KR101377463B1 - Circuit for removing noise, gate driving circuit having the same and display device having the gate driving circuit - Google Patents
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Abstract
노이즈 제거회로와, 이를 구비한 게이트 구동회로 및 표시 장치에서, 노이즈 제거회로는 제1 스위칭부, 제2 스위칭부 및 제3 스위칭부를 포함한다. 제1 스위칭부는 출력단을 통해 하이레벨의 출력 신호를 출력한다. 제2 스위칭부는 로우레벨의 입력 신호가 입력되는 입력단, 제1 스위칭부의 출력단과 연결된 출력단 및 복수의 제어 신호들이 순차적으로 입력되는 제어단들을 포함한다. 제3 스위칭부는 제1, 2 스위칭부의 출력단과 연결된 제어단에 입력된 신호에 기초하여 제1 단자와 제2 단자를 스위칭한다. 이에 따라, 제1 및 제2 단자를 전기적으로 쇼트시킴으로써 제1 및 제2 단자의 노이즈를 상쇄시킬 수 있다. In the noise removing circuit, the gate driving circuit and the display device including the same, the noise removing circuit includes a first switching unit, a second switching unit, and a third switching unit. The first switching unit outputs a high level output signal through the output terminal. The second switching unit includes an input terminal to which a low level input signal is input, an output terminal connected to an output terminal of the first switching unit, and control terminals to sequentially receive a plurality of control signals. The third switching unit switches the first terminal and the second terminal based on a signal input to the control terminal connected to the output terminals of the first and second switching units. Accordingly, the noise of the first and second terminals can be canceled by electrically shorting the first and second terminals.
쉬프트 레지스터, 게이트 구동회로, 풀업부, 노이즈 제거 Shift register, gate drive circuit, pull up section, noise cancellation
Description
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 1 is a plan view of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2는 도 1에 도시된 게이트 구동회로에 대한 상세한 블록도이다. FIG. 2 is a detailed block diagram of the gate driving circuit shown in FIG. 1.
도 3은 도 2에 도시된 스테이지에 대한 상세한 회로도이다. 3 is a detailed circuit diagram of the stage shown in FIG.
도 4는 도 2에 도시된 노이즈 제거회로에 대한 상세한 회로도이다. FIG. 4 is a detailed circuit diagram of the noise removing circuit shown in FIG. 2.
도 5는 도 2에 도시된 게이트 구동회로의 입출력신호에 대한 타이밍도들이다. 5 is a timing diagram of an input / output signal of the gate driving circuit shown in FIG. 2.
도 6a는 도 3에 도시된 스테이지의 제1 노드의 신호 파형도이다. 6A is a signal waveform diagram of the first node of the stage shown in FIG. 3.
도 6b는 도 6a에 도시된 "A" 부분의 확대도이다. FIG. 6B is an enlarged view of portion “A” shown in FIG. 6A.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>Description of the Related Art
100 : 표시 패널 200 : 게이트 구동회로100: display panel 200: gate driving circuit
SRCm : 제m 스테이지 NRCk :제k 노이즈 제거회로SRCm: mth stage NRCk: kth noise canceling circuit
210 : 풀업부 220 : 풀다운부210: pull-up part 220: pull-down part
242 : 제1 홀딩부 244 : 제2 홀딩부242: first holding part 244: second holding part
246 : 제3 홀딩부 248 : 제4 홀딩부246: third holding part 248: fourth holding part
310: 제1 스위칭부 330 : 제2 스위칭부310: first switching unit 330: second switching unit
350 : 제3 스위칭부 400 : 소스 구동회로350: third switching unit 400: source driving circuit
500 : 인쇄회로기판500: printed circuit board
본 발명은 노이즈 제거회로와 이를 구비한 게이트 구동회로 및 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고온에서 발생하는 노이즈 현상을 제거하기 위한 노이즈 제거회로와 이를 구비한 게이트 구동회로 및 표시 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a noise removing circuit, a gate driving circuit and a display device having the same, and more particularly, to a noise removing circuit for removing a noise phenomenon occurring at a high temperature, and a gate driving circuit and a display device having the same. .
최근 들어 표시장치용 패널 모듈의 제조 원가를 절감하고 전체 사이즈를 줄이기 위하여 패널의 표시 영역에 위치하는 스위칭 소자 형성 공정 진행 시 패널의 주변 영역에 게이트 구동회로를 동시에 형성하는 이른바 ASG(Amorphous Silicon Gate) 기술이 적용되고 있다.Recently, the so-called ASG (Amorphous Silicon Gate), which simultaneously forms a gate driving circuit in the peripheral area of the panel during the process of forming a switching element located in the display area of the panel, in order to reduce the manufacturing cost and reduce the overall size of the panel module for a display device. Technology is being applied.
그러나 이러한 ASG 기술을 적용한 표시장치의 경우 장시간 동안의 구동으로 인하여 게이트 구동회로가 상온보다 높은 고온(예컨데, 60℃ 이상)으로 올라간 경우 게이트 신호에 노이즈가 발생하는 현상이 관찰된다. 이러한 게이트 신호의 노이즈는 결과적으로 표시 품질을 떨어뜨리게 되므로 이의 개선이 요구 된다.However, in the case of the display device using the ASG technology, when the gate driving circuit rises to a high temperature higher than room temperature (for example, 60 ° C. or more) due to the driving for a long time, noise occurs in the gate signal. Since the noise of such gate signal results in poor display quality, improvement of the gate signal is required.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 고온 노이즈를 제거하기 위한 노이즈 제거회로를 제공하는 것이다. Accordingly, the technical problem of the present invention is to solve such a conventional problem, and an object of the present invention is to provide a noise removing circuit for removing high temperature noise.
본 발명의 다른 목적은 고온에서 게이트 신호에 노이즈가 발생하는 현상을 최소화하기 위한 게이트 구동회로를 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a gate driving circuit for minimizing the occurrence of noise in the gate signal at a high temperature.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 게이트 구동회로를 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a display device including the gate driving circuit.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 노이즈 제거회로는 제1 스위칭부, 제2 스위칭부 및 제3 스위칭부를 포함한다. 상기 제1 스위칭부는 출력단을 통해 하이레벨의 출력 신호를 출력한다. 상기 제2 스위칭부는 로우레벨의 입력 신호가 입력되는 입력단, 상기 제1 스위칭부의 출력단과 연결된 출력단 및 복수의 제어 신호들이 순차적으로 입력되는 제어단들을 포함한다. 상기 제3 스위칭부는 상기 제1, 2 스위칭부의 출력단과 연결된 제어단에 입력된 신호에 기초하여 제1 단자와 제2 단자를 스위칭한다. The noise removing circuit according to the embodiment for realizing the object of the present invention includes a first switching unit, a second switching unit, and a third switching unit. The first switching unit outputs a high level output signal through an output terminal. The second switching unit includes an input terminal to which a low level input signal is input, an output terminal connected to an output terminal of the first switching unit, and control terminals to sequentially receive a plurality of control signals. The third switching unit switches the first terminal and the second terminal based on a signal input to a control terminal connected to an output terminal of the first and second switching units.
상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 게이트 구동회로는 m(m은 자연수) 번째 스테이지, m+1번째 스테이지 및 노이즈 제거회로를 포함한다. 상기 m 번째 스테이지는 제1 클럭신호를 m(m은 자연수) 번째 게이트 신호의 하이레벨로 풀업시켜 출력하는 풀업부를 포함한다. 상기 m+1 번째 스테이지는 상기 m 번째 스테이지와 연결되고, 제2 클럭신호를 상기 m+1 번째 게이트 신호의 하이레벨로 풀업시켜 출력하는 풀업부를 포함한다. 상기 노이즈 제거회로는 상기 제1 및 제2 클럭신호에 응답하여 상기 m 번째 스테이지의 풀업부의 제어단과 상기 m+1 번 째 스테이지의 풀업부의 제어단을 전기적으로 쇼트시켜 상기 m 번째 스테이지의 풀업부의 제어단의 노이즈와 상기 m+1 번째 스테이지의 풀업부의 제어단의 노이즈를 상쇄시킨다. According to another aspect of the present invention, a gate driving circuit includes an m (m is a natural number) stage, an m + 1 stage, and a noise removing circuit. The m-th stage includes a pull-up unit which pulls up the first clock signal to a high level of the m-th gate signal and outputs the first clock signal. The m + 1th stage is connected to the mth stage, and includes a pullup unit configured to pull up a second clock signal to a high level of the m + 1th gate signal and output the same. The noise removing circuit electrically shorts the control terminal of the pull-up unit of the m-th stage and the control terminal of the pull-up unit of the m + 1th stage in response to the first and second clock signals to control the pull-up unit of the m-th stage. The noise of the stage and the noise of the control stage of the pull-up section of the m + 1th stage are canceled out.
상기한 본 발명의 또 다른 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널, 소스 구동회로 및 게이트 구동회로를 포함한다. 상기 표시 패널은 서로 교차하는 게이트 배선들 및 소스 배선들이 형성되어 영상을 표시하는 표시 영역과 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함한다. 상기 소스 구동회로는 상기 소스 배선들에 데이터 신호들을 출력한다. 상기 게이트 구동회로는 상기 주변 영역에 집적되고, 상기 게이트 배선들에 게이트 신호들을 출력하는 복수의 스테이지들을 포함한다. 상기 게이트 구동회로는 제1 클럭신호를 m(m은 자연수) 번째 게이트 신호의 하이레벨로 풀업시켜 출력하는 풀업부를 포함하는 m 번째 스테이지와, 제2 클럭신호를 상기 m+1 번째 게이트 신호의 하이레벨로 풀업시켜 출력하는 풀업부를 포함하는 m+1 번째 스테이지 및 상기 제1 및 제2 클럭신호에 응답하여 상기 m 번째 스테이지의 풀업부의 제어단과 상기 m+1 번째 스테이지의 풀업부의 제어단을 전기적으로 쇼트시켜 상기 m 번째 스테이지의 풀업부의 제어단의 노이즈와 상기 m+1 번째 스테이지의 풀업부의 제어단의 노이즈를 상쇄시킨다. According to another exemplary embodiment of the present invention, a display device includes a display panel, a source driving circuit, and a gate driving circuit. The display panel includes a display area in which gate wires and source wires that cross each other are formed to display an image, and a peripheral area surrounding the display area. The source driving circuit outputs data signals to the source wirings. The gate driving circuit includes a plurality of stages integrated in the peripheral area and outputting gate signals to the gate lines. The gate driving circuit includes a m-th stage including a pull-up unit configured to pull up a first clock signal to a high level of an m (m is a natural number) gate signal and output a second clock signal to a high level of the m + 1 th gate signal. An m + 1 th stage including a pull-up part for outputting to a level and outputting the level; and electrically controlling a control end of the pull-up part of the m-th stage and a control end of the pull-up part of the m + 1th stage in response to the first and second clock signals. The short circuit cancels the noise of the control stage of the pull-up unit of the m-th stage and the noise of the control stage of the pull-up unit of the m + 1th stage.
이러한 노이즈 제거회로와, 이를 구비한 게이트 구동회로 및 표시 장치에 의하면, 고온 구동시 발생되는 노이즈를 제거함으로써 표시 품질을 향상시킬 수 있다. According to such a noise removing circuit, a gate driving circuit and a display device including the same, the display quality can be improved by removing noise generated during high temperature driving.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한 다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in detail the present invention.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이다. 1 is a schematic plan view of a display device according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 표시 장치는 표시 패널(100), 게이트 구동회로(200), 소스 구동회로(400) 및 인쇄회로기판(500)을 포함한다. Referring to FIG. 1, a display device includes a
상기 표시 패널(100)은 표시 영역(DA) 및 상기 표시 영역(DA)을 둘러싸는 주변 영역(PA)을 포함한다. 상기 표시 영역(DA)에는 서로 교차하는 게이트 배선들, 소스 배선들 및 복수의 화소부를 포함한다. 각 화소부(P)는 게이트 배선(GL)과 소스 배선(DL)에 전기적으로 연결된 스위칭 소자(TFT)와, 상기 스위칭 소자(TFT)와 전기적으로 연결된 액정 캐패시터(CLC) 및 상기 액정 캐패시터(CLC)와 병렬 연결된 스토리지 캐패시터(CST)를 포함한다. The
상기 게이트 구동회로(200)는 상기 게이트 배선들에 게이트 신호들을 순차적으로 출력하는 쉬프트 레지스터와 상기 게이트 신호들에 발생된 노이즈를 제거하는 복수의 노이즈 제거회로(NRCk)(k는 자연수)를 포함한다. 상기 쉬프트 레지스터는 복수의 스테이지들(SCRm, SCRm+1)(m은 자연수)을 포함하고, 제k 노이즈 제거회로(NRCk)는 서로 인접한 제m 스테이지(SCRm)와 제m+1 스테이지(SCRm+1)의 출력신호인 제m 게이트 신호 및 제m+1 게이트 신호의 노이즈를 제거한다. 상기 게이트 구동회로(200)는 바람직하게 상기 게이트 배선들의 일단부에 대응하는 상기 주변 영역(PA)에 집적된다. The
상기 소스 구동회로(400)는 상기 소스 배선들에 데이터 신호들을 출력하는 소스 구동칩(410)과, 상기 소스 구동칩(410)이 실장되어 상기 인쇄회로기판(500)과 상기 표시 패널(100)을 전기적으로 연결하는 연성회로기판(430)을 포함한다. 여기서는 상기 소스 구동칩(410)이 상기 연성회로기판(430)에 실장되는 것을 예로 하였으나, 상기 소스 구동칩(410)이 직접 상기 표시 패널(100)에 실장될 수 있고, 또한 상기 소스 구동칩(410)이 상기 표시 패널(100)의 상기 주변 영역(PA)에 직접 집적될 수도 있다. The
도 2는 도 1에 도시된 게이트 구동회로에 대한 상세한 블록도이다. 도 3은 도 2의 스테이지에 대한 상세한 회로도이고, 도 4는 도 2의 노이즈 제거회로에 대한 상세한 회로도이며, 도 5는 도 2에 도시된 게이트 구동회로의 입출력신호에 대한 타이밍도들이다. FIG. 2 is a detailed block diagram of the gate driving circuit shown in FIG. 1. 3 is a detailed circuit diagram of the stage of FIG. 2, FIG. 4 is a detailed circuit diagram of the noise removing circuit of FIG. 2, and FIG. 5 is a timing diagram of an input / output signal of the gate driving circuit shown in FIG. 2.
도 2를 참조하면, 게이트 구동회로는 서로 종속적으로 연결된 제1 내지 제n+1 스테이지(SRC1~SRCn+1)를 포함하는 쉬프트 레지스터(SRC)와, 서로 인접한 스테이지들과 연결된 제1 내지 제 n/2 노이즈 제거회로들(NRC1~NRCn/2)을 포함한다. Referring to FIG. 2, the gate driving circuit includes a shift register SRC including first to n + 1 stages SRC1 to SRCn + 1 connected to each other and first to nth connected to adjacent stages. / 2 noise cancellation circuits (NRC1 ~ NRCn / 2).
제1 내지 제n+1 스테이지(SRC1 ~ SRCn+1)는 n 개의 게이트 신호를 출력하는 제1 내지 제n 스테이지(SRC1 ~ SRCn)와 상기 제1 내지 제n+1 스테이지(SRC1 ~ SRCn+1)에 리셋 신호를 출력하는 제n+1 스테이지(SRCn+1)를 포함한다. 포치(Porch) 구간 동안 제n 스테이지(SCRn)의 출력에 포함될 수 있는 노이즈를 최소화하기 위하여 추가로 제n+2 스테이지(SRCn+2) 또는 그 이상의 스테이지를 포함할 수도 있다.The first to nth + 1 stages SRC1 to SRCn + 1 are the first to nth stages SRC1 to SRCn that output n gate signals and the first to nth + 1 stages SRC1 to SRCn + 1. ), The n + 1th stage SRCn + 1 outputs a reset signal. In order to minimize noise that may be included in the output of the n th stage SCRn during the porch period, the n th +2 th stage SRCn + 2 may be further included.
상기 제1 내지 제n+1 스테이지(SRC1 ~ SRCn+1) 각각은 제1 클럭 단자(CK1), 제2 클럭 단자(CK2), 제1 입력단자(IN1), 제2 입력단자(IN2), 전압 단자(VSS), 리셋 단자(RE), 캐리 단자(CR), 출력 단자(OUT) 및 노드 단자(ND)를 포함한다.Each of the first to n + 1th stages SRC1 to SRCn + 1 includes a first clock terminal CK1, a second clock terminal CK2, a first input terminal IN1, a second input terminal IN2, The voltage terminal VSS, the reset terminal RE, the carry terminal CR, the output terminal OUT, and the node terminal ND are included.
상기 제1 클럭 단자(CK1) 및 상기 제2 클럭 단자(CK2)에는 서로 반대 위상을 가지는 제1 클럭 신호(CK) 및 제2 클럭 신호(CKB)가 제공된다. 구체적으로, 홀수 번째 스테이지(SRC1, SRC3,..., SRCn+1)의 상기 제1 클럭 단자(CK1)에는 상기 제1 클럭 신호(CK)가 제공되고, 제2 클럭 단자(CK2)에는 상기 제2 클럭 신호(CKB)가 제공된다. 짝수 번째 스테이지(SRC2, SRC4,..., SRCn)의 상기 제1 클럭 단자(CK1)에는 상기 제2 클럭 신호(CKB)가 제공되고, 상기 제2 클럭 단자(CK2)에는 상기 제1 클럭 신호(CK)가 제공된다.The first clock signal CK and the second clock signal CKB having opposite phases are provided to the first clock terminal CK1 and the second clock terminal CK2. Specifically, the first clock signal CK is provided to the first clock terminal CK1 of the odd-numbered stages SRC1, SRC3,..., SRCn + 1, and the second clock terminal CK2 is provided to the first clock signal CK1. The second clock signal CKB is provided. The second clock signal CKB is provided to the first clock terminal CK1 of the even-numbered stages SRC2, SRC4, SRCn and the first clock signal CK2 is supplied to the second clock terminal CK2. (CK) is provided.
상기 제1 입력 단자(IN1)에는 수직개시신호(STV) 또는 이전 스테이지의 캐리 신호가 제공된다. 즉, 첫 번째 스테이지인 제1 스테이지(SRC1)의 상기 제1 입력 단자(IN1)에는 수직개시신호(STV)가 제공되고, 제2 내지 제n+1 스테이지(SRC2 ~ SRCn+1)의 상기 제1 입력 단자(IN1)에는 이전 스테이지(SRC1 ~ SRCn)의 캐리 신호가 각각 제공된다.The first input terminal IN1 is provided with a vertical start signal STV or a carry signal of a previous stage. That is, the vertical start signal STV is provided to the first input terminal IN1 of the first stage SRC1 as the first stage, and the vertical start signal STV of the second to the (n + 1) One input terminal IN1 is provided with carry signals of the previous stages SRC1 to SRCn, respectively.
상기 제2 입력 단자(IN2)에는 다음 스테이지의 게이트 신호 또는 수직개시신호(STV)가 제공된다. 상기 제1 내지 제n 스테이지(SRC1 ~ SRCn)의 상기 제2 입력 단자(IN2)에는 다음 스테이지(SRC2 ~ SRCn+1)의 게이트 신호가 각각 제공되고, 상기 제n+1 스테이지(SRCn+1)의 상기 제2 입력 단자(IN2)에는 상기 수직개시신호(STV)가 제공된다. The second input terminal IN2 is provided with a gate signal or a vertical start signal STV of a next stage. Gate signals of the next stages SRC2 to SRCn + 1 are respectively provided to the second input terminals IN2 of the first to nth stages SRC1 to SRCn, and the n + 1th stage SRCn + 1 is provided. The vertical start signal STV is provided to the second input terminal IN2.
상기 전압 단자(VSS)에는 오프 전압(VOFF)이 제공되고, 상기 리셋 단자(RE)에는 상기 제n+1 스테이지(SRCn+1)의 캐리 신호가 리셋 신호로 제공된다. An off voltage VOFF is provided to the voltage terminal VSS, and a carry signal of the n + 1th stage SRCn + 1 is provided as a reset signal to the reset terminal RE.
상기 출력 단자(OUT)는 전기적으로 연결된 게이트 배선에 게이트 신호를 출 력한다. 상기 홀수 번째 스테이지(SRC1, SRC3,..., SRCn+1)의 출력 단자(OUT)에서 출력되는 홀수 번째 게이트 신호는 상기 제1 클럭 신호(CK)의 하이 구간에 출력된다. 상기 짝수 번째 스테이지(SRC2, SRC4,..., SRCn)의 출력 단자(OUT)에서 출력되는 짝수 번째 게이트 신호는 상기 제2 클럭 신호(CKB)의 하이 구간에 출력된다. 따라서, 상기 제1 내지 제n+1 스테이지(SRC1 ~ SRCn+1)는 순차적으로 게이트 신호들(G1,...,Gn)을 출력한다. The output terminal (OUT) outputs a gate signal to an electrically connected gate wiring. The odd-numbered gate signal output from the output terminal OUT of the odd-numbered stages SRC1, SRC3,..., SRCn + 1 is output in a high section of the first clock signal CK. The even-numbered gate signal output from the output terminal OUT of the even-numbered stages SRC2, SRC4,..., SRCn is output in the high period of the second clock signal CKB. Therefore, the first to n + 1th stages SRC1 to SRCn + 1 sequentially output gate signals G1,..., Gn.
상기 노드 단자(ND)는 제1 내지 제n 스테이지(SRC1 ~ SRCn) 각각의 제1 노드(N1)와 전기적으로 연결되어, 상기 제1 노드(N1)의 신호를 출력한다. 상기 노드 단자(ND)로부터 출력된 상기 제1 노드(N1)의 신호는 상기 제1 내지 제n/2 노이즈 제거회로들(NRC1 ~ NRCn/2) 각각에 입력된다. The node terminal ND is electrically connected to the first node N1 of each of the first to nth stages SRC1 to SRCn to output a signal of the first node N1. The signal of the first node N1 output from the node terminal ND is input to each of the first to n / 2th noise removing circuits NRC1 to NRCn / 2.
상기 제1 내지 제n/2 노이즈 제거회로들(NRC1 ~ NRCn/2)은 상기 홀수 번째 스테이지(SRC1, SRC3,..., SRCn+1)와 상기 짝수 번째 스테이지(SRC2, SRC4,..., SRCn) 사이에 형성된다. 예컨대, 상기 제1 노이즈 제거회로(NRC1)는 제1 스테이지(SRC1)와 제2 스테이지(SRC2) 사이에 형성되고, 같은 방식으로 상기 제n/2 노이즈 제거회로(NRCn/2)는 제n-1 스테이지(SRCn-1)와 제n 스테이지(SRCn) 사이에 형성된다. The first to the n / 2 noise removing circuits NRC1 to NRCn / 2 are connected to the odd-numbered stages SRC1, SRC3, ..., SRCn + 1 and the even-numbered stages SRC2, SRC4,. , SRCn). For example, the first noise canceling circuit NRC1 is formed between the first stage SRC1 and the second stage SRC2, and in the same manner, the n / 2th noise canceling circuit NRCn / 2 is configured as the n− It is formed between one stage SRCn-1 and the nth stage SRCn.
상기 제1 내지 제n/2 노이즈 제거회로들(NRC1 ~ NRCn/2) 각각은 제1 클럭 단자(CK1), 제2 클럭 단자(CK2), 제1 입력 단자(IN1), 제2 입력 단자(IN2), 제3 입력단자(IN3), 제4 입력 단자(IN4) 및 전압 단자(VSS)를 포함한다. Each of the first to n / 2th noise removing circuits NRC1 to NRCn / 2 may include a first clock terminal CK1, a second clock terminal CK2, a first input terminal IN1, and a second input terminal ( IN2), a third input terminal IN3, a fourth input terminal IN4, and a voltage terminal VSS.
상기 제1 클럭 단자(CK1)에는 상기 제1 클럭 신호(CK)가 제공되고, 상기 제2 클럭 단자(CK2)에는 상기 제2 클럭 신호(CKB)가 제공된다. 상기 제1 입력 단자(IN1)는 상기 홀수 번째 스테이지(SRC1, SRC3,..., SRCn+1)의 출력 단자(OUT)와 전기적으로 연결되어 상기 홀수 번째 게이트 신호가 제공된다. 상기 제2 입력 단자(IN2)는 상기 짝수 번째 스테이지(SRC2, SRC4,..., SRCn)의 출력 단자(OUT)와 전기적으로 연결되어 상기 짝수 번째 게이트 신호가 제공된다. The first clock signal CK is provided to the first clock terminal CK1, and the second clock signal CKB is provided to the second clock terminal CK2. The first input terminal IN1 is electrically connected to an output terminal OUT of the odd stages SRC1, SRC3,..., SRCn + 1 to provide the odd gate signal. The second input terminal IN2 is electrically connected to an output terminal OUT of the even-numbered stages SRC2, SRC4, ..., SRCn to provide the even-numbered gate signal.
상기 제3 입력 단자(IN3)는 상기 홀수 번째 스테이지(SRC1, SRC3,..., SRCn+1)의 노드 단자(ND)와 전기적으로 연결되어 상기 홀수 번째 스테이지(SRC1, SRC3,..., SRCn+1)의 풀업부(220) 제어단에 인가된 신호가 제공된다. 상기 제4 입력 단자(IN4)는 상기 짝수 번째 스테이지(SRC2, SRC4,..., SRCn)의 노드 단자(ND)와 전기적으로 연결되어 상기 짝수 번째 스테이지(SRC2, SRC4,..., SRCn)의 풀업부(220) 제어단에 인가된 신호가 제공된다. The third input terminal IN3 is electrically connected to the node terminal ND of the odd stages SRC1, SRC3,..., SRCn + 1, and thus the odd stages SRC1, SRC3,. The signal applied to the control terminal of the pull-up
상기 전압 단자(VSS)에는 상기 오프 전압(VOFF)이 제공된다.The off voltage VOFF is provided to the voltage terminal VSS.
도 3은 도 2의 스테이지에 대한 상세한 회로도이고, 도 4는 도 2의 노이즈 제거회로에 대한 상세한 회로도이며, 도 5는 도 2에 도시된 게이트 구동회로의 입출력신호에 대한 타이밍도들이다. 3 is a detailed circuit diagram of the stage of FIG. 2, FIG. 4 is a detailed circuit diagram of the noise removing circuit of FIG. 2, and FIG. 5 is a timing diagram of an input / output signal of the gate driving circuit shown in FIG. 2.
도 3 및 도 5를 참조하면, 제m 스테이지(SRCm)는 제m-1 스테이지(SRCm-1)의 캐리 신호에 응답하여 제m 게이트 신호(Gm)를 상기 제1 클럭 신호(CK)로 풀-업(pull-up) 시키는 풀업부(210) 및 제m+1 스테이지(SRCm+1)의 게이트 신호(Gm+1)에 응답하여 풀업된 제m 게이트 신호(Gm)를 상기 오프 전압(VOFF)으로 풀다운 시키는 풀다운부(220)를 포함한다.3 and 5, the m-th stage SRCm pulls the m-th gate signal Gm into the first clock signal CK in response to the carry signal of the (m-1) th stage SRCm- The off voltage VOFF is applied to the pull-up
상기 풀업부(210)는 게이트 전극이 제1 노드(N1)에 연결되고, 드레인 전극이 제1 클럭 단자(CK1)에 연결되며, 소스 전극이 출력 단자(OUT)에 연결된 제5 트랜지스터(T5)를 포함한다. 따라서 상기 제5 트랜지스터(T5)의 상기 드레인 전극은 제1 클럭 단자(CK1)를 통해 상기 제1 클럭 신호(CK)를 제공받는다.The pull-up
상기 풀다운부(220)는 게이트 전극이 제2 입력 단자(IN2)에 연결되고, 드레인 전극이 출력 단자(OUT)에 연결되며, 소스 전극이 전압 단자(VSS)에 연결되어 상기 오프 전압(VOFF)이 제공되는 제6 트랜지스터(T6)를 포함한다. The pull-down
상기 제m 스테이지(SRCm)는 제m-1 스테이지(SRCm-1)의 캐리 신호에 응답하여 상기 풀업부(210)를 턴-온 시키고, 제m+1 스테이지(SRCm+1)의 게이트 신호(Gm+1)에 응답하여 상기 풀업부(210)를 턴-오프 시키는 풀업 구동부를 더 포함한다. 상기 풀업 구동부는 버퍼부(280), 충전부(270) 및 방전부(230)를 포함한다.The m-th stage SRCm turns on the pull-up
상기 버퍼부(280)는 게이트 전극 및 드레인 전극이 제1 입력 단자(IN1)에 공통으로 연결되고, 소스 전극이 상기 제1 노드(N1)에 연결된 제13 트랜지스터로 이루어진다. 상기 충전부(270)는 제1 전극이 상기 제1 노드(N1)에 연결되고, 제2 전극이 출력 단자(OUT)에 연결된 제3 커패시터(C3)를 포함한다. 상기 방전부(230)는 게이트 전극이 제2 입력 단자(IN2)에 연결되고, 드레인 전극이 제1 노드(N1)에 연결되며, 소스 전극은 전압 단자(VSS)에 연결되어 상기 오프 전압(VOFF)이 제공되는 제7 트랜지스터(T7)를 포함한다. The
상기 풀업 구동부는 상기 제m-1 스테이지(SRCm-1)의 캐리 신호에 응답하여 상기 제13 트랜지스터(T13)가 턴-온 되면, 상기 제m-1 스테이지(SRCm-1)의 캐리 신 호가 상기 제1 노드(N1)에 인가되어 상기 제1 노드(N1)가 하이레벨로 전환되고, 동시에 상기 제3 커패시터(C3)가 충전된다. 이 후, 상기 제5 트랜지스터(T5)의 문턱전압 이상의 전하가 상기 제3 커패시터(C3)에 충전되고 상기 제1 클럭 신호(CK)가 하이 구간이 되면, 상기 제5 트랜지스터(T5)가 부트스트랩(Bootstrap) 되어 상기 하이 레벨의 제1 클럭 신호(CK)가 출력 단자(OUT)로 출력된다. When the thirteenth transistor T13 is turned on in response to a carry signal of the m-th stage SRCm-1, the pull-up driving unit carries the carry signal of the m-th stage SRCm-1. The first node N1 is switched to a high level by being applied to the first node N1 and at the same time the third capacitor C3 is charged. Thereafter, when the third capacitor (C3) is charged with a charge equal to or higher than the threshold voltage of the fifth transistor (T5) and the first clock signal (CK) becomes a high period, the fifth transistor (T5) The first high-level clock signal CK is output to the output terminal OUT.
즉, 상기 제5 트랜지스터(T5)가 부트스트랩 되어 상기 제m 스테이지(SRCm)의 출력신호인 제m 게이트 신호(Gm)를 출력한다. 이 후, 상기 제m+1 게이트 신호(Gm+1)에 응답하여 상기 제7 트랜지스터(T7)가 턴-온 되면, 상기 제3 커패시터(C3)에 충전된 전하는 전압 단자(VSS)의 오프 전압(VOFF)으로 방전되어 상기 제5 트랜지스터(T5)는 턴-오프 된다.That is, the fifth transistor T5 is bootstraped to output the mth gate signal Gm, which is an output signal of the mth stage SRCm. Thereafter, when the seventh transistor T7 is turned on in response to the (m + 1) th gate signal Gm + 1, the charge charged in the third capacitor C3 is converted to the off voltage of the voltage terminal VSS (VOFF) and the fifth transistor T5 is turned off.
상기 제m 스테이지(SRCm)는 상기 제1 노드(N1)의 신호, 즉, 상기 풀업부(210)의 제어단에 인가되는 신호를 상기 오프 전압(VOFF)의 레벨로 유지시키는 제1 홀딩부(242) 및 제2 홀딩부(244)를 더 포함한다.The m-th stage SRCm may include a first holding unit for holding a signal of the first node N1, that is, a signal applied to the control terminal of the pull-up
상기 제1 홀딩부(242)는 게이트 전극이 상기 제1 클럭 단자(CK1)에 연결되고, 드레인 전극이 상기 제1 노드(N1)에 연결되며, 상기 소스 전극이 출력 단자(OUT)에 연결된 제8 트랜지스터(T8)를 포함한다. 상기 제2 홀딩부(244)는 게이트 전극이 상기 제2 클럭 단자(CK2)에 연결되고, 드레인 전극은 상기 제1 입력 단자(IN1)에 연결되며, 소스 전극은 상기 제1 노드(N1)에 연결되는 제9 트랜지스터(T9)를 포함한다. The
상기 제1 홀딩부(242) 및 상기 제2 홀딩부(244)는 제m 게이트 신호(Gm)가 풀 다운부(220)에 의해 상기 오프 전압(VOFF)의 레벨로 천이된 후 상기 제1 노드(N1)의 신호를 상기 오프 전압(VOFF)의 레벨로 유지시킨다. The
즉, 제1 클럭 신호(CK)에 응답하여 상기 제8 트랜지스터(T8)가 턴-온 되면, 상기 제m 게이트 신호(Gm)는 상기 오프 전압(VOFF)의 레벨로 방전되고, 상기 오프 전압(VOFF)은 상기 제1 노드(N1)에 인가되어 상기 제1 노드(N1)를 상기 오프 전압(VOFF)의 레벨로 유지시킨다. 또한, 상기 제2 클럭 신호(CKB)에 응답하여 상기 제9 트랜지스터(T9)가 턴-온 되면, 상기 오프 전압(VOFF)은 상기 제1 노드(N1)에 인가되어 상기 제1 노드(N1)를 상기 오프 전압(VOFF)의 레벨로 유지시킨다. That is, when the eighth transistor T8 is turned on in response to the first clock signal CK, the m-th gate signal Gm is discharged to the level of the off voltage VOFF, and the off voltage ( VOFF is applied to the first node N1 to maintain the first node N1 at the level of the off voltage VOFF. In addition, when the ninth transistor T9 is turned on in response to the second clock signal CKB, the off voltage VOFF is applied to the first node N1 so that the first node N1 is turned on. Is maintained at the level of the off voltage VOFF.
이처럼, 상기 제1 홀딩부(242) 및 상기 제2 홀딩부(244)는 각각 제1 클럭 신호(CK) 및 제2 클럭 신호(CKB)에 응답하여 교대로 턴-온 구동하여 상기 제1 노드(N1)의 신호를 상기 오프 전압(VOFF)의 레벨로 유지시킨다.In this manner, the first holding
상기 제m 스테이지(SRCm)는 게이트 신호 출력 후 풀다운부(220)에 의해 제3 노드(N3)가 오프 전압(VOFF) 레벨로 전환된 이후 제1 클럭 신호(CK) 및 제2 클럭 신호(CKB)의 변동 등 외부 노이즈와 무관하게 다음 프레임의 게이트 신호 출력 전까지 제3 노드(N3)가 안정적으로 오프 전압(VOFF) 레벨을 유지하도록 하는 제3 홀딩부(246) 및 제4 홀딩부(248)와, 상기 제4 홀딩부(248)의 온 /오프 동작을 제어하는 스위칭부(250)를 더 포함한다.After the gate signal is output, the m-th stage SRCm outputs a first clock signal CK and a second clock signal CKB after the third node N3 is switched to the off voltage VOFF level by the pull- A
상기 제3 홀딩부(246)는 게이트 전극이 제2 클럭 단자(CK2)에 연결되고, 드레인 전극은 출력 단자(OUT)에 연결되며, 소스 전극은 전압 단자(VSS)에 연결되어 상기 오프 전압(VOFF)을 제공받는 제10 트랜지스터(T10)를 포함한다. 상기 제4 홀 딩부(248)는 게이트 전극이 상기 스위칭부(250)의 제2 노드(N2)에 연결되고, 드레인 전극은 출력 단자(OUT)에 연결되며, 소스 전극은 전압 단자(VSS)에 연결되어 오프 전압(VOFF)을 제공받는 제11 트랜지스터(T11)를 포함한다. The
상기 스위칭부(250)는 제1 내지 제4 트랜지스터(T1, T2, T3, T4)와 제1 및 제2 커패시터(C1, C2)를 포함한다. The
상기 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 드레인 전극은 공통으로 제1 클럭 단자(CK1)에 연결되어 상기 제1 클럭 신호(CK)를 제공받고, 소스 전극은 상기 제2 트랜지스터(T2)의 드레인 전극과 연결된다. 상기 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 출력 단자(OUT)에 연결되고, 소스 전극은 전압 단자(V)에 연결되어 상기 오프 전압(VOFF)을 제공받는다. 상기 제3 트랜지스터(T3)의 드레인 전극은 상기 제1 클럭 단자(CK1)에 연결되고, 게이트 전극은 상기 제1 커패시터(C1)를 통해 상기 제1 클럭 단자(CK1)에 연결되며, 소스 전극은 상기 제2 노드(N2)에 연결된다. The gate electrode and the drain electrode of the first transistor T1 are commonly connected to the first clock terminal CK1 to receive the first clock signal CK, and the source electrode of the drain of the second transistor T2. Connected with the electrode. The gate electrode of the second transistor T2 is connected to the output terminal OUT, and the source electrode is connected to the voltage terminal V to receive the off voltage VOFF. The drain electrode of the third transistor T3 is connected to the first clock terminal CK1, the gate electrode is connected to the first clock terminal CK1 through the first capacitor C1, and the source electrode is It is connected to the second node N2.
따라서 상기 제3 트랜지스터(T3)의 드레인 전극 및 게이트 전극은 상기 제1 클럭 신호(CK)를 제공받으며, 상기 제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에는 상기 제2 커패시터(C2)가 연결된다. 상기 제4 트랜지스터(T4)는 게이트 전극은 출력 단자(OUT)에 연결되고, 드레인 전극은 제2 노드(N2)에 연결되며, 소스 전극은 전압 단자(VSS)에 연결되어 상기 오프 전압(VOFF)을 제공받는다.Accordingly, the drain electrode and the gate electrode of the third transistor T3 receive the first clock signal CK, and the second capacitor C2 is disposed between the gate electrode and the source electrode of the third transistor T3. Connected. The fourth transistor T4 has a gate electrode connected to an output terminal OUT, a drain electrode connected to a second node N2, a source electrode connected to a voltage terminal VSS, and the off voltage VOFF. To be provided.
제m 스테이지(SRCm)가 상기 제1 클럭 신호(CK)를 하이 레벨의 게이트 신호(Gm)로 출력하는 경우 상기 출력 단자(OUT)가 하이 레벨로 전환됨에 따라서 상기 제2 및 제4 트랜지스터(T2, T4)가 턴-온 되고, 이에 따라 제2 노드(N2)에 상기 오 프 전압(VOFF)이 인가된다. 이때, 상기 제1 클럭 신호(CK)가 하이 상태이므로 상기 제1 및 제3 트랜지스터(T1, T3) 역시 턴-온 상태를 유지하여 제2 노드(N2)에 하이 레벨의 제1 클럭 신호(CK)도 인가되므로 상기 제11 트랜지스터(T11)의 게이트 전극에는 엄밀하게 제3 트랜지스터(T3)와 제4 트랜지스터(T4)의 저항비에 비례하여 상기 제1 클럭 신호(CK)의 전압레벨과 상기 오프 전압(VOFF) 전압레벨 사이의 분배 전압이 인가된다. 이때 상기 분배 전압을 상기 제11 트랜지스터의 문턱전압 이하가 되도록 설계하면 상기 제11 트랜지스터는 턴-오프 상태를 유지하게 되고 이로 인해 제3 노드(N3)는 하이 레벨 상태를 유지할 수 있다. When the m-th stage SRCm outputs the first clock signal CK as the gate signal Gm having a high level, the second and fourth transistors T2 as the output terminal OUT is switched to the high level. , T4 is turned on, and accordingly, the off voltage VOFF is applied to the second node N2. In this case, since the first clock signal CK is in a high state, the first and third transistors T1 and T3 also maintain a turn-on state, and thus the first clock signal CK having a high level at the second node N2. ) Is also applied to the gate electrode of the eleventh transistor T11 strictly in proportion to the resistance ratio of the third transistor T3 and the fourth transistor T4 and the voltage level of the first clock signal CK and the off. The divided voltage between the voltage VOFF voltage levels is applied. At this time, if the distributed voltage is designed to be less than the threshold voltage of the eleventh transistor, the eleventh transistor maintains the turn-off state and the third node N3 can maintain the high level state.
1H 가 경과하여 상기 제2 입력단자(IN2)에 하이레벨의 제m+1 게이트 신호(Gm+1)가 입력되면 상기 제6 트랜지스터가 턴-온 되어 제3 노드(N3)는 상기 오프 전압(VOFF)으로 방전되며 이때 상기 제2 및 제4 트랜지스터(T2, T4)는 턴-오프 상태로 전환된다. 동시에 제2 클럭 신호(CK2)가 하이 상태가 되므로 제10 트랜지스터(T10)가 턴-온 되어 제3 노드(N3)는 더욱 빠르게 상기 오프 전압(VOFF)에 도달하게 된다.When 1H elapses and the high level m + 1 gate signal Gm + 1 is input to the second input terminal IN2, the sixth transistor is turned on so that the third node N3 may turn off the voltage. VOFF), and the second and fourth transistors T2 and T4 are turned off. At the same time, since the second clock signal CK2 becomes high, the tenth transistor T10 is turned on so that the third node N3 reaches the off voltage VOFF more quickly.
한 프레임의 기간 중 상기 제m 게이트 신호 및 상기 제m+1 게이트 신호를 출력하는 기간 이외의 기간 동안은 상기 제2 클럭 신호(CKB) 및 상기 제1 클럭 신호(CK)에 교대로 응답하는 상기 제3 홀딩부(246) 및 상기 제4 홀딩부(248)에 의해 상기 제3 노드(N3)는 노이즈 없이 안정적으로 상기 오프 전압(VOFF)을 유지한다.The second clock signal CKB and the first clock signal CK are alternately responded to a period other than a period of outputting the m-th gate signal and the m-th gate signal during one frame period. The third node N3 maintains the off voltage VOFF stably without noise by the third holding
상기 게이트 구동회로(200)의 제m 스테이지는 리셋부(260) 및 캐리부(290)를 더 포함한다. 상기 리셋부(260)는 게이트 전극이 리셋 단자(RE)에 연결되고, 드레 인 전극이 상기 제1 노드(N1)에 연결되며, 소스 전극은 상기 전압 단자(VSS)에 연결되어 상기 제1 노드(N1)에 상기 오프 전압(VOFF)을 제공하는 상기 제12 트랜지스터(T12)로 이루어진다. 상기 리셋부(160)는 맨 마지막 스테이지인 제n+1 스테이지(SRCn+1)의 캐리 신호를 받아 한 프레임의 완료 후 모든 스테이지의 상기 제1 노드(N1)를 상기 오프 전압(VOFF)으로 리셋시킨다. 제N+1 스테이지(SRCn+1)의 제3 노드(N3)는 다음 프레임의 수직개시신호(STV)가 입력되기 전까지 리셋되지 않으므로 블랭크(blank) 구간 동안 제1 노드(N1)를 상기 오프 전압(VOFF)으로 안정적으로 유지시킬 수 있다.The m-th stage of the
상기 캐리부(290)는 게이트 전극이 상기 제1 노드(N1)에 연결되고, 드레인 전극은 상기 제1 클럭 단자(CK1)에 연결되어 상기 제1 클럭 신호(CK)를 제공받으며, 소스 전극은 상기 캐리 단자(CR)에 연결되는 상기 제14 트랜지스터(T14)를 포함한다. 상기 캐리부(290)는 상기 제1 노드(N1)의 전위가 하이레벨로 전환됨에 따라서 상기 캐리 단자(CR)로 상기 제1 클럭 신호(CK)의 하이 구간을 출력한다. The
여기서는 상기 캐리부(290)로부터 출력된 캐리 신호를 다음 스테이지의 제1 입력 단자(IN1)에 제공하여 동작 개시를 제어하는 경우를 예로 하였으나, 상기 캐리부(290)를 제거하고 출력단자(OUT)로부터 출력되는 게이트 신호를 다음 스테이지의 제1 입력 단자(IN1)에 제공할 수 있다. 다만, XGA급 이상의 고해상도 패널 또는 대형 패널의 경우 게이트 라인에 걸리는 로드가 저해상도 모델 또는 소형 패널에 비해 상대적으로 크므로 게이트 신호를 캐리 신호로 이용하는 경우 신호 지연으로 인해 패널의 하단부가 구동되지 않는 현상이 발생할 수 있으므로 본 실시예와 같이 별도의 캐리부(290)를 두는 것이 바람직하다.Here, the case where the carry signal outputted from the
도 4 및 도 5를 참조하면, 제k 노이즈 제거회로(NRCk)는 제1 스위칭부(310), 제2 스위칭부(330) 및 제3 스위칭부(350)를 포함한다. 4 and 5, the k-th noise removing circuit NRCk includes a
상기 제1 스위칭부(310)는 출력단을 통해 하이레벨의 출력 신호를 출력한다.예컨대, 상기 제1 스위칭부(310)는 상기 제1 클럭신호(CK)의 하이레벨에 응답하여 상기 제1 클럭신호(CK)의 하이레벨을 출력하는 제1 스위칭 소자(TR1) 및 상기 제2 클럭신호(CKB)의 하이레벨에 응답하여 상기 제2 클럭신호의 하이레벨을 출력하는 제2 스위칭 소자(TR2)를 포함한다. The
구체적으로 상기 제1 스위칭 소자(TR1)는 제1 클럭 단자(CK1)와 공통으로 연결된 게이트 전극 및 소스 전극과, 제4 노드(N4)와 연결된 드레인 전극을 포함한다. 상기 제2 스위칭 소자(TR2)는 상기 제2 클럭 단자(CK2)와 공통으로 연결된 게이트 전극 및 소스 전극과 상기 제4 노드(N4)와 연결된 드레인 전극을 포함한다. In detail, the first switching element TR1 includes a gate electrode and a source electrode connected in common with the first clock terminal CK1, and a drain electrode connected with the fourth node N4. The second switching element TR2 includes a gate electrode and a source electrode connected in common to the second clock terminal CK2, and a drain electrode connected to the fourth node N4.
상기 제2 스위칭부(330)는 로우레벨의 입력 신호가 입력되는 입력단, 상기 제1 스위칭부의 출력단과 연결된 출력단 및 복수의 제어 신호들이 순차적으로 입력되는 제어단들을 포함한다. 상기 제어단들은 이하 제1 입력단자(IN1) 및 제2 입력단자(IN2)로 명칭한다. The
예컨대, 상기 제2 스위칭부(330)는 상기 제m 스테이지(SRCm)의 출력 신호인 제m 게이트 신호(Gm)의 하이레벨에 응답하여 상기 제1 클럭신호(CK)의 하이레벨을 상기 오프 전압(VOFF)의 레벨로 방전시키는 제3 스위칭 소자(TR3) 및 상기 제m+1 스테이지(SRCm+1)의 출력 신호인 제m+1 게이트 신호(Gm+1)의 하이레벨에 응답하여 상기 제2 클럭신호(CKB)의 하이레벨을 상기 오프 전압(VOFF)의 레벨로 방전시키는 제4 스위칭 소자(TR4)를 포함한다. For example, the
구체적으로 상기 제3 스위칭 소자(TR3)는 제1 입력단자(IN1)와 연결된 게이트 전극과, 상기 제4 노드(N4)와 연결된 소스 전극 및 전압 단자(VSS)와 연결된 드레인 전극을 포함한다. 상기 제4 스위칭 소자(TR4)는 제2 입력단자(IN2)와 연결된 게이트 전극과, 상기 제4 노드(N4)와 연결된 소스 전극 및 상기 전압 단자(VSS)와 연결된 드레인 전극을 포함한다. In detail, the third switching element TR3 includes a gate electrode connected to the first input terminal IN1, a source electrode connected to the fourth node N4, and a drain electrode connected to the voltage terminal VSS. The fourth switching element TR4 includes a gate electrode connected to the second input terminal IN2, a source electrode connected to the fourth node N4, and a drain electrode connected to the voltage terminal VSS.
상기 제3 스위칭부(350)는 상기 제1 및 제2 스위칭부(310, 330)의 출력단과 연결된 제어단에 입력된 신호에 기초하여 제1 단자와 제2 단자를 스위칭 한다. 상기 제1 단자는 상기 제m 스테이지(SRCm)의 풀업부의 제어단과 연결된 단자이고, 상기 제2 단자는 상기 제m+1 스테이지(SRCm+1)의 풀업부의 제어단과 연결된 단자이다.The
예컨대, 상기 제3 스위칭부(350)는 제5 스위칭 소자(TR5)를 포함한다. 상기 제5 스위칭 소자(TR5)는 상기 제3 또는 제4 스위칭 소자(TR3, TR4)가 턴-온 되면 상기 오프 전압(VOFF)의 레벨에 응답하여 상기 제m 스테이지(SRCm)의 풀업부의 제어단 및 상기 제m+1 스테이지(SRCm+1)의 풀업부의 제어단을 전기적으로 오픈시킨다. 상기 제5 스위칭 소자(TR5)는 상기 제3 및 제4 스위칭 소자(TR3, TR4)가 턴-오프 되면 상기 제1 또는 제2 스위칭 소자(TR1, TR2)로부터 제공된 상기 제1 또는 제2 클럭신호(CK, CKB)의 하이레벨에 응답하여 상기 제m 스테이지(SRCm)의 풀업부의 제어단 및 상기 제m+1 스테이지(SRCm+1)의 풀업부의 제어단을 전기적으로 쇼트시킨 다. 여기서, 상기 제m 스테이지(SRCm)의 풀업부의 제어단은 제m 스테이지(SRCm)의 제1 노드(N1)이며, 상기 제m+1 스테이지(SRCm+1)의 풀업부의 제어단은 상기 제m+1 스테이지(SRCm+1)의 제1 노드(N1)이다. For example, the
구체적으로 상기 제5 스위칭 소자(TR5)는 상기 제4 노드(N4)와 연결된 게이트 전극과, 상기 제m 스테이지(SRCm)의 제1 노드(N1)에 인가된 신호가 입력되는 제3 입력 단자(IN3)와 연결된 소스 전극 및 상기 제m+1 스테이지(SRCm+1)의 제1 노드(N1)에 인가된 신호가 입력되는 제4 입력 단자(IN4)와 연결된 드레인 전극을 포함한다. 즉, 상기 제5 스위칭 소자(TR5)는 상기 제4 노드(N4)에 인가되는 제어신호에 기초하여 상기 제m 스테이지(SRCm)의 제1 노드(N1)와 상기 제m+1 스테이지(SRCm+1)의 제1 노드(N1)를 전기적으로 오픈 또는 쇼트 시킨다. In detail, the fifth switching element TR5 includes a gate electrode connected to the fourth node N4 and a third input terminal through which a signal applied to the first node N1 of the mth stage SRCm is input. A source electrode connected to IN3 and a drain electrode connected to a fourth input terminal IN4 to which a signal applied to the first node N1 of the m + 1th stage SRCm + 1 is input. That is, the fifth switching element TR5 is the first node N1 of the mth stage SRCm and the m + 1th stage SRCm + based on a control signal applied to the fourth node N4. The first node N1 of 1) is electrically opened or shorted.
구체적인 상기 제k 노이즈 제거회로(NRCk)의 구동 방식은 다음과 같다. Specifically, the driving method of the k-th noise removing circuit NRCk is as follows.
상기 제1 입력 단자(IN1)로부터 상기 제m 게이트 신호(Gm)가 입력되면, 상기 제3 스위칭 소자(TR3)는 턴-온 되어 상기 전압 단자(VSS)에 인가된 상기 오프 전압(VOFF)이 상기 제4 노드(N4)에 인가된다. 상기 제4 노드(N4)가 상기 오프 전압(VOFF)의 레벨을 가지면, 상기 제5 스위칭 소자(TR5)는 턴-오프 되어 상기 제m 스테이지(SRCm)의 제1 노드(N1)와 상기 제m+1 스테이지(SRCm+1)의 제1 노드(N1)가 전기적으로 오픈 상태가 된다. When the m-th gate signal Gm is input from the first input terminal IN1, the third switching element TR3 is turned on so that the off voltage VOFF applied to the voltage terminal VSS is turned on. Is applied to the fourth node N4. When the fourth node N4 has the level of the off voltage VOFF, the fifth switching device TR5 is turned off to turn on the first node N1 of the m-th stage SRCm and the m- The first node N1 of the +1 stage SRCm + 1 is electrically open.
한편, 상기 제2 입력 단자(IN2)로부터 상기 제m+1 게이트 신호(Gm+1)가 입력되면, 상기 제4 스위칭 소자(TR4)는 턴-온 되어 상기 전압 단자(VSS)에 인가된 상기 오프 전압(VOFF)이 상기 제4 노드(N4)에 인가된다. 상기 제4 노드(N4)가 상기 오프 전압(VOFF)의 레벨을 가지면, 상기 제5 스위칭 소자(TR5)는 턴-오프 되어 상기 제m 스테이지(SRCm)의 제1 노드(N1)와 상기 제m+1 스테이지(SRCm+1)의 제1 노드(N1)가 전기적으로 오픈 상태가 된다. Meanwhile, when the m + 1 th gate signal Gm + 1 is input from the second input terminal IN2, the fourth switching element TR4 is turned on and applied to the voltage terminal VSS. An off voltage VOFF is applied to the fourth node N4. When the fourth node N4 has the level of the off voltage VOFF, the fifth switching element TR5 is turned off so that the first node N1 and the mth of the mth stage SRCm are turned off. The first node N1 of the +1 stage SRCm + 1 is electrically open.
즉, 상기 제1 및 제2 입력 단자(IN1, IN2)에 상기 제m 게이트 신호(Gm) 및 제m+1 게이트 신호(Gm+1)가 입력되는 동안에는 상기 제m 스테이지(SRCm)의 제1 노드(N1)와 상기 제m+1 스테이지(SRCm+1)의 제1 노드(N1)가 전기적으로 오픈 상태가 된다. That is, while the mth gate signal Gm and the m + 1th gate signal Gm + 1 are input to the first and second input terminals IN1 and IN2, the first stage of the mth stage SRCm The node N1 and the first node N1 of the m + 1th stage SRCm + 1 are electrically open.
이후, 상기 제1 및 제2 입력 단자(IN1, IN2)에 상기 제m 게이트 신호(Gm) 및 제m+1 게이트 신호(Gm+1)가 입력되지 않는 동안 상기 제1 및 제2 클럭 단자(CK1, CK2)에는 상기 제1 및 제2 클럭 신호(CK, CKB)가 번갈아 입력된다. Subsequently, the first and second clock terminals G1 and M + 1 gate signals Gm + 1 are not input to the first and second input terminals IN1 and IN2. The first and second clock signals CK and CKB are alternately input to CK1 and CK2.
상기 제1 클럭 단자(CK1)에 상기 제1 클럭 신호(CK)가 입력되면, 상기 제1 스위칭 소자(TR1)는 턴-온 되어 상기 제4 노드(N4)는 상기 제1 클럭 신호(CK)의 하이레벨을 가진다. 이에 따라 상기 제5 스위칭 소자(TR5)는 턴-온 되어 상기 제m 스테이지(SRCm)의 제1 노드(N1)와 상기 제m+1 스테이지(SRCm+1)의 제1 노드(N1)가 전기적으로 쇼트 상태가 된다. When the first clock signal CK is input to the first clock terminal CK1, the first switching element TR1 is turned on so that the fourth node N4 is turned on to the first clock signal CK. Has a high level of. Accordingly, the fifth switching element TR5 is turned on so that the first node N1 of the mth stage SRCm and the first node N1 of the m + 1th stage SRCm + 1 are electrically connected. It becomes the short state.
또한, 상기 제1 클럭 단자(CK1)에 상기 제1 클럭 신호(CK)가 입력되지 않고 상기 제2 클럭 단자(CK2)에 상기 제2 클럭 신호(CKB)가 입력되면, 상기 제2 스위칭 소자(TR2)는 턴-온 되어 상기 제4 노드(N4)는 상기 제2 클럭 신호(CKB)의 하이레벨을 가진다. 이에 따라 상기 제5 스위칭 소자(TR5)는 턴-온 되어 상기 제m 스테이지(SRCm)의 제1 노드(N1)와 상기 제m+1 스테이지(SRCm+1)의 제1 노드(N1)가 전기적 으로 쇼트 상태가 된다. In addition, when the first clock signal CK is not input to the first clock terminal CK1 and the second clock signal CKB is input to the second clock terminal CK2, the second switching device ( TR2 is turned on so that the fourth node N4 has a high level of the second clock signal CKB. Accordingly, the fifth switching element TR5 is turned on so that the first node N1 of the mth stage SRCm and the first node N1 of the m + 1th stage SRCm + 1 are electrically connected. It becomes the short state.
물론, 상기 제1 및 제2 입력 단자(IN1, IN2)에 상기 제m 게이트 신호(Gm) 및 제m+1 게이트 신호(Gm+1)가 입력되는 동안 상기 제1 및 제2 클럭 단자(CK1, CK2)에도 상기 제1 및 제2 클럭 신호(CK, CKB)가 입력된다. 상기 제1 및 제2 클럭 신호(CK, CKB)가 입력되어 상기 제1 및 제2 스위칭 소자(TR1, TR2)가 턴-온 되어도 상기 제3 및 제4 스위칭 소자(TR3, TR4)가 턴-온 상태이므로 상기 제4 노드(N4)는 상기 오프 전압(VOFF)의 레벨을 가진다. 이에 따라서 상기 제m 스테이지(SRCm)의 제1 노드(N1)와 상기 제m+1 스테이지(SRCm+1)의 제1 노드(N1)가 전기적으로 오픈 상태가 된다.Of course, the first and second clock terminals CK1 may be input while the m-th gate signal Gm and the m + 1 th gate signal Gm + 1 are input to the first and second input terminals IN1 and IN2. The first and second clock signals CK and CKB are also input to CK2. Even when the first and second clock signals CK and CKB are input so that the first and second switching elements TR1 and TR2 are turned on, the third and fourth switching elements TR3 and TR4 are turned on. Since the fourth node N4 is in an on state, the fourth node N4 has a level of the off voltage VOFF. Accordingly, the first node N1 of the m th stage SRCm and the first node N1 of the m + 1 th stage SRCm + 1 are electrically open.
즉, 상기 제1 및 제2 입력 단자(IN1, IN2)에 상기 제m 게이트 신호(Gm) 및 제m+1 게이트 신호(Gm+1)의 로우레벨이 입력되는 동안에는 상기 제1 및 제2 클럭 신호(CK, CKB)에 의해 상기 제m 스테이지(SRCm)의 제1 노드(N1)와 상기 제m+1 스테이지(SRCm+1)의 제1 노드(N1)가 전기적으로 쇼트 상태가 된다. That is, the first and second clocks are input while low levels of the mth gate signal Gm and the m + 1th gate signal Gm + 1 are input to the first and second input terminals IN1 and IN2. The first node N1 of the mth stage SRCm and the first node N1 of the mth + 1th stage SRCm + 1 are electrically shorted by the signals CK and CKB.
따라서 상기 제m 스테이지(SRCm) 및 상기 제m+1 스테이지(SRCm+1)에서 상기 제m 게이트 신호와 제m+1 게이트 신호가 로우레벨을 가지는 프레임 구간 동안 상기 제m 스테이지(SRCm)의 제1 노드(N1)와 상기 제m+1 스테이지(SRCm+1)의 제1 노드(N1)를 전기적으로 쇼트시켜 상기 제m 스테이지(SRCm)의 제1 노드(N1)와 상기 제m+1 스테이지(SRCm+1)의 제1 노드(N1)에서 발생되는 노이즈를 서로 간섭하여 상쇄시킨다Accordingly, the m th stage SRCm of the m th stage SRCm and the m + 1 th stage SRCm + 1 during the frame period in which the m th gate signal and the m th +1 th gate signal have a low level. The first node N1 of the mth stage SRCm is electrically shorted by electrically shorting the first node N1 and the first node N1 of the m + 1th
도 6a는 도 3에 도시된 스테이지의 제1 노드(N1)의 신호 파형도이고, 도 6b 는 도 6a에 도시된 "A" 부분의 확대도이다. FIG. 6A is a signal waveform diagram of the first node N1 of the stage shown in FIG. 3, and FIG. 6B is an enlarged view of part “A” shown in FIG. 6A.
도 6a를 참조하면, 연속되는 4개의 스테이지들의 제1 노드(N1)들로부터 각각 검출된 신호들(a, b, c, d)의 파형도들이 도시되어 있다. 예컨대, 제1 클럭신호( CK)에 기초하여 게이트 신호를 생성하는 제1 및 제3 스테이지의 제1 노드(N1)에서는 제1 신호(a) 및 제3 신호(c)가 검출되었고, 상기 제1 클럭신호(CK)와 위상이 반전된 제2 클럭신호(CKB)에 기초하여 게이트 신호를 생성하는 제2 및 제4 스테이지의 제1 노드(N1)에서는 제2 신호(b) 및 제4 신호(d)가 검출되었다. Referring to FIG. 6A, waveform diagrams of signals a, b, c, and d respectively detected from the first nodes N1 of four consecutive stages are shown. For example, at the first node N1 of the first and third stages generating the gate signal based on the first clock signal CK, the first signal a and the third signal c are detected. In the first node N1 of the second and fourth stages generating the gate signal based on the second clock signal CKB whose phase is inverted from the first clock signal CK, the second signal b and the fourth signal are generated. (d) was detected.
이에 따라서 도 6b를 참조하면, 상기 제1 클럭신호(CK)에 기초하여 생성된 상기 제1 및 제3 신호(a, c)에 포함된 노이즈(a', c')와 상기 제2 클럭신호(CKB)에 기초하여 생성된 상기 제2 및 제4 신호(b, d)에 포함된 노이즈(b', d') 역시 180도의 위상차가 발생되었음을 확인할 수 있었다. Accordingly, referring to FIG. 6B, noises a 'and c' included in the first and third signals a and c generated based on the first clock signal CK and the second clock signal are illustrated. It was also confirmed that the noises b 'and d' included in the second and fourth signals b and d generated based on CKB also generated 180 degrees of phase difference.
따라서 본 발명의 실시예에 따른 노이즈 제거회로를 통해 상기 180도의 위상차를 가지는 상기 제1 신호의 노이즈(a')와 상기 제2 신호의 노이즈(b')를 간섭 및 상쇄시켜 제거할 수 있었고, 상기 제3 신호의 노이즈(c')와 상기 제4 신호의 노이즈(d') 역시 간섭 및 상쇄시켜 제거할 수 있었다. Therefore, through the noise removing circuit according to the embodiment of the present invention, the noise a 'of the first signal having a phase difference of 180 degrees and the noise b' of the second signal could be removed by interference and cancellation. The noise c 'of the third signal and the noise d' of the fourth signal may also be removed by interference and cancellation.
결과적으로 각 스테이지 제1 노드의 신호에 포함된 노이즈를 제거함으로써 상기 제1 노드의 신호에 기초하여 출력되는 게이트 신호의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. As a result, the reliability of the gate signal output based on the signal of the first node may be improved by removing noise included in the signal of each stage first node.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 홀수 번째 스테이지의 풀업부 제어단과 짝수 번째 스테이지의 풀업부 제어단을 상기 홀수 번째 및 짝수 번째 스테이지의 제1 노드(N1)가 하이 레벨로 변환되는 구간에서는 전기적으로 차단시키고 상기 제1 노드(N1)가 로우 레벨을 유지하는 구간에서는 전기적으로 단락시킴으로써 상기 풀업부 제어단의 노이즈를 제거할 수 있다. 상기 스테이지의 풀업부 제어단에 발생하는 노이즈를 제거함으로써 상기 스테이지에서 출력되는 게이트 신호의 노이즈를 제거하여 표시 품질을 향상시킬 수 있다. As described above, according to the present invention, the pull-up portion control stage of the odd-numbered stage and the pull-up portion control stage of the even-numbered stage are electrically connected in the period where the first node N1 of the odd- In the section in which the first node N1 maintains the low level, the controller may electrically short the noise to remove the noise of the control unit of the pull-up unit. By removing the noise generated at the control unit of the pull-up unit of the stage, the display quality may be improved by removing the noise of the gate signal output from the stage.
이상에서는 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims. You will understand.
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