기는 TDR측정기(124) 내부에 배치될 수도 있고, 외부에 배치될 수도 있다. The TDR measuring unit 124 of the multi-touch sensing apparatus 100 removes the noise component included in the reflected pulse in step S102 (step S104). A digital differentiator can be used to remove the noise component from the reflected pulse. The digital differentiator may be disposed inside the TDR measuring unit 124 or may be disposed outside.

상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 TDR측정부(124)는 복수의 딜레이신호들을 생성한다(단계 S106). The TDR measurement unit 124 of the multi-touch sensing apparatus 100 generates a plurality of delay signals (step S106).

상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 TDR측정부(124)는 단계 S106에서 생성된 딜레이신호들을 이용하여 반사펄스를 디지털 변환하여 복수의 반사펄스 데이터들을 생성한다(단계 S108). The TDR measurement unit 124 of the multi-touch sensing apparatus 100 generates a plurality of reflection pulse data by digitally converting the reflection pulse using the delay signals generated in step S106 (step S108).

상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 TDR측정부(124)는 단계 S108에서 생성된 반사펄스 데이터들을 메모리에 저장한다(단계 S110). 상기 메모리는 한 프레임에 대응하는 영상 데이터를 저장할 수 있는 프레임 메모리일 수도 있고, 한 프레임에 대응하는 영상 데이터들 중 한 라인에 대응하는 영상 데이터를 저장할 수 있는 라인 메모리일 수도 있다. The TDR measurement unit 124 of the multi-touch sensing apparatus 100 stores the reflection pulse data generated in step S108 in a memory (step S110). The memory may be a frame memory capable of storing image data corresponding to one frame or a line memory capable of storing image data corresponding to one line of image data corresponding to one frame.

상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 상기 메모리에 저장된 반사펄스 데이터들 중 임계범위보다 낮은 값을 갖는 반사펄스 데이터가 존재하는지의 여부를 체크한다(단계 S112). 상기 반사펄스 데이터에서 임계범위보다 낮은 값에 대응하는 반사펄스 데이터는 사용자의 터치가 핑거라는 것을 의미할 수 있다. 즉, 사용자의 핑거는 일정의 캐패시턴스 성분을 가지므로, 사용자의 핑거가 터치되면, 반사펄스는 임계범위보다 낮아진다.The controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 checks whether reflection pulse data having a value lower than the critical range exists among reflection pulse data stored in the memory (step S112). Reflected pulse data corresponding to a value lower than the threshold range in the reflection pulse data may mean that the user's touch is a finger. That is, since the finger of the user has a certain capacitance component, when the finger of the user is touched, the reflected pulse becomes lower than the critical range.

단계 S112에서 임계범위보다 낮은 값을 갖는 반사펄스 데이터가 존재하지 않은 것으로 체크되면, 단계 S100으로 피드백한다.If it is checked in step S112 that there is no reflected pulse data having a value lower than the critical range, the process returns to step S100.

단계 S112에서 임계범위보다 낮은 값을 갖는 반사펄스 데이터가 존재하는 것을 체크되면, 상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 임계범위보다 낮은 값에 대응하는 반사펄스 데이터를 상기 메모리에서 추출한다(단계 S114). If it is checked in step S112 that there is reflected pulse data having a value lower than the critical range, the controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 outputs reflected pulse data corresponding to a value lower than the critical range in the memory (Step S114).

상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 반사펄스 데이터가 군집을 이루는지의 여부를 체크한다(단계 S116). 상기 반사펄스 데이터가 군집을 이루는 경우는 서로 인접하는 2개 이상의 메모리 라인들에서 임계범위보다 낮은 값들이 추출되는 경우이다. 즉, 사용자에 의한 터치가 서로 인접하는 복수의 터치-센싱라인들에서 이루어질 때 반사펄스 데이터가 군집을 이룰 수 있다. The controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 checks whether or not the reflection pulse data forms a cluster (step S116). In the case where the reflection pulse data is a cluster, values lower than the critical range are extracted from two or more memory lines adjacent to each other. That is, when the touch by the user is made in a plurality of touch-sensing lines that are adjacent to each other, the reflection pulse data can be clustered.

단계 S116에서 반사펄스 데이터가 군집을 이루지 않는 것으로 체크되면, 상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 추출된 반사펄스 데이터의 주소를 근거로 터치 좌표를 인식한다(단계 S118). If it is determined in step S116 that the reflected pulse data does not form a cluster, the controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 recognizes the touch coordinates based on the address of the extracted reflected pulse data (step S118).

단계 S116에서 반사펄스 데이터가 군집을 이루는 것으로 체크되면, 상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 보간을 통해 군집 데이터들 중 중심점에 대응하는 반사펄스 데이터를 추출한다(단계 S120). If it is checked in step S116 that the reflection pulse data constitutes a cluster, the controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 extracts reflected pulse data corresponding to the center point among the cluster data through interpolation (step S120) .

상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 중심점에 대응하는 주소를 근거로 터치 좌표를 인식한다(단계 S122). 인식된 터치 좌표는 외부의 호스트 시스템(미도시됨)에 제공될 수 있다. The controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 recognizes the touch coordinates based on the address corresponding to the center point (step S122). The recognized touch coordinates may be provided to an external host system (not shown).

종료 여부를 체크하여, 미종료로 체크되면 단계 S100으로 피드백하고, 종료로 체크되면 종료한다. If it is checked that it is not finished, the process returns to step S100. If it is checked to be finished, the process is terminated.

본 실시예에서, 수신된 반사펄스에서 노이즈 성분을 제거하는 단계가 포함된 것을 설명하였으나, 상기한 노이즈 성분을 제거하는 단계는 생략될 수도 있다. In this embodiment, it has been described that the step of removing the noise component from the received reflected pulse is included, but the step of removing the noise component may be omitted.

도 25는 도 23에 도시된 초기 구동 모드 수행 단계를 설명하기 위한 흐름도이다. 25 is a flowchart for explaining the initial driving mode performing step shown in FIG.

도 1, 도 24 및 도 25를 참조하면, 상기 멀티-터치 센싱장치(100)는 터치-센싱배선의 종단저항값을 오픈 레벨로 설정한다(단계 S610). Referring to FIGS. 1, 24 and 25, the multi-touch sensing apparatus 100 sets the terminal resistance value of the touch-sensing wiring to an open level (step S610).

이어, 상기 멀티-터치 센싱장치(100)는 상기 터치-센싱배선의 일단에 송신펄스를 출력한 후(단계 S612), 반사되는 반사펄스를 수신한다(단계 S614). 이때 반사펄스는 터치-센싱배선의 타단, 즉 종단이 오픈되었으므로 오픈 레벨에 대응하여 수신된다. Next, the multi-touch sensing apparatus 100 outputs a transmission pulse to one end of the touch-sensing wiring (step S612), and receives the reflected pulse (step S614). At this time, the reflection pulse is received corresponding to the open level because the other end of the touch-sensing wiring, that is, the termination is opened.

이어, 상기 멀티-터치 센싱장치(100)는 오픈 레벨에 대응하여 반사펄스의 노이즈를 측정하고 측정된 결과값을 저장한다(단계 S616).Next, the multi-touch sensing apparatus 100 measures the noise of the reflected pulse corresponding to the open level and stores the measured result (step S616).

이어, 상기 멀티-터치 센싱장치(100)는 터치-센싱배선의 종단저항값을 임피던스매칭레벨로 설정한다(단계 S620). Next, the multi-touch sensing apparatus 100 sets the terminal resistance value of the touch-sensing wiring to the impedance matching level (step S620).

이어, 상기 멀티-터치 센싱장치(100)는 상기 터치-센싱배선의 일단에 송신펄스를 출력한 후(단계 S622), 반사되는 반사펄스를 수신한다(단계 S624). 이때 반사펄스는 터치-센싱배선의 타단, 즉 종단은 터치-센싱배선의 임피던스와 동일하도록 매칭되었으므로 임피던스매칭레벨에 대응하여 수신된다.Next, the multi-touch sensing apparatus 100 outputs a transmission pulse to one end of the touch-sensing wiring (step S622), and receives a reflected pulse reflected therefrom (step S624). At this time, the reflection pulse is received corresponding to the impedance matching level because the other end of the touch-sensing wiring, that is, the terminal end thereof, is matched with the impedance of the touch-sensing wiring.

이어, 상기 멀티-터치 센싱장치(100)는 임피던스매칭레벨에 대응하여 반사펄스의 노이즈를 측정하고 측정된 결과값을 저장한다(단계 S626).Next, the multi-touch sensing apparatus 100 measures the noise of the reflection pulse corresponding to the impedance matching level and stores the measured result (step S626).

이어, 상기 멀티-터치 센싱장치(100)는 터치-센싱배선의 종단저항값을 그라운드 레벨로 설정한다(단계 S630). Next, the multi-touch sensing apparatus 100 sets the terminal resistance value of the touch-sensing wiring to the ground level (step S630).

이어, 상기 멀티-터치 센싱장치(100)는 상기 터치-센싱배선의 일단에 송신펄스를 출력한 후(단계 S632), 반사되는 반사펄스를 수신한다(단계 S634). 이때 반사펄스는 터치-센싱배선의 타단, 즉 종단이 그라운드되었으므로 그라운드 레벨에 대응하여 수신된다.Next, the multi-touch sensing apparatus 100 outputs a transmission pulse to one end of the touch-sensing wiring (step S632), and receives the reflected pulse (step S634). At this time, the reflection pulse is received corresponding to the ground level because the other end of the touch-sensing wiring, that is, the terminal is grounded.

이어, 상기 멀티-터치 센싱장치(100)는 그라운드 레벨에 대응하여 반사펄스의 노이즈를 측정하고 측정된 결과값을 저장한다(단계 S636).Then, the multi-touch sensing apparatus 100 measures the noise of the reflected pulse corresponding to the ground level and stores the measured result (step S636).

상기 멀티-터치 센싱장치(100)는 가장 작은 노이즈 성분을 갖는 반사펄스에 대응하는 종단저항값을 선택한다(단계 S640). 멀티-터치패널의 주변환경에 따라 터치-센싱배선의 종단이 오픈 레벨로 설정되었을 때 노이즈 성분이 최소일 수도 있고, 터치-센싱배선의 종단이 임피던스매칭레벨로 설정되었을 때 노이즈 성분이 최소일 수도 있으며, 터치-센싱배선의 종단이 그라운드 레벨로 설정되었을 때 노이즈 성분이 최소일 수 있다. The multi-touch sensing apparatus 100 selects an end resistance value corresponding to the reflection pulse having the smallest noise component (step S640). Depending on the surrounding environment of the multi-touch panel, the noise component may be minimum when the end of the touch-sensing wiring is set to the open level, or the noise component may be minimum when the end of the touch- sensing wiring is set to the impedance matching level And the noise component may be minimal when the end of the touch-sensing wiring is set to the ground level.

상기 멀티-터치 센싱장치(100)는 선택된 종단저항값에 대응하도록 종단저항값을 설정한다(단계 S650). The multi-touch sensing apparatus 100 sets a termination resistance value to correspond to the selected terminal resistance value (step S650).

본 실시예에서는 터치-센싱배선의 종단저항값의 설정 순서를 오픈 레벨, 임피던스매칭레벨 및 그라운드 레벨로 하는 것을 설명하였으나, 그 순서는 변경될 수도 있다. 즉, 터치-센싱배선의 종단저항값의 설정 순서는 임피던스매칭레벨, 오프레벨 및 그라운드 레벨로 설정될 수도 있고, 임피던스매칭레벨, 그라운드 레벨, 오픈 레벨로 설정될 수도 있으며, 그라운드 레벨, 임피던스레벨, 오픈 레벨 등으로 설정될 수 있다.In the present embodiment, the procedure for setting the terminal resistance value of the touch-sensing wiring is set to the open level, the impedance matching level, and the ground level, but the order may be changed. That is, the setting order of the termination resistance value of the touch-sensing wiring may be set to an impedance matching level, an off level and a ground level, or may be set to an impedance matching level, a ground level and an open level, An open level, and the like.

도 26은 본 발명의 다른 실시예에 따른 멀티-터치 센싱방법을 설명하기 위한 흐름도이다. 특히 스타일러스펜 터치 센싱방법이 설명된다. 설명의 편의를 위해, 도 1에 도시된 멀티-터치 센싱장치를 이용하여 멀티-터치 센싱방법이 설명되지만, 도 22에 도시된 멀티-터치 센싱장치를 이용할 수도 있다.26 is a flowchart illustrating a multi-touch sensing method according to another embodiment of the present invention. In particular, a stylus pen touch sensing method is described. For convenience of explanation, a multi-touch sensing method using the multi-touch sensing device shown in FIG. 1 is described, but the multi-touch sensing device shown in FIG. 22 may also be used.

도 1 및 도 26을 참조하면, 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 초기 구동인지의 여부를 체크하는 단계(단계 S50). Referring to FIGS. 1 and 26, the controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 checks whether it is an initial operation (step S50).

단계 S50에서 초기 구동으로 체크되면, 상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 도 24에서 설명된 바와 같은 초기 구동 모드를 수행한다(단계 S60). If the initial driving is checked in step S50, the controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 performs an initial driving mode as described with reference to FIG. 24 (step S60).

단계 S50에서 초기 구동으로 체크되지 않거나 단계 S60을 수행한 후, 상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 송신펄스출력부(122)는 터치-센싱배선에 터치 센싱을 위한 송신펄스를 출력한다(단계 S200).After the initial driving is not checked in step S50 or step S60 is performed, the transmission pulse output unit 122 of the multi-touch sensing apparatus 100 outputs a transmission pulse for touch sensing to the touch-sensing wiring S200).

상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 TDR측정부(124)는 사용자의 터치에 응답하여 반사되는 반사펄스를 수신한다(단계 S202). 이때 수신되는 반사펄스에는 해당 반사펄스의 기준레벨보다 높은 레벨이 없을 수도 있고, 하나 또는 복수개의 레벨이 존재할 수 있다. 수신된 반사펄스에 기준레벨보다 높은 레벨이 없는 것은 터치가 이루어지지 않은 것을 의미한다. 수신된 반사펄스에 기준레벨보다 높은 레벨이 하나 존재하는 것은 터치 포인트가 하나인 것을 의미한다. 한편, 수신된 반사펄스에 기준레벨보다 높은 레벨이 두개 또는 세개 존재하는 것은 터치 포인트가 두개 또는 세개인 것을 의미한다. The TDR measuring unit 124 of the multi-touch sensing apparatus 100 receives a reflected pulse reflected in response to a user's touch (step S202). At this time, the received reflection pulse may not have a level higher than the reference level of the reflection pulse, and one or more levels may exist. If the received reflected pulse does not have a level higher than the reference level, it means that no touch is made. The presence of one level higher than the reference level in the received reflection pulse means that there is one touch point. On the other hand, the presence of two or three levels higher than the reference level in the received reflected pulse means that there are two or three touch points.

상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 TDR측정부(124)는 단계 S202에서 반사펄스에 포함된 노이즈 성분을 제거한다(단계 S204). 반사펄스에서 노이즈 성분을 제거하기 위해 디지털 미분기를 이용할 수 있다. The TDR measuring unit 124 of the multi-touch sensing apparatus 100 removes a noise component included in the reflected pulse in step S202 (step S204). A digital differentiator can be used to remove the noise component from the reflected pulse.

상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 TDR측정부(124)는 복수의 딜레이신호들을 생성한다(단계 S206). The TDR measurement unit 124 of the multi-touch sensing apparatus 100 generates a plurality of delay signals (step S206).

상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 TDR측정부(124)는 단계 S206에서 생성된 딜레이신호들을 이용하여 반사펄스를 디지털 변환하여 복수의 반사펄스 데이터들을 생성한다(단계 S208). The TDR measurement unit 124 of the multi-touch sensing apparatus 100 generates a plurality of reflection pulse data by digitally converting the reflection pulse using the delay signals generated in step S206 (step S208).

상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 TDR측정부(124)는 단계 S208에서 생성된 반사펄스 데이터들을 메모리에 저장한다(단계 S210). 상기 메모리는 한 프레임에 대응하는 영상 데이터를 저장할 수 있는 프레임 메모리일 수도 있고, 한 프레임에 대응하는 영상 데이터들 중 한 라인에 대응하는 영상 데이터를 저장할 수 있는 라인 메모리일 수도 있다. The TDR measurement unit 124 of the multi-touch sensing apparatus 100 stores the reflection pulse data generated in step S208 in a memory (step S210). The memory may be a frame memory capable of storing image data corresponding to one frame or a line memory capable of storing image data corresponding to one line of image data corresponding to one frame.

상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 상기 메모리에 저장된 반사펄스 데이터들 중 임계범위보다 높은 값을 갖는 반사펄스 데이터가 존재하는지의 여부를 체크한다(단계 S212). 상기 반사펄스 데이터에서 임계범위보다 높은 값에 대응하는 반사펄스 데이터는 사용자의 터치가 스타일러스펜에 의해 이루어지는 것을 의미할 수 있다. 즉, 스타일러스펜은 인덕터 코일이 감겨진 구조를 가지므로, 스타일러스펜이 터치되면, 반사펄스는 임계범위보다 높아진다. The controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 checks whether reflection pulse data having a value higher than the critical range exists among reflection pulse data stored in the memory (step S212). Reflected pulse data corresponding to a value higher than the critical range in the reflection pulse data may mean that the touch of the user is made by the stylus pen. That is, since the stylus pen has a structure in which the inductor coil is wound, when the stylus pen is touched, the reflected pulse becomes higher than the critical range.

단계 S212에서 임계범위보다 높은 값을 갖는 반사펄스 데이터가 존재하지 않은 것으로 체크되면, 단계 S200으로 피드백한다.If it is checked in step S212 that there is no reflected pulse data having a value higher than the threshold range, the process returns to step S200.

단계 S212에서 임계범위보다 높은 값을 갖는 반사펄스 데이터가 존재하는 것을 체크되면, 상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 임계범위보다 높은 값에 대응하는 반사펄스 데이터를 상기 메모리에서 추출한다(단계 S214). If it is checked in step S212 that reflected pulse data having a value higher than the threshold range is present, the controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 outputs reflection pulse data corresponding to a value higher than the threshold range in the memory (Step S214).

상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 반사펄스 데이터가 군집을 이루는지의 여부를 체크한다(단계 S216). 상기 반사펄스 데이터가 군집을 이루는 경우는 서로 인접하는 2개 이상의 메모리 라인들에서 임계범위보다 낮은 값들이 추출되는 경우이다. 즉, 사용자에 의한 터치가 서로 인접하는 복수의 터치-센싱라인들에서 이루어질 때 반사펄스 데이터가 군집을 이룰 수 있다.The controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 checks whether or not the reflection pulse data forms a cluster (step S216). In the case where the reflection pulse data is a cluster, values lower than the critical range are extracted from two or more memory lines adjacent to each other. That is, when the touch by the user is made in a plurality of touch-sensing lines that are adjacent to each other, the reflection pulse data can be clustered.

단계 S216에서 반사펄스 데이터가 군집을 이루지 않는 것으로 체크되면, 상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 추출된 반사펄스 데이터의 주소를 근거로 터치 좌표를 인식한다(단계 S218). If it is determined in step S216 that the reflected pulse data does not form a cluster, the controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 recognizes the touch coordinates based on the address of the extracted reflected pulse data (step S218).

단계 S216에서 반사펄스 데이터가 군집을 이루는 것으로 체크되면, 상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 보간을 통해 군집 데이터들 중 중심점에 대응하는 반사펄스 데이터를 추출한다(단계 S220). If it is checked in step S216 that the reflection pulse data constitutes a cluster, the controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 extracts reflection pulse data corresponding to the center point among the cluster data through interpolation (step S220) .

상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 중심점에 대응하는 주소를 근거로 터치 좌표를 인식한다(단계 S222). The controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 recognizes touch coordinates based on the address corresponding to the center point (step S222).

종료 여부를 체크하여, 미종료로 체크되면 단계 S200으로 피드백하고, 종료로 체크되면 종료한다. If it is checked that the process is not completed, the process returns to step S200. If the process is terminated, the process is terminated.

본 실시예에서, 수신된 반사펄스에서 노이즈 성분을 제거하는 단계가 포함된 것을 설명하였으나, 상기한 노이즈 성분을 제거하는 단계는 생략될 수도 있다. In this embodiment, it has been described that the step of removing the noise component from the received reflected pulse is included, but the step of removing the noise component may be omitted.

도 27a 및 도 27b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 멀티-터치 센싱방법을 설명하기 위한 흐름도들이다. 특히, 복합 터치 센싱방법이 설명된다. 설명의 편의를 위해, 도 1에 도시된 멀티-터치 센싱장치를 이용하여 멀티-터치 센싱방법이 설명되지만, 도 22에 도시된 멀티-터치 센싱장치를 이용할 수도 있다.27A and 27B are flowcharts for explaining a multi-touch sensing method according to another embodiment of the present invention. Particularly, a composite touch sensing method will be described. For convenience of explanation, a multi-touch sensing method using the multi-touch sensing device shown in FIG. 1 is described, but the multi-touch sensing device shown in FIG. 22 may also be used.

도 27a 및 도 27b를 참조하면, 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 초기 구동인지의 여부를 체크하는 단계(단계 S50). Referring to FIGS. 27A and 27B, the controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 checks whether it is an initial operation (step S50).

단계 S50에서 초기 구동으로 체크되면, 상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 도 24에서 설명된 바와 같은 초기 구동 모드를 수행한다(단계 S60). If the initial driving is checked in step S50, the controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 performs an initial driving mode as described with reference to FIG. 24 (step S60).

단계 S50에서 초기 구동으로 체크되지 않거나 단계 S60을 수행한 후, 상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 송신펄스출력부(122)는 터치-센싱배선에 터치 센싱을 위한 송신펄스를 출력한다(단계 S300).After the initial driving is not checked in step S50 or step S60 is performed, the transmission pulse output unit 122 of the multi-touch sensing apparatus 100 outputs a transmission pulse for touch sensing to the touch-sensing wiring S300).

상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 TDR측정부(124)는 사용자의 터치에 응답하여 반사되는 반사펄스를 수신한다(단계 S302). 이때 수신되는 반사펄스에는 해당 반사펄스의 기준레벨보다 높은 레벨이 없을 수도 있고, 하나 또는 복수개의 레벨이 존재할 수 있다. 수신된 반사펄스에 기준레벨보다 높은 레벨이 없는 것은 터치가 이루어지지 않은 것을 의미한다. 수신된 반사펄스에 기준레벨보다 높은 레벨이 하나 존재하는 것은 터치 포인트가 하나인 것을 의미한다. 한편, 수신된 반사펄스에 기준레벨보다 높은 레벨이 두개 또는 세개 존재하는 것은 터치 포인트가 두개 또는 세개인 것을 의미한다. The TDR measuring unit 124 of the multi-touch sensing apparatus 100 receives a reflected pulse reflected in response to a user's touch (step S302). At this time, the received reflection pulse may not have a level higher than the reference level of the reflection pulse, and one or more levels may exist. If the received reflected pulse does not have a level higher than the reference level, it means that no touch is made. The presence of one level higher than the reference level in the received reflection pulse means that there is one touch point. On the other hand, the presence of two or three levels higher than the reference level in the received reflected pulse means that there are two or three touch points.

멀티-터치 센싱장치(100)의 TDR측정부(124)는 단계 S302에서 반사펄스에 포함된 노이즈 성분을 제거한다(단계 S304). 반사펄스에서 노이즈 성분을 제거하기 위해 디지털 미분기를 이용할 수 있다. 본 실시예에서, 수신된 반사펄스에서 노이즈 성분을 제거하는 단계가 포함된 것을 설명하였으나, 상기한 노이즈 성분을 제거하는 단계는 생략될 수도 있다.The TDR measuring unit 124 of the multi-touch sensing apparatus 100 removes the noise component included in the reflected pulse in step S302 (step S304). A digital differentiator can be used to remove the noise component from the reflected pulse. In this embodiment, it has been described that the step of removing the noise component from the received reflected pulse is included, but the step of removing the noise component may be omitted.

상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 TDR측정부(124)는 복수의 딜레이신호들을 생성한다(단계 S306). The TDR measurement unit 124 of the multi-touch sensing apparatus 100 generates a plurality of delay signals (step S306).

상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 TDR측정부(124)는 단계 S306에서 생성된 딜레이신호들을 이용하여 반사펄스를 디지털 변환하여 복수의 반사펄스 데이터들을 생성한다(단계 S308). The TDR measuring unit 124 of the multi-touch sensing apparatus 100 generates a plurality of reflection pulse data by digitally converting the reflection pulse using the delay signals generated in step S306 (step S308).

상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 TDR측정부(124)는 단계 S308에서 생성된 반사펄스 데이터들을 메모리에 저장한다(단계 S310). 상기 메모리는 한 프레임에 대응하는 영상 데이터를 저장할 수 있는 프레임 메모리일 수도 있고, 한 프레임에 대응하는 영상 데이터들 중 한 라인에 대응하는 영상 데이터를 저장할 수 있는 라인 메모리일 수도 있다. The TDR measurement unit 124 of the multi-touch sensing apparatus 100 stores the reflection pulse data generated in step S308 in a memory (step S310). The memory may be a frame memory capable of storing image data corresponding to one frame or a line memory capable of storing image data corresponding to one line of image data corresponding to one frame.

상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 상기 메모리에 저장된 반사펄스 데이터들 중 임계범위보다 높은 값을 갖는 반사펄스 데이터가 존재하는지의 여부를 체크한다(단계 S312). 상기 반사펄스 데이터에서 임계범위보다 높은 값에 대응하는 반사펄스 데이터는 사용자의 터치가 스타일러스펜에 의해 이루어지는 것을 의미할 수 있다. 즉, 스타일러스펜은 인덕터 코일이 감겨진 구조를 가지므로, 스타일러스펜이 터치되면, 반사펄스는 임계범위보다 높아진다.The controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 checks whether reflection pulse data having a value higher than the critical range exists among reflection pulse data stored in the memory (step S312). Reflected pulse data corresponding to a value higher than the critical range in the reflection pulse data may mean that the touch of the user is made by the stylus pen. That is, since the stylus pen has a structure in which the inductor coil is wound, when the stylus pen is touched, the reflected pulse becomes higher than the critical range.

단계 S312에서 임계범위보다 높은 값을 갖는 반사펄스 데이터가 존재하는 것을 체크되면, 상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 임계범위보다 높은 값에 대응하는 반사펄스 데이터를 상기 추출한다(단계 S314). If it is checked in step S312 that reflected pulse data having a value higher than the threshold range is present, the controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 extracts reflection pulse data corresponding to a value higher than the threshold range (Step S314).

상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 반사펄스 데이터가 군집을 이루는지의 여부를 체크한다(단계 S316). 상기 반사펄스 데이터가 군집을 이루는 경우는 서로 인접하는 2개 이상의 메모리 라인들에서 임계범위보다 낮은 값들이 추출되는 경우이다. 즉, 사용자에 의한 터치가 서로 인접하는 복수의 터치-센싱라인들에서 이루어질 때 반사펄스 데이터가 군집을 이룰 수 있다.The controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 checks whether or not the reflection pulse data forms a cluster (step S316). In the case where the reflection pulse data is a cluster, values lower than the critical range are extracted from two or more memory lines adjacent to each other. That is, when the touch by the user is made in a plurality of touch-sensing lines that are adjacent to each other, the reflection pulse data can be clustered.

단계 S316에서 반사펄스 데이터가 군집을 이루지 않는 것으로 체크되면, 상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 추출된 반사펄스 데이터의 주소를 근거로 터치 좌표를 인식한다(단계 S318). If it is determined in step S316 that the reflected pulse data does not form a cluster, the controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 recognizes the touch coordinates based on the address of the extracted reflected pulse data (step S318).

단계 S316에서 반사펄스 데이터가 군집을 이루는 것으로 체크되면, 상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 보간을 통해 군집 데이터들 중 중심점에 대응하는 반사펄스 데이터를 추출한다(단계 S320). If it is checked in step S316 that the reflected pulse data constitutes a cluster, the controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 extracts reflection pulse data corresponding to the center point among the cluster data through interpolation (step S320) .

상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 중심점에 대응하는 주소를 근거로 터치 좌표를 인식한다(단계 S322). The controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 recognizes the touch coordinates based on the address corresponding to the center point (step S322).

종료 여부를 체크하여, 미종료로 체크되면 단계 S300으로 피드백하고, 종료로 체크되면 종료한다. If it is checked that it is not finished, the process returns to step S300. If it is checked to be finished, the process is terminated.

단계 S312에서 임계범위보다 높은 값을 갖는 반사펄스 데이터가 존재하지 않은 것을 체크되면, 상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 임계범위보다 낮은 값을 갖는 반사펄스 데이터가 존재하는지의 여부를 체크한다(단계 S326). 상기 반사펄스 데이터에서 임계범위보다 낮은 값에 대응하는 반사펄스 데이터는 사용자의 터치가 핑거라는 것을 의미할 수 있다. 즉, 사용자의 핑거는 일정의 캐패시턴스 성분을 가지므로, 사용자의 핑거가 터치되면, 반사펄스는 임계범위보다 낮아진다.If it is checked in step S312 that there is no reflected pulse data having a value higher than the critical range, the controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 determines whether there is reflection pulse data having a value lower than the critical range (Step S326). Reflected pulse data corresponding to a value lower than the threshold range in the reflection pulse data may mean that the user's touch is a finger. That is, since the finger of the user has a certain capacitance component, when the finger of the user is touched, the reflected pulse becomes lower than the critical range.

단계 S326에서 임계범위보다 낮은 값을 갖는 반사펄스 데이터가 존재하지 않은 것으로 체크되면, 단계 S300으로 피드백한다. If it is checked in step S326 that there is no reflected pulse data having a value lower than the critical range, the process returns to step S300.

단계 S326에서 임계범위보다 낮은 값을 갖는 반사펄스 데이터가 존재하는 것을 체크되면, 상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 임계범위보다 낮은 값에 대응하는 반사펄스 데이터를 추출한다(단계 S328). If it is checked in step S326 that there is reflected pulse data having a value lower than the critical range, the controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 extracts reflection pulse data corresponding to a value lower than the critical range ( Step S328).

상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 반사펄스 데이터가 군집을 이루는지의 여부를 체크한다(단계 S330). 상기 반사펄스 데이터가 군집을 이루는 경우는 서로 인접하는 2개 이상의 메모리 라인들에서 임계범위보다 낮은 값들이 추출되는 경우이다. 즉, 사용자에 의한 터치가 서로 인접하는 복수의 터치-센싱라인들에서 이루어질 때 반사펄스 데이터가 군집을 이룰 수 있다.The controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 checks whether or not the reflection pulse data forms a cluster (step S330). In the case where the reflection pulse data is a cluster, values lower than the critical range are extracted from two or more memory lines adjacent to each other. That is, when the touch by the user is made in a plurality of touch-sensing lines that are adjacent to each other, the reflection pulse data can be clustered.

단계 S330에서 반사펄스 데이터가 군집을 이루지 않는 것으로 체크되면, 상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 추출된 반사펄스 데이터의 주소를 근거로 터치 좌표를 인식한다(단계 S332). If it is determined in step S330 that the reflected pulse data does not form a cluster, the controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 recognizes touch coordinates based on the extracted reflection pulse data address (step S332).

단계 S330에서 반사펄스 데이터가 군집을 이루는 것으로 체크되면, 상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 보간을 통해 군집 데이터들 중 중심점에 대응하는 반사펄스 데이터를 추출한다(단계 S334). If it is checked in step S330 that the reflection pulse data constitutes a cluster, the controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 extracts reflection pulse data corresponding to the center point among the cluster data through interpolation (step S334) .

상기 멀티-터치 센싱장치(100)의 콘트롤러(128)는 중심점에 대응하는 주소를 근거로 터치 좌표를 인식한 후(단계 S336), 단계 S324로 피드백한다. The controller 128 of the multi-touch sensing apparatus 100 recognizes the touch coordinates based on the address corresponding to the center point (step S336), and then feeds back to step S324.

이상에서는 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims. You will understand.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 평면상에 구불구불한 형태로 배치된 터치-센싱배선이 터치센서와 라우터 배선으로 이용되므로 싱글레이어의 터치패널을 구현할 수 있다. 이에 따라, 터치패널의 제조 공정수나 제조 원가를 절감할 수 있다.As described above, according to the present invention, since the touch-sensing wiring arranged in a meandering shape on a plane is used as a touch sensor and a router wiring, a single-layer touch panel can be realized. Accordingly, it is possible to reduce the number of manufacturing steps and manufacturing cost of the touch panel.

또한, 싱글레이어(single layer)인 터치-센싱배선상에 복수의 터치들이 발생되더라도 해당 터치들 각각에 대응하는 정보가 반사펄스에 포함되므로 멀티-터치를 인식할 수 있다.In addition, even if a plurality of touches are generated on a single layer touch-sensing line, information corresponding to each of the plurality of touches is included in the reflected pulse, so that the multi-touch can be recognized.

또한, 터치-센싱배선을 대형 베이스기판에 구불구불한 형태로 형성하므로써, 대화면 터치패널을 용이하게 구현할 수 있다. In addition, by forming the touch-sensing wiring in a meandering form on a large base board, a large-sized touch panel can be easily implemented.

또한, 터치-센싱배선이 구불구불한 형태로 형성되는 베이스기판으로 필름과 같은 플렉서블 기판을 이용하므로써, 플렉서블 터치패널을 용이하게 구현할 수 있다. Further, the flexible touch panel can be easily implemented by using a flexible substrate such as a film as a base substrate on which the touch-sensing wiring is formed in a meandering form.

100, 200 : 멀티-터치 센싱장치 110, 210 : 멀티-터치패널
120, 220 : 멀티-터치 센싱회로 112, 212 : 베이스기판
114, 214 : 터치-센싱배선 122, 222 : 송신펄스출력부
124, 224 : TDR측정부 126, 226 : 종단처리부
128, 228 : 콘트롤러 124a : 딜레이신호 출력부
124b, 124b1, 124b2 : 멀티플렉서 124d : 메모리
124c, 124c0, 124c1,..., 124cn : 아날로그-디지털 컨버터
410, 646 : 저항스트링 420 : 전압비교부
430 : 인코더 610 : 종단스위치
620 : 그라운드 설정부 630 : 회로 오픈부
640 : 임피던스 매칭부 648 : 스위칭부
MW : 금속배선 GW : 그라운드 배선
SMW : 서브-금속배선
100, 200: Multi-touch sensing device 110, 210: Multi-touch panel
120, 220: multi-touch sensing circuit 112, 212: base substrate
114, 214: touch-sensing wiring 122, 222: transmission pulse output section
124, 224: TDR measurement unit 126, 226:
128, 228: Controller 124a: Delay signal output section
124b, 124b1, 124b2: multiplexer 124d: memory
124c, 124c0, 124c1, ..., 124cn: analog-to-digital converters
410, 646: resistance string 420: voltage ratio grant
430: Encoder 610: Terminating switch
620: Ground setting unit 630: Circuit open unit
640: Impedance matching unit 648:
MW: Metal wiring GW: Ground wiring
SMW: Sub-metallization

Claims (26)

베이스기판; 및
상기 베이스기판상에 구불구불한 형태로 형성되고, 일단을 통해 송신펄스를 수신하고, 사용자의 하나 이상의 터치에 따라 상기 일단을 통해 상기 송신펄스에 대응하는 하나 이상의 반사펄스를 출력하는 터치-센싱배선을 포함하되,
터치좌표는 상기 반사펄스의 도착 시간을 근거로 인식되는 것을 특징으로 하는 멀티-터치패널.
A base substrate; And
And a touch-sensing circuit that is formed on the base substrate in a serpentine shape, receives a transmission pulse through one end, and outputs one or more reflection pulses corresponding to the transmission pulse through the one end according to one or more touches of the user, ≪ / RTI >
Wherein the touch coordinates are recognized based on an arrival time of the reflection pulse.
제1항에 있어서, 평면상에서 관찰할 때, 상기 터치-센싱배선의 외곽을 둘러싸는 그라운드배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티-터치패널.The multi-touch panel according to claim 1, further comprising a ground line surrounding the outer periphery of the touch-sensing line when viewed in a plan view. 제1항에 있어서, 상기 터치-센싱배선은 직선형상의 배선으로 이루어져 상기 베이스기판을 커버하는 것을 특징으로 하는 멀티-터치패널.The multi-touch panel according to claim 1, wherein the touch-sensing wiring is formed as a linear wiring and covers the base substrate. 제1항에 있어서, 상기 터치-센싱배선은 복수개로 물리적으로 분리되어 상기 베이스기판을 커버하는 것을 특징으로 하는 멀티-터치패널.The multi-touch panel according to claim 1, wherein the touch-sensing wiring is physically separated into a plurality of pieces to cover the base substrate. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 베이스기판은 사각형상을 갖고, 상기 터치-센싱배선은 상기 베이스기판의 일변과 평행하게 형성되고, 일변과 평행하게 형성된 상기 터치-센싱배선은 바형태를 갖는 것을 특징으로 하는 멀티-터치패널.The touch-sensing wiring according to claim 3 or 4, wherein the base substrate has a rectangular shape, the touch-sensing wiring is formed parallel to one side of the base substrate, and the touch- Wherein the multi-touch panel comprises a plurality of touch panels. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 베이스기판은 사각형상을 갖고, 상기 터치-센싱배선은 상기 베이스기판의 일변과 평행하게 형성되고, 상기 터치-센싱배선은,
상기 터치-센싱배선의 신장방향과 수직하게 지그재그 형태로 형성된 서브-금속배선을 포함하되,
서로 인접하는 상기 서브-금속배선들의 신장 방향은 평행한 것을 특징으로 하는 멀티-터치패널.
The touch-sensing semiconductor device according to claim 3 or 4, wherein the base substrate has a rectangular shape, the touch-sensing wiring is formed parallel to one side of the base substrate,
And a sub-metal wiring formed in a zigzag shape perpendicular to an extension direction of the touch-sensing wiring,
Wherein the extension directions of the sub-metal wirings adjacent to each other are parallel to each other.
제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 베이스기판은 사각형상을 갖고, 상기 터치-센싱배선은 상기 베이스기판의 일변과 평행하게 형성되고, 상기 터치-센싱배선은,
상기 터치-센싱배선의 신장방향과 수직하게 지그재그 형태로 형성된 제1 서브-금속배선; 및
상기 터치-센싱배선의 신장 방향과 평행하게 지그재그 형태로 형성된 제2 서브-금속배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티-터치패널.
The touch-sensing semiconductor device according to claim 3 or 4, wherein the base substrate has a rectangular shape, the touch-sensing wiring is formed parallel to one side of the base substrate,
A first sub-metal wiring formed in a zigzag shape perpendicular to an extension direction of the touch-sensing wiring; And
And a second sub-metal wiring formed in a zigzag shape parallel to the extending direction of the touch-sensing wiring.
제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 베이스기판은 사각형상을 갖고, 상기 터치-센싱배선은 상기 베이스기판의 일변과 평행하게 형성되고, 상기 터치-센싱배선은,
상기 터치-센싱배선의 신장방향과 일정 각도를 갖고서 지그재그 형태로 형성된 서브-금속배선을 포함하되,
서로 인접하는 상기 서브-금속배선들의 신장 방향은 교차하는 것을 특징으로 하는 멀티-터치패널.
The touch-sensing semiconductor device according to claim 3 or 4, wherein the base substrate has a rectangular shape, the touch-sensing wiring is formed parallel to one side of the base substrate,
And a sub-metal wiring formed in a zigzag shape at an angle with the extending direction of the touch-sensing wiring,
Wherein the extending directions of the sub-metal wirings adjacent to each other cross each other.
제1항에 있어서, 상기 베이스기판은 리지드 타입 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티-터치패널.The multi-touch panel according to claim 1, wherein the base substrate comprises a rigid type substrate. 제1항에 있어서, 상기 베이스기판은 플렉서블 타입 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티-터치패널.The multi-touch panel according to claim 1, wherein the base substrate comprises a flexible type substrate. 베이스기판과, 상기 베이스기판상에 구불구불한 형태로 형성되고, 일단을 통해 송신펄스를 수신하고, 사용자의 터치에 따라 상기 일단을 통해 상기 송신펄스에 대응하는 반사펄스를 출력하는 터치-센싱배선을 포함하는 멀티-터치패널; 및
상기 터치-센싱배선의 일단에 상기 송신펄스를 출력하고, 상기 터치-센싱배선의 일단을 통해 수신되는 상기 반사펄스의 도착 시간을 근거로 터치 위치를 연산하는 멀티-터치 센싱회로를 포함하는 멀티-터치 센싱장치.
A touch-sensing device, comprising: a base substrate; a touch-sensing circuit formed in a serpentine shape on the base substrate, for receiving a transmission pulse through one end and outputting a reflection pulse corresponding to the transmission pulse through the one end, A multi-touch panel; And
And a multi-touch sensing circuit for outputting the transmission pulse to one end of the touch-sensing wiring and calculating a touch position based on an arrival time of the reflection pulse received through one end of the touch- Touch sensing device.
제11항에 있어서, 상기 멀티-터치 센싱회로는,
상기 터치-센싱배선의 일단에 연결되고, 복수의 송신펄스들을 출력하는 송신펄스출력부를 포함하고,
상기 송신펄스들 각각의 폭은 동일하고, 상기 송신펄스들 각각의 간격은 서로 다른 것을 특징으로 하는 멀티-터치 센싱장치.
12. The multi-touch sensing circuit according to claim 11,
And a transmission pulse output unit connected to one end of the touch-sensing wiring and outputting a plurality of transmission pulses,
Wherein the width of each of the transmission pulses is the same, and the intervals of the transmission pulses are different from each other.
제12항에 있어서, 상기 터치-센싱배선의 일단과 상기 송신펄스출력부간에는 직렬저항이 배치된 것을 특징으로 하는 멀티-터치 센싱장치. 13. The multi-touch sensing apparatus of claim 12, wherein a series resistor is disposed between one end of the touch-sensing wiring and the transmission pulse output unit. 제11항에 있어서, 상기 멀티-터치 센싱회로는,
상기 터치-센싱배선의 일단에 연결되고, 상기 반사펄스 도달까지 걸린 시간을 측정하여 터치위치를 검출하는 타임-도메인-반사(time-domain reflectrometer; TDR) 측정부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티-터치 센싱장치.
12. The multi-touch sensing circuit according to claim 11,
And a time-domain reflectometer (TDR) measuring unit connected to one end of the touch-sensing wiring and measuring a time taken until the reflection pulse arrives to detect a touch position. Touch sensing device.
제14항에 있어서, 상기 TDR 측정부는,
직렬 연결되어, 상기 송신펄스의 출력에 동기하여 복수의 딜레이신호들을 생성하는 복수의 버퍼들;
외부로부터 제공되는 선택신호에 응답하여 상기 딜레이신호들을 멀티플렉싱하는 멀티플렉서;
멀티플렉싱된 딜레이신호에 응답하여 상기 반사펄스를 디지털 변환하는 아날로그-디지털 컨버터;
디지털 변환된 반사펄스 데이터를 인코딩하는 인코더; 및
인코딩된 반사펄스 데이터를 저장하는 메모리를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티-터치 센싱장치.
15. The apparatus of claim 14, wherein the TDR measurement unit comprises:
A plurality of buffers serially connected to generate a plurality of delay signals in synchronization with an output of the transmission pulse;
A multiplexer for multiplexing the delay signals in response to an externally provided selection signal;
An analog-to-digital converter for digitally converting the reflected pulse in response to the multiplexed delay signal;
An encoder for encoding the digitally converted reflection pulse data; And
And a memory for storing encoded reflection pulse data.
제11항에 있어서, 상기 멀티-터치 센싱회로는, 상기 터치-센싱배선의 타단에 연결되어 주변 환경에 따라 상기 터치-센싱배선의 종단저항값을 설정하는 종단처리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티-터치 센싱장치. 12. The multi-touch sensing circuit according to claim 11, wherein the multi-touch sensing circuit includes a termination processor connected to the other end of the touch-sensing wiring and configured to set a termination resistance value of the touch- - Touch sensing device. 제16항에 있어서, 상기 종단처리부는,
상기 터치-센싱배선의 종단저항값을 그라운드 레벨로 설정하는 그라운드 설정부;
상기 터치-센싱배선의 종단저항값을 플로팅시키는 회로 오픈부; 및
상기 터치-센싱배선의 임피던스와 동일한 임피던스를 갖는 임피던스 매칭부를 포함하고,
주변 환경에 따라 상기 그라운드 설정부, 상기 회로 오픈부 및 상기 임피던스 매칭부 중 어느 하나가 선택되는 것을 특징으로 하는 멀티-터치 센싱장치.
The apparatus according to claim 16,
A ground setting unit for setting a terminal resistance value of the touch-sensing wiring to a ground level;
A circuit open portion for floating the terminal resistance value of the touch-sensing wiring; And
And an impedance matching unit having an impedance equal to the impedance of the touch-sensing wiring,
Wherein one of the ground setting unit, the circuit open unit, and the impedance matching unit is selected according to the surrounding environment.
제17항에 있어서, 상기 종단처리부는, 상기 터치-센싱배선의 종단을 상기 그라운드 설정부, 상기 회로 오픈부 및 상기 임피던스 매칭부 중 어느 하나와 연결시키는 종단스위치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티-터치 센싱장치. 18. The apparatus of claim 17, wherein the termination processor further comprises an end switch for connecting an end of the touch-sensing wire to one of the ground setting unit, the circuit opening unit, and the impedance matching unit. - Touch sensing device. 제11항에 있어서, 상기 터치-센싱배선은 직선형상의 배선으로 이루어져 상기 베이스기판을 커버하는 것을 특징으로 하는 멀티-터치 센싱장치. 12. The multi-touch sensing apparatus according to claim 11, wherein the touch-sensing wiring is formed as a linear wiring and covers the base substrate. 제11항에 있어서, 상기 터치-센싱배선은 복수개로 물리적으로 분리되어 상기 베이스기판을 커버하는 것을 특징으로 하는 멀티-터치 센싱장치. 12. The multi-touch sensing apparatus according to claim 11, wherein the touch-sensing wiring is physically separated into a plurality of pieces to cover the base substrate. 베이스기판상에 구불구불한 형태로 형성된 터치-센싱배선의 일단에 송신펄스를 출력하는 단계;
상기 터치-센싱배선상에 발생되는 사용자의 터치에 응답하여 반사되는 반사펄스를 상기 터치-센싱배선의 일단을 통해 수신하는 단계;
복수의 딜레이신호들을 생성하는 단계;
상기 딜레이신호들 각각을 근거로 상기 반사펄스를 디지털 변환하여 반사펄스데이터를 생성하고, 생성된 반사펄스 데이터를 메모리에 저장하는 단계;
상기 반사펄스 데이터에서 임계범위보다 낮은 값에 대응하는 반사펄스 데이터 또는 상기 임계범위보다 높은 값에 대응하는 반사펄스 데이터를 상기 메모리에서 추출하는 단계; 및
추출된 반사펄스 데이터에 대응하는 주소를 근거로 터치 좌표를 인식하는 단계를 포함하는 멀티-터치 센싱방법.
Outputting a transmission pulse to one end of a touch-sensing wiring formed in a meandering shape on a base substrate;
Receiving reflected pulses reflected in response to a user's touch generated on the touch-sensing wire through one end of the touch-sensing wire;
Generating a plurality of delay signals;
Generating reflection pulse data by digitally converting the reflection pulse based on each of the delay signals, and storing the generated reflection pulse data in a memory;
Extracting reflected pulse data corresponding to a value lower than a critical range or reflection pulse data corresponding to a value higher than the critical range in the reflection pulse data from the memory; And
And recognizing touch coordinates based on an address corresponding to the extracted reflected pulse data.
제21항에 있어서, 상기 임계범위보다 낮은 값에 대응하는 반사펄스 데이터는 사용자의 핑거 터치로 인식되는 것을 특징으로 하는 멀티-터치 센싱방법.22. The multi-touch sensing method of claim 21, wherein reflection pulse data corresponding to a value lower than the threshold range is recognized as a finger touch of the user. 제21항에 있어서, 상기 임계범위보다 높은 값에 대응하는 반사펄스 데이터는 스타일러스펜 터치로 인식되는 것을 특징으로 하는 멀티-터치 센싱방법.22. The multi-touch sensing method according to claim 21, wherein reflection pulse data corresponding to a value higher than the critical range is recognized as a stylus pen touch. 제21항에 있어서, 추출된 반사펄스 데이터들 중 상기 임계범위보다 낮은 값에 대응하여 추출된 반사펄스 데이터 또는 상기 임계범위보다 높은 값에 대응하여 추출된 반사펄스 데이터가 군집을 이루는지의 여부를 체크하는 단계;
추출된 반사펄스 데이터가 군집을 이루지 않는 것으로 체크되면, 추출된 반사펄스 데이터에 대응하는 상기 메모리의 주소를 근거로 터치 좌표를 인식하는 단계;
추출된 반사펄스 데이터가 군집을 이루는 것으로 체크되면, 보간(interpolation)을 통해 군집 데이터의 중심점을 추출하는 단계; 및
추출된 중심점에 대응하는 상기 메모리의 주소를 근거로 터치 좌표를 인식하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티-터치 센싱방법.
The method of claim 21, further comprising the step of checking whether or not reflection pulse data extracted corresponding to a value lower than the critical range out of the extracted reflection pulse data or reflection pulse data extracted corresponding to a value higher than the critical range form a cluster ;
Recognizing the touch coordinates based on the address of the memory corresponding to the extracted reflected pulse data if it is checked that the extracted reflected pulse data does not form a cluster;
Extracting the center point of the cluster data through interpolation if the extracted reflected pulse data is checked to be a cluster; And
And recognizing touch coordinates based on an address of the memory corresponding to the extracted center point.
제21항에 있어서, 상기 송신펄스들 각각의 폭은 동일하고, 상기 송신펄스들 각각의 간격은 서로 다른 것을 특징으로 하는 멀티-터치 센싱방법.22. The multi-touch sensing method of claim 21, wherein the widths of the transmission pulses are the same, and the intervals of the transmission pulses are different from each other. 제21항에 있어서, 초기 구동시, 상기 터치-센싱배선의 종단저항값을 오픈 레벨, 그라운드 레벨 및 임피턴스매칭 레벨로 각각 설정하고, 상기 송신펄스를 출력한 후 반사펄스를 수신하는 단계;
설정된 종단저항값에 대응하는 반사펄스들 각각에서 가장 작은 노이즈 성분을 갖는 반사펄스에 대응하는 종단저항값을 선택하는 단계; 및
선택된 종단저항값에 대응하도록 상기 터치-센싱배선의 종단저항값을 설정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티-터치 센싱방법.



22. The method of claim 21, further comprising: setting an end resistance value of the touch-sensing wiring at an initial level to an open level, a ground level, and an impedance matching level, respectively, and receiving the reflection pulse after outputting the transmission pulse;
Selecting an end resistance value corresponding to the reflection pulse having the smallest noise component in each of the reflection pulses corresponding to the set terminal resistance value; And
Further comprising setting an end resistance value of the touch-sensing wiring to correspond to the selected terminal resistance value.



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