KR101369210B1

KR101369210B1 - Plasma processing apparatus

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Publication number: KR101369210B1
Application number: KR1020120036015A
Authority: KR
Inventors: 김성인; 김용득; 손병구; 최선용; 신명선; 김병훈; 이규항; 이문원
Original assignee: 재단법인 철원플라즈마 산업기술연구원
Priority date: 2012-04-06
Filing date: 2012-04-06
Publication date: 2014-03-06
Also published as: KR20130113664A

Abstract

본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 플라즈마 방전이 발생하는 공간의 이동 경로를 길게 형성함으로써 플라즈마 방전 공간에서의 처리 소재가 반응을 일으키기 위한 충분한 시간을 확보하여, 보다 효율적이고 균질화된 소재로 처리할 수 있는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
본 발명의 장치에 따르면, 일단에 인렛부를 구비함과 더불어 타단에 아웃렛부를 구비하며, 전원 공급부로부터 인가된 전원에 의해 상기 인렛부를 통해 반응기 내부로 공급된 처리 대상 소재 및 처리 가스가 플라즈마 반응 처리되어 상기 아웃렛부를 통해 반출된 처리 물질을 수취하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 인렛부를 통해 공급되는 처리대상 소재 및 처리 가스가 회오리 형상으로 일정 길이를 갖도록 형성된 처리 채널의 이동 경로를 따라 통과하면서 처리되어 상기 아웃렛부를 통해 균질화된 물질이 반출되는 반응기; 및 상기 전원 공급부의 양단과 각각 연결된 서로 다른 극성의 제1 전극 및 제2 전극이 상기 반응기 내부의 인렛부 측으로부터 아웃렛부 측에 형성된 회오리 형상의 처리 채널에 대응하여 각각 설치되고, 상기 처리대상 소재와 처리 가스가 주입되는 처리 채널 내에서 플라즈마 방전 반응을 발생시키기 위하여 일정 주기의 고전압을 공급하는 제1및 제2 전극부;를 포함하는, 플라즈마 처리장치를 제공한다.The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, by forming a long moving path of a space in which a plasma discharge occurs, to secure sufficient time for the processing material in the plasma discharge space to cause a reaction, and thus to achieve a more efficient and homogenous material. It relates to a plasma processing apparatus that can be treated with.
According to the apparatus of the present invention, the inlet part is provided at one end and the outlet part is provided at the other end, and the target material and the processing gas supplied into the reactor through the inlet part by the power applied from the power supply part are plasma-reacted. In the plasma processing apparatus for receiving the processing material carried out through the outlet portion, the processing material and the processing gas supplied through the inlet portion is processed while passing along the moving path of the processing channel formed to have a predetermined length in a whirlwind shape and the A reactor through which the homogenized material is carried out through the outlet portion; And first and second electrodes having different polarities respectively connected to both ends of the power supply unit corresponding to the tornado processing channel formed on the outlet side from the inlet side of the reactor, respectively. And first and second electrode portions for supplying a high voltage at a predetermined period to generate a plasma discharge reaction in the processing channel into which the processing gas is injected.

Description

[0001] The present invention relates to a plasma processing apparatus,

본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 플라즈마 방전이 발생하는 공간의 이동 경로를 길게 형성함으로써 플라즈마 방전 공간에서의 처리 소재가 반응을 일으키기 위한 충분한 시간을 확보하여, 보다 효율적이고 균질화된 소재로 처리할 수 있는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, by forming a long moving path of a space in which a plasma discharge occurs, to secure sufficient time for the processing material in the plasma discharge space to cause a reaction, and thus to achieve a more efficient and homogenous material. It relates to a plasma processing apparatus that can be treated with.

전통적인 신소재 나노 기술이 발전하면서 실제로 나노 기술을 이용한 새로운 응용 소자나 집적 소자를 일상생활에서 접할 수 있게 되었다. 이러한 나노 기술을 이용하는 나노 소재들, 그래핀(Graphene)을 예로 들면, 그래핀과 같은 나노 소재는 탄소화합물로서 판상구조의 그라파이트(Graphite)가 한 겹으로 이루어진 것을 의미한다. 또한, 상기 그래핀은 탄소원자가 단일층으로 서로 연결되어 벌집 모양의 평면 구조를 이루고 있고 구조적 및 화학적으로 매우 안정화되어 있어 전기적, 물리적 특성이 매우 우수하다.With the development of traditional new material nanotechnology, new applications and integrated devices that use nanotechnology can be found in everyday life. For example, nanomaterials using graphene, such as graphene, for example, nanomaterials such as graphene are carbon compounds, which means that graphite having a plate-like structure is formed in one layer. In addition, the graphene has a honeycomb planar structure in which carbon atoms are connected to each other in a single layer, and are highly stabilized structurally and chemically, and thus have excellent electrical and physical properties.

지금까지 이루어진 그래핀의 연구 성과에 따르면, 기초적인 물리적 특성이 우수할 뿐만 아니라 이를 이용한 새로운 소자의 출현까지 예고하고 있다. 그 중 이론적으로 그래핀만을 이용한 전자회로 집적소자 제작의 가능성도 제시되고 있다. According to the research results of graphene thus far, not only the basic physical properties are excellent but also the appearance of a new device using the same. Theoretically, the possibility of manufacturing an electronic circuit integrated device using only graphene is proposed.

또한, 탄소화합물로 이루어진 또 다른 나노소재로서 탄소나노튜브(Carbon Nanotube)가 개발되어 상용화되고 있는데, 이 탄소나노튜브는 1개의 탄소 원자가 3개의 탄소 원자와 결합한 육각형 벌집 형상의 속이 비어있는 벌집형 구조로서, 그 지름이 수 나노미터(㎚)의 탄소 원자로만 이루어진 소재이다. 이러한 탄소나노튜브는 전기 전도도가 구리에 비해 월등히 높고, 강도는 동일 굵기의 강철보다 100배나 뛰어난 우수한 특성을 나타내고 있어서, 그래핀과 함께 트랜지스터, 저항, 배선, 메모리 소자 등의 다양한 전자회로 집적 소자의 제작을 위한 원재료로서 적용이 가능하다.In addition, carbon nanotubes have been developed and commercialized as another nanomaterial made of a carbon compound, which is a hollow honeycomb structure having a hexagonal honeycomb structure in which one carbon atom is bonded to three carbon atoms. It is a material consisting only of carbon atoms of several nanometers (nm) in diameter. These carbon nanotubes have much higher electrical conductivity than copper, and exhibit excellent properties 100 times better than steel of the same thickness. Therefore, graphene, together with graphene, can be used for various electronic circuit integrated devices such as transistors, resistors, wiring, and memory devices. It can be applied as a raw material for manufacturing.

이렇게 그래핀과 같은 신소재를 이용하여 새로운 응용 소자를 만들거나 집적 소자를 만들기 위해서는 기본적으로 필요한 기술이 신소재의 전기적, 물리적 특성을 제어하는 것이다.In order to make new application devices or integrated devices using new materials such as graphene, the fundamental technology is to control the electrical and physical properties of the new materials.

이와 같이 그래핀, 탄소나노튜브 등의 나노 소재를 포함하는 나노 소재의 전기적, 물리적 특성을 제어하기 위한 종래 기술에서는 화학약품을 사용하는 화학적 방법, 기체에 고온 고전압을 인가하여 플라즈마 방전(Plasma Discharge) 반응을 발생시킴으로써 물질의 전기적, 물리적 특성을 원하는 정도로 변화시킬 수 있는 플라즈마 처리 방식이 적용되고 있다.As described above, in the prior art for controlling the electrical and physical properties of nanomaterials including nanomaterials such as graphene and carbon nanotubes, a chemical method using chemicals and a plasma discharge by applying high temperature and high voltage to a gas Plasma treatment is applied to change the electrical and physical properties of a material to a desired degree by generating a reaction.

이러한 상기의 화학적 방법은 산화-환원 또는 계면활성제를 이용하는 것으로 화학약품을 처리하는 과정에서 원하지 않는 불순물이 완전히 제거되지 않고 잔류함으로써 소재의 순도가 떨어질 뿐만 아니라 균질화된 전기적, 물리적 특성을 얻기 어렵다는 문제점이 있었다.The above chemical method uses an oxidation-reduction or a surfactant, and thus, it is difficult to obtain homogeneous electrical and physical properties as well as to reduce the purity of the material by remaining unwanted impurities in the process of chemical treatment. there was.

또한, 플라즈마 처리 방식에서는 일정 길이를 갖는 챔버(Chamber) 내부에 그래핀, 탄소나노튜브 등과 같은 처리 대상 소재를 통과시키도록 설비한 상태에서, 해당 챔버의 내부로 소정의 처리성 기체를 침투시키고, 챔버의 주변에 직류 또는 교류 전압이 인가되는 전극을 배치함으로써 전극을 통해 인가되는 고전압에 의해서 처리 대상 소재와 처리성 기체가 챔버 내부에서 플라즈마 방전 반응을 일으키도록 되어 있다.In addition, in the plasma treatment method, a predetermined treatment gas is infiltrated into the chamber in a state in which a material to be treated such as graphene and carbon nanotubes is allowed to pass through a chamber having a predetermined length. By arranging an electrode to which a direct current or alternating voltage is applied around the chamber, the material to be treated and the processing gas are caused to generate a plasma discharge reaction in the chamber by the high voltage applied through the electrode.

그러나, 이러한 종래 플라즈마 처리 장치는 처리로가 평판 형으로 되어 있어서 플라즈마 방전에 의해 소재를 처리함에 있어 플라즈마에 노출되는 시간이 짧아 원하는 전기적, 물리적 특성을 얻지 못함으로써 소재의 균질성을 보장하지 못할 뿐만 아니라 장치의 성능 또한 효율적이지 못하였다.However, such a conventional plasma processing apparatus does not guarantee the homogeneity of the material by shortening the exposure time to the plasma in processing the material by the plasma discharge because the processing furnace has a flat plate shape and thus does not obtain desired electrical and physical properties. The performance of the device was also not efficient.

또한, 이러한 평판형 플라즈마 처리장치는 소재가 플라즈마 공간내의 플라즈마 반응에 노출되는 시간이 적고, 플라즈마 공간내의 특정 부위에 쌓이게 되므로 처리 장치에 투입되는 소재 전체의 균질화된 특성을 갖기 어렵다는 문제점이 있었다.
In addition, such a plate-type plasma processing apparatus has a problem that the material is less exposed to the plasma reaction in the plasma space, and because it accumulates in a specific portion of the plasma space, it is difficult to have a homogenized property of the entire material input to the processing apparatus.

따라서 본 발명은 상기한 종래의 문제점들을 해결하기 위해 이루어진 것으로서 그 목적은 플라즈마 방전 공간이 회오리 형상으로 일정 길이를 갖도록 형성함으로써 플라즈마 방전 공간에서의 처리 소재가 반응을 일으키기 위한 충분한 시간을 확보할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 데 있다. Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems, and its object is to form a plasma discharge space having a certain length in a whirlwind shape, thereby ensuring sufficient time for the treatment material in the plasma discharge space to cause a reaction. It is to provide a plasma processing apparatus.

본 발명의 다른 목적은 플라즈마 방전 공간이 지그재그 형상으로 일정 길이를 갖도록 형성함으로써 소재가 흐르면서 다양한 각도의 플라즈마 방전 경로와 마주칠 수 있도록 하여 소재와 가스 간의 반응이 보다 효율적으로 일어날 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 데 있다.
Another object of the present invention is to form a plasma discharge space having a certain length in a zigzag shape so that the material flows to encounter the plasma discharge path of various angles so that the reaction between the material and the gas can occur more efficiently To provide.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 장치에 따르면, 일단에 인렛부를 구비함과 더불어 타단에 아웃렛부를 구비하며, 전원 공급부로부터 인가된 전원에 의해 상기 인렛부를 통해 반응기 내부로 공급된 처리 대상 소재 및 처리 가스가 플라즈마 반응 처리되어 상기 아웃렛부를 통해 반출된 처리 물질을 수취하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 인렛부를 통해 공급되는 처리대상 소재 및 처리 가스가 회오리 형상으로 일정 길이를 갖도록 형성된 처리 채널의 이동 경로를 따라 통과하면서 처리되어 상기 아웃렛부를 통해 균질화된 물질이 반출되는 반응기; 및 상기 전원 공급부의 양단과 각각 연결된 서로 다른 극성의 제1 전극 및 제2 전극이 상기 반응기 내부의 인렛부 측으로부터 아웃렛부 측에 형성된 회오리 형상의 처리 채널에 대응하여 각각 설치되고, 상기 처리대상 소재와 처리 가스가 주입되는 처리 채널 내에서 플라즈마 방전 반응을 발생시키기 위하여 일정 주기의 고전압을 공급하는 제1및 제2 전극부;를 포함하는, 플라즈마 처리장치를 제공한다.According to the apparatus of the present invention for achieving the above object, having an inlet portion at one end and an outlet portion at the other end, the material to be processed and supplied into the reactor through the inlet portion by the power applied from the power supply and A plasma processing apparatus in which a processing gas is subjected to a plasma reaction to receive a processing material carried out through the outlet, wherein the movement path of the processing channel is formed such that the material to be processed and the processing gas supplied through the inlet have a predetermined length in a whirlwind shape. The reactor is processed while passing along the homogenized material is carried out through the outlet; And first and second electrodes having different polarities respectively connected to both ends of the power supply unit corresponding to the tornado processing channel formed on the outlet side from the inlet side of the reactor, respectively. And first and second electrode portions for supplying a high voltage at a predetermined period to generate a plasma discharge reaction in the processing channel into which the processing gas is injected.

바람직하게, 상기 반응기는 원형, 원반형, 사각형 중 선택되는 어느 하나이며, 상기 인렛부 및 아웃렛부는 상기 제1 또는 제2 전극부를 관통하여 상기 반응기의 어느 한 부위에 각각 설치되는 것을 특징으로 한다.Preferably, the reactor is any one selected from a circle, a disc, and a quadrangle, wherein the inlet portion and the outlet portion pass through the first or second electrode portion, and are installed in any one portion of the reactor.

또한, 상기 처리 채널은 적어도 하나 이상이며, 상기 제1 및 제2 전극부는 처리 채널의 상면 또는 하면 전체에 평판으로 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 일단에 인렛부를 구비함과 더불어 타단에 아웃렛부를 구비하며, 전원 공급부로부터 인가된 전원에 의해 상기 인렛부를 통해 반응기 내부로 공급된 처리대상 소재 및 처리 가스가 플라즈마 반응 처리되어 상기 아웃렛부를 통해 반출된 처리 물질을 수취하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 인렛부를 통해 공급되는 처리대상 소재 및 처리 가스가 지그재그 형상으로 일정 길이를 갖도록 형성된 처리 채널의 이동 경로를 따라 통과하면서 처리되어 상기 아웃렛부를 통해 균질화된 물질이 반출되는 반응기; 및 상기 전원 공급부의 양단과 각각 연결된 서로 다른 극성의 제1 전극 및 제2 전극이 상기 반응기 내부의 인렛부 측으로부터 아웃렛부 측에 형성된 지그재그 형상의 처리 채널에 대응하여 각각 설치되고, 상기 처리대상 소재와 처리 가스가 주입되는 처리 채널 내에서 플라즈마 방전 반응을 발생시키기 위하여 일정 주기의 고전압을 공급하는 제1 및 제2 전극부;를 포함하는, 플라즈마 처리장치를 제공한다.In addition, the treatment channel may be at least one, and the first and second electrode parts may be formed as flat plates on the entire upper or lower surface of the processing channel.
According to the present invention, the inlet part is provided at one end and the outlet part is provided at the other end, and the target material and the processing gas supplied into the reactor through the inlet part by the power applied from the power supply part are plasma-reacted to process the outlet. A plasma processing apparatus for receiving a processing material carried out through a portion, wherein the material to be processed and the processing gas supplied through the inlet portion are processed while passing along a moving path of a processing channel formed to have a predetermined length in a zigzag shape, thereby processing the outlet portion. A reactor through which the homogenized material is taken out; And first and second electrodes having different polarities, respectively connected to both ends of the power supply unit, corresponding to a zigzag-shaped processing channel formed at an outlet side from an inlet side of the reactor, respectively. And first and second electrode units supplying a high voltage at a predetermined period to generate a plasma discharge reaction in the processing channel into which the processing gas is injected.

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바람직하게, 상기 처리 채널은 처리 소재 흐름의 방향 전환 부분이 라운드 형으로 형성되며, 상기 제1및 제 2전극부는 처리 채널을 사이에 두고 서로 마주하도록 다수개가 각각 배치된 것을 특징으로 한다.Preferably, the processing channel is formed in a round shape of the direction change portion of the processing material flow, the first and second electrode portion is characterized in that the plurality is disposed so as to face each other with the processing channel therebetween.

또한, 상기 처리가스는 불활성 기체 또는 활성 기체, 각각의 불활성 기체가 혼합된 혼합물, 불활성 기체와 활성 기체의 혼합물, 각각의 활성 기체가 혼합된 혼합물 중에서 선택되는 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 한다.
In addition, the treatment gas is characterized in that it is made of any one selected from an inert gas or an active gas, a mixture of each of the inert gas, a mixture of the inert gas and the active gas, a mixture of each of the active gas.

이상과 같은 본 발명에 따르면, 플라즈마 방전 공간의 폭이 회오리 형상 또는 지그재그 형상으로 일정 길이를 갖도록 길게 형성함으로써 플라즈마 방전 공간에서의 처리 소재가 반응을 일으키기 위한 충분한 시간을 확보할 수 있으며, 처리 소재가 흐르는 다양한 각도의 방전 경로와 마주칠 수 있도록 하여 소재와 가스 간의 반응이 보다 효율적으로 일어날 수 있다. 따라서 플라즈마 처리에 있어서 처리 소재의 전기적, 물리적 특성이 변환되어 반응기 내부에 투입되는 전체 소재의 균질화를 유지할 수 있다.
According to the present invention as described above, the width of the plasma discharge space is formed to have a predetermined length in a whirlwind or zigzag shape to ensure a sufficient time for the treatment material in the plasma discharge space to cause a reaction, The reaction between the material and the gas can occur more efficiently by allowing the discharge paths to flow at various angles. Therefore, in the plasma treatment, the electrical and physical properties of the treated material are converted to maintain homogenization of the entire material introduced into the reactor.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 전체적인 구조를 나타낸 개략 단면도,
도 2는 도 1에 도시된 처리 소재의 이동 경로를 나타낸 도면,
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 전체적인 구조를 나타낸 개략 단면도,
도 4는 도 3에 도시된 처리 소재의 이동 경로를 나타낸 도면,
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 플라즈마 처리장치의 전체적인 구조를 나타낸 개략 단면도,
도 6은 도 5에 도시된 처리 소재의 이동 경로를 나타낸 도면.1 is a schematic cross-sectional view showing the overall structure of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
2 is a view showing a movement path of the workpiece shown in FIG. 1;
3 is a schematic cross-sectional view showing the overall structure of a plasma processing apparatus according to another embodiment of the present invention;
4 is a view showing a movement path of the workpiece shown in FIG. 3;
5 is a schematic cross-sectional view showing the overall structure of a plasma processing apparatus according to another embodiment of the present invention;
FIG. 6 is a view showing a movement path of the workpiece shown in FIG. 5; FIG.

본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정 해석되지 아니하며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
It is to be understood that the words or words used in the present specification and claims are not to be construed in a conventional or dictionary sense and that the inventor can properly define the concept of a term in order to describe its invention in the best possible way And should be construed in light of the meanings and concepts consistent with the technical idea of the present invention.

이하, 상기한 바와 같이 구성된 본 발명에 대해 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, the present invention configured as described above will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 전체적인 구조를 나타낸 개략 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 처리 소재의 이동 경로를 나타낸 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치는 소재 공급부(10), 가스 공급부(20), 반응기(30), 전원 공급부(50), 수취부(60)를 포함하여 구성된다.1 is a schematic cross-sectional view showing the overall structure of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a view showing a movement path of the processing material shown in FIG.
As shown in FIG. 1, the plasma processing apparatus according to the present invention includes a material supply unit 10, a gas supply unit 20, a reactor 30, a power supply unit 50, and a receiving unit 60.

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상기 소재 공급부(10)는 전기적, 물리적 특성의 변환을 원하는 특정 처리 대상 소재(100)를 상기 반응기(30)의 내부에 미리 계획된 일정한 양만큼 지속적으로 공급하는 역할을 한다. The material supply unit 10 serves to continuously supply a specific material to be treated 100 that wants to convert electrical and physical characteristics continuously in a predetermined amount inside the reactor 30.

이때, 상기 처리 대상 소재(100)는 상기 반응기(30) 내부에서 발생되는 플라즈마 방전 반응을 통해서 전기적, 물리적 특성의 변환이 가능한 모든 소재를 통칭하는 것으로서 해당 소재에는 구체적으로 그래핀, 탄소 나노소재(Carbon Nano Material) 등과 같은 나노 소재와; 강철 분말, 알루미늄 분말, 실리콘(Silicon), 세라믹(Ceramic) 등과 같은 비나노 소재를 모두 포함할 수 있다.
즉, 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치는 어느 하나의 소재에 대한 플라즈마 처리에만 국한되지 않고, 플라즈마 방전에 의한 처리 변화가 필요한 모든 소재에 범용으로 적용이 가능한 것이다.In this case, the material 100 to be treated refers to all materials capable of converting electrical and physical properties through a plasma discharge reaction generated inside the reactor 30, and specifically, graphene and carbon nano materials ( Nano materials such as Carbon Nano Material); It may include all of the non-nano material, such as steel powder, aluminum powder, silicon (silicon), ceramic (Ceramic) and the like.
That is, the plasma processing apparatus according to the present invention is not limited to the plasma processing for any one material, and can be applied to all materials that need to be changed by the plasma discharge.

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또한, 상기 소재 공급부(10)는 처리 대상 소재(100)가 적재되어 있는 적재함과; 상기 적재함의 하부로부터 관통 형성되어 처리 대상 소재(100)를 통과시키는 소재 공급관(12); 상기 소재 공급관(12)의 사이에 개재되어 상기 처리 대상 소재(100)가 적재함으로부터 유출되는 양을 조절하기 위한 공급량 조절기(14)를 포함하여 구성된다.
상기 소재 공급관(12)은 상기 공급량 조절기(14)에 의한 조절 기능이 해제된 상태에서 미리 설정된 표준량의 처리 대상 소재(100)를 일정하게 공급할 수 있도록 되어 있는 것으로서 상기 처리 대상 소재(100)에 대한 공급 표준량은 다수 실험을 통해서 얻어지는 데이터에 근거하여 결정되는 관의 용적에 따라 정해진다.In addition, the material supply unit 10 and the loading box in which the material to be processed 100 is loaded; A material supply pipe 12 formed through a lower portion of the loading box and passing the material 100 to be processed; Interposed between the material supply pipe 12 is configured to include a feed amount regulator 14 for adjusting the amount of the material to be processed 100 is discharged from the loading box.
The material supply pipe 12 is to be able to constantly supply a predetermined standard amount of the target material 100 to be processed in a state in which the adjustment function by the supply amount regulator 14 is released, for the processing target material 100 The standard feed amount is determined by the volume of the pipe determined based on the data obtained from a number of experiments.

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상기 공급량 조절기(14)는 상기 소재 공급관(12)을 통해 상기 반응기(30)에 공급되는 처리 대상 소재(100)의 종류, 물성, 전기적, 물리적 특성의 변환 정도에 따라 그 공급량을 조절할 수 있도록 하는 것으로서 모터나 솔레노이드 등의 전기적 구동 수단을 적용할 수도 있고, 로터리 방식이나 스크류 조절 방식 등과 같은 수동 조절 수단을 적용할 수도 있다.The supply regulator 14 is to adjust the supply amount according to the conversion degree of the type, physical properties, electrical, physical characteristics of the material 100 to be processed is supplied to the reactor 30 through the material supply pipe 12 As such, an electric drive means such as a motor or a solenoid may be applied, or a manual adjustment means such as a rotary method or a screw adjustment method may be applied.

그에 더하여, 상기 공급량 조절기(14)에는 상기 소재 공급관(12)을 통해 공급되는 처리 대상 소재(100)의 공급량을 읽어 들여서 디지털 표시부 또는 아날로그 지침을 사용하여 수치적으로 알려줄 수 있는 계기판을 구비하는 것이 바람직하다. In addition, the supply amount regulator 14 is provided with an instrument panel that can read the supply amount of the material to be processed 100 supplied through the material supply pipe 12 and numerically inform it using a digital display unit or an analog guide. desirable.

상기 가스 공급부(20)는 가스 저장소(도시되지 않음)에 저장되어 있는 처리 가스를 외력을 사용하여 강제적으로 상기 반응기(30)의 내부로 공급해주기 위한 것이다. The gas supply unit 20 is for forcibly supplying the processing gas stored in the gas reservoir (not shown) to the inside of the reactor 30 by using an external force.

여기서, 상기 처리 가스는 상기 처리 대상 소재(100)가 상기 반응기(30) 내부에서 플라즈마 방전에 의한 특성 변환이 가능하도록 촉매 작용을 하는 촉매용 기체이거나 또는 플라즈마 방전 매개체로서 플라즈마 처리 대상 소재와 결합하여 처리 대상 소재(100)가 특정한 전기적, 물리적 특성을 갖도록 하는 기체로서 상기 처리 대상 소재(100)와 원하는 최종 특정 전기적, 물리적 특성에 따라 질소(N), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크세논(Xe), 수소(H), 헬륨(He) 등과 같은 불활성 기체 또는 질소(As), 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb), 비스무트(Bi) 등과 같은 활성 기체, 각각의 불활성 기체가 혼합된 혼합물, 불활성 기체와 활성 기체의 혼합물, 각각의 활성 기체가 혼합된 혼합물을 모두 적용할 수 있다. Here, the processing gas is a catalyst gas that catalyzes the material 100 to be processed by the plasma discharge in the reactor 30 or combines with the material for plasma treatment as a plasma discharge medium. As the gas to allow the material 100 to be treated to have specific electrical and physical properties, nitrogen (N), neon (Ne), argon (Ar), and xenon depending on the material 100 to be treated and the desired final specific electrical and physical properties. Inert gases such as (Xe), hydrogen (H), helium (He), etc. or active gases such as nitrogen (As), phosphorus (P), arsenic (As), antimony (Sb), bismuth (Bi), etc. Both mixtures of gases, mixtures of inert gases and active gases, and mixtures of respective active gases may be applied.

또한, 상기 가스 공급부(20)는 가스 저장소로부터의 처리 가스가 상기 반응기(30)의 내부로 인입되도록 하는 경로를 제공하는 가스 공급관(22)과, 상기 가스 공급관(22)의 사이에 개재되어 상기 처리 가스가 상기 반응기(30) 내부로 강제 주입되도록 주입력을 발생함과 더불어 상기 처리 대상 소재(100)의 원하는 전기적, 물리적 특성으로의 변환을 위해 상기 처리 가스의 주입량을 조절하는 기능을 수행하는 주입 콤프레셔(24)를 포함하여 구성된다.In addition, the gas supply unit 20 is interposed between the gas supply pipe 22 and the gas supply pipe 22 which provides a path for introducing the processing gas from the gas reservoir into the reactor 30, In addition to generating an injection force such that a processing gas is forcibly injected into the reactor 30, a function of adjusting an injection amount of the processing gas to convert the processing gas into desired electrical and physical properties of the material 100 to be processed is performed. It is configured to include an injection compressor (24).

상기 반응기(30)는 일정 길이를 갖는 원형, 원반형, 사각형 중 선택되는 어느 하나의 외형을 갖도록 배치된다. The reactor 30 is disposed to have an outer shape selected from a circle, a disc, and a rectangle having a predetermined length.

상기 반응기(30)는 그 전면(상기 소재 공급부(10) 및 가스 공급부(20)가 설치된 위치)에 해당 몸체의 전면을 외부로부터 밀폐시키기 위한 전면 차폐부(32)가 설치되고, 그 후면(즉, 상기 수취부(60)가 설치된 위치)에 해당 몸체의 후면을 외부로부터 밀폐시키기 위한 후면 차폐부(36)가 설치되어 있다. The reactor 30 is provided with a front shield 32 for sealing the front of the body from the outside on its front surface (where the material supply unit 10 and the gas supply unit 20 are installed), and the rear surface of the reactor 30. In the position where the receiver 60 is installed, a rear shield 36 is provided to seal the rear of the body from the outside.

상기 반응기(30)의 전면 차폐부(32)에는 처리 대상 소재(100) 및 처리 가스가 각각 인입되는 인렛(Inlet)부(42)가 해당 전면 차폐부(32)를 관통하여 몸체의 내부와 연통되어 있다. 또한, 상기 반응기(30)의 후면 차폐부(36)에는 수취부(60)와 연결되어 있는 아웃렛(Outlet)부(44)가 해당 후면 차폐부(36)를 관통하여 반응기(30) 내부와 연통되어 있다. Inlet portion 42 through which the material 100 and the processing gas are introduced into the front shield 32 of the reactor 30 passes through the front shield 32 to communicate with the inside of the body. It is. In addition, the outlet shield 44 connected to the receiving unit 60 is connected to the rear shield 36 of the reactor 30 through the rear shield 36 to communicate with the inside of the reactor 30. It is.

상기 인렛부(42)는 상기 처리 대상 소재(100)를 공급하는 소재 공급관(12)과 연결됨과 동시에, 상기 처리 가스를 공급하는 가스 공급관(22)과도 함께 연결되어 있기 때문에 상기 처리 대상 소재(100) 및 처리 가스의 혼합물을 인입하여 상기 반응기(30)의 내부로 공급해주는 역할을 한다.The inlet part 42 is connected to the material supply pipe 12 for supplying the processing target material 100 and is also connected to the gas supply pipe 22 for supplying the processing gas. ) And a mixture of process gases are introduced to feed into the reactor 30.

이때, 상기 인렛부(42)는 상기 소재 공급관(12) 및 상기 가스 공급관(22)과 공통 연결되어 처리 대상 소재(100) 및 처리 가스의 혼합물을 단일의 경로를 통해 유입 받도록 하고 있지만, 본 발명은 이에 한정되지는 않는 것으로서 소재 공급관(12)과 연결되는 인렛부와, 가스 공급관(22)과 연결되는 인렛부를 각각 별도로 구비하여 처리 대상 소재(100)와 처리 가스가 각기 별도의 인렛부를 통해 서로 분리된 상태에서 유입되어 상기 반응기(30) 내에서 혼합되도록 하는 것도 얼마든지 가능함은 물론이다. In this case, the inlet part 42 is connected in common with the material supply pipe 12 and the gas supply pipe 22 to receive a mixture of the material 100 to be processed and the processing gas through a single path, but the present invention Is not limited thereto, and the inlet part connected to the material supply pipe 12 and the inlet part connected to the gas supply pipe 22 are separately provided so that the material 100 to be treated and the processing gas are separated from each other through separate inlet parts. Of course, it is also possible to be introduced in a separated state to be mixed in the reactor (30).

또한, 상기 반응기(30)는 그 전면 및 후면에 각각 전면 차폐부(32) 및 후면 차폐부(36)가 반응기 몸체와는 별도 부재로서 내부 밀폐가 가능하게 결합되는 구조를 갖도록 설명하고 있지만, 본 발명은 이에 한정되지는 않는 것으로서 전면 차폐면 및 후면 차폐면이 해당 반응기(30)의 외피와 동일한 재질을 갖고서 일체로 구성되도록 하는 것도 얼마든지 가능하다. In addition, the reactor 30 has been described to have a structure in which the front shield 32 and the rear shield 36 on the front and rear, respectively, as a separate member from the reactor body to enable an internal seal. The present invention is not limited thereto, and the front shielding surface and the rear shielding surface may be integrally formed with the same material as the shell of the reactor 30.

따라서, 상기 반응기(30)는 상기 인렛부(42)를 통해 공급되는 처리 대상 소재(100) 및 처리 가스의 혼합물이 해당 몸체 내부를 따라 통과하면서 상기 전원 공급부(50)와 연결되어 있는 전극으로부터 발생되는 고전압에 의한 플라즈마 방전으로 이온 반응이 일어나서 전기적, 물리적인 특성 변화가 이루어지게 되는 것이다. Accordingly, the reactor 30 is generated from an electrode connected to the power supply 50 while a mixture of the material 100 to be processed and the processing gas supplied through the inlet portion 42 passes along the inside of the body. The ionic reaction occurs due to the plasma discharge caused by the high voltage, and the electrical and physical properties are changed.

상기 아웃렛부(44)는 상기 반응기(30)의 중심부를 통과하면서 플라즈마 방전에 의한 반응으로 전기적, 물리적 특성 변화가 이루어져 균질화된 처리 물질을 배출하여 상기 수취부(60)로 보내는 역할을 수행한다.The outlet portion 44 serves to discharge the homogenized treatment material through the central portion of the reactor 30 by reaction of plasma discharge and to send the homogenized treatment material to the receiving portion 60.

바람직하게, 도 1에서는 상기 인렛부(42)가 반응기(30)의 외측 일부를 관통하여 배치되고, 상기 아웃렛부(44)가 반응기(30)의 중심부를 관통하여 배치되었으나, 처리채널(56)의 배치 위치에 따라 인렛부(42) 및 아웃렛부(44)의 배치 위치도 각각 달라지게 된다.Preferably, in FIG. 1, the inlet portion 42 is disposed to penetrate the outer portion of the reactor 30, and the outlet portion 44 is disposed to penetrate the central portion of the reactor 30. The arrangement positions of the inlet portion 42 and the outlet portion 44 also vary depending on the arrangement position of the.

또한, 상기 반응기(30)는 원통 형상의 보호 외피가 외부 실린더의 기능을 가지고 있고, 그 내부에는 그 일단 및 타단이 각각 상기 전면 차폐부(32) 및 후면 차폐부(36)와 고정적으로 결합되어 있는 원형 또는 원반형의 내부 실린더(40)가 설치되어 있으며, 상기 외부 실린더와 상기 내부 실린더(40)의 사이에는 상기 인렛부(42)로부터 아웃렛부(44)까지 연통되어 있음과 동시에, 상기 전원 공급부(50)의 양단과 각각 통전 가능하게 연결되어 있는 제1 및 제2전극부(52)(54)와, 처리 대상 소재(100) 및 처리 가스가 각각 통과하는 처리 채널(56)이 회오리 형상에 따라 연속적으로 배치된 내부 공간부(31)를 갖추고 있다.In addition, the reactor 30 has a cylindrical outer shell having a function of an outer cylinder, and one end and the other end of the reactor 30 are fixedly coupled to the front shield 32 and the rear shield 36, respectively. A circular or disc shaped inner cylinder 40 is provided, and is communicated between the inlet portion 42 and the outlet portion 44 between the outer cylinder and the inner cylinder 40, and at the same time, the power supply portion The first and second electrode portions 52 and 54, which are electrically connected to both ends of the 50, and the processing channel 56 through which the material 100 and the processing gas pass, respectively, are formed in a tornado shape. The inner space 31 is provided continuously.

즉, 상기 내부 공간부(31) 내에서 상기 제1전극부(52)와 제2전극부(54)는 상하로 일정 이격 거리를 두고 해당 내부 공간부(31)의 전면으로부터 후면까지 상기 내부 실린더(40)의 원형 또는 원반형 외면을 따라 회오리 형상의 처리 채널(56)에 대응하여 길게 연장되어 고정 설치된다.That is, in the inner space 31, the first electrode 52 and the second electrode 54 are spaced apart vertically from the front to the rear of the inner space 31 by the inner cylinder. Along the circular or disk-shaped outer surface of 40, it is elongated and fixedly installed corresponding to the whirlwind processing channel 56.

이때, 상기 제1전극부(52) 및 상기 제2전극부(54)는 상면과 하면 전체에 대하여 평판으로 구성되어 있으나, 경우에 따라 처리 채널(56)이 형성되어 있는 부분의 상면 또는 하면에만 선택적으로 형성할 수 있다.At this time, the first electrode portion 52 and the second electrode portion 54 are formed of a flat plate with respect to the entire upper and lower surfaces, but in some cases, only the upper or lower surface of the portion where the processing channel 56 is formed. May be optionally formed.

또한, 도 2에 도시된 바와 같이 상기 처리 채널(56)은 회오리 형상으로 이동 경로에 따라 일정 길이의 폭을 갖도록 길게 형성함으로써 반응기(30) 내에서 충분한 플라즈마 반응 시간을 확보하게 된다. 특히, 상기 처리 채널(56) 구조를 회오리 형상으로 하는 이유는 처리 소재가 통과하는 관의 굴곡을 줄여서 처리 소재의 흐름을 용이하게 하기 위함이다.In addition, as shown in FIG. 2, the treatment channel 56 is formed in a whirlwind shape so as to have a width of a predetermined length along a moving path, thereby ensuring sufficient plasma reaction time in the reactor 30. In particular, the reason why the structure of the processing channel 56 is tornado is to reduce the bending of the tube through which the processing material passes, to facilitate the flow of the processing material.

또, 상기 처리 채널(56)은 동일 시간에 처리율을 향상시키고, 생산량을 증대시키기 위해 처리 채널을 더 추가하여 배치할 수 있다.In addition, the processing channel 56 may be further arranged to further increase the throughput and increase the throughput at the same time.

상기 전원 공급부(50)는 각 양단이 전원선을 통해 상기 반응기(30) 내부에 배치된 제1 및 제2전극부(52)(54)과 통전 가능하게 연결된 상태에서 고전압의 교류 전압이 인가된다. The power supply unit 50 is applied with a high voltage AC voltage in a state where both ends thereof are electrically connected to the first and second electrode units 52 and 54 disposed inside the reactor 30 through a power line. .

그에 따라, 상기 제1 및 제2전극부(52)(54)는 일정한 주기로 서로 극성이 반전되어 고전압을 공급하기 때문에 해당 제1전극부(52)와 제2전극부(54) 사이에 각각 형성되어 있는 처리 채널(56) 내부에 플라즈마 방전이 발생되어 해당 처리 채널(56)의 이동 경로에 따라 각각 통과하는 처리 대상 소재(100) 및 처리 가스의 혼합물에 이온 반응이 이루어지면서 처리 대상 소재(100)의 전기적, 물리적 특성 변화가 유발된다. Accordingly, the first and second electrode parts 52 and 54 are formed between the first electrode part 52 and the second electrode part 54 because the polarities are inverted from each other at regular intervals to supply a high voltage. Plasma discharge is generated inside the processing channel 56, and an ion reaction is performed to the mixture of the processing target material 100 and the processing gas, respectively, which pass along the movement path of the processing channel 56. ) Electrical and physical properties change.

상기 수취부(60)는 상기 반응기(30)의 중심부에 배치된 아웃렛부(44)를 통해 연결되고서, 해당 반응기(30) 내의 플라즈마 처리에 따라 전기적, 물리적 특성으로 변환되어 균질화된 처리 소재를 상기 아웃렛부(44)를 통해 수취하게 된다. The receiving unit 60 is connected through an outlet unit 44 disposed at the center of the reactor 30, and converted into an electrical and physical property according to the plasma treatment in the reactor 30 to homogenize the treated material. The outlet 44 is received.

상기 수취부(60)에 수취된 처리 소재는 해당 소재의 종류, 특성 변화 상태, 소재의 적용 분야에 따라 각종의 다양한 소자나 부품 또는 제품으로 생산할 수 있다.
The treated material received by the receiving unit 60 may be produced in various various elements, parts or products according to the type of the material, the state of change of properties, and the field of application of the material.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 전체적인 구조를 나타낸 개략 단면도이고, 도 4는 도 3에 도시된 처리 소재의 이동 경로를 나타낸 도면이다.3 is a schematic cross-sectional view showing the overall structure of a plasma processing apparatus according to another embodiment of the present invention, Figure 4 is a view showing a movement path of the processing material shown in FIG.

도 3에 도시된 플라즈마 처리 장치는 도 1의 구성 요소와 일부 유사하지만, 구조 상의 차이점만을 설명하기로 한다.Although the plasma processing apparatus shown in FIG. 3 is partially similar to the components of FIG. 1, only the differences in structure will be described.

도 1에서는 상기 인렛부(42)가 반응기(30)의 외측 일부에 배치되고, 상기 아웃렛부(44)가 반응기(30)의 중심부를 관통하여 배치되었으나, 도 3에서는 상기 인렛부(42) 및 아웃렛부(44)가 반응기(30)의 외부로 돌출되어 각각 배치되어 있다.In FIG. 1, the inlet portion 42 is disposed outside a portion of the reactor 30, and the outlet portion 44 is disposed through the center of the reactor 30. In FIG. 3, the inlet portion 42 and The outlet portions 44 protrude out of the reactor 30 and are disposed respectively.

상기 반응기(30)는 원통 형상의 보호 외피가 외부 실린더의 기능을 가지고 있고, 그 내부에는 그 일단 및 타단이 각각 상기 전면 차폐부(32) 및 후면 차폐부(36)와 고정적으로 결합되어 있는 원형 또는 사각형의 내부 실린더(40)가 설치되어 있으며, 상기 외부 실린더와 상기 내부 실린더(40)의 사이에는 상기 인렛부(42)로부터 아웃렛부(44)까지 연통되어 있음과 동시에, 상기 전원 공급부(50)의 양단과 각각 통전 가능하게 연결되어 있는 제1 및 제2전극부(52)(54)와, 처리 대상 소재(100) 및 처리 가스가 각각 통과하는 처리 채널(56)이 지그재그 형상을 따라 연속적으로 배치된 내부 공간부(31)를 갖추고 있다. The reactor 30 has a cylindrical protective shell having the function of an outer cylinder, and one end and the other end of the reactor 30 is fixedly coupled to the front shield 32 and the rear shield 36, respectively. Alternatively, a rectangular inner cylinder 40 is provided, and the power supply unit 50 communicates between the outer cylinder and the inner cylinder 40 from the inlet portion 42 to the outlet portion 44. The first and second electrode portions 52 and 54 which are electrically connected to both ends of the c), and the processing channel 56 through which the material 100 and the processing gas pass, respectively. The inner space 31 is arranged.

이때, 상기 제1전극부(52)와 상기 제2전극부(54)는 상면과 하면 전체에 대하여 평판으로 구성되어 있으나, 경우에 따라 처리 채널(56)이 형성되어 있는 부분의 상면과 하면에만 각각 선택적으로 형성할 수 있다.At this time, the first electrode portion 52 and the second electrode portion 54 are formed on the upper surface and the lower surface as a whole, but in some cases only the upper and lower surfaces of the portion where the processing channel 56 is formed Each may be selectively formed.

또한, 상기 처리 채널(56)은 지그재그 형상으로 일정 길이를 갖게 형성함으로써 충분한 플라즈마 반응 시간을 확보할 수 있게 된다. 특히, 상기 처리 채널(56) 형상을 지그재그 형상으로 하는 이유는 플라즈마 방전에 의한 처리 소재의 반응 시간을 충분히 확보함으로써 원하는 전기적, 물리적 특성이 균질화된 소재를 얻을 수 있게 된다. In addition, the processing channel 56 may be formed to have a predetermined length in a zigzag shape to ensure sufficient plasma reaction time. In particular, the reason why the shape of the processing channel 56 is zigzag is to sufficiently secure the reaction time of the processing material by plasma discharge, thereby obtaining a material having homogeneous desired electrical and physical properties.

이때, 도 4에서와 같이 이송관을 통한 처리 소재의 흐름 방향을 변경하는 부분, 즉 라운드 형상(R) 부분은 처리 소재의 흐름을 용이하게 하기 위함이다. In this case, as shown in FIG. 4, the portion for changing the flow direction of the processing material through the transfer pipe, that is, the round shape R portion, is for facilitating the flow of the processing material.

또, 상기 처리 채널(56)은 동일 시간에 처리율을 향상시키고, 생산량을 증대시키기 위해 처리 채널을 더 추가하여 배치할 수 있다. 그리고, 상기 처리 채널(56)은 적어도 1개 이상의 관으로 형성되어 있다.
In addition, the processing channel 56 may be further arranged to further increase the throughput and increase the throughput at the same time. The processing channel 56 is formed of at least one tube.

도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치의 전체적인 구조를 나타낸 개략 단면도이고, 도 6은 도 5에 도시된 처리 소재의 이동 경로를 상세히 나타낸 도면이다.5 is a schematic cross-sectional view showing the overall structure of a plasma processing apparatus according to another embodiment of the present invention, Figure 6 is a view showing in detail the movement path of the processing material shown in FIG.

도 5에 도시된 바와 같이, 반응기(30)는 원통 형상의 보호 외피가 외부 실린더의 기능을 가지고 있고, 그 내부에는 그 일단 및 타단이 각각 상기 전면 차폐부(32) 및 후면 차폐부(36)와 고정적으로 결합되어 있는 원형 또는 사각형의 내부 실린더(40)가 설치되어 있으며, 상기 외부 실린더와 상기 내부 실린더(40)의 사이에는 상기 인렛부(42)로부터 아웃렛부(44)까지 연통되어 있음과 동시에, 상기 전원 공급부(50)의 양단과 각각 통전 가능하게 처리채널(56)을 사이에 두고 마주보면서 대응하도록 배치된 제1 및 제 2전극부(52)(54)가 설치되며, 처리 대상 소재(100) 및 처리 가스가 각각 통과하는 처리 채널(56)이 지그재그 형상을 따라 연속적으로 배치된 내부 공간부(31)를 갖추고 있다.As shown in FIG. 5, the reactor 30 has a cylindrical outer shell having the function of an outer cylinder, and one end and the other end thereof have the front shield 32 and the rear shield 36, respectively. A circular or rectangular inner cylinder 40 which is fixedly coupled to the inner cylinder 40, and is communicated from the inlet portion 42 to the outlet portion 44 between the outer cylinder and the inner cylinder 40. At the same time, the first and second electrode portions 52 and 54 are disposed to face each other while facing each other with the processing channel 56 interposed therebetween so as to enable electricity to be supplied to both ends of the power supply unit 50. A processing channel 56 through which the 100 and the processing gas pass, respectively, is provided with an internal space 31 in which the processing channels 56 are continuously arranged along the zigzag shape.

즉, 도 6에 도시된 바와 같이 상기 제1전극부(52)와 상기 제2전극부(54)는 처리채널(56)을 사이에 두고 각각 대응하여 다수개가 배치되어 있으며, 처리채널(56)의 이동 경로를 따라 처리 소재가 흐르게 된다. That is, as shown in FIG. 6, a plurality of the first electrode part 52 and the second electrode part 54 are disposed correspondingly with the processing channel 56 interposed therebetween, and the processing channel 56 is disposed. The treatment material flows along the movement path of.

또한, 상기 제1전극부(52)와 상기 제2전극부(54)는 수직방향으로 일정 길이를 갖도록 쌍으로 다수 개로 형성함으로써 충분한 플라즈마 반응 시간을 갖게 된다. In addition, the first electrode part 52 and the second electrode part 54 have a sufficient plasma reaction time by forming a plurality of pairs to have a predetermined length in the vertical direction.

이때, 소재의 흐름 방향을 변경하는 부분(즉 라운드 형상 부분)(R)은 처리 채널 내부에서 소재의 흐름을 용이하게 하기 위함이다. 따라서, 플라즈마 방전에 의한 소재의 반응 시간을 충분히 확보함으로써 원하는 전기적, 물리적 특성이 균질화된 소재를 얻을 수 있게 된다.
At this time, the portion (that is, round-shaped portion) (R) for changing the flow direction of the material is to facilitate the flow of the material inside the processing channel. Therefore, by sufficiently securing the reaction time of the material by the plasma discharge, it is possible to obtain a material in which the desired electrical and physical properties are homogeneous.

이상과 같이, 상기에서 본 발명의 특정한 실시 예가 설명 및 도시되었지만, 본 발명이 당업자에 의해 다양하게 변형되어 실시될 가능성이 있는 것은 자명한 일이다. 이와 같은 변형된 실시 예들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해 되어서는 안되며, 본 발명에 첨부된 청구범위 안에 속한다고 해야 할 것이다.
As described above, although specific embodiments of the present invention have been described and illustrated, it is obvious that the present invention may be variously modified and implemented by those skilled in the art. Such modified embodiments should not be understood individually from the technical spirit or the prospect of the present invention, but should fall within the claims appended to the present invention.

10 : 소재 공급부 12 : 소재 공급관
14 : 공급량 조절기 20 : 가스 공급부
22 : 가스 공급관 24 : 주입 콤프레셔
30 : 반응기 31 : 내부 공간부
32 : 전면 차폐부 36 : 후면 차폐부
42 : 인렛부 44 : 아웃렛부
50 : 전원 공급부 52,54 : 제 1 및 제 2전극부
56 : 처리 채널 60 : 수취부10: material supply unit 12: material supply pipe
14: supply amount regulator 20: gas supply unit
22 gas supply pipe 24 injection compressor
30 reactor 31 internal space part
32: front shield 36: rear shield
42: inlet part 44: outlet part
50: power supply 52, 54: first and second electrode
56: processing channel 60: receiving unit

Claims

In addition to having an inlet portion at one end and an outlet portion at the other end, a treatment target material and a processing gas supplied into the reactor through the inlet portion by a power applied from a power supply portion are plasma-reacted and carried out through the outlet portion. A plasma processing apparatus for receiving a substance,
A reactor through which the material to be processed and the processing gas supplied through the inlet part are processed while passing along the movement path of the processing channel formed to have a predetermined length in a whirlwind shape, and the homogenized material is taken out through the outlet part; And first and second electrodes having different polarities respectively connected to both ends of the power supply unit corresponding to the tornado processing channel formed on the outlet side from the inlet side of the reactor, respectively. And first and second electrode portions for supplying a high voltage at a predetermined period to generate a plasma discharge reaction in the processing channel into which the processing gas is injected.
The inlet portion and the outlet portion are respectively installed in any one portion of the reactor through the first or second electrode portion,
And the first and second electrode portions are formed as flat plates on the entire upper or lower surface of the processing channel.

delete

The method of claim 1,
And the processing channel is at least one.

delete

In addition to having an inlet portion at one end and an outlet portion at the other end, the treatment target material and the processing gas supplied into the reactor through the inlet portion by the power applied from the power supply portion are plasma-reacted and carried out through the outlet portion. A plasma processing apparatus for receiving a substance,
A reactor through which the material to be processed and the processing gas supplied through the inlet part are processed while passing along the movement path of the processing channel formed to have a predetermined length in a zigzag shape and the homogenized material is carried out through the outlet part; And first and second electrodes having different polarities, respectively connected to both ends of the power supply unit, corresponding to a zigzag-shaped processing channel formed at an outlet side from an inlet side of the reactor, respectively. And first and second electrode parts for supplying a high voltage at a predetermined period to generate a plasma discharge reaction in the processing channel into which the processing gas is injected.
The treatment channel is formed in a round shape of the direction change portion of the treatment material flow,
And a plurality of first and second electrode portions disposed to face each other with processing channels interposed therebetween.

delete

6. The plasma processing device of claim 1 or 5, wherein the reactor is any one selected from a circle, a disc, and a rectangle.

The process gas according to claim 1 or 5, wherein the process gas is any one selected from an inert gas or an active gas, a mixture of respective inert gases, a mixture of inert gases and active gases, and a mixture of respective active gases. Consisting of a plasma processing apparatus.