KR101282123B1 - 대면적 프로젝션 노광장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 대면적 및 지속적 미세 패터닝(Patterning)과 얼라인(Align)이 가능한 대면적 프로젝션 노광장치에 관한 것으로, 본 발명은 노광을 위한 빛을 발광시키는 광원부; 상기 광원부의 빛(이하 “빔”)을 일정한 방향으로 모으는 리플렉터부(Ellipitical Reflector); 상기 빔(Beam)을 1차로 반사시키는 제1미러부; 상기 제1미러부에서 반사된 빔을 적분하는 적분렌즈부(Integrator Lens); 상기 적분된 빔을 순간적으로 차단하는 빔셔터(Beam Shutter); 상기 빔셔터를 통과한 빔의 경로를 변경하는 제2미러부; 상기 제2미러부에서 반사된 빔을 마스크(Mask)에 대면적으로 집광 및 반사시키는 제3미러부; 및 상기 마스크를 통과한 빔을 기판에 조사하는 프로젝션 렌즈 모듈(Projection Lens Module)를 포함하는 대면적 프로젝션 노광장치를 구현하여, 대면적 노광기의 한계점으로 지목되던 광도(Intensity), 균일성(Uniformity), 분해능(Resolusion)을 향상시켜 정밀한 패턴을 얻을 수 있는 대면적 프로젝션 노광기를 제공한다.

Description

대면적 프로젝션 노광장치{Wide area projection exposure apparatus}
본 발명은 노광 장치에 관한 것으로, 특히 대면적 및 지속적 미세 패터닝(Patterning)과 얼라인(Align)이 가능한 대면적 프로젝션 노광장치에 관한 것이다.
반도체 경기의 둔화에도 불구하고, 태양전지 및 PCB, Thin film 등 다양한 첨단 제품들에 대한 대형화와 크기 축소를 위한 미세 마이크로(Micro) 이하의 고해상도 구현에 대한 요구가 증가하고 있다.
따라서 현재 국내의 반도체 시장은 한번의 공정으로 대량 생산이 가능한 장치와 방법을 원하고 있고, 디스플레이(Display) 분야와 같은 대면적의, 그리고 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems, 미세전자기계시스템) 등과 같은 미세 패터닝이 가능한 장비가 필요한 추세이다.
특히, SOLAR CELL, OLED, LCD, FCCL, LED, PCB 등의 산업이 지속적으로 사업을 확장하고, 무언가를 개발하기 위해서는 관련 공정 장비의 개발과 보급화가 기초가 되어야 한다. 노광공정은 이러한 부품 산업의 기초 공정에 있는 없어서는 안 되는 기본 공정으로서, 현재보다 대형화되고 미세 패터닝이 가능한 노광장비가 지속적으로 요구될 것으로 판단된다.
현재, 대형 노광기의 대부분은 LCD 노광기와 같이 근접노광 방식으로 구현되고 있는데, 근접노광 방식에 의한 대형 노광기는 광도(Intensity), 균일성(Uniformity), 분해능(Resolusion) 등에서 그 한계가 지적되고 있다.
국내의 노광기 제작기술은 선진국에 비해 매우 수준이 낮으며, 현재 국내에서 개발 및 제작되는 노광기는 PCB 노광기의 수준으로서, KARL-SUS사의 4"~12" MASK ALIGNER 가 정밀도 면에서 조금 더 향상된 성능으로 개발되어 양산되는 수준이나, PCB용 노광기는 일반적으로 분해능이 좋지 않다.
오래 전부터 대면적 노광기를 개발해온 NIKON, CANON, NEC 등 외국회사들은 주로 LCD 노광기를 집중 개발하고 생산하고 있는 추세이다. CANON의 MPA8000은 마스크 크기만 850 x 1200mm를 적재할 수 있으며, 기판 크기는 2160 x 2400mm 이다. 하지만 이러한 외국의 우수한 업체에서 생산되는 노광기 역시 모두 근접노광 방식으로서, 국내의 반도체 시장에서 요구하는 대면적과 미세 패터닝을 모두 만족하지 못하고 있다. 특히, 근접노광 방식은 포토마스크 및 글래스의 표면 스크래치 및 디그(Dig)의 발생 및 파손이 발생하는 문제점이 있다.
한편, 반도체 공정에서 사용되는 ASML, NIKON, CANON의 스태퍼(Stepper)는 소형 웨이퍼(Wafer) 노광에 사용되는 것으로 프로젝션(Projection) 기능이 포함된 제품이라 할 수 있으나, 이러한 제품에서도 아직은 대면적 노광장비에 프로젝션 기능이 포함된 제품의 개발 및 양산은 이루어지지 않고 있다.
프로젝션 타입의 노광기는 근접노광 방식의 노광기에 비하여 한층 더 정밀한 패턴의 구현에 따른 미세 패턴의 해상도를 높일 수 있고, 대면적 노광기의 한계인 빔 균일성(Beam Uniformity)를 향상 시킬 수 있다. 그러나 현재의 대형 노광장비 중 프로젝션 광학 시스템을 적용하고 있는 노광장비는 없으며, 대부분 LCD 노광기와 마찬가지로 근접노광 방식으로 구현되고 있다.
따라서 급변하는 반도체 시장이 요구하고 있는 트랜드에 부응하여 직접적인 투입이 가능하고, 빠른 시일 내에 상용화가 가능한 500 x 500mm 이상의 대면적이며, 미세 패터닝과 얼라인(Align)이 가능한 노광기(Mask Aligner)의 개발이 요망된다.
따라서 본 발명의 목적은 한번의 공정으로 대량 생산이 가능하고, 디스플레이(Display) 분야와 같은 대면적이고, MEMS(Micro Electro Mechanical Systems, 미세전자기계시스템) 등과 같은 미세 패터닝이 가능한 대면적 프로젝션 노광장치를 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 500 x 500mm 이상의 대면적이며, 미세 패터닝과 얼라인(Align)이 가능한 대면적 프로젝션 노광장치를 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은 기존의 대면적 노광기의 마커(Marker) 뿐만 아니라 고해상도의 분해능을 요하는 반도체 회로패턴과 같은 극미세화가 필요로 하는 전자 부품의 노광기 및 TFT LCD 노광장비에 적용할 수 있는 독자적인 기술을 갖는 대면적 프로젝션 노광장치를 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 목적은 LCD, PCB, SOLAR CELL, FCCL, OLED, D램, ITO GLASS의 PATTERN 형성 등의 다양한 분야에서 사용되는 노광기 및 SOLAR SIMULATOR등의 장비를 제작하는 기반기술에 적용이 될 수 있는 대면적 프로젝션 노광장치를 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 고급 노광 기술인 D램 제조공정에 사용되는 스태퍼(Stepper)의 1/4 축소된 프로젝션 광학계의 설계 및 제조에 적용할 수 있는 대면적 프로젝션 노광장치를 제공하는데 있다.
상기와 같은 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 대면적 프로젝션 노광장치는, 노광을 위한 빛을 발광시키는 광원부; 상기 광원부의 빛(이하 “빔”)을 일정한 방향으로 모으는 리플렉터부(Ellipitical Reflector); 상기 빔(Beam)을 1차로 반사시키는 제1미러부; 상기 제1미러부에서 반사된 빔을 적분하는 적분렌즈부(Integrator Lens);
상기 적분된 빔을 순간적으로 차단하는 빔셔터(Beam Shutter); 상기 빔셔터를 통과한 빔의 경로를 변경하는 제2미러부; 상기 제2미러부에서 반사된 빔을 마스크(Mask)에 대면적으로 집광 및 반사시키는 제3미러부; 및 상기 마스크를 통과한 빔을 기판에 조사하는 프로젝션 렌즈 모듈(Projection Lens Module)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때, 본 발명에 따른 대면적 프로젝션 노광장치의 상기 광원부는, 광원이 되는 램프와, 상기 램프가 끼워져 고정되는 소켓과, 상기 소켓의 X, Y, Z 축을 각각 조절하여 상기 램프의 초점거리 및 위치를 조정하는 XYZ축 스테이지 및 상기 소켓의 하단부에 위치하여 상기 소켓과 상기 XYZ축 스테이지를 절연시키는 절연체를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 대면적 프로젝션 노광장치의 상기 리플렉터부는, 원형의 반사갓미러(Parabolic Mirror)와, 상기 반사갓미러를 고정시키는 고정구와, 소정 범위 내에서 상기 반사갓미러의 수평을 조정하기 위하여 기준틀에 수직으로 고정되어 상기 고정구와 연결되는 수직축 및 상기 수직축 상에 상기 고정구의 위치를 조정하여 고정하기 위한 조정수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 대면적 프로젝션 노광장치의 상기 제1미러부는, 색선별거울(Dichroic Mirror)로서 특정 파장범위의 빛은 반사하고 그 외의 빛은 투과하는 제1미러와, 상기 제1미러를 장착하는 장착판과, 상기 제1미러가 장착된 상기 장착판을 상하로 조정하는 상하조절핀과, 상기 장착판의 중심과 연결되어 상기 장착판의 좌우 틸팅을 조절하는 틸팅축 및 상기 틸팅축과 연결되어 전후 조절이 가능한 전후조정축을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 대면적 프로젝션 노광장치의 상기 적분렌즈부는, 제 1항에 있어서, 상기 적분렌즈부는, 대칭되는 볼록 플라이렌즈 및 오목 플라이렌즈를 포함하는 이중렌즈와, 상기 이중렌즈를 고정 및 렌즈면에 수평하게 좌우로 이송하도록 가이드가 형성된 광구조물과, 지정 속도에 따라 상기 이중렌즈를 좌우로 이송시키는 모터를 포함하며, 상기 이중렌즈를 좌우로 흔들어 상기 빔의 균일도를 조정하는 것을 특징으로 한다. 이를 위하여, 서보모터나 스텝핑 모터를 구비하고, 상기 모터에 공급되는 전력을 단계적으로 조절하도록 함이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 대면적 프로젝션 노광장치의 상기 제2미러부는, 색선별거울(Dichroic Mirror)로서 특정 파장범위의 빛은 반사하고 그 외의 빛은 투과시켜 상기 빔의 경로를 변경하는 제2미러와, 상기 제2미러를 장착하는 장착판과, 상기 제2미러가 장착된 상기 장착판을 상하로 조정하는 상하조절핀과, 상기 장착판의 하부에 위치하여 상기 제2미러에서 발생하는 열을 발산하는 방열부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 대면적 프로젝션 노광장치의 상기 제3미러부는, 상기 빔의 반사 및 집광을 위해 소정의 곡률을 갖는 제3미러와, 상기 제3미러를 고정 및 조정하는 고정 및 조정부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같이 본 발명은 대면적 노광기의 한계점으로 지목되던 광도(Intensity), 균일성(Uniformity), 분해능(Resolusion)을 향상시켜 정밀한 패턴을 얻을 수 있는 대면적 프로젝션 노광기를 제공함으로써, 고가 장비의 수입대체 효과 및 반도체 강국으로 비상하는 발판을 마련할 수 있다.
또한, 본 발명은 한번의 공정으로 대량 생산이 가능한 장치와 방법을 원하고 있는 반도체 시장에 디스플레이(Display) 분야에 적용 가능한 대면적의, 그리고 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems, 미세전자기계시스템) 등과 같은 미세 패터닝이 가능한 장비를 제공하는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 부품 산업의 기본 공정인 노광공정에 요구되고 있는 대형화 및 미세 패터닝을 제공함으로써, SOLAR CELL, OLED, LCD, FCCL, LED, PCB 등의 산업이 지속적으로 확장되고 개발될 수 있는 동력을 제공한다.
또한, 본 발명은 500 x 500mm 이상의 대면적이고, 미세 패터닝과 얼라인(Align)이 가능한 노광기(Mask Aligner)를 제공함으로써, 급변하는 반도체 시장이 요구하고 있는 트랜드에 부응하여 직접적인 투입이 가능하고, 빠른 시일 내에 상용화가 가능한 장점이 있다.
또한, 본 발명은 대면적 노광장비의 단점이던 근접노광 방식에서 탈피하여 근접노광 방식의 단점인 포토마스크 및 글래스의 표면 스크래치 및 디그(Dig)의 발생 및 파손을 방지하고, 고해상도를 구현함으로써 매우 정밀한 전자 제품의 생산을 가능하게 하며 그 집적도를 높일 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 기존의 대면적 노광기의 마커(Marker) 뿐만 아니라 고해상도의 분해능을 요하는 반도체 회로패턴과 같은 극미세화가 필요로 하는 전자 부품의 노광기 및 TFT LCD 노광장비를 독자적인 기술을 갖는 대면적 프로젝션 노광장치로 국산화하는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 LCD, PCB, SOLAR CELL, FCCL, OLED, D램, ITO GLASS의 PATTERN 형성 등의 다양한 분야에서 사용되는 노광기 및 SOLAR SIMULATOR등의 장비를 제작하는 기반기술에 적용이 될 수 있는 대면적 프로젝션 노광장치를 제공하는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 고급 노광 기술인 D램 제조공정에 사용되는 스태퍼(Stepper)의 1/4 축소된 프로젝션 광학계의 설계 및 제조에 적용할 수 있는 장점이 있다.
이에 따라, 본 발명은 기존의 대면적 노광기의 MARKER 뿐만 아니라 고해상도의 분해능을 요하는 반도체 회로패턴가 같은 극미세화가 필요로 하는 전자 부품의 노광기의 국산화 장비로의 대체가 가능하고, TFT LCD 노광장비에 있어서도 독자적인 기술로 노광장비를 보급화 할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따라 세대별 필요한 크기의 노광기의 설계 및 보급이 원활하리라 예상되며, 수입대체 효과는 물론 원가절감, 국내기술의 대만 및 중국으로의 진출도 모색할 수 있으며, 나아가 스태퍼 장비의 국산화도 기대할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 대면적 프로젝션 노광장치의 광학적 구조도,
도 2는 도 1의 광원의 상세 구조도,
도 3은 도 1의 리플렉터부의 측면도 및 상면도,
도 4는 도 1의 제1미러부의 측면도,
도 5는 도 1의 적분렌즈 모듈의 다양한 형태를 보인 사진,
도 6은 도 1의 제2미러부의 측면도,
도 7은 도 1의 제3미러부의 측면도,
도 8은 본 발명에 따른 대면적 프로젝션 노광장치의 쿨링시스템을 보인 도면,
도 9a 및 도 9b는 각각 도 8의 쿨링시스템에서 램프하우스의 쿨링시스템을 나타낸 실시예,
도 10은 본 발명에 따른 대면적 프로젝션 노광장치의 제어시스템을 나타낸 도면,
도 11은 2개의 플라이아이 렌즈를 이용한 대면적 프로젝션 노광장치의 광학적 구조도 및 빔 궤적을 나타낸 도면,
도 12는 도 11의 2개의 플라이아이 렌즈를 포함하는 적분렌즈 모듈의 구조를 나타낸 상면도,
도 13a 및 도 13b는 도 12의 적분렌즈 모듈을 구성하는 2개의 플라이아이 렌즈를 각각 나타낸 도면,
도 14a 및 도 14b는 도 13의 적분렌즈 모듈의 서보모터를 구동하기 전 광분포 시뮬레이션 결과를 3차원 및 2차원 평면에 나타낸 그래프,
도 15a 및 도 15b는 도 13의 적분렌즈 모듈의 서보모터를 구동하는 동안 광분포 시뮬레이션 결과를 3차원 및 2차원 평면에 나타낸 그래프,
도 16a 내지 도 16d는 다양한 물질로 코팅한 미러에 대하여 반사측정 색도계를 이용하여 측정한 반사도 그래프.
이하 본 발명의 바람직한 실시 예들의 상세한 설명이 첨부된 도면들을 참조하여 설명될 것이다. 도면들 중 동일한 구성들은 가능한 한 어느 곳에서든지 동일한 부호들을 나타내고 있음을 유의하여야 한다. 하기 설명에서 구체적인 특정 사항들이 나타나고 있는데, 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해 제공된 것이다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 발명은 PCB 및 LCD 대면적 노광용 기존 국산 대면적 노광기의 해상도 범용 40㎛ ~60㎛, 고스펙용 20㎛ ~30㎛ 정도의 기술에 그치고 있는 국내 노광기 광원기술을 5㎛ 이내로 대폭 개선한 대면적 프로젝션 노광장치를 제공한다.
본 발명에 따른 대면적 프로젝션 노광장치를 구현하기 위해서는, 먼저 노광장치의 베이스가 되는 1차광원을 고효율로 설계하여야 하고, 프로젝션 노광장치의 핵심 요소인 프로젝션 렌즈를 설계하여야 하며, 설계된 1차광원 및 프로젝션 렌즈를 뒷받침해 줄 기구물들을 정밀하게 설계하여야 한다.
또한, 노광장치의 광원으로 사용되는 5kw 급의 고전력 수은램프는 고열이 발생하고 고전력으로 작동하므로 고전력에 대한 제어 및 램프하우스의 쿨링시스템 설계가 매우 중요하다.
또한, 본 발명에 따른 대면적 프로젝션 노광장치의 패턴 해상도는 5㎛ 이므로 PCB 공정을 넘어선 고해상도 LCD 및 반도체 소자 공정기술의 해상도를 요하게 된다. 따라서 관련 부품들을 고정밀도로 가공하여야 한다.
그러면, 이하 도면을 참조하여 본 발명에 따른 대면적 프로젝션 노광장치를 상세히 설명한다. 먼저, 도 1은 본 발명에 따른 대면적 프로젝션 노광장치의 광학적 구조도로서, 램프의 위치, 대면적 빔을 구현하기 위한 미러(Mirror)의 위치 및 프로젝션 구조를 나타낸 것이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 대면적 프로젝션 노광장치는 광원부(110)와, 상기 광원부(110)의 빛(이하 "빔"이라 칭함)을 일정한 방향으로 모으는 리플렉터부(120, Ellipitical Reflector)와, 상기 빔을 1차로 반사시키는 제1미러부(130)와, 상기 제1미러부(130)에서 반사된 빔을 적분하는 적분렌즈(140, Integrator Lens) 모듈과, 상기 적분된 빔을 순간적으로 차단하는 빔셔터(150, Beam Shutter)와, 상기 빔셔터(150)를 통과한 빔의 경로를 변경하는 제2미러부(160)와, 상기 제2미러부(160)에서 반사된 빔을 마스크(10)에 대면적으로 집광 및 반사시키는 제3미러부(170) 및 상기 마스크(10)를 통과한 빔을 기판(20)에 조사하는 프로젝션 렌즈 모듈(180, Projection Lens Module)를 포함한다.
상기 광원부(110)는 5kw의 고전력 수은램프를 사용하는 것이 바람직하다. 수은램프는 고휘도이고 비교적 긴 수명을 가지므로 노광기의 광원으로 많이 사용된다. 상기 광원부(110)의 상세한 구조를 도 2에 나타내었다. 도 2는 도 1의 광원의 상세 구조도로서 도 2를 참조하면, 광원부(110)는 램프(111)와, 램프(111)가 끼워져 고정되는 소켓(113)과, 램프(111)를 X, Y, Z 축을 각각 조절할 수 있도록 하여 정확한 초점거리 및 위치를 맞출 수 있는 XYZ축 스테이지(117) 및 상기 소켓(113)의 하단부에 위치하여 상기 소켓(113)과 상기 XYZ축 스테이지(117)를 절연시키는 내열성 절연체(115)를 포함한다. 상기 램프(111)의 양 단(119)으로는 질소(N2) 또는 CDA(Cold Dry Air)가 주입된다.
상기 리플렉터부(120)는 원형의 반사갓미러(121, Parabolic Mirror)를 이용하여 구현되며, 방사형으로 퍼지는 램프(111)의 빛을 한 곳으로 모아주는 역할을 한다. 이때, 반사갓미러(121)가 정확하게 수평으로 장착되지 않으면 빛의 상이 렌즈에 제대로 맺히지 않아 빔의 파워나 균일성이 예상치대로 나오지 않을 수 있으므로, 반사갓미러(121)를 고정하면서 조정도 가능하도록 도 3에 도시된 바와 같은 구조를 갖는다.
도 3은 도 1의 리플렉터부의 측면도 및 상면도로서 도 3을 참조하면, 반사갓미러(121)의 고정구(125)와, ±5mm 범위 내에서 원형의 반사갓미러(121)의 수평을 조정하기 위하여 상기 고정구(125)와 연결되는 수직축(123) 및 상기 수직축(123) 상에 상기 고정구(125)를 조정하고 고정하기 위한 조정수단(127)을 포함한다. 상기 수직축(123)은 기준틀(129)에 견고히 고정된다.
상기 제1미러부(130)는 색선별거울(Dichroic Mirror)로서 특정 파장범위의 빛은 반사하고 그 외의 빛은 투과하는 성질을 가지며, 빔의 경로를 꺾어 주므로 Folding Mirror, 빛의 차가운 색깔의 파장대인 UV를 반사하는 필터 역할을 한다는 의미로 Cold Mirror라고도 한다. 또한, 제1미러부(130)는 좌우로 약간의 틸팅(Tilting)과 전후로도 약간의 조정이 가능해야 하며, 상하로도 조절이 가능해야 하므로 도 4에 도시된 바와 같은 구조를 갖는다.
도 4는 도 1의 제1미러부의 측면도로서, 도시된 바와 같이, 제1미러부(130)는 제1미러(131)를 장착하는 장착판(113)과, 상기 장착판에 장착되는 제1미러(131)를 상하로 조정하는 상하조절핀(135)과, 상기 장착판(113)의 중심과 연결되어 상기 장착판(113)이 좌우 틸팅을 조절하는 틸팅축(139) 및 상기 틸팅축(139)과 연결되어 전후 조절이 가능한 전후조정축(137)을 포함한다. 상기 장착판(113)은 제1미러(131)가 상하조절핀(135)에 의해 조절될 수 있도록 두 부분으로 나뉘어져, 한 부분에는 제1미러(131)가 장착되고, 나머지 다른 한 부분에는 전후조정축(137)과 연결을 위한 틸팅축(139)이 결합된다.
상기 적분렌즈 모듈(140)은 빔을 적분해준다는 의미로 'Integrator Lens'라고도 하고, 생긴 모양이 파리의 눈을 닮았다고 하여 'Fly's Eye Lens'라고도 한다.
상기 적분렌즈 모듈(140)는 여러 개의 셀이 붙어있는 형태를 하고 있는데, 빔이 집광되면 일반적으로 가운데 부분의 빔이 세고 주변으로 갈수록 빔 세기가 약해지는데, 이 플라이아이 렌즈에 빔이 통과하면 각 셀로 나누어 합해주는(적분) 역할을 하게 되어 빔의 가운데나 주변이나 세기의 차이가 없는 균일한 빔을 만들어 준다. 다양한 형태의 적분렌즈 모듈(140)의 예들을 도 5에 도시하였다. 도 5는 도 1의 적분렌즈 모듈의 다양한 형태를 보인 사진으로서, 첫 번째 적분렌즈 모듈은 웨이퍼 레벨 노광에 사용되는 적분렌즈 모듈을 나타낸 것이고, 두 번째 적분렌즈 모듈은 웨이퍼 레벨 노광기(Aligner)에 사용되고 있는 적분렌즈 모듈을 나타낸 것이며, 세 번째 적분렌즈 모듈은 대면적 LCD, PDP 노광에 사용되는 적분렌즈 모듈을 나타낸 것으로서, 실험결과 셀 방식의 렌즈를 대칭으로 위치시키는 형태가 가장 좋은 성능을 보였다.
한편, 적분렌즈 모듈(140)은 대칭되는 두 개의 플라이아이 렌즈들로 구성되는데 하나의 플라이아이 렌즈는 고정되고, 대칭되는 다른 하나의 플라이아이 렌즈는 상하 좌우 ±10mm 범위 내에서 움직일 수 있도록 하는 구조를 더 구비하여 빔을 정확하게 보정할 수 있는 위치로 렌즈위치를 조정할 수 있도록 함이 바람직하다. 이 적분렌즈 모듈(140)에 대해서는 도 11 및 도 13를 참조하여 하기에서 더욱 상세히 설명하기로 한다.
상기 제2미러부(160)는 UV반사기능, 그 외의 파장 투과기능, 빔의 방향 변경기능 등 제1미러부(130)와 거의 동일한 성능을 갖지만, 집광이 되는 부분이므로 제1미러부(130)와는 다르게 고열이 발생한다는 점에서 제1미러부(130)와 다른 구조를 갖는다. 따라서 도 6에 도시된 바와 같이, 제2미러(161)를 장착하는 이중의 장착판(163) 및 상기 제2미러(161)의 상하 높이를 조절하는 조절핀(165)과, 장착판(163) 하부에 위치한 방열판 및 방열팬 등을 포함하는 방열부(167)을 포함한다. 도 6은 도 1의 제2미러부의 단면도이다.
상기 제3미러부(170)는 곡률을 가져서 반사 및 집광의 기능을 갖는 대면적 미러 어셈블리로서, 도 7에 도시된 바와 같이, 곡률을 갖는 제3미러(171)와, 제3미러(171)를 고정하고 거리를 조절하는 고정 및 조정부(173)를 포함한다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 대면적 프로젝션 노광장치는 고전력 수은램프를 광원으로 사용하고, 광원으로부터 나온 빔을 집광시키므로 내부에 고열이 발생하게 되므로, 별도의 효율적인 쿨링시스템이 필요하다. 도 8은 본 발명에 따른 대면적 프로젝션 노광장치의 쿨링시스템을 나타낸 도면으로서, 일반적인 반도체 노광기에 사용되는 질소와 쿨링팬을 이용한 쿨링시스템은 고열의 램프에서는 질소 퍼지 쿨링만으로는 큰 효과를 기대하기 어려우므로, 대용량 팬을 사용하여 강한 바람을 시스템 내부에 불어넣어주고, 반대로 열원 부근의 뜨거워진 공기를 배풍하도록 순환시키는 시스템을 사용한다.
도 9a 및 도 9b는 각각 도 8의 쿨링시스템에서 램프하우스의 쿨링시스템을 나타낸 실시예로서, 도 9a는 쿨링팬(191)을 다수 사용하는 방식으로서 쿨링능력은 다소 떨어지지만 소음발생이 적은 형태이고, 도 9b는 송풍 블로어(193, Air Blower)를 다수 사용한 방식으로 쿨링능력은 뛰어나나 소음이 다소 발생하는 형태로서, 본 발명에 따른 광원부(110)와 같이 고전력 램프(111)가 사용되는 환경에서는 쿨링능력을 높이기 위해서 도 9b와 같이 블로어(193)를 이용하는 쿨링시스템을 사용하는 것이 바람직하다.
도 9b를 참조하면, 배기관(Exhaust) 및 공급관(Supply)에 송풍량을 조절하는 댐퍼(Damper) 대신에 블로어(193)가 사용되며, 블로어(193)는 TPR(Thyristor Power Regulator; 전력조정기)을 사용하여 풍속을 제어할 수 있다.
도 10은 본 발명에 따른 대면적 프로젝션 노광장치의 제어시스템을 나타낸 도면으로서, 도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 대면적 프로젝션 노광장치는 광원부(110)의 램프(111)와 쿨링시스템을 구성하는 블로어(193) 및 쿨링팬(191)의 동작을 위한 전력공급과, 블로어(193)의 제어를 통한 풍속의 제어 및 빔셔터(150)의 동작 제어를 수행하는 제어부(200)를 포함한다. 상기 제어부(200)는 노광장치의 각 구성부에 전원(30)으로부터 공급되는 전력을 온/오프하는 스위치(210)와, 소정 시간동안 전력을 공급하도록 카운트하는 타이머(220)와, 블로어(193)를 제어하여 풍속을 조절하는 TPR(230)를 제어한다. 또한, 제어부(200)는 플로미터(250, Flow Meter)의 감지신호를 인가 받아 광원부(110), 적분렌즈 모듈(140), 빔셔터(150), 제2미러부(160) 및 제3미러부(170)에 질소(N2) 또는 CDA(Cooling Dry Air)의 공급을 조절하는 밸브(240)를 제어한다.
본 발명에 따른 대면적 프로젝션 노광장치는 4매의 렌즈로 이루어지는 프로젝션 렌즈 모듈(180)의 구조상, 렌즈를 통과할 때 빔의 조도가 떨어지기 때문에, 프로젝션 렌즈 모듈(180)의 렌즈면의 광학코팅을 최소의 반사율을 얻을 수 있도록 설계하여야 한다. 특히, 본 발명에 따른 대면적 프로젝션 노광장치는 365nm 및 15mW/cm2의 빔 파워를 달성하기 위해서는 미러(131, 161, 171)의 코팅특성을 변화시켜 UV 빔의 365nm 반사 손실이 가장 적은 물질을 찾아내어 그 물질로 반사코팅을 하거나, UV램프를 고전력으로 교체하거나, 광학계 간의 거리를 줄여 거리에 따른 빔 파워의 손실을 최소화하는 방법을 사용하여야 한다. 실험 결과, TiO2(Titanium Oxide) 박막, Ta2O2(Tantalum Oxide) 박막, ZrO2(Zirconium Oxide) 박막 중 증착온도가 높고 밀도가 큰 ZrO2로 미러(131, 161, 171)를 코팅하는 것이 반사 효율을 높일 수 있다.
한편, 빔 파워를 높이기 위해서는 프로젝션 렌즈 모듈(180)의 설계 및 제작이 매우 중요한데, 프로젝션 렌즈를 제작하기 위한 원재료의 준비부터 쉽지 않으며, 600 x 600mm 크기의 렌즈를 제작하기 위한 곡률의 형성, 광학적 폴리싱(Polishing), 광축과 기계적인 축을 맞추는 외경작업 및 코팅박막 형성작업 등을 수행하는데 있어서 시간과 비용이 너무 많이 소요되기 때문에 비효율적이다.
따라서 본 발명에 따른 대면적 프로젝션 노광장치는 프로젝션 렌즈를 개선하는 대신에 볼록 플라이아이 렌즈 삽입하고, 상기 적분렌즈 모듈(140)를 이들을 흔들어 주는 구조를 제안함으로써 목표로 하는 빔 파워 및 프로파일을 얻는다.
도 11은 2개의 플라이아이 렌즈를 이용한 대면적 프로젝션 노광장치의 광학적 구조도 및 빔 궤적을 나타낸 도면으로서, 빔의 경로뿐만 아니라 평행도 및 균일도 개선을 위한 시뮬레이션 결과를 나타낸다. 도 11에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 대면적 프로젝션 노광장치는 2개의 플라이아이 렌즈로 이루어진 적분렌즈 모듈(140)를 사용한다.
도 12는 도 11의 2개의 플라이아이 렌즈를 포함하는 적분렌즈 모듈의 구조를 나타낸 상면도로서, 2개의 플라이아이 렌즈(141)를 고정하며 좌우로 흔들리도록 광기구물(143)이 설치되고, 상기 플라이아이 렌즈(141)를 좌우로 25mm씩 전체 50mm로 흔들어 주도록 서보모터(Servo Motor) 또는 스텝핑 모터(Stepping Motor)와 같은 모터(145)가 일측에 설치되어 상기 플라이아이 렌즈(141)를 저속의 경우 초당 2mm, 고속의 경우 초당 15mm 좌 또는 우로 이송시킨다. 이를 위하여 모터(145)와 함께 모터축(147)이 일측에 구비된다. 물론 전술한 상기 플라이아이 렌즈(141)의 좌우 이송 속도는 노광공정 자체에 영향을 주지 않는 정도의 속도이어야 하며, 이때 사용되는 모터(145)를 비롯한 광기구물(143)의 정밀도에 따라 조정되어야 한다.
한편, 모터축(147) 만으로는 플라이아이 렌즈(141)의 정밀한 이송이 곤란하므로 LM가이드(Linear Motor Guide)와 같은 보조축(149)을 더 구비함이 바람직하다. 도 12에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 적분렌즈 모듈(140)은 플라이아이 렌즈(141)가 광기구물(143)에 장착되고, 모터(145)에 의해 좌우로 약 25mm 이송될 수 있도록 설계된다.
도 13a 및 도 13b는 도 12의 적분렌즈 모듈을 구성하는 2개의 플라이아이 렌즈(141)를 각각 나타낸 도면으로서 각 렌즈의 정면도와 상면도 및 측면도를 나타낸 것이다. 도 13a는 볼록렌즈의 형태로 빔을 모아주는 역할을 하는 플라이아이 렌즈이고, 도 13b는 도 13a의 볼록렌즈에 대응하는 나머지 다른 하나의 플라이아이 렌즈로서 오목렌즈의 형태로 빔을 퍼트리는 역할을 한다. 따라서 도 13a의 볼록렌즈와 도 13b의 오목렌즈를 결합한 한 쌍의 플라이아이 렌즈(141)가 마스크단에 떨어지는 빔의 발산각도를 일정하게 유지하며, 높낮이를 조절하여 빔의 발산각도를 조절하도록 구성됨으로써 빔 리듀서(Beam Reducer) 역할을 수행하여, 평행한 빔이 도 13a 및 도 13b로 입사하여 축소된 평행빔으로 출사하는 광학계를 형성한다.
전술한 바와 같이, 도 13a 및 도 13b의 볼록 및 오목렌즈를 결합하고, 모터(145)를 이용하여 좌우로 흔들어 줌으로써 마스크단에 떨어지는 빔의 세기와 균일도를 향상시킨다. 이때, 모터(145)를 구동하기 위한 전력제어기를 별도로 제작하여 리미트(Limit)를 달고 일정한 스텝(Step)을 주도록 설계하는 것이 바람직하다.
도 14a 및 도 14b는 도 13의 적분렌즈 모듈의 서보모터를 구동하기 전 광분포 시뮬레이션 결과를 3차원 및 2차원 평면에 나타낸 그래프이고, 도 15a 및 도 15b는 도 13의 적분렌즈 모듈의 모터를 구동하는 동안 광분포 시뮬레이션 결과를 3차원 및 2차원 평면에 나타낸 그래프이다. 도 14a 및 도 14b와 도 15a 및 도 15b를 대비하면, 본 발명에 따른 대면적 프로젝션 노광기에 의해 구현되는 광균일도의 개선도가 현저히 나타남을 알 수 있다.
500x500의 대면적을 노광하기 위해서는 750mm 이상의 큰 렌즈를 제작해야 하는데, UV영역을 투과하는 광학소재가 한정되어 있는 상황에서 초정밀 가공을 해야만 미소 선폭의 패턴을 실현 할 수 있는 곤란함이 있다. 한편, 750mm 이상의 광학글라스를 구입하여 제작하는 방안은 기술적으로 국내뿐 아니라 해외에서도 실현하기 힘든 부분이다. 따라서 본 발명에 따른 대면적 프로젝션 노광장치는 조달이 용이하고 초정밀 가공에 의한 제작이 가능한 50x50mm 정도의 광학글라스를 이용한다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 대면적 프로젝션 노광장치에 사용되는 적분렌즈 모듈(140)은 볼록렌즈와 오목렌즈를 조합하여 750mm 크기의 커다란 렌즈와 동일한 역할을 수행할 수 있도록 설계되며, 이는 조달 및 제작이 곤란한 대형 렌즈를 효과적으로 대체할 수 있다. 그러나 하나의 커다란 렌즈로 구현 가능한 광균일도를 일반적인 적분렌즈는 구현하지 못하므로, 광균일도를 구현하기 위해 적분렌즈 쌍(141, 볼록렌즈와 오목렌즈의 조합)을 좌우로 흔들어 주어 광균일도를 개선한 것에 특징이 있다.
한편, 전술한 적분렌즈 모듈(140)의 설계 및 제작과 더불어, 미러(131, 161, 171)의 제작에 있어서, 전술한 실험 결과에 따라 ZrO2에 의하여 반사 코팅을 수행한다. 도 16a 내지 도 16d는 다양한 물질로 코팅한 미러에 대하여 반사측정 색도계를 이용하여 측정한 반사도 그래프로서, 다양한 물질로 코팅한 미러(131, 161, 171)에 대하여 반사측정 색도계를 이용하여 측정한 반사도 그래프이다. 도 16a 내지 도 16d에서 보이는 결과 데이터는 ZrO2에 의한 반사코팅이 바람직함을 나타내고 있다.
한편 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 따라서 본 발명에 따른 대면적 프로젝션 노광장치는 LCD, PCB, SOLAR CELL, FCCL, OLED, D램, ITO GLASS의 PATTERN 형성 등의 다양한 분야에서의 적용이 가능하며, 우선적으로 저급 수준의 노광기인 PCB, SOLAR등의 제작에 사용되는 노광기 및 SOLAR SIMULATOR등의 장비를 제작하는 기반기술에 적용이 될 수 있고, 더 나아가 고급 노광 기술인 STEPPER(D램 제조)의 4:1 축소 PROJECTION 광학계의 설계 및 제조에도 적용될 수 있다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구의 범위뿐 아니라 이 특허청구의 범위와 균등한 것들에 의해서 정해져야 한다.

Claims (7)

  1. 노광을 위한 빛을 발광시키는 광원부;
    상기 광원부의 빛(이하 “빔”)을 일정한 방향으로 모으는 리플렉터부(Ellipitical Reflector);
    상기 빔(Beam)을 1차로 반사시키는 제1미러부;
    상기 제1미러부에서 반사된 빔을 적분하는 적분렌즈부(Integrator Lens);
    상기 적분된 빔을 순간적으로 차단하는 빔셔터(Beam Shutter);
    색선별거울(Dichroic Mirror)로서 특정 파장범위의 빛은 반사하고 그 외의 빛은 투과시켜 상기 빔의 경로를 변경하는 제2미러와, 상기 제2미러를 장착하는 장착판과, 상기 제2미러가 장착된 상기 장착판을 상하로 조정하는 상하조절핀과, 상기 장착판의 하부에 위치하여 상기 제2미러에서 발생하는 열을 발산하는 방열부를 포함하여, 상기 빔셔터를 통과한 빔의 경로를 변경하는 제2미러부;
    상기 제2미러부에서 반사된 빔을 마스크(Mask)에 집광 및 반사시키는 제3미러부; 및
    상기 마스크를 통과한 빔을 기판에 조사하는 프로젝션 렌즈 모듈(Projection Lens Module)를 포함하는 프로젝션 노광장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 광원부는,
    광원이 되는 램프와,
    상기 램프가 끼워져 고정되는 소켓과,
    상기 소켓의 X, Y, Z 축을 각각 조절하여 상기 램프의 초점거리 및 위치를 조정하는 XYZ축 스테이지 및
    상기 소켓의 하단부에 위치하여 상기 소켓과 상기 XYZ축 스테이지를 절연시키는 절연체를 포함하는 프로젝션 노광장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 리플렉터부는,
    원형의 반사갓미러(Parabolic Mirror)와,
    상기 반사갓미러를 고정시키는 고정구와,
    상기 반사갓미러의 수평을 조정하기 위하여 기준틀에 수직으로 고정되어 상기 고정구와 연결되는 수직축 및
    상기 수직축 상에 상기 고정구의 위치를 조정하여 고정하기 위한 조정수단을 포함하는 프로젝션 노광장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 제1미러부는,
    색선별거울(Dichroic Mirror)로서 특정 파장범위의 빛은 반사하고 그 외의 빛은 투과하는 제1미러와,
    상기 제1미러를 장착하는 장착판과,
    상기 제1미러가 장착된 상기 장착판을 상하로 조정하는 상하조절핀과,
    상기 장착판의 중심과 연결되어 상기 장착판의 좌우 틸팅을 조절하는 틸팅축 및
    상기 틸팅축과 연결되어 전후 조절이 가능한 전후조정축을 포함하는 프로젝션 노광장치.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 적분렌즈부는,
    대칭되는 볼록 플라이렌즈 및 오목 플라이렌즈를 포함하는 이중렌즈와,
    상기 이중렌즈를 고정 및 렌즈면에 수평하게 좌우로 이송하도록 가이드가 형성된 광구조물과,
    지정 속도에 따라 상기 이중렌즈를 좌우로 이송시키는 모터를 포함하며,
    상기 이중렌즈를 좌우로 흔들어 상기 빔의 균일도를 조정하는 것을 특징으로 하는 프로젝션 노광장치.
  6. 삭제
  7. 제 1항에 있어서, 상기 제3미러부는,
    상기 빔의 반사 및 집광을 위해 곡률을 갖는 제3미러와,
    상기 제3미러를 고정 및 조정하는 고정 및 조정부를 포함하는 프로젝션 노광장치.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR19980043783A (ko) * 1996-12-05 1998-09-05 문정환 노광장치의 조명계
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Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980043783A (ko) * 1996-12-05 1998-09-05 문정환 노광장치의 조명계
JP2008164729A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Ushio Inc 光照射器及び光照射装置並びに露光方法

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