KR101342242B1 - Valve Heater for CVD - Google Patents

Valve Heater for CVD Download PDF

Info

Publication number
KR101342242B1
KR101342242B1 KR1020110128708A KR20110128708A KR101342242B1 KR 101342242 B1 KR101342242 B1 KR 101342242B1 KR 1020110128708 A KR1020110128708 A KR 1020110128708A KR 20110128708 A KR20110128708 A KR 20110128708A KR 101342242 B1 KR101342242 B1 KR 101342242B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
opening
housing
valve
heater
casing
Prior art date
Application number
KR1020110128708A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20130062475A (en
Inventor
이용문
Original Assignee
이용문
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이용문 filed Critical 이용문
Priority to KR1020110128708A priority Critical patent/KR101342242B1/en
Publication of KR20130062475A publication Critical patent/KR20130062475A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101342242B1 publication Critical patent/KR101342242B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04D—NON-POSITIVE-DISPLACEMENT PUMPS
    • F04D17/00—Radial-flow pumps, e.g. centrifugal pumps; Helico-centrifugal pumps
    • F04D17/08—Centrifugal pumps
    • F04D17/16—Centrifugal pumps for displacing without appreciable compression
    • F04D17/168—Pumps specially adapted to produce a vacuum
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Details Of Valves (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명의 화학기상증착용 밸브의 히터는, 구동부를 보호하는 구동부 케이싱(3)과, 개폐부를 보호하는 개폐부 케이싱(5)으로 구성된 밸브(1)를 가열하는 화학기상 증착용 밸브의 히터에 있어서, 하부가 개통된 중공의 반원 실린더형 상부 하우징(10)과, 상부가 개통된 중공의 반원 실린더형 하부 하우징(20)이 한쌍을 이루는 하우징부(30)와; 상기 상부 하우징(10)의 일측 하부에 형성된 개통되어 형성된 제1 연결관 수용홈(11)과, 상기 하부 하우징(20)의 일측 상부에 개통되어 형성된 제2 연결관 수용홈 (21)이 서로 결합하여 형성되는 연결관 수용홈부(40)과; 상기 상부 하우징(10)의 일측 내면에 고정되며 상기 개폐부 케이싱(5)의 일면과 접면(接面)되어 개폐부 케이싱(5)의 일면을 가열하는 제1 히팅부(50)와; 상기 하부 하우징(20)의 일측 내면에 고정되며 상기 개폐부 케이싱(5)의 타면과 접면(接面)되어 개폐부 케이싱(5)의 타면을 가열하는 제2 히팅부(60);로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착용 밸브의 히터에 관한 것이다.The heater of the chemical vapor deposition valve of the present invention is a chemical vapor deposition valve heater for heating a valve (1) consisting of a drive part casing (3) for protecting the drive portion and an opening and closing part casing (5) for protecting the opening and closing part. A housing part 30 having a pair of hollow semi-circular cylindrical upper housings 10 having a lower opening, and a pair of hollow semi-circular cylindrical lower housings 20 having an upper opening; The first connection pipe receiving groove 11 formed by being opened at one lower side of the upper housing 10 and the second connection pipe receiving groove 21 formed by being opened at an upper portion of the lower housing 20 are coupled to each other. A connecting pipe receiving groove portion 40 formed thereon; A first heating part 50 fixed to one inner surface of the upper housing 10 and in contact with one surface of the opening and closing part casing 5 to heat one surface of the opening and closing part casing 5; A second heating part 60 fixed to one inner surface of the lower housing 20 and in contact with the other surface of the opening and closing part casing 5 to heat the other surface of the opening and closing part casing 5; It relates to a heater for a chemical vapor deposition valve to be.

Description

화학기상증착용 밸브의 히터 { Valve Heater for CVD } Valve Heater for Chemical Vapor Deposition {Valve Heater for CVD}

본 발명은 화학기상증착용 밸브 히터에 관한 것이다.The present invention relates to a valve heater for chemical vapor deposition.

본 발명은 화학기상증착용 히터내장형 스로틀 밸브에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼 표면의 코팅시 발생되는 고온의 파우더(powder)가 스로틀 밸브에 응고되지 않도록 한 화학기상증착용 히터내장형 스로틀 밸브에 관한 것이다. 일반적으로, 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition:CVD)은 형성하려는 박막재료를 구성하고 있는 화합물과 단체의 가스를 기판위에 공급해, 기상 또는 기판 표면에서의 화학 반응에 의하여 원하는 박막을 형성시키는 방법이다.
The present invention relates to a heater built-in throttle valve for chemical vapor deposition, and more particularly, to a heater built-in throttle valve for chemical vapor deposition which prevents the high temperature powder generated during coating of the wafer surface from solidifying to the throttle valve. will be. In general, chemical vapor deposition (CVD) is a method of forming a desired thin film by supplying a compound of a thin film material to be formed and a gas of a single element on a substrate by a gas phase or a chemical reaction on the surface of the substrate.

종래 기술에 따른 화학기상증착장치는, 도 8에 나타낸 바와 같이, 반응가스와 웨이퍼가 각각 공급되어 화학기상증착이 이루어지는 반응챔버(1)와, 반응가스의 유량을 조절하는 유량조절기(MFC)(2)와, 반응챔버(1) 내의 압력을 조절하여 저압을 만들기 위한 배기 유니트(3)로 이루어진다. 즉, 반응챔버(1)에서 반응되지 않은 반응가스는 배기 유니트(3)를 통해 배기되는 것이다. 배기 유니트(3)는 반응챔버(1)와 연통되는 배기관(4), 배기관(4)의 관로를 개폐하는 배기 밸브(5), 압력 조절용 스로틀 밸브(6), 및 반응챔버(1) 내에 잔류한 가스를 배출시키는 배기펌프(7)로 구성된다.
As shown in FIG. 8, the chemical vapor deposition apparatus according to the prior art includes a reaction chamber 1 through which a reaction gas and a wafer are supplied to form chemical vapor deposition, and a flow controller (MFC) for controlling the flow rate of the reaction gas ( 2) and an exhaust unit 3 for adjusting the pressure in the reaction chamber 1 to create a low pressure. That is, the reaction gas not reacted in the reaction chamber 1 is exhausted through the exhaust unit 3. The exhaust unit 3 remains in the exhaust pipe 4 communicating with the reaction chamber 1, the exhaust valve 5 for opening and closing the conduit of the exhaust pipe 4, the throttle valve 6 for pressure regulation, and the reaction chamber 1. It consists of an exhaust pump 7 which discharges one gas.

즉, 반응챔버(1)에서 웨이퍼에 대한 공정이 이루어지고 난 후, 반응되지 않은 가스는 외부로 배출이 된다. 배기가스의 배출 시 상기 공정챔버의 외부에 설치된 스로틀 밸브(6)에 의해 배출을 위한 압력이 조절된다. 스로틀 밸브(6)를 통과한 배기가스는 배기펌프(7)에 의해 정화장치로 보내져서 처리된다. 즉, 스로틀 밸브(6)는 코팅장비인 CVD와 PVD(Plasma Vapor Deposition) 설비에 필수적으로 필요한 장치이다. 종래 기술에 따른 스로틀 밸브(6)는, 배기관(5)(도 8참고)의 관로와 연통되도록 개구부를 갖는 밸브 몸체(6a), 밸브 몸체(6a)의 내부에 구동수단을 통해 회전 가능하게 설치되어 밸브 몸체(6a) 내부의 관로의 개도를 조절하는 밸브 플레이트(6b)로 이루어진다. 상기 구동수단은 스텝핑 모터(8) 및 스텝핑 모터(8)와 기어를 통해 연결되면서 밸브 플레이트(6b)에 고정되어 밸브 플레이트(6b)를 구동하는 샤프트(9)로 이루어진다(도 9 참조).
That is, after the process is performed on the wafer in the reaction chamber 1, the unreacted gas is discharged to the outside. When the exhaust gas is discharged, the pressure for discharge is controlled by the throttle valve 6 installed outside the process chamber. The exhaust gas which has passed through the throttle valve 6 is sent to the purification | cleaning apparatus by the exhaust pump 7, and is processed. In other words, the throttle valve 6 is an essential device for CVD and PVD (Plasma Vapor Deposition) equipment. The throttle valve 6 according to the prior art is rotatably installed in the valve body 6a having an opening so as to communicate with the conduit of the exhaust pipe 5 (see FIG. 8) and the driving means inside the valve body 6a. And a valve plate 6b for adjusting the opening degree of the conduit inside the valve body 6a. The drive means consists of a shaft 9 which is connected to the stepping motor 8 and the stepping motor 8 via a gear and is fixed to the valve plate 6b to drive the valve plate 6b (see FIG. 9).

제품에 원하고자 하는 물질을 코팅하는 방법은 챔버내에 플라즈마를 발생시켜 코팅하고자 하는 물질에 이온화된 가스를 충돌시킴으로써 제품을 코팅하는 방법과 가스를 고온상태에서 기화시켜 코팅하고자 하는 물질을 원하는 제품에 코팅하는 방법으로 구분된다.PVD 설비는 챔버 내의 진공도를 플라즈마가 잘 생성되는 10-2 ~ 10-3Torr로 유지하여 플라즈마가 물질을 이온화시켜 원하는 부품에 코팅하는 방법이나 많은 양의 가스를 사용하지는 않는다.
The method of coating the desired material on the product is to coat the product by generating a plasma in the chamber and impinge ionized gas on the material to be coated and to coat the material on the desired product by vaporizing the gas at a high temperature. The PVD installation maintains the vacuum in the chamber at 10 -2 to 10 -3 Torr, which generates plasma well, so that the plasma ionizes the material and coats the desired part or does not use large amounts of gas. .

CVD 설비는 많은 양의 가스를 챔버 내로 주입하여 진공도를 수십 Torr로 유지하고 챔버 내에 설치되어 있는 히터로 가스를 500~600℃로 올려 가스 기체를 기화시켜 제품의 성질을 변화시키지 않고 제품을 코팅하는 방법으로, 공정 중에는 반응 부산물인 파우더(powder)가 발생되며, 발생된 파우더는 배기 유니트(3)를 통하여 배기펌프(7)쪽으로 배기되는 과정에서 도 8과 같이 반응챔버(1)와 배기펌프(7) 사이에 설치된 스로틀 밸브(6)를 통과하면서 밸브 몸체(6a)의 내벽과 밸브 플레이트(6b)의 표면에 적층 응고된다.
CVD equipment injects a large amount of gas into the chamber to maintain the vacuum level of several tens of torr and raises the gas to 500 ~ 600 ℃ with a heater installed in the chamber to vaporize the gas gas to coat the product without changing the properties of the product. In the process, powder (powder) which is a reaction by-product is generated, and the generated powder is exhausted toward the exhaust pump 7 through the exhaust unit 3 as shown in FIG. 8. 7) is laminated and solidified on the inner wall of the valve body 6a and the surface of the valve plate 6b while passing through the throttle valve 6 provided between them.

이처럼 스로틀 밸브(6)에 파우더가 응고되면 압력조절이 정상적으로 이루어지지 않으므로 파우더가 스로틀 밸브(6)에 응고되지 않도록 하여야 한다. When the powder is solidified in the throttle valve (6) as described above, the pressure control is not made normally, so that the powder does not solidify the throttle valve (6).

본 발명은 상기한 종래 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 밸브 몸체의 외부를 가열하는 히터를 구성하여 가스를 많이 사용하는 공정 특히 CVD공정에서 발생되는 파우더가 밸브의 모든 곳에 응고되지 않도록 한 화학기상증착용 밸브 히터를 제공하려는데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the above-mentioned problems, chemical vapor deposition for forming a heater that heats the outside of the valve body so that the powder generated in the process of using a lot of gas, particularly CVD process is not solidified everywhere in the valve The purpose is to provide a valve heater.

본 발명의 화학기상증착용 밸브의 히터는, 구동부를 보호하는 구동부 케이싱(3)과, 개폐부를 보호하는 개폐부 케이싱(5)으로 구성된 밸브(1)를 가열하는 화학기상 증착용 밸브의 히터에 있어서,The heater of the chemical vapor deposition valve of the present invention is a chemical vapor deposition valve heater for heating a valve (1) consisting of a drive part casing (3) for protecting the drive portion and an opening and closing part casing (5) for protecting the opening and closing part. ,

하부가 개통된 중공의 반원 실린더형 상부 하우징(10)과, 상부가 개통된 중공의 반원 실린더형 하부 하우징(20)이 한쌍을 이루는 하우징부(30)와;A housing part 30 in which the lower half of the hollow semicircular cylindrical upper housing 10 and the upper half of the hollow semicircular cylindrical lower housing 20 form a pair;

상기 상부 하우징(10)의 일측 하부에 형성된 개통되어 형성된 제1 연결관 수용홈(11)과, 상기 하부 하우징(20)의 일측 상부에 개통되어 형성된 제2 연결관 수용홈 (21)이 서로 결합하여 형성되는 연결관 수용홈부(40)과;The first connection pipe receiving groove 11 formed by being opened at one lower side of the upper housing 10 and the second connection pipe receiving groove 21 formed by being opened at an upper portion of the lower housing 20 are coupled to each other. A connecting pipe receiving groove portion 40 formed thereon;

상기 상부 하우징(10)의 일측 내면에 고정되며 상기 개폐부 케이싱(5)의 일면과 접면(接面)되어 개폐부 케이싱(5)의 일면을 가열하는 제1 히팅부(50)와;A first heating part 50 fixed to one inner surface of the upper housing 10 and in contact with one surface of the opening and closing part casing 5 to heat one surface of the opening and closing part casing 5;

상기 하부 하우징(20)의 일측 내면에 고정되며 상기 개폐부 케이싱(5)의 타면과 접면(接面)되어 개폐부 케이싱(5)의 타면을 가열하는 제2 히팅부(60);로 구성되는 것을 특징이다.A second heating part 60 fixed to one inner surface of the lower housing 20 and in contact with the other surface of the opening and closing part casing 5 to heat the other surface of the opening and closing part casing 5; to be.

본 발명에 따르는 경우 밸브 몸체의 외부를 가열하는 히터를 구성하여 가스를 많이 사용하는 공정 특히 CVD공정에서 발생되는 파우더가 밸브의 모든 곳에 응고되지 않도록 한 화학기상증착용 밸브 히터를 제공된다.
According to the present invention is provided a valve heater for chemical vapor deposition by configuring a heater for heating the outside of the valve body to prevent the powder generated in the process of using a lot of gas, in particular CVD process to solidify everywhere in the valve.

밸브 내부에 응고되는 파우더를 쉽게 액화 또는 기화시켜 파우더의 응고로 인한 밸브의 고장을 해소할 수 있으며, 이에 따라 CVD공정과 같이 가스를 많이 사용하는 공정에 적용되어 CVD시스템의 가동시간 연장 및 생산성을 향상할 수 있는 등의 효과가 있다.By liquefying or vaporizing the powder solidified inside the valve, it is possible to solve the failure of the valve due to the solidification of the powder. Therefore, it is applied to the gas-intensive process such as the CVD process to extend the operation time and productivity of the CVD system. It can improve such an effect.

도 1은 본 본 발명의 일실시예에 따른 화학기상증착용 밸브의 히터 사용상태도(밸브를 히터가 감싸고 있는 모습).
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 밸브의 히터 분해도(일면 밸브 접촉 상태).
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 밸브의 히터 분해도.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 밸브의 히터 분해도(하우징과 히팅부 분리상태).
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 히팅부 분해도.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 밸브의 히터 전체 구성도.
도 7은 본 발명의 히터가 사용되는 화학기상증착용 밸브 구성도.
도 8, 도 9는 종래기술의 사용환경 및 밸브 구성도.Figure 1 is a heater using state diagram of the chemical vapor deposition valve according to an embodiment of the present invention (the heater is wrapped around the valve).
Figure 2 is an exploded view of the valve heater (one side valve contact state) according to an embodiment of the present invention.
3 is an exploded view of the heater of the valve according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is an exploded view of the heater of the valve according to an embodiment of the present invention (housing and heating unit separated state).
5 is an exploded view of the heating unit according to an embodiment of the present invention.
6 is an overall configuration diagram of a heater of a valve according to an embodiment of the present invention.
Figure 7 is a chemical vapor deposition valve configuration diagram using the heater of the present invention.
8 and 9 is a view showing the use environment and valve configuration of the prior art.

이하에서 본 발명의 일실시예에 따른 화학기상증착용 밸브의 히터에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 도 1은 본 본 발명의 일실시예에 따른 화학기상증착용 밸브의 히터 사용상태도(밸브를 히터가 감싸고 있는 모습), 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 밸브의 히터 분해도(일면 밸브 접촉 상태), 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 밸브의 히터 분해도, 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 밸브의 히터 분해도(하우징과 히팅부 분리상태), 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 히팅부 분해도, 도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 밸브의 히터 전체 구성도이고, 도 7은 화학기상증착용 밸브 구성도이다.
Hereinafter, a heater of a chemical vapor deposition valve according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. 1 is a view illustrating a heater using state of a chemical vapor deposition valve according to an embodiment of the present invention (a state in which a heater is wrapped in a valve), and FIG. 2 is an exploded view of a heater according to an embodiment of the present invention (one side valve) Contact state), Figure 3 is a heater exploded view of the valve according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a heater exploded view (detached state of the housing and heating) of the valve according to an embodiment of the present invention, Figure 5 is 6 is an exploded view of a heating unit according to an embodiment, FIG. 6 is a view illustrating a whole heater configuration of a valve according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a schematic view of a valve for chemical vapor deposition.

도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 밸브 히터는 화학기상증착용 밸브의 히터는 구동부를 보호하는 구동부 케이싱(3)과, 개폐부를 보호하는 개폐부 케이싱(5)으로 구성된 밸브(1)이며, 화학기상 증착용으로 사용되는 액화 또는 가스 상의 개스가 흐르는 관을 차페하는데 사용된다. 이러한 구성은 공지 기술로서 본 발명의 명세서에서 그 상세한 설명은 생략한다.
As shown in Fig. 7, the valve heater of the present invention is a valve (1) consisting of a drive casing (3) to protect the drive unit, and the opening and closing casing (5) to protect the opening and closing the heater of the valve for chemical vapor deposition, It is used to shield tubes through which liquefied or gaseous gases are used for chemical vapor deposition. This configuration is well known in the art and the detailed description thereof will be omitted.

도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 화학기상증착용 밸브의 히터는, 하우징부(30)와 연결관 수용홈부(40)과 제1 히팅부(50)와 제2 히팅부(60)로 구성된다. 하우징부(30)는 하부가 개통된 중공의 반원 실린더형 상부 하우징(10)과, 상부가 개통된 중공의 반원 실린더형 하부 하우징(20)이 한쌍을 이룬다.
As shown in Figure 1 to 6, the heater of the chemical vapor deposition valve according to an embodiment of the present invention, the housing portion 30, the connecting pipe receiving groove portion 40 and the first heating portion 50 and The second heating unit 60 is configured. The housing portion 30 is a pair of a hollow semi-circular cylindrical upper housing 10 having a lower opening and a hollow semi-circular cylindrical lower housing 20 having an upper opening.

도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 화학기상증착용 밸브의 히터에 있어서, 연결관 수용홈부(40)는 상부 하우징(10)의 일측 하부에 형성된 개통되어 형성된 제1 연결관 수용홈(11)과, 상기 하부 하우징(20)의 일측 상부에 개통되어 형성된 제2 연결관 수용홈 (21)이 서로 결합하여 형성된다.
As shown in Figure 1 to 6, in the heater of the chemical vapor deposition valve according to an embodiment of the present invention, the connector tube receiving groove 40 is formed by opening formed on one side lower portion of the upper housing 10 The first connecting pipe receiving groove 11 and the second connecting pipe receiving groove 21 formed by being opened on an upper portion of the lower housing 20 are formed to be coupled to each other.

도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 화학기상증착용 밸브의 히터에 있어서, 제1 히팅부(50)는 상부 하우징(10)의 일측 내면에 고정되며 상기 개폐부 케이싱(5)의 일면과 접면(接面)되어 개폐부 케이싱(5)의 일면을 가열한다. 제2 히팅부(60)는 하부 하우징(20)의 일측 내면에 고정되며 상기 개폐부 케이싱(5)의 타면과 접면(接面)되어 개폐부 케이싱(5)의 타면을 가열한다.
1 to 6, in the heater of the chemical vapor deposition valve according to an embodiment of the present invention, the first heating portion 50 is fixed to one inner surface of the upper housing 10 and the opening and closing portion It is in contact with one surface of the casing (5) to heat one surface of the opening and closing casing (5). The second heating part 60 is fixed to one inner surface of the lower housing 20 and is in contact with the other surface of the opening and closing casing 5 to heat the other surface of the opening and closing casing 5.

도 2 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 화학기상증착용 밸브의 히터에 있어서, 제1 히팅부(50)와 제2 히팅부(60)는 납작한 직육면체형상이고, 제1 히팅부(50)와 제2 히팅부(60)는 각각 상기 상부 하우징(10)과 하부 하우징(10)의 일측 내면에 형성된 히팅부 수용홈(70)에 삽입, 고정되는 것이 바람직하다.
As shown in Figure 2 to 6, in the heater of the chemical vapor deposition valve according to an embodiment of the present invention, the first heating unit 50 and the second heating unit 60 is a flat rectangular parallelepiped, The first heating part 50 and the second heating part 60 are preferably inserted into and fixed in the heating part accommodating groove 70 formed at one inner surface of the upper housing 10 and the lower housing 10, respectively.

도 2 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 화학기상증착용 밸브의 히터에 있어서, 상부 하우징(10)과 하부 하우징(20)의 일측에 서로 한쌍으로 이루는 내향 돌출편(13, 23)이 형성되고, 내향 돌출편(13, 23)은 서로 맞닿은 후 제1 체결수단(P1)으로 결합되는 것이 바람직하다.
As shown in Figures 2 to 6, in the heater of the chemical vapor deposition valve according to an embodiment of the present invention, the inwardly projecting piece consisting of a pair of each other on one side of the upper housing 10 and the lower housing 20 (13, 23) is formed, it is preferable that the inwardly projecting pieces (13, 23) are in contact with each other and then coupled to the first fastening means (P1).

도 2 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 화학기상증착용 밸브의 히터에 있어서, 상부 하우징(10)과 하부 하우징(20)의 타측에 서로 한쌍으로 이루는 체결홀(15, 25)이 형성되고, 체결홀(15, 25)에 제2 체결수단(P2)이 삽입, 고정됨으로써 상기 상부 하우징(10)과 하부 하우징(20)이 결합되는 것이 바람직하다. 도 1 또는 도 2에 도시된 바와 같이, 하우징부(30)의 타측 중공부에 상기 구동부 케이싱(3)이 내삽되는 것이 바람직하다.
As shown in Figures 2 to 6, in the heater of the chemical vapor deposition valve according to an embodiment of the present invention, a fastening hole formed in a pair of each other on the other side of the upper housing 10 and the lower housing 20 ( 15 and 25 are formed, and the upper housing 10 and the lower housing 20 are preferably coupled by inserting and fixing the second fastening means P2 into the fastening holes 15 and 25. As shown in FIG. 1 or FIG. 2, it is preferable that the driving part casing 3 is interpolated to the other hollow part of the housing part 30.

본 발명은 상기에서 언급한 바람직한 실시예와 관련하여 설명됐지만, 본 발명의 범위가 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위는 이하의 특허청구범위에 의하여 정하여지는 것으로 본 발명과 균등 범위에 속하는 다양한 수정 및 변형을 포함할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but on the contrary, ≪ RTI ID = 0.0 > and / or < / RTI >

아래의 특허청구범위에 기재된 도면부호는 단순히 발명의 이해를 보조하기 위한 것으로 권리범위의 해석에 영향을 미치지 아니함을 밝히며 기재된 도면부호에 의해 권리범위가 좁게 해석되어서는 안될 것이다.It is to be understood that the appended claims are intended to supplement the understanding of the invention and should not be construed as limiting the scope of the appended claims.

1 : 밸브 3 : 구동부 케이싱
5 : 개폐부 케이싱 10 : 상부 하우징
11 : 제1 연결관 수용홈 13 : 내향 돌출편
15 : 체결홀 20 : 하부 하우징
21 : 제2 연결관 수용홈 23 : 내향 돌출편
25 : 체결홀 30 : 하우징부
40 : 연결관 수용홈부 50 : 제1 히팅부
60 : 제2 히팅부 70 :히팅부 수용홈
P1 : 제1 체결수단 P2 : 제2 체결수단1 valve 3 drive casing
5: opening and closing casing 10: upper housing
11: first connector receiving groove 13: inwardly projecting piece
15: fastening hole 20: lower housing
21: second connector receiving groove 23: inward protrusion
25 fastening hole 30 housing part
40: connector receiving groove 50: the first heating portion
60: second heating unit 70: heating unit receiving groove
P1: first fastening means P2: second fastening means

Claims (5)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 구동부를 보호하는 구동부 케이싱(3)과, 개폐부를 보호하는 개폐부 케이싱(5)으로 구성된 밸브(1)를 가열하는 화학기상 증착용 밸브의 히터에 있어서,
하부가 개통된 중공의 반원 실린더형 상부 하우징(10)과, 상부가 개통된 중공의 반원 실린더형 하부 하우징(20)이 한쌍을 이루는 하우징부(30)와;
상기 상부 하우징(10)의 일측 하부에 형성된 개통되어 형성된 제1 연결관 수용홈(11)과, 상기 하부 하우징(20)의 일측 상부에 개통되어 형성된 제2 연결관 수용홈 (21)이 서로 결합하여 형성되는 연결관 수용홈부(40)과;
상기 상부 하우징(10)의 일측 내면에 고정되며 상기 개폐부 케이싱(5)의 일면과 접면(接面)되어 개폐부 케이싱(5)의 일면을 가열하는 제1 히팅부(50)와;
상기 하부 하우징(20)의 일측 내면에 고정되며 상기 개폐부 케이싱(5)의 타면과 접면(接面)되어 개폐부 케이싱(5)의 타면을 가열하는 제2 히팅부(60);로 구성되되,

상기 제1 히팅부(50)와 제2 히팅부(60)는 납작한 직육면체형상이고,
상기 제1 히팅부(50)와 제2 히팅부(60)는 각각 상기 상부 하우징(10)과 하부 하우징(10)의 일측 내면에 형성된 히팅부 수용홈(70)에 삽입, 고정되고,

상기 상부 하우징(10)과 하부 하우징(20)의 일측에 서로 한쌍으로 이루는 내향 돌출편(13, 23)이 형성되고,
상기 내향 돌출편(13, 23)은 서로 맞닿은 후 체결홀(H)을 통과하는 제1 체결수단(P1)으로 결합되고,

상기 상부 하우징(10)과 하부 하우징(20)의 타측에 서로 한쌍으로 이루는 제2 체결홀(15, 25)이 형성되고,
상기 제2 체결홀(15, 25)에 제2 체결수단(P2)이 삽입, 고정됨으로써 상기 상부 하우징(10)과 하부 하우징(20)이 결합되고,

상기 하우징부(30)의 타측 중공부에 상기 구동부 케이싱(3)이 내삽되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착용 밸브의 히터.In the heater of the chemical vapor deposition valve which heats the valve 1 which consists of the drive part casing 3 which protects a drive part, and the opening part casing 5 which protects an opening-and-closing part,
A housing part 30 in which the lower half of the hollow semicircular cylindrical upper housing 10 and the upper half of the hollow semicircular cylindrical lower housing 20 form a pair;
The first connection pipe receiving groove 11 formed by being opened at one lower side of the upper housing 10 and the second connection pipe receiving groove 21 formed by being opened at an upper portion of the lower housing 20 are coupled to each other. A connecting pipe receiving groove portion 40 formed thereon;
A first heating part 50 fixed to one inner surface of the upper housing 10 and in contact with one surface of the opening and closing part casing 5 to heat one surface of the opening and closing part casing 5;
And a second heating part 60 fixed to one inner surface of the lower housing 20 and in contact with the other surface of the opening and closing part casing 5 to heat the other surface of the opening and closing part casing 5.

The first heating unit 50 and the second heating unit 60 is a flat rectangular parallelepiped shape,
The first heating part 50 and the second heating part 60 are inserted into and fixed in the heating part accommodating groove 70 formed at one inner surface of the upper housing 10 and the lower housing 10, respectively.

On one side of the upper housing 10 and the lower housing 20 are formed inwardly inwardly projecting pieces (13, 23),
The inwardly protruding pieces 13 and 23 are coupled to the first fastening means P1 passing through the fastening holes H after being in contact with each other.

Second coupling holes 15 and 25 are formed on the other side of the upper housing 10 and the lower housing 20 in pairs with each other.
By inserting and fixing the second fastening means P2 to the second fastening holes 15 and 25, the upper housing 10 and the lower housing 20 are coupled to each other.

The heater of the chemical vapor deposition valve, characterized in that the drive casing (3) is inserted into the other hollow portion of the housing portion (30).
KR1020110128708A 2011-12-05 2011-12-05 Valve Heater for CVD KR101342242B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110128708A KR101342242B1 (en) 2011-12-05 2011-12-05 Valve Heater for CVD

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110128708A KR101342242B1 (en) 2011-12-05 2011-12-05 Valve Heater for CVD

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130062475A KR20130062475A (en) 2013-06-13
KR101342242B1 true KR101342242B1 (en) 2013-12-16

Family

ID=48860166

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110128708A KR101342242B1 (en) 2011-12-05 2011-12-05 Valve Heater for CVD

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101342242B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004316864A (en) 2003-04-21 2004-11-11 Tokyo Gijutsu Kenkyusho:Kk Heater unit to be mounted on valve

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004316864A (en) 2003-04-21 2004-11-11 Tokyo Gijutsu Kenkyusho:Kk Heater unit to be mounted on valve

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130062475A (en) 2013-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102074346B1 (en) Remote plasma-based atomic layer deposition system
TWI625757B (en) Pulsed remote plasma method and system
JP5702657B2 (en) Heat treatment equipment
TWI625758B (en) Remote plasma system, method for providing intermediate reactive species to a reaction chamber of a reactor, and plasma-enhanced chemical vapor deposition system
JP5645718B2 (en) Heat treatment equipment
JP6752555B2 (en) Methods and devices for suppressing parasitic plasma behind the shower head in a secondary purge-compatible ALD system
TWI557262B (en) Chemical delivery system
KR101530100B1 (en) In-situ removal of semiconductor process residues from dry pump surfaces
KR20190030163A (en) Cleaning method for exhaust pipe
KR20130058784A (en) Valve heater for cvd
KR101342242B1 (en) Valve Heater for CVD
US20100095890A1 (en) Gas supply system, pumping system, coating system, gas supply method, and pumping method
US20060249702A1 (en) Isolation valve for energetic and high temperature gases
US6305392B1 (en) Method and apparatus for removing processing liquid from a processing liquid delivery line
WO2018110199A1 (en) Film-forming device
WO2010046252A1 (en) Gas supply system, pumping system, coating system, gas supply method, and pumping method
KR100856312B1 (en) Heater of low pressure chemical vapor deposition apparatus
KR20060072356A (en) Thin plate heater mounted in the throttle valve plate for cvd
KR102403088B1 (en) Apparatus and Method of Processing wafer
KR101388225B1 (en) Depositing apparatus of the vaporizer
KR20090060961A (en) Isolation valve apparatus for the exhaust line of the manufacturing apparatus for semiconductor
JP3426972B2 (en) Method and apparatus for cleaning inside Si-based product manufacturing apparatus
JPH10125666A (en) Film formation system
KR102125509B1 (en) Gas valve assembly and substrate processing apparatus
KR20230137124A (en) Substrate processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee