KR101308270B1 - 고분자 화합물이 충진된 광섬유 기반 방사선량계 - Google Patents

고분자 화합물이 충진된 광섬유 기반 방사선량계 Download PDF

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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 고분자 화합물이 충진된 광섬유 기반 방사선량계는, 광섬유의 내부에 방사선 감응성 고분자 화합물을 주입함으로써, 방사선 감응성 고분자 화합물의 광 특성 변화에 의해 광섬유에 조사된 방사선의 굴절률을 증가시키며 이를 통해 방사선의 투과파장의 이동을 관측하여 방사선량을 측정하는 광섬유 방사선 센서부를 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 광원에 대해서 광섬유에 구비되는 방사선 감응성 고분자 화합물의 투과 특성을 이용하기 때문에 분해능이 높으면서도 전자기장의 간섭을 받지 않음으로써 방사선량 측정의 정확성을 높일 수 있다.

Description

고분자 화합물이 충진된 광섬유 기반 방사선량계{Dosimeter to manufacture optical fiber for filling high molecular compound}
고분자 화합물이 충진된 섬유 기반 방사선량계가 개시된다. 보다 상세하게는, 광원에 대해서 광섬유에 구비되는 방사선 감응성 고분자 화합물의 투과 특성을 이용하기 때문에 분해능이 높으면서도 전자기장의 간섭을 받지 않음으로써 방사선량 측정의 정확성을 높일 수 있는, 고분자 화합물이 충진된 광섬유 기반 방사선량계가 개시된다.
방사선 센서는, 일반적으로, 원자력 산업에서 원자력 발전소, 입자 가속기, 방사성 동위원소 생산 및 취급기관, 원자력 관련 연구소 등과 같은 시설들의 안전을 위한 방사선량 계측에 사용되고 있다. 또한 의료 산업에서 방사선 치료 시 환자의 개인 선량을 측정하는 데 사용되고 있으며, 물성 특성 및 비파괴 검사와 같은 학술 분야에서 연구용으로 널리 이용되고 있다.
일반적으로 방사선 센서는, 신틸레이터, 반도체, 이온함 계수기 등을 기반으로 한다. 여기서, 신틸레이터를 이용하는 방사선 센서는 신틸레이터가 방사선을 흡수한 후 다른 파장으로 방출하는 발광량을 측정함으로써 방사선량을 측정한다. 한편 반도체를 이용하는 방사선 센서는 PN 접합면의 방사선 조사에 의한 에너지 밴드 변화를 통해 전류량 변화를 측정하고 이를 통해 방사선량을 측정하는 방법을 취한다. 그리고 이온함 계수기를 이용하는 방사선 센서는 계수기 내에 특정 물질이 방사선에 의해 이온화되는 정도를 측정하여 방사선량을 측정할 수 있다.
그런데, 이러한 방사선 센서 중 신틸레이터 적용 방사선 센서는 부피가 크고 측정 면적과 방향에 제한이 있으며 또한 환경 조건에 따라 특성이 변하기 때문에 취급이 까다롭다.
그리고 반도체 기반의 방사선 센서는 분해능이 낮거나 한정된 종류의 방사선만 측정할 수 있으며 액체 질소로 항상 냉각하여 이용해야 하는 번거러움이 있다. 또한, 이온함 계수기 기반 방사선 센서 역시 분해능이 낮고 비하전 입자에 대한 검출 효율이 좋지 않은 단점이 있다.
아울러 전술한 방사선 센서들은 공통적으로 분포형 센서의 구성이 불가능하여 특정 지점의 방사선량만을 측정할 수 있는 한계가 있다.
본 발명의 실시예에 따른 목적은, 광원에 대해서 광섬유에 구비되는 방사선 감응성 고분자 화합물의 투과 특성을 이용하기 때문에 분해능이 높으면서도 전자기장의 간섭을 받지 않음으로써 방사선량 측정의 정확성을 높일 수 있는, 고분자 화합물이 충진된 광섬유 기반 방사선량계를 제공하는 것이다.
또한 본 발명의 실시예에 따른 다른 목적은, 방사선 감응성 고분자 화합물로 채워진 광섬유로 제작되는 광섬유 방사선 센서부들을 병렬로 구성함으로써 분포형 센서 구조를 가질 수 있으며 이로 인해 매우 넓은 측정 범위를 가질 수 있을 뿐만 아니라 국소 지역에 이르기까지 선량 측정이 가능한, 고분자 화합물이 충진된 광섬유 기반 방사선량계를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 다른 목적은, 방사선이 누출 가능한 구조물로부터 방사선량을 실시간 및 원격으로 측정할 수 있어 방사선량의 측정 안정성 및 정확성을 구현할 수 있는, 고분자 화합물이 충진된 광섬유 기반 방사선량계를 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 고분자 화합물이 충진된 광섬유 기반 방사선량계는, 광섬유의 내부에 방사선 감응성 고분자 화합물을 주입함으로써, 상기 방사선 감응성 고분자 화합물의 광 특성 변화에 의해 상기 광섬유에 조사된 방사선의 굴절률을 증가시키며 이를 통해 상기 방사선의 투과파장의 이동을 관측하여 방사선량을 측정하는 광섬유 방사선 센서부를 포함하며, 이러한 구성에 의해서, 광원에 대해서 광섬유에 구비되는 방사선 감응성 고분자 화합물의 투과 특성을 이용하기 때문에 분해능이 높으면서도 전자기장의 간섭을 받지 않음으로써 방사선량 측정의 정확성을 높일 수 있다.
여기서, 상기 광섬유에 구비되는 코어 및 클래딩 중 적어도 어느 하나에 형성된 길이 방향의 충진홀을 따라 상기 방사선 감응성 고분자 화합물이 채워질 수 있다.
상기 방사선 감응성 고분자 화합물을 상기 광섬유에 채우기 위해 상기 방사선 감응성 고분자 화합물을 솔벤트를 이용하여 용해시키는 공정이 적용되며 모세관 현상을 이용하여 상기 충진홀에 채울 수 있다.
상기 광섬유는 광자 결정 광섬유, 광자 밴드갭 광섬유 및 중공 광섬유 중 어느 하나로 마련되며, 상기 광섬유가 광자 결정 광섬유로 마련되는 경우 상기 충진홀은 클래딩 부분에 형성되고, 상기 광섬유가 광자 밴드갭 광섬유로 마련되는 경우 상기 충진홀은 코어 및 클래딩 부분에 형성되며, 상기 광섬유가 중공 광섬유로 마련되는 경우 상기 충진홀은 상기 코어 부분에 형성될 수 있다.
상기 광섬유 방사선 센서부의 일단에 입사광을 인가하여 방사선 조사량에 따른 투과광, 반사광 또는 산란광의 변화 정도를 측정하여 방사선량을 측정할 수 있다.
상기 광섬유 방사선 센서부에 인가되는 상기 입사광의 광원으로, 980 nm 파장대의 CW 및 펄스로 구동되는 레이저 다이오드, 1000~1100 nm 파장대의 YDF 기반 ASE 광원, 1000~1100 nm 파장대의 CW 및 펄스로 구동되는 YDF 기반 광섬유 레이저 시스템, 1000~1100 nm 파장대의 YDFA 기반 MOPA 시스템, 1500~1600 nm 파장대의 EDF 기반 ASE 광원, 1500~1600 nm 파장대의 CW 및 펄스로 구동되는 EDF 기반 광섬유 레이저 시스템, 1500~1600 nm 파장대의 EDFA 기반 MOPA 시스템, 700~800 nm 파장대의 광원으로서 1500~1600 nm 파장대의 EDF 기반 ASE 광원, 광섬유 레이저 및 MOPA 시스템의 출력을 광학 크리스탈로 2차 조화파를 생성한 광원, 1200~2000 nm 파장대의 광섬유 continuum 레이저 시스템 및 1300~1700 nm 파장대의 4 LED 광원 중 어느 하나의 광원이 적용될 수 있다.
상기 광섬유 방사선 센서부에서 투과광의 변화 정도를 측정하기 위해 광스펙트럼 분석기(OSA) 및 인터로게이터 시스템 중 어느 하나가 사용될 수 있다.
상기 광섬유 방사선 센서부가 복수 개로 마련되며 병렬로 구성됨으로써 분포형 센서 구조를 가질 수 있으며, 이로 인해 이로 인해 매우 넓은 측정 범위를 가질 수 있을 뿐만 아니라 국소 지역에 이르기까지 선량 측정이 가능하다.
상기 방사선 감응성 고분자 화합물은 PMMA(Polymethylmethacrylate), (benzocyclobutene) 또는 PVA(polyvinyl alcohol)일 수 있다.
상기 광섬유 방사선 센서부에 사용되는 상기 광섬유는 산화물 유리(oxide glass), 할로젠화물 유리(halide glass), 칼코겐화물 유리(chalcogenide glass) 또는 플라스틱으로 제작될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 광원에 대해서 광섬유에 구비되는 방사선 감응성 고분자 화합물의 투과 특성을 이용하기 때문에 분해능이 높으면서도 전자기장의 간섭을 받지 않음으로써 방사선량 측정의 정확성을 높일 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 따르면, 방사선 감응성 고분자 화합물로 채워진 광섬유로 제작되는 광섬유 방사선 센서부들을 병렬로 구성함으로써 분포형 센서 구조를 가질 수 있으며 이로 인해 매우 넓은 측정 범위를 가질 수 있을 뿐만 아니라 국소 지역에 이르기까지 선량 측정이 가능하다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 방사선이 누출 가능한 구조물로부터 방사선량을 실시간 및 원격으로 측정할 수 있어 방사선량의 측정 안정성 및 정확성을 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 고분자 화합물이 충진된 광섬유 기반 방사선량계의 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 방사선량계의 방사선 조사량에 따른 투과 스펙트럼을 표현하는 그래프이다.
도 3은 도 2의 점선으로 표시된 파장에서 방사선 조사량에 따른 투과량 변화를 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 고분자 화합물이 충진된 광섬유 기반 방사선량계의 광섬유 방사선 센서부의 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 고분자 화합물이 충진된 광섬유 기반 방사선량계의 광섬유 방사선 센서부의 개략적인 단면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 구성 및 적용에 관하여 상세히 설명한다. 이하의 설명은 특허 청구 가능한 본 발명의 여러 태양(aspects) 중 하나이며, 하기의 기술(description)은 본 발명에 대한 상세한 기술(detailed description)의 일부를 이룬다.
다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 관한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 고분자 화합물이 충진된 광섬유 기반 방사선량계의 개략적인 단면도이다.
도 1에 도시된 것처럼, 본 발명의 일 실시예에 따른 고분자 화합물이 충진된 광섬유 기반 방사선량계는, 방사선 감응성 고분자 화합물(111)이 채워진 광섬유(101)로 마련되는 광섬유 방사선 센서부(100)를 포함한다. 광섬유 방사선 센서부(100)는 방사선 감응성 고분자 화합물(111)의 광 특성 변화에 의해 광섬유(101)에 조사되는 방사선의 굴절률을 증가시키며 이를 통해 방사선의 투과파장의 이동을 관측함으로써 방사선량을 정확하게 측정할 수 있도록 한다.
즉, 방사선 감응성 고분자 화합물(111)의 분자 구조가 방사선에 의해 변화하여 굴절률을 증가시킬 수 있으며, 따라서 투과파장 이동을 관측함으로써 방사선량을 정확하게 측정할 수 있는 것이다.
도 1을 참조하면, 광섬유 방사선 센서부(100)의 광섬유(101)는 광자 결정 광섬유로 마련되며 코어(120, core) 및 그를 둘러싼 클래딩(110, cladding)을 포함한다. 여기서, 클래딩(110) 부분에 복수 개의 충진홀(111h)을 길이 방향으로 형성하고, 충진홀(111h)에 방사선 감응성 고분자 화합물(111)을 채울 수 있다.
이 때, 방사선 감응성 고분자 화합물(111)을 솔벤트(solvent)를 이용하여 용해시킨 후, 모세관 현상을 이용하여 광섬유(101)의 클래딩(110)에 형성된 미세한 충진홀(111h)에 용해된 방사선 감응성 고분자 화합물(111)을 채울 수 있다.
이러한 구성의 광섬유 방사선 센서부(100)는 광섬유(101)에 채워진 방사선 감응성 고분자 화합물(111)로 인해 광자 밴드갭 효과가 발생되며, 따라서 특정 파장 영역의 빛이 전달되지 않음으로써 광섬유(101)에 조사된 빛의 굴절를을 증대시킬 수 있으며, 이를 통해 방사선량을 정확하게 측정할 수 있다.
부연 설명하면, 본 실시예의 방사선 감응성 고분자 화합물(111)로, PMMA(Polymethylmethacrylate), BCB(benzocyclobutene), PVA(polyvinyl alcohol) 등이 적용될 수 있다. 이러한 물질은 고분자 화합물 중에서도 방사선에 더욱 잘 반응하는 물질로 본 실시예의 방사선 감응성 고분자 화합물(111)로 적용되기에 바람직하다. 다만 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 광섬유 방사선 센서부(100)에 적용되는 광섬유(101)는 산화물 유리(oxide glass), 할로젠화물 유리(halide glass), 칼코겐화물 유리(chalcogenide glass) 또는 플라스틱으로 제작될 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 방사선량의 측정을 위해 전술한 광섬유 방사선 센서부(100)의 일단에 입사광을 인가하며, 이를 통해 투과광, 반사광 또는 산란광의 변화 정도를 측정하여 방사선량을 측정할 수 있다.
이 때, 광섬유 방사선 센서부(100)에서 예를 들면 투과광의 변화 정도를 정확하게 측정하기 위해, 광스펙트럼 분석기(OSA) 또는 인터로게이터 시스템이 적용될 수 있다. 다만, 이에 한정되지는 않는다.
또한, 광섬유 방사선 센서부(100)에 입사되는 입사광을 발생시키는 광원으로는, 980 nm 파장대의 CW 및 펄스로 구동되는 레이저 다이오드, 1000~1100 nm 파장대의 YDF 기반 ASE 광원, 1000~1100 nm 파장대의 CW 및 펄스로 구동되는 YDF 기반 광섬유 레이저 시스템, 1000~1100 nm 파장대의 YDFA 기반 MOPA 시스템, 1500~1600 nm 파장대의 EDF 기반 ASE 광원, 1500~1600 nm 파장대의 CW 및 펄스로 구동되는 EDF 기반 광섬유 레이저 시스템, 1500~1600 nm 파장대의 EDFA 기반 MOPA 시스템, 700~800 nm 파장대의 광원으로서 1500~1600 nm 파장대의 EDF 기반 ASE 광원, 광섬유 레이저 및 MOPA 시스템의 출력을 광학 크리스탈로 2차 조화파를 생성한 광원, 1200~2000 nm 파장대의 광섬유 continuum 레이저 시스템 또는 1300~1700 nm 파장대의 4 LED 광원 등이 적용될 수 있다. 다만, 광원의 종류가 이에 한정되지는 않는다.
한편, 이하에서는 도 2 및 도 3을 참조하며 전술한 일 실시예의 광섬유 기반 방사선량계를 이용하여 방사선량 측정 시 투과 스펙트럼 변화에 대해 설명하기로 한다.
도 2는 도 1에 도시된 방사선량계의 방사선 조사량에 따른 투과 스펙트럼을 표현하는 그래프이고, 도 3은 도 2의 점선으로 표시된 파장에서 방사선 조사량에 따른 투과량 변화를 나타낸 그래프이다.
도 2를 통해 방사선 조사에 의한 광섬유 기반 방사선량계의 투과 스펙트럼 변화를 알 수 있고, 도 3을 통해 방사선량을 700Gy까지 조사시킬 경우 공진파장의 이동이 선형적으로 응답함을 알 수 있다. 부연 설명하면, 25MeV의 코발트 감마선을 2Gy/min의 선량률로 총선량 700Gy까지 조사시키고 방사선량이 증가함에 따라 공진파장은 장파장으로 선형 이동함을 관측할 수 있다.
이는 광섬유 방사선 센서부(100)를 이루는 광섬유(101)에 방사선 감응성 고분자 화합물(111)이 채워져 있어 광섬유(101)에 조사되는 방사선의 굴절률을 증가시킬 수 있기 때문이며, 이로 인해 투과파장의 이동을 관측할 수 있어 방사선량을 정확하게 측정할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 광원에 대해 광섬유(101)에 구비되는 방사선 감응성 고분자 화합물(111)의 투과 특성을 이용하기 때문에 분해능이 높으면서도 전자기장의 간섭을 받지 않음으로써 방사선량 측정의 정확성을 높일 수 있다.
한편, 전술한 광섬유 방사선 센서부(100)는 복수 개 마련되어 병렬로 구성됨으로써 분포형 센서 구조를 가질 수 있는데, 이를 통해 매우 넓은 측정 범위를 가질 수 있을 뿐만 아니라 국소 지역에 이르기까지 방사선량의 측정을 할 수도 있다.
즉, 광섬유 방사선 센서부(100)를 방사선이 누출되는 시설물의 외벽을 감싸는 형태로 설치하면 외벽을 통해 빠져 나가는 방사선량을 정확하게 측정할 수 있으며, 따라서 특정 지점뿐만 아니라 시설물의 전 영역에 대해 방사선량을 정확하게 측정할 수 있는 것이다.
한편, 이하에서는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광섬유 기반 방사선량계를 상술하되, 전술한 일 실시예의 방사선량계와 실질적으로 동일한 부분에 대해서는 그 설명을 생략하기로 한다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 고분자 화합물이 충진된 광섬유 기반 방사선량계의 광섬유 방사선 센서부의 개략적인 단면도이다.
이에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예의 광섬유 기반 방사선량계의 광섬유 방사선 센서부(200)에 적용되는 광섬유(201)는 광자 밴드갭 광섬유이며, 이러한 종류의 광섬유의 코어(220) 및 클래딩(210)에 방사선 감응성 고분자 화합물(211)을 채우기 위한 충진홀(211h)들이 각각 형성되어 전술한 것처럼 모세관 현상을 이용하여 용해된 방사선 감응성 고분자 화합물(211)을 채울 수 있다.
이러한 구성을 갖는 광섬유 방사선 센서부(200)를 갖는 광섬유 기반 방사선량계 역시, 방사선 감응성 고분자 화합물(211)로 인해 광자 밴드갭 효과가 발생되며, 따라서 특정 파장 영역의 빛이 전달되지 않음으로써 광섬유(201)에 조사된 빛의 굴절를을 증대시킬 수 있으며, 이를 통해 방사선량을 정확하게 측정할 수 있다.
한편, 이하에서는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광섬유 격자 기반 방사선량계를 상술하되, 전술한 실시예들의 방사선량계와 실질적으로 동일한 부분에 대해서는 그 설명을 생략하기로 한다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 고분자 화합물이 충진된 광섬유 기반 방사선량계의 광섬유 방사선 센서부의 개략적인 단면도이다.
이에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예의 광섬유 기반 방사선량계의 광섬유 방사선 센서부(300)에 적용되는 광섬유(301)는 중공 광섬유이며, 광섬유(301)의 중공 부분(311h, 코어 부분)에 모세관 현상을 이용하여 용해된 방사선 감응성 고분자 화합물(311)을 채울 수 있다.
이러한 구성을 갖는 광섬유 방사선 센서부(300)를 갖는 광섬유 기반 방사선량계 역시, 방사선 감응성 고분자 화합물(311)의 광 특성 변화에 의해 광섬유(301)에 조사되는 방사선의 굴절률을 증가시킬 수 있으며, 이를 통해 이를 통해 방사선량을 정확하게 측정할 수 있다.
한편, 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.
100 : 광섬유 방사선 센서부
101 : 광섬유
110 : 클래딩
111 : 방사선 감응성 고분자 화합물
111h : 충진홀
120 : 코어

Claims (10)

  1. 방사선 조사에 따른 투과 스펙트럼 변화를 이용하여 방사선량을 측정하는 광섬유 기반 방사선량계에 있어서,
    광섬유에 구비되는 코어 및 클래딩 중 적어도 어느 하나에 형성된 길이 방향의 충진홀을 따라 방사선 감응성 고분자 화합물을 주입함으로써, 상기 방사선 감응성 고분자 화합물의 광 특성 변화에 의해 상기 광섬유에 조사된 방사선의 굴절률을 증가시키며 이를 통해 상기 방사선의 투과파장의 이동을 관측하여 방사선량을 측정하는 광섬유 방사선 센서부를 포함하는, 고분자 화합물이 충진된 광섬유 기반 방사선량계.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 방사선 감응성 고분자 화합물을 상기 광섬유의 상기 충진홀에 채우기 위해 상기 방사선 감응성 고분자 화합물을 솔벤트를 이용하여 용해시키는 공정이 적용되며 모세관 현상을 이용하여 상기 충진홀에 채우는, 고분자 화합물이 충진된 광섬유 기반 방사선량계.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 광섬유는 광자 결정 광섬유, 광자 밴드갭 광섬유 및 중공 광섬유 중 어느 하나로 마련되며,
    상기 광섬유가 광자 결정 광섬유로 마련되는 경우 상기 충진홀은 클래딩 부분에 형성되고, 상기 광섬유가 광자 밴드갭 광섬유로 마련되는 경우 상기 충진홀은 코어 및 클래딩 부분에 형성되며, 상기 광섬유가 중공 광섬유로 마련되는 경우 상기 충진홀은 코어 부분에 형성되는, 고분자 화합물이 충진된 광섬유 기반 방사선량계.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 광섬유 방사선 센서부의 일단에 입사광을 인가하여 방사선 조사량에 따른 투과광, 반사광 또는 산란광의 변화 정도를 측정하여 방사선량을 측정하는, 고분자 화합물이 충진된 광섬유 기반 방사선량계.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 광섬유 방사선 센서부에 인가되는 상기 입사광의 광원으로, 980 nm 파장대의 CW 및 펄스로 구동되는 레이저 다이오드, 1000~1100 nm 파장대의 YDF 기반 ASE 광원, 1000~1100 nm 파장대의 CW 및 펄스로 구동되는 YDF 기반 광섬유 레이저 시스템, 1000~1100 nm 파장대의 YDFA 기반 MOPA 시스템, 1500~1600 nm 파장대의 EDF 기반 ASE 광원, 1500~1600 nm 파장대의 CW 및 펄스로 구동되는 EDF 기반 광섬유 레이저 시스템, 1500~1600 nm 파장대의 EDFA 기반 MOPA 시스템, 700~800 nm 파장대의 광원으로서 1500~1600 nm 파장대의 EDF 기반 ASE 광원, 광섬유 레이저 및 MOPA 시스템의 출력을 광학 크리스탈로 2차 조화파를 생성한 광원, 1200~2000 nm 파장대의 광섬유 continuum 레이저 시스템 및 1300~1700 nm 파장대의 4 LED 광원 중 어느 하나의 광원이 적용 가능한, 고분자 화합물이 충진된 광섬유 기반 방사선량계.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 광섬유 방사선 센서부에서 투과광의 변화 정도를 측정하기 위해 광스펙트럼 분석기(OSA) 및 인터로게이터 시스템 중 어느 하나가 사용되는, 고분자 화합물이 충진된 광섬유 기반 방사선량계.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 광섬유 방사선 센서부가 복수 개로 마련되며 병렬로 구성됨으로써 분포형 센서 구조를 갖는, 고분자 화합물이 충진된 광섬유 기반 방사선량계.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 방사선 감응성 고분자 화합물은 PMMA(Polymethylmethacrylate), (benzocyclobutene) 또는 PVA(polyvinyl alcohol)인, 고분자 화합물이 충진된 광섬유 기반 방사선량계.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 광섬유 방사선 센서부에 사용되는 상기 광섬유는 산화물 유리(oxide glass), 할로젠화물 유리(halide glass), 칼코겐화물 유리(chalcogenide glass) 또는 플라스틱으로 제작되는, 고분자 화합물이 충진된 광섬유 기반 방사선량계.
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