KR101411059B1 - Under-voltage detection apparatus and method for using switching's threshold voltage - Google Patents

Under-voltage detection apparatus and method for using switching's threshold voltage Download PDF

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Abstract

Provided is an apparatus for detecting low voltage conditions of a supply voltage. The apparatus for detecting the low voltage conditions of a supply voltage includes a comparator which detects the low voltage conditions by comparing an input voltage with a reference voltage, and a switching device which determines the input voltage by performing an on/off switching process according to whether the supply voltage is in a low voltage condition or not.

Description

스위칭 소자의 문턱전압을 이용하는 저전압 검출 장치 및 방법{UNDER-VOLTAGE DETECTION APPARATUS AND METHOD FOR USING SWITCHING'S THRESHOLD VOLTAGE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a low voltage detection apparatus and method using a threshold voltage of a switching element,

저전압을 검출하는 장치 및 방법에 연관되며, 보다 특정하게는 스위칭 소자의 문턱전압과 단일 전압을 이용하는 저전압 검출 장치 및 방법에 연관된다.0001] The present invention relates to an apparatus and method for detecting a low voltage, and more particularly to a low voltage detection apparatus and method using a threshold voltage and a single voltage of a switching element.

전자 시스템에서 전원 전압이 임의의 기준 이하의 전압으로 감소하게 되는 경우 회로의 동작이 불안정해지며 오동작을 일으킬 수 있다. 이를 방지하기 위해, 일반적인 전자 시스템에서는 전압의 저하를 검출하기 위한 저전압 검출기가 내장되어 있다. 상기 시스템에서 저전압이 발생하게 되면 정상적으로 동작할 수 없게 되고 작업 중인 데이터 손실 등 여러 가지의 문제점이 존재한다.In the electronic system, when the power supply voltage is reduced to a voltage lower than an arbitrary reference voltage, the operation of the circuit becomes unstable and malfunction may occur. To prevent this, a general electronic system incorporates a low-voltage detector for detecting voltage drop. If a low voltage is generated in the system, it is impossible to operate normally, and there are various problems such as data loss during operation.

따라서, 시스템 내의 전압이 일정레벨 이하로 내려가는 경우, 이를 저전압 검출기를 통해 검출함으로써 시스템 및 디바이스의 동작을 정지시키거나 또는 소정의 로직 신호를 발생시켜 낮은 전원전압으로 인한 시스템 오류가 발생하기 전에 미리 데이터 백업 등과 같은 안전조치를 사전에 취할 수 있게 된다.Accordingly, when the voltage in the system falls below a certain level, it is detected through the under-voltage detector to stop the operation of the system and the device, or to generate a predetermined logic signal so that the data It becomes possible to take safety measures such as backup in advance.

특히, 위성의 전장품은 전원에서 안정적인 전압이 공급되어야 동작의 안정성 및 데이터의 신뢰성이 보장되므로, 상기 저전압이 발생하는 경우에는 보호 회로 또는 검출 회로를 추가해서 데이터의 신뢰성을 확인해야 한다. 그러나 복수의 전압을 이용하여 상기 저전압 검출기를 구현하기 때문에 의도하지 않은 문제가 발생한다.In particular, since the stability of the operation and the reliability of the data are ensured by supplying a stable voltage from the power source to the satellite electric device, the reliability of the data must be confirmed by adding a protection circuit or a detection circuit when the low voltage occurs. However, unintentional problems arise because the low voltage detector is implemented using a plurality of voltages.

그러므로, 저전압 상태를 정확하게 검출하고, 기준전압도 명확하게 설정할 수 있으며, 단일 전압을 이용하는 저전압 검출 장치 및 방법이 요구된다.Therefore, there is a need for a low voltage detection apparatus and method that can accurately detect a low voltage state, set a reference voltage clearly, and use a single voltage.

일측에 따르면, 공급 전압에 대해 저전압 상태를 검출하는 장치가 제공된다.According to one aspect, an apparatus is provided for detecting a low voltage state with respect to a supply voltage.

일실시예에 따르면, 상기 저전압 검출 장치는 입력 전압을 레퍼런스 전압과 비교하여 상기 저전압 상태를 검출하는 비교기 및 상기 공급 전압이 상기 저전압 상태에 있는지의 여부에 따라 온/오프 스위칭을 수행하여 상기 입력 전압을 결정하는 스위칭 소자를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the low-voltage detection device includes a comparator for comparing the input voltage with a reference voltage to detect the low-voltage state, and performing on / off switching according to whether the supply voltage is in the low- And a switching device for determining the switching device.

일실시예에 따르면, 상기 스위칭 소자는 상기 저전압 상태가 아닌 경우에는 상기 입력 전압이 상기 공급 전압과 동일하도록 하고, 상기 저전압 상태인 경우에는 상기 입력 전압이 그라운드가 되도록 상기 스위칭을 수행할 수 있다.According to an embodiment, the switching device may perform the switching such that the input voltage is equal to the supply voltage when the switching device is not in the low voltage state, and the input voltage is ground when the switching device is in the low voltage state.

일실시예에 따르면, 상기 저전압 검출 장치의 상기 비교기는 상기 입력 전압이 상기 레퍼런스 전압보다 작은 경우에 상기 저전압 상태가 발생한 것으로 검출할 수 있다.According to one embodiment, the comparator of the low voltage detection apparatus can detect that the low voltage state has occurred when the input voltage is smaller than the reference voltage.

일실시예에 따르면, 상기 저전압 검출 장치는 상기 공급 전압을 전압 분배하여, 상기 공급 전압이 상기 저전압 상태에 있는지의 여부에 따라 상기 스위칭 소자가 상기 스위칭을 수행하도록 하는 제1 전압 분배기를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the low voltage detection apparatus further includes a first voltage divider for distributing the supply voltage to cause the switching element to perform the switching depending on whether the supply voltage is in the low voltage state .

일실시예에 따르면, 상기 저전압 검출 장치는 상기 공급 전압을 전압 분배하여 상기 레퍼런스 전압을 상기 비교기에 제공하는 제2 전압 분배기를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the low voltage detection apparatus may further include a second voltage divider for dividing the supply voltage and providing the reference voltage to the comparator.

일실시예에 따르면, 상기 스위칭 소자는 MOSFET(metal oxide silicon field effect transistor)에 의해 구현될 수 있다.According to one embodiment, the switching element may be implemented by a metal oxide silicon field effect transistor (MOSFET).

일실시예에 따르면, 상기 스위칭 소자는 PMOS(P-channel metal oxide semiconductor)에 의해 구현될 수 있으며, 상기 스위칭 소자는 상기 공급 전압이 상기 저전압 상태에 있지 않은 경우에 온 상태에 있어서 상기 입력 전압이 상기 공급 전압과 동일하도록 할 수 있다. 또한, 상기 스위칭 소자는 상기 공급 전압 상기 저전압 상태에 있는 경우에 오프 상태에 있어서 상기 입력 전압을 그라운드가 되도록 할 수 있다.According to an embodiment, the switching element may be implemented by a PMOS (P-channel metal oxide semiconductor), and the switching element is turned on when the supply voltage is not in the low voltage state, And can be made equal to the supply voltage. In addition, the switching element may make the input voltage ground when the supply voltage is in the low voltage state.

일실시예에 따르면, 상기 저전압 검출 장치의 상기 스위칭 소자는 NMOS(N-channel metal oxide semiconductor)에 의해 구현될 수 있으며, 상기 스위칭 소자는 상기 공급 전압이 상기 저전압 상태에 있지 않은 경우에 오프 상태에 있어서 상기 입력 전압이 상기 공급 전압과 동일하도록 할 수 있다. 또한, 상기 스위칭 소자는 상기 공급 전압 상기 저전압 상태에 있는 경우에 온 상태에 있어서 상기 입력 전압을 그라운드가 되도록 할 수 있다.According to an embodiment, the switching element of the low voltage detection device may be implemented by an NMOS (N-channel metal oxide semiconductor), and the switching element is turned off when the supply voltage is not in the low voltage state So that the input voltage is equal to the supply voltage. In addition, the switching device may make the input voltage ground when the supply voltage is in the low voltage state.

일실시예에 따르면, 상기 스위칭 소자는 N 타입 또는 P 타입 바이폴라 정션 트랜지스터(Bipolar junction transistor)에 의해 구현될 수 있으며, 상기 스위칭 소자는 상기 공급 전압이 상기 저전압 상태에 있지 않은 경우에 상기 입력 전압이 상기 공급 전압과 동일하도록 하고, 상기 공급 전압 상기 저전압 상태에 있는 경우에 상기 입력 전압을 그라운드가 되도록 할 수 있다.According to one embodiment, the switching element may be implemented by an N-type or P-type bipolar junction transistor, and the switching element may be arranged such that when the supply voltage is not in the low-voltage state, The supply voltage may be the same as the supply voltage, and the input voltage may be ground when the supply voltage is in the low voltage state.

다른 일측에 따르면, 저전압 상태를 검출하는 방법이 제공된다.According to another aspect, a method of detecting a low voltage condition is provided.

일실시예에 따르면, 상기 저전압 상태 검출 방법은 스위칭 소자가 공급 전압이 상기 저전압 상태에 있는지의 여부에 따라 온/오프 스위칭을 수행하는 단계, 상기 스위칭에 따른 입력 전압을 비교기에 제공하는 단계 및 상기 입력 전압과 레퍼런스 전압과 비교하여 상기 저전압 상태를 검출하는 단계를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the method for detecting a low-voltage state includes the steps of performing on / off switching according to whether or not the switching element is in the low-voltage state, supplying an input voltage according to the switching to the comparator, And comparing the input voltage and the reference voltage to detect the low voltage state.

도 1은 일실시예에 따른, 스위칭 소자를 이용하는 저전압 검출 장치의 블록도이다.
도 2는 일실시예에 따른, 저전압 검출 장치의 회로도이다.
도 3은 일실시예에 따른, PMOS를 이용하여 저전압 상태의 여부를 결정하는 저전압 검출 장치의 회로도이다.
도 4은 일실시예에 따른, NMOS를 이용하여 저전압 상태의 여부를 결정하는 저전압 검출 장치의 회로도이다.
도 5는 일실시예에 따른, 저전압 검출 방법의 흐름도이다.
1 is a block diagram of a low voltage detection device using a switching element, according to one embodiment.
2 is a circuit diagram of a low-voltage detection device, according to one embodiment.
3 is a circuit diagram of a low-voltage detection device for determining whether a low-voltage state is achieved using a PMOS, according to an embodiment.
4 is a circuit diagram of a low-voltage detection device for determining whether a low-voltage state is established using an NMOS, according to an embodiment.
5 is a flow diagram of a low voltage detection method, in accordance with one embodiment.

이하에서, 일부 실시예들을, 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 그러나, 이러한 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.In the following, some embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, it is not limited or limited by these embodiments. Like reference symbols in the drawings denote like elements.

아래 설명에서 사용되는 용어는 본 발명에서의 기능을 고려하면서 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어를 선택하였으나, 이는 당 분야에 종사하는 기술자의 의도 또는 관례, 새로운 기술의 출현 등에 따라 달라질 수 있다.Although the terms used in the following description have selected the general terms that are widely used in the present invention while considering the functions of the present invention, they may vary depending on the intention or custom of the artisan, the emergence of new technology, and the like.

또한 특정한 경우는 이해를 돕거나 및/또는 설명의 편의를 위해 출원인이 임의로 선정한 용어도 있으며, 이 경우 해당되는 설명 부분에서 상세한 그 의미를 기재할 것이다. 따라서 아래 설명에서 사용되는 용어는 단순한 용어의 명칭이 아닌 그 용어가 가지는 의미와 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 이해되어야 한다.Also, in certain cases, there may be terms chosen arbitrarily by the applicant for the sake of understanding and / or convenience of explanation, and in this case the meaning of the detailed description in the corresponding description section. Therefore, the term used in the following description should be understood based on the meaning of the term, not the name of a simple term, and the contents throughout the specification.

위에서 언급한 바와 같이, 위성의 전장품과 같은 전자 기기는 동작의 안정성과 데이터의 신뢰성 보장을 위해 전원에서 안정적인 전압이 공급이 요구된다. 저전압이 발생하는 경우에는 보호 회로 또는 이를 테면, 저전압 검출기와 같은 검출 회로를 추가함으로써 안정성 및 신뢰성을 확인하게 된다.As mentioned above, electronic devices, such as electronic components of satellites, are required to supply a stable voltage from a power source in order to ensure operation stability and data reliability. In the event of undervoltage, a safety circuit or a detection circuit, such as a low-voltage detector, is added to ensure stability and reliability.

그러나, 상기 저전압 검출기를 구현하기 위해 회로 내에 존재하는 복수 개의 전압의 사용으로 인한 문제점이 발생한다. 이를 테면, 저전압 검출기 내에 존재할 수 있는 비교기의 구동에 필요한 구동 전원과 저전압 검출을 하기 위한 공급 전원이 있을 수 있다. 또한, 상기 공급 전원의 비교 대상이 되는 레퍼런스 전압이 있을 수 있다.However, a problem arises due to the use of a plurality of voltages present in the circuit to implement the low-voltage detector. For example, there may be a driving power source for driving a comparator that may be present in the low voltage detector and a power source for low voltage detection. In addition, there may be a reference voltage to be compared with the supplied power.

일반적인 경우, 상기 레퍼런스 전압을 생성하기 위해 전압 분배기(voltage divider) 또는 레퍼런스 생성기(reference generator)를 사용할 수 있다. 그러나, 상기 레퍼런스 생성기를 사용하는 경우 칩에서 제공하는 레퍼런스 전압밖에 사용할 수 없기 때문에 사용이 제한적이며, 사용한다고 하더라도 상기 전압 분배기를 사용해야 하는 단점이 있다.In general, a voltage divider or a reference generator may be used to generate the reference voltage. However, when the reference generator is used, only the reference voltage provided by the chip can be used. Therefore, the use of the reference generator is limited and the voltage divider must be used even if the reference generator is used.

이를 테면, 상기 레퍼런스 생성기는 +15V 전원을 사용한다고 가정하면, 상기 전압 분배기를 이용하여 상기 레퍼런스 전압을 발생시키는 경우 상기 전압 분배기의 전원을 어떠한 전원을 선택하여 사용할 것인 가의 문제가 발생하게 된다.For example, when the reference generator uses the + 15V power supply, when generating the reference voltage using the voltage divider, there arises a problem of selecting which power source to use for the power source of the voltage divider.

만약, +15V의 구동 전원을 사용하는 경우, 상기 +15V의 구동 전원에 문제가 생기는 경우, 상기 문제가 상기 +15V의 구동 전원에서 발생한 것인지 아니면 +5V의 공급 전원에서 발생한 것인지의 판단이 어려울 수 있다.If the + 15V driving power source is used and the + 15V driving power source causes a problem, it may be difficult to determine whether the above problem is caused by the + 15V driving power source or the + 5V power source have.

반대로, 상기 +5V의 공급 전원을 상기 전압 분배기의 전원으로 사용하는 경우 상기 +5V의 공급 전원의 전압이 드롭되어 저전압 상태가 되면 상기 전압 분배기의 출력인 상기 레퍼런스 전압도 동시에 감소하는 문제가 발생할 수 있다.On the contrary, when the + 5V supply voltage is used as the power supply of the voltage divider, the voltage of the + 5V supply voltage is dropped and becomes the low voltage state, the reference voltage, which is the output of the voltage divider, have.

따라서, 상기 공급 전원을 이용하여 상기 레퍼런스 전압을 생성하더라도, 상기 저전압 상태를 정확하게 검출할 수 있으며, 상기 레퍼런스 전압도 명확하게 설정할 수 있는 저전압 검출기가 요구된다.Therefore, even if the reference voltage is generated using the power supply, a low-voltage detector capable of accurately detecting the low-voltage state and clearly setting the reference voltage is required.

도 1은 일실시예에 따른, 스위칭 소자를 이용하는 저전압 검출 장치의 블록도(100)이다.1 is a block diagram 100 of a low voltage detection device using a switching device, in accordance with one embodiment.

상기 저전압 검출 장치는 입력 전압을 레퍼런스 전압과 비교하여 상기 저전압 상태를 검출하는 비교기(140) 및 상기 공급 전압이 상기 저전압 상태에 있는지의 여부에 따라 온/오프 스위칭을 수행하여 상기 입력 전압을 결정하는 스위칭 소자(120)를 포함할 수 있다.The low voltage detection apparatus includes a comparator 140 for comparing the input voltage with a reference voltage to detect the low voltage state, and an on / off switching circuit for determining the input voltage according to whether the supply voltage is in the low voltage state And may include a switching element 120.

일실시예에 따르면, 상기 저전압 검출 장치는 상기 스위칭 소자 전단에서 상기 공급 전압을 전압 분배하는 제1 전압 분배기(110)를 더 포함할 수 있다. 상기 제1 전압 분배기는 상기 공급 전압이 상기 저전압 상태에 있는지의 여부에 따라 상기 스위칭 소자가 상기 스위칭을 수행하도록 할 수 있다.According to one embodiment, the low voltage detection device may further include a first voltage divider 110 for distributing the supply voltage across the switching element. The first voltage divider may cause the switching element to perform the switching depending on whether the supply voltage is in the low voltage state.

일실시예에 따르면, 상기 저전압 검출 장치는 상기 비교기의 상기 레퍼런스 전압을 제공하는 제2 전압 분배기(140)를 더 포함할 수 있다. 상기 제2 전압 분배기는 상기 공급 전압을 분배하여 상기 비교기의 상기 레퍼런스 전압으로 제공할 수 있다.According to one embodiment, the low voltage detection device may further include a second voltage divider 140 for providing the reference voltage of the comparator. The second voltage divider may divide the supply voltage to provide the reference voltage to the comparator.

일실시예에 따른 상기 저전압 검출 장치는 상기 공급 전압만을 사용하여 상기 레퍼런스 전압을 생성함으로써, 상기 레퍼런스 전압을 명확하게 설정할 수 있으며, 상기 스위칭 소자를 통해 저전압 상태를 정확하게 검출할 수 있다.The low-voltage detection apparatus according to an embodiment can clearly set the reference voltage by generating the reference voltage using only the supply voltage, and can accurately detect the low-voltage state through the switching element.

도 2는 일실시예에 따른, 저전압 검출 장치의 회로도이다.2 is a circuit diagram of a low-voltage detection device, according to one embodiment.

일실시예에 따르면, 상기 저전압 검출 장치는 비교기를 이용하여 구성될 수 있다. 상기 비교기의 동작을 위한 구동 전압(VANAP(+15V)이 있을 수 있다.According to one embodiment, the low voltage detection device can be configured using a comparator. There may be a driving voltage VANAP (+ 15V) for the operation of the comparator.

또한, 입력 전압(Vin)은 상기 저전압 검출 장치의 상기 비교기의 제1 입력 단(+)으로 입력될 수 있으며, 레퍼런스 전압(Vref)은 상기 저전압 검출 장치의 상기 비교기의 제2 입력 단(-)으로 입력될 수 있다.Further, the input voltage Vin may be input to the first input terminal (+) of the comparator of the low voltage detection apparatus, and the reference voltage Vref may be input to the second input terminal (-) of the comparator of the low voltage detection apparatus. As shown in FIG.

일실시예에 따르면, 상기 입력 전압은 상기 스위칭 소자에 의해 상기 공급 전압이 상기 저전압 상태에 있는지의 여부에 따라 온/오프 스위칭을 수행함으로써 제공되는 전압일 수 있다.According to one embodiment, the input voltage may be a voltage provided by the switching element performing on / off switching depending on whether the supply voltage is in the low voltage state.

일실시예에 따르면, 상기 입력 전압이 상기 비교기의 상기 제1 입력 단으로 수신되면, 상기 비교기는 상기 입력 전압과 상기 제2 입력 단으로 수신되는 상기 레퍼런스 전압을 비교할 수 있다. 만약, 상기 입력 전압이 상기 레퍼런스 전압 보다 크면 상기 비교기의 출력(Vout)을 통해 저전압이 아니라고 판단할 수 있다.According to one embodiment, when the input voltage is received at the first input of the comparator, the comparator may compare the input voltage to the reference voltage received at the second input. If the input voltage is greater than the reference voltage, it can be determined that the input voltage is not a low voltage through the output (Vout) of the comparator.

반대로, 상기 입력 전압이 영이여서(Vin = 0), 상기 레퍼런스 전압 보다 작다면 상기 비교기의 상기 출력을 통해 상기 저전압 검출기는 상기 공급 전압이 저전압이라고 판단할 수 있다. 여기서, 상기 입력 전압이 영이되는 이유는, 상기 스위칭 소자에 의해 상기 공급 전압이 상기 저전압 상태에 있다고 판단하였기 때문에, 그에 따라 상기 공급 전압이 그라운드되어 상기 비교기의 상기 입력 전압으로 제공되기 때문이다.Conversely, if the input voltage is zero (Vin = 0) and less than the reference voltage, the low voltage detector may determine that the supply voltage is low voltage through the output of the comparator. Here, the reason that the input voltage becomes zero is that the supply voltage is grounded and provided to the input voltage of the comparator because the switching element has determined that the supply voltage is in the low voltage state.

따라서, 상기 공급 전압이 저전압이라고 판단되는 경우에는 상기 스위칭 소자에 의해 상기 공급 전압은 그라운드됨으로써, 상기 비교기의 상기 제1 입력 단으로 영전압(Vin = 0)이 제공될 수 있다. 그렇기 때문에, 상기 저전압 검출 장치는 상기 공급 전압의 저전압 상태를 더욱 정확하게 검출할 수 있다.Thus, when the supply voltage is determined to be a low voltage, the supply voltage is grounded by the switching element, so that a zero voltage (Vin = 0) can be provided to the first input terminal of the comparator. Therefore, the low voltage detection device can more accurately detect the low voltage state of the supply voltage.

도 3은 일실시예에 따른, PMOS를 이용하여 저전압 상태의 여부를 결정하는 저전압 검출 장치의 회로도이다.3 is a circuit diagram of a low-voltage detection device for determining whether a low-voltage state is achieved using a PMOS, according to an embodiment.

일실시예에 따르면, 상기 저전압 검출 장치는 전원을 공급하는 구동 전압을 이용하여 상기 레퍼런스 전압을 생성하지 않고, 상기 공급 전압을 이용하여 상기 레퍼런스 전압을 생성하기 때문에 상기 레퍼런스 전압을 명확하게 설정할 수 있다.According to one embodiment, the reference voltage can be clearly set because the low voltage detection device generates the reference voltage using the supply voltage without generating the reference voltage using a driving voltage for supplying power .

일실시예에 따른 저전압 검출 장치는 입력 전압을 레퍼런스 전압과 비교하여 상기 저전압 상태를 검출할 수 있는 비교기와 상기 공급 전압이 상기 저전압 상태에 있는지의 여부에 따라 온/오프로 스위칭을 수행할 수 있는 상기 스위칭 소자를 포함할 수 있다.A low voltage detection apparatus according to an embodiment includes a comparator that can detect the low voltage state by comparing an input voltage with a reference voltage, and a comparator that can perform on / off switching according to whether the supply voltage is in the low voltage state And may include the switching element.

도 3의 상기 저전압 검출 장치에 포함되는 상기 스위칭 소자는 MOSFET에 의해 구현되었다. 특히, 도 3에 도시된 상기 저전압 검출 장치에서 상기 스위칭 소자는 PMOS에 의해 구현되는 회로도이다.The switching element included in the low voltage detection apparatus of FIG. 3 is implemented by a MOSFET. Particularly, in the low voltage detection apparatus shown in FIG. 3, the switching element is a circuit diagram implemented by a PMOS.

일실시예에 따르면, 상기 저전압 검출 장치는 상기 공급 전압(VLOG)을 분배하여 상기 스위칭 소자에게 제공할 수 있는 제1 전압 분배기(310)를 포함할 수 있다. 상기 제1 전압 분배기는 두 개의 저항(Ra, Rb)으로 구성될 수 있다.According to one embodiment, the low voltage detection device may include a first voltage divider 310 that can distribute the supply voltage VLOG to the switching device. The first voltage divider may be composed of two resistors (R a , R b ).

일실시예에 따르면, 상기 제1 전압 분배기는 상기 공급 전압이 상기 저전압 상태에 있는지의 여부에 따라 상기 스위칭 소자가 스위칭을 할 수 있도록, 상기 공급 전압을 상기 스위칭 소자인 상기 PMOS의 게이트에 제공할 수 있다.According to one embodiment, the first voltage divider supplies the supply voltage to the gate of the PMOS which is the switching element, so that the switching element can switch according to whether the supply voltage is in the low voltage state .

일실시예에 따른 상기 PMOS의 게이트 전압은 아래의 수학식 1로 나타낼 수 있다.The gate voltage of the PMOS according to one embodiment can be expressed by the following equation (1).

Figure 112012109485385-pat00001
Figure 112012109485385-pat00001

또한, 상기 PMOS의 소스를 제어하는 전압은 상기 공급 전압(VLOG)이 될 수 있다. 상기 PMOS는 상기 소스의 상기 공급 전압과 상기 게이트의 전압(VG)의 차이에 따라 동작이 제어될 수 있다.Also, the voltage for controlling the source of the PMOS may be the supply voltage VLOG. The PMOS can be controlled in operation in accordance with a difference between the supply voltage of the source and the voltage (VG) of the gate.

일실시예에 따르면, 상기 스위치 소자인 상기 PMOS는 상기 공급 전압이 상기 저전압 상태에 있지 않다고 판단하는 경우에 상기 게이트 전압과 상기 소스 전압의 차이로 인해 온 상태가 될 수 있다. 상기 스위칭의 동작은 아래의 수학식 2에 따라 수행될 수 있다.According to one embodiment, the PMOS, which is the switch element, may be in an on state due to a difference between the gate voltage and the source voltage when it is determined that the supply voltage is not in the low voltage state. The operation of the switching can be performed according to the following equation (2).

Figure 112012109485385-pat00002
Figure 112012109485385-pat00002

여기서, 상기 PMOS의 게이트 전압(Vth)은 이를 테면, 0.7이라고 가정할 수 있다. 또한, 상기 공급 전압(VLOG)은

Figure 112012109485385-pat00003
의 저항 값을 조정함으로써 이를 테면, 상기 PMOS의 문턱 전압과 유사하도록 0.7로 조정될 수 있다.Here, the gate voltage Vth of the PMOS may be 0.7, for example. Also, the supply voltage VLOG is
Figure 112012109485385-pat00003
For example, by adjusting the resistance value of the PMOS transistor to 0.7, which is similar to the threshold voltage of the PMOS transistor.

일실시예에 따르면, 상기 PMOS의 상기 소스와 상기 게이트 사이의 전압 차이로 인해 상기 저전압 상태를 판단할 수 있다. 수학식 2에 따르면, 상기 PMOS의 상기 소스 전압과 상기 게이트 전압의 차이가 상기 문턱 전압(대략 0.7V)보다 크거나 유사할 경우 상기 PMOS는 상기 공급 전압이 상기 저전압 상태에 있지 않다고 판단하여 온 될 수 있다.According to one embodiment, the low voltage state can be determined due to the voltage difference between the source and the gate of the PMOS. According to Equation (2), when the difference between the source voltage of the PMOS and the gate voltage is greater than or equal to the threshold voltage (approximately 0.7V), the PMOS determines that the supply voltage is not in the low voltage state .

일실시예에 따르면, 상기 PMOS가 온 상태가 되면, 상기 비교기의 상기 제1 입력 단으로 상기 입력 전압이 제공될 수 있다.According to one embodiment, when the PMOS is turned on, the input voltage may be provided to the first input terminal of the comparator.

반대로, 상기 PMOS는 수학식 3에 따라 상기 공급 전압이 상기 저전압 상태에 있는 경우에는 오프 상태로 될 수 있으며, 상기 입력 전압을 그라운드시킬 수 있다.On the contrary, the PMOS can be turned off when the supply voltage is in the low voltage state according to Equation (3), and the input voltage can be grounded.

Figure 112012109485385-pat00004
Figure 112012109485385-pat00004

여기서, 상기 문턱 전압(Vth)은 위에서 언급한 바와 같이 대략 0.7V가 될 수 있다. 또한, 상기 공급 전압은

Figure 112012109485385-pat00005
의 저항 값을 이를 테면, 상기 PMOS의 상기 문턱 전압과 유사하도록 0.7로 조정될 수 있다.Here, the threshold voltage Vth may be about 0.7 V as mentioned above. In addition,
Figure 112012109485385-pat00005
For example, 0.7, so as to resemble the threshold voltage of the PMOS.

일실시예에 따르면, 상기 PMOS의 상기 소스와 상기 게이트 사이의 전압 차이로 인해 상기 저전압 상태를 판단할 수 있다. 수학식 3에 따르면, 상기 PMOS의 상기 소스 전압과 상기 게이트 전압의 차이가 상기 문턱 전압(대략 0.7V)보다 작을 경우 상기 PMOS는 상기 공급 전압이 상기 저전압 상태에 있다고 판단하여 오프 상태로 될 수 있다.According to one embodiment, the low voltage state can be determined due to the voltage difference between the source and the gate of the PMOS. According to Equation (3), when the difference between the source voltage of the PMOS and the gate voltage is less than the threshold voltage (about 0.7V), the PMOS can be turned off by determining that the supply voltage is in the low voltage state .

일실시예에 따르면, 상기 PMOS가 오프 상태가 되면, 상기 비교기의 상기 제1 입력 단으로 제공되는 상기 입력 전압은 그라운드될 수 있다.According to one embodiment, when the PMOS is turned off, the input voltage provided to the first input terminal of the comparator may be grounded.

따라서, 상기 공급 전압이 감소되는 경우, 상기 스위칭 소자의 상기 소스 전압과 상기 게이트 전압의 차이도 함께 감소하게 된다. 이와 같이, 상기 공급 전압의 감소에 따른 특성을 이용하면, 상기 저전압 상태가 아닌 정상적인 상황에서 상기 소스 전압과 상기 게이트 전압의 차이(VGS)가 가장 큰 값이 될 수 있다.Therefore, when the supply voltage is reduced, the difference between the source voltage and the gate voltage of the switching element also decreases. In this way, when the characteristic according to the decrease of the supply voltage is used, the difference (VGS) between the source voltage and the gate voltage can be the largest value under the normal state, which is not the low voltage state.

일실시예에 따르면, 상기 공급 전압이 감소함으로써 상기 스위칭 소자의 상기 소스 전압과 상기 게이트 전압의 차이도 함께 감소하게 됨으로, 상기 제1 전압 분배기를 구성하는 저항(Ra, Rb)를 이용하여 상기 저전압 검출을 할 수 있는 기준 전압의 설정이 가능할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, since the supply voltage is reduced, the difference between the source voltage and the gate voltage of the switching element also decreases. Therefore, by using the resistors R a and R b constituting the first voltage divider It is possible to set a reference voltage capable of detecting the low voltage.

그러므로, 상기 정상적인 상황에서는 상기 PMOS가 온 상태가 되며, 상기 비교기의 상기 입력 전압은 상기 공급 전압(VLOG)가 될 수 있다. 또한, 상기 공급 전압이 감소되는 경우에는 감소된 상기 공급 전압이 출력될 수 있다.Therefore, under the normal condition, the PMOS is turned on, and the input voltage of the comparator may be the supply voltage VLOG. In addition, when the supply voltage is reduced, the reduced supply voltage can be output.

그러나, 상기 공급 전압이 상기 기준 전압 이상으로 감소되는 경우에는 상기 PMOS가 오프 상태로 되고, 상기 비교기의 상기 입력 전압은 그라운드되어 영이될 수 있다.However, if the supply voltage is reduced above the reference voltage, the PMOS is turned off and the input voltage of the comparator may be grounded to zero.

따라서, 상기 비교기의 상기 레퍼런스 전압을 상기 그라운드보다 높은 전압으로 설정하게 되면 안정적으로 저전압을 검출할 수 있게 된다.Therefore, if the reference voltage of the comparator is set to a voltage higher than the ground voltage, it is possible to stably detect the low voltage.

일실시예에 따른 도 3에 도시한 바와 같이, 상기 저전압 검출 장치는 상기 비교기의 상기 제2 입력 단에 연결되어 있는 상기 제2 전압 분배기를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 3 according to one embodiment, the low voltage detection device may include the second voltage divider connected to the second input end of the comparator.

앞에서 언급한 바와 같이, 상기 제2 전압 분배기는 상기 공급 전압을 분배할 수 있다. 상기 제2 전압 분배기는 도 3에서 도시된 것처럼 두 개의 저항(Rc, Rd)으로 구성될 수 있으며 상기 레퍼런스 전압을 상기 비교기에 제공할 수 있다.As mentioned above, the second voltage divider may distribute the supply voltage. The second voltage divider may be comprised of two resistors ( Rc , Rd ) as shown in FIG. 3 and may provide the reference voltage to the comparator.

도 4은 일실시예에 따른, NMOS를 이용하여 저전압 상태의 여부를 결정하는 저전압 검출 장치의 회로도이다.4 is a circuit diagram of a low-voltage detection device for determining whether a low-voltage state is established using an NMOS, according to an embodiment.

일실시예에 따른 상기 NMOS를 이용하는 상기 저전압 검출 장치는 앞에서 기술된 상기 PMOS와 유사하게 동작하지만, 전압의 방향만 반대로 구성되어 동작 할 수 있다.The low voltage detection device using the NMOS according to an embodiment operates similarly to the PMOS described above, but only the direction of the voltage can be configured to operate reversely.

일실시예에 따른 상기 스위칭 소자를 NMOS로 이용하는 상기 저전압 검출 장치는 상기 스위칭 소자의 전단에 배치되는 제1 전압 분배기(410)와 비교기(401)의 제2 입력 단으로 상기 레퍼런스 전압을 제공하는 제2 전압 분배기(420)를 포함할 수 있다.The low voltage detection device using the switching device as an NMOS according to one embodiment includes a first voltage divider 410 disposed at the previous stage of the switching device and a second voltage divider 410 disposed at a second input end of the comparator 401, 2 voltage divider < RTI ID = 0.0 > 420. < / RTI >

일실시예에 따르면, 상기 스위칭 소자인 상기 NMOS는 상기 공급 전압이 상기 저전압 상태에 있지 않은 경우라고 판단되면 오프 상태가 될 수 있다. 상기 오프 상태로 인해 상기 입력 전압이 상기 공급 전압과 동일하게 될 수 있으며, 상기 입력 전압은 상기 비교기의 상기 제1 입력 단에 제공될 수 있다.According to one embodiment, the NMOS, which is the switching element, can be turned off when it is determined that the supply voltage is not in the low voltage state. The off state allows the input voltage to be equal to the supply voltage, and the input voltage can be provided to the first input of the comparator.

일실시예에 따르면, 상기 NMOS는 상기 공급 전압 상기 저전압 상태에 있다고 판단하는 경우, 온 상태가 될 수 있다. 상기 NMOS가 온 상태가 됨으로써 상기 입력 전압은 그라운드될 수 있으며, 상기 그라운드 된 입력 전압은 상기 비교기의 상기 제1 입력 단에 제공될 수 있다.According to an embodiment, when the NMOS determines that the supply voltage is in the low voltage state, the NMOS may be in an on state. The input voltage can be grounded by turning on the NMOS, and the grounded input voltage can be provided to the first input terminal of the comparator.

이와 같이, 상기 MOSFET의 상기 문턱 전압에 따라, 상기 MOSFET의 온/오프 특성이 결정될 수 있다. 또한, 상기 온/오프에 따라 상기 저전압이 검출 될 수 있으므로, 상기 저전압 설정 전압은 상기 문턱 전압 및 상기 제1 전압 분배기를 구성하는 상기 저항(Ra, Rb)를 이용하여 결정될 수 있다.Thus, the on / off characteristics of the MOSFET can be determined according to the threshold voltage of the MOSFET. Also, since the low voltage can be detected according to the on / off, the low voltage setting voltage can be determined using the threshold voltage and the resistors (R a , R b ) constituting the first voltage divider.

일실시예에 다른 상기 제1 전압 분배기를 구성하는 상기 저항(Ra, Rb)의 값에 의해 기울기가 결정될 수 있고, 상기 기울기를 적당하게 조정하여 상기 문턱 전압에 해당하는 상기 공급 전압(VLOG)을 이용하여 설정하면, 상기 저전압 설정 전압도 상기 공급 전압에 영향이 적은 값으로 결정이 가능할 수 있다.The slope can be determined by the values of the resistors (R a , R b ) constituting the first voltage divider according to an embodiment, and the slope can be appropriately adjusted to adjust the supply voltage VLOG ), It is possible to determine that the low voltage setting voltage has a small influence on the supply voltage.

도 5는 일실시예에 따른, 저전압 검출 방법(500)의 흐름도이다.5 is a flow diagram of a low voltage detection method 500, according to one embodiment.

일실시예에 따른 상기 공급 전압은 상기 제1 전압 분배기에 의해 분배되어 상기 스위칭 소자에게 제공될 수 있다(510). 상기 스위칭 소자는 상기 저전압 상태에 따라 스위칭될 수 있다(520). 만약, 저전압 상태가 아니라고 판단하는 경우에는 상기 스위칭 소자는 온 상태가 되어 상기 입력 전압이 상기 공급 전압과 동일하게 하도록 하고, 상기 입력 전압을 상기 비교기의 상기 제1 입력 단에 제공할 수 있다.The supply voltage according to one embodiment may be distributed to the switching element by the first voltage divider (510). The switching element may be switched according to the low voltage state (520). If it is determined that it is not a low voltage state, the switching element may be turned on to make the input voltage equal to the supply voltage and provide the input voltage to the first input terminal of the comparator.

반대로, 상기 공급 전압이 저전압 상태라고 판단하는 경우에는 상기 스위칭 소자는 오프 상태가 될 수 있으며, 상기 입력 전압을 그라운드 시킬 수 있다.On the other hand, when it is determined that the supply voltage is in the low voltage state, the switching element can be turned off, and the input voltage can be grounded.

상기 스위칭 소자로부터 상기 입력 전압을 수신하는 상기 비교기는 상기 입력 전압과 상기 레퍼런스 전압을 비교할 수 있다(530). 상기 레퍼런스 전압은 상기 제2 전압 분배기에 의해 상기 공급 전압이 분배되어 제공될 수 있다.The comparator receiving the input voltage from the switching device may compare the input voltage to the reference voltage (530). The reference voltage may be provided by distributing the supply voltage by the second voltage divider.

일실시예에 따른 상기 비교기는 위에서 언급한 바와 같이, 상기 입력 전압과 상기 레퍼런스 전압을 비교함으로써 안정적으로 저전압 검출이 가능할 수 있다.As described above, the comparator according to the embodiment can stably detect the low voltage by comparing the input voltage with the reference voltage.

따라서, 상기 저전압 검출 방법 및 저전압 검출 장치는 상기 공급 전압을 이용하여 상기 레퍼런스 전압을 생성할 수 있다. 동시에 상기 공급 전압 상태를 정확하게 검출할 수 있으며, 상기 레퍼런스 전압을 명확하게 설정할 수 있다.Therefore, the low voltage detection method and the low voltage detection apparatus can generate the reference voltage using the supply voltage. At the same time, the supply voltage state can be accurately detected, and the reference voltage can be clearly set.

위에서, 상기 스위칭 소자를 MOSFET으로 이용하였으나, 이에 제한되지 않으며 이를 테면, 바이폴라 정션 트랜지스터에 의해 구현될 수 있다.In the above, the switching device is used as a MOSFET, but the present invention is not limited thereto. For example, the switching device can be implemented by a bipolar junction transistor.

또한, 상기 바이폴라 정션 트랜지스터에 의해 상기 스위칭 소자가 구현되는 경우 상기 스위칭 소자는 저전압 상태에 있는 경우에는 상기 입력 전압을 그라운드시켜 상기 비교기에 제공할 수 있다.When the switching device is implemented by the bipolar junction transistor, the switching device may ground the input voltage to the comparator when the switching device is in a low voltage state.

반대로 상기 바이폴라 정션 트랜지스터에 의해 구현되는 스위칭 소자는 상기 공급 전압이 저전압 상태에 있지 않다고 판단하는 경우에는 상기 입력 전압을 상기 공급 전압과 동일하게 하여 상기 비교기에 제공할 수 있고, 상기 비교기는 상기 입력 전압과 상기 레퍼런스 전압과 비교를 수행함으로써 저전압을 검출할 수 있다.Conversely, when the switching device implemented by the bipolar junction transistor determines that the supply voltage is not in the low voltage state, the switching device can provide the input voltage to the comparator with the supply voltage equal to the supply voltage, And the reference voltage, thereby detecting the low voltage.

이상에서 설명된 장치는 하드웨어 구성요소, 소프트웨어 구성요소, 및/또는 하드웨어 구성요소 및 소프트웨어 구성요소의 조합으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 실시예들에서 설명된 장치 및 구성요소는, 예를 들어, 프로세서, 콘트롤러, ALU(arithmetic logic unit), 디지털 신호 프로세서(digital signal processor), 마이크로컴퓨터, FPA(field programmable array), PLU(programmable logic unit), 마이크로프로세서, 또는 명령(instruction)을 실행하고 응답할 수 있는 다른 어떠한 장치와 같이, 하나 이상의 범용 컴퓨터 또는 특수 목적 컴퓨터를 이용하여 구현될 수 있다. 처리 장치는 운영 체제(OS) 및 상기 운영 체제 상에서 수행되는 하나 이상의 소프트웨어 애플리케이션을 수행할 수 있다. 또한, 처리 장치는 소프트웨어의 실행에 응답하여, 데이터를 접근, 저장, 조작, 처리 및 생성할 수도 있다. 이해의 편의를 위하여, 처리 장치는 하나가 사용되는 것으로 설명된 경우도 있지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는, 처리 장치가 복수 개의 처리 요소(processing element) 및/또는 복수 유형의 처리 요소를 포함할 수 있음을 알 수 있다. 예를 들어, 처리 장치는 복수 개의 프로세서 또는 하나의 프로세서 및 하나의 콘트롤러를 포함할 수 있다. 또한, 병렬 프로세서(parallel processor)와 같은, 다른 처리 구성(processing configuration)도 가능하다.The apparatus described above may be implemented as a hardware component, a software component, and / or a combination of hardware components and software components. For example, the apparatus and components described in the embodiments may be implemented within a computer system, such as, for example, a processor, a controller, an arithmetic logic unit (ALU), a digital signal processor, a microcomputer, a field programmable array (FPA) A programmable logic unit (PLU), a microprocessor, or any other device capable of executing and responding to instructions. The processing device may execute an operating system (OS) and one or more software applications running on the operating system. The processing device may also access, store, manipulate, process, and generate data in response to execution of the software. For ease of understanding, the processing apparatus may be described as being used singly, but those skilled in the art will recognize that the processing apparatus may have a plurality of processing elements and / As shown in FIG. For example, the processing unit may comprise a plurality of processors or one processor and one controller. Other processing configurations are also possible, such as a parallel processor.

소프트웨어는 컴퓨터 프로그램(computer program), 코드(code), 명령(instruction), 또는 이들 중 하나 이상의 조합을 포함할 수 있으며, 원하는 대로 동작하도록 처리 장치를 구성하거나 독립적으로 또는 결합적으로(collectively) 처리 장치를 명령할 수 있다. 소프트웨어 및/또는 데이터는, 처리 장치에 의하여 해석되거나 처리 장치에 명령 또는 데이터를 제공하기 위하여, 어떤 유형의 기계, 구성요소(component), 물리적 장치, 가상 장치(virtual equipment), 컴퓨터 저장 매체 또는 장치, 또는 전송되는 신호 파(signal wave)에 영구적으로, 또는 일시적으로 구체화(embody)될 수 있다. 소프트웨어는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템 상에 분산되어서, 분산된 방법으로 저장되거나 실행될 수도 있다. 소프트웨어 및 데이터는 하나 이상의 컴퓨터 판독 가능 기록 매체에 저장될 수 있다.The software may include a computer program, code, instructions, or a combination of one or more of the foregoing, and may be configured to configure the processing device to operate as desired or to process it collectively or collectively Device can be commanded. The software and / or data may be in the form of any type of machine, component, physical device, virtual equipment, computer storage media, or device , Or may be permanently or temporarily embodied in a transmitted signal wave. The software may be distributed over a networked computer system and stored or executed in a distributed manner. The software and data may be stored on one or more computer readable recording media.

실시예에 따른 방법은 다양한 컴퓨터 수단을 통하여 수행될 수 있는 프로그램 명령 형태로 구현되어 컴퓨터 판독 가능 매체에 기록될 수 있다. 상기 컴퓨터 판독 가능 매체는 프로그램 명령, 데이터 파일, 데이터 구조 등을 단독으로 또는 조합하여 포함할 수 있다. 상기 매체에 기록되는 프로그램 명령은 실시예를 위하여 특별히 설계되고 구성된 것들이거나 컴퓨터 소프트웨어 당업자에게 공지되어 사용 가능한 것일 수도 있다. 컴퓨터 판독 가능 기록 매체의 예에는 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체(magnetic media), CD-ROM, DVD와 같은 광기록 매체(optical media), 플롭티컬 디스크(floptical disk)와 같은 자기-광 매체(magneto-optical media), 및 롬(ROM), 램(RAM), 플래시 메모리 등과 같은 프로그램 명령을 저장하고 수행하도록 특별히 구성된 하드웨어 장치가 포함된다. 프로그램 명령의 예에는 컴파일러에 의해 만들어지는 것과 같은 기계어 코드뿐만 아니라 인터프리터 등을 사용해서 컴퓨터에 의해서 실행될 수 있는 고급 언어 코드를 포함한다. 상기된 하드웨어 장치는 실시예의 동작을 수행하기 위해 하나 이상의 소프트웨어 모듈로서 작동하도록 구성될 수 있으며, 그 역도 마찬가지이다.The method according to an embodiment may be implemented in the form of a program command that can be executed through various computer means and recorded in a computer-readable medium. The computer-readable medium may include program instructions, data files, data structures, and the like, alone or in combination. The program instructions to be recorded on the medium may be those specially designed and configured for the embodiments or may be available to those skilled in the art of computer software. Examples of computer-readable media include magnetic media such as hard disks, floppy disks and magnetic tape; optical media such as CD-ROMs and DVDs; magnetic media such as floppy disks; Magneto-optical media, and hardware devices specifically configured to store and execute program instructions such as ROM, RAM, flash memory, and the like. Examples of program instructions include machine language code such as those produced by a compiler, as well as high-level language code that can be executed by a computer using an interpreter or the like. The hardware devices described above may be configured to operate as one or more software modules to perform the operations of the embodiments, and vice versa.

이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. For example, it is to be understood that the techniques described may be performed in a different order than the described methods, and / or that components of the described systems, structures, devices, circuits, Lt; / RTI > or equivalents, even if it is replaced or replaced.

그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents to the claims are also within the scope of the following claims.

Claims (11)

공급 전압에 대해 저전압 상태를 검출하는 장치에 있어서,
입력 전압을 레퍼런스 전압과 비교하여 상기 저전압 상태를 검출하는 비교기;
상기 공급 전압이 상기 저전압 상태에 있는지의 여부에 따라 온/오프 스위칭을 수행하여 상기 입력 전압을 결정하는 스위칭 소자; 및
상기 공급 전압을 전압 분배하여 상기 분배된 공급 전압을 상기 스위칭 소자에 제공함으로써, 상기 공급 전압이 상기 저전압 상태에 있는지의 여부에 따라 상기 스위칭 소자가 상기 스위칭을 수행하도록 하는 제1 전압 분배기
를 포함하고,
상기 제1 전압 분배기는, 상기 공급 전압 분배를 통해 상기 저전압 상태를 검출하는 기준 전압을 설정하는, 장치.
An apparatus for detecting a low voltage condition with respect to a supply voltage,
A comparator for comparing the input voltage with a reference voltage to detect the low voltage state;
A switching element for performing on / off switching according to whether the supply voltage is in the low voltage state to determine the input voltage; And
A first voltage divider that allows the switching element to perform the switching according to whether the supply voltage is in the low voltage state by providing the distributed supply voltage to the switching element by voltage division of the supply voltage,
Lt; / RTI >
Wherein the first voltage divider establishes a reference voltage to detect the low voltage state through the supply voltage distribution.
제1항에 있어서,
상기 스위칭 소자는, 상기 저전압 상태가 아닌 경우에는 상기 입력 전압이 상기 공급 전압과 동일하도록 하고, 상기 저전압 상태인 경우에는 상기 입력 전압이 그라운드가 되도록 상기 스위칭을 수행하는 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the switching device performs the switching such that the input voltage is equal to the supply voltage when the switch is not in the low voltage state and the input voltage is ground when the switch is in the low voltage state.
제1항에 있어서,
상기 비교기는 상기 입력 전압이 상기 레퍼런스 전압보다 작은 경우에 상기 저전압 상태가 발생한 것으로 검출하는 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the comparator detects that the low voltage state has occurred when the input voltage is less than the reference voltage.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 공급 전압을 전압 분배하여 상기 레퍼런스 전압을 상기 비교기에 제공하는 제2 전압 분배기
를 더 포함하는 장치.
The method according to claim 1,
A second voltage divider that divides the supply voltage to provide the reference voltage to the comparator,
Lt; / RTI >
제1항에 있어서,
상기 스위칭 소자는 MOSFET(metal oxide silicon field effect transistor)에 의해 구현되는 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the switching element is implemented by a metal oxide silicon field effect transistor (MOSFET).
제6항에 있어서,
상기 스위칭 소자는 PMOS(P-channel metal oxide semiconductor)에 의해 구현되고, 상기 스위칭 소자는 상기 공급 전압이 상기 저전압 상태에 있지 않은 경우에 온 상태에 있어서 상기 입력 전압이 상기 공급 전압과 동일하도록 하고, 상기 공급 전압 상기 저전압 상태에 있는 경우에 오프 상태에 있어서 상기 입력 전압을 그라운드가 되도록 하는 장치.
The method according to claim 6,
Wherein the switching element is implemented by a PMOS (P-channel metal oxide semiconductor), wherein the switching element has an input voltage equal to the supply voltage when the supply voltage is not in the low voltage state, And the input voltage is grounded when the supply voltage is in the low voltage state.
제6항에 있어서,
상기 스위칭 소자는 NMOS(N-channel metal oxide semiconductor)에 의해 구현되고, 상기 스위칭 소자는 상기 공급 전압이 상기 저전압 상태에 있지 않은 경우에 오프 상태에 있어서 상기 입력 전압이 상기 공급 전압과 동일하도록 하고, 상기 공급 전압 상기 저전압 상태에 있는 경우에 온 상태에 있어서 상기 입력 전압을 그라운드가 되도록 하는 장치.
The method according to claim 6,
Wherein the switching element is implemented by an NMOS (N-channel metal oxide semiconductor), the switching element being such that the input voltage is equal to the supply voltage when the supply voltage is not in the low voltage state, And the input voltage is grounded when the supply voltage is in the low voltage state.
제1항에 있어서,
상기 스위칭 소자는 N 타입 또는 P 타입 바이폴라 정션 트랜지스터에 의해 구현되고, 상기 스위칭 소자는 상기 공급 전압이 상기 저전압 상태에 있지 않은 경우에 상기 입력 전압이 상기 공급 전압과 동일하도록 하고, 상기 공급 전압 상기 저전압 상태에 있는 경우에 상기 입력 전압을 그라운드가 되도록 하는 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the switching element is implemented by an N-type or P-type bipolar junction transistor, wherein the switching element makes the input voltage equal to the supply voltage when the supply voltage is not in the low voltage state, The input voltage to ground.
저전압 상태를 검출하는 방법에 있어서,
공급 전압을 제1 전압 분배기를 통해 전압 분배하여 상기 분배된 공급 전압을 스위칭 소자에 제공하는 단계 -상기 제1 전압 분배기는 상기 공급 전압 분배를 통해 저전압 상태를 검출하는 기준 전압을 설정함-;
상기 스위칭 소자가 상기 공급 전압이 상기 저전압 상태에 있는지의 여부에 따라 온/오프 스위칭을 수행하는 단계;
상기 스위칭에 따른 입력 전압을 비교기에 제공하는 단계; 및
상기 입력 전압과 레퍼런스 전압과 비교하여 상기 저전압 상태를 검출하는 단계
를 포함하는 방법.
A method for detecting a low voltage state,
Distributing a supply voltage through a first voltage divider to provide the divided supply voltage to a switching element, the first voltage divider setting a reference voltage to detect a low voltage state through the supply voltage distribution;
Performing the on / off switching according to whether the switching element is in the low voltage state of the supply voltage;
Providing an input voltage according to the switching to a comparator; And
Detecting the low voltage state by comparing the input voltage and the reference voltage
≪ / RTI >
제10항에 있어서,
상기 저전압 상태를 검출하는 방법을 수행하는 프로그램을 수록한 컴퓨터 판독 가능 기록 매체.
11. The method of claim 10,
And detecting the low-voltage state when the voltage of the low-voltage state is detected.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110244093A (en) * 2018-03-08 2019-09-17 爱思开海力士有限公司 Low-voltage detection circuit and the memory device for including the low-voltage detection circuit

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040084603A (en) * 2003-03-29 2004-10-06 삼성전자주식회사 Power supply device
US20060152250A1 (en) * 2005-01-07 2006-07-13 Li-Te Wu Low-voltage detection circuit
JP2007121088A (en) 2005-10-27 2007-05-17 Sanyo Electric Co Ltd Low voltage detection circuit
JP2009296714A (en) 2008-06-03 2009-12-17 Mitsumi Electric Co Ltd Low-voltage detecting circuit and semiconductor integrated circuit for power supply control

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040084603A (en) * 2003-03-29 2004-10-06 삼성전자주식회사 Power supply device
US20060152250A1 (en) * 2005-01-07 2006-07-13 Li-Te Wu Low-voltage detection circuit
JP2007121088A (en) 2005-10-27 2007-05-17 Sanyo Electric Co Ltd Low voltage detection circuit
JP2009296714A (en) 2008-06-03 2009-12-17 Mitsumi Electric Co Ltd Low-voltage detecting circuit and semiconductor integrated circuit for power supply control

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110244093A (en) * 2018-03-08 2019-09-17 爱思开海力士有限公司 Low-voltage detection circuit and the memory device for including the low-voltage detection circuit
CN110244093B (en) * 2018-03-08 2022-05-17 爱思开海力士有限公司 Low voltage detection circuit and memory device including the same

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