KR101373125B1 - System for detecting defects of semiconductor package and detecting method using the same - Google Patents

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KR101373125B1 KR1020120120382A KR20120120382A KR101373125B1 KR 101373125 B1 KR101373125 B1 KR 101373125B1 KR 1020120120382 A KR1020120120382 A KR 1020120120382A KR 20120120382 A KR20120120382 A KR 20120120382A KR 101373125 B1 KR101373125 B1 KR 101373125B1
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진경찬
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Abstract

The present invention relates to a system for detecting defects of a semiconductor package and a detecting method using the same. According to the present invention, the 3D tomogram of a semiconductor package is generated from at least one X-ray tomogram generated by an X-ray image generator. The defect position of the semiconductor package can be detected by comparing the 3D tomogram with a thermal detection image generated by a thermal image generator. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S110) Settle; (S120) Settle a semiconductor package on a stage; (S130) Generate a thermal detection image by emitting infrared ray on the semiconductor package in which the power is applied; (S140) Generate at least one X-ray tomogram by emitting the infrared ray in a direction in which a X-ray image generator is inclined at predetermined angle with the infrared ray while rotating any one among the stage and the X-ray image generator; (S150) Generate the 3D tomogram of the semiconductor package from at least one X-ray tomogram; (S160) Detect defect position of the semiconductor package from the 3D tomogram and the thermal detection image

Description

반도체 패키지의 결함 검출 시스템 및 이를 이용한 검출 방법{SYSTEM FOR DETECTING DEFECTS OF SEMICONDUCTOR PACKAGE AND DETECTING METHOD USING THE SAME}Fault detection system of semiconductor package and detection method using the same {SYSTEM FOR DETECTING DEFECTS OF SEMICONDUCTOR PACKAGE AND DETECTING METHOD USING THE SAME}

본 발명은 반도체 패키지의 결함 검출 시스템 및 이를 이용한 검출 방법에 관한 것으로, 특히 x선 영상 생성 장치가 생성한 하나 이상의 x선 단층 영상으로부터 반도체 패키지에 대한 3D 단층 영상을 생성하고, 상기 3D 단층 영상과 열 영상 생성 장치가 생성한 열 감지 영상을 비교하여 상기 반도체 패키지에 대한 결함 위치를 검출할 수 있는 반도체 패키지의 결함 검출 시스템 및 이를 이용한 결함 검출 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a defect detection system of a semiconductor package and a detection method using the same. In particular, a 3D tomography image of a semiconductor package is generated from at least one x-ray tomography image generated by an x-ray image generating apparatus, and the 3D tomography image is generated. The present invention relates to a defect detection system of a semiconductor package capable of detecting a position of a defect with respect to the semiconductor package by comparing a thermally sensed image generated by a thermal image generating apparatus, and a defect detection method using the same.

일반적으로, 반도체 다이는 컴퓨터, 가전 제품 등에 사용되는 중요 부품이다. 반도체 다이는 생산 후 출하 전에 반드시 정밀한 검사를 거치게 된다.In general, semiconductor dies are important components used in computers, home appliances, and the like. Semiconductor dies are thoroughly inspected before production and shipment.

반도체 다이는 여느 부품에 비해 제조 공정이 복잡하고 고집적화되어 있으므로 내부 구조뿐만 아니라 그 외부에 결함이 발생하는 경우 제품의 성능에 악영향을 끼치게 된다.Semiconductor dies have a complex and highly integrated manufacturing process compared to other components, which adversely affects the performance of the product in the event of defects in the exterior as well as the internal structure.

따라서, 반도체 다이의 내부 및 외부의 결함을 검출하는 작업은 매우 중요하다.Therefore, the task of detecting defects inside and outside the semiconductor die is very important.

최근에는 반도체 다이를 수직으로 쌓아올리는 패키징 공정이 상용화되고 있으며, 이와 같은 공정을 통해 생산된 반도체 패키지는 반도체의 집적도를 향상시킬 수 있다.Recently, a packaging process of vertically stacking semiconductor dies has been commercialized, and semiconductor packages produced through such processes can improve the degree of integration of semiconductors.

그러나 이와 같은 반도체 패키지는 수직으로 적층된 반도체 다이로 인해 일반적인 반도체 다이를 검출하는 방법으로는 결함의 위치를 정확하게 검출할 수 없다는 단점이 있다.However, such a semiconductor package has a disadvantage in that the location of a defect cannot be accurately detected by a method of detecting a general semiconductor die due to vertically stacked semiconductor dies.

상기 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 x선 영상 생성 장치가 생성한 하나 이상의 x선 단층 영상으로부터 반도체 패키지에 대한 3D 단층 영상을 생성하고, 상기 3D 단층 영상과 열 영상 생성 장치가 생성한 열 감지 영상을 비교하여 상기 반도체 패키지에 대한 결함 위치를 검출할 수 있는 반도체 패키지의 결함 검출 시스템 및 이를 이용한 결함 검출 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In order to solve the above problems, the present invention generates a 3D tomography image for a semiconductor package from at least one x-ray tomography image generated by the x-ray image generating apparatus, and the thermal sensing generated by the 3D tomographic image and the thermal image generating apparatus An object of the present invention is to provide a defect detection system of a semiconductor package capable of detecting a defect position with respect to the semiconductor package by comparing images, and a defect detection method using the same.

본 발명에 따른 반도체 패키지의 결함 검출 시스템은 반도체 패키지가 안착되는 스테이지; 상기 반도체 패키지에 적외선을 조사하여 상기 반도체 패키지의 열 감지 영상을 생성하는 열 영상 생성 장치; 상기 적외선과 일정 각도를 이루는 방향으로 상기 반도체 패키지에 x선을 조사하여 하나 이상의 x선 단층 영상을 생성하는 x선 영상 생성 장치; 상기 스테이지 및 상기 x선 영상 생성 장치 중 어느 하나를 회전축을 따라 회전시키는 구동부; 및 상기 하나 이상의 x선 단층 영상으로부터 상기 반도체 패키지에 대한 3D 단층 영상을 생성하고, 상기 3D 단층 영상 및 상기 열 감지 영상으로부터 상기 반도체 패키지의 결함 위치를 검출하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.A defect detection system of a semiconductor package according to the present invention includes a stage on which a semiconductor package is seated; A thermal image generating device generating a thermally sensed image of the semiconductor package by irradiating the semiconductor package with infrared rays; An x-ray image generating apparatus generating one or more x-ray tomography images by irradiating the semiconductor package with x-rays in a direction formed at a predetermined angle with the infrared rays; A driver configured to rotate one of the stage and the x-ray image generating apparatus along a rotation axis; And a controller configured to generate a 3D tomography image of the semiconductor package from the at least one x-ray tomography image, and to detect a defect location of the semiconductor package from the 3D tomography image and the thermal sensing image.

바람직하게는, 상기 구동부는 상기 적외선과 상기 x선이 이루는 상기 일정 각도를 조절하는 조사각 제어부를 포함할 수 있다.Preferably, the driving unit may include an irradiation angle control unit for adjusting the predetermined angle formed by the infrared ray and the x-rays.

바람직하게는, 상기 구동부는 상기 반도체 패키지와 상기 열 영상 생성 장치 사이의 거리를 제어하는 조사 거리 제어부를 포함할 수 있다.Preferably, the driver may include an irradiation distance controller for controlling a distance between the semiconductor package and the thermal image generating apparatus.

본 발명에 따른 상기 구동부는, 상기 스테이지를 상기 회전축을 중심으로 회전시키는 제1 회전 구동부; 및 상기 제1 회전 구동부를 제어하여 상기 스테이지의 회전각을 제어하는 제1 회전각 제어부를 포함할 수 있다.The drive unit according to the present invention, the first rotation drive unit for rotating the stage about the rotation axis; And a first rotation angle controller configured to control the rotation angle of the stage by controlling the first rotation driver.

또한, 본 발명에 따른 상기 구동부는, 상기 x선 영상 생성 장치를 상기 회전축을 중심으로 회전시키는 제2 회전 구동부; 및 상기 제2 회전 구동부를 제어하여 상기 x선 영상 생성 장치의 회전각을 제어하는 제2 회전각 제어부를 포함할 수 있다.The driver may further include a second rotation driver configured to rotate the x-ray image generating apparatus about the rotation axis; And a second rotation angle controller configured to control the rotation angle of the x-ray image generating apparatus by controlling the second rotation driver.

본 발명에 따른 상기 x선 영상 생성 장치는, 상기 x선을 상기 반도체 패키지에 조사하는 x선 조사부; 및 상기 x선 조사부에 대향하도록 설치되며, 상기 반도체 패키지를 투과한 x선을 검출하는 x선 검출부를 포함할 수 있다.The x-ray image generating apparatus according to the present invention, the x-ray irradiation unit for irradiating the x-ray to the semiconductor package; And an x-ray detector installed to face the x-ray radiator and detecting x-rays transmitted through the semiconductor package.

바람직하게는, 상기 제어부는 상기 하나 이상의 x선 단층 영상에 역 투영 알고리즘을 적용하여 상기 3D 단층 영상을 생성할 수 있다.Preferably, the controller may generate the 3D tomography image by applying an inverse projection algorithm to the one or more x-ray tomography images.

바람직하게는, 상기 제어부는 상기 3D 단층 영상과 상기 열 감지 영상을 비교하여 상기 반도체 패키지의 결함 위치를 검출할 수 있다.Preferably, the controller may detect a defect location of the semiconductor package by comparing the 3D tomography image and the thermally sensitive image.

본 발명에 따른 반도체 패키지의 결함 검출 방법은 반도체 패키지가 안착되는 스테이지; 상기 반도체 패키지의 열 감지 영상을 생성하는 열 영상 생성 장치; 하나 이상의 x선 단층 영상을 생성하는 x선 영상 생성 장치; 및 상기 스테이지 및 상기 x선 영상 생성 장치 중 어느 하나를 회전시키는 구동부를 포함하는 반도체 패키지의 결함 검출 시스템에서 수행되는 반도체 패키지의 결함 검출 방법에 있어서, (a) 상기 반도체 패키지를 상기 스테이지에 안착시키는 단계; (b) 전원이 인가된 상기 반도체 패키지에 적외선을 조사하여 열 감지 영상을 생성하는 단계; (c) 상기 스테이지 및 상기 x선 영상 생성 장치 중 어느 하나를 회전시키면서 상기 x선 영상 생성 장치가 상기 적외선과 일정 각도를 이루는 방향으로 x선을 조사하여 상기 하나 이상의 x선 단층 영상을 생성하는 단계; (d) 상기 하나 이상의 x선 단층 영상으로부터 상기 반도체 패키지에 대한 3D 단층 영상을 생성하는 단계; 및 (e) 상기 3D 단층 영상 및 상기 열 감지 영상으로부터 상기 반도체 패키지의 결함 위치를 검출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.A defect detection method of a semiconductor package according to the present invention includes a stage on which a semiconductor package is seated; A thermal image generating device generating a thermally sensed image of the semiconductor package; An x-ray image generating apparatus generating at least one x-ray tomography image; And a driving unit for rotating one of the stage and the x-ray image generating apparatus, the defect detection method of the semiconductor package performed in a defect detection system of a semiconductor package comprising: (a) mounting the semiconductor package on the stage; step; (b) generating a thermally sensitive image by irradiating infrared rays to the semiconductor package to which power is applied; (c) generating the at least one x-ray tomography image by irradiating x-rays in a direction at which the x-ray image generating apparatus forms an angle with the infrared light while rotating one of the stage and the x-ray image generating apparatus. ; (d) generating a 3D tomography image of the semiconductor package from the at least one x-ray tomography image; And (e) detecting a defect location of the semiconductor package from the 3D tomography image and the thermal sensing image.

본 발명에 따른 반도체 패키지의 결함 검출 방법은 상기 (b) 단계 이전에, (f) 상기 적외선과 상기 x선이 이루는 상기 일정 각도를 조절하는 단계를 더 포함할 수 있다.The defect detection method of the semiconductor package according to the present invention may further include (f) adjusting the predetermined angle formed by the infrared ray and the x-ray before the step (b).

본 발명에 따른 반도체 패키지의 결함 검출 방법은 상기 스테이지를 회전시키는 경우, 상기 (c) 단계는, (c-1) 상기 회전각에 따라 상기 회전축을 중심으로 상기 스테이지를 회전시키면서 상기 x선을 조사하는 단계; 및 (c-2) 상기 반도체 패키지를 투과한 x선을 검출하여 상기 하나 이상의 x선 단층 영상을 생성하는 단계를 포함할 수 있다.In the defect detection method of the semiconductor package according to the present invention, when the stage is rotated, the step (c) includes (c-1) irradiating the x-ray while rotating the stage about the rotation axis according to the rotation angle. Making; And (c-2) generating the at least one x-ray tomography image by detecting x-rays transmitted through the semiconductor package.

본 발명에 따른 반도체 패키지의 결함 검출 방법은 상기 x선 영상 생성 장치를 회전시키는 경우, 상기 (c) 단계는, (c-1) 상기 회전각에 따라 상기 회전축을 중심으로 상기 x선 영상 생성 장치를 회전시키면서 상기 x선을 조사하는 단계; 및 (c-2) 상기 반도체 패키지를 투과한 x선을 검출하여 상기 하나 이상의 x선 단층 영상을 생성하는 단계를 포함할 수 있다.In the defect detection method of the semiconductor package according to the present invention, when the x-ray image generating apparatus is rotated, the step (c) may include (c-1) the x-ray image generating apparatus around the rotation axis according to the rotation angle. Irradiating the x-ray while rotating; And (c-2) generating the at least one x-ray tomography image by detecting x-rays transmitted through the semiconductor package.

바람직하게는, 상기 (d) 단계는, 상기 하나 이상의 x선 단층 영상에 역 투영 알고리즘을 적용하여 상기 반도체 패키지에 대한 3D 단층 영상을 생성하는 단계를 포함할 수 있다.Preferably, the step (d) may include generating a 3D tomography image of the semiconductor package by applying an inverse projection algorithm to the one or more x-ray tomography images.

바람직하게는, 상기 (e) 단계는, 상기 3D 단층 영상 및 상기 열 감지 영상을 비교하여 상기 반도체 패키지의 결함 위치를 검출하는 단계를 포함할 수 있다.Preferably, step (e) may include detecting a defect location of the semiconductor package by comparing the 3D tomography image and the thermal sensing image.

본 발명에 따른 반도체 패키지의 결함 검출 시스템 및 이를 이용한 결함 검출 방법에 따르면, 열 영상 생성 장치가 생성한 열 감지 영상으로부터 반도체 패키지의 결함 부위에 대한 수평 방향의 위치를 추정하고, x선 영상 생성 장치가 생성한 3D 단층 영상으로부터 상기 수평 방향의 위치에 대응하는 수직 방향의 위치를 검출하여 상기 반도체 패키지의 결함 부위에 대한 정확한 위치를 검출할 수 있다는 장점이 있다.According to a defect detection system of a semiconductor package and a defect detection method using the same according to the present invention, an x-ray image generating apparatus estimates a horizontal position of a defect portion of a semiconductor package from a thermally sensed image generated by a thermal image generating apparatus. The position of the vertical direction corresponding to the position of the horizontal direction is detected from the generated 3D tomography image, and thus, an accurate position of the defective portion of the semiconductor package can be detected.

뿐만 아니라, 반도체 패키지의 두께 및 상태에 따라 상기 반도체 패키지로 입사되는 입사각 및 반도체 패키지와 열 영상 생성 장치 사이의 거리를 제어할 수 있으므로, 반도체 패키지의 결함 부위의 위치를 보다 정확하게 검출할 수 있다는 장점이 있다.In addition, the angle of incidence incident on the semiconductor package and the distance between the semiconductor package and the thermal image generating apparatus can be controlled according to the thickness and the state of the semiconductor package, thereby more accurately detecting the position of a defect portion of the semiconductor package. There is this.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 패키지의 결함 검출 시스템을 도시한 블럭도.
도 2는 도 1에 도시된 본 발명에 따른 반도체 패키지의 결함 검출 시스템을 개략적으로 도시한 도면.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 패키지의 결함 검출 방법을 도시한 흐름도.
도 4는 본 발명에 따른 스테이지가 회전하는 경우의 S140 단계를 상세히 도시한 흐름도.
도 5는 본 발명에 따른 x선 영상 생성 장치가 회전하는 경우의 S140 단계를 상세히 도시한 흐름도.1 is a block diagram illustrating a defect detection system of a semiconductor package according to the present invention.
2 schematically illustrates a defect detection system of a semiconductor package according to the present invention shown in FIG.
3 is a flowchart illustrating a defect detection method of a semiconductor package according to the present invention;
Figure 4 is a flow chart illustrating in detail the step S140 when the stage is rotated in accordance with the present invention.
5 is a flowchart illustrating in detail the step S140 when the x-ray image generating apparatus according to the present invention is rotated.

이하에서는, 본 발명에 따른 반도체 패키지의 결함 검출 시스템 및 이를 이용한 결함 검출 방법의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment of a defect detection system of a semiconductor package and a defect detection method using the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 패키지의 결함 검출 시스템을 도시한 블럭도이며, 도 2는 도 1에 도시된 본 발명에 따른 반도체 패키지의 결함 검출 시스템을 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a block diagram illustrating a defect detection system of a semiconductor package according to the present invention, and FIG. 2 is a view schematically illustrating a defect detection system of a semiconductor package according to the present invention shown in FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 패키지의 결함 검출 시스템은 스테이지(100), 열 영상 생성 장치(200), x선 영상 생성 장치(300), 구동부(400) 및 제어부(500)를 포함한다.1 and 2, a defect detection system of a semiconductor package according to the present invention may include a stage 100, a thermal image generating apparatus 200, an x-ray image generating apparatus 300, a driver 400, and a controller 500. ).

스테이지(100)는 반도체 패키지(1000)가 안착된다. 스테이지(100)에 안착되는 반도체 패키지(1000)는 하나 이상의 반도체 다이가 수직으로 적층되어 패키징된 것으로써, 상기 하나 이상의 반도체 다이는 서로 전기적으로 연결된다.The stage 100 has a semiconductor package 1000 mounted thereon. In the semiconductor package 1000 mounted on the stage 100, one or more semiconductor dies are vertically stacked and packaged, and the one or more semiconductor dies are electrically connected to each other.

스테이지(100)는 구동부(400)의 제어에 따라 회전축(A)을 중심으로 회전할 수 있다. 이에 대한 설명은 구동부(400)를 설명할 때 상세하게 하기로 한다.The stage 100 may rotate about the rotation axis A under the control of the driving unit 400. The description thereof will be made in detail when describing the driving unit 400.

열 영상 생성 장치(200)는 반도체 패키지(1000)에 적외선을 조사하여 반도체 패키지(1000)의 열 감지 영상을 생성한다. 바람직하게는, 열 영상 생성 장치(200)는 스테이지(100)가 정지된 상태에서 반도체 패키지(1000)에 상기 적외선을 조사하여 상기 열 감지 영상을 생성한다.The thermal image generating apparatus 200 generates a thermally sensed image of the semiconductor package 1000 by irradiating infrared rays to the semiconductor package 1000. Preferably, the thermal image generating apparatus 200 generates the thermally sensed image by irradiating the infrared rays to the semiconductor package 1000 while the stage 100 is stopped.

열 영상 생성 장치(200)가 상기 열 감지 영상 생성을 생성하기 위해서는, 반도체 패키지(1000)에는 전원이 인가되어야 한다. 구체적으로는, 결함이 있는 반도체 패키지(1000)에 전원이 인가되면, 반도체 패키지(1000)의 결함 부위에는 열이 발생한다. 열 영상 생성 장치(200)는 적외선을 조사하여 반도체 패키지(1000)에서 발생되는 열을 검출하여 열 감지 영상을 생성하므로, 상기 열 감지 영상을 참조하면 반도체 패키지(1000)의 결함 여부 및 결함 부위의 위치를 확인할 수 있다.In order for the thermal image generating apparatus 200 to generate the thermally sensed image generation, power is applied to the semiconductor package 1000. Specifically, when power is applied to the defective semiconductor package 1000, heat is generated at the defective portion of the semiconductor package 1000. The thermal image generating apparatus 200 detects heat generated from the semiconductor package 1000 by irradiating infrared rays to generate a thermal sensing image. Referring to the thermal sensing image, the thermal image generating apparatus 200 may determine whether the semiconductor package 1000 is defective or not. You can check the location.

x선 영상 생성 장치(300)는 상기 적외선과 일정 각도를 이루는 방향으로 반도체 패키지(1000)에 x선을 조사하여 하나 이상의 x선 단층 영상을 생성한다.The x-ray image generating apparatus 300 generates one or more x-ray tomography images by radiating x-rays onto the semiconductor package 1000 in a direction forming a predetermined angle with the infrared rays.

x선 영상 생성 장치(300)는 구동부(400)의 제어에 따라 회전축(A)을 중심으로 회전하면서 반도체 패키지(1000)에 상기 x선을 조사할 수 있으며, 구동부(400)의 제어에 따라 틸팅되어 상기 적외선과 상기 x선이 이루는 일정 각도(α)를 조절할 수 있다. 이에 대한 설명은 구동부(400)를 설명할 때 상세하게 하기로 한다.The x-ray image generating apparatus 300 may irradiate the X-rays to the semiconductor package 1000 while rotating about the rotation axis A under the control of the driving unit 400, and tilted under the control of the driving unit 400. The predetermined angle α formed by the infrared ray and the x-ray can be adjusted. The description thereof will be made in detail when describing the driving unit 400.

x선 영상 생성 장치(300)는 x선 조사부(310) 및 x선 검출부(330)을 포함한다.The x-ray image generating apparatus 300 includes an x-ray radiator 310 and an x-ray detector 330.

x선 조사부(310)는 상기 x선을 반도체 패키지(1000)에 조사한다.The x-ray radiator 310 irradiates the x-rays to the semiconductor package 1000.

x선 검출부(330)는 x선 조사부(310)에 대향하도록 설치되며, 반도체 패키지(1000)를 투과한 x선을 검출하여 반도체 패키지(1000)의 x선 단층 영상을 생성한다.The x-ray detector 330 is installed to face the x-ray radiator 310, and detects x-rays transmitted through the semiconductor package 1000 to generate an x-ray tomography image of the semiconductor package 1000.

구동부(400)는 스테이지(100) 및 x선 영상 생성 장치(300) 중 어느 하나를 회전축(A)을 따라 회전시킨다.The driver 400 rotates any one of the stage 100 and the x-ray image generating apparatus 300 along the rotation axis A. FIG.

바람직하게는, 본 발명에 따른 반도체 패키지(1000)의 결함 검출 시스템은 반도체 패키지(1000)에 대한 3D 단층 영상을 생성하는데 필요한 회전 운동을 스테이지(100) 및 x선 영상 생성 장치(300) 중 어느 하나를 회전시켜 구현한다.Preferably, in the defect detection system of the semiconductor package 1000 according to the present invention, any one of the stage 100 and the x-ray image generating apparatus 300 may perform a rotational motion required to generate a 3D tomographic image of the semiconductor package 1000. Implement one by rotating it.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 회전축(A)을 중심으로 스테이지(100)를 일정 각도씩 회전(예를 들어, 1°씩 360회)시켜 반도체 패키지(1000)의 3D 단층 영상을 생성할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, x선 영상 생성 장치(300)를 회전축(A)을 중심으로 일정 각도 회전(예를 들어, 1°씩 360회)시켜 반도체 패키지(1000)의 3D 단층 영상을 생성할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the 3D tomographic image of the semiconductor package 1000 may be generated by rotating the stage 100 at an angle (for example, 360 times in 1 °) about the rotation axis A. FIG. have. According to another embodiment of the present invention, the 3D tomographic image of the semiconductor package 1000 is rotated by rotating the x-ray image generating apparatus 300 at an angle (for example, 360 times by 1 °) about the rotation axis A. Can be generated.

즉, 반도체 패키지(1000)를 x선 영상 생성 장치(300)에 대해 상대적으로 회전시키기 위하여 스테이지(100) 또는 x선 영상 생성 장치(300)를 회전시킬 수 있다.That is, the stage 100 or the x-ray image generating apparatus 300 may be rotated to rotate the semiconductor package 1000 relative to the x-ray image generating apparatus 300.

스테이지(100)가 회전하는 경우, 구동부(400)는 제1 회전 구동부(450-1) 및 제1 회전각 제어부(470-1)를 포함할 수 있다.When the stage 100 rotates, the driver 400 may include a first rotation driver 450-1 and a first rotation angle controller 470-1.

제1 회전 구동부(450-1)는 스테이지(100)를 회전축(A)을 중심으로 회전시키며, 제1 회전각 제어부(470-1)는 제1 회전 구동부(450-1)가 회전축(A)을 중심으로 스테이지(100)를 일정 각도 회전시킬 수 있도록 제1 회전 구동부(450-1)를 구동한다.The first rotation driver 450-1 rotates the stage 100 about the rotation axis A, and the first rotation angle controller 470-1 makes the first rotation driver 450-1 rotate the rotation axis A. The first rotation driving unit 450-1 is driven to rotate the stage 100 by a predetermined angle.

예를 들어, 스테이지(100)를 1°씩 회전시켜 x선 단층 영상을 생성하는 경우, 제1 회전각 제어부(470-1)는 제1 회전 구동부(450-1)를 제어하여 스테이지(100)를 1°씩 회전시킬 수 있으며, x선 영상 생성 장치(300)는 스테이지(100)가 1°씩 회전할 때마다 상기 x선을 조사하여 360개의 x선 단층 영상을 생성할 수 있다.For example, when the stage 100 is rotated by 1 ° to generate an x-ray tomography image, the first rotation angle controller 470-1 controls the first rotation driver 450-1 to control the stage 100. May be rotated by 1 °, and the x-ray image generating apparatus 300 may generate 360 x-ray tomography images by irradiating the x-rays whenever the stage 100 rotates by 1 °.

또한, x선 영상 생성 장치(300)가 회전하는 경우, 구동부(400)는 제2 회전 구동부(450-2) 및 제2 회전각 제어부(470-2)를 포함할 수 있다.In addition, when the x-ray image generating apparatus 300 rotates, the driver 400 may include a second rotation driver 450-2 and a second rotation angle controller 470-2.

제2 회전 구동부(450-2)는 x선 영상 생성 장치(300)를 회전축(A)을 중심으로 회전시키며, 제2 회전각 제어부(470-2)는 제2 회전 구동부(450-2)가 회전축(A)을 중심으로 일정 각도 회전시킬 수 있도록 제2 회전 구동부(450-2)를 구동한다.The second rotation driver 450-2 rotates the x-ray image generating apparatus 300 about the rotation axis A, and the second rotation angle controller 470-2 controls the second rotation driver 450-2. The second rotation driver 450-2 is driven to rotate at a predetermined angle about the rotation axis A. FIG.

예를 들어, x선 영상 생성 장치(300)를 1°씩 회전시켜 x선 단층 영상을 생성하는 경우, 제2 회전각 제어부(470-2)는 제2 회전 구동부(450-2)를 제어하여 x선 영상 생성 장치(300)를 1°씩 회전시킬 수 있으며, x선 영상 생성 장치(300)는 1°씩 회전할 때마다 상기 x선을 조사하여 360개의 x선 단층 영상을 생성할 수 있다.For example, when the x-ray image generating apparatus 300 is rotated by 1 ° to generate an x-ray tomography image, the second rotation angle controller 470-2 controls the second rotation driver 450-2. The x-ray image generating apparatus 300 may be rotated by 1 °, and the x-ray image generating apparatus 300 may generate 360 x-ray tomography images by irradiating the x-rays every time by 1 °. .

구동부(400)는 조사각 제어부(410) 및 조사 거리 제어부(430)를 포함할 수 있다.The driving unit 400 may include an irradiation angle controller 410 and an irradiation distance controller 430.

조사각 제어부(410)는 상기 적외선과 상기 x선이 이루는 일정 각도(α), 즉, 상기 x선이 반도체 패키지(1000)에 입사될 때의 입사각을 제어한다.The irradiation angle controller 410 controls an angle α formed by the infrared ray and the x-ray, that is, an incident angle when the x-ray is incident on the semiconductor package 1000.

구체적으로는, 반도체 패키지(1000)의 두께는 매우 얇기 때문에, x선 영상 생성 장치(300)가 반도체 패키지(1000)에 대해 수평 방향으로 상기 x선을 조사하면 결함 검출에 충분한 3D 단층 영상을 생성할 수 없다. 따라서, 조사각 제어부(410)를 통해 반도체 패키지(1000)의 두께 및 상태에 따라 x선 영상 생성 장치(300)의 틸팅을 제어하여 반도체 패키지(1000)로 조사되는 상기 x선의 입사각을 조절한다.Specifically, since the thickness of the semiconductor package 1000 is very thin, when the x-ray image generating apparatus 300 irradiates the x-ray in the horizontal direction with respect to the semiconductor package 1000, a 3D tomographic image sufficient for defect detection is generated. Can not. Accordingly, the tilt angle of the x-ray image generating apparatus 300 is controlled by the irradiation angle controller 410 according to the thickness and state of the semiconductor package 1000 to adjust the incident angle of the x-rays irradiated onto the semiconductor package 1000.

조사 거리 제어부(430)는 반도체 패키지(1000)와 열 영상 생성 장치(200) 사이의 거리(h)를 제어한다.The irradiation distance controller 430 controls the distance h between the semiconductor package 1000 and the thermal image generating apparatus 200.

마찬가지로, 조사 거리 제어부(430)는 열 영상 생성 장치(200)가 x선 영상 생성 장치(300)가 조사하는 x선의 경로상에 위치하지 않도록 거리(h)를 제어할 수 있다.Similarly, the irradiation distance controller 430 may control the distance h so that the thermal image generating apparatus 200 is not positioned on the path of the x-ray radiated by the x-ray image generating apparatus 300.

제어부(500)는 상기 하나 이상의 x선 단층 영상으로부터 반도체 패키지(1000)에 대한 3D 단층 영상을 생성하고, 상기 3D 단층 영상 및 상기 열 감지 영상으로부터 반도체 패키지(1000)의 결함 위치를 검출한다.The controller 500 generates a 3D tomography image of the semiconductor package 1000 from the one or more x-ray tomography images, and detects a defect position of the semiconductor package 1000 from the 3D tomography image and the thermally sensitive image.

바람직하게는, 제어부(500)는 x선 영상 생성 장치(300)로부터 수신한 상기 하나 이상의 x선 단층 영상에 역 투영 알고리즘을 적용하여 상기 3D 단층 영상을 생성하고, 상기 3D 단층 영상과 상기 열 감지 영상을 비교하여 반도체 패키지(1000)의 결함 위치를 검출할 수 있다.Preferably, the control unit 500 generates the 3D tomography image by applying an inverse projection algorithm to the one or more x-ray tomography images received from the x-ray image generating apparatus 300, the 3D tomography image and the heat detection The defect position of the semiconductor package 1000 may be detected by comparing the images.

구체적으로는, 열 영상 생성 장치(200)로부터 생성된 열 감지 영상은 스테이지(100)가 정지된 상태에서 전원이 인가된 반도체 패키지(1000)에서 발생되는 열을 검출하여 생성된다.Specifically, the thermally sensed image generated from the thermal image generating apparatus 200 is generated by detecting heat generated from the semiconductor package 1000 to which power is applied while the stage 100 is stopped.

즉, 반도체 패키지(1000)의 상부에 위치한 열 영상 생성 장치(200)가 반도체 패키지(1000)에서 발생되는 열을 검출하여 열 감지 영상을 생성하므로, 상기 열 감지 영상을 참조하면 반도체 패키지(1000)의 결함 부위에 대한 수평 방향의 위치를 추정할 수 있다.That is, since the thermal image generating apparatus 200 positioned on the semiconductor package 1000 detects heat generated from the semiconductor package 1000 and generates a thermal sensing image, referring to the thermal sensing image, the semiconductor package 1000 may be referred to. The position in the horizontal direction with respect to the defective portion of can be estimated.

또한, x선 영상 생성 장치(300)는 반도체 패키지(1000)에 x선을 조사하여 반도체 패키지(1000)에 대한 3D 단층 영상을 생성하므로, 상기 3D 단층 영상을 참조하면 반도체 패키지(1000)의 결함 부위에 대한 수직 방향의 위치를 추정할 수 있다.In addition, since the x-ray image generating apparatus 300 generates a 3D tomography image of the semiconductor package 1000 by irradiating the semiconductor package 1000 with x-rays, referring to the 3D tomography image, a defect of the semiconductor package 1000 may be observed. The position in the vertical direction with respect to the site can be estimated.

따라서, 제어부(500)는 열 영상 생성 장치(200)로부터 수신한 열 감지 영상으로부터 반도체 패키지(1000)의 결함 부위에 대한 수평 방향의 위치를 추정하고, 상기 수평 방향의 위치에 대한 수직 방향의 위치를 x선 영상 생성 장치(300)로부터 수신한 3D 단층 영상으로부터 검출하면, 반도체 패키지(1000)의 결함 부위의 위치를 정확하게 검출할 수 있다.Therefore, the controller 500 estimates the horizontal position of the defective portion of the semiconductor package 1000 from the thermal sensing image received from the thermal image generating apparatus 200, and positions the vertical direction with respect to the horizontal position. Is detected from the 3D tomography image received from the x-ray image generating apparatus 300, it is possible to accurately detect the position of the defect portion of the semiconductor package 1000.

이하에서는, 본 발명에 따른 반도체 패키지의 결함 검출 시스템을 이용하여 반도체 패키지의 결함을 검출하는 방법에 대해서 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a method of detecting a defect of a semiconductor package using a defect detection system of a semiconductor package according to the present invention will be described in detail.

도 3은 본 발명에 따른 반도체 패키지의 결함 검출 방법을 도시한 흐름도이다.3 is a flowchart illustrating a defect detection method of a semiconductor package according to the present invention.

도 3을 참조하면, 반도체 패키지를 상기 스테이지에 안착시킨다(S110).Referring to FIG. 3, a semiconductor package is mounted on the stage (S110).

다음에는, 적외선과 x선이 이루는 각도를 조절한다(S120).Next, the angle between the infrared ray and the x-ray is adjusted (S120).

바람직하게는, 상기 반도체 패키지의 두께는 매우 얇기 때문에 x선 영상 생성 장치가 상기 반도체 패키지에 대해 수평 방향으로 상기 x선을 조사하면 결함 검출에 충분한 3D 단층 영상을 생성할 수 없다. 따라서, 상기 반도체 패키지의 두께 및 상태에 따라 상기 x선 영상 생성 장치의 틸팅을 제어하여 반도체 패키지로 조사되는 상기 적외선과 상기 x선이 이루는 일정 각도, 즉, 상기 x선이 상기 반도체 패키지에 입사될 때의 입사각을 제어할 수 있다.Preferably, since the thickness of the semiconductor package is very thin, when the x-ray image generating apparatus irradiates the x-rays in the horizontal direction with respect to the semiconductor package, a 3D tomographic image sufficient for defect detection may not be generated. Accordingly, the tilting of the x-ray image generating apparatus may be controlled according to the thickness and state of the semiconductor package, so that a predetermined angle between the infrared rays and the x-rays irradiated onto the semiconductor package, that is, the x-rays may be incident on the semiconductor package. The incident angle at the time can be controlled.

또한, 필요에 따라 상기 열 영상 생성 장치가 상기 x선 영상 생성 장치가 조사하는 x선의 경로 상에 위치하지 않도록 상기 반도체 패키지와 상기 열 영상 생성 장치 사이의 거리를 제어할 수 있다.In addition, if necessary, the distance between the semiconductor package and the thermal image generating apparatus may be controlled so that the thermal image generating apparatus is not positioned on an x-ray path irradiated by the x-ray image generating apparatus.

다음에는, 전원이 인가된 상기 반도체 패키지에 적외선을 조사하여 열 감지 영상을 생성한다(S130).Next, a heat sensing image is generated by irradiating infrared rays to the semiconductor package to which power is applied (S130).

구체적으로는, 결함이 있는 반도체 패키지에 전원이 인가되면, 반도체 패키지의 결함 부위에는 열이 발생된다. 상기 열 영상 생성 장치는 적외선을 조사하여 상기 반도체 패키지에서 발생되는 열을 검출하여 상기 열 감지 영상을 생성하므로, 상기 열 감지 영상을 참조하면, 상기 반도체 패키지의 결함 여부 및 결함 부위의 위치를 확인할 수 있다.Specifically, when power is applied to a defective semiconductor package, heat is generated at a defective portion of the semiconductor package. The thermal image generating apparatus generates the thermal sensing image by detecting heat generated from the semiconductor package by irradiating infrared rays, and referring to the thermal sensing image, it is possible to determine whether the semiconductor package is defective or the position of the defect site. have.

다음에는, 상기 스테이지 및 상기 x선 영상 생성 장치 중 어느 하나를 회전시키면서 상기 적외선과 일정 각도를 이루는 방향으로 상기 x선을 조사하여 하나 이상의 x선 단층 영상을 생성한다(S140).Next, at least one x-ray tomography image is generated by irradiating the x-ray in a direction forming a predetermined angle with the infrared light while rotating one of the stage and the x-ray image generating apparatus (S140).

바람직하게는, 본 발명에 따른 반도체 패키지의 결함 검출 시스템은 반도체 패키지에 대한 3D 단층 영상을 생성하는데 필요한 회전 운동을 상기 스테이지 및 상기 x선 영상 생성 장치 중 어느 하나를 회전시켜서 구현한다. 따라서, 상기 S140 단계는 중심축을 중심으로 상기 스테이지가 회전하는 경우와 상기 x선 영상 생성 장치가 회전하는 경우로 나뉠 수 있다.Preferably, the defect detection system of the semiconductor package according to the present invention implements the rotational motion required to generate a 3D tomographic image of the semiconductor package by rotating one of the stage and the x-ray image generating apparatus. Therefore, the step S140 may be divided into a case in which the stage rotates about a central axis and a case in which the x-ray image generating apparatus rotates.

이하에서는, S140 단계를 상기 스테이지가 회전하는 경우와 상기 x선 영상 생성 장치가 회전하는 경우로 나누어 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, the step S140 will be described in detail by dividing the stage into a case where the stage rotates and the x-ray image generating apparatus rotates.

도 4는 본 발명에 따른 스테이지가 회전하는 경우의 S140 단계를 상세히 도시한 흐름도이다.4 is a flowchart showing in detail the step S140 when the stage is rotated according to the present invention.

도 4를 참조하면, 상기 스테이지의 회전각에 따라 상기 회전축을 중심으로 상기 스테이지를 일정 각도 회전시켜 x선 영상 생성 장치가 x선을 상기 반도체 패키지로 조사(S141)하고, 상기 x선 영상 생성 장치는 상기 반도체 패키지를 투과한 x선을 검출하여 x선 단층 영상을 생성한다(S143). 상기 S141 단계 및 상기 S143 단계를 반복하여 하나 이상의 x선 단층 영상을 생성한다.Referring to FIG. 4, an x-ray image generating apparatus irradiates an X-ray to the semiconductor package by rotating the stage at a predetermined angle about the rotation axis according to the rotation angle of the stage (S141), and the x-ray image generating apparatus. In operation S143, x-rays transmitted through the semiconductor package are detected to generate an x-ray tomography image. Steps S141 and S143 are repeated to generate one or more x-ray tomography images.

예를 들어, 상기 스테이지를 1°씩 회전시켜 360개의 x선 단층 영상을 생성할 수 있다.For example, 360 x-ray tomography images may be generated by rotating the stage by 1 °.

도 5는 본 발명에 따른 x선 영상 생성 장치가 회전하는 경우의 S140 단계를 상세히 도시한 흐름도이다.5 is a flowchart illustrating an operation S140 in detail when the x-ray image generating apparatus rotates according to the present invention.

도 5를 참조하면, 상기 x선 영상 생성 장치의 회전각에 따라 상기 회전축을 중심으로 상기 x선 영상 생성 장치를 일정 각도 회전시켜 상기 x선 영상 생성 장치가 상기 x선을 상기 반도체 패키지로 조사(S145)하고, 상기 x선 영상 생성 장치는 상기 반도체 패키지를 투과한 x선을 검출하여 x선 단층 영상을 생성한다(S147). 상기 S145 단계 및 상기 S147 단계를 반복하여 하나 이상의 x선 단층 영상을 생성한다.Referring to FIG. 5, the x-ray image generating apparatus irradiates the x-ray onto the semiconductor package by rotating the x-ray image generating apparatus at a predetermined angle about the rotation axis according to the rotation angle of the x-ray image generating apparatus. In operation S 145, the x-ray image generating apparatus detects x-rays transmitted through the semiconductor package to generate an x-ray tomography image. Steps S145 and S147 are repeated to generate one or more x-ray tomography images.

예를 들어, 상기 x선 영상 생성 장치를 1°씩 회전시켜 360개의 x선 단층 영상을 생성할 수 있다.For example, 360 x-ray tomography images may be generated by rotating the x-ray image generating apparatus by 1 °.

다시 도 3을 참조하면, 상기 하나 이상의 x선 단층 영상으로부터 상기 반도체 패키지에 대한 3D 단층 영상을 생성한다(S160).Referring to FIG. 3 again, a 3D tomography image of the semiconductor package is generated from the at least one x-ray tomography image (S160).

제어부는 상기 x선 영상 생성 장치가 생성한 하나 이상의 x선 단층 영상을 수신하고, 상기 하나 이상의 x선 단층 영상에 역 투영 알고리즘을 적용하여 상기 3D 단층 영상을 생성할 수 있다.The controller may receive one or more x-ray tomography images generated by the x-ray image generating apparatus, and generate the 3D tomography image by applying an inverse projection algorithm to the one or more x-ray tomography images.

다음에는, 상기 3D 단층 영상 및 상기 열 감지 영상으로부터 상기 반도체 패키지의 결함 위치를 검출한다(S170).Next, a defect position of the semiconductor package is detected from the 3D tomography image and the thermal sensing image (S170).

구체적으로는, 상기 열 감지 영상은 전원이 인가된 상기 반도체 패키지에서 발생되는 열을 검출하여 생성되므로, 상기 열 감지 영상을 참조하면, 상기 반도체 패키지의 결함 부위에 대한 수평 방향의 위치를 추정할 수 있다. 또한, 상기 x선 영상 생성 장치는 상기 반도체 패키지에 상기 x선을 조사하여 상기 반도체 패키지에 대한 3D 단층 영상을 생성하므로, 상기 3D 단층 영상을 참조하면, 상기 반도체 패키지의 결함 부위에 대한 수직 방향의 위치를 추정할 수 있다.In detail, the thermally sensitive image is generated by detecting heat generated from the semiconductor package to which power is applied. Referring to the thermally sensitive image, the horizontal position of the thermally sensitive image of the semiconductor package may be estimated. have. In addition, the x-ray image generating apparatus generates a 3D tomography image of the semiconductor package by irradiating the semiconductor package with the x-rays. The location can be estimated.

따라서, 상기 제어부는, 상기 열 감지 영상으로부터 상기 반도체 패키지의 결함 부위에 대한 수평 방향의 위치를 추정하고, 상기 수평 방향의 위치에 대한 수직 방향의 위치를 상기 3D 단층 영상으로부터 검출하여 상기 반도체 패키지의 결함 부위의 위치를 정확하게 검출한다.Accordingly, the controller estimates a horizontal position of the defective portion of the semiconductor package from the thermally sensed image, detects a vertical position of the semiconductor package from the 3D tomographic image, and detects the position of the semiconductor package. Accurately detect the location of the defect site.

비록 본 발명의 실시예가 구체적으로 설명되었지만 이는 단지 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형이 가능할 것이다.Although embodiments of the present invention have been described in detail, these are merely illustrative of the present invention, and various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential features of the present invention. This will be possible.

따라서 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 사상과 범위가 한정되는 것은 아니다. 발명의 범위는 아래의 청구범위에 의해 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Therefore, the embodiments disclosed in the present specification are intended to illustrate rather than limit the present invention, and the scope and spirit of the present invention are not limited by these embodiments. The scope of the invention should be construed according to the following claims, and all the technical scope of the invention should be construed as being included in the scope of the present invention.

100 : 스테이지 200 : 열 영상 생성 장치
300 : x선 영상 생성 장치 400 : 구동부
410 : 조사각 제어부 430 : 조사 거리 제어부
450-1 : 제1 회전 구동부 450-2 : 제2 회전 구동부
470-1 : 제1 회전각 제어부 470-2 : 제2 회전각 제어부
500 : 제어부100: stage 200: thermal image generating device
300: x-ray image generating apparatus 400: driver
410: irradiation angle control unit 430: irradiation distance control unit
450-1: first rotation drive unit 450-2: second rotation drive unit
470-1: first rotation angle control unit 470-2: second rotation angle control unit
500:

Claims (16)

반도체 패키지가 안착되는 스테이지;
상기 반도체 패키지에 적외선을 조사하여 상기 반도체 패키지의 열 감지 영상을 생성하는 열 영상 생성 장치;
상기 반도체 패키지에 x선을 조사하여 하나 이상의 x선 단층 영상을 생성하는 x선 영상 생성 장치;
상기 스테이지 및 상기 x선 영상 생성 장치 중 어느 하나를 회전축을 따라 회전시키는 구동부; 및
상기 하나 이상의 x선 단층 영상으로부터 상기 반도체 패키지에 대한 3D 단층 영상을 생성하고, 상기 3D 단층 영상 및 상기 열 감지 영상으로부터 상기 반도체 패키지의 결함 위치를 검출하는 제어부
를 포함하되,
상기 x선 영상 생성 장치는 상기 x선을 상기 적외선 및 상기 회전축 각각에 대하여 0°보다 크고 90°보다 작은 각도로 조사하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 결함 검출 시스템.A stage on which the semiconductor package is seated;
A thermal image generating device generating a thermally sensed image of the semiconductor package by irradiating the semiconductor package with infrared rays;
An x-ray image generating apparatus generating one or more x-ray tomography images by irradiating the semiconductor package with x-rays;
A driver configured to rotate one of the stage and the x-ray image generating apparatus along a rotation axis; And
A controller for generating a 3D tomography image of the semiconductor package from the at least one x-ray tomography image and detecting a defect position of the semiconductor package from the 3D tomography image and the thermal sensing image
, ≪ / RTI &
And the x-ray image generating apparatus emits the x-rays at angles greater than 0 ° and less than 90 ° with respect to the infrared rays and the rotation axis, respectively. 제1항에 있어서,
상기 구동부는 상기 적외선과 상기 x선이 이루는 각도를 조절하는 조사각 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 결함 검출 시스템.The method of claim 1,
The driver unit comprises a irradiation angle control unit for adjusting the angle between the infrared ray and the x-ray defect detection system of the semiconductor package. 제1항에 있어서,
상기 구동부는 상기 반도체 패키지와 상기 열 영상 생성 장치 사이의 거리를 제어하는 조사 거리 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 결함 검출 시스템.The method of claim 1,
The driving unit includes a irradiation distance control unit for controlling the distance between the semiconductor package and the thermal image generating apparatus. 제1항에 있어서,
상기 구동부는,
상기 스테이지를 상기 회전축을 중심으로 회전시키는 제1 회전 구동부; 및
상기 제1 회전 구동부를 제어하여 상기 스테이지의 회전각을 제어하는 제1 회전각 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 결함 검출 시스템.The method of claim 1,
The driving unit includes:
A first rotation driver to rotate the stage about the rotation axis; And
And a first rotation angle controller configured to control the first rotation driver to control a rotation angle of the stage. 제1항에 있어서,
상기 구동부는,
상기 x선 영상 생성 장치를 상기 회전축을 중심으로 회전시키는 제2 회전 구동부; 및
상기 제2 회전 구동부를 제어하여 상기 x선 영상 생성 장치의 회전각을 제어하는 제2 회전각 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 결함 검출 시스템.The method of claim 1,
The driving unit includes:
A second rotation driver to rotate the x-ray image generating apparatus about the rotation axis; And
And a second rotation angle controller configured to control the second rotation driver to control a rotation angle of the x-ray image generating apparatus. 제1항에 있어서,
상기 x선 영상 생성 장치는,
상기 x선을 상기 반도체 패키지에 조사하는 x선 조사부; 및
상기 x선 조사부에 대향하도록 설치되며, 상기 반도체 패키지를 투과한 x선을 검출하는 x선 검출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 결함 검출 시스템.The method of claim 1,
The x-ray image generating device,
An x-ray radiator irradiating the x-rays to the semiconductor package; And
And an x-ray detector provided to face the x-ray irradiator and detecting x-rays transmitted through the semiconductor package. 제1항에 있어서,
상기 제어부는 상기 하나 이상의 x선 단층 영상에 역 투영 알고리즘을 적용하여 상기 3D 단층 영상을 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 결함 검출 시스템.The method of claim 1,
And the controller generates the 3D tomography image by applying an inverse projection algorithm to the one or more x-ray tomography images. 제1항에 있어서,
상기 제어부는 상기 3D 단층 영상과 상기 열 감지 영상을 비교하여 상기 반도체 패키지의 결함 위치를 검출하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 결함 검출 시스템.The method of claim 1,
The control unit detects a defect location of the semiconductor package by comparing the 3D tomography image and the thermally sensed image. 반도체 패키지가 안착되는 스테이지; 상기 반도체 패키지의 열 감지 영상을 생성하는 열 영상 생성 장치; 하나 이상의 x선 단층 영상을 생성하는 x선 영상 생성 장치; 및 상기 스테이지 및 상기 x선 영상 생성 장치 중 어느 하나를 회전시키는 구동부를 포함하는 반도체 패키지의 결함 검출 시스템에서 수행되는 반도체 패키지의 결함 검출 방법에 있어서,
(a) 상기 반도체 패키지를 상기 스테이지에 안착시키는 단계;
(b) 전원이 인가된 상기 반도체 패키지에 적외선을 조사하여 열 감지 영상을 생성하는 단계;
(c) 상기 스테이지 및 상기 x선 영상 생성 장치 중 어느 하나를 회전축을 따라 회전시키면서, 상기 x선 영상 생성 장치가 x선을 상기 적외선 및 상기 회전축 각각에 대하여 0°보다 크고 90°보다 작은 각도로 조사하여 상기 하나 이상의 x선 단층 영상을 생성하는 단계;
(d) 상기 하나 이상의 x선 단층 영상으로부터 상기 반도체 패키지에 대한 3D 단층 영상을 생성하는 단계; 및
(e) 상기 3D 단층 영상 및 상기 열 감지 영상으로부터 상기 반도체 패키지의 결함 위치를 검출하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 결함 검출 방법.A stage on which the semiconductor package is seated; A thermal image generating device generating a thermally sensed image of the semiconductor package; An x-ray image generating apparatus generating at least one x-ray tomography image; And a driver configured to rotate any one of the stage and the x-ray image generating apparatus, the method of detecting a defect of a semiconductor package performed by a defect detection system of a semiconductor package.
(a) mounting the semiconductor package on the stage;
(b) generating a thermally sensitive image by irradiating infrared rays to the semiconductor package to which power is applied;
(c) while rotating one of the stage and the x-ray image generating device along a rotation axis, the x-ray image generating device rotates the x-ray at an angle greater than 0 ° and less than 90 ° with respect to the infrared ray and the rotation axis, respectively. Generating one or more x-ray tomography images by irradiation;
(d) generating a 3D tomography image of the semiconductor package from the at least one x-ray tomography image; And
(e) detecting a defect location of the semiconductor package from the 3D tomography image and the thermal sensing image;
Defect detection method of a semiconductor package comprising a. 제9항에 있어서,
상기 (b) 단계 이전에, (f) 상기 적외선과 상기 x선이 이루는 각도를 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 결함 검출 방법.10. The method of claim 9,
Before the step (b), (f) further comprising the step of adjusting the angle between the infrared ray and the x-rays defect detection method of a semiconductor package. 제9항에 있어서,
상기 스테이지를 회전시키는 경우, 상기 (c) 단계는,
(c-1) 회전각에 따라 상기 회전축을 중심으로 상기 스테이지를 회전시키면서 상기 x선을 조사하는 단계; 및
(c-2) 상기 반도체 패키지를 투과한 x선을 검출하여 상기 하나 이상의 x선 단층 영상을 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 결함 검출 방법.10. The method of claim 9,
When rotating the stage, step (c),
(c-1) irradiating the x-ray while rotating the stage about the rotation axis according to the rotation angle; And
(c-2) detecting the x-rays transmitted through the semiconductor package to generate the at least one x-ray tomography image. 제9항에 있어서,
상기 x선 영상 생성 장치를 회전시키는 경우, 상기 (c) 단계는,
(c-1) 회전각에 따라 상기 회전축을 중심으로 상기 x선 영상 생성 장치를 회전시키면서 상기 x선을 조사하는 단계; 및
(c-2) 상기 반도체 패키지를 투과한 x선을 검출하여 상기 하나 이상의 x선 단층 영상을 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 결함 검출 방법.10. The method of claim 9,
When rotating the x-ray image generating apparatus, step (c),
(c-1) irradiating the x-ray while rotating the x-ray image generating apparatus about the rotation axis according to the rotation angle; And
(c-2) detecting the x-rays transmitted through the semiconductor package to generate the at least one x-ray tomography image. 제9항에 있어서,
상기 (d) 단계는, 상기 하나 이상의 x선 단층 영상에 역 투영 알고리즘을 적용하여 상기 반도체 패키지에 대한 3D 단층 영상을 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 결함 검출 방법.10. The method of claim 9,
The step (d) comprises the step of generating a 3D tomography image for the semiconductor package by applying a reverse projection algorithm to the at least one x-ray tomography image. 제9항에 있어서,
상기 (e) 단계는, 상기 3D 단층 영상 및 상기 열 감지 영상을 비교하여 상기 반도체 패키지의 결함 위치를 검출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 결함 검출 방법.10. The method of claim 9,
And (e) comparing the 3D tomography image and the thermal sensing image to detect a defect position of the semiconductor package. 제1항에 있어서,
상기 열 영상 생성 장치는 상기 반도체 패키지에 전원이 인가된 상태에서 상기 반도체 패키지에 적외선을 조사하여 상기 열 감지 영상을 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 결함 검출 시스템.The method of claim 1,
The thermal image generating apparatus generates a thermal sensing image by irradiating infrared rays to the semiconductor package while power is supplied to the semiconductor package. 제9항에 있어서,
상기 (b) 단계는 상기 반도체 패키지에 상기 전원을 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 결함 검출 방법.10. The method of claim 9,
Wherein (b) comprises the step of applying the power to the semiconductor package defect detection method of a semiconductor package.
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