KR101391744B1 - 탄소나노튜브―나노와이어 복합구조인 광센서의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 탄소나노튜브―나노와이어 복합구조인 광센서의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 기둥 형태의 지지체를 탄소나노튜브 분산액에 침지시켜 탄소나노튜브로 코팅하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 탄소나노튜브가 코팅된 지지체에 촉매층을 증착하는 단계(단계 2); 상기 단계 2에서 증착된 촉매층 상에 반도체 나노와이어를 성장시키는 단계(단계 3); 및 상기 단계 3에서 나노와이어가 성장된 지지체의 양 말단부에 전극을 형성시키는 단계(단계 4)를 포함하는 탄소나노튜브-나노와이어 복합구조인 광센서의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 탄소나노튜브―나노와이어 복합구조인 광센서의 제조방법은 탄소나노튜브를 용액공정을 통해 코팅함에 따라 그 구조가 복잡한 3차원 구조의 기판 상에 광센서를 간단히 제조할 수 있는 효과가 있다. 또한, 탄소나노튜브 자체의 높은 전자전달속도로 인하여, 광센서에서 빛이 없어질 경우 광전류의 소멸 속도를 빠르게하여 높은 응답속도를 나타내는 광센서를 제조할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 발명은 탄소나노튜브―나노와이어 복합구조인 광센서의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 광센서에 관한 것으로, 상세하게는 탄소나노튜브상에 나노와이어가 형성된 구조인 광센서의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 광센서에 관한 것이다.
광센서란 흡수된 광자에 의해 소자를 이루는 물질 내에 전자(electron), 홀(hole)과 같은 운반체(carrier)가 발생되며, 이러한 운반체의 흐름에 의해 전류가 발생하여 광전력을 측정하거나 광전 스위치로 사용되는 것을 의미한다.
한편, 종래의 광센서는 광전류밀도가 낮고 제작시 소스와 드레인 전극을 필요로 하는 등 복잡한 제작공정을 거쳐야 하며, 유기물 광센서의 경우에는 감응속도가 낮다는 문제점이 있었다. 이에, 최근에는 광센서의 감도 및 감응속도를 향상시키기 위하여, 나노와이어 또는 양자점 등을 이용한 광센서에 대한 연구가 진행되고 있다.
한편, 고감도의 광전 특성과 정밀하게 제어된 광 특성을 갖는 반도체 나노 구조체 기반의 광센서를 제조함에 있어서, 황화카드뮴(CdS)과 셀렌화카드뮴(CdSe)은 1.7 eV (730 nm)에서 2.4 eV (506 nm) 범위의 가시광 대역의 밴드갭을 가져 광전소자로서의 개발에 많은 이점이 있는 것으로 알려져 있다. 또한, 상기 황화카드뮴과 셀렌화카드뮴은 비교적 쉬운 공정으로 제조할 수 있고, 2성분계로 구성된 두 물질(CdS, CdSe)을 혼합하여 고용체를 형성하는 경우에는 고용체의 에너지 밴드갭을 용이하게 변조할 수 있어 재료의 선택성 측면에서 매우 유효하게 활용될 수 있다. 이에 따라, 상기 황화카드뮴과 셀렌화카드뮴은 광전소자용 나노 구조체로서 일반적으로 사용되고 있다.
상기한 바와 같은 나노와이어 기반의 광센서 소자를 제조하는 종래의 제조방법에서는 나노와이어를 전극에 부착하는 데에 있어서 고비용의 전자빔 리소그래피(e-beam lithography) 등의 기법이 사용되어야 하며, 더욱이 개별 나노와이어에 대하여 일일이 전극 부착 작업을 해주어야 한다. 또한 반도체 나노와이어에 기반한 광센서들, 특히 황화 카드뮴을 이용한 광센서는 늦은 광응답(photoresponse)과 광회복(photorecovery)을 나타내는 문제가 있었다. 이에 따라 나노와이어를 이용한 실용화된 광센서는 거의 개발되지 못하고 있는 실정이다.
한편, 대한민국 공개특허 제10-2009-0109980호에서는 가시광 대역 반도체 나노선 광센서 및 이의 제조 방법이 개시된 바 있으며, 상기 나노선 광센서는 적어도 상부가 절연체로 된 기판; 상기 기판상에 소정 간격으로 분리되어 형성된 두 전극; 상기 각 전극 상에 형성된 금속 촉매층; 및 상기 각 전극 상의 금속 촉매층으로부터 성장된 가시광 대역 반도체 나노선들;을 포함하고, 상기 두 전극의 금속 촉매층 위에 성장된 양측의 반도체 나노선들이 상기 두 전극 사이에서 상기 기판과 이격되게 부양된 상태로 양측 상호간에 서로 접촉되는 구조로 연결되어 있어 광센서의 제조 공정을 단순화할 수 있는 효과가 있음이 개시되어 있다. 아울러, 반도체 나노선이 전극들 사이에서 공중에 들떠 있는 상태로 배열됨에 따라 높은 감도와 빠른 응답속도를 확보할 수 있는 효과가 있음이 개시되어 있다.
그러나, 상기 선행특허는 높은 감도와 빠른 응답속도를 확보할 수 있는 반면, 복잡한 구조인 기판상으로는 광센서를 제조하기 어려운 문제가 있다.
이에, 본 발명자들은 빠른 응답속도를 확보할 수 있는 광센서를 구조가 복잡한 기판상에도 용이하게 제조할 수 있는 방법을 연구하던 중, 기판으로 사용될 지지체를 탄소나노튜브 분산액에 침지시켜 탄소나노튜브를 코팅한 후 탄소나노튜브 상에 광센서를 제조함으로써 빠른 응답속도를 나타내는 3차원 구조의 광센서를 쉽게 제조할 수 있는 방법을 개발하고 본 발명을 완성하였다.
본 발명의 목적은 탄소나노튜브―나노와이어 복합구조인 광센서의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 광센서를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은
기둥 형태의 지지체를 탄소나노튜브 분산액에 침지시켜 탄소나노튜브로 코팅하는 단계(단계 1);
상기 단계 1에서 탄소나노튜브가 코팅된 지지체에 촉매층을 증착하는 단계(단계 2);
상기 단계 2에서 증착된 촉매층 상에 반도체 나노와이어를 성장시키는 단계(단계 3); 및
상기 단계 3에서 나노와이어가 성장된 지지체의 양 말단부에 전극을 형성시키는 단계(단계 4)를 포함하는 탄소나노튜브-나노와이어 복합구조인 광센서의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은
상기 제조방법에 의해 제조되어, 기둥 형태의 지지체 상에 형성된 탄소나노튜브-나노와이어 복합구조인 광센서를 제공한다.
본 발명에 따른 탄소나노튜브―나노와이어 복합구조인 광센서의 제조방법은 탄소나노튜브를 용액공정을 통해 코팅함에 따라 그 구조가 복잡한 3차원 구조의 기판 상에 광센서를 간단히 제조할 수 있는 효과가 있다. 또한, 탄소나노튜브 자체의 높은 전자전달속도로 인하여, 광센서에서 빛이 없어질 경우 광전류의 소멸 속도를 빠르게하여 높은 응답속도를 나타내는 광센서를 제조할 수 있는 효과가 있다.
나아가, 본 발명에 따라 제조된 탄소나노튜브-나노와이어 광센서는 일반적인 반도체 나노와이어 광센서와 비교하여 빛에 대한 민감도가 매우 뛰어나며, 이에 따라 광센서에 빛을 가하여 주었을 때 신호의 크기가 월등하게 향상되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 제조방법을 순차적으로 도시한 그림이고;
도 2는 본 발명에 따른 실시예 1에서 제조된 광센서를 나타낸 사진이고;
도 3은 본 발명에 따라 제조된 광센서의 CdS 나노와이어를 주사전자현미경으로 관찰한 사진이고;
도 4는 본 발명에 따른 실시예 1에서 제조된 광센서의 응답특성을 분석한 전압-전류 곡선 그래프이고;
도 5는 본 발명에 따른 실시예 1에서 제조된 광센서의 응답특성을 분석한 그래프이다.
도 2는 본 발명에 따른 실시예 1에서 제조된 광센서를 나타낸 사진이고;
도 3은 본 발명에 따라 제조된 광센서의 CdS 나노와이어를 주사전자현미경으로 관찰한 사진이고;
도 4는 본 발명에 따른 실시예 1에서 제조된 광센서의 응답특성을 분석한 전압-전류 곡선 그래프이고;
도 5는 본 발명에 따른 실시예 1에서 제조된 광센서의 응답특성을 분석한 그래프이다.
본 발명은
기둥 형태의 지지체를 탄소나노튜브 분산액에 침지시켜 탄소나노튜브로 코팅하는 단계(단계 1);
상기 단계 1에서 탄소나노튜브가 코팅된 지지체에 촉매층을 증착하는 단계(단계 2);
상기 단계 2에서 증착된 촉매층 상에 반도체 나노와이어를 성장시키는 단계(단계 3); 및
상기 단계 3에서 나노와이어가 성장된 지지체의 양 말단부에 전극을 형성시키는 단계(단계 4)를 포함하는 탄소나노튜브-나노와이어 복합구조인 광센서의 제조방법을 제공한다.
이때, 본 발명에 따른 상기 탄소나노튜브-나노와이어 복합구조인 광센서의 제조방법을 순차적으로 나타낸 그림을 도 1에 나타내었으며,
이하, 도 1을 참고하여 본 발명에 따른 탄소나노튜브-나노와이어 복합구조인 광센서의 제조방법을 각 단계별로 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 탄소나노튜브-나노와이어 복합구조인 광센서의 제조방법에 있어서, 단계 1은 기둥 형태의 지지체를 탄소나노튜브 분산액에 침지시켜 탄소나노튜브로 코팅하는 단계이다.
상기 단계 1은 종래의 제조방법에서 평면의 기판상에 광센서를 제조하였던 것과는 달리 기둥 형태의 지지체를 기판으로서 사용하며, 상기 지지체를 탄소나노튜브 분산액에 침지시킴으로써 지지체의 표면에 탄소나노튜브를 코팅하는 단계이다. 상기 단계 1에서 지지체를 탄소나노튜브 분산액에 침지시킴에 따라 분산액 내의 탄소나노튜브가 자기조립을 통해 지지체의 표면에 흡착되며, 이에 따라 지지체를 탄소나노튜브 분산액에 침지시키는 것만으로도 지지체의 표면에 탄소나노튜브를 코팅할 수 있다. 아울러, 기둥 형태의 지지체가 사용되더라도 지지체 표면에 탄소나노튜브를 용이하게 코팅할 수 있다. 나아가, 전자이동도 등의 전기적 특성이 우수한 탄소나노튜브를 통해 전자와 정공이 이동할 수 있어, 본 발명에 따라 제조되는 광센서의 광응답 및 작동 속도가 향상될 수 있다.
이때, 상기 단계 1의 지지체는 상기 지지체는 원통구조와 같이 그 내부가 비어있거나, 또는 내부가 채워져 있는 다각형 기둥 또는 원기둥일 수 있다. 그러나, 상기 지지체의 구조가 이에 제한되는 것은 아니며, 종래의 제조방법으로는 광센서를 제조하기 어려운 복잡한 구조의 3차원 형태 지지체를 사용할 수 있다.
아울러, 상기 단계 1의 지지체는 유리, Si, Al2O3 등의 재질일 수 있으며, 바람직하게는 유리 재질의 지지체를 사용할 수 있으나, 상기 지지체의 재질이 상기 유리로 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 탄소나노튜브-나노와이어 복합구조인 광센서의 제조방법에 있어서, 단계 1은 상기 단계 1에서 탄소나노튜브가 코팅된 지지체에 촉매층을 증착하는 단계이다.
상기 단계 2의 촉매층은 나노와이어가 성장할 수 있는 시발점 역할을 하는 촉매물질을 포함하며, 상기 촉매층은 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd) 등의 촉매금속을 포함할 수 있다. 그러나, 상기 촉매금속이 이에 제한되는 것은 아니며, 나노와이어를 성장시킬 수 있는 촉매금속을 적절히 선택하여 사용할 수 있다.
아울러, 상기 단계 2의 촉매층은 열증착(thermal evaporation) 등의 공정을 통해 상기 탄소나노튜브 상에 증착될 수 있으며, 촉매층을 형성시킬 수 있는 공지된 공정들을 적절히 선택하여 촉매층을 형성시킬 수 있다.
본 발명에 따른 탄소나노튜브-나노와이어 복합구조인 광센서의 제조방법에 있어서, 단계 3은 상기 단계 2에서 증착된 촉매층 상에 반도체 나노와이어를 성장시키는 단계이다.
상기 단계 3의 나노와이어는 빛에너지를 흡수하여 전자-정공 쌍을 발생시키는 반도체 나노와이어로서, 상기 나노와이어는 광센서의 광감응물질로서 사용된다.
이때, 상기 단계 3의 반도체 나노와이어로는 CdS, CdSe, CdTe 등을 사용할 수 있고, 상기 나노와이어의 성장은 예를 들어 약 10-3 torr 진공 상태에서 600 내지 700 ℃의 온도조건에서 수행될 수 있으며, 바람직하게는 600 내지 700 ℃의 온도에서 35 내지 45 분 동안 수행될 수 있고, 더욱 바람직하게는 650 ℃에서 40 분 동안 수행될 수 있다. 만약, 상기 온도범위를 벗어나는 경우에는 반도체 나노와이어가 성장하지 않는 문제가 있다. 또한, 상기 나노와이어의 성장이 35 분 미만으로 수행되는 경우에는 나노와이어의 길이가 짧아 광감도가 저하될 수 있는 문제가 있고, 45 분을 초과하여 나노와이어가 성장되는 경우에는 과도하게 나노와이어가 성장하여 역시 광감도가 저하되는 문제가 있다.
본 발명에 따른 탄소나노튜브-나노와이어 복합구조인 광센서의 제조방법에 있어서, 단계 4는 상기 단계 3에서 나노와이어가 성장된 지지체의 양 말단부에 전극을 형성시키는 단계이다.
상기 단계 4의 전극은 나노와이어가 성장된 지지체의 양쪽 말단부에 형성되어 빛을 감지하여 나노와이어로부터 형성되는 전자와 정공을 외부에 전달하게 한다. 이때, 상기 단계 4의 전극은 Ti/Au, Ag, Pt 등의 금속전극을 사용할 수 있으나, 상기 전극이 이에 제한되는 것은 아니며, 광센서의 전극으로서 사용할 수 있는 공지된 전극물질들 중에서 적절히 선택하여 전극을 형성시킬 수 있다.
상기 단계 4에서 전극이 지지체의 양 말단부에 형성되어 전극이 나노와이어와는 연결되지 않는 구조로 형성되며, 이에 따라 탄소나노튜브는 전자와 정공이 이동하는 통로로의 역할만을 수행할 수 있다. 이에 따라 반도체 나노와이어는 빛에너지에 의해 전자와 정공을 발생시키는 역할만을 수행하여 응답속도와 작동 속도가 향상될 수 있다.
상기한 바와 같은 본 발명의 광센서 제조방법은 종래의 광센서 제조방법과는 달리 탄소나노튜브를 전자와 정공의 이동통로로서 이용하되, 상기 탄소나노튜브를 용액공정, 상세하게는 지지체를 탄소나노튜브 분산액에 침지시키는 것만으로도 지지체 표면에 탄소나노튜브를 코팅한다. 이를 통해 지지체의 구조가 기둥형태와 같이 평면 구조가 아니더라도 탄소나노튜브를 간단하게 코팅할 수 있다.
아울러, 전자와 정공의 이동통로로서 이용되는 탄소나노튜브의 높은 전자전달속도로 인하여, 광센서에서 빛이 없어질 경우 광전류의 소멸 속도를 빠르게 하여 제조된 광센서가 높은 응답속도를 나타낼 수 있다.
나아가, 본 발명에 따라 제조되는 광센서는 탄소나노튜브를 포함함에 따라 일반적인 반도체 나노와이어 광센서와 비교하여 빛에 대한 민감도가 매우 뛰어나며, 이에 따라 광센서에 빛을 가하여 주었을 때 신호의 크기가 월등하게 향상되는 효과가 있다.
또한, 본 발명은
상기 제조방법에 의해 제조되어, 기둥 형태의 지지체 상에 형성된 탄소나노튜브-나노와이어 복합구조인 광센서를 제공한다.
이하, 본 발명에 따른 탄소나노튜브-나노와이어 복합구조인 광센서를 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 광센서는 높은 전자전달속도를 나타낼 수 있는 탄소나노튜브 상에 반도체 나노와이어가 형성되어 있으며, 이에 따라 빛을 감지하여 상기 반도체 나노와이어에서 형성된 전자와 정공이 탄소나노튜브를 통해 이동할 수 있다. 이와 같이 탄소나노튜브를 통해 전자와 정공이 이동함에 따라 응답속도가 느린 것으로 알려진 반도체 나노와이어, 특히 CdS 나노와이어를 포함하는 종래의 광센서와 비교하여 더욱 빠른 응답속도를 나타낼 수 있다.
아울러, 본 발명에 따른 광센서는 탄소나노튜브가 용액공정을 통해 지지체 상에 형성된 것으로, 지지체의 형태가 기둥 형태임에도 불구하고 매우 간단하게 지지체 표면에 탄소나노튜브를 형성시킬 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예 및 도면들에 의해 더욱 상세히 설명한다. 단, 하기의 실시예는 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
<실시예 1> 탄소나노튜브-나노와이어 복합구조인 광센서의 제조 1
단계 1 : 지지체로서 글래스 피펫을 사용하였으며, 상기 글래스 피펫을 탄소나노튜브 분산액에 10초간 침지시켜 글래스 피펫 표면에 탄소나노튜브를 코팅하였다.
단계 2 : 상기 단계 1에서 코팅된 글래스 피펫 표면의 탄소나노튜브 상에 촉매층으로 Au 필름을 증착시켰다. 이때, 상기 Au 필름의 증착은 섀도우 마스크(shadow mask)를 사용하여 열증착공정을 통해 수행되었으며, 증착된 Au 필름의 두께는 8 nm로 나타났다.
단계 3 : 상기 단계 2에서 열증착공정을 통해 증착된 Au 필름 상에 단결정 CdS 나노와이어를 화학기상성장 공정을 통해 성장시켰다. 이때, 상기 CdS 나노와이어의 성장은 약 10-3 torr의 진공 상태에서 650 ℃의 온도에서 40 분 동안 수행되었다.
단계 4 : 상기 단계 3에서 CdS 나노와이어가 성장된 글래스 피펫의 양 말단부에 전극으로서 Ti/Au를 증착시켰다. 이때, 상기 전극의 증착은 섀도우 마스크를 이용하여 열증착공정을 통해 수행되었으며, 이를 통해 탄소나노튜브-CdS 복합구조인 광센서를 제조하였고 제조된 탄소나노튜브-CdS 복합구조인 광센서의 사진을 도 2에 나타내었다.
<실시예 2> 탄소나노튜브-나노와이어 복합구조인 광센서의 제조 2
상기 실시예 1의 단계 3에서 CdS 나노와이어가 아닌 CdSe 나노와이어를 성장시킨 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하여 탄소나노튜브-CdSe 복합구조인 광센서를 제조하였다.
<실시예 3> 탄소나노튜브-나노와이어 복합구조인 광센서의 제조 3
상기 실시예 1의 단계 3에서 CdS 나노와이어가 아닌 CdTe 나노와이어를 성장시킨 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하여 탄소나노튜브-CdTe 복합구조인 광센서를 제조하였다.
<실험예 1> 광센서의 미세구조 관찰
상기 실시예 1에서 제조된 탄소나노튜브-CdS 복합구조인 광센서에 있어서, CdS 나노와이어의 미세구조를 관찰하기 위하여, 주사전자현미경을 이용하여 CdS 나노와이어를 관찰하였고 그 결과를 도 3에 나타내었다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예 1에서 제조된 CdS 나노와이어는 그물 형상의 네트워크 구조로 형성된 것을 알 수 있다.
이를 통해 상기 실시예 1에서 글래스 피펫과 같이 표면이 곡면인 지지체 상에서도 반도체 나노와이어가 잘 성장되어 있음을 확인할 수 있다.
<실험예 2> 광센서의 응답특성 분석
상기 실시예 1에서 제조된 탄소나노튜브-CdS 복합구조인 광센서의 응답특성을 분석하기 위하여, 할로겐램프(100 W)를 광원으로 사용하고 5 V의 바이어스 전압을 가하며 5.50 × 10-2μA에서의 광센서 응답특성을 분석하였으며 그 결과를 도 4에 나타내었다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 빛이 조사되지 않는 경우에는 전체 전압범위에 있어서 전류의 변화가 전혀 관측되지 않았음을 알 수 있다.
반면, 빛이 조사되는 경우에는 낮은 전압이 가해지더라도 전류의 변화가 관측되는 것을 알 수 있다.
이를 통해, 본 발명에 따라 제조된 탄소나노튜브-나노와이어 복합구조인 광센서가 광센서에서 빛이 없어질 경우 광전류의 소멸 속도를 빠르게 하여 높은 응답속도를 나타냄을 확인할 수 있었다.
<실험예 3> 광센서의 응답특성 분석
상기 실시예 1에서 제조된 광센서의 응답특성을 분석하기 위하여, 제논 램프(300 W)와 기계식 광단속기(mechanical chopper)를 사용하여 광센서의 응답특성을 분석하였고, 이를 도 5에 나타내었다.
도 5는 100 ㎐에서의 광전류 응답(photocurrent response)을 나타낸 그래프로서, 도 5에 나타낸 바와 같이 본 발명에 따른 실시예 1에서 제조된 탄소나노튜브-나노와이어 복합구조인 광센서는 빛의 가하여 주었을 때 신호의 크기가 최대 약 300% 증가하는 것을 알 수 있다. 즉, 빛이 가해지기 전 약 0.2 μA였던 신호의 크기가 빛이 가해졌을 때 약 0.65 μA까지 증가하는 것을 알 수 있다.
이는 본 발명에 따라 제조된 광센서가 일반적인 반도체 나노와이어 광센서와 비교하여 빛에 대한 민감도가 매우 뛰어남을 의미하는 것으로서, 이를 통해 본 발명에 따라 제조된 광센서가 캐리어의 이동통로로서 탄소나노튜브를 포함함에 따라 빛에 대한 민감도가 향상되었음을 확인할 수 있었다.
Claims (8)
- 기둥 형태의 지지체를 탄소나노튜브 분산액에 침지시켜 탄소나노튜브로 코팅하는 단계(단계 1);
상기 단계 1에서 탄소나노튜브가 코팅된 지지체에 촉매층을 증착하는 단계(단계 2);
상기 단계 2에서 증착된 촉매층 상에 광감응성 반도체 나노와이어를 성장시키는 단계(단계 3); 및
상기 단계 3에서 나노와이어가 성장된 지지체의 양 말단부에 전극을 형성시키는 단계(단계 4)를 포함하는 탄소나노튜브-나노와이어 복합구조인 광센서의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 지지체는 다각형 기둥 또는 원기둥인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브-나노와이어 복합구조인 광센서의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 지지체는 유리, Si, 및 Al2O3로 이루어진 군으로부터 선택되는 재질인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브-나노와이어 복합구조인 광센서의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 단계 2의 촉매는 금(Au), 은(Ag), 및 팔라듐(Pd)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브-나노와이어 복합구조인 광센서의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 단계 3의 나노와이어는 CdS, CdSe 및 CdTe로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브-나노와이어 복합구조인 광센서의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 단계 4의 전극은 Ti, Au, Ag 및 Pt로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브-나노와이어 복합구조인 광센서의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 단계 4의 전극은 열증착 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브-나노와이어 복합구조인 광센서의 제조방법.
- 제1항의 제조방법에 의해 제조되어, 기둥 형태의 지지체 상에 형성된 탄소나노튜브-나노와이어 복합구조인 광센서.
Priority Applications (1)
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| KR1020130007444A KR101391744B1 (ko) | 2013-01-23 | 2013-01-23 | 탄소나노튜브―나노와이어 복합구조인 광센서의 제조방법 |
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Publications (1)
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| KR101391744B1 true KR101391744B1 (ko) | 2014-05-07 |
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Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| KR101071110B1 (ko) | 2010-07-20 | 2011-10-10 | 한국과학기술원 | 광유도 전하전달 물질을 이용한 나노 구조 광센서 |
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2013
- 2013-01-23 KR KR1020130007444A patent/KR101391744B1/ko active IP Right Grant
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