KR101303005B1 - Cooling apparatus for wafer and wafer cover using a gas - Google Patents

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KR101303005B1 KR1020120029106A KR20120029106A KR101303005B1 KR 101303005 B1 KR101303005 B1 KR 101303005B1 KR 1020120029106 A KR1020120029106 A KR 1020120029106A KR 20120029106 A KR20120029106 A KR 20120029106A KR 101303005 B1 KR101303005 B1 KR 101303005B1
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이병오
성호근
김신근
최재원
이근우
윤홍민
이용수
임웅선
고철기
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(재)한국나노기술원
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Abstract

PURPOSE: A cooling apparatus for a wafer and a wafer cover using a gas is provided to prevent thermal damage to a wafer by forming a through hole in a tray for mounting a wafer. CONSTITUTION: A through hole (130) is formed in a tray. The tray transfers a low temperature gas to a wafer and a wafer cover. A tray body (110) is formed around a tray central part (120). An O-ring is in contact with the lower part of the wafer cover. An O-ring accommodating groove is formed along the cylindrical surface of the tray body.

Description

가스를 이용한 웨이퍼 및 웨이퍼커버 냉각장치{Cooling Apparatus for Wafer and Wafer Cover Using a Gas}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a cooling apparatus for a wafer and a wafer cover using gas,

본 발명은 웨이퍼(Wafer) 및 웨이퍼커버(Wafer Cover) 냉각장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 식각 공정 시 발생하는 플라즈마(Plasma)로 인한 웨이퍼 및 웨이퍼커버가 받을 수 있는 열손상을 방지하기 위해, 웨이퍼를 안착하는 트레이(Tray) 중심부 및 몸체에 다수의 홀(Hole)을 형성하여 하단부로부터 공급되는 저온의 냉각가스를 상기 트레이 중심부 및 몸체의 홀을 통해 웨이퍼 및 웨이퍼커버에 공급함으로써 냉각효과를 얻는 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a wafer and a wafer cover cooling apparatus, and more particularly, to a wafer and wafer cooling apparatus for preventing a thermal damage to a wafer and a wafer cover due to a plasma generated during a semiconductor etching process A plurality of holes are formed in the central portion of the tray on which the wafer is placed and the cooling gas supplied from the lower end portion is supplied to the wafer and the wafer cover through the hole in the center of the tray and the body, Gt; device. ≪ / RTI >

반도체의 기본 재료가 되는 웨이퍼는 잉곳성장, 표면그라인딩, 절단, 엣지그라인딩, 엣지폴리싱, 래핑, 식각 및 세정, 경연연마 등의 공정을 거쳐 완성되는데 이중 식각공정은 웨이퍼 표면에 패턴을 형성하기 위해 특정영역의 재료를 제거하는 공정으로, 습식식각방식과 건식식각방식이 있다. 특히 건식식각방식은 고온의 플라즈마를 통해 이루어짐으로써, 공정간에 발생하는 열로 인해 웨이퍼 또는 웨이퍼 주변기기들의 열손상이 발생할 수 있다.The wafer, which is a basic material of a semiconductor, is completed through processes such as ingot growth, surface grinding, cutting, edge grinding, edge polishing, lapping, etching and cleaning, and contour polishing. There are a wet etching method and a dry etching method as processes for removing the material of the region. Particularly, the dry etching method is performed through a high-temperature plasma, and heat generated between the processes may cause thermal damage to the wafer or wafer peripherals.

이러한 문제점을 해결하기 공냉, 수냉식의 냉각장치들을 웨이퍼 주변에 구비하여 웨이퍼의 열손상을 줄이려 하고 있다.To solve these problems, air cooling and water cooling type cooling devices are provided around the wafer to reduce thermal damage of the wafer.

도 1에서 설명하고 있는 종래기술인 한국등록특허 제 10-0716785호 "반도체 식각장치의 웨이퍼 클램핑 구조"는 웨이퍼 하단부에 헬륨가스(Helium)가 이동할 수 있는 공간부를 형성하고, 상기 공간부에 헬륨가스를 공급 및 순환시킴으로써 웨이퍼의 하측을 헬륨가스와의 접촉하게 하여 냉각하는 장치에 관한 것이다. 그러나 상기 냉각장치는 웨이퍼 자체에 대한 냉각에만 집중하고 있으며, 웨이퍼 상부에서 웨이퍼를 결합 및 고정하는 웨이퍼커버가 구비되는 웨이퍼 제조장치에서는, 식각공정에서 발생하는 고온의 열이 웨이퍼뿐 아니라, 웨이퍼커버까지 열전달을 함으로써, 웨이퍼커버를 통한 웨이퍼의 열손상을 대처하는 것에는 한계점이 있다.Korean Patent No. 10-0716785, entitled " Wafer Clamping Structure of Semiconductor Etching Device ", which is a prior art described in Fig. 1, has a structure in which a space portion through which a helium gas can move is formed at a lower end portion of a wafer, Supplying and circulating the wafer to bring the lower side of the wafer into contact with the helium gas to cool the wafer. However, in the wafer manufacturing apparatus provided with the wafer cover for bonding and fixing the wafer on the upper part of the wafer, the high temperature heat generated in the etching process is transferred not only to the wafer but also to the wafer cover There is a limitation in coping with thermal damage of the wafer through the wafer cover by heat transfer.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하고자 착안 된 것으로, 본 발명의 목적은 웨이퍼를 상부에 안착시키는 트레이, 웨이퍼, 웨이퍼 상부와 결합 및 고정하는 웨이퍼커버가 구비된 웨이퍼 제조장치에 있어서, 트레이에 다수의 관통홀을 형성하여 트레이 하부에서 공급되는 저온의 가스를 웨이퍼 및 웨이퍼커버와 접촉할 수 있게 하여 냉각효과를 얻을 수 있는, 가스를 이용한 웨이퍼 및 웨이퍼커버 냉각장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a wafer manufacturing apparatus provided with a tray, a wafer, and a wafer cover for engaging and fixing the upper portion of the wafer, And a cooling effect can be obtained by allowing a low-temperature gas supplied from a lower portion of the tray to contact with the wafer and the wafer cover, thereby providing a wafer and a wafer cover cooling apparatus using the gas.

또한, 트레이 상부면에 웨이퍼커버 하부면과 대칭되도록 원형의 오링(O-ring) 수용홈을 형성하고, 상기 오링 수용홈에 오링을 결합 및 고정하여 상기 트레이와 웨이퍼커버와 결합 시 밀착될 수 있게 하는, 가스를 이용한 웨이퍼 및 웨이퍼커버 냉각장치를 제공하는데 그 목적이 있다.In addition, a circular O-ring receiving groove may be formed on the upper surface of the tray so as to be symmetrical with the lower surface of the wafer cover, and an O-ring may be coupled and fixed to the O- And to provide a wafer-and-wafer-cover cooling apparatus using the gas.

상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명에서는 In order to achieve the above object, in the present invention,

저온의 가스를 웨이퍼 및 웨이퍼커버에 전달하기 위해 트레이 몸체와 중심부에 형성되는 관통홀, 트레이 몸체 상부면과 웨이퍼커버 하부면에 대칭적인 형성되는 원형의 오링 수용홈과, 상기 오링 수용홈에 결합 및 고정되어 트레이와 웨이퍼커버 결합 시, 밀착도를 높이는 오링을 포함한다.A through hole formed in the center of the tray body to transmit the low temperature gas to the wafer and the wafer cover, a circular O-ring receiving groove formed symmetrically on the upper surface of the tray body and the lower surface of the wafer cover, And an O-ring for fixing the tray and the wafer cover to increase the degree of adhesion.

본 발명에 있어서, 관통홀은 트레이 중심부 및 몸체를 관통하여 형성되며, 트레이 중심부의 외주연을 따라 등간격으로 형성될 수 있다.In the present invention, the through holes are formed through the center of the tray and the body, and may be formed at regular intervals along the outer periphery of the center of the tray.

본 발명에 있어서, 관통홀은 상기 웨이퍼 트레이 몸체의 내주연과 외주연 사이에서 원형으로 형성되며, 상기 오링 수용홈과 중복되지 않는 영역에서 형성될 수 있다.In the present invention, the through-hole may be formed in a circular shape between the inner periphery and the outer periphery of the wafer tray body, and may be formed in an area not overlapping with the O-ring receiving groove.

본 발명에 있어서, 트레이 중심부에 형성되는 관통홀 간격이, 트레이 몸체에 형성되는 관통홀의 간격보다 더 조밀하게 형성될 수 있다.In the present invention, the through hole spacing formed in the center of the tray may be formed to be denser than the spacing of the through holes formed in the tray body.

본 발명에 있어서, 관통홀은 다각형 또는 원형 중 어느 하나 이상의 모양으로 형성될 수 있다.In the present invention, the through hole may be formed in any one of a polygonal shape and a circular shape.

본 발명에 있어서, 오링 수용홈은 트레이 몸체 상부 내주연과 외주연 사이에 형성될 수 있다.In the present invention, the O-ring receiving groove may be formed between the peripheral edge and the outer peripheral edge of the tray body top.

본 발명에 있어서, 오링 수용홈은 트레이 상부면과 웨이퍼커버 하부면에 대칭적으로 형성될 수 있다.In the present invention, the O-ring receiving groove may be symmetrically formed on the upper surface of the tray and the lower surface of the wafer cover.

본 발명에 있어서, 오링 수용홈은 오링 측면부 높이의 1/5 내지 1/2이 수용될 수 있는 깊이로 형성될 수 있다.In the present invention, the O-ring receiving groove may be formed to a depth that can accommodate 1/5 to 1/2 of the O-ring side height.

본 발명에 있어서, 오링 수용홈은 트레이 몸체를 따라 하나 이상의 원형으로 형성될 수 있다.In the present invention, the O-ring receiving groove may be formed in at least one circular shape along the tray body.

본 발명에 있어서, 가스의 종류는 아르곤(Argon), 헬륨 또는 질소(Nitrogen) 중 어느 하나 이상의 가스로 이루어질 수 있다.In the present invention, the gas may be composed of any one or more of argon, helium, and nitrogen.

이상에서 설명한 바와 같이,As described above,

본 발명에 따르면 원형의 중심부와, 도넛형의 몸체로 구성되어 상부에 웨이퍼를 안착시키는 트레이에 관통홀을 형성하여, 트레이 하부에서 공급되는 저온의 가스를 웨이퍼 및 웨이퍼커버와 접촉을 시킴으로써, 웨이퍼 식각공정에서 발생할 수 있는 웨이퍼 열손상을 방지할 수 있다. 또한, 트레이 상부 몸체에 오링 수용홈을 형성하고 상기 오링 수용홈에 오링을 결합 및 고정하여, 하부에 오링 수용홈이 형성된 웨이퍼커버와 결합 시 밀착할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.According to the present invention, a through hole is formed in a tray which is composed of a central portion of a circular shape and a toroidal body to seat the wafer on the upper portion thereof, and low temperature gas supplied from the lower portion of the tray is brought into contact with the wafer and the wafer cover, It is possible to prevent thermal damage to the wafer which may occur in the process. Further, the O-ring receiving groove is formed in the upper body of the tray, and the O-ring is engaged with and fixed to the O-ring receiving groove, so that the O-ring receiving groove can be closely contacted with the wafer cover.

도 1은 종래기술을 보여주는 도면이고,
도 2는 본 발명의 트레이 상부면을 보여주는 평면도이고,
도 3은 본 발명의 웨이퍼커버 하부면을 보여주는 평면도이고,
도 4a, 4b, 4c, 4d는 본 발명의 본 발명의 일 실시예에 따른 트레이 상부, 하부면 가공과정을 보여주는 도면이고,
도 4e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 트레이와 웨이퍼커버 결합을 보여주는 도면이다.FIG. 1 is a view showing a prior art,
2 is a plan view showing a tray upper surface of the present invention,
3 is a plan view showing the lower surface of the wafer cover of the present invention,
FIGS. 4A, 4B, 4C, and 4D illustrate processes of processing upper and lower surfaces of a tray according to an embodiment of the present invention,
4E is a view showing a tray and a wafer cover combination according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. Prior to this, terms and words used in the present specification and claims should not be construed as limited to ordinary or dictionary terms, and the inventor should appropriately interpret the concepts of the terms appropriately It should be interpreted in accordance with the meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention based on the principle that it can be defined.

따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다. Therefore, the embodiments described in this specification and the configurations shown in the drawings are merely the most preferred embodiments of the present invention and do not represent all the technical ideas of the present invention. Therefore, It is to be understood that equivalents and modifications are possible.

본 발명이 제시하는 가스를 이용한 웨이퍼 및 웨이퍼커버 냉각장치는, 트레이 중심부 및 트레이 몸체로 구성된 트레이, 상기 트레이에 형성되는 관통홀, 트레이 상부면 및 웨이퍼커버 하부면에 형성되는 오링 수용홈, 오링 수용홈에 결합 및 고정되는 오링으로 구성되는 점에서 특징이 있다.The wafer and wafer cover cooling apparatus using the gas proposed by the present invention includes a tray composed of a tray center portion and a tray body, a through hole formed in the tray, an O-ring receiving groove formed on a tray upper surface and a lower surface of the wafer cover, And an O-ring which is engaged and fixed to the groove.

도 2, 도 3을 참조하면, 웨이퍼를 제조하는 웨이퍼 캐리어 장치에 있어서, 상부에 웨이퍼를 안착하고 수용하는 트레이(100)의 구조는 원형 트레이 중심부(120)와 트레이 중심부(120) 둘레에 도넛형으로 이루어지는 트레이 몸체(110)로 구성된다. 트레이 중심부(120)에 웨이퍼를 안착하여 식각공정을 진행하며, 상기 식각공정 시 발생하는 플라즈마에 의한 웨이퍼의 열손상 문제점이 있다. Referring to FIGS. 2 and 3, in the wafer carrier apparatus for manufacturing wafers, the structure of the tray 100 for seating and accommodating the wafer on the upper portion includes a circular tray center portion 120 and a donut- And a tray body 110 made of the same material. There is a problem of thermal damage of the wafer due to the plasma generated during the etching process by placing the wafer on the center of the tray 120 and performing the etching process.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 저온의 가스를 이용하여 웨이퍼 및 웨이퍼커버(200)를 냉각한다. 저온의 가스는 도시하지는 않았지만 트레이(100) 하부에 구비된 가스공급장치로부터 공급되어지고, 가스의 종류는 아르곤, 헬륨, 또는 질소 중 어느 하나 이상의 가스가 될 수 있다.In order to solve the above problems, the wafer and the wafer cover 200 are cooled using a low-temperature gas. The low-temperature gas is supplied from a gas supply unit provided under the tray 100, though not shown, and the gas may be any one or more of argon, helium, and nitrogen.

이렇게 공급되어 지는 가스를 웨이퍼 및 웨이퍼커버(200)에 전달하기 위해 트레이(100)를 관통하는 관통홀(130)이 형성된다. A through hole 130 is formed through the tray 100 to transfer the supplied gas to the wafer and the wafer cover 200.

본 발명에서는 관통홀(130)의 모양을 원형으로 적용하였으나, 본 발명이 이에 한정된 것은 아니며, 다각형 또는 원형 중 어느 하나 이상의 모양으로 적용될 수 있다. Although the shape of the through hole 130 is circular in the present invention, the present invention is not limited thereto, and may be applied to any shape of polygonal or circular shape.

관통홀(130)은 트레이 중심부(120) 및 트레이 몸체(110)에 각각 형성되는데, 트레이 중심부(120)에 형성되는 관통홀(130)은 트레이 중심부(120)의 외주연을 따라 등간격으로 원형으로 형성되어, 트레이(100) 하부에서 공급되는 저온의 가스가 트레이 중심부(120)에 안착되는 웨이퍼를 직접적으로 냉각할 수 있다.The through holes 130 are formed in the tray central portion 120 and the tray body 110. The through holes 130 formed in the tray center portion 120 are formed in a circular shape at equal intervals along the outer periphery of the tray center portion 120, So that the low temperature gas supplied from the lower portion of the tray 100 can directly cool the wafer placed on the center portion 120 of the tray.

본 발명에서는 트레이 중심부(120)에 형성되는 관통홀(130)이 외주연을 따라 원형으로 형성되었지만, 본 발명이 이에 한정된 것은 아니며, 웨이퍼 플랫존 부분에서는 플랫존의 형태에 따라 일부 직선형으로 형성될 수 있다.In the present invention, the through hole 130 formed in the center portion 120 of the tray is formed in a circular shape along the outer periphery, but the present invention is not limited thereto. In the wafer flat zone portion, .

또한, 트레이 몸체(110)에 형성되는 관통홀(130)은 트레이 몸체(110)의 내주연과 외주연 사이에서 트레이 몸체(110)의 모양을 따라 원형으로 형성된다.The through hole 130 formed in the tray body 110 is formed in a circular shape along the shape of the tray body 110 between the inner periphery and the outer periphery of the tray body 110.

본 발명에서는 트레이 몸체(110)에 형성되는 관통홀(130)이 하나의 원형방식으로 배치되었지만, 본 발명이 이에 한정된 것은 아니며, 하나 이상의 원형방식으로 배치될 수 있다.In the present invention, the through holes 130 formed in the tray body 110 are arranged in a circular manner, but the present invention is not limited thereto and may be arranged in at least one circular manner.

그리고, 트레이 몸체(110)에 형성되는 관통홀(130)은 오링 수용홈(140)과 중복되지 않는 부분에 형성되도록 하여, 서로 겹침으로 인한 관통홀(130)의 가스 전달 기능이 제한되는 것을 방지한다.The through hole 130 formed in the tray body 110 may be formed at a portion not overlapping the O-ring receiving groove 140 to prevent the gas transfer function of the through hole 130 from being limited due to overlapping with each other. do.

뿐만 아니라, 트레이 중심부(120)에 형성되는 관통홀(130) 간의 간격을 트레이 몸체(110)에 형성되는 관통홀(130) 간의 간격보다 상대적으로 더 조밀하게 구성하여, 웨이퍼에 대한 냉각효과를 더욱 강조하는 구조로 형성될 수 있게 한다.In addition, the gap between the through holes 130 formed in the center portion 120 of the tray may be made relatively denser than the distance between the through holes 130 formed in the tray body 110, So that it can be formed into an emphasized structure.

트레이 몸체(110) 상부면에는 트레이 몸체(110) 내주연과 외주연 사이에 오링 수용홈(140)이 형성된다. 상기 오링 수용홈(140)은 트레이 몸체(110) 상부면과 웨이퍼커버(200) 하부면에 서로 대칭적으로 형성되며, 트레이 몸체(110) 상부면 오링 수용홈(140)에 오링(150)이 결합하고, 웨이퍼커버(200)가 트레이(100)와 결합하게 되면, 트레이 몸체(110) 상부면의 오링 수용홈(140)에 결합된 오링(150)이 웨이퍼커버(200) 하부면의 오링 수용홈(150)에도 결합됨으로써, 트레이(100)와 웨이퍼커버(200)는 오링(150)을 연결부재로 하여 서로 밀착할 수 있게 된다.On the upper surface of the tray body 110, an O-ring receiving groove 140 is formed between the outer periphery and the inner periphery of the tray body 110. The O-ring receiving groove 140 is symmetrically formed on the upper surface of the tray body 110 and the lower surface of the wafer cover 200. An O-ring 150 is inserted into the upper surface O-ring receiving groove 140 of the tray body 110 When the wafer cover 200 is coupled with the tray 100, the O-ring 150 coupled to the O-ring receiving groove 140 on the upper surface of the tray body 110 is inserted into the O- The tray 100 and the wafer cover 200 can be brought into close contact with each other using the O-ring 150 as a connecting member.

본 발명에서는 오링 수용홈(140) 및 오링(150)이 각각 두 개씩 적용되었으나, 본 발명이 이에 한정된 것은 아니며, 한 개 이상의 오링 수용홈(140) 및 오링(150)이 적용될 수 있다.In the present invention, two O-ring receiving grooves 140 and two O-rings 150 are applied, but the present invention is not limited thereto. More than one O-ring receiving groove 140 and O-ring 150 may be applied.

특히, 오링 수용홈(140)은 오링(150) 측면부 높이의 1/5 내지 1/2이 수용될 수 있는 깊이로 형성하여 오링 수용홈(140)에 오링(150)이 결합된 트레이 몸체(100)와 웨이퍼커버(200)가 결합 시 오링(150)을 기준으로, 오링(150)의 내측과 외측 공간부를 분리하는 기능을 할 수 있게 한다.In particular, the O-ring receiving groove 140 is formed at a depth that can accommodate 1/5 to 1/2 of the height of the side surface of the O-ring 150, And the wafer cover 200 can be separated from the inner and outer spaces of the O-ring 150 with reference to the O-ring 150 when the wafer cover 200 and the wafer cover 200 are coupled.

여기서, 트레이(100) 상부면에 형성되는 관통홀(130)과 오링 수용홈(140)의 위치관계는, 한정되는 것은 아니나 오링 수용홈(140)의 내측과 외측에 관통홀(130)이 형성되는 것이 바람직하다. The positional relationship between the through hole 130 formed in the upper surface of the tray 100 and the O-ring receiving groove 140 is not limited to the above, but a through hole 130 is formed on the inside and outside of the O- .

이는, 오링(150)이 결합된 트레이(100)가 웨이퍼커버(200)와 결합되어 오링(150)의 내측과 외측 공간부가 분리되면, 트레이(100) 상부면 오링 수용홈(140) 내측 및 외측에 형성된 관통홀(130)을 통해 저온의 가스가 공급되고, 오링(150)으로 분리된 내외측 공간부는 단위 구역별로 관통홀(130)을 통해 공급된 가스가 각각 웨이퍼커버(200) 일부분과 접촉하여 냉각할 수 있게 한다.When the tray 100 to which the O-ring 150 is coupled is engaged with the wafer cover 200 so that the inner and outer spaces of the O-ring 150 are separated, the inner and outer sides of the O- The gas supplied through the through holes 130 is supplied to the inner and outer space portions separated by the O-rings 150, and the gas supplied to the inner and outer spaces through the through holes 130 is contacted with a part of the wafer cover 200 Thereby enabling cooling.

또한, 트레이(100)와 웨이퍼커버(200)가 오링(150)을 연결매개로 하여 결합하고, 관통홀(130)을 통해 가스를 공급받아 웨이퍼 및 웨이퍼커버(200)를 냉각 후, 냉각성을 상실한 가스는 오링(150)과 오링 수용홈(140)의 결합부분을 통해 외부로 배출 가능하다. 오링(150)과 오링 수용홈(140)의 결합이 완전한 진공상태를 이루는 것이 아니기 때문에, 지속적인 가스 공급으로 인해 오링(150) 내외측 분리공간의 압력이 높아지면, 입자크기가 미세한 가스가 오링(150)과 오링 수용홈(140)의 틈새를 통해 외부로 배출이 이루어질 수 있다.The tray 100 and the wafer cover 200 are coupled by an O-ring 150 as a connecting medium. After cooling the wafer and the wafer cover 200 by supplying gas through the through holes 130, The gas can be discharged to the outside through the engagement portion of the O-ring 150 and the O-ring receiving groove 140. Since the engagement of the O-ring 150 and the O-ring receiving groove 140 does not constitute a complete vacuum state, when the pressure of the outer separating space in the O-ring 150 increases due to the continuous gas supply, 150) and the O-ring receiving groove (140).

도 4a를 참조하면, 트레이 몸체(110) 상부면 내주연과 외주연 사이에 오링(150)을 수용할 수 있는 오링 수용홈(140)이 원형으로 형성된다. Referring to FIG. 4A, an O-ring receiving groove 140, which can receive the O-ring 150, is formed in a circular shape between the inner circumference and the outer circumference of the upper surface of the tray body 110.

도 4b를 참조하면, 트레이 중심부(120)는 외주연을 따라 관통홀(130)이 원형으로 형성되고, 트레이 몸체(110)에는 오링 수용홈(140)과 중복되지 않는 영역에 관통홀(130)이 원형으로 형성된다. 4B, a through hole 130 is formed in a circular shape along the outer circumference of the tray center 120 and a through hole 130 is formed in a region of the tray body 110 that does not overlap with the O- As shown in Fig.

도 4c를 참조하면, 트레이(100) 하부면에서 관통홀(130)의 형성모습을 보여주는데, 관통홀(130)은 트레이(100)를 관통하여 형성됨으로써, 트레이(100) 상부면과 통일한 관통홀(130)이 트레이(100) 하부면에서도 형성된다.4C, a through hole 130 is formed in a lower surface of the tray 100. The through hole 130 is formed to penetrate through the tray 100, A hole 130 is also formed on the lower surface of the tray 100.

도 4d를 참조하며, 오링 수용홈(140)과 관통홀(130)이 형성된 트레이(100)에서 오링(150)이 오링 수용홈(140)과 결합하고 고정된다.4D, the O-ring 150 is engaged with and fixed to the O-ring receiving groove 140 in the tray 100 in which the O-ring receiving groove 140 and the through hole 130 are formed.

도 4e를 참조하면, 오링 수용홈(140), 관통홀(130)이 형성되고 오링(150)이 오링 수용홈(140)에 삽입된 트레이(100) 상부면과, 트레이(100)의 오링 수용홈(140)과 대칭적으로 오링 수용홈(140)이 형성된 웨이퍼커버(200) 하부면이 서로 결합된다. 여기서, 각각의 오링 수용홈(140)과 결합된 오링(150)을 통해 오링(150) 내외측 공간부가 분리된다.4E, the O-ring receiving groove 140 and the through-hole 130 are formed and the O-ring 150 is inserted into the O-ring receiving groove 140, The lower surface of the wafer cover 200 in which the O-ring receiving grooves 140 are symmetrically formed with the grooves 140 is engaged with each other. Here, the outer space portion in the O-ring 150 is separated through the O-ring 150 coupled with each O-ring receiving groove 140.

각각의 분리된 공간부는 관통홀(130)을 포함하고 있음으로, 트레이(100) 하부에서 저온의 가스가 공급되면, 웨이퍼는 트레이 중심부(120)에 형성된 관통홀(130)을 통해 직접적으로 냉각되고, 웨이퍼커버(200)는 트레이 몸체(110)에 형성된 관통홀(130)을 통해, 오링(150)으로 분리된 공간부 각각을 접촉하며 냉각할 수 있다.Each of the separated space portions includes the through holes 130. When the low temperature gas is supplied from the lower portion of the tray 100, the wafer is directly cooled through the through holes 130 formed in the tray center portion 120 , The wafer cover 200 can be cooled by contacting each of the space portions separated by the O-ring 150 through the through holes 130 formed in the tray body 110.

이와같이, 트레이(100)에 형성된 관통홀(130)과 오링 수용홈(140), 오링(150)을 통해 웨이퍼 및 웨이퍼커버(200)를 저온의 가스로 냉각할 수 있는 장치를 구현할 수 있다.Thus, it is possible to implement a device capable of cooling the wafer and the wafer cover 200 with a low-temperature gas through the through hole 130 formed in the tray 100, the O-ring receiving groove 140, and the O-ring 150.

100; 트레이
110; 트레이 몸체
120; 트레이 중심부
130; 관통홀
140; 오링 수용홈
150; 오링
200; 웨이퍼커버100; tray
110; Tray body
120; Tray center
130; Through hole
140; O-ring housing groove
150; O-ring
200; Wafer cover

Claims (10)

원형 트레이 중심부와, 상기 트레이 중심부 둘레에 형성되는 도넛형 트레이 몸체로 이루어지며, 하부에서 공급되는 저온의 가스를 웨이퍼와 웨이퍼커버에 전달할 수 있는 관통홀이 형성되는 트레이와, 상기 트레이 몸체 상부 원주면을 따라 원형으로 형성되는 오링 수용홈 및 상기 오링 수용홈을 따라 결합 및 고정되고, 상기 웨이퍼커버의 하부와 접촉하는 오링을 포함하는 가스를 이용한 웨이퍼 및 웨이퍼커버 냉각장치에 있어서,
상기 관통홀은,
상기 트레이 중심부 및 몸체를 관통하여 형성되며, 상기 트레이 중심부의 외주연을 따라 등간격으로 형성되고, 상기 트레이 몸체의 내주연과 외주연 사이에서 원형으로 형성되며, 상기 오링 수용홈과 중복되지 않는 영역에서 형성되는 것을 특징으로 하는 가스를 이용한 웨이퍼 및 웨이퍼커버 냉각장치.A tray having a central portion of the circular tray and a toroidal tray body formed around the central portion of the tray and having a through hole through which the low temperature gas supplied from the lower portion can be transferred to the wafer and the wafer cover; And an O-ring which is coupled and fixed along the O-ring receiving groove and contacts the lower portion of the wafer cover, the wafer and wafer cover cooling apparatus comprising:
The through-
The tray is formed at an equal interval along the outer periphery of the center of the tray and formed in a circular shape between the inner periphery and the outer periphery of the tray body, Wherein the gas-containing wafer and the wafer-cover cooling apparatus are formed on the substrate. 삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 트레이 중심부에 형성되는 상기 관통홀 간격이, 상기 트레이 몸체에 형성되는 상기 관통홀의 간격보다 더 조밀하게 형성되는 것을 특징으로 하는 가스를 이용한 웨이퍼 및 웨이퍼커버 냉각장치.The method according to claim 1,
Wherein the through hole spacing formed in the center of the tray is formed to be denser than the spacing of the through holes formed in the tray body. 제 1항에 있어서,
상기 관통홀은 다각형 또는 원형 중 어느 하나 이상의 모양으로 형성되는 것을 특징으로 하는 가스를 이용한 웨이퍼 및 웨이퍼커버 냉각장치.The method according to claim 1,
Wherein the through hole is formed in at least one of a polygonal shape and a circular shape. 제 1항에 있어서,
상기 오링 수용홈은 상기 트레이 몸체 상부 내주연과 외주연 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 가스를 이용한 웨이퍼 및 웨이퍼커버 냉각장치.The method according to claim 1,
Wherein the O-ring receiving groove is formed between a peripheral edge of the tray body and a peripheral edge of the tray body. 제 1항에 있어서,
상기 오링 수용홈은 상기 트레이 상부면과 상기 웨이퍼커버 하부면에 대칭적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 가스를 이용한 웨이퍼 및 웨이퍼커버 냉각장치.The method according to claim 1,
Wherein the O-ring receiving groove is symmetrically formed on the upper surface of the tray and the lower surface of the wafer cover. 제 1항에 있어서,
상기 오링 수용홈은 상기 오링 측면부 높이의 1/5 내지 1/2이 수용될 수 있는 깊이로 형성되는 것을 특징으로 하는 가스를 이용한 웨이퍼 및 웨이퍼커버 냉각장치.The method according to claim 1,
Wherein the O-ring receiving groove is formed at a depth that can accommodate 1/5 to 1/2 of the height of the O-ring side portion. 제 1항에 있어서,
상기 오링 수용홈은 상기 트레이 몸체를 따라 하나 이상의 원형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 가스를 이용한 웨이퍼 및 웨이퍼커버 냉각장치.
The method according to claim 1,
Wherein the O-ring receiving groove is formed in at least one circular shape along the tray body.
제 1항에 있어서,
상기 가스의 종류는 아르곤, 헬륨, 또는 질소 중 어느 하나 이상의 가스인 것을 특징으로 하는 가스를 이용한 웨이퍼 및 웨이퍼커버 냉각장치.


The method according to claim 1,
Wherein the type of the gas is at least one of argon, helium, and nitrogen.


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