KR101326981B1 - Electrode for vacuum interrupter - Google Patents

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KR101326981B1
KR101326981B1 KR1020130057355A KR20130057355A KR101326981B1 KR 101326981 B1 KR101326981 B1 KR 101326981B1 KR 1020130057355 A KR1020130057355 A KR 1020130057355A KR 20130057355 A KR20130057355 A KR 20130057355A KR 101326981 B1 KR101326981 B1 KR 101326981B1
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electrode
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구치욱
이철규
송재근
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주식회사 비츠로머티리얼
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Abstract

The present invention relates to an electrode for a vacuum interrupter. The electrode for a vacuum interrupter according to a preferred embodiment of the present invention comprises: a plurality of main slits that is arranged at equal intervals while each extending from the surface of an end of a contact carrier towards the surface of the other end of the contact carrier to form a predetermined slope with a contact end plate; and at least one axial magnetic field inducing unit that is formed between two neighboring main slits of the main slits; wherein the axial magnetic field inducing unit induces an axial magnetic field parallel to a longitudinal direction of the contact carrier by forming a current path up and down in the circumferential direction of the contact carrier.

Description

진공 인터럽터용 전극{ELECTRODE FOR VACUUM INTERRUPTER}Electrode for vacuum interrupter {ELECTRODE FOR VACUUM INTERRUPTER}

본 발명은 진공 인터럽터용 전극에 관한 것으로, 보다 상세하게는 종자계 유도부에 의해 아크 제어 성능이 우수하고, 슬릿 보강 부재에 의해 기계적 강도가 향상된 진공 인터럽터용 전극에 관한 것이다.The present invention relates to a vacuum interrupter electrode, and more particularly, to a vacuum interrupter electrode having excellent arc control performance by a seed field induction part and an improved mechanical strength by a slit reinforcing member.

진공 차단기(Vacuum Circuit Breaker: VCB)는 진공을 절연매질로 사용하여 고장전류를 신속하게 자동으로 차단시켜 전력계통 및 계통 내의 주요 기기들을 보호할 책무를 가진다. 진공 차단기 내의 전류차단부인 진공 인터럽터(Vacuum Interrupter: VI)는 전극의 간극(gap distance)에서 발생되는 아크 플라즈마(arc plasma)를 진공 중으로 급속하게 확산시키므로 전극 표면에 주입되는 아크에너지를 최소화시켜 신속하게 아크를 소호하는 전극 구조체로서 진공차단기의 핵심 부품이다. 그리고, 진공 차단기는 다른 종류의 차단기에 비해 차단성능, 안전성 및 신뢰성이 우수하고 소형, 경량의 장점을 가지고 있기 때문에 현재 배전 전압급의 개폐장치에 널리 보급되어 사용되고 있다.The Vacuum Circuit Breaker (VCB) is responsible for protecting critical equipment in the power system and system by quickly and automatically breaking fault currents using vacuum as the insulating medium. The vacuum interrupter (VI), a current interrupter in the vacuum breaker, rapidly diffuses the arc plasma generated in the gap of the electrode into the vacuum, thereby minimizing the arc energy injected to the electrode surface quickly. An arc structure for arc extinguishing, which is a key part of a vacuum circuit breaker. In addition, the vacuum circuit breaker has excellent breaking performance, safety and reliability compared to other types of circuit breakers, and has a merit of small size and light weight.

최근 산업의 급격한 발전과 더불어 전력수요의 증대 및 계통부하의 급증으로 인하여 전력설비가 대용량화되고 있는 추세이다. 따라서, 차단기의 전류 차단용량 증대 및 여러 가지 성능 개선을 위한 연구개발의 필요성이 요구 되어지고 있다.Recently, due to the rapid development of the industry, the power demand is increasing due to the increase in the power demand and the rapid increase in the system load. Therefore, there is a need for research and development for increasing the current breaking capacity of the circuit breaker and improving various performances.

진공차단기의 성능을 향상시키기 위해서는 진공 인터럽터에서 아크를 효과적으로 제어하는 기술을 이용하여 전류차단 용량을 증대시킬 필요가 있다.In order to improve the performance of the vacuum circuit breaker, it is necessary to increase the current blocking capacity by using a technique for effectively controlling the arc in the vacuum interrupter.

진공 차단기는 사고전류를 차단하는 목적을 가지고 있기 때문에 대전류 차단 성능은 진공 인터럽터 설계에 있어 매우 중요한 요소이다. 대전류 차단용량을 증대시키기 위해서는 전극 간극에서 발생되는 아크 플라즈마를 자계(magnetic field)를 이용하여 제어하는 방법이 매우 효과적이다. 여러가지 방법이 개발되어 사용되고 있으나 진공 인터럽터의 전극 간극에 형성되는 아크와 평행한 종자계(axial magnetic field: AMF)를 발생시켜 아크에너지가 접점 표면에 균일하게 분포할 수 있도록 설계된 종자계형 진공 인터럽터가 대전류 차단용량 증대 및 소형화에 매우 유리하다. Since the vacuum breaker has the purpose of blocking the fault current, the high current breaking performance is a very important factor in the design of the vacuum interrupter. In order to increase the large current blocking capacity, a method of controlling the arc plasma generated in the electrode gap using a magnetic field is very effective. Although a variety of methods have been developed and used, the seed-type vacuum interrupter designed to generate an axial magnetic field (AMF) parallel to the arc formed in the electrode gap of the vacuum interrupter to distribute the arc energy evenly on the contact surface has a large current. It is very advantageous for increasing the breaking capacity and miniaturization.

이하, 첨부된 도 1 및 도 2를 참조하여 종래기술에 따른 종자계 방식의 전극에 대하여 설명한다. 도 1은 종래기술에 따른 종자계 방식의 진공 인터럽터용 전극의 정면도를 나타낸다. 도 2는 도 1의 전극의 단면도를 나타낸다.Hereinafter, a seed field type electrode according to the prior art will be described with reference to FIGS. 1 and 2. 1 shows a front view of an electrode for a vacuum interrupter of the seed field method according to the prior art. 2 shows a cross-sectional view of the electrode of FIG. 1.

도 1을 참조하면, 전극(1)은 접촉대(10) 측면에 복수의 제 1 슬릿(11), 복수의 제 2 슬릿(12)을 구비한다. 그리고, 제 1 슬릿(11)간, 제 1 슬릿(11)과 제 2 슬릿(12)간, 및 제 2 슬릿(12) 간의 전류 패스에 의해, 원주 방향의 전류를 유도한다. 그리고, 유도된 원주 방향의 전류(i)에 의해 아크에 평행한 종자계(B)를 형성한다. 그리고, 이와 같은 구조에서, 제 1 슬릿(11)과 제 2 슬릿(12) 사이에 슬릿이 형성되지 않은 영역(13)에 의해 기계적 강도가 보강된다.Referring to FIG. 1, the electrode 1 includes a plurality of first slits 11 and a plurality of second slits 12 on the side of the contact table 10. The current in the circumferential direction is induced by the current path between the first slit 11, the first slit 11 and the second slit 12, and the second slit 12. The seed field B parallel to the arc is formed by the induced circumferential current i. In this structure, the mechanical strength is reinforced by the region 13 in which no slit is formed between the first slit 11 and the second slit 12.

그리고, 도 2를 참조하면, 접촉대(10)와 소정 간격이 이격되어, 원통형의 보강부재(14)가 설치된다. 보강부재(14)에 의해, 접촉대(10)의 기계적 강도가 보강된다.2, a predetermined interval is spaced apart from the contact table 10, and a cylindrical reinforcing member 14 is installed. By the reinforcing member 14, the mechanical strength of the contact table 10 is reinforced.

다만, 위와 같은 전극(1)은 종자계(B)를 형성하는 전류(i)와 반대방향의 전류(i1)가 상당히 발생한다. 그리고, 이에 의해, 종자계(B)가 감쇄하므로, 차단기의 아크 제어 성능을 저하시킨다는 문제점이 있었다.However, in the electrode 1 as described above, the current i1 in the opposite direction to the current i forming the seed field B is generated significantly. As a result, since the seed field B is attenuated, there is a problem that the arc control performance of the circuit breaker is lowered.

그리고, 위와 같은 전극(1)은 접촉대의 상단과 하단 사이에3 개 이상의 슬릿이 위치하는 공간이 존재하므로, 차단기 트립시의 충격에 대한 접촉대의 기계적 강도가 매우 취약하다는 문제점이 있었다.In addition, since the electrode 1 has a space in which three or more slits are located between the upper end and the lower end of the contact, there is a problem that the mechanical strength of the contact with respect to the impact during the breaker trip is very weak.

또한, 제 1 슬릿(11)과 제 2 슬릿(12) 사이에 슬릿이 형성되지 않은 영역(13)에 의해 보강되는 기계적 강도는 매우 미약하다는 문제점이 있었다.In addition, there is a problem that the mechanical strength reinforced by the region 13 in which no slit is formed between the first slit 11 and the second slit 12 is very weak.

한국등록특허 제0496659호(가부시키 가이샤 메이덴샤) 2005.06.13Korean Registered Patent No. 0496659 (Keishisha Meidensha) 2005.06.13

이에, 본 발명은 슬릿 구조를 가지는 종자계 방식에서, 종자계를 형성하는 전류와 반대 방향의 전류 발생을 최소화하고, 유도되는 종자계를 최대화할 수 있는 진공 인터럽터용 전극을 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an electrode for a vacuum interrupter capable of minimizing the generation of current in the opposite direction to the current forming the seed field and maximizing the induced seed field in the seed field method having a slit structure. .

그리고, 본 발명은 종자계의 유도를 최대화하면서, 접촉대의 강도를 개선할 수 있는 진공 인터럽터용 전극을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide an electrode for a vacuum interrupter that can improve the strength of the contact zone while maximizing the induction of the seed field.

또한, 본 발명은 종자계 유도를 최대로 하면서, 제작이 용이한 진공 인터럽터용 전극을 제공하는 것을 목적으로 한다.Moreover, an object of this invention is to provide the electrode for the vacuum interrupter which is easy to manufacture, maximizing seed field induction.

또한, 본 발명은 종자계 유도를 최대로 하면서, 온도 증가가 최소화될 수 있는 진공 인터럽터용 전극을 제공하는 것을 목적으로 한다.
It is also an object of the present invention to provide an electrode for a vacuum interrupter in which a temperature increase can be minimized while maximizing seed field induction.

본 발명의 다른 목적들은 이하의 실시예에 대한 설명을 통해 쉽게 이해될 수 있을 것이다.Other objects of the present invention will be readily understood through the following description of the embodiments.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 진공 인터럽터용 전극은, 접촉대의 일측 단부표면에서 상기 접촉대의 타측 단부표면을 향하여 접촉단부판과 소정의 경사를 이루며 연장되는 등간격으로 배치된 복수의 메인 슬릿; 및 상기 복수의 메인 슬릿 중 이웃하는 메인 슬릿 사이에 형성되는 적어도 하나의 종자계 유도부-상기 종자계 유도부는 상부와 하부로 상기 접촉대의 원주 방향으로의 전류 경로를 형성하는 것에 의해 상기 접촉대의 축방향에 평행한 종자계를 유도함-를 포함한다.A vacuum interrupter electrode according to a preferred embodiment of the present invention for achieving the above object, extending from the one end surface of the contact table toward the other end surface of the contact table in a predetermined inclination with the contact end plate. A plurality of main slits arranged at intervals; And at least one seed field inducing portion formed between neighboring main slits among the plurality of main slits, wherein the seed field inducing portion forms a current path in the circumferential direction of the contact table to the top and the bottom thereof. Inducing a seed system parallel to the.

여기서, 상기 종자계 유도부는 이웃하는 메인 슬릿 및 상기 접촉대의 상단과 하단과 소정 간격 이격될 수 있다.Here, the seed field induction part may be spaced apart from the upper and lower ends of the neighboring main slit and the contact.

그리고, 상기 종자계 유도부는 상기 접촉대 상에서 동일한 방위각으로 이격되어 배치될 수 있다.The seed field induction part may be spaced apart at the same azimuth angle on the contact table.

또한, 상기 종자계 유도부는 홀 타입 또는 슬릿 타입 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.In addition, the seed field induction part may be formed of at least one of a hole type and a slit type.

또한, 상기 종자계 유도부는, 상기 접촉대의 상단과 하단 사이에 하나의 메인 슬릿 만이 위치하는 영역 상에 형성될 수 있다.In addition, the seed field induction part may be formed on an area where only one main slit is located between the upper end and the lower end of the contact table.

또한, 상기 종자계 유도부는 홀 타입 만으로 형성되고, 상기 접촉대의 상단과 하단 사이에 하나의 메인 슬릿 만이 형성된 영역 상에 형성될 수 있다.In addition, the seed field induction part may be formed in a hole type only, and may be formed on an area in which only one main slit is formed between an upper end and a lower end of the contact table.

또한, 상기 종자계 유도부는 슬릿 타입으로 형성되고, 상기 종자계 유도부의 일단은 상기 이웃하는 메인 슬릿 중 제 1 메인 슬릿을 향하고, 타단은 상기 이웃하는 메인 슬릿 중 제 2 메인 슬릿을 향하는 것에 의해, 상기 이웃하는 메인 슬릿 사이에서 상기 접촉대의 원주 방향의 전류 경로를 형성할 수 있다.In addition, the seed field induction part is formed in a slit type, one end of the seed field induction part toward the first main slit of the neighboring main slit, the other end toward the second main slit of the neighboring main slit, A circumferential current path between the neighboring main slits may be formed.

또한, 상기 종자계 유도부는 적어도 하나의 슬릿 타입으로 형성되고, 상기 슬릿 타입의 종자계 유도부는 상기 접촉단부판과 형성하는 경사각이 상기 메인 슬릿과 상기 접촉단부판이 형성하는 경사각 보다 작은 영역을 적어도 하나 포함할 수 있다.The seed field induction part may be formed of at least one slit type, and the slit type seed field induction part may have at least one region having an inclination angle formed with the contact end plate smaller than an inclination angle formed by the main slit and the contact end plate. It may include.

또한, 상기 접촉대의 내주면과 소정 간격 이격되어 설치되는 메인 보강부재; 및 상기 접촉대의 내주면과 상기 메인 보강부재 사이에서 상기 접촉대의 축방향에 대하여 상기 접촉대의 기계적 강도를 보강하도록 설치된 슬릿 보강부재를 더 포함할 수 있다.In addition, the main reinforcing member spaced apart from the inner peripheral surface of the contact by a predetermined interval; And a slit reinforcing member installed between the inner circumferential surface of the contact and the main reinforcing member to reinforce the mechanical strength of the contact with respect to the axial direction of the contact.

또한, 상기 슬릿 보강부재의 일면은 상기 접촉대의 내주면에 밀착 고정될 수 있다.In addition, one surface of the slit reinforcing member may be fixed in close contact with the inner peripheral surface of the contact.

또한, 상기 슬릿 보강부재는 상기 접촉대 보다 도전율이 낮을 수 있다.In addition, the slit reinforcing member may have a lower conductivity than the contact table.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 이웃하는 메인 슬릿 사이에 형성된 종자계 유도부에 의해, 종자계를 형성하는 전류와 반대 방향의 전류 발생을 최소화하고, 유도되는 종자계를 최대화할 수 있다. As described above, the present invention can minimize the generation of current in the opposite direction to the current forming the seed field by the seed field induction unit formed between the neighboring main slits, and maximize the seed field induced.

또한, 본 발명은 종자계 유도부가 접촉대의 상단과 하단 사이에 하나의 메인 슬릿 만이 위치하는 영역 상에 형성되는 것에 의해, 메인 슬릿과 종자계 유도부에 의한 접촉대의 강도 감소가 최소화될 수 있다.In addition, according to the present invention, since the seed field induction part is formed on an area where only one main slit is located between the upper end and the lower end of the contact point, the decrease in strength of the contact point caused by the main slit and the seed field induction part can be minimized.

그리고, 본 발명은 종자계의 유도를 최대화함과 동시에, 접촉대 측면에 밀착 고정되는 슬릿 보강부재에 의해 접촉대의 강도를 개선할 수 있다. 또한, 본 발명은 종자계 유도부를 홀 타입으로 하는 경우, 드릴로 홀을 형성하는 것에 의해 간이하게 종자계 유도부를 형성할 수 있다.In addition, the present invention can maximize the induction of the seed system and improve the strength of the contact table by the slit reinforcing member that is tightly fixed to the side of the contact table. Moreover, in this invention, when making a seed field guide part into a hole type, a seed field guide part can be formed easily by forming a hole with a drill.

또한, 본 발명은 종자계 유도부를 홀 타입으로 하는 경우 종자계 유도부와 메인 슬릿 간의 간격을 넓일 수 있어, 종자계 유도부와 메인 슬릿 간의 저항에 따른 온도 증가를 최소화할 수 있고 접촉대의 기계적 강도 감소를 최소화할 수 있다. In addition, the present invention can widen the distance between the seed field induction and the main slit when the seed field induction part is a hole type, it is possible to minimize the temperature increase due to the resistance between the seed field induction part and the main slit and to reduce the mechanical strength of the contact It can be minimized.

도 1은 종래기술에 따른 종자계 방식의 진공 인터럽터용 전극의 정면도를 나타낸다.
도 2는 도 1의 전극의 단면도를 나타낸다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 진공 인터럽터용 전극의 정면도를 나타낸다.
도 4는 도 3의 진공 인터럽터용 전극의 단면도를 나타낸다.
도 5는 도 3의 전극에서 접점이 제거된 상태에서의 평면도를 나타낸다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 진공 인터럽터용 전극의 정면도를 나타낸다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 접점이 제거된 상태에서의 진공 인터럽터용 전극의 평면도를 나타낸다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 진공 인터럽터용 전극의 정면도를 나타낸다.
도 9는 본 발명의 전극의 아크 제어 특성 실측 결과이다.
1 shows a front view of an electrode for a vacuum interrupter of the seed field method according to the prior art.
2 shows a cross-sectional view of the electrode of FIG. 1.
3 is a front view of an electrode for a vacuum interrupter according to a preferred embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of the vacuum interrupter electrode of FIG. 3.
5 is a plan view in a state where a contact is removed from the electrode of FIG. 3.
6 is a front view of an electrode for a vacuum interrupter according to another embodiment of the present invention.
7 is a plan view of an electrode for a vacuum interrupter in a state where a contact is removed according to another embodiment of the present invention.
8 is a front view of an electrode for a vacuum interrupter according to another embodiment of the present invention.
9 is an arc control characteristic measurement result of the electrode of the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
While the invention is susceptible to various modifications and alternative forms, specific embodiments thereof are shown by way of example in the drawings and will herein be described in detail. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention.

본 발명은 등간격으로 배치된 복수의 메인 슬릿 사이에 종자계 유도부를 형성한다. 그리고, 종자계 유도부는 상부와 하부로 접촉대의 원주 방향으로의 전류 경로를 형성하는 것에 의해, 접촉대의 축방향에 평행한 종자계를 유도한다. 종자계 유도부는 슬릿 타입과 홀 타입 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 종자계 유도부는 접촉대의 원주 방향으로 슬릿 타입과 홀 타입이 번갈아가며 형성될 수도 있다.
The present invention forms a seed field guide between a plurality of main slits arranged at equal intervals. And the seed field induction part induces the seed field parallel to the axial direction of a contact stand by forming a current path to the upper part and the lower part in the circumferential direction of a contact stand. The seed field induction part may be formed of at least one of a slit type and a hole type. The seed field induction part may be alternately formed with the slit type and the hole type in the circumferential direction of the contact table.

이하, 첨부된 도 3 내지 도 5를 참조하여, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 전극에 대하여 설명한다. 먼저, 종자계 유도부가 슬릿 타입인 경우를 설명한다. 도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 진공 인터럽터용 전극의 정면도를 나타낸다. 도 4는 도 3의 전극의 단면도를 나타낸다. 도 5는 도 3의 전극에서 접점이 제거된 상태에서의 평면도를 나타낸다.Hereinafter, an electrode according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 5. First, the case where the seed field induction part is of the slit type will be described. 3 is a front view of an electrode for a vacuum interrupter according to a preferred embodiment of the present invention. 4 shows a cross-sectional view of the electrode of FIG. 3. 5 is a plan view in a state where a contact is removed from the electrode of FIG. 3.

도 3을 참조하면, 전극(100)은 축(110) 상에 고정된 접촉단부판(120)과 접촉 단부판(120)에 상에 고정된 접촉대(130)를 포함할 수 있다. 그리고, 접촉대(130)의 일측 단부표면(133) 상에 접점(140)이 고정될 수 있다. 여기서, 전극(100)이 고정전극인 경우 축(110)은 고정축이며, 전극(100)이 가동전극인 경우 축(110)은 이동축일 수 있다. 여기서, 접촉 단부판(120)과 접촉대(130)는 일체로 형성될 수 있다. 그리고, 접촉대(130)와 접점(140)이 일체로 형성될 수도 있다. 본 발명이 접점(140)의 형상을 제한하지는 않는다. 예를 들어, 와전류에 의한 영향을 최소화하도록 접점(140) 상에 방사형의 슬릿이 형성될 수도 있다. 그리고, 그 슬릿은 후술하는 메인 슬릿(131)과 대응되도록 방사형으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3, the electrode 100 may include a contact end plate 120 fixed on the shaft 110 and a contact end 130 fixed on the contact end plate 120. In addition, the contact 140 may be fixed on one end surface 133 of the contact table 130. Here, when the electrode 100 is a fixed electrode, the shaft 110 is a fixed shaft, and when the electrode 100 is a movable electrode, the shaft 110 may be a moving shaft. Here, the contact end plate 120 and the contact table 130 may be integrally formed. In addition, the contact table 130 and the contact 140 may be integrally formed. The present invention does not limit the shape of the contact 140. For example, radial slits may be formed on the contact 140 to minimize the effects of eddy currents. The slit may be radially formed to correspond to the main slit 131 which will be described later.

접촉대(130)는 메인 슬릿(131)과 종자계 유도부(132)를 포함할 수 있다.The contact table 130 may include a main slit 131 and a seed field inducing part 132.

메인 슬릿(131)은 접촉대(130)의 일측 단부표면(133)에서 타측 단부표면(134)을 향하여 연장 형성될 수 있다. 메인 슬릿(131)은 복수개로 형성될 수 있다. 복수의 메인 슬릿(131)은 상호 평행하게 등간격으로 형성될 수 있다. 여기서, 메인 슬릿(131)은 타측 단부표면(134)까지 연장될 수 있다. 메인 슬릿(131)은 접촉 단부판(120)과 소정의 경사각(α)을 형성할 수 있다. 도 3에 도시된 바와 달리, 메인 슬릿(131)은 완만한 곡면을 가질 수도 있고 계단형으로 형성될 수도 있다. 본 발명이 메인 슬릿(131)의 형상을 제한하는 것은 아니다. 메인 슬릿(131)이 접촉대(130)의 일측 단부표면(133)에서 타측 단부표면(134) 사이에서 접촉 단부판(120)과 소정의 경사각(α)을 가지는 전류(i)를 유도할 수 있는 한 본 발명의 범위에 속할 수 있다. 주지된 바와 같이, 접촉 단부판(120)과 소정의 경사각(α)을 가지는 전류(i)에 의해 종자계(B)가 유도될 수 있다.The main slit 131 may extend from one end surface 133 of the contact table 130 toward the other end surface 134. The main slit 131 may be formed in plural. The plurality of main slits 131 may be formed at equal intervals in parallel to each other. Here, the main slit 131 may extend to the other end surface 134. The main slit 131 may form a predetermined inclination angle α with the contact end plate 120. Unlike in FIG. 3, the main slit 131 may have a smooth curved surface or may be formed in a step shape. The present invention does not limit the shape of the main slit 131. The main slit 131 may induce a current i having a predetermined angle of inclination α with the contact end plate 120 between the one end surface 133 of the contact table 130 and the other end surface 134. As long as it is within the scope of the present invention. As is well known, the seed field B can be induced by a current i having a contact end plate 120 and a predetermined angle of inclination α.

종자계 유도부(132)는 슬릿 타입으로 형성될 수 있다. 여기서, 용어 “슬릿”은 “접촉대(130)의 측면을 관통하는 선으로 된 형태”를 의미할 수 있다. 여기서, “선”은 직선 및 곡선 중 적어도 어느 하나를 의미할 수 있다. 종자계 유도부(132)는 이웃하는 메인 슬릿(131) 사이에 적어도 하나 형성될 수 있다. 여기서, 종자계 유도부(132)의 일단은 이웃하는 메인 슬릿 중 제 1 메인 슬릿을 향하고, 타단은 이웃하는 메인 슬릿 중 제 2 메인 슬릿을 향할 수 있다. 그리고, 종자계 유도부(132)의 단부와 메인 슬릿(131) 사이로 전류가 흐를 수 있도록, 종자계 유도부(132)는 이웃하는 메인 슬릿(131)과 소정 간격 이격될 수 있다. 그리고, 종자계 유도부(132)는 상부와 하부로 원주 방향의 전류가 유도될 수 있도록, 접촉대의 상단과 하단과 소정 간격 이격될 수 있다. 종자계 유도부(132)는 이웃하는 메인 슬릿(131) 사이에 복수 개로 배치될 수도 있고 이 경우, 그 복수 개의 종자계 유도부(132)는 상호 평행할 수 있다. 그리고, 일부 이웃하는 메인 슬릿(131) 간에는 종자계 유도부(132)가 형성되지 않을 수 있다. 즉, 종자계 유도부(132)는 메인 슬릿(131) 간에서 간헐적으로 배치될 수도 있다. 예를 들어, 제 1 메인 슬릿 내지 제 6 메인 슬릿이 순차로 형성되는 경우, 제 1 메인 슬릿과 제 2 메인 슬릿 간에는 종자계 유도부가 형성되고, 제 2 메인 슬릿과 제 3 메인 슬릿 간에는 종자계 유도부가 형성되지 않으며, 제 3 메인 슬릿과 제 4 메인 슬릿 간에는 종자계 유도부가 형성되고, 제 4 메인 슬릿과 제 5 메인 슬릿 간에는 종자계 유도부가 형성되지 않으며, 제 5 메인 슬릿과 제 6 메인 슬릿 간에는 종자계 유도부가 형성될 수 있고 제 6 메인 슬릿과 제 1 메인 슬릿 간에는 종자계 유도부가 형성되지 않을 수도 있다. 또는, 제 1 메인 슬릿과 제 2 메인 슬릿 간과 제 4 메인 슬릿과 제 5 메인 슬릿 간에 만 종자계 유도부가 형성될 수도 있다. 메인 슬릿(131)과 종자계 유도부(132)의 단부 사이의 좁은 폭에 의해, 열이 발생할 수 있다. 따라서, 원하는 아크 제어 성능을 얻는 범위에서 종자계 유도부(132)의 수 및 그 폭을 최소화하는 것이 바람직하다. 종자계 유도부(132)가 간헐적으로 배치될 때, 접점(140) 상에 균일한 자계가 형성되도록, 종자계 유도부(132)는 접촉대(130) 대 상에서 동일한 방위각으로 이격될 수 있다. 즉, 접촉대(130)의 원주 방향으로 동일한 각도로 이격되어 종자계 유도부(132)가 위치할 수 있다. 복수의 종자계 유도부(132)는 접촉대(130)의 축을 기준으로 상호 대칭되는 위치에 형성될 수도 있다. 그리고, 종자계 유도부(132)와 접촉 단부판(120)과 형성하는 경사각(β)은 메인 슬릿(131)과 접촉단부판(120) 사이의 경사각(α) 보다 작을 수 있다. 즉, 종자계 유도부(132)와 접촉 단부판(120)과 형성하는 경사각(β)은 다음의 수학식 1과 같은 관계를 만족시킬 수 있다.
The seed field induction part 132 may be formed in a slit type. Here, the term “slit” may mean “a form of a line passing through the side surface of the contact table 130”. Here, “line” may mean at least one of a straight line and a curve. At least one seed field induction part 132 may be formed between neighboring main slits 131. Here, one end of the seed field induction part 132 may face the first main slit among the neighboring main slits, and the other end may face the second main slit among the neighboring main slits. In addition, the seed field induction part 132 may be spaced apart from the adjacent main slit 131 by a predetermined interval so that a current flows between an end portion of the seed field induction part 132 and the main slit 131. In addition, the seed field induction part 132 may be spaced apart from the top and bottom of the contact by a predetermined interval so that the current in the circumferential direction can be guided to the top and bottom. A plurality of seed field guides 132 may be disposed between neighboring main slits 131, and in this case, the plurality of seed field guides 132 may be parallel to each other. In addition, the seed field induction part 132 may not be formed between some neighboring main slits 131. That is, the seed field induction part 132 may be intermittently disposed between the main slits 131. For example, when the first main slit to the sixth main slit are sequentially formed, a seed field guide part is formed between the first main slit and the second main slit, and the seed field guide part is formed between the second main slit and the third main slit. Is not formed, and a seed field induction part is formed between the third main slit and the fourth main slit, and a seed field induction part is not formed between the fourth main slit and the fifth main slit, and between the fifth main slit and the sixth main slit. The seed field guide may be formed and the seed field guide may not be formed between the sixth main slit and the first main slit. Alternatively, the seed field guide may be formed only between the first main slit and the second main slit, and between the fourth main slit and the fifth main slit. Due to the narrow width between the main slit 131 and the end of the seed field guide 132, heat may be generated. Therefore, it is desirable to minimize the number and width of the seed field inducing units 132 in the range of obtaining the desired arc control performance. When the seed field induction part 132 is intermittently disposed, the seed field induction part 132 may be spaced at the same azimuth angle on the contact surface 130 so that a uniform magnetic field is formed on the contact point 140. That is, the seed field guide part 132 may be located at the same angle in the circumferential direction of the contact table 130. The plurality of seed field guides 132 may be formed at positions symmetrical with respect to the axis of the contact table 130. In addition, the inclination angle β formed with the seed field guide part 132 and the contact end plate 120 may be smaller than the inclination angle α between the main slit 131 and the contact end plate 120. That is, the inclination angle β formed with the seed field induction part 132 and the contact end plate 120 may satisfy the following equation (1).

Figure 112013044868198-pat00001
Figure 112013044868198-pat00001

메인 슬릿(131)으로 유입된 전류(i)는 종자계 유도부(132)에서 i1과 i2로 분기될 수 있다. 이때, 종자계 유도부(132)와 접촉 단부판(120)이 형성하는 경사각(β)이 메인 슬릿(131)과 접촉단부판(120) 사이의 경사각(α) 보다 작은 것에 의해, 메인 슬릿(131) 만을 형성할 때에 비해, 접촉대(130) 원주방향의 전류 성분(i1)을 매우 크게 유도할 수 있다. 이와 같은 방식에 의해, 접점(140)에서 접촉대(130)로 흐르는 전류의 대부분은 원주 방향 성분으로 유도될 수 있다. 차단 용량 및/또는 통전 용량 및/또는 저항을 고려하여, 설계자에 의해 메인 슬릿(131)과 접촉단부판(120) 간의 경사, 종자계 유도부(132)와 접촉단부판(120) 간의 경사, 메인 슬릿(131)과 종자계 유도부(132)의 개수 또는 길이, 메인 슬릿(131) 간의 간격, 종자계 유도부(132) 간의 간격 중 적어도 하나가 조정될 수 있다. 도 3에서 종자계 유도부(132)가 하나의 선분으로 형성된 것을 예시하나, 종자계 유도부(132)는 곡선으로 형성될 수도 있다. 이 경우, 곡선 중 일부 구간은 접촉 단부판(120)과 형성하는 각이 메인 슬릿(131)과 접촉단부판(120) 사이의 경사각 보다 작도록 하는 것이 바람직하다. 또한, 종자계 유도부(132)는 복수의 선분으로 또는 선분과 곡면의 결합으로 형성될 수 있다. 접촉 단부판(120)과 형성하는 경사각이 메인 슬릿(131)과 접촉단부판(120) 사이의 경사각 보다 작은 영역을 포함하는 한 본 발명의 종자계 유도부(132)에 해당할 수 있다. 여기서, 종자계 유도부(132)가 접촉 단부판(120)과 형성하는 경사각은 0도를 포함할 수 있다. 종자계 유도부(132)는 접촉대의 상단과 하단 사이에 하나의 메인 슬릿 만이 위치하는 영역(S) 상에 형성될 수 있다. 이에 의해, 접촉대의 기계적 강도는 향상될 수 있다. The current i introduced into the main slit 131 may branch to i1 and i2 in the seed field inducing unit 132. At this time, the inclination angle β formed by the seed field induction part 132 and the contact end plate 120 is smaller than the inclination angle α between the main slit 131 and the contact end plate 120, whereby the main slit 131. ), The current component i1 in the circumferential direction of the contact table 130 can be very large compared with the case of forming only). In this manner, most of the current flowing from the contact 140 to the contact 130 may be induced to the circumferential component. In consideration of the breaking capacity and / or the carrying capacity and / or resistance, the inclination between the main slit 131 and the contact end plate 120, the inclination between the seed field induction part 132 and the contact end plate 120, the main At least one of the number or length of the slits 131 and the seed field inducing part 132, the spacing between the main slits 131, and the spacing between the seed field inducing parts 132 may be adjusted. In FIG. 3, the seed field induction part 132 is formed as one line segment, but the seed field induction part 132 may be formed in a curved line. In this case, it is preferable that some sections of the curve are smaller than the angle of inclination between the contact end plate 120 and the main slit 131 and the contact end plate 120. In addition, the seed field induction part 132 may be formed of a plurality of line segments or a combination of line segments and curved surfaces. As long as the inclination angle formed with the contact end plate 120 includes an area smaller than the inclination angle between the main slit 131 and the contact end plate 120, the seed field induction part 132 of the present invention may correspond. Here, the inclination angle formed by the seed field induction part 132 with the contact end plate 120 may include 0 degrees. The seed field induction part 132 may be formed on an area S in which only one main slit is located between the upper end and the lower end of the contact table. By this, the mechanical strength of the contact zone can be improved.

도 4를 참조하면, 접촉대(130) 내측에 메인 보강부재(150)가 위치할 수 있다. 메인 보강부재(150)는 접촉대 내주면과 소정 간격으로 이격되어 설치될 수 있다. 메인 보강부재(150)는 접점(140)과 접촉 단부판(120) 사이에서 접점(140)을 지지하는 것에 의해, 접점(140)을 지지함과 동시에 접촉대(130)의 기계적 강도를 보강할 수 있다. 그리고, 접촉대(130) 내주면과 메인 보강부재(150) 사이에 슬릿 보강부재(160)가 설치될 수 있다. 슬릿 보강부재(160)는 접촉대(130)의 축방향에 대하여, 접촉대(130)의 기계적 강도를 보강하도록 설치될 수 있다. 여기서, 메인 보강부재(150)는 접점(140)을 지지하는 것을 주기능으로 하며, 슬릿 보강부재(160)는 접촉대(130)를 지지하는 것에 의해, 메인슬릿(131)과 종자계 유도부(132)의 변형을 방지하는 것을 주기능으로 할 수 있다.Referring to FIG. 4, the main reinforcing member 150 may be positioned inside the contact table 130. The main reinforcing member 150 may be spaced apart from the inner peripheral surface of the contact table at predetermined intervals. The main reinforcement member 150 supports the contact 140 between the contact 140 and the contact end plate 120 to support the contact 140 and at the same time reinforce the mechanical strength of the contact 130. Can be. The slit reinforcement member 160 may be installed between the inner circumferential surface of the contact table 130 and the main reinforcement member 150. The slit reinforcing member 160 may be installed to reinforce the mechanical strength of the contact 130 with respect to the axial direction of the contact 130. Here, the main reinforcing member 150 has a main function of supporting the contact 140, the slit reinforcing member 160 by supporting the contact table 130, the main slit 131 and the seed field induction portion ( The main function can be to prevent deformation of 132).

도 5를 참조하면, 슬릿 보강부재(160)는 중공형의 원통으로 형성될 수 있다. 그리고, 슬릿 보강부재(160)는 양단이 개방될 수 있다. 또한, 슬릿 보강부재(160)의 외주면은 접촉대(130)의 내주면과 동일 반경으로 형성되고, 슬릿 보강부재(160)의 외주면은 접촉대(130)의 내주면에 밀착 고정될 수 있다. 슬릿 보강부재(160)의 일단은 접점(140)에 고정되고, 타단은 접촉 단부판(120)에 고정될 수 있다. 이때, 사고전류의 차단시 슬릿 보강부재(160) 상에 흐르는 전류에 의해, 메인슬릿(131)과 종자계 유도부(132)에 의해 생성되는 종자계가 감쇄될 수 있다. 따라서, 슬릿 보강부재(160) 상에 흐르는 전류를 최소화할 필요가 있다. 이를 위해, 슬릿 보강부재(160)는 절연체로 형성되는 것이 바람직하다. 슬릿 보강부재(160)가 도전성을 가지는 경우, 슬릿 보강부재(160)는 접촉대(130) 보다 도전율이 낮은 것이 바람직하다. 설계자에 의해, 기계적 강도 및 아크 제어 성능 등을 고려하여, 슬릿 보강부재(160)의 재질이 적절히 선택될 수 있다.
Referring to FIG. 5, the slit reinforcement member 160 may be formed in a hollow cylinder. In addition, both ends of the slit reinforcement member 160 may be opened. In addition, the outer circumferential surface of the slit reinforcing member 160 may have the same radius as the inner circumferential surface of the contact table 130, and the outer circumferential surface of the slit reinforcing member 160 may be fixed to the inner circumferential surface of the contact table 130. One end of the slit reinforcing member 160 may be fixed to the contact 140, and the other end may be fixed to the contact end plate 120. At this time, the seed field generated by the main slit 131 and the seed field inducing unit 132 may be attenuated by the current flowing on the slit reinforcing member 160 when the fault current is blocked. Therefore, it is necessary to minimize the current flowing on the slit reinforcement member 160. To this end, the slit reinforcing member 160 is preferably formed of an insulator. When the slit reinforcing member 160 is conductive, it is preferable that the slit reinforcing member 160 has a lower conductivity than the contact table 130. By the designer, the material of the slit reinforcing member 160 may be appropriately selected in consideration of mechanical strength, arc control performance, and the like.

이하, 도 6을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 진공 인터럽터용 전극에 대하여 설명한다. 상기한 설명과 중복되는 설명은 생략하거나 간단히 한다. 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 진공 인터럽터용 전극의 정면도를 나타낸다. 도 6에서, 도 3에서의 구성요소와 동일한 구성요소에 대하여 동일한 참조번호를 부여하였다.Hereinafter, an electrode for a vacuum interrupter according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 6. Descriptions overlapping with the above description will be omitted or simplified. 6 is a front view of an electrode for a vacuum interrupter according to another embodiment of the present invention. In FIG. 6, the same reference numerals are given to the same components as those in FIG.

도 6을 참조하면, 이웃하는 메인 실릿(131) 사이에 적어도 하나의 종자계 유도부(232)가 형성될 수 있다. 종자계 유도부(232)는 접촉 단부판(120)에 대하여 경사진 영역(232a)과 수평인 영역(232b)을 포함할 수 있다. 경사진 영역(232a)과 접촉 단부판(120)은 소정의 경사각(γ)을 형성할 수 있다. 여기서, 경사진 영역(232a)과 접촉 단부판(120) 간의 경사각(γ)은 0도 초과이고, 90도 미만일 수 있다. 다만, 종자계 형성이 유리하도록 경사진 영역(232a)과 접촉 단부판(120) 간의 경사각(γ)은 메인 슬릿(131)과 접촉 단부판(120) 간의 경사각(α) 보다 작은 것이 바람직하다. 여기서, 메인 슬릿(131) 사이로 유도된 전류(i)는 경사진 영역(232a)에 의해 수평인 영역(232b)으로 용이하게 분기될 수 있다. 그리고, 수평인 영역(232b)으로 용이하게 분기된 전류에 의해, 보다 센 종자계가 유도될 수 있다. 도 6은 예시에 불과하며, 수평인 영역(232b)이 접촉 단부판(120)과 소정의 경사각을 이루도록 형성될 수도 있다. 이 경우, 수평인 영역(232b)과 접촉 단부판(120) 간의 경사각은 메인 슬릿(131)과 접촉 단부판(120) 간의 경사각(α) 보다 작은 것이 바람직하다. 이와 같이, 종자계 유도부(232)가 접촉 단부판(120)과 형성하는 경사각이 메인 슬릿(131)과 접촉단부판(120) 사이의 경사각 보다 작은 영역을 포함하는 한 본 발명의 종자계 유도부(232)에 해당할 수 있다. 여기서, 종자계 유도부(232)가 접촉 단부판(120)과 형성하는 경사각은 0도를 포함할 수 있다.
Referring to FIG. 6, at least one seed field inducing unit 232 may be formed between neighboring main silts 131. The seed field induction part 232 may include an area 232b that is horizontal to the area 232a that is inclined with respect to the contact end plate 120. The inclined region 232a and the contact end plate 120 may form a predetermined inclination angle γ. Here, the inclination angle γ between the inclined region 232a and the contact end plate 120 may be greater than 0 degrees and less than 90 degrees. However, it is preferable that the inclination angle γ between the inclined region 232a and the contact end plate 120 is smaller than the inclination angle α between the main slit 131 and the contact end plate 120 so that seed field formation is advantageous. Here, the current i induced between the main slits 131 may be easily branched to the horizontal area 232b by the inclined area 232a. Further, a stronger seed field can be induced by the current easily branched into the horizontal region 232b. 6 is merely an example, and the horizontal region 232b may be formed to have a predetermined inclination angle with the contact end plate 120. In this case, the inclination angle between the horizontal region 232b and the contact end plate 120 is preferably smaller than the inclination angle α between the main slit 131 and the contact end plate 120. As such, the seed field induction part of the present invention is provided so long as the inclination angle formed by the seed field induction part 232 with the contact end plate 120 is smaller than the inclination angle between the main slit 131 and the contact end plate 120. 232). Here, the inclination angle formed by the seed field guide part 232 with the contact end plate 120 may include 0 degrees.

이하, 도 7을 참조하여, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 진공 인터럽터용 전극에 대하여 설명한다. 상기한 설명과 중복되는 설명은 생략하거나 간단히 한다. 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 접점이 제거된 상태에서의 진공 인터럽터용 전극의 평면도를 나타낸다. 도 7에서, 도 5에서의 구성요소와 동일한 구성요소에 대하여 동일한 참조번호를 부여하였다. 후술하는 도 7의 슬릿 보강부재의 구조는 도 3 및 도 6의 전극에도 적용될 수 있다.Hereinafter, an electrode for a vacuum interrupter according to still another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 7. Descriptions overlapping with the above description will be omitted or simplified. 7 is a plan view of an electrode for a vacuum interrupter in a state where a contact is removed according to another embodiment of the present invention. In FIG. 7, the same reference numerals are given to the same components as those in FIG. The structure of the slit reinforcing member of FIG. 7 to be described later may be applied to the electrodes of FIGS. 3 and 6.

도 7을 참조하면, 복수의 슬릿 보강부재(360)가 상호 이격되어 배치될 수 있다. 그리고, 복수의 슬릿 보강부재(360)는 접촉대(130)의 내주면에 밀착 고정될 수 있다. 또한, 복수의 슬릿 보강부재(360)는 동일한 방위각(θ)로 이격되어 배치될 수 있다. 이때, 메인 슬릿(131)과 종자계 유도부(132, 도 3 참조)의 변형을 최소화할 수 있도록, 복수의 슬릿 보강부재(360)는 메인 슬릿(131)이 시작되는 영역에 대응하도록 배치되는 것이 바람직하다. 도 7과 같은 구조를 채택하는 것에 의해, 슬릿 보강부재(360)의 제조가 용이하고, 그 제조 비용을 줄일 수 있다. 본 발명은 슬릿 보강부재(360)의 형상을 제한하지 않는다. 예를 들어, 슬릿 보강부재(360)는 봉타입으로 형성될 수도 있다. 그리고, 보강되는 영역 마다 복수개가 배치될 수도 있다. 슬릿 보강부재(360)는 용접에 의해, 접촉대(130) 상에 고정될 수 있다.
Referring to FIG. 7, a plurality of slit reinforcing members 360 may be spaced apart from each other. In addition, the plurality of slit reinforcing members 360 may be fixed to the inner circumferential surface of the contact table 130. In addition, the plurality of slit reinforcing members 360 may be spaced apart at the same azimuth angle θ. In this case, in order to minimize deformation of the main slit 131 and the seed field inducing unit 132 (see FIG. 3), the plurality of slit reinforcing members 360 may be disposed to correspond to an area where the main slit 131 starts. desirable. By adopting the structure as shown in FIG. 7, the slit reinforcing member 360 can be easily manufactured, and the manufacturing cost thereof can be reduced. The present invention does not limit the shape of the slit reinforcing member 360. For example, the slit reinforcement member 360 may be formed in a rod type. In addition, a plurality may be disposed for each area to be reinforced. The slit reinforcing member 360 may be fixed on the contact table 130 by welding.

이하, 도 8을 참조하여, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 진공 인터럽터용 전극에 대하여 설명한다. 도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 진공 인터럽터용 전극의 정면도를 나타낸다. 상기한 설명과 중복되는 설명은 생략하거나 간단히 한다. 도 8에서 도 3에서의 구성요소와 동일한 구성요소에 대하여 동일한 참조번호를 부여하였다.Hereinafter, an electrode for a vacuum interrupter according to still another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 8. 8 is a front view of an electrode for a vacuum interrupter according to another embodiment of the present invention. Descriptions overlapping with the above description will be omitted or simplified. In FIG. 8, the same reference numerals are given to the same components as those in FIG.

도 8을 참조하면, 종자계 유도부(432)는 홀 타입으로 형성될 수 있다. 앞서 본 바와 같이, 슬릿 타입으로 종자계 유도부를 형성하는 경우, 종자계 유도부의 형성시 엔드밀(end mill)에 의한 커팅 작업을 진행하기 때문에, 종자계 유도부 간에 편차가 발생할 가능성이 많다. 즉, 종자계 유도부의 위치를 균일하게 할 수 없다. 그리고, 엔드밀에 의한 커팅 작업에 의해 종자계 유도부를 형성하는 경우, 종자계 유도부와 접촉단부판 간의 경사각이 균일하지 않을 수 있다. 또한, 종자계 유도부(432)를 정밀하게 가공하게 되면, 전극 생산 공정이 지연되는 문제점이 있다. 그리고, 종자계 유도부를 슬릿 타입으로 하게되면, 종자계 유도부의 폭을 작게하는데에 한계가 있을 수 있다. 즉, 종자계 유도뷰와 메인 슬릿 간의 간격이 좁게 될 수 있다. 종자계 유도부와 메인 슬릿 간의 간격이 좁게 되면, 종자계 유도부와 메인 슬릿 사이의 저항이 증가하여 전극의 온도가 매우 상승할 수 있고 메인 슬릿의 상부에서 하부로의 전류 흐름을 방해하여 종자계를 감쇄시킬 수도 있다. Referring to FIG. 8, the seed field inducing unit 432 may be formed in a hole type. As described above, when the seed field induction part is formed in the slit type, since the cutting operation is performed by an end mill when the seed field induction part is formed, there is a high possibility that a deviation occurs between the seed field induction parts. That is, the position of the seed field guide cannot be made uniform. When the seed field induction part is formed by the cutting operation by the end mill, the inclination angle between the seed field induction part and the contact end plate may not be uniform. In addition, when the seed field induction part 432 is precisely processed, there is a problem that the electrode production process is delayed. In addition, when the seed field guide part is a slit type, there may be a limit in reducing the width of the seed field guide part. That is, the distance between the seed field guidance view and the main slit may be narrowed. If the spacing between the seed field guide and the main slit becomes narrow, the resistance between the seed field guide and the main slit increases, which can cause the temperature of the electrode to rise very much and attenuate the seed field by preventing the current flow from the top to the bottom of the main slit. You can also

다만, 도 8에서와 같이 종자계 유도부(432)를 홀 타입으로 하게 되면, 드릴(drill) 만으로 간단하게 종자계 유도부(432)를 형성할 수 있다. 그리고, 홀의 위치 만 정확하게 하여 천공을 하면 종자계 유도부(432)가 형성되므로 균일하게 종자계 유도부(432)가 형성될 수 있다. 그리고, 홀 타입은 그 가공이 매우 용이하여 전극 제조 공정을 단축시킬 수 있다.However, when the seed field induction part 432 is a hole type, as shown in FIG. 8, the seed field induction part 432 may be simply formed by using only a drill. When the hole is precisely formed by only the position of the hole, the seed field inducing part 432 is formed, and thus the seed field inducing part 432 may be uniformly formed. And the hole type can be processed very easily, and can shorten an electrode manufacturing process.

홀 타입은 슬릿 타입에 비해 폭이 매우 적게 형성될 수 있다. 따라서, 홀 타입의 종자계 유도부(432)와 메인 슬릿(131) 간의 간격(달리 표현하면, 통전 면적)은 슬릿 타입의 종자계 유도부와 메인 슬릿(131)간의 간격(달리 표현하면, 통전 면적)에 비해 클 수 있다. 이에 의해, 홀 타입의 종자계 유도부(432)와 메인 슬릿(131) 간의 저항은 슬릿 타입의 종자계 유도부와 메인 슬릿(131) 간의 저항에 비해 작고 온도의 상승도 적을 수 있다. 홀 타입 종자계 유도부(432)의 직경을 슬릿 타입 보다 작게 하여도, 위와 같이 홀 타입 종자계 유도부(432)와 메인 슬릿 간의 저항이 작아 메인 슬릿 사이로 더 많은 전류가 유입될 수 있다. 그리고, 이에 의해 홀 타입 종자계 유도부(432)의 상부와 하부에서 유기되는 원주 방향의 전류(i1, i2)는 슬릿 타입에 비해 클 수 있다. 따라서, 홀 타입은 슬릿 타입이 가지는 상술한 다양한 문제점을 해결함과 동시에 슬릿 타입에 대등한 종자계를 유도할 수 있다. 즉, 홀 타입의 아크 제어 특성은 슬릿 타입의 아크 제어 특성과 대등할 수 있다. 또한, 홀 타입은 슬릿 타입에 비해 종자계 유도부(432)와 메인 슬릿(131) 간의 간격이 넓어, 접촉대의 기계적 강도가 향상될 수 있다. 종자계 유도부(432)를 홀 타입으로 하는 경우, 홀의 직경은 설계자에 의해, 기계적 강도, 온도 및 아크 제어 성능 등을 고려하여, 적절히 선택될 수 있다. 홀 타입 종자계 유도부(432)는 앞서 본 바와 같이, 메인 슬릿과 접촉대의 상단과 하단과 소정 간격 이격될 수 있다. 그리고, 홀 타입 종자계 유도부(432)는 이웃하는 메인 슬릿 간에 간헐적으로 형성되고, 그 간헐적으로 형성된 종자계 유도부는 동일한 방위각으로 이격되어 배치될 수 있다. 그리고, 홀 타입 종자계 유도부(432)는 접촉대의 상단과 하단 사이에 하나의 메인 슬릿 만이 위치하는 영역(S) 상에 형성될 수 있다. 도 8은 홀의 단면이 원형인 경우를 예시하나, 홀은 타원형, 삼각형, 사각형, 마름모 등일 수 있다. 즉, 본 발명은 접촉대의 측부를 관통하는 한, 홀의 형상을 제한하지 않는다.
The hole type may have a very small width compared to the slit type. Therefore, the interval (in other words, the energization area) between the hole type seed field induction part 432 and the main slit 131 is the interval (in other words, the energization area) between the slit type seed field induction part and the main slit 131. Can be larger than As a result, the resistance between the hole type seed field induction part 432 and the main slit 131 may be smaller than the resistance between the slit type seed field induction part and the main slit 131 and the temperature rise may be less. Even if the diameter of the hole type seed field induction part 432 is smaller than that of the slit type, as described above, the resistance between the hole type seed field induction part 432 and the main slit is small, so that more current may flow between the main slit. As a result, the circumferential currents i1 and i2 induced in the upper and lower portions of the hole type seed field inducing unit 432 may be larger than those of the slit type. Therefore, the hole type can induce a seed field comparable to the slit type while solving the above-described various problems of the slit type. That is, the arc control characteristic of the hole type may be equivalent to the arc control characteristic of the slit type. In addition, the hole type has a wider spacing between the seed field inducing portion 432 and the main slit 131 than the slit type, thereby improving the mechanical strength of the contact zone. When the seed field guide portion 432 is a hole type, the diameter of the hole may be appropriately selected by the designer in consideration of mechanical strength, temperature, arc control performance, and the like. As described above, the hole type seed field induction part 432 may be spaced apart from the upper and lower ends of the main slit and the contact table by a predetermined distance. In addition, the hole type seed field induction part 432 may be formed intermittently between neighboring main slits, and the intermittently formed seed field induction part may be spaced apart at the same azimuth angle. In addition, the hole type seed field induction part 432 may be formed on an area S in which only one main slit is located between the upper end and the lower end of the contact table. 8 illustrates a case in which the cross section of the hole is circular, but the hole may be an ellipse, a triangle, a rectangle, a rhombus, or the like. That is, the present invention does not limit the shape of the hole as long as it penetrates the side of the contact table.

E 모델(슬릿 타입)과 F 모델(홀 타입)을 실제 동일 재료로 제작하고 그 모델의 아크 제어 특성을 동일 차단전류에서 실험하였다. 실험시, 고정전극과 가동전극을 일정거리 이격되었을 때, 고정전극과 가동전극의 중간 지점의 센터를 기준으로 각각 지점에서의 자속밀도를 계측하였다. 실험 결과는 도 9와 같다. 도 9는 본 발명의 전극의 아크 제어 특성 실측 결과이다. 도 9에서 가로축은 고정전극과 가동전극의 중간 지점의 센터로부터의 거리를 나타내고, 세로축은 자속밀도를 나타낸다. The E model (slit type) and the F model (hole type) were made of the same material and the arc control characteristics of the model were tested at the same breaking current. In the experiment, when the fixed electrode and the movable electrode were separated by a certain distance, the magnetic flux density at each point was measured based on the center of the intermediate point of the fixed electrode and the movable electrode. Experimental results are shown in FIG. 9. 9 is an arc control characteristic measurement result of the electrode of the present invention. In Fig. 9, the horizontal axis represents the distance from the center of the middle of the fixed electrode and the movable electrode, and the vertical axis represents the magnetic flux density.

도 9에서와 같이, 아크 제어 특성은 E 모델(슬릿 타입)과 F 모델(홀 타입)이 대등함을 알 수 있다. 그리고, 도 9의 결과를 통해, E 모델(슬릿 타입)과 F 모델(홀 타입) 모두에 대하여 84kV / 31.5kA 정격의 차단 성능을 확인하였다. 그리고, 위에서 본 바와 같이, 홀 타입이 열, 기계적 강도, 가공의 정밀도, 종자계 유도부 간의 편차 제거, 제조 공정 속도 면에서 슬릿 타입보다 우수함을 알 수 있다.
As shown in FIG. 9, it can be seen that the arc control characteristics are equivalent to the E model (slit type) and the F model (hole type). And, through the results of Figure 9, the breaking performance of 84kV / 31.5kA rating for both the E model (slit type) and F model (hole type) was confirmed. And, as seen above, it can be seen that the hole type is superior to the slit type in terms of heat, mechanical strength, processing precision, removal of deviations between seed field induction parts, and manufacturing process speed.

도 3 내지 도 8은 종자계 유도부가 슬릿 타입과 홀 타입 중 선택된 어느 하나의 타입으로 형성된 경우 만을 도시하나, 종자계 유도부는 접촉대의 원주 방향으로 슬릿 타입과 홀 타입이 번갈아 가며 형성될 수도 있다. 또는, 이웃하는 메인 슬릿 사이에 슬릿 타입과 홀 타입 종자계 유도부가 모두 포함될 수도 있다.
3 to 8 illustrate only the case where the seed field induction part is formed of any one type selected from the slit type and the hole type, but the seed field induction part may be alternately formed in the slit type and the hole type in the circumferential direction of the contact table. Alternatively, both the slit type and the hole type seed field guide may be included between neighboring main slits.

상기한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대해 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the relevant art that various modifications, additions and substitutions are possible, without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. The appended claims are to be considered as falling within the scope of the following claims.

1: 전극
10: 접촉대
11: 제 1 슬릿
12: 제 2 슬릿
13: 보강부재
100, 200, 300, 400: 전극
110: 축
120: 접촉단부판
130: 접촉대
131: 메인 슬릿
132, 232: 종자계 유도부
140: 접점
150: 메인 보강부재
160: 슬릿 보강부재
1: electrode
10: contact table
11: first slit
12: second slit
13: reinforcing member
100, 200, 300, 400: electrode
110: axis
120: contact end plate
130: contact table
131: main slit
132, 232: seed field induction part
140: contact
150: main reinforcing member
160: slit reinforcing member

Claims (11)

진공 인터럽터용 전극에 있어서,
접촉대의 일측 단부표면에서 상기 접촉대의 타측 단부표면을 향하여 접촉단부판과 소정의 경사를 이루며 연장되는 등간격으로 배치된 복수의 메인 슬릿 및
상기 복수의 메인 슬릿 중 이웃하는 메인 슬릿 사이에 형성되는 적어도 하나의 종자계 유도부-상기 종자계 유도부는 상부와 하부로 상기 접촉대의 원주 방향으로의 전류 경로를 형성하는 것에 의해 상기 접촉대의 축방향에 평행한 종자계를 유도함-를 포함하고,
상기 종자계 유도부는 홀 타입 또는 슬릿 타입 중 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 전극.
In the electrode for vacuum interrupter,
A plurality of main slits arranged at equal intervals extending from the one end surface of the contact table toward the other end surface of the contact table in a predetermined inclination with the contact end plate;
At least one seed field inducing part formed between neighboring main slits among the plurality of main slits-The seed field inducing part is formed in the axial direction of the contact table by forming a current path in the circumferential direction of the contact table to the top and the bottom thereof. Inducing parallel seed fields,
The seed field induction part is formed in at least one of a hole type or a slit type electrode.
제 1 항에 있어서,
상기 종자계 유도부는 이웃하는 메인 슬릿 및 상기 접촉대의 상단과 하단과 소정 간격 이격되는 것을 특징으로 하는 전극.
The method of claim 1,
The seed field induction part is characterized in that the adjacent main slit and spaced apart from the top and bottom of the contact by a predetermined interval.
제 1 항에 있어서,
상기 종자계 유도부는 상기 접촉대 상에서 동일한 방위각으로 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 전극.
The method of claim 1,
And the seed field induction part is spaced apart from each other at the same azimuth angle.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 종자계 유도부는,
상기 접촉대의 상단과 하단 사이에 하나의 메인 슬릿 만이 위치하는 영역 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 전극.
The method of claim 1,
The seed field induction part,
And an electrode formed on an area where only one main slit is located between an upper end and a lower end of the contact.
제 1 항에 있어서,
상기 종자계 유도부는 홀 타입 만으로 형성되고, 상기 접촉대의 상단과 하단 사이에 하나의 메인 슬릿 만이 형성된 영역 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 전극.
The method of claim 1,
The seed field induction part is formed only in the hole type, characterized in that formed on the region where only one main slit is formed between the upper end and the lower end of the contact.
제 1 항에 있어서,
상기 종자계 유도부는 슬릿 타입으로 형성되고,
상기 종자계 유도부의 일단은 상기 이웃하는 메인 슬릿 중 제 1 메인 슬릿을 향하고, 타단은 상기 이웃하는 메인 슬릿 중 제 2 메인 슬릿을 향하는 것에 의해, 상기 이웃하는 메인 슬릿 사이에서 상기 접촉대의 원주 방향의 전류 경로를 형성하는 것을 특징으로 하는 전극.
The method of claim 1,
The seed field induction part is formed of a slit type,
One end of the seed field induction part faces a first main slit among the neighboring main slits, and the other end faces a second main slit among the neighboring main slits, thereby circumferentially contacting the neighboring main slits. And an electrode forming a current path.
제 1 항에 있어서,
상기 종자계 유도부는 적어도 하나의 슬릿 타입으로 형성되고, 상기 슬릿 타입의 종자계 유도부는 상기 접촉단부판과 형성하는 경사각이 상기 메인 슬릿과 상기 접촉단부판이 형성하는 경사각 보다 작은 영역을 적어도 하나 포함하는 것을 특징으로 하는 전극.
The method of claim 1,
The seed field guide portion is formed of at least one slit type, and the seed field guide portion of the slit type includes at least one region having an inclination angle formed with the contact end plate smaller than an inclination angle formed by the main slit and the contact end plate. An electrode, characterized in that.
제 1 항에 있어서,
상기 접촉대의 내주면과 소정 간격 이격되어 설치되는 메인 보강부재; 및
상기 접촉대의 내주면과 상기 메인 보강부재 사이에서 상기 접촉대의 축방향에 대하여 상기 접촉대의 기계적 강도를 보강하도록 설치된 슬릿 보강부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전극.
The method of claim 1,
A main reinforcement member spaced apart from the inner circumferential surface of the contact portion by a predetermined interval; And
And a slit reinforcing member installed between the inner circumferential surface of the contact and the main reinforcing member to reinforce the mechanical strength of the contact in the axial direction of the contact.
제 9 항에 있어서,
상기 슬릿 보강부재의 일면은 상기 접촉대의 내주면에 밀착 고정되는 것을 특징으로 하는 전극.
The method of claim 9,
One surface of the slit reinforcing member is in close contact with the inner peripheral surface of the contact.
제 10 항에 있어서,
상기 슬릿 보강부재는 상기 접촉대 보다 도전율이 낮은 것을 특징으로 하는 전극.

11. The method of claim 10,
The slit reinforcing member is characterized in that the conductivity is lower than the contact.

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