KR101372850B1 - Dimethylenecyclohexane compound, method for preparing the same and organic light emitting device comprising the same - Google Patents

Dimethylenecyclohexane compound, method for preparing the same and organic light emitting device comprising the same Download PDF

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Abstract

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 디메틸렌사이클로헥산 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 구비한 유기 발광 소자에 관한 것이다:The present invention relates to a dimethylene cyclohexane compound represented by Formula 1, a method for preparing the same, and an organic light emitting device having the same:

<화학식 1>&Lt; Formula 1 >

Figure 112006093748359-pat00001
Figure 112006093748359-pat00001

상기 화학식 1 중, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, X1, X2, Ar1, Ar2, n1, 및 n2 는 발명의 상세한 설명을 참조한다. 상기 디메틸렌사이클로헥산 화합물을 이용하면, 구동전압, 효율 및 색순도가 향상된 유기 발광 소자를 얻을 수 있다.In Formula 1, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , X 1 , X 2 , Ar 1 , Ar 2 , n 1 , and n 2 are of the invention See detailed description. By using the dimethylene cyclohexane compound, an organic light emitting device having improved driving voltage, efficiency, and color purity can be obtained.

Description

디메틸렌사이클로헥산 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 구비한 유기 발광 소자{Dimethylenecyclohexane compound, method for preparing the same and organic light emitting device comprising the same}Dimethylenecyclohexane compound, method for preparing the same and organic light emitting device comprising the same}

도 1a 내지 1c는 각각, 본 발명을 따르는 유기 발광 소자의 일 구현예의 구조를 간략하게 나타낸 단면도이고;1A to 1C are cross-sectional views each schematically showing the structure of one embodiment of an organic light emitting device according to the present invention;

본 발명은 디메틸렌사이클로헥산 화합물(Dimethylenecyclohexane compound), 이의 제조 방법 및 이를 구비한 유기 발광 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 우수한 전기적 특성, 열 안정성 및 광화학 안정성(photochemical stability)을 가지며, 유기 발광 소자 적용시, 우수한 구동 전압, 효율 및 색순도 특성을 나타낼 수 있는 디메틸렌사이클로헥산 화합물, 이의 제조 방법과 상기 디메틸렌사이클로헥산 화합물을 포함한 유기막을 채용한 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a dimethylene cyclohexane compound, a manufacturing method thereof, and an organic light emitting device having the same. More specifically, the present invention relates to an organic light emitting device having excellent electrical properties, thermal stability, and photochemical stability. When applied, the present invention relates to a dimethylene cyclohexane compound capable of exhibiting excellent driving voltage, efficiency and color purity characteristics, a method for preparing the same, and an organic light emitting device employing the organic film including the dimethylene cyclohexane compound.

발광 소자(light emitting device)는 자발광형 소자로 시야각이 넓으며 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답시간이 빠르다는 장점을 가지고 있다. 상기 발광 소자에는 발광층(light emitting layer)에 무기 화합물을 사용하는 무기 발광 소자 와 유기 화합물을 사용하는 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Deveice : OLED)가 있는데, 유기 발광 소자는 무기 발광 소자에 비하여 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 점에서 많은 연구가 이루어지고 있다.A light emitting device is a self-emitting type device having a wide viewing angle, an excellent contrast, and a fast response time. The light emitting device includes an inorganic light emitting device using an inorganic compound and an organic light emitting device (OLED) using an organic compound, and the organic light emitting device has luminance, Many studies have been conducted in that driving voltage and response speed characteristics are excellent and multicolorization is possible.

유기 발광 소자는 일반적으로 애노드/유기 발광층/캐소드의 적층구조를 가지며, 애노드/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/캐소드 또는 애노드/정공주입층/정공수송층/발광층/정공저지층/전자수송층/전자주입층/캐소드 등과 같은 다양한 구조도 가질 수 있다.The organic light emitting device generally has a stack structure of an anode / an organic light emitting layer / a cathode and includes an anode / a hole injecting layer / a hole transporting layer / a light emitting layer / an electron transporting layer / an electron injecting layer / a cathode or an anode / a hole injecting layer / a hole transporting layer / Blocking layer / electron transporting layer / electron injecting layer / cathode, and the like.

일본 특허 공개번호 제1999-003782호에는 발광층 또는 정공주입층에 사용될 수 있는 화합물로서 2 개의 나프틸기로 치환된 안트라센이 개시되어 있다. 그러나, 상기 화합물을 채용한 유기 발광 소자의 구동전압, 효율 및 색순도 특성 등은 만족할 만한 수준에 이르지 못하는 바, 이의 개선이 시급하다.Japanese Patent Laid-Open No. 1999-003782 discloses anthracene substituted with two naphthyl groups as a compound that can be used in the light emitting layer or the hole injection layer. However, the driving voltage, efficiency and color purity characteristics of the organic light-emitting device employing the compound do not reach a satisfactory level, and an improvement thereof is urgent.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 유기 발광 소자의 구동전압, 효율 및 색순도 특성을 향상시킬 수 있는 디메틸렌사이클로헥산 화합물을 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a dimethylene cyclohexane compound that can improve the driving voltage, efficiency and color purity characteristics of the organic light emitting device.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 디메틸렌사이클로헥산 화합물의 제조방법을 제공하는 것이다.Another technical problem to be achieved by the present invention is to provide a method for preparing the dimethylene cyclohexane compound.

본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는 상기 디메틸렌사이클로헥산 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an organic light emitting device comprising the dimethylene cyclohexane compound.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은,According to an aspect of the present invention,

하기 화학식 1의 디메틸렌사이클로헥산 화합물을 제공한다:It provides a dimethylene cyclohexane compound of formula (I):

<화학식 1>&Lt; Formula 1 >

Figure 112006093748359-pat00002
Figure 112006093748359-pat00002

상기 화학식 1 중,In Formula 1,

R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8은 서로 독립적으로, 수소, 할로겐 원자, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C20알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30헤테로아릴기 또는 화학식 -N(Z')(Z")을 갖는 치환된 아미노기이고, 상기 Z' 및 Z"은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C5-C20사이클로알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C5-C30헤테로사이클로알킬기를 나타내고;R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 and R 8 are each independently hydrogen, a halogen atom, a cyano group, a hydroxyl group, an amino group, a substituted or unsubstituted C 1- C 20 alkyl group, substituted or unsubstituted C 1 -C 20 alkoxy group, substituted or unsubstituted C 6 -C 30 aryl group, substituted or unsubstituted C 2 -C 30 heteroaryl group or formula -N (Z ' Is a substituted amino group having (Z ″), wherein Z ′ and Z ″ are each independently a substituted or unsubstituted C 1 -C 20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 aryl group, a substituted or An unsubstituted C 2 -C 30 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C 5 -C 20 cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C 5 -C 30 heterocycloalkyl group;

X1 및 X2는 서로 독립적으로, 단일 결합, 이중결합, 치환 또는 비치환된 C1- C20알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C20알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C20알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C20헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C7-C30알킬렌아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C30헤테로아릴렌기를 나타내며;X 1 and X 2 are each independently a single bond, a double bond, a substituted or unsubstituted C 1 -C 20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 20 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 20 alkynylene group, substituted or unsubstituted C 1 -C 20 heteroalkylene group, substituted or unsubstituted C 7 -C 30 alkylenearylene group, substituted or unsubstituted C 6 -C 30 arylene group, substituted Or an unsubstituted C 2 -C 30 heteroarylene group;

n1 및 n2는 서로 독립적으로 0 내지 5의 정수이고, 이 때 n1 또는 n2가 2 이상이면 복수의 X1 또는 X2는 각각 서로 동일하거나 상이할 수 있으며;n 1 and n 2 are each independently an integer of 0 to 5, wherein when n 1 or n 2 is 2 or more, a plurality of X 1 or X 2 may be the same or different from each other;

Ar1과 Ar2 는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기, C2-C30헤테로아릴기, C4-C30사이클로알킬기 혹은 C2-C30사이클로헤테로알킬기를 나타내고;Ar 1 and Ar 2 independently represent a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 aryl group, C 2 -C 30 heteroaryl group, C 4 -C 30 cycloalkyl group or C 2 -C 30 cycloheteroalkyl group;

단 Ar1 혹은 Ar2 중 적어도 어느 하나는 2개 이상의 치환기를 포함한다.Provided that at least one of Ar 1 and Ar 2 includes two or more substituents.

본 발명의 일구현예에 따르면, 상기 Ar1 혹은 Ar2 이 포함하는 치환기는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C5-C20사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C30헤테로사이클로알킬기, 또는 화학식 -N(R')(R")을 갖는 치환된 아미노기이고, 상기 R' 및 R"은 서로 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30헤테로아릴기, C5-C20사이클로알킬기, C5-C30헤테로사이클로알킬기를 나타낸다.According to one embodiment of the present invention, the substituents included in Ar 1 or Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 30 heteroaryl group, A substituted or unsubstituted C 5 -C 20 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 5 -C 30 heterocycloalkyl group, or a substituted amino group having the formula —N (R ′) (R ″), wherein R ′ and R ″, independently from each other, is hydrogen, a substituted or unsubstituted C 1 -C 20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 30 heteroaryl group, C 5 -C 20 cycloalkyl group, C 5 -C 30 heterocycloalkyl group.

상기 본 발명의 다른 과제를 이루기 위하여, 본 발명의 제2태양은,In order to achieve the another object of the present invention, the second aspect of the present invention,

하기 화학식 1a로 표시되는 화합물과 하기 화학식 1b로 표시되는 화합물 및/또는 하기 화학식 1c로 표시되는 화합물을 반응시켜, 하기 화학식 1d로 표시되는 화합물을 형성하는 단계와, 하기 화학식 1d로 표시되는 화합물을 화학식 L1-Q1로 표시되는 화합물, L2-Q2로 표시되는 화합물 등과 반응시켜, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 형성하는 단계를 포함하는, 전술한 바와 같은 화학식 1로 표시되는 디메틸렌사이클로헥산 화합물의 제조 방법을 제공한다:Reacting a compound represented by the following Formula 1a with a compound represented by the following Formula 1b and / or a compound represented by the following Formula 1c to form a compound represented by the following Formula 1d, and a compound represented by the following Formula 1d Dimethylene represented by Formula 1 as described above, comprising the step of forming a compound represented by Formula 1 by reacting with a compound represented by Formula L 1 -Q 1 , a compound represented by L 2 -Q 2 , etc. Provided are methods for preparing the cyclohexane compound:

<화학식 1a><Formula 1a>

Figure 112006093748359-pat00003
Figure 112006093748359-pat00003

<화학식 1b>&Lt; EMI ID =

Figure 112006093748359-pat00004
Figure 112006093748359-pat00004

<화학식 1c>&Lt; Formula 1c >

Figure 112006093748359-pat00005
Figure 112006093748359-pat00005

<화학식 1d><Formula 1d>

Figure 112006093748359-pat00006
Figure 112006093748359-pat00006

상기 화학식들 중,Among the above formulas,

R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, X1, X2, n1 및 n2는 상기 정의된 바와 동일하고;R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , X 1 , X 2 , n 1 and n 2 are the same as defined above;

Ar1 '과 Ar2 '는 치환 혹은 비치환된 C6-C30아릴기, C2-C30헤테로아릴기, C4-C30사이클로알킬기 혹은 C2-C30사이클로헤테로알킬기를 나타내고;Ar 1 and Ar 2 represent a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 aryl group, C 2 -C 30 heteroaryl group, C 4 -C 30 cycloalkyl group or C 2 -C 30 cycloheteroalkyl group;

Ha1 및 Ha2는 할로겐이고, m1 및 m2는 0 내지 5의 정수이며;Ha 1 and Ha 2 are halogen, m 1 and m 2 are integers from 0 to 5;

단 m1 과 m2중 적어도 어느 한쪽은 2이상의 정수이다.Provided that at least one of m 1 and m 2 is an integer of 2 or more.

상기 Q1, Q2 등은 B-함유기이고, L1, L2 등은 상기 정의된 바와 같은 Ar1 혹은 Ar2 이 포함하는 치환기로서 이들이 화학식 -N(R')(R")을 갖는 치환된 아미노기인 경우에는 상기 Q1, Q2 등은 H이다.Q 1 , Q 2, and the like are B-containing groups, and L 1 , L 2, and the like are substituents included in Ar 1 or Ar 2 as defined above, and they have a formula —N (R ′) (R ″). In the case of a substituted amino group, Q <1> , Q <2>, etc. are H.

상기 본 발명의 또 다른 과제를 이루기 위하여, 본 발명의 제3태양은, 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 적어도 한 층의 유기막을 포 함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기막이 상술한 바와 같은 화학식 1의 디메틸렌사이클로헥산 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.In order to achieve the another object of the present invention, the third aspect of the present invention, the first electrode; A second electrode; And an organic light emitting device including at least one organic film between the first electrode and the second electrode, wherein the organic film includes an dimethylene cyclohexane compound of Formula 1 as described above. .

상기 본 발명에 따른 화학식 1의 디메틸렌사이클로헥산 화합물은 열 안정성, 광 화학 안정성 및 광학 특성이 우수하여, 이를 구비한 유기 발광 소자는 우수한 구동전압, 효율 및 색순도가 개선될 수 있다.The dimethylene cyclohexane compound of Chemical Formula 1 according to the present invention has excellent thermal stability, photochemical stability, and optical properties, and an organic light emitting device having the same may have excellent driving voltage, efficiency, and color purity.

이하, 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명을 따르는 디메틸렌사이클로헥산 화합물은, 하기 화학식 1로 표시된다:The dimethylene cyclohexane compound according to the present invention is represented by the following general formula (1):

<화학식 1>&Lt; Formula 1 >

Figure 112006093748359-pat00007
Figure 112006093748359-pat00007

상기 화학식 1 중, 2개의 이중 결합 및 상기 이중 결합과 각각 연결되어 있는 디메틸렌사이클로헥산기는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 용해도를 증가시키는 역할을 하고, 상기 Ar1-(X1)n1- 및 Ar2-(X2)n2-는 Ar1 및 Ar2에 포함되어 있는 치환기인 L1, L2, L3 및 L4로 인해 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 필름 형성 능력(film proccesibility), 양자 효율, 열 안정성, 광 화학 안정성(photo chemical stability) 및 PL 특성을 보다 향상시키는 역할을 한다. 따라서 상기 화학식 1로 표시되는 디메틸렌사이클로헥산 화합물은 유기 발광 소자 중 제1전극과 제2전극 사이에 개재된 유기막을 이루는 물질로 적합하다. 상기 화학식 1의 디메틸렌사이클로헥산 화합물은 유기 발광 소자의 유기막, 특히 정공주입층, 정공수송층 또는 발광층에 사용되기 적합하다.In Formula 1, two double bonds and a dimethylene cyclohexane group respectively connected to the double bonds serve to increase solubility of the compound represented by Formula 1, wherein Ar 1- (X 1 ) n1 -and Ar 2- (X 2 ) n 2 -is a film proccesibility of the compound represented by Formula 1 due to the substituents L 1 , L 2 , L 3 and L 4 included in Ar 1 and Ar 2 , It serves to further improve quantum efficiency, thermal stability, photo chemical stability and PL properties. Therefore, the dimethylene cyclohexane compound represented by Chemical Formula 1 is suitable as a material forming an organic film interposed between the first electrode and the second electrode of the organic light emitting device. The dimethylene cyclohexane compound of Formula 1 is suitable for use in organic membranes, particularly hole injection layers, hole transport layers or light emitting layers of the organic light emitting device.

상기 화학식 1 중, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8은 서로 독립적으로, 수소, 할로겐 원자, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C20알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30헤테로아릴기 또는 화학식 -N(Z')(Z")을 갖는 치환된 아미노기일 수 있다. 이 때, 상기 Z' 및 Z"은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C5-C20사이클로알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C5-C30헤테로사이클로알킬기일 수 있다.In Formula 1, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 and R 8 are each independently hydrogen, a halogen atom, a cyano group, a hydroxyl group, an amino group, a substituted or unsubstituted A substituted C 1 -C 20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 20 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 30 heteroaryl group or formula It may be a substituted amino group having -N (Z ') (Z "), wherein Z' and Z" are independently of each other, a substituted or unsubstituted C 1 -C 20 alkyl group, a substituted or unsubstituted A C 6 -C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 30 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C 5 -C 20 cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C 5 -C 30 heterocycloalkyl group have.

본 발명에서, 알킬기, 알콕시기, 아릴기, 헤테로아릴기, 사이클로알킬기 또는 헤테로사이클로알킬기와 같은 다양한 치환기에 포함되어 있는 하나 이상의 수소원자가 치환될 경우, 이들의 치환기는 서로 독립적으로, -F, -Cl, -Br, -CN, -NO2, -OH; 미치환 또는 -F, -Cl, -Br, -CN, -NO2 또는 -OH로 치환된 C1-C20알킬기; 미치환 또는 -F, -Cl, -Br, -CN, -NO2 또는 -OH로 치환된 C1-C20알콕시기; 미치환 또는 C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, -F, -Cl, -Br, -CN, -NO2 또는 -OH로 치환된 C6-C30아릴기; 미치환 또는 C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, -F, -Cl, -Br, -CN, -NO2 또는 -OH로 치환된 C2-C30헤테로아릴기; 미치환 또는 C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, -F, -Cl, -Br, -CN, -NO2 또는 -OH로 치환된 C5-C20사이클로알킬기; 및 미치환 또는 C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, -F, -Cl, -Br, -CN, -NO2 또는 -OH로 치환된 C5-C30헤테로사이클로알킬기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.In the present invention, when one or more hydrogen atoms included in various substituents such as an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, a heteroaryl group, a cycloalkyl group or a heterocycloalkyl group are substituted, their substituents are independently of each other, -F,- Cl, —Br, —CN, —NO 2 , —OH; C 1 -C 20 alkyl group unsubstituted or substituted with —F, —Cl, —Br, —CN, —NO 2 or —OH; C 1 -C 20 alkoxy group unsubstituted or substituted with —F, —Cl, —Br, —CN, —NO 2 or —OH; C 6 -C 30 aryl groups unsubstituted or substituted with C 1 -C 20 alkyl groups, C 1 -C 20 alkoxy groups, —F, —Cl, —Br, —CN, —NO 2 or —OH; Unsubstituted or C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, C 2 -C 30 heteroaryl group substituted with —F, —Cl, —Br, —CN, —NO 2 or —OH; Unsubstituted or C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, C 5 -C 20 cycloalkyl group substituted with -F, -Cl, -Br, -CN, -NO 2 or -OH; And an unsubstituted or C 1 -C 20 alkyl group, a C 1 -C 20 alkoxy group, a C 5 -C 30 heterocycloalkyl group substituted with -F, -Cl, -Br, -CN, -NO 2 or -OH. It may be one or more selected from the group.

상기 화학식 1 중, X1 및 X2는 서로 독립적으로, 단일 결합, 이중결합, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C20알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C20알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C20헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C7-C30알킬렌아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C30헤테로아릴렌기를 나타낸다.In Formula 1, X 1 and X 2 are each independently a single bond, a double bond, a substituted or unsubstituted C 1 -C 20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 20 alkenylene group, substituted or Unsubstituted C 2 -C 20 alkynylene group, substituted or unsubstituted C 1 -C 20 heteroalkylene group, substituted or unsubstituted C 7 -C 30 alkylenearylene group, substituted or unsubstituted C 6 -C A 30 arylene group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 30 heteroarylene group.

상기 알킬렌기는 분지형 또는 직쇄형인 2가의 알킬 그룹을 나타내며, 상기 헤테로알킬렌기는 상기 알킬렌기에 존재하는 하나 이상의 탄소원자가 N, O, S, 또는 P로 치환된 것을 의미한다.The alkylene group represents a divalent alkyl group which is branched or straight chain, and the heteroalkylene group means that one or more carbon atoms present in the alkylene group are substituted with N, O, S, or P.

상기 아릴렌기는 방향족 고리 시스템을 갖는 2가 그룹으로서, 2 이상의 고리 시스템이 서로 결합 또는 융합된 형태도 포함한다. 상기 헤테로아릴렌기는 상기 아 릴렌기 중 하나 이상의 탄소가 N, O, S 및 P로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 치환된 방항족 고리 시스템을 갖는 2가 그룹을 가리킨다.The arylene group is a divalent group having an aromatic ring system, and also includes a form in which two or more ring systems are bonded or fused to each other. The heteroarylene group refers to a divalent group having an aromatic ring ring system in which at least one carbon of the arylene group is substituted with at least one selected from the group consisting of N, O, S, and P.

상기 알킬렌기, 헤테로알킬렌기, 아릴렌기 또는 헤테로아릴렌기와 같은 다양한 치환기에 존재하는 하나 이상의 수소원자가 치환된 경우, 이들 치환기는 상기 서로 독립적으로, -F, -Cl, -Br, -CN, -NO2, -OH; 미치환 또는 -F, -Cl, -Br, -CN, -NO2 또는 -OH로 치환된 C1-C20알킬기; 미치환 또는 -F, -Cl, -Br, -CN, -NO2 또는 -OH로 치환된 C1-C20알콕시기; 미치환 또는 C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, -F, -Cl, -Br, -CN, -NO2 또는 -OH로 치환된 C6-C30아릴기; 미치환 또는 C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, -F, -Cl, -Br, -CN, -NO2 또는 -OH로 치환된 C2-C30헤테로아릴기; 미치환 또는 C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, -F, -Cl, -Br, -CN, -NO2 또는 -OH로 치환된 C5-C20사이클로알킬기; 및 미치환 또는 C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, -F, -Cl, -Br, -CN, -NO2 또는 -OH로 치환된 C5-C30헤테로사이클로알킬기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.When one or more hydrogen atoms present in various substituents such as the alkylene group, heteroalkylene group, arylene group or heteroarylene group are substituted, these substituents are independently of each other, -F, -Cl, -Br, -CN,- NO 2 , -OH; C 1 -C 20 alkyl group unsubstituted or substituted with —F, —Cl, —Br, —CN, —NO 2 or —OH; C 1 -C 20 alkoxy group unsubstituted or substituted with —F, —Cl, —Br, —CN, —NO 2 or —OH; C 6 -C 30 aryl groups unsubstituted or substituted with C 1 -C 20 alkyl groups, C 1 -C 20 alkoxy groups, —F, —Cl, —Br, —CN, —NO 2 or —OH; Unsubstituted or C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, C 2 -C 30 heteroaryl group substituted with —F, —Cl, —Br, —CN, —NO 2 or —OH; Unsubstituted or C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, C 5 -C 20 cycloalkyl group substituted with -F, -Cl, -Br, -CN, -NO 2 or -OH; And an unsubstituted or C 1 -C 20 alkyl group, a C 1 -C 20 alkoxy group, a C 5 -C 30 heterocycloalkyl group substituted with -F, -Cl, -Br, -CN, -NO 2 or -OH. It may be one or more selected from the group.

보다 구체적으로, 상기 X1 및 X2는 서로 독립적으로, 단일 결합, 메틸렌기,에틸렌기, -O-메틸렌기, 페닐렌기, C1-C10알킬페닐렌기, C1-C10알콕시페닐렌기, 할로페닐렌기, 시아노페닐렌기, 디시아노페닐렌기, 트리플루오로메톡시페닐렌기, o-, m-, 또는 p-톨일렌기, o-, m- 또는 p-쿠메닐렌기, 메시틸렌기, 페녹시페닐렌기, (α,α-디메틸벤젠)페닐렌기, (N,N'-디메틸)아미노페닐렌기, (N,N'-디페닐)아미노페닐렌기, (C1-C10알킬사이클로헥실)페닐렌기, (안트라세닐)페닐렌기, 펜타레닐렌기, 인데닐렌기, 나프틸렌기, C1-C10알킬나프틸렌기, C1-C10알콕시나프틸렌기, 할로나프틸렌기, 시아노나프틸렌기, 비페닐레닐렌기, C1-C10알킬 비페닐레닐렌기, C1-C10알콕시 비페닐레닐렌기, 안트라세닐렌기, 아즈레닐렌기, 헵타레닐렌기, 아세나프틸레닐렌기, 페나레닐렌기, 플루오레닐렌기, 메틸안트릴렌기, 페난트레닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 피레닐렌기, 크리세닐렌기, 에틸-크리세닐렌기, 피세닐렌기, 페릴레닐렌기, 클로로페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 펜타세닐렌기, 테트라페닐레닐렌기, 헥사페닐렌기, 헥사세닐렌기, 루비세닐렌기, 코로네닐렌기, 트리나프틸레닐렌기, 헵타페닐렌기, 헵타세닐렌기, 피란트레닐렌기, 오바레닐렌기, 카르바졸릴렌기, C1-10알킬 카르바졸릴렌기, 티오페닐렌기, 인돌일렌기, 푸리닐렌기, 벤즈이미다졸일렌기, 퀴놀리닐렌기, 벤조티오페닐렌기, 파라티아지닐렌기, 피롤일렌기, 피라졸릴렌기, 이미다졸릴렌기, 이미다졸리닐렌기, 옥사졸릴렌기, 티아졸릴렌기, 트리아졸릴렌기, 테트라졸일렌기, 옥사디아졸릴렌기, 피리디닐렌기, 피리다지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피라지닐렌기 및 티안트레닐렌기(thianthrenylene)으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.More specifically, X 1 and X 2 are each independently a single bond, methylene group, ethylene group, -O- methylene group, phenylene group, C 1 -C 10 alkylphenylene group, C 1 -C 10 alkoxyphenylene group , Halophenylene group, cyanophenylene group, dicyanophenylene group, trifluoromethoxyphenylene group, o-, m-, or p-tolylene group, o-, m- or p-cumenylene group, mesitylene group, phenoxyphenyl groups, (α, α- dimethyl-benzene) phenyl groups, (N, N'- dimethyl) aminophenyl groups, (N, N'- diphenyl) aminophenyl group, (C 1 -C 10 alkyl, cyclohexyl ) phenylene, (anthracenyl) phenyl group, a penta-alkylenyl group, an indenyl group, a naphthyl group, a C 1 -C 10 alkyl naphthyl group, a C 1 -C 10 alkoxy-naphthyl group, a halo-naphthyl group, a cyano Naphthylene group, biphenylenylene group, C 1 -C 10 alkyl biphenylenylene group, C 1 -C 10 alkoxy biphenylenylene group, anthracenylene group, azurenylene group, heptarelenylene group, acenaphthylenylene group, Fenarenil Group, fluorenylene group, methyl anthylene group, phenanthrenylene group, triphenylenylene group, pyrenylene group, chryseneylene group, ethyl- xensenylene group, pisenylene group, peryleneylene group, chloroperyleneylene group , Pentaphenylene group, pentaxenylene group, tetraphenylenylene group, hexaphenylene group, hexasenylene group, rubisenylene group, coronylene group, trinaphthyleneylene group, heptaphenylene group, heptasenylene group, pyrantrenylene group, Ovarenylene group, carbazolylene group, C 1-10 alkyl carbazolylene group, thiophenylene group, indolylene group, furinylene group, benzimidazolylene group, quinolinyl group, benzothiophenylene group, parathia Genylene group, pyrrolyylene group, pyrazolylene group, imidazolylene group, imidazolinylene group, oxazolylene group, thiazolylene group, triazolylene group, tetrazolylene group, oxadiazolylene group, pyridinylene group, pyridazinyl Len group, pyrimidinylene group, pyrazinylene group and tea Tre carbonyl group may be selected from (thianthrenylene) the group consisting of, but not limited to this.

이 중, 단일결합, 페닐렌기 또는 안트라세닐렌기가 바람직하다.Among these, a single bond, a phenylene group or an anthracenylene group is preferable.

상기 X1 및 X2는 서로 상이하거나 동일할 수 있다. 바람직하게, 상기 X1 및 X2 는 서로 동일하다.X 1 and X 2 may be different from or identical to each other. Preferably, X 1 and X 2 are the same as each other.

상기 n1 및 n2는 각각 -X1- 및 -X2-의 반복 회수를 나타낸다. 상기 n1 및 n2는 서로 독립적으로, 0 내지 5의 정수, 바람직하게는 0 내지 3의 정수일 수 있다.N 1 and n 2 each represent a number of repetitions of -X 1 -and -X 2- . N 1 and n 2 may be each independently an integer of 0 to 5, preferably an integer of 0 to 3.

이 때, n1 이 2 이상이면 복수의 X1은 각각 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, n2가 2 이상이면 복수의 X2는 각각 서로 동일하거나 상이할 수 있다.In this case, when n 1 is 2 or more, the plurality of X 1 may be the same as or different from each other, and when n 2 is 2 or more, the plurality of X 2 may be the same as or different from each other.

상기 화학식 1에서 말단에 연결되는 Ar1은 비치환 또는 L1, L2 등의 치환기를 갖는 C6-C30아릴기, C2-C30헤테로아릴기, C4-C30사이클로알킬기 혹은 C2-C30사이클로헤테로알킬기를 나타내며, Ar2는 비치환 또는 L3, L4 등의 치환기를 갖는 C6-C30아릴기, C2-C30헤테로아릴기, C4-C30사이클로알킬기 혹은 C2-C30사이클로헤테로알킬기를 나타낸다.Ar 1 connected to the terminal in Formula 1 is unsubstituted or C 6 -C 30 aryl group, C 2 -C 30 heteroaryl group, C 4 -C 30 cycloalkyl group or C having a substituent such as L 1 , L 2 Represents a 2 -C 30 cycloheteroalkyl group, Ar 2 is an unsubstituted or substituted group such as L 3 , L 4 , a C 6 -C 30 aryl group, a C 2 -C 30 heteroaryl group, a C 4 -C 30 cycloalkyl group Or a C 2 -C 30 cycloheteroalkyl group.

단 Ar1 혹은 Ar2중 적어도 어느 한쪽은 2개 이상의 치환기를 포함한다.Provided that at least either one of Ar 1 or Ar 2 contains two or more substituents.

상기 L1, L2, L3, L4 등은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C5-C20사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C30헤테로사이클로알킬기 또는 화학식 -N(R')(R")을 갖는 치환된 아미노기이고, 상기 R' 및 R"은 서로 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30헤테로아 릴기, C5-C20사이클로알킬기, C5-C30헤테로사이클로알킬기일 수 있다.L 1 , L 2 , L 3 , L 4 and the like are each independently a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 30 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted A C 5 -C 20 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 5 -C 30 heterocycloalkyl group, or a substituted amino group having the formula —N (R ′) (R ″), wherein R ′ and R ″ are independently of one another , Hydrogen, a substituted or unsubstituted C 1 -C 20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 30 heteroaryl group, a C 5 -C 20 cycloalkyl group, It may be a C 5 -C 30 heterocycloalkyl group.

상기 아릴기는 방향족 고리 시스템을 갖는 1가 그룹으로서, 2 이상의 고리 시스템이 서로 결합 또는 융합된 형태를 포함한다. 상기 헤테로아릴기는 상기 아릴기 중 하나 이상의 탄소가 N, O, S 및 P로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 치환된 그룹을 가리킨다. 한편, 사이클로알킬기는 고리 시스템을 갖는 알킬기를 가리키며, 상기 헤테로사이클로알킬기는 상기 사이클로알킬기 중 하나 이상의 탄소가 N, O, S 및 P로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 치환된 그룹을 가리킨다. The aryl group is a monovalent group having an aromatic ring system, and includes a form in which two or more ring systems are bonded or fused to each other. The heteroaryl group refers to a group in which at least one carbon in the aryl group is substituted with at least one selected from the group consisting of N, O, S, and P. Meanwhile, a cycloalkyl group refers to an alkyl group having a ring system, and the heterocycloalkyl group refers to a group in which at least one carbon of the cycloalkyl group is substituted with at least one selected from the group consisting of N, O, S and P.

상기 아릴기, 헤테로아릴기, 사이클로알킬기 및 헤테로사이클로알킬기에 존재하는 적어도 하나 이상의 수소원자가 치환된 경우, 이들의 치환기는 서로 독립적으로, -F, -Cl, -Br, -CN, -NO2, -OH; 미치환 또는 -F, -Cl, -Br, -CN, -NO2 또는 -OH로 치환된 C1-C20알킬기; 미치환 또는 -F, -Cl, -Br, -CN, -NO2 또는 -OH로 치환된 C1-C20알콕시기; 미치환 또는 C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, -F, -Cl, -Br, -CN, -NO2 또는 -OH로 치환된 C6-C30아릴기; 미치환 또는 C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, -F, -Cl, -Br, -CN, -NO2 또는 -OH로 치환된 C2-C30헤테로아릴기; 미치환 또는 C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, -F, -Cl, -Br, -CN, -NO2 또는 -OH로 치환된 C5-C20사이클로알킬기; 및 미치환 또는 C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, -F, -Cl, -Br, -CN, -NO2 또 는 -OH로 치환된 C5-C30헤테로사이클로알킬기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.When at least one hydrogen atom present in the aryl group, heteroaryl group, cycloalkyl group and heterocycloalkyl group is substituted, their substituents are independently of each other, -F, -Cl, -Br, -CN, -NO 2 , -OH; C 1 -C 20 alkyl group unsubstituted or substituted with —F, —Cl, —Br, —CN, —NO 2 or —OH; C 1 -C 20 alkoxy group unsubstituted or substituted with —F, —Cl, —Br, —CN, —NO 2 or —OH; C 6 -C 30 aryl groups unsubstituted or substituted with C 1 -C 20 alkyl groups, C 1 -C 20 alkoxy groups, —F, —Cl, —Br, —CN, —NO 2 or —OH; Unsubstituted or C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, C 2 -C 30 heteroaryl group substituted with —F, —Cl, —Br, —CN, —NO 2 or —OH; Unsubstituted or C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, C 5 -C 20 cycloalkyl group substituted with -F, -Cl, -Br, -CN, -NO 2 or -OH; And a C 5 -C 30 heterocycloalkyl group substituted with an unsubstituted or C 1 -C 20 alkyl group, a C 1 -C 20 alkoxy group, -F, -Cl, -Br, -CN, -NO 2 or -OH It may be one or more selected from the group consisting of.

보다 구체적으로, 상기 L1, L2, L3, L4 등은 서로 독립적으로, 페닐기, C1-C10알킬페닐기, C1-C10알콕시페닐기, 할로페닐기, 시아노페닐기, 디시아노페닐기, 트리플루오로메톡시페닐기, o-, m-, 또는 p-톨일기, o-, m- 또는 p-쿠메닐기, 메시틸기, 페녹시페닐기, (α,α-디메틸벤젠)페닐기, (N,N'-디메틸)아미노페닐기, (N,N'-디페닐)아미노페닐기, (C1-C10알킬사이클로헥실)페닐기, 비페닐기, C1-C10알킬비페닐기, C1-C10알콕시비페닐기, 펜타레닐기, 인데닐기, 나프틸기, C1-C10알킬나프틸기, C1-C10알콕시나프틸기, 할로나프틸기, 시아노나프틸기, 비페닐레닐기, C1-C10알킬 비페닐레닐기, C1-C10알콕시 비페닐레닐기, 안트라세닐기, C1-C10알킬안트라세닐기, C1-C10알콕시안트라세닐기, 아즈레닐기, 헵타레닐기, 아세나프틸레닐기, 페나레닐기, 플루오레닐기, 메틸안트릴기, 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 피레닐기, 크리세닐기, 에틸-크리세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 클로로페릴레닐기, 펜타페닐기, 펜타세닐기, 테트라페닐레닐기, 헥사페닐기, 헥사세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 트리나프틸레닐기, 헵타페닐기, 헵타세닐기, 피란트레닐기, 오바레닐기, 카르바졸릴기, C1-C10알킬 카르바졸릴기, 티오페닐기, 인돌일기, 푸리닐기, 벤즈이미다졸일기, 퀴놀리닐기, 벤조티오페닐기, 파라티아지닐기, 피롤일기, 피라졸릴기, 이미다졸릴 기, 이미다졸리닐기, 옥사졸릴기, 티아졸릴기, 트리아졸릴기, 테트라졸일기, 옥사디아졸릴기, 피리디닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 티안트레닐기(thianthrenyl), 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, C1-C10알킬사이클로헥실기, C1-C10알콕시사이클로헥실기, 옥시라닐기, 피롤리디닐기, 피라졸리디닐기, 이미다졸리디닐기, 피페리디닐기, 피페라지닐기, 모르폴리닐기, 9,9-디페닐-9H-플루오렌-2-일기, 스피로플루오렌닐기 및 -N(R')(R")을 갖는 아미노기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이 때, 상기 R' 및 R"은 서로 독립적으로, 수소, 페닐기, C1-C10알킬페닐기, C1-C10알콕시페닐기, 할로페닐기, 시아노페닐기, 디시아노페닐기, 트리플루오로메톡시페닐기, o-, m-, 또는 p-톨일기, o-, m- 또는 p-쿠메닐기, 메시틸기, 페녹시페닐기, (α,α-디메틸벤젠)페닐기, (N,N'-디메틸)아미노페닐기, (N,N'-디페닐)아미노페닐기, (C1-C10알킬사이클로헥실)페닐기, (안트라세닐)페닐기, 비페닐기, C1-C10알킬비페닐기, C1-C10알콕시비페닐기, 펜타레닐기, 인데닐기, 나프틸기, C1-C10알킬나프틸기, C1-C10알콕시나프틸기, 할로나프틸기, 시아노나프틸기, 비페닐레닐기 및 C1-C10알킬 비페닐레닐기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. More specifically, the L 1 , L 2 , L 3 , L 4 and the like are independently of each other, a phenyl group, a C 1 -C 10 alkylphenyl group, a C 1 -C 10 alkoxyphenyl group, halophenyl group, cyanophenyl group, dicyanophenyl group , Trifluoromethoxyphenyl group, o-, m- or p-tolyl group, o-, m- or p-cumenyl group, mesityl group, phenoxyphenyl group, (α, α-dimethylbenzene) phenyl group, (N, N'-dimethyl) aminophenyl group, (N, N'-diphenyl) aminophenyl group, (C 1 -C 10 alkylcyclohexyl) phenyl group, biphenyl group, C 1 -C 10 alkylbiphenyl group, C 1 -C 10 alkoxy Biphenyl group, pentarenyl group, indenyl group, naphthyl group, C 1 -C 10 alkylnaphthyl group, C 1 -C 10 alkoxynaphthyl group, halonaphthyl group, cyanonaphthyl group, biphenylenyl group, C 1 -C 10 Alkyl biphenylenyl group, C 1 -C 10 alkoxy biphenylenyl group, anthracenyl group, C 1 -C 10 alkyl anthracenyl group, C 1 -C 10 alkoxy anthracenyl group, azurenyl group, heptarenyl group, ace Naphthyleneyl, phenenyl, flu Renyl group, methyl anthryl group, phenanthrenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, ethyl-crisenyl group, pisenyl group, perylenyl group, chloroperylenyl group, pentaphenyl group, pentacenyl group, Tetraphenylenyl group, hexaphenyl group, hexasenyl group, rubisenyl group, coronyl group, trinaphthylenyl group, heptaphenyl group, heptasenyl group, pyrantrenyl group, obarenyl group, carbazolyl group, C 1 -C 10 Alkyl carbazolyl group, thiophenyl group, indolyl group, furinyl group, benzimidazolyl group, quinolinyl group, benzothiophenyl group, parathiazinyl group, pyrrolyl group, pyrazolyl group, imidazolyl group, imidazolinyl group, Oxazolyl, thiazolyl, triazolyl, tetrazolyl, oxadiazolyl, pyridinyl, pyridazinyl, pyrimidinyl, pyrazinyl, thianthrenyl, cyclopentyl, cyclo hexyl group, C 1 -C 10 alkyl, cyclohexyl, C 1 -C 10 alkoxy cycloalkyl Real group, oxiranyl group, pyrrolidinyl group, pyrazolidinyl group, imidazolidinyl group, piperidinyl group, piperazinyl group, morpholinyl group, 9,9-diphenyl-9H-fluoren-2-yl group It may be selected from the group consisting of a spirofluorenyl group and an amino group having -N (R ') (R "), but is not limited thereto. In this case, R 'and R "are each independently hydrogen, phenyl group, C 1 -C 10 alkylphenyl group, C 1 -C 10 alkoxyphenyl group, halophenyl group, cyanophenyl group, dicyanophenyl group, trifluoromethoxyphenyl group , o-, m-, or p-tolyl group, o-, m- or p-cumenyl group, mesityl group, phenoxyphenyl group, (α, α-dimethylbenzene) phenyl group, (N, N'-dimethyl) amino phenyl groups, (N, N'- diphenyl) aminophenyl group, (C 1 -C 10 alkyl, cyclohexyl) group, a (anthracenyl) phenyl group, a biphenyl group, C 1 -C 10 alkyl biphenyl group, C 1 -C 10 alkoxy Biphenyl group, pentarenyl group, indenyl group, naphthyl group, C 1 -C 10 alkylnaphthyl group, C 1 -C 10 alkoxynaphthyl group, halonaphthyl group, cyanonaphthyl group, biphenylenyl group and C 1 -C 10 It may be selected from the group consisting of alkyl biphenylenyl groups, but is not limited thereto.

이 중, 카르바졸기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 또는 R' 및 R"이 서로 독립적으로 나프틸기, 페닐기인 -N(R')(R")기가 바람직하며, 카르바졸기가 더욱 바람직하다.Among these, a carbazole group, a phenyl group, a naphthyl group, an anthracenyl group, or a -N (R ') (R ") group in which R' and R" are independently of each other a naphthyl group and a phenyl group is preferable, and a carbazole group is furthermore preferred. desirable.

상기 본 발명에 따른 화학식 1의 디메틸렌사이클로헥산의 바람직한 예로서는 하기 화학식 2의 화합물을 들 수 있다:Preferred examples of the dimethylene cyclohexane of the formula (1) according to the present invention include compounds of the formula (2):

<화학식 2>(2)

Figure 112006093748359-pat00008
Figure 112006093748359-pat00008

상기 화학식 2중, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, X1, X2, n1, n2, L1, L2, L3 및 L4는 상기 정의한 바와 같다.In Formula 2, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , X 1 , X 2 , n 1 , n 2 , L 1 , L 2 , L 3 and L 4 is as defined above.

상기 화학식 2의 디메틸렌사이클로헥산의 보다 바람직한 예로서는 하기 화학식 3 또는 4의 화합물을 예로 들 수 있다.As a more preferable example of the dimethylene cyclohexane of Chemical Formula 2, a compound of the following Chemical Formula 3 or 4 may be exemplified.

<화학식 3>(3)

Figure 112006093748359-pat00009
Figure 112006093748359-pat00009

상기 화학식 3중, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, L1, L2, L3 및 L4는 상기 정 의한 바와 같다.In Formula 3, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , L 1 , L 2 , L 3 and L 4 are as defined above.

<화학식 4>&Lt; Formula 4 >

Figure 112006093748359-pat00010
Figure 112006093748359-pat00010

상기 화학식 4중, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, L1, L2, L3 및 L4는 상기 정의한 바와 같고, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, R16은 서로 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C20알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30헤테로아릴기 또는 화학식 -N(Z')(Z")을 갖는 치환된 아미노기이고, 상기 Z' 및 Z"은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C5-C20사이클로알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C5-C30헤테로사이클로알킬기를 나타낸다.In Formula 4, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , L 1 , L 2 , L 3 and L 4 are as defined above, R 9 , R 10 , R 11 , R 12 , R 13 , R 14 , R 15 , R 16 are each independently hydrogen, halogen atom, cyano group, hydroxyl group, amino group, substituted or unsubstituted C 1 -C 20 alkyl group, substituted Or an unsubstituted C 1 -C 20 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 30 heteroaryl group, or formula -N (Z ′) (Z ″) Is a substituted amino group having Z 'and Z ", each independently, a substituted or unsubstituted C 1 -C 20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 aryl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 30 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted C 5 -C 20 cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C 5 -C 30 heterocycloalkyl group.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 본 발명에 따른 화학식 1의 사이클로헥실렌 화합물은 하기 화학식 5 내지 8로 나타낼 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아 니다:According to one embodiment of the present invention, the cyclohexylene compound of Formula 1 according to the present invention may be represented by the following Chemical Formulas 5 to 8, but is not limited thereto:

<화학식 5>&Lt; Formula 5 >

Figure 112006093748359-pat00011
Figure 112006093748359-pat00011

<화학식 6>(6)

Figure 112006093748359-pat00012
Figure 112006093748359-pat00012

<화학식 7>&Lt; Formula 7 >

Figure 112006093748359-pat00013
Figure 112006093748359-pat00013

<화학식 8>(8)

Figure 112006093748359-pat00014
Figure 112006093748359-pat00014

상기 화학식 1로 표시되는 디메틸렌사이클로헥산 화합물의 합성 방법은 통상적인 유기 합성 방법을 이용한 것이다. 본 발명을 따르는 디메틸렌사이클로헥산 화합물의 제조 방법의 일 구현예는 하기 화학식 1a로 표시되는 화합물과 하기 화학식 L1-Q1로 표시되는 화합물, L2-Q2로 표시되는 화합물, L3-Q3로 표시되는 화합물 및 L4-Q4로 표시되는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 둘 이상을 반응시켜, 하기 화학식 1d로 표시되는 화합물을 형성하는 단계와, 상기 화학식 1d로 표시되는 화합물을 화학식 L1-Q1로 표시되는 화합물 및/또는 L2-Q2로 표시되는 화합물 등과 반응시켜, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 형성하는 단계를 포함한다:Synthesis method of the dimethylene cyclohexane compound represented by Formula 1 is using a conventional organic synthesis method. One embodiment of a method for producing a dimethylene cyclohexane compound according to the present invention is a compound represented by the following formula 1a and a compound represented by the formula L 1 -Q 1 , a compound represented by L 2 -Q 2 , L 3- Reacting at least two selected from the group consisting of a compound represented by Q 3 and a compound represented by L 4 -Q 4 to form a compound represented by the following Chemical Formula 1d, wherein the compound represented by Chemical Formula 1d is represented by Chemical Formula L Reacting with a compound represented by 1- Q 1 and / or a compound represented by L 2 -Q 2 , and the like to form a compound represented by Formula 1 above:

<화학식 1a><Formula 1a>

Figure 112006093748359-pat00015
Figure 112006093748359-pat00015

<화학식 1b>&Lt; EMI ID =

Figure 112006093748359-pat00016
Figure 112006093748359-pat00016

<화학식 1c>&Lt; Formula 1c >

Figure 112006093748359-pat00017
Figure 112006093748359-pat00017

<화학식 1d><Formula 1d>

Figure 112006093748359-pat00018
Figure 112006093748359-pat00018

상기 화학식들 중,Among the above formulas,

R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, X1, X2, n1, 및 n2는 상기 화학식 1에 대하여 설명한 부분을 참조한다.R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , X 1 , X 2 , n 1 , and n 2 refer to the part described with respect to Formula 1 above.

상기 Ar1 '과 Ar2 '는 치환 혹은 비치환의 C6-C30아릴기, C2-C30헤테로아릴기, C4- C30사이클로알킬기 혹은 C2-C30사이클로헤테로알킬기를 나타내고;Wherein Ar 1 'and Ar 2' is a substituted or unsubstituted C 6 -C 30 aryl group, C 2 -C 30 heteroaryl groups, C 4 - C 30 cycloalkyl group or C 2 -C 30 cycloalkyl represents a heterocyclic group;

한편, 상기 화학식 1b 및 1c 중, Ha1 및 Ha2는 서로 독립적으로 F, Cl, Br 또는 I와 같은 할로겐이다. 바람직하게, 상기 Ha1 및 Ha2는 Br이다. m1 및 m2는 0 내지 5의 정수이다.Meanwhile, in Formulas 1b and 1c, Ha 1 and Ha 2 are each independently halogen such as F, Cl, Br, or I. Preferably, Ha 1 and Ha 2 are Br. m 1 and m 2 are integers of 0 to 5.

단 m1 과 m2중 적어도 어느 한쪽은 2 이상의 정수이다.Provided that at least one of m 1 and m 2 is an integer of 2 or more.

상기 반응식의 L1-Q1, L2-Q2,L3-Q3, L4-Q4 중, L1기, L2기, L3기 및 L4기의 정의는 전술한 바를 참조하며, Q1, Q2, Q3, Q4는 B-함유기이거나, L1, L2,L3, L4가 상기 화학식 -N(R')(R")을 갖는 치환된 아미노기인 경우에는 H이다.Of the L 1 -Q 1 , L 2 -Q 2 , L 3 -Q 3 , L 4 -Q 4 of the above scheme, the definition of L 1 group, L 2 group, L 3 group and L 4 group, see the above bar And Q 1 , Q 2 , Q 3 , Q 4 are B-containing groups, or L 1 , L 2 , L 3 , L 4 are substituted amino groups having the formula -N (R ′) (R ″). In this case H.

상기 B-함유기의 구체적인 예는, 예를 들면

Figure 112006093748359-pat00019
,
Figure 112006093748359-pat00020
,
Figure 112006093748359-pat00021
또는
Figure 112006093748359-pat00022
등을 포함하나, 이에 한정되지 않는다.Specific examples of the B-containing group, for example
Figure 112006093748359-pat00019
,
Figure 112006093748359-pat00020
,
Figure 112006093748359-pat00021
or
Figure 112006093748359-pat00022
But are not limited thereto.

하기 반응식 1은 본 발명의 디메틸렌사이클로헥산 화합물의 합성 경로를 보다 구체적으로 나타낸 것이다:Scheme 1 below illustrates the synthetic route of the dimethylene cyclohexane compound of the present invention in more detail:

Figure 112006093748359-pat00023
Figure 112006093748359-pat00023

먼저, 상기 화학식 1a로 표시되는 화합물을 상기 화학식 1b 및 화학식 1c로 표시되는 화합물들과 반응시켜, 화학식 1d로 표시되는 화합물을 얻는다. 상기 화학식 1a로 표시되는 화합물은 일반적으로 상업화된 시약을 구입하여 사용할 수 있으며, 상기 1b 및 1c로 표시되는 화합물들은 메틸 할로겐화물이 치환된 아릴 화합물 과 트리에틸 포스파이트(triethyl phosphite, P(OEt)3)를 반응시켜 (예를 들면, 브로모벤질 브로마이드를 트리에틸 포스파이트와 반응시켜 얻을 수 있음) 얻을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이 후, 상기 화합물 1d로 표시되는 화합물을 화학식 L1-Q1, L2-Q2,L3-Q3, L4-Q4 등으로 표시되는 화합물들과 반응시켜 화학식 1로 표시되는 화합물을 얻을 수 있다. 상기 반응은 예를 들면, K2CO3와 Pd(PPh3)4의 존재 하에서 진행될 수 있다. 상기 L1-Q1, L2-Q2, L3-Q3, L4-Q4 등으로 표시되는 화합물들은 예를 들면, L1기, L2기, L3기, L4기 등을 각각 갖는 보로닉 산 또는 디옥사보로란(dioxaborolane) 이거나, L1기, L2기, L3기, L4기 등을 갖는 아민일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이로부터 합성된 모든 화합물은 1H NMR 및 Mass spectrometer를 이용하여 그 구조를 확인하였다.First, the compound represented by Chemical Formula 1a is reacted with the compounds represented by Chemical Formulas 1b and 1c to obtain a compound represented by Chemical Formula 1d. The compound represented by Chemical Formula 1a may generally be used by purchasing a commercialized reagent, and the compounds represented by 1b and 1c may be an aryl compound substituted with methyl halide and triethyl phosphite (P (OEt)). 3 ) can be obtained by reaction (for example, can be obtained by reacting bromobenzyl bromide with triethyl phosphite), but is not limited thereto. Thereafter, the compound represented by Formula 1d is reacted with the compounds represented by Formula L 1 -Q 1 , L 2 -Q 2 , L 3 -Q 3 , L 4 -Q 4, etc. Can be obtained. The reaction can be carried out, for example, in the presence of K 2 CO 3 and Pd (PPh 3 ) 4 . The compounds represented by L 1 -Q 1 , L 2 -Q 2 , L 3 -Q 3 , L 4 -Q 4, etc. may be, for example, L 1 group, L 2 group, L 3 group, L 4 group, or the like. It may be boronic acid or dioxaborolane having a respective one , or an amine having an L 1 group, an L 2 group, an L 3 group, an L 4 group, or the like, but is not limited thereto. All compounds synthesized therefrom were confirmed by their 1H NMR and mass spectrometers.

상기 디메틸렌사이클로헥산 화합물의 제조 방법 중, 상기 Ar1과 Ar2가 서로 동일하고, 상기 n1과 n2가 서로 동일하고, 상기 Ha1과 Ha2가 서로 동일하고, 상기 L1과 L2가 서로 동일할 수 있다.In the method for producing the dimethylene cyclohexane compound, Ar 1 and Ar 2 are the same as each other, n 1 and n 2 are the same as each other, Ha 1 and Ha 2 are the same as each other, and L 1 and L 2 May be identical to each other.

전술한 바와 같은 본 발명을 따르는 디메틸렌사이클로헥산 화합물은 유기 발광 소자에 적용될 수 있다. 본 발명을 따르는 유기 발광 소자는 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 적어도 한 층의 유기막을 포함하되, 상기 유기막은 전술한 바와 같은 화학식 1로 표시되는 디메틸렌사이클로헥산 화합물을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 유기막은 정공주입층, 정공수송층 또는 발광층일 수 있다.The dimethylene cyclohexane compound according to the present invention as described above can be applied to the organic light emitting device. An organic light emitting device according to the present invention comprises a first electrode; A second electrode; And at least one layer of an organic film between the first electrode and the second electrode, wherein the organic film may include a dimethylene cyclohexane compound represented by Formula 1 as described above. More specifically, the organic layer may be a hole injection layer, a hole transport layer or a light emitting layer.

본 발명을 따르는 유기 발광 소자의 구조는 매우 다양하다. 상기 제1전극과 제2전극 사이에 정공주입층, 정공수송층, 정공저지층, 전자저지층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층을 더 포함할 수 있다. The structure of the organic light emitting device according to the present invention is very diverse. The organic EL device may further include at least one layer selected from the group consisting of a hole injecting layer, a hole transporting layer, a hole blocking layer, an electron blocking layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer between the first electrode and the second electrode.

보다 구체적으로, 본 발명을 따르는 유기 발광 소자의 구현예는 도 1A, 1B 및 1C를 참조한다. 도 1A의 유기 발광 소자는 제1전극/정공주입층/발광층/전자수송층/전자주입층/제2전극으로 이루어진 구조를 갖고, 도 1B의 유기 발광 소자는 제1전극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/제2전극으로 이루어진 구조를 갖는다. 또한, 도 1C의 유기 발광 소자는 제1전극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공저지층/전자수송층/전자주입층/제2전극의 구조를 갖는다. 이 때, 상기 정공주입층, 정공수송층 및 발광층 중 하나 이상은 본 발명을 따르는 디메틸렌사이클로헥산 화합물을 포함할 수 있다.More specifically, embodiments of the organic light emitting device according to the present invention refer to FIGS. 1A, 1B and 1C. The organic light emitting device of FIG. 1A has a structure consisting of a first electrode / hole injection layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / second electrode, and the organic light emitting device of FIG. 1B includes a first electrode / hole injection layer / hole transport layer. / Light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / second electrode. In addition, the organic light emitting device of FIG. 1C has a structure of a first electrode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer / second electrode. In this case, at least one of the hole injection layer, the hole transport layer and the light emitting layer may include a dimethylene cyclohexane compound according to the present invention.

본 발명을 따르는 유기 발광 소자의 발광층은 적색, 녹색, 청색 또는 백색을 포함하는 인광 또는 형광 도펀트를 포함할 수 있다. 이 중, 상기 인광 도펀트는 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb 및 Tm으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 유기금속화합물일 수 있다.The light emitting layer of the organic light emitting device according to the present invention may include a phosphorescent or fluorescent dopant including red, green, blue or white. The phosphorescent dopant may be an organometallic compound containing at least one element selected from the group consisting of Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb and Tm.

이하, 본 발명을 따르는 유기 발광 소자의 제조 방법을 도 1C에 도시된 유기 발광 소자를 참조하여, 살펴보기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting diode according to the present invention will be described with reference to the organic light emitting diode illustrated in FIG. 1C.

먼저 기판 상부에 높은 일함수를 갖는 제1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터 링법 등에 의해 형성하여 제1전극을 형성한다. 상기 제1전극은 애노드(Anode)일 수 있다. 여기에서 기판으로는 통상적인 유기 발광 소자에서 사용되는 기판을 사용하는데 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판이 바람직하다. 제1전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 사용한다.First, a first electrode material having a high work function on the substrate is formed by a deposition method, a sputtering method, or the like to form a first electrode. The first electrode may be an anode. Herein, a substrate used in a conventional organic light emitting device is used, and a glass substrate or a transparent plastic substrate having excellent mechanical strength, thermal stability, transparency, surface smoothness, ease of handling, and waterproofness is preferable. As the material for the first electrode, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), tin oxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO) or the like which is transparent and excellent in conductivity is used.

다음으로, 상기 제1전극 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 정공주입층(HIL)을 형성할 수 있다.Next, a hole injection layer (HIL) may be formed on the first electrode by various methods such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, and an LB method.

진공증착법에 의하여 정공주입층을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 정공주입층의 재료로서 사용하는 화합물, 목적으로 하는 정공주입층의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 일반적으로 증착온도 100 내지 500℃, 진공도 10-8 내지 10-3torr, 증착속도 0.01 내지 100Å/sec, 막 두께는 통상 10Å 내지 5㎛ 범위에서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.In the case of forming the hole injection layer by vacuum deposition, the deposition conditions vary depending on the compound used as the material of the hole injection layer, the structure and thermal properties of the hole injection layer, and the like. It is preferable that a vacuum degree of 10 -8 to 10 -3 torr, a deposition rate of 0.01 to 100 mW / sec, and a film thickness are usually appropriately selected in the range of 10 mV to 5 m.

스핀코팅법에 의하여 정공주입층을 형성하는 경우, 그 코팅 조건은 정공주입층의 재료로서 사용하는 화합물, 목적으로 하는 정공주입층의 구조 및 열적 특성에 따라 상이하지만, 약 2000rpm 내지 5000rpm의 코팅 속도, 코팅 후 용매 제거를 위한 열처리 온도는 약 80℃ 내지 200℃의 온도 범위 에서 적절히 선택하는 것이 바람직하다.In the case of forming the hole injection layer by spin coating, the coating conditions vary depending on the compound used as the material of the hole injection layer and the structure and thermal characteristics of the desired hole injection layer, but the coating speed is about 2000 rpm to 5000 rpm. After the coating, the heat treatment temperature for removing the solvent is preferably selected from a temperature range of about 80 ° C to 200 ° C.

상기 정공주입층 물질은 전술한 바와 같은 화학식 1을 갖는 디메틸렌사이클 로헥산 화합물일 수 있다. 또는, 예를 들어, 미국특허 제4,356,429호에 개시된 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물 또는 Advanced Material, 6, p.677(1994)에 기재되어 있는 스타버스트형 아민 유도체류인 TCTA, m-MTDATA, m-MTDAPB, 용해성이 있는 전도성 고분자인 Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid:폴리아닐린/도데실벤젠술폰산) 또는 PEDOT/PSS (Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonic acid:폴리아닐린/캠퍼술폰산) 또는 PANI/PSS (Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리아닐린)/폴리(4-스티렌술포네이트)) 등과 같은 공지된 정공주입 물질을 사용할 수 있다.The hole injection layer material may be a dimethylene cyclohexane compound having Formula 1 as described above. Or phthalocyanine compounds such as copper phthalocyanine disclosed in US Pat. No. 4,356,429 or the starburst type amine derivatives described in Advanced Material, 6, p.677 (1994), for example, TCTA, m-MTDATA, m-. MTDAPB, Pani / DBSA (Polyaniline / Dodecylbenzenesulfonic acid: polyaniline / dodecylbenzenesulfonic acid) or PEDOT / PSS (Poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / Poly (4-styrenesulfonate): Poly (3,4) -Ethylenedioxythiophene) / poly (4-styrenesulfonate)), Pani / CSA (Polyaniline / Camphor sulfonic acid: polyaniline / camphorsulfonic acid) or PANI / PSS (Polyaniline) / Poly (4-styrenesulfonate): polyaniline) / Known hole injection materials such as poly (4-styrenesulfonate)) and the like can be used.

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Pani/DBSA Pani / DBSA

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PEDOT/PSS PEDOT / PSS

상기 정공주입층의 두께는 약 100Å 내지 10000Å, 바람직하게는 100Å 내지 1000Å일 수 있다. 상기 정공주입층의 두께가 100Å 미만인 경우, 정공주입 특성이 저하될 수 있으며, 상기 정공주입층의 두께가 10000Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.The thickness of the hole injection layer may be about 100 Å to 10000 Å, preferably 100 Å to 1000 Å. If the thickness of the hole injection layer is less than 100 angstroms, the hole injection characteristics may be degraded. If the thickness of the hole injection layer exceeds 10000 angstroms, the driving voltage may increase.

다음으로 상기 정공주입층 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 정공수송층(HTL)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀팅법에 의하여 정공수송층을 형성하는 경우, 그 증착조건 및 코팅조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.Next, a hole transport layer (HTL) may be formed on the hole injection layer by various methods such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, and an LB method. In the case of forming the hole transporting layer by the vacuum deposition method and the sputtering method, the deposition conditions and the coating conditions vary depending on the compound used, but are generally selected from substantially the same range of conditions as the formation of the hole injection layer.

상기 정공수송층 물질은 전술한 바와 같은 화학식 1을 갖는 디메틸렌사이클로헥산 화합물일 수 있다. 또는, 예를 들어, N-페닐카르바졸, 폴리비닐카르바졸 등의 카르바졸 유도체, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD) 등의 방향족 축합환을 가지는 통상적인 아민 유도체 등과 같은 공지된 정공수송 물질을 사용할 수 있다.The hole transport layer material may be a dimethylene cyclohexane compound having Formula 1 as described above. Or carbazole derivatives such as N-phenylcarbazole, polyvinylcarbazole and the like, N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'- diphenyl- [ Amine having an aromatic condensed ring such as N, N'-tetramethyldisiloxane, -4,4'-diamine (TPD) and N, N'-di (naphthalen- The same known hole transport materials can be used.

상기 정공수송층의 두께는 약 50Å 내지 1000Å, 바람직하게는 100Å 내지 600Å일 수 있다. 상기 정공수송층의 두께가 50Å 미만인 경우, 정공수송 특성이 저하될 수 있으며, 상기 정공수송층의 두께가 1000Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.The thickness of the hole transporting layer may be about 50 Å to 1000 Å, preferably 100 Å to 600 Å. When the thickness of the hole transporting layer is less than 50 Å, the hole transporting property may be degraded. When the thickness of the hole transporting layer is more than 1000 Å, the driving voltage may increase.

다음으로 상기 정공수송층 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 발광층(EML)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 발광층을 형성하는 경우, 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.Next, a light emitting layer (EML) may be formed on the hole transporting layer by a method such as a vacuum evaporation method, a spin coating method, a casting method, or an LB method. When a light emitting layer is formed by a vacuum deposition method and a spin coating method, the deposition conditions vary depending on the compound used, but generally, the conditions are substantially the same as those for forming the hole injection layer.

상기 발광층은 전술한 바와 같이 본 발명을 따르는 화학식 1의 디메틸렌사이클로헥산 화합물을 포함할 수 있다. 이 때, 화학식 1의 디메틸렌사이클로헥산 화합물에 적합한 공지의 호스트 재료와 함께 사용될 수 있거나, 공지의 도펀트 재료와 함께 사용될 수 있다. 상기 화학식 1의 디메틸렌사이클로헥산 화합물을 단독으로 사용하는 것도 가능하다. 호스트 재료의 경우, 예를 들면, Alq3 또는 CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), 또는 PVK(폴리(n-비닐카바졸)) 등을 사용할 수 있다. 도펀트 재료의 경우, 형광 도펀트로서는 이데미츠사(Idemitsu사)에서 구입 가능한 IDE102, IDE105 및 하야시바라사에서 구입 가능한 C545T 등을 사용할 수 있으며, 인광 도펀트로서는 적색 인광 도펀트 PtOEP, UDC사의 RD 61, 녹색 인광 도판트 Ir(PPy)3(PPy=2-phenylpyridine), 청색 인광 도펀트인 F2Irpic, UDC사의 적색 인광 도펀트 RD 61 등을 사용할 수 있다. 하기 화학식 9의 화합물은 도펀트로 사용가능한 DPAVBi의 구조를 나타낸다.The light emitting layer may include a dimethylene cyclohexane compound of Formula 1 according to the present invention as described above. At this time, it may be used with a known host material suitable for the dimethylene cyclohexane compound of Formula 1, or may be used with a known dopant material. It is also possible to use the dimethylene cyclohexane compound of Formula 1 alone. In the case of the host material, for example, Alq 3 or CBP (4,4'-N, N'-dicarbazole-biphenyl), PVK (poly (n-vinylcarbazole)) or the like can be used. In the case of the dopant material, IDE102, IDE105 and C545T available from Hayashibara Co., Ltd., which are available from Idemitsu Co., Ltd., can be used as the fluorescent dopant. Ir (PPy) 3 (PPy = 2-phenylpyridine), F2Irpic which is a blue phosphorescent dopant, red phosphorescent dopant RD 61 by UDC, etc. can be used. The compound of formula 9 shows the structure of DPAVBi usable as dopant.

<화학식 9>&Lt; Formula 9 >

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상기 도펀트의 도핑 농도는 특별히 제한 되지 않으나 통상적으로 호스트 100 중량부를 기준으로 하여 상기 도펀트의 함량은 0.01 ~ 15 중량부이다.The doping concentration of the dopant is not particularly limited, but the content of the dopant is generally 0.01 to 15 parts by weight based on 100 parts by weight of the host.

상기 발광층의 두께는 약 100Å 내지 1000Å, 바람직하게는 200Å 내지 600Å일 수 있다. 상기 발광층의 두께가 100Å 미만인 경우, 발광 특성이 저하될 수 있으며, 상기 발광층의 두께가 1000Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.The thickness of the light emitting layer may be about 100 Å to 1000 Å, preferably 200 Å to 600 Å. When the thickness of the light emitting layer is less than 100 Å, the light emitting characteristics may be degraded. If the thickness of the light emitting layer is more than 1000 Å, the driving voltage may increase.

발광층에 인광 도펀트와 함께 사용할 경우에는 삼중항 여기자 또는 정공이 전자수송층으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여, 상기 정공수송층 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 정공저지층(HBL)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 정공저지층을 형성하는 경우, 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다. 사용가능한 공지의 정공저지재료, 예를 들면 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 또는 JP 11-329734(A1)에 기재되어 있는 정공저지재료, BCP 등을 들 수 있다.When used with a phosphorescent dopant in the light emitting layer, in order to prevent the triplet excitons or holes from diffusing into the electron transport layer, holes such as vacuum deposition, spin coating, cast, LB, etc. are formed on the hole transport layer. The blocking layer HBL may be formed. In the case of forming the hole blocking layer by the vacuum deposition method and the spin coating method, the conditions vary depending on the compound used, but are generally selected from substantially the same range of conditions as the formation of the hole injection layer. Known hole blocking materials that can be used include, for example, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, hole blocking materials described in JP 11-329734 (A1), BCP and the like.

상기 정공저지층의 두께는 약 50Å 내지 1000Å, 바람직하게는 100Å 내지 300Å일 수 있다. 상기 정공저지층의 두께가 50Å 미만인 경우, 정공저지 특성이 저하될 수 있으며, 상기 정공저지층의 두께가 1000Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.The thickness of the hole blocking layer may be about 50 Å to 1000 Å, preferably 100 Å to 300 Å. This is because when the thickness of the hole blocking layer is less than 50 kV, the hole blocking property may be deteriorated. When the thickness of the hole blocking layer is more than 1000 kV, the driving voltage may increase.

다음으로 전자수송층(ETL)을 진공증착법, 또는 스핀코팅법, 캐스트법 등의 다양한 방법을 이용하여 형성한다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 전자수송층을 형성하는 경우, 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다. 상기 전자수송층 재료는 전자주입전극(Cathode)로부터 주입된 전자를 안정하게 수송하는 기능을 하는 것으로서 퀴놀린 유도체, 특히 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), TAZ, Balq 등과 같은 공지의 재료를 사용할 수도 있다.Next, the electron transport layer (ETL) is formed using various methods such as vacuum deposition, spin coating, and casting. In the case of forming the electron transporting layer by the vacuum deposition method and the spin coating method, the conditions vary depending on the compound used, but generally, the conditions are substantially the same as those for forming the hole injection layer. The electron transport layer material functions to stably transport electrons injected from an electron injection electrode (Cathode), and known materials such as quinoline derivatives, particularly tris (8-quinolinorate) aluminum (Alq 3 ), TAZ, Balq, and the like. You can also use

Figure 112006093748359-pat00027
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상기 전자수송층의 두께는 약 100Å 내지 1000Å, 바람직하게는 200Å 내지 500Å일 수 있다. 상기 전자수송층의 두께가 100Å 미만인 경우, 전자수송 특성이 저하될 수 있으며, 상기 전자수송층의 두께가 1000Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.The thickness of the electron transporting layer may be about 100 ANGSTROM to 1000 ANGSTROM, preferably 200 ANGSTROM to 500 ANGSTROM. When the thickness of the electron transporting layer is less than 100 angstroms, the electron transporting characteristics may be deteriorated. When the thickness of the electron transporting layer exceeds 1000 angstroms, the driving voltage may increase.

또한 전자수송층 상부에 음극으로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 기능을 가지는 물질인 전자주입층(EIL)이 적층될 수 있으며 이는 특별히 재료를 제한하지 않는다.Further, an electron injection layer (EIL), which is a material having a function of facilitating the injection of electrons from the cathode, may be laminated on the electron transporting layer, which is not particularly limited.

전자 주입층으로서는 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO 등과 같은 전자주입층 형성 재료로서 공지된 임의의 물질을 이용할 수 있다. 상기 전자주입층의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.As the electron injection layer, any material known as an electron injection layer forming material such as LiF, NaCl, CsF, Li 2 O, BaO, or the like can be used. The deposition conditions of the electron injection layer vary depending on the compound used, but are generally selected from substantially the same range of conditions as the formation of the hole injection layer.

상기 전자주입층의 두께는 약 1Å 내지 100Å, 바람직하게는 5Å 내지 50Å일 수 있다. 상기 전자주입층의 두께가 1Å 미만인 경우, 전자주입 특성이 저하될 수 있으며, 상기 전자주입층의 두께가 100Å를 초과하는 경우, 구동전압이 상승할 수 있기 때문이다.The thickness of the electron injection layer may be about 1 A to 100 A, preferably 5 A to 50 A. If the thickness of the electron injection layer is less than 1 angstrom, the electron injection characteristics may be deteriorated. If the thickness of the electron injection layer exceeds 100 angstroms, the driving voltage may increase.

마지막으로 전자주입층 상부에 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법을 이용하여 제2전극을 형성할 수 있다. 상기 제2전극은 캐소드(Cathode)로 사용될 수 있다. 상기 제2전극 형성용 금속으로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 들 수 있다. 또한 전면 발광소자를 얻기 위하여 ITO, IZO 를 사용한 투과형 캐소드를 사용할 수도 있다.Finally, the second electrode can be formed on the electron injection layer by a vacuum evaporation method, a sputtering method, or the like. The second electrode may be used as a cathode. As the metal for forming the second electrode, a metal, an alloy, an electrically conductive compound having a low work function, or a mixture thereof may be used. Specific examples thereof include lithium (Li), magnesium (Mg), aluminum (Al), aluminum-lithium (Al-Li), calcium (Ca), magnesium-indium (Mg-In), magnesium- . In addition, a transmissive cathode using ITO and IZO may be used to obtain the front light emitting device.

본 발명의 유기 발광 소자는 도 1C에 도시된 제1전극, 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 정공저지층(HBL), 전자수송층(ETL), 전자주입층(EIL), 제2전극 구조의 유기 발광 소자 뿐만 아니라, 다양한 구조를 갖는 유기 발광 소자(예를 들면, 이하 실시예에서 보다 상세히 설명할 도 1A에 도시된 유기 발광 소자)를 포함함은 물론이다.The organic light emitting device of the present invention comprises a first electrode, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emitting layer (EML), a hole blocking layer (HBL), an electron transport layer (ETL), an electron injection layer shown in FIG. (EIL), as well as an organic light emitting device having a second electrode structure, as well as an organic light emitting device having various structures (for example, the organic light emitting device shown in Figure 1A to be described in more detail in the following embodiments), of course. .

이하에서, 본 발명을 따르는 화학식 5, 7 및 8 의 화합물의 합성예 및 실시예를 구체적으로 예시하지만, 본 발명이 하기의 합성예 및 실시예로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the synthesis examples and examples of the compounds of the formulas (5), (7) and (8) according to the present invention are specifically illustrated, but the present invention is not limited to the following synthesis examples and examples.

(실시예)(Example)

합성예 1Synthesis Example 1

하기 반응식 2의 반응 경로에 따라 화학식 5의 화합물을 합성하였다:A compound of formula 5 was synthesized according to the reaction route of Scheme 2:

<반응식 2><Reaction Scheme 2>

Figure 112006093748359-pat00028
Figure 112006093748359-pat00028

중간체 A의 합성Synthesis of intermediate A

1,3-디브로모톨루엔(4 mmol, 1.0g), NBS (N-bromosuccinimide, 6mmol, 1.07g) 벤조일퍼옥시드(Benzoyl Peroxide, 0.4 mmol, 96mg)를 벤젠 100ml에 넣고, 5시간 환류시킨 후, 컬럼 크로마토그래피와 재결정을 통해 정제하고, 진공건조하여, 1,3-디브로모-5-브로모메틸-벤젠(881mg, 수율 = 67%)을 얻었다. 다시 (트리에틸포스파이트(triethylphosphite) [P(OCH2CH3)3](20mmol, 3.5g)와 혼합하여, 12시간 동안 환류 상태로 교반하였다. 용매를 감압 제거한 후, 실온으로 냉각하여, 화학식 5(2.15g, 87%)의 화합물을 얻었다.1,3-dibromotoluene (4 mmol, 1.0 g) and NBS (N-bromosuccinimide, 6 mmol, 1.07 g) benzoyl peroxide (0.4 mmol, 96 mg) were added to 100 ml of benzene and refluxed for 5 hours. Purified by column chromatography and recrystallization, and dried in vacuo to give 1,3-dibromo-5-bromomethyl-benzene (881 mg, yield = 67%). Again (triethylphosphite [P (OCH 2 CH 3 ) 3 ] (20 mmol, 3.5 g) was mixed and stirred for 12 hours at reflux. The solvent was removed under reduced pressure, and then cooled to room temperature, 5 (2.15 g, 87%) was obtained.

1H-NMR (CDCl3, 300MHz, ppm) : 7.41 (s, 1H), 7.16 (s, 2H), 5.22 (s, 2H), 3.11-3.32(m, 4H), 1.21(t, 6H) 1 H-NMR (CDCl 3 , 300 MHz, ppm): 7.41 (s, 1H), 7.16 (s, 2H), 5.22 (s, 2H), 3.11-3.32 (m, 4H), 1.21 (t, 6H)

중간체 B의 합성Synthesis of intermediate B

상기 중간체 A(10mmol, 3.86g)와 시클로헥산-1,4-디온(4.5mmol, 0.5g)을 테트라하이드로퓨란 (THF, 300ml) 용매에 용해시킨 다음, t-BuOK(11mmol, 1.25g)을 첨가하여 60℃에서 하루동안 반응시킨 후, 방치하여 위의 액만 취해서, 용매를 제거한후, 메탄올(100ml)을 첨가하고, 여과한 후 다시 메탄올로 세척하였다. 이어서 실리카겔 관 크로마토그래피(CHCl3)로 분리 정제하여 2.2g(수율 83%)의 중간체 B를 얻었다.The intermediate A (10 mmol, 3.86 g) and cyclohexane-1,4-dione (4.5 mmol, 0.5 g) were dissolved in a solvent of tetrahydrofuran (THF, 300 ml), followed by t-BuOK (11 mmol, 1.25 g). After the reaction was carried out at 60 ° C. for one day, the solution was left alone to remove the solvent, and then methanol (100 ml) was added, filtered and washed with methanol again. Subsequently, purification was performed by silica gel column chromatography (CHCl 3 ) to obtain 2.2 g (83% yield) of intermediate B.

1H-NMR (CDCl3, 300MHz, ppm) : 7.85 (s, 2H), 7.10 (d, 4H), 6.25 (s, 2H), 2.53-2.31(m, 8H) 1 H-NMR (CDCl 3 , 300 MHz, ppm): 7.85 (s, 2H), 7.10 (d, 4H), 6.25 (s, 2H), 2.53-2.31 (m, 8H)

화학식 5의 화합물의 합성Synthesis of Compound of Formula 5

상기 중간체 B(10mmol, 5.76g)를 o-크실렌 (200ml) 용매에 용해시킨 다음, 카바졸(carbazole)(60mmol, 10g), Pd2dba3 (4.0mmol, 3.7g), P(t-Bu)3(3.0mmol, 0.6g), 소듐 t-부톡사이드(60mmol, 5.8g)를 첨가한 후, 환류온도에서 24시간 동안 교반하였다. 상온까지 냉각시킨 후, 용매를 제거하고, 실리카겔 관 크로마토그래피로 분리 정제한 후, 재결정하여. 화학식 5의 하얀고체가루를 4.1g(수율 45%)의 화합물 5를 얻었다.The intermediate B (10 mmol, 5.76 g) was dissolved in o-xylene (200 ml) solvent, then carbazole (60 mmol, 10 g), Pd 2 dba 3 (4.0 mmol, 3.7 g), P (t-Bu ) 3 (3.0 mmol, 0.6 g) and sodium t-butoxide (60 mmol, 5.8 g) were added followed by stirring at reflux for 24 h. After cooling to room temperature, the solvent was removed, separated and purified by silica gel column chromatography, and then recrystallized. 4.1 g (yield 45%) of compound 5 was obtained from white solid powder of formula (5).

1H-NMR (CDCl3, 300MHz, ppm) : 8.15 (m, 8H), 7.6 - 7.2 (m, 30H), 6.15 (s, 2H), 2.53-2.30(m, 8H) 1 H-NMR (CDCl 3 , 300 MHz, ppm): 8.15 (m, 8H), 7.6-7.2 (m, 30H), 6.15 (s, 2H), 2.53-2.30 (m, 8H)

합성예 2Synthesis Example 2

하기 반응식 3의 반응 경로에 따라 화학식 7의 화합물을 합성하였다:A compound of formula 7 was synthesized according to the reaction route of Scheme 3:

<반응식 3><Reaction Scheme 3>

Figure 112006093748359-pat00029
Figure 112006093748359-pat00029

중간체 C의 합성Synthesis of intermediate C

4-브로모벤질 브로마이드(40mmol, 10g)를 트리에틸포스파이트 [P(OCH2CH3)3](80mmol, 13.3g)와 혼합하여, 185℃에서 6시간 동안 교반하였다. 용매를 감압제거한 후, 실온으로 냉각하여, 하얀 고체가루(11.8g, 96%)를 얻었다.4-bromobenzyl bromide (40 mmol, 10 g) was mixed with triethylphosphite [P (OCH 2 CH 3 ) 3 ] (80 mmol, 13.3 g) and stirred at 185 ° C. for 6 hours. After the solvent was removed under reduced pressure, the mixture was cooled to room temperature to obtain white solid powder (11.8 g, 96%).

1H-NMR (CDCl3, 300MHz, ppm) : 7.42 (d, 2H), 7.18 (d, 2H), 4.02 (m, 4H), 3.12(s, 1H), 3.05(s, 1H), 1.25(t, 6H) 1 H-NMR (CDCl 3 , 300 MHz, ppm): 7.42 (d, 2H), 7.18 (d, 2H), 4.02 (m, 4H), 3.12 (s, 1H), 3.05 (s, 1H), 1.25 ( t, 6H)

중간체 D의 합성Synthesis of intermediate D

상기 중간체 C(100mmol, 31.6g)를 테트라하이드로퓨란 (THF, 300ml) 용매에 용해시킨 다음, t-BuOK(110mmol, 12.5g)을 첨가하여 50℃에서 1시간 반응시킨 후, 1,4-사이클로헥산디온(40mmol, 5g)을 적가하여 70℃에서 하루동안 반응시키고, 에탄올(20ml)을 첨가하여 진공에서 건조시킨 후, 메틸렌클로라이드 200ml를 첨가하였다. 이로부터 수거한 유기층을 물 200ml로 2회 세척한 다음, 무수마그네슘설페이트를 넣어 건조시킨 후, 여과하여 용매 부분만을 건조시켰다. 이어서, 실리카겔 관 크로마토그래피로 분리 정제하여 9.7g(수율 58%)의 중간체 D를 얻었다.The intermediate C (100 mmol, 31.6 g) was dissolved in a solvent of tetrahydrofuran (THF, 300 ml), and then t-BuOK (110 mmol, 12.5 g) was added and reacted at 50 ° C. for 1 hour, followed by 1,4-cyclo Hexanedione (40 mmol, 5 g) was added dropwise and reacted at 70 ° C. for one day, ethanol (20 ml) was added and dried in vacuo, followed by 200 ml of methylene chloride. The organic layer collected therefrom was washed twice with 200 ml of water, dried over anhydrous magnesium sulfate, and then filtered to dry only the solvent portion. Subsequently, purification was performed by silica gel column chromatography to obtain 9.7 g (yield 58%) of intermediate D.

1H-NMR (CDCl3, 300MHz, ppm) : 7.42 (d, 4H), 7.10 (d, 4H), 6.25 (s, 2H), 2.53-2.31(m, 8H) 1 H-NMR (CDCl 3 , 300 MHz, ppm): 7.42 (d, 4H), 7.10 (d, 4H), 6.25 (s, 2H), 2.53-2.31 (m, 8H)

얻어진 상기 중간체 D(10.6mmol, 4.45g)를 o-크실렌 (80ml) 용매에 용해시킨 다음, 화학식 11의 화합물을 (14.9mmol,6.62g), Pd2(dba)3 (트리(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0))(0.54mmol, 0.5g), t-부틸포스핀(0.41mmol, 0.083g), NaO-t-Bu (30mmol, 2.88g)을 첨가한 후, 상온에서 4시간 동안 교반하였다. 반응이 끝난 후 디클로로메탄 100ml를 첨가하고, 물 100mL로 2회 세척하고, 유기층을 수거하여 무수 마그네슘설페이트로 건조시킨 다음, 용매를 증발시켜, 생성물을 얻은 다음, 실리카겔 관 크로마토그래피로 분리 정제한 후, 재결정하여. 3.7g(수율 55%)의 상기 화학식 7의 화합물을 얻었다. The obtained intermediate D (10.6 mmol, 4.45 g) was dissolved in o-xylene (80 ml) solvent, and then the compound of formula 11 was dissolved (14.9 mmol, 6.62 g), Pd 2 (dba) 3 (tri (dibenzylideneacetone). Dipalladium (0)) (0.54 mmol, 0.5 g), t-butylphosphine (0.41 mmol, 0.083 g) and NaO-t-Bu (30 mmol, 2.88 g) were added and then stirred at room temperature for 4 hours. It was. After the reaction was completed, 100 ml of dichloromethane was added, washed twice with 100 mL of water, the organic layer was collected, dried over anhydrous magnesium sulfate, the solvent was evaporated to obtain a product, and then separated and purified by silica gel column chromatography. , By recrystallization. 3.7 g (yield 55%) of the compound of formula (7) were obtained.

1H-NMR (CDCl3, 300MHz, ppm) : 7.81 (m, 4H), 7.64 (m, 4H), 7.54-7.52 (m, 6H), 7.41(m, 6H), 7.3-7.2(m, 22H), 6.34(s, 2H), 2.61-2.37(m, 8H) 1 H-NMR (CDCl 3 , 300 MHz, ppm): 7.81 (m, 4H), 7.64 (m, 4H), 7.54-7.52 (m, 6H), 7.41 (m, 6H), 7.3-7.2 (m, 22H ), 6.34 (s, 2H), 2.61-2.37 (m, 8H)

합성예 3Synthesis Example 3

하기 반응식 4의 반응 경로에 따라 화학식 8의 화합물을 합성하였다:A compound of formula 8 was synthesized according to the reaction route of Scheme 4:

<반응식 4><Reaction Scheme 4>

Figure 112006093748359-pat00030
Figure 112006093748359-pat00030

상기 중간체 C 및 중간체 D의 제조과정은 상기 합성예 2와 동일하며, 얻어진 중간체 D(10.6mmol, 4.45g)를 o-크실렌 (80ml) 용매에 용해시킨 다음, 화학식 12의 화합물을(14.9mmol,6.59g), Pd2(dba)3(트리(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0)) (0.54mmol, 0.5g), t-부틸포스핀(0.41mmol, 0.083g), NaO-t-Bu (30mmol, 2.88g)을 첨가한 후, 상온에서 4시간 동안 교반하였다. 반응이 끝난 후 디클로로메탄 100ml를 첨가하고, 물 100mL로 2회 세척하고, 유기층을 수거하여 무수 마그네슘설페이트로 건조시킨 다음, 용매를 증발시켜, 생성물을 얻은 다음, 실리카겔 관 크로마토그래피로 분리 정제한 후, 재결정하여. 2.9g(수율 44%)의 화학식 8의 화합물을 얻었다. Preparation of the intermediate C and intermediate D is the same as in Synthesis Example 2, the obtained intermediate D (10.6 mmol, 4.45 g) was dissolved in o-xylene (80 ml) solvent, and then the compound of formula 12 (14.9 mmol, 6.59 g), Pd 2 (dba) 3 (tri (dibenzylideneacetone) dipalladium (0)) (0.54 mmol, 0.5 g), t-butylphosphine (0.41 mmol, 0.083 g), NaO-t-Bu (30 mmol, 2.88 g) was added, followed by stirring at room temperature for 4 hours. After the reaction was completed, 100 ml of dichloromethane was added, washed twice with 100 mL of water, the organic layer was collected, dried over anhydrous magnesium sulfate, the solvent was evaporated to obtain a product, and then separated and purified by silica gel column chromatography. , By recrystallization. 2.9 g (44% yield) of compound of formula 8 were obtained.

1H-NMR (CDCl3, 300MHz, ppm) : 8.13 (m, 4H), 7.84 (m, 4H), 7.60-7.50 (m, 4H), 7.39(m, 6H), 7.3-7.2(m, 22H), 6.32(s, 2H), 2.59-2.39(m, 8H) 1 H-NMR (CDCl 3 , 300 MHz, ppm): 8.13 (m, 4H), 7.84 (m, 4H), 7.60-7.50 (m, 4H), 7.39 (m, 6H), 7.3-7.2 (m, 22H ), 6.32 (s, 2H), 2.59-2.39 (m, 8H)

실시예 1Example 1

상기 화학식 7의 화합물을 단독으로 발광층의 호스트로 사용하여, 다음과 같은 구조를 갖는 유기 발광 소자를 제작하였다.Using the compound of Formula 7 alone as a host of the light emitting layer, an organic light emitting device having the following structure was manufactured.

ITO/α-NPD(750Å)/5중량% Ir(piq)3 (화합물 7) (350Å)/Balq(50Å) /Alq3(180Å)/LiF(10Å)/Al(2000Å)ITO / α-NPD (750 Hz) / 5 wt% Ir (piq) 3 (Compound 7) (350 Hz) / Balq (50 Hz) / Alq 3 (180 Hz) / LiF (10 Hz) / Al (2000 Hz)

애노드는 15Ω/cm2 (1000Å) ITO 유리 기판을 50mm x 500mm x 0.7mm크기로 잘라서 아세톤, 이소프로필 알코올과 순수 속에서 각 15분 동안 초음파 세정한 후, 15분 동안 UV 오존 세정하여 사용하였다.이를 기판1이라고 한다. 상기 기판1 상부에 α-NPD를 진공증착하여 750 Å의 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 상부에, 호스트 및 게스트 화합물(Ir(piq)3)을 진공증착하여 350Å 두께의 발광층을 형성하였다. 이 후, 상기 발광층 상부에 Alq3화합물을 180Å의 두께로 진공증착하여 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 상부에 LiF 10Å(전자주입층)과 Al 2000Å(캐소드)을 순차적으로 진공증착하여 도 1a에 도시된 바와 같은 유기 발광 소자를 제조하였다.The anode was cut into a size of 15 Ω / cm 2 (1000 Å) ITO glass substrate 50mm x 500mm x 0.7mm and ultrasonically cleaned for 15 minutes in acetone, isopropyl alcohol and pure water, followed by UV ozone cleaning for 15 minutes. This is called substrate 1. Α-NPD was vacuum-deposited on the substrate 1 to form a hole transport layer of 750 kPa. A host and guest compound (Ir (piq) 3) was vacuum deposited on the hole transport layer to form a light emitting layer having a thickness of 350 Å. Thereafter, the Alq 3 compound was vacuum-deposited to a thickness of 180 에 on the emission layer to form an electron transport layer. LiF 10 Å (electron injection layer) and Al 2000 Å (cathode) were sequentially vacuum deposited on the electron transport layer to manufacture an organic light emitting device as shown in FIG. 1A.

실시예 2Example 2

상기 화학식 7의 화합물을 발광층의 호스트로 사용하여, 다음과 같은 구조를 갖는 유기 발광 소자를 제작하였다.Using the compound of Formula 7 as a host of the light emitting layer, an organic light emitting device having the following structure was manufactured.

ITO/PEDOT(500Å)/5중량%Ir(piq)3(화합물7)(550Å)/Balq(50Å)/Alq3(180Å)/ LiF(10Å)/Al(2000Å)ITO / PEDOT (500 Hz) / 5 wt% Ir (piq) 3 (Compound 7) (550 Hz) / Balq (50 Hz) / Alq 3 (180 Hz) / LiF (10 Hz) / Al (2000 Hz)

애노드는 15Ω/cm2 (1000Å) ITO 유리 기판을 50mm x 500mm x 0.7mm크기로 잘라서 아세톤, 이소프로필 알코올과 순수 속에서 각 15분 동안 초음파 세정한 후, 15분 동안 UV 오존 세정하여 사용하였다.이를 기판1이라고 한다. 상기 기판1 상부에 PEDOT을 일반 환경에서 110℃에서 5분간 열처리를 하고 다시 질소분위기 및 200℃에서 10분간 열처리한 후 500Å의 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 상부에, 호스트와 게스트 화합물의 혼합액(1. 7번화합물 (neat), 2. CH24+적색도펀트(5중량%), 3. CH25+적색도펀트(5중량%) =1wt%, 디클로로메탄 사용)을 스핀코팅한 후, 110℃에서 30분간 열처리하여 550Å 두께의 발광층을 형성하였다. 이후 상기 발광층 상부에 Balq를 50Å, Alq3 화합물을 180Å의 두께로 진공증착하여 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 상부에 LiF 10Å(전자주입층)과 Al 2000Å(캐소드)을 순차적으로 진공증착하여 도 1a에 도시된 바와 같은 유기 발광 소자를 제조하였다.The anode was cut into 50 mm x 500 mm x 0.7 mm sized 15 Ω / cm 2 (1000 Å) ITO glass substrate, sonicated for 15 minutes in acetone, isopropyl alcohol and pure water, followed by UV ozone cleaning for 15 minutes. This is called substrate 1. The PEDOT was heat-treated at 110 ° C. for 5 minutes on a substrate 1 and then heat-treated at 10 ° C. for 10 minutes at 200 ° C. to form a hole transport layer of 500 kV. On the hole transport layer, a mixture of host and guest compounds (1. compound 7 (neat), 2. CH 24 + red dopant (5 wt%), 3. CH 25 + red dopant (5 wt%) = 1 wt%, dichloromethane is used) ) And spin-treated at 110 ° C. for 30 minutes to form a light emitting layer having a thickness of 550 μs. Thereafter, an electron transport layer was formed by vacuum depositing 50 μm of Balq and 180 μm of Alq 3 compound on the emission layer. LiF 10 Å (electron injection layer) and Al 2000 Å (cathode) were sequentially vacuum deposited on the electron transport layer to manufacture an organic light emitting device as shown in FIG. 1A.

실시예 3Example 3

상기 실시예 1에서 발광층의 호스트 화합물로서 상기 화학식 7의 화합물 대신에 화학식 8의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 과정을 수행하여 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the compound of Formula 8 was used instead of the compound of Formula 7 as the host compound of the emission layer in Example 1.

실시예 4Example 4

상기 실시예 2에서 발광층의 호스트 화합물로서 상기 화학식 7의 화합물 대 신에 화학식 8의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 2와 동일한 과정을 수행하여 유기 발광 소자를 제조하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 2, except that the compound of Formula 8 was used instead of the compound of Formula 7 as the host compound of the emission layer in Example 2.

실험예Experimental Example

상기 화학식 7 및 8의 화합물과 상기 실시예 2 및 실시예 4에서 얻어진 유기 전계 발광소자에 대하여 PR650 (Spectroscan) Source Measurement Unit.를 이용하여 구동전압, 색순도, 발광효율, 최고휘도, 전류밀도, EL 피크 파장을 각각 평가하여 하기 표 1과 2에 나타내었다.For the compounds of Chemical Formulas 7 and 8 and the organic EL devices obtained in Examples 2 and 4, a driving voltage, color purity, luminous efficiency, highest luminance, current density, and EL were measured using a PR650 (Spectroscan) Source Measurement Unit. Peak wavelengths were evaluated, respectively, and are shown in Tables 1 and 2 below.

구분division turn on
전압[V]
turn on
Voltage [V]
CIE 색좌표
[100cd 기준]
CIE color coordinates
[100cd standard]
구동전압 [V] 및 효율 [cd/A]Drive voltage [V] and efficiency [cd / A]
xx yy 100cd100cd 600cd600cd 1200cd1200cd 화합물 7Compound 7 66 0.25650.2565 0.43690.4369 11.2V11.2V 0.0560.056 -- -- -- -- 화합물 8Compound 8 12.612.6 -- -- -- -- -- -- -- -- 실시예 1Example 1 4.24.2 0.66540.6654 0.31980.3198 6V6 V 5.645.64 7.6V7.6 V 6.736.73 8.4V8.4 V 88 실시예 2Example 2 9.29.2 0.67130.6713 0.32640.3264 16V16 V 0.4260.426 18.8V18.8V 0.650.65 20V20V 0.50.5 실시예 3Example 3 3.83.8 0.67050.6705 0.32160.3216 5.2V5.2V 6.456.45 6.8V6.8 V 7.647.64 7.8V7.8V 9.449.44 실시예 4Example 4 5.65.6 0.67390.6739 0.32420.3242 14.6V14.6 V 0.590.59 18V18V 0.710.71 19.6V19.6 V 0.510.51

최고 휘도Highest brightness 전류 밀도(@100cd)Current density (@ 100cd) EL spectrum(@100cd)EL spectrum (@ 100cd) 화합물 7Compound 7 158158 5.94 (mA/cm2)5.94 (mA / cm 2 ) -- 화합물 8Compound 8 9292 164.5 (mA/cm2)164.5 (mA / cm 2 ) -- 실시예 1Example 1 >7231> 7231 1.77 (mA/cm2)1.77 (mA / cm 2 ) 630nm630 nm 실시예 2Example 2 19291929 23.4 (mA/cm2)23.4 (mA / cm 2 ) 628nm628 nm 실시예 3Example 3 >7466> 7466 1.55 (mA/cm2)1.55 (mA / cm 2 ) 630nm630 nm

상기 표 1 및 2로부터 본 발명을 따르는 상기 화학식 7 과 8 및 이를 채용한 유기 발광 소자에서, 증착용 적색발광재료를 사용하였기 때문에 스핀공정에 비해 증착공정시 우수한 결과를 보여주었으나, 스핀공정과 증착공정 양쪽모두에서 적색발광재료의 호스트재료로서 기능함을 확인할 수 있었다. Tables 1 and 2 in the above formulas 7 and 8 and the organic light emitting device employing the same according to the present invention, because the red light emitting material for deposition showed excellent results during the deposition process compared to the spin process, spin process and It was confirmed that both of the deposition process functions as a host material of the red light emitting material.

본 발명을 따르는 화학식 1로 표시되는 디메틸렌사이클로헥산 화합물은 우수한 발광 특성 및 열 안정성을 갖는다. 따라서, 본 발명을 따르는 디메틸렌사이클로헥산 화합물을 이용하면, 낮은 구동전압, 우수한 색순도, 고효율을 갖는 유기 발광 소자를 얻을 수 있다.The dimethylene cyclohexane compound represented by Formula 1 according to the present invention has excellent luminescence properties and thermal stability. Therefore, by using the dimethylene cyclohexane compound according to the present invention, it is possible to obtain an organic light emitting device having a low driving voltage, excellent color purity, high efficiency.

Claims (13)

하기 화학식 1 및 화학식 8 중 어느 하나로 표시되는 디메틸렌사이클로헥산 화합물:A dimethylene cyclohexane compound represented by any one of the following Chemical Formulas 1 and 8: <화학식 1>&Lt; Formula 1 >
Figure 112013081390302-pat00031
Figure 112013081390302-pat00031
상기 화학식 1 중,In Formula 1, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8은 수소이고; R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 and R 8 are hydrogen; X1 및 X2는 페닐렌기를 나타내며;X 1 and X 2 represent a phenylene group; n1 및 n2는 서로 독립적으로 0 내지 3의 정수이고, 이 때 n1 또는 n2가 2 이상이면 복수의 X1 또는 X2는 각각 서로 동일하거나 상이할 수 있으며;n 1 and n 2 are each independently an integer of 0 to 3, wherein when n 1 or n 2 is 2 or more, a plurality of X 1 or X 2 may be the same as or different from each other; Ar1과 Ar2 는 서로 독립적으로, 페닐기 또는 플루오레닐기를 나타내고;Ar 1 and Ar 2 independently of each other represent a phenyl group or a fluorenyl group; 단 Ar1 혹은 Ar2 중 적어도 어느 한쪽은 2개 이상의 치환기를 포함하며,Provided that at least one of Ar 1 and Ar 2 includes two or more substituents, 상기 Ar1 혹은 Ar2 이 포함하는 치환기는 서로 독립적으로, 페닐기 또는 카바졸기를 나타내고;The substituents included in Ar 1 or Ar 2 independently represent a phenyl group or a carbazole group; <화학식 8>(8)
Figure 112013081390302-pat00046
.
Figure 112013081390302-pat00046
.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물이 하기 화학식 2의 화합물인 것을 특징으로 하는 디메틸렌사이클로헥산 화합물:The dimethylene cyclohexane compound of claim 1, wherein the compound of Formula 1 is a compound of Formula 2: <화학식 2>(2)
Figure 112013081390302-pat00032
Figure 112013081390302-pat00032
상기 화학식 2중, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, X1, X2, n1 및 n2는 상기 제1항에서 정의한 바와 같고,In Formula 2, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , X 1 , X 2 , n 1 and n 2 are the same as defined in claim 1, 상기 L1, L2, L3 및 L4는 서로 독립적으로, 페닐기 또는 카바졸기를 나타낸다.L 1 , L 2 , L 3 and L 4 each independently represent a phenyl group or a carbazole group.
제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물이 하기 화학식 3 또는 4의 화합물인 것을 특징으로 하는 디메틸렌사이클로헥산 화합물:The dimethylene cyclohexane compound of claim 1, wherein the compound of Formula 1 is a compound of Formula 3 or 4 below: <화학식 3>(3)
Figure 112013081390302-pat00033
Figure 112013081390302-pat00033
상기 화학식 2중, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, X1, X2, n1 및 n2는 상기 제1항에서 정의한 바와 같고,In Formula 2, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , X 1 , X 2 , n 1 and n 2 are the same as defined in claim 1, 상기 L1, L2, L3 및 L4는 제6항에서 정의한 바와 같으며,L 1 , L 2 , L 3 and L 4 are as defined in claim 6, <화학식 4>&Lt; Formula 4 >
Figure 112013081390302-pat00034
Figure 112013081390302-pat00034
상기 화학식 2중, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, X1, X2, n1 및 n2는 상기 제1항에서 정의한 바와 같고,In Formula 2, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , X 1 , X 2 , n 1 and n 2 are the same as defined in claim 1, 상기 L1, L2, L3 및 L4는 제6항에서 정의한 바와 같으며,L 1 , L 2 , L 3 and L 4 are as defined in claim 6, 상기 R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, R16은 수소이다.R 9 , R 10 , R 11 , R 12 , R 13 , R 14 , R 15 , and R 16 are hydrogen.
제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물이 하기 화학식 5 내지 7 중 어느 하나의 화합물로 표시되는 것을 특징으로 하는 디메틸렌사이클로헥산 화합물.The dimethylene cyclohexane compound of claim 1, wherein the compound of Formula 1 is represented by any one of the following Formulas 5 to 7. <화학식 5>&Lt; Formula 5 >
Figure 112013081390302-pat00035
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<화학식 6>(6)
Figure 112013081390302-pat00036
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<화학식 7>&Lt; Formula 7 >
Figure 112013081390302-pat00037
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하기 화학식 1a로 표시되는 화합물과 하기 화학식 1b로 표시되는 화합물 및/또는 하기 화학식 1c로 표시되는 화합물을 반응시켜, 하기 화학식 1d로 표시되는 화합물을 형성하는 단계;Reacting the compound represented by Formula 1a with the compound represented by Formula 1b and / or the compound represented by Formula 1c to form a compound represented by Formula 1d; 상기 화학식 1d로 표시되는 화합물을 화학식 L1-Q1로 표시되는 화합물, L2-Q2로 표시되는 화합물, L3-Q3로 표시되는 화합물 및 L4-Q4로 표시되는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 둘 이상과 반응시켜, 제1항에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제1항에 따른 화학식 1의 디메틸렌사이클로헥산 화합물의 제조방법:The compound represented by Formula 1d comprises a compound represented by Formula L 1 -Q 1 , a compound represented by L 2 -Q 2 , a compound represented by L 3 -Q 3 , and a compound represented by L 4 -Q 4 A method for preparing the dimethylene cyclohexane compound of formula 1 according to claim 1, comprising the step of forming a compound represented by formula 1 according to claim 1 by reacting with at least two selected from the group: <화학식 1a><Formula 1a>
Figure 112013081390302-pat00039
Figure 112013081390302-pat00039
<화학식 1b>&Lt; EMI ID =
Figure 112013081390302-pat00040
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<화학식 1c>&Lt; Formula 1c >
Figure 112013081390302-pat00041
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<화학식 1d><Formula 1d>
Figure 112013081390302-pat00042
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상기 화학식들 중,Among the above formulas, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8은 수소이고;R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 and R 8 are hydrogen; X1 및 X2는 페닐렌기를 나타내며;X 1 and X 2 represent a phenylene group; n1 및 n2는 서로 독립적으로 0 내지 3의 정수이고, 이 때 n1 또는 n2가 2 이상이면 복수의 X1 또는 X2는 각각 서로 동일하거나 상이할 수 있으며;n 1 and n 2 are each independently an integer of 0 to 3, wherein when n 1 or n 2 is 2 or more, a plurality of X 1 or X 2 may be the same as or different from each other; 상기 Ar1 '과 Ar2 '는 서로 독립적으로, 페닐기 또는 플루오레닐기를 나타내고;Ar 1 and Ar 2 independently of one another represent a phenyl group or a fluorenyl group; 상기 Ha1 및 Ha2는 할로겐원소를 나타내고;Ha 1 and Ha 2 represent a halogen element; m1 및 m2는 0 내지 5의 정수를 나타내며, 단 m1 과 m2 중 적어도 어느 한쪽은 2 이상의 정수를 나타내고;m 1 and m 2 represent an integer of 0 to 5, provided that at least one of m 1 and m 2 represents an integer of 2 or more; 상기 반응식의 L1-Q1, L2-Q2, L3-Q3, L4-Q4는 서로 독립적으로,
Figure 112013081390302-pat00047
,
Figure 112013081390302-pat00048
,
Figure 112013081390302-pat00049
,
Figure 112013081390302-pat00050
및 카바졸기 중에서 선택된다.
L 1 -Q 1 , L 2 -Q 2 , L 3 -Q 3 , L 4 -Q 4 in the above scheme are independently of each other,
Figure 112013081390302-pat00047
,
Figure 112013081390302-pat00048
,
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,
Figure 112013081390302-pat00050
And carbazole groups.
제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 적어도 한 층의 유기막을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기막이 제1항, 제6항, 제7항 및 제8항 중 어느 한 항에 따른 디메틸렌사이클로헥산 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.A first electrode; A second electrode; And at least one layer of organic film between the first electrode and the second electrode, wherein the organic film is formed according to any one of claims 1, 6, 7, and 8. An organic light-emitting device comprising a methylene cyclohexane compound. 제10항에 있어서, 상기 유기막이 정공주입층, 정공수송층 또는 발광층인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.The organic light emitting device of claim 10, wherein the organic layer is a hole injection layer, a hole transport layer, or a light emitting layer. 제10항에 있어서, 상기 제1전극과 제2전극 사이에 정공주입층, 정공수송층, 전자저지층, 정공저지층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.The method of claim 10, further comprising at least one layer selected from the group consisting of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, a hole blocking layer, an electron transport layer and an electron injection layer between the first electrode and the second electrode. An organic light emitting device characterized in that. 제12항에 있어서, 상기 소자가 제1전극/정공주입층/발광층/전자수송층/전자주입층/제2전극, 제1전극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/제2전극 또는 제1전극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공저지층/전자수송층/전자주입층/제2전극의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.The method of claim 12, wherein the device is a first electrode / hole injection layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / second electrode, the first electrode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / An organic light emitting device having a structure of a second electrode or a first electrode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer / second electrode.
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