KR101408514B1 - New diamine derivatives, preparation method thereof and organic electronic device using the same - Google Patents

New diamine derivatives, preparation method thereof and organic electronic device using the same Download PDF

Info

Publication number
KR101408514B1
KR101408514B1 KR1020090113535A KR20090113535A KR101408514B1 KR 101408514 B1 KR101408514 B1 KR 101408514B1 KR 1020090113535 A KR1020090113535 A KR 1020090113535A KR 20090113535 A KR20090113535 A KR 20090113535A KR 101408514 B1 KR101408514 B1 KR 101408514B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
organic
substituted
unsubstituted
layer
Prior art date
Application number
KR1020090113535A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20110057008A (en
Inventor
장혜영
배재순
권혁준
홍성길
신창환
한혜은
김성소
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020090113535A priority Critical patent/KR101408514B1/en
Publication of KR20110057008A publication Critical patent/KR20110057008A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101408514B1 publication Critical patent/KR101408514B1/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C211/00Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
    • C07C211/43Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton
    • C07C211/57Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings being part of condensed ring systems of the carbon skeleton
    • C07C211/61Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings being part of condensed ring systems of the carbon skeleton with at least one of the condensed ring systems formed by three or more rings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1011Condensed systems
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 신규한 디아민 유도체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 유기 전자 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 디아민 유도체는 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자에서 정공 주입, 정공 수송, 전자 주입, 전자 수송, 또는 발광 물질 역할을 할 수 있으며, 특히 단독으로 발광 물질로 사용될 수 있고 발광 호스트 또는 발광 도판트, 특히 청색 도판트로서 역할을 할 수 있다. 본 발명에 따른 유기 전자 소자는 효율, 구동전압, 수명 및 안정성 면에서 우수한 특성을 나타낸다.The present invention relates to a novel diamine derivative, a process for producing the same, and an organic electronic device using the same. The diamine derivative according to the present invention can serve as a hole injecting, hole transporting, electron injecting, electron transporting, or luminescent material in an organic electronic device including an organic light emitting device, It can act as a dopant, in particular a blue dopant. The organic electronic device according to the present invention exhibits excellent characteristics in terms of efficiency, driving voltage, lifetime, and stability.

Description

신규한 디아민 유도체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 유기 전자 소자{NEW DIAMINE DERIVATIVES, PREPARATION METHOD THEREOF AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a novel diamine derivative, a method for producing the same, and an organic electronic device using the same. BACKGROUND ART < RTI ID = 0.0 >

본 발명은 신규한 디아민 유도체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 유기 전자 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a novel diamine derivative, a process for producing the same, and an organic electronic device using the same.

유기 전자 소자란 정공 및 전자를 이용하여 전극과 유기물 사이에서의 전하 교류를 필요로 하는 소자를 의미한다. 유기 전자 소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 엑시톤(exiton)이 형성되고 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원(전압원)으로 사용되는 형태의 전자 소자이다. 둘째는 2개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기물 반도체에 정공 및/또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 동작하는 형태의 전자 소자이다.An organic electronic device means a device requiring charge exchange between an electrode and an organic substance by using holes and electrons. The organic electronic device can be roughly classified into two types according to the operating principle as described below. First, an exciton is formed in an organic material layer by a photon introduced into an element from an external light source. The exciton is separated into an electron and a hole, and the electrons and holes are transferred to different electrodes to be used as a current source Type electronic device. The second type is an electronic device that injects holes and / or electrons into an organic semiconductor that interfaces with an electrode by applying a voltage or current to two or more electrodes, and operates by injected electrons and holes.

유기 전자 소자의 예로는 유기 발광 소자, 유기 태양 전지, 유기 감광체(OPC), 유기 트랜지스터 등이 있으며, 이들은 모두 소자의 구동을 위하여 정공의 주입 또는 수송 물질, 전자의 주입 또는 수송 물질, 또는 발광 물질을 필요로 한다.Examples of the organic electronic device include an organic light emitting device, an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC), an organic transistor, and the like. These devices may be used as a hole injecting or transporting material, an electron injecting or transporting material, need.

이하에서는 주로 유기 발광 소자에 대하여 구체적으로 설명하지만, 상기 유기 전자 소자들에서는 정공의 주입 또는 수송 물질, 전자의 주입 또는 수송 물질, 또는 발광 물질이 유사한 원리로 작용한다.Hereinafter, the organic light emitting device will be described in detail. However, in the organic electronic devices, hole injecting or transporting materials, electron injecting or transporting materials, or light emitting materials act on a similar principle.

일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기 에너지를 빛 에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 이러한 유기 발광 소자는 자발광, 고휘도, 고효율, 낮은 구동 전압, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트, 고속 응답성 등의 특성을 갖는 것으로 알려져 있다.In general, organic light emission phenomenon refers to a phenomenon in which an organic material is used to convert electric energy into light energy. An organic light emitting device using an organic light emitting phenomenon generally has a structure including an anode, a cathode, and an organic material layer therebetween. Here, in order to enhance the efficiency and stability of the organic light emitting device, the organic material layer may have a multi-layered structure composed of different materials and may include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. When a voltage is applied between the two electrodes in the structure of such an organic light emitting device, holes are injected in the anode, electrons are injected into the organic layer in the cathode, excitons are formed when injected holes and electrons meet, When it falls back to the ground state, the light comes out. Such an organic light emitting device is known to have characteristics such as self-emission, high luminance, high efficiency, low driving voltage, wide viewing angle, high contrast, and high speed response.

유기 발광 소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하 수송 재료, 예컨대 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다. 상기 발광 재료는 분자량에 따라 고분자형과 저분자형으로 분류될 수 있고, 발광 메커니즘에 따라 전자의 일중항 여기상태로부터 유 래되는 형광 재료와 전자의 삼중항 여기상태로부터 유래되는 인광 재료로 분류될 수 있다. 또한, 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료로 구분될 수 있다.A material used as an organic material layer in an organic light emitting device can be classified into a light emitting material and a charge transporting material such as a hole injecting material, a hole transporting material, an electron transporting material, and an electron injecting material depending on functions. The light emitting material can be classified into a polymer type and a low molecular type depending on the molecular weight and can be classified into a phosphorescent material derived from a singlet excited state of electrons and a phosphorescent material derived from an electron triplet excited state have. Further, the light emitting material can be classified into blue, green, and red light emitting materials and yellow and orange light emitting materials required to realize better natural color depending on the luminescent color.

한편, 발광 재료로서 하나의 물질만 사용하는 경우 분자간 상호 작용에 의하여 최대 발광 파장이 장파장으로 이동하고 색순도가 떨어지거나 발광 감쇄 효과로 소자의 효율이 감소되는 문제가 발생하므로, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여 발광 재료로서 호스트/도판트 계를 사용할 수 있다. 그 원리는 발광층을 형성하는 호스트보다 에너지 대역 간극이 작은 도판트를 발광층에 소량 혼합하면, 발광층에서 발생한 엑시톤이 도판트로 수송되어 효율이 높은 빛을 내는 것이다. 이 때 호스트의 파장이 도판트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도판트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다.On the other hand, when only one material is used as a light emitting material, there arises a problem that the maximum light emission wavelength shifts to a long wavelength due to intermolecular interaction, the color purity decreases, or the efficiency of the device decreases due to the light emission attenuating effect. A host / dopant system may be used as the light emitting material in order to increase the light emitting efficiency through the light emitting layer. When the dopant having a smaller energy band gap than the host forming the light emitting layer is mixed with a small amount of the light emitting layer, the excitons generated in the light emitting layer are transported to the dopant to emit light with high efficiency. At this time, since the wavelength of the host is shifted to the wavelength band of the dopant, the desired wavelength light can be obtained depending on the type of the dopant used.

유기 발광 소자가 전술한 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 발광 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하나, 아직까지 안정하고 효율적인 유기 발광 소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이다. 따라서, 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있으며, 이와 같은 재료 개발의 필요성은 전술한 다른 유기 전자 소자에서도 마찬가지이다.In order for the organic luminescent device to sufficiently exhibit the above-described excellent characteristics, a material constituting the organic material layer in the device, such as a hole injecting material, a hole transporting material, a luminescent material, an electron transporting material and an electron injecting material is supported by a stable and efficient material However, development of a stable and efficient organic material layer material for an organic light emitting device has not yet been sufficiently developed. Therefore, development of new materials is continuously required, and the necessity of developing such materials is the same in other organic electronic devices described above.

본 발명자들은 신규한 디아민 유도체를 밝혀내었다. 또한, 상기 디아민 유도체가 유기 전자 소자에서 정공 주입, 정공 수송, 전자 주입, 전자 수송 또는 발광 물질로 사용될 수 있고, 유기 전자 소자의 유기물층을 형성하는 경우 유기 전자 소자의 효율 상승, 구동전압 하강, 수명 상승 및 안정성 상승 효과가 우수해지는 사실을 밝혀내었다.The present inventors have uncovered a novel diamine derivative. In addition, when the diamine derivative can be used as a hole injection, a hole transport, an electron injection, an electron transport or a luminescent material in an organic electronic device and the organic material layer of the organic electronic device is formed, the efficiency of the organic electronic device, Rise and stability are superior.

본 발명은 신규한 디아민 유도체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 유기 전자 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention provides a novel diamine derivative, a method for producing the same, and an organic electronic device using the same.

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 디아민 유도체를 제공한다.The present invention provides a diamine derivative represented by the following general formula (1).

Figure 112009071909076-pat00001
Figure 112009071909076-pat00001

상기 화학식 1에서,In Formula 1,

R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립 적으로 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 ~ C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 C6 ~ C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 C3 ~ C25의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 ~ C20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C5 ~ C25의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6 ~ C20의 아릴 티오펜기, 치환 또는 비치환된 C5 ~ C20의 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C8 ~ C20의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 C5 ~ C20의 아릴아민기, -OR, -SR, -SeR, -TeR, -BRR', -AlRR', -SiRR'R", -GeRR'R", -SnRR'R", 또는 시아노기이고,R 1, R 2, R 3, R 4, R 5, R 6, R 7 and R 8 are the same or different from each other and each independently represents a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted C 1 to C 20 alkyl group, A substituted or unsubstituted C 3 to C 25 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 1 to C 20 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C 5 to C 25 substituted or unsubstituted C 6 to C 30 aryl group, An aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 20 arylthiophene group, a substituted or unsubstituted C 5 to C 20 heterocyclic group, a substituted or unsubstituted C 8 to C 20 arylalkenyl group, A substituted or unsubstituted C 5 -C 20 arylamine group, -OR, -SR, -SeR, -TeR, -BRR ', -AlRR', -SiRR'R ", -GeRR'R" R ", or cyano group,

상기 R, R' 및 R"는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, C1 ~ C20의 알킬기, C3 ~ C20의 시클로알킬기, C6 ~ C20의 아릴기 또는 C5 ~ C20의 헤테로고리기이며,Wherein R, R 'and R "are the same or different, and are each independently selected from hydrogen, and C 1 ~ C 20 alkyl group, C 3 ~ C 20 cycloalkyl group, C 6 ~ C 20 aryl group or a C 5 ~ C to each other Lt ; RTI ID = 0.0 >

Ar1, Ar2, Ar3 및 Ar4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 ~ C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 ~ C30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C5 ~ C20의 헤테로고리기이며, 이들은 서로 인접하는 기와 고리를 형성할 수 있다.Ar 1, Ar 2, Ar 3 and Ar 4 are the same or different and each independently represents a substituted or unsubstituted C 1 to C 20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 30 aryl group, 5 ~ C and a heterocyclic group of C 20, which may form a cyclic group which are adjacent to each other.

또한, 본 발명은 디브로모 아릴 화합물과 아릴아민 화합물을 팔라듐 촉매 하에서 반응시키는 단계를 포함하는 상기 화학식 1로 표시되는 디아민 유도체의 제조방법을 제공한다.The present invention also provides a process for preparing a diamine derivative represented by the above formula (1), comprising the step of reacting a dibromoaryl compound with an arylamine compound in the presence of a palladium catalyst.

또한, 본 발명은 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 디아민 유도체를 포함하는 것인 유기 전자 소자를 제공한다.The present invention also provides an organic electronic device comprising a first electrode, a second electrode, and at least one organic material layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers is represented by Formula 1 And a diamine derivative which is a diamine derivative.

본 발명에 따른 디아민 유도체는 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전자 소자에서 정공 주입, 정공 수송, 전자 주입, 전자 수송, 또는 발광 물질 역할을 할 수 있으며, 특히 단독으로 발광 물질로 사용될 수 있고 발광 호스트 또는 발광 도판트, 특히 청색 도판트로서 역할을 할 수 있다. 본 발명에 따른 유기 전자 소자는 효율, 구동전압, 수명 및 안정성 면에서 우수한 특성을 나타낸다.The diamine derivative according to the present invention can serve as a hole injecting, hole transporting, electron injecting, electron transporting, or luminescent material in an organic electronic device including an organic light emitting device, It can act as a dopant, in particular a blue dopant. The organic electronic device according to the present invention exhibits excellent characteristics in terms of efficiency, driving voltage, lifetime, and stability.

이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명에 따른 디아민 유도체는 상기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 한다.The diamine derivative according to the present invention is characterized by being represented by the above formula (1).

본 발명에 따른 디아민 유도체에 있어서, 상기 화학식 1의 치환기들을 보다 구체적으로 설명하면 하기와 같다.In the diamine derivative according to the present invention, the substituents of the above formula (1) will be described in more detail as follows.

상기 C1 ~ C20의 알킬기로는 메틸기, 에틸기, 터셔리-부틸기 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.Examples of the C 1 -C 20 alkyl group include, but are not limited to, methyl, ethyl, tertiary-butyl and the like.

상기 C6 ~C30의 아릴기로는 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기, 플루 오레닐기 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.Examples of the C 6 -C 30 aryl group include, but are not limited to, a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, a phenanthrenyl group, and a fluorenyl group.

상기 C3 ~ C25의 시클로알킬기로는 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.Examples of the C 3 -C 25 cycloalkyl group include, but are not limited to, a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.

상기 C5 ~ C20의 헤테로아릴기로는 카바졸릴기, 피리딜기, 퀴놀린기, 이소퀴놀린기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸기, 옥사졸릴기, 티아졸릴기, 트리아진기 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.Examples of the C 5 -C 20 heteroaryl group include a carbazolyl group, a pyridyl group, a quinolinyl group, an isoquinoline group, a thiophenyl group, a furanyl group, an imidazole group, an oxazolyl group, a thiazolyl group and a triazine group , But is not limited thereto.

상기 C1 ~ C20의 알콕시기로는 메톡시기, 에톡시기, 페닐옥시기, 시클로헥실옥시기 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.Examples of the C 1 -C 20 alkoxy group include, but are not limited to, a methoxy group, an ethoxy group, a phenyloxy group, and a cyclohexyloxy group.

상기 C5 ~ C20의 아릴아민기로는 중수소 원자; C1 ~ C6의 알킬기; 시아노기; 플루오르기; C6 ~ C20의 아릴기; C5 ~ C12의 시클로알킬기; 또는 N, O 또는 S를 포함하는 C3 ~ C30의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아릴아민기 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.Examples of the C 5 -C 20 arylamine group include a deuterium atom; An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; Cyano; A fluorine group; A C 6 to C 20 aryl group; A cycloalkyl group of C 5 ~ C 12; Or an arylamine group substituted or unsubstituted with a C 3 to C 30 heteroaryl group containing N, O or S, but is not limited thereto.

본 발명에 있어서, '치환 또는 비치환'은 중수소, 할로겐기, C1 ~ C20의 알킬기, C2 ~ C20의 알케닐기, C2 ~ C20의 알키닐기, C3 ~ C20의 시클로알킬기, C3 ~ C20의 헤테로시클로알킬기, C6 ~ C50의 아릴기, C5 ~ C50의 헤테로아릴기, 아릴아민기, 시아노기, 실릴기 및 게르마늄기로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 기로 치환 또는 비치환되었음을 의미한다.In the present invention, 'substituted or unsubstituted' refers to a group selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, a C 1 to C 20 alkyl group, a C 2 to C 20 alkenyl group, a C 2 to C 20 alkynyl group, a C 3 to C 20 cyclo At least one selected from the group consisting of an alkyl group, a C 3 to C 20 heterocycloalkyl group, a C 6 to C 50 aryl group, a C 5 to C 50 heteroaryl group, an arylamine group, a cyano group, a silyl group and a germanium group Substituted or unsubstituted.

상기 화학식 1로 표시되는 디아민 유도체의 바람직한 구체적인 예로는 하기 화합물들이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the diamine derivatives represented by the above formula (1) include, but are not limited to, the following compounds.

Figure 112009071909076-pat00002
Figure 112009071909076-pat00002

Figure 112009071909076-pat00003
Figure 112009071909076-pat00003

Figure 112009071909076-pat00004
Figure 112009071909076-pat00004

Figure 112009071909076-pat00005
Figure 112009071909076-pat00005

또한, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 디아민 유도체의 제조방법을 제공한다.The present invention also provides a process for preparing a diamine derivative represented by the above formula (1).

본 발명에 따른 디아민 유도체는, 디브로모 아릴 화합물과 아릴아민 화합물을 팔라듐 촉매 하에 반응시켜 제조될 수 있다.The diamine derivative according to the present invention can be produced by reacting a dibromoaryl compound with an arylamine compound under a palladium catalyst.

본 발명에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 디아민 유도체는 전술한 바와 같은 적당한 치환기를 도입함으로써 에너지 밴드갭을 미세하게 조절이 가능하게 하며, 한편으로 유기물 사이에서의 계면에서의 특성을 향상되게 하며 물질의 용도를 다양하게 할 수 있다.The diamine derivative represented by the formula (1) according to the present invention can control the energy bandgap finely by introducing the appropriate substituent as described above, while improving the property at the interface between the organic materials, It can be used in various ways.

한편, 상기 화학식 1로 표시되는 디아민 유도체는 유리 전이 온도(Tg)가 높아 열적 안정성이 우수하다. 이러한 열적 안정성의 증가는 소자에 구동 안정성을 제공하는 중요한 요인이 된다.On the other hand, the diamine derivative represented by the above formula (1) has a high glass transition temperature (Tg) and is excellent in thermal stability. This increase in thermal stability is an important factor in providing drive stability to the device.

또한, 본 발명에 따른 유기 전자 소자는 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 디아민 유도체를 포함하는 것을 특징으로 한다.Further, the organic electronic device according to the present invention is an organic electronic device comprising a first electrode, a second electrode, and at least one organic layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic layers And a diamine derivative represented by the above formula (1).

본 발명의 유기 전자 소자는 전술한 화합물들을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 전자 소자의 제조 방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.The organic electronic device of the present invention can be produced by a conventional method and materials for producing an organic electronic device, except that one or more organic compound layers are formed using the above-described compounds.

이하에서는 유기 발광 소자에 대하여 예시한다.Hereinafter, the organic light emitting device will be described.

전술한 본 발명의 화합물들은 유기 발광 소자에서 정공 주입, 정공 수송, 전자 주입, 전자 수송, 또는 발광 물질 역할을 할 수 있으며, 특히 단독으로 발광 물질의 역할을 할 수 있을 뿐만 아니라, 적절한 발광 도판트와 함께 발광 호스트, 또는 적절한 발광 호스트와 함께 발광 도판트, 특히 청색 도판트로서 역할을 할 수 있다.The compounds of the present invention can act as hole-injecting, hole-transporting, electron-injecting, electron-transporting or luminescent materials in organic light emitting devices, Together with a luminescent host, or a suitable luminescent host, can serve as a luminescent dopant, in particular a blue dopant.

본 발명의 하나의 실시 상태에 있어서, 유기 발광 소자는 제1 전극과 제2 전극 및 이 사이에 배치된 유기물층을 포함하는 구조로 이루어질 수 있으며, 전술한 본 발명에 따른 화합물을 유기 발광 소자의 유기물층 중 1층 이상에 사용한다는 것을 제외하고는 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료를 사용하여 제조될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the organic light emitting device may have a structure including a first electrode, a second electrode, and an organic material layer interposed therebetween, and the above- The organic light emitting device can be manufactured using a conventional method and materials for manufacturing an organic light emitting device,

본 발명에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1에 예시되어 있다.The structure of the organic light emitting device according to the present invention is illustrated in FIG.

예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 스퍼터링(sputtering)이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수도 있다.For example, the organic light emitting device according to the present invention may be formed by using a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation to form a metal oxide or a metal oxide having conductivity on the substrate, A hole transporting layer, a light emitting layer, and an electron transporting layer, and then depositing a material usable as a cathode thereon. In addition to such a method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and a cathode material on a substrate.

상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층 등을 포함하는 다층 구조일 수도 있으나, 이에 한정되지 않고 단층 구조일 수 있다. 또한, 상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용매 공정(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅, 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조될 수 있다.The organic material layer may have a multi-layer structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer, but is not limited thereto and may have a single layer structure. The organic material layer may be formed using a variety of polymer materials by a method such as a solvent process such as spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing, Layer.

상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the anode material, a material having a large work function is preferably used so that hole injection can be smoothly conducted into the organic material layer. Specific examples of the cathode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold, or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); ZnO: Al or SnO 2: a combination of a metal and an oxide such as Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDT), polypyrrole and polyaniline.

상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자주입이 용이하도록 일함수가 작 은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The negative electrode material is preferably a material having a low work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead or alloys thereof; Layer structure materials such as LiF / Al or LiO 2 / Al, but are not limited thereto.

상기 정공 주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입받을 수 있는 물질로서, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the hole injecting material, it is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injecting material is between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic layer. Specific examples of the hole injecting material include metal porphyrine, oligothiophene, arylamine-based organic materials, hexanitrile hexaazatriphenylene, quinacridone-based organic materials, perylene-based organic materials, Anthraquinone, polyaniline and a polythiophene-based conductive polymer, but are not limited thereto.

상기 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the hole transporting material, a material capable of transporting holes from the anode or the hole injecting layer to the light emitting layer and having high mobility to holes is suitable. Specific examples include arylamine-based organic materials, conductive polymers, and block copolymers having a conjugated portion and a non-conjugated portion together, but the present invention is not limited thereto.

상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The light emitting material is preferably a material capable of emitting light in the visible light region by transporting and receiving holes and electrons from the hole transporting layer and the electron transporting layer, respectively, and having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole-based compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compounds; Compounds of the benzoxazole, benzothiazole and benzimidazole series; Polymers of poly (p-phenylenevinylene) (PPV) series; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene, and the like, but are not limited thereto.

상기 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.As the electron transporting material, a material capable of transferring electrons from the cathode well into the light emitting layer, which is suitable for electrons, is suitable. Specific examples include an Al complex of 8-hydroxyquinoline; Complexes containing Alq 3 ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but are not limited thereto.

본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be a front emission type, a back emission type, or a both-sided emission type, depending on the material used.

본 발명에 따른 화합물은 유기 태양 전지, 유기 감광체, 유기 트랜지스터 등을 비롯한 유기 전자 소자에서도 유기 발광 소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다.The compound according to the present invention may act on a principle similar to that applied to organic light emitting devices in organic electronic devices including organic solar cells, organic photoconductors, organic transistors and the like.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시한다. 그러나 하기의 실시예는 본 발명을 보다 쉽게 이해하기 위하여 제공되는 것일 뿐, 이에 의해 본 발명의 내용이 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in order to facilitate understanding of the present invention. However, the following examples are provided only for the purpose of easier understanding of the present invention, and the present invention is not limited thereto.

본 발명에 따른 화학식 1의 화합물은 다단계 화학 반응으로 제조할 수 있다. 상기 화합물들의 제조는 하기 실시예에 의해 기술된다. 실시예에 나타난 바와 같이, 일부 중간체 화합물이 먼저 제조되고, 그 중간체 화합물들로부터 화학식 1의 화합물들이 제조된다. 예증적인 중간체 화합물들은 이하 화합물 A ~ M이다. 이들 화합물들에서, "Br"은 임의의 다른 반응성 원자 또는 작용기로 치환될 수 있다.The compound of formula (I) according to the present invention can be prepared by a multistage chemical reaction. The preparation of these compounds is described by the following examples. As shown in the examples, some intermediate compounds are prepared first, and the compounds of formula (1) are prepared from the intermediate compounds. Illustrative intermediate compounds are the following compounds A-M. In these compounds, "Br" may be substituted with any other reactive atom or functional group.

Figure 112009071909076-pat00006
Figure 112009071909076-pat00006

<< 제조예Manufacturing example 1> 화합물 A의 제조 1> Preparation of Compound A

디브로모벤젠(20g, 84.78mmol)을 실온에서 질소 분위기 하에 건조 테트라히드로푸란(THF, 200mL)에 용해시켰다. 상기 용액을 -78℃로 냉각시켰다. n-부틸 리튬(34mL, 2.5M 펜탄 용액)을 -78℃에서 상기 용액에 서서히 가하고, 혼합물을 약 1시간 동안 0℃로 천천히 올렸다. 여기에 트리메틸게르마늄 브로마이드(trimethylgerumanium bromide; 18ml, 101.74mmol)를 넣고 상온으로 1시간에 걸쳐서 올렸다. 반응이 완결된 것을 확인하고 혼합물을 에틸 아세테이트로 추출한 다음, 황산 마그네슘 상에서 건조하고, 감압 하에 분별 증류하여 화합물 A를 얻었다(20g, 90%).Dibromobenzene (20 g, 84.78 mmol) was dissolved in dry tetrahydrofuran (THF, 200 mL) at room temperature under a nitrogen atmosphere. The solution was cooled to -78 &lt; 0 &gt; C. n-Butyl lithium (34 mL, 2.5M pentane solution) was added slowly to the solution at -78 &lt; 0 &gt; C and the mixture was slowly raised to 0 &lt; 0 &gt; C for about 1 hour. Thereto was added trimethylgerumanium bromide (18 ml, 101.74 mmol) and the mixture was allowed to stand at room temperature for 1 hour. After confirming that the reaction was completed, the mixture was extracted with ethyl acetate, dried over magnesium sulfate, and fractionally distilled under reduced pressure to obtain Compound A (20 g, 90%).

MS (M+) 273MS (M &lt; + &gt;) 273

<< 제조예Manufacturing example 2> 화합물 B의 제조 2> Preparation of compound B

질소 분위기 하에서 화합물 A(18g, 65.45mmol), 아닐린(6.6ml, 72mmol), Pd(dba)2(0.125g, 0.13mmol), P(t-Bu)3(0.04g, 0.2mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(1.80g, 18.7mmol)를 톨루엔(200mL)에 넣고, 3시간 가량 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 황산 마그네슘으로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼크로마토그래피로 정제한 후 화합물 B(8.4g, 45%)를 얻었다.Compound in a nitrogen atmosphere A (18g, 65.45mmol), aniline (6.6ml, 72mmol), Pd ( dba) 2 (0.125g, 0.13mmol), P (t-Bu) 3 (0.04g, 0.2mmol) and sodium t -Butoxide (1.80 g, 18.7 mmol) were dissolved in toluene (200 mL) and refluxed for about 3 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature and the reaction mixture was poured into a mixture of THF and H 2 O. [ The organic layer was separated, dried over magnesium sulfate and concentrated. After purification by column chromatography, Compound B (8.4 g, 45%) was obtained.

MS [M] = 286MS [M] = 286

<< 제조예Manufacturing example 3> 화합물 C의 제조 3> Preparation of Compound C

제조예 2에서 아닐린(6.6ml, 72mmol) 대신 5,6,7,8-테트라히드로-1-나프틸아 민(10.6g, 72mmol)을 사용한 것을 제외하고는, 제조예 2의 방법과 동일하게 하여 화합물 C(17g, 40%)를 얻었다.In the same manner as in Production Example 2, except that 5,6,7,8-tetrahydro-1-naphthylamine (10.6 g, 72 mmol) was used instead of aniline (6.6 ml, 72 mmol) Compound C (17 g, 40%) was obtained.

MS [M] = 340MS [M] = 340 &lt; RTI ID =

<< 제조예Manufacturing example 4> 화합물 D의 제조 4> Preparation of compound D

디브로모벤젠(20g, 84.78mmol)을 실온에서 질소 분위기 하에 건조 테트라히드로푸란(THF, 200mL)에 용해시켰다. 상기 용액을 -78℃로 냉각시켰다. n-부틸 리튬(34mL, 2.5M 펜탄 용액)을 -78℃에서 상기 용액에 서서히 가하고, 혼합물을 약 1시간 동안 0℃로 천천히 올렸다. 여기에 클로로 트리메틸실란(chloro trimethylsilane; 13ml, 101.74mmol)을 넣고 상온으로 1시간에 걸쳐서 올렸다. 반응이 완결된 것을 확인하고 혼합물을 에틸 아세테이트로 추출하고, 황산 마그네슘 상에서 건조한 다음, 감압 하에 분별 증류하여 화합물 D를 얻었다(18g, 93%).Dibromobenzene (20 g, 84.78 mmol) was dissolved in dry tetrahydrofuran (THF, 200 mL) at room temperature under a nitrogen atmosphere. The solution was cooled to -78 &lt; 0 &gt; C. n-Butyl lithium (34 mL, 2.5M pentane solution) was added slowly to the solution at -78 &lt; 0 &gt; C and the mixture was slowly raised to 0 &lt; 0 &gt; C for about 1 hour. To this was added chloro trimethylsilane 13 ml, 101.74 mmol) was added and the mixture was allowed to stand at room temperature for 1 hour. After confirming the completion of the reaction, the mixture was extracted with ethyl acetate, dried over magnesium sulfate, and then fractionally distilled under reduced pressure to obtain compound D (18 g, 93%).

MS (M+) = 229MS (M &lt; + &gt;) = 229

<< 제조예Manufacturing example 5> 화합물 E의 제조 5> Preparation of Compound E

질소 분위기 하에서, 화합물 D(15g, 65.45mmol), 아닐린(6.6ml, 72mmol), Pd(dba)2(0.125g, 0.13mmol), P(t-Bu)3(0.04g, 0.2mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(1.80g, 18.7mmol)를 톨루엔(200mL)에 넣고, 3시간 가량 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 MgSO4로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼크로마토그래피로 정제한 후 화합물 E(3.9g, 42%)를 얻었다.Under a nitrogen atmosphere, compound D (15g, 65.45mmol), aniline (6.6ml, 72mmol), Pd ( dba) 2 (0.125g, 0.13mmol), P (t-Bu) 3 (0.04g, 0.2mmol) and sodium t-Butoxide (1.80 g, 18.7 mmol) was added to toluene (200 mL) and refluxed for about 3 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature and the reaction mixture was poured into a mixture of THF and H 2 O. [ The organic layer was separated and concentrated layer was dried with MgSO 4. After purification by column chromatography, Compound E (3.9 g, 42%) was obtained.

MS [M] = 241MS [M] = 241

<< 제조예Manufacturing example 6> 화합물 F의 제조 6> Preparation of Compound F

질소 분위기 하에서, 브로모 페닐(10.3g, 65.45mmol), 아닐린(6.6ml, 72mmol), Pd(dba)2(0.125g, 0.13mmol), P(t-Bu)3(0.04g, 0.2mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(1.80g, 18.7mmol)를 톨루엔(200mL)에 넣고, 3시간 가량 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 MgSO4로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼크로마토그래피로 정제한 후 화합물 F(9.5g, 86%)를 얻었다.Under nitrogen, bromophenyl (10.3g, 65.45mmol), aniline (6.6ml, 72mmol), Pd ( dba) 2 (0.125g, 0.13mmol), P (t-Bu) 3 (0.04g, 0.2mmol) And sodium t-butoxide (1.80 g, 18.7 mmol) were placed in toluene (200 mL) and refluxed for about 3 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature and the reaction mixture was poured into a mixture of THF and H 2 O. [ The organic layer was separated and concentrated layer was dried with MgSO 4. After purification by column chromatography, Compound F (9.5 g, 86%) was obtained.

MS [M] = 169MS [M] = 169

<< 제조예Manufacturing example 7> 화합물 G의 제조 7> Preparation of compound G

질소 분위기 하에서, 4-플로로 브로모 페닐(10.3g, 65.45mmol), 아닐린(6.6ml, 72mmol), Pd(dba)2(0.125g, 0.13mmol), P(t-Bu)3(0.04g, 0.2mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(1.80g, 18.7mmol)를 톨루엔(200mL)에 넣고, 3시간 가량 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 MgSO4로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼크로마토그래피로 정제한 후 화합물 G(9.5g, 86%)를 얻었다.(10.3 g, 65.45 mmol), aniline (6.6 ml, 72 mmol), Pd (dba) 2 (0.125 g, 0.13 mmol) and P (t-Bu) 3 , 0.2 mmol) and sodium t-butoxide (1.80 g, 18.7 mmol) were placed in toluene (200 mL) and refluxed for about 3 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature and the reaction mixture was poured into a mixture of THF and H 2 O. [ The organic layer was separated and concentrated layer was dried with MgSO 4. After purification by column chromatography, Compound G (9.5 g, 86%) was obtained.

MS [M] = 187MS [M] = 187

<< 제조예Manufacturing example 8> 화합물 H의 제조 8> Preparation of Compound H

질소 분위기 하에서, 9,10-디브로모안트라센(2.86g, 8.5mmol), 4-클로로페닐보론산(2.9g, 18.7mmol), Pd(PPh3)4(0.29g, 0.26mmol)을 2M K2CO3 수용액(20mL)과 THF(80mL)에 넣고, 약 12시간 환류 교반시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액에서 유기층을 층 분리하고 유기층을 황산 마그네슘으로 건조하고 감압 증류 후 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 H(3.0g, 90%)를 얻었다.Under nitrogen atmosphere, 9,10-dibromo-anthracene (2.86g, 8.5mmol), 4- chlorophenyl-boronic acid (2.9g, 18.7mmol), Pd ( PPh 3) 4 (0.29g, 0.26mmol) with 2M K 2 CO 3 aqueous solution (20 mL) and THF (80 mL), and the mixture was refluxed and stirred for about 12 hours. After the reaction was completed, the reaction mixture was cooled to room temperature, and the organic layer was separated from the reaction mixture. The organic layer was dried over magnesium sulfate, distilled under reduced pressure, and purified by column chromatography to obtain 3.0 g (90%) of compound H.

MS [M+H]+ = 398MS [M + H] &lt; + &gt; = 398

<< 제조예Manufacturing example 9> 화합물 I의 제조 9> Preparation of Compound I

질소 분위기 하에서, 9,10-디브로모 크라이센(3.28g, 8.5mmol), 4-클로로페닐보론산(2.9g, 18.7mmol), Pd(PPh3)4(0.29g, 0.26mmol)을 2M K2CO3 수용액(20mL)과 THF(80mL)에 넣고, 약 12시간 환류 교반시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액에서 유기층을 층 분리하고 유기층을 황산 마그네슘으로 건조하고 감압 증류 후 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 I(2.9g, 75%)를 얻었다.A nitrogen atmosphere, 9,10-dibromo-Cry sensor (3.28g, 8.5mmol), 4- chlorophenyl-boronic acid (2.9g, 18.7mmol), Pd ( PPh 3) 4 (0.29g, 0.26mmol) 2M Was added to a K 2 CO 3 aqueous solution (20 mL) and THF (80 mL), and the mixture was refluxed and stirred for about 12 hours. After the reaction was completed, the reaction mixture was cooled to room temperature, and the organic layer was separated from the reaction mixture. The organic layer was dried over magnesium sulfate, distilled under reduced pressure, and purified by column chromatography to obtain Compound I (2.9 g, 75%).

MS [M+H]+ = 448MS [M + H] &lt; + &gt; = 448

<< 제조예Manufacturing example 10> 화합물 J의 제조 10> Preparation of Compound J

질소 분위기 하에서 브로모벤젠-d5(10.6g, 65.45mmol), 아닐린(6.6ml, 72mmol), Pd(dba)2(0.125g, 0.13mmol), P(t-Bu)3(0.04g, 0.2mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(1.80g, 18.7mmol)를 톨루엔(80mL)에 넣고, 3시간 가량 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 황산 마그네슘으로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼크로마토그래피로 정제한 후 화합물 J(16g, 85%)를 얻었다.Under a nitrogen atmosphere bromobenzene -d 5 (10.6g, 65.45mmol), aniline (6.6ml, 72mmol), Pd ( dba) 2 (0.125g, 0.13mmol), P (t-Bu) 3 (0.04g, 0.2 mmol) and sodium t-butoxide (1.80 g, 18.7 mmol) were placed in toluene (80 mL) and refluxed for about 3 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature and the reaction mixture was poured into a mixture of THF and H 2 O. [ The organic layer was separated, dried over magnesium sulfate and concentrated. After purification by column chromatography, Compound J (16 g, 85%) was obtained.

MS [M] = 174MS [M] = 174

<< 제조예Manufacturing example 11> 화합물 K의 제조 11> Preparation of compound K

질소 분위기 하에서 브로모벤젠-d5(10.6g, 65.45mmol), 아닐린-2,3,4,5,6-D5(6.6ml, 72mmol), Pd(dba)2(0.125g, 0.13mmol), P(t-Bu)3(0.04g, 0.2mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(1.80g, 18.7mmol)를 톨루엔(80mL)에 넣고, 3시간 가량 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 황산 마그네슘으로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼크로마토그래피로 정제한 후 화합물 K(16g, 85%)를 얻었다.Under a nitrogen atmosphere bromobenzene -d 5 (10.6g, 65.45mmol), aniline -2,3,4,5,6-D5 (6.6ml, 72mmol) , Pd (dba) 2 (0.125g, 0.13mmol), P (t-Bu) 3 (0.04 g, 0.2 mmol) and sodium t-butoxide (1.80 g, 18.7 mmol) were added to toluene (80 mL) and refluxed for about 3 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature and the reaction mixture was poured into a mixture of THF and H 2 O. [ The organic layer was separated, dried over magnesium sulfate and concentrated. After purification by column chromatography, Compound K (16 g, 85%) was obtained.

MS [M] = 179MS [M] = 179

<< 제조예Manufacturing example 12> 화합물 L의 제조 12> Preparation of Compound L

질소 분위기 하에서 상기 제조예 4의 화합물 D(15g, 65.45mmol), 아닐린-2,3,4,5,6-D5(6.6ml, 72mmol), Pd(dba)2(0.125g, 0.13mmol), P(t-Bu)3(0.04g, 0.2mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(1.80g, 18.7mmol)를 톨루엔(80mL)에 넣고, 3시간 가량 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 황산 마그네슘으로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼크로마토그래피로 정제한 후 화합물 L(16g, 85%)를 얻었다.(15 g, 65.45 mmol), aniline-2,3,4,5,6-D5 (6.6 ml, 72 mmol), Pd (dba) 2 (0.125 g, 0.13 mmol) P (t-Bu) 3 (0.04 g, 0.2 mmol) and sodium t-butoxide (1.80 g, 18.7 mmol) were added to toluene (80 mL) and refluxed for about 3 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature and the reaction mixture was poured into a mixture of THF and H 2 O. [ The organic layer was separated, dried over magnesium sulfate and concentrated. After purification by column chromatography, Compound L (16 g, 85%) was obtained.

MS [M] = 246MS [M] = 246

<< 제조예Manufacturing example 13> 화합물 M의 제조 13> Preparation of Compound (M)

질소 분위기 하에서 상기 제조예 1의 화합물 A(18g, 65.45mmol), 아닐린-2,3,4,5,6-D5(6.6ml, 72mmol), Pd(dba)2(0.125g, 0.13mmol), P(t-Bu)3(0.04g, 0.2mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(1.80g, 18.7mmol)를 톨루엔(80mL)에 넣고, 3시간 가량 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 황산 마그네슘으로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼크로마토그래피로 정제한 후 화합물 M(16g, 85%)를 얻었다.Compound A (18 g, 65.45 mmol), aniline-2,3,4,5,6-D5 (6.6 ml, 72 mmol), Pd (dba) 2 (0.125 g, 0.13 mmol) P (t-Bu) 3 (0.04 g, 0.2 mmol) and sodium t-butoxide (1.80 g, 18.7 mmol) were added to toluene (80 mL) and refluxed for about 3 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature and the reaction mixture was poured into a mixture of THF and H 2 O. [ The organic layer was separated, dried over magnesium sulfate and concentrated. After purification by column chromatography, Compound M (16 g, 85%) was obtained.

MS [M] = 291MS [M] = 291

<< 제조예Manufacturing example 14> 화합물 N의 제조 14> Preparation of Compound N

질소 분위기 하에서 상기 제조예 4의 화합물 D(22g, 135mmol), 4-아미노벤조나이트릴(20g, 170mmol), Pd(dba)2(0.125g, 0.13mmol), P(t-Bu)3(0.04g, 0.2mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(1.80g, 18.7mmol)를 톨루엔(80mL)에 넣고, 3시간 가량 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 황산 마그네슘으로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼크로마토그래피로 정제한 후 화합물 N(13g, 50%)를 얻었다.(20 g, 170 mmol), Pd (dba) 2 (0.125 g, 0.13 mmol), P (t-Bu) 3 (0.04 g, 0.2 mmol) and sodium t-butoxide (1.80 g, 18.7 mmol) were placed in toluene (80 mL) and refluxed for about 3 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature and the reaction mixture was poured into a mixture of THF and H 2 O. [ The organic layer was separated, dried over magnesium sulfate and concentrated. After purification by column chromatography, Compound N (13 g, 50%) was obtained.

MS [M] = 199MS [M] = 199

<< 제조예Manufacturing example 15> 화합물 O의 제조 15> Preparation of compound O

질소 분위기 하에서 1,2,3,6,7,8-hexahydropyrene(7.0g, 33.6mmol)을 아세트 산(90mL)에 녹이고, Br2(11.28g, 70.5mmol)을 천천히 적가한 후 실온에서 12시간 동안 교반을 해준다. 반응이 끝난 후 생성된 침전물을 여과하고 침전물을 클로로포름에 녹여 물로 씻어준 후, MgSO4로 건조한 후 농축시켰다. THF/EtOH 로 정제한 후 화합물 O(7.6g, 62%)을 얻었다.1,2,3,6,7,8-hexahydropyrene (7.0 g, 33.6 mmol) was dissolved in acetic acid (90 mL) under nitrogen atmosphere, Br2 (11.28 g, 70.5 mmol) was slowly added dropwise and the mixture was stirred at room temperature for 12 hours Allows stirring. After the reaction was completed, the resulting precipitate was filtered, the precipitate was dissolved in chloroform, washed with water, dried over MgSO 4 , and concentrated. After purification by THF / EtOH, Compound O (7.6 g, 62%) was obtained.

MS [M] = 366MS [M] = 366

<< 제조예Manufacturing example 16> 화합물  16> Compound P 의P 제조 Produce

질소 분위기 하에서 상기 제조예 15에서 합성한 화합물 O(2.32g, 6.9mmol)을 무수 톨루엔(60mL)에 녹이고, 테트라클로로-0-벤조퀴논(5.9g, 24.2mmol)을 넣은 후 24시간 동안 환류 교반을 해준다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 황산 마그네슘으로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼크로마토그래피로 정제한 후 화합물 P(0.75g, 30%)를 얻었다.(2.32 g, 6.9 mmol) synthesized in Preparation Example 15 was dissolved in anhydrous toluene (60 mL) and tetrachloro-0-benzoquinone (5.9 g, 24.2 mmol) was added thereto under nitrogen atmosphere. To do. After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature and the reaction mixture was poured into a mixture of THF and H 2 O. [ The organic layer was separated, dried over magnesium sulfate and concentrated. After purification by column chromatography, Compound P (0.75 g, 30%) was obtained.

MS [M] = 360MS [M] = 360

<< 실시예Example 1> 화합물 2의 제조 1> Preparation of Compound 2

질소 분위기 하에서 4,9-디브로모파이렌(3.0g, 8.5mmol), 화합물 F(3.45g, 20.4mmol), Pd(dba)2(0.097g, 0.17mmol), P(t-Bu)3(0.05g, 0.255mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(2.45g, 25.5mmol)를 톨루엔(100mL)에 넣고, 2시간 가량 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 MgSO4로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼크로마토그래피로 정제한 후 화합물 2(2.82g, 62%)을 얻었다.(3.0 g, 8.5 mmol), compound F (3.45 g, 20.4 mmol), Pd (dba) 2 (0.097 g, 0.17 mmol) and P (t-Bu) 3 (0.05 g, 0.255 mmol) and sodium t-butoxide (2.45 g, 25.5 mmol) were placed in toluene (100 mL) and refluxed for about 2 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature and the reaction mixture was poured into a mixture of THF and H 2 O. [ The organic layer was separated and concentrated layer was dried with MgSO 4. After purification by column chromatography, Compound 2 (2.82 g, 62%) was obtained.

MS [M] = 536MS [M] = 536

<< 실시예Example 2> 화합물 13의 제조 2> Preparation of Compound 13

질소 분위기 하에서 4,9-디브로모파이렌(3.0g, 8.5mmol), 화합물 J(3.55g, 20.4mmol), Pd(dba)2(0.097g, 0.17mmol), P(t-Bu)3(0.05g, 0.255mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(2.45g, 25.5mmol)를 톨루엔(100mL)에 넣고, 2시간 가량 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 MgSO4로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼크로마토그래피로 정제한 후 화합물 13(2.78g, 60%)을 얻었다.(3.0 g, 8.5 mmol), compound J (3.55 g, 20.4 mmol), Pd (dba) 2 (0.097 g, 0.17 mmol) and P (t-Bu) 3 (0.05 g, 0.255 mmol) and sodium t-butoxide (2.45 g, 25.5 mmol) were placed in toluene (100 mL) and refluxed for about 2 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature and the reaction mixture was poured into a mixture of THF and H 2 O. [ The organic layer was separated and concentrated layer was dried with MgSO 4. After purification by column chromatography, Compound 13 (2.78 g, 60%) was obtained.

MS [M] = 546MS [M] = 546

<< 실시예Example 3> 화합물 15의 제조 3> Preparation of Compound 15

질소 분위기 하에서 4,9-디브로모파이렌(3.0g, 8.5mmol), 화합물 E(4.91g, 20.4mmol), Pd(dba)2(0.097g, 0.17mmol), P(t-Bu)3(0.05g, 0.255mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(2.45g, 25.5mmol)를 톨루엔(100mL)에 넣고, 2시간 가량 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 MgSO4로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼크로마토그래피로 정제한 후 화합물 15(3.76g, 65%)을 얻었다.Under a nitrogen atmosphere 4,9- dibromo pyrene (3.0g, 8.5mmol), compound E (4.91g, 20.4mmol), Pd (dba) 2 (0.097g, 0.17mmol), P (t-Bu) 3 (0.05 g, 0.255 mmol) and sodium t-butoxide (2.45 g, 25.5 mmol) were placed in toluene (100 mL) and refluxed for about 2 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature and the reaction mixture was poured into a mixture of THF and H 2 O. [ The organic layer was separated and concentrated layer was dried with MgSO 4. After purification by column chromatography, Compound 15 (3.76 g, 65%) was obtained.

MS [M] = 680MS [M] = 680

<< 실시예Example 4> 화합물 16의 제조 4> Preparation of Compound 16

질소 분위기 하에서 4,9-디브로모파이렌(3.0g, 8.5mmol), 화합물 B(5.83g, 20.4mmol), Pd(dba)2(0.097g, 0.17mmol), P(t-Bu)3(0.05g, 0.255mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(2.45g, 25.5mmol)를 톨루엔(100mL)에 넣고, 2시간 가량 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 MgSO4로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼크로마토그래피로 정제한 후 화합물 16(4.06g, 62%)을 얻었다.(3.0 g, 8.5 mmol), compound B (5.83 g, 20.4 mmol), Pd (dba) 2 (0.097 g, 0.17 mmol) and P (t-Bu) 3 (0.05 g, 0.255 mmol) and sodium t-butoxide (2.45 g, 25.5 mmol) were placed in toluene (100 mL) and refluxed for about 2 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature and the reaction mixture was poured into a mixture of THF and H 2 O. [ The organic layer was separated and concentrated layer was dried with MgSO 4. After purification by column chromatography, Compound 16 (4.06 g, 62%) was obtained.

MS [M] = 770MS [M] = 770

<< 실시예Example 5> 화합물 18의 제조 5> Preparation of Compound 18

질소 분위기 하에서 4,9-디브로모파이렌(3.0g, 8.5mmol), 화합물 I(6.39g, 20.4mmol), Pd(dba)2(0.097g, 0.17mmol), P(t-Bu)3(0.05g, 0.255mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(2.45g, 25.5mmol)를 톨루엔(100mL)에 넣고, 2시간 가량 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 MgSO4로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼크로마토그래피로 정제한 후 화합물 18(4.34 g, 62%)을 얻었다.(3.0 g, 8.5 mmol), Compound I (6.39 g, 20.4 mmol), Pd (dba) 2 (0.097 g, 0.17 mmol), P (t-Bu) 3 (0.05 g, 0.255 mmol) and sodium t-butoxide (2.45 g, 25.5 mmol) were placed in toluene (100 mL) and refluxed for about 2 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature and the reaction mixture was poured into a mixture of THF and H 2 O. [ The organic layer was separated and concentrated layer was dried with MgSO 4. After purification by column chromatography, Compound 18 (4.34 g, 62%) was obtained.

MS [M] = 824MS [M] = 824

<< 실시예Example 6> 화합물 19의 제조 6> Preparation of Compound 19

질소 분위기 하에서 4,9-디브로모파이렌(3.0g, 8.5mmol), 화합물 H(5.43g, 20.4mmol), Pd(dba)2(0.097g, 0.17mmol), P(t-Bu)3(0.05g, 0.255mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(2.45g, 25.5mmol)를 톨루엔(100mL)에 넣고, 2시간 가량 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 MgSO4로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼크로마토그래피로 정제한 후 화합물 19(3.72g, 60%)을 얻었다.Under a nitrogen atmosphere 4,9- dibromo pyrene (3.0g, 8.5mmol), Compound H (5.43g, 20.4mmol), Pd (dba) 2 (0.097g, 0.17mmol), P (t-Bu) 3 (0.05 g, 0.255 mmol) and sodium t-butoxide (2.45 g, 25.5 mmol) were placed in toluene (100 mL) and refluxed for about 2 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature and the reaction mixture was poured into a mixture of THF and H 2 O. [ The organic layer was separated and concentrated layer was dried with MgSO 4. After purification by column chromatography, Compound 19 (3.72 g, 60%) was obtained.

MS [M] = 730MS [M] = 730

<< 실시예Example 7> 화합물 37의 제조 7> Preparation of Compound 37

질소 분위기 하에서 4,9-디브로모파이렌(3.0g, 8.5mmol), 화합물 N(4.06g, 20.4mmol), Pd(dba)2(0.097g, 0.17mmol), P(t-Bu)3(0.05g, 0.255mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(2.45g, 25.5mmol)를 톨루엔(100mL)에 넣고, 2시간 가량 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 MgSO4로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼크로마토그래피로 정제한 후 화합물 37(3.04g, 60%)을 얻었다.(3.0 g, 8.5 mmol), compound N (4.06 g, 20.4 mmol), Pd (dba) 2 (0.097 g, 0.17 mmol) and P (t-Bu) 3 (0.05 g, 0.255 mmol) and sodium t-butoxide (2.45 g, 25.5 mmol) were placed in toluene (100 mL) and refluxed for about 2 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature and the reaction mixture was poured into a mixture of THF and H 2 O. [ The organic layer was separated and concentrated layer was dried with MgSO 4. After purification by column chromatography, Compound 37 (3.04 g, 60%) was obtained.

MS [M] = 596MS [M] = 596

<< 실시예Example 8> 화합물 38의 제조 8> Preparation of Compound 38

질소 분위기 하에서 4,9-디브로모파이렌(3.0g, 8.5mmol), 화합물 C(6.94g, 20.4mmol), Pd(dba)2(0.097g, 0.17mmol), P(t-Bu)3(0.05g, 0.255mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(2.45g, 25.5mmol)를 톨루엔(100mL)에 넣고, 2시간 가량 환류시켰다. 반응 이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 MgSO4로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼크로마토그래피로 정제한 후 화합물 38(4.62g, 62%)을 얻었다.(3.0 g, 8.5 mmol), C (6.94 g, 20.4 mmol), Pd (dba) 2 (0.097 g, 0.17 mmol) and P (t-Bu) 3 (0.05 g, 0.255 mmol) and sodium t-butoxide (2.45 g, 25.5 mmol) were placed in toluene (100 mL) and refluxed for about 2 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature and the reaction mixture was poured into a mixture of THF and H 2 O. [ The organic layer was separated and concentrated layer was dried with MgSO 4. After purification by column chromatography, Compound 38 (4.62 g, 62%) was obtained.

MS [M] = 878MS [M] = 878

<< 실시예Example 9> 화합물 39의 제조 9> Preparation of Compound 39

질소 분위기 하에서 4,9-디브로모파이렌(3.0g, 8.5mmol), 화합물 C(3.65g, 20.4mmol), Pd(dba)2(0.097g, 0.17mmol), P(t-Bu)3(0.05g, 0.255mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(2.45g, 25.5mmol)를 톨루엔(100mL)에 넣고, 2시간 가량 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 MgSO4로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 화합물 39(3.07g, 65%)을 얻었다.(3.0 g, 8.5 mmol), compound C (3.65 g, 20.4 mmol), Pd (dba) 2 (0.097 g, 0.17 mmol) and P (t-Bu) 3 (0.05 g, 0.255 mmol) and sodium t-butoxide (2.45 g, 25.5 mmol) were placed in toluene (100 mL) and refluxed for about 2 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature and the reaction mixture was poured into a mixture of THF and H 2 O. [ The organic layer was separated and concentrated layer was dried with MgSO 4. After purification by column chromatography, Compound 39 (3.07 g, 65%) was obtained.

MS [M] = 556MS [M] = 556

<< 실시예Example 10> 화합물 40의 제조 10> Preparation of Compound 40

질소 분위기 하에서 4,9-디브로모파이렌(3.0g, 8.5mmol), 화합물 L(5.02g, 20.4mmol), Pd(dba)2(0.097g, 0.17mmol), P(t-Bu)3(0.05g, 0.255mmol) 및 소듐 t-부톡사이드(2.45g, 25.5mmol)를 톨루엔(100mL)에 넣고, 2시간 가량 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고 반응 혼합액을 THF와 H2O의 혼합액에 넣었다. 유기층을 층분리하고 MgSO4로 건조한 후 농축시켰다. 컬럼 크로마토그래피로 정제한 후 화합물 40(3.81g, 65%)을 얻었다.(3.0 g, 8.5 mmol), compound L (5.02 g, 20.4 mmol), Pd (dba) 2 (0.097 g, 0.17 mmol) and P (t-Bu) 3 (0.05 g, 0.255 mmol) and sodium t-butoxide (2.45 g, 25.5 mmol) were placed in toluene (100 mL) and refluxed for about 2 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature and the reaction mixture was poured into a mixture of THF and H 2 O. [ The organic layer was separated and concentrated layer was dried with MgSO 4. After purification by column chromatography, Compound 40 (3.81 g, 65%) was obtained.

MS [M] = 690MS [M] = 690

<< 실험예Experimental Example 1> 1>

ITO(인듐 주석 산화물)가 1,000Å 두께로 박막 코팅된 유리 기판(corning 7059 glass)을, 분산제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 분산제는 Fischer Co.의 제품을 사용하였으며, 증류수는 Millipore Co. 제품의 필터(Filter)로 2차 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후, 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올 용제 순서로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후, 플라즈마 세정기로 수송시켜 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.A glass substrate (corning 7059 glass) coated with ITO (indium tin oxide) at a thickness of 1,000 Å was immersed in distilled water containing a dispersing agent and washed with ultrasonic waves. The dispersing agent was a product of Fischer Co., and distilled water was supplied by Millipore Co. Distilled water, which was secondly filtered with a filter of the product, was used. After the ITO was washed for 30 minutes, ultrasonic washing was repeated 10 times with distilled water twice. After the distilled water was washed, the substrate was ultrasonically cleaned in the order of isopropyl alcohol, acetone, and methanol solvent, dried, and transported by a plasma cleaner. The substrate was cleaned using oxygen plasma for 5 minutes, and then the substrate was transported by a vacuum evaporator.

상기 ITO 전극 위에 3,6-비스-2-나프틸페닐아미노-N-[4-(2-나프틸페닐)아미노 페닐]카바졸(800Å) 및 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)(300Å)를 증착시켜 정공 주입층 및 정공 수송층을 형성하고, 상기 실시예 1 ~ 10에서 제조한 화합물 2, 10, 13, 15, 16, 18, 19, 37, 38, 39 또는 40(2 wt%)을 하기 화합물 Q와 함께(300Å) 증착시켜 발광층을 형성한 다음, 9,10-비스-2-나프틸-2-[4-(N-페닐벤조이미다조일)페닐] 안트라센(300Å)을 열 진공 증착하여 전자 수송층을 차례로 형성시켰다.Naphthylphenylamino-N- [4- (2-naphthylphenyl) aminophenyl] carbazole (800 Å) and 4,4'-bis [N- Naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPB) (300 ANGSTROM) were vapor deposited to form a hole injection layer and a hole transport layer. The compounds 2, 10, 13, 15, 16, 18, 19, 37, 38, 39 or 40 (2 wt%) was deposited (300 Å) with the following compound Q to form a light emitting layer and then 9,10- N-phenylbenzoimidazoyl) phenyl] anthracene (300 ANGSTROM) were thermally vacuum deposited to form an electron transporting layer.

상기 전자 수송층 위에 순차적으로 12Å 두께의 리튬 플루오라이드(LiF)와 2,000Å 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하고 유기 발광 소자를 제조하였 다.Lithium fluoride (LiF) having a thickness of 12 Å and aluminum having a thickness of 2,000 Å were sequentially deposited on the electron transporting layer to form a cathode, thereby preparing an organic light emitting device.

상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 ~ 0.7 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬 플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 × 10-7 ~ 5 × 10-8 torr를 유지하였다.The deposition rate of the organic material was maintained at 0.4 to 0.7 Å / sec, the lithium fluoride at the cathode was maintained at a deposition rate of 0.3 Å / sec, and the deposition rate of aluminum was maintained at 2 Å / sec. -7 to 5 x 10 &lt; -8 &gt; torr.

비교예 1에서는 상기 실시예에서 제조한 화합물 대신 하기 화합물 D1을 이용한 것을 제외하고는 상기 실험예와 동일하게 실시하였다.Comparative Example 1 was carried out in the same manner as in Experimental Example except for using the following compound D1 in place of the compound prepared in the above Example.

Figure 112009071909076-pat00007
Figure 112009071909076-pat00007

상기 실험에 따라 제조된 유기 전계 발광 소자에 대한 전압, 전류, 휘도 및 색 좌표 결과를 하기 표 1에 나타내었다.The voltage, current, luminance and color coordinate results for the organic EL device manufactured according to the above experiment are shown in Table 1 below.

Figure 112009071909076-pat00008
Figure 112009071909076-pat00008

도 1은 본 발명의 하나의 실시 상태에 따른 유기 발광 소자의 구조를 예시한 도이다.1 is a view illustrating the structure of an organic light emitting device according to one embodiment of the present invention.

Claims (10)

하기 화학식 1로 표시되는 디아민 유도체:A diamine derivative represented by the following formula (1): [화학식 1][Chemical Formula 1]
Figure 112014007922616-pat00009
Figure 112014007922616-pat00009
상기 화학식 1에서,In Formula 1, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소 원자, 중수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 ~ C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 C6 ~ C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 C3 ~ C25의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 ~ C20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C5 ~ C25의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6 ~ C20의 아릴 티오펜기, 치환 또는 비치환된 C5 ~ C20의 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C8 ~ C20의 아릴알케닐기, 치환 또는 비치환된 C5 ~ C20의 아릴아민기, -OR, -SR, -SeR, -TeR, -BRR', -AlRR', -SiRR'R", -GeRR'R", -SnRR'R", 또는 시아노기이고,Wherein R 1, R 2, R 3, R 4, R 5, R 6, R 7 and R 8 are the same or different from each other and each independently represents a hydrogen atom, a deuterium atom, a substituted or unsubstituted C 1 to C 20 alkyl group, C for 6 ~ C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted C1-C 3 ~ C 25 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 1 ~ C 20 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C 5 ~ C 25 aryl oxy group, an arylalkenyl group of substituted or unsubstituted C 6 ~ C 20 aryl thiophene group, a substituted or unsubstituted C 5 ~ C 20 heterocyclic group, a substituted or unsubstituted C 8 ~ C 20 of, substituted Or an unsubstituted C 5 -C 20 arylamine group, -OR, -SR, -SeR, -TeR, -BRR ', -AlRR', -SiRR'R ", -GeRR'R"Quot; or a cyano group, 상기 R, R' 및 R"는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, C1 ~ C20의 알킬기, C3 ~ C20의 시클로알킬기, C6 ~ C20의 아릴기 또는 C5 ~ C20의 헤테로고리기이며,Wherein R, R 'and R "are the same or different, and are each independently selected from hydrogen, and C 1 ~ C 20 alkyl group, C 3 ~ C 20 cycloalkyl group, C 6 ~ C 20 aryl group or a C 5 ~ C to each other Lt ; RTI ID = 0.0 &gt; Ar1, Ar2, Ar3 및 Ar4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 ~ C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 ~ C30의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C5 ~ C20의 헤테로고리기이며, 이들은 서로 인접하는 기와 고리를 형성할 수 있고,Ar 1, Ar 2, Ar 3 and Ar 4 are the same or different and each independently represents a substituted or unsubstituted C 1 to C 20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 to C 30 aryl group, 5 ~ C and a heterocyclic group of C 20, which may form a cyclic group which are adjacent to each other, Ar1 내지 Ar4가 아릴기인 경우, Ar1 및 Ar3은 니트릴기(-CN)로 치환된 C6 ~ C30의 아릴기이고, Ar2 및 Ar4는 치환 또는 비치환된 C6 ~ C30의 아릴기이다.When Ar 1 to Ar 4 are aryl groups, Ar 1 and Ar 3 are C 6 to C 30 aryl groups substituted with a nitrile group (-CN), and Ar 2 and Ar 4 are substituted or unsubstituted C 6 to C 30 aryl groups.
청구항 1에 있어서, 상기 C1 ~ C20의 알킬기는 메틸기, 에틸기 및 터셔리-부틸기로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 디아민 유도체.The diamine derivative according to claim 1, wherein the C 1 -C 20 alkyl group is selected from the group consisting of a methyl group, an ethyl group, and a tertiary-butyl group. 청구항 1에 있어서, 상기 C6 ~C30의 아릴기는 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기 및 플루오레닐기로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 디아민 유도체.The diamine derivative according to claim 1, wherein the C 6 -C 30 aryl group is selected from the group consisting of phenyl, biphenyl, naphthyl, phenanthrenyl and fluorenyl groups. 청구항 1에 있어서, 상기 C3 ~ C25의 시클로알킬기는 시클로펜틸기 또는 시클로헥실기인 것을 특징으로 하는 디아민 유도체.The diamine derivative according to claim 1, wherein the C 3 -C 25 cycloalkyl group is a cyclopentyl group or a cyclohexyl group. 청구항 1에 있어서, 상기 C5 ~ C20의 헤테로아릴기로는 카바졸릴기, 피리딜기, 퀴놀린기, 이소퀴놀린기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸기, 옥사졸릴기, 티아졸릴기 및 트리아진기로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 디아민 유도체.The heteroaryl group as set forth in claim 1, wherein the C 5 -C 20 heteroaryl group includes a carbazolyl group, a pyridyl group, a quinolinyl group, an isoquinoline group, a thiophenyl group, a furanyl group, an imidazole group, an oxazolyl group, a thiazolyl group, &Lt; / RTI &gt; or a pharmaceutically acceptable salt thereof. 청구항 1에 있어서, 상기 디아민 유도체는 하기 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 디아민 유도체:The diamine derivative according to claim 1, wherein the diamine derivative is selected from the group consisting of the following compounds:
Figure 112014007922616-pat00018
Figure 112014007922616-pat00018
Figure 112014007922616-pat00019
Figure 112014007922616-pat00019
Figure 112014007922616-pat00020
Figure 112014007922616-pat00020
삭제delete 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층은 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항의 화학식 1로 표시되는 디아민 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.1. An organic electronic device comprising a first electrode, a second electrode, and at least one organic compound layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein the organic compound layer is represented by Formula 1 of any one of Claims 1 to 6 Diamine derivative. &Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 11. &lt; / RTI &gt; 청구항 8에 있어서, 상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 주입층 및 전자 수송층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 층을 1 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.The organic electronic device according to claim 8, wherein the organic material layer comprises at least one layer selected from the group consisting of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron injection layer and an electron transport layer. 청구항 8에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 유기 발광 소자, 유기 태양 전지, 유기 감광체(OPC) 및 유기 트랜지스터로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.The organic electronic device according to claim 8, wherein the organic electronic device is selected from the group consisting of an organic light emitting device, an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC), and an organic transistor.
KR1020090113535A 2009-11-23 2009-11-23 New diamine derivatives, preparation method thereof and organic electronic device using the same KR101408514B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090113535A KR101408514B1 (en) 2009-11-23 2009-11-23 New diamine derivatives, preparation method thereof and organic electronic device using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090113535A KR101408514B1 (en) 2009-11-23 2009-11-23 New diamine derivatives, preparation method thereof and organic electronic device using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110057008A KR20110057008A (en) 2011-05-31
KR101408514B1 true KR101408514B1 (en) 2014-06-17

Family

ID=44365285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090113535A KR101408514B1 (en) 2009-11-23 2009-11-23 New diamine derivatives, preparation method thereof and organic electronic device using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101408514B1 (en)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102126087B1 (en) 2011-10-11 2020-06-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and pyrene-based compound
JP6005925B2 (en) 2011-11-18 2016-10-12 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, COMPOUND USED FOR THE ELEMENT, LIGHT EMITTING DEVICE, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE USING THE ELEMENT
KR102031678B1 (en) 2014-09-19 2019-10-14 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 Novel compound
KR102331598B1 (en) 2015-03-23 2021-11-26 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode and organic light emitting display device including the same
KR102511544B1 (en) 2015-11-20 2023-03-17 삼성디스플레이 주식회사 Opto-electronic element and method for manufacturing the same
CN107162916B (en) * 2017-05-05 2020-04-17 吉林奥来德光电材料股份有限公司 Organic electroluminescent material, preparation method thereof and organic electroluminescent device
CN112912365B (en) * 2018-12-18 2023-09-12 株式会社Lg化学 Polycyclic compound and organic light emitting device including the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070096917A (en) * 2006-03-23 2007-10-02 주식회사 엘지화학 New diamine derivatives, preparation method thereof and organic electronic device using the same
WO2009008357A1 (en) * 2007-07-07 2009-01-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic el device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070096917A (en) * 2006-03-23 2007-10-02 주식회사 엘지화학 New diamine derivatives, preparation method thereof and organic electronic device using the same
WO2009008357A1 (en) * 2007-07-07 2009-01-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic el device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110057008A (en) 2011-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100877876B1 (en) New diamine derivatives, preparation method thereof and organic electronic device using the same
KR101219481B1 (en) Compound Containing Heterocyclic 5-Membered Ring Derivative Condensed Aryl Ring And Organic Electronic Element Using The Same, Terminal Thereof
KR101408515B1 (en) New compounds and organic electronic device using the same
JP5497045B2 (en) Novel anthracene derivative and organic electronic device using the same
KR101826730B1 (en) Compound for organic electronic element, organic electronic element using the same, and a electronic device thereof
KR101356941B1 (en) New compounds and organic electronic device using the same
KR100989467B1 (en) New fluorene derivatives and organic electronic device using the same
KR100864154B1 (en) New anthracene derivatives, preparation method thereof and organic electronic device using the same
KR101314383B1 (en) New compounds and organic electronic device using the same
KR101132462B1 (en) New anthracene derivatives and organic electronic device using the same
JP2012521418A (en) Organic electric device and its compound, terminal
KR20100112903A (en) New compounds and organic electronic device using the same
KR101408632B1 (en) New compounds and organic electronic device using the same
KR101408514B1 (en) New diamine derivatives, preparation method thereof and organic electronic device using the same
KR20110103141A (en) Compound containing indoloacridine and organic electronic element using the same, terminal thereof
KR20100056398A (en) New chrysene derivatives and organic electronic diode using the same
KR101625284B1 (en) Aromatic compounds and organic electronic device using the same
KR101380008B1 (en) New anthracene derivatives and organic electronic device using the same
KR101405736B1 (en) New anthracene derivatives and organic electronic device using the same
KR101295492B1 (en) New anthracene derivatives and organic light emitting diode using the same
KR101550523B1 (en) New compounds and organic electronic device using the same
KR20110131155A (en) New dithienopyrrole derivatives and organic electronic diode using the same
KR101895949B1 (en) Compound for organic electronic element, organic electronic element using the same, and a electronic device thereof
KR101182560B1 (en) New dithienopyrrole derivatives and organic electronic diode using the same
KR101273057B1 (en) New anthracene derivatives and organic electronic device using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170328

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180418

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190401

Year of fee payment: 6