KR101369739B1 - Metal organic deposition plasma chamber having multi plasma discharging tube - Google Patents

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Abstract

본 발명의 유기금속증착용 플라즈마 챔버는 피처리 기판이 놓이는 서셉터가 구비된 챔버 몸체, 일단이 상기 챔버 몸체에 연결되는 다중 플라즈마 방전관과 상기 다중 플라즈마 방전관의 타단에 연결되는 방전관 헤드 그리고 상기 다중 플라즈마 방전관에 장착되며 일차 권선을 갖는 페라이트 코어를 포함하는 플라즈마 발생 모듈, 유기액체원료 공급원과 상기 방전관 헤드 사이에 구성되어 유기액체원료를 기화 시키는 기화기, 및 상기 방전관 헤드에 연결되는 세정 가스 공급원을 포함하고, 유기 금속 증착 공정에서 상기 기화기에 의해 기화된 유기 가스가 상기 다중 플라즈마 방전관을 통하여 상기 챔버 몸체의 내부로 유입되며, 자기 세정 공정에서 상기 세정 가스 공급원에서 공급된 세정 가스는 상기 다중 플라즈마 방전관 내에서 활성화되어 상기 챔버 몸체의 내부로 유입된다. 본 발명의 다중형 플라즈마 방전관을 갖는 유기금속증착용 플라즈마 챔버는 기화된 유기 가스에 의한 유기금속증착 공정이 진행된 후에 챔버 몸체의 상부에서 다중 플라즈마 방전관으로부터 직접적으로 활성화된 세정 가스 또는 개질 가스가 공급됨으로 활성화된 세정 가스나 개질 가스가 재결합 되지 않고 직접적으로 챔버 몸체의 내부로 직접 유입되어 자기세정공정이나 개질 공정에서 처리 효율이 향상된다.The plasma chamber for organometallic deposition of the present invention includes a chamber body having a susceptor on which a substrate to be processed is placed, a multiple plasma discharge tube connected to one end of the chamber body, a discharge tube head connected to the other end of the multiple plasma discharge tube, and the multiple plasma A plasma generation module mounted on a discharge tube and including a ferrite core having a primary winding, a vaporizer configured to vaporize the organic liquid raw material between the organic liquid raw material source and the discharge tube head, and a cleaning gas source connected to the discharge tube head; The organic gas vaporized by the vaporizer in the organic metal deposition process is introduced into the chamber body through the multiple plasma discharge tube, and the cleaning gas supplied from the cleaning gas source in the self cleaning process is carried out in the multiple plasma discharge tube. Activated above It is introduced into the interior of the body member. Plasma chamber for organometallic deposition having a multi-plasma discharge tube of the present invention is supplied with a cleaning gas or a reforming gas directly activated from the multiple plasma discharge tube at the top of the chamber body after the organometallic deposition process is performed by vaporized organic gas. The activated cleaning gas or the reforming gas is directly introduced into the chamber body without recombination, thereby improving processing efficiency in a self-cleaning process or a reforming process.

Figure R1020120040231
Figure R1020120040231

Description

다중형 플라즈마 방전관을 갖는 유기금속증착용 플라즈마 챔버{METAL ORGANIC DEPOSITION PLASMA CHAMBER HAVING MULTI PLASMA DISCHARGING TUBE}TECHNICAL ORGANIC DEPOSITION PLASMA CHAMBER HAVING MULTI PLASMA DISCHARGING TUBE}

본 발명은 유기금속증착용 플라즈마 챔버에 관한 것으로, 구체적으로는 다중형 플라즈마 방전관을 구비하여 유기금속증착(metal organic deposition) 및 자기 세정(self cleaning)을 효율적으로 실시할 수 있는 유기금속증착용 플라즈마 챔버에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma chamber for organometal deposition. Specifically, a plasma chamber for organometallic deposition capable of efficiently performing metal organic deposition and self cleaning is provided with a multiple-type plasma discharge tube. Relates to a chamber.

반도체 제조 공정의 하나로 기판의 표면에 소정의 성막 처리를 실시하는 화학기상증착 공정이 있다. 화학기상증착 공정의 하나로 유기화학재료를 사용하여 박막을 형성하는 유기금속증착용 공정 챔버는 유기액체가스를 기화하여 공정 챔버의 내부로 공급하여 피처리 기판에 대한 필요한 성막공정을 수행한다. 소정의 성막공정과 더불어 오염물질을 제거하기 위하여 자기세정을 실시한다.One of the semiconductor manufacturing processes is a chemical vapor deposition process in which a predetermined film forming process is performed on a surface of a substrate. As one of chemical vapor deposition processes, a process chamber for organometallic deposition using organic chemical materials to form a thin film may vaporize an organic liquid gas and supply it into an interior of a process chamber to perform a film deposition process on a substrate to be processed. In addition to the predetermined film forming process, self-cleaning is performed to remove contaminants.

자기세정 공정은 원격 플라즈마 발생기를 사용하여 세정 가스를 활성화시켜 공정 챔버의 내부로 공급한다. 원격 플라즈마 발생기를 사용한 자기세정의 경우 공정 챔버의 외부에서 활성화된 세정 가스가 공급되기 때문에 공급 과정에서 세정가스의 재결합에 의한 세정 효율의 저하가 발생되는 문제점이 있다.The self-cleaning process uses a remote plasma generator to activate the cleaning gas and supply it to the interior of the process chamber. In the case of self-cleaning using the remote plasma generator, since the cleaning gas is activated from the outside of the process chamber, there is a problem in that the cleaning efficiency is reduced due to the recombination of the cleaning gas in the supply process.

또한 피처리 기판의 대형화에 따라 공정 챔버의 볼륨도 커지기 때문에 원격 플라즈마 발생기 또한 대용량의 플라즈마 발생을 할 수 있어야 한다. 그러나 원격 플라즈마 발생기를 대용량으로 제작하는 것에도 많은 어려움이 있지만, 원격에서 대용량의 플라즈마를 발생한다 하여도 원격으로 공급되는 과정에서 활성화된 세정 가스의 재결합으로 인한 손실이 발생하게 된다.In addition, since the volume of the process chamber increases as the substrate to be processed increases in size, the remote plasma generator must also be capable of generating a large amount of plasma. However, although there are many difficulties in manufacturing a large-capacity remote plasma generator, even if a large-capacity plasma is generated remotely, losses due to recombination of activated cleaning gases are generated in a remotely supplied process.

원격 플라즈마 발생기는 유기금속증착 공정에서 개질이 필요한 경우 개질 공정용 가스를 활성화하기 위해서도 사용된다. 그러나 상술한 바와 같은 문제점이 동일하게 발생되기 때문에 개질 공정의 효율이 저하될 수 있는 문제점이 존재한다.Remote plasma generators are also used to activate the reforming gas when reforming is necessary in the organometallic deposition process. However, since the same problems as described above occur, there is a problem that the efficiency of the reforming process can be lowered.

본 발명의 목적은 다중형 플라즈마 방전관을 유기금속증착용 공정 챔버에 일체로 구성하여 자기 세정 공정이나 개질 공정 등에서 필요한 공정 가스의 활성화를 수행하여 활성 가스의 재결합에 따른 손실을 저감할 수 있는 다중형 플라즈마 방전관을 갖는 유기금속증착용 플라즈마 챔버를 제공하는데 있다.An object of the present invention is to form a multiple-type plasma discharge tube integrally with the organometallic deposition process chamber to activate the process gas required in the self-cleaning process or reforming process to reduce the loss due to recombination of the active gas The present invention provides a plasma chamber for organometallic deposition having a plasma discharge tube.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 유기금속증착용 플라즈마 챔버에 관한 것이다. 본 발명의 유기금속증착용 플라즈마 챔버는 피처리 기판이 놓이는 서셉터가 구비된 챔버 몸체; 일단이 상기 챔버 몸체에 연결되는 다중 플라즈마 방전관과 상기 다중 플라즈마 방전관의 타단에 연결되는 방전관 헤드 그리고 상기 다중 플라즈마 방전관에 장착되며 일차 권선을 갖는 페라이트 코어를 포함하는 플라즈마 발생 모듈; 유기액체원료 공급원과 상기 방전관 헤드 사이에 구성되어 유기액체원료를 기화 시키는 기화기; 및 상기 방전관 헤드에 연결되는 세정 가스 공급원을 포함하고, 유기 금속 증착 공정에서 상기 기화기에 의해 기화된 유기 가스가 상기 다중 플라즈마 방전관을 통하여 상기 챔버 몸체의 내부로 유입되며, 자기 세정 공정에서 상기 세정 가스 공급원에서 공급된 세정 가스는 상기 다중 플라즈마 방전관 내에서 활성화되어 상기 챔버 몸체의 내부로 유입되는 것을 특징으로 한다.One aspect of the present invention for achieving the above technical problem relates to a plasma chamber for organometallic deposition. The plasma chamber for organometallic deposition of the present invention includes a chamber body having a susceptor on which a substrate to be processed is placed; A plasma generation module including a multiple plasma discharge tube having one end connected to the chamber body, a discharge tube head connected to the other end of the multiple plasma discharge tube, and a ferrite core mounted on the multiple plasma discharge tube and having a primary winding; A vaporizer configured to vaporize the organic liquid raw material between the organic liquid raw material supply source and the discharge tube head; And a cleaning gas supply source connected to the discharge tube head, wherein the organic gas vaporized by the vaporizer in the organic metal deposition process is introduced into the chamber body through the multiple plasma discharge tube, and the cleaning gas in the self cleaning process. The cleaning gas supplied from the source is activated in the multiple plasma discharge tube and is introduced into the chamber body.

일 실시예에 있어서, 상기 다중 플라즈마 방전관과 상기 서셉터 사이에 구비되는 가스 분배 배플을 더 포함한다.In one embodiment, further comprising a gas distribution baffle provided between the multiple plasma discharge tube and the susceptor.

일 실시예에 있어서, 상기 가스 분배 배플은 히터를 포함한다.In one embodiment, the gas distribution baffle comprises a heater.

일 실시예에 있어서, 상기 방전관 헤드는 상기 기화된 유기 가스를 입력 받는 제1 가스 입구와 상기 세정 가스를 공급 받는 제2 가스 입구를 구비하고, 상기 제1 가스 입구를 통해 유입된 유기 가스와 상기 제2 가스 입구를 통하여 유입된 세정 가스가 서로 다른 경로를 통하여 흐르도록 하는 하나 이상의 격벽을 포함한다.In one embodiment, the discharge tube head has a first gas inlet for receiving the vaporized organic gas and a second gas inlet for receiving the cleaning gas, the organic gas introduced through the first gas inlet and the And at least one partition wall allowing the cleaning gas introduced through the second gas inlet to flow through different paths.

일 실시예에 있어서, 상기 기화기에 연결되는 제1 히터 전원과 상기 서셉터 내부에 설치되는 히터에 연결된 제2 히터 전원의 동작을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 제어부는 유기 가스의 발생과 피처리 기판의 가열 온도를 제어하는 제어부를 포함한다.In one embodiment, a control unit for controlling the operation of the first heater power source connected to the carburetor and the second heater power source connected to the heater installed in the susceptor, the control unit generating and processing the organic gas And a control unit for controlling the heating temperature of the substrate.

일 실시예에 있어서, 상기 다중 방전관 헤드에 연결되는 개질 가스 공급원을 더 포함하고, 상기 개질 공정에서 상기 개질 가스는 상기 다중 플라즈마 방전관 내에서 활성화되어 상기 챔버 몸체의 내부로 유입된다.In one embodiment, further comprising a reformed gas supply source connected to the multiple discharge tube head, wherein the reformed gas is activated in the multiple plasma discharge vessel and introduced into the chamber body in the reforming process.

일 실시예에 있어서, 상기 방전관 헤드는 상기 기화된 유기 가스를 입력 받는 제1 가스 입구와 상기 개질 가스를 공급 받는 제2 가스 입구를 구비하고, 상기 제1 가스 입구를 통해 유입된 유기 가스와 상기 제2 가스 입구를 통하여 유입된 개질 가스가 서로 다른 경로를 통하여 흐르도록 하는 하나 이상의 격벽을 포함한다.The discharge tube head may include a first gas inlet for receiving the vaporized organic gas and a second gas inlet for receiving the reformed gas, and the organic gas introduced through the first gas inlet and the And at least one partition wall allowing the reformed gas introduced through the second gas inlet to flow through different paths.

본 발명의 다중형 플라즈마 방전관을 갖는 유기금속증착용 플라즈마 챔버는 기화된 유기 가스에 의한 유기금속증착 공정이 진행된 후에 챔버 몸체의 상부에서 다중 플라즈마 방전관으로부터 직접적으로 활성화된 세정 가스 또는 개질 가스가 공급됨으로 활성화된 세정 가스나 개질 가스가 재결합 되지 않고 직접적으로 챔버 몸체의 내부로 직접 유입되어 자기세정공정이나 개질 공정에서 처리 효율이 향상된다.Plasma chamber for organometallic deposition having a multi-plasma discharge tube of the present invention is supplied with a cleaning gas or a reforming gas directly activated from the multiple plasma discharge tube at the top of the chamber body after the organometallic deposition process is performed by vaporized organic gas. The activated cleaning gas or the reforming gas is directly introduced into the chamber body without recombination, thereby improving processing efficiency in a self-cleaning process or a reforming process.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 다중형 플라즈마 방전관을 갖는 유기금속증착용 플라즈마 챔버의 사시도이다.
도 2는 도 1의 플라즈마 챔버의 단면도이다.
도 3은 도 1의 플라즈마 챔버를 포함한 전체 유기금속증착 시스템 구성을 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 다중형 플라즈마 방전관을 갖는 유기금속증착용 플라즈마 챔버의 사시도이다.
도 5는 도 4의 플라즈마 챔버의 단면도이다.
도 6은 도 4의 플라즈마 챔버를 포함한 전체 유기금속증착 시스템 구성을 보여주는 도면이다.1 is a perspective view of an organic metal deposition plasma chamber having a multiple plasma discharge tube according to a first embodiment of the present invention.
Figure 2 is a cross-sectional view of the plasma chamber of Figure 1;
3 is a view showing the configuration of the entire organometallic deposition system including the plasma chamber of FIG.
4 is a perspective view of an organometallic deposition plasma chamber having a multiple plasma discharge tube according to a second embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of the plasma chamber of FIG. 4.
6 is a view showing the configuration of the entire organometallic deposition system including the plasma chamber of FIG.

본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 구성은 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.For a better understanding of the present invention, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified into various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described in detail below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Therefore, the shapes and the like of the elements in the drawings can be exaggeratedly expressed to emphasize a clearer description. It should be noted that the same components are denoted by the same reference numerals in the drawings. Detailed descriptions of well-known functions and constructions which may be unnecessarily obscured by the gist of the present invention are omitted.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 다중형 플라즈마 방전관을 갖는 유기금속증착용 플라즈마 챔버의 사시도이고, 도 2는 도 1의 플라즈마 챔버의 단면도이다.1 is a perspective view of an organic metal deposition plasma chamber having a multiple plasma discharge tube according to a first embodiment of the present invention, Figure 2 is a cross-sectional view of the plasma chamber of FIG.

도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 챔버(10)는 피처리 기판(13)이 놓이는 서셉터(14)가 구비된 챔버 몸체(11)와 그 상부에 구비되는 플라즈마 발생 모듈(20)을 포함한다. 플라즈마 발생 모듈(20)은 일단이 챔버 몸체(11)에 연결되는 다중 플라즈마 방전관(24)과 다중 플라즈마 방전관(24)의 타단에 연결되는 방전관 헤드(21) 그리고 다중 플라즈마 방전관(24)에 장착되며 일차 권선(25)을 갖는 페라이트 코어(22)를 포함한다. 다중 플라즈마 방전관(24)과 상기 서셉터 사이에 가스 분배 배플(12)이 구비된다. 가스 분배 배플(12)은 내부에 히터를 포함할 수 있다.1 and 2, the plasma chamber 10 according to the first embodiment of the present invention includes a chamber body 11 having a susceptor 14 on which a substrate 13 is to be placed and an upper portion thereof. And a plasma generating module 20. The plasma generation module 20 is mounted to the multiple plasma discharge tube 24, one end of which is connected to the chamber body 11, the discharge tube head 21 connected to the other end of the multiple plasma discharge tube 24, and the multiple plasma discharge tube 24. Ferrite core 22 with primary winding 25. A gas distribution baffle 12 is provided between the multiple plasma discharge tube 24 and the susceptor. The gas distribution baffle 12 may include a heater therein.

다중 플라즈마 방전관(24)은 다수개의 방전관으로 구성되며, 챔버 몸체(11)의 천정에 일단에 연결되고 타단이 방전관 헤드(21)에 연결된다. 그럼으로 방전관헤드(21)와 챔버 몸체(11)의 내부 그리고 다중 플라즈마 방전관(24)을 경유하는 플라즈마 방전 경로가 형성된다. 후술 되겠지만. 기화된 유기 가스에 의한 유기금속증착 공정이 진행된 후에 챔버 몸체(11)의 상부에서 다중 플라즈마 방전관(24)으로부터 직접적으로 활성화된 세정 가스 또는 개질 가스가 공급됨으로 활성화된 세정 가스나 개질 가스가 재결합 되지 않고 직접적으로 챔버 몸체(11)의 내부로 직접 유입되어 자기세정공정이나 개질 공정에서 처리 효율이 향상된다. The multiple plasma discharge tube 24 is composed of a plurality of discharge tube, is connected to one end to the ceiling of the chamber body 11 and the other end is connected to the discharge tube head 21. Thus, a plasma discharge path is formed through the discharge tube head 21 and the chamber body 11 and via the multiple plasma discharge tube 24. As will be described later. After the organometallic deposition process by vaporized organic gas is performed, the activated cleaning gas or reforming gas is supplied from the multiple plasma discharge tube 24 directly from the upper portion of the chamber body 11 so that the activated cleaning gas or reforming gas is not recombined. Without being directly introduced into the chamber body 11 directly, the treatment efficiency is improved in the self-cleaning process or the reforming process.

다중 플라즈마 방전관(24)은 예를 들어 4개의 중공의 선형 방전관으로 구성될 수 있다. 각각의 선형 방전관에는 일차 권선(25)을 갖는 페라이트코어(22)가 장착되며, 일차권선(25)에 플라즈마 발생 전력이 공급되면 방전관헤드(21)와 다중 플라즈마 방전관(24) 그리고 챔버 몸체(11)의 내부를 경유하는 플라즈마내 2차 유도 전류 경로가 형성된다. 다중 플라즈마 방전관(24) 모두에 페라이트코어(22)가 장착되거나 또는 부분적으로 장착될 수도 있다.The multiple plasma discharge tube 24 may be composed of, for example, four hollow linear discharge tubes. Each linear discharge tube is equipped with a ferrite core 22 having a primary winding 25. When the plasma generating power is supplied to the primary winding 25, the discharge tube head 21, the multiple plasma discharge tube 24, and the chamber body 11 A secondary induction current path in the plasma via the interior of) is formed. The ferrite core 22 may be mounted or partially mounted on all of the multiple plasma discharge tubes 24.

도 3은 도 1의 플라즈마 챔버를 포함한 전체 유기금속증착 시스템 구성을 보여주는 도면이다.3 is a view showing the configuration of the entire organometallic deposition system including the plasma chamber of FIG.

도 3을 참조하여, 방전관 헤드(21)에 구성된 가스 입구(23)에는 기화기(30)와 유기액체원료 공급원(32)이 순차적으로 연결된다. 유기액체원료 공급원(32)에서 공급되는 유기액체는 기화기(30)를 통하여 기화되어 방전관 헤드(21)로 공급되어 다중 플라즈마 방전관(24)을 통하여 챔버 몸체(11)의 내부로 공급된다. 기화기(30)의 출구에는 유량 제어기(33)가 장착되어 유기액체의 공급량을 제어한다. 기화기(30)와 가스 입구(23)를 연결하는 가스 공급관에는 유기 가스의 공급 및 차단을 제어하기 위한 가스 밸브(37)가 구비된다.Referring to FIG. 3, the vaporizer 30 and the organic liquid raw material supply source 32 are sequentially connected to the gas inlet 23 configured in the discharge tube head 21. The organic liquid supplied from the organic liquid raw material source 32 is vaporized through the vaporizer 30 and supplied to the discharge tube head 21 and supplied into the chamber body 11 through the multiple plasma discharge tube 24. The flow rate controller 33 is mounted at the outlet of the vaporizer 30 to control the supply amount of the organic liquid. The gas supply pipe connecting the vaporizer 30 and the gas inlet 23 is provided with a gas valve 37 for controlling supply and blocking of the organic gas.

가스 입구(23)에는 불활성 가스 공급원(34)이 연결된다. 불활성 가스 공급원(34)의 출구에는 유량 제어기(35)가 장착되어 불활성 가스의 공급량을 제어한다. 불활성 가스 공급원(34)과 가스 입구(23)를 연결하는 가스 공급관에는 불활성 가스의 공급 및 차단을 제어하기 위한 가스 밸브(36)가 구비된다. 점화 가스 공급원(50)과 개질 가스 공급원(53)과 세정 가스 공급원(56)이 각각의 유량 제어기(51, 54, 57)와 가스 밸브(52, 55, 58)를 통하여 가스 입구(23)에 연결된다.An inert gas source 34 is connected to the gas inlet 23. At the outlet of the inert gas source 34, a flow rate controller 35 is mounted to control the supply amount of the inert gas. The gas supply pipe connecting the inert gas source 34 and the gas inlet 23 is provided with a gas valve 36 for controlling the supply and shut off of the inert gas. An ignition gas source 50, a reforming gas source 53, and a cleaning gas source 56 are connected to the gas inlet 23 through respective flow controllers 51, 54, 57 and gas valves 52, 55, 58. Connected.

페라이트 코어(22)에 권선된 일차 권선(25)은 임피던스 정합기(27)를 통하여 전원 공급원(28)에 연결된다. 서셉터(14)에는 피처리 기판(13)을 가열하기 위한 히터(15)가 구비되고, 히터(15)는 히터 전원(17)에 연결된다. 서셉터(14)는 하부가 구동기(16)에 연결되어, 공정이 진행되는 동안 피처리 기판(13)이 회전되도록 한다. 기화기(30)에 연결된 히터 전원(31)과 서셉터(14)의 히터(15)에 연결된 히터전원(17)은 각각 제어부(40)의 제어를 받는다. 제어부(40)는 히터전원(31, 17)의 제어와 더불어 증착공정, 개질공정, 자기세정공정 등에 있어서 시스템의 전반적인 제어를 담당한다.The primary winding 25 wound on the ferrite core 22 is connected to the power supply 28 through an impedance matcher 27. The susceptor 14 is provided with a heater 15 for heating the substrate 13 to be processed, and the heater 15 is connected to the heater power source 17. The susceptor 14 has a lower portion connected to the driver 16 to allow the substrate 13 to be rotated during the process. The heater power source 31 connected to the vaporizer 30 and the heater power source 17 connected to the heater 15 of the susceptor 14 are each controlled by the controller 40. The control unit 40 is responsible for the overall control of the system in the deposition process, the reforming process, the self-cleaning process, etc. in addition to the control of the heater power sources 31 and 17.

증착 공정이 진행되기 전에 먼저 서셉터(14)에 장착된 피처리 기판(13)을 승온 시키기 위하여 히터전원(17)으로부터 히팅 전력이 히터(15)로 공급된다. 피처리 기판(13)이 적정 온도로 승온되면, 기화기(30)에 연결된 히터전원(31)에서도 기화기(30)로 히팅 전력이 공급되고, 유기액체원료 공급원(32)으로터 기화기로 유기액체가 공급되어 기화된다. 기화된 유기 가스는 가스 밸브(37)가 개방되면서 방전관 헤드(21)와 다중 플라즈마 방전관(24)을 경유하여 챔버 몸체(11)의 내부로 공급되어 피처리 기판(13)에 증착된다. 이때, N2와 같은 불활성 가스가 혼합되어 공급될 수 있다.Before the deposition process proceeds, heating power is supplied from the heater power source 17 to the heater 15 to heat up the substrate 13 mounted on the susceptor 14. When the substrate 13 is heated to an appropriate temperature, heating power is also supplied to the vaporizer 30 from the heater power supply 31 connected to the vaporizer 30, and the organic liquid is transferred from the organic liquid raw material supply source 32 to the vaporizer. Supplied and vaporized. The vaporized organic gas is supplied into the chamber body 11 via the discharge tube head 21 and the multiple plasma discharge tube 24 while the gas valve 37 is opened and is deposited on the substrate 13 to be processed. At this time, an inert gas such as N 2 may be mixed and supplied.

증착 공정이 완료된 후, 개질 공정이 진행될 수 있다. 플라즈마 점화를 위하여 Ar과 같은 점화 가스가 점화 가스 공급원(50)으로부터 방전관 헤드(21)로 공급된다. 이어 전원 공급원(28)으로부터 플라즈마 발생 전력이 일차 권선(25)으로 공급되면 방전관 헤드(21)와 다중 플라즈마 방전관(24) 및 챔버 몸체(11)의 내부를 경유하는 플라즈마 방전 경로를 따라서 플라즈마 방전이 이루어진다. 이후, 개질 가스 예를 들어, O2와 같은 개질 가스가 개질 가스 공급원(53)으로부터 방전관 헤드(21)로 공급되어 활성화된 개질 가스가 챔버 몸체(11)의 내부로 유입되어 개질 공정이 진행된다.After the deposition process is completed, the reforming process may proceed. An ignition gas such as Ar is supplied from the ignition gas source 50 to the discharge tube head 21 for plasma ignition. Subsequently, when the plasma generating power is supplied from the power supply source 28 to the primary winding 25, plasma discharge is performed along the plasma discharge path via the discharge tube head 21, the multiple plasma discharge tube 24, and the interior of the chamber body 11. Is done. Thereafter, the reformed gas, for example, a reformed gas such as O 2 is supplied from the reformed gas supply source 53 to the discharge tube head 21, and the activated reformed gas is introduced into the chamber body 11 to undergo a reforming process. .

자기 세정이 필요한 경우, 플라즈마 점화를 위하여 Ar과 같은 점화 가스가 점화 가스 공급원(50)으로부터 방전관 헤드(21)로 공급된다. 이어 전원 공급원(28)으로부터 플라즈마 발생 전력이 일차 권선(25)으로 공급되면 방전관 헤드(21)와 다중 플라즈마 방전관(24) 및 챔버 몸체(11)의 내부를 경유하는 플라즈마 방전 경로를 따라서 플라즈마 방전이 이루어진다. 이후, 세정 가스 예를 들어, ClF3와 같은 세정 가스가 세정 가스 공급원(53)으로부터 방전관 헤드(21)로 공급되어 활성화된 세정 가스가 챔버 몸체(11)의 내부로 유입되어 자기 세정 공정이 진행된다.When self cleaning is required, an ignition gas such as Ar is supplied from the ignition gas source 50 to the discharge tube head 21 for plasma ignition. Subsequently, when the plasma generating power is supplied from the power supply source 28 to the primary winding 25, plasma discharge is performed along the plasma discharge path via the discharge tube head 21, the multiple plasma discharge tube 24, and the interior of the chamber body 11. Is done. Thereafter, a cleaning gas, for example, a cleaning gas such as ClF 3 , is supplied from the cleaning gas source 53 to the discharge tube head 21, and activated cleaning gas flows into the chamber body 11 to proceed with a self-cleaning process. do.

증착공정과 개질공정 및 자기세정공정 사이에 퍼지 공정이 진행될 수 있다. 퍼지공정은 불활성 가스 공급원(34)으로부터 불활성 가스가 방전관 헤드(21)를 통하여 챔버 몸체(11)의 내부로 소정량 공급되는 것으로 진행된다.A purge process may be performed between the deposition process, the reforming process, and the self-cleaning process. The purge process proceeds with a predetermined amount of inert gas supplied from the inert gas supply source 34 into the chamber body 11 through the discharge tube head 21.

플라즈마 챔버(10)로 공급되는 기화된 유기 가스를 바이패스 시키기 위한 별도의 가스 밸브(38)와 개질 가스나 세정 가스를 바이패스 시키기 위한 별도의 가스 밸브(59)가 구비될 수 있다. 바이패스 경로를 갖는 것은 공정 진행을 즉각적으로 전환시켜 다음 공정으로 신속히 전환할 수 있는 이점이 있다. 챔버 몸체(11)의 내부로 유입된 가스는 배기 펌프(61)를 통하여 외부로 배기된다. 챔버 몸체(11)와 배기 펌프(61) 사이에는 회수 트랩(60)이 구비될 수 있다. 회수 트랩(60)은 상술한 바이패스 경로와 연결되어 바이패스되는 가스도 회수될 수 있도록 한다.A separate gas valve 38 for bypassing the vaporized organic gas supplied to the plasma chamber 10 and a separate gas valve 59 for bypassing the reforming gas or the cleaning gas may be provided. Having a bypass path has the advantage that the process can be switched immediately to the next process quickly. The gas introduced into the chamber body 11 is exhausted to the outside through the exhaust pump 61. A recovery trap 60 may be provided between the chamber body 11 and the exhaust pump 61. The recovery trap 60 is connected to the above-described bypass path so that the gas bypassed can also be recovered.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 다중형 플라즈마 방전관을 갖는 유기금속증착용 플라즈마 챔버의 사시도이고, 도 5는 도 4의 플라즈마 챔버의 단면도이다.4 is a perspective view of an organic metal deposition plasma chamber having a multiple plasma discharge tube according to a second embodiment of the present invention, Figure 5 is a cross-sectional view of the plasma chamber of FIG.

도 4 및 도 5를 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 챔버(10a)는 상술한 제1 실시예의 구성과 기본적으로 동일하다. 다만, 방전관 헤드(21)에는 두 개의 가스 입구(23a, 23b)가 구비되며, 방전관 헤드(21)의 내부에는 각각의 가스 입구(23a, 23b)에서 유입되는 가스가 서로 다른 경로로 흐르도록 하나 이상의 격벽(64)이 구비된다.4 and 5, the plasma chamber 10a according to the second embodiment of the present invention is basically the same as the configuration of the first embodiment described above. However, the discharge tube head 21 is provided with two gas inlets 23a and 23b, and the gas flowing from the respective gas inlets 23a and 23b flows in different paths inside the discharge tube head 21. The partition 64 above is provided.

도 6은 도 4의 플라즈마 챔버를 포함한 전체 유기금속증착 시스템 구성을 보여주는 도면이다.6 is a view showing the configuration of the entire organometallic deposition system including the plasma chamber of FIG.

도 6을 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 챔버(10a)를 채용한 유기금속증착 시스템은 기화된 유기 가스는 하나의 가스 입구(23a)를 통하여 공급되고, 개질 가스 또는 세정 가스는 다른 하나의 가스 입구(23b)를 통하여 공급된다. 이와 같이 유기 가스와 개질 또는 세정 가스는 상호 서로 다른 가스 공급 경를 통하여 챔버 몸체(11)의 내부로 공급된다. 이와 같이 하나의 가스 공급 경로를 통하여 혼합될 수 있도록 하거나 또는 서로 다른 가스 공급 경로를 통하여 분리되도록 하는 것은 공정 효율을 위하여 선택적으로 사용될 수 있다.6, in the organometallic deposition system employing the plasma chamber 10a according to the second embodiment of the present invention, the vaporized organic gas is supplied through one gas inlet 23a, and the reformed gas or the cleaning gas. Is supplied through the other gas inlet 23b. As such, the organic gas and the reforming or cleaning gas are supplied into the chamber body 11 through different gas supply mirrors. As such, to be mixed through one gas supply path or separated through different gas supply paths may be selectively used for process efficiency.

이상에서 설명된 본 발명의 다중형 플라즈마 방전관을 갖는 유기금속증착용 플라즈마 챔버의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Embodiments of the organic metal deposition plasma chamber having a multiple-plasma discharge tube of the present invention described above are merely exemplary, and those skilled in the art to which the present invention pertains various modifications and equivalents therefrom. It will be appreciated that other embodiments are possible. Accordingly, it is to be understood that the present invention is not limited to the above-described embodiments. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims. It is also to be understood that the invention includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

10: 플라즈마 챔버 11: 챔버 몸체
12: 가스 분배 배플 13: 피처리 기판
14: 서셉터 15: 히터
16: 구동기 17: 히터전원
20: 플라즈마 발생 모듈 21: 방전관 헤드
22: 페라이트 코어 23: 가스입구
24: 방전관 25: 일차권선
26: 절연갭 27: 임피던스 정합기
28: 전원 공급원 30: 기화기
31: 히터전원 32: 유기액체원료 공급원
34: 불활성 가스 공급원 33, 35, 51, 54, 57: 유량제어기
36, 37, 38, 39, 52, 55, 58: 가스 밸브 40: 제어부
50: 점화 가스 공급원 53: 개질 가스 공급원
56: 세정 가스 공급원 60: 회수 트랩
61: 배기 펌프 64: 격벽10: plasma chamber 11: chamber body
12: gas distribution baffle 13: substrate to be processed
14: susceptor 15: heater
16: Driver 17: Heater Power
20: plasma generation module 21: discharge tube head
22: ferrite core 23: gas inlet
24: discharge tube 25: primary winding
26: insulation gap 27: impedance matcher
28: power source 30: carburetor
31: heater power supply 32: organic liquid raw material supply source
34: inert gas source 33, 35, 51, 54, 57: flow controller
36, 37, 38, 39, 52, 55, 58: gas valve 40: control unit
50: ignition gas source 53: reforming gas source
56: cleaning gas source 60: recovery trap
61: exhaust pump 64: bulkhead

Claims (7)

피처리 기판이 놓이는 서셉터가 구비된 챔버 몸체;
일단이 상기 챔버 몸체에 연결되는 다중 플라즈마 방전관과 상기 다중 플라즈마 방전관의 타단에 연결되는 방전관 헤드 그리고 상기 다중 플라즈마 방전관에 장착되며 일차 권선을 갖는 페라이트 코어를 포함하는 플라즈마 발생 모듈;
유기액체원료 공급원과 상기 방전관 헤드 사이에 구성되어 유기액체원료를 기화 시키는 기화기; 및
상기 방전관 헤드에 연결되는 세정 가스 공급원을 포함하고,
유기 금속 증착 공정에서 상기 기화기에 의해 기화된 유기 가스가 상기 다중 플라즈마 방전관을 통하여 상기 챔버 몸체의 내부로 유입되며,
자기 세정 공정에서 상기 세정 가스 공급원에서 공급된 세정 가스는 상기 다중 플라즈마 방전관 내에서 활성화되어 상기 챔버 몸체의 내부로 유입되고,
상기 방전관 헤드는 상기 기화된 유기 가스를 입력 받는 제1 가스 입구와 상기 세정 가스를 공급 받는 제2 가스 입구를 구비하고, 상기 제1 가스 입구를 통해 유입된 유기 가스와 상기 제2 가스 입구를 통하여 유입된 세정 가스가 서로 다른 경로를 통하여 흐르도록 하는 하나 이상의 격벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기금속증착용 플라즈마 챔버.A chamber body having a susceptor on which the substrate to be processed is disposed;
A plasma generation module including a multiple plasma discharge tube having one end connected to the chamber body, a discharge tube head connected to the other end of the multiple plasma discharge tube, and a ferrite core mounted on the multiple plasma discharge tube and having a primary winding;
A vaporizer configured to vaporize the organic liquid raw material between the organic liquid raw material supply source and the discharge tube head; And
A cleaning gas supply source connected to the discharge tube head;
In the organic metal deposition process, the organic gas vaporized by the vaporizer is introduced into the chamber body through the multiple plasma discharge tube,
In the self-cleaning process, the cleaning gas supplied from the cleaning gas source is activated in the multiple plasma discharge tube and flows into the chamber body.
The discharge tube head has a first gas inlet for receiving the vaporized organic gas and a second gas inlet for receiving the cleaning gas, and the organic gas introduced through the first gas inlet and the second gas inlet. The plasma chamber for organometallic deposition, characterized in that it comprises at least one partition wall for flowing the cleaning gas flows through different paths. 제1항에 있어서,
상기 다중 플라즈마 방전관과 상기 서셉터 사이에 구비되는 가스 분배 배플을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기금속증착용 플라즈마 챔버.The method of claim 1,
And a gas distribution baffle provided between the multiple plasma discharge tube and the susceptor. 제2항에 있어서,
상기 가스 분배 배플은 히터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기금속증착용 플라즈마 챔버.3. The method of claim 2,
The gas distribution baffle is a plasma chamber for organometallic deposition, characterized in that it comprises a heater. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 기화기에 연결되는 제1 히터 전원과 상기 서셉터 내부에 설치되는 히터에 연결된 제2 히터 전원의 동작을 제어하는 제어부를 포함하고,
상기 제어부는 유기 가스의 발생과 피처리 기판의 가열 온도를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기금속증착용 플라즈마 챔버.The method of claim 1,
A control unit controlling an operation of a first heater power source connected to the vaporizer and a second heater power source connected to a heater installed inside the susceptor,
The control unit includes an organic metal deposition plasma chamber, characterized in that for controlling the generation of organic gas and the heating temperature of the substrate to be processed. 삭제delete 피처리 기판이 놓이는 서셉터가 구비된 챔버 몸체;
일단이 상기 챔버 몸체에 연결되는 다중 플라즈마 방전관과 상기 다중 플라즈마 방전관의 타단에 연결되는 방전관 헤드 그리고 상기 다중 플라즈마 방전관에 장착되며 일차 권선을 갖는 페라이트 코어를 포함하는 플라즈마 발생 모듈;
유기액체원료 공급원과 상기 방전관 헤드 사이에 구성되어 유기액체원료를 기화 시키는 기화기; 및
상기 방전관 헤드에 연결되는 세정 가스 공급원을 포함하고,
유기 금속 증착 공정에서 상기 기화기에 의해 기화된 유기 가스가 상기 다중 플라즈마 방전관을 통하여 상기 챔버 몸체의 내부로 유입되며,
자기 세정 공정에서 상기 세정 가스 공급원에서 공급된 세정 가스는 상기 다중 플라즈마 방전관 내에서 활성화되어 상기 챔버 몸체의 내부로 유입되고,
상기 다중 방전관 헤드에 연결되는 개질 가스 공급원을 더 포함하며,
상기 개질 공정에서 상기 개질 가스는 상기 다중 플라즈마 방전관 내에서 활성화되어 상기 챔버 몸체의 내부로 유입되고,
상기 방전관 헤드는 상기 기화된 유기 가스를 입력 받는 제1 가스 입구와 상기 개질 가스를 공급 받는 제2 가스 입구를 구비하고, 상기 제1 가스 입구를 통해 유입된 유기 가스와 상기 제2 가스 입구를 통하여 유입된 개질 가스가 서로 다른 경로를 통하여 흐르도록 하는 하나 이상의 격벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기금속증착용 플라즈마 챔버.A chamber body having a susceptor on which the substrate to be processed is disposed;
A plasma generation module including a multiple plasma discharge tube having one end connected to the chamber body, a discharge tube head connected to the other end of the multiple plasma discharge tube, and a ferrite core mounted on the multiple plasma discharge tube and having a primary winding;
A vaporizer configured to vaporize the organic liquid raw material between the organic liquid raw material supply source and the discharge tube head; And
A cleaning gas supply source connected to the discharge tube head;
In the organic metal deposition process, the organic gas vaporized by the vaporizer is introduced into the chamber body through the multiple plasma discharge tube,
In the self-cleaning process, the cleaning gas supplied from the cleaning gas source is activated in the multiple plasma discharge tube and flows into the chamber body.
Further comprising a reformed gas supply source connected to the multiple discharge tube head,
In the reforming process, the reformed gas is activated in the multiple plasma discharge tube and flows into the chamber body.
The discharge tube head includes a first gas inlet for receiving the vaporized organic gas and a second gas inlet for receiving the reformed gas, and the organic gas introduced through the first gas inlet and the second gas inlet. The plasma chamber for organometallic deposition, characterized in that it comprises at least one partition wall for allowing the introduced reformed gas to flow through different paths.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002050622A (en) * 2000-05-22 2002-02-15 Tokyo Electron Ltd Reforming method for metal oxide film, film-forming method for metal oxide film, and heat treatment apparatus
JP2004076023A (en) * 2001-08-01 2004-03-11 Tokyo Electron Ltd Gas treatment device and gas treatment method
JP2004342612A (en) * 2003-05-07 2004-12-02 New Power Plasma Co Ltd Induction plasma chamber equipped with multiple discharge tube bridge
KR20080088488A (en) * 2007-03-29 2008-10-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Vaporizer and semiconductor processing system

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002050622A (en) * 2000-05-22 2002-02-15 Tokyo Electron Ltd Reforming method for metal oxide film, film-forming method for metal oxide film, and heat treatment apparatus
JP2004076023A (en) * 2001-08-01 2004-03-11 Tokyo Electron Ltd Gas treatment device and gas treatment method
JP2004342612A (en) * 2003-05-07 2004-12-02 New Power Plasma Co Ltd Induction plasma chamber equipped with multiple discharge tube bridge
KR20080088488A (en) * 2007-03-29 2008-10-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Vaporizer and semiconductor processing system

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