KR101407395B1 - Reflector for ingot growth device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 잉곳 성장장치의 리플렉터에 관한 것으로, 원통형의 이너와 아우터 및 아우터 하부에 결합되어 상기 이너의 하단을 지지하는 아우터링을 포함하는 잉곳 성장장치의 리플렉터에 있어서, 상기 아우터링은, 적어도 2분할 이상으로 분할되는 분할부들을 포함하며, 상하로 공기의 유동을 방지하기 위하여 상기 분할부들의 상호 결합되는 부분은 상하로 중첩된다. 본 발명은 아우터링을 분할된 구조로 함과 아울러 각 분할 부분에 상하 통공 및 상하 통공을 덮는 덮개를 포함하는 구조로 하여, 잉곳 성장시 열에 의하여 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to a reflector of an ingot growing apparatus, comprising: a cylindrical inner, an outer and an outer ring, and an outer ring coupled to a lower portion of the outer and supporting the lower end of the inner, And the divided parts are divided into upper and lower parts so as to prevent the air from flowing up and down. The present invention has a structure in which the outer ring has a divided structure, and includes a cover covering upper and lower holes and upper and lower through-holes in each divided portion, thereby preventing cracks from being generated due to heat during ingot growth.

Description

잉곳 성장장치의 리플렉터{Reflector for ingot growth device}Reflector for ingot growth device < RTI ID = 0.0 >

본 발명은 잉곳 성장장치의 리플렉터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 아우터 링의 손상을 방지할 수 있는 잉곳 성장장치의 리플렉터에 관한 것이다.
The present invention relates to a reflector of an ingot growing apparatus, and more particularly to a reflector of an ingot growing apparatus capable of preventing damage to an outer ring.

일반적으로 실리콘 기판이나 사파이어 기판을 제조하는 방법으로 실리콘 또는 사파이어 용융물의 표면에 단결정 시드(seed)를 접촉시킨 상태에서, 그 시드를 상방으로 회전 인상하여 실리콘 또는 사파이어 잉곳(ingot)을 성장시키는 방법이 사용되고 있다.
In general, a method of growing a silicon or sapphire ingot by rotating a seed in a state in which a single crystal seed is in contact with the surface of a silicon or sapphire melt by rotating the seed upwardly by a method of manufacturing a silicon substrate or a sapphire substrate .

이러한 잉곳 성장장치에는 성장되는 잉곳의 단열을 위하여 그 잉곳이 상향으로 통과하는 상하 통공이 마련된 리플렉터(reflector)를 사용하고 있다. 리플렉터는 열차폐를 위한 부품으로 경우에 따라서는 선행 출원 문헌들에서는 열차폐수단으로 기재된 경우가 있다. 이러한 리플렉터는 몰리브덴이 함유된 합금 등을 사용하여 제작될 수 있다.In order to insulate the ingot to be grown, a reflector having upper and lower through holes through which the ingot passes upward is used in such an ingot growing apparatus. The reflector is a component for heat dissipation. In some cases, the reflector may be described as a train wastewater stage in the prior application documents. Such a reflector can be manufactured using an alloy containing molybdenum or the like.

이러한 리플렉터 또는 열차폐수단에 대하여 언급된 선행기술들은 매우 많으며 대표적으로 잉곳 성장장치에 설치된 상태를 확인할 수 있는 선행기술로서 공개특허 10-2011-0093341호를 예로 들 수 있다. 공개특허 10-2011-0093341호에는 잉곳 성장장치에서 열차폐수단이 용융물에 근접한 위치에서부터 상향으로 마련되어 있으며, 그 열차폐수단의 중앙통공을 통해 상향으로 잉곳을 성장시키는 예를 구체적으로 도시하고 있다.
The prior art mentioned above regarding the reflector or the train wastewater stage is very many and is exemplified as a prior art which can represent the state of being installed in the ingot growing apparatus. The patent document 10-2011-0093341 specifically shows an example of the ingot growing apparatus in which the end of the train wastewater is provided upward from the position close to the melt and the ingot is grown upward through the central through hole of the end of the train wastewater.

그러나 위의 공개특허 10-2011-0093341호를 비롯하여 공개된 문헌에는 리플렉터가 아우터와 이너로 분리된 것으로 도시하고 설명하고 있다. 아우터와 이너 각각은 일체의 형상을 가지는 것이나, 아우터의 하부에 링을 별도로 설치하는 구조도 있다.
However, in the above-described publication including the patent document 10-2011-0093341, the reflector is shown as being separated into an outer and an inner. Each of the outer and inner members may have an integral shape, but a ring may be separately provided at the lower portion of the outer member.

상기와 같은 형상의 종래 리플렉터는 잉곳의 성장공정이 진행되면서 규소화가 진행되며, 높은 온도의 영향으로 크랙이 발생하게 된다. 이러한 규소화 및 크랙의 발생은 주로 외면을 이루는 아우터 또는 아우터 하부의 링에 발생하게 되며, 크랙의 일부가 박리되어 리플렉터 하부의 용융물에 낙하 될 수 있다.In the conventional reflector having the above-described shape, the siliconization proceeds as the ingot growth process proceeds, and cracks are generated due to the influence of the high temperature. The occurrence of such silicification and cracking occurs mainly in the ring of the outer or outer portion which forms the outer surface, and a part of the crack may be peeled off and fall on the melted material in the lower portion of the reflector.

상기와 같이 리플렉터에 크랙이 발생하여, 리플렉터의 일부가 잉곳 성장을 위한 용융물에 투입되는 경우, 불순물로 작용하여 잉곳의 수율을 저하시키는 문제점이 있었다.As described above, when a crack occurs in the reflector and a part of the reflector is injected into the melt for ingot growth, there is a problem that the yield of the ingot is lowered by acting as an impurity.

또한 크랙의 발생에 의하여 열차폐의 기능이 저하되어 불량이 발생할 수 있는 문제점이 있었다.
In addition, there is a problem that the function of the heat shield is deteriorated due to the occurrence of cracks, thereby causing defects.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 과제는, 아우터 링에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있는 잉곳 성장장치의 리플렉터를 제공함에 있다.
In order to solve the above problems, the present invention provides a reflector of an ingot growing apparatus capable of preventing cracks from occurring in an outer ring.

상기와 같은 과제를 달성하기 위한 본 발명 잉곳 성장장치의 리플렉터는, 원통형의 이너와 아우터 및 아우터 하부에 결합되어 상기 이너의 하단을 지지하는 아우터링을 포함하는 잉곳 성장장치의 리플렉터에 있어서, 상기 아우터링은, 적어도 2분할 이상으로 분할되는 분할부들을 포함하며, 상하로 공기의 유동을 방지하기 위하여 상기 분할부들의 상호 결합되는 부분은 상하로 중첩되도록 구성된다.
In order to achieve the above object, according to the present invention, there is provided a reflector of an ingot growing apparatus including a cylindrical inner and outer and an outer ring coupled to a lower portion of the outer and supporting the lower end of the inner, The ring includes dividing portions divided into at least two or more divisions, and the mutually coupled portions of the dividing portions are vertically overlapped to prevent the air from flowing up and down.

본 발명은, 아우터링을 분할된 구조로 함과 아울러 각 분할 부분에 상하 통공 및 상하 통공을 덮는 덮개를 포함하는 구조로 하여, 잉곳 성장시 열에 의하여 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
The present invention has a structure in which the outer ring has a divided structure and includes a lid covering upper and lower through-holes and upper and lower through-holes in each divided portion, thereby preventing cracks from being generated by heat during ingot growth .

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 잉곳 성장장치의 리플렉터 아우터의 분리 사시도이다.
도 2는 도 1에서 아우터 링의 결합상태 일부 단면도이다.
도 3은 도 1에서 아우터 링의 다른 실시예의 구성도이다.1 is an exploded perspective view of a reflector outer of an ingot growing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a partial sectional view of the outer ring in the engaged state in FIG.
Fig. 3 is a configuration diagram of another embodiment of the outer ring in Fig. 1. Fig.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 잉곳 성장장치 리플렉터의 구성을 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the structure of a reflector of an ingot growing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 잉곳 성장장치 리플렉터 아우터의 분리 사시도이고, 도 2는 도 1에서 아우터 링의 결합상태 일부 단면도이다.FIG. 1 is an exploded perspective view of a reflector outer of an ingot growing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a partial sectional view of the outer ring in a coupled state in FIG.

도 1과 도 2를 각각 참조하면 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 잉곳 성장장치의 리플렉터는, 잉곳 성장장치의 안착부(도면 미도시)에 안착될 수 있도록 상단에서 외측으로 돌출된 상부단(210)을 포함하는 원통형의 아우터(200)와, 상기 상부 아우터(200)의 내측 하단에서 돌출되는 하부단(220) 상에 올려져 상기 아우터(200)와 함께 리플렉터의 외형을 이루는 아우터링(300)과, 상기 아우터링(300)의 상부에 하부측이 지지되며, 상기 아우터(200)의 내측에 삽입되어 아우터(200)와의 사이에서 단열재(도면 미도시) 충진 공간을 제공하는 이너(100)를 포함하여 구성된다.
Referring to FIGS. 1 and 2, the reflector of the ingot growing apparatus according to the preferred embodiment of the present invention includes an upper end 210 protruding outward from the upper end so as to be seated in a seating portion (not shown) And an outer ring 300 which is raised on a lower end 220 protruding from an inner lower end of the upper outer 200 to form an outer shape of the reflector together with the outer 200. The outer ring 200, And an inner part 100 which is supported on the upper side of the outer ring 300 and inserted inside the outer part 200 to provide a space for filling a heat insulating material (not shown) with the outer part 200 .

상기 아우터링(300)은 적어도 2분할 되어 상호 수평 상태에서 결합되어 링형상을 이루는 제1분할부(310) 및 제2분할부(320)를 포함한다.The outer ring 300 includes a first divided portion 310 and a second divided portion 320 which are divided into at least two portions and coupled with each other in a horizontal state to form a ring shape.

상기 제1분할부(310)와 제2분할부(320)는 각각이 접하는 부분에서 외측으로의 노출을 방지하기 위하여 상호 반대 형상의 결합단턱부(311,321)를 구비하고 있으며, 내측 가장자리에는 상기 이너(100)의 내측에 삽입 결합되는 상부 돌출단(312,322)과, 상기 아우터(200)의 하부단(220)에 걸쳐질 수 있도록 저면 외측 가장자리에 마련된 오목단턱부(313,323)를 포함하여 구성된다.
The first divided portion 310 and the second divided portion 320 are provided with coupling step jaws 311 and 321 which are mutually opposite in order to prevent exposure to the outside in the portion where the first divided portion 310 and the second divided portion 320 are in contact with each other, And upper and lower protruding ends 313 and 323 formed on the outer edge of the bottom surface of the outer case 200 so as to extend over the lower end 220 of the outer case 200.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 잉곳 성장장치의 리플렉터의 구성과 작용을 보다 상세하게 설명한다.
Hereinafter, the structure and operation of the reflector of the ingot growing apparatus according to the preferred embodiment of the present invention will be described in more detail.

먼저, 아우터(200)는 원통형의 구조이며, 상부측에는 잉곳 성장장치의 내에 마련된 링 형상의 안착부 상에 걸쳐질 수 있도록 외측으로 돌출되는 상부단(210)이 마련되어 있으며, 하부측에는 상기 아우터링(300)을 수용하기 위하여 내측으로 돌출되는 하부단(220)을 포함하는 형상이다.
First, the outer member 200 has a cylindrical structure, and an upper end 210 protruding outwardly is formed on the ring-shaped seating portion provided in the ingot growing apparatus. And a lower end 220 protruding inwardly to receive the upper and lower plates 300 and 300.

상기 아우터(200)의 하부단(220)의 상부에 아우터링(300)이 올려지며, 그 아우터링(330)의 상부에 접하도록 원통형의 이너(100)가 상기 아우터(200)의 내측에 삽입되며, 상기 아우터(200)와 이너(100) 사이에 단열재가 충진 된다.
An outer ring 300 is mounted on an upper portion of a lower end 220 of the outer 200 and a cylindrical inner 100 is inserted into the outer portion of the outer ring 200 so as to contact the upper portion of the outer ring 330. [ And the insulating material is filled between the outer 200 and the inner 100.

상기 아우터링(300)은 좌우로 적어도 제1분할부(310)와 제2분할부(320)로 2분할 되어 표면의 규소화와 팽창계수의 차이에 의한 크랙 발생이 완화된다. 이때 제1분할부(310)와 제2분할부(320)는 실질적으로 분할된 구조이기는 하지만, 열차폐 성능의 저하를 방지하기 위하여 각각이 접하는 부분에서 결합단턱부(311,321)가 마련되어 있다.The outer ring 300 is divided into at least a first divided portion 310 and a second divided portion 320 in the left and right directions to reduce the occurrence of cracks due to the difference in the surface sizing and the expansion coefficient. At this time, although the first divided portion 310 and the second divided portion 320 have a substantially divided structure, in order to prevent deterioration of the heat shielding performance, the coupling stepped portions 311 and 321 are provided at the portions where the first and second divided portions 310 and 320 contact each other.

상기 제1분할부(310)의 결합단턱부(311)는 상부측이 돌출된 구조이며, 제2분할부(320)의 결합단턱부(321)는 하부측이 돌출된 구조로서, 각각의 돌출된 부분이 교차하도록 결합됨과 아울러 돌출된 부분의 하부와 상부가 서로 접하여 열차폐 성능의 저하를 방지할 수 있게 된다.The coupling end step portion 311 of the first division portion 310 has a structure in which the upper side is protruded and the coupling end step portion 321 of the second division portion 320 has a structure in which the lower side is protruded, And the lower portion and the upper portion of the protruded portion are brought into contact with each other, thereby preventing deterioration of the heat shielding performance.

이때 제1분할부(310)의 결합단턱부(311) 돌출부분의 끝단은 제2분할부(320)의 결합단턱부(321)의 돌출되지 않은 부분에 접하지 않으며, 역시 제2분할부(320)의 결합단턱부(321)의 돌출된 부분의 끝단은 제1분할부(310)의 결합단턱부(311)에 접하지 않은 상태가 되는 것이 바람직하다.
At this time, the end of the protruded portion of the coupling step jaw portion 311 of the first divided portion 310 is not in contact with the protruded portion of the coupling stepped portion 321 of the second divided portion 320, It is preferable that the end of the protruded portion of the coupling step portion 321 of the first split portion 320 is not in contact with the coupling step portion 311 of the first split portion 310.

상기 제1분할부(310)와 제2분할부(320)의 내측 가장자리에는 상기 이너(100)의 하단 내측에 삽입되어 이너(100)가 유동되지 않도록 하는 상부 돌출단(312,322)이 각각 마련되어 있으며, 저면 외측 가장자리에는 오목단턱부(313,323)가 마련되어 아우터(200)의 하부단(220)에 결합되도록 한다.
The inner edge of the first divided portion 310 and the second divided portion 320 are respectively provided with upper protruding ends 312 and 322 which are inserted into the lower end of the inner portion 100 to prevent the inner portion 100 from flowing And concave step portions 313 and 323 are provided on the outer edge of the bottom surface to be coupled to the lower end 220 of the outer 200.

이와 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 잉곳 성장장치의 리플렉터는 아우터링(300)을 분할된 구조로 하여, 크랙이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 또한 아우터링(300)을 분할하되 상하로 공기가 순환할 수 없도록 제1분할부(310)와 제2분할부(320)의 결합단턱부(311,321)가 상하로 중첩되도록 구성하여 열차폐 성능의 저하를 방지하게 된다.
As described above, the reflector of the ingot growing apparatus according to the preferred embodiment of the present invention has a structure in which the outer ring 300 is divided, thereby preventing occurrence of cracks. In addition, the outer ring 300 is divided so that the coupling stepped portions 311 and 321 of the first divided portion 310 and the second divided portion 320 are vertically overlapped so that air can not be circulated up and down, Thereby preventing degradation.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 아우터링의 구성도이다.3 is a configuration diagram of an outer ring according to another embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면 본 발명의 다른 실시에에 따른 아우터링(300)은 제1분할부(310)와 제2분할부(320)로 분할되되, 제1분할부(310)와 제2분할부(320) 각각에 상하 통공(314,324)을 마련하고, 그 상하 통공(314,324)을 덮는 덮개부(315,325)를 포함하여 구성된다.
Referring to FIG. 3, the outer ring 300 according to another embodiment of the present invention is divided into a first divided portion 310 and a second divided portion 320, and the first divided portion 310 and the second divided portion 320 And lid portions 315 and 325 which are provided with upper and lower through holes 314 and 324 and cover the upper and lower holes 314 and 324, respectively.

상기 상하 통공(314,324)은 제1분할부(310)와 제2분할부(320)의 외측면에서 내측으로 절개된 것일 수 있으며, 덮개(315,325)가 덮였을 때 덮개(315,325)의 상하면이 제1분할부(310) 및 제2분할부(320) 각각의 상부면과 하부면과 일치하게 된다.The upper and lower holes 314 and 324 may be inwardly cut from the outer surfaces of the first and second split portions 310 and 320. When the lids 315 and 325 are covered, And is coincident with the upper surface and the lower surface of each of the first division portion 310 and the second division portion 320.

즉, 덮개(315,325)의 측면 상부에서 돌출되는 돌출부가 마련되며, 상하 통공(314,324)의 내측면은 하부에 돌출부가 마련되어 양측의 돌출부의 저면과 상면이 서로 접하여 열차폐가 가능하게 된다. 덮개(315,325)의 돌출부 끝단이 상하 통공(314,324)의 측면에 접하지 않도록 하여 열팽창에 따른 크랙 발생을 더욱 방지할 수 있다.
In other words, protrusions protruding from upper side surfaces of the lids 315 and 325 are provided, and the inner side surfaces of the upper and lower through holes 314 and 324 are provided with protrusions on the lower side so that the bottom surface and the upper surface of the protrusions on both sides come into contact with each other. The ends of the protrusions of the covers 315 and 325 do not contact the side surfaces of the upper and lower holes 314 and 324 to further prevent cracks from being generated due to thermal expansion.

전술한 바와 같이 본 발명에 대하여 바람직한 실시예를 들어 상세히 설명하였지만, 본 발명은 전술한 실시예들에 한정되는 것이 아니고, 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명에 속한다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, And this also belongs to the present invention.

100:이너 200:아우터
210:상부단 220:하부단
300:아우터링 310:제1분할부
320:제2분할부 311,321:결합단턱부
312,322:상부 돌출단 313,323:오목단턱부
314,324:상하 통공 315,325:덮개100: Inner 200: Outer
210: upper end 220: lower end
300: outer ring 310: first division
320: second divided portion 311, 321:
312, 322: upper protruding end 313, 323: concave end jaw
314, 324: upper and lower holes 315, 325:

Claims (4)

원통형의 이너와 아우터 및 아우터 하부에 결합되어 상기 이너의 하단을 지지하는 아우터링을 포함하는 잉곳 성장장치의 리플렉터에 있어서,
상기 아우터링은,
적어도 2분할 이상으로 분할되는 분할부들을 포함하며, 상하로 공기의 유동을 방지하기 위하여 상기 분할부들의 상호 결합되는 부분은 상하로 중첩되고,
상기 분할부들 각각에는 상하 통공이 마련되어 있으며, 상기 상하 통공을 덮는 덮개부를 포함하는 것을 특징으로 하는 잉곳 성장장치의 리플렉터.
1. A reflector of an ingot growing apparatus, comprising: a cylindrical inner and outer rings; and an outer ring coupled to a lower portion of the outer and supporting the lower ends of the inner,
Wherein the outer ring comprises:
Wherein at least two of the divided parts are vertically overlapped with each other to prevent the air from flowing upward and downward,
Wherein each of the dividing portions includes an upper and lower through-holes, and a lid portion covering the upper and lower through-holes.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 분할부들이 상호 결합되는 부분에는 상호 상하 접촉되는 돌출부가 마련되어 있으며, 상기 돌출부의 끝단은 상대 분할부에 접촉되지 않는 것을 특징으로 하는 잉곳 성장장치의 리플렉터.
The method according to claim 1,
Wherein the protrusions are in contact with each other at portions where the divided portions are mutually coupled, and the ends of the protrusions are not in contact with the counterparts.
제1항에 있어서,
상기 상하 통공의 내측 하부에 돌출부가 마련되어 있으며, 상기 덮개는 측면 상부에 돌출부가 마련되어, 상기 덮개의 돌출부의 저면과 상기 상하 통공의 돌출부 상부가 접하고,
상기 덮개의 돌출부 끝단은 상기 상하 통공의 내측면에 접하지 않으며, 상기 상하 통공의 하부에 마련된 돌출부의 끝단은 덮개의 측면에 접하지 않는 것을 특징으로 하는 잉곳 성장장치의 리플렉터.
The method according to claim 1,
Wherein the lid has a protruding portion on an upper side of the lid, the bottom surface of the protrusion of the lid is in contact with the upper portion of the protrusion of the upper and lower holes,
Wherein the end of the projection of the lid is not in contact with the inner surface of the upper and lower holes and the end of the projection provided in the lower portion of the upper and lower holes is not in contact with the side of the lid.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101691306B1 (en) * 2015-10-20 2016-12-30 주식회사 티씨케이 Top ring for ingot growth device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007254162A (en) 2006-03-20 2007-10-04 Toshiba Ceramics Co Ltd Single crystal manufacturing device and recharge method
KR20070119738A (en) * 2005-06-20 2007-12-20 가부시키가이샤 사무코 Method of growing silicon single crystal and silicon single crystal grown by the method
KR20110099481A (en) * 2010-03-02 2011-09-08 주식회사 엘지실트론 Single crystal cooling apparatus and single crystal grower including the same
KR20120043813A (en) * 2010-10-27 2012-05-07 주식회사 티씨케이 Heat shield structure for silicon ingot grower

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070119738A (en) * 2005-06-20 2007-12-20 가부시키가이샤 사무코 Method of growing silicon single crystal and silicon single crystal grown by the method
JP2007254162A (en) 2006-03-20 2007-10-04 Toshiba Ceramics Co Ltd Single crystal manufacturing device and recharge method
KR20110099481A (en) * 2010-03-02 2011-09-08 주식회사 엘지실트론 Single crystal cooling apparatus and single crystal grower including the same
KR20120043813A (en) * 2010-10-27 2012-05-07 주식회사 티씨케이 Heat shield structure for silicon ingot grower

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