KR101291795B1 - Method for manufacturing Shadow mask and Apparatus for depositing chemical layers which comprises the Shadow mask and Method for manufacturing OLED with the Apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 평판 상에 오버행(over-hang) 구조로 포토레지스트를 패터닝하는 단계, 및 포토레지스트가 오버행 구조로 패터닝된 평판 상에 전주도금(electroforming) 방법을 사용하여 마스크 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 섀도우마스크 형성방법을 제공한다.The present invention includes patterning a photoresist with an over-hang structure on a plate, and forming a mask pattern on the plate with the photoresist patterned with an overhang structure using an electroforming method. A shadow mask forming method is provided.

섀도우마스크, 섀도잉 영역(shadowing area), 유기전계발광소자 Shadow masks, shadowing areas, organic light emitting diodes

Description

섀도우마스크 형성방법 및 그 섀도우마스크를 포함하는 증착장치와 그 증착장치를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법 {Method for manufacturing Shadow mask and Apparatus for depositing chemical layers which comprises the Shadow mask and Method for manufacturing OLED with the Apparatus}Method for manufacturing Shadow mask and Apparatus for depositing chemical layers which comprises the Shadow mask and Method for manufacturing OLED with the shadow mask forming method and deposition apparatus including the shadow mask and a method of manufacturing an organic light emitting device using the deposition apparatus Apparatus}

도 1은 종래 증착 장치의 구조를 도시한 모식도.1 is a schematic diagram showing the structure of a conventional vapor deposition apparatus.

도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 일실시예에 따른 섀도우마스크의 형성과정을 도시한 공정도.2A to 2G are flowcharts illustrating a process of forming a shadow mask according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 증착 장치의 구조를 도시한 모식도.Figure 3 is a schematic diagram showing the structure of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

*도면의 주요부분에 대한 설명*Description of the Related Art [0002]

102, 302 : 증착원 104, 304 : 기판102, 302: evaporation source 104, 304: substrate

106, 306 : 섀도우마스크(shadow mask) 108, 308 : 발광층106, 306: shadow mask 108, 308: light emitting layer

202 : 평판(metal plate) 204 : 포토레지스트(PR)202: metal plate 204: photoresist (PR)

204a : 노광부 204b : 비처리부204a: exposed portion 204b: untreated portion

204c : 포토레지스트의 잔사 및 파티클 204c residues and particles in photoresist

H1, H2, H3 : 홀 W1 : 정상부H1, H2, H3: Hole W1: Top

W2, W4 : 섀도잉영역(shadowing area)W2, W4: shadowing area

본 발명은 섀도우마스크의 형성방법과 그 섀도우마스크를 포함하는 증착장치 및 그 증착장치를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming a shadow mask, a deposition apparatus including the shadow mask, and a method of manufacturing an organic light emitting display device using the deposition apparatus.

유기 화합물의 박막을 형성하는 방법에는 진공 증착법(Vacuum deposition Method), 스퍼터링(Sputtering), 이온빔 증착법(Ion-beam Deposition), Pulsed-laser 증착법, 분자선 증착법, 화학기상증착법(CVD; chemical vapor deposition), 스핀코팅(Spin coating) 등이 있다. In order to form a thin film of an organic compound, a vacuum deposition method, sputtering, ion-beam deposition, pulsed-laser deposition, molecular beam deposition, chemical vapor deposition (CVD), Spin coating, and the like.

이중 일반적으로 가장 많이 사용되는 진공 증착법은 진공 챔버 내에서 증착원과 막 형성용 기판을 조합하여 박막을 형성하는 방법으로, 이는 유기전계발광소자의 발광층을 형성하는 대표적인 방법이다.Among them, the most commonly used vacuum deposition method is a method of forming a thin film by combining a deposition source and a film forming substrate in a vacuum chamber, which is a representative method of forming a light emitting layer of an organic light emitting device.

도 1은 종래 증착 장치의 챔버 내 구조를 도시한 모식도이다.1 is a schematic diagram showing a structure in a chamber of a conventional deposition apparatus.

도 1을 참조하면, 소스(source)를 수용하며 배출하는 증착원(102)이 챔버 내 일측에 배치되었다. 한편, 증착원(102)과 대향하도록 기판(104)이 배치되며, 증착원(102)과 기판(104) 사이에는 섀도우마스크(106)가 배치되었다.Referring to FIG. 1, a deposition source 102 receiving and discharging a source is disposed at one side of a chamber. Meanwhile, the substrate 104 is disposed to face the deposition source 102, and a shadow mask 106 is disposed between the deposition source 102 and the substrate 104.

예를 들어, 유기전계발광소자의 발광층을 형성하는 과정이라면, 기판(104) 상에는 제 1 전극이 형성되고, 제 1 전극 상에 발광 영역을 구분하는 절연막이 형성되어 있었다. 또한, 증착원(102)에는 발광층의 원료가 되는 유기 화합물이 소스로서 수용되어 있었다. For example, in the process of forming the light emitting layer of the organic light emitting display device, a first electrode is formed on the substrate 104, and an insulating layer for dividing the light emitting region is formed on the first electrode. In the deposition source 102, an organic compound serving as a raw material of the light emitting layer was accommodated as a source.

또한, 증착원(102)은 열원에 의해 가열되면서 소스를 배출시켜 기판(104) 상에 발광층(108)이 형성되었다.In addition, the deposition source 102 was discharged from the source while being heated by a heat source to form a light emitting layer 108 on the substrate 104.

이상과 같은 발광층(108)의 증착 과정에서 소스의 증착 경로가 섀도우마스크(106)의 홀(H1)에 일부 차단되거나 방해를 받게 되면서, 목적하는 발광층 형성 구간(W1+W2)에 두께 및 면적이 정상부(W1)에 상대적으로 부족하게 형성되는 섀도잉 영역(W2; shadowing area)이 발생하였다.As the deposition path of the source is partially blocked or obstructed by the hole H1 of the shadow mask 106 in the process of depositing the light emitting layer 108 as described above, the thickness and the area of the target light emitting layer forming section W1 + W2 are increased. There is a shadowing area W2 which is formed relatively inferior to the top part W1.

따라서, 유기전계발광소자의 발광층(108)에 있어서 섀도잉 영역(W2)은 발광 영역의 면적 감소 및 부분 열화에 따른 수명 저하와 같은 심각한 문제를 야기하였다. Therefore, in the light emitting layer 108 of the organic light emitting device, the shadowing area W2 causes serious problems such as a decrease in the area of the light emitting area and a decrease in life due to partial degradation.

이상 유기전계발광소자의 발광층 형성과정을 예로 설명한 섀도잉 영역(W2)은 일반 막 형성과정에서도 발생하였으며, 섀도잉 영역(W2)이 정상부(W1)에 상대적으로 물리적, 화학적 성질이 저하되는 경향으로 다양한 문제가 발생하였다. The shadowing area W2 described above as an example of the light emitting layer formation process of the organic light emitting diode is generated in the general film formation process, and the shadowing area W2 tends to decrease in physical and chemical properties relative to the top portion W1. Various problems have occurred.

상술한 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 섀도잉(shadowing) 영역 문제를 해결할 수 있는 섀도우마스크의 형성방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a method of forming a shadow mask that can solve the shadowing area problem.

다른 측면에서, 본 발명은 섀도잉 영역 문제를 해결할 수 있는 증착 장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.In another aspect, the present invention is to provide a deposition apparatus that can solve the shadowing area problem.

또 다른 측면에서, 본 발명은 발광층의 섀도잉 영역 문제를 해결할 수 있는 유기전계발광소자의 제조 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.In another aspect, the present invention is to provide a method of manufacturing an organic light emitting device that can solve the problem of the shadowing area of the light emitting layer.

이러한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 평판 상에 오버행(over-hang) 구조로 포토레지스트를 패터닝하는 단계, 및 포토레지스트가 오버행 구조로 패터닝된 평판 상에 전주도금(electroforming) 방법을 사용하여 마스크 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 섀도우마스크 형성방법을 제공한다.In order to achieve this object, the present invention provides a mask pattern using a step of patterning a photoresist with an over-hang structure on a plate, and an electroforming method on a plate with a photoresist patterned with an overhang structure. It provides a shadow mask forming method comprising the step of forming a.

포토레지스트를 패터닝하는 단계는 포토레지스트를 5㎛ 이상 두께로 형성하는 것을 특징으로 한다.Patterning the photoresist is characterized in that the photoresist is formed to a thickness of 5㎛ or more.

오버행 구조는 경사가 30~60°의 범위일 수 있다.The overhang structure may have a slope in the range of 30 to 60 degrees.

마스크 패턴을 형성하는 단계는 패터닝된 포토레지스트를 제거하는 과정을 포함하며, 패터닝된 포토레지스트를 제거한 후, 포토레지스트의 잔사 및 파티클을 제거하는 애싱(Ashing) 공정을 추가로 포함할 수 있다.The forming of the mask pattern may include removing the patterned photoresist, and may further include an ashing process of removing the patterned photoresist and removing residues and particles of the photoresist.

다른 측면에서, 본 발명은 챔버, 챔버 내 일측에 배치되며 소스를 수용하고 배출시키는 증착원, 및 소스가 유통되며 출구가 입구보다 작은 형상의 하나 이상의 홀을 갖도록 전주도금 방법으로 형성되고, 증착원과 홀의 입구가 대향하도록 배치되는 섀도우마스크를 포함하는 유기전계발광소자 제조용 증착 장치를 제공한다.In another aspect, the present invention is a chamber, a deposition source disposed on one side within the chamber to receive and discharge the source, and formed by the electroplating method so that the source is distributed and the outlet has one or more holes of a smaller shape than the inlet, Provided is a deposition apparatus for manufacturing an organic light emitting display device including a shadow mask disposed to face the entrance of the hole.

섀도우마스크의 홀의 내부 경사각은 40~70°범위일 수 있다.The internal tilt angle of the hole of the shadow mask may range from 40 ° to 70 °.

또 다른 측면에서, 본 발명은 챔버 내 일측에 제 1 전극이 패터닝된 기판과, 소스가 유통되며 출구가 입구보다 작은 형상의 하나 이상의 홀을 갖도록 전주도금 방법으로 형성된 섀도우마스크를 홀의 출구가 기판과 대향하도록 얼라인하여 발광 층을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계발광소자의 제조 방법을 제공한다.In another aspect, the present invention is a shadow mask formed by a pre-plating method so that the first electrode is patterned on one side in the chamber and the source is in circulation and the outlet has one or more holes having a shape smaller than the inlet, the outlet of the hole and the substrate It provides a method of manufacturing an organic electroluminescent device comprising the step of forming a light emitting layer by aligning to face.

섀도우마스크의 홀의 내부 경사각은 40~70°범위일 수 있다.The internal tilt angle of the hole of the shadow mask may range from 40 ° to 70 °.

이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 일실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention;

도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 일실시예에 따른 섀도우마스크의 형성과정을 도시한 공정도이다.2A to 2G are flowcharts illustrating a process of forming a shadow mask according to an embodiment of the present invention.

도 2a 내지 2c를 참조하면, 포토레지스트(204)의 노광 처리 단계로 네가티브 타입의 포토레지스트 공정을 시행한다.2A to 2C, a negative type photoresist process is performed as an exposure treatment step of the photoresist 204.

우선, 평판(202) 상에 포토레지스트(204)를 5㎛ 이상 높이로 적층한다. 이와 같은 높이 범위로 포토레지스트(204) 층을 형성하는 것은 섀도우마스크의 두께를 소정크기 이상으로 확보하여 두께가 너무 얇을 때 관리상의 어려움을 해결하기 위함이다. 상세하게는 섀도우마스크의 사용과 세정 과정에서 섀도우마스크에 가해지는 외력을 포함한 사용 조건들에 의한 섀도우마스크의 변형을 방지할 수 있고, 그에 따라 공정 수율의 저하를 방지할 수 있다.First, the photoresist 204 is laminated on the flat plate 202 at a height of 5 µm or more. Forming the photoresist 204 layer in such a height range is to solve the management difficulties when the thickness of the shadow mask is secured to a predetermined size or more so that the thickness is too thin. In detail, it is possible to prevent the deformation of the shadow mask due to the use conditions including the external force applied to the shadow mask during the use of the shadow mask and the cleaning process, thereby preventing a decrease in process yield.

다음, 포토레지스트(204) 층을 선택적으로 노출시키는 패턴을 갖는 포토 마스크(205)를 포토레지스트(204) 상부에 위치시키고, 노광 처리한다. 이때, 포토레지스트(204) 층의 노광부(204a)는 오버행 구조로 경사(A1)가 30~60°의 범위가 되도록 처리한다. Next, a photo mask 205 having a pattern for selectively exposing the photoresist 204 layer is placed over the photoresist 204 and subjected to an exposure process. At this time, the exposed portion 204a of the photoresist 204 layer is processed so that the inclination A1 is in the range of 30 to 60 ° in an overhang structure.

이에 따라, 포토레지스트(204) 층은 오버행 구조의 노광부(204a)와 비처리부(204b)로 구분된다.Accordingly, the photoresist 204 layer is divided into an exposed portion 204a and an unprocessed portion 204b having an overhang structure.

도 2d 내지 2g를 참조하면, 포토레지스트 스트립(PR strip) 단계와 후처리 단계이다.2D to 2G, a photoresist strip (PR strip) step and a post-treatment step are performed.

노광 처리 후, 노광부(204a)와 비처리부(204b)로 구분된 포토레지스트(204) 층에 대하여 유기 용제를 가하면, 평판(202) 상에는 오버행 구조의 노광부(204a)만 선택적으로 남게 된다. After the exposure process, when an organic solvent is applied to the photoresist 204 layer divided into the exposed portion 204a and the untreated portion 204b, only the exposed portion 204a of the overhang structure remains selectively on the flat plate 202.

이후, 전주도금(electroforming) 방법을 사용하여 섀도우마스크의 패턴을 위한 마스크 층(206)을 석출한다.Thereafter, the mask layer 206 for the pattern of the shadow mask is deposited using an electroforming method.

또한, 포토레지스트 스트립 공정을 통해 포토레지스트의 노광부(204a)를 제거하고, 평판(202)을 제거하면, 40~70°범위의 내부 경사를 갖는 하나 이상의 홀을 포함하는 섀도우마스크(206)가 완성된다.In addition, when the exposed portion 204a of the photoresist is removed through the photoresist strip process and the flat plate 202 is removed, the shadow mask 206 including one or more holes having an internal inclination in the range of 40 to 70 ° may be formed. Is completed.

이때, 각 홀(H2)의 표면에는 포토레지스트의 잔사 및 파티클(204c)이 존재할 수 있으며, 예를 들어, 드라이 에치 애싱(dry etch ashing) 공정을 통해 제거할 수 있다. 이에 따라, 홀(H2)의 경사(taper)가 좋은 고품질의 섀도우마스크(206)을 형성할 수 있다.In this case, residues and particles 204c of the photoresist may exist on the surface of each hole H2, and may be removed by, for example, a dry etch ashing process. Thereby, the shadow mask 206 of high quality with a good taper of the hole H2 can be formed.

이상 본 발명에 사용한 전주도금(electroforming) 방법은 에칭(etching) 방법에 비해 결과물의 패턴 형성 오차 및 위치 오차가 정확하다는 장점이 있으며, 에칭 방법에 상대적으로 정밀도가 높은 레이저를 이용한 방법에서 공정 결과물의 표면에 발생할 수 있는 버(burr)로 인한 문제를 해결할 수 있다.The electroforming method used in the present invention has the advantage that the pattern formation error and the position error of the result is more accurate than the etching method, and the process result in the method using a laser having a relatively high precision relative to the etching method. The problem caused by burrs on the surface can be solved.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 증착 장치의 구조를 도시한 모식도이다.3 is a schematic diagram showing the structure of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 소스(source)를 수용하며 배출하는 증착원(302)이 챔버 내 일측에 배치된다. 한편, 증착원(302)과 대향하도록 기판(304)이 배치되며, 증착원(302)과 기판(304) 사이에는 섀도우마스크(306)가 배치된다.Referring to FIG. 3, a deposition source 302 that receives and discharges a source is disposed at one side of the chamber. Meanwhile, the substrate 304 is disposed to face the deposition source 302, and a shadow mask 306 is disposed between the deposition source 302 and the substrate 304.

예를 들어, 유기전계발광소자의 발광층(308)을 형성하는 과정이라면, 기판(304) 상에는 제 1 전극이 형성되고, 제 1 전극 상에 발광 영역을 구분하는 절연막이 형성되어 있다. 또한, 증착원(302)에는 발광층(308)의 원료가 되는 유기 화합물이 소스로서 수용되어 있다. For example, in the process of forming the light emitting layer 308 of the organic light emitting display device, a first electrode is formed on the substrate 304, and an insulating layer for dividing the light emitting region is formed on the first electrode. In the deposition source 302, an organic compound serving as a raw material of the light emitting layer 308 is housed.

또한, 증착원(304)은 열원에 의해 가열되면서 소스를 배출시켜 기판(304) 상에 발광층(308)이 형성된다.In addition, the deposition source 304 is heated by a heat source to discharge the source to form a light emitting layer 308 on the substrate (304).

도 1 및 도 3을 참조하면, 이상과 같은 발광층(308)의 증착 과정에서 홀(H3)의 내각 경사(A2)는 40~70°범위로 형성될 수 있으며, 그에 따른 증착원(302)의 위치 및 거리 조절에 의해 종래 발광층(108)에 대응되는 본 발명의 발광층(308)의 형성 영역(W3, W4) 중 종래 섀도잉 영역(W2)에 해당 되었던 영역(W4)이 최소화되거나 완전히 해결될 수 있다.1 and 3, in the deposition process of the light emitting layer 308 as described above, the inclination A2 of the inside of the hole H3 may be formed in a range of 40 ° to 70 °, and accordingly, By adjusting the position and distance, the area W4 corresponding to the conventional shadowing area W2 among the formation areas W3 and W4 of the light emitting layer 308 corresponding to the conventional light emitting layer 108 may be minimized or completely solved. Can be.

따라서, 본 발명에 따른 증착 장치 및 유기전계발광소자의 제조 방법은 섀도잉 영역 문제를 해결할 수 있다.Therefore, the deposition apparatus and the method of manufacturing the organic light emitting display device according to the present invention can solve the shadowing problem.

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수 적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Those skilled in the art to which the present invention pertains will understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are to be considered in all respects as illustrative and not restrictive, the scope of the invention being indicated by the appended claims rather than the foregoing description, It is intended that all changes and modifications derived from the equivalent concept be included within the scope of the present invention.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명은 섀도잉 영역 문제를 해결할 수 있는 섀도우마스크의 형성방법을 제공할 수 있다.The present invention made as described above can provide a method of forming a shadow mask that can solve the shadowing area problem.

다른 측면에서, 본 발명은 섀도잉 영역 문제를 해결할 수 있는 증착 장치를 제공할 수 있다.In another aspect, the present invention can provide a deposition apparatus that can solve the shadowing area problem.

또 다른 측면에서, 본 발명은 발광층의 섀도잉 영역 문제를 해결할 수 있는 유기전계발광소자의 제조 방법을 제공할 수 있다. In another aspect, the present invention can provide a method of manufacturing an organic light emitting device that can solve the problem of the shadowing area of the light emitting layer.

Claims (8)

평판 상에 오버행 구조로 포토레지스트를 패터닝하는 단계; 및Patterning the photoresist with an overhang structure on the plate; And 상기 포토레지스트가 오버행(over-hang) 구조로 패터닝된 평판 상에 전주도금(electroforming) 방법을 사용하여 마스크 패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 마스크 패턴을 형성하는 단계는 패터닝된 포토레지스트를 제거하는 과정을 포함하며, 상기 패터닝된 포토레지스트를 제거한 후, 상기 마스크의 홀의 내부에 존재하는 포토레지스트의 잔사 및 파티클을 제거하는 드라이 에치 애싱(Dry Etch Ashing) 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 섀도우마스크 형성방법.Forming a mask pattern on the flat plate on which the photoresist is patterned in an over-hang structure by using an electroforming method, wherein forming the mask pattern removes the patterned photoresist. And after removing the patterned photoresist, further comprising a dry etch ashing process of removing residues and particles of the photoresist existing inside the hole of the mask. Shadow mask forming method. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 포토레지스트를 패터닝하는 단계는 상기 포토레지스트를 5㎛ 이상 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 섀도우마스크 형성방법. The patterning of the photoresist may include forming the photoresist to a thickness of 5 μm or more. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 오버행 구조는 경사가 30~60°의 범위인 것을 특징으로 하는 섀도우마스크 형성방법.The overhang structure is a shadow mask forming method, characterized in that in the range of 30 ~ 60 °. 삭제delete 챔버;chamber; 상기 챔버 내 일측에 배치되며 소스를 수용하고 배출시키는 증착원; 및A deposition source disposed at one side of the chamber to receive and discharge a source; And 상기 소스가 유통되며 출구가 입구보다 작은 형상의 하나 이상의 홀을 갖도록 전주도금 방법으로 형성되고, 상기 증착원과 상기 홀의 입구가 대향하도록 배치되는 섀도우마스크를 포함하고, 상기 섀도우마스크의 상기 홀의 내부 경사각은 40~70°범위이고, 상기 섀도우 마스크의 상기 홀의 내부에 존재하는 포토레지스트의 잔사 및 파티클은 드라이 에치 애싱(Dry Etch Ashing) 공정으로 제거되는 것을 특징으로 하는 는 유기전계발광소자 제조용 증착 장치.And a shadow mask formed by a pre-plating method such that the source is distributed and the outlet has one or more holes having a shape smaller than the inlet, and includes a shadow mask disposed so that the deposition source and the inlet of the hole face each other. Is in the range of 40 to 70 °, and residues and particles of the photoresist existing in the hole of the shadow mask are removed by a dry etch ashing process. 삭제delete 챔버 내 일측에 제 1 전극이 패터닝된 기판과, 소스가 유통되며 출구가 입구보다 작은 형상의 하나 이상의 홀을 갖도록 전주도금 방법으로 형성된 섀도우마스크를 상기 홀의 출구가 상기 기판과 대향하도록 얼라인하여 발광층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 섀도우마스크의 상기 홀의 내부 경사각은 40~70°범위이고, 상기 섀도우 마스크의 상기 홀의 내부에 존재하는 포토레지스트의 잔사 및 파티클은 드라이 에치 애싱(Dry Etch Ashing) 공정으로 제거되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법.The light emitting layer is aligned by aligning a substrate having a patterned first electrode on one side of the chamber and a shadow mask formed by a pre-plating method such that the source is distributed and the outlet has at least one hole having a shape smaller than the inlet so that the outlet of the hole faces the substrate. And forming an inner inclination angle of the hole of the shadow mask in a range of 40 to 70 °, and residues and particles of photoresist existing in the hole of the shadow mask are subjected to a dry etch ashing process. Method for producing an organic light emitting device, characterized in that removed. 삭제delete
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