KR101412625B1 - 수직형태의 마이크로필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체 및 이의 제조방법, 이 탄소나노튜브 복합체를 포함한 센서 - Google Patents

수직형태의 마이크로필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체 및 이의 제조방법, 이 탄소나노튜브 복합체를 포함한 센서 Download PDF

Info

Publication number
KR101412625B1
KR101412625B1 KR1020120049477A KR20120049477A KR101412625B1 KR 101412625 B1 KR101412625 B1 KR 101412625B1 KR 1020120049477 A KR1020120049477 A KR 1020120049477A KR 20120049477 A KR20120049477 A KR 20120049477A KR 101412625 B1 KR101412625 B1 KR 101412625B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
carbon nanotube
nanotube composite
electrode plate
micropiller
polymer matrix
Prior art date
Application number
KR1020120049477A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130125889A (ko
Inventor
권수용
박연규
김민석
강대임
권일민
Original Assignee
한국표준과학연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국표준과학연구원 filed Critical 한국표준과학연구원
Priority to KR1020120049477A priority Critical patent/KR101412625B1/ko
Priority to PCT/KR2013/003942 priority patent/WO2013168956A1/en
Publication of KR20130125889A publication Critical patent/KR20130125889A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101412625B1 publication Critical patent/KR101412625B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J3/00—Processes of treating or compounding macromolecular substances
    • C08J3/20—Compounding polymers with additives, e.g. colouring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B1/00—Nanostructures formed by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B82B1/002—Devices comprising flexible or deformable elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y15/00—Nanotechnology for interacting, sensing or actuating, e.g. quantum dots as markers in protein assays or molecular motors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/04—Carbon
    • C08K3/041—Carbon nanotubes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0414—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means using force sensing means to determine a position
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/08—Metals
    • C08K2003/0806—Silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/08—Metals
    • C08K2003/0831—Gold
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/001—Conductive additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/003—Additives being defined by their diameter
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/004—Additives being defined by their length
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/011—Nanostructured additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/08—Metals
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
    • H01L29/0665—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body the shape of the body defining a nanostructure
    • H01L29/0669—Nanowires or nanotubes
    • H01L29/0676—Nanowires or nanotubes oriented perpendicular or at an angle to a substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)

Abstract

본 발명은 수직형태의 마이크로필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체 및 이의 제조방법, 이 탄소나노튜브 복합체를 포함한 센서에 관한 것으로, 베이스 및, 베이스로부터 수직형태로 연장 돌출된 다수의 마이크로필러를 포함한 형상의 고분자 매트릭스; 및, 고분자 매트릭스에 배합된 탄소나노튜브;가 포함되어 이루어짐으로써, 마이크로필러의 압축되거나 휘어지기 쉬운 탄성을 이용하여 탄소나노튜브의 변형이 용이하도록 유도하고, 탄소나노튜브의 저항변화를 극대화시키도록 한 것이다.

Description

수직형태의 마이크로필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체 및 이의 제조방법, 이 탄소나노튜브 복합체를 포함한 센서{Crabon nabotube composites having micro-pillar of vertical shape and method for manufacturing the same, tactile sensor with thereof}
본 발명은 탄소나노튜브 복합체에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고분자 매트릭스(polymer matrix)에 탄소나노튜브(CNT : Carbon NanoTube)가 배합되어 이루어진 탄소나노튜브 복합체의 일면에 수직형태의 마이크로필러(micro pillar)가 다수 형성되도록 한 마이크로필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체 및 이의 제조방법, 이 탄소나노튜브 복합체를 포함한 센서에 관한 것이다.
탄소나노튜브(CNT;Carbon NanoTube)는 그 독특한 구조적, 전기적 특성이 알려진 이래로 전계방출표시소자(FED;Field Emission Display), 액정표시소자(SCD;Liquid Crystal Ddsplay)의 백라이트(back-light), 나노전자소자(nanoelectronic device), 액츄에이터(actuator), 배터리(battery) 등 수많은 소자에 응용되고 있다. 전계방출표시소자는 캐소드 전극 상에 형성된 전자방출원으로부터 전자들을 방출시키고, 이렇게 방출된 전자들이 애노드 전극 상에 형성된 형광체를 여기(勵起)시켜 발광되도록 하는 표시장치이다. 이러한 전계방출표시소자의 전자방출원으로서 최근에는 전자방출 특성이 우수한 탄소나노튜브가 주로 사용되고 있다. 보다 우수한 전계방출표시소자를 제조하기 위해서는 전자방출원으로 사용되는 탄소나노튜브가 낮은 구동전압과 높은 방출 전류를 가져야 한다. 이를 위해서는 탄소나노튜브가 전극 상에 수직으로 정렬되어야할 필요가 있다.
이를 위한 기술로 국내 공개특허 제2007-0040129호(발명의 명칭 : 탄소나노튜브 구조체 및 탄소나노튜브의 수직정렬방법)에 개시되어 있고, 이 탄소나노튜브 구조체(10)는 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(11)의 상면에 자기조립 단분자층(12) 및 대략 원형형상의 콜로이드입자(13)가 다수 배치되었고, 이 콜로이드입자(13)들 사이의 공극을 통해 탄소나노튜브(14)의 일단부가 끼워져 기판(11)에 수직으로 정렬되어 이루어졌다. 이때, 탄소나노튜브(14)의 측면이 콜로이드입자(13)에 의해 지지되었다. 따라서, 일반 형상의 탄소나노튜브(14)가 수직으로 배치될 수 있었다.
하지만, 탄소나노튜브(14)를 수직으로 배치하기 위해 기판(11)의 상면에 탄소나노튜브(14)와 친화력이 있는 작용기를 포함하는 자기조립 단분자층(12)이 부착되고, 이 자기조립 단분자층(12)에 탄소나노튜브(14)를 지지할 수 있는 콜로이드입자(13)들이 부착되어야만 하는 복잡한 구조가 요구되었다. 또한, 자기조립 단분자층(12)이 탄소나노튜브(14)와 친화력이 있는 작용기를 포함하여 제조되어야만 하는 불편함이 있고, 탄소나노튜브(14)를 지지하기 위해 콜로이드입자(13)들을 촘촘히 배치하여야만 하는 등의 문제점이 있었다.
KR2007-0040129 10
본 발명은 상기 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로, 고분자 매트릭스에 탄소나노튜브가 포함되어 이루어진 탄소나노튜브 복합체의 일면에 수직형태의 마이크로필러가 형성되고, 이 마이크로필러에 탄소나노튜브가 수용되도록 함으로써, 마이크로필러의 압축되거나 휘어지는 탄성을 이용하여 탄소나노튜브의 저항변화를 극대화하도록 된 수직형태의 마이크로필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체 및 이의 제조방법, 이 탄소나노튜브 복합체를 포함한 센서를 제공함에 그 목적이 있다.
상기된 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 수직형태의 마이크로필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체는, 베이스 및, 베이스로부터 수직형태로 연장 돌출된 다수의 마이크로필러를 포함한 형상의 고분자 매트릭스; 및 고분자 매트릭스에 배합된 탄소나노튜브;가 포함되어 이루어진다.
여기서, 탄소나노튜브는 각각의 마이크로필러에 수용되어 마이크로필러의 압축 및 휘어짐에 따라 압축력 및 전단력(shear force)에 대해 저항이 가변된다.
이때, 베이스는 0.8∼1.2cm의 길이를 갖는 정사각형이다.
또한, 마이크로필러의 높이(H)는 1∼10㎛이고, 마이크로필러의 직경(D)은 200∼500㎚이며, 마이크로필러들 상호 간의 간격(L)은 마이크로필러의 직경(D) 대비 1.3∼1.7배이다.
한편, 본 발명에 따른 마이크로필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체를 제조하기 위한 방법은, 고분자 매트릭스에 탄소나노튜브가 배합된 탄소나노튜브 복합체를 제조하는 제1단계(S10); 탄소나노튜브 복합체를 제1,2전극판 사이에 일측 전극판과 이격되도록 배치하는 제2단계(S20); 탄소나노튜브 복합체가 개재된 상태에서 제1,2전극판을 고분자의 전이온도 이상으로 가열하면서 상호 다른 전극이 인가되도록 하는 제3단계(S30); 및, 탄소나노튜브 복합체의 일면에 수직의 마이크로필러를 형성하는 제4단계(S40);가 포함되어 이루어진다.
이때, 제2단계(S20)에서 제2전극판에 놓인 탄소나노튜브 복합체 및 제1전극판 사이에 형성된 에어갭에 의해 마이크로필러의 높이(H)가 결정된다.
또한, 제4단계(S40)에서 제2전극판에 놓인 탄소나노튜브 복합체의 일부가 연장 돌출되어 평면인 제1전극판에 접촉되도록 하여 마이크로필러를 형성한다.
또는, 4단계(S40)에서 제2전극판에 놓인 탄소나노튜브 복합체의 일부가 연장 돌출되어 제1전극판으로부터 돌출된 다수의 돌출부에 접촉되도록 하여 마이크로필러를 형성한다.
한편, 본 발명은 마이크로필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체를 포함한 센서는 수직형태의 마이크로 필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체; 마이크로필러들 위에 접속하도록 배치된 필름; 필름에 연결된 제1연결부; 탄소나노튜브 복합체의 베이스와 연결된 제2연결부; 및 제1연결부 및 제2연결부가 접속되어 저항 또는 전력을 비교 측정하는 측정장치;가 포함되어 이루어진다.
이때, 필름은 투명전도성박막(ITO;Indume Tin Oxide)이다.
또한, 측정장치는 탄소나노튜브 복합체가 감지한 압축력 및 전단력에 대한 압저항 특성을 측정한다.
상술된 바와 같이 본 발명에 따르면, 고분자 매트릭스에 탄소나노튜브가 포함되어 이루어진 탄소나노튜브 복합체의 일면에 수직형태인 다수의 마이크로필러가 형성되고, 이 마이크로필러에 탄소나노튜브가 수용됨으로써, 마이크로필러의 압축되거나 휘어지기 쉬운 탄성을 이용하여 탄소나노튜브의 변형이 용이하도록 유도하고, 탄소나노튜브의 저항변화를 극대화시키는 효과가 있다.
또한, 탄소나노튜브 복합체에 대해 한 쌍의 전극판 및 상호 다른 전극으로 일면을 변형시켜 돌출된 수직형태의 마이크로필러를 형성시킴으로써, 탄소나노튜브 복합체으로부터 일체형의 마이크로필러를 간단히 형성할 수 있는 효과가 있다.
또한, 마이크로필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체는 곡면에 쉽게 부착되고, 이를 이용해 제조된 센서 역시 곡면부착이 용이하다는 효과가 있다. 이로 인해 본 발명에 따른 센서는 종래의 압축에 대한 압저항 특성을 감지함은 물론, 미끄러짐 즉, 전단력에 대한 압저항 특성까지도 감지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 센서는 탄소나노튜브 복합체에 필름이 놓인 상태에서 탄소나노튜브 복합체의 베이스와 필름의 저항변화를 감지하도록 설치됨으로써, 탄소나노튜브 복합체의 베이스를 일측 필름으로 활용할 수 있어 종래의 탄소나노튜브 구조체의 상면과 하면 양측에 각각 필름이 설치되는 구조보다 더 간단하고, 제조 공정이 단순해지는 효과가 있다.
본 명세서에서 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 안된다.
도 1은 종래의 탄소나노튜브가 수직으로 정렬된 탄소나노튜브 구조체가 개략적으로 도시된 사시도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체가 개략적으로 도시된 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 마이크로필러가 확대 도시된 사시도이다.
도 4는 도 2에 도시된 탄소나노튜브 복합체를 제조하기 위한 공정도이다.
도 5 및 도 6은 도 2에 도시된 탄소나노튜브 복합체를 제조하기 위한 장치의 실시예가 개략적으로 도시된 측면도이다.
도 7은 도 2에 도시된 탄소나노튜브 복합체를 포함한 센서가 개략적으로 도시된 측면도이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 쉽게 실시할 수 있도록 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 동작 원리를 상세하게 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다.
<구성>
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마이크로필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체가 개략적으로 도시된 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 마이크로필러가 확대 도시된 사시도이다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 마이크로필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체(100)는 고분자 매트릭스(110), 고분자 매트릭스(110)에 배합된 탄소나노튜브(120) 및, 고분자 매트릭스(110)에서 돌출 형성된 다수의 마이크로필러(130)가 포함되어 이루어진다.
고분자 매트릭스(110)는 전도성 충전재인 탄소나노튜브(120)가 배합될 수 있는 고분자이면 그 분자량, 밀도, 분자구조 및 관능기의 유무와 관계없이 어느 것이든 적용 가능하다. 여기서, 고분자 매트릭스(110)는 사각의 베이스(111) 및 수직의 다수의 마이크로필러(130)가 형성된 형태를 갖는다. 여기서, 고분자 매트릭스(110)의 일부가 변형되어 마이크로필러(130)를 형성하게 되므로 본 발명의 고분자 매트릭스(110)의 두께는 마이크로필러(130)가 형성되기 이전의 고분자 매트릭스의 두께보다 더 얇다. 이로 인해 고분자 매트릭스(110)가 곡면에 부착된 경우 마이크로필러(130)가 방사상형태로 벌어질 수 있기 때문에 곡면 부착에 용이하다. 또한, 고분자 매트릭스(110)는 후술된 전극을 이용한 방법으로 마이크로필러(130)를 형성시키기 위해 연신 특성 및 충격흡수 효과가 뛰어난 고분자들 중 어느 하나가 선택되어 이용되거나 또는 둘 이상 혼합되어 이용된다. 예를 들어, 고분자 매트릭스(110)는 실리콘고무, 폴리우레탄, 폴리카보네이트, 폴리아세테이트, 폴리메타크릴산 메틸, 폴리비닐알코올, ABS(Acrylonitrile-Butadiene-Styrene terpolymer), 에폭시, 폴리이미드 및 폴리디메틸실록산을 포함한 고분자들 중 어느 하나 또는 둘 이상 혼합된 고분자이다. 탄소나노튜브 복합체(100)를 설명하면서 고분자 매트릭스(110) 및 탄소나노튜브(120)를 구분하고 있지만, 실제는 고분자 매트릭스(110)에 탄소나노튜브(120)가 수용된 상태이므로, 베이스(111) 및 마이크로필러(130)에는 탄소나노튜브(120)가 수용된 것으로 보아야 한다.
여기서, 베이스(111)는 고분자 매트릭스(110)에서 마이크로필러(130)를 제외한 부분을 지칭하고, 이 베이스(111)의 상면에 다수의 마이크로필러(130)가 수직형태로 규칙 또는 불규칙한 간격(L)으로 형성된다. 베이스(111)는 후술된 센서(,도 5 참조)에서 저항을 측정하기 위한 한 쌍의 필름(,도 5 참조) 중 하나의 필름으로 이용된다. 이때 베이스(111)는 대략 0.8∼1.2cm의 가로 및 세로 길이를 갖는 정사각형이고, 다만 필요에 의해 그 크기 및 형상은 얼마든지 변경할 수 있다.
또한, 마이크로필러(130)는 고분자 매트릭스(110)의 일부위가 변형된 형태로, 베이스(111)의 상면으로부터 연장되어 수직형태로 형성된다. 이때, 마이크로필러(130)는 후술된 방법(도 5 및 도 6 참조)에 의해 수량을 선택적 또는 임의적으로 형성할 수 있고, 상호 간의 간격(L)을 규칙 또는 불규칙하게 형성될 수 있다. 여기서, 마이크로필러(130)는 0.8∼1.2cm의 길이를 갖는 정사각형의 베이스(111)에 대해 높이(H)가 대략 1㎛∼10㎛ 미만으로 형성되고, 각각의 직경(D)이 대략 200∼500㎚로 형성되며, 상호 간의 간격(L)이 직경(D)의 1.3∼1.7배 정도로 한다. 다만, 필요에 의해 그 수량, 높이(H) 및 직경(D)은 변경할 수 있고, 마이크로필러(130)의 제조방법에 따라 변경할 수도 있다. 즉, 일정 크기의 베이스(111)에 마이크로필러(130)를 얼만큼 촘촘하게 형성시키려고 하거나 마이크로필러(130)의 휘어짐을 얻으려 하는가에 따라 가변될 수 있다는 것이다. 또한, 이 마이크로필러(130)를 통해 종래의 압축력은 물론, 외력이 표면을 따라 이동하면서 발생하는 전단력까지도 감지할 수 있다. 또한, 마이크로필러(130)는 종래의 평평면을 가압하는 것보다 더 쉽게 압축되고 휘어질 수 있기 때문에 탄소나노튜브(120)의 변형을 더욱 수월하게 유도할 수 있고, 이로 인해 탄소나노튜브(120)의 형상 변형에 의한 저항변화를 극대화할 수 있다.
탄소나노튜브(120)는 직경(D)이 1∼100나노미터(㎚)이고, 길이가 수 나노미터에서 수십 마이크로미터(㎛)인 실린더 모양의 흑연(graphite)면이 둥글게 말려있는 속이 빈 튜브 구조이다. 이 탄소나노튜브(120)는 단일벽 탄소나노튜브(SWCNT : Single-Walled Carbon NanoTube), 이중벽 탄소나노튜브(DWCNT : Double-Walled Carbon NanoTube) 및 다중벽 탄소나노튜브(MWCNT : Multi-Walled Carbon NanoTube)로 구분할 수 있다. 또한, 탄소나노튜브(120)는 흑연면이 말려있는 각도와 구조에 따라 도체에서부터 반도체에 이르기까지 다양한 전기적 특성을 나타낼 뿐만 아니라, 나노크기의 직경(D)과 높은 종횡비(aspect ratio)에 의해, 표면적이 매우 커서 우수한 첨단 소재로서의 장점을 가진다. 이러한 탄소나노튜브(120)는 선형의 형태일 때는 통전이 원활히 이루어지고, 외력(도 2의 화살표)에 의해 마이크로필러(130)와 함께 구부러질 때는 자체 저항이 증가하면서 통전이 원활치 못하게 된다. 이 탄소나노튜브(120)는 고분자 매트릭스(110)의 베이스(111) 및 마이크로필러(130)에 적어도 하나 이상 수용된다. 마이크로필러(130)에 수용된 탄소나노튜브(120)가 압축력은 물론 전단력까지 감지하게 되고, 베이스(111)에 수용된 탄소나노튜브(120)가 필름(310)과 함께 센서(300)의 저항변화를 감지할 수 있도록 한다.
<제조방법>
도 4는 도 2에 도시된 탄소나노튜브 복합체를 제조하기 위한 공정도이고, 도 5 및 도 6은 도 2에 도시된 탄소나노튜브 복합체를 제조하기 위한 장치의 실시예가 개략적으로 도시된 측면도이다.
본 발명에 따른 탄소나노튜브 복합체(100)를 제조하기 위해서는 먼저, 탄소나노튜브 복합체(100)를 제조(S10)한다. 이때, 탄소나노튜브 복합체(100)는 고분자 매트릭스(110)에 탄소나노튜브(120)가 일정 농도로 배합된 것으로, 전기전도도 및 기계적 물성을 향상시키기 위해 금속나노입자(미도시)를 더 배합할 수도 있다. 이때, 금속나노입자는 팔리듐(Pd), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 금(Au) 및 은(Ag) 등의 금속 중 하나 또는 둘 이상 복합된 금속으로 이루어진 나노입자이다. 또한, 탄소나노튜브(120)의 농도는 최적의 센서감도를 얻기 위한 최적의 농도로 배합됨이 바람직하고, 금속나노입자의 농도는 우수한 전기전도도 및 기계적 물성을 얻기 위해 탄소나노튜브(120) 대비 최적의 농도로 배합됨이 바람직하다.
다음으로, 탄소나노튜브 복합체(100)를 제1,2전극판(200,210) 사이에 배치(S20)한다. 여기서, 일정 두께(h)를 갖는 탄소나노튜브 복합체(100)는 일정 간격(d)을 갖는 제1,2전극판(200,210) 사이에 개재되도록 한다. 좀 더 자세하게는 탄소나노튜브 복합체(100)를 제2전극판(210)의 상면에 놓고, 제1전극판(200)과는 이격되도록 하여 에어갭(;air gap)을 형성한다. 따라서, 탄소나노튜브 복합체(100)의 두께(h)는 제1,2전극판(200,210)의 간격(d)보다 당연히 작아야함은 물론이다. 이 에어갭(220)은 마이크로필러(130)의 높이(H) 형성에 지대한 영향을 끼치게 된다.
다음으로, 탄소나노튜브 복합체(100)가 개재된 상태에서 제1,2전극판(200,210)을 고분자의 전이온도 이상으로 가열하면서 상호 다른 전극이 인가(S30)되도록 한다. 즉, 전제1전극판(200)에 (+)극을 인가하면, 제2전극판(210)에는 (-)극을 인가한다. 또한, 제1,2전극판(200,210)을 고분자 전이온도 이상으로 가열하여 고분자 매트릭스(110)를 형상 가변이 가능한 상태로 유도한다. 따라서, 고온으로 가열된 탄소나노튜브 복합체(100)의 일부가 제1,2전극판(200,210)에 인가된 반대 전극들의 특성에 의해 수직으로 연장되어 돌출된다.
다음으로, 탄소나노튜브 복합체(100)의 일면에 마이크로필러(130)를 형성(S40)한다. 이때, 탄소나노튜브 복합체(100)에서 에어갭(220)측 일측부위가 제1,2전극판(200,210) 사이를 흐르는 전극에 의해 돌출 연장되면서 다수의 마이크로필러(130)가 형성된다. 여기서, 마이크로필러(130)를 형성하기 위한 방법으로 도 5 및 도 6에서와 같은 실시예가 있다. 도 5의 경우, 제1전극판(200)은 제2전극판(210)측 일면이 평면을 갖도록 하여 마이크로필러(130)의 수량, 직경(D) 및 간격(L)을 불규칙하게 발생시킬 수 있다. 또한, 도 6의 경우 제1전극판(200)은 제2전극판(210)측 일면에 일정 간격으로 하향 돌출된 다수의 돌출부(201)를 형성시키고, 이 돌출부(201)의 제작형태에 따라 마이크로필러(130)의 수량, 직경(D), 높이(H) 및 간격(L)을 규칙적으로 발생시킬 수 있다. 이때, 제1,2전극판(200,210)에 제공되는 전압(vlotage;V)은 탄소나노튜브 복합체(100)의 두께(d)에 따라 가변되지만 에어갭(220)이 100㎚∼1,000㎚인 경우 대략 20∼50(V)가 제공된다. 여기서, 에어갭(220)은 도 5의 경우 탄소나노튜브 복합체(100)의 일면에서 제1전극판(200)의 평면까지이고, 도 6의 경우 탄소나노튜브 복합체(100)의 일면에서 돌출부(201)의 저면까지이다. 따라서, 에어갭(220)은 마이크로필러(130)의 높이(H)를 형성하는데 밀접한 영향이 있다.
<센서>
도 7은 도 2에 도시된 탄소나노튜브 복합체를 포함한 센서가 개략적으로 도시된 측면도이다.
본 발명에 따른 센서(300)는 다수의 마이크로필러(130)가 형성된 탄소나노튜브 복합체(100), 필름(310) 및 측정장치(320)가 포함되어 이루어지고, 이 센서(300)는 압력센서 또는 센서 등을 포함하여 압축력은 물론 전단력을 감지하여 압저항 특성을 이용하기 위한 다양한 센서로 이용될 수 있다.
여기서, 필름(310)은 탄소나노튜브 복합체(100)에서 마이크로필러(130) 위에 접속하도록 배치되고, 투명전도성박막(ITO)을 사용한다.
또한, 측정장치(320)는 필름(310)에 연결된 제1연결부(321)와, 베이스(111)와 연결된 제2연결부(322)와 접속되어 필요에 따라 저항 또는 전력을 측정한다. 즉, 제1연결부(321)에서 전달된 저항 또는 전력의 양과 제2연결부(322)에서 전달된 저항 또는 전력의 양을 비교하여 측정하게 된다. 여기서, 탄소나노튜브(120)가 압축력은 물론 전단력에 대해서도 저항을 가변시키므로, 측정장치(320) 역시 종래의 압축력에 대한 저항 또는 전력량을 측정할 수 있음은 물론 전단력에 대한 저항 또는 전력량 역시 측정할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 상술한 실시예들은 모든 면에 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에서 명확히 개시되며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100...탄소나노튜브 복합체, 110...고분자 매트릭스,
111...베이스, 120...탄소나노튜브,
130...마이크로필러, 200...제1전극판,
201...돌출부, 210...제2전극판,
220...에어갭, 300...센서,
310...필름, 320...측정장치,
321...제1연결부, 322...제2연결부.

Claims (13)

  1. 탄소나노튜브 복합체를 제조하기 위한 방법에 있어서,
    고분자 매트릭스(110)에 탄소나노튜브(120)가 배합된 탄소나노튜브 복합체(100)를 제조하는 제1단계(S10);
    상기 탄소나노튜브 복합체(100)를 제1,2전극판(200,210) 사이에 일측 전극판과 이격되도록 배치하는 제2단계(S20);
    상기 탄소나노튜브 복합체(100)가 개재된 상태에서 상기 제1,2전극판(200,210)을 융해와 관련 고분자의 전이온도 이상으로 가열하면서 상호 다른 전극이 인가되도록 하는 제3단계(S30); 및
    상기 탄소나노튜브 복합체(100)의 일면에 수직의 마이크로필러(130)를 형성하는 제4단계(S40);가 포함되어 이루어진 것을 특징으로 하는 수직형태의 마이크로필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2단계(S20)에서 상기 제2전극판(210)에 놓인 상기 탄소나노튜브 복합체(100) 및 상기 제1전극판(200) 사이에 형성된 에어갭(220)에 의해 상기 마이크로필러(130)의 높이(H)가 결정되는 것을 특징으로 하는 수직형태의 마이크로필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제4단계(S40)에서 상기 제2전극판(210)에 놓인 상기 탄소나노튜브 복합체(100)의 일부가 연장 돌출되어 상기 제1전극판(200)의 평면 접촉되도록 하여 상기 마이크로필러(130)를 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형태의 마이크로필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 4단계(S40)에서 상기 제2전극판(210)에 놓인 상기 탄소나노튜브 복합체(100)의 일부가 연장 돌출되어 상기 제1전극판(200)으로부터 돌출된 다수의 돌출부(201)에 접촉되도록 하여 상기 마이크로필러(130)를 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형태의 마이크로 필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체의 제조방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따라 제조된 탄소나노튜브 복합체에 있어서,
    베이스(111) 및, 상기 베이스(111)로부터 수직형태로 연장 돌출된 다수의 마이크로필러(130)를 포함한 고분자 매트릭스(110); 및
    상기 고분자 매트릭스(110)에 배합된 탄소나노튜브(120);가 포함되어 이루어진 것을 특징으로 하는 수직형태의 마이크로필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 탄소나노튜브(120)는 각각의 상기 마이크로필러(130)에 수용되어 상기 마이크로필러(130)의 압축 또는 휘어짐에 따라 저항이 가변되는 것을 특징으로 하는 수직형태의 마이크로필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 베이스(111)는 0.8∼1.2cm의 길이를 갖는 정사각형인 것을 특징으로 하는 수직형태의 마이크로필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 마이크로필러(130)의 높이(H)는 1∼10㎛인 것을 특징으로 하는 수직형태의 마이크로필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 마이크로필러(130)의 직경(D)은 200∼500㎚인 것을 특징으로 하는 수직형태의 마이크로필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체.
  10. 제5항에 있어서,
    상기 마이크로필러(130)들 상호 간의 간격(L)은 상기 마이크로필러(130)의 직경(D) 대비 1.3∼1.7배인 것을 특징으로 하는 수직형태의 마이크로필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체.
  11. 제5항에 따른 수직형태의 마이크로 필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체(100);
    상기 마이크로필러(130)들 위에 접속하도록 배치된 필름(310);
    상기 필름(310)에 연결된 제1연결부(321);
    상기 탄소나노튜브 복합체(100)의 베이스(111)에 연결된 제2연결부(322); 및
    상기 제1연결부(321) 및 제2연결부(322)가 접속되어 저항 또는 전력을 비교 측정하는 측정장치(320);가 포함되어 이루어진 것을 특징으로 하는 수직형태의 마이크로 필러가 포함된 센서.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 필름(310)은 투명전도성박막(ITO)인 것을 특징으로 하는 수직형태의 마이크로 필러가 포함된 센서.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 측정장치(320)는 상기 탄소나노튜브 복합체(100)가 감지한 압축력 또는 전단력에 대한 압저항 특성을 측정하는 것을 특징으로 하는 수직형태의 마이크로 필러가 포함된 센서.
KR1020120049477A 2012-05-10 2012-05-10 수직형태의 마이크로필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체 및 이의 제조방법, 이 탄소나노튜브 복합체를 포함한 센서 KR101412625B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120049477A KR101412625B1 (ko) 2012-05-10 2012-05-10 수직형태의 마이크로필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체 및 이의 제조방법, 이 탄소나노튜브 복합체를 포함한 센서
PCT/KR2013/003942 WO2013168956A1 (en) 2012-05-10 2013-05-07 Crabon nabotube composite including micro pillars having vertical shapes, method for manufacturing the crabon nabotube composite, and tactile sensor including the crabon nabotube composite

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120049477A KR101412625B1 (ko) 2012-05-10 2012-05-10 수직형태의 마이크로필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체 및 이의 제조방법, 이 탄소나노튜브 복합체를 포함한 센서

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130125889A KR20130125889A (ko) 2013-11-20
KR101412625B1 true KR101412625B1 (ko) 2014-07-01

Family

ID=49550933

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120049477A KR101412625B1 (ko) 2012-05-10 2012-05-10 수직형태의 마이크로필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체 및 이의 제조방법, 이 탄소나노튜브 복합체를 포함한 센서

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101412625B1 (ko)
WO (1) WO2013168956A1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101486217B1 (ko) * 2013-12-10 2015-02-06 한국기계연구원 커브 형 전도성 나노 또는 마이크로 필러를 이용한 촉각 센서
KR101577801B1 (ko) * 2014-06-19 2015-12-29 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 피에조 섬유를 이용한 3차원 스트레인 측정장치 및 이를 설치한 구조물
US11134868B2 (en) 2017-03-17 2021-10-05 Medtronic Minimed, Inc. Metal pillar device structures and methods for making and using them in electrochemical and/or electrocatalytic applications
US11523757B2 (en) 2019-08-01 2022-12-13 Medtronic Minimed, Inc. Micro-pillar working electrodes design to reduce backflow of hydrogen peroxide in glucose sensor
US20230112100A1 (en) * 2020-03-09 2023-04-13 Chung-Ang University Industry-Academic Cooperation Foundation Tension-type smart shoe unit capable of foot-pressure measurement, carbon nanotube alignment method, sensor of aligned carbon nanotubes and manufacturing method therefor, sensor using radially aligned cnt, and sensor array unit

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060081494A (ko) * 2005-01-07 2006-07-13 삼성전기주식회사 전계방출 에미터 어레이 및 그 제조 방법
US20110163636A1 (en) * 2009-10-22 2011-07-07 Lawrence Livermore National Security, Llc Matrix-assisted energy conversion in nanostructured piezoelectric arrays
KR20110110388A (ko) * 2010-04-01 2011-10-07 한국표준과학연구원 압력감응소자의 제조방법, 그 제조방법으로 제조된 압력감응소자 및 그 압력감응소자에 의한 압력 측정방법

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101210937B1 (ko) * 2008-03-27 2012-12-11 한국세라믹기술원 압력 감응 소자 및 이를 이용한 촉각 센서
KR100961914B1 (ko) * 2008-05-09 2010-06-10 한국과학기술원 은나노입자로 장식된 탄소나노튜브 나노복합체의 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060081494A (ko) * 2005-01-07 2006-07-13 삼성전기주식회사 전계방출 에미터 어레이 및 그 제조 방법
US20110163636A1 (en) * 2009-10-22 2011-07-07 Lawrence Livermore National Security, Llc Matrix-assisted energy conversion in nanostructured piezoelectric arrays
KR20110110388A (ko) * 2010-04-01 2011-10-07 한국표준과학연구원 압력감응소자의 제조방법, 그 제조방법으로 제조된 압력감응소자 및 그 압력감응소자에 의한 압력 측정방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130125889A (ko) 2013-11-20
WO2013168956A1 (en) 2013-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101412625B1 (ko) 수직형태의 마이크로필러가 형성된 탄소나노튜브 복합체 및 이의 제조방법, 이 탄소나노튜브 복합체를 포함한 센서
Liu et al. Capillary-force-induced cold welding in silver-nanowire-based flexible transparent electrodes
De et al. Transparent, flexible, and highly conductive thin films based on polymer− nanotube composites
Gong et al. One‐dimensional nanomaterials for soft electronics
Li et al. Flexible circuits and soft actuators by printing assembly of graphene
Zhou et al. Flexible piezotronic strain sensor
Yan et al. Stretchable graphene thermistor with tunable thermal index
Hu et al. High performance flexible sensor based on inorganic nanomaterials
Graf et al. Spatially resolved Raman spectroscopy of single-and few-layer graphene
KR101412623B1 (ko) 압저항 센싱감도가 향상된 탄소나노튜브 복합체 및 그 제조방법, 이 탄소나노튜브 복합체를 갖는 압력감응센서
Niwa et al. Electrochemical performance of angstrom level flat sputtered carbon film consisting of sp2 and sp3 mixed bonds
Li et al. Transparent, flexible heater based on hybrid 2D platform of graphene and dry-spun carbon nanotubes
Han et al. Patterning of single-walled carbon nanotube films on flexible, transparent plastic substrates
Kim et al. Biaxial stretchability and transparency of Ag nanowire 2D mass-spring networks prepared by floating compression
US9618403B2 (en) Strain sensors and methods of manufacture and use
Lin et al. Superior stretchable conductors by electroless plating of copper on knitted fabrics
Yang et al. Graphene oxide glue-electrode for fabrication of vertical, elastic, conductive columns
KR101527863B1 (ko) 탄소나노튜브(cnt) 네트워크 필름을 구비하는 양극성 변형 센서
US11203675B2 (en) Machines and processes for producing polymer films and films produced thereby
Jambhulkar et al. Scalable alignment and selective deposition of nanoparticles for multifunctional sensor applications
US11552240B2 (en) Machines and processes for producing polymer films and films produced thereby
US11957058B2 (en) Piezoelectric transducers based on vertically aligned PZT and graphene nanoplatelets
JP4944167B2 (ja) タッチパネルの製造方法
Vichchulada et al. Macroscopic electrical properties of ordered single-walled carbon nanotube networks
Zhu et al. Reductive-oxidation electrogenerated chemiluminescence (ECL) generation at a transparent silver nanowire electrode

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170517

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180528

Year of fee payment: 5