KR101377996B1 - Plasma etching apparatus and mask device - Google Patents

Plasma etching apparatus and mask device Download PDF

Info

Publication number
KR101377996B1
KR101377996B1 KR1020120111332A KR20120111332A KR101377996B1 KR 101377996 B1 KR101377996 B1 KR 101377996B1 KR 1020120111332 A KR1020120111332 A KR 1020120111332A KR 20120111332 A KR20120111332 A KR 20120111332A KR 101377996 B1 KR101377996 B1 KR 101377996B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mask
inert gas
passages
substrate
flow path
Prior art date
Application number
KR1020120111332A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
최용섭
최준호
김문기
Original Assignee
주식회사 코디에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 코디에스 filed Critical 주식회사 코디에스
Priority to KR1020120111332A priority Critical patent/KR101377996B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101377996B1 publication Critical patent/KR101377996B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

Disclosed are a plasma etching device and a mask device. The plasma etching device processes plasma etching on a board and comprises: a stage fixing the board; and a mask being arranged as forming space with the board on the board and protecting the non-etching range of the board. One side of the board and the mask vertical to the dispersion direction of rare gas injected in the space comprises the structure of preventing emission of the rare gas in the vertical direction. [Reference numerals] (AA) Radical; (BB,CC) Argon gas

Description

플라즈마 에칭 장치 및 마스크 장치{PLASMA ETCHING APPARATUS AND MASK DEVICE}Plasma Etching Apparatus and Mask Apparatus {PLASMA ETCHING APPARATUS AND MASK DEVICE}

본 발명은 플라즈마 에칭 장치 및 마스크 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma etching apparatus and a mask apparatus.

유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diodes, OLED) TV 제조 공정에서 SMS(Small Mask Scanning) 공법으로 유기물을 증착하는 경우, 디스플레이 영역이 아닌 곳에 유기물이 성막되어 봉지 공정 전에 TV용 기판의 전후 부분의 일정 영역의 유기물을 제거하여야 한다. 제거하지 않을 경우, 봉지 공정에서 다른 글래스 기판과 합착할 때 증착된 유기물에 의해 접착력이 저하되어 TV 제품의 수명에 영향을 주게 된다. In Organic Light Emitting Diodes (OLED) TV manufacturing process, when organics are deposited using the SMS (Small Mask Scanning) method, organic substances are deposited in areas other than the display area, and before the sealing process, Should be removed. If not removed, adhesion of organic substances deposited when bonding with other glass substrates in the sealing process lowers the lifetime of the TV product.

이와 같이, 유기물을 제거하기 위한 방법으로, 플라즈마를 이용한 에칭 방법이 사용된다. 즉 글래스 기판을 플라즈마 에칭 장치의 공정챔버내에 배치하고, 글래스 기판에 형성된 각종 막을 플라즈마 에칭하는 것이 실행되고 있다. As described above, as a method for removing organic matter, an etching method using plasma is used. That is, a glass substrate is placed in a process chamber of a plasma etching apparatus, and various films formed on a glass substrate are subjected to plasma etching.

이때, 유기물 제거를 위해 플라즈마가 균일하게 글래스 기판 위에 배출되어 플라즈마 에칭이 수행된다. At this time, the plasma is uniformly discharged onto the glass substrate to remove the organic matter, and the plasma etching is performed.

이때, 마스크와 글래스 기판이 간격없이 접촉되는 경우, 마스크에 의해 모재가 손상될 수 있어 마스크와 글래스 기판 사이에 소정의 간격을 형성한다. 그리고 이러한 소정의 간격으로 인해 활성기체가 마스크 내부로 유입되는 것을 방지하기 위해 마스크 내부에서 에칭 영역 방향으로 비활성기체를 확산시킨다.At this time, when the mask and the glass substrate are in contact without a gap, the base material may be damaged by the mask to form a predetermined gap between the mask and the glass substrate. In order to prevent the active gas from flowing into the mask due to the predetermined interval, the inert gas is diffused in the mask toward the etching region.

그런데, 비활성기체가 배출되는 방향과 수직되는 방향으로 결국 글래스 기판의 가장자리의 활성기체의 배출속도가 저하되는 문제가 발생한다.However, there arises a problem that the discharge speed of the active gas at the edge of the glass substrate decreases in a direction perpendicular to the direction in which the inert gas is discharged.

본 발명이 해결하려는 과제는 비활성기체를 균일하게 배출하기 위한 마스크 구조를 포함하는 플라즈마 에칭 장치 및 마스크 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a plasma etching apparatus and a mask apparatus including a mask structure for uniformly discharging inert gas.

본 발명의 한 실시예에 따르면, 플라즈마 에칭 장치가 개시된다. 이러한 플라즈마 에칭 장치는, 기판에 플라즈마 에칭을 행하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상기 기판이 고정되는 스테이지; 및 상기 기판 위에 상기 기판과 공간을 형성하며 배치되고, 상기 기판의 비에칭 영역을 보호하는 마스크를 포함하고, According to one embodiment of the invention, a plasma etching apparatus is disclosed. Such a plasma etching apparatus includes a plasma etching apparatus for performing plasma etching on a substrate, comprising: a stage on which the substrate is fixed; And a mask disposed on the substrate to form a space with the substrate, the mask protecting a non-etched region of the substrate,

상기 공간에 주입되는 비활성기체의 확산 방향과 수직인 방향의 상기 기판 및 상기 마스크의 측단은, 상기 수직인 방향으로 상기 비활성기체가 배출되는 것을 방지하는 구조를 포함한다.The side ends of the substrate and the mask in a direction perpendicular to the diffusion direction of the inert gas injected into the space include a structure for preventing the inert gas from being discharged in the vertical direction.

이때, 상기 스테이지 및 상기 마스크의 측단은,At this time, the side ends of the stage and the mask,

요철(凹凸) 구조를 형성할 수 있다.Uneven structure can be formed.

또한, 상기 요철(凹凸) 구조는,In addition, the uneven structure,

상기 스테이지 및 상기 마스크의 좌우 방향의 양측단에 형성될 수 있다.It may be formed on both side ends of the stage and the mask in the left and right directions.

또한, 상기 마스크는,In addition, the mask,

상기 비활성기체를 균등하게 분배하기 위한 유로를 포함할 수 있다.It may include a flow path for equally distributing the inert gas.

또한, 상기 마스크는,In addition, the mask,

음각 또는 양각으로 형성된 유로를 포함할 수 있다.It may include a flow path formed in an intaglio or embossed.

또한, 상기 마스크는,In addition, the mask,

상기 비활성기체를 균등하게 분배하기 위한 유로가 형성된 판과 결합되는 다층 구조를 포함할 수 있다.It may include a multi-layer structure coupled to the plate formed with a flow path for equally distributing the inert gas.

또한, 상기 유로는,In addition, the flow path,

상기 비활성기체를 통과시키는 복수개의 통로를 포함하고,It includes a plurality of passages for passing through the inert gas,

또한, 상기 복수개의 통로는, In addition, the plurality of passages,

상기 비활성기체가 유입되는 지점에 형성된 통로보다 상기 비활성기체가 외부로 배출되는 지점에 형성된 통로의 개수가 더 많을 수 있다.The number of passages formed at the point where the inert gas is discharged to the outside may be greater than the passages formed at the point where the inert gas is introduced.

또한, 상기 유로는,In addition, the flow path,

상기 비활성기체가 유입되는 하나의 제1 통로; 상기 비활성기체가 외부로 균등하게 배출되는 복수개의 제2 통로; 및 상기 제1 통로 및 상기 제2 통로 사이에 형성되며, 다층으로 이루어지며 각 층별로 복수개의 통로를 포함하는 복수개의 제3 통로를 포함하고, A first passage through which the inert gas is introduced; A plurality of second passages through which the inert gas is evenly discharged to the outside; And a plurality of third passages formed between the first passage and the second passages, the plurality of third passages being formed in multiple layers and including a plurality of passages for each layer.

상기 제2 통로의 개수는 상기 복수개의 제3 통로의 개수보다 더 많고, 상기 복수개의 제3 통로 중에서 상기 제2 통로에 가까운 층에 형성된 통로일수록 통로의 개수가 더 많을 수 있다.The number of the second passages may be larger than the number of the plurality of third passages, and the number of passages may be larger as the passages formed on the layer closer to the second passage among the plurality of third passages.

또한, 상기 유로는, In addition, the flow path,

상기 기판의 좌우 에칭 영역 방향으로 대응되게 두개가 형성될 수 있다.Two may be formed to correspond to the left and right etching regions of the substrate.

또한, 플라즈마 에칭 장치는, In addition, the plasma etching apparatus,

상기 기판의 에칭 영역에 플라즈마를 배출하는 플라즈마 발생부; 및 상기 마스크를 관통하며, 상기 기판과 상기 마스크 사이에 형성되는 내부 공간에 상기 기판의 에칭 영역으로 확산되어 상기 에칭 영역에 공급되는 활성기체가 상기 내부공간으로 유입되지 못하도록 압력 가스로서의 역할을 하는 비활성기체를 공급하는 가스 주입구를 더 포함하고, A plasma generator for discharging plasma to an etching region of the substrate; And an inert gas penetrating through the mask and diffused into an etching region of the substrate in an internal space formed between the substrate and the mask to prevent an active gas supplied to the etching region from flowing into the internal space. Further comprising a gas inlet for supplying gas,

상기 비활성기체의 확산 방향과 수직인 상기 기판 및 상기 마스크의 측단은 상기 확산 방향과 수직인 방향으로 상기 비활성기체의 배출을 막기 위한 구조를 형성할 수 있다.Side ends of the substrate and the mask perpendicular to the diffusion direction of the inert gas may form a structure for preventing the inert gas from being discharged in a direction perpendicular to the diffusion direction.

또한, 플라즈마 에칭 장치는, In addition, the plasma etching apparatus,

상기 기판의 처리 공간을 제공하고, 상기 스테이지 및 상기 마스크가 내부 공간에 배치되는 공정챔버; 및 상기 공정챔버의 내부공간에 설치되어 상기 공정챔버의 내부 벽면의 오염을 방지하기 위한 라이너를 더 포함할 수 있다.A process chamber providing a processing space of the substrate, wherein the stage and the mask are disposed in an internal space; And a liner disposed in an inner space of the process chamber to prevent contamination of the inner wall surface of the process chamber.

또한, 플라즈마 에칭 장치는, In addition, the plasma etching apparatus,

상기 공정챔버의 내부공간에 위치하고, 상기 플라즈마로 인해 생성된 활성기체와 상기 비활성기체가 혼합되어 상기 기판을 플라즈마 에칭 한 후 발생되는 부산물을 배출하는 펌핑 포트를 더 포함할 수 있다.It may further include a pumping port located in the interior space of the process chamber, the active gas and the inert gas generated by the plasma is mixed to discharge the by-product generated after plasma etching the substrate.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 마스크 장치는 플라즈마 에칭 대상인 기판이 장착되는 스테이지; 및 상기 기판 위에 상기 기판과 공간을 형성하며 배치되고, 상기 기판의 비에칭 영역을 보호하기 위한 마스크를 포함하고,According to another feature of the invention, the mask device comprises a stage on which the substrate is a plasma etching target is mounted; And a mask disposed on the substrate to form a space with the substrate, the mask protecting a non-etched region of the substrate,

상기 스테이지 및 상기 마스크의 측단은, The side ends of the stage and the mask,

상기 기판과 상기 마스크 사이에 형성되는 공간에 주입되는 비활성기체의 확산 방향과 수직인 방향으로 상기 비활성기체의 배출을 막기 위한 구조를 형성한다.Forming a structure for preventing the discharge of the inert gas in a direction perpendicular to the diffusion direction of the inert gas injected into the space formed between the substrate and the mask.

본 발명의 실시예에 따르면 마스크와 글래스 기판의 측면 결합단을 요철 구조로 형성함으로써, 컨덕턴스를 나쁘게 하여 마스크의 측면 즉 비활성기체의 확산 방향과 수직되는 방향으로 비활성기체가 배출되는 것을 방지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, by forming the side coupling end of the mask and the glass substrate in the uneven structure, the conductance is deteriorated to prevent the inert gas from being discharged in a direction perpendicular to the side of the mask, that is, the direction in which the inert gas is diffused. .

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 에칭 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 하부 챔버부와 상부 소스부가 분리된 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 하부 챔버부를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 마스크 유닛을 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 마스크 유닛의 측면을 분해한 사시도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 마스크와 스테이지의 측면 사시도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 마스크과 스테이지의 측단면도이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 마스크 유로를 나타낸다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 마스크와 스테이지의 측면이 결합된 구조를 나타낸다.
도 10은 도 9를 적용한 경우 비활성기체의 균일도를 시뮬레이션한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 11은 본 발명의 한 실시예에 따른 마스크의 요철 구조를 나타낸다.
도 12는 도 11을 적용한 경우, 비활성기체의 균일도를 시뮬레이션한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크의 요철 구조를 나타낸다.
도 14는 도 13을 적용한 경우, 비활성기체의 균일도를 시뮬레이션한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 15는 본 발명의 실시예에 따른 공정챔버의 측단면도이다.1 is a perspective view schematically showing a plasma etching apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a view showing a separated lower chamber portion and an upper source portion according to an embodiment of the present invention.
3 is a view illustrating a lower chamber part according to an embodiment of the present invention.
4 is a view showing a mask unit according to an embodiment of the present invention.
5 is an exploded perspective view of a side of a mask unit according to an embodiment of the present invention.
6 is a side perspective view of a mask and a stage according to an embodiment of the present invention.
7 is a side cross-sectional view of a mask and a stage in accordance with an embodiment of the present invention.
8 illustrates a mask flow path according to an embodiment of the present invention.
9 illustrates a structure in which side surfaces of a mask and a stage are combined according to an embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a graph illustrating a result of simulating uniformity of inert gas when FIG. 9 is applied.
11 illustrates a concave-convex structure of a mask according to an embodiment of the present invention.
12 is a graph showing the results of simulating the uniformity of the inert gas when FIG. 11 is applied.
13 illustrates a concave-convex structure of a mask according to another embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a graph illustrating a result of simulating uniformity of inert gas when FIG. 13 is applied.
15 is a side cross-sectional view of a process chamber in accordance with an embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and similar parts are denoted by like reference characters throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is said to "include" a certain component, it means that it can further include other components, without excluding other components unless specifically stated otherwise.

이제, 도면을 참고하여 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 에칭 장치 및 마스크 장치에 대해 설명한다.A plasma etching apparatus and a mask apparatus according to an embodiment of the present invention will now be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 에칭 장치를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 하부 챔버부와 상부 소스부가 분리된 도면이며, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 하부 챔버부를 도시한 도면이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 마스크 유닛을 도시한 도면이며, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 마스크 유닛의 측면을 분해한 사시도이고, 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 마스크와 글래스 기판의 측면 사시도이며, 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 마스크과 글래스 기판의 측단면도이고, 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 마스크 유로를 나타내고, 도 9~ 도 14는 마스크 유로의 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면이다.1 is a perspective view schematically showing a plasma etching apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a view showing a separate lower chamber portion and the upper source portion according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is an embodiment of the present invention 4 is a view illustrating a lower chamber part according to an example, FIG. 4 is a view illustrating a mask unit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is an exploded perspective view of a side surface of the mask unit according to an embodiment of the present invention. 6 is a side perspective view of a mask and glass substrate according to an embodiment of the present invention, Figure 7 is a side cross-sectional view of the mask and glass substrate according to an embodiment of the present invention, Figure 8 shows a mask flow path according to an embodiment of the present invention 9 to 14 are diagrams showing simulation results of a mask flow path.

먼저, 도 1을 참조하면, 플라즈마 에칭 장치(1)는 플라즈마 생성부(2), 터보 펌프(3), 구동 장치(4), 프레임(5), 펌프 연결부(6) 및 게이트 밸브(gate valve)(7)를 포함한다.1, a plasma etching apparatus 1 includes a plasma generating unit 2, a turbo pump 3, a driving unit 4, a frame 5, a pump connecting unit 6, and a gate valve (7).

여기서, 플라즈마 생성부(2)는 하전입자 및 중성입자를 포함하는 플라즈마를 생성한다. 이때, 플라즈마는 유기물 에칭을 위한 활성기체(또는 래디컬)를 발생시킨다.Here, the plasma generating section 2 generates a plasma containing charged particles and neutral particles. At this time, the plasma generates an active gas (or radical) for etching the organic material.

터보 펌프(3)는 공정챔버(도 2, 3, 15의 10) 내부의 압력을 진공배기한다. The turbo pump 3 evacuates the pressure inside the process chamber (10 in FIGS. 2, 3, and 15).

구동 장치(4)는 글래스 기판(도 6, 7, 15의 23)을 지지하는 스테이지(도 6, 7, 15의 24)를 공정챔버(도 2, 3, 15의 10)의 내부에서 이동시킨다. 그리고 글래스 기판(도 6, 7, 15의 23)의 상부에 마스크(도 4, 5, 6, 7, 15의 16)가 에싱 공정을 위해 적절한 위치를 유지하도록 글래스 기판(도 6, 7, 15의 23)과 마스크(도 4, 5, 6, 7, 15의 16)간의 거리를 계측한다. The drive device 4 moves the stage (24 of FIGS. 6, 7, 15) supporting the glass substrate (23 of FIGS. 6, 7, 15) inside the process chamber (10 of FIGS. 2, 3, 15). . And a glass substrate (FIGS. 6, 7, 15) on top of the glass substrate (FIGS. 6, 7, 15) so that the mask (16 in FIGS. 4, 5, 6, 7, 15) maintains an appropriate position for the ashing process. 23) and the mask (16 in FIGS. 4, 5, 6, 7, 15) are measured.

프레임(5)은 공정챔버(도 2, 3, 15의 10)의 하부에 장착되어 공정챔버(도 2, 3, 15의 10)를 지지한다.The frame 5 is mounted below the process chamber (10 in FIGS. 2, 3, and 15) to support the process chamber (10 in FIGS. 2, 3, and 15).

펌프 연결부(6)는 펌핑 포트(Pumping port)(도 3, 15의 14)의 하부에 연결되어 좌우 배치된 펌핑 포트(도 3, 15의 14)를 연결한다.The pump connection part 6 is connected to the lower part of the pumping port (14 of FIGS. 3 and 15) and connects the pumping ports (14 of FIGS. 3 and 15) arranged left and right.

게이트 밸브(gate valve)(7)는 공정챔버(도 2, 3, 15의 10)의 내부에 글래스 기판(도 6, 7, 15의 23)을 출입시키기 위한 구성이다.The gate valve 7 is a configuration for allowing the glass substrate (23 in FIGS. 6, 7, 15) to enter and exit the process chamber (10 in FIGS. 2, 3, and 15).

다음, 도 2를 참조하면, 플라즈마 에칭 장치(1)는 크게 상부 소스부(8) 및 하부 챔버부(9)로 분리될 수 있다. 2, the plasma etching apparatus 1 can be divided into an upper source portion 8 and a lower chamber portion 9.

여기서, 도 2 및 도 3을 참조하면, 하부 챔버부(9)는 터보 펌프(3), 구동 장치(4), 프레임(5), 펌프 연결부(6), 게이트 밸브(7), 공정챔버(10), 마스크 유닛(11), 용접형 벨로우즈(Welded bellows)(12), 펌프 배관(Dry pump)(13), 펌핑 포트 (14) 및 글래스 로딩 핀(Glass loading pin)(15)을 포함한다.2 and 3, the lower chamber portion 9 includes a turbo pump 3, a driving device 4, a frame 5, a pump connecting portion 6, a gate valve 7, a process chamber (not shown) 10, a mask unit 11, welded bellows 12, a dry pump 13, a pumping port 14 and a glass loading pin 15 .

이때, 공정챔버(10)는 글래스 기판(도 6, 7, 15의 23)의 처리 공간을 제공한다.At this time, the process chamber 10 provides a processing space of the glass substrate (23 of FIGS. 6, 7, 15).

마스크 유닛(11)은 도 4를 참조하면, 글래스 기판(도 6, 7, 15의 23) 위에 배치되는 마스크 본체(body, 이하 '마스크'로 통칭함)(16), 마스크(16)의 양측에 장착되는 마스크 블레이드(blade)(17) 및 마스크(16)를 지탱하는 마스크 지지대(18)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the mask unit 11 includes a mask body 16 (hereinafter referred to as a “mask”) disposed on a glass substrate (23 of FIGS. 6, 7 and 15) and both sides of the mask 16. And a mask support 18 for supporting the mask blade 17 and a mask blade 17 mounted thereto.

이때, 마스크(16)의 상부 양측 즉 마스크 블레이드(17)가 장착된 방향의 양측에는 비활성기체를 주입하기 위한 가스 주입구(19)가 마련되어 있다. 여기서, 비활성기체는 공정 가스 중 아르곤(Ar) 가스가 사용될 수 있다. 하지만 이에 국한되는 것은 아니고, 공정 가스 중 비활성 기체(또는 가스)인 질소, 여타의 다른 기체들이 사용될 수 있다.At this time, gas injection ports 19 for injecting an inert gas are provided on both sides of the upper side of the mask 16, that is, in the direction in which the mask blades 17 are mounted. Here, argon (Ar) gas of the process gas may be used as the inert gas. But is not limited to, inert gas (or gas) nitrogen in the process gas, and other gases.

여기서, 마스크 유닛(11)은 세부적으로 도 5와 같이, 연결 부재(20)를 이용하여 마스크(16)와 마스크 블레이드(17)가 결합된다. 이러한 연결 부재(20)는 세라믹으로 이루어진 마스크 블레이드(17)를 최대한 넓은 면적에서 마스크(16)에 고정하여 세라믹 파손을 방지하는 역할을 한다. Here, the mask unit 11 is coupled to the mask 16 and the mask blade 17 using the connection member 20, as shown in detail in FIG. The connection member 20 serves to prevent ceramic breakage by fixing the mask blade 17 made of ceramic to the mask 16 in the largest area possible.

또한, 마스크(16)가 마스크 블레이드(17)와 결합되는 측단에는 마스크(16)와 글래스 기판(도 6, 7, 15의 23) 사이의 내부공간(도 15의 26)에 유입되는 아르곤(Ar) 가스의 측면 소실을 방지하기 위한 구조물(21)이 형성된다. In addition, argon (Ar) flowing into the inner space (26 of FIG. 15) between the mask 16 and the glass substrate (23 of FIGS. 6, 7 and 15) is formed at a side end of the mask 16 coupled to the mask blade 17. A structure 21 is formed to prevent side loss of gas.

여기서, 마스크(16)의 구조물(21)은 요철(凹凸) 구조를 포함하며, 도 6과 같이, 스테이지(4)와 결합된다. Here, the structure 21 of the mask 16 includes an uneven structure, and as shown in FIG. 6, is coupled to the stage 4.

도 6을 참조하면, 마스크(16) 및 스테이지(24)가 상하 배치되는 구조를 마스크 장치라 명하기로 한다. Referring to Figure 6, the structure of the town's size 16 and the stage 24 is disposed vertically to persons La mask device.

이때, 마스크(16)의 하부에 스테이지(24)가 배치된 상태에서 마스크(16)와 스테이지(24)사이에 형성된 내부공간(도 15의 26)을 통하여 비활성기체가 제1 화살표 방향(①)으로 배출된다. At this time, the inert gas is moved in the first arrow direction (①) through the internal space (26 in FIG. 15) formed between the mask 16 and the stage 24 while the stage 24 is disposed below the mask 16. Is discharged.

이때, 비활성기체는 대부분 제1 화살표 방향(①)으로 배출되야 하는데, 불가피하게 제1 화살표 방향(①)과 수직되는 마스크(16)의 측면 즉 제2 화살표 방향(②) 으로 유출된다. 이렇게 되면, 비활성기체가 제1 화살표 방향(①)으로 균일하게 배출되지 않는다. 특히, 마스크(16)의 가장자리의 세기가 약해진다. At this time, most of the inert gas should be discharged in the first arrow direction ①, but inevitably flows out of the side of the mask 16 perpendicular to the first arrow direction ①, that is, the second arrow direction ②. In this case, the inert gas is not evenly discharged in the direction of the first arrow ①. In particular, the intensity of the edge of the mask 16 is weakened.

마스크(16)와 스테이지(24)의 가장자리에 형성되는 요철 구조(A)는 제2 화살표 방향(②)으로 비활성기체가 유출되는 것을 막기 위한 구조이다. The uneven structure A formed at the edges of the mask 16 and the stage 24 is a structure for preventing inert gas from flowing out in the direction of the second arrow (②).

도 7을 참조하면, 마스크(16)와 스테이지(24)는 암수 요철 구조로 이루어져 상호 맞물려 결합됨으로써, 컨덕턴스를 나쁘게 하여 비활성기체가 제2 화살표 방향(②)으로 빠져나가지 못하게 차단한다. 이때, 마스크(16)와 스테이지(24)의 암수 요철 구조는 도 7과 반대의 암수 요철 구조로 형성될 수도 있음은 자명하다. Referring to FIG. 7, the mask 16 and the stage 24 have a male and female concave-convex structure and are engaged with each other, thereby deteriorating conductance and blocking the inert gas from escaping in the direction of the second arrow ②. At this time, it is obvious that the male and female uneven structures of the mask 16 and the stage 24 may be formed of the male and female uneven structures opposite to those of FIG. 7.

다시, 도 5를 참조하면, 마스크(16)는 비활성기체를 균등 분배하는 유로(22a)가 형성된 판(22)과 결합된다. 즉 마스크(16)는 판(22)과 결합되는 다층 구조일 수 있다. Referring again to FIG. 5, the mask 16 is coupled with a plate 22 having a flow path 22a for evenly distributing inert gas. That is, the mask 16 may have a multi-layer structure coupled to the plate 22.

이때, 판(22)에 형성된 유로(22a)는 음각 또는 양각으로 형성될 수 있다.In this case, the flow path 22a formed in the plate 22 may be formed in an intaglio or an embossment.

또한, 유로(22a)는 도 8과 같이 구현된다. 도 8을 참조하면, 유로(22a)는 비활성기체를 통과시키는 복수개의 통로(22b)를 형성하는 다층 구조로 이루어진다. In addition, the flow path 22a is implemented as shown in FIG. 8. Referring to FIG. 8, the flow passage 22a has a multi-layer structure that forms a plurality of passages 22b through which inert gas passes.

즉, 유로(22a)는 비활성기체가 유입되는 하나의 제1 통로, 비활성기체를 외부 즉 도 6의 제1 화살표 방향(①)으로 균등하게 배출시키는 복수개의 제2 통로, 이러한 제1 통로 및 제2 통로 사이에 형성되며, 다층으로 이루어지며 각 층별로 복수개의 통로를 포함하는 복수개의 제3 통로를 포함할 수 있다.That is, the flow passage 22a may include one first passage through which the inert gas flows, a plurality of second passages for evenly discharging the inert gas to the outside, that is, in the direction of the first arrow ① of FIG. 6, and the first passage and the first passage. It is formed between the two passages, it may be a multi-layer and may include a plurality of third passages including a plurality of passages for each floor.

이때, 유로(22a)는 4개의 층으로 형성될 수 있다. 즉 비활성기체가 하나의 통로(22b)를 통해 주입되는 제1층, 2개의 통로(22b)를 통해 비활성기체를 통과시키는 제2층, 4개의 통로(22b)를 통해 비활성기체를 통과시키는 제3층, 8개의 통로(22b)를 통해 비활성기체를 외부로 균등하게 배출하는 제4층을 포함하는 다층 구조일 수 있다. 이러한 경우, 제1 층의 통로(22b)가 제1 통로, 제4 층에 형성된 8개의 통로(22b)가 제2 통로, 제2 층에 형성된 2개의 통로(22b) 및 제3 층에 형성된 4개의 통로(22b)가 제3 통로가 된다. In this case, the flow path 22a may be formed of four layers. That is, the first layer through which the inert gas is injected through one passage 22b, the second layer through which the inert gas passes through the two passages 22b, and the third through the four passages 22b. Layer, it may be a multi-layer structure including a fourth layer for evenly discharging the inert gas to the outside through the eight passage (22b). In this case, the passage 22b of the first layer is formed in the first passage, the eight passages 22b formed in the fourth layer are formed in the second passage, the two passages 22b formed in the second layer, and four formed in the third layer. Two passages 22b become the third passage.

여기서, 층의 개수 및 각 층에 형성된 통로(22b)의 개수는 상기에 국한되는 것은 아니며, 다양한 실시예가 가능함은 자명하다.Here, the number of layers and the number of passages 22b formed in each layer are not limited to the above, and it is obvious that various embodiments are possible.

여기서, 복수개의 통로(22b)는 비활성기체가 유입되는 지점에 형성된 통로(22b)의 개수보다 비활성기체가 배출되는 지점에 형성된 통로(22b)의 개수가 더 많다. 즉 제4층으로 갈수록 통로(22b)의 개수가 더 많음을 알 수 있다.Here, the plurality of passages 22b has a greater number of passages 22b formed at the point where the inert gas is discharged than the number of passages 22b formed at the point where the inert gas is introduced. That is, it can be seen that the number of the passages 22b is larger toward the fourth layer.

이때, 유로(22a)는 글래스 기판(도 6, 7, 15의 23)의 에칭 영역을 향하여 비활성기체가 배출되는 복수개의 통로(22b)가 배치된다. At this time, the passage 22a is provided with a plurality of passages 22b through which the inert gas is discharged toward the etching regions of the glass substrates 23 of FIGS. 6, 7 and 15.

또한, 후술할 도 15와 같이 글래스 기판(도 6, 7, 15의 23)의 에칭이 좌우 양측에서 이루어지므로, 유로(22a)는 후술할 도 15의 가스 주입구(19)가 배치된 지점을 중심으로 좌우 대응되게 배치된다. In addition, since etching of the glass substrates (23 of FIGS. 6, 7, and 15) is performed at both left and right sides as shown in FIG. 15 to be described later, the flow path 22a is centered on a point where the gas injection hole 19 of FIG. 15 to be described later is disposed. It is arranged to correspond to the left and right.

즉 한 측방향의 유로(22a)는 비활성기체가 주입되는 통로(22b)가 후술할 도 15의 가스 주입구(19)가 배치된 지점에 형성되며, 비활성기체가 배출되는 복수개의 통로(22b)는 글래스 기판(도 6, 7, 15의 23)의 좌측 에칭 영역(도 15의 C) 방향에 형성된다. 그리고 다른 측 방향의 유로(22a) 역시 비활성기체가 주입되는 통로(22b)가 후술할 도 15의 가스 주입구(19)가 배치된 지점에 형성되며, 비활성기체가 배출되는 복수개의 통로(22b)는 글래스 기판(도 6, 7, 15의 23)의 우측 에칭 영역(도 15의 C) 방향에 형성된다.That is, the one side flow path 22a is formed at the point where the gas inlet 19 of FIG. 15 to be described later is disposed, and the passage 22b through which the inert gas is injected, and the plurality of passages 22b through which the inert gas is discharged are It is formed in the direction of the left etching region (C of FIG. 15) of the glass substrate (23 of FIGS. 6, 7, 15). In addition, another side flow path 22a is also formed at the point where the gas inlet 19 of FIG. 15 to be described later is formed with a passage 22b through which the inert gas is injected, and the plurality of passages 22b through which the inert gas is discharged It is formed in the direction of the right etching region (C of FIG. 15) of the glass substrate (23 of FIGS. 6, 7, and 15).

도 9는 본 발명의 실시예에 따른 마스크와 스테이지의 측면이 결합된 구조를 나타내고, 도 10은 도 9를 적용한 경우 비활성기체의 균일도를 시뮬레이션한 결과를 나타낸 그래프이다.FIG. 9 is a view illustrating a structure in which a side surface of a mask and a stage are coupled according to an embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a graph illustrating a result of simulating uniformity of an inert gas when FIG. 9 is applied.

도 9를 참조하면, 마스크(16)와 스테이지(24)의 측면 즉 도 6의 제2 화살표 방향(②)이 빈틈없이 완전힌 막힌 결합구조를 나타낸다. 이때, 마스크(16)와 스테이지(24) 간의 간격은 3mm로 가정한다. Referring to FIG. 9, the mask 16 and the stage 24, that is, the second arrow direction ② of FIG. 6, are completely closed. At this time, the interval between the mask 16 and the stage 24 is assumed to be 3mm.

이러한 경우, 도 10에 따르면, 마스크(16)의 폭에 대해 균일도는 1% 미만임을 알 수 있다. 즉 비활성기체가 배출되는 속도가 마스크(16)의 폭 방향으로 균일함으로, 결국 균등하게 배출됨을 알 수 있다. In this case, according to FIG. 10, it can be seen that the uniformity of the mask 16 is less than 1%. In other words, it can be seen that the velocity at which the inert gas is discharged is uniform in the width direction of the mask 16 and eventually is evenly discharged.

이때, 도 10의 가로측은 마스크의 폭 길이 740의 절반인 370을 나타내고, 세로축은 배출방향의 기체 속도[m/s]로 배출의 균일한 정도를 나타낸다.At this time, the horizontal side of FIG. 10 represents 370, which is half of the width 740 of the mask, and the vertical axis represents the uniform degree of discharge at the gas velocity [m / s] in the discharge direction.

도 11은 본 발명의 한 실시예에 따른 마스크의 요철 구조를 나타내고, 도 12는 도 11을 적용한 경우, 비활성기체의 균일도를 시뮬레이션한 결과를 나타낸 그래프이다.FIG. 11 illustrates a concave-convex structure of a mask according to an embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a graph showing a result of simulating uniformity of inert gas when FIG. 11 is applied.

도 11을 참조하면, 마스크(도 4, 5, 6, 7, 15의 16)의 가장자리(또는 측면)에 형성된 요철의 깊이는 10mm일 수 있다. 이런 경우, 도 12와 같이, 비활성기체의 배출 속도가 비교적 양호한 균일도를 나타낸다.Referring to FIG. 11, the depth of the irregularities formed on the edge (or side) of the mask 16 (FIGS. 4, 5, 6, 7 and 15) may be 10 mm. In this case, as shown in Fig. 12, the discharge rate of the inert gas shows a relatively good uniformity.

도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크의 요철 구조를 나타내고, 도 14는 도 13을 적용한 경우, 비활성기체의 균일도를 시뮬레이션한 결과를 나타낸 그래프이다.FIG. 13 illustrates a concave-convex structure of a mask according to another embodiment of the present invention, and FIG. 14 is a graph illustrating a result of simulating uniformity of inert gas when FIG. 13 is applied.

도 13을 참조하면, 마스크(도 4, 5, 6, 7, 15의 16)의 가장자리(또는 측면)에 형성된 요철의 깊이는 10mm, 좌우 폭은 3mm, 전체 폭은 30mm일 수 있다. 이런 경우, 도 14와 같이, 균일도가 1.7%로서 비활성기체의 배출 속도가 비교적 양호한 균일도를 나타낸다.Referring to FIG. 13, the depth of the concavities and convexities formed on the edges (or sides) of the masks 16 of FIGS. 4, 5, 6, 7, and 15 may be 10 mm, left and right widths are 3 mm, and total widths are 30 mm. In this case, as shown in Fig. 14, the uniformity is 1.7% and the discharge rate of the inert gas is relatively good.

이처럼, 요철 구조를 통해 측면으로 비활성기체가 손실되어 균일도가 나빠지는 것을 방지할 수 있다.As such, it is possible to prevent the inert gas from being lost to the side through the uneven structure to deteriorate the uniformity.

한편, 다시, 도 2 및 도 3을 참조하면, 용접형 벨로우즈(12)는 얼라인 장치(미도시) 및 스테이지(도 6, 7, 15의 24)를 공정챔버(10)와 연결시킨다. Meanwhile, referring again to FIGS. 2 and 3, the welded bellows 12 connects the alignment device (not shown) and the stage (24 of FIGS. 6, 7 and 15) with the process chamber 10.

이때, 얼라인 장치(미도시) 및 스테이지(도 6, 7, 15의 24)는 진공 펌핑시 발생하는 공정챔버(10)의 변형에 의한 틀어짐을 방지하기 위해 공정챔버(10)의 외부 프레임에 지지된다. At this time, the alignment device (not shown) and the stage (24 of FIGS. 6, 7, 15) are attached to the outer frame of the process chamber 10 in order to prevent distortion due to deformation of the process chamber 10 generated during vacuum pumping. Supported.

여기서, 얼라인 장치(미도시)는 글래스 기판(도 6, 7, 15의 23)이 장착되는 스테이지(도 6, 7, 15의 24)를 움직여 마스크(도 4, 5, 6, 7, 15의 16)와 위치를 정렬한다. 즉 글래스 기판(도 6, 7, 15의 23)과 마스크(도 4, 5, 6, 7, 15의 16)는 얼라인 장치(미도시)와 스테이지(도 6, 7, 15의 24)를 이용하여 에칭을 하고자 하는 위치에 정확하게 정렬된다.Here, the alignment device (not shown) moves the stage (24 of FIGS. 6, 7, 15) on which the glass substrates (23 of FIGS. 6, 7, 15) are mounted to move the mask (FIGS. 4, 5, 6, 7, 15). 16) and align the position. That is, the glass substrates (23 of FIGS. 6, 7, 15) and the masks (16 of FIGS. 4, 5, 6, 7, and 15) are used to align the alignment device (not shown) and the stage (24 of FIGS. 6, 7, and 15). It is precisely aligned to the position to be etched using.

펌프 배관(13)은 양측 펌프 연결부(6)가 만나는 지점의 하단에 설치되어 공정챔버(10)에서 배출되는 에칭된 가스를 외부로 배출한다.The pump pipe 13 is installed at the lower end of the point where both pump connection portion 6 meets to discharge the etched gas discharged from the process chamber 10 to the outside.

펌핑 포트(14)는 공정챔버(10) 내부의 잔류 가스 및 부산물을 배출한다.The pumping port 14 discharges residual gases and byproducts within the process chamber 10.

글래스 로딩 핀(15)은 글래스 기판(도 6, 7, 15의 23)의 하중을 지지한다.The glass loading pin 15 supports the load of the glass substrate (23 of FIGS. 6, 7, 15).

도 15는 본 발명의 실시예에 따른 공정챔버의 측단면도로서, 에칭 과정을 설명하기 위한 도면이다. 특히, 도 15는 도 6의 B??B'의 측단면도이다.FIG. 15 is a side cross-sectional view of a process chamber according to an exemplary embodiment of the present invention and illustrates an etching process. FIG. In particular, FIG. 15 is a side cross-sectional view of B′B ′ of FIG. 6.

도 15를 참조하면, 공정챔버(10)의 내부 공간에는 마스크(16)의 상부에 장착되어 마스크(16)를 고정하기 위한 마스크 지지부(27)를 포함한다. Referring to FIG. 15, the inner space of the process chamber 10 includes a mask support part 27 mounted on an upper portion of the mask 16 to fix the mask 16.

여기서, 마스크(16)는 글래스 기판(23)이 장착된 스테이지(24)와 가까워지거나 멀어지도록 이동이 가능하다. Here, the mask 16 may be moved to move closer or away from the stage 24 on which the glass substrate 23 is mounted.

이러한 마스크(16)는 글래스 기판(23) 위에 배치되어 글래스 기판(23)의 비에칭 영역 즉 좌우 에칭 영역(C)을 제외한 나머지 영역을 가려주는 역할을 한다. 즉 에칭을 하지 않아야 하는 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diodes, OLED) TV 화면표시 영역을 비활성 기체에 의해서 활성 종들이 글래스 기판(23) 위에 침투하지 않도록 글래스 기판(23)을 보호한다. The mask 16 is disposed on the glass substrate 23 to cover the remaining regions other than the non-etched region of the glass substrate 23, that is, the left and right etching regions C. That is, the organic light emitting diodes (OLED) TV display area, which should not be etched, protects the glass substrate 23 so that active species do not penetrate the glass substrate 23 by an inert gas.

여기서, 마스크(16)와 글래스 기판(23) 사이에는 접촉에 의한 글래스 기판(23)의 손상을 방지하기 위해 일정 크기의 갭(Gap) 즉 내부공간(26)이 형성된다. Here, a gap (that is, an internal space 26) having a predetermined size is formed between the mask 16 and the glass substrate 23 to prevent damage to the glass substrate 23 by contact.

또한, 마스크(16)의 하부에는 글래스 기판(23) 및 글래스 기판(23)을 지지하는 스테이지(24)가 배치된다. 이러한 스테이지(24)는 공정챔버(10)의 내부공간에 설치되어서 상부에 글래스 기판(23)을 고정시키도록 진공 척과 같은 구조로 구성된다. 그리고 글래스 기판(23)을 좌우 이동, 상하 이동, 회전 이동이 가능하도록 x, y, z, θ 스테이지로 이루어진다. In addition, a glass substrate 23 and a stage 24 supporting the glass substrate 23 are disposed below the mask 16. The stage 24 is installed in an internal space of the process chamber 10 and is configured in a structure such as a vacuum chuck to fix the glass substrate 23 thereon. The glass substrate 23 is composed of x, y, z, and θ stages so that the glass substrate 23 can be moved left and right, up and down, and rotationally.

이때, 스테이지(24)는 스테이지(24)가 하강시 글래스 기판(23)을 지탱하는 지지핀(25)을 포함한다.In this case, the stage 24 includes a support pin 25 that supports the glass substrate 23 when the stage 24 is lowered.

여기서, 마스크(16) 및 마스크 지지부(27)를 관통하는 가스 주입구(19)를 통해 마스크(16)와 글래스 기판(23) 사이에 형성된 내부공간(26)으로 비활성기체가 유입된다. 이러한 비활성기체는 마스크(16)의 내부공간(26)으로 공급되어 활성기체가 내부공간(26)으로 유입되는 것을 막기 위한 압력 가스로 활용된다. 그리고 이러한 압력 가스는 공정 가스 중 비활성 기체(또는 가스)인 아르곤(Ar) 가스, 질소, 여타의 다른 기체들이 사용될 수 있다.Here, the inert gas is introduced into the inner space 26 formed between the mask 16 and the glass substrate 23 through the gas injection hole 19 passing through the mask 16 and the mask supporter 27. The inert gas is supplied to the inner space 26 of the mask 16 and used as a pressure gas to prevent the active gas from flowing into the inner space 26. The pressure gas may be argon (Ar) gas, nitrogen, or any other gas which is an inert gas (or gas) in the process gas.

이처럼 내부공간(26)에 유입된 비활성기체는 유기물(29)이 형성된 글래스 기판(23)의 좌우 방향으로 확산된다. 그리고 플라즈마로 인해 발생한 래디컬이 내부공간(26)에 유입되는 것을 방지한다. As described above, the inert gas introduced into the internal space 26 diffuses in the left and right directions of the glass substrate 23 on which the organic material 29 is formed. And the radical generated by the plasma is prevented from flowing into the inner space (26).

여기서, 플라즈마는 플라즈마 생성부(2)에서 생성되어 기체 분배장치(27)를 통과하면서 균등하게 분배되어 글래스 기판(23)의 좌우 에칭 영역(C)으로 배출된다. Here, the plasma is generated in the plasma generating unit 2 and evenly distributed while passing through the gas distribution device 27, and discharged to the left and right etching regions C of the glass substrate 23.

또한, 플라즈마 에칭에 따라 발생한 잔류 가스 및 부산물은 펌핑 포트(14)를 통해 배출된다. In addition, the residual gas and by-products generated by the plasma etching are discharged through the pumping port 14.

이때, 펌핑포트(14)의 외부 즉 공정챔버(10)의 내부 벽면을 따라서 공정챔버(10)의 벽면 오염을 방지하기 위한 라이너(liner)(30)가 배치된다. At this time, a liner 30 is disposed outside the pumping port 14, that is, along the inner wall of the process chamber 10 to prevent contamination of the wall of the process chamber 10.

이상에서 설명한 본 발명의 실시예는 장치 및 방법을 통해서만 구현이 되는 것은 아니며, 본 발명의 실시예의 구성에 대응하는 기능을 실현하는 프로그램 또는 그 프로그램이 기록된 기록 매체를 통해 구현될 수도 있다. The embodiments of the present invention described above are not implemented only by the apparatus and method, but may be implemented through a program for realizing the function corresponding to the configuration of the embodiment of the present invention or a recording medium on which the program is recorded.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, It belongs to the scope of right.

Claims (21)

기판에 플라즈마 에칭을 행하는 플라즈마 에칭 장치로서,
상기 기판이 고정되는 스테이지; 및
상기 기판 위에 상기 기판과 공간을 형성하며 배치되고, 상기 기판의 비에칭 영역을 보호하는 마스크를 포함하고,
상기 공간에 주입되는 비활성기체의 확산 방향을 x 방향이라고 할 때 상기 비활성 기체의 확산 방향의 y 방향으로 상기 기판 및 상기 마스크의 양측단은,
상기 y 방향으로 상기 비활성기체가 배출되는 것을 방지하는 구조를 포함하고,
상기 마스크는,
상기 비활성기체를 균등하게 분배하기 위한 유로를 포함하는 플라즈마 에칭 장치.1. A plasma etching apparatus for performing plasma etching on a substrate,
A stage to which the substrate is fixed; And
A mask disposed on the substrate to form a space with the substrate, the mask protecting a non-etched region of the substrate;
When the diffusion direction of the inert gas injected into the space is referred to as the x direction, both ends of the substrate and the mask in the y direction of the diffusion direction of the inert gas,
It includes a structure to prevent the inert gas is discharged in the y direction,
Wherein,
And a flow path for evenly distributing the inert gas. 제1항에 있어서,
상기 스테이지 및 상기 마스크의 측단은,
요철(凹凸) 구조를 형성하는 플라즈마 에칭 장치.The method of claim 1,
The side ends of the stage and the mask,
The plasma etching apparatus which forms an uneven structure. 제2항에 있어서,
상기 요철(凹凸) 구조는,
상기 스테이지 및 상기 마스크의 좌우 방향의 양측단에 형성되는 플라즈마 에칭 장치.3. The method of claim 2,
The uneven structure is
And a plasma etching apparatus formed at both ends of the stage and the mask in left and right directions. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 마스크는,
음각 또는 양각으로 형성된 유로를 포함하는 플라즈마 에칭 장치.The method of claim 1,
Wherein,
Plasma etching apparatus comprising a flow path formed in an intaglio or embossed. 제1항에 있어서,
상기 마스크는,
상기 비활성기체를 균등하게 분배하기 위한 유로가 형성된 판과 결합되는 다층 구조를 포함하는 플라즈마 에칭 장치.The method of claim 1,
Wherein,
And a multi-layered structure coupled to a plate on which a flow path for evenly distributing the inert gas is formed. 제1항에 있어서,
상기 유로는,
상기 비활성기체를 통과시키는 복수개의 통로를 포함하고,
상기 복수개의 통로는,
상기 비활성기체가 유입되는 지점에 형성된 통로보다 상기 비활성기체가 외부로 배출되는 지점에 형성된 통로의 개수가 더 많은 플라즈마 에칭 장치.The method of claim 1,
The flow path includes:
It includes a plurality of passages for passing through the inert gas,
The plurality of passages,
And a greater number of passages formed at the point where the inert gas is discharged to the outside than passages formed at the point where the inert gas is introduced. 제7항에 있어서,
상기 유로는,
상기 비활성기체가 유입되는 하나의 제1 통로;
상기 비활성기체가 외부로 균등하게 배출되는 복수개의 제2 통로; 및
상기 제1 통로 및 상기 제2 통로 사이에 형성되며, 다층으로 이루어지며 각 층별로 복수개의 통로를 포함하는 복수개의 제3 통로를 포함하고,
상기 제2 통로의 개수는 상기 복수개의 제3 통로의 개수보다 더 많고, 상기 복수개의 제3 통로 중에서 상기 제2 통로에 가까운 층에 형성된 통로일수록 통로의 개수가 더 많은 플라즈마 에칭 장치.8. The method of claim 7,
The flow path includes:
A first passage through which the inert gas is introduced;
A plurality of second passages through which the inert gas is evenly discharged to the outside; And
A plurality of third passages formed between the first passage and the second passage and formed of a multilayer and including a plurality of passages for each layer;
The number of the second passages is greater than the number of the plurality of third passages, and the number of passages is a greater number of passages formed in a layer closer to the second passage among the plurality of third passages. 제8항에 있어서,
상기 유로는,
상기 기판의 좌우 에칭 영역 방향으로 대응되게 두개가 형성되는 플라즈마 에칭 장치.9. The method of claim 8,
The flow path includes:
Plasma etching apparatus is formed in two corresponding to the direction of the left and right etching region of the substrate. 제1항에 있어서,
상기 기판의 에칭 영역에 플라즈마를 배출하는 플라즈마 발생부; 및
상기 마스크를 관통하며, 상기 기판과 상기 마스크 사이에 형성되는 내부 공간에 상기 기판의 에칭 영역으로 확산되어 상기 에칭 영역에 공급되는 활성기체가 상기 내부공간으로 유입되지 못하도록 압력 가스로서의 역할을 하는 비활성기체를 공급하는 가스 주입구를 더 포함하고,
상기 비활성기체의 확산 방향과 수직인 상기 기판 및 상기 마스크의 측단은 상기 확산 방향과 수직인 방향으로 상기 비활성기체의 배출을 막기 위한 구조를 형성하는 플라즈마 에칭 장치.The method of claim 1,
A plasma generator for discharging plasma to an etching region of the substrate; And
An inert gas that penetrates the mask and diffuses into the etching region of the substrate in an internal space formed between the substrate and the mask and serves as a pressure gas to prevent the active gas supplied to the etching region from entering the internal space. Further comprising a gas inlet for supplying,
And side ends of the substrate and the mask perpendicular to the diffusion direction of the inert gas form a structure for preventing discharge of the inert gas in a direction perpendicular to the diffusion direction. 제1항에 있어서,
상기 기판의 처리 공간을 제공하고, 상기 스테이지 및 상기 마스크가 내부 공간에 배치되는 공정챔버; 및
상기 공정챔버의 내부공간에 설치되어 상기 공정챔버의 내부 벽면의 오염을 방지하기 위한 라이너
를 더 포함하는 플라즈마 에칭 장치.The method of claim 1,
A process chamber providing a processing space of the substrate, wherein the stage and the mask are disposed in an internal space; And
A liner disposed in an inner space of the process chamber to prevent contamination of an inner wall surface of the process chamber;
Further comprising a plasma etching apparatus. 제11항에 있어서,
상기 공정챔버의 내부공간에 위치하고, 상기 플라즈마로 인해 생성된 활성기체와 상기 비활성기체가 혼합되어 상기 기판을 플라즈마 에칭 한 후 발생되는 부산물을 배출하는 펌핑 포트
를 더 포함하는 플라즈마 에칭 장치.12. The method of claim 11,
Pumping port located in the interior chamber of the process chamber, the active gas generated by the plasma and the inert gas is mixed to discharge the by-product generated after plasma etching the substrate
Further comprising a plasma etching apparatus. 플라즈마 에칭 대상인 기판이 장착되는 스테이지; 및
상기 기판 위에 상기 기판과 공간을 형성하며 배치되고, 상기 기판의 비에칭 영역을 보호하기 위한 마스크를 포함하고,
상기 공간에 주입되는 비활성기체의 확산 방향을 x 방향이라고 할 때 상기 비활성 기체의 확산 방향의 y 방향으로 상기 기판 및 상기 마스크의 양측단은,
상기 y 방향으로 상기 비활성기체가 배출되는 것을 방지하는 구조를 형성하고,
상기 비활성기체를 균등하게 분배하기 위한 유로를 포함하는 마스크 장치.A stage on which a substrate to be plasma etched is mounted; And
Forming a space with the substrate on the substrate, and including a mask to protect a non-etched region of the substrate,
When the diffusion direction of the inert gas injected into the space is referred to as the x direction, both ends of the substrate and the mask in the y direction of the diffusion direction of the inert gas,
Form a structure to prevent the inert gas is discharged in the y direction,
And a flow path for distributing the inert gas evenly. 제13항에 있어서,
상기 스테이지 및 상기 마스크의 측단은,
요철(凹凸) 구조를 형성하는 마스크 장치.14. The method of claim 13,
The side ends of the stage and the mask,
Mask apparatus which forms uneven | corrugated structure. 제14항에 있어서,
상기 요철(凹凸) 구조는,
상기 스테이지 및 상기 마스크의 좌우 방향의 양측단에 형성되는 마스크 장치.15. The method of claim 14,
The uneven structure is
Mask devices formed on both side ends in the left and right directions of the stage and the mask. 삭제delete 제13항에 있어서,
상기 마스크는,
음각 또는 양각으로 형성된 유로를 포함하는 마스크 장치.14. The method of claim 13,
Wherein,
A mask device comprising a flow path formed in an intaglio or embossed. 제13항에 있어서,
상기 마스크는,
상기 비활성기체를 균등하게 분배하기 위한 유로가 형성된 판과 결합되는 다층 구조를 포함하는 마스크 장치.14. The method of claim 13,
Wherein,
And a multi-layered structure coupled to a plate having a flow path for evenly distributing the inert gas. 제13항에 있어서,
상기 유로는,
상기 비활성기체를 통과시키는 복수개의 통로를 포함하고,
상기 복수개의 통로는,
상기 비활성기체가 유입되는 지점에 형성된 통로보다 외부로 배출되는 지점에 형성된 통로의 개수가 더 많은 마스크 장치.14. The method of claim 13,
The flow path includes:
It includes a plurality of passages for passing through the inert gas,
The plurality of passages,
A mask device having a greater number of passages formed at the point discharged to the outside than passages formed at the point where the inert gas is introduced. 제19항에 있어서,
상기 유로는,
상기 비활성기체가 유입되는 하나의 제1 통로;
상기 비활성기체가 외부로 균등하게 배출되는 복수개의 제2 통로; 및
상기 제1 통로 및 상기 제2 통로 사이에 형성되며, 다층으로 이루어지며 각 층별로 복수개의 통로를 포함하는 복수개의 제3 통로를 포함하고,
상기 제2 통로의 개수는 상기 복수개의 제3 통로의 개수보다 더 많고, 상기 복수개의 제3 통로 중에서 상기 제2 통로에 가까운 층에 형성된 통로일수록 통로의 개수가 더 많은 마스크 장치.20. The method of claim 19,
The flow path includes:
A first passage through which the inert gas is introduced;
A plurality of second passages through which the inert gas is evenly discharged to the outside; And
A plurality of third passages formed between the first passage and the second passage and formed of a multilayer and including a plurality of passages for each layer;
The number of the second passages is greater than the number of the plurality of third passages, and the plurality of passages formed in the layer closer to the second passage among the plurality of third passages, the mask device. 제20항에 있어서,
상기 유로는,
상기 기판의 에칭 영역 좌우 방향으로 대응되게 두개가 형성되는 마스크 장치.21. The method of claim 20,
The flow path includes:
Two mask apparatus is formed corresponding to the left and right directions of the etching region of the substrate.
KR1020120111332A 2012-10-08 2012-10-08 Plasma etching apparatus and mask device KR101377996B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120111332A KR101377996B1 (en) 2012-10-08 2012-10-08 Plasma etching apparatus and mask device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120111332A KR101377996B1 (en) 2012-10-08 2012-10-08 Plasma etching apparatus and mask device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101377996B1 true KR101377996B1 (en) 2014-03-27

Family

ID=50649496

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120111332A KR101377996B1 (en) 2012-10-08 2012-10-08 Plasma etching apparatus and mask device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101377996B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1056006A (en) * 1996-05-31 1998-02-24 Siemens Ag Method and device for etching damaged region of circumferential part of semiconductor substrate
KR19990016417U (en) * 1997-10-28 1999-05-25 김영환 CD Vision's bottom chassis and top cover
JP2007081404A (en) 2005-09-15 2007-03-29 Asm Japan Kk Plasma cvd deposition apparatus having mask
KR20070077712A (en) * 2006-01-24 2007-07-27 삼성전자주식회사 Apparatus for treating a edge of the substrate with plasma

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1056006A (en) * 1996-05-31 1998-02-24 Siemens Ag Method and device for etching damaged region of circumferential part of semiconductor substrate
KR19990016417U (en) * 1997-10-28 1999-05-25 김영환 CD Vision's bottom chassis and top cover
JP2007081404A (en) 2005-09-15 2007-03-29 Asm Japan Kk Plasma cvd deposition apparatus having mask
KR20070077712A (en) * 2006-01-24 2007-07-27 삼성전자주식회사 Apparatus for treating a edge of the substrate with plasma

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102532733B1 (en) Particle removal apparatus and laser cutting apparatus including the same
TW201808510A (en) Laser release device, laser release method, and method for manufacturing organic el display
US11293097B2 (en) Apparatus for distributing gas and apparatus for processing substrate including the same
KR102421233B1 (en) Apparatus for low pressure chemical vapor deposition
JP7260624B2 (en) LASER Peeling Apparatus, Laser Peeling Method, and Organic EL Display Manufacturing Method
JP2010267399A (en) Coating apparatus
US9982339B2 (en) Film-forming mask, film-forming device, and film-forming method
KR101478151B1 (en) Atommic layer deposition apparatus
KR102398880B1 (en) Heat treatment apparatus and method of manufacturing film using the same
CN109136879B (en) Mask plate
KR101377997B1 (en) Plasma etching apparatus and device for distributting gas
KR101377996B1 (en) Plasma etching apparatus and mask device
KR101399904B1 (en) Apparatus for cleaning substrate with plasma
KR101398585B1 (en) Plasma etching apparatus and baffle
KR100703654B1 (en) Control Pressure of Structure And Chamber Interior Duct
KR20090106178A (en) Substrate processing appratus and method for treating subtrate
KR101739051B1 (en) Substrate processing apparatus
JP2021526312A (en) Semiconductor processing equipment
KR102336497B1 (en) Substrate supporting assembly and substrate processing apparatus including the same
KR20140045148A (en) Plasma etching apparatus
KR100975935B1 (en) Thin film forming apparatus and method
KR20160081342A (en) A ald apparatus for large substrate
KR102121799B1 (en) Substrate processing apparatus
KR102562341B1 (en) Chuck system
KR102310002B1 (en) Substrate coater apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee