KR101363921B1 - Support equipment and method for calibrating the position - Google Patents

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KR101363921B1 KR1020110046814A KR20110046814A KR101363921B1 KR 101363921 B1 KR101363921 B1 KR 101363921B1 KR 1020110046814 A KR1020110046814 A KR 1020110046814A KR 20110046814 A KR20110046814 A KR 20110046814A KR 101363921 B1 KR101363921 B1 KR 101363921B1
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    • B23Q11/0007—Arrangements for preventing undesired thermal effects on tools or parts of the machine by compensating occurring thermal dilations

Abstract

본 발명은 지지 장치 및 이를 이용한 위치 보정 방법에 관한 것으로, 특히 피지지물을 지지하는 지지 장치에 있어서, 소정의 장소에 고정되어 상기 피지지물을 지지하는 지지 부재와, 상기 지지 부재에 장착되어 상기 지지 부재의 열적 변화를 측정하는 센서와, 상기 지지 부재에 결합되어 상기 지지 부재의 열적 변화를 조절하는 온도 조절 소자와, 상기 센서가 측정한 측정치에 따라서 상기 지지 부재의 열적 변화를 상쇄하도록 상기 온도 조절 소자를 제어하는 제어부를 포함한다. The present invention relates to a support device and a position correction method using the same, and more particularly, to a support device for supporting a supported object, the support member being fixed to a predetermined place to support the supported object, and the support member mounted to the support member. A sensor for measuring a thermal change of the member, a temperature regulating element coupled to the support member to adjust the thermal change of the support member, and the temperature adjustment to offset the thermal change of the support member in accordance with the measurement measured by the sensor It includes a control unit for controlling the device.

Description

지지 장치 및 이를 이용한 위치 보정 방법{Support equipment and method for calibrating the position} Supporting device and method for calibrating position using same {Support equipment and method for calibrating the position}

본 발명은 지지 장치 및 이를 이용한 위치 보정 방법에 관한 것으로, 상세하게는 지지된 피지지물의 위치 변형 및 어긋남을 자동으로 보정할 수 있는 지지 장치 및 이를 이용한 위치 보정 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a support device and a position correction method using the same, and more particularly, to a support device and a position correction method using the same that can automatically correct the position deformation and displacement of the supported object.

카메라, 현미경, 망원경, 전파 망원경 및 레이더의 장비는, 렌즈나 반사경 등을 구비하며, 이러한 렌즈나 반사경은 지지 장치에 단단히 지지되어 소망의 현상을 촬상하거나 측정을 하는 역할을 수행한다. Equipment of cameras, microscopes, telescopes, radio telescopes and radars includes a lens or reflector, which is firmly supported by a support device to perform imaging or measurement of a desired phenomenon.

도 1은 종래 기술에 따른 지지 장치에 피지지물을 고정시킨 상태를 도시한 사시도이다. 종래 기술에 따른 지지 장치(10)는 적어도 3 지점 이상에서 구비되고, 피지지물(20)은 이러한 지지 장치(10)에 의해 안정적으로 지지된다. 지지 장치(10)가 안정적으로 고정되지 않을 경우에는, 초점이 달라지거나 흔들리게 되어 소망하는 역할을 수행하기 어려워진다. 1 is a perspective view illustrating a state in which a supported object is fixed to a supporting device according to the prior art. The supporting device 10 according to the prior art is provided at at least three points or more, and the supported object 20 is stably supported by this supporting device 10. If the support device 10 is not fixed stably, the focus may be changed or shaken, making it difficult to play a desired role.

이러한 지지 장치(10)는 온도가 올라가면 열팽창되며, 온도가 내려가면 열수축된다. 예컨대, 지지 장치(10) 중 어느 하나의 온도가 변하는 경우에는 상기 지지 장치(10)의 열팽창 또는 열수축에 의하여 피지지물(20)이 본래의 정확한 위치에서 벗어나게 된다. 이에 따라 렌즈나 카메라 등의 피지지물(20)은 초점이 어긋나게 되며, 피지지물(20)의 초점이 달라지게 되면 소망 대상의 정확한 촬상이나 측정이 불가능해진다. The support device 10 is thermally expanded when the temperature rises, and is thermally contracted when the temperature decreases. For example, when the temperature of any one of the supporting devices 10 changes, the supported object 20 is deviated from its original correct position by thermal expansion or thermal contraction of the supporting device 10. As a result, the supported object 20 such as a lens or a camera is out of focus, and if the focused object 20 is changed in focus, accurate imaging or measurement of a desired object becomes impossible.

본 발명의 기술적 과제는, 위치 변형 및 어긋남을 자동으로 보정하는 지지 장치 및 이를 이용한 위치 보정 방법을 제공하는 것에 있다. The technical problem of this invention is providing the support apparatus which automatically corrects position distortion and a shift | offset, and the position correction method using the same.

또한, 지지 장치의 국부적인 온도 차이에 의한 열팽창 또는 열수축을 자동으로 보정하여, 렌즈나 반사경 등의 피지지물의 초점을 안정적으로 유지하므로, 피지지물에 의한 정확한 촬상이나 측정이 가능한 지지 장치 및 이를 이용한 위치 보정 방법을 제공하는 것에 있다. In addition, by automatically correcting the thermal expansion or thermal contraction due to the local temperature difference of the support device to maintain a stable focus of the support object such as a lens or reflector, a support device capable of accurate imaging or measurement by the support object and using the same It is to provide a position correction method.

본 발명의 실시 형태는 피지지물을 지지하는 지지 장치로서, 소정의 장소에 고정되어 상기 피지지물을 지지하는 지지 부재와, 상기 지지 부재에 장착되어 상기 지지 부재의 열적 변화를 측정하는 센서와, 상기 지지 부재에 결합되어 상기 지지 부재의 열적 변화를 조절하는 온도 조절 소자와, 상기 센서가 측정한 측정치에 따라서 상기 지지 부재의 열적 변화를 상쇄하도록 상기 온도 조절 소자를 제어하는 제어부를 포함한다. An embodiment of the present invention is a support device for supporting a supported object, comprising: a support member fixed at a predetermined position to support the supported object, a sensor attached to the support member to measure a thermal change of the support member, A temperature control element coupled to the support member to adjust the thermal change of the support member, and a control unit to control the temperature control element to cancel the thermal change of the support member according to the measured value measured by the sensor.

상기 지지 부재는, 소정의 장소에 고정되는 고정부와, 상기 고정부와 상기 피지지물을 연결하는 지지축와, 상기 고정부와 상기 지지축을 관통하는 연결 파이프를 포함한다. The support member includes a fixing portion fixed to a predetermined place, a supporting shaft connecting the fixing portion and the supported object, and a connecting pipe passing through the fixing portion and the supporting shaft.

또한 본 발명의 실시 형태는 피지지물을 지지하는 지지 부재의 위치 보정 방법으로서, 상기 지지 부재에 장착된 센서로 열적 변화를 측정하는 과정과, 상기 측정된 열적 변화량이 상쇄되도록 하는 보정량을 산출하는 과정과, 온도 조절 소자를 조절하여 상기 산출된 보정량에 따라 상기 지지 부재를 보정하는 과정을 포함한다.In addition, an embodiment of the present invention is a method for correcting the position of a support member for supporting a supported object, the process of measuring the thermal change with a sensor mounted on the support member, the process of calculating the correction amount to cancel the measured thermal change amount And adjusting the temperature adjusting element to correct the support member according to the calculated correction amount.

본 발명의 실시 형태의 지지 장치 및 이를 이용한 위치 보정 방법에 따르면, 지지 부재에 센서를 장착하고, 센서에서 측정된 온도 또는 변형량에 따라 피지지물 주위의 국부적인 온도 차이에 의한 열팽창 또는 열수축을 제어할 수 있다. According to the support apparatus and the position correction method using the same according to the embodiment of the present invention, the sensor is mounted on the support member, and the thermal expansion or thermal contraction due to the local temperature difference around the support is controlled according to the temperature or the deformation amount measured by the sensor. Can be.

또한 피지지물 주위의 국부적인 온도 차이에 의한 열팽창 또는 열수축을 제어하여 렌즈나 반사경 등의 피지지물의 위치의 변형 및 어긋남을 자동으로 보정함으로써, 피지지물을 정확한 위치에 안정적으로 위치시킬 수 있다. 이로부터, 피지지물에 의한 정확한 촬상이나 측정이 가능하다. In addition, by controlling the thermal expansion or thermal contraction due to the local temperature difference around the supported object to automatically correct the deformation and shift of the position of the supported object such as a lens or a reflector, the supported object can be stably positioned at the correct position. From this, accurate imaging and measurement by the supported object can be performed.

도 1은 종래 기술에 따른 지지 장치에 피지지물을 고정시킨 상태를 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 지지 장치에 피지지물을 고정시킨 상태를 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 지지 장치의 일부를 분해하여 도시한 도면이다
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 지지 장치의 동작을 나타내기 위한 개념도이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 지지 장치에서 사용되는 온도 조절 소자를 나타내는 개념도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 지지 장치에서 사용되는 온도 조절 소자를 나타내는 개념도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 지지 장치에서 사용되는 온도 조절 소자의 개념도이다.1 is a perspective view illustrating a state in which a supported object is fixed to a supporting device according to the prior art.
2 is a perspective view illustrating a state in which a supported object is fixed to a support device according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is an exploded view illustrating a part of a supporting device according to an embodiment of the present invention.
4 is a conceptual diagram illustrating an operation of a support device according to an embodiment of the present invention.
5 is a conceptual diagram illustrating a temperature control element used in a supporting apparatus according to an embodiment of the present invention.
6 is a conceptual diagram illustrating a temperature control element used in a supporting apparatus according to another embodiment of the present invention.
7 is a conceptual diagram of a temperature control element used in a supporting apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. Wherein like reference numerals refer to like elements throughout.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 지지 장치에 피지지물을 고정시킨 상태를 도시한 사시도이며, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 지지 장치의 일부를 분해하여 도시한 도면이다.2 is a perspective view illustrating a state in which a supported object is fixed to a support device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an exploded view illustrating a part of the support device according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 실시 예에 따른 피지지물을 지지하는 지지 장치(100)는, 소정의 장소에 고정되어 상기 피지지물(200)을 지지하는 지지 부재(110), 상기 지지 부재(110)에 장착되어 상기 지지 부재(110)의 열적 변화를 측정하는 센서(120), 상기 지지 부재(110)에 결합되어 상기 지지 부재(110)의 열적 변화를 조절하는 온도 조절 소자(140) 및 상기 센서(120)가 측정한 측정치에 따라서 상기 지지 부재(110)의 열적 변화를 상쇄하도록 상기 온도 조절 소자(140)를 제어하는 제어부(미도시)를 포함한다. The support device 100 for supporting a support object according to an embodiment of the present invention is fixed to a predetermined place to support the support member 200, the support member 110, the support member 110 is mounted to the Sensor 120 for measuring the thermal change of the support member 110, the temperature control element 140 and the sensor 120 is coupled to the support member 110 to adjust the thermal change of the support member 110 And a controller (not shown) for controlling the temperature adjusting element 140 to cancel the thermal change of the support member 110 according to the measured value.

지지 부재(110)는 소정의 장소에 설치되어 고정되며, 적어도 3개 이상이 구비되어 피지지물(200)을 지지한다. 상기 복수의 지지 부재(110)는 피지지물(200)을 단단히 그리고 안정적으로 지지해야 하므로, 일반적으로 금속이나 플라스틱, 또는 세라믹 등을 포함하여 제작된다. The support member 110 is installed and fixed at a predetermined place and provided with at least three or more to support the supported object 200. Since the plurality of support members 110 must firmly and stably support the supported object 200, the plurality of support members 110 are generally made of metal, plastic, ceramics, or the like.

도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 지지 부재(110)는, 소정의 장소에 고정되는 고정부(111), 상기 고정부(111)와 상기 피지지물(200) 사이에 위치하는 지지축(112) 및 상기 고정부(111)와 상기 지지축(112)을 관통하는 연결 파이프(113)를 포함한다. Referring to FIG. 3, the support member 110 according to an exemplary embodiment of the present invention may include a fixing part 111 fixed to a predetermined place, and a support positioned between the fixing part 111 and the supported object 200. And a connecting pipe 113 passing through the shaft 112 and the fixing part 111 and the support shaft 112.

고정부(111)는 가운데가 비어 있는 삼각형의 형상을 하고, 상기 삼각형의 하측에는 플레이트가 형성된다. 상기 플레이트의 일면은 지지면과 접하며, 상부에는 소정 면적을 가지는 연결부가 형성되며 연결부에는 관통공이 형성된다. 상기 고정부(111)는 금속이나 플라스틱, 또는 세라믹 등의 재질로 제작된다. 상기 고정부(111)에서 지지면에 접하는 부분은 나사 고정이나 접착제 고정 방법 등을 이용하여 고정된다. The fixing part 111 has a triangular shape with an empty center, and a plate is formed under the triangle. One surface of the plate is in contact with the support surface, a connecting portion having a predetermined area is formed on the upper portion and a through hole is formed in the connecting portion. The fixing part 111 is made of a material such as metal, plastic, or ceramic. The portion in contact with the support surface in the fixing portion 111 is fixed using a screw fixing or adhesive fixing method.

지지축(112)은 원통 형상의 봉과, 그 일측에 형성된 소정의 두께를 가지는 원판을 구비한다. 상기 지지축(112)에서 상기 원판의 일면은 피지지물(200)과 접하며, 상기 원판의 타면 중심에는 원통 형상의 봉이 연결되고, 상기 원판 및 원통 형상의 봉을 관통하는 관통공이 형성된다. 상기 지지축(112)은 상기 고정부(111)와 상기 피지지물(200) 사이에 위치하며, 금속이나 플라스틱, 또는 세라믹 등의 재질로 제작된다. 상기 지지축(112)에서 상기 피지지물(200)에 접하는 부분은 나사 고정이나 접착제 고정 방법 등을 이용하여 체결된다. The support shaft 112 has a cylindrical rod and a disc having a predetermined thickness formed on one side thereof. One side of the disc in the support shaft 112 is in contact with the supported object 200, the cylindrical rod is connected to the center of the other surface of the disc, a through hole penetrating the disc and the cylindrical rod is formed. The support shaft 112 is located between the fixing part 111 and the supported object 200 and is made of a material such as metal, plastic, or ceramic. A portion of the support shaft 112 in contact with the supported object 200 is fastened using a screw fixing method or an adhesive fixing method.

연결 파이프(113)는 단면이 사각형인 봉 형상으로 상기 고정부(111)의 관통공 및 지지축(112)의 관통공에 삽입되어 접촉하며, 상기 고정부(111)와 지지축(112)을 연결하여 단단히 고정한다. 또한, 상기 연결 파이프(113)의 일측은 후술하는 온도 조절 소자(140)에 접한다. 상기 온도 조절 소자(140)와 접한 상기 연결 파이프(112)의 재질은, 열기 및 냉기를 고정부(111)와 지지축(112)에 신속하게 전달하기 위한 금속 재질, 특히 구리를 포함하여 제작되는 것이 바람직하다. The connection pipe 113 is inserted into and contacts the through hole of the fixing part 111 and the through hole of the support shaft 112 in the shape of a rod having a rectangular cross section, and connects the fixing part 111 and the support shaft 112 to each other. Connect and fix firmly. In addition, one side of the connection pipe 113 is in contact with the temperature control element 140 to be described later. The material of the connection pipe 112 in contact with the temperature control element 140 is made of a metal material, in particular copper, for quickly transferring the hot and cold air to the fixing portion 111 and the support shaft 112 It is preferable.

본 발명의 실시 예에 따른 지지 부재(110)는 고정부(111), 지지축(112) 및 연결 파이프(113)를 포함하여 구성되지만, 이와는 달리 도 1에 도시된 종래 기술과 같이 단일체로 구성될 수도 있으며, 복수의 부품이 조립되어 구성될 수도 있다. The support member 110 according to the embodiment of the present invention includes a fixing part 111, a support shaft 112, and a connecting pipe 113, but, alternatively, is composed of a unitary body as shown in FIG. In addition, the plurality of parts may be assembled and configured.

센서(120)는 상기 지지 부재(110)에 장착되며, 상기 지지 부재(110)의 열적 변화를 측정한다. 예를 들어, 상기 센서(120)로는 변형게이지를 사용할 수 있으며, 이러한 경우에 변형게이지는 상기 지지 부재(110)의 열팽창 또는 열수축시의 물리적 변형량, 즉 열적 변화량을 측정한다. 또한, 상기 센서(120)로는 서미스터 소자를 사용할 수 있으며, 이러한 경우에 서미스터 소자는 상기 지지 부재(110)의 온도를 측정한다. The sensor 120 is mounted on the support member 110, and measures a thermal change of the support member 110. For example, a strain gage may be used as the sensor 120. In this case, the strain gage measures a physical deformation amount, that is, a thermal change amount during thermal expansion or thermal contraction of the support member 110. In addition, a thermistor element may be used as the sensor 120. In this case, the thermistor element measures the temperature of the support member 110.

온도 조절 소자(140)는 상기 각각의 지지 부재(110)에 결합되며, 상기 지지 부재(110)를 열팽창 또는 열수축시킨다. 상기 온도 조절 소자(140)로는 가열 소자 및 냉각 소자를 결합한 복합 소자 또는 발열과 흡열 기능을 가지는 펠티어 소자 등을 사용할 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술한다. The temperature control element 140 is coupled to each of the support members 110, and thermally expands or contracts the support members 110. As the temperature regulating element 140, a composite element combining a heating element and a cooling element, or a Peltier element having a heat generation and an endothermic function may be used. A detailed description thereof will be described later.

제어부는 상기 센서(120)가 측정한 측정치에 따라서 상기 온도 조절 소자(140)를 제어한다. The controller controls the temperature adjusting element 140 according to the measured value measured by the sensor 120.

예컨대, 피지지물(200) 주위에 국부적인 온도차이가 발생한다. 피지지물(200)의 기준 온도는 20도, 기준 온도 20도인 경우를 기준으로 열변형율을 0%로 할 때, 예를 들어 3개의 지지 부재(110) 중에서 2개는 20도이고, 1개는 80도라면, 상기 80도인 지지 부재(110)의 고정부(111)와 지지부(112)는 각각 세로 방향과 가로 방향으로 열팽창되어 크기가 더 커진다. 따라서, 상기 80도인 지지 부재(110)는 세로 방향으로는 피지지물(200)의 지지하는 쪽을 상승시키며, 가로 방향으로는 상기 피지지물(200) 쪽으로 밀게 된다. 즉, 상기 80도인 지지 부재(110)의 열팽창에 의해 피지지물(200)의 위치가 변형되고 그 중심이 어긋나게 된다. 이에 따라 피지지물(200)이 렌즈 또는 반사경인 경우에는 초점이 달라지게 된다. For example, a local temperature difference occurs around the support 200. When the reference temperature of the object 200 is set to 20 degrees and the reference temperature is 20 degrees, when the thermal strain is 0%, for example, two of the three support members 110 are 20 degrees, and one is If the angle is 80 degrees, the fixing portion 111 and the support portion 112 of the support member 110, which is 80 degrees, are thermally expanded in the vertical direction and the horizontal direction, respectively, and are larger in size. Therefore, the support member 110, which is 80 degrees, raises the supporting side of the supported object 200 in the vertical direction and is pushed toward the supported object 200 in the horizontal direction. That is, the position of the supported object 200 is deformed by the thermal expansion of the support member 110 which is 80 degrees, and the center thereof is shifted. Accordingly, when the object 200 is a lens or a reflector, the focus is changed.

또한, 예를 들어 3개의 지지 부재(110) 중에서 2개는 20도이고, 1개는 -20도라면, 상기 80도인 지지 부재(110)의 고정부(111)와 지지부(112)는 각각 세로 방향과 가로 방향으로 열수축되어 크기가 더 작아진다. 따라서, 상기 -20도인 지지 부재(110)는 세로 방향으로는 피지지물(200)의 지지하는 쪽을 하강시키며, 가로 방향으로는 상기 피지지물(200)의 바깥 쪽으로 당기게 된다. 즉, 상기 -20도인 지지 부재(110)의 열수축에 의해 피지지물(200)의 위치 변형 및 어긋남이 발생한다. 이에 따라 피지지물(200)이 렌즈 또는 반사경인 경우에는 초점이 달라지게 된다. For example, if two of the three support members 110 are 20 degrees, and one is -20 degrees, the fixing portion 111 and the support portion 112 of the support member 110, which is 80 degrees, are respectively vertical. Heat shrinkage in both directions and transverse directions results in smaller size. Therefore, the supporting member 110 at -20 degrees lowers the supporting side of the supported object 200 in the vertical direction, and pulls outward of the supported object 200 in the horizontal direction. That is, positional deformation and misalignment of the supported object 200 are caused by thermal contraction of the support member 110 at −20 degrees. Accordingly, when the object 200 is a lens or a reflector, the focus is changed.

여기서, 센서(120)가 변형게이지인 경우, 상기 지지 부재(110)의 열팽창 또는 열수축시의 물리적 변형량을 측정하며, 센서(120)가 서미스터 소자인 경우, 상기 지지 부재(110)의 열팽창 또는 열수축시의 온도를 측정한다. Herein, when the sensor 120 is a strain gauge, the physical deformation amount during thermal expansion or thermal contraction of the support member 110 is measured. When the sensor 120 is a thermistor element, thermal expansion or thermal contraction of the support member 110 is measured. Measure the temperature of the hour.

제어부는 상기 센서(120)가 측정한 측정치, 다시 말하여 지지 부재(110)의 열팽창 또는 열수축의 측정치를 바탕으로 온도 조절 소자(140)를 제어한다. The control unit controls the temperature control element 140 based on the measured value measured by the sensor 120, that is, the measured value of thermal expansion or thermal contraction of the support member 110.

즉, 지지 부재(110)가 열팽창된 경우에는 상기 제어부는 상기 온도 조절 소자(140)가 상기 지지 부재(110)를 냉각시키도록 제어하고, 지지 부재(110)가 열수축된 경우에는 상기 제어부는 상기 온도 조절 소자(140)가 상기 지지 부재(110)를 가열하도록 제어한다. 이로써, 상기 변형되었던 지지 부재(110)는 다시 기준 온도 20도, 지지 부재의 열변형율은 0%가 되게 한다. That is, when the support member 110 is thermally expanded, the controller controls the temperature regulating element 140 to cool the support member 110, and when the support member 110 is thermally contracted, the controller is The temperature control element 140 controls to heat the support member 110. As a result, the deformed support member 110 again has a reference temperature of 20 degrees, and the thermal strain of the support member is 0%.

이로써 본 발명의 실시 예의 지지 장치는, 모든 지지 부재(110)가 기준 온도를 20도, 열변형율을 0%로 유지하게 함으로써, 피지지물 주위의 국부적인 온도 차이에 의한 열팽창 또는 열수축을 제어하여 렌즈나 반사경 등의 피지지물의 위치의 변형 및 어긋남을 자동으로 보정하여, 피지지물에 의한 정확한 촬상이나 측정을 가능하게 할 수 있다. In this way, the support device of the embodiment of the present invention, by maintaining all the support member 110 in the reference temperature 20 degrees, the thermal strain at 0%, by controlling the thermal expansion or thermal contraction due to the local temperature difference around the support, the lens Deformation and misalignment of the position of a supported object such as a reflector or the like can be corrected automatically, so that accurate imaging and measurement by the supported object can be made possible.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 지지 장치(110)는 모든 지지 부재(110)를 기준 온도를 20도, 열변형율을 0%로 유지하게 함으로써, 피지지물 주위의 국부적인 온도 차이에 의한 열팽창 또는 열수축을 제어하는 것으로 설명했지만, 이와는 달리, 모든 지지 부재(110)의 온도를 3개의 지지 부재 중에서 가장 높은 온도 또는 가장 낮은 온도로 제어하여 피지지물의 위치의 변형 및 어긋남을 보정할 수도 있다. 즉, 모든 지지 부재(110)는 동일한 소재로 제작되며, 동일 온도에서의 열변형율은 동일하고, 모든 지지 부재(110)의 온도가 동일하면 피지지물의 위치의 변형 및 어긋남이 발생하지 않는다. In addition, the support device 110 according to an embodiment of the present invention by maintaining all the support member 110 in the reference temperature of 20 degrees, the thermal strain at 0%, by thermal expansion due to the local temperature difference around the support or Although described as controlling the heat shrink, alternatively, the temperature of all the support members 110 may be controlled to the highest or lowest temperature among the three support members to correct the deformation and shift of the position of the supported object. That is, all the support members 110 are made of the same material, and the thermal strain at the same temperature is the same, and if the temperatures of all the support members 110 are the same, the deformation and shift of the position of the supported object do not occur.

이에 따라, 온도 조절 소자(140)가 가열 기능 또는 냉각 기능 중 어느 하나만의 기능을 가져도 좋다. 즉, 온도 조절 소자(140)가 가열 기능만을 가지는 경우에는 제어부는 모든 지지 부재(110)의 열팽창 또는 열수축을 측정하여 모든 지지 부재(110)의 온도가 동일하도록, 예를 들어 80도가 되도록 가열해도 좋다. 또한, 온도 조절 소자(140)가 냉각 기능만을 가지는 경우에는 제어부는 모든 지지 부재(110)의 열팽창 또는 열수축을 측정하여 모든 지지 부재(110)의 온도가 동일하도록, 예를 들어 -20도가 되도록 냉각해도 좋다. Accordingly, the temperature regulating element 140 may have only one of the heating function and the cooling function. That is, when the temperature control element 140 has only a heating function, the controller measures the thermal expansion or thermal contraction of all the support members 110 so as to heat the temperature of all the support members 110 to be the same, for example, 80 degrees. good. In addition, when the temperature control element 140 has only a cooling function, the controller measures the thermal expansion or thermal contraction of all the support members 110 to cool the temperature of all the support members 110 to be the same, for example, -20 degrees. You may also

다음으로 도 4를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 지지 장치의 동작을 보다 상세하게 설명한다. Next, with reference to Figure 4 will be described in more detail the operation of the support device according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 지지 장치의 동작을 나타내기 위한 개념도이다. 4 is a conceptual diagram illustrating an operation of a support device according to an embodiment of the present invention.

예컨대, 지지 부재(110)에서 열팽창 또는 열수축이 일어나는 경우 하기의 위치 보정 과정이 수행된다. 먼저, 상기 지지 부재(110)에 장착된 센서(120)로 열적 변화를 측정하고, 제어부(170)는 상기 측정된 열적 변화량이 상쇄되도록 하는 보정량을 산출한 후, 온도 조절 소자(140)를 조절하여 상기 산출된 보정량에 따라 상기 지지 부재(110)를 보정한다. 이때, 상기 측정된 열적 변화량은 상기 센서(120)에서 측정되는 온도 또는 물리적 변형량이고, 상기 보정량은 상기 지지 부재(110)의 기준 온도 또는 기준 물리적 변형량과 상기 측정된 열적 변화량의 차이를 산출한 것이다. For example, when thermal expansion or thermal contraction occurs in the support member 110, the following position correction process is performed. First, the thermal change is measured by the sensor 120 mounted on the support member 110, and the controller 170 calculates a correction amount to cancel the measured thermal change amount, and then adjusts the temperature adjusting element 140. By correcting the support member 110 according to the calculated correction amount. In this case, the measured thermal change amount is a temperature or physical deformation amount measured by the sensor 120, and the correction amount is a difference between the reference temperature or reference physical deformation amount of the support member 110 and the measured thermal change amount. .

또한, 상기 측정된 열적 변화량은 복수 위치에서 측정하며, 상기 보정량은 상기 복수 위치에서 측정한 각각의 열적 변화량이 동일해지도록 산출할 수도 있다. In addition, the measured thermal change amount may be measured at a plurality of positions, and the correction amount may be calculated to be equal to each thermal change amount measured at the plurality of positions.

센서(120)에서는 상기 지지 부재(110)의 열적 변화, 즉 물리적 변형량 또는 온도를 측정한다. 즉, 상기 센서(120)가 변형게이지인 경우에는 상기 지지 부재(110)의 열팽창 또는 열수축시의 물리적 변형량을 측정하며, 센서(120)가 서미스터 소자인 경우에는 상기 지지 부재(110)의 열팽창 또는 열수축시의 온도를 측정한다. The sensor 120 measures a thermal change, that is, a physical deformation amount or a temperature of the support member 110. That is, when the sensor 120 is a strain gauge, the physical deformation amount during thermal expansion or thermal contraction of the support member 110 is measured. When the sensor 120 is a thermistor element, thermal expansion or Measure the temperature at heat shrinkage.

제어부(170)는 상기 센서(120)에서 측정된 열적 변화량이 상쇄되도록 하는 보정량을 산출한다. 즉, 제어부(170)는 상기 지지 부재(110)의 기준 온도 또는 상기 기준 온도에 따르는 물리적 변형량을 설정하고, 상기 지지 부재(110)가 상기 기준 온도 및 물리적 변형량에서 얼마나 변화하는지 그 열적 변화량을 측정하고, 상기 측정된 열적 변화량이 상쇄되도록 하는 보정량을 산출한다.The controller 170 calculates a correction amount for canceling the amount of thermal change measured by the sensor 120. That is, the controller 170 sets the physical deformation amount according to the reference temperature or the reference temperature of the support member 110, and measures the thermal change amount of the support member 110 to change in the reference temperature and the physical deformation amount. Then, a correction amount is calculated so that the measured thermal change amount is cancelled.

또한, 상기 제어부(170)는 온도 조절 소자(140)를 조절하여 상기 산출된 보정량에 따라 상기 지지 부재(110)를 보정한다. In addition, the controller 170 adjusts the temperature adjusting element 140 to correct the support member 110 according to the calculated correction amount.

즉, 지지 부재(110)가 열팽창된 경우에는 상기 제어부(170)는 상기 온도 조절 소자(140)가 상기 지지 부재(110)를 냉각시키도록 제어하고, 지지 부재(110)가 열수축된 경우에는 상기 제어부(170)는 상기 온도 조절 소자(140)가 상기 지지 부재(110)를 가열하도록 제어하며, 온도 조절 소자(140)는 상기 제어부(170)의 제어에 따라 상기 지지 부재(110)를 열팽창 또는 열수축시킨다. That is, when the support member 110 is thermally expanded, the controller 170 controls the temperature regulating element 140 to cool the support member 110, and when the support member 110 is thermally contracted, The controller 170 controls the temperature regulating element 140 to heat the support member 110, and the temperature regulating element 140 thermally expands or supports the support member 110 under the control of the controller 170. Heat shrink.

이와 같은 구성의 본 발명의 실시 예의 지지 장치는, 모든 지지 부재(110)를 동일 온도, 동일 팽창율로 유지하게 함으로써, 피지지물 주위의 국부적인 온도 차이에 의한 열팽창 또는 열수축을 제어하여 렌즈나 반사경 등의 피지지물의 위치의 변형 및 어긋남을 자동으로 보정하여, 피지지물에 의한 정확한 촬상이나 측정을 가능하게 할 수 있다. The support apparatus according to the embodiment of the present invention having such a configuration maintains all the support members 110 at the same temperature and the same expansion ratio, thereby controlling thermal expansion or thermal contraction due to local temperature difference around the supported object to control the lens or reflector. The deformation and the deviation of the position of the supported object can be automatically corrected to enable accurate imaging and measurement by the supported object.

다음으로 도 5를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 지지 장치의 온도 조절 소자에 관하여 상세하게 설명한다. Next, with reference to Figure 5 will be described in detail with respect to the temperature control element of the support device according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 지지 장치에서 사용되는 온도 조절 소자를 나타내는 개념도이다. 5 is a conceptual diagram illustrating a temperature control element used in a supporting apparatus according to an embodiment of the present invention.

상기 온도 조절 소자(140)로는 일면이 흡열면, 타면이 발열면인 펠티어 소자를 사용할 수 있다. 상기 온도 조절 소자(140)는 N형 반도체(141), P형 반도체(142), 전극(143) 및 열전도판(144)을 포함하며, 전원(160)에 연결된다. As the temperature control element 140, a Peltier element having one end face on the heat absorbing side and the other face on the heat generating surface may be used. The temperature control element 140 includes an N-type semiconductor 141, a P-type semiconductor 142, an electrode 143, and a thermal conductive plate 144, and is connected to a power source 160.

N형 반도체(141) 및 P형 반도체로는 비스무트, 텔루륨 등을 이용하여 제작할 수 있으며, 이는 온도 조절 소자(140)의 성능을 높이는 데에 바람직하다. The N-type semiconductor 141 and the P-type semiconductor may be manufactured using bismuth, tellurium, or the like, which is preferable to increase the performance of the temperature control element 140.

전극(143)은 일반적으로 구리 등의 금속을 이용하여 제작하며, N형 반도체(141)와 P형 반도체(142)를 연결하는 전극과, N형 반도체(141)와 전원(160)을 연결하는 전극과, P형 반도체(142)와 전원(160)을 연결하는 전극이 각각 나뉘어 형성된다. 즉, N형 반도체(141), P형 반도체(142) 및 전원(160)은 직렬 연결되고, N형 반도체(141) 및 P형 반도체(142)는 PN 접합을 형성한다. The electrode 143 is generally manufactured using a metal such as copper, and connects the electrode connecting the N-type semiconductor 141 and the P-type semiconductor 142, and the N-type semiconductor 141 and the power supply 160. The electrode and the electrode connecting the P-type semiconductor 142 and the power supply 160 are formed separately. That is, the N-type semiconductor 141, the P-type semiconductor 142, and the power supply 160 are connected in series, and the N-type semiconductor 141 and the P-type semiconductor 142 form a PN junction.

열전도판(144)은 전기를 통하지 않는 재질로 제작할 수 있으며, 세라믹을 이용할 수도 있다. The heat conduction plate 144 may be made of a material that does not conduct electricity, and ceramics may be used.

전원(160)은 상기 온도 조절 소자(140)의 외부에서 상기 온도 조절 소자(140)에 전류를 공급한다. The power supply 160 supplies a current to the temperature control element 140 from the outside of the temperature control element 140.

먼저, 전원(160)이 전류를 시계 반대 방향으로 흘리는 경우에 대해서 설명한다. 상기 전류는 전극(143), P형 반도체(142), 전극(143), N형 반도체(141), 전극(143)의 순으로 흐르게 된다. 이때, N형 반도체(141)에서 전원(160)에 가까운 쪽에서는 주위의 에너지를 빼앗아 자유전자가 생성되고, 상기 자유전자는 P형 반도체(142) 방향으로 흐르게 된다. 또한, P형 반도체(141)에서 전원(160)에 가까운 쪽에서는 주위의 에너지를 빼앗아 정공이 생성되고, 상기 정공은 N형 반도체(141) 방향으로 흐르게 된다. 따라서, N형 반도체(141)와 P형 반도체(142)에서 전원(160)에 가까운 면에서는 흡열을 하게 되며, 반대로, N형 반도체(141)와 P형 반도체(142)가 연결된 면에서는 에너지를 발산하게 되므로 발열을 하게 된다. First, a description will be given of the case where the power supply 160 flows a current in a counterclockwise direction. The current flows in the order of the electrode 143, the P-type semiconductor 142, the electrode 143, the N-type semiconductor 141, and the electrode 143. In this case, free electrons are generated from the N-type semiconductor 141 near the power source 160 by taking away surrounding energy, and the free electrons flow in the P-type semiconductor 142 direction. In the P-type semiconductor 141, holes close to the power source 160 are taken away to generate holes, and the holes flow toward the N-type semiconductor 141. Accordingly, heat is absorbed at the surface close to the power source 160 in the N-type semiconductor 141 and the P-type semiconductor 142. On the contrary, energy is absorbed at the surface where the N-type semiconductor 141 and the P-type semiconductor 142 are connected. Because it will diverge, it will generate heat.

다음으로, 상기 전원(160)이 전류를 시계 방향으로 흘리는 경우에 대해서 설명한다. 상기 전원(160)이 전류를 시계 방향으로 흘리는 경우에는, PN 접합 반도체의 특성상, N형 반도체(141)와 P형 반도체(142) 사이에 전위장벽이 형성되므로 전류가 거의 흐르지 못한다. Next, a description will be given of the case where the power supply 160 flows a current clockwise. When the power source 160 flows the current clockwise, a potential barrier is formed between the N-type semiconductor 141 and the P-type semiconductor 142 due to the characteristics of the PN junction semiconductor, so that the current hardly flows.

이와 같이 온도 조절 소자(140)로 사용되는 펠티어 소자는 얇은 판형으로 양면이 각각 흡열면 및 발열면으로 작동한다. 즉, 전원이 소정의 방향으로 전류를 공급하면 흡열면(도 5에서 하면)은 주변의 열을 급격히 흡수하고, 흡열면의 열 + 손실된 전기에너지는 모두 발열면(도 5에서 상면)에서 발산되며, 전류의 방향이 반대가 되면 작동하지 않는다. As such, the Peltier element used as the temperature control element 140 has a thin plate shape, and both surfaces thereof operate as an endothermic surface and a heat generating surface, respectively. That is, when the power supply current in a predetermined direction, the heat absorbing surface (lower surface in Figure 5) absorbs the surrounding heat rapidly, and all the heat + lost electrical energy of the heat absorbing surface is emitted from the heat generating surface (upper surface in Figure 5) If the direction of current is reversed, it will not work.

본 발명의 실시 예에 따른 온도 조절 소자(140)는 지지 부재에 연결되어, 상기 지지 부재를 열팽창 또는 열수축시킨다. 즉, 상기 온도 조절 소자(140)의 흡열면이 상기 지지 부재에 연결되는 경우에는 상기 지지 부재를 열수축시키며, 상기 온도 조절 소자(140)의 발열면이 상기 지지 부재에 연결되는 경우에는 상기 지지 부재를 열팽창시킨다. The temperature regulating element 140 according to the embodiment of the present invention is connected to the support member to thermally expand or thermally contract the support member. That is, when the heat absorbing surface of the temperature control element 140 is connected to the support member, the support member is thermally contracted, and when the heat generating surface of the temperature control element 140 is connected to the support member, the support member. Thermal expansion.

다음으로 도 6을 참조하여 본 발명의 다른 실시 예에 따른 지지 장치에서 사용되는 온도 조절 소자에 관하여 상세하게 설명한다. Next, with reference to Figure 6 will be described in detail with respect to the temperature control element used in the support device according to another embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 지지 장치에서 사용되는 온도 조절 소자를 나타내는 개념도이다. 6 is a conceptual diagram illustrating a temperature control element used in a supporting apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 6에 도시된 온도 조절 소자(140)는 도 5에 도시된 온도 조절 소자와 동일한 구조의 A 영역과, 상기 A 영역 상부 또는 하부에 유사한 구조의 B 영역을 형성하여 제작한다. 상기 B 영역은, A 영역과 유사하지만 N형 반도체(141)가 형성된 위치와 P형 반도체(142)가 형성된 위치가 서로 반대이다. The temperature control element 140 shown in FIG. 6 is fabricated by forming an area A of the same structure as the temperature control element shown in FIG. 5 and a B area having a similar structure above or below the A area. The B region is similar to the A region, but opposite to the position where the N-type semiconductor 141 is formed and the position where the P-type semiconductor 142 is formed.

먼저, 전원(160)이 전류를 시계 반대 방향으로 흘리는 경우에 대해서 설명한다. 상기 A 영역에서는, 상기 전류는 전극(143), P형 반도체(142), 전극(143), N형 반도체(141), 전극(143)의 순으로 흐르게 된다. 이때, N형 반도체(141)에서 전원(160)에 가까운 쪽에서는 주위의 에너지를 빼앗아 자유전자가 생성되고, 상기 자유전자는 P형 반도체(142) 방향으로 흐르게 된다. 또한, P형 반도체(141)에서 전원(160)에 가까운 쪽에서는 주위의 에너지를 빼앗아 정공이 생성되고, 상기 정공은 N형 반도체(141) 방향으로 흐르게 된다. 따라서, N형 반도체(141)와 P형 반도체(142)에서 전원(160)에 가까운 면에서는 흡열을 하게 되며, 반대로, N형 반도체(141)와 P형 반도체(142)가 연결된 면에서는 에너지를 발산하게 되므로 발열을 하게 된다. 상기 B 영역에서는, 상기 전원(160)이 전류를 시계 반대 방향으로 흘리는 경우에는, PN 접합 반도체의 특성상, N형 반도체(141)와 P형 반도체(142) 사이에 전위장벽이 형성되므로 전류가 거의 흐르지 못한다. First, a description will be given of the case where the power supply 160 flows a current in a counterclockwise direction. In the region A, the current flows in the order of the electrode 143, the P-type semiconductor 142, the electrode 143, the N-type semiconductor 141, and the electrode 143. In this case, free electrons are generated from the N-type semiconductor 141 near the power source 160 by taking away surrounding energy, and the free electrons flow in the direction of the P-type semiconductor 142. In the P-type semiconductor 141, holes close to the power source 160 are taken away to generate holes, and the holes flow toward the N-type semiconductor 141. Accordingly, heat is absorbed at the surface close to the power source 160 in the N-type semiconductor 141 and the P-type semiconductor 142. On the contrary, energy is absorbed at the surface where the N-type semiconductor 141 and the P-type semiconductor 142 are connected. Because it will diverge, it will generate heat. In the region B, when the power supply 160 flows a current in a counterclockwise direction, since a potential barrier is formed between the N-type semiconductor 141 and the P-type semiconductor 142 due to the characteristics of the PN junction semiconductor, the current is almost It can't flow.

다음으로, 전원(160)이 전류를 시계 방향으로 흘리는 경우에 대해서 설명한다. 상기 B 영역에서는, 상기 전류는 전극(143), P형 반도체(142), 전극(143), N형 반도체(141), 전극(143)의 순으로 흐르게 된다. 이때, N형 반도체(141)에서 전원(160)에 가까운 쪽에서는 주위의 에너지를 빼앗아 자유전자가 생성되고, 상기 자유전자는 P형 반도체(142) 방향으로 흐르게 된다. 또한, P형 반도체(141)에서 전원(160)에 가까운 쪽에서는 주위의 에너지를 빼앗아 정공이 생성되고, 상기 정공은 N형 반도체(141) 방향으로 흐르게 된다. 따라서, N형 반도체(141)와 P형 반도체(142)에서 전원(160)에 가까운 면에서는 흡열을 하게 되며, 반대로, N형 반도체(141)와 P형 반도체(142)가 연결된 면에서는 에너지를 발산하게 되므로 발열을 하게 된다. 상기 A 영역에서는, 상기 전원(160)이 전류를 시계 방향으로 흘리는 경우에 대해서 설명한다. 상기 전원(160)이 전류를 시계 방향으로 흘리는 경우에는, PN 접합 반도체의 특성상, N형 반도체(141)와 P형 반도체(142) 사이에 전위장벽이 형성되므로 전류가 거의 흐르지 못한다. Next, the case where the power supply 160 flows a current clockwise is demonstrated. In the region B, the current flows in the order of the electrode 143, the P-type semiconductor 142, the electrode 143, the N-type semiconductor 141, and the electrode 143. In this case, free electrons are generated from the N-type semiconductor 141 near the power source 160 by taking away surrounding energy, and the free electrons flow in the P-type semiconductor 142 direction. In the P-type semiconductor 141, holes close to the power source 160 are taken away to generate holes, and the holes flow toward the N-type semiconductor 141. Accordingly, heat is absorbed at the surface close to the power source 160 in the N-type semiconductor 141 and the P-type semiconductor 142. On the contrary, energy is absorbed at the surface where the N-type semiconductor 141 and the P-type semiconductor 142 are connected. Because it will diverge, it will generate heat. In the said area A, the case where the said power supply 160 flows a current clockwise is demonstrated. When the power source 160 flows the current clockwise, a potential barrier is formed between the N-type semiconductor 141 and the P-type semiconductor 142 due to the characteristics of the PN junction semiconductor, so that the current hardly flows.

즉, 도 6에 도시된 A 영역은 전원(160)이 시계 반대 방향으로 전류를 흘리는 경우에 동작하는 영역이며, B 영역은 전원(160)이 시계 방향으로 전류를 흘리는 경우에 동작하는 영역이다. That is, the region A shown in FIG. 6 is a region that operates when the power source 160 flows in a counterclockwise direction, and the region B is a region that operates when the power source 160 flows a current in a clockwise direction.

이와 같이 상기 온도 조절 소자(140)는 극성이 서로 다른 두 개의 펠티어 소자를 맞붙여 형성할 수 있으며, 상기 온도 조절 소자(140)는 지지 부재에 연결되어, 상기 지지 부재를 열팽창 또는 열수축시킨다.As described above, the temperature control element 140 may be formed by joining two Peltier elements having different polarities, and the temperature control element 140 is connected to the support member to thermally expand or thermally contract the support member.

다음으로 도 7을 참조하여 본 발명의 다른 실시 예에 따른 지지 장치에서 사용되는 온도 조절 소자에 관하여 상세하게 설명한다. Next, with reference to Figure 7 will be described in detail with respect to the temperature control element used in the support device according to another embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 지지 장치에서 사용되는 온도 조절 소자의 개념도이다. 7 is a conceptual diagram of a temperature control element used in a supporting apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 7에 도시된 온도 조절 소자(140)는 도 6에 도시된 A 영역과, B 영역을 확장 형성하여 제작한다. 즉, 각 A 영역 및 B 영역은, 복수의 N형 반도체(141)와 P형 반도체(142)를 직렬로 연결하여 발열 성능 및 흡열 성능을 높인 것이다. The temperature control element 140 illustrated in FIG. 7 is manufactured by expanding the region A and the region B shown in FIG. 6. In other words, each of the A and B regions has a plurality of N-type semiconductors 141 and P-type semiconductors 142 connected in series to enhance heat generation performance and endothermic performance.

상기 A 영역에는 복수의 N형 반도체(141)와 P형 반도체(142)가 형성되며, 상기 복수의 N형 반도체(141)와 P형 반도체(142)의 상 하면에는 각각 직사각형의 전극(143)이 형성된다. 상기 2개의 전극(143)에는 패턴(미도시)이 형성되어, 상기 A 영역의 모든 N형 반도체(141)와 P형 반도체(142)를 직렬로 연결한다. 또한, 상기 반도체(141, 142) 및 전극(143)의 외부에는, 전기를 통하지 않으며 열전도 성능이 뛰어난 열전도판(144)이 형성된다. A plurality of N-type semiconductors 141 and P-type semiconductors 142 are formed in the A region, and rectangular electrodes 143 are respectively formed on upper and lower surfaces of the plurality of N-type semiconductors 141 and P-type semiconductors 142. Is formed. A pattern (not shown) is formed on the two electrodes 143 to connect all the N-type semiconductors 141 and the P-type semiconductors 142 in the region A in series. In addition, outside of the semiconductors 141 and 142 and the electrode 143, a heat conductive plate 144 having excellent heat conduction performance without electricity is formed.

또한, 상기 B 영역은, 상기 A 영역과 유사하게 반도체(141, 142), 전극(143), 및 열전도판(144)을 포함하여 형성된다. 즉, 상기 B 영역은, 상기 A 영역에서 N형 반도체(141)가 형성된 위치와 P형 반도체(142)가 형성된 위치가 서로 반대이다. In addition, similarly to the region A, the region B includes the semiconductors 141 and 142, the electrode 143, and the thermal conductive plate 144. That is, in the region B, the position where the N-type semiconductor 141 is formed in the region A and the position where the P-type semiconductor 142 is formed are opposite to each other.

이와 같이 구성된 온도 조절 소자(140)에서 A 영역은 일 방향으로 전류를 흘리는 경우에 동작하는 영역이며, B 영역은 상기 일 방향과 다른 방향으로 전류를 흘리는 경우에 동작하는 영역이다. In the temperature control element 140 configured as described above, region A is an area that operates when current flows in one direction, and region B is an area that operates when current flows in a direction different from the one direction.

이와 같은 상기 온도 조절 소자(140)는 지지 부재에 연결되어 상기 지지 부재를 열팽창 또는 열수축시킨다. The temperature control element 140 is connected to the support member to thermally expand or contract the support member.

본 발명을 첨부 도면과 전술된 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 그에 한정되지 않으며, 후술되는 특허청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술되는 특허청구범위의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변형 및 수정할 수 있다.While the invention has been described with reference to the accompanying drawings and the preferred embodiments described above, the invention is not limited thereto, but is defined by the claims that follow. Accordingly, those skilled in the art will appreciate that various modifications and changes may be made thereto without departing from the spirit of the following claims.

100: 지지 장치
110: 지지 부재
111: 지지대
112: 지지축
113: 연결 파이프
120: 센서
140: 온도 조절 소자
141: N형 반도체
142: P형 반도체
143: 전극
144: 열전도판
160: 전원
170: 제어부
200: 피지지물100: support device
110: Support member
111: Support
112: support shaft
113: connecting pipe
120: sensor
140: temperature control element
141: N-type semiconductor
142: P-type semiconductor
143: Electrode
144: heat conduction plate
160: power
170:
200: supported object

Claims (9)

피지지물을 지지하는 지지 장치에 있어서,
소정의 장소에 고정되어 상기 피지지물을 지지하는 지지 부재;
상기 지지 부재에 장착되어 상기 지지 부재의 열적 변화를 측정하는 센서;
상기 지지 부재에 결합되어 상기 지지 부재의 열적 변화를 조절하는 온도 조절 소자;
상기 센서가 측정한 측정치에 따라서 상기 지지 부재의 열적 변화를 상쇄하도록 상기 온도 조절 소자를 제어하는 제어부;
를 포함하며, 상기 지지 부재는,
소정의 장소에 고정되는 고정부;
상기 고정부와 상기 피지지물을 연결하는 지지축;
상기 고정부와 상기 지지축을 관통하는 연결 파이프;
를 포함하는 지지 장치. In the support device for supporting a supported object,
A support member fixed to a predetermined place to support the supported object;
A sensor mounted to the support member to measure a thermal change of the support member;
A temperature regulating element coupled to the support member to adjust a thermal change of the support member;
A control unit controlling the temperature adjusting element to cancel the thermal change of the support member according to the measured value measured by the sensor;
It includes, The support member,
A fixed part fixed to a predetermined place;
A support shaft connecting the fixed part and the supported object;
A connecting pipe passing through the fixing part and the support shaft;
Support device comprising a. 삭제delete 청구항 1에 있어서, 상기 센서는,
상기 지지 부재의 열적 변형량을 측정하는 변형게이지거나, 상기 지지 부재의 온도를 측정하는 서미스터 소자인 지지 장치.The method according to claim 1, wherein the sensor,
And a strain gauge for measuring a thermal deformation amount of the support member or a thermistor element for measuring a temperature of the support member. 청구항 1에 있어서, 상기 지지 부재, 센서 및 온도 조절 소자는 쌍을 이루어 복수로 구비된 지지 장치. The support apparatus of claim 1, wherein the support member, the sensor, and the temperature control element are provided in plural in pairs. 청구항 1,3,4 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 온도 조절 소자는,
지지 부재를 열팽창시키거나 열수축시킬 수 있는 소자인 지지 장치.The method according to claim 1, 3, 4, wherein the temperature control element,
A support device which is an element capable of thermally expanding or thermally contracting a support member. 청구항 5에 있어서, 상기 온도 조절 소자는,
하나 이상의 펠티어 소자를 포함하는 지지 장치.The method according to claim 5, wherein the temperature control element,
A support device comprising one or more Peltier elements. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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