KR101301684B1 - Phase Analysis method of Dual Phase Steel Using Electron Back scattered Diffraction - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전자후방산란회절(EBSD)을 이용하여 대상 시편의 결정방위를 측정하는 단계; 상기 측정된 결정방위를 바탕으로, 특정 기준값에 따라 미세조직을 구성하는 구조단위를 구분하는 단계; 및 상기 구분된 구조단위 내에 포함되는 다수의 픽셀의 평균 Band Slope(BS) 값을 산출하고, 상기 산출된 평균 BS 값을 상기 다수의 픽셀에 각각 적용하는 단계를 포함하는 전자후방산란회절(EBSD)을 이용한 상분석 방법에 관한 것으로, 하나의 구조단위의 일부 영역에서 매우 높은 BS값을 보이더라도, 하나의 구조단위에 포함되는 각각의 픽셀에 하나의 대표 BS 값을 적용시킴으로써, phase 맵에서 하나의 콜로니 단위가 마르텐사이트 및 페라이트로 정의되는 오류를 방지할 수 있다.The present invention comprises the steps of measuring the crystal orientation of the target specimen using the electron back scattering diffraction (EBSD); Classifying the structural units constituting the microstructure according to a specific reference value based on the measured crystal orientation; And calculating average band slope (BS) values of the plurality of pixels included in the divided structural units, and applying the calculated average BS values to the plurality of pixels, respectively. A phase analysis method using a method, wherein a single BS is applied to a phase map by applying one representative BS value to each pixel included in one structural unit even though a very high BS value is shown in a part of one structural unit. Errors in which colony units are defined as martensite and ferrite can be avoided.

Description

전자후방산란회절을 이용한 이상조직강의 상분석 방법{Phase Analysis method of Dual Phase Steel Using Electron Back scattered Diffraction}Phase Analysis method of Dual Phase Steel Using Electron Back scattered Diffraction

본 발명은 결정구조가 거의 동일한 2상으로 구성된 이상조직강의 상분석 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a phase analysis method of an ideal tissue steel composed of two phases with almost identical crystal structures.

과거에는 대부분 집합조직에 대한 연구를 할 때 X선 회절을 이용하거나 투과 전자 현미경을 이용하였다. In the past, X-ray diffraction or transmission electron microscopy was used for most of the study on texture.

하지만, X-선 회절법의 경우 측정 시편의 준비나 측정 방법이 비교적 간단하지만 측정 분해능이 수십 마이크론에 이르러, 미세 영역의 방위 결정에는 적합하지 않다. However, in the case of X-ray diffractometry, preparation and measurement of measurement specimens are relatively simple, but the measurement resolution reaches several tens of microns, which is not suitable for determination of microdomain orientation.

따라서 미세 조직의 방위 결정을 위해서는 투과전자 현미경을 이용한 전자 회절법이 사용되었다.Therefore, electron diffraction using a transmission electron microscope was used for orientation determination of microstructure.

그러나 투과 전자 현미경의 경우 시편 준비가 까다로울 뿐 아니라, 홀 주위의 극히 미세한 영역만을 관찰할 수 있기 때문에 재료의 전체적인 특성을 파악하는 데는 어느정도 한계가 있을 수 밖에 없고, 따라서, 이러한 단점을 보완하기 위해 SEM에서 입사빔과 고각을 이루는, 후방으로 산란되는 Kikuchi 회절도형으로 결정 방위를 측정하는 전자후방산란회절(Electron Back Scattered Diffraction, EBSD)법을 활용하게 되었다. However, in the case of transmission electron microscopy, the preparation of the specimen is not only difficult, but only the microscopic area around the hole can be observed, so there is a certain limit in understanding the overall characteristics of the material. The back-scattered Kikuchi diffraction pattern, which forms an angle with the incident beam at, uses the Electron Back Scattered Diffraction (EBSD) method to measure the crystal orientation.

전자후방산란회절(이하, EBSD라 함)을 이용한 분석방법은 일정 시편의 회절 패턴(pattern)을 이용하여 결정상(crystallographic phase)과 결정방위(crystallographic orientation)를 결정하고, 이를 기반으로 시편 미세조직의 형상(morphologic) 정보와 결정학적(crystallographic) 정보를 조합하여 분석하는 방법이다. The analytical method using electron backscattering diffraction (hereinafter referred to as EBSD) determines a crystallographic phase and a crystallographic orientation using a diffraction pattern of a given specimen, and based on this, It is a method to analyze by combining morphologic information and crystallographic information.

도 1a는 전자후방산란회절의 개념을 도시한 개략적인 모식도이고, 도 1b는 전자후방산란회절(EBSD) 패턴의 일예를 도시한 사진이다.FIG. 1A is a schematic diagram showing the concept of electron back scattering diffraction, and FIG. 1B is a photograph showing an example of an electron back scattering diffraction (EBSD) pattern.

도 1a를 참조하면, 한국공개특허 10-2011-0013684의 도 1에서와 같이, 주사전자현미경에서 시편을 전자빔의 입사방향과 60° 내지 80°정도의 큰 각도로 기울이면 입사된 전자빔이 시편 내에서 산란되면서 시편 표면 방향으로 회절 패턴이 나타나게 된다. Referring to FIG. 1A, as in FIG. 1 of Korean Patent Application Laid-Open No. 10-2011-0013684, when the specimen is inclined at a large angle of 60 ° to 80 ° with the direction of incidence of the electron beam in the scanning electron microscope, the incident electron beam is in the specimen. As scattered at, diffraction patterns appear in the direction of the specimen surface.

이를 전자후방산란회절패턴(Electron Back Scattered Diffraction Pattern, EBSP)이라고 하며, 이 패턴은 전자빔이 조사된 영역의 결정방위에 반응하여 재료의 결정 방위를 1° 이내의 정확도로 정확하게 측정할 수 있다.This is called an electron back scattered diffraction pattern (EBSP), and this pattern can accurately measure the crystal orientation of the material within 1 ° in response to the crystal orientation of the region irradiated with the electron beam.

또한, 측정부위마다 개별적인 방위를 분석할 수 있으므로, 전자후방산란회절(EBSD) software를 통해, 측정부위 간의 결정방위 차이를 나타내는 어긋남각(misoridatation angle)을 계산할 수 있고, 미세조직 상에 일정한 간격으로 배열된 측정점에 대한 연속적인 측정을 통해 다양한 정보를 표현할 수 있는 맵(map)과 해당 맵을 구성하는 정보의 히스토그램(histogram)의 표현이 가능하다. 전자후방산란회절(EBSD)을 통해 얻은 맵에서 해당 맵을 구성하는 최소의 정보단위인 픽셀(pixel)은 측정 시의 미세조직 상에 배열된 각 측정점에 대응하게 된다.In addition, since individual orientations can be analyzed for each measurement site, the electronic backscattering diffraction (EBSD) software enables the calculation of misoridatation angles representing the difference of crystal orientations between measurement sites and at regular intervals on the microstructure. Continuous measurement of arranged measurement points enables the representation of a map capable of representing various information and a histogram of the information constituting the map. In the map obtained through the electronic backscattering diffraction (EBSD), the pixel, which is the minimum information unit constituting the map, corresponds to each measurement point arranged on the microstructure during measurement.

한편, 전자후방산란회절(EBSD) 측정에서는 측정 영역의 결정방위 뿐 아니라 회절패턴의 양호도를 정량적으로 평가하는 것이 가능하며, 이러한 패턴 양호도를 이용하여 구성한 미세조직의 이미지는 미세조직의 분석에 매우 유용하게 사용할 수 있다.On the other hand, in electronic backscattering diffraction (EBSD) measurement, it is possible to quantitatively evaluate the goodness of the diffraction pattern as well as the crystal orientation of the measurement region. This can be very useful.

전자후방산란회절(EBSD)을 이용한 상구분 및 분석에서 서로 다른 상은 그 결정구조 차이에 기인한 EBSP 내 밴드들의 대칭 (symmetry) 차이를 이용해 구분 짓게 되는데, 결정구조가 유사한 경우에는 이러한 방식의 상구분이 효과가 없다.In phase classification and analysis using EBS, the different phases are distinguished by the symmetry of the bands in the EBSP due to the difference in the crystal structure. There is no effect.

예를 들어, 차량용의 고강도 강판으로 많이 사용되는 이상조직강(dual phase steel)의 경우 경질상인 마르텐사이트와 연질상인 페라이트가 거의 동일한 결정구조를 가지며, 따라서 전자후방산란회절(EBSD) 패턴(EBSP)의 대칭을 이용해서는 상구분이 어려운 문제점이 있다.For example, in the case of dual phase steel, which is widely used as a high-strength steel sheet for automobiles, the hard martensite and the soft ferrite have almost the same crystal structure, and thus, the electron back scattering diffraction (EBSD) pattern (EBSP). Using the symmetry of the upper division is difficult problem.

한국공개특허 10-2011-0013684Korea Patent Publication 10-2011-0013684

본 발명은 상기와 같은 기술적 문제점을 해결하기 위한 것으로, 결정구조가 거의 동일한 2상으로 구성된 이상조직강에서 상구분이 용이한 상분석 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the above technical problem, and an object of the present invention is to provide an easy phase analysis method for phase separation in an ideal tissue steel composed of two phases having substantially the same crystal structure.

본 발명의 해결하려는 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical problems which are not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 지적된 문제점을 해결하기 위해서 본 발명은 전자후방산란회절(EBSD)을 이용하여 대상 시편의 결정방위를 측정하는 단계; 상기 측정된 결정방위를 바탕으로, 특정 기준값에 따라 미세조직을 구성하는 구조단위(structural unit)를 구분하는 단계; 및 상기 구분된 구조단위 내에 포함되는 다수의 픽셀의 평균 Band Slope(BS) 값을 산출하고, 상기 산출된 평균 BS 값을 상기 다수의 픽셀에 각각 적용하는 단계를 포함하는 전자후방산란회절(EBSD)을 이용한 상분석 방법을 제공한다. 여기서 말하는 구조단위는 그 내부에 결정구조 및 해당 결정의 결정방위가 높은 균질성을 가지는, 미세조직을 구성하는 요소로써, 일반적으로는 결정립(grain)의 정의에 가깝다. 그러나 결정립의 정의가 모호한 마르텐사이트의 경우는 앞에서 지칭한 구조단위가 마르텐사이트를 구성하는 개별의 래스(lath)나 패킷(packet), 혹은 블록(block)이 될 수도 있으며, 본 발명에서 설명한 기술을 수행함에 있어서의 편의성에 따라서 임의로 정의 될 수 있다.In order to solve the above-mentioned problems, the present invention comprises the steps of measuring the crystal orientation of the target specimen using an electronic backscattering diffraction (EBSD); Classifying a structural unit constituting a microstructure according to a specific reference value based on the measured crystal orientation; And calculating average band slope (BS) values of the plurality of pixels included in the divided structural units, and applying the calculated average BS values to the plurality of pixels, respectively. It provides a phase analysis method using. The structural unit referred to here is an element constituting a microstructure in which the crystal structure and the crystal orientation of the crystal have high homogeneity, and is generally close to the definition of a grain. However, in the case of martensite having an ambiguous definition of grains, the above-mentioned structural unit may be an individual lath, a packet, or a block constituting martensite, and the technique described in the present invention is performed. Can be arbitrarily defined according to the convenience in.

또한, 본 발명은 상기 적용된 평균 BS 값을 바탕으로, Band Slope(BS) 히스토그램을 작성하고, 상기 Band Slope(BS) 히스토그램을 바탕으로, 상구분 기준값을 설정하는 단계; 및 상기 상구분 기준값을 바탕으로, phase 맵을 작성하는 단계를 더 포함하는 전자후방산란회절(EBSD)을 이용한 상분석 방법을 제공한다.In addition, the present invention comprises the steps of creating a Band Slope (BS) histogram based on the applied average BS value, and based on the Band Slope (BS) histogram, setting an upper segment reference value; And based on the phase classification reference value, provides a phase analysis method using an electronic backscattering diffraction (EBSD) further comprising the step of creating a phase map.

또한, 본 발명은 상기 Band Slope(BS) 값은 상기 전자후방산란회절(EBSD)에 의한 패턴 중의 밴드의 가장자리에서 밝기의 기울기인 것을 특징으로 하는 전자후방산란회절(EBSD)을 이용한 상분석 방법을 제공한다.In another aspect, the present invention provides a phase analysis method using an electronic backscattering diffraction (EBSD), wherein the value of the band slope (BS) is a slope of brightness at the edge of the band in the pattern by the electronic backscattering diffraction (EBSD). to provide.

또한, 본 발명은 상기 대상시편은 이상조직강인 것을 특징으로 하는 전자후방산란회절(EBSD)을 이용한 상분석 방법을 제공한다.In another aspect, the present invention provides a phase analysis method using an electron posterior scattering diffraction (EBSD), characterized in that the target specimen is an abnormal tissue steel.

또한, 본 발명은 상기 구조단위 구분 기준값은 어긋남각이 1 내지 15° 이상인 것을 특징으로 하는 전자후방산란회절(EBSD)을 이용한 상분석 방법을 제공한다.In addition, the present invention provides a phase analysis method using an electronic backscattering diffraction (EBSD), characterized in that the deviation value of the structural unit division reference value is 1 to 15 ° or more.

상기한 바와 같은 본 발명에 따르면, 결정구조가 거의 동일한 2상으로 구성된 이상조직강(dual phase steel)에서 상구분이 용이한 상분석 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention as described above, it is possible to provide a phase analysis method that is easy to phase separation in the dual phase steel (dual phase steel) consisting of two phases with almost the same crystal structure.

보다 구체적으로, 본 발명은 이상조직강(dual phase steel)과 같은 결정 격자가 유사한 경우에, 상간 대비만을 뚜렷하게 보여주는 Band Slope(BS) 히스토그램을 이용하여 상구분하는 것이 가능하다.More specifically, the present invention can classify using a band slope (BS) histogram showing only the contrast between phases when the crystal lattice such as a dual phase steel is similar.

또한, 본 발명은 하나의 구조단위 내의 일부 영역에서 매우 상이한 BS값을 보이더라도, 해당 구조단위에 포함되는 각각의 픽셀에 하나의 대표 BS 값을 적용시킴으로써, phase 맵에서 하나의 구조 단위가 마르텐사이트 및 페라이트로 분리되는 오류를 방지할 수 있다.In addition, the present invention applies one representative BS value to each pixel included in the corresponding structural unit even though the BS shows very different BS values in some regions within one structural unit. And an error of separating into ferrite can be prevented.

도 1a는 전자후방산란회절의 개념을 도시한 개략적인 모식도이고, 도 1b는 전자후방산란회절(EBSD) 패턴의 일예를 도시한 사진이다.
도 2a는 전자후방산란회절(EBSD) 패턴의 일예를 도시한 사진이며, 도 2b는 도 2a의 I-I선에 따른 밴드 단면에서의 밝기 분포를 도시한 그래프이다.
도 3a는 30% 수준의 마르텐사이트를 함유하는 이상조직강의 BC 맵(map)을 도시한 이미지이고, 도 3b는 30% 수준의 마르텐사이트를 함유하는 이상조직강의 BC 히스토그램(histogram)을 도시한 이미지이며, 도 3c는 30% 수준의 마르텐사이트를 함유하는 이상조직강의 BS 맵(map)을 도시한 이미지이고, 도 3d는 30% 수준의 마르텐사이트를 함유하는 이상조직강의 BS 히스토그램(histogram)을 도시한 이미지이다.
도 4는 본 발명에 따른 전자후방산란회절(EBSD)을 이용한 이상조직강의 상분석 방법을 도시한 흐름도이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명에 따른 콜로니의 구분을 설명하기 위한 개략적인 모식도이다.
도 6a는 도 3b의 히스토그램에서 산출된 평균 BC 값을 적용한 이상조직강의 BC 히스토그램(histogram)을 도시한 이미지이며, 도 6b는 도 3d의 히스토그램에서 산출된 평균 BS 값을 적용한 이상조직강의 BS 히스토그램(histogram)을 도시한 이미지이다.
도 7a는 평균 BC 값에 따라 설정된 상구분 기준값을 적용하여 작성된 phase 맵을 도시한 사진이고, 도 7b는 평균 BS 값에 따라 설정된 상구분 기준값을 적용하여 작성된 phase 맵을 도시한 사진이다.FIG. 1A is a schematic diagram showing the concept of electron back scattering diffraction, and FIG. 1B is a photograph showing an example of an electron back scattering diffraction (EBSD) pattern.
FIG. 2A is a photograph showing an example of an electron backscattering diffraction (EBSD) pattern, and FIG. 2B is a graph illustrating brightness distribution in a cross section of a band along line II of FIG. 2A.
FIG. 3A is an image showing a BC map of an abnormal tissue steel containing 30% level of martensite, and FIG. 3B is an image showing a BC histogram of an abnormal tissue steel containing 30% level of martensite. 3C is an image showing a BS map of the abnormal tissue steel containing 30% of martensite, and FIG. 3D shows a BS histogram of the abnormal tissue steel containing 30% of martensite. One image.
Figure 4 is a flow chart illustrating a phase analysis method of abnormal tissue steel using an electronic backscattering diffraction (EBSD) according to the present invention.
5A and 5B are schematic diagrams for explaining the division of colonies according to the present invention.
FIG. 6A is an image showing the BC histogram of the ideal tissue steel to which the average BC value calculated from the histogram of FIG. 3B is applied. FIG. 6B is a BS histogram of the ideal tissue steel to which the average BS value is calculated from the histogram of FIG. 3D. histogram).
FIG. 7A is a photograph showing a phase map created by applying an upper division reference value set according to an average BC value, and FIG. 7B is a photograph showing a phase map created by applying an upper division reference value set according to an average BS value.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

아래 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 상세히 설명한다. 도면에 관계없이 동일한 부재번호는 동일한 구성요소를 지칭하며, "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. &Quot; and / or "include each and every combination of one or more of the mentioned items. ≪ RTI ID = 0.0 >

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, it goes without saying that these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, it goes without saying that the first component mentioned below may be the second component within the technical scope of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소 외에 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. The terms " comprises "and / or" comprising "used in the specification do not exclude the presence or addition of one or more other elements in addition to the stated element.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used in a sense that can be commonly understood by those skilled in the art. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 구성 요소와 다른 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 구성요소들의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 구성요소를 뒤집을 경우, 다른 구성요소의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 구성요소는 다른 구성요소의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 구성요소는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다. The terms spatially relative, "below", "beneath", "lower", "above", "upper" And can be used to easily describe a correlation between an element and other elements. Spatially relative terms should be understood in terms of the directions shown in the drawings, including the different directions of components at the time of use or operation. For example, when inverting an element shown in the figures, an element described as "below" or "beneath" of another element may be placed "above" another element . Thus, the exemplary term "below" can include both downward and upward directions. The components can also be oriented in different directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to orientation.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2a는 전자후방산란회절(EBSD) 패턴의 일예를 도시한 사진이며, 도 2b는 도 2a의 I-I선에 따른 밴드 단면에서의 밝기 분포를 도시한 그래프이다.FIG. 2A is a photograph showing an example of an electron backscattering diffraction (EBSD) pattern, and FIG. 2B is a graph illustrating brightness distribution in a band cross section taken along line II of FIG. 2A.

먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 시편을 기울여서 입사 빔이 시편에 큰 각도를 가지고 입사될 수 있게 하여 전자후방산란회절(EBSD) 패턴(이하, EBSP라 함)을 얻을 수 있다.First, as shown in FIG. 2A, the specimen may be tilted to allow the incident beam to enter the specimen at a large angle, thereby obtaining an EBS pattern (hereinafter referred to as EBSP).

다음으로, 도 2b에 도시된 바와 같이, 도 2a의 I-I선에 따른 밴드 단면에서의 밝기 분포를 이용하는 지표로써, 상술한 바와 같이, Band Contrast (BC)(Image Quality (IQ) 또는 Pattern Quality (PQ)로도 지칭됨)가 있다.Next, as shown in FIG. 2B, as an index using the brightness distribution in the band section along the line II of FIG. 2A, as described above, Band Contrast (BC) (Image Quality (IQ) or Pattern Quality (PQ) (Also referred to as)).

또한, 상기 Band Contrast (BC) 이외의 다른 지표로써, Band Slope(BS)가 있으며, 이는 도 2b에 도시된 바와 같이, 패턴 중의 밴드의 가장자리에서 밝기의 기울기로 평가될 수 있다.In addition, as an indicator other than the band contrast (BC), there is a band slope (BS), which may be evaluated as the slope of brightness at the edge of the band in the pattern, as shown in FIG. 2B.

상기 BC 및 BS는 일반적으로 상에 따른 강도 차이를 보이며, 이러한 상간대비(phase contrast)를 이용하여 정량적인 상분석을 수행하는 것이 가능하다.The BC and BS generally show a difference in intensity according to phases, and it is possible to perform quantitative phase analysis using such phase contrast.

이때, 상기 BC는 패턴 중 하나의 밴드에서 배경밝기에 대한 밴드 내 최대 밝기의 강도로 이해할 수 있으며, 상기 BS는 가장자리 영역에서 밝기의 구배로 볼 수 있다. At this time, the BC can be understood as the intensity of the maximum brightness in the band for the background brightness in one band of the pattern, the BS can be seen as a gradient of brightness in the edge region.

즉, BC가 큰 값을 가짐은 해당 패턴이 밝음을 의미하고, BS가 큰 값을 가짐은 가장 자리가 선명한 밴드로 구성됨을 의미하며, 이는 측정 영역의 결정격자 중의 응력이나 변형 및 전위 등의 격자 결함이 적음을 의미한다.In other words, a large value of BC means that the pattern is bright, and a large value of BS means that the edge is composed of a clear band, which is a lattice of stresses, strains and dislocations in the crystal lattice of the measurement area. It means less defects.

전자후방산란회절(EBSD)을 이용한 상구분 및 분석에서 서로 다른 상은 그 결정구조 차이에 기인한 EBSP 내 밴드들의 대칭 (symmetry) 차이를 이용해 구분 짓게 되는데, 결정구조가 유사한 경우에는 이러한 방식의 상구분이 효과가 없다.In phase classification and analysis using EBS, the different phases are distinguished by the symmetry of the bands in the EBSP due to the difference in the crystal structure. There is no effect.

따라서, 기존에 band contrast가 가지는 상간대비를 이용하여 이러한 문제를 해결하고자 하는 시도가 있어왔으나, 그 상간대비 자체가 뚜렷하지 않은 경우가 발생하고, band contrast가 가지는 결정방위 의존성에 의하여 그 효과가 감소하는 경우가 있는 등, 그 효용성이 크지 않았다.Therefore, there have been attempts to solve this problem by using the contrast between band contrasts, but the contrast between them is not clear and the effect is reduced by the dependence of crystal orientation on the band contrast. The utility was not large, for example.

따라서, 본 발명에서는 이상조직강(dual phase steel)과 같은 결정 격자가 유사한 경우에, Band Contrast (BC) 이외의 다른 지표로써, 상술한 바와 같은, Band Slope(BS)를 이용하고자 한다.Therefore, in the present invention, when the crystal lattice, such as a dual phase steel, is similar, Band Slope (BS) as described above is used as an indicator other than Band Contrast (BC).

도 3a는 30% 수준의 마르텐사이트를 함유하는 이상조직강의 BC 맵(map)을 도시한 이미지이고, 도 3b는 30% 수준의 마르텐사이트를 함유하는 이상조직강의 BC 히스토그램(histogram)을 도시한 이미지이며, 도 3c는 30% 수준의 마르텐사이트를 함유하는 이상조직강의 BS 맵(map)을 도시한 이미지이고, 도 3d는 30% 수준의 마르텐사이트를 함유하는 이상조직강의 BS 히스토그램(histogram)을 도시한 이미지이다. 한편, 상기 맵(map)과 히스토그램(histogram)은 전자후방산란회절(EBSD) software를 통해 표현이 가능하다.FIG. 3A is an image showing a BC map of an abnormal tissue steel containing 30% level of martensite, and FIG. 3B is an image showing a BC histogram of an abnormal tissue steel containing 30% level of martensite. 3C is an image showing a BS map of the abnormal tissue steel containing 30% of martensite, and FIG. 3D shows a BS histogram of the abnormal tissue steel containing 30% of martensite. One image. On the other hand, the map (map) and histogram (histogram) can be expressed through the electronic back scattering diffraction (EBSD) software.

도 3a 및 도 3c에 도시된 바와 같이, 기지를 이루는 페라이트 조직을 통해 볼 수 있듯, BS 맵의 경우 BC 맵에 비하여, 결정방위에 따른 대비가 거의 없음을 알 수 있다.As shown in Figure 3a and 3c, as can be seen through the base ferrite structure, it can be seen that there is little contrast according to the crystal orientation in the case of the BS map, compared to the BC map.

또한 도 3b 및 도 3d에 도시된 바와 같이, BS 히스토그램의 경우 BC 히스토그램에 비하여, 상간 대비가 훨씬 뚜렷함을 알 수 있다.Also, as shown in FIGS. 3B and 3D, it can be seen that the contrast between phases is much more pronounced in the BS histogram than in the BC histogram.

일반적으로, 탄소 농도가 낮거나, 동일 탄소 농도에서 마르텐사이트 분율이 높아지면 마르텐사이트 내의 격자 결함이 줄어들고, 따라서 마르텐사이트와 페라이트의 상간 대비 차이는 적어진다.In general, a low carbon concentration or a high martensite fraction at the same carbon concentration reduces the lattice defects in the martensite, thus reducing the difference between the phases of martensite and ferrite.

이 경우, BC 히스토그램의 경우, BS 히스토그램에 비해 상간 대비가 약하기 때문에 두 상의 구분에 약점을 갖게 되고, 또한 결정방위에 의한 대비가 상간 대비와 겹쳐지는 효과로 인하여 상구분이 더욱 힘들어진다.In this case, the BC histogram has a weak point in distinguishing the two phases because the contrast between the phases is weaker than the BS histogram, and the upper division becomes more difficult due to the overlapping effect of the crystal orientation with the phase contrast.

하지만 BS 히스토그램의 경우, 오직 상간 대비만을 뚜렷하게 보여주기 때문에, 마르텐사이트와 페라이트의 패턴 양호도의 차이가 적어지더라도, 양호하게 상구분이 가능하다.However, in the case of the BS histogram, only the contrast between phases is clearly displayed, so that even if the difference in the pattern goodness of martensite and ferrite becomes small, it is possible to distinguish the phase favorably.

이상과 같이, 이상조직강(dual phase steel)과 같은 결정 격자가 유사한 경우에는 상간 대비만을 뚜렷하게 보여주는 Band Slope(BS) 히스토그램을 이용하여 상구분하는 것이 보다 유효함을 알 수 있다.As described above, when the crystal lattice, such as the dual phase steel, is similar, it can be seen that it is more effective to classify using a band slope (BS) histogram that clearly shows only phase contrast.

하지만, 전반적으로 낮은 BS값을 보이는 마르텐사이트 조직 내 일부 영역에서도 매우 높은 BS 값이 보이기도 하며, 이는 상분율 측정 시 오류의 원인이 될 수 있다.However, in some areas of the martensitic tissue, which show low BS values in general, very high BS values may be seen, which may cause errors in the percentage measurement.

즉, 마르텐사이트로 정의되는 하나의 구조단위 내에서, 일부 측정점(혹은 픽셀)이 매우 높은 BS값을 보임으로써, phase 맵에서는 하나의 구조단위가 마르텐사이트 및 페라이트로 분리되는 오류가 발생할 수 있다.That is, in one structural unit defined as martensite, some measurement points (or pixels) show very high BS values, so that one structural unit may be separated into martensite and ferrite in the phase map.

따라서, 본 발명에서는 Band Slope(BS) 지표를 이용하여 상구분 함에 있어서, 다음과 같은 방법으로 상구분하는 것을 특징으로 한다.Therefore, in the present invention, the phase classification using the Band Slope (BS) index, characterized in that the classification by the following method.

도 4는 본 발명에 따른 전자후방산란회절(EBSD)을 이용한 이상조직강의 상분석 방법을 도시한 흐름도이다.Figure 4 is a flow chart illustrating a phase analysis method of abnormal tissue steel using an electronic backscattering diffraction (EBSD) according to the present invention.

도 4를 참조하면, 먼저, 전자후방산란회절(EBSD)을 이용하여 대상 시편, 예를 들면 이상조직강의 결정방위를 측정한다(S100).Referring to FIG. 4, first, the crystallographic orientation of a target specimen, for example, an abnormal tissue steel, is measured by using an electronic backscattering diffraction (EBSD) (S100).

전자후방산란회절(EBSD)을 이용하여 결정 시편의 결정방위를 측정하는 것은 당업계에서 자명한 것이므로, 이하 구체적인 설명은 생략하기로 한다.Since it is obvious in the art to measure the crystal orientation of the crystal specimen by using an electronic backscattering diffraction (EBSD), a detailed description thereof will be omitted.

다음으로, 상기 측정된 결정방위를 바탕으로, 구조단위의 구분 기준값에 따라 구조단위를 구분한다(S110). 여기에서 그 기준은 인접한 픽셀간의 방위차, 즉, 어긋남각을 사용하는 것이 가장 타당하지만 이 외의 다른 기준, 예를 들어 인접 픽셀간의 BC 혹은 BS 차이 등을 이용하는 것도 가능하다.Next, the structural unit is divided according to the division reference value of the structural unit on the basis of the measured determination direction (S110). Here, it is most appropriate to use an azimuth difference between adjoining pixels, that is, a deviation angle, but it is also possible to use other criteria, for example, BC or BS difference between adjacent pixels.

여기서 말하는 구조단위는 그 내부에 결정구조 및 해당 결정의 결정방위가 높은 균질성을 가지는, 미세조직을 구성하는 요소로써, 일반적으로는 결정립(grain)의 정의에 가깝다. 그러나 결정립의 정의가 모호한 마르텐사이트의 경우는 앞에서 지칭한 구조단위가 마르텐사이트를 구성하는 개별의 래스(lath)나 패킷(packet), 혹은 블록(block)이 될 수도 있으며, 본 발명에서 설명한 기술을 수행함에 있어서의 편의성에 따라서 임의로 정의 될 수 있다.The structural unit referred to here is an element constituting a microstructure in which the crystal structure and the crystal orientation of the crystal have high homogeneity, and is generally close to the definition of a grain. However, in the case of martensite having an ambiguous definition of grains, the above-mentioned structural unit may be an individual lath, a packet, or a block constituting martensite, and the technique described in the present invention is performed. Can be arbitrarily defined according to the convenience in.

상기 구조단위 구분의 기준값은 인접한 두 픽셀의 결정방위 차이가 특정 기준값 이내이면 해당 픽셀은 같은 구조단위 내에 포함되는 것으로 판단하고, 기준값을 벗어나면 서로 구조단위에 속하는 것으로 판단하는 결정방위 차이 판단의 기준값을 의미하며, 상기 구조단위의 구분 기준값은 픽셀 간 어긋남각이 1 내지 15° 인 것일 수 있다.The reference value of the structural unit classification is determined as the pixel included in the same structural unit if the difference in the determination direction of two adjacent pixels is within a specific reference value, and the reference value of the determination of the difference in determination direction determined to belong to the structural unit if outside the reference value The division reference value of the structural unit may be a deviation angle of 1 to 15 ° between pixels.

다시 설명하면, 주사전자현미경의 전자빔을 일정 간격으로 이동하면서 결정방위를 측정하여 맵을 구성할 때, 인접 측정점 간의 어긋남 각이 1 내지 15 ° 이상에 해당하는 경우 동일 구조단위로, 이를 벗어나는 경우 다른 구조단위로 구분되어 지는 것이다. In other words, when constructing a map by measuring the crystal orientation while moving the electron beam of the scanning electron microscope at regular intervals, when the deviation angle between adjacent measuring points is 1 to 15 ° or more, the same structural unit is used. It is divided into structural units.

도 5a 및 도 5b는 본 발명에 따른 구조단위의 구분을 설명하기 위한 개략적인 모식도로써, 도 5a에 도시된 바와 같이, 대상 시편은 제1구조단위(100) 및 제2구조단위(200) 등으로 구분될 수 있으며, 이때, 상기 제1구조단위와 상기 제2구조단위의 구분은 그 경계부에서 구분 기준값인 어긋남각이 1 내지 15 ° 이상에 해당하는 경우 동일 구조단위, 이를 벗어나는 경우 다른 구조단위로 구분될 수 있다.5A and 5B are schematic diagrams for explaining the division of structural units according to the present invention. As shown in FIG. 5A, a target specimen includes a first structural unit 100, a second structural unit 200, and the like. In this case, the division of the first structural unit and the second structural unit is the same structural unit when the deviation angle of the division reference value of 1 to 15 ° or more at its boundary, the other structural unit It can be divided into.

한편, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1구조단위 및 제2구조단위 등은 각각 구조단위를 구성하는 다수의 픽셀(210)을 포함하며, 이들 다수의 픽셀은 하나의 어긋남각을 가지는 픽셀경계(220)들에 의해 맵 상에서 정의될 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 5, the first structural unit, the second structural unit, and the like each include a plurality of pixels 210 constituting the structural unit, and each of the plurality of pixels has a pixel boundary having one shift angle. 220 may be defined on the map.

이로써, 상술한 바와 같은 도 3b 및 도 3d의 Band Slope(BS) 맵(map) 및 Band Slope(BS) 히스토그램의 작성이 가능하며, 한편, 상기 Band Slope(BS) 맵(map) 및 Band Slope(BS) 히스토그램은 전자후방산란회절(EBSD) software를 통해 작성이 가능한 것이다.Thus, the Band Slope (BS) map and Band Slope (BS) histogram of FIGS. 3B and 3D as described above can be created, and the Band Slope (BS) map and Band Slope ( BS) histograms can be created through EBS software.

하지만, 상술한 바와 같이, Band Slope(BS) 히스토그램에서는 상간 대비가 뚜렷하여, 이로부터 상구분하는 것이 가능하나, 마르텐사이트로 정의되는 하나의 구조단위 내에서, 일부 영역에서는 매우 높은 BS값을 보임으로써, phase 맵에서는 하나의 구조단위가 마르텐사이트 및 페라이트로 분리되기도 하는 오류가 발생할 수 있다.However, as described above, in the band slope histogram, the contrast between phases is clear, and it is possible to classify therefrom. However, within one structural unit defined as martensite, some regions show very high BS values. As a result, in the phase map, an error may occur in which one structural unit is separated into martensite and ferrite.

따라서, 도 4를 참조하면, 본 발명에서는 상기 구분된 구조단위 내에 포함되는 다수의 픽셀의 평균 BS 값을 산출하고, 상기 산출된 평균 BS 값을 상기 다수의 픽셀에 각각 적용한다(S120).Therefore, referring to FIG. 4, the present invention calculates average BS values of a plurality of pixels included in the divided structural units, and applies the calculated average BS values to the plurality of pixels, respectively (S120).

즉, 도 5a에 도시된 바와 같이, 예를 들면, 제2구조단위(200) 내에 포함되는 다수의 픽셀(210) 각각의 BS 값(110, 112, 117...)에 대한 평균 BS 값을 산출하고, 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 산출된 평균 BS 값(131)을 다시 각각의 픽셀에 적용한다.That is, as shown in FIG. 5A, for example, the average BS value for each BS value 110, 112, 117... Of each of the plurality of pixels 210 included in the second structural unit 200 is calculated. 5B, the calculated average BS value 131 is again applied to each pixel.

이로써, 하나의 구조단위에 포함되는 각각의 픽셀은 하나의 대표 BS 값을 갖게 되며, 실제 일부 영역에서는 매우 높은 BS값을 보였더라도, 하나의 구조단위 내에서는 각각의 픽셀이 모두 동일한 대표 BS 값을 갖기 때문에, phase 맵에서 하나의 구조단위가 마르텐사이트 및 페라이트로 분리되는 오류를 방지할 수 있다.As a result, each pixel included in one structural unit has one representative BS value, and even though the actual BS has a very high BS value in some regions, each pixel in the same structural unit has the same representative BS value. As a result, it is possible to prevent an error in which one structural unit separates martensite and ferrite in the phase map.

계속해서, 도 4를 참조하면, 상기 적용된 평균 BS 값을 바탕으로, Band Slope(BS) 히스토그램을 작성하고, 상 구분 기준값을 설정한다.(S130).4, on the basis of the applied average BS value, a band slope (BS) histogram is created and a phase division reference value is set (S130).

도 6a는 도 3b의 히스토그램에서 산출된 평균 BC 값을 적용한 이상조직강의 BC 히스토그램(histogram)을 도시한 이미지이며, 도 6b는 도 3d의 히스토그램에서 산출된 평균 BS 값을 적용한 이상조직강의 BS 히스토그램(histogram)을 도시한 이미지이다.FIG. 6A is an image showing the BC histogram of the ideal tissue steel to which the average BC value calculated from the histogram of FIG. 3B is applied. FIG. 6B is a BS histogram of the ideal tissue steel to which the average BS value is calculated from the histogram of FIG. 3D. histogram).

즉, 상기 S120에서, 구분된 구조단위 내에 포함되는 다수의 픽셀의 평균 BS 값을 산출하고, 산출된 평균 BS 값을 다수의 픽셀에 각각 적용한 것과 같이, 구분된 구조단위 내에 포함되는 다수의 픽셀의 평균 BC 값을 산출하고, 산출된 평균 BC 값을 다수의 픽셀에 각각 적용한 이상조직강의 BC 히스토그램이 도 6a에 해당한다.That is, in S120, the average BS values of the plurality of pixels included in the divided structural units are calculated, and the calculated average BS values are applied to the plurality of pixels, respectively. The BC histogram of the ideal tissue steels in which the average BC value is calculated and the calculated average BC value is applied to a plurality of pixels respectively corresponds to FIG. 6A.

도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 각 구조단위의 평균 BC 값과 BS 값을 이용해 도 3b 및 도 3d를 재구성하여, 두 상을 구분하기 위한 기준값을 정할 수 있다.As illustrated in FIGS. 6A and 6B, reference values for distinguishing two phases may be determined by reconstructing FIGS. 3B and 3D using average BC values and BS values of each structural unit.

예를 들어, 도 6a의 경우 전체적으로 2원화된 분포를 구분짓는 58 부근의 값을 마르텐사이트 및 페라이트로 구분되는 값으로 정할 수 있고, 도 6b의 경우, 하나의 강한 피크의 경계가 되는 248 부근의 값으로 정할 수 있다.For example, in FIG. 6A, a value around 58 may be defined as a value divided into martensite and ferrite, which divides the binarized distribution as a whole. In FIG. 6B, a value around 248 which is a boundary of one strong peak may be determined. Can be set by value.

계속해서, 도 4를 참조하면, 상기 상구분 기준값을 바탕으로, phase 맵을 작성한다(S140).Subsequently, referring to FIG. 4, a phase map is created based on the upper division reference value (S140).

도 7a는 평균 BC 값에 따라 설정된 상구분 기준값을 적용하여 작성된 phase 맵을 도시한 사진이고, 도 7b는 평균 BS 값에 따라 설정된 상구분 기준값을 적용하여 작성된 phase 맵을 도시한 사진이다.FIG. 7A is a photograph showing a phase map created by applying an upper division reference value set according to an average BC value, and FIG. 7B is a photograph showing a phase map created by applying an upper division reference value set according to an average BS value.

즉, 상술한 도 6a 및 도 6b의 평균 BC 값과 BS 값을 이용한 각각의 히스토그램을 통해 정해진 상구분 기준값을 바탕으로, 도 7a 및 도 7b의 phase 맵을 작성하였다.That is, the phase maps of FIGS. 7A and 7B are generated based on the upper-division reference values determined through the histograms using the average BC values and the BS values of FIGS. 6A and 6B.

도 7a 및 도 7b를 각각 도 3a 및 도 3c에 비교시, 구조단위의 평균 BC 값 또는 평균 BS 값을 이용하여 맵을 작성한 경우가, 그렇지 않은 경우보다 상구분이 용이함을 알 수 있다.When FIG. 7A and FIG. 7B are compared with FIG. 3A and FIG. 3C, respectively, it can be seen that a case of making a map using an average BC value or an average BS value of a structural unit is easier to classify than otherwise.

또한, 도 7a와 도 7b를 비교시, 각 구조단위의 평균 BS 값을 이용하여 phase 맵을 작성한 경우가, 평균 BC 값을 이용하여 작성한 경우보다 상구분이 더 명확함을 알 수 있다.7A and 7B, when the phase map is created using the average BS value of each structural unit, it can be seen that the phase classification is clearer than the case using the average BC value.

또한, 동일한 미세조직에 대해, 도 7a에서는 마르텐사이트의 부피분율이 7.7%로 측정되었으나, 도 7b에서는 마르텐사이트의 부피분율이 32.9%로 측정되어, 마르텐사이트의 함유량에 있어서도 훨씬 더 정확한 결과치를 나타내었다.In addition, for the same microstructure, the volume fraction of martensite was measured to be 7.7% in FIG. 7A, but the volume fraction of martensite was measured to be 32.9% in FIG. 7B, indicating a much more accurate result even in the content of martensite. It was.

이상과 같은 본 발명에 따르면, 이상조직강(dual phase steel)과 같은 결정 격자가 유사한 경우에, 상간 대비만을 뚜렷하게 보여주는 Band Slope(BS) 히스토그램을 이용하여 상구분하는 것이 보다 효과적이다.According to the present invention as described above, when the crystal lattice, such as the dual phase steel (dual phase steel) is similar, it is more effective to phase-define using a Band Slope (BS) histogram that clearly shows only the phase contrast.

또한, 하나의 구조단위 내 일부 영역에서 매우 상이한 BS값을 보이더라도, 해당 구조단위를 구성하는 각각의 픽셀에 하나의 대표 BS 값을 적용시킴으로써, phase 맵에서 하나의 구조단위가 마르텐사이트 및 페라이트로 분리되는 오류를 방지할 수 있다.In addition, even though a very different BS value is shown in some regions of one structural unit, one structural unit is applied to martensite and ferrite in the phase map by applying one representative BS value to each pixel constituting the structural unit. It is possible to prevent the error from being separated.

이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

100 : 제1구조단위 200 : 제2구조단위
210 : 픽셀 220 : 픽셀경계100: first structural unit 200: second structural unit
210: pixel 220: pixel boundary

Claims (5)

전자후방산란회절(EBSD)을 이용하여 대상 시편의 결정방위를 측정하는 단계;
상기 측정된 결정방위를 바탕으로, 특정 기준값에 따라 미세조직을 구성하는 구조단위를 구분하는 단계; 및
상기 구분된 구조단위 내에 포함되는 다수의 픽셀의 평균 Band Slope(BS) 값을 산출하고, 상기 산출된 평균 BS 값을 상기 다수의 픽셀에 각각 적용하는 단계를 포함하고,
상기 Band Slope(BS) 값은 상기 전자후방산란회절(EBSD)에 의한 패턴 중의 밴드의 가장자리에서 밝기의 기울기인 것을 특징으로 하는 전자후방산란회절(EBSD)을 이용한 상분석 방법.Measuring the crystal orientation of the target specimen using an electron backscattering diffraction (EBSD);
Classifying the structural units constituting the microstructure according to a specific reference value based on the measured crystal orientation; And
Calculating average Band Slope (BS) values of the plurality of pixels included in the divided structural units, and applying the calculated average BS values to the plurality of pixels, respectively;
The band slope (BS) value is an image analysis method using an electron back scattering diffraction (EBSD), characterized in that the slope of the brightness at the edge of the band in the pattern by the electron back scattering diffraction (EBSD). 제 1 항에 있어서,
상기 적용된 평균 BS 값을 바탕으로, Band Slope(BS) 히스토그램을 작성하고, 상기 Band Slope(BS) 히스토그램을 바탕으로, 상구분 기준값을 설정하는 단계; 및
상기 상구분 기준값을 바탕으로, phase 맵을 작성하는 단계를 더 포함하는 전자후방산란회절(EBSD)을 이용한 상분석 방법.The method of claim 1,
Creating a band slope histogram based on the applied average BS value, and setting an upper segment reference value based on the band slope histogram; And
A phase analysis method using an electronic backscattering diffraction (EBSD) further comprising the step of creating a phase map based on the phase classification reference value. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 대상시편은 이상조직강인 것을 특징으로 하는 전자후방산란회절(EBSD)을 이용한 상분석 방법.The method of claim 1,
The subject specimens are abnormal tissue steel, characterized in that the phase analysis method using an electron back scattering diffraction (EBSD). 제 1 항에 있어서,
상기 구조단위 구분 특정 기준값은 결정립계의 어긋남각이 1 내지 15 °인 것을 특징으로 하는 전자후방산란회절(EBSD)을 이용한 상분석 방법.The method of claim 1,
The structural unit classification specific reference value is the phase analysis method using an electronic backscattering diffraction (EBSD), characterized in that the deviation angle of the grain boundary is 1 to 15 °.
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