KR101284585B1 - Semiconductor device manufacturing equipment and controlling method thereof - Google Patents

Semiconductor device manufacturing equipment and controlling method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR101284585B1
KR101284585B1 KR1020130006416A KR20130006416A KR101284585B1 KR 101284585 B1 KR101284585 B1 KR 101284585B1 KR 1020130006416 A KR1020130006416 A KR 1020130006416A KR 20130006416 A KR20130006416 A KR 20130006416A KR 101284585 B1 KR101284585 B1 KR 101284585B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
raw material
vaporizer
supply unit
amount
material supply
Prior art date
Application number
KR1020130006416A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김재민
김재현
이정호
이상신
박규성
박근배
Original Assignee
주식회사 썬닉스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 썬닉스 filed Critical 주식회사 썬닉스
Priority to KR1020130006416A priority Critical patent/KR101284585B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101284585B1 publication Critical patent/KR101284585B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Abstract

PURPOSE: A semiconductor manufacturing apparatus device and a control method thereof are provided to prevent raw materials from being fixed by constantly maintaining a temperature in a vaporizer and vaporing normally the raw materials inputted to the vaporizer. CONSTITUTION: A raw material supply unit (100) supplies raw materials to a vaporizer (200) connected through a first pipe (410). The vaporizer is composed of a nozzle (210), a vaporization chamber (220), a heater (230), and a lattice plate (240). A processing chamber (300) is connected to the vaporizer through a second pipe (420). A measuring unit (500) measures the weight of the raw material supply unit at preset intervals. A control unit (600) produces the rate of change of the raw materials according to the time based on the measured weight of the raw material supply unit. [Reference numerals] (100) Raw material supply unit; (500) Measuring unit; (600) Control unit

Description

반도체 장치 제조 설비 및 그의 제어 방법{Semiconductor device manufacturing equipment and controlling method thereof}Semiconductor device manufacturing equipment and controlling method

본 명세서는 반도체 장치 제조 설비 및 그의 제어 방법에 관한 것으로, 더욱 상세히는 기화 중 다이머의 변화되는 무게를 측정하여, 상기 측정된 다이머의 무게 변화에 따라 기화 온도를 조절하는 반도체 장치 제조 설비 및 그의 제어 방법에 관한 것이다.
The present disclosure relates to a semiconductor device manufacturing facility and a control method thereof, and more particularly, to a semiconductor device manufacturing facility and a control method of measuring a changed weight of a dimer during vaporization and adjusting a vaporization temperature according to the measured weight change of the dimer. It is about a method.

일반적으로, 기화기는, 원료 물질인 원료를 기화시켜서 기체 원료를 생성하는 장치이다.Generally, a vaporizer is an apparatus which produces | generates a gaseous raw material by vaporizing the raw material which is a raw material.

이러한 기화기는, 상기 원료가 상기 기체 원료로 기화할 때, 상기 기화기의 내부 기화 온도의 변화에 따라 포화 증기압이 낮은 특성의 상기 원료가 충분히 높은 기화 온도에 의해 기화되지 못할 경우, 고착물이 생성되어 상기 기화기 내부에 퇴적되어, 상기 기화기 내부의 기화 챔버나 히터를 오염시키고, 열 전도성을 떨어뜨려 기화기의 성능을 저하하며, 충분히 기화되지 못한 원료가 상기 기화기와 연결된 공정 챔버에 공급되어 파티클(particle)을 형성하여 공정 불량을 증가시키고 생산 수율을 저하하는 문제점이 있다.
Such vaporizers, when the raw material is vaporized into the gaseous raw material, when the raw material having a characteristic of low saturated vapor pressure is not vaporized by a sufficiently high vaporization temperature in accordance with the change of the internal vaporization temperature of the vaporizer, a deposit is formed. It is deposited inside the vaporizer, contaminates the vaporization chamber or heater inside the vaporizer, degrades the thermal conductivity of the vaporizer performance, and insufficiently vaporized raw material is supplied to the process chamber connected to the vaporizer particle (particle) There is a problem in that to increase the process defects and lower the production yield by forming a.

한국 특허 출원 번호 제10-2005-0090886호Korean Patent Application No. 10-2005-0090886

본 명세서의 목적은, 기화 중, 원료(또는, 다이머)가 구비된 원료 공급부의 시간에 따른 무게 변화를 측정하여, 상기 측정된 원료 공급부(또는, 원료)의 무게 변화에 따라 기화 온도를 조절하는 반도체 장치 제조 설비 및 그의 제어 방법을 제공하는 데 있다.An object of the present specification is to adjust the evaporation temperature according to the weight change of the measured raw material supply unit (or raw material) by measuring the weight change with time of the raw material supply unit provided with the raw material (or dimer) during vaporization. There is provided a semiconductor device manufacturing facility and a control method thereof.

본 명세서의 다른 목적은, 원료 공급부(또는, 원료)의 시간에 따른 무게 변화를 근거로 상기 원료 공급부에서 상기 기화기로의 상기 원료의 공급을 위한 압력을 조절하거나 또는, 상기 원료 공급부와 상기 기화기 사이의 배관에 설치된 밸브를 제어하여 상기 원료 공급부에서 상기 기화기로 이동하는 원료의 양을 제어하는 반도체 장치 제조 설비 및 그의 제어 방법을 제공하는 데 있다.
Another object of the present specification is to adjust the pressure for the supply of the raw material from the raw material supply to the vaporizer based on the weight change with time of the raw material supply (or raw material), or between the raw material supply and the vaporizer There is provided a semiconductor device manufacturing facility and a method of controlling the same, by controlling a valve installed in a pipe of the pipe to control the amount of raw material moving from the raw material supply unit to the vaporizer.

본 명세서의 실시예에 따른 반도체 장치 제조 설비는, 원료 공급부로부터 공급되는 원료를 기화기에서 기화시켜 원료 가스를 생성하고, 상기 생성된 원료 가스를 공정 챔버에 제공하는 반도체 장치 제조 설비에 있어서, 미리 설정된 시간 간격으로 상기 원료 공급부의 무게를 측정하는 측정부; 및 상기 측정된 원료 공급부의 무게를 근거로 원료의 시간에 따른 변화율을 산출하고, 미리 설정된 원료의 변화율과 기화기의 내부 온도 매핑 정보 중에서, 상기 산출된 원료의 시간에 따른 변화율에 대응하는 기화기 내부 온도를 확인하고, 상기 확인된 기화기 내부 온도를 근거로 상기 기화기에 포함된 히터를 제어하는 제어부;를 포함할 수 있다.A semiconductor device manufacturing facility according to an embodiment of the present specification is a semiconductor device manufacturing facility that generates a source gas by vaporizing a raw material supplied from a raw material supply unit in a vaporizer, and provides the generated raw gas to a process chamber, wherein the semiconductor device manufacturing facility is set in advance. A measuring unit measuring a weight of the raw material supply unit at a time interval; And a rate of change of the raw material based on the weight of the measured raw material supply unit, and among the preset change rate of the raw material and internal temperature mapping information of the vaporizer, a vaporizer internal temperature corresponding to the calculated rate of change of the raw material over time. And a controller for controlling a heater included in the vaporizer based on the identified internal temperature of the vaporizer.

본 명세서와 관련된 일 예로서, 상기 측정부는, 상기 미리 설정된 시간 간격으로 상기 원료 공급부와 상기 기화기를 연결하는 제1 배관을 통해 이동하는 상기 원료의 양을 측정하며, 상기 제어부는, 상기 측정된 상기 원료의 양을 근거로 원료의 시간에 따른 변화율을 산출할 수 있다.As an example related to the present specification, the measuring unit measures an amount of the raw material moving through a first pipe connecting the raw material supply unit and the vaporizer at the predetermined time interval, and the control unit measures the measured The rate of change over time of the raw material can be calculated based on the amount of raw material.

본 명세서와 관련된 일 예로서, 상기 원료 공급부와 상기 기화기를 연결하는 제1 배관; 및 상기 제1 배관 상에 설치하며, 상기 원료 공급부에서 상기 기화기로 공급되는 상기 원료의 양을 제어하는 제1 밸브;를 더 포함하며, 상기 제어부는, 상기 산출된 원료의 시간에 따른 변화율을 근거로 상기 제1 밸브를 제어하여 상기 원료 공급부에서 상기 기화기로 공급되는 상기 원료의 양을 제어할 수 있다.As an example related to the present specification, a first pipe connecting the raw material supply unit and the vaporizer; And a first valve installed on the first pipe and configured to control an amount of the raw material supplied from the raw material supply unit to the vaporizer, wherein the control unit is based on the calculated rate of change of the raw material over time. The first valve may be controlled to control the amount of the raw material supplied from the raw material supply unit to the vaporizer.

본 명세서와 관련된 일 예로서, 상기 제어부는, 상기 산출된 원료의 시간에 따른 변화율을 근거로, 상기 원료 공급부에 연결된 원료용 가압 가스 공급 라인을 통해 상기 원료 공급부에 공급되는 가압 가스의 양을 제어할 수 있다.As an example related to the present specification, the control unit controls the amount of pressurized gas supplied to the raw material supply unit through a pressurized gas supply line for the raw material connected to the raw material supply unit based on the calculated change rate with time of the raw material. can do.

본 명세서와 관련된 일 예로서, 상기 기화기는, 상기 원료를 분사하는 노즐; 상기 노즐로부터 분사되는 원료를 기화하는 히터; 상기 노즐 및 상기 히터를 내부에 형성하는 기화 챔버; 및 상기 기화 챔버 내부의 임의의 위치에 고정 설치되며, 상기 기화에 의해 생성되는 원료 가스를 통해 코팅되는 격자판;을 포함할 수 있다.As an example related to the present specification, the vaporizer includes a nozzle for spraying the raw material; A heater to vaporize the raw material injected from the nozzle; A vaporization chamber forming the nozzle and the heater therein; And a grating plate fixedly installed at an arbitrary position within the vaporization chamber and coated with a raw material gas generated by the vaporization.

본 명세서의 실시예에 따른 반도체 장치 제조 설비의 제어 방법은, 원료 공급부로부터 공급되는 원료를 기화기에서 기화시켜 원료 가스를 생성하고, 상기 생성된 원료 가스를 공정 챔버에 제공하는 반도체 장치 제조 설비의 제어 방법에 있어서, 상기 반도체 장치 제조 설비에 포함된 측정부를 통해, 미리 설정된 시간 간격으로 상기 원료 공급부의 무게를 측정하는 단계; 상기 반도체 장치 제조 설비에 포함된 제어부를 통해, 상기 측정된 원료 공급부의 무게를 근거로 원료의 시간에 따른 변화율을 산출하는 단계; 상기 제어부를 통해, 미리 설정된 원료의 변화율과 기화기의 내부 온도 매핑 정보 중에서, 상기 산출된 원료의 시간에 따른 변화율에 대응하는 기화기 내부 온도를 확인하는 단계; 및 상기 제어부를 통해, 상기 확인된 기화기 내부 온도를 근거로 상기 기화기에 포함된 히터를 제어하는 단계;를 포함할 수 있다.In the method for controlling a semiconductor device manufacturing facility according to an embodiment of the present specification, the raw material supplied from the raw material supply unit is vaporized in a vaporizer to generate a source gas, and the control of the semiconductor device manufacturing facility for providing the generated source gas to a process chamber. A method, comprising: measuring a weight of the raw material supply unit at a predetermined time interval through a measuring unit included in the semiconductor device manufacturing facility; Calculating a rate of change of a raw material over time based on the measured weight of the raw material supply unit through a control unit included in the semiconductor device manufacturing facility; Identifying, through the control unit, a vaporizer internal temperature corresponding to the calculated variation rate of the raw material based on time of the raw material change rate and internal temperature mapping information of the vaporizer; And controlling, through the control unit, a heater included in the vaporizer based on the identified internal temperature of the vaporizer.

본 명세서와 관련된 일 예로서, 상기 원료 공급부의 무게를 측정하는 단계는, 상기 측정부를 통해, 상기 미리 설정된 시간 간격으로 상기 원료 공급부와 상기 기화기를 연결하는 제1 배관을 통해 이동하는 상기 원료의 양을 측정할 수 있다.As an example related to the present specification, the measuring of the weight of the raw material supply unit may include an amount of the raw material moving through the first pipe connecting the raw material supply unit and the vaporizer at the predetermined time interval through the measuring unit. Can be measured.

본 명세서의 실시예에 따른 반도체 장치 제조 설비의 제어 방법은, 원료 공급부로부터 공급되는 원료를 기화기에서 기화시켜 원료 가스를 생성하고, 상기 생성된 원료 가스를 공정 챔버에 제공하는 반도체 장치 제조 설비의 제어 방법에 있어서, 상기 반도체 장치 제조 설비에 포함된 측정부를 통해, 미리 설정된 시간 간격으로 상기 원료 공급부의 무게를 측정하는 단계; 상기 반도체 장치 제조 설비에 포함된 제어부를 통해, 상기 측정된 원료 공급부의 무게를 근거로 원료의 시간에 따른 변화율을 산출하는 단계; 및 상기 제어부를 통해, 상기 산출된 원료의 시간에 따른 변화율을 근거로 상기 원료 공급부와 상기 기화기를 연결하는 제1 배관 상에 설치된 제1 밸브를 제어하여 상기 원료 공급부에서 상기 기화기로 공급되는 상기 원료의 양을 제어하는 단계;를 포함할 수 있다.In the method for controlling a semiconductor device manufacturing facility according to an embodiment of the present specification, the raw material supplied from the raw material supply unit is vaporized in a vaporizer to generate a source gas, and the control of the semiconductor device manufacturing facility for providing the generated source gas to a process chamber. A method, comprising: measuring a weight of the raw material supply unit at a predetermined time interval through a measuring unit included in the semiconductor device manufacturing facility; Calculating a rate of change of a raw material over time based on the measured weight of the raw material supply unit through a control unit included in the semiconductor device manufacturing facility; And the raw material supplied from the raw material supply unit to the vaporizer by controlling a first valve installed on the first pipe connecting the raw material supply unit and the vaporizer based on the calculated change rate of the raw material over time. Controlling the amount of; may include.

본 명세서와 관련된 일 예로서, 상기 원료 공급부에서 상기 기화기로 공급되는 상기 원료의 양을 제어하는 단계는, 상기 제어부를 통해, 미리 설정된 원료의 변화율과 원료의 공급량 매핑 정보 중에서, 상기 산출된 원료의 시간에 따른 변화율에 대응하는 원료의 공급량을 확인하는 과정; 및 상기 제어부를 통해, 상기 확인된 원료의 공급량을 근거로 상기 제1 밸브를 제어하여, 상기 제1 배관을 통해 상기 원료 공급부에서 상기 기화기로 공급되는 상기 원료의 양을 제어하는 과정;을 포함할 수 있다.As an example related to the present specification, the controlling of the amount of the raw material supplied to the vaporizer from the raw material supply unit may include: calculating, from the predetermined rate of change of the raw material and supply amount mapping information of the raw material, through the control unit; Confirming the supply amount of the raw material corresponding to the change rate over time; And controlling, through the control unit, the amount of the raw material supplied to the vaporizer from the raw material supply unit through the first pipe by controlling the first valve based on the confirmed supply amount of the raw material. Can be.

본 명세서의 실시예에 따른 반도체 장치 제조 설비는, 원료 공급부로부터 공급되는 원료를 기화기에서 기화시켜 원료 가스를 생성하고, 상기 생성된 원료 가스를 공정 챔버에 제공하는 반도체 장치 제조 설비에 있어서, 미리 설정된 시간 간격으로 상기 생성된 원료 가스에 의해 코팅되는 격자판의 코팅 두께를 측정하는 측정부; 및 상기 측정된 코팅 두께를 근거로 시간에 따른 두께 변화율을 산출하고, 미리 설정된 두께 변화율과 기화기의 내부 온도 매핑 정보 중에서, 상기 산출된 두께 변화율에 대응하는 기화기 내부 온도를 확인하고, 상기 확인된 기화기 내부 온도를 근거로 상기 기화기에 포함된 히터를 제어하는 제어부;를 포함할 수 있다.A semiconductor device manufacturing facility according to an embodiment of the present specification is a semiconductor device manufacturing facility that generates a source gas by vaporizing a raw material supplied from a raw material supply unit in a vaporizer, and provides the generated raw gas to a process chamber, wherein the semiconductor device manufacturing facility is set in advance. A measuring unit measuring a coating thickness of a grating plate coated by the generated source gas at a time interval; And calculating a rate of change in thickness over time based on the measured coating thickness, checking a vaporizer internal temperature corresponding to the calculated thickness change rate among preset thickness change rates and internal temperature mapping information of the vaporizer, and confirming the identified vaporizer. And a controller for controlling a heater included in the vaporizer based on an internal temperature.

본 명세서와 관련된 일 예로서, 상기 원료 공급부와 상기 기화기를 연결하는 제1 배관; 및 상기 제1 배관 상에 설치하며, 상기 원료 공급부에서 상기 기화기로 공급되는 상기 원료의 양을 제어하는 제1 밸브;를 더 포함하며, 상기 제어부는, 상기 산출된 두께 변화율을 근거로 상기 제1 밸브를 제어하여 상기 원료 공급부에서 상기 기화기로 공급되는 상기 원료의 양을 제어할 수 있다.As an example related to the present specification, a first pipe connecting the raw material supply unit and the vaporizer; And a first valve installed on the first pipe and configured to control an amount of the raw material supplied from the raw material supply unit to the vaporizer, wherein the control unit comprises: the first valve based on the calculated thickness change rate; The valve may be controlled to control the amount of the raw material supplied from the raw material supply unit to the vaporizer.

본 명세서와 관련된 일 예로서, 상기 제어부는, 상기 산출된 두께 변화율을 근거로, 상기 원료 공급부에 연결된 원료용 가압 가스 공급 라인을 통해 상기 원료 공급부에 공급되는 가압 가스의 양을 제어할 수 있다.As an example related to the present specification, the controller may control the amount of pressurized gas supplied to the raw material supply unit through a pressurized gas supply line for the raw material connected to the raw material supply unit based on the calculated thickness change rate.

본 명세서의 실시예에 따른 반도체 장치 제조 설비의 제어 방법은, 원료 공급부로부터 공급되는 원료를 기화기에서 기화시켜 원료 가스를 생성하고, 상기 생성된 원료 가스를 공정 챔버에 제공하는 반도체 장치 제조 설비의 제어 방법에 있어서, 상기 반도체 장치 제조 설비에 포함된 측정부를 통해, 미리 설정된 시간 간격으로 상기 생성된 원료 가스에 의해 코팅되는 격자판의 코팅 두께를 측정하는 단계; 상기 반도체 장치 제조 설비에 포함된 제어부를 통해, 상기 측정된 코팅 두께를 근거로 시간에 따른 두께 변화율을 산출하는 단계; 상기 제어부를 통해, 미리 설정된 두께 변화율과 기화기의 내부 온도 매핑 정보 중에서, 상기 산출된 두께 변화율에 대응하는 기화기 내부 온도를 확인하는 단계; 및 상기 제어부를 통해, 상기 확인된 기화기 내부 온도를 근거로 상기 기화기에 포함된 히터를 제어하는 단계;를 포함할 수 있다.In the method for controlling a semiconductor device manufacturing facility according to an embodiment of the present specification, the raw material supplied from the raw material supply unit is vaporized in a vaporizer to generate a source gas, and the control of the semiconductor device manufacturing facility for providing the generated source gas to a process chamber. A method, comprising: measuring a coating thickness of a grating plate coated by the generated source gas at a predetermined time interval through a measuring unit included in the semiconductor device manufacturing facility; Calculating a thickness change rate with time based on the measured coating thickness through a control unit included in the semiconductor device manufacturing facility; Identifying, through the control unit, a vaporizer internal temperature corresponding to the calculated thickness variation rate among preset thickness change rates and internal temperature mapping information of the vaporizer; And controlling, through the control unit, a heater included in the vaporizer based on the identified internal temperature of the vaporizer.

본 명세서의 실시예에 따른 반도체 장치 제조 설비의 제어 방법은, 원료 공급부로부터 공급되는 원료를 기화기에서 기화시켜 원료 가스를 생성하고, 상기 생성된 원료 가스를 공정 챔버에 제공하는 반도체 장치 제조 설비의 제어 방법에 있어서, 상기 반도체 장치 제조 설비에 포함된 측정부를 통해, 미리 설정된 시간 간격으로 상기 생성된 원료 가스에 의해 코팅되는 격자판의 코팅 두께를 측정하는 단계; 상기 반도체 장치 제조 설비에 포함된 제어부를 통해, 상기 측정된 코팅 두께를 근거로 시간에 따른 두께 변화율을 산출하는 단계; 및 상기 제어부를 통해, 상기 산출된 두께 변화율을 근거로 상기 원료 공급부와 상기 기화기를 연결하는 제1 배관 상에 설치된 제1 밸브를 제어하여 상기 원료 공급부에서 상기 기화기로 공급되는 상기 원료의 양을 제어하는 단계;를 포함할 수 있다.In the method for controlling a semiconductor device manufacturing facility according to an embodiment of the present specification, the raw material supplied from the raw material supply unit is vaporized in a vaporizer to generate a source gas, and the control of the semiconductor device manufacturing facility for providing the generated source gas to a process chamber. A method, comprising: measuring a coating thickness of a grating plate coated by the generated source gas at a predetermined time interval through a measuring unit included in the semiconductor device manufacturing facility; Calculating a thickness change rate with time based on the measured coating thickness through a control unit included in the semiconductor device manufacturing facility; And controlling the amount of the raw material supplied from the raw material supply unit to the vaporizer by controlling a first valve installed on the first pipe connecting the raw material supply unit and the vaporizer based on the calculated thickness change rate. It may include;

본 명세서와 관련된 일 예로서, 상기 원료 공급부에서 상기 기화기로 공급되는 상기 원료의 양을 제어하는 단계는, 상기 제어부를 통해, 미리 설정된 두께 변화율과 원료의 공급량 매핑 정보 중에서, 상기 산출된 두께 변화율에 대응하는 원료의 공급량을 확인하는 과정; 및 상기 제어부를 통해, 상기 확인된 원료의 공급량을 근거로 상기 제1 밸브를 제어하여, 상기 제1 배관을 통해 상기 원료 공급부에서 상기 기화기로 공급되는 상기 원료의 양을 제어하는 과정;을 포함할 수 있다.
As an example related to the present specification, the controlling of the amount of the raw material supplied to the vaporizer from the raw material supplying part may include: controlling the amount of the raw material supplied to the vaporizer through the calculated thickness change rate from preset thickness change rate and supply amount mapping information of the raw material. Confirming the supply amount of the corresponding raw material; And controlling, through the control unit, the amount of the raw material supplied to the vaporizer from the raw material supply unit through the first pipe by controlling the first valve based on the confirmed supply amount of the raw material. Can be.

본 명세서의 실시예에 따른 반도체 장치 제조 설비 및 그의 제어 방법은, 기화 중, 원료(또는, 다이머)가 구비된 원료 공급부의 시간에 따른 무게 변화를 측정하여, 상기 측정된 원료 공급부(또는, 원료)의 무게 변화에 따라 기화 온도를 조절함으로써, 상기 기화기 내의 온도를 일정하게 유지하여 상기 기화기에 유입되는 상기 원료를 정상적으로 기화시켜 상기 원료의 고착물 생성을 방지하고, 열 전도성을 일정하게 유지할 수 있다.The semiconductor device manufacturing equipment and the control method thereof according to an embodiment of the present specification measure a change in weight with time of a raw material supply unit provided with a raw material (or a dimer) during vaporization, thereby measuring the measured raw material supply unit (or raw material). By controlling the vaporization temperature according to the weight change of), the temperature in the vaporizer is kept constant so that the raw material flowing into the vaporizer is vaporized normally to prevent the formation of deposits of the raw material, and the thermal conductivity can be kept constant. .

또한, 본 명세서의 실시예에 따른 반도체 장치 제조 설비 및 그의 제어 방법은, 원료 공급부(또는, 원료)의 시간에 따른 무게 변화를 근거로 상기 원료 공급부에서 상기 기화기로의 상기 원료의 공급을 위한 압력을 조절하거나 또는, 상기 원료 공급부와 상기 기화기 사이의 배관에 설치된 밸브를 제어하여 상기 원료 공급부에서 상기 기화기로 이동하는 원료의 양을 제어함으로써, 상기 기화기에 유입되는 상기 원료를 정상적으로 기화시켜 상기 기화기 내부의 기화 챔버나 히터 오염을 방지하고, 생산 수율을 향상시킬 수 있다.
In addition, the semiconductor device manufacturing equipment and the control method thereof according to the embodiment of the present specification, the pressure for the supply of the raw material from the raw material supply to the vaporizer based on the weight change with time of the raw material supply (or raw material). Or by controlling a valve installed in a pipe between the raw material supply unit and the vaporizer to control the amount of raw material moving from the raw material supply unit to the vaporizer, thereby vaporizing the raw material introduced into the vaporizer normally to the inside of the vaporizer. The contamination of the vaporization chamber and the heater can be prevented and the production yield can be improved.

도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 반도체 장치 제조 설비의 구성을 나타낸 블록도이다.
도 2는 본 명세서의 실시예에 따른 반도체 장치 제조 설비의 구성을 나타낸 블록도이다.
도 3은 본 명세서의 제1 실시예에 따른 반도체 장치 제조 설비의 통신 과정을 보인 신호 흐름도이다.
도 4는 본 명세서의 제2 실시예에 따른 반도체 장치 제조 설비의 통신 과정을 보인 신호 흐름도이다.
도 5는 본 명세서의 제3 실시예에 따른 반도체 장치 제조 설비의 통신 과정을 보인 신호 흐름도이다.
도 6은 본 명세서의 제4 실시예에 따른 반도체 장치 제조 설비의 통신 과정을 보인 신호 흐름도이다.1 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor device manufacturing facility according to an embodiment of the present specification.
2 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor device manufacturing facility according to an embodiment of the present specification.
3 is a signal flowchart illustrating a communication process of a semiconductor device manufacturing facility according to the first embodiment of the present specification.
4 is a signal flowchart illustrating a communication process of a semiconductor device manufacturing facility according to a second exemplary embodiment of the present specification.
5 is a signal flowchart illustrating a communication process of a semiconductor device manufacturing facility according to a third exemplary embodiment of the present specification.
6 is a signal flowchart illustrating a communication process of a semiconductor device manufacturing apparatus according to a fourth embodiment of the present specification.

본 명세서에서 사용되는 기술적 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아님을 유의해야 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 기술적 용어는 본 명세서에서 특별히 다른 의미로 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 의미로 해석되어야 하며, 과도하게 포괄적인 의미로 해석되거나, 과도하게 축소된 의미로 해석되지 않아야 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 기술적인 용어가 본 발명의 사상을 정확하게 표현하지 못하는 잘못된 기술적 용어일 때에는, 당업자가 올바르게 이해할 수 있는 기술적 용어로 대체되어 이해되어야 할 것이다. 또한, 본 발명에서 사용되는 일반적인 용어는 사전에 정의되어 있는 바에 따라, 또는 전후 문맥상에 따라 해석되어야 하며, 과도하게 축소된 의미로 해석되지 않아야 한다.It is to be noted that the technical terms used herein are merely used to describe particular embodiments, and are not intended to limit the present invention. It is also to be understood that the technical terms used herein are to be interpreted in a sense generally understood by a person skilled in the art to which the present invention belongs, Should not be construed to mean, or be interpreted in an excessively reduced sense. In addition, when the technical terms used herein are incorrect technical terms that do not accurately express the spirit of the present invention, they should be replaced with technical terms that can be understood correctly by those skilled in the art. In addition, the general terms used in the present invention should be interpreted according to a predefined or prior context, and should not be construed as being excessively reduced.

또한, 본 명세서에서 사용되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "구성된다" 또는 "포함한다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 여러 구성 요소들, 또는 여러 단계를 반드시 모두 포함하는 것으로 해석되지 않아야 하며, 그 중 일부 구성 요소들 또는 일부 단계들은 포함되지 않을 수도 있고, 또는 추가적인 구성 요소 또는 단계들을 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다.Also, the singular forms "as used herein include plural referents unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the term "comprising" or "comprising" or the like should not be construed as necessarily including the various elements or steps described in the specification, Or may be further comprised of additional components or steps.

또한, 본 명세서에서 사용되는 제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.Furthermore, terms including ordinals such as first, second, etc. used in this specification can be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to like or similar elements throughout the several views, and redundant description thereof will be omitted.

또한, 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 발명의 사상을 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 발명의 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. It is to be noted that the accompanying drawings are only for the purpose of facilitating understanding of the present invention, and should not be construed as limiting the scope of the present invention with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 반도체 장치 제조 설비(10)의 구성을 나타낸 블록도이다.1 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor device manufacturing facility 10 according to an embodiment of the present specification.

도 1에 도시한 바와 같이, 반도체 장치 제조 설비(10)는, 원료 공급부(100), 기화기(200), 공정 챔버(300), 제1 배관(410), 제2 배관(420), 측정부(500), 제어부(600) 및, 제1 밸브(710)로 구성된다. 도 1에 도시된 반도체 장치 제조 설비(10)의 구성 요소 모두가 필수 구성 요소인 것은 아니며, 도 1에 도시된 구성 요소보다 많은 구성 요소에 의해 반도체 장치 제조 설비(10)가 구현될 수도 있고, 그보다 적은 구성 요소에 의해서도 반도체 장치 제조 설비(10)가 구현될 수도 있다.As shown in FIG. 1, the semiconductor device manufacturing facility 10 includes a raw material supply unit 100, a vaporizer 200, a process chamber 300, a first pipe 410, a second pipe 420, and a measurement unit. 500, the control unit 600, and the first valve 710. Not all components of the semiconductor device manufacturing facility 10 shown in FIG. 1 are essential components, and the semiconductor device manufacturing facility 10 may be implemented by more components than those shown in FIG. 1, The semiconductor device manufacturing facility 10 may also be implemented by fewer components.

상기 원료 공급부(100)는, 원료를 보관(또는, 저장)한다. 여기서, 상기 원료는, 액체 원료(또는, 다이머(dimer)) 또는 고체 원료일 수 있다. 이때, 상기 액체 원료는, 상온에서 고체를 용매에 녹인 용액이거나 또는, 상온에서 액체 상인 액체 유기 금속 또는 유기 금속 용액일 수 있다. 또한, 상기 액체 유기 금속은, 구리(Cu) 및, 탄탈륨(Ta) 등일 수 있고, 상기 유기 금속 용액은, 바륨(Ba), 스트론튬(Sr), 티타늄(Ti), 납(Pb) 및, 지르코늄(Zr) 등의 용액일 수 있다. 또한, 상기 고체 원료는, 분말 형태의 패럴린 N(poly(Para-Xylene)), 패럴린 C(poly(Chloro-Para-Xylylene)), 패럴린 D(poly(Di-Chloro-Para-Xylylene)) 및, 패럴린 F(poly(tetrafluoro-[2,2]para-Xylylene)) 등일 수 있다.The raw material supply unit 100 stores (or stores) raw materials. Here, the raw material may be a liquid raw material (or a dimer) or a solid raw material. In this case, the liquid raw material may be a solution in which a solid is dissolved in a solvent at room temperature, or may be a liquid organometallic or organic metal solution in a liquid phase at room temperature. The liquid organic metal may be copper (Cu), tantalum (Ta), or the like, and the organic metal solution may include barium (Ba), strontium (Sr), titanium (Ti), lead (Pb), and zirconium. It may be a solution such as (Zr). In addition, the solid raw material, parylene N (poly (Para-Xylene)) in the form of a powder, paraline C (poly (Chloro-Para-Xylylene)), parylene D (poly (Di-Chloro-Para-Xylylene) ), And parylene F (poly (tetrafluoro- [2,2] para-Xylylene)) and the like.

또한, 상기 원료 공급부(100)는, 상기 제1 배관(410)을 통해 연결된 상기 기화기(200)에 상기 원료 공급부(100)에 보관된 상기 원료를 공급한다. 이때, 상기 원료 공급부(100)는, 상기 제어부(600)의 제어에 의해, 상기 제1 배관(410) 상에 설치된 상기 제1 밸브(710)를 통해 상기 기화기(200)로 공급되는 상기 원료의 양(또는, 흐름)이 자동 제어(또는, 조절)된다.In addition, the raw material supply unit 100 supplies the raw material stored in the raw material supply unit 100 to the vaporizer 200 connected through the first pipe 410. At this time, the raw material supply unit 100 of the raw material supplied to the vaporizer 200 through the first valve 710 provided on the first pipe 410 under the control of the control unit 600. The amount (or flow) is automatically controlled (or adjusted).

또한, 상기 원료 공급부(100)는, 상기 제어부(600)의 제어에 의해, 상기 원료 공급부(100)의 다른 일측에 연결된 원료용 가압 가스 공급 라인(미도시)을 통해 상기 기화기(200)로 공급되는 상기 원료의 양(또는, 흐름)이 자동 제어(또는, 조절)된다.In addition, the raw material supply unit 100 is supplied to the vaporizer 200 through a pressurized gas supply line (not shown) for the raw material connected to the other side of the raw material supply unit 100 under the control of the control unit 600. The amount (or flow) of the raw material to be controlled is automatically controlled (or adjusted).

또한, 상기 반도체 장치 제조 설비(10)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 캐리어 가스 공급부(800) 및, 제2 밸브(720)를 더 포함하도록 구성할 수도 있다.In addition, the semiconductor device manufacturing facility 10 may be configured to further include a carrier gas supply unit 800 and a second valve 720 as shown in FIG. 2.

상기 캐리어 가스 공급부(800)는, 캐리어 가스를 보관(또는, 저장)한다. 여기서, 상기 캐리어 가스는, 상기 원료와 반응하지 않는 것이 바람직하며, 질소(N) 또는 아르곤(Ar) 등의 불활성 가스(또는, 불활성 기체)일 수 있다.The carrier gas supply unit 800 stores (or stores) a carrier gas. Here, the carrier gas is preferably not reacted with the raw material, and may be an inert gas (or an inert gas) such as nitrogen (N) or argon (Ar).

또한, 상기 캐리어 가스 공급부(800)는, 상기 제1 배관(410)을 통해 연결된 상기 기화기(200)에 상기 캐리어 가스 공급부(800)에 보관된 상기 캐리어 가스를 공급한다. 이때, 상기 캐리어 가스 공급부(800)는, 상기 제어부(600)의 제어에 의해, 상기 제1 배관(410) 상에 설치된 상기 제2 밸브(720)를 통해 상기 기화기(200)로 공급되는 상기 캐리어 가스의 양(또는, 흐름)이 자동 제어(또는, 조절)된다.In addition, the carrier gas supply unit 800 supplies the carrier gas stored in the carrier gas supply unit 800 to the vaporizer 200 connected through the first pipe 410. In this case, the carrier gas supply unit 800 is supplied to the carburetor 200 through the second valve 720 provided on the first pipe 410 under the control of the controller 600. The amount (or flow) of gas is automatically controlled (or regulated).

또한, 상기 캐리어 가스 공급부(800)는, 상기 제어부(600)의 제어에 의해, 상기 캐리어 가스 공급부(800)의 다른 일측에 연결된 캐리어 가스용 가압 가스 공급 라인(미도시)을 통해 상기 기화기(200)로 공급되는 상기 캐리어 가스의 양(또는, 흐름)이 자동 제어(또는, 조절)된다.In addition, the carrier gas supply unit 800 is controlled by the control unit 600, the vaporizer 200 through a carrier gas pressurized gas supply line (not shown) connected to the other side of the carrier gas supply unit 800. The amount (or flow) of the carrier gas supplied to is automatically controlled (or regulated).

상기 실시예에서는, 상기 원료 공급부(100)와 상기 캐리어 가스 공급부(800)가 동일한 상기 제1 배관(410)을 통해 상기 기화기(200)와 연결되는 것으로 설명하고 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 원료 공급부(100)와 상기 캐리어 가스 공급부(800)가 각각의 배관을 통해 상기 기화기(200)와 연결될 수도 있다.In the above embodiment, the raw material supply unit 100 and the carrier gas supply unit 800 are described as being connected to the vaporizer 200 through the same first pipe 410, but is not limited thereto. The supply unit 100 and the carrier gas supply unit 800 may be connected to the vaporizer 200 through respective pipes.

상기 기화기(200)는, 상기 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 노즐(210), 기화 챔버(220), 히터(230) 및, 격자판(240)으로 구성된다. 도 1 및 도 2에 도시된 기화기(200)의 구성 요소 모두가 필수 구성 요소인 것은 아니며, 도 1 및 도 2에 도시된 구성 요소보다 많은 구성 요소에 의해 기화기(200)가 구현될 수도 있고, 그보다 적은 구성 요소에 의해서도 기화기(200)가 구현될 수도 있다.As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the vaporizer 200 includes a nozzle 210, a vaporization chamber 220, a heater 230, and a grating plate 240. Not all components of the vaporizer 200 illustrated in FIGS. 1 and 2 are essential components, and the vaporizer 200 may be implemented by more components than those illustrated in FIGS. 1 and 2. The vaporizer 200 may also be implemented by fewer components.

상기 노즐(210)은, 상기 도 1에 도시한 바와 같이, 상기 제1 배관(410)을 통해 상기 원료 공급부(100)로부터 공급되는 상기 원료를 상기 기화 챔버(220) 내로 분사한다.As illustrated in FIG. 1, the nozzle 210 injects the raw material supplied from the raw material supply unit 100 through the first pipe 410 into the vaporization chamber 220.

또한, 상기 노즐(210)은, 상기 도 2에 도시한 바와 같이, 상기 제1 배관(410)을 통해 상기 원료 공급부(100)와 상기 캐리어 가스 공급부(800)로부터 각각 공급되는 상기 원료와 상기 캐리어 가스를 상기 기화 챔버(220) 내로 분사한다.In addition, the nozzle 210, as shown in FIG. 2, the raw material and the carrier are respectively supplied from the raw material supply unit 100 and the carrier gas supply unit 800 through the first pipe 410. Gas is injected into the vaporization chamber 220.

상기 기화 챔버(220)는, 상기 노즐(210), 상기 히터(230) 및, 상기 격자판(240)을 내부에 포함한다.The vaporization chamber 220 includes the nozzle 210, the heater 230, and the grating plate 240 therein.

또한, 상기 기화 챔버(220)의 일측은, 상기 제2 배관(420)을 통해 상기 공정 챔버(300)와 연결한다.In addition, one side of the vaporization chamber 220 is connected to the process chamber 300 through the second pipe 420.

즉, 상기 기화 챔버(220)에서 생성한 원료 가스는, 상기 제2 배관(420)을 통해 상기 공정 챔버(300)에 공급된다.That is, the source gas generated in the vaporization chamber 220 is supplied to the process chamber 300 through the second pipe 420.

상기 히터(230)는, 상기 기화 챔버(220) 내부의 임의의 위치에 고정하여 설치한다.The heater 230 is fixedly installed at an arbitrary position inside the vaporization chamber 220.

또한, 상기 히터(230)는, 상기 기화 챔버(220) 내부를 고온으로 가열하여 상기 노즐(210)을 통해 분사되는 상기 원료를 기화시켜 상기 원료 가스를 생성한다.In addition, the heater 230 heats the inside of the vaporization chamber 220 to a high temperature to vaporize the raw material injected through the nozzle 210 to generate the raw material gas.

또한, 상기 히터(230)는, 상기 기화 챔버(220) 내부를 고온으로 가열하여 상기 노즐(210)을 통해 분사되는 혼합 물질(또는, 상기 원료와 상기 캐리어 가스의 혼합 물질)을 기화시켜, 상기 원료 가스를 생성한다.In addition, the heater 230 heats the inside of the vaporization chamber 220 to a high temperature to vaporize a mixed material (or a mixed material of the raw material and the carrier gas) injected through the nozzle 210, Generate raw gas.

상기 격자판(240)은, 상기 기화 챔버(220) 내부의 임의의 위치에 고정하여 설치한다.The grating plate 240 is fixed and installed at an arbitrary position inside the vaporization chamber 220.

또한, 상기 격자판(240)은, 상기 히터(230)에 의해 생성되는 상기 원료 가스에 의해, 시간에 따라 코팅 두께가 변화한다.In addition, the coating plate of the grating plate 240 changes with time by the source gas generated by the heater 230.

상기 공정 챔버(300)는, 상기 제2 배관(420)을 통해 상기 기화기(200)와 연결한다.The process chamber 300 is connected to the vaporizer 200 through the second pipe 420.

또한, 상기 공정 챔버(300)는, 상기 제2 배관(420)을 통해 상기 기화기(200)로부터 공급되는(또는, 전달되는) 상기 원료 가스를 근거로 동작한다.In addition, the process chamber 300 operates on the basis of the source gas supplied from (or delivered to) the vaporizer 200 through the second pipe 420.

상기 측정부(또는, 센서부/감지부)(600)는, 미리 설정된 시간 간격으로 상기 원료 공급부(100)(및/또는 상기 캐리어 가스 공급부(800))의 무게를 측정한다. 이때, 상기 측정부(500)는, 상기 미리 설정된 시간 간격으로, 상기 제1 배관을 통해 이동하는 상기 원료의 양(및/또는 상기 캐리어 가스의 양)을 측정할 수도 있다.The measuring unit (or sensor unit / detecting unit) 600 measures the weight of the raw material supply unit 100 (and / or the carrier gas supply unit 800) at predetermined time intervals. In this case, the measurement unit 500 may measure the amount of the raw material (and / or the amount of the carrier gas) moving through the first pipe at the predetermined time interval.

또한, 상기 측정부(500)는, 상기 미리 설정된 시간 간격으로 상기 격자판(240)의 두께(또는, 코팅 두께)를 측정한다.In addition, the measurement unit 500 measures the thickness (or coating thickness) of the grating plate 240 at the predetermined time interval.

상기 제어부(600)는, 상기 반도체 장치 제조 설비(10)의 전반적인 제어 기능을 수행한다.The controller 600 performs an overall control function of the semiconductor device manufacturing facility 10.

또한, 상기 제어부(600)는, 상기 측정부(500)로부터 측정된 상기 원료 공급부(100)의 무게(또는, 상기 측정된 상기 원료의 양)(및/또는 상기 측정된 상기 캐리어 가스의 양)를 근거로, 상기 원료 공급부(100)에 구비된(또는, 상기 기화 챔버(220)로 공급되는) 상기 원료의 시간에 따른 변화율(또는, 상기 원료의 변화율)(또는, 상기 캐리어 가스의 시간에 따른 변화율)을 산출한다.In addition, the control unit 600, the weight of the raw material supply unit 100 measured from the measuring unit 500 (or the amount of the measured raw material) (and / or the amount of the carrier gas measured) The change rate according to the time of the raw material (or the rate of change of the raw material) provided in the raw material supply unit 100 (or supplied to the vaporization chamber 220) (or the time of the carrier gas) Rate of change).

또한, 상기 제어부(600)는, 미리 설정된(또는, 미리 저장된) 원료의 변화율과 기화기의 내부 온도 매핑 정보 중에서, 상기 산출된 원료의 시간에 따른 변화율에 대응하는 기화기의 내부 온도를 확인한다.In addition, the controller 600 checks the internal temperature of the vaporizer corresponding to the calculated rate of change of the raw material from the preset rate of change of the raw material and the internal temperature mapping information of the vaporizer.

또한, 상기 제어부(600)는, 미리 설정된(또는, 미리 저장된) 원료(또는, 캐리어 가스)의 변화율과 기화기의 내부 온도 매핑 정보 중에서, 상기 산출된 캐리어 가스의 시간에 따른 변화율에 대응하는 기화기의 내부 온도를 확인한다.In addition, the control unit 600 of the change rate of the preset (or pre-stored) raw material (or carrier gas) and the internal temperature mapping information of the vaporizer, the control unit 600 of the vaporizer corresponding to the calculated rate of change of the carrier gas over time Check the internal temperature.

또한, 상기 제어부(600)는, 상기 확인된 기화기의 내부 온도를 근거로 상기 히터(230)(또는, 상기 히터(230)의 온도)를 제어하여, 상기 기화 챔버(220) 내부의 온도(또는, 상기 기화기(200)의 작동/동작 온도)를 상기 확인된 기화기의 내부 온도로 제어한다.In addition, the controller 600 controls the heater 230 (or the temperature of the heater 230) on the basis of the identified internal temperature of the vaporizer, so that the temperature (or , The operating / operating temperature of the vaporizer 200) is controlled to the internal temperature of the identified vaporizer.

또한, 상기 제어부(600)는, 상기 산출된 원료의 시간에 따른 변화율을 근거로 상기 제1 배관(410) 상에 설치된 상기 제1 밸브(710)를 제어하여 상기 원료 공급부(100)로부터 상기 기화기(200)로 공급되는 원료의 양을 조절(또는, 제어)하거나 또는, 상기 제1 배관(410) 상에 설치된 상기 제2 밸브(720)를 제어하여 상기 캐리어 가스 공급부(800)로부터 상기 기화기(200)로 공급되는 캐리어 가스의 양을 조절한다.In addition, the controller 600 controls the first valve 710 installed on the first pipe 410 on the basis of the calculated change rate with time of the raw material from the raw material supply unit 100 to the vaporizer. The amount of raw material supplied to the 200 may be adjusted (or controlled) or the second valve 720 installed on the first pipe 410 may be controlled so that the vaporizer (the vaporizer) may be controlled from the carrier gas supply unit 800. 200) to adjust the amount of carrier gas supplied.

또한, 상기 제어부(600)는, 상기 산출된 캐리어 가스의 시간에 따른 변화율을 근거로 상기 제1 배관(410) 상에 설치된 상기 제1 밸브(710)를 제어하여 상기 원료 공급부(100)로부터 상기 기화기(200)로 공급되는 원료의 양을 조절(또는, 제어)하거나 또는, 상기 제1 배관(410) 상에 설치된 상기 제2 밸브(720)를 제어하여 상기 캐리어 가스 공급부(800)로부터 상기 기화기(200)로 공급되는 캐리어 가스의 양을 조절한다.In addition, the controller 600 controls the first valve 710 installed on the first pipe 410 based on the calculated change rate of the carrier gas with time, from the raw material supply unit 100. The amount of raw material supplied to the vaporizer 200 may be adjusted (or controlled) or the second valve 720 installed on the first pipe 410 may be controlled to provide the vaporizer from the carrier gas supply unit 800. Adjust the amount of carrier gas supplied to 200.

즉, 상기 제어부(600)는, 미리 설정된 원료의 변화율(및/또는, 상기 미리 설정된 캐리어 가스의 변화율)과 원료(및/또는, 캐리어 가스)의 공급량 매핑 정보 중에서, 상기 산출된 원료의 시간에 따른 변화율에 대응하는 원료의 공급량(및/또는, 캐리어 가스의 공급량)을 확인한다. 이후, 상기 제어부(600)는, 상기 확인된 원료의 공급량(및/또는, 상기 확인된 캐리어 가스의 공급량)을 근거로 상기 제1 밸브(710)(및/또는, 상기 제2 밸브(720))를 제어하여, 상기 제1 배관(410)을 통해 상기 원료 공급부(100)(및/또는, 상기 캐리어 가스 공급부(800))에서 상기 기화기(200)로 공급되는 원료의 양(및/또는, 캐리어 가스의 양)을 제어(또는, 조절)한다.That is, the control unit 600, at the time of the calculated raw material, from the supply rate mapping information of the preset change rate (and / or change rate of the carrier gas) and the raw material (and / or carrier gas). The supply amount of the raw material (and / or the supply amount of the carrier gas) corresponding to the change rate according to the change is confirmed. Thereafter, the controller 600 controls the first valve 710 (and / or the second valve 720) based on the confirmed supply amount of the raw material (and / or the confirmed supply amount of the carrier gas). ) To control the amount of raw material supplied to the vaporizer 200 from the raw material supply part 100 (and / or the carrier gas supply part 800) through the first pipe 410. Amount of carrier gas) is controlled (or adjusted).

또한, 상기 제어부(600)는, 상기 확인된 원료의 공급량(및/또는, 상기 확인된 캐리어 가스의 공급량)(또는, 상기 산출된 원료의 시간에 따른 변화율)을 근거로 상기 원료용 가압 가스 공급 라인(및/또는, 상기 캐리어 가스용 가압 가스 공급 라인)을 통해 상기 원료 공급부(100)(및/또는, 상기 캐리어 가스 공급부(800))에 상기 확인된 원료의 공급량(및/또는, 상기 캐리어 가스의 공급량)에 대응하는 특정 압력의 가압 가스를 공급하여, 상기 제1 배관(410)을 통해 상기 원료 공급부(100)(및/또는, 상기 캐리어 가스 공급부(800))에서 상기 기화기(200)로 공급되는 원료의 양(및/또는, 캐리어 가스의 양)을 제어할 수도 있다.The control unit 600 may supply the pressurized gas for the raw material based on the confirmed supply amount of the raw material (and / or the confirmed supply amount of the carrier gas) (or the rate of change of the calculated raw material over time). Supply amount of the identified raw material (and / or the carrier) to the raw material supply unit 100 (and / or the carrier gas supply unit 800) via a line (and / or pressurized gas supply line for the carrier gas) The pressurized gas of a specific pressure corresponding to the supply amount of gas) is supplied, and the vaporizer 200 is supplied from the raw material supply part 100 (and / or the carrier gas supply part 800) through the first pipe 410. The amount of raw material (and / or amount of carrier gas) supplied to the furnace may be controlled.

또한, 상기 제어부(600)는, 상기 측정부(500)로부터 측정된 상기 격자판(240)의 두께를 근거로, 시간에 따른 두께 변화율을 산출한다.In addition, the controller 600 calculates a thickness change rate with time based on the thickness of the grating plate 240 measured from the measurement unit 500.

또한, 상기 제어부(600)는, 미리 설정된 두께 변화율과 기화기 내부 온도 매핑 정보 중에서, 상기 산출된 두께 변화율에 대응하는 기화기 내부 온도를 확인한다.In addition, the controller 600 confirms the vaporizer internal temperature corresponding to the calculated thickness variation rate among preset thickness change rates and vaporizer internal temperature mapping information.

또한, 상기 제어부(600)는, 상기 확인된 기화기 내부 온도를 근거로 상기 히터(230)(또는, 상기 히터(230)의 온도)를 제어하여, 상기 기화 챔버(220) 내부의 온도를 상기 확인된 기화기의 내부 온도로 제어한다.In addition, the controller 600 controls the heater 230 (or the temperature of the heater 230) on the basis of the confirmed internal vaporizer temperature to check the temperature inside the vaporization chamber 220. The internal temperature of the carburetor.

또한, 상기 제어부(600)는, 상기 산출된 상기 격자판(240)의 시간에 따른 두께 변화율을 근거로 상기 제1 배관(410) 상에 설치된 상기 제1 밸브(710)를 제어하여 상기 원료 공급부(100)로부터 상기 기화기(200)로 공급되는 원료의 양을 조절(또는, 제어)하거나 또는, 상기 제1 배관(410) 상에 설치된 상기 제2 밸브(720)를 제어하여 상기 캐리어 가스 공급부(800)로부터 상기 기화기(200)로 공급되는 캐리어 가스의 양을 조절한다.In addition, the control unit 600 controls the first valve 710 installed on the first pipe 410 based on the calculated thickness change rate of the grating plate 240 with the raw material supply unit ( The carrier gas supply unit 800 is controlled by adjusting (or controlling) the amount of raw material supplied from the 100 to the vaporizer 200 or by controlling the second valve 720 installed on the first pipe 410. Adjust the amount of carrier gas supplied to the vaporizer 200 from the).

즉, 상기 제어부(600)는, 미리 설정된 두께 변화율과 원료(및/또는, 캐리어 가스)의 공급량 매핑 정보 중에서, 상기 산출된 상기 격자판(240)의 시간에 따른 두께 변화율에 대응하는 원료의 공급량(및/또는, 캐리어 가스의 공급량)을 확인한다. 이후, 상기 제어부(600)는, 상기 확인된 원료의 공급량(및/또는, 상기 확인된 캐리어 가스의 공급량)을 근거로 상기 제1 밸브(710)(및/또는, 상기 제2 밸브(720))를 제어하여, 상기 제1 배관(410)을 통해 상기 원료 공급부(100)(및/또는, 상기 캐리어 가스 공급부(800))에서 상기 기화기(200)로 공급되는 원료의 양(및/또는, 캐리어 가스의 양)을 제어(또는, 조절)한다.That is, the control unit 600 is a supply amount of the raw material corresponding to the thickness change rate over time of the calculated grating plate 240 among the preset thickness change rate and supply amount mapping information of the raw material (and / or carrier gas) ( And / or the supply amount of the carrier gas). Thereafter, the controller 600 controls the first valve 710 (and / or the second valve 720) based on the confirmed supply amount of the raw material (and / or the confirmed supply amount of the carrier gas). ) To control the amount of raw material supplied to the vaporizer 200 from the raw material supply part 100 (and / or the carrier gas supply part 800) through the first pipe 410. Amount of carrier gas) is controlled (or adjusted).

또한, 상기 제어부(600)는, 상기 확인된 원료의 공급량(및/또는, 상기 확인된 캐리어 가스의 공급량)을 근거로 상기 원료용 가압 가스 공급 라인(및/또는, 상기 캐리어 가스용 가압 가스 공급 라인)을 통해 상기 원료 공급부(100)(및/또는, 상기 캐리어 가스 공급부(800))에 상기 확인된 원료의 공급량(및/또는, 상기 캐리어 가스의 공급량)에 대응하는 특정 압력의 가압 가스를 공급하여, 상기 제1 배관(410)을 통해 상기 원료 공급부(100)(및/또는, 상기 캐리어 가스 공급부(800))에서 상기 기화기(200)로 공급되는 원료의 양(및/또는, 캐리어 가스의 양)을 제어할 수도 있다.In addition, the control unit 600, the pressurized gas supply line for the raw material (and / or the pressurized gas supply for the carrier gas on the basis of the confirmed supply amount of the raw material (and / or the confirmed supply amount of the carrier gas). A pressurized gas having a specific pressure corresponding to a supply amount of the identified raw material (and / or a supply amount of the carrier gas) to the raw material supply unit 100 (and / or the carrier gas supply unit 800) through a line). The amount of raw material supplied to the vaporizer 200 from the raw material supply part 100 (and / or the carrier gas supply part 800) through the first pipe 410. Can be controlled.

이와 같이, 기화 중, 원료(또는, 다이머)가 구비된 원료 공급부의 시간에 따른 무게 변화를 측정하여, 상기 측정된 원료 공급부(또는, 원료)의 무게 변화에 따라 기화 온도를 조절할 수 있다.In this way, during the vaporization, the weight change with time of the raw material supply unit provided with the raw material (or dimer) is measured, and the vaporization temperature may be adjusted according to the measured weight change of the raw material supply unit (or raw material).

또한, 이와 같이, 원료 공급부(또는, 원료)의 시간에 따른 무게 변화를 근거로 상기 원료 공급부에서 상기 기화기로의 상기 원료의 공급을 위한 압력을 조절하거나 또는, 상기 원료 공급부와 상기 기화기 사이의 배관에 설치된 밸브를 제어하여 상기 원료 공급부에서 상기 기화기로 이동하는 원료의 양을 제어할 수 있다.In this way, the pressure for supplying the raw material from the raw material supply unit to the vaporizer is adjusted based on the weight change with time of the raw material supply unit (or raw material), or the piping between the raw material supply unit and the vaporizer. The amount of raw material moved from the raw material supply unit to the vaporizer may be controlled by controlling a valve installed in the vaporizer.

이하에서는, 본 명세서에 따른 반도체 장치 제조 설비의 제어 방법을 도 1 내지 도 6을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of controlling a semiconductor device manufacturing facility according to the present specification will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 6.

도 3은 본 명세서의 제1 실시예에 따른 반도체 장치 제조 설비의 통신 과정을 보인 신호 흐름도이다.3 is a signal flowchart illustrating a communication process of a semiconductor device manufacturing facility according to the first embodiment of the present specification.

먼저, 원료 공급부(100)에 구비된 원료는, 제1 배관(410)을 통해 이동하여, 기화기(200)에 포함된 노즐(210)을 통해 기화 챔버(220)에 분사된다. 여기서, 상기 원료는, 액체 원료 또는 고체 원료를 포함할 수 있다. 이때, 상기 액체 원료는, 액체 유기 금속 또는 유기 금속 용액일 수 있다. 또한, 상기 고체 원료는, 분말 형태의 패럴린 N, 패럴린 C, 패럴린 D 및, 패럴린 F 등일 수 있다(SP310).First, the raw material provided in the raw material supply unit 100 moves through the first pipe 410 and is injected into the vaporization chamber 220 through the nozzle 210 included in the vaporizer 200. Here, the raw material may include a liquid raw material or a solid raw material. In this case, the liquid raw material may be a liquid organometallic or organometallic solution. In addition, the solid raw material may be, in the form of powder, parylene N, parylene C, parylene D, and parylene F (SP310).

이후, 상기 기화기(200)에 포함된 히터(230)는, 상기 기화 챔버(220) 내부를 고온으로 가열하여 상기 노즐(210)을 통해 분사되는 상기 원료를 기화시켜, 원료 가스를 생성한다(SP320).Thereafter, the heater 230 included in the vaporizer 200 heats the inside of the vaporization chamber 220 to a high temperature to vaporize the raw material injected through the nozzle 210 to generate a raw material gas (SP320). ).

이후, 상기 생성된 원료 가스는, 상기 기화기(200)와 연결된 제2 배관(420)을 통해 공정 챔버(300)에 공급된다.Thereafter, the generated source gas is supplied to the process chamber 300 through the second pipe 420 connected to the vaporizer 200.

또한, 상기 공정 챔버(300)는, 상기 기화기(200)로부터 공급되는 원료 가스를 근거로 동작한다(SP330).In addition, the process chamber 300 operates based on the source gas supplied from the vaporizer 200 (SP330).

이후, 측정부(500)는, 미리 설정된 시간 간격으로 상기 원료 공급부(100)의 무게를 측정한다. 이때, 상기 측정부(500)는, 상기 미리 설정된 시간 간격으로, 상기 제1 배관을 통해 이동하는 상기 원료의 양을 측정할 수도 있다(SP340).Thereafter, the measurement unit 500 measures the weight of the raw material supply unit 100 at preset time intervals. In this case, the measurement unit 500 may measure the amount of the raw material moving through the first pipe at the predetermined time interval (SP340).

이후, 제어부(600)는, 상기 측정부(500)로부터 측정된 상기 원료 공급부(100)의 무게(또는, 상기 측정된 상기 원료의 양)를 근거로, 상기 원료 공급부(100)에 구비된(또는, 상기 기화 챔버(220)로 공급되는) 상기 원료의 시간에 따른 변화율(또는, 상기 원료의 변화율)을 산출한다(SP350).Thereafter, the control unit 600 is provided in the raw material supply unit 100 based on the weight of the raw material supply unit 100 (or the amount of the measured raw material) measured from the measurement unit 500 ( Alternatively, the rate of change of the raw material (or the rate of change of the raw material) of the raw material supplied to the vaporization chamber 220 is calculated (SP350).

이후, 상기 제어부(600)는, 미리 설정된(또는, 미리 저장된) 원료의 변화율과 기화기의 내부 온도 매핑 정보 중에서, 상기 산출된 원료의 시간에 따른 변화율에 대응하는 기화기의 내부 온도를 확인한다.Thereafter, the controller 600 checks the internal temperature of the vaporizer corresponding to the calculated rate of change of the raw material from the preset rate of change of the raw material and the internal temperature mapping information of the vaporizer.

일 예로, 상기 제어부(600)는, 상기 미리 설정된 원료의 변화율과 상기 기화기의 내부 온도 매핑 정보 중에서, 상기 산출된 원료의 시간에 따른 변화율(예를 들어, 1.5%)에 대응하는 기화기 내부 온도(예를 들어, 250℃)를 확인한다(SP360).For example, the controller 600 may include a vaporizer internal temperature corresponding to a change rate (eg, 1.5%) according to time of the calculated raw material among the preset change rate of the raw material and internal temperature mapping information of the vaporizer. For example, 250 ° C.) is checked (SP360).

이후, 상기 제어부(600)는, 상기 확인된 기화기의 내부 온도를 근거로 상기 히터(230)(또는, 상기 히터(230)의 온도)를 제어하여, 상기 기화 챔버(220) 내부의 온도를 상기 확인된 기화기의 내부 온도로 제어한다(SP370).Subsequently, the controller 600 controls the heater 230 (or the temperature of the heater 230) based on the identified internal temperature of the vaporizer to determine the temperature inside the vaporization chamber 220. The internal temperature of the identified vaporizer is controlled (SP370).

도 4는 본 명세서의 제2 실시예에 따른 반도체 장치 제조 설비의 통신 과정을 보인 신호 흐름도이다.4 is a signal flowchart illustrating a communication process of a semiconductor device manufacturing facility according to a second exemplary embodiment of the present specification.

먼저, 원료 공급부(100)에 구비된 원료와 캐리어 가스 공급부(800)에 구비된 캐리어 가스는, 제1 배관(410)을 통해 이동하여, 기화기(200)에 포함된 노즐(210)을 통해 기화 챔버(220)에 분사된다. 여기서, 상기 원료는, 액체 원료 또는 고체 원료를 포함할 수 있다. 이때, 상기 액체 원료는, 액체 유기 금속 또는 유기 금속 용액일 수 있다. 또한, 상기 고체 원료는, 분말 형태의 패럴린 N, 패럴린 C, 패럴린 D 및, 패럴린 F 등일 수 있다. 또한, 상기 캐리어 가스는, 불활성 가스일 수 있다(SP410).First, the raw material provided in the raw material supply unit 100 and the carrier gas provided in the carrier gas supply unit 800 move through the first pipe 410 and vaporize through the nozzle 210 included in the vaporizer 200. Is injected into the chamber 220. Here, the raw material may include a liquid raw material or a solid raw material. In this case, the liquid raw material may be a liquid organometallic or organometallic solution. In addition, the solid raw material may be, in the form of powdered parylene N, parylene C, parylene D, and parylene F. In addition, the carrier gas may be an inert gas (SP410).

이후, 상기 기화기(200)에 포함된 히터(230)는, 상기 기화 챔버(220) 내부를 고온으로 가열하여 상기 노즐(210)을 통해 분사되는 혼합 물질(예를 들어, 상기 원료와 상기 캐리어 가스의 혼합 물질)을 기화시켜, 원료 가스를 생성한다(SP420).Subsequently, the heater 230 included in the vaporizer 200 may heat the inside of the vaporization chamber 220 to a high temperature to mix a mixed material (eg, the raw material and the carrier gas) which is injected through the nozzle 210. Of a mixed material) to generate a source gas (SP420).

이후, 상기 생성된 원료 가스는, 상기 기화기(200)와 연결된 제2 배관(420)을 통해 공정 챔버(300)에 공급된다.Thereafter, the generated source gas is supplied to the process chamber 300 through the second pipe 420 connected to the vaporizer 200.

또한, 상기 공정 챔버(300)는, 상기 기화기(200)로부터 공급되는 원료 가스를 근거로 동작한다(SP430).In addition, the process chamber 300 operates based on the source gas supplied from the vaporizer 200 (SP430).

이후, 측정부(500)는, 미리 설정된 시간 간격으로 상기 원료 공급부(100)의 무게를 측정한다. 이때, 상기 측정부(500)는, 상기 미리 설정된 시간 간격으로, 상기 제1 배관을 통해 이동하는 상기 원료의 양을 측정할 수도 있다(SP440).Thereafter, the measurement unit 500 measures the weight of the raw material supply unit 100 at preset time intervals. In this case, the measurement unit 500 may measure the amount of the raw material moving through the first pipe at the predetermined time interval (SP440).

이후, 제어부(600)는, 상기 측정부(500)로부터 측정된 상기 원료 공급부(100)의 무게(또는, 상기 측정된 상기 원료의 양)를 근거로, 상기 원료 공급부(100)에 구비된(또는, 상기 기화 챔버(220)로 공급되는) 상기 원료의 시간에 따른 변화율(또는, 상기 원료의 변화율)을 산출한다(SP450).Thereafter, the control unit 600 is provided in the raw material supply unit 100 based on the weight of the raw material supply unit 100 (or the amount of the measured raw material) measured from the measurement unit 500 ( Alternatively, the rate of change of the raw material (or the rate of change of the raw material) of the raw material supplied to the vaporization chamber 220 is calculated (SP450).

이후, 상기 제어부(600)는, 미리 설정된(또는, 미리 저장된) 원료의 변화율과 기화기의 내부 온도 매핑 정보 중에서, 상기 산출된 원료의 시간에 따른 변화율에 대응하는 기화기의 내부 온도를 확인한다.Thereafter, the controller 600 checks the internal temperature of the vaporizer corresponding to the calculated rate of change of the raw material from the preset rate of change of the raw material and the internal temperature mapping information of the vaporizer.

일 예로, 상기 제어부(600)는, 상기 미리 설정된 원료의 변화율과 상기 기화기의 내부 온도 매핑 정보 중에서, 상기 산출된 원료의 시간에 따른 변화율(예를 들어, 1.5%)에 대응하는 기화기 내부 온도(예를 들어, 250℃)를 확인한다(SP460).For example, the controller 600 may include a vaporizer internal temperature corresponding to a change rate (eg, 1.5%) according to time of the calculated raw material among the preset change rate of the raw material and internal temperature mapping information of the vaporizer. For example, 250 ℃) is confirmed (SP460).

이후, 상기 제어부(600)는, 상기 확인된 기화기의 내부 온도를 근거로 상기 히터(230)(또는, 상기 히터(230)의 온도)를 제어하여, 상기 기화 챔버(220) 내부의 온도를 상기 확인된 기화기의 내부 온도로 제어한다(SP470).Subsequently, the controller 600 controls the heater 230 (or the temperature of the heater 230) based on the identified internal temperature of the vaporizer to determine the temperature inside the vaporization chamber 220. The internal temperature of the identified vaporizer is controlled (SP470).

도 5는 본 명세서의 제3 실시예에 따른 반도체 장치 제조 설비의 통신 과정을 보인 신호 흐름도이다.5 is a signal flowchart illustrating a communication process of a semiconductor device manufacturing facility according to a third exemplary embodiment of the present specification.

먼저, 원료 공급부(100)에 구비된 원료와 캐리어 가스 공급부(800)에 구비된 캐리어 가스는, 제1 배관(410)을 통해 이동하여, 기화기(200)에 포함된 노즐(210)을 통해 기화 챔버(220)에 분사된다. 여기서, 상기 원료는, 액체 원료 또는 고체 원료를 포함할 수 있다. 이때, 상기 액체 원료는, 액체 유기 금속 또는 유기 금속 용액일 수 있다. 또한, 상기 고체 원료는, 분말 형태의 패럴린 N, 패럴린 C, 패럴린 D 및, 패럴린 F 등일 수 있다. 또한, 상기 캐리어 가스는, 불활성 가스일 수 있다(SP510).First, the raw material provided in the raw material supply unit 100 and the carrier gas provided in the carrier gas supply unit 800 move through the first pipe 410 and vaporize through the nozzle 210 included in the vaporizer 200. Is injected into the chamber 220. Here, the raw material may include a liquid raw material or a solid raw material. In this case, the liquid raw material may be a liquid organometallic or organometallic solution. In addition, the solid raw material may be, in the form of powdered parylene N, parylene C, parylene D, and parylene F. In addition, the carrier gas may be an inert gas (SP510).

이후, 상기 기화기(200)에 포함된 히터(230)는, 상기 기화 챔버(220) 내부를 고온으로 가열하여 상기 노즐(210)을 통해 분사되는 혼합 물질(예를 들어, 상기 원료와 상기 캐리어 가스의 혼합 물질)을 기화시켜, 원료 가스를 생성한다(SP520).Subsequently, the heater 230 included in the vaporizer 200 may heat the inside of the vaporization chamber 220 to a high temperature to mix a mixed material (eg, the raw material and the carrier gas) which is injected through the nozzle 210. Of a mixed material) to generate a source gas (SP520).

이후, 상기 생성된 원료 가스는, 상기 기화기(200)와 연결된 제2 배관(420)을 통해 공정 챔버(300)에 공급된다.Thereafter, the generated source gas is supplied to the process chamber 300 through the second pipe 420 connected to the vaporizer 200.

또한, 상기 공정 챔버(300)는, 상기 기화기(200)로부터 공급되는 원료 가스를 근거로 동작한다(SP530).In addition, the process chamber 300 operates based on the source gas supplied from the vaporizer 200 (SP530).

이후, 측정부(500)는, 미리 설정된 시간 간격으로 상기 원료 공급부(100)의 무게를 측정한다. 이때, 상기 측정부(500)는, 상기 미리 설정된 시간 간격으로, 상기 제1 배관을 통해 이동하는 상기 원료의 양을 측정할 수도 있다(SP540).Thereafter, the measurement unit 500 measures the weight of the raw material supply unit 100 at preset time intervals. In this case, the measurement unit 500 may measure the amount of the raw material moving through the first pipe at the predetermined time interval (SP540).

이후, 제어부(600)는, 상기 측정부(500)로부터 측정된 상기 원료 공급부(100)의 무게(또는, 상기 측정된 상기 원료의 양)를 근거로, 상기 원료 공급부(100)에 구비된(또는, 상기 기화 챔버(220)로 공급되는) 상기 원료의 시간에 따른 변화율(또는, 상기 원료의 변화율)을 산출한다(SP550).Thereafter, the control unit 600 is provided in the raw material supply unit 100 based on the weight of the raw material supply unit 100 (or the amount of the measured raw material) measured from the measurement unit 500 ( Alternatively, the rate of change of the raw material (or the rate of change of the raw material) of the raw material supplied to the vaporization chamber 220 is calculated (SP550).

이후, 상기 제어부(600)는, 상기 산출된 원료의 시간에 따른 변화율을 근거로 상기 제1 배관(410) 상에 설치된 제1 밸브(710)를 제어하여 상기 원료 공급부(100)로부터 상기 기화기(200)로 공급되는 원료의 양을 조절(또는, 제어)하거나 또는, 상기 제1 배관(410) 상에 설치된 제2 밸브(720)를 제어하여 상기 캐리어 가스 공급부(800)로부터 상기 기화기(200)로 공급되는 캐리어 가스의 양을 조절한다.Subsequently, the controller 600 controls the first valve 710 installed on the first pipe 410 based on the calculated rate of change of the raw material based on time, from the raw material supply unit 100 to the vaporizer ( The amount of raw material supplied to the 200 is adjusted (or controlled) or the second valve 720 installed on the first pipe 410 is controlled to provide the vaporizer 200 from the carrier gas supply unit 800. Adjust the amount of carrier gas to be supplied.

즉, 상기 제어부(600)는, 미리 설정된 원료의 변화율과 원료(및/또는, 캐리어 가스)의 공급량 매핑 정보 중에서, 상기 산출된 원료의 시간에 따른 변화율에 대응하는 원료의 공급량(및/또는, 캐리어 가스의 공급량)을 확인한다. 이후, 상기 제어부(600)는, 상기 확인된 원료의 공급량(및/또는, 상기 확인된 캐리어 가스의 공급량)을 근거로 상기 제1 밸브(710)(및/또는, 상기 제2 밸브(720))를 제어하여, 상기 제1 배관(410)을 통해 상기 원료 공급부(100)(및/또는, 상기 캐리어 가스 공급부(800))에서 상기 기화기(200)로 공급되는 원료의 양(및/또는, 캐리어 가스의 양)을 제어(또는, 조절)한다.That is, the control unit 600, the supply amount of the raw material (and / or, corresponding to the rate of change over time of the raw material calculated from the change rate of the raw material and the supply amount (and / or carrier gas) of the preset raw material mapping information; Supply amount of carrier gas). Thereafter, the controller 600 controls the first valve 710 (and / or the second valve 720) based on the confirmed supply amount of the raw material (and / or the confirmed supply amount of the carrier gas). ) To control the amount of raw material supplied to the vaporizer 200 from the raw material supply part 100 (and / or the carrier gas supply part 800) through the first pipe 410. Amount of carrier gas) is controlled (or adjusted).

또한, 상기 제어부(600)는, 상기 확인된 원료의 공급량(및/또는, 상기 확인된 캐리어 가스의 공급량)을 근거로 원료용 가압 가스 공급 라인(미도시)(및/또는, 캐리어 가스용 가압 가스 공급 라인(미도시))을 통해 상기 원료 공급부(100)(및/또는, 상기 캐리어 가스 공급부(800))에 상기 확인된 원료의 공급량(및/또는, 상기 캐리어 가스의 공급량)에 대응하는 특정 압력의 가압 가스를 공급하여, 상기 제1 배관(410)을 통해 상기 원료 공급부(100)(및/또는, 상기 캐리어 가스 공급부(800))에서 상기 기화기(200)로 공급되는 원료의 양(및/또는, 캐리어 가스의 양)을 제어할 수도 있다. 여기서, 상기 원료용 가압 가스 공급 라인은, 상기 원료 공급부(100)의 다른 일측과 연결하며, 상기 캐리어 가스용 가압 가스 공급 라인은, 상기 캐리어 가스 공급부(800)의 다른 일측과 각각 연결한다(SP560).In addition, the control unit 600 is a pressurized gas supply line (not shown) for the raw material (and / or pressurization for the carrier gas based on the confirmed supply amount of the raw material (and / or the confirmed carrier gas supply amount)) Corresponding to the supply amount of the identified raw material (and / or the supply amount of the carrier gas) to the raw material supply unit 100 (and / or the carrier gas supply unit 800) through a gas supply line (not shown) The amount of raw material supplied to the vaporizer 200 from the raw material supply unit 100 (and / or the carrier gas supply unit 800) through the first pipe 410 by supplying a pressurized gas at a specific pressure ( And / or, the amount of carrier gas). Here, the pressurized gas supply line for the raw material is connected to the other side of the raw material supply unit 100, and the pressurized gas supply line for the carrier gas is connected to the other side of the carrier gas supply unit 800 (SP560). ).

도 6은 본 명세서의 제4 실시예에 따른 반도체 장치 제조 설비의 통신 과정을 보인 신호 흐름도이다.6 is a signal flowchart illustrating a communication process of a semiconductor device manufacturing apparatus according to a fourth embodiment of the present specification.

먼저, 원료 공급부(100)에 구비된 원료와 캐리어 가스 공급부(800)에 구비된 캐리어 가스는, 제1 배관(410)을 통해 이동하여, 기화기(200)에 포함된 노즐(210)을 통해 기화 챔버(220)에 분사된다. 여기서, 상기 원료는, 액체 원료 또는 고체 원료를 포함할 수 있다. 이때, 상기 액체 원료는, 액체 유기 금속 또는 유기 금속 용액일 수 있다. 또한, 상기 고체 원료는, 분말 형태의 패럴린 N, 패럴린 C, 패럴린 D 및, 패럴린 F 등일 수 있다. 또한, 상기 캐리어 가스는, 불활성 가스일 수 있다(SP610).First, the raw material provided in the raw material supply unit 100 and the carrier gas provided in the carrier gas supply unit 800 move through the first pipe 410 and vaporize through the nozzle 210 included in the vaporizer 200. Is injected into the chamber 220. Here, the raw material may include a liquid raw material or a solid raw material. In this case, the liquid raw material may be a liquid organometallic or organometallic solution. In addition, the solid raw material may be, in the form of powdered parylene N, parylene C, parylene D, and parylene F. In addition, the carrier gas may be an inert gas (SP610).

이후, 상기 기화기(200)에 포함된 히터(230)는, 상기 기화 챔버(220) 내부를 고온으로 가열하여 상기 노즐(210)을 통해 분사되는 혼합 물질(예를 들어, 상기 원료와 상기 캐리어 가스의 혼합 물질)을 기화시켜, 원료 가스를 생성한다(SP620).Subsequently, the heater 230 included in the vaporizer 200 may heat the inside of the vaporization chamber 220 to a high temperature to mix a mixed material (eg, the raw material and the carrier gas) which is injected through the nozzle 210. Of a mixed material) to generate a source gas (SP620).

이후, 상기 생성된 원료 가스는, 상기 기화기(200)와 연결된 제2 배관(420)을 통해 공정 챔버(300)에 공급된다.Thereafter, the generated source gas is supplied to the process chamber 300 through the second pipe 420 connected to the vaporizer 200.

또한, 상기 공정 챔버(300)는, 상기 기화기(200)로부터 공급되는 원료 가스를 근거로 동작한다(SP630).In addition, the process chamber 300 operates based on the source gas supplied from the vaporizer 200 (SP630).

이후, 측정부(500)는, 미리 설정된 시간 간격으로 상기 기화기(200)에 포함된(또는, 상기 기화 챔버(220) 내부에 위치한) 격자판(240)의 두께(또는, 코팅 두께)를 측정한다. 여기서, 상기 격자판(240)은, 상기 기화되는 혼합 물질에 의해 코팅되며, 시간에 따라 상기 기화되는 혼합 물질의 양에 의해 코팅 두께가 변화한다(SP640).Thereafter, the measurement unit 500 measures the thickness (or coating thickness) of the grating plate 240 included in the vaporizer 200 (or located inside the vaporization chamber 220) at predetermined time intervals. . Here, the grating plate 240 is coated by the mixed material to be vaporized, the coating thickness is changed by the amount of the mixed material to be vaporized over time (SP640).

이후, 제어부(600)는, 상기 측정부(500)로부터 측정된 상기 격자판(240)의 두께를 근거로, 시간에 따른 두께 변화율을 산출한다(SP650).Thereafter, the control unit 600 calculates a thickness change rate with time based on the thickness of the grating plate 240 measured from the measuring unit 500 (SP650).

이후, 상기 제어부(600)는, 미리 설정된 두께 변화율과 기화기의 내부 온도 매핑 정보 중에서, 상기 산출된 두께 변화율에 대응하는 기화기의 내부 온도를 확인한다.Thereafter, the controller 600 checks the internal temperature of the vaporizer corresponding to the calculated thickness variation rate among preset thickness change rates and internal temperature mapping information of the vaporizer.

일 예로, 상기 제어부(600)는, 상기 미리 설정된 두께 변화율과 상기 기화기의 내부 온도 매핑 정보 중에서, 상기 산출된 상기 격자판(240)의 두께 변화율(예를 들어, 0.7%)에 대응하는 기화기 내부 온도(예를 들어, 220℃)를 확인한다(SP660).For example, the controller 600 may include a vaporizer internal temperature corresponding to the calculated thickness variation ratio (eg, 0.7%) of the grating plate 240 among the preset thickness variation ratio and internal temperature mapping information of the vaporizer. (Eg, 220 ° C.) is checked (SP660).

이후, 상기 제어부(600)는, 상기 확인된 기화기의 내부 온도를 근거로 상기 히터(230)(또는, 상기 히터(230)의 온도)를 제어하여, 상기 기화 챔버(220) 내부의 온도를 상기 확인된 기화기의 내부 온도로 제어한다(SP670).Subsequently, the controller 600 controls the heater 230 (or the temperature of the heater 230) based on the identified internal temperature of the vaporizer to determine the temperature inside the vaporization chamber 220. The internal temperature of the identified vaporizer is controlled (SP670).

본 명세서의 실시예는 앞서 설명한 바와 같이, 기화 중, 원료(또는, 다이머)가 구비된 원료 공급부의 시간에 따른 무게 변화를 측정하여, 상기 측정된 원료 공급부(또는, 원료)의 무게 변화에 따라 기화 온도를 조절하여, 상기 기화기 내의 온도를 일정하게 유지하여 상기 기화기에 유입되는 상기 원료를 정상적으로 기화시켜 상기 원료의 고착물 생성을 방지하고, 열 전도성을 일정하게 유지할 수 있다.As described above, the embodiment of the present specification measures the change in weight with time of the raw material supply unit provided with the raw material (or dimer) during vaporization, and according to the measured weight change of the raw material supply unit (or raw material). By controlling the vaporization temperature, the temperature in the vaporizer is kept constant to vaporize the raw material flowing into the vaporizer normally to prevent the formation of deposits of the raw material, it is possible to maintain a constant thermal conductivity.

또한, 본 명세서의 실시예는 앞서 설명한 바와 같이, 원료 공급부(또는, 원료)의 시간에 따른 무게 변화를 근거로 상기 원료 공급부에서 상기 기화기로의 상기 원료의 공급을 위한 압력을 조절하거나 또는, 상기 원료 공급부와 상기 기화기 사이의 배관에 설치된 밸브를 제어하여 상기 원료 공급부에서 상기 기화기로 이동하는 원료의 양을 제어하여, 상기 기화기에 유입되는 상기 원료를 정상적으로 기화시켜 상기 기화기 내부의 기화 챔버나 히터 오염을 방지하고, 생산 수율을 향상시킬 수 있다.
In addition, the embodiments of the present disclosure, as described above, adjusts the pressure for supply of the raw material from the raw material supply unit to the vaporizer based on the weight change of the raw material supply unit (or raw material) with time, or By controlling the valve installed in the pipe between the raw material supply unit and the vaporizer to control the amount of raw material moving from the raw material supply unit to the vaporizer, vaporize the raw material flowing into the vaporizer and the vaporization chamber or heater contamination inside the vaporizer And the production yield can be improved.

전술한 내용은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
The present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas falling within the scope of the same shall be construed as falling within the scope of the present invention.

10: 반도체 장치 제조 설비 100: 원료 공급부
200: 기화기 300: 공정 챔버
410: 제1 배관 420: 제2 배관
500: 측정부 600: 제어부
710: 제1 밸브 720: 제2 밸브
800: 캐리어 가스 공급부 210: 노즐
220: 기화 챔버 230: 히터
240: 격자판10: semiconductor device manufacturing equipment 100: raw material supply unit
200: vaporizer 300: process chamber
410: first pipe 420: second pipe
500: Measuring section 600: Control section
710: first valve 720: second valve
800: carrier gas supply unit 210: nozzle
220: vaporization chamber 230: heater
240: grating

Claims (15)

원료 공급부로부터 공급되는 원료를 기화기에서 기화시켜 원료 가스를 생성하고, 상기 생성된 원료 가스를 공정 챔버에 제공하는 반도체 장치 제조 설비에 있어서,
미리 설정된 시간 간격으로 상기 원료 공급부의 무게를 측정하는 측정부; 및
상기 측정된 원료 공급부의 무게를 근거로 원료의 시간에 따른 변화율을 산출하고, 미리 설정된 원료의 변화율과 기화기의 내부 온도 매핑 정보 중에서, 상기 산출된 원료의 시간에 따른 변화율에 대응하는 기화기 내부 온도를 확인하고, 상기 확인된 기화기 내부 온도를 근거로 상기 기화기에 포함된 히터를 제어하는 제어부;를 포함하고,
상기 기화기는,
상기 원료를 분사하는 노즐;
상기 노즐로부터 분사되는 원료를 기화하는 히터;
상기 노즐 및 상기 히터를 내부에 형성하는 기화 챔버; 및
상기 기화 챔버 내부의 임의의 위치에 고정 설치되며, 상기 기화에 의해 생성되는 원료 가스를 통해 코팅되는 격자판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 설비.
In the semiconductor device manufacturing equipment which vaporizes the raw material supplied from a raw material supply part in a vaporizer, produces | generates a source gas, and provides the produced source gas to a process chamber,
A measuring unit measuring a weight of the raw material supplier at a preset time interval; And
The rate of change according to the time of the raw material is calculated based on the measured weight of the raw material supply unit, and from the preset rate of change of the raw material and internal temperature mapping information of the vaporizer, the internal temperature of the vaporizer corresponding to the calculated rate of change of the raw material is determined. And a controller configured to check and control a heater included in the vaporizer based on the identified internal temperature of the vaporizer.
The vaporizer includes:
A nozzle for injecting the raw material;
A heater to vaporize the raw material injected from the nozzle;
A vaporization chamber forming the nozzle and the heater therein; And
And a grating plate fixedly installed at an arbitrary position within the vaporization chamber and coated with a source gas generated by the vaporization.
청구항 1에 있어서,
상기 측정부는,
상기 미리 설정된 시간 간격으로 상기 원료 공급부와 상기 기화기를 연결하는 제1 배관을 통해 이동하는 상기 원료의 양을 측정하며,
상기 제어부는,
상기 측정된 상기 원료의 양을 근거로 원료의 시간에 따른 변화율을 산출하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 설비.
The method according to claim 1,
Wherein the measuring unit comprises:
Measuring the amount of the raw material moving through the first pipe connecting the raw material supply unit and the vaporizer at the predetermined time interval,
The control unit,
And a rate of change of the raw material with time based on the measured amount of the raw material.
청구항 1에 있어서,
상기 원료 공급부와 상기 기화기를 연결하는 제1 배관; 및
상기 제1 배관 상에 설치하며, 상기 원료 공급부에서 상기 기화기로 공급되는 상기 원료의 양을 제어하는 제1 밸브;를 더 포함하며,
상기 제어부는,
상기 산출된 원료의 시간에 따른 변화율을 근거로 상기 제1 밸브를 제어하여 상기 원료 공급부에서 상기 기화기로 공급되는 상기 원료의 양을 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 설비.
The method according to claim 1,
A first pipe connecting the raw material supply part and the vaporizer; And
A first valve installed on the first pipe and configured to control an amount of the raw material supplied from the raw material supply unit to the vaporizer;
The control unit,
And controlling the first valve on the basis of the calculated rate of change of the raw material over time to control the amount of the raw material supplied from the raw material supply unit to the vaporizer.
청구항 1에 있어서,
상기 제어부는,
상기 산출된 원료의 시간에 따른 변화율을 근거로, 상기 원료 공급부에 연결된 원료용 가압 가스 공급 라인을 통해 상기 원료 공급부에 공급되는 가압 가스의 양을 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 설비.
The method according to claim 1,
The control unit,
And controlling the amount of pressurized gas supplied to the raw material supply unit through a pressurized gas supply line for the raw material connected to the raw material supply unit based on the calculated rate of change of the raw material over time.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 원료 공급부로부터 공급되는 원료를 기화기에서 기화시켜 원료 가스를 생성하고, 상기 생성된 원료 가스를 공정 챔버에 제공하는 반도체 장치 제조 설비에 있어서,
미리 설정된 시간 간격으로 상기 생성된 원료 가스에 의해 코팅되는 격자판의 코팅 두께를 측정하는 측정부; 및
상기 측정된 코팅 두께를 근거로 시간에 따른 두께 변화율을 산출하고, 미리 설정된 두께 변화율과 기화기의 내부 온도 매핑 정보 중에서, 상기 산출된 두께 변화율에 대응하는 기화기 내부 온도를 확인하고, 상기 확인된 기화기 내부 온도를 근거로 상기 기화기에 포함된 히터를 제어하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 설비.
In the semiconductor device manufacturing equipment which vaporizes the raw material supplied from a raw material supply part in a vaporizer, produces | generates a source gas, and provides the produced source gas to a process chamber,
A measuring unit measuring a coating thickness of a grating plate coated by the generated source gas at a predetermined time interval; And
A thickness change rate is calculated over time based on the measured coating thickness, and among the preset thickness change rate and internal temperature mapping information of the carburetor, the vaporizer internal temperature corresponding to the calculated thickness change rate is checked, and the identified vaporizer internal And a control unit for controlling a heater included in the vaporizer based on temperature.
청구항 10에 있어서,
상기 원료 공급부와 상기 기화기를 연결하는 제1 배관; 및
상기 제1 배관 상에 설치하며, 상기 원료 공급부에서 상기 기화기로 공급되는 상기 원료의 양을 제어하는 제1 밸브;를 더 포함하며,
상기 제어부는,
상기 산출된 두께 변화율을 근거로 상기 제1 밸브를 제어하여 상기 원료 공급부에서 상기 기화기로 공급되는 상기 원료의 양을 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 설비.
The method of claim 10,
A first pipe connecting the raw material supply part and the vaporizer; And
A first valve installed on the first pipe and configured to control an amount of the raw material supplied from the raw material supply unit to the vaporizer;
The control unit,
And controlling the first valve based on the calculated thickness change rate to control the amount of the raw material supplied from the raw material supply unit to the vaporizer.
청구항 10에 있어서,
상기 제어부는,
상기 산출된 두께 변화율을 근거로, 상기 원료 공급부에 연결된 원료용 가압 가스 공급 라인을 통해 상기 원료 공급부에 공급되는 가압 가스의 양을 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 설비.
The method of claim 10,
The control unit,
And the amount of pressurized gas supplied to the raw material supply unit through the pressurized gas supply line for the raw material connected to the raw material supply unit based on the calculated thickness change rate.
원료 공급부로부터 공급되는 원료를 기화기에서 기화시켜 원료 가스를 생성하고, 상기 생성된 원료 가스를 공정 챔버에 제공하는 반도체 장치 제조 설비의 제어 방법에 있어서,
상기 반도체 장치 제조 설비에 포함된 측정부를 통해, 미리 설정된 시간 간격으로 상기 생성된 원료 가스에 의해 코팅되는 격자판의 코팅 두께를 측정하는 단계;
상기 반도체 장치 제조 설비에 포함된 제어부를 통해, 상기 측정된 코팅 두께를 근거로 시간에 따른 두께 변화율을 산출하는 단계;
상기 제어부를 통해, 미리 설정된 두께 변화율과 기화기의 내부 온도 매핑 정보 중에서, 상기 산출된 두께 변화율에 대응하는 기화기 내부 온도를 확인하는 단계; 및
상기 제어부를 통해, 상기 확인된 기화기 내부 온도를 근거로 상기 기화기에 포함된 히터를 제어하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 설비의 제어 방법.
In the control method of a semiconductor device manufacturing facility which vaporizes the raw material supplied from a raw material supply part with a vaporizer, produces | generates raw material gas, and provides the produced raw material gas to a process chamber,
Measuring a coating thickness of a grating plate coated by the generated raw material gas at a predetermined time interval through a measuring unit included in the semiconductor device manufacturing facility;
Calculating a thickness change rate with time based on the measured coating thickness through a control unit included in the semiconductor device manufacturing facility;
Identifying, through the control unit, a vaporizer internal temperature corresponding to the calculated thickness variation rate among preset thickness change rates and internal temperature mapping information of the vaporizer; And
And controlling, through the control unit, a heater included in the vaporizer based on the identified internal temperature of the vaporizer.
원료 공급부로부터 공급되는 원료를 기화기에서 기화시켜 원료 가스를 생성하고, 상기 생성된 원료 가스를 공정 챔버에 제공하는 반도체 장치 제조 설비의 제어 방법에 있어서,
상기 반도체 장치 제조 설비에 포함된 측정부를 통해, 미리 설정된 시간 간격으로 상기 생성된 원료 가스에 의해 코팅되는 격자판의 코팅 두께를 측정하는 단계;
상기 반도체 장치 제조 설비에 포함된 제어부를 통해, 상기 측정된 코팅 두께를 근거로 시간에 따른 두께 변화율을 산출하는 단계; 및
상기 제어부를 통해, 상기 산출된 두께 변화율을 근거로 상기 원료 공급부와 상기 기화기를 연결하는 제1 배관 상에 설치된 제1 밸브를 제어하여 상기 원료 공급부에서 상기 기화기로 공급되는 상기 원료의 양을 제어하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 설비의 제어 방법.
In the control method of a semiconductor device manufacturing facility which vaporizes the raw material supplied from a raw material supply part with a vaporizer, produces | generates raw material gas, and provides the produced raw material gas to a process chamber,
Measuring a coating thickness of a grating plate coated by the generated raw material gas at a predetermined time interval through a measuring unit included in the semiconductor device manufacturing facility;
Calculating a thickness change rate with time based on the measured coating thickness through a control unit included in the semiconductor device manufacturing facility; And
The amount of the raw material supplied from the raw material supply unit to the vaporizer is controlled by controlling the first valve installed on the first pipe connecting the raw material supply unit and the vaporizer based on the calculated thickness change rate. Control method of a semiconductor device manufacturing facility comprising a.
청구항 14에 있어서,
상기 원료 공급부에서 상기 기화기로 공급되는 상기 원료의 양을 제어하는 단계는,
상기 제어부를 통해, 미리 설정된 두께 변화율과 원료의 공급량 매핑 정보 중에서, 상기 산출된 두께 변화율에 대응하는 원료의 공급량을 확인하는 과정; 및
상기 제어부를 통해, 상기 확인된 원료의 공급량을 근거로 상기 제1 밸브를 제어하여, 상기 제1 배관을 통해 상기 원료 공급부에서 상기 기화기로 공급되는 상기 원료의 양을 제어하는 과정;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 설비의 제어 방법.
The method according to claim 14,
The step of controlling the amount of the raw material supplied to the vaporizer from the raw material supply unit,
Confirming, through the control unit, a supply amount of a raw material corresponding to the calculated thickness change rate among preset thickness change rates and supply amount mapping information of raw materials; And
And controlling the amount of the raw material supplied to the vaporizer from the raw material supply unit through the first pipe by controlling the first valve based on the confirmed supply amount of the raw material through the control unit. A control method for a semiconductor device manufacturing facility.
KR1020130006416A 2013-01-21 2013-01-21 Semiconductor device manufacturing equipment and controlling method thereof KR101284585B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130006416A KR101284585B1 (en) 2013-01-21 2013-01-21 Semiconductor device manufacturing equipment and controlling method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130006416A KR101284585B1 (en) 2013-01-21 2013-01-21 Semiconductor device manufacturing equipment and controlling method thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101284585B1 true KR101284585B1 (en) 2013-07-11

Family

ID=48997030

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130006416A KR101284585B1 (en) 2013-01-21 2013-01-21 Semiconductor device manufacturing equipment and controlling method thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101284585B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005217089A (en) 2004-01-29 2005-08-11 Nec Kansai Ltd Apparatus and method for manufacturing semiconductor
KR20070019114A (en) * 2005-08-11 2007-02-15 주식회사 케이씨텍 Control device that supply gas of gas supply system and control method thereof
KR101172275B1 (en) * 2009-12-31 2012-08-08 에스엔유 프리시젼 주식회사 Vaporizing apparatus and control method for the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005217089A (en) 2004-01-29 2005-08-11 Nec Kansai Ltd Apparatus and method for manufacturing semiconductor
KR20070019114A (en) * 2005-08-11 2007-02-15 주식회사 케이씨텍 Control device that supply gas of gas supply system and control method thereof
KR101172275B1 (en) * 2009-12-31 2012-08-08 에스엔유 프리시젼 주식회사 Vaporizing apparatus and control method for the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101513517B1 (en) Feedstock gasification and supply device
US10267768B2 (en) Device and method for determining the concentration of a vapor by means of an oscillating body sensor
KR101658276B1 (en) Raw material gas supply device, film forming apparatus, raw material gas supply method, and storage medium
TWI525734B (en) And a raw material gas supply device for a semiconductor manufacturing apparatus
TWI742081B (en) Vapor delivery method and apparatus for solid and liquid precursors
US20100236480A1 (en) Raw material gas supply system and film forming apparatus
JP5703114B2 (en) Raw material vaporizer
TWI572728B (en) A method and apparatus for depositing an OLED, and more particularly to an evaporation apparatus having such use
TW201107525A (en) Method and apparatus
JP2012234860A5 (en)
KR20200042961A (en) Turbulent spiral multi-zone precursor vaporizer
CN104822858A (en) Feedstock gasification and supply device
US10047436B2 (en) Raw material supply method, raw material supply apparatus, and storage medium
TW201625812A (en) Systems and methods for measuring entrained vapor
WO2017198401A1 (en) Sublimated gas supply system and sublimated gas supply method
CN109898071B (en) System and method for batch vaporization of precursors
KR101284585B1 (en) Semiconductor device manufacturing equipment and controlling method thereof
US20170056912A1 (en) Liquid precursor delivery system
KR20170072906A (en) Temperature-controlled gas supply line with dilution gas flows supplied at multiple locations
US7029928B2 (en) Real-time detection mechanism with self-calibrated steps for the hardware baseline to detect the malfunction of liquid vaporization system in AMAT TEOS-based Dxz chamber
JP2004514997A (en) Method and apparatus for metered delivery of low volume liquid streams
JP2015523461A (en) Compensation for concentration uncertainty
JP2020143351A (en) Film deposition apparatus and raw material gas supply method
JP2012162414A (en) Method and apparatus for producing glass fine particle deposit
TW201704522A (en) Film forming method and film forming apparatus for forming nitride film using mocvd apparatus, and shower head

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160803

Year of fee payment: 4