KR101340134B1 - Sputerring method using of sputerring device - Google Patents

Sputerring method using of sputerring device Download PDF

Info

Publication number
KR101340134B1
KR101340134B1 KR1020120024395A KR20120024395A KR101340134B1 KR 101340134 B1 KR101340134 B1 KR 101340134B1 KR 1020120024395 A KR1020120024395 A KR 1020120024395A KR 20120024395 A KR20120024395 A KR 20120024395A KR 101340134 B1 KR101340134 B1 KR 101340134B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
scan
cycle
sputtering
section
reverse
Prior art date
Application number
KR1020120024395A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20130103062A (en
Inventor
이재춘
Original Assignee
하이디스 테크놀로지 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 하이디스 테크놀로지 주식회사 filed Critical 하이디스 테크놀로지 주식회사
Priority to KR1020120024395A priority Critical patent/KR101340134B1/en
Priority to TW101139070A priority patent/TWI589717B/en
Priority to US13/660,263 priority patent/US9206503B2/en
Priority to CN201210417924.2A priority patent/CN103088305B/en
Priority to JP2012238043A priority patent/JP2013096010A/en
Publication of KR20130103062A publication Critical patent/KR20130103062A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101340134B1 publication Critical patent/KR101340134B1/en
Priority to US14/932,005 priority patent/US9982337B2/en
Priority to JP2016189708A priority patent/JP6220028B2/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L21/2855Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by physical means, e.g. sputtering, evaporation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링 방법에 관한 것으로서, 스퍼터링 타겟의 일측으로부터 타측으로의 전체 스캔 구간을 설정하고, 마그넷을 상기 스캔구간을 따라 정방향과 역방향으로 연속적으로 다수 회 왕복운동시켜 상기 스퍼터링 타겟을 스캔하는 스퍼터링 장치의 스퍼터링 방법에 있어서, 상기 전체 스캔 구간을 n개의 부분으로 분할하고, 상기 전체 스캔 구간의 적어도 일부를 구간으로 하는 다수의 정방향 스캔 구간과 다수의 역방향 스캔 구간이 적절하게 배열된 제1사이클과 제2사이클을 적어도 1회 교번되도록 배열하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 스퍼터링 타겟의 균일한 침식을 통해 스퍼터링 타겟의 사용효율을 향상시켜 스퍼터링 타겟의 교체주기를 연장시키고, 스퍼터링 공정의 제조비용을 절감할 수 있는 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링 방법이 제공된다.The present invention relates to a sputtering method using a sputtering apparatus, and sets the entire scan section from one side of the sputtering target to the other side, and the magnet is reciprocated in the forward and reverse directions a plurality of times continuously along the scan section to provide the sputtering target. A sputtering method of a sputtering apparatus for scanning, comprising: a plurality of forward scan sections and a plurality of reverse scan sections, each of which divides the entire scan section into n portions and makes at least a portion of the entire scan section into sections; It is characterized in that one cycle and the second cycle are arranged to be alternating at least once. As a result, a sputtering method using a sputtering apparatus capable of improving the use efficiency of the sputtering target through uniform erosion of the sputtering target, extending the replacement period of the sputtering target, and reducing the manufacturing cost of the sputtering process.

Description

스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링 방법{SPUTERRING METHOD USING OF SPUTERRING DEVICE}Sputtering method using sputtering device {SPUTERRING METHOD USING OF SPUTERRING DEVICE}

본 발명은 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 스퍼터링 타겟의 저면을 스캔하도록 이동하는 마그넷의 이동구간을 스퍼터링 타겟의 사용시간이 지남에 따라 작게 설정하여 스퍼터링 타겟의 사용효율이 향상되도록 하는 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a sputtering method using a sputtering apparatus, and more particularly, by setting the moving section of the magnet moving to scan the bottom surface of the sputtering target to a smaller value as the use time of the sputtering target improves the use efficiency of the sputtering target. It relates to a sputtering method using a sputtering device to be.

일반적으로, 스퍼터링 장치는 반도체 소자용 기판이나 액정표시장치용 기판 상에 박막를 형성할 때 널리 이용되는 성막장치의 하나로서, 반도체 소자의 제조 또는 액정표시 장치의 제조에서 매우 중요한 장치로 취급되고 있다.In general, the sputtering apparatus is one of the film forming apparatuses widely used when forming a thin film on a semiconductor element substrate or a liquid crystal display substrate, and is treated as a very important apparatus in the manufacture of semiconductor elements or the manufacture of liquid crystal display devices.

도 1은 스퍼터링 장치의 개략도이다. 도 1을 참조하면, 스퍼터링 장치는 진공챔버(101) 내측에 기판(103)이 안치되는 서셉터(102)와, 기판(103)의 대향면에 증착원으로 사용하는 금속물질의 스퍼터링 타겟(104)이 배치된다.1 is a schematic view of a sputtering apparatus. Referring to FIG. 1, a sputtering apparatus includes a susceptor 102 having a substrate 103 placed inside a vacuum chamber 101, and a sputtering target 104 of a metal material used as a deposition source on an opposite surface of the substrate 103. ) Is placed.

여기서, 스퍼터링 타겟(104)은 백플레이트(back plate)(105)에 의해 고정되어 기판(103)에 형성될 박막의 재료를 공급하며, 스퍼터링 타겟(104)의 측면을 따라서는 접지 차폐부(ground shield)(106)가 설치되고, 기판(103)과 스퍼터링 타겟(104)의 사이의 주변부를 따라서는 마스크(107)가 설치된다.Here, the sputtering target 104 is fixed by a back plate 105 to supply a material of a thin film to be formed on the substrate 103, and a ground shield along the side of the sputtering target 104. A shield 106 is provided, and a mask 107 is provided along the periphery between the substrate 103 and the sputtering target 104.

백플레이트(105)의 저면에는 DC 전원을 인가하기 위한 마그넷(magnet)(108)이 스퍼터링 타겟(104)의 좌우방향으로 이동하도록 소정의 구동수단(109)에 의해 결합되어 있다.A magnet 108 for applying DC power is coupled to the bottom of the back plate 105 by predetermined driving means 109 so as to move in the left and right directions of the sputtering target 104.

이와 같은 상태에서, 진공챔버(101)의 내부에 불활성 기체인 아르곤(Ar)을 주입하고, 스퍼터링 타겟(104)에 DC 바이어스를 인가하면, 불활성 기체가 이온화된 플라즈마 상태가 되어 이온들이 스퍼터링 타겟(104)과 충돌하고, 스퍼터링 타겟(104)에서 원자들이 방출되면서 기판(103) 상에 박막을 형성한다.In this state, when argon (Ar), which is an inert gas, is injected into the vacuum chamber 101, and a DC bias is applied to the sputtering target 104, the inert gas is in an ionized plasma state, and the ions are sputtered targets ( Collide with 104, and atoms are released from the sputtering target 104 to form a thin film on the substrate 103.

이때, 마그넷(108)은 도 2에서와 같이 좌우방향으로 왕복운동을 하면서 스퍼터링 타겟(104)을 스캔하면서 자기장을 공급하여 이온들이 스퍼터링 타겟(104)에 충돌하도록 유도한다.At this time, the magnet 108 supplies a magnetic field while scanning the sputtering target 104 while reciprocating in the horizontal direction as shown in FIG. 2 to induce ions to collide with the sputtering target 104.

그런데, 종래에는 마그넷(108)의 스캔 동작에 있어서, 스퍼터링 타겟(104)의 좌측 단부와 우측 단부에서 스캔속도를 줄이게 되어 있어서 중앙부보다 상대적으로 장시간 머무르게 되며, 마그넷(108)이 장시간 정지하게 되면, 마그넷(108)의 스캔 구간(D)의 중앙부보다 좌측단부와 우측단부에서 상대적으로 자기장에 노출되는 시간이 길어지게 된다.By the way, in the conventional scanning operation of the magnet 108, the scanning speed is reduced at the left end and the right end of the sputtering target 104 to stay relatively longer than the center portion, and when the magnet 108 is stopped for a long time, The time for which the magnetic field is relatively exposed at the left end and the right end is longer than the center of the scan section D of the magnet 108.

즉, 스퍼터링 타겟(103)에서 마그넷(108)의 노출시간이 상대적으로 길어지는 좌측단부와 우측단부에서 침식이 중앙부보다 상대적으로 많이 발생된다. That is, in the sputtering target 103, the erosion occurs relatively more than the center portion at the left end and the right end where the exposure time of the magnet 108 is relatively long.

도 3은 도 2의 I-I'을 따라 절단한 단면도이다. 도 3을 참조하면, 스퍼터링 타겟(A)에서 최초 설치시의 두께(t1)과 비교하여 중앙부에서의 두께(t2)에 비해 양측 단부에서의 두께(t3)의 침식이 더 많이 발생한 것을 확인할 수 있다.3 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 2. Referring to FIG. 3, in the sputtering target A, more erosion of the thickness t 3 at both ends occurs than the thickness t 2 at the center portion compared to the thickness t 1 at the initial installation. You can check it.

결과적으로, 스퍼터링 장치에 설치되는 스퍼터링 타겟에서는 중앙부에 비해 좌측단부와 우측단부에서 상대적으로 침식이 집중되는 부분이 발생하여 스퍼터링 타겟의 사용효율이 낮아지는 문제점이 있었다.As a result, in the sputtering target installed in the sputtering apparatus, a portion where erosion is concentrated in the left end and the right end is generated, compared to the center part, and there is a problem in that the use efficiency of the sputtering target is lowered.

또한, 스퍼터링 타겟의 낮은 사용효율에 따라 스퍼터링 타겟의 교체주기 또한 빨라지는 문제점이 있었다.In addition, there is a problem that the replacement cycle of the sputtering target also becomes faster according to the low use efficiency of the sputtering target.

아울러, 스퍼터링 타겟의 교체주기가 빨라짐에 따라 제조비용이 상승하는 문제점이 있었다.In addition, as the replacement cycle of the sputtering target is faster, there is a problem that the manufacturing cost increases.

본 발명의 과제는 상술한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 스퍼터링 장치에서 스퍼터링 타겟의 균일한 침식을 통해 스퍼터링 타겟의 사용효율을 향상시켜 스퍼터링 타겟의 교체주기를 연장시킬 수 있는 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to solve the conventional problems as described above, sputtering apparatus that can extend the replacement cycle of the sputtering target by improving the use efficiency of the sputtering target through uniform erosion of the sputtering target in the sputtering apparatus It is an object to provide a sputtering method used.

또한, 스퍼터링 타겟의 교체주기를 연장시켜 제조비용을 절감할 수 있는 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, it is an object of the present invention to provide a sputtering method using a sputtering device that can reduce the manufacturing cost by extending the replacement period of the sputtering target.

상기 과제는, 본 발명의 일 실시예에 따라 스퍼터링 타겟의 일측으로부터 타측으로의 전체 스캔 구간을 설정하고, 마그넷을 상기 스캔구간을 따라 정방향과 역방향으로 연속적으로 다수 회 왕복운동시켜 상기 스퍼터링 타겟을 스캔하는 스퍼터링 장치의 스퍼터링 방법에 있어서, n개(n은 양의 정수)의 부분으로 분할되는 상기 전체 스캔 구간을 설정하는 단계; 상기 전체 스캔 구간 중 적어도 일부를 구간으로 하는 다수의 정방향 스캔 구간과 역방향 스캔 구간을 설정하는 단계; 및, 다수의 상기 정방향 스캔 구간과 상기 역방향 스캔 구간으로 각각 구성되는 제1스캔사이클과 제2스캔사이클을 설정하는 단계;를 포함하며, 상기 제1스캔사이클은, 첫 번째 정방향 스캔 구간이 상기 n개의 부분 중 첫 번째 부분과 p번째 부분을 각각 시작부분과 끝부분이 되도록 하고, a번째 정방향 스캔 구간이 상기 n개의 부분 중 a번째 부분과 (p+a-1)번째 부분을 각각 시작부분과 끝부분이 되도록 하여 (p+a-1)이 n이 될 때까지 배열되게 하고(1≤a≤(n/2), ((n/2)+1)≤p<n, a,p는 정수), 상기 제2스캔사이클은, 상기 제1스캔사이클에 배열된 다수의 정방향 스캔 구간의 역순으로 다수의 정방향 스캔 구간을 배열되게 하며, 상기 제1스캔사이클과 상기 제2스캔사이클에 구성된 다수의 역방향 스캔 구간 각각은 마그넷이 연속적으로 이동되도록 직전의 정방향 스캔 구간의 끝부분을 시작부분으로 하고, 직후의 정방향 스캔 구간의 시작부분을 끝부분으로 하며, 상기 제1스캔사이클과 상기 제2스캔사이클은 서로 교번되면서 적어도 1회 배열되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링 방법에 의해 달성된다.According to an embodiment of the present invention, the entire scanning section from one side of the sputtering target to the other side is set, and the magnet is reciprocated in the forward and reverse directions along the scan section in succession a plurality of times to scan the sputtering target. A sputtering method of a sputtering apparatus, comprising: setting the entire scan interval divided into n parts (n is a positive integer); Setting a plurality of forward scan intervals and reverse scan intervals in which at least some of the entire scan intervals are intervals; And setting a first scan cycle and a second scan cycle each consisting of a plurality of the forward scan sections and the reverse scan sections, wherein the first scan cycle includes: n The first part and the pth part of the parts are the start part and the end part, respectively, and the ath forward scan section comprises the a part and the (p + a-1) th part of the n parts, respectively. End to end until (p + a-1) becomes n (1≤a≤ (n / 2), ((n / 2) +1) ≤p <n, a, p Integer), and the second scan cycle causes the plurality of forward scan sections to be arranged in the reverse order of the plurality of forward scan sections arranged in the first scan cycle, and the plurality of scan scan sections configured in the first scan cycle and the second scan cycle. Each of the backward scan intervals of the previous forward scan zones allows the magnets to move continuously. A sputtering apparatus, characterized in that the end portion of the liver is the start portion, and the start portion of the immediately forward scanning section is the end portion, and the first scan cycle and the second scan cycle are alternately arranged at least once. It is achieved by the sputtering method used.

상기 과제는, 본 발명의 다른 실시예에 따라, 스퍼터링 타겟의 일측으로부터 타측으로의 전체 스캔 구간을 설정하고, 마그넷을 상기 스캔구간을 따라 정방향과 역방향으로 연속적으로 다수 회 왕복운동시켜 상기 스퍼터링 타겟을 스캔하는 스퍼터링 장치의 스퍼터링 방법에 있어서, n개(n은 양의 정수)의 부분으로 분할되는 상기 전체 스캔 구간을 설정하는 단계; 상기 전체 스캔 구간 중 적어도 일부를 구간으로 하여 교번 배열된 다수의 정방향 스캔 구간과 역방향 스캔 구간을 설정하는 단계; 및, 다수의 상기 정방향 스캔 구간과 다수의 상기 역방향 스캔 구간으로 각각 구성되는 제1스캔사이클과 제2스캔사이클을 설정하는 단계;를 포함하며, 상기 제1스캔사이클은, 첫 번째 정방향 스캔 구간이 상기 n개의 부분 중 첫 번째 부분과 n번째 부분을 각각 시작부분과 끝부분이 되도록 하고, a번째 정방향 스캔 구간이 상기 n개의 부분 중 a번째 부분과 n-a+1번째 부분을 각각 시작부분과 끝부분이 되도록 하여, n이 짝수인 경우 a가 n/2 이 될 때까지 배열되게 하며, n이 홀수인 경우 a가 (n-1)/2 이 될 때까지 배열되게 하고(1≤a≤(n/2), a는 정수), 상기 제2스캔사이클은, 상기 제1스캔사이클에 배열된 다수의 정방향 스캔 구간의 역순으로 다수의 정방향 스캔 구간을 배열되게 하며, 상기 제1스캔사이클과 상기 제2스캔사이클의 다수의 역방향 스캔 구간 각각은 마그넷이 연속적으로 이동되도록 직전의 정방향 스캔 구간의 끝부분을 시작부분으로 하고, 직후의 정방향 스캔 구간의 시작부분을 끝부분으로 하며, 상기 제1스캔사이클과 상기 제2스캔사이클은 서로 교번되면서 적어도 1회 배열되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링 방법에 의해 달성될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, according to another embodiment of the present invention, by setting the entire scan interval from one side to the other side of the sputtering target, the magnet is reciprocated in the forward and reverse directions a plurality of times continuously along the scan interval to the sputtering target A sputtering method of a sputtering apparatus for scanning, comprising: setting the entire scan interval divided into n portions (n is a positive integer); Setting a plurality of alternating forward scan intervals and reverse scan intervals using at least a portion of the entire scan intervals as intervals; And setting a first scan cycle and a second scan cycle each consisting of a plurality of the forward scan sections and a plurality of the reverse scan sections, wherein the first scan cycle includes: a first forward scan section; The first part and the nth part of the n parts are to be the start part and the end part, respectively, and the a th forward scan section includes the a part and the n-a + 1 part of the n parts, respectively. To the end, so that when n is even, a is arranged until n / 2, and when n is odd, it is arranged until a is (n-1) / 2 (1≤a≤) (n / 2), a is an integer), and the second scan cycle causes the plurality of forward scan sections to be arranged in the reverse order of the plurality of forward scan sections arranged in the first scan cycle. Each of the plurality of reverse scan intervals of the second scan cycle The end of the immediately preceding forward scan section is used as the beginning, and the beginning of the immediately forward scanning section is the end so that the magnets are continuously moved. The first and second scan cycles alternate with each other at least. It can be achieved by a sputtering method using a sputtering device, characterized in that arranged once.

여기서, 상기 제1스캔사이클과 상기 제2스캔사이클을 교번 배열시, 선배열된 스캔사이클의 마지막 정방향 스캔 구간의 끝부분을 시작부분으로 하고 후배열된 스캔사이클의 첫 번째 정방향 스캔 구간의 시작부분을 끝부분으로 하는 역방향 스캔 구간을 더 배열하는 것이 바람직하다.In this case, when the first scan cycle and the second scan cycle are alternately arranged, the end of the last forward scan section of the prearranged scan cycle is used as a start portion, and the start of the first forward scan section of the post-arranged scan cycle. It is preferable to further arrange a reverse scan section ending with.

또한, 상기 n개 부분의 각각의 폭은 상호 동일하게 설정하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable to set each width | variety of the said n parts mutually equal.

또한, 상기 n개 부분의 각각의 폭은 상기 스퍼터링 타겟의 폭과 동일하게 설정하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the width of each of the n portions is set equal to the width of the sputtering target.

본 발명에 따르면, 스퍼터링 장치에서 스퍼터링 타겟의 사용효율을 향상시켜 스퍼터링 타겟의 교체주기를 연장시킬 수 있는 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링 방법이 제공된다.According to the present invention, there is provided a sputtering method using a sputtering apparatus that can extend the replacement cycle of the sputtering target by improving the use efficiency of the sputtering target in the sputtering apparatus.

또한, 스퍼터링 타겟의 교체주기를 연장시켜 제조비용을 절감할 수 있는 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링 방법이 제공된다.In addition, a sputtering method using a sputtering apparatus that can reduce the manufacturing cost by extending the replacement cycle of the sputtering target.

도 1은 스퍼터링 장치의 개략도,
도 2는 종래 스퍼터링 방법에 사용되는 스퍼터링 타겟과 마그넷의 평면도,
도 3은 도 2의 I-I'을 따라 절단한 단면도,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링 방법에 사용되는 스퍼터링 장치의 개략도,
도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 단위 스캔 구간의 배열도,
도 6은 본 발명의 스퍼터링 방법에 따라 사용된 스퍼터링 타겟의 침식상태도,
도 7은 본 발명의 제1실시예의 변형예에 따른 단위 스캔 구간의 배열도,
도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 단위 스캔 구간의 배열도,
도 9는 본 발명의 제2실시예의 변형예에 따른 단위 스캔 구간의 배열도이다.
1 is a schematic diagram of a sputtering apparatus,
2 is a plan view of a sputtering target and a magnet used in the conventional sputtering method,
3 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 2;
4 is a schematic diagram of a sputtering apparatus used in the sputtering method using a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention ,
5 is an arrangement diagram of a unit scan interval according to the first embodiment of the present invention;
6 is an eroded state diagram of a sputtering target used according to the sputtering method of the present invention,
7 is an arrangement diagram of a unit scan interval according to a modification of the first embodiment of the present invention;
8 is an arrangement diagram of a unit scan interval according to a second embodiment of the present invention;
9 is an arrangement diagram of a unit scan interval according to a modification of the second embodiment of the present invention.

설명에 앞서, 여러 실시예에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1실시예와 다른 구성에 대해서 설명하기로 한다.Prior to the description, components having the same configuration are denoted by the same reference numerals as those in the first embodiment. In other embodiments, configurations different from those of the first embodiment will be described do.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링 방법에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a sputtering method using a sputtering apparatus according to the present invention with reference to the accompanying drawings will be described in detail.

본 발명에서 이용되는 스퍼터링 장치는 종래 스퍼터링 장치와 실질적으로 동일할 수 있으며, 사용되는 스퍼터링 타겟도 종래와 같이 일 방향으로 길게 형성된 타겟을 사용한다.The sputtering apparatus used in the present invention may be substantially the same as the conventional sputtering apparatus, and the sputtering target used also uses a target formed long in one direction as in the prior art.

도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링 방법에 사용되는 스퍼터링 장치의 개략도이다.4 is a schematic diagram of a sputtering apparatus used in the sputtering method using the sputtering apparatus according to the first embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 먼저, 마그넷(20)이 이동하면서 스퍼터링 타겟(10)을 스캔하는 전체 스캔 구간을 스퍼터링 타겟(10)을 좌측으로부터 우측까지 n개(n은 짝수인 양의 정수)의 부분으로 분할구획한다.Referring to FIG. 4, first, the entire scan interval for scanning the sputtering target 10 while the magnet 20 moves is n parts of the sputtering target 10 from left to right (n is an even positive integer). Divide into blocks.

통상적인 전체 스캔 구간은 스퍼터링 타겟(10)의 사용효율을 극대화하기 위해 좌측 단부로부터 우측 단부까지로 설정하나, 필요에 따라 스퍼터링 타겟(10)의 일부를 전체 스캔 구간으로 할 수도 있다.The general full scan period is set from the left end to the right end in order to maximize the use efficiency of the sputtering target 10, but if necessary, a portion of the sputtering target 10 may be a full scan period.

이때 구획되는 각각의 분할된 부분의 폭은 실질적으로 서로 동일하게 분할구획할 수 있으며, 바람직하게는 스퍼터링 타겟(10)의 폭과 실질적으로 동일하게 구획할 수 있다.At this time, the width of each divided portion to be partitioned may be partitioned substantially the same as each other, preferably partitioned substantially the same as the width of the sputtering target 10.

각 분할 구획된 부분의 폭이 스퍼터링 타겟(10)의 폭과 실질적으로 동일하게 구획되면, 양측 단부에서 마그넷(20)에 의해 침식이 집중되는 부분의 중첩이 없어지게 되어, 부분적으로 중첩되는 부분에서 침식이 심하게 집중되는 것을 방지할 수 있다.If the width of each divided partition is partitioned substantially the same as the width of the sputtering target 10, the overlapping of the portion where erosion is concentrated by the magnet 20 at both ends is eliminated, so that in the partially overlapping portion This can prevent intensive concentration of erosion.

그리고, 전체 스캔 구간 중 일부를 구간으로 하는 다수의 정방향 스캔 구간과 역방향 스캔 구간을 설정한다.Then, a plurality of forward scan intervals and reverse scan intervals having some of the entire scan intervals as intervals are set.

또한, 설정된 다수의 정방향 스캔 구간과 다수의 역방향 스캔 구간으로 제1스캔사이클과 제2스캔사이클을 각각 구성되도록 하며, 각 스캔사이클에 구성된 다수의 정방향 스캔 구간과 역방향 스캔 구간은 서로 교번되게 하여 배열되도록 한다.In addition, the first scan cycle and the second scan cycle may be configured by a plurality of set forward scan sections and a plurality of reverse scan sections, and the plurality of forward scan sections and the reverse scan sections configured in each scan cycle are alternately arranged. Be sure to

여기서, 상기 제1스캔사이클에 배열되는 다수의 정방향 스캔 구간은, 첫 번째 정방향 스캔 구간이 상기 n개의 부분 중 첫 번째 부분과 p번째 부분을 각각 시작부분과 끝부분이 되도록 하고, a번째 정방향 스캔 구간이 n개의 부분 중 a번째 부분과 p+a번째 부분을 각각 시작부분과 끝부분이 되도록 한다.Here, in the plurality of forward scan sections arranged in the first scan cycle, the first forward scan section includes a first part and a pth part of the n parts as a start part and an end part, respectively, and the ath forward scan part The intervals should be the beginning and the end of the nth part and the p + ath part of the n parts, respectively.

그리고, 마지막 정방향 스캔 구간의 끝부분인 (p+a)가 n이 될 때까지 배열되게 한다. 여기서 a,p는 정수이며, 값의 범위는 1≤a≤(n/2), (n/2)+1)≤p<n이다.Then, it is arranged until (p + a), which is the end of the last forward scan section, becomes n. Where a and p are integers, and the range of values is 1 ≦ a ≦ (n / 2), (n / 2) +1) ≦ p <n.

상기 제2스캔사이클에 배열되는 정방향 스캔 구간은 제1사이클에 배열된 다수의 정방향 스캔 구간의 역순으로 배열되게 한다.The forward scan sections arranged in the second scan cycle are arranged in the reverse order of the plurality of forward scan sections arranged in the first cycle.

또한, 제1스캔사이클과 제2사이클에 배열되는 다수의 역방향 스캔 구간은 상기와 같이 배열된 다수의 정방향 스캔 구간들과 교번되면서 배열되며, 직전의 정방향 스캔 구간의 끝부분을 시작부분으로 하고, 직후의 정방향 스캔 구간의 시작부분을 끝부분으로 하여 마그넷(10)이 연속적으로 이동되도록 한다.In addition, the plurality of reverse scan sections arranged in the first scan cycle and the second cycle are arranged alternately with the plurality of forward scan sections arranged as described above, starting from the end of the immediately preceding forward scan section, The magnet 10 is continuously moved with the end of the start of the forward scan section immediately after.

한편, 상술한 제1스캔사이클과 제2스캔사이클은 서로 교번되면서 적어도 1회 배열하여 마그넷이 연속적으로 이동되도록 한다.Meanwhile, the first scan cycle and the second scan cycle described above are alternately arranged at least once so that the magnets are continuously moved.

이때, 선배열된 스캔사이클의 마지막 정방향 스캔 구간의 끝부분을 시작부분으로 하고 후배열된 스캔사이클의 첫 번째 정방향 스캔 구간의 시작부분을 끝부분으로 하는 역방향 스캔 구간을 더 배열하여 마그넷의 스캔 연속성을 담보할 수 있다.At this time, the scan continuity of the magnet is further arranged by arranging backward scan sections starting with the end of the last forward scan section of the prearranged scan cycle and ending with the first forward scan section of the rearranged scan cycle. Can be secured.

도 5를 참조하여 구체적으로 설명하면, 스캔 구간을 10개의 부분으로 분할구획하고, 다수의 정방향 스캔 구간과 다수의 역방향 스캔 구간으로 각각 구성되며, 구성된 정방향 스캔 구간과 역방향 스캔 구간을 적절하게 배열하여 제1스캔사이클과 제2스캔사이클을 설정한다.In detail, referring to FIG. 5, a scan section is divided into ten parts, each of which consists of a plurality of forward scan sections and a plurality of reverse scan sections, and appropriately arranges the configured forward scan section and the reverse scan section. The first scan cycle and the second scan cycle are set.

여기서, 상기 제1스캔사이클에서 배열되는 정방향 스캔 구간 중 (1)번째 정방향 스캔 구간은 10개의 부분 중 1번째 부분과 6번째 부분을 각각 시작부분과 끝부분이 되도록 설정한다.Here, the (1) th forward scan section of the forward scan sections arranged in the first scan cycle is set so that the first and sixth portions of the ten portions are the start and end portions, respectively.

그리고, (2)번째 정방향 스캔 구간은 10개의 부분 중 2번째 부분과 (6+2-1)인 7번째 부분을 시작부분과 끝부분이 되도록 하며, (3)번째 정방향 스캔 구간은 10개의 부분 중 3번째 부분과 (6+3-1)인 8번째 부분을 각각 시작부분과 끝부분이 되도록 설정한다.Then, the (2) th forward scan section has the second part and the 7th part of (6 + 2-1) as the start part and the end part, and the (3) th forward scan section has 10 parts Set the 3rd part and the 8th part (6 + 3-1) to be the start part and the end part, respectively.

같은 방법으로 정방향 스캔 구간을 순차적으로 설정하되, 10개의 부분으로 구획되어 있으므로 끝부분이 (6+5-1)인 10번째 부분에 해당하는 (5)번째 정방향 스캔 구간까지 5개의 정방향 스캔 구간을 설정하여 배열한다.In the same way, the forward scan section is set sequentially, but since it is partitioned into 10 sections, five forward scan sections are defined up to the (5) th forward scan section corresponding to the tenth section with the end (6 + 5-1). Set and arrange.

그리고, 제1스캔사이클의 역방향 스캔 구간은 배열된 다수의 정방향 스캔 구간과 교번되도록 배열하되, 그 시작부분을 직전의 정방향 스캔 구간의 끝부분으로 하고, 그 끝부분을 직후의 정방향 스캔 구간의 시작부분이 되도록 설정한다. 이를 통해, 마그넷의 스캔 연속성이 담보될 수 있다.The reverse scan section of the first scan cycle is arranged to be alternated with the arranged plurality of forward scan sections, the beginning of which is the end of the previous forward scan section, and the end of the first scan cycle is the beginning of the immediately forward scan section. Set to be a part. Through this, the scan continuity of the magnet can be ensured.

상기 제2스캔사이클은 상술한 제1스캔사이클과 역순으로 정방향 스캔 구간을 배열하고, 같은 방법으로 역방향 스캔 구간도 배열한다.The second scan cycle arranges the forward scan section in the reverse order of the first scan cycle and the reverse scan section in the same manner.

한편, 제1스캔사이클과 제2스캔사이클은 1회 이상 교번되면서 배열될 수 있는데, 교번 배열시 제1스캔사이클의 마지막 정방향 스캔 구간과 제2스캔사이클의 마지막 정방향 스캔 구간의 사이에 역방향 스캔 구간(k)을 더 배열할 수 있다. 이를 통해, 마그넷의 연속적인 스캔을 달성할 수 있다.Meanwhile, the first scan cycle and the second scan cycle may be arranged alternately one or more times. In the alternate arrangement, the reverse scan section is between the last forward scan section of the first scan cycle and the last forward scan section of the second scan cycle. (k) can be further arranged. This can achieve a continuous scan of the magnet.

상술한 바와 같이 배열된 제1스캔사이클과 제2스캔사이클을 따라 마그넷을 이동시키면, 도 6에서와 같이, 마그넷의 이동속도가 줄어드는 부분(시작부분과 끝부분)에서 균일한 스퍼터링 타겟의 침식이 발생되어 스퍼터링 타겟의 사용효율이 향상될 수 있다.
When the magnet is moved along the first scan cycle and the second scan cycle arranged as described above, as shown in FIG. 6, the erosion of the sputtering target is uniform in the portion (starting and ending) where the moving speed of the magnet is reduced. May be generated to improve the use efficiency of the sputtering target.

다음으로, 본 발명의 제2실시예에 따른 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링 방법에 대해 설명한다.Next, a sputtering method using a sputtering apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 제2실시예에 따른 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링 방법은, 제1실시예에서와 같이, 전체 스캔 구간을 n개의 부분으로 분할구획하고, 전체 스캔 구간의 일부를 구간으로 하는 다수의 정방향 스캔 구간과 다수의 역방향 스캔 구간을 설정한다.In the sputtering method using the sputtering apparatus according to the second embodiment of the present invention, as in the first embodiment, a plurality of forward scans are divided into n parts and a portion of the entire scan period is divided into sections. Intervals and multiple reverse scan intervals are set.

그리고, 다수의 정방향 스캔 구간과 다수의 역방향 스캔 구간으로 각각 구성되는 제1사이클과 제2사이클을 설정한다.A first cycle and a second cycle each configured of a plurality of forward scan sections and a plurality of reverse scan sections are set.

여기서, 상기 제1스캔사이클은, 첫 번째 정방향 스캔 구간이 n개의 부분 중 첫 번째 부분과 n번째 부분을 각각 시작부분과 끝부분이 되도록 하고, a번째 정방향 스캔 구간이 n개의 부분 중 a번째 부분과 n-a+1번째 부분을 각각 시작부분과 끝부분이 되도록 한다.Here, the first scan cycle, the first forward scan interval is the first part and the nth part of the n parts to be the start and end, respectively, the a-th forward scan interval is a part of the n parts And n-a + 1 are the beginning and the end, respectively.

이때, a번째 정방향 스캔 구간을 설정시, n이 짝수인 경우에는 a가 n/2 이 될 때까지 설정하여 배열하며, n이 홀수인 경우에는 a가 (n-1)/2 이 될 때까지 설정하여 배열되게 한다. 여기서, a는 정수이며, 값의 범위는 1≤a≤(n/2)이다.At this time, when setting the a-th forward scan section, if n is even, set and arrange until a is n / 2, and when n is odd, until a is (n-1) / 2. Set to array. Here, a is an integer and the range of values is 1 ≦ a ≦ (n / 2).

상기 제2스캔사이클은, 제1스캔사이클에 배열된 다수의 정방향 스캔 구간의 역순으로 다수의 정방향 스캔 구간을 배열한다.The second scan cycle arranges the plurality of forward scan sections in the reverse order of the plurality of forward scan sections arranged in the first scan cycle.

그리고, 제1스캔사이클과 제2스캔사이클에 구성되는 다수의 역방향 스캔 구간 각각은 배열된 정방향 스캔 구간과 서로 교번되도록 배열된다.Each of the plurality of reverse scan sections configured in the first scan cycle and the second scan cycle is arranged to alternate with the arranged forward scan sections.

이때, 직전의 정방향 스캔 구간의 끝부분을 시작부분으로 하고, 직후의 정방향 스캔 구간의 시작부분을 끝부분으로 하여 마그넷의 스캔 연속성을 담보할 수 있다.At this time, the scanning continuity of the magnet can be secured by using the end of the immediately preceding forward scan section as the start and the beginning of the immediately following forward scan section as the end.

한편, 상술한 제1스캔사이클과 제2스캔사이클은 서로 교번되면서 적어도 1회 배열하여 마그넷이 연속적으로 이동되도록 한다.Meanwhile, the first scan cycle and the second scan cycle described above are alternately arranged at least once so that the magnets are continuously moved.

이때, 제1실시예에서와 같이, 선배열된 스캔사이클의 마지막 정방향 스캔 구간의 끝부분을 시작부분으로 하고 후배열된 스캔사이클의 첫 번째 정방향 스캔 구간의 시작부분을 끝부분으로 하는 역방향 스캔 구간을 더 배열하여 마그넷의 스캔 연속성을 담보할 수 있다.At this time, as in the first embodiment, the reverse scan section having the end of the last forward scan section of the prearranged scan cycle as the start and the beginning of the first forward scan section of the postarrayed scan cycle as the end Can be arranged further to ensure the scan continuity of the magnet.

도 8을 참조하여 구체적으로 설명하면, 스캔 구간을 10개의 부분으로 분할구획하고, 다수의 정방향 스캔 구간과 다수의 역방향 스캔 구간으로 각각 구성되며, 구성된 정방향 스캔 구간과 역방향 스캔 구간을 적절하게 배열하여 제1스캔사이클과 제2스캔사이클을 설정한다.In detail, referring to FIG. 8, the scan section is divided into ten parts, each of which consists of a plurality of forward scan sections and a plurality of reverse scan sections, and appropriately arranges the configured forward scan section and the reverse scan section. The first scan cycle and the second scan cycle are set.

여기서, 상기 제1스캔사이클에서 배열되는 정방향 스캔 구간 중 (1)번째 정방향 스캔 구간은 10개의 부분 중 1번째 부분과 10번째 부분을 각각 시작부분과 끝부분이 되도록 설정한다.Here, the (1) th forward scan section of the forward scan sections arranged in the first scan cycle is set so that the first part and the tenth part of the ten parts are the start part and the end part, respectively.

그리고, (2)번째 정방향 스캔 구간은 10개의 부분 중 2번째 부분과 (10-2+1)인 9번째 부분을 시작부분과 끝부분이 되도록 하며, (3)번째 정방향 스캔 구간은 10개의 부분 중 3번째 부분과 (10-3+1)인 8번째 부분을 각각 시작부분과 끝부분이 되도록 설정한다.And, the (2) th forward scan section has the second part and the ninth part of (10-2 + 1) to be the start part and the end part, and the (3) th forward scan section has 10 parts Set the third part and the eighth part (10-3 + 1) to be the beginning and the end respectively.

같은 방법으로 정방향 스캔 구간을 순차적으로 설정하되, 10이 짝수이므로 시작부분이 (10/2)인 5번째 부분이 될 때까지 설정하여, 5개의 정방향 스캔 구간을 배열한다.In the same way, the forward scan sections are set sequentially, but since 10 is an even number, the forward scan sections are set until the fifth part of which the start part is (10/2) is arranged, and five forward scan sections are arranged.

그리고, 제1스캔사이클의 역방향 스캔 구간은 배열된 다수의 정방향 스캔 구간과 교번되도록 배열하되, 그 시작부분을 직전의 정방향 스캔 구간의 끝부분으로 하고, 그 끝부분을 직후의 정방향 스캔 구간의 시작부분이 되도록 설정한다. 이를 통해, 마그넷의 스캔 연속성이 담보될 수 있다.The reverse scan section of the first scan cycle is arranged to be alternated with the arranged plurality of forward scan sections, the beginning of which is the end of the previous forward scan section, and the end of the first scan cycle is the beginning of the immediately forward scan section. Set to be a part. Through this, the scan continuity of the magnet can be ensured.

상기 제2스캔사이클은 상술한 제1스캔사이클과 역순으로 정방향 스캔 구간을 배열하고, 같은 방법으로 역방향 스캔 구간도 배열한다.The second scan cycle arranges the forward scan section in the reverse order of the first scan cycle and the reverse scan section in the same manner.

한편, 제1스캔사이클과 제2스캔사이클은, 제1실시예에서와 같이, 1회 이상 교번되면서 배열될 수 있는데, 교번 배열시 제1스캔사이클의 마지막 정방향 스캔 구간과 제2스캔사이클의 마지막 정방향 스캔 구간의 사이에 역방향 스캔 구간(k)을 더 배열할 수 있다. 이를 통해, 마그넷의 연속적인 스캔을 달성할 수 있다.
Meanwhile, the first scan cycle and the second scan cycle, as in the first embodiment, may be arranged alternately one or more times, the last forward scan interval of the first scan cycle and the end of the second scan cycle in the alternate arrangement The reverse scan section k may be further arranged between the forward scan sections. This can achieve a continuous scan of the magnet.

다음으로, 본 발명의 제3실시예에 따른 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링 방법에 대해 설명한다. 제3실시예에 따른 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링 방법은 제2실시예와 비교하여 전체 스캔 구간이 홀수로 분할구획된 경우 즉, n이 홀수인 경우이다.Next, a sputtering method using a sputtering apparatus according to a third embodiment of the present invention will be described. The sputtering method using the sputtering apparatus according to the third embodiment is a case where the entire scan interval is divided into odd numbers, that is, when n is odd compared to the second embodiment.

제3실시예에서는 n이 홀수로 구획되어 있으므로 제2실시예에서와 같이 제1스캔사이클과 제2스캔사이클을 설정하되, 제1스캔사이클에서 a번째 정방향 스캔 구간을 (n-1)/2 이 될 때까지 설정하여 배열한다. 이외 다른 구성은 제2실시예와 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.In the third embodiment, since n is divided into odd numbers, the first scan cycle and the second scan cycle are set as in the second embodiment, and the a th forward scan section is defined as (n-1) / 2 in the first scan cycle. Arrange by setting until Since other configurations are the same as in the second embodiment, detailed description thereof will be omitted.

구체적으로, 도 8에서와 같이, 9개의 부분으로 분할구획되어 있다고 하면, 제1스캔사이클의 마지막 정방향 스캔 구간인 (4)번째 정방향 스캔 구간의 시작부분은 (9-1)/2인 4번째 부분이 되도록 설정하고, 이때 끝부분은 (9-4+1)인 6번째 부분으로 설정된다.Specifically, as shown in FIG. 8, if it is divided into nine parts, the start of the (4) th forward scan section, which is the last forward scan section of the first scan cycle, is (9-1) / 2, the fourth part. Part, and the end part is set to the sixth part which is (9-4 + 1).

그리고, 제1사이클과 제2사이클을 교번되도록 배열할 때에 상술한 제1실시예와 제2실시예에서와 같이 추가적인 역방향 스캔 구간(k)을 더 배열하여 마그넷의 스캔 연속성을 담보할 수 있다.When the first cycle and the second cycle are arranged alternately, as in the above-described first and second embodiments, an additional reverse scan period k may be further arranged to secure the scan continuity of the magnet.

상술한 바와 같은 스캔 구간을 설정하고, 마그넷을 설정된 스캔 구간을 따라 이동하면서 스캔하도록 하면 스퍼터링 타겟의 균일한 침식을 도모할 수 있고, 결과적으로 스퍼터링 타겟의 사용효율이 현저하게 향상될 수 있다.By setting the scan section as described above, and scanning the magnet while moving along the set scan section, uniform erosion of the sputtering target can be achieved, and as a result, the use efficiency of the sputtering target can be significantly improved.

아울러, 스퍼터링 타겟의 사용효율이 향상됨에 따라 스퍼터링 공정의 제조비용도 절감될 수 있다.In addition, as the use efficiency of the sputtering target is improved, the manufacturing cost of the sputtering process may be reduced.

본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.The scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments, but may be embodied in various forms of embodiments within the scope of the appended claims. Without departing from the gist of the invention claimed in the claims, it is intended that any person skilled in the art to which the present invention pertains falls within the scope of the claims described in the present invention to various extents which can be modified.

※도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명※
10 : 스퍼터링 타겟
20 : 마그넷
[Description of Reference Numerals]
10: sputtering target
20: magnet

Claims (5)

스퍼터링 타겟의 일측으로부터 타측으로의 전체 스캔 구간을 설정하고, 마그넷을 상기 스캔구간을 따라 정방향과 역방향으로 연속적으로 다수 회 왕복운동시켜 상기 스퍼터링 타겟을 스캔하는 스퍼터링 장치의 스퍼터링 방법에 있어서,
n개(n은 양의 정수)의 부분으로 분할되는 상기 전체 스캔 구간을 설정하는 단계;
상기 전체 스캔 구간 중 적어도 일부를 구간으로 하는 다수의 정방향 스캔 구간과 역방향 스캔 구간을 설정하는 단계; 및,
다수의 상기 정방향 스캔 구간과 상기 역방향 스캔 구간으로 각각 구성되는 제1스캔사이클과 제2스캔사이클을 설정하는 단계;를 포함하며,
상기 제1스캔사이클은, 첫 번째 정방향 스캔 구간이 상기 n개의 부분 중 첫 번째 부분과 p번째 부분을 각각 시작부분과 끝부분이 되도록 하고, a번째 정방향 스캔 구간이 상기 n개의 부분 중 a번째 부분과 (p+a-1)번째 부분을 각각 시작부분과 끝부분이 되도록 하여 (p+a-1)이 n이 될 때까지 배열되게 하고(1≤a≤(n/2), ((n/2)+1)≤p<n, a,p는 정수),
상기 제2스캔사이클은, 상기 제1스캔사이클에 배열된 다수의 정방향 스캔 구간의 역순으로 다수의 정방향 스캔 구간을 배열되게 하며,
상기 제1스캔사이클과 상기 제2스캔사이클에 구성된 다수의 역방향 스캔 구간 각각은 마그넷이 연속적으로 이동되도록 직전의 정방향 스캔 구간의 끝부분을 시작부분으로 하고, 직후의 정방향 스캔 구간의 시작부분을 끝부분으로 하며,
상기 제1스캔사이클과 상기 제2스캔사이클은 서로 교번되면서 적어도 1회 배열되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링 방법.
In the sputtering method of the sputtering apparatus that scans the sputtering target by setting the entire scan section from one side of the sputtering target to the other side, and the magnet is reciprocated a plurality of times continuously in the forward and reverse directions along the scan interval,
setting the full scan interval divided into n portions (n is a positive integer);
Setting a plurality of forward scan intervals and reverse scan intervals in which at least some of the entire scan intervals are intervals; And
And setting a first scan cycle and a second scan cycle each consisting of a plurality of the forward scan section and the reverse scan section.
The first scan cycle is such that the first forward scan section is the first part and the pth part of the n parts, respectively, as the start part and the end part, and the ath forward scan period is the ath part of the n parts. And the (p + a-1) th part to be the beginning and the end, respectively, until the (p + a-1) becomes n (1≤a≤ (n / 2), ((n / 2) +1) ≤p <n, where a and p are integers)
The second scan cycle causes the plurality of forward scan sections to be arranged in the reverse order of the plurality of forward scan sections arranged in the first scan cycle.
Each of the plurality of reverse scan sections configured in the first scan cycle and the second scan cycle starts at the end of the immediately preceding forward scan section so that the magnet is continuously moved, and ends the beginning of the immediately forward scan section. Part,
The sputtering method using a sputtering apparatus, characterized in that the first scan cycle and the second scan cycle are alternately arranged at least once.
스퍼터링 타겟의 일측으로부터 타측으로의 전체 스캔 구간을 설정하고, 마그넷을 상기 스캔구간을 따라 정방향과 역방향으로 연속적으로 다수 회 왕복운동시켜 상기 스퍼터링 타겟을 스캔하는 스퍼터링 장치의 스퍼터링 방법에 있어서,
n개(n은 양의 정수)의 부분으로 분할되는 상기 전체 스캔 구간을 설정하는 단계;
상기 전체 스캔 구간 중 적어도 일부를 구간으로 하여 교번 배열된 다수의 정방향 스캔 구간과 역방향 스캔 구간을 설정하는 단계; 및,
다수의 상기 정방향 스캔 구간과 다수의 상기 역방향 스캔 구간으로 각각 구성되는 제1스캔사이클과 제2스캔사이클을 설정하는 단계;를 포함하며,
상기 제1스캔사이클은, 첫 번째 정방향 스캔 구간이 상기 n개의 부분 중 첫 번째 부분과 n번째 부분을 각각 시작부분과 끝부분이 되도록 하고, a번째 정방향 스캔 구간이 상기 n개의 부분 중 a번째 부분과 n-a+1번째 부분을 각각 시작부분과 끝부분이 되도록 하여, n이 짝수인 경우 a가 n/2 이 될 때까지 배열되게 하며, n이 홀수인 경우 a가 (n-1)/2 이 될 때까지 배열되게 하고(1≤a≤(n/2), a는 정수),
상기 제2스캔사이클은, 상기 제1스캔사이클에 배열된 다수의 정방향 스캔 구간의 역순으로 다수의 정방향 스캔 구간을 배열되게 하며,
상기 제1스캔사이클과 상기 제2스캔사이클의 다수의 역방향 스캔 구간 각각은 마그넷이 연속적으로 이동되도록 직전의 정방향 스캔 구간의 끝부분을 시작부분으로 하고, 직후의 정방향 스캔 구간의 시작부분을 끝부분으로 하며,
상기 제1스캔사이클과 상기 제2스캔사이클은 서로 교번되면서 적어도 1회 배열되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링 방법.
In the sputtering method of the sputtering apparatus that scans the sputtering target by setting the entire scan section from one side of the sputtering target to the other side, and the magnet is reciprocated a plurality of times continuously in the forward and reverse directions along the scan interval,
setting the full scan interval divided into n portions (n is a positive integer);
Setting a plurality of alternating forward scan intervals and reverse scan intervals using at least a portion of the entire scan intervals as intervals; And
And setting a first scan cycle and a second scan cycle each consisting of a plurality of forward scan sections and a plurality of reverse scan sections.
The first scan cycle is such that the first forward scan section has a first part and an nth part of the n parts respectively as a start part and an end part, and the ath forward scan period is a part of the n parts. And n-a + 1th part to be the beginning and the end respectively. If n is even, arrange until a is n / 2, and if n is odd, a is (n-1) / Until it becomes 2 (1≤a≤ (n / 2), a is an integer),
The second scan cycle causes the plurality of forward scan sections to be arranged in the reverse order of the plurality of forward scan sections arranged in the first scan cycle.
Each of the plurality of reverse scan sections of the first scan cycle and the second scan cycle starts at the end of the immediately preceding forward scan section so that the magnet is continuously moved, and ends at the beginning of the immediately forward scan section. ,
The sputtering method using a sputtering apparatus, characterized in that the first scan cycle and the second scan cycle are alternately arranged at least once.
제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 제1스캔사이클과 상기 제2스캔사이클을 교번 배열시, 선배열된 스캔사이클의 마지막 정방향 스캔 구간의 끝부분을 시작부분으로 하고 후배열된 스캔사이클의 첫 번째 정방향 스캔 구간의 시작부분을 끝부분으로 하는 역방향 스캔 구간을 더 배열하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
When alternately arranging the first scan cycle and the second scan cycle, the end of the last forward scan section of the prearranged scan cycle is the beginning and the end of the first forward scan section of the post-arrayed cycle is finished. A sputtering method using a sputtering apparatus, characterized by further arranging a reverse scan section having a portion.
제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 n개 부분의 각각의 폭은 상호 동일하게 설정하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
Sputtering method using a sputtering apparatus, characterized in that the width of each of the n parts are set to be the same.
제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 n개 부분의 각각의 폭은 상기 스퍼터링 타겟의 폭과 동일하게 설정하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
A sputtering method using a sputtering apparatus, characterized in that the width of each of the n portions is set equal to the width of the sputtering target.
KR1020120024395A 2011-11-03 2012-03-09 Sputerring method using of sputerring device KR101340134B1 (en)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120024395A KR101340134B1 (en) 2012-03-09 2012-03-09 Sputerring method using of sputerring device
TW101139070A TWI589717B (en) 2011-11-03 2012-10-23 Sputerring method using of sputerring device
US13/660,263 US9206503B2 (en) 2011-11-03 2012-10-25 Sputtering method using sputtering device
CN201210417924.2A CN103088305B (en) 2011-11-03 2012-10-26 Sputtering method using sputter equipment
JP2012238043A JP2013096010A (en) 2011-11-03 2012-10-29 Sputtering method using sputtering device
US14/932,005 US9982337B2 (en) 2011-11-03 2015-11-04 Sputtering method using sputtering device
JP2016189708A JP6220028B2 (en) 2011-11-03 2016-09-28 Sputtering method using sputtering apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120024395A KR101340134B1 (en) 2012-03-09 2012-03-09 Sputerring method using of sputerring device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130103062A KR20130103062A (en) 2013-09-23
KR101340134B1 true KR101340134B1 (en) 2013-12-10

Family

ID=49452555

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120024395A KR101340134B1 (en) 2011-11-03 2012-03-09 Sputerring method using of sputerring device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101340134B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050072672A (en) * 2004-01-07 2005-07-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Two dimensional magnetron scanning for flat panel sputtering
KR20090105419A (en) * 2008-04-02 2009-10-07 주식회사 테스 Magnetron sputtering apparatus
JP4912980B2 (en) 2007-08-20 2012-04-11 株式会社アルバック Deposition method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050072672A (en) * 2004-01-07 2005-07-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Two dimensional magnetron scanning for flat panel sputtering
JP4912980B2 (en) 2007-08-20 2012-04-11 株式会社アルバック Deposition method
KR20090105419A (en) * 2008-04-02 2009-10-07 주식회사 테스 Magnetron sputtering apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130103062A (en) 2013-09-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20100294649A1 (en) Sputtering film forming method and sputtering film forming apparatus
US20090277779A1 (en) Magnetic field generating apparatus, magnetic field generating method, sputtering apparatus, and method of manufacturing device
JP2009057608A (en) Sputtering device
JP2014532813A (en) Line scanning sputtering system and line scanning sputtering method
KR20130129859A (en) Sputtering method
KR20070108649A (en) Sputtering apparatus, driving method thereof and method of manufacturing a panel using the same
US20170298500A1 (en) Target sputtering device and method for sputtering target
JP6220028B2 (en) Sputtering method using sputtering apparatus
KR20070112508A (en) Sputtering apparatus, driving method thereof and method of manufacturing a panel using the same
KR101340134B1 (en) Sputerring method using of sputerring device
JP6251588B2 (en) Deposition method
TWI470102B (en) Magnetron sputtering electrode and sputtering device with magnetron sputtering electrode
WO2010090197A1 (en) Object coated with transparent conductive film and process for producing same
JP2008121077A (en) Magnetic circuit for magnetron sputtering
JP2009046730A (en) Film deposition method
KR101305580B1 (en) Sputerring method using of sputerring device
JP2008127601A (en) Magnetron sputtering electrode, and sputtering system provided with magnetron sputtering electrode
KR101604977B1 (en) Reactive sputtering apparatus
KR20110122456A (en) Apparatus and method for manufacturing liquid crystal display device
JP5145020B2 (en) Film forming apparatus and film forming method
US10280503B2 (en) Magnetic-field-generating apparatus for magnetron sputtering
JP2017508892A (en) Sputtering system and sputtering method using direction-dependent scanning speed or scanning power
CN107087418B (en) Sputtering system and method using counterweight
KR101363880B1 (en) Sputtering apparatus
JP5781408B2 (en) Magnetron sputter cathode

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161118

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171116

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181126

Year of fee payment: 6