KR101361057B1 - Display apparatus - Google Patents
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Abstract
표시장치에서, 다수의 화소부는 다수의 게이트 라인과 다수의 데이터 라인에 의해서 정의된 다수의 화소영역에 구비되고, 각 화소부는 게이트 신호에 응답하여 데이터 신호를 입력받아 제1 화소전압을 충전하는 제1 화소 및 게이트 신호에 응답하여 데이터 신호를 입력받아 제1 화소전압과 동일한 제2 화소전압을 충전하는 제2 화소로 이루어진다. 다수의 전압 조절부는 다음단 게이트 신호에 응답하여 현재단 화소부에 충전된 제1 화소전압을 레벨업시키고, 제2 화소전압을 레벨다운시킨다. 더미 전압 조절부는 마지막 게이트 라인에 연결된 마지막단 화소부의 제1 화소전압을 레벨업시키고, 마지막단 화소부의 제2 화소전압을 레벨다운시킨다. 따라서, 마지막단 화소부의 백색화 현상을 방지할 수 있다.In the display device, a plurality of pixel parts are provided in a plurality of pixel areas defined by a plurality of gate lines and a plurality of data lines, each pixel part receiving a data signal in response to a gate signal to charge a first pixel voltage. A second pixel receives a data signal in response to one pixel and a gate signal and charges a second pixel voltage equal to the first pixel voltage. The plurality of voltage adjusting units level up the first pixel voltage charged in the current pixel unit in response to the next gate signal and level down the second pixel voltage. The dummy voltage controller is configured to level up the first pixel voltage of the last pixel portion connected to the last gate line and to level down the second pixel voltage of the last pixel portion. Therefore, the whitening phenomenon of the last pixel portion can be prevented.
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치에 구비된 화소부의 등가 회로도이다.1 is an equivalent circuit diagram of a pixel unit included in a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2a는 도 1에 도시된 제n 게이트 라인으로 제n 게이트 신호가 인가될 때 n번째 화소의 등가 회로도이다.FIG. 2A is an equivalent circuit diagram of an n-th pixel when an n-th gate signal is applied to an n-th gate line shown in FIG. 1.
도 2b는 도 1에 도시된 더미 게이트 라인으로 제1 게이트 신호가 인가될 때 n번째 화소의 등가 회로도이다.FIG. 2B is an equivalent circuit diagram of the n-th pixel when the first gate signal is applied to the dummy gate line shown in FIG. 1.
도 3은 제n 및 제1 게이트 신호에 따른 제1 및 제2 화소전압의 변화를 나타낸 파형도이다.3 is a waveform diagram illustrating a change in first and second pixel voltages according to an nth and a first gate signal.
도 4는 도 1에 도시된 n번째 화소의 레이아웃이다.4 is a layout of an n-th pixel illustrated in FIG. 1.
도 5는 도 4에 도시된 절단선 Ⅰ-Ⅰ`에 따라 절단한 단면도이다.FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 4.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 더미 게이트 라인과 제1 게이트 라인의 연결구조를 나타낸 도면이다.6 is a diagram illustrating a connection structure between a dummy gate line and a first gate line according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 7은 도 6에 도시된 Ⅱ 부분의 단면도이다.FIG. 7 is a cross-sectional view of part II shown in FIG. 6.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 평면도이다.8 is a plan view of a display device according to an exemplary embodiment.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 평면도이다.9 is a plan view of a display device according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 10은 도 9에 도시된 게이트 구동부의 블럭도이다.FIG. 10 is a block diagram of the gate driver illustrated in FIG. 9.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*Description of the Related Art [0002]
100 -- 표시패널 110 -- 어레이 기판100-display panel 110-array board
120 -- 대향기판 130 -- 액정층120-Opposing substrate 130-Liquid crystal layer
210 -- 데이터 구동부 220 -- 게이트 구동부210-Data Driver 220-Gate Driver
300 -- 표시장치300-display
본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 표시품질을 향상시킬 수 있는 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more particularly, to a display device capable of improving display quality.
일반적으로, 액정표시장치는 하부기판, 하부기판과 대향하여 구비되는 상부기판 및 하부기판과 상부기판과의 사이에 형성된 액정층으로 이루어져 영상을 표시하는 액정표시패널을 구비한다. 액정표시패널에는 다수의 게이트 라인, 다수의 데이터 라인, 다수의 게이트 라인과 다수의 데이터 라인에 연결된 다수의 화소가 구비된다.In general, a liquid crystal display device includes a lower substrate, an upper substrate opposed to the lower substrate, and a liquid crystal display panel formed of a liquid crystal layer formed between the lower substrate and the upper substrate to display an image. The LCD panel includes a plurality of gate lines, a plurality of data lines, a plurality of gate lines, and a plurality of pixels connected to the plurality of data lines.
액정표시장치는 다른 표시장치에 비하여 시야각 성능이 열세하다. 이러한 시야각 문제를 개선하기 위하여, 그 동안 피브이에이(Patterned Vertical Alignment: PVA) 모드, 엠브이에이(Multi-domain Vertical Alignment: MVA) 모드 및 에스-피브이에이(Super-Patterned Vertical Alignment: S-PVA) 모드 등의 액정표시장치 구동방식이 제안되었다.The liquid crystal display device is inferior in viewing angle performance to other display devices. In order to solve such a viewing angle problem, a patterned vertical alignment (PVA) mode, a multi-domain vertical alignment (MVA) mode and a super-patterned vertical alignment (S- PVA) mode has been proposed.
이 중 S-PVA 모드 액정표시장치는 두 개의 서브화소로 이루어진 화소를 구비하고, 화소에 서로 다른 그레이를 갖는 도메인을 형성하기 위하여 두 개의 서브화소는 서로 다른 서브전압이 인가되는 메인 및 서브 화소전극을 각각 구비한다. 이때, 액정표시장치를 바라보는 사람의 눈은 두 개의 서브전압의 중간값을 인식하므로, 중간 계조 이하에서 감마커브가 왜곡되어 측면 시야각이 저하되는 것을 방지한다. 이로써, 액정표시장치의 측면 시인성을 개선할 수 있다.The S-PVA mode liquid crystal display device includes pixels having two sub-pixels. In order to form domains having gray colors different from each other in the pixels, the two sub-pixels are divided into main and sub- Respectively. At this time, the eye of the person looking at the liquid crystal display recognizes the median value of the two sub-voltages, thereby preventing the gamma curve from being distorted below the mid-level gray level and thus reducing the side viewing angle. Thereby, side visibility of the liquid crystal display device can be improved.
S-PVA 모드 액정표시장치는 구동방식에 따라서 CC(Coupling Capacitor)-타입과 TT(Two Transistor)-타입으로 구분된다. CC-타입은 메인 화소전극과 서브 화소전극과의 사이에 커플링 커패시터를 추가하여 서브 화소전극으로 인가되는 데이터 전압을 전압 강하시켜 메인 픽셀전압보다 낮은 전압을 서브 픽셀전압으로써 인가하는 구동방식이다. TT-타입은 두 개의 트랜지스터를 이용하여 메인 및 서브 화소전극에 각각 서로 다른 전압레벨을 갖는 메인 및 서브 픽셀전압을 각각 인가하는 구동방식이다.S-PVA mode LCDs are classified into a coupling capacitor (CC) type and a two transistor (TT) type according to a driving method. The CC-type is a driving method in which a coupling capacitor is added between the main pixel electrode and the sub pixel electrode to drop the data voltage applied to the sub pixel electrode to apply a voltage lower than the main pixel voltage as the sub pixel voltage. The TT-type is a driving method for applying main and sub pixel voltages having different voltage levels to main and sub pixel electrodes using two transistors, respectively.
한국공개특허 2005-0018520는 종래의 CC 타입 S-PVA 구조의 휘도감소 및 문자깨짐 현상을 개선한 새로운 CC 타입 S-PVA 구조를 제안하고 있다. 그러나, 상기 공개특허에 따른 액정표시장치의 경우 메인화소와 서브화소의 전압조절이 다음 게이트 라인의 턴-온과 동시에 이루어지므로, 다음 게이트 라인이 존재하지 않는 마지막 화소라인의 전압조절이 되지 않아 다른 화소라인에 비해 상대적으로 휘도가 증가하는 백색화 현상이 발생한다.Korean Laid-Open Patent Publication No. 2005-0018520 proposes a new CC type S-PVA structure that improves the luminance reduction and character breakup of the conventional CC type S-PVA structure. However, since the voltage control of the main pixel and the subpixel is simultaneously performed with the turn-on of the next gate line in the liquid crystal display device according to the disclosed patent, the voltage of the last pixel line in which the next gate line does not exist is different. A whitening phenomenon occurs in which the luminance increases relative to the pixel line.
따라서, 본 발명의 목적은 CC 타입 S-PVA 구조 중 인접한 게이트 라인을 통해 메인화소 및 서브화소의 전압을 조절하는 구조에서 마지막 화소라인의 백색화 현상을 방지하기 위한 표시장치를 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a display device for preventing whitening of the last pixel line in a structure in which voltages of a main pixel and a subpixel are adjusted through adjacent gate lines of a CC type S-PVA structure.
본 발명에 따른 표시장치는 게이트 신호를 순차적으로 입력받는 다수의 게이트 라인, 상기 다수의 게이트 라인과 절연되게 교차하고, 데이터 신호를 입력받는 다수의 데이터 라인, 상기 다수의 게이트 라인과 상기 다수의 데이터 라인에 의해서 정의된 다수의 화소영역에 일대일 대응하여 구비되는 다수의 화소부로 이루어진다. 각 화소부는 상기 게이트 신호에 응답하여 상기 데이터 신호를 입력받아 제1 화소전압을 충전하는 제1 화소 및 상기 게이트 신호에 응답하여 상기 데이터 신호를 입력받아 상기 제1 화소전압과 동일한 제2 화소전압을 충전하는 제2 화소로 이루어진다.According to an exemplary embodiment of the present invention, a display device includes a plurality of gate lines sequentially receiving a gate signal, an insulated intersection with the plurality of gate lines, a plurality of data lines receiving a data signal, the plurality of gate lines, and the plurality of data. It consists of a plurality of pixel units provided in one-to-one correspondence with a plurality of pixel regions defined by lines. Each pixel unit receives the data signal in response to the gate signal and charges a first pixel voltage and receives the data signal in response to the gate signal to receive a second pixel voltage equal to the first pixel voltage. It consists of a 2nd pixel to charge.
상기 표시장치는 다수의 전압 조절부 및 더미 전압 조절부를 포함한다. 상기 다수의 전압 조절부는 다음단 게이트 신호에 응답하여 현재단 화소부에 충전된 상기 제1 화소전압을 레벨업시키고, 상기 제2 화소전압을 레벨다운시킨다. 상기 더미 전압 조절부는 마지막 게이트 라인에 연결된 마지막단 화소부의 제1 화소전압을 레벨업시키고, 상기 마지막단 화소부의 제2 화소전압을 레벨다운시킨다.The display device includes a plurality of voltage adjusting units and a dummy voltage adjusting unit. The plurality of voltage adjusting units level up the first pixel voltage charged in the current pixel unit in response to a gate signal of a next stage, and level down the second pixel voltage. The dummy voltage controller is configured to level up the first pixel voltage of the last pixel part connected to the last gate line and to reduce the second pixel voltage of the last pixel part.
이러한 표시장치에 따르면, 마지막단 화소부의 제1 및 제2 화소전압의 전압레벨을 조절하기 위한 더미 전압 조절부를 추가함으로써, 상기 마지막단 화소부에서 측면 시인성이 저하되는 것을 방지할 수 있고, 그 결과 표시장치의 표시품질을 전체적으로 개선할 수 있다.According to such a display device, by adding a dummy voltage adjusting unit for adjusting the voltage levels of the first and second pixel voltages of the last pixel portion, it is possible to prevent the side visibility from deteriorating in the last pixel portion. The display quality of the display device can be improved as a whole.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치에 구비된 화소부의 등가 회로도이다.1 is an equivalent circuit diagram of a pixel unit included in a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치에는 제1 내지 제n 게이트 라인(GL1 ~ GLn), 제1 내지 제m 데이터 라인(DL1 ~ DLm), 더미 게이트 라인(D-GL) 및 제1 연결라인(CL1)이 구비된다. 상기 제1 내지 제m 게이트 라인(GL1 ~ GLn)과 상기 제1 내지 제m 데이터 라인(DL1 ~ DLm)에 의해서 매트릭스 형태로 정의된 다수의 화소영역에는 다수의 화소부가 일대일 대응하여 구비된다.Referring to FIG. 1, a display device according to an exemplary embodiment may include first to nth gate lines GL1 to GLn, first to mth data lines DL1 to DLm, and a dummy gate line D-GL. ) And a first connection line CL1. A plurality of pixel units are provided in a one-to-one correspondence in a plurality of pixel areas defined in a matrix form by the first to m th gate lines GL1 to GLn and the first to m th data lines DL1 to DLm.
도 1에서는 다수의 화소부 중 제n-1 게이트 라인(GLn-1)과 제m 데이터 라인(DLm)에 연결된 n-1번째 화소부 및 제n 게이트 라인(GLn)과 상기 제m 데이터 라인(DLm)에 연결된 n번째 화소부의 등가 회로도를 나타낸다. 여기서, 다수의 화소부 각각은 서로 동일한 구조로 이루어진다. 따라서, 이하에서는 상기 n-1번째 화소부와 상기 n번째 화소부를 함께 설명하기로 한다.In FIG. 1, an n−1 th pixel portion connected to an n−1 th gate line GLn−1 and an m th data line DLm, an n th gate line GLn, and an m th data line ( An equivalent circuit diagram of the n-th pixel portion connected to DLm) is shown. Here, each of the plurality of pixel units has the same structure. Therefore, hereinafter, the n-1 th pixel portion and the n th pixel portion will be described together.
상기 각 화소부는 제1 화소(P1) 및 제2 화소(P2)로 이루어진다. 상기 제1 화소(P1)는 제1 박막 트랜지스터(T1), 제1 액정 커패시터(H-Clc) 및 제1 스토리지 커패시터(H-Cst)로 이루어지고, 상기 제2 화소(P2)는 제2 박막 트랜지스터(T2), 제2 액정 커패시터(L-Clc) 및 제2 스토리지 커패시터(L-Cst)로 이루어진다. Each pixel unit includes a first pixel P1 and a second pixel P2. The first pixel P1 includes a first thin film transistor T1, a first liquid crystal capacitor H-Clc, and a first storage capacitor H-Cst, and the second pixel P2 is a second thin film. The transistor T2 includes a second liquid crystal capacitor L-Clc and a second storage capacitor L-Cst.
구체적으로, 상기 제1 박막 트랜지스터(T1)는 대응하는 게이트 라인(도 1에 도시된 제n-1 게이트 라인(GLn-1) 또는 제n 게이트 라인(GLn))에 연결된 제1 게이트 전극, 대응하는 데이터 라인(도 1에 도시된 제m 데이터 라인(DLm))에 연결된 제1 소오스 전극 및 상기 제1 액정 커패시터(H-Clc)에 연결된 제1 드레인 전극을 포함한다. 상기 제1 액정 커패시터(H-Clc)는 상기 제1 드레인 전극에 연결된 제1 화소전극, 상기 제1 화소전극과 마주하고 공통전압(Vcom)이 인가되는 공통전극 및 상기 제1 화소전극과 상기 공통전극과의 사이에 개재된 액정층(미도시)에 의해서 정의된다. 상기 제1 스토리지 커패시터(H-Cst)는 상기 제1 화소전극, 상기 공통전압이 인가되는 스토리지 전극 및 상기 제1 화소전극과 상기 스토리지 전극과의 사이에 개재된 절연층에 의해서 정의된다.In detail, the first thin film transistor T1 corresponds to a first gate electrode connected to a corresponding gate line (the n-th gate line GLn-1 or the n-th gate line GLn shown in FIG. 1). And a first source electrode connected to the data line (m-th data line DLm shown in FIG. 1) and a first drain electrode connected to the first liquid crystal capacitor H-Clc. The first liquid crystal capacitor H-Clc may include a first pixel electrode connected to the first drain electrode, a common electrode facing the first pixel electrode and applied with a common voltage Vcom, and the common with the first pixel electrode. It is defined by the liquid crystal layer (not shown) interposed between the electrodes. The first storage capacitor H-Cst is defined by the first pixel electrode, the storage electrode to which the common voltage is applied, and an insulating layer interposed between the first pixel electrode and the storage electrode.
한편, 상기 제2 박막 트랜지스터(T2)는 대응하는 게이트 라인(도 1에 도시된 제n-1 게이트 라인(GLn-1) 또는 제n 게이트 라인(GLn))에 연결된 제2 게이트 전극, 대응하는 데이터 라인(도 1에 도시된 제m 데이터 라인(DLm))에 연결된 제2 소오스 전극 및 상기 제2 액정 커패시터(L-Clc)에 연결된 제2 드레인 전극을 포함한다. 상기 제2 액정 커패시터(L-Clc)는 상기 제2 드레인 전극에 연결된 제2 화소전극, 상기 제2 화소전극과 마주하고 상기 공통전압(Vcom)이 인가되는 상기 공통전극 및 상기 제2 화소전극과 상기 공통전극과의 사이에 개재된 액정층에 의해서 정의된다. 상기 제2 스토리지 커패시터(L-Cst)는 상기 제2 화소전극, 상기 공통전압이 인가되는 상기 스토리지 전극 및 상기 제2 화소전극과 상기 스토리지 전극과의 사이에 개재된 절연층에 의해서 정의된다.The second thin film transistor T2 may correspond to a second gate electrode connected to a corresponding gate line (the n-th gate line GLn-1 or the n-th gate line GLn shown in FIG. 1). And a second source electrode connected to a data line (m-th data line DLm shown in FIG. 1) and a second drain electrode connected to the second liquid crystal capacitor L-Clc. The second liquid crystal capacitor L-Clc may include a second pixel electrode connected to the second drain electrode, the common electrode and the second pixel electrode facing the second pixel electrode and to which the common voltage Vcom is applied. It is defined by the liquid crystal layer interposed between the common electrode. The second storage capacitor L-Cst is defined by the second pixel electrode, the storage electrode to which the common voltage is applied, and an insulating layer interposed between the second pixel electrode and the storage electrode.
한 프레임동안 상기 제1 내지 제n 게이트 라인(GL1 ~ GLn)에는 게이트 신호 가 순차적으로 인가된다. 여기서, 상기 제1 내지 제n 게이트 라인(GL1 ~ GLn)으로 상기 게이트 신호가 인가되는 시간은 수평주사구간(1H)으로 정의된다. 한 프레임 단위로 상기 제1 내지 제n 게이트 라인(GL1 ~ GLn)으로 상기 게이트 신호가 순차적으로 인가되는 동작이 반복된다.Gate signals are sequentially applied to the first to nth gate lines GL1 to GLn for one frame. Here, the time when the gate signal is applied to the first to nth gate lines GL1 to GLn is defined as a horizontal scan interval 1H. An operation of sequentially applying the gate signal to the first to nth gate lines GL1 to GLn in one frame unit is repeated.
상기 제1 내지 제m 데이터 라인(DL1 ~ DLm)에는 데이터 신호가 인가된다. 상기 데이터 신호는 상기 제1 내지 제n 게이트 라인(GL1 ~ GLn)으로 순차적으로 인가되는 상기 게이트 신호에 동기하여 상기 제1 내지 제m 데이터 라인(DL1 ~ DLm)으로 출력된다.Data signals are applied to the first to m th data lines DL1 to DLm. The data signal is output to the first to mth data lines DL1 to DLm in synchronization with the gate signals sequentially applied to the first to nth gate lines GL1 to GLn.
도 1에 도시된 바와 같이, 상기 제n-1 게이트 라인(GLn-1)에 n-1번째 게이트 신호가 인가되면, 상기 제1 및 제2 화소(P1, P2)에 구비된 제1 및 제2 박막 트랜지스터(T1, T2)가 턴-온된다. 따라서, 상기 제m 데이터 라인(DLm)으로 인가된 상기 데이터 신호는 상기 제1 및 제2 박막 트랜지스터(T1, T2)를 통과하여 상기 제1 및 제2 액정 커패시터(H-Clc, L-Clc)의 제1 및 제2 화소전극으로 인가된다. 여기서, 상기 제1 및 제2 액정 커패시터(H-Clc, L-Clc)의 상기 제1 및 제2 화소전극으로 인가되는 신호가 동일하므로, 상기 제1 및 제2 액정 커패시터(H-Clc, L-Clc)에는 동일한 전압이 충전된다. 즉, 상기 제1 및 제2 액정 커패시터(H-Clc, L-Clc) 각각에 충전되는 전압을 제1 및 제2 화소전압으로 정의하면, n-1번째 수평주사구간동안 상기 제1 및 제2 화소전압은 서로 동일한 전압레벨을 갖는다.As illustrated in FIG. 1, when an n−1 th gate signal is applied to the n−1 th gate line GLn−1, first and second electrodes of the first and second pixels P1 and P2 are provided. The two thin film transistors T1 and T2 are turned on. Therefore, the data signal applied to the m th data line DLm passes through the first and second thin film transistors T1 and T2 and the first and second liquid crystal capacitors H-Clc and L-Clc. Is applied to the first and second pixel electrodes. Here, since the signals applied to the first and second pixel electrodes of the first and second liquid crystal capacitors H-Clc and L-Clc are the same, the first and second liquid crystal capacitors H-Clc and L are the same. -Clc) is charged with the same voltage. That is, when the voltages charged in the first and second liquid crystal capacitors H-Clc and L-Clc are defined as the first and second pixel voltages, the first and second periods during the n−1 th horizontal scanning period are defined. The pixel voltages have the same voltage level.
상기 표시장치는 제n 게이트 라인(GLn)과 상기 n-1번째 화소부에 연결되어 상기 제1 및 제2 화소(P1, P2)에 각각 충전된 제1 및 제2 화소전압의 전압레벨을 조절하는 전압 조절부(S1)를 더 포함한다.The display device is connected to the n-th gate line GLn and the n-th pixel part to adjust voltage levels of the first and second pixel voltages charged in the first and second pixels P1 and P2, respectively. It further includes a voltage adjusting unit (S1).
상기 전압 조절부(S1)는 제3 박막 트랜지스터(T3), 제1 업 커패시터(C-up1) 및 제1 다운 커패시터(C-down1)로 이루어진다. 상기 제3 박막 트랜지스터(T3)는 상기 제n 게이트 라인(GLn)에 연결된 제3 게이트 전극, 상기 제2 화소전극에 연결된 제3 소오스 전극 및 상기 제1 다운 커패시터(C-down1)와 상기 제1 업 커패시터(C-up1)에 연결된 제3 드레인 전극을 구비한다.The voltage adjusting part S1 includes a third thin film transistor T3, a first up capacitor C-up1, and a first down capacitor C-down1. The third thin film transistor T3 includes a third gate electrode connected to the nth gate line GLn, a third source electrode connected to the second pixel electrode, the first down capacitor C-down1 and the first And a third drain electrode connected to the up capacitor C-up1.
상기 제1 다운 커패시터(C-down1)는 상기 스토리지 전극, 상기 스토리지 전극과 부분적으로 오버랩되고 상기 제3 드레인 전극에 연결된 캡 전극 및 상기 캡 전극과 상기 스토리지 전극과의 사이에 개재된 절연층에 의해서 정의된다. 상기 제1 업 커패시터(C-up1)는 상기 제1 화소전극, 상기 제1 화소전극과 부분적으로 오버랩되는 상기 캡 전극 및 상기 캡 전극과 상기 제1 화소전극과의 사이에 개재된 절연층에 의해서 정의된다.The first down capacitor C-down1 is formed by the storage electrode, a cap electrode partially overlapping the storage electrode and connected to the third drain electrode, and an insulating layer interposed between the cap electrode and the storage electrode. Is defined. The first up capacitor C-up1 is formed by the first pixel electrode, the cap electrode partially overlapping the first pixel electrode, and an insulating layer interposed between the cap electrode and the first pixel electrode. Is defined.
상기 제n 게이트 라인(GLn)으로 인가된 n번째 게이트 신호에 응답하여 상기 제3 박막 트랜지스터(T3)가 턴-온되면, 상기 제3 박막 트랜지스터(T3)에 의해서 상기 제2 화소전극과 상기 캡 전극이 전기적으로 연결된다. 따라서, 상기 제1 액정 커패시터(H-Clc)에 충전된 상기 제1 화소전압과 상기 제2 액정 커패시터(L-Clc)에 충전된 상기 제2 화소전압의 전압레벨이 상기 제1 업 커패시터(C-up1)와 상기 제1 다운 커패시터(C-down1)에 의해서 조절된다. 구체적으로, 상기 제1 업 커패시터(C-up1)와 상기 제1 다운 커패시터(C-down1)에 의해서 상기 제1 화소전압은 레벨업되고, 상기 제2 화소전압은 레벨다운된다. 이때, 상기 제1 화소전압의 레벨업 크기와 상기 제2 화소전압의 레벨다운 크기는 상기 제1 업 커패시터(C-up1)와 상기 제1 다운 커패시터(C-down1)의 커패시턴스 값에 따라서 변화된다.When the third thin film transistor T3 is turned on in response to an nth gate signal applied to the nth gate line GLn, the second pixel electrode and the cap are formed by the third thin film transistor T3. The electrodes are electrically connected. Therefore, the voltage level of the first pixel voltage charged in the first liquid crystal capacitor H-Clc and the second pixel voltage charged in the second liquid crystal capacitor L-Clc is equal to the first up capacitor C. -up1) and the first down capacitor C-down1. Specifically, the first pixel voltage is leveled up by the first up capacitor C-up1 and the first down capacitor C-down1, and the second pixel voltage is leveled down. In this case, the level up level of the first pixel voltage and the level down level of the second pixel voltage are changed according to capacitance values of the first up capacitor C-up1 and the first down capacitor C-down1. .
상기 표시장치는 상기 더미 게이트 라인(D-GL)과 상기 n번째 화소부에 연결되어 상기 제1 및 제2 화소(P1, P2)에 각각 충전된 제1 및 제2 화소전압의 전압레벨을 조절하는 더미 전압 조절부(S2)를 더 포함한다.The display device is connected to the dummy gate line D-GL and the n-th pixel part to adjust voltage levels of the first and second pixel voltages charged in the first and second pixels P1 and P2, respectively. The dummy voltage adjusting unit S2 is further included.
상기 더미 전압 조절부(S2)는 제4 박막 트랜지스터(T4), 제2 업 커패시터(C-up2) 및 제2 다운 커패시터(C-down2)로 이루어진다. 상기 제4 박막 트랜지스터(T4)는 상기 더미 게이트 라인(D-GL)에 연결된 제4 게이트 전극, 상기 제2 화소전극에 연결된 제4 소오스 전극 및 상기 제2 다운 커패시터(C-down2)와 상기 제2 업 커패시터(C-up2)에 연결된 제4 드레인 전극을 구비한다.The dummy voltage controller S2 includes a fourth thin film transistor T4, a second up capacitor C-up2, and a second down capacitor C-down2. The fourth thin film transistor T4 includes a fourth gate electrode connected to the dummy gate line D-GL, a fourth source electrode connected to the second pixel electrode, the second down capacitor C-down2 and the fourth gate electrode. And a fourth drain electrode connected to the second up capacitor C-up2.
상기 제2 다운 커패시터(C-down2)는 상기 스토리지 전극, 상기 스토리지 전극과 부분적으로 오버랩되고 상기 제4 드레인 전극에 연결된 캡 전극 및 상기 캡 전극과 상기 스토리지 전극과의 사이에 개재된 절연층에 의해서 정의된다. 상기 제2 업 커패시터(C-up2)는 상기 제1 화소전극, 상기 제1 화소전극과 부분적으로 오버랩되는 상기 캡 전극 및 상기 캡 전극과 상기 제1 화소전극과의 사이에 개재된 절연층에 의해서 정의된다.The second down capacitor C-down2 is formed by the storage electrode, a cap electrode partially overlapping the storage electrode and connected to the fourth drain electrode, and an insulating layer interposed between the cap electrode and the storage electrode. Is defined. The second up capacitor C-up2 is formed by the first pixel electrode, the cap electrode partially overlapping the first pixel electrode, and an insulating layer interposed between the cap electrode and the first pixel electrode. Is defined.
상기 더미 게이트 라인(D-GL)으로 인가된 신호에 응답하여 상기 제4 박막 트랜지스터(T4)가 턴-온되면, 상기 제4 박막 트랜지스터(T4)에 의해서 상기 제2 화소전극과 상기 캡 전극이 전기적으로 연결된다. 따라서, 상기 제1 액정 커패시터(H-Clc)에 충전된 상기 제1 화소전압과 상기 제2 액정 커패시터(L-Clc)에 충전된 상기 제2 화소전압의 전압레벨이 상기 제2 업 커패시터(C-up2)와 상기 제2 다운 커패시터(C-down2)에 의해서 조절된다. 구체적으로, 상기 제2 업 커패시터(C-up2)와 상기 제2 다운 커패시터(C-down2)에 의해서 상기 제1 화소전압은 레벨업되고, 상기 제2 화소전압은 레벨다운된다.When the fourth thin film transistor T4 is turned on in response to the signal applied to the dummy gate line D-GL, the second pixel electrode and the cap electrode are connected by the fourth thin film transistor T4. Electrically connected. Therefore, the voltage level of the first pixel voltage charged in the first liquid crystal capacitor H-Clc and the second pixel voltage charged in the second liquid crystal capacitor L-Clc is equal to the second up capacitor C. -up2) and the second down capacitor C-down2. In detail, the first pixel voltage is leveled up by the second up capacitor C-up2 and the second down capacitor C-down2, and the second pixel voltage is leveled down.
도 1에 도시된 바와 같이, 상기 더미 게이트 라인(D-GL)은 제1 연결라인(CL1)을 통해서 상기 제1 게이트 라인(GL1)과 전기적으로 연결된다. 따라서, 상기 더미 게이트 라인(D-GL)에는 상기 제1 게이트 라인(GL1)으로 인가되는 첫번째 게이트 신호가 인가된다. 즉, 현재 프레임에서 상기 n번째 화소부가 턴-온된 이후, 다음 프레임에서 상기 제1 게이트 라인(GL1)에 첫번째 게이트 신호가 인가되면, 상기 더미 전압 조절부(S2)가 동작하여 상기 n번째 화소부에 충전된 상기 제1 및 제2 화소전압의 전압레벨을 조절하는 것이다.As illustrated in FIG. 1, the dummy gate line D-GL is electrically connected to the first gate line GL1 through a first connection line CL1. Therefore, the first gate signal applied to the first gate line GL1 is applied to the dummy gate line D-GL. That is, after the n-th pixel unit is turned on in the current frame and the first gate signal is applied to the first gate line GL1 in the next frame, the dummy voltage controller S2 operates to operate the n-th pixel unit. Adjusting the voltage level of the first and second pixel voltage charged in the.
도 2a는 도 1에 도시된 제n 게이트 라인으로 제n 게이트 신호가 인가될 때 n번째 화소의 등가 회로도이고, 도 2b는 도 1에 도시된 더미 게이트 라인으로 제1 게이트 신호가 인가될 때 n번째 화소의 등가 회로도이며, 도 3은 제n 및 제1 게이트 신호에 따른 제1 및 제2 화소전압의 변화를 나타낸 파형도이다.FIG. 2A is an equivalent circuit diagram of an n-th pixel when the n-th gate signal is applied to the n-th gate line illustrated in FIG. 1, and FIG. 2B is n when the first gate signal is applied to the dummy gate line illustrated in FIG. 1. 3 is an equivalent circuit diagram of the second pixel, and FIG. 3 is a waveform diagram illustrating changes of first and second pixel voltages according to the nth and first gate signals.
도 2a 및 도 3을 참조하면, i번째 프레임(i-frame)에서 n번째 게이트 신호(Gn)가 발생되면, 제1 및 제2 박막 트랜지스터(T1, T2)가 턴-온되고, 제m 데이터 라인으로 인가된 m번째 데이터 신호(Dm)가 상기 제1 및 제2 박막 트랜지스터(T1, T2)를 경유하여 제1 액정 커패시터(H-Clc) 및 제2 액정 커패시터(L-Clc)로 각각 인가된다. 따라서, 상기 제1 및 제2 액정 커패시터(H-Clc, L-Clc)에는 제1 및 제2 화 소전압이 각각 충전된다. 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 예로 상기 제1 및 제2 화소전압은 7V로 서로 동일한 전압레벨을 가진다.2A and 3, when the n-th gate signal Gn is generated in the i-th frame, the first and second thin film transistors T1 and T2 are turned on and the m-th data is turned on. The m-th data signal Dm applied to the line is applied to the first liquid crystal capacitor H-Clc and the second liquid crystal capacitor L-Clc via the first and second thin film transistors T1 and T2, respectively. do. Therefore, the first and second liquid crystal capacitors H-Clc and L-Clc are charged with first and second pixel voltages, respectively. As shown in FIG. 3, as an example of the present invention, the first and second pixel voltages have the same voltage level as 7V.
여기서, 상기 제2 업 커패시터(C-up2)와 제2 다운 커패시터(C-down2)는 서로 직렬 연결된 상태로 상기 제1 액정 커패시터(H-Clc)와 병렬 연결된다. 따라서, 상기 제2 업 커패시터(C-up2)와 상기 제2 다운 커패시터(C-down2)에는 상기 7V가 전압 분배된다. 본 발명의 일 예로, 상기 제2 업 커패시터(C-up2)에는 2V의 업 전압이 충전되고, 상기 제2 다운 커패시터(C-down2)에는 5V의 다운 전압이 충전된다.Here, the second up capacitor C-up2 and the second down capacitor C-down2 are connected in parallel with the first liquid crystal capacitor H-Clc while being connected in series with each other. Therefore, the 7V is divided by the voltage between the second up capacitor C-up2 and the second down capacitor C-down2. As an example of the present invention, an up voltage of 2V is charged in the second up capacitor C-up2, and a down voltage of 5V is charged in the second down capacitor C-down2.
도 2b 및 도 3을 참조하면, i+1번째 프레임(i+1-frame)에서 제1 게이트 라인(GL1, 도 1에 도시됨)으로 인가되는 첫번째 게이트 신호(G1)가 발생되어, 더미 전압 조절부(S2, 도 1에 도시됨)의 제4 박막 트랜지스터(T4)가 턴-온된다. 턴-온된 상기 제4 박막 트랜지스터(T4)에 의해서 상기 제2 액정 커패시터(L-Clc)와 제2 다운 커패시터(C-down2)가 병렬 연결된다.2B and 3, the first gate signal G1 applied to the first gate line GL1 (shown in FIG. 1) is generated in the i + 1 th frame (i + 1-frame) to generate a dummy voltage. The fourth thin film transistor T4 of the controller S2 (shown in FIG. 1) is turned on. The second liquid crystal capacitor L-Clc and the second down capacitor C-down2 are connected in parallel by the turned-on fourth thin film transistor T4.
따라서, 상기 제2 액정 커패시터(L-Clc)와 상기 제2 다운 커패시터(C-down2) 사이에서 충전 공유가 일어난다. 그 결과 상기 제2 화소전압과 상기 다운 전압은 6V로 서로 동일한 전압을 갖도록 변화된다. 이때, 상기 다운 전압과 상기 업 전압의 합은 7V에서 8V로 증가하고, 상기 제1 액정 커패시터(H-Clc)에 충전되는 상기 제1 화소전압도 8V로 증가한다. 이로써, 상기 첫번째 게이트 신호(G1)가 발생된 이후에 상기 제1 화소전압은 7V에서 8V로 변화되고, 제2 화소전압은 7V에서 6V로 변화된다.Therefore, charge sharing occurs between the second liquid crystal capacitor L-Clc and the second down capacitor C-down2. As a result, the second pixel voltage and the down voltage are changed to have the same voltage as each other at 6V. In this case, the sum of the down voltage and the up voltage increases from 7V to 8V, and the first pixel voltage charged in the first liquid crystal capacitor H-Clc also increases to 8V. Thus, after the first gate signal G1 is generated, the first pixel voltage is changed from 7V to 8V, and the second pixel voltage is changed from 7V to 6V.
이처럼, 상기 제1 및 제2 화소(P1, P2, 도 1에 도시됨)로 서로 다른 전압이 인가되면, 액정층에 포함된 액정 분자들의 배향각도가 달라진다. 그 결과 상기 제1 및 제2 화소(P1, P2)에서는 서로 다른 계조의 영상을 표시하고, 표시장치를 사용하는 사용자는 상기 제1 및 제2 화소(P1, P2)에서 표시되는 두 개의 영상을 혼합하여 시인한다. 따라서, 표시장치의 측면 시인성이 향상될 수 있다.As such, when different voltages are applied to the first and second pixels P1 and P2, the alignment angles of the liquid crystal molecules included in the liquid crystal layer are changed. As a result, the first and second pixels P1 and P2 display images of different gradations, and the user who uses the display device displays two images displayed by the first and second pixels P1 and P2. I admit it by mixing. Therefore, the side visibility of the display device can be improved.
도 4는 도 1에 도시된 n번째 화소의 레이아웃이고, 도 5는 도 4에 도시된 절단선 Ⅰ-Ⅰ`에 따라 절단한 단면도이다.4 is a layout of an n-th pixel illustrated in FIG. 1, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the cutting line I-I ′ of FIG. 4.
도 4 및 도 5를 참조하면, 표시장치는 어레이 기판(110), 상기 어레이 기판(110)과 마주하는 대향기판(120) 및 상기 어레이 기판(110)과 상기 대향기판(120)과의 사이에 개재된 액정층(130)으로 이루어진다. 4 and 5, the display device includes an array substrate 110, an opposing
상기 어레이 기판(110)의 제1 베이스 기판(111) 상에는 게이트 메탈로 이루어진 제n 게이트 라인(GLn), 더미 게이트 라인(D-GL) 및 스토리지 전극(CE1)이 형성된다. 상기 제n 게이트 라인(GLn)과 상기 더미 게이트 라인(D-GL)은 서로 평행하게 연장된다. 상기 스토리지 전극(CE1)은 상기 제n 게이트 라인(GLn)과 상기 더미 게이트 라인(D-GL)과의 사이에 구비되고, 상기 제n 게이트 라인(GLn)과 상기 더미 게이트 라인(D-GL)과 전기적으로 절연된다. 상기 스토리지 전극(CE1)에는 공통전압이 인가되고, 상기 제n 게이트 라인(GLn)과 상기 더미 게이트 라인(D-GL)에는 게이트 신호가 인가된다.An n-th gate line GLn, a dummy gate line D-GL, and a storage electrode CE1 formed of a gate metal are formed on the
상기 제1 베이스 기판(111) 상에는 상기 제n 게이트 라인(GLn)으로부터 분기된 제1 게이트 전극(GE1) 및 제2 게이트 전극(GE2), 상기 더미 게이트 라인(D-GL)으로부터 분기된 제4 게이트 전극(GE4)이 더 구비된다.A fourth gate electrode GE1 and a second gate electrode GE2 branched from the n-th gate line GLn and a fourth branch branched from the dummy gate line D-GL on the
상기 제1 베이스 기판(111) 상에는 상기 제n 게이트 라인(GLn), 더미 게이트 라인(D-GL) 및 스토리지 전극(CE1)을 커버하는 게이트 절연막(112)이 더 구비된다. 상기 게이트 절연막(112) 상에는 제m 데이터 라인(DLm), 상기 제m 데이터 라인(DLm)으로부터 분기된 제1 및 제2 소오스 전극(SE1, SE2), 상기 제1 및 제2 소오스 전극(SE1, SE2)으로부터 각각 이격된 제1 및 제2 드레인 전극(DE1, DE2)이 구비된다. 이로써, 상기 어레이 기판(110)에는 상기 제1 게이트 전극(GE1), 제1 소오스 전극(SE1) 및 제1 드레인 전극(DE1)으로 이루어진 제1 박막 트랜지스터(T1)가 형성되고, 상기 제2 게이트 전극(GE2), 제2 소오스 전극(SE2) 및 제2 드레인 전극(DE2)으로 이루어진 제2 박막 트랜지스터(T2)가 형성된다.A
또한, 상기 게이트 절연막(112) 상에는 상기 제4 게이트 전극(GE4)에 대응하는 위치에서 서로 소정의 간격으로 이격된 제4 소오스 전극(SE4) 및 제4 드레인 전극(DE4)이 더 구비된다. 따라서, 상기 어레이 기판(110)에는 상기 제4 게이트 전극(GE4), 제4 소오스 전극(SE4) 및 제4 드레인 전극(DE4)으로 이루어진 제4 박막 트랜지스터(T4)가 형성된다. 상기 게이트 절연막(112) 상에는 상기 제4 드레인 전극(DE4)으로부터 분기되어 상기 스토리지 전극(CE1)과 부분적으로 오버랩되는 캡 전극(CE2)이 더 구비된다. 상기 캡 전극(CE2)과 상기 스토리지 전극(CE1)과 오버랩된 부분에서 제2 다운 커패시터(C-down2)가 형성된다.In addition, the
상기 어레이 기판(110)은 상기 제1, 제2 및 제4 박막 트랜지스터(T1, T2, T4), 상기 캡 전극(CE2)을 커버하는 보호막(113) 및 유기 절연막(114)을 구비한다. 상기 보호막(113)과 상기 유기 절연막(114)은 순차적으로 적층된다. 상기 보호 막(113) 및 유기 절연막(114)에는 상기 제1 드레인 전극(DE1)을 노출시키는 제1 콘택홀(C1), 상기 제2 드레인 전극(DE2)을 노출시키는 제2 콘택홀(C2) 및 제4 소오스 전극(SE4)을 노출시키는 제3 콘택홀(C3)이 형성된다.The array substrate 110 includes the first, second and fourth thin film transistors T1, T2, and T4, a
상기 유기 절연막(114) 상에는 제1 및 제2 화소전극(PE1, PE2)이 형성된다. 상기 제1 화소전극(PE1)과 상기 제2 화소전극(PE2)과의 사이에는 제1 개구부(OP1)가 형성되고, 상기 제1 개구부(OP1)에 의해서 서로 전기적으로 분리된다.First and second pixel electrodes PE1 and PE2 are formed on the organic insulating
상기 제1 화소전극(PE1)은 상기 제1 콘택홀(C1)을 통해 상기 제1 드레인 전극(DE1)과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 화소전극(PE2)은 상기 제2 콘택홀(C2)을 통해 상기 제2 드레인 전극(DE2)과 전기적으로 연결된다. 상기 제1 화소전극(PE1)은 상기 스토리지 전극(CE1)과 부분적으로 오버랩되어 제1 스토리지 커패시터(H-Cst)를 형성하고, 상기 제2 화소전극(PE2)은 상기 스토리지 전극(CE1)과 부분적으로 오버랩되어 제2 스토리지 커패시터(L-Cst)를 형성한다.The first pixel electrode PE1 is electrically connected to the first drain electrode DE1 through the first contact hole C1, and the second pixel electrode PE2 is connected to the second contact hole C2. The second drain electrode DE2 is electrically connected to the second drain electrode DE2 through the second drain electrode DE2. The first pixel electrode PE1 partially overlaps the storage electrode CE1 to form a first storage capacitor H-Cst, and the second pixel electrode PE2 partially overlaps the storage electrode CE1. Overlap with each other to form a second storage capacitor L-Cst.
한편, 상기 제2 화소전극(PE2)은 상기 제3 콘택홀(C3)을 통해 상기 제4 소오스 전극(SE4)과 전기적으로 연결된다. 상기 제1 화소전극(PE1)은 상기 캡 전극(CE2)과 부분적으로 오버랩된다. 따라서, 상기 제1 화소전극(PE1)과 상기 캡 전극(CE2)이 오버랩된 부분에서 제2 업 커패시터(C-up2)가 형성된다.The second pixel electrode PE2 is electrically connected to the fourth source electrode SE4 through the third contact hole C3. The first pixel electrode PE1 partially overlaps the cap electrode CE2. Therefore, a second up capacitor C-up2 is formed at a portion where the first pixel electrode PE1 and the cap electrode CE2 overlap each other.
상기 대향기판(120)은 제2 베이스 기판(121), 블랙 매트릭스(122) 및 공통전극(123)을 구비한다. 상기 블랙 매트릭스(122)는 상기 제2 베이스 기판(121) 중 비유효 표시영역에 대응하여 구비되고, 상기 공통전극(123)은 상기 블랙 매트릭스(122) 및 상기 제2 베이스 기판(121) 상에 구비된다. 상기 공통전극(123)에는 제 1 화소전극(PE1)과 상기 제2 화소전극(PE2)을 하나 이상의 도메인으로 분할하는 제2 개구부(OP2)가 형성된다. 상기 제2 개구부(OP2)는 상기 제1 개구부(OP1)와 서로 다른 위치에 형성되다.The opposing
상기 대향기판(120)과 상기 어레이 기판(120)과의 사이에는 상기 액정층(130)이 개재된다. 따라서, 상기 공통전극(123), 상기 제1 화소전극(PE1) 및 상기 액정층(130)에 의해서 제1 액정 커패시터(H-Clc)가 형성되고, 상기 공통전극(123), 상기 제2 화소전극(PE2) 및 상기 액정층(130)에 의해서 제2 액정 커패시터(L-Clc)가 형성된다.The
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 더미 게이트 라인과 제1 게이트 라인의 연결구조를 나타낸 도면이고, 도 7은 도 6에 도시된 Ⅱ 부분의 단면도이다.6 is a diagram illustrating a connection structure between a dummy gate line and a first gate line according to another exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a cross-sectional view of part II shown in FIG. 6.
도 6 및 도 7을 참조하면, 더미 게이트 라인(D-GL)은 제1 게이트 라인(GL1)과 제1 연결라인(CL1)을 통해서 전기적으로 연결된다. 상기 제1 연결라인(CL1)은 상기 제1 게이트 라인(GL1)의 제1 단부와 상기 더미 게이트 라인(D-GL)의 제1 단부를 연결한다. 상기 제1 연결라인(CL1)은 제1 내지 제n 게이트 라인(GL1 ~ GLn)이 구비되지 않는 영역에 구비되어 상기 제1 내지 제n 게이트 라인(GL1 ~ GLn)과 교차하지 않는다. 따라서, 상기 제1 연결라인(CL1)은 상기 제1 내지 제n 게이트 라인(GL1 ~ GLn)과 동일하게 게이트 메탈로 이루어질 수 있다.6 and 7, the dummy gate line D-GL is electrically connected to the first gate line GL1 through the first connection line CL1. The first connection line CL1 connects a first end of the first gate line GL1 and a first end of the dummy gate line D-GL. The first connection line CL1 is provided in a region where the first to nth gate lines GL1 to GLn are not provided and does not cross the first to nth gate lines GL1 to GLn. Therefore, the first connection line CL1 may be formed of a gate metal in the same manner as the first to nth gate lines GL1 to GLn.
또한, 상기 더미 게이트 라인(D-GL)과 상기 제1 게이트 라인(GL1)은 제2 연결라인(CL2)을 통해서 전기적으로 연결된다. 상기 제2 연결라인(CL2)은 상기 제1 게이트 라인(GL1)의 제2 단부와 상기 더미 게이트 라인(D-GL)의 제2 단부를 연결한 다. 상기 제2 연결라인(CL2)은 상기 제1 내지 제n 게이트 라인(GL1 ~ GLn)이 구비된 영역에 형성되므로, 상기 제1 내지 제n 게이트 라인(GL1 ~ GLn)과 절연되게 교차하도록 데이터 메탈로 이루어진다.In addition, the dummy gate line D-GL and the first gate line GL1 are electrically connected to each other through a second connection line CL2. The second connection line CL2 connects the second end of the first gate line GL1 and the second end of the dummy gate line D-GL. Since the second connection line CL2 is formed in a region where the first to nth gate lines GL1 to GLn are provided, the second metal connection line CL2 is insulated from and intersects the first to nth gate lines GL1 to GLn in an insulated manner. Is made of.
도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제2 연결라인(CL2)은 상기 제1 내지 제n 게이트 라인(GL1 ~ GLn)을 커버하는 게이트 절연막(112) 상에 구비된다. 상기 게이트 절연막(112)에는 상기 더미 게이트 라인(D-GL)의 제2 단부를 노출시키는 제4 콘택홀(112a) 및 상기 제1 게이트 라인(GL1)의 제2 단부를 노출시키는 제5 콘택홀(112b)이 형성된다. 따라서, 상기 제2 연결라인(CL2)은 상기 제4 콘택홀(112a)을 통해 상기 더미 게이트 라인(D-GL)의 제2 단부와 전기적으로 접속되고, 상기 제5 콘택홀(112b)을 통해 상기 제1 게이트 라인(GL1)의 제2 단부와 전기적으로 접속된다.As illustrated in FIG. 7, the second connection line CL2 is provided on the
이처럼, 상기 더미 게이트 라인(D-GL)이 상기 제1 및 제2 연결라인(CL1, CL2)을 통해서 상기 제1 게이트 라인(GL1)과 전기적으로 연결됨으로써, 상기 제1 게이트 라인(Gl1)으로 인가되는 첫번째 게이트 신호가 상기 더미 게이트 라인(D-GL)으로 전송되는데 소요되는 지연시간을 감소시킬 수 있다.As such, the dummy gate line D-GL is electrically connected to the first gate line GL1 through the first and second connection lines CL1 and CL2, and thus, is connected to the first gate line G1. The delay time required for the first gate signal applied to the dummy gate line D-GL may be reduced.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 평면도이다.8 is a plan view of a display device according to an exemplary embodiment.
도 8을 참조하면, 표시장치(300)는 영상을 표시하는 표시패널(100), 상기 표시패널(100)에 데이터 신호를 인가하는 데이터 구동부(210) 및 상기 표시패널(100)에 게이트 신호를 인가하는 게이트 구동부(220)를 포함한다.Referring to FIG. 8, the
상기 표시패널(100)은 영상을 표시하는 역할을 수행하며, 상기 표시패 널(100)의 구조에 대해서는 도 1 내지 도 7에서 구체적으로 설명하였으므로, 도 8에 대한 설명에서는 생략한다.The
상기 데이터 구동부(210)는 상기 제1 내지 제m 데이터 라인(DL1 ~ DLm)에 전기적으로 연결된다. 상기 데이터 구동부(210)는 데이터 신호를 생성하여 상기 제1 내지 제m 데이터 라인(DL1 ~ DLm)에 인가한다. 본 발명의 일 예로, 상기 데이터 구동부(210)는 다수의 칩 형태로 이루어진다. 상기 칩들은 상기 표시패널(100) 상에 실장되거나, 또는 상기 표시패널(100)에 부착된 필름 상에 실장될 수 있다.The
상기 게이트 구동부(220)는 제1 내지 제n 게이트 라인(GL1 ~ GLn)과 전기적으로 연결된다. 상기 게이트 구동부(220)는 게이트 신호를 생성하여 상기 제1 내지 제n 게이트 라인(GL1 ~ GLn)에 순차적으로 인가한다. 본 발명의 일 예로, 상기 게이트 구동부(220)는 다수의 칩 형태로 이루어진다. 상기 칩들은 상기 표시패널(100) 상에 실장되거나, 또는 상기 표시패널(100)에 부착된 필름 상에 실장될 수 있다.The
본 발명의 다른 일 예로, 상기 게이트 구동부(220)는 박막 공정을 통해서 상기 표시패널(100)에 직접적으로 형성될 수 있다. 상기 게이트 구동부(220)가 아몰퍼스 실리콘 게이트(Amorphous Silicon Gate: ASG) 형태로 상기 표시패널(100)에 직접적으로 형성된 구조에 대해서 이후 도 9 및 도 10을 참조하여 구체적으로 설명하기로 한다.As another example, the
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 평면도이고, 도 10은 도 9에 도시된 게이트 구동부의 블럭도이다. 도 9에 도시된 구성요소 중 도 8에 도시된 구성요소와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 병기하고, 그에 대한 구체적인 설명은 생략한다.9 is a plan view of a display device according to another exemplary embodiment. FIG. 10 is a block diagram of the gate driver illustrated in FIG. 9. Of the components illustrated in FIG. 9, the same reference numerals are given to the same components as those illustrated in FIG. 8, and detailed description thereof will be omitted.
도 9를 참조하면, 표시패널(100) 상에는 박막 공정을 통해서 아몰퍼스 실리콘 게이트(Amorphous Silicon Gate: ASG) 형태로 이루어진 게이트 구동부(230)가 직접적으로 형성된다.Referring to FIG. 9, a
상기 게이트 구동부(230)는 상기 표시패널(100) 상에 구비된 제1 내지 제n 게이트 라인(GL1 ~ GLn) 및 더미 게이트 라인(D-GL)과 전기적으로 연결된다. 상기 게이트 구동부(230)는 게이트 신호를 생성하여 상기 제1 내지 제n 게이트 라인(GL1 ~ Gln)으로 순차적으로 인가하고, 더미 게이트 신호를 생성하여 상기 더미 게이트 라인(D-GL)에 인가한다. 따라서, 상기 더미 게이트 라인(D-GL)은 도 8에 도시된 본 발명의 일 실시예와 다르게 첫번째 게이트 라인(GL1)과 연결되어 첫번째 게이트 신호를 상기 더미 게이트 신호로써 입력받지 않는다.The
도 10을 참조하면, 게이트 구동회로(210)는 서로 종속적으로 연결된 다수의 스테이지(SRC1 ~ SRCn+1)로 이루어진다. 각 스테이지는 제1 입력단자(IN1), 제1 및 제2 클럭단자(CK1, CK2), 제2 입력단자(IN2), 전압입력단자(V1), 리셋단자(RE), 출력단자(OUT) 및 캐리단자(CR)를 포함한다.Referring to FIG. 10, the
상기 다수의 스테이지(SRC1 ~ SRCn+1)의 제1 입력단자(IN1)는 이전단 스테이지의 캐리단자(CR)에 전기적으로 연결되어 이전단 캐리전압을 입력받는다. 단, 상기 다수의 스테이지(SRC1 ~ SRCn+1) 중 첫번째 스테이지(SRC1)의 제1 입력단자(IN1)에는 상기 게이트 구동회로(210)의 구동을 개시하는 개시신호(STV)가 제공 된다. 상기 다수의 스테이지(SRC1 ~ SRCn+1)의 제2 입력단자(IN2)는 다음단 스테이지의 출력단자(OUT)에 전기적으로 연결되어 다음단 게이트 전압을 입력받는다. 단, 상기 다수의 스테이지(SRC1 ~ SRCn+1) 중 마지막 스테이지(SRCn+1)의 제2 입력단자(IN2)에는 상기 개시신호(STV)가 제공된다.The first input terminal IN1 of the plurality of stages SRC1 to SRCn + 1 is electrically connected to the carry terminal CR of the previous stage to receive the previous carry voltage. However, the first input terminal IN1 of the first stage SRC1 among the plurality of stages SRC1 to SRCn + 1 is provided with a start signal STV for starting the
상기 다수의 스테이지(SRC1 ~ SRCn+1) 중 홀수번째 스테이지(SRC1, SRC3,...SRCn+1)의 제1 클럭단자(CK1)에는 제1 클럭(CKV)이 제공되고, 제2 클럭단자(CK2)에는 상기 제1 클럭(CKV)과 반전된 위상을 갖는 제2 클럭(CKVB)이 제공된다. 상기 다수의 스테이지(SRC1 ~ SRCn+1) 중 짝수번째 스테이지(SRC2,...SRCn)의 제1 클럭단자(CK1)에는 상기 제2 클럭(CKVB)이 제공되고, 제2 클럭단자(CK2)에는 상기 제1 클럭(CKV)이 제공된다.A first clock CKV is provided to a first clock terminal CK1 of odd-numbered stages SRC1, SRC3, ...
상기 다수의 스테이지(SRC1 ~ SRCn+1)의 전압입력단자(Vin)에는 소오스 전원전압(VSS)이 제공된다. 또한, 상기 마지막 스테이지(SRCn+1)의 출력단자(OUT)는 다수의 스테이지(SRC1 ~ SRCn+1)의 리셋단자(RE)에 전기적으로 연결된다.A source power supply voltage VSS is provided to voltage input terminals Vin of the plurality of stages SRC1 to
상기 다수의 스테이지(SRC1 ~ SRCn+1) 중 제1 내지 제n 스테이지(SRC1 ~ SRCn)의 출력단자(OUT)들에는 상기 제1 내지 제3 게이트 라인(GL1 ~ GLn)이 전기적으로 연결된다. 따라서, 상기 제1 내지 제n 스테이지(SRC1 ~ SRCn)는 출력단자들(OUT)을 통해 게이트 신호를 순차적으로 출력하여 상기 제1 내지 제n 게이트 라인(GL1 ~ GLn)으로 인가한다.The first to third gate lines GL1 to GLn are electrically connected to the output terminals OUT of the first to nth stages SRC1 to SRCn among the plurality of stages SRC1 to
한편, 상기 다수의 스테이지(SRC1 ~ SRCn+1) 중 더미 스테이지(SRCn+1)는 상기 제n 스테이지(SRCn)를 리셋시키기 위하여 마련된다. 즉, 상기 제1 내지 제n 스 테이지(SRC1 ~ SRCn) 각각은 다음단 스테이지에 의해서 리셋되는데, 다음 스테이지가 존재하지 않는 상기 제n 스테이지(SRCn)를 리셋시키기 위하여 상기 게이트 구동부(230)에는 상기 더미 스테이지(SRCn+1)가 추가되는 것이다. 따라서, 상기 더미 스테이지(SRCn+1)의 출력단자(OUT)는 상기 제n 스테이지(SRCn)의 제2 입력단자(IN2)에 연결되고, 상기 더미 스테이지(SRCn+1)로부터 출력된 더미 게이트 신호에 의해서 상기 제n 스테이지(SRCn)가 리셋된다.Meanwhile, the dummy stage SRCn + 1 of the plurality of stages SRC1 to SRCn + 1 is provided to reset the nth stage SRCn. That is, each of the first to nth stages SRC1 to SRCn is reset by a next stage, and the
도 9에 도시된 바와 같이, 상기 표시패널(100)에 더미 게이트 라인(D-GL)이 구비되면, 상기 더미 스테이지(SRCn+1)의 출력단자(OUT)는 상기 더미 게이트 라인에 전기적으로 연결된다. 따라서, 상기 더미 스테이지(SRCn+1)로부터 출력된 더미 게이트 신호는 상기 더미 게이트 라인(D-GL)으로 인가된다. 상기 더미 게이트 라인(D-GL)으로 인가된 상기 더미 게이트 신호는 n번째 화소부의 제1 및 제2 화소(P1, P2, 도 1에 도시됨)에 충전된 제1 및 제2 화소전압의 전압레벨을 조절한다.As shown in FIG. 9, when the
도 1에 도시된 본 발명의 일 실시예는 다음 프레임에서 동작하는 첫번째 게이트 라인(GL1)으로부터 첫번째 게이트 신호를 상기 더미 게이트 신호로써 입력받아 상기 n번째 화소부의 제1 및 제2 화소(P1, P2)에 인가된 상기 제1 및 제2 화소전압을 조절한다. 그러나, 한 프레임 단위로 프레임 구간 사이에는 게이트 라인들이 턴-온되지 않는 블랭크 구간이 존재한다. 따라서, 도 1에 도시된 본 발명의 일 실시예에서 상기 n번째 화소부의 제1 및 제2 화소(P1, P2)에 인가된 상기 제1 및 제2 화소전압이 조절되는 시점이 상기한 블랭크 구간만큼 지연된다.According to an exemplary embodiment of the present invention, a first gate signal is input as the dummy gate signal from a first gate line GL1 operating in a next frame, and the first and second pixels P1 and P2 of the n-th pixel portion are shown in FIG. The first and second pixel voltages applied to the first and second pixel voltages are adjusted. However, there is a blank period in which the gate lines are not turned on between the frame sections in units of frames. Therefore, in the embodiment of the present invention illustrated in FIG. 1, the blank period at which the time point at which the first and second pixel voltages applied to the first and second pixels P1 and P2 of the n-th pixel part is adjusted is adjusted. Delayed by.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 더미 스테이지(SRCn+1)로부터 출력된 상기 더미 게이트 신호는 상기 n번째 화소부가 턴-온되는 n번째 1H 구간 직후에 발생되므로, 상기 n번째 화소부의 제1 및 제2 화소(P1, P2)에 인가된 상기 제1 및 제2 화소전압은 n번째 1H 구간 직후에 조절될 수 있다. 따라서, 본 발명의 다른 실시예에서는 전압 조절 시점이 지연되는 것을 방지할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, since the dummy gate signal output from the dummy stage SRCn + 1 is generated immediately after the n-th 1H section in which the n-th pixel portion is turned on, the first and the nth pixel portions The first and second pixel voltages applied to the second pixels P1 and P2 may be adjusted immediately after the nth 1H period. Therefore, in another embodiment of the present invention, it is possible to prevent the voltage adjustment time point from being delayed.
한편, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 더미 스테이지(SRCn+1)의 제2 입력단자(IN2)는 한 프레임의 시작을 알리는 상기 개시신호(STV)가 인가된다. 따라서, 다음 스테이지가 존재하지 않는 상기 더미 스테이지(SRCn+1)는 상기 개시신호(STV)에 응답하여 리셋되는 것이다.Meanwhile, as shown in FIG. 10, the start signal STV indicating the start of one frame is applied to the second input terminal IN2 of the dummy
도면에 도시하지는 않았지만, 상기 게이트 구동부(230)는 다수의 칩으로 이루어져 상기 표시패널(100) 상에 실장되고, 상기 다수의 칩 중 상기 제n 게이트 라인(GLn)으로 상기 게이트 신호를 출력하는 마지막 칩에는 상기 더미 게이트 라인을 구동하기 위한 상기 더미 게이트 신호를 출력하도록 구현될 수 있다.Although not illustrated in the drawing, the
이와 같은 표시장치에 따르면, 마지막단 화소부의 제1 및 제2 화소전압의 전압레벨을 조절하기 위한 더미 전압 조절부가 추가되고, 더미 전압 조절부는 첫번째 게이트 라인에 전기적으로 연결된 더미 게이트 라인을 통해 첫번째 게이트 신호를 입력받아 동작한다.According to such a display device, a dummy voltage adjuster for adjusting the voltage levels of the first and second pixel voltages of the last pixel portion is added, and the dummy voltage adjuster is first gated through a dummy gate line electrically connected to the first gate line. It operates by receiving a signal.
따라서, 상기 마지막단 화소부에서 백색화 현상이 발생하지 않으며, 그 결과 표시장치의 표시품질을 전체적으로 개선할 수 있다.Accordingly, the whitening phenomenon does not occur in the last pixel portion, and as a result, the display quality of the display device may be improved as a whole.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. It will be possible.
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