KR101317644B1 - Plasma processing apparatus and method - Google Patents

Plasma processing apparatus and method Download PDF

Info

Publication number
KR101317644B1
KR101317644B1 KR1020110084953A KR20110084953A KR101317644B1 KR 101317644 B1 KR101317644 B1 KR 101317644B1 KR 1020110084953 A KR1020110084953 A KR 1020110084953A KR 20110084953 A KR20110084953 A KR 20110084953A KR 101317644 B1 KR101317644 B1 KR 101317644B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
space
substrate support
substrate
plasma
gas
Prior art date
Application number
KR1020110084953A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20130022158A (en
Inventor
정우영
고희진
박성렬
임광희
Original Assignee
주식회사 테스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 테스 filed Critical 주식회사 테스
Priority to KR1020110084953A priority Critical patent/KR101317644B1/en
Publication of KR20130022158A publication Critical patent/KR20130022158A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101317644B1 publication Critical patent/KR101317644B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting

Abstract

피처리 기판의 오염을 방지할 수 있는 플라즈마 처리장치 및 방법이 개시된다. 이러한 플라즈마 처리장치는 챔버 몸체, 기판 지지부, 상부전극 및 플라즈마 제한부재를 포함한다. 상기 기판 지지부는 상기 챔버 몸체 내부에 배치되어 피처리 기판을 지지한다. 상기 상부전극은 상기 챔버 몸체 내부에서 상기 기판 지지부와 대향하게 배치된다. 상기 플라즈마 제한부재는 상기 상부전극과 하부전극인 기판 지지부 사이의 상부공간을 플라즈마 발생공간과 측부공간으로 분리하여, 생성되는 플라즈마를 상기 플라즈마 발생공간에 제한한다.Disclosed are a plasma processing apparatus and method capable of preventing contamination of a substrate to be processed. Such a plasma processing apparatus includes a chamber body, a substrate support, an upper electrode, and a plasma limiting member. The substrate support is disposed inside the chamber body to support the substrate to be processed. The upper electrode is disposed in the chamber body to face the substrate support. The plasma limiting member separates the upper space between the upper electrode and the lower substrate supporting substrate into a plasma generating space and a side space, thereby limiting the generated plasma to the plasma generating space.

Description

플라즈마 처리장치 및 방법{PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD}Plasma processing apparatus and method {PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD}

본 발명은 플라즈마 처리장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리장치 및 처리방법에 관한 것으로, 보다 상세히 대면적 기판에 적용할 수 있는 플라즈마 처리장치및 처리방법에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus, a plasma processing apparatus and a processing method using the same, and more particularly, to a plasma processing apparatus and a processing method applicable to a large area substrate.

일반적으로, 집적회로장치, 액정표시장치, 태양전지 등과 같은 장치를 제조하기 위한 반도체 제조 공정 중에서, 피처리 기판 상에 박막을 형성하는 공정에는 플라즈마 처리 장치를 통해 진행된다.In general, among semiconductor manufacturing processes for manufacturing devices such as integrated circuit devices, liquid crystal display devices, solar cells, and the like, a process of forming a thin film on a substrate to be processed is performed through a plasma processing device.

도 1은 종래 플라즈마 처리장치에 관한 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a conventional plasma processing apparatus.

도 1을 참조하면, 종래 플라즈마 처리장치(100)는 챔버 몸체(110)와 상기 챔버 몸체(110) 내부에서 서로 마주보는 기판 지지부(120) 및 상부전극(130)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the conventional plasma processing apparatus 100 includes a chamber body 110 and a substrate support 120 and an upper electrode 130 facing each other inside the chamber body 110.

가스 유입구(136)을 통해 주입된 공정가스는 가스 확산공간(139)로 주입되어 상부전극(130)의 가스 분산판(134)을 통해서 고르게 분산되며, 전극판(132)에 인가된 전기적인 파워를 통해서 플라즈마로 생성되어 기판 지지부(120)에 장착된 피처리 기판의 표면에 예컨대 박막을 증착한다.Process gas injected through the gas inlet 136 is injected into the gas diffusion space 139 and is evenly distributed through the gas distribution plate 134 of the upper electrode 130, the electric power applied to the electrode plate 132 For example, a thin film is deposited on the surface of the substrate to be generated by plasma and mounted on the substrate support 120.

한편, 이러한 공정 결과로 박막이 기판 지지부(120)의 하부공간(LS)에 쌓여 부산물(CT)을 생성하고, 이러한 부산물(CT)이 이후 공정에서 피처리 기판(S)의 박막형성에 오염물질로 작용하는 경우가 발생된다.On the other hand, as a result of this process, a thin film is accumulated in the lower space LS of the substrate support 120 to generate a byproduct CT, and the byproduct CT causes contaminants to form a thin film of the substrate S in a subsequent process. Acts as a case.

따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 피처리 기판의 박막형성시, 피처리 기판의 박막이 오염되는 것을 방지할 수 있는 플라즈마 처리장치를 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus capable of preventing contamination of a thin film of a substrate during formation of the thin film of the substrate.

또한, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 피처리 기판의 박막이 오염되는 것을 방지할 수 있는 플라즈마 처리방법을 제공하는 것이다.In addition, another problem to be solved by the present invention is to provide a plasma processing method that can prevent the thin film of the substrate to be treated is contaminated.

이러한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 플라즈마 처리장치는 챔버 몸체, 기판 지지부, 상부전극 및 플라즈마 제한부재를 포함한다. 상기 기판 지지부는 상기 챔버 몸체 내부에 배치되어 피처리 기판을 지지한다. 상기 상부전극은 상기 챔버 몸체 내부에서 상기 기판 지지부와 대향하게 배치된다. 상기 플라즈마 제한부재는 상기 상부전극과 상기 기판 지지부 사이의 상부공간을 플라즈마 발생공간과 측부공간으로 분리하며, 생성되는 플라즈마를 상기 플라즈마 발생공간에 제한한다.Plasma processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention for achieving this problem includes a chamber body, a substrate support, an upper electrode and a plasma limiting member. The substrate support is disposed inside the chamber body to support the substrate to be processed. The upper electrode is disposed in the chamber body to face the substrate support. The plasma limiting member separates an upper space between the upper electrode and the substrate support into a plasma generating space and a side space, and limits the generated plasma to the plasma generating space.

예컨대, 상기 플라즈마 제한부재는 상기 상부전극에 전기적으로 플로팅되도록 부착되고, 상기 기판 지지부는 수용 그루브를 포함하여, 상기 상부전극과 상기 기판 지지부가 공정거리만큼 이격되었을 때, 상기 플라즈마 제한부재는 상기 수용 그루브에 삽입될 수 있다.For example, the plasma limiting member may be attached to the upper electrode to be electrically floated, and the substrate supporting part may include a receiving groove. When the upper electrode and the substrate supporting part are spaced apart by a process distance, the plasma limiting member is accommodated in the receiving part. It can be inserted into the groove.

예컨대, 상기 플라즈마 처리장치는 동작가스를 주입하면 팽창하여 상기 기판 지지부 하부의 하부공간과 상기 상부공간을 분리시키고, 상기 동작가스를 빼면 수축하여 상기 하부공간과 상기 상부공간을 연결하는, 팽창 밀봉부재를 더 포함할 수 있다.For example, the plasma processing apparatus expands when the operation gas is injected to separate the lower space and the upper space below the substrate support, and when the operating gas is removed, the plasma processing device contracts the expansion space to connect the lower space and the upper space. It may further include.

이때, 상기 동작가스로서, 상기 챔버 몸체에 주입되는 공정가스와 반응하지 않는 가스가 사용될 수 있다.In this case, as the operation gas, a gas that does not react with the process gas injected into the chamber body may be used.

한편, 상기 팽창 밀봉부재가 팽창되었을 때, 상기 기판 지지부의 코너가 용이하게 밀봉될 수 있도록 상기 기판 지지부의 코너는 라운드형상을 가질 수 있다.On the other hand, when the expansion sealing member is expanded, the corner of the substrate support may have a round shape so that the corner of the substrate support can be easily sealed.

한편, 상기 기판 지지부는 상기 플라즈마 제한부재에 의해서, 기판이 안착되는 기판영역 및 상기 기판 영역의 외곽인 외곽영역으로 구분되고, 피처리 기판을 가열하기 위한 가열수단은 상기 기판영역에만 형성될 수 있다.On the other hand, the substrate support is divided into a substrate region on which the substrate is seated and an outer region outside the substrate region by the plasma limiting member, and heating means for heating the substrate to be processed may be formed only in the substrate region. .

또한, 상기 플라즈마 처리장치는 공정 시, 상기 하부공간을 제1 진공도로 유지하기 위한 제1 펌핑부재 및 상기 상부공간 중에서 상기 측부공간을 제2 진공도로 유지하기 위한 제2 펌핑부재를 더 포함할 수 있다.The plasma processing apparatus may further include a first pumping member for maintaining the lower space at a first vacuum degree and a second pumping member for maintaining the side space at a second vacuum degree in the upper space during the process. have.

이때, 상기 제1 진공도는 상기 제2 진공도 이상으로 되는 것이 바람직하다.In this case, the first vacuum degree is preferably equal to or greater than the second vacuum degree.

본 발명의 예시적인 다른 실시예에 의한 플라즈마 처리장치는 챔버 몸체, 기판 지지부, 상부전극 및 팽창 밀봉부재를 포함한다. 상기 기판 지지부는 상기 챔버 몸체 내부에 배치되어 피처리 기판을 지지한다. 상기 상부전극은 상기 챔버 몸체 내부에서 상기 기판 지지부와 대향하게 배치된다. 상기 팽창 밀봉부재는 상기 챔버 내부에 배치되고, 동작가스를 주입하면 팽창하여 상기 챔버 내부를 상기 기판 지지부 하부의 하부공간과 상기 기판 지지부 상부의 상부공간으로 분리시키고, 상기 동작가스를 빼면 수축하여 상기 하부공간과 상기 상부공간을 연결한다.A plasma processing apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention includes a chamber body, a substrate support, an upper electrode, and an expansion sealing member. The substrate support is disposed inside the chamber body to support the substrate to be processed. The upper electrode is disposed in the chamber body to face the substrate support. The expansion sealing member is disposed inside the chamber and expands when the operation gas is injected to separate the inside of the chamber into a lower space below the substrate support and an upper space above the substrate support. Connect the lower space and the upper space.

예컨대, 상기 플라즈마 처리장치는, 상기 상부전극과 상기 기판 지지부 사이의 상부공간을 플라즈마 발생공간과 상기 플라즈마 발생공간 외곽의 측부공간으로 분리하며, 생성되는 플라즈마를 상기 플라즈마 발생공간에 제한하는 플라즈마 제한부재를 더 포함할 수 있다.For example, the plasma processing apparatus may include: a plasma limiting member that separates an upper space between the upper electrode and the substrate support into a plasma generating space and a side space outside the plasma generating space, and restricts the generated plasma to the plasma generating space. It may further include.

이때, 상기 플라즈마 제한부재는 상기 상부전극에 전기적으로 플로팅되도록 부착되고, 상기 기판 지지부는 수용 그루브를 포함하여, 상기 상부전극과 상기 기판 지지부가 공정거리만큼 이격되었을 때, 상기 플라즈마 제한부재는 상기 수용 그루브에 삽입될 수 있다.In this case, the plasma limiting member is attached to the upper electrode to be electrically floated, the substrate support portion includes a receiving groove, when the upper electrode and the substrate support is spaced apart by a process distance, the plasma limiting member is accommodated It can be inserted into the groove.

한편, 상기 기판 지지부는 상기 플라즈마 제한부재에 의해서, 기판이 안착되는 기판영역 및 상기 기판 영역의 외곽인 외곽영역으로 구분되고, 피처리 기판을 가열하기 위한 가열수단은 상기 기판영역에만 형성될 수 있다.On the other hand, the substrate support is divided into a substrate region on which the substrate is seated and an outer region outside the substrate region by the plasma limiting member, and heating means for heating the substrate to be processed may be formed only in the substrate region. .

한편, 상기 동작가스로서, 상기 챔버 몸체에 주입되는 공정가스와 반응하지 않는 가스가 사용되어질 수 있다.On the other hand, as the working gas, a gas that does not react with the process gas injected into the chamber body may be used.

또한, 상기 팽창 밀봉부재가 팽창되었을 때, 상기 기판 지지부의 코너가 용이하게 밀봉될 수 있도록 상기 기판 지지부의 코너는 라운드형상을 가질 수 있다.In addition, when the expansion sealing member is expanded, the corner of the substrate support may have a round shape so that the corner of the substrate support can be easily sealed.

한편, 상기 플라즈마 처리장치는, 공정 시, 상기 하부공간을 제1 진공도로 유지하기 위한 제1 펌핑부재 및 상기 상부공간을 제2 진공도로 유지하기 위한 제2 펌핑부재를 더 포함할 수 있다.The plasma processing apparatus may further include a first pumping member for maintaining the lower space at a first vacuum degree and a second pumping member for maintaining the upper space at a second vacuum degree during the process.

이때, 상기 제1 진공도는 상기 제2 진공도 이상인 것이 바람직하다.In this case, the first vacuum degree is preferably equal to or greater than the second vacuum degree.

본 발명의 예시적인 실시예에 의한 플라즈마 처리방법은 기판 지지부에 피처리 기판을 장착하는 단계와, 상기 기판 지지부와 상부 전극 사이의 이격거리를 제어하는 단계와, 동작가스를 주입하여 팽창 밀봉부재를 팽창시킴으로써, 상기 기판 지지부를 기준으로 상부공간과 하부공간을 분리하는 단계 및 상기 상부 전극을 통해서 공정가스와 전기적 파워를 인가하여, 상기 상부공간 중에서, 플라즈마 제한부재에 의해 측부공간과 분리된 플라즈마 발생공간에 플라즈마를 생성하는 단계를 포함한다.Plasma processing method according to an exemplary embodiment of the present invention comprises the steps of mounting the substrate to the substrate support portion, controlling the separation distance between the substrate support and the upper electrode, injecting the operation gas to the expansion sealing member Separating the upper space from the lower space based on the substrate support and applying the process gas and electrical power through the upper electrode to generate plasma separated from the side space by the plasma limiting member in the upper space. Generating a plasma in space.

이때, 상기 하부공간을 제1 진공도로 펌핑하고, 상기 측부공간을 상기 제1 진공도이하의 제2 진공도로 펌핑하는 단계를 더 포함할 수 있다.In this case, the method may further include pumping the lower space into a first vacuum degree and pumping the side space into a second vacuum degree less than the first vacuum degree.

본 발명에 의한 플라즈마 처리장치는 플라즈마 제한부재를 포함하여, 플라즈마의 생성공간을 제한함으로써, 상부공간 중에서 측부공간의 부산물에 의하여 피처리 기판이 오염되는 것을 방지할 수 있다.Plasma processing apparatus according to the present invention includes a plasma limiting member, by limiting the generation space of the plasma, it is possible to prevent the substrate to be contaminated by the by-products of the side space in the upper space.

또한, 기판 지지부는 수용 그루브를 포함하여, 상기 상부전극과 상기 기판 지지부가 공정거리만큼 이격되었을 때, 상기 플라즈마 제한부재는 상기 수용 그루브에 삽입되도록 하여, 상부전극과 기판지지부가 다양한 공정거리만큼 이격되었을 때에도 상기 플라즈마 생성공간을 제한할 수 있다.In addition, the substrate support may include a receiving groove, and when the upper electrode and the substrate support are spaced apart by the process distance, the plasma limiting member may be inserted into the receiving groove, so that the upper electrode and the substrate support are spaced apart by various process distances. Even when the plasma generation space can be limited.

또한, 플라즈마 처리장치가 팽창 밀봉부재를 포함하는 경우, 상기 팽창 밀봉부재가 상부공간과 하부공간을 분리시킴으로써 하부공간에 위치하는 이물질에 의한 피처리 기판의 오염을 방지할 수 있다.In addition, when the plasma processing apparatus includes an expansion sealing member, the expansion sealing member separates the upper space from the lower space to prevent contamination of the substrate to be processed by the foreign matter located in the lower space.

한편, 상기 동작가스로서, 상기 챔버 몸체에 주입되는 공정가스와 반응하지 않는 가스가 사용되는 경우, 동작가스가 미세하게 누출되는 경우에도 공정가스와 반응하지 않아 피처리 기판의 오염을 방지할 수 있다. On the other hand, when a gas that does not react with the process gas injected into the chamber body is used as the operating gas, even if the operating gas is minutely leaked it can not react with the process gas to prevent contamination of the substrate to be processed. .

상기 기판 지지부의 코너는 라운드형상을 가지는 경우, 상기 팽창 밀봉부재가 팽창되었을 때, 상기 기판 지지부의 코너가 용이하게 밀봉될 수 있다.When the corner of the substrate support has a round shape, the corner of the substrate support may be easily sealed when the expansion sealing member is expanded.

상기 기판 지지부는 상기 수용 그루브에 의해서, 중앙의 기판이 안착되는 기판영역 및 상기 기판 영역의 외곽인 외곽영역으로 구분되고, 피처리 기판을 가열하기 위한 가열수단은 상기 기판영역에만 형성되는 경우, 외곽영역에 접촉하는 팽창 밀봉부재의 열에 의한 변성을 방지하여 팽창 밀봉부재의 수명을 증가시킬 수 있다.The substrate support portion is divided into a substrate region on which a central substrate is seated and an outer region outside of the substrate region by the receiving groove, and a heating means for heating a target substrate is formed only in the substrate region. It is possible to prevent the degeneration by heat of the expansion sealing member in contact with the area to increase the life of the expansion sealing member.

상기 플라즈마 처리장치는, 상기 하부공간을 제1 진공도로 유지하기 위한 제1 펌핑부재 및 상기 상부공간을 제2 진공도로 유지하기 위한 제2 펌핑부재를 더 포함하고, 상기 제1 진공도는 상기 제2 진공도 이상이 되도록 제어되는 경우, 하부공간의 오염물질이 측부공간을 통해서 플라즈마 발생공간으로 전이되는 것을 방지할 수 있다.The plasma processing apparatus further includes a first pumping member for maintaining the lower space at a first vacuum degree and a second pumping member for maintaining the upper space at a second vacuum degree, wherein the first vacuum degree is the second vacuum degree. In the case where the degree of vacuum is controlled to be greater than or equal to, the contaminants in the lower space can be prevented from being transferred to the plasma generating space through the side space.

도 1은 종래 플라즈마 처리장치에 관한 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 플라즈마 처리장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 예시적인 다른 실시예에 의한 플라즈마 처리장치의 개략적인 단면도이다.
도 4는 도 2 또는 도 3에서 도시된 가스분산판에 도전성 물질로 형성된 플라즈마 제한부재가 결합된 상태를 도시하는 단면도이다.
도 5는 도 3에서 도시된 기판 지지부를 도시하는 개략적인 평면도이다.
도 6은 도 2 또는 도 3에서 도시된 팽창 밀봉부재에서 동작가스를 제거한 상태를 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 2 또는 도 3에서 도시된 팽창 밀봉부재에서 동작가스를 주입한 상태를 보여주는 단면도이다.
도 8 내지 도 10은 도 2 또는 도 3에서 도시된 플라즈마 제한부재의 다양한 실시예를 보여주는 측면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a conventional plasma processing apparatus.
2 is a schematic cross-sectional view of a plasma processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is a schematic cross-sectional view of a plasma processing apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating a state in which a plasma limiting member formed of a conductive material is coupled to the gas distribution plate illustrated in FIG. 2 or 3.
FIG. 5 is a schematic plan view showing the substrate support shown in FIG. 3.
6 is a cross-sectional view illustrating a state in which the operation gas is removed from the expansion sealing member illustrated in FIG. 2 or 3.
7 is a cross-sectional view illustrating a state in which a working gas is injected from the expansion sealing member illustrated in FIG. 2 or 3.
8 to 10 are side views illustrating various embodiments of the plasma limiting member shown in FIG. 2 or 3.

상술한 본 발명의 특징 및 효과는 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명은 하기의 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구현될 수도 있다. 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 보다 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 기술적 사상과 특징이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공된다. 도면들에 있어서, 각 장치 또는 막(층) 및 영역들의 두께는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 과장되게 도시되었으며, 또한 각 장치는 본 명세서에서 설명되지 아니한 다양한 부가 장치들을 구비할 수 있다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of the present invention when taken in conjunction with the accompanying drawings, It will be possible. The present invention is not limited to the following embodiments and may be embodied in other forms. The embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure may be more complete and that those skilled in the art will be able to convey the spirit and scope of the present invention. In the drawings, the thickness of each device or film (layer) and regions is exaggerated for clarity of the present invention, and each device may have various additional devices not described herein.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 예시적인 일 실시예에 의한 플라즈마 처리장치의 개략적인 단면도이고, 도 3은 본 발명의 예시적인 다른 실시예에 의한 플라즈마 처리장치의 개략적인 단면도이다. 도 3에서 도시된 플라즈마 처리장치(200)는 도 2에서 도시된 플라즈마 처리장치(200)와 기판 지지부(220)의 수용 그루브(221)를 제외하면 실질적으로 동일하다.2 is a schematic cross-sectional view of a plasma processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a plasma processing apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention. The plasma processing apparatus 200 illustrated in FIG. 3 is substantially the same except for the receiving groove 221 of the plasma processing apparatus 200 and the substrate support 220 illustrated in FIG. 2.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 예시적인 실시예들에 의한 플라즈마 처리장치(200)는 챔버 몸체(210), 기판 지지부(220) 및 상부전극(230)을 포함한다. 상기 플라즈마 처리장치(200)는 플라즈마 제한부재(240)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 플라즈마 처리장치(200)는 팽창 밀봉부재(250)를 포함할 수 있다.2 and 3, the plasma processing apparatus 200 according to exemplary embodiments of the present invention includes a chamber body 210, a substrate support 220, and an upper electrode 230. The plasma processing apparatus 200 may include a plasma limiting member 240. In addition, the plasma processing apparatus 200 may include an expansion sealing member 250.

상기 챔버 몸체(210)는 예컨대 상부몸체(211) 및 하부몸체(212)를 포함할 수 있다. 상기 상부몸체(211)는 상기 하부몸체(212)의 상부에 개폐 가능하도록 결합될 수 있다. The chamber body 210 may include, for example, an upper body 211 and a lower body 212. The upper body 211 may be coupled to the upper portion of the lower body 212 to be opened and closed.

상기 상부몸체(211)와 상기 하부몸체(212)가 결합되어 내부공간을 정의하며, 이러한 내부공간에 피처리 기판(S)에 플라즈마 공정을 진행하기 위하여 상기 기판 지지부(220) 및 상기 상부전극(230)이 배치된다. 예컨대, 상기 하부몸체(212)의 일측 바닥에는 상기 내부공간을 진공으로 만들기 위한 제1 배기구(GO1)가 형성되며, 상기 제1 배기구(GO1)는 제1 펌핑부재(도시안됨)과 연결된다.The upper body 211 and the lower body 212 are coupled to define an internal space, and the substrate support 220 and the upper electrode (2) in order to perform a plasma process on the substrate S to be processed in the internal space. 230 is disposed. For example, a first exhaust port GO1 is formed at one bottom of the lower body 212 to make the internal space into a vacuum, and the first exhaust port GO1 is connected to a first pumping member (not shown).

상기 기판 지지부(220)는 상기 내부공간에 배치되어 피처리 기판(S)을 지지한다. 예컨대, 상기 기판 지지부(220)는 상하부로 이동할 수 있도록 형성된다. 상기 기판 지지부(220)는 하부로 내려간 후, 상기 챔버 몸체(210)의 예컨대 하부몸체(212)에 형성된 게이트(GT)가 오픈되어, 외부로부터 피처리 기판(S)을 수납한다.The substrate support part 220 is disposed in the inner space to support the substrate S. For example, the substrate support 220 is formed to move up and down. After the substrate support part 220 is lowered, the gate GT formed in, for example, the lower body 212 of the chamber body 210 is opened to receive the substrate S from the outside.

이후, 상기 게이트(GT)가 밀폐되고, 다시 상기 기판 지지부(220)가 상부로 이동되어 상기 상부전극(230)과 공정에 필요한 이격거리(d)를 유지한다. 도시되지는 않았으나, 상기 기판 지지부(220)는 상부에 올려진 피처리 기판(S)을 가열하기 위한 가열수단(도시안됨)이 형성될 수 있다. 한편, 상기 내부공간은 상부공간(US) 및 하부공간(LS)을 포함하여, 상기 기판 지지부(220)를 기준으로 기판 지지부(220) 상부의 공간을 상기 상부공간(US)으로 정의하고, 기판 지지부(220) 하부의 공간을 상기 하부공간(LS)으로 정의한다. 이러한 기판 지지부(220)에 대해서는 도 5를 참조로 보다 상세히 설명한다.Thereafter, the gate GT is sealed and the substrate support part 220 is moved upward to maintain the separation distance d necessary for the process with the upper electrode 230. Although not shown, the substrate support 220 may be provided with a heating means (not shown) for heating the substrate (S) mounted on the upper portion. Meanwhile, the inner space includes an upper space US and a lower space LS, and defines a space above the substrate support 220 as the upper space US based on the substrate support 220. The space below the support 220 is defined as the lower space LS. This substrate support 220 will be described in more detail with reference to FIG. 5.

상기 상부전극(230)은 상기 챔버 몸체(210)의 상기 내부공간에서 상기 기판 지지부(220)와 마주보도록 배치된다. 상기 상부전극(230)은 예컨대 가스 분산판(231) 및 전극판(232)을 포함한다.The upper electrode 230 is disposed to face the substrate support 220 in the inner space of the chamber body 210. The upper electrode 230 includes, for example, a gas distribution plate 231 and an electrode plate 232.

상기 전극판(232)은 상기 챔버 몸체(210)에 고정될 수 있다. 예컨대, 상기 전극판(232)은 상기 상부몸체(211)에 결합될 수 있다. 예컨대, 상기 전극판(232)은 도전성을 갖는 알루미늄 등의 금속재질로 형성될 수 있다. 상기 전극판(232)에는 플라즈마 발생을 위하여 예컨대 고주파 전원(RF 전원)이 인가될 수 있다. 상기 전극판(232) 중앙에는 반응가스, 원료가스 등의 박막증착에 필요한 공정가스가 유입되는 가스 유입구(GI)가 형성될 수 있다.The electrode plate 232 may be fixed to the chamber body 210. For example, the electrode plate 232 may be coupled to the upper body 211. For example, the electrode plate 232 may be formed of a metal material such as aluminum having conductivity. For example, a high frequency power source (RF power source) may be applied to the electrode plate 232 to generate plasma. In the center of the electrode plate 232, a gas inlet GI through which a process gas necessary for thin film deposition such as a reaction gas and a raw material gas is introduced may be formed.

상기 가스 분산판(231)은 상기 전극판(232)과 이격되도록 결합되어 상기 가스 분산판(231)과 상기 전극판(232) 사이에 가스 확산공간을 형성한다. 또한, 상기 가스 분산판(231)은 다수의 가스 분사홀을 포함한다. 상기 가스 분사홀은 모래시계형상을 갖도록 형성될 수 있으며, 크기, 배치, 밀도 등 다양한 변형이 가해질 수 있다.The gas distribution plate 231 is coupled to be spaced apart from the electrode plate 232 to form a gas diffusion space between the gas distribution plate 231 and the electrode plate 232. In addition, the gas distribution plate 231 includes a plurality of gas injection holes. The gas injection hole may be formed to have an hourglass shape, and various deformations such as size, arrangement, and density may be applied.

상기 가스 유입구(GI)를 통해서 유입된 공정가스는 상기 가스 확산공간에서 확상되어 가스 분산판(231)을 통해서, 피처리 기판(S)을 향해서 고르게 분사될 수 있다.The process gas introduced through the gas inlet GI may be expanded in the gas diffusion space and evenly sprayed toward the substrate S through the gas distribution plate 231.

상기 가스 분산판(231)은 도전성을 갖는 알루미늄 등의 금속재질로 형성될 수 있다. 상기 가스 분산판(231)은 상기 전극판(232)과 전기적으로 연결되도록 결합된다. 따라서, 상기 전극판(232)에 인가된 고주파 전원은, 상기 전극판(232)을 통해서 상기 가스 분산판(231)에도 인가된다.The gas distribution plate 231 may be formed of a metal material such as aluminum having conductivity. The gas distribution plate 231 is coupled to be electrically connected to the electrode plate 232. Therefore, the high frequency power applied to the electrode plate 232 is also applied to the gas distribution plate 231 through the electrode plate 232.

상기 가스 분산판(231)은 예를 들어, 연결 부재(2311)를 통해서 상기 전극판(232)에 결합될 수 있다. 상기 연결부재(2311)는 상기 가스 분산판(231)이 열적으로 팽창되는 경우에도, 상기 전극판(232)과의 전기적 접촉을 유지하면서 팽창할 수 있도록 도시된 바와 같이 슬라이딩 구조를 가질 수 있다.The gas distribution plate 231 may be coupled to the electrode plate 232 through, for example, a connection member 2311. The connection member 2311 may have a sliding structure as shown to expand while maintaining the electrical contact with the electrode plate 232 even when the gas distribution plate 231 is thermally expanded.

상기 플라즈마 제한부재(240)는 예컨대 상기 가스 분산판(231)과 체결된다. 상기 플라즈마 제한부재(240)는 상기 상부공간(US)을 중앙부의 플라즈마 발생공간(PS)과 상기 플라즈마 발생공간(PS) 외부의 측부공간(SS)으로 분할한다. 상기 플라즈마 제한부재(240)는 상기 가스 분산판(231)과 상기 지판 지지부(220) 사이에서 생성되는 플라즈마를 상기 플라즈마 발생공간(PS)에 제한시킨다. 따라서, 측부공간(SS)에 잔류물이 증착되는 것을 최소화할 수 있으며, 또한 측부공간(SS)의 잔류물에 의한 피처리 기판(S)의 오염을 방지할 수 있다.The plasma limiting member 240 is coupled to the gas distribution plate 231, for example. The plasma limiting member 240 divides the upper space US into a plasma generating space PS at a central portion and a side space SS outside the plasma generating space PS. The plasma limiting member 240 limits the plasma generated between the gas dispersion plate 231 and the fingerboard support 220 to the plasma generating space PS. Therefore, it is possible to minimize the deposition of the residue in the side space (SS), it is possible to prevent the contamination of the substrate to be processed by the residue of the side space (SS).

상기 플라즈마 제한부재(240)는 세라믹 등의 비 도전성 물질 또는 알루미늄등의 전도성물질로 형성될 수 있다. 상기 플라즈마 제한부재(240)를 도전성물질로 형성하는 경우, 상기 플라즈마 제한부재(240)는 전기적으로 플로팅(floating)되도록 상기 가스 분산판(231)과 결합된다.The plasma limiting member 240 may be formed of a non-conductive material such as ceramic or a conductive material such as aluminum. When the plasma limiting member 240 is formed of a conductive material, the plasma limiting member 240 is coupled to the gas distribution plate 231 so as to electrically float.

도 4는 도 2 또는 도 3에서 도시된 가스분산판(231)에 및 도전성 물질로 형성된 플라즈마 제한부재(240)가 결합된 상태를 도시하는 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a state in which the gas diffusion plate 231 illustrated in FIG. 2 or 3 and the plasma limiting member 240 formed of a conductive material are coupled to each other.

도 4를 참조하면, 플라즈마 제한부재(240)가 도전성 물질로 형성된 경우, 상기 가스분산판(231)에 홈을 형성하고, 절연부재(401)를 상기 홈에 삽입한 후,Referring to FIG. 4, when the plasma limiting member 240 is formed of a conductive material, a groove is formed in the gas distribution plate 231, and an insulating member 401 is inserted into the groove.

상기 절연부재(401)의 홈에 상기 플라즈마 제한부재(240)를 삽입함으로써 체결될 수 있다. 이와 다르게 플라즈마 제한부재(240)가 비 도전성 물질로 형성된 경우, 절연부재(401) 없이 직접 상기 가스분산판(231)의 홈에 삽입될 수도 있다.The plasma limiting member 240 may be inserted into the groove of the insulating member 401. Alternatively, when the plasma limiting member 240 is formed of a non-conductive material, it may be inserted directly into the groove of the gas distribution plate 231 without the insulating member 401.

상기 플라즈마 제한부재(240)는 일체형으로 형성될 수 있으나, 여러 파트를 조립하여 형성될 수도 있다.The plasma limiting member 240 may be integrally formed, but may be formed by assembling several parts.

또한, 상기 플라즈마 제한부재(240)는 상기 플라즈마 발생공간(PS)의 잔류가스를 배출하기 위한 슬릿 또는 홀이 형성될 수 있다.In addition, the plasma limiting member 240 may be formed with a slit or a hole for discharging the residual gas of the plasma generating space (PS).

도 8 내지 도 10은 도 2 또는 도 3에서 도시된 플라즈마 제한부재의 다양한 실시예를 보여주는 측면도이다.8 to 10 are side views illustrating various embodiments of the plasma limiting member shown in FIG. 2 or 3.

도 8 내지 10을 참조하면, 플라즈마 제한부재(240)는 가로 방향으로 연장된 가로 슬릿(241), 또는 세로 방향으로 연장된 세로 슬릿(242) 또는 다수의 관통홀(243)들을 포함할 수 있다. 이러한 슬릿들(241, 242) 또는 관통홀(243)을 통해서 플라즈마 발생공간(PS)의 잔류가스가 배출될 수 있다.8 to 10, the plasma limiting member 240 may include a horizontal slit 241 extending in the horizontal direction, a vertical slit 242 extending in the vertical direction, or a plurality of through holes 243. . Residual gas in the plasma generation space PS may be discharged through the slits 241 and 242 or the through hole 243.

한편, 도3을 참조하면, 상기 기판 지지부(220)는 상기 플라즈마 제한부재(240)를 수용하기 위한 수용 그루브(221)가 형성될 수 있다. 상기 수용 그루브(221)는 충분한 깊이로 형성되어 상기 플라즈마 제한부재(240)의 하부가 상기 수용 그루브(221)의 바닥에 접촉되지 않는다.Meanwhile, referring to FIG. 3, the substrate support 220 may include an accommodation groove 221 for accommodating the plasma limiting member 240. The receiving groove 221 is formed to a sufficient depth so that the lower portion of the plasma limiting member 240 does not contact the bottom of the receiving groove 221.

일반적으로 공정을 진행하는 데 있어서, 갭 즉 상기 기판 지지부(220)가 상부로 이동되어 상기 상부전극(230)과 공정에 필요한 이격거리(d)를 조절할 수 있는 지 여부는 매우 중요하다. 특정 공정에 최적화가 된 간격이 존재하지만 이 또한 다른 공정 변수에 영향을 계속 주게 되어 계속 바뀌어질 수 있다. 예를 들어, μc-Si를 증착하는 경우, 증착율을 높이면서 막질을 유지하기 위해서 압력을 높이는데 이 경우 가스가 챔버 몸체(210)에서 머무르는 시간이 커져서 파우더가 생성될 수 있다. 압력을 높이면서 파우더 생성을 억제하기 위해서는 이격거리(d)를 작게 조절해서 가스가 머무는 시간을 감소시켜야 한다.In general, in the process, it is very important that the gap, ie, the substrate support 220, is moved upward to adjust the separation distance d necessary for the process with the upper electrode 230. Optimized intervals exist for certain processes, but they can also change as they continue to affect other process variables. For example, when depositing μc-Si, the pressure is increased to maintain the film quality while increasing the deposition rate. In this case, the gas stays in the chamber body 210 to increase the powder. In order to suppress the production of powder while increasing the pressure, the distance (d) should be adjusted small to reduce the residence time of the gas.

따라서, 도 3에서 도시된 바와 같이 상기 기판 지지부(220)에 수용 그루브(221)가 형성되면, 상기 기판 지지부(220)와 상부전극(230), 보다 상세히 가스 분산판(231)과의 이격거리(d)의 조절이 가능하다.Therefore, when the receiving groove 221 is formed in the substrate support 220 as shown in Figure 3, the separation distance between the substrate support 220 and the upper electrode 230, more specifically the gas distribution plate 231. (d) can be adjusted.

한편, 본 실시예에서, 상기 플라즈마 제한부재(240)는 상기 가스 분산판(231)에 결합되고, 상기 수용 그루브(221)는 상기 기판 지지부(220)에 형성되어 있으나, 이와 다르게 상기 플라즈마 제한부재(240)는 상기 기판 지지부(220)에 결합되고, 수용 그루브(221)은 상기 가스 분산판(231)에 형성될 수도 있다.On the other hand, in the present embodiment, the plasma limiting member 240 is coupled to the gas distribution plate 231, the receiving groove 221 is formed in the substrate support 220, otherwise the plasma limiting member The 240 may be coupled to the substrate support 220, and the receiving groove 221 may be formed on the gas distribution plate 231.

상기 팽창 밀봉부재(250)는 동작가스를 주입하면 팽창하여 상기 기판 지지부 (220) 하부의 하부공간(LS)과 상기 상부공간(US)을 분리시키고, 상기 동작가스를 빼면 수축하여 상기 하부공간(LS)과 상기 상부공간(US)을 연결한다. The expansion sealing member 250 expands when the operation gas is injected to separate the lower space LS and the upper space US under the substrate support 220, and when the operation gas is removed, the expansion sealing member 250 contracts to form the lower space ( LS) and the upper space US are connected.

도 6은 도 2 또는 도 3에서 도시된 팽창 밀봉부재에서 동작가스를 제거한 상태를 보여주는 단면도이고, 도 7은 도 2 또는 도 3에서 도시된 팽창 밀봉부재에서 동작가스를 주입한 상태를 보여주는 단면도이다.6 is a cross-sectional view showing a state in which the operation gas is removed from the expansion sealing member shown in Figure 2 or 3, Figure 7 is a cross-sectional view showing a state in which the operating gas is injected from the expansion sealing member shown in FIG. .

도 2, 도 3, 도 6 및 7을 참조하면, 상기 팽창 밀봉부재(250)는 탄성재질로 형성되고, 내부에 가스 유로(GF)가 형성되어 있다. 상기 가스 유로(GF)에 동작가스를 주입하면 상기 팽창 밀봉부재(250)가 팽창하여 상기 기판 지지부(220)의 측부와 밀착되어 상기 하부공간(LS)과 상기 상부공간(US)의 상기 측부공간(SS)을 분리시킨다. 이와 반대로 상기 가스 유로(GF)에서 동작가스를 펌핑하면 상기 팽창 밀봉부재(250)가 수축하여 상기 기판 지지부(220)의 측부와 이격되어 상기 하부공간(LS)과 상기 상부공간(US)의 상기 측부공간(SS)을 연결시킨다. 2, 3, 6, and 7, the expansion sealing member 250 is formed of an elastic material, and a gas flow path GF is formed therein. When the operation gas is injected into the gas flow path GF, the expansion sealing member 250 expands and comes into close contact with the side of the substrate support 220, and the side space of the lower space LS and the upper space US. Remove (SS). On the contrary, when the operation gas is pumped from the gas flow path GF, the expansion sealing member 250 contracts and is spaced apart from the side of the substrate support 220 to allow the lower space LS and the upper space US. Side space (SS) is connected.

이때, 상기 동작가스로서, 상기 챔버 몸체(210)에 주입되는 공정가스와 반응하지 않는 가스가 사용될 수 있다. 실란(SiH4)과 반응하지 않는 상기 동작가스로서, 예를 들면 질소(N2), 아르곤(Ar) 등의 불활성 기체 또는 수소(H2) 등이 사용될 수 있다.In this case, as the operation gas, a gas that does not react with the process gas injected into the chamber body 210 may be used. As the operating gas that does not react with silane (SiH 4 ), for example, an inert gas such as nitrogen (N 2 ), argon (Ar), or hydrogen (H 2 ) may be used.

상기 팽창 밀봉부재(250)가 상기 기판 지지부(220)의 측부와 보다 타이트하게 밀착될 수 있도록 다양한 형상의 변형이 가능하다. 그러나, 이 경우, 상기 기판 지지부(220)와 상기 상부전극(230) 사이의 이격거리(d)가 변형될 수 있음을 고려하여야 한다. 이와 다르게, 상기 팽창 밀봉부재(250)의 폭을 크게 하여 팽창시 상기 기판 지지부(220)의 상부면과 하부면의 일부가 접촉되도록 형성될 수도 있다.The expansion sealing member 250 may be modified in various shapes such that the expansion sealing member 250 may be in tight contact with the side of the substrate support 220. However, in this case, it should be taken into consideration that the separation distance d between the substrate support 220 and the upper electrode 230 may be deformed. Alternatively, a portion of the upper surface and the lower surface of the substrate support part 220 may be formed to be in contact with each other when the width of the expansion sealing member 250 is increased.

도 5는 도 3에서 도시된 기판 지지부를 도시하는 개략적인 평면도이다.FIG. 5 is a schematic plan view showing the substrate support shown in FIG. 3.

도 3 및 5를 참조하면, 상기 팽창 밀봉부재(250)가 팽창되었을 때, 상기 기판 지지부(220)의 코너가 용이하게 밀봉될 수 있도록 상기 기판 지지부(220)의 코너는 라운드형상을 가질 수 있다. 상기 기판 지지부(220)의 코너부에 각이 형성된 경우, 상기 팽창 밀봉부재(250)가 팽창하는 경우에도 코너부는 틈이 생겨서 상기 상부공간(US)와 상기 하부공간(LS)이 완전하게 분리되지 못하는 경우가 발생될 수 있다. 이를 방지하기 위해서, 본 실시예에서는 예컨대 상기 기판 지지부(220)의 코너는 라운드형상을 갖는다.3 and 5, when the expansion sealing member 250 is expanded, the corner of the substrate support 220 may have a round shape so that the corner of the substrate support 220 can be easily sealed. . When the angle is formed in the corner portion of the substrate support portion 220, even when the expansion sealing member 250 is expanded, the corner portion is formed so that the upper space US and the lower space LS are not completely separated. Failure may occur. In order to prevent this, in this embodiment, for example, the corner of the substrate support 220 has a round shape.

한편, 상기 플라즈마 제한부재(240) 또는 상기 수용 그루브(221)에 의해서, 상기 기판 지지부(220)의 상면은 중앙의 기판 영역(SA)과 외곽 영역(OA)으로 구분되고, 피처리 기판(S)을 가열하기 위한 가열수단(도시안됨)은 상기 기판 영역(SA)에만 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 가열수단(도시안됨)으로, 상기 기판 영역(SA) 내부에 형성된 열선이 사용되어질 수 있다. 이러한 열선에 의해서 상기 피처리 기판(S)이 가열된다. Meanwhile, the upper surface of the substrate support part 220 is divided into a central substrate area SA and an outer area OA by the plasma limiting member 240 or the receiving groove 221. Heating means (not shown) for heating () may be formed only in the substrate area SA. For example, as the heating means (not shown), a hot wire formed in the substrate area SA may be used. The substrate S is heated by such a heating wire.

그러나, 상기 팽창 밀봉부재(250)는 탄성재질을 포함하기 때문에 가장 큰 문재점은 가열되는 경우, 상기 팽창 밀봉부재(250)의 변성을 가져올 수 있어, 수명이 크게 단축될 수 있다.However, since the expansion sealing member 250 includes an elastic material, when the largest door point is heated, the expansion sealing member 250 may bring about modification of the expansion sealing member 250, and thus, life may be greatly shortened.

따라서, 상기 팽창 밀봉부재(250)와 접촉하게 되는 상기 기판 지지부(220)의 접촉단부(222)의 온도는 최대한 낮게 유지하는 것이 바람직하다. 따라서, 상기 기판 영역(SA)에만 가열수단(도시안됨)을 형성하면, 상기 수용 그루브(221)에 의해 열전달이 최소화 되어 상기 외곽 영역(OA)에는 상대적으로 낮은 온도를 유지할 수 있어, 상기 팽창 밀봉부재(250)의 변성이 최소화될 수 있다.Therefore, it is preferable to keep the temperature of the contact end portion 222 of the substrate support portion 220 in contact with the expansion sealing member 250 as low as possible. Therefore, when the heating means (not shown) is formed only in the substrate area SA, heat transfer is minimized by the receiving groove 221, so that the relatively low temperature can be maintained in the outer area OA, and thus the expansion sealing is performed. Degeneration of the member 250 may be minimized.

한편, 상기 챔버몸체(210)의 상기 하부몸체(212)의 일측 바닥에 형성된 상기 제1 배기구(GO1)와 별도로 상기 챔버 몸체(210)의 측부에는 제2 배기구(GO2)가 형성되어 상기 제2 배기구(GO2)에는 제2 펌핑부재(도시안됨)과 연결될 수 있다.Meanwhile, a second exhaust port GO2 is formed at the side of the chamber body 210 separately from the first exhaust port GO1 formed at the bottom of one side of the lower body 212 of the chamber body 210 so that the second exhaust port GO2 is formed. The exhaust port GO2 may be connected to a second pumping member (not shown).

상기 플라즈마 처리장치(200)의 가동으로 공정이 진행될 때, 상기 제1 펌핑부재(도시안됨)는 상기 하부공간(LS)을 제1 진공도로 펌핑하고, 상기 제2 펌핑부재(도시안됨)는 상기 팽창 밀봉부재(250)에 의해 상기 하부공간(LS)과 분리된 측부공간(SS)을 상기 제1 진공도 이하의 제2 진공도로 펌핑한다. 한편,이를 위해서, 상기 상기 플라즈마 처리장치(200)는, 상기 하부공간(LS)의 압력을 측정하기 위한 제1 압력 게이지 및 상기 상부공간(US) 보다 상세히 상기 측부공간(SS)의 압력을 측정하기 위한 제2 압력 게이지를 구비할 수 있다. 예컨대, 상기 제1 진공도는 대략적으로 1Torr 오더로 적용하고, 상기 제2 진공도는 대략적으로 10-3Torr 오더로 적용한다. 이와 같이, 하부공간(LS)을 상기 상부공간(US) 보다 높은 진공도로 유지하는 경우, 하부공간(LS)의 잔류물이 상기 상부공간(US)으로 유입되는 것을 방지하여 피처리 기판(S)의 오염을 방지할 수 있다.When the process is performed by the operation of the plasma processing apparatus 200, the first pumping member (not shown) pumps the lower space LS to a first vacuum degree, and the second pumping member (not shown) is The side space SS separated from the lower space LS by the expansion sealing member 250 is pumped to a second vacuum degree equal to or less than the first vacuum degree. On the other hand, for this purpose, the plasma processing apparatus 200, the first pressure gauge for measuring the pressure of the lower space (LS) and the upper space (US) in more detail to measure the pressure of the side space (SS) It may be provided with a second pressure gauge for. For example, the first vacuum degree is applied in approximately 1 Torr order, and the second vacuum degree is applied in approximately 10 -3 Torr order. As such, when the lower space LS is maintained at a higher vacuum than the upper space US, the residues of the lower space LS are prevented from entering the upper space US, thereby being treated. Contamination can be prevented.

이하, 예시적으로 1Torr 압력의 상부공간(US)과 10-3Torr 압력의 하부공간(LS)의 압력차에 의하여 기판 지지부(220)에 가해지는 압력을 고려해본다.Hereinafter, by way of example, consider the pressure applied to the substrate support 220 by the pressure difference between the upper space US of 1 Torr pressure and the lower space LS of 10 -3 Torr pressure.

상기 기판 지지부(220)는 자체 무게를 견뎌야 했으나, 본 실시예에 의한 플라즈마 처리장치(200)는 팽창 밀봉부재(250)를 포함하고, 상부공간(US)과 하부공간(LS)의 디퍼렌셜 펌핑(differential pumping)을 적용함으로서, 압력차에 의한 힘도 견뎌야 한다. 개략적으로 10-3Torr 0 Torr로, 기판 지지부(200)의 면적은 1m2로 단순화해서 계산하면, 1Torr는 133.322N/m2임으로 추가되는 힘은 133.322N임을 알 수 있다. 따라서, 추가되는 힘은 중력에 의한 효과로 변환 [133.322(N)/9.8(m/s2)]하면 대락 13.6Kg이다. 즉 공정 압력 1Torr증가에 따라 상기 기판 지지부(220)의 무게가 13.6kg증가하는 효과가 나오는 것을 알 수 있다. 상기 기판 지지부(220)의 무게가 대략 300kg이므로 크게 고려하지 않아도 설계가능하다.The substrate support 220 had to withstand its own weight, but the plasma processing apparatus 200 according to the present embodiment includes an expansion sealing member 250, and the differential pumping of the upper space US and the lower space LS ( By applying differential pumping, the pressure differential must withstand the force. When schematically 0 10 -3 Torr to Torr, the area of the substrate support 200 is calculated simplified to 1m 2, 1Torr it can be seen that the force that is added arbitrarily 133.322N / m 2 is 133.322N. Therefore, the added force is approximately 13.6 Kg when converted to the effect of gravity [133.322 (N) / 9.8 (m / s 2 )]. That is, as the process pressure increases by 1 Torr, the weight of the substrate support 220 increases by 13.6 kg. Since the weight of the substrate support part 220 is about 300 kg, it can be designed without great consideration.

다음으로, 상기 기판 지지부(220)의 움직임과 팽창 밀봉부재(250)의 수축(deflation) 여부에 관해서 고려해 본다.Next, the movement of the substrate support 220 and whether the expansion sealing member 250 (deflation) is considered.

대기압(ATM) 하에서 상기 팽창 밀봉부재(250)의 팽창수축은 문제될 것이 없으나, 상기 팽창 밀봉부재(250)는 챔버몸체(210) 내부의 고진공 하에서 팽창수축하여야 한다. 그리고, 10-3Torr의 고진공하에서 상기 팽창 밀봉부재(250)의 수축이 가능하여야 상기 기판 지지부(220)의 상하방향 움직임에서도 팽창 밀봉부재(250)의 손상이 발생되지 않는다. 이를 위해서, 상기 팽창 밀봉부재(250)는 챔버몸체(210)의 내부보다 낮은 압력을 유지하여야 한다. 또한, 팽창 밀봉부재(250)는 내부에 가스유로(GF)가 형성된 긴 튜브형상이므로 가스의 유동성이 떨어진다. 따라서, 팽창 밀봉부재(250)를 구동하는 펌프는 대용량 펌프를 사용하여야 한다. 한편, 상기 기판 지지부(220)의 상하방향 움직일 때, 챔버몸체(210)의 압력을 높여 팽창 밀봉부재(250)의 수축을 용이하게 할 수도 있다. The expansion and contraction of the expansion sealing member 250 under atmospheric pressure (ATM) is not a problem, but the expansion sealing member 250 should be expanded and contracted under high vacuum inside the chamber body (210). In addition, the expansion sealing member 250 should be able to contract under a high vacuum of 10 −3 Torr so that the expansion sealing member 250 may not be damaged even in the vertical movement of the substrate support 220. To this end, the expansion sealing member 250 must maintain a lower pressure than the interior of the chamber body (210). In addition, since the expansion sealing member 250 has a long tube shape in which a gas flow path GF is formed therein, the fluidity of the gas is inferior. Therefore, the pump for driving the expansion sealing member 250 should use a large capacity pump. On the other hand, when the substrate support 220 moves in the vertical direction, the pressure of the chamber body 210 may be increased to facilitate the contraction of the expansion sealing member 250.

다음으로, 챔버몸체(210) 내부의 압력 변화시, 상기 팽창 밀봉부재(250)가 받는 압력을 고려해본다.Next, when the pressure changes inside the chamber body 210, consider the pressure received by the expansion sealing member 250.

공정가스를 투입하기 전, 챔버몸체(210) 내부의 압력은 상기 상부공간(US) 및 상기 하부공간(LS) 모두 10-3Torr의 고진공으로 유지된 상태에서 상기 팽창 밀봉부재(250)가 팽창하여 상기 상부공간(US) 및 상기 하부공간(LS)을 분리하고, 상기 상부공간(US) 중에서 상기 플라즈마 발생공간(PS)에 공정가스를 투입하여 상부공간(US)는 대략적으로 1Torr의 압력으로 상승한다. 상기 기판 지지부(220)를 1m 정사각으로 가정하고, 상기 팽창 밀봉부재(250)의 두께를 1cm로 가정하면, 압력변화에 노출되는 상기 팽창 밀봉부재(250)의 면적은 0.04m2이고, 1Torr가 133.322N/m2임으로 상기 팽창 밀봉부재(250)에 인가되는 힘은 5.33N정도로 크게 영향받지 않음을 볼 수 있다. 챔버몸체(210)의 압력을 급격하게 증가시켜도 상기 팽창 밀봉부재(250)에는 크게 영향이 없으나, 고압 공정일 경우 여러 단계로 나누어 압력을 증가시키는 것을 고려해야 한다.Before injecting the process gas, the expansion sealing member 250 is expanded while the pressure inside the chamber body 210 is maintained at a high vacuum of 10 −3 Torr in both the upper space US and the lower space LS. The upper space US and the lower space LS are separated, and a process gas is introduced into the plasma generating space PS from the upper space US so that the upper space US is at a pressure of approximately 1 Torr. To rise. Assuming that the substrate support 220 is 1 m square, and the thickness of the expansion sealing member 250 is 1 cm, the area of the expansion sealing member 250 exposed to the pressure change is 0.04 m 2 , and 1 Torr is It can be seen that the force applied to the expansion sealing member 250 at 133.322 N / m 2 is not significantly affected to about 5.33 N. Even if the pressure of the chamber body 210 is rapidly increased, the expansion sealing member 250 is not significantly affected, but in the case of a high pressure process, it is necessary to consider increasing the pressure in several steps.

다음으로, 상기 팽창 밀봉부재(250)에 인가되는 스트레스(Stress)를 고려한다.Next, the stress applied to the expansion sealing member 250 is considered.

상기 팽창 밀봉부재(250)가 20psi로 팽창할 때, 대기압(ATM)하에서, 1ATM은 14.696psi이므로, 상기 팽창 밀봉부재(250)는 5.304psi의 스트레스를 겪는다. 이에 반해서, 진공(1mTorr=1.3332x10-6 psi)하에서 상기 팽창 밀봉부재(250)는 20psi의 스트레스를 겪는다. 따라서, 대기압하에서보다 챔버몸체(210) 내부에서 약 4배가량 증가함을 볼 수 있어, 이러한 스트레스를 극복할 수 있는 재질로 상기 팽창 밀봉부재(250)를 형성하여야 한다.When the expansion sealing member 250 expands to 20 psi, under atmospheric pressure (ATM), since the 1 ATM is 14.696 psi, the expansion sealing member 250 experiences a stress of 5.304 psi. In contrast, the expansion sealing member 250 experiences a stress of 20 psi under vacuum (1 mTorr = 1.3332 × 10 −6 psi). Therefore, it can be seen that about four times the increase in the chamber body 210 than at atmospheric pressure, the expansion sealing member 250 should be formed of a material that can overcome this stress.

다음으로, 상기 팽창 밀봉부재(250)가 상기 기판 지지부(220)에 가하는 충격여부에 대해 고려한다.Next, the impact of the expansion sealing member 250 on the substrate support 220 is considered.

상기 팽창 밀봉부재(250)가 팽창하면서, 기판 지지부(220)에 충격을 줄 경우, 상기 기판 지지부(220)나, 상기 기판 지지부(220)의 위치를 고정하는 부재 등이 손상될 수 있다. 따라서, 이에 의해 받는 충격을 계산해야 하는데 전달된 운동에너지가 어느 정도 시간에 도달했는지 여부로 상기 팽창 밀봉부재(250)에 의해 인가되는 파워로 계산한다.When the expansion sealing member 250 expands and impacts the substrate support 220, the substrate support 220 or a member for fixing the position of the substrate support 220 may be damaged. Therefore, the impact received by this should be calculated by calculating the power applied by the expansion sealing member 250 by how much time the transmitted kinetic energy has reached.

가스에 의해 팽창 밀봉부재(250)에 인가되는 파워(P)는 압력(p)과 유량(flow rate, Q)의 곱으로 표현된다. 따라서, 작은 압력으로 동작가스를 주입시에 적은 유량으로 천천히 팽창시키면 상기 기판 지지부(220)에 인가되는 충격을 감소시킬 수 있다. 대기압하에서 팽창 밀봉부재(250)를 팽창시키게 하기 위해 대략 5psi의 압력차가 필요했기 때문에, 동작가스를 예컨대 5psi로 주입한다.
The power P applied to the expansion sealing member 250 by the gas is expressed as the product of the pressure p and the flow rate Q. Therefore, when the operating gas is slowly inflated at a low flow rate when the operating gas is injected at a small pressure, the impact applied to the substrate support 220 may be reduced. Since a pressure differential of approximately 5 psi was needed to inflate the expansion sealing member 250 under atmospheric pressure, the operating gas is injected at, for example, 5 psi.

다음으로, 이러한 플라즈마 처리장치(200)에 의해서 피처리 기판에 플라즈마 처리방법을 수행하는 방법을 설명한다. 먼저 기판 지지부에 피처리 기판을 장착한다. 이후, 상기 기판 지지부와 상부 전극 사이의 이격거리를 제어한다. 이때, 플라즈마 제한부재(240)는 기판 지지부(220)의 수용 그루브(221) 내에 삽입된다. 이후, 챔버몸체(210) 내부의 압력을 대략적으로 낮추고, 동작가스를 주입하여 팽창 밀봉부재를 팽창시킴으로써, 상기 기판 지지부의 상부공간과 하부공간을 분리시킨다.Next, a method of performing a plasma processing method on the substrate to be processed by the plasma processing apparatus 200 will be described. First, the substrate to be processed is mounted on the substrate support. Thereafter, the separation distance between the substrate support and the upper electrode is controlled. In this case, the plasma limiting member 240 is inserted into the receiving groove 221 of the substrate support 220. Thereafter, the pressure inside the chamber body 210 is substantially lowered, and the upper and lower spaces of the substrate support are separated by injecting a working gas to expand the expansion sealing member.

다음으로, 상기 상부 전극(230)을 통해서 공정가스와 전기적 파워를 인가하여, 상기 상부공간(US) 중에서, 플라즈마 제한 부재에 의해 측부공간(SS)과 분리된 플라즈마 발생공간(PS)에 플라즈마를 생성시켜 공정을 진행한다.Next, the process gas and the electrical power are applied through the upper electrode 230, and the plasma is applied to the plasma generating space PS separated from the side space SS by the plasma limiting member in the upper space US. Create and proceed with the process.

이때, 상기 하부공간을 제1 진공도로 펌핑하고, 상기 측부공간을 상기 제1 진공도 이하의 제2 진공도로 펌핑할 수 있다.In this case, the lower space may be pumped into a first vacuum degree, and the side space may be pumped into a second vacuum degree equal to or less than the first vacuum degree.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical and exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

200: 플라즈마 처리장치 210: 챔버 몸체
211: 상부몸체 212: 하부몸체
220: 기판 지지부 221: 수용 그루브
222: 접촉단부 230: 상부전극
231: 가스 분산판 232: 전극판
240: 플라즈마 제한부재 241: 가로 슬릿
242: 세로 슬릿 243: 관통홀
250: 팽창 밀봉부재 GO1: 제1 배기구
GO2: 제 배기구 US: 상부공간
PS: 플라즈마 발생공간 SS: 측부공간
LS: 하부공간 GI: 가스 유입구
SA: 기판영역 OA: 외곽영역
CT: 부산물200: plasma processing apparatus 210: chamber body
211: upper body 212: lower body
220: substrate support 221: accommodating groove
222: contact end 230: upper electrode
231: gas dispersion plate 232: electrode plate
240: plasma limiting member 241: horizontal slit
242: vertical slit 243: through hole
250: expansion sealing member GO1: first exhaust port
GO2: Exhaust vent US: Upper space
PS: Plasma generating space SS: Side space
LS: Subspace GI: Gas Inlet
SA: Substrate Area OA: Outer Area
CT: by-product

Claims (18)

챔버 몸체;
상기 챔버 몸체 내부에 배치되어 피처리 기판을 지지하는 기판 지지부;
상기 챔버 몸체 내부에서 상기 기판 지지부와 대향하게 배치되는 상부전극; 및
상기 상부전극과 상기 기판 지지부 사이의 상부공간을 플라즈마 발생공간과 측부공간으로 분리하며, 생성되는 플라즈마를 상기 플라즈마 발생공간에 제한하는 플라즈마 제한부재를 포함하고,
상기 기판 지지부는 상기 플라즈마 제한부재에 의해서, 기판이 안착되는 기판영역 및 상기 기판 영역의 외곽인 외곽영역으로 구분되며,
피처리 기판을 가열하기 위한 가열수단은 상기 기판영역에만 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.A chamber body;
A substrate support part disposed in the chamber body to support a substrate to be processed;
An upper electrode disposed in the chamber body so as to face the substrate support; And
A plasma limiting member separating an upper space between the upper electrode and the substrate support into a plasma generating space and a side space, and restricting the generated plasma to the plasma generating space;
The substrate support part is divided into a substrate region on which a substrate is seated and an outer region outside of the substrate region by the plasma limiting member.
And a heating means for heating the substrate to be processed is formed only in the substrate region. 제1항에 있어서,
상기 플라즈마 제한부재는 상기 상부전극에 전기적으로 플로팅되도록 부착되고,
상기 기판 지지부는 수용 그루브를 포함하여,
상기 상부전극과 상기 기판 지지부가 공정거리만큼 이격되었을 때, 상기 플라즈마 제한부재는 상기 수용 그루브에 삽입되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The method of claim 1,
The plasma limiting member is attached to the upper electrode to electrically float,
The substrate support includes a receiving groove,
And the plasma limiting member is inserted into the receiving groove when the upper electrode and the substrate support are separated by the processing distance. 제1항에 있어서,
동작가스를 주입하면 팽창하여 상기 기판 지지부 하부의 하부공간과 상기 상부공간을 분리시키고,
상기 동작가스를 빼면 수축하여 상기 하부공간과 상기 상부공간을 연결하는, 팽창 밀봉부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The method of claim 1,
Injecting the operation gas expands to separate the lower space and the upper space below the substrate support,
And an expansion sealing member which contracts when the working gas is removed to connect the lower space and the upper space. 제3항에 있어서,
상기 동작가스로서, 상기 챔버 몸체에 주입되는 공정가스와 반응하지 않는 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The method of claim 3,
And a gas which does not react with the process gas injected into the chamber body as the operation gas. 제3항에 있어서,
상기 팽창 밀봉부재가 팽창되었을 때, 상기 기판 지지부의 코너가 용이하게 밀봉될 수 있도록 상기 기판 지지부의 코너는 라운드형상을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The method of claim 3,
And the corner of the substrate support has a round shape so that the corner of the substrate support can be easily sealed when the expansion sealing member is expanded. 삭제delete 제3항에 있어서,
공정 시, 상기 하부공간을 제1 진공도로 유지하기 위한 제1 펌핑부재; 및
상기 상부공간 중에서 상기 측부공간을 제2 진공도로 유지하기 위한 제2 펌핑부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The method of claim 3,
In the process, the first pumping member for maintaining the lower space to the first vacuum degree; And
And a second pumping member for maintaining the side space in a second vacuum degree in the upper space. 제7항에 있어서,
상기 제1 진공도는 상기 제2 진공도 이상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The method of claim 7, wherein
And said first vacuum degree is greater than or equal to said second vacuum degree. 챔버 몸체;
상기 챔버 몸체 내부에 배치되어 피처리 기판을 지지하는 기판 지지부;
상기 챔버 몸체 내부에서 상기 기판 지지부와 대향하게 배치되는 상부전극; 및
상기 챔버 내부에 배치되고, 동작가스를 주입하면 팽창하여 상기 챔버 내부를 상기 기판 지지부 하부의 하부공간과 상기 기판 지지부 상부의 상부공간으로 분리시키고, 상기 동작가스를 빼면 수축하여 상기 하부공간과 상기 상부공간을 연결하는 팽창 밀봉부재를 포함하는 플라즈마 처리장치.A chamber body;
A substrate support part disposed in the chamber body to support a substrate to be processed;
An upper electrode disposed in the chamber body so as to face the substrate support; And
The chamber is disposed inside the chamber, and when the operation gas is injected, the chamber expands to separate the chamber into a lower space below the substrate support and an upper space above the substrate support. Plasma processing apparatus comprising an expansion sealing member for connecting the space. 제9항에 있어서,
상기 상부전극과 상기 기판 지지부 사이의 상부공간을 플라즈마 발생공간과 상기 플라즈마 발생공간 외곽의 측부공간으로 분리하며, 생성되는 플라즈마를 상기 플라즈마 발생공간에 제한하는 플라즈마 제한부재를 더 포함하는 플라즈마 처리장치.10. The method of claim 9,
And a plasma limiting member that separates an upper space between the upper electrode and the substrate support into a plasma generating space and a side space outside the plasma generating space, and restricts the generated plasma to the plasma generating space. 제10항에 있어서,
상기 플라즈마 제한부재는 상기 상부전극에 전기적으로 플로팅되도록 부착되고,
상기 기판 지지부는 수용 그루브를 포함하여,
상기 상부전극과 상기 기판 지지부가 공정거리만큼 이격되었을 때, 상기 플라즈마 제한부재는 상기 수용 그루브에 삽입되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The method of claim 10,
The plasma limiting member is attached to the upper electrode to electrically float,
The substrate support includes a receiving groove,
And the plasma limiting member is inserted into the receiving groove when the upper electrode and the substrate support are separated by the processing distance. 제10항에 있어서,
상기 기판 지지부는 상기 플라즈마 제한부재에 의해서, 기판이 안착되는 기판영역 및 상기 기판 영역의 외곽인 외곽영역으로 구분되고,
피처리 기판을 가열하기 위한 가열수단은 상기 기판영역에만 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The method of claim 10,
The substrate support portion is divided into a substrate region on which a substrate is seated and an outer region outside of the substrate region by the plasma limiting member.
And a heating means for heating the substrate to be processed is formed only in the substrate region. 제9항에 있어서,
상기 동작가스로서, 상기 챔버 몸체에 주입되는 공정가스와 반응하지 않는 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.10. The method of claim 9,
And a gas which does not react with the process gas injected into the chamber body as the operation gas. 제9항에 있어서,
상기 팽창 밀봉부재가 팽창되었을 때, 상기 기판 지지부의 코너가 용이하게 밀봉될 수 있도록 상기 기판 지지부의 코너는 라운드형상을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.10. The method of claim 9,
And the corner of the substrate support has a round shape so that the corner of the substrate support can be easily sealed when the expansion sealing member is expanded. 제9항에 있어서,
공정 시, 상기 하부공간을 제1 진공도로 유지하기 위한 제1 펌핑부재; 및
상기 상부공간을 제2 진공도로 유지하기 위한 제2 펌핑부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.10. The method of claim 9,
In the process, the first pumping member for maintaining the lower space to the first vacuum degree; And
And a second pumping member for maintaining the upper space at a second vacuum degree. 제15항에 있어서,
상기 제1 진공도는 상기 제2 진공도 이상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.16. The method of claim 15,
And said first vacuum degree is greater than or equal to said second vacuum degree. 기판 지지부에 피처리 기판을 장착하는 단계;
상기 기판 지지부와 상부 전극 사이의 이격거리를 제어하는 단계;
동작가스를 주입하여 팽창 밀봉부재를 팽창시킴으로써, 상기 기판 지지부를 기준으로 상부공간과 하부공간을 분리하는 단계; 및
상기 상부 전극을 통해서 공정가스와 전기적 파워를 인가하여, 상기 상부공간 중에서, 플라즈마 제한부재에 의해 측부공간과 분리된 플라즈마 발생공간에 플라즈마를 생성하는 단계를 포함하는 플라즈마 처리방법.Mounting the substrate to be processed on the substrate support;
Controlling a separation distance between the substrate support and the upper electrode;
Separating an upper space and a lower space with respect to the substrate support by injecting a working gas to expand the expansion sealing member; And
And applying a process gas and electrical power through the upper electrode to generate plasma in the plasma generating space separated from the side space by the plasma limiting member. 제17항에 있어서,
상기 하부공간을 제1 진공도로 펌핑하고, 상기 측부공간을 상기 제1 진공도이하의 제2 진공도로 펌핑하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.

18. The method of claim 17,
And pumping the lower space into a first vacuum degree and pumping the side space into a second vacuum degree less than or equal to the first vacuum degree.

KR1020110084953A 2011-08-25 2011-08-25 Plasma processing apparatus and method KR101317644B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110084953A KR101317644B1 (en) 2011-08-25 2011-08-25 Plasma processing apparatus and method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110084953A KR101317644B1 (en) 2011-08-25 2011-08-25 Plasma processing apparatus and method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130022158A KR20130022158A (en) 2013-03-06
KR101317644B1 true KR101317644B1 (en) 2013-10-15

Family

ID=48174886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110084953A KR101317644B1 (en) 2011-08-25 2011-08-25 Plasma processing apparatus and method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101317644B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070111383A (en) * 2006-05-16 2007-11-21 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 Plasma cvd apparatus equipped with plasma blocking insulation plate
KR20080052956A (en) * 2006-12-08 2008-06-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Apparatus for thermal and plasma enhanced vapor deposition and method of operating
JP2011510498A (en) * 2008-01-16 2011-03-31 ソースル シーオー エルティディー Substrate holder, substrate support apparatus, substrate processing treatment, and substrate processing method using the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070111383A (en) * 2006-05-16 2007-11-21 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 Plasma cvd apparatus equipped with plasma blocking insulation plate
KR20080052956A (en) * 2006-12-08 2008-06-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Apparatus for thermal and plasma enhanced vapor deposition and method of operating
JP2011510498A (en) * 2008-01-16 2011-03-31 ソースル シーオー エルティディー Substrate holder, substrate support apparatus, substrate processing treatment, and substrate processing method using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130022158A (en) 2013-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8563619B2 (en) Methods and arrangements for plasma processing system with tunable capacitance
US8677590B2 (en) Plasma confinement structures in plasma processing systems and methods thereof
US20060005771A1 (en) Apparatus and method of shaping profiles of large-area PECVD electrodes
JP2011517087A (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR20090106631A (en) Bevel etcher with vacuum chuck
CN1737991A (en) High productivity plasma processing chamber
JP2012186497A (en) Electrode assembly
KR20080112961A (en) Diffuser support
JP6063741B2 (en) Plasma processing vessel and plasma processing apparatus
KR102114500B1 (en) Heat transfer sheet attachment method
KR101515150B1 (en) Apparatus for plasma processing and method for plasma processing
JPH10223621A (en) Vacuum treating apparatus
KR20190019965A (en) Plasma processing apparatus
KR101317644B1 (en) Plasma processing apparatus and method
JP4936297B2 (en) Plasma processing apparatus, plasma processing method, and semiconductor device
KR101892958B1 (en) Plasma processing apparatus
US8093142B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
TWI466597B (en) Plasma processing apparatus (2)
US9243328B2 (en) Susceptor with roll-formed surface and method for making same
KR20100130838A (en) Inline type plasma processing apparatus for manufacturing solar cell
JP4936129B2 (en) Plasma processing equipment
KR20200000994A (en) Apparatus for processing substrate
US20060032736A1 (en) Deformation reduction at the main chamber
KR101150722B1 (en) Apparatus for processing a substrate
KR20090057840A (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160906

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170907

Year of fee payment: 5