KR101323718B1 - 자구벽 이동을 이용한 정보 저장 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 자구벽 이동을 이용한 정보 저장 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. 개시된 본 발명의 정보 저장 장치는 다수의 자구를 갖는 자성층 및 상기 자성층에 연결된 전류 인가수단을 포함하는 자구벽 이동을 이용한 정보 저장 장치로서, 상기 자성층은 서로 다른 결정 특성을 갖고 교번하여 배치된 제1 및 제2 영역을 포함하는 하지층 상에 구비되되, 상기 제1 영역 상의 제3 영역 및 상기 제2 영역 상의 제4 영역을 포함하고, 상기 제3 및 제4 영역은 서로 다른 자기이방성 에너지를 갖는다.

Description

자구벽 이동을 이용한 정보 저장 장치 및 그 제조방법{Information storage device using magnetic domain wall movement and method of manufacturing the same}
본 발명은 정보 저장 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 자구벽 이동을 이용한 정보 저장 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
정보 저장 장치중, 전원이 차단되더라도 기록된 정보가 지워지지 않는 비휘발성 정보 저장 장치는 HDD(hard disk drive)와 비휘발성 RAM(ramdom access memory) 등이 있다.
HDD는 회전하는 부분을 갖는 저장 장치로 마모되는 경향이 있고, 동작시 페일(fail)이 발생할 가능성이 크기 때문에 신뢰성이 떨어진다.
비휘발성 RAM으로는 현재 널리 사용되고 있는 플래쉬 메모리가 대표적이지만, 플래쉬 메모리는 읽기/쓰기 동작 속도가 느리고 수명이 짧으며 HDD에 비하여 데이터 저장 용량이 매우 적고 생산 비용이 높다는 문제가 있다.
이에, 최근에는 종래의 비휘발성 정보 저장 장치의 문제점을 극복하기 위한 방법으로서, 자성 물질의 자구벽(magnetic domain wall) 이동 원리를 이용하는 새 로운 정보 저장 장치에 관한 연구 및 개발이 이루어지고 있다. 강자성체를 구성하는 자기적인 미소영역을 자기 구역(magnetic domain : 이하, 자구라 함)이라 하며, 서로 다른 자화 방향을 갖는 자구들의 경계 부분을 자구벽이라 한다. 이러한 자구벽은 소정의 부피를 갖고 있으며, 자성층에 인가되는 전류 또는 외부 자기장에 의해 이동될 수 있다.
자구 및 자구벽 이동 원리를 이용한 디지털 소자를 구현하기 위해서는 자구벽의 비트 단위 이동의 안정성을 확보해야 하는데, 이를 위해, 자성층에 노치(notch)와 같은 기하학적인 피닝지점(pinning site)을 형성하는 방법이 이용된다. 그러나 상기 방법은 공정이 어렵고 기록밀도를 향상시키는데 한계가 있으므로 보다 용이하게 피닝지점을 형성하여 자구벽의 이동을 제어할 수 있는 기술이 요구된다.
본 발명은 자구 및 자구벽의 이동 특성을 이용한 정보 저장 장치 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예는 다수의 자구를 갖는 자성층 및 상기 자성층에 연결된 전류 인가수단을 포함하는 자구벽 이동을 이용한 정보 저장 장치에 있어서, 상기 자성층은 서로 다른 결정 특성을 갖고 교번하여 배치된 제1 및 제2 영역을 포함하는 하지층 상에 구비되되, 상기 제1 영역 상의 제3 영역 및 상기 제2 영역 상의 제4 영역을 포함하고, 상기 제3 및 제4 영역은 서로 다른 자기이방성 에너지를 갖는 정보 저장 장치를 제공한다.
상기 제1 및 제2 영역 중 어느 하나는 불순물이 주입된 영역일 수 있고, 나머지 하나는 미도핑영역일 수 있다.
상기 하지층은 Ru, Pt, Pd, Au, Fe, Ni, Cr 합금, NiO 및 MgO 중 적어도 어느 하나로 형성된 층일 수 있다.
상기 불순물은 He 이온 및 Ga 이온 중 적어도 하나일 수 있다.
상기 자성층은 Fe, Co 및 Pt 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 형성된 층일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는 다수의 자구를 갖는 자성층 및 상기 자성층에 연결된 전류 인가수단을 포함하는 자구벽 이동을 이용한 정보 저장 장치의 제조방법에 있어서, 기판 상에 하지층을 형성하는 단계; 상기 하지층 상에 상기 하지층을 노출시키는 다수의 그루브(groove)를 갖는 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 노출된 하지층에 불순물을 주입하는 단계; 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 하지층 상에 자성층을 형성하는 단계;를 포함하는 정보 저장 장치 제조방법을 제공한다.
상기 그루브(groove)는 나노 임프린트(nano-imprint) 방법 또는 리소그라피 방법으로 형성할 수 있다.
상기 나노 임프린트 방법을 사용하는 경우, 상기 하지층 상에 상기 마스크 패턴을 형성하는 단계는, 상기 하지층 상에 수지층을 형성하는 단계; 상기 수지층을 다수의 하향 돌출부를 갖는 마스터 스탬프로 찍는 단계; 및 상기 마스터 스탬프를 제거하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 하지층은 Ru, Pt, Pd, Au, Fe, Ni, Cr 합금, NiO 및 MgO 중 적어도 어느 하나로 형성할 수 있다.
상기 불순물은 He 이온 및 Ga 이온 중 적어도 하나일 수 있다.
상기 자성층은 Fe, Co 및 Pt 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 형성할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 자구벽 이동을 이용한 정보 저장 장치 및 그의 제조방법을 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 아래에 예시되는 실시예는 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니며, 본 발명을 이 기술 분야 에서 통상의 지식을 가진 자에게 충분히 설명하기 위해 제공되는 것이다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 자구벽 이동을 이용한 정보 저장 장치를 보여준다.
도 1을 참조하면, 하지층(underlayer)(100) 및 하지층(100) 상에 자성층(200)이 존재한다. 하지층(100)은 자성층(200)의 형성을 위한 씨드층(seed layer)일 수 있는데, Ru, Pt, Pd, Au, Fe, Ni, Cr 합금, NiO 및 MgO 중 적어도 어느 하나로 형성된 층일 수 있다. 하지층(100)은 교대로 배치된 제1 영역(10a)과 제2 영역(10b)을 포함하는데, 제1 영역(10a)과 제2 영역(10b)의 결정 특성은 서로 다르다. 예컨대, 제1 영역(10a)과 제2 영역(10b)은 서로 다른 격자 상수(lattice parameter)를 갖거나, 서로 다른 표면 모폴로지(surface morphology)를 가질 수 있다. 제1 영역(10a)과 제2 영역(10b)의 결정 특성의 차이는 그들의 도핑 상태의 차이에 기인한 것일 수 있다. 즉, 제1 영역(10a)이 불순물이 주입된 영역이고, 제2 영역(10b)이 미도핑된 영역이면, 그들의 결정 특성이 다를 수 있다. 예컨대, HCP(hexagonal close-packed) 구조를 갖는 Ru층[하지층(100)의 일례]의 일부에 Ga 이온 또는 He 이온을 주입하면, 이온이 주입된 영역은 그렇지 않은 영역보다 큰 격자 상수를 갖는다.
자성층(200)은 정보가 저장되는 다수의 자구 및 그들 사이의 자구벽을 갖는 저장트랙일 수 있다. 자성층(200)은 Fe, Co 및 Pt 중 적어도 하나를 포함하는 물 질, 예컨대, FePt, FePd, CoCr, CoCu, CoPt, CoTb, CoCrPt, CoFeTb, CoFeGd 및 CoFeNi 중 하나로 형성될 수 있다. 자성층(200)은 교대로 배치된 제3 영역(20a)과 제4 영역(20b)을 포함하는데, 제3 영역(20a)과 제4 영역(20b)은 각각 제1 영역(10a)과 제2 영역(10b) 상에 위치한다. 제3 영역(20a)과 제4 영역(20b)는 서로 다른 자기이방성 에너지를 가질 수 있다. 제3 영역(20a)과 제4 영역(20b)은 일반적인 강자성 물질이 갖는 자기이방성 에너지, 예컨대, 105∼107 erg/cc 정도의 자기이방성 에너지를 가질 수 있으며, 그들의 자기이방성 에너지의 차이는 수 erg/cc 이상일 수 있다. 이렇게 제3 영역(20a)과 제4 영역(20b)이 서로 다른 자기이방성 에너지를 갖는 이유는, 제3 영역(20a)이 형성되는 제1 영역(10a)과 제4 영역(20b)이 형성되는 제2 영역(10b)의 결정 특성이 다르기 때문이다. 다시 말해, 하지층(100)은 자성층(200)의 결정 배향성과 자기적 특성에 영향을 미치므로, 제1 영역(10a) 상에 형성된 제3 영역(20a)과 제2 영역(10b) 상에 형성된 제4 영역(20b)의 자기이방성 에너지가 서로 다를 수 있다.
자구벽의 에너지는 자기이방성 에너지의 제곱에 비례하기 때문에, 자구벽은 자기이방성 에너지가 낮은 영역에서 안정적인 에너지 상태를 갖는다. 따라서, 제3 영역(20a)이 제4 영역(20b) 보다 작은 자기이방성 에너지를 갖는 경우, 자구벽은 제4 영역(20b)보다 제3 영역(20a)에서 안정적인 에너지 상태를 갖는다. 이 경우, 자성층(200)에 인가되는 펄스 전류에 의해 이동하기 시작한 자구벽은 제4 영역(20b)을 통과한 후, 제3 영역(20a)에서 정지(pinning)될 수 있다. 즉, 제3 영 역(20a)은 자구벽의 피닝지점(pinning site)으로 사용될 수 있다. 이러한 제3 영역(20a)의 피닝 특성을 위해서는, 제3 영역(20a)과 제4 영역(20b)의 자기이방성 에너지의 차이는 클수록 바람직하다. 그러나 제3 영역(20a)과 제4 영역(20b)의 자기이방성 에너지의 차이가 수 erg/cc 정도로 작더라도, 상대적으로 작은 자기이방성 에너지를 갖는 제3 영역(20a)에서 자구벽은 용이하게 정지될 수 있다.
자성층(200)의 일단(E1) 및 타단(E2)에 제1 및 제2 도전선(C1, C2)이 연결되어 있다. 제1 및 제2 도전선(C1, C2)은 트랜지스터 또는 다이오드와 같은 구동 소자(미도시)와 연결되어 있을 수 있다. 제1 및 제2 도전선(C1, C2)을 통해 자성층(200)에 자구벽 이동을 위한 소정의 에너지, 즉 전류를 인가할 수 있는데, 상기 전류의 방향에 따라 자구벽의 이동 방향이 결정된다. 자구벽은 전자의 이동 방향으로 이동하기 때문에, 자구벽의 이동 방향은 상기 전류의 방향과 반대이다. 제1 및 제2 도전선(C1, C2)의 형성 위치는 달라질 수 있는데, 예컨대, 제1 및 제2 도전선(C1, C2)은 자성층(200)이 아닌 하지층(100)의 양단에 연결될 수도 있다.
자성층(200)의 소정 영역 상에 데이터 재생을 위한 읽기수단(300)과 데이터 기록을 위한 쓰기수단(400)이 구비되어 있다. 읽기수단(300)은 거대자기저항(giant magneto resistance)(이하, GMR) 효과를 이용한 GMR 센서 또는 터널자기저항(tunnel magneto resistance)(이하, TMR) 효과를 이용한 TMR 센서일 수 있다. GMR 센서와 TMR 센서에 대해서는 잘 알려진 바, 그들에 대한 자세한 설명은 생략한다. 읽기수단(300)은 GMR 및 TMR 센서에 한정되지 않고 다양하게 변형될 수 있다. 쓰기수단(400)은 전자의 스핀 토크(spin torque) 현상을 이용한 GMR 또는 TMR 쓰기 장치이거나, 외부 자장을 이용하여 쓰기를 수행하는 장치일 수도 있다. 상기 외부 자장을 이용해서 쓰기를 수행하는 쓰기수단의 경우, 자성층(200)과 소정 간격 이격되어 있을 수 있다. 쓰기수단(400)의 구조 및 원리도 전술한 것에 한정되지 않고 달라질 수 있다. 또한 쓰기수단(400)과 읽기수단(300)이 각각 구비되는 대신에, 쓰기 및 읽기 기능을 겸하는 일체형의 읽기/쓰기수단이 구비될 수도 있다. 한편, 여기서 도시하지는 않았지만, 자성층(200) 상에 읽기수단(300)과 쓰기수단(400)을 덮는 캡핑층(capping layer)이 더 형성될 수 있다.
제1 및 제2 도전선(C1, C2)을 통해 자성층(200)에 소정의 펄스 전류를 인가하여 자구벽을 비트 단위로 이동시키면서, 쓰기수단(400)에 쓰기 전류를 인가하여 자성층(200)에 데이터를 기록하거나, 읽기수단(300)에 읽기 전류를 인가하여 자성층(200)에 기록된 데이터를 재생한다.
본 발명의 실시예에 따른 정보 저장 장치에서는 자기이방성 에너지가 작은 제3 영역(20a)이 자구벽의 피닝지점이기 때문에, 상기 자구벽의 비트 단위 이동이 가능하고, 자성층(200)에 기록된 데이터의 안정적인 보존이 가능하다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 실시예에 따른 정보 저장 장치의 제조방법을 보여준다.
도 2a를 참조하면, 기판(1) 상에 하지층(100)을 형성하고, 하지층(100) 상에 수지층(150)을 형성한다. 하지층(100)은 Ru, Pt, Pd, Au, Fe, Ni, Cr 합금, NiO 및 MgO 중 적어도 어느 하나, 예컨대, Ru로 형성할 수 있다. 그런 다음, 마스터 스탬프(master stamp)(500)를 수지층(150) 위에 위치시킨다. 마스터 스탬프(500)는 다 수의 하향 돌출부를 갖는 것으로서, 전자빔 리소그라피(E-beam lithography)와 같은 미세 패터닝 방법을 이용해서 제조된 것일 수 있다.
도 2b를 참조하면, 마스터 스탬프(500)로 수지층(150)을 찍어(imprint) 수지층(150)을 나노 스케일(nano scale)로 패터닝한다. 그 결과, 수지층(150)에 다수의 그루브(groove)(G)가 형성된다. 그루브(G)의 간격은 5nm 내지 1000nm일 수 있고, 그루브(G)의 폭은 2nm 내지 250nm일 수 있다.
도 2c를 참조하면, 수지층(150)으로부터 마스터 스탬프(500)를 분리한다. 수지층(150)으로부터 마스터 스탬프(500)를 분리했을 때, 그루브(G) 하면에 수지층(150)의 일부가 잔류되어 있을 수도 있다. 이 경우, 그루브(G) 하면에 잔류된 수지층(150)은 플라즈마 에싱(ashing)과 같은 방법으로 제거할 수 있다. 한 번 제작된 마스터 스탬프(500)는 여러 번 반복 사용할 수 있다. 이러한 나노 임프린트는 공정이 단순하고 경제적이기 때문에 대량 생산에 적합하다.
도 2a 내지 도 2c에서는 나노임프린트 방법을 이용하여 그루브(G)를 형성하였으나, 나노 임프린트 방법이 아닌 다른 방법으로도 그루브(G)를 형성할 수도 있다. 예를 들어, 도 2a의 수지층(150) 상에 실리콘산화물 및/또는 실리콘질화물로 이루어지는 하드마스크층을 형성한 후, 전자빔 리소그라피(E-beam lithography), 자외선(ultraviolet) 또는 레이저(laser)의 간섭을 이용한 리소그라피, 또는 나노 입자를 이용한 나노 구 리소그라피(nano sphere lithography)를 이용하여 상기 하드마스크층 및 수지층(150)을 식각하여 그루브(G)를 형성할 수 있다.
도 2d를 참조하면, 그루브(G)가 형성된 수지층(150)을 이온주입 마스크로 이 용해서 노출된 하지층(100)에 He 및/또는 Ga 이온과 같은 불순물 이온을 도핑한다. 그 결과, 하지층(100)에 도핑된 영역(10a)이 형성된다. 도핑된 영역(10a)은 도 1을 참조하여 설명한 제1 영역(10a)과 등가할 수 있다. 하지층(100)에서 도핑된 영역(10a)을 제외한 나머지 영역은 도 1을 참조하여 설명한 제2 영역(10b)과 등가하다.
수지층(150)을 제거한 후, 도 2e에 도시된 바와 같이, 하지층(100) 상에 자성층(200)을 형성한다. 자성층(200)은 Fe, Co 및 Pt 중 적어도 하나를 포함하는 물질, 예컨대, FePt, FePd, CoCr, CoCu, CoPt, CoTb, CoCrPt, CoFeTb, CoFeGd 및 CoFeNi 중 하나로 형성할 수 있다. 자성층(200)은 제1 영역(10a) 상에 형성되는 제3 영역(20a)과 제2 영역(10b) 상에 형성되는 제4 영역(20b)을 포함한다. 제1 영역(10a)과 제2 영역(10b)은 서로 다른 결정 특성을 갖기 때문에, 제3 영역(20a)과 제4 영역(20b)는 서로 다른 자기이방성 에너지를 가질 수 있다. 제3 영역(20a)과 제4 영역(20b)은 일반적인 강자성 물질이 갖는 자기이방성 에너지, 예컨대, 105∼107 erg/cc 정도의 자기이방성 에너지를 가질 수 있으며, 그들의 자기이방성 에너지의 차이는 적어도 수 erg/cc 정도일 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 제3 영역(20a)은 자구벽의 피닝지점일 수 있다.
이후, 도시하지는 않았지만, 자성층(200)에 소정의 전류 인가수단을 연결시킬 수 있고, 자성층(200)의 소정 영역 상에 쓰기수단 및 읽기수단을 형성할 수 있다. 그런 다음, 자성층(200) 상에 상기 쓰기수단 및 읽기수단을 덮는 캡핑층을 더 형성할 수 있다. 이로써, 본 발명의 실시예에 따른 정보 저장 장치를 제조할 수 있다.
이와 같이 본 발명의 실시예에서는 자성층(200)에 기하학적인(geometrical) 변형을 가하지 않고, 나노 임프린트 및 이온주입 공정을 이용해서 자성층(200) 내에 자구벽의 피닝지점을 형성한다. 이러한 본 발명을 이용하면 자성층(200)에 미세하고 균일한 피닝지점들을 용이하게 형성할 수 있다. 그러므로 본 발명은 자구벽 이동을 이용한 정보 저장 장치의 기록밀도 및 신뢰성을 향상시키는데 유리하게 적용될 수 있다. 특히, 본 발명의 실시예에서는 자성층(200) 자체에 불순물을 도핑하지 않는데, 만약 자성층(200)에 불순물을 도핑하는 경우, 자성층(200)의 특성이 열화될 수 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예들 들어, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 본 발명의 정보 저장 장치에서 하지층(100) 및 자성층(200)의 구조는 다양하게 변형될 수 있고, 제1 영역(10a)과 제2 영역(10b)의 결정 특성을 다르게 만드는 방법으로 이온주입 이외에 다른 방법이 사용될 수 있음을 알 수 있을 것이다. 또한, 본 발명의 사상(idea)은 도 1과 같은 정보 저장 장치뿐 아니라, 자구벽 이동을 이용하는 다른 장치에도 적용될 수 있음을 알 수 있을 것이다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 자구벽 이동을 이용한 정보 저장 장치를 보여주는 사시도이다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 실시예에 따른 자구벽 이동을 이용한 정보 저장 장치에 구비되는 자성층을 형성하는 방법을 단계별로 보여주는 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1: 기판 10a : 제1 영역
10b : 제2 영역 20a : 제3 영역
20b : 제4 영역 100 : 하지층
150 : 수지층 200 : 자성층
300 : 읽기수단 400 : 쓰기수단
500 : 마스터 스탬프 C1, C2 : 제1 및 제2 도전선
G : 그루브(groove)

Claims (11)

  1. 다수의 자구를 갖는 자성층 및 상기 자성층에 연결된 전류 인가수단을 포함하는 자구벽 이동을 이용한 정보 저장 장치에 있어서,
    상기 자성층은
    서로 다른 결정 특성을 갖고 교번하여 배치된 제1 및 제2 영역을 포함하는 하지층 상에 구비되되, 상기 제1 영역 상의 제3 영역 및 상기 제2 영역 상의 제4 영역을 포함하고, 상기 제3 및 제4 영역은 서로 다른 자기이방성 에너지를 갖는 정보 저장 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 영역 중 어느 하나는 불순물이 주입된 영역이고, 나머지 하나는 미도핑영역인 정보 저장 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 하지층은 Ru, Pt, Pd, Au, Fe, Ni, Cr 합금, NiO 및 MgO 중 적어도 어느 하나로 형성된 정보 저장 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 불순물은 He 이온 및 Ga 이온 중 적어도 하나인 정보 저장 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 자성층은 Fe, Co 및 Pt 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 형성된 정보 저장 장치.
  6. 다수의 자구를 갖는 자성층 및 상기 자성층에 연결된 전류 인가수단을 포함하는 자구벽 이동을 이용한 정보 저장 장치의 제조방법에 있어서,
    기판 상에 하지층을 형성하는 단계;
    상기 하지층 상에 상기 하지층을 노출시키는 다수의 그루브(groove)를 갖는 마스크 패턴을 형성하는 단계;
    상기 노출된 하지층에 불순물을 주입하여 상기 불순물이 주입된 제1 영역과 상기 불순물이 미주입된 제2 영역을 정의하되, 상기 제1 및 제2 영역은 서로 다른 결정 특성을 갖고 교번하여 배치되도록 정의하는 단계;
    상기 마스크 패턴을 제거하는 단계; 및
    상기 하지층 상에 자성층을 형성하되, 상기 자성층은 상기 제1 영역 상의 제3 영역 및 상기 제2 영역 상의 제4 영역을 포함하고 상기 제3 및 제4 영역은 서로 다른 자기이방성 에너지를 갖도록 형성하는 단계;를 포함하는 정보 저장 장치의 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 그루브(groove)는 나노 임프린트(nano-imprint) 방법 또는 리소그라피 방법으로 형성하는 정보 저장 장치의 제조방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 하지층 상에 상기 마스크 패턴을 형성하는 단계는,
    상기 하지층 상에 수지층을 형성하는 단계;
    상기 수지층을 다수의 하향 돌출부를 갖는 마스터 스탬프로 찍는 단계; 및
    상기 마스터 스탬프를 제거하는 단계;를 포함하는 정보 저장 장치의 제조방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 하지층은 Ru, Pt, Pd, Au, Fe, Ni, Cr 합금, NiO 및 MgO 중 적어도 어느 하나로 형성하는 정보 저장 장치의 제조방법.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 불순물은 He 이온 및 Ga 이온 중 적어도 하나인 정보 저장 장치의 제조방법.
  11. 청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 6 항에 있어서,
    상기 자성층은 Fe, Co 및 Pt 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 형성하는 정보 저장 장치의 제조방법.
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