KR101276537B1 - Polishing paper - Google Patents

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Abstract

기재와, 기재에 접착되는 다수의 연마돌기유닛을 포함하되, 각 연마돌기유닛은 기재에 접착되는 지지층과, 지지층과 일체로 마련되되 지지층으로부터 더 돌출되는 다수의 연마돌기를 포함하는 연마지를 개시한다. 개시된 연마지는 기재에 접착되는 지지층의 면적이 넓음과 동시에 반도체소자를 평탄화하는 연마돌기의 면적이 좁아 연마돌기가 기재로부터 탈락되는 것을 방지할 수 있고 뛰어난 연마성능을 가지는 장점이 있다. 또 개시된 연마지는 종래와는 달리 탑-코팅과 브레이크-인 공정을 포함하지 않으므로 공정이 간소화되고 생산성이 증가되는 장점이 있다. Disclosed is a polishing paper comprising a substrate, and a plurality of polishing protrusion units adhered to the substrate, each polishing protrusion unit comprising a support layer adhered to the substrate, and a plurality of polishing protrusions provided integrally with the support layer and further protruding from the support layer. . The disclosed abrasive paper has an advantage of having a large area of the support layer adhered to the substrate and at the same time a small area of the polishing protrusion for planarizing the semiconductor element, thereby preventing the polishing protrusion from falling off from the substrate and having excellent polishing performance. In addition, since the disclosed abrasive paper does not include a top-coating and break-in process unlike the related art, the process is simplified and productivity is increased.

Description

연마지{Polishing paper}Polishing paper

본 발명은 웨이퍼의 표면 평탄화 작업에 사용되는 연마지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 공정순서를 간소화하는 동시에 연마성능을 향상시킬 수 있는 연마지에 관한 것이다.The present invention relates to an abrasive paper used for the surface planarization work of the wafer, and more particularly, to an abrasive paper that can improve the polishing performance while simplifying the process sequence.

일반적으로 웨이퍼와 같은 반도체소자는 표면의 평탄화 작업이 필수적으로 요구되며, 그 평탄화 작업에는 화학적·기계적 연마(CMP) 공정이 주로 사용된다.In general, semiconductor devices such as wafers are required to planarize the surface, and chemical and mechanical polishing (CMP) processes are mainly used for the planarization.

특히 화학적·기계적 연마공정에 이용되는 연마지는 연마대상물과의 표면마찰을 통해 연마를 유도하며, 그 표면에는 3차원 구조의 연마층이 형성되어 있다.
상기 종래의 연마지는 본 출원인의 선출원인 한국 공개특허 제10-2010-0096717호로 개시되어 알려진 것이 있다.In particular, the abrasive paper used in chemical and mechanical polishing processes induces polishing through surface friction with the polishing object, and a three-dimensional polishing layer is formed on the surface.
The conventional abrasive paper is known and disclosed in Korean Laid-Open Patent Publication No. 10-2010-0096717, the applicant of the present application.

한편, 상기의 연마지의 제조방법을 살펴보면 다음과 같다.On the other hand, look at the manufacturing method of the above abrasive paper as follows.

연마지는 표면에 삼차원 구조의 함몰부가 일정 패턴으로 형성되어 있는 리무버블 페이퍼(RP:Removable Paper)를 준비하고, 함몰부에 연마수지를 나이프코팅방식에 의해 충진하고, 충진된 수지를 경화시키고, 경화된 수지의 표면에 프라이머 접착제에 의해 기재를 합착시키고, 경화된 수지가 접착되어 있는 기재를 리무버블 페이퍼로부터 분리시키고, 기재에 합착된 수지 즉, 연마돌기의 탈락을 방지하기 위해 수지의 표면을 탑-코팅(Top-coating)하고, 탑-코팅된 수지의 연마돌기가 드러나도록 연마돌기의 상면을 제거하는 브레이크-인(Break-in) 공정을 통해 제조된다.Abrasive paper is prepared with a removable paper (RP: Removable Paper) in which the recessed portion of the three-dimensional structure is formed in a predetermined pattern on the surface, the abrasive resin is filled by the knife coating method, the filled resin is cured and cured The substrate is adhered to the surface of the resin by a primer adhesive, the substrate to which the cured resin is adhered is separated from the removable paper, and the resin is bonded to the substrate, that is, the surface of the resin is prevented from falling off. It is manufactured through a break-in process of top-coating and removing the top surface of the polishing protrusion so that the polishing protrusion of the top-coated resin is exposed.

그러나, 종래의 연마지의 제조방법은 기재로부터 연마돌기의 탈락을 방지하기 위해 탑-코팅하고, 탑-코팅된 연마돌기의 상면을 다시 연마재질이 드러나도록 브레이크-인하는 공정을 거쳐야하는 번거로움이 있다.However, the conventional manufacturing method of the abrasive paper has the trouble of having to go through the process of top-coating to prevent the removal of the abrasive projections from the substrate, and break-in the top surface of the top-coated abrasive projections to reveal the abrasive material again. have.

또, 종래의 연마지의 연마돌기는 그 면적이 작을수록 반도체소자의 표면을 평탄화하는 연마성능이 뛰어나다. 하지만 연마돌기의 면적 대비 연마돌기의 높이가 높을 경우 연마돌기가 기재로부터 탈락되기 쉽다. 즉, 연마돌기와 기재 사이의 결합면적이 작아 연마돌기의 기재에 대한 결합력이 낮아서 사용중 전단력에 의해 연마돌기가 기재로부터 탈락되는 문제가 있었다. 따라서 종래에는 연마돌기가 기재로부터 탈락되는 것을 방지하기 위해 연마돌기의 면적이 일정 이상 되어야 하므로 연마성능이 저하되는 한계가 있다.Further, the smaller the area of the conventional abrasive paper polishing projection, the better the polishing performance of flattening the surface of the semiconductor element. However, when the height of the polishing protrusion is high relative to the area of the polishing protrusion, the polishing protrusion is likely to fall off from the substrate. That is, the bonding area between the abrasive projections and the substrate is small, and thus the binding force of the abrasive protrusions to the substrate is low, so that the abrasive protrusions are removed from the substrate by the shear force during use. Therefore, in the related art, in order to prevent the polishing protrusion from falling off from the substrate, the polishing protrusion has to have a predetermined area or more, thereby limiting the polishing performance.

따라서 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명은 기재에 대한 연마돌기의 면적을 상대적으로 증대시켜 연마돌기의 기재기재로부터 연마돌기가 탈락되는 것을 방지하는 동시에 연마성능을 향상시킬 수 있는 연마지를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Accordingly, the present invention is to solve the above problems, the present invention is to increase the area of the polishing projections relative to the substrate relatively to prevent the removal of the polishing projections from the substrate substrate of the polishing projections and at the same time can improve the polishing performance It is an object to provide abrasive paper.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 연마지는 기재와, 상기 기재에 접착되는 다수의 연마돌기유닛을 포함하며,The abrasive paper of the present invention for achieving the above object includes a substrate, and a plurality of polishing protrusion units adhered to the substrate,

상기 각 연마돌기유닛은, 상기 기재에 접착되는 지지층과, 상기 지지층과 일체로 마련되되 상기 지지층으로부터 더 돌출되는 다수의 연마돌기를 포함하는 것을 특징으로 한다.Each of the polishing protrusion units may include a support layer adhered to the substrate, and a plurality of polishing protrusions provided integrally with the support layer and further protruding from the support layer.

상기 지지층은 0.03~0.5 mm의 두께를 갖는 것을 특징으로 한다.The support layer is characterized by having a thickness of 0.03 ~ 0.5 mm.

상기 연마돌기는 모서리부분이 커팅되는 것을 특징으로 한다.The grinding protrusion is characterized in that the corner portion is cut.

상기 연마돌기유닛은 수지제 30.0~65.0 중량%, 연마제 30.0~69.5 중량% 및 첨가제 0.02~0.5 중량%을 혼합한 혼합물로 성형하여 이루어지고,The polishing protrusion unit is formed by molding a mixture of 30.0 to 65.0 wt% of a resin, 30.0 to 69.5 wt% of an abrasive, and 0.02 to 0.5 wt% of an additive,

상기 수지제는 우레탄, 에폭시, 아크릴레이트 중 어느 하나를 포함하고,The resin agent contains any one of urethane, epoxy, acrylate,

상기 연마제는 다이아몬드 파우더, 산화알루미늄, 실리콘 옥사이드, 지르크늄 옥사이드 중 적어도 하나를 포함하고,The abrasive comprises at least one of diamond powder, aluminum oxide, silicon oxide, zirconium oxide,

상기 첨가제는 중공형 미소구를 포함하는 것을 특징으로 한다.The additive is characterized in that it comprises hollow microspheres.

상기 연마돌기는 그 상면을 연마하여 상기 중공형 미소구의 기공이 노출되도록 마련된 것을 특징으로 한다.The polishing protrusion is characterized in that the surface of the hollow microspheres are exposed by polishing the upper surface thereof.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명의 연마지는 기재에 접착되는 지지층과, 이 지지층과 일체로 마련되되 지지층으로부터 돌출되는 다수의 연마돌기를 포함하는 연마돌기유닛을 구비함에 따라, 기재에 접착되는 지지층의 면적이 넓음과 동시에 반도체소자를 평탄화하는 연마돌기의 면적이 좁아 연마돌기가 기재로부터 탈락되는 것을 방지할 수 있고 뛰어난 연마성능을 가지는 장점이 있다.As described above, the abrasive paper of the present invention includes a support layer adhered to the substrate and an abrasive protrusion unit which is provided integrally with the support layer and includes a plurality of abrasive protrusions protruding from the support layer, thereby providing an area of the support layer adhered to the substrate. In addition to this wideness, the area of the polishing protrusion for flattening the semiconductor element is narrow, which prevents the polishing protrusion from falling off from the substrate and has an excellent polishing performance.

또, 본 발명의 연마지는 연마돌기의 탈락을 방지하기 위해 탑-코팅하고, 탑-코팅된 연마돌기의 상면을 다시 연마재질이 드러나도록 브레이크-인하는 공정을 거쳐야하는 종래와는 달리 탑-코팅과 브레이크-인 공정을 포함하지 않으므로 공정이 간소화되고 생산성이 증가되는 장점이 있다.In addition, the abrasive paper of the present invention is top-coated to prevent falling of the abrasive projections, and the top-coating is different from the conventional method in which the top surface of the top-coated abrasive protrusion is subjected to a break-in process so that the abrasive material is exposed again. There is an advantage that the process is simplified and productivity is increased because it does not include the over-break-in process.

또, 본 발명의 연마지는 반도체소자의 평탄화 시 가장 먼저 접촉되는 다수의 연마돌기의 모서리부분을 커팅함에 따라 연마성능을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. In addition, the abrasive paper of the present invention has an advantage of improving the polishing performance by cutting the corners of the plurality of polishing protrusions that are first contacted during the planarization of the semiconductor device.

도 1은 본 발명의 연마지를 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 연마지의 일부를 확대 도시한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 연마지의 제조방법을 순차적으로 도시한 블럭도이다.
도 4는 본 발명의 연마지의 제조방법을 순차적으로 도시한 공정도이다.
도 5는 본 발명의 연마지의 제조방법 중 연마돌기의 모서리부분을 커팅하는 모습을 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 연마지의 제조방법 중 연마돌기의 상면을 연마한 모습을 도시한 도면이다.1 is a perspective view showing the abrasive paper of the present invention.
2 is an enlarged plan view of a part of the abrasive paper of the present invention.
3 is a block diagram sequentially illustrating a method of manufacturing the abrasive paper of the present invention.
4 is a process chart sequentially showing a method of manufacturing the abrasive paper of the present invention.
5 is a view showing a state of cutting the corner portion of the abrasive projection of the manufacturing method of the abrasive paper of the present invention.
6 is a view showing a state of polishing the upper surface of the abrasive projection of the manufacturing method of the abrasive paper of the present invention.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 연마지에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the abrasive paper of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 본 발명의 연마지는 반도체소자의 평탄화를 위해 화학적·기계적 연마(CMP) 공정에 사용되며, 이러한 연마지는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 기재(20)와, 이 기재(20)에 접착되어 있는 다수의 연마돌기유닛(30)을 포함한다. First, the abrasive paper of the present invention is used in a chemical mechanical polishing (CMP) process to planarize a semiconductor device, and such abrasive paper is applied to the substrate 20 and the substrate 20 as shown in FIGS. 1 and 2. It includes a plurality of abrasive projection unit 30 is bonded.

기재(20)는 후술할 제조방법에 의해 다수의 연마돌기유닛(30)의 이면에 프라이머 접착제(40,도 4 참조)에 의해 접착된다.The substrate 20 is adhered to the back surface of the plurality of polishing protrusion units 30 by a primer adhesive 40 (see FIG. 4) by a manufacturing method to be described later.

다수의 연마돌기유닛(30)은 기재(20)에 접착되는 부분인 지지층(31)과, 이 지지층(31)과 일체로 마련되어 반도체소자를 직접적으로 평탄화하는 다수의 연마돌기(33)를 포함한다. The plurality of polishing protrusion units 30 include a support layer 31, which is a portion bonded to the substrate 20, and a plurality of polishing protrusions 33, which are integrally formed with the support layer 31 to directly planarize the semiconductor device. .

지지층(31)은 기재(20)에 직접적으로 접착되는 부분이다. 상기와 같이 기재(20)에 접착되는 부분은 그 면적이 넓을수록 기재(20)로부터 탈락되는 것이 적은데, 본 발명에서는 하나의 지지층(31)에 다수의 연마돌기(33)가 일체로 마련됨에 따라 기재(20)에 접착되는 부분의 면적을 넓게 할 수 있다.The support layer 31 is a portion directly bonded to the substrate 20. As described above, the portion bonded to the substrate 20 is less likely to be dropped from the substrate 20 as the area thereof is wider. In the present invention, the plurality of polishing protrusions 33 are integrally provided in one support layer 31. The area of the part bonded to the base material 20 can be enlarged.

상기의 지지층(31)의 두께는 통상 0.03~0.5mm의 범위인 것이 바람직하다. 통상적으로 연마돌기(33)의 높이가 0.5mm인 경우 지지층(31)의 두께는 0.05~0.1mm 정도인 것이 바람직하다. 상기와 같이 지지층(31)의 두께를 제한하는 것은 0.1mm 이상으로 두꺼워지면 지지층(31)의 형성에 따른 원료의 손실이 많아지기 때문이다.It is preferable that the thickness of the said support layer 31 is a range of 0.03-0.5 mm normally. Typically, when the height of the grinding protrusion 33 is 0.5mm, the thickness of the support layer 31 is preferably about 0.05 to 0.1mm. The reason for limiting the thickness of the support layer 31 as described above is that when the thickness becomes thicker than 0.1 mm, the loss of raw materials due to the formation of the support layer 31 increases.

그리고 상기의 지지층(31)은 연마돌기(33)과 같은 재질로 이루어진다. 즉, 지지층(31)의 재질은 우레탄, 에폭시, 아크릴레이트 중 적어도 하나를 포함하는 수지재질에 다이아몬드 파우더, 산화알루미늄, 실리콘 옥사이드, 지르크늄 옥사이드 중 적어도 하나의 연마제가 함유되어 있는 혼합성분으로 이루어진다.The support layer 31 is made of the same material as the grinding protrusion 33. That is, the material of the support layer 31 is made of a mixed component containing at least one abrasive of diamond powder, aluminum oxide, silicon oxide, zirconium oxide in a resin material containing at least one of urethane, epoxy, and acrylate. .

연마돌기(33)는 상술한 바와 같이 지지층(31)에 다수개가 일체로 마련되며, 이때의 연마돌기(33)는 도시된 바와 같이 지지층(31)으로부터 더 돌출되게 마련된다. 도 1 및 도 2에 도시된 본 발명의 실시예에서는 하나의 지지층(31) 상에 4개의 연마돌기(33)가 마련되는데, 6개 또는 9개가 마련될 수도 있다.As described above, a plurality of abrasive protrusions 33 are integrally provided on the support layer 31, and the abrasive protrusions 33 are provided to protrude further from the support layer 31 as shown. 1 and 2, four polishing protrusions 33 are provided on one support layer 31, and six or nine may be provided.

상기의 연마돌기(33)의 재질은 지지층(31)과 같이 우레탄, 에폭시, 아크릴레이트 중 적어도 하나를 포함하는 수지재질에 다이아몬드 파우더, 산화알루미늄, 실리콘 옥사이드, 지르크늄 옥사이드 중 적어도 하나의 연마제가 함유되어 있는 혼합성분으로 이루어진다. 또, 본 발명의 연마돌기유닛(30)은 Expancel®과 SiO2같은 중공형 미소구(36, 도 6 참조)를 더 포함할 수 있다.
상기 중공형 미소구(36)는 통상 알려진 바와 같이, 열가소성 수지를 중공구형태로 만들되, 내부에는 탄화수소가스가 내포된 구조로 되어 있다. 이러한 중공형 미소구(36)는 상기 연마돌기(33)의 성형시 가해지는 고온의 열에 의해 부피가 팽창하여 연마돌기(33)의 내부에 중공형 기공을 형성하는 역할을 한다. The abrasive protrusion 33 may be formed of at least one of diamond powder, aluminum oxide, silicon oxide, and zirconium oxide in a resin material including at least one of urethane, epoxy, and acrylate, such as the support layer 31. It consists of mixed ingredients contained. In addition, the abrasive projecting unit 30 of the present invention may further include hollow microspheres 36 (see FIG. 6) such as Expancel® and SiO2.
The hollow microspheres 36 have a structure in which a thermoplastic resin is formed in a hollow sphere shape, but a hydrocarbon gas is contained therein, as is commonly known. The hollow microspheres 36 serve to form hollow pores in the interior of the polishing protrusion 33 by expanding in volume by high temperature heat applied during molding of the polishing protrusion 33.

또, 본 발명에서 지지층(31)에 일체로 마련되는 다수의 연마돌기(33)는 밀링장치(60,도 5 참조)와 같은 부재에 의해 모서리부분(32)이 커팅되는 형상을 갖는다.
In addition, in the present invention, the plurality of polishing protrusions 33 provided integrally with the support layer 31 has a shape in which the edge portion 32 is cut by a member such as a milling apparatus 60 (see FIG. 5).

이하에서는 도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명의 연마지의 제조방법에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the abrasive paper of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4.

① 리무버블폐이퍼 준비단계(S10)① Removable waste paper preparation step (S10)

본 발명의 연마지를 제조하기 위해서는 가장 먼저 리무버블 페이퍼(10)를 준비한다. 이러한 리무버블 페이퍼(10)의 표면에는 연마지의 연마돌기유닛(30)과 대응되는 함몰부(15)가 일정 패턴으로 형성되어 있다. In order to manufacture the abrasive paper of the present invention, first, the removable paper 10 is prepared. On the surface of the removable paper 10, the depression 15 corresponding to the polishing protrusion unit 30 of the abrasive paper is formed in a predetermined pattern.

이때, 본 발명의 연마돌기유닛(30)은 기재(20)에 접착되는 부분인 지지층(31)과, 이 지지층(31)과 일체로 마련되어 반도체소자를 직접적으로 평탄화하는 다수의 연마돌기(33)를 포함함에 따라, 리무버블 페이퍼(10)의 각 함몰부(15)의 사이에 배치되는 부분은 연마돌기유닛(30)의 지지층(31)이 형성될 수 있도록 단차를 갖는다. At this time, the polishing protrusion unit 30 of the present invention is a support layer 31 which is a part bonded to the substrate 20, and a plurality of polishing protrusions 33 are provided integrally with the support layer 31 to planarize the semiconductor device directly. As it includes, the portion disposed between each recess 15 of the removable paper 10 has a step so that the support layer 31 of the polishing projection unit 30 can be formed.

상기의 리무버블 페이퍼(10)의 재질은 점착성이 없는 실리콘이나 폴리에틸렌이 사용되며, 특히 RTV(Room Temperature Vulcanizing)라고 하는 몰드 복제용 실리콘을 사용하는 것이 바람직하다.As the material of the removable paper 10, non-tacky silicone or polyethylene is used, and in particular, it is preferable to use silicone for mold duplication called RTV (Room Temperature Vulcanizing).

② 연마재료의 충진 단계(S20)② Filling step of the abrasive material (S20)

리무버블 페이퍼(10)를 준비한 후에는 리무버블 페이퍼(10)의 함몰부(15)에 연마재료를 나이프코팅 방식에 의해 충진한다. After preparing the removable paper 10, the recess 15 of the removable paper 10 is filled with a polishing material by a knife coating method.

이때, 연마재료는 수지제 30.0~65.0 중량%, 연마제 30.0~69.5 중량% 및 첨가제 0.05~0.2 중량%의 혼합성분으로 이루어진다. 수지제는 우레탄, 에폭시, 아크릴레이트 중 어느 하나를 포함한다. 연마제는 다이아몬드 파우더, 산화알루미늄, 실리콘 옥사이드, 지르크늄 옥사이드 중 적어도 하나를 포함한다. 첨가제는 Expancell과 SiO2와 같은 중공형 미소구(36, 도 6 참조)를 포함한다.At this time, the abrasive material is composed of a mixed component of the resin 30.0 ~ 65.0 weight%, the abrasive 30.0 ~ 69.5 % by weight and the additive 0.05 ~ 0.2% by weight. The resin agent includes any one of urethane, epoxy and acrylate. The abrasive includes at least one of diamond powder, aluminum oxide, silicon oxide, zirconium oxide. The additive includes hollow microspheres 36 (see FIG. 6) such as Expancell and SiO 2.

③ 연마재료의 경화 단계(S30)③ curing step of the abrasive material (S30)

리무버블 페이퍼(10)의 함몰부(15)에 연마재료를 충진한 후 일정 시간이 경과되면 연마재료 즉, 연마돌기유닛(30)이 자연적으로 경화된다.After a predetermined time elapses after filling the recessed portion 15 of the removable paper 10 with the abrasive material, that is, the abrasive protrusion unit 30 is naturally cured.

④ 기재 접착 단계(S40)④ substrate adhesion step (S40)

연마돌기유닛(30)이 경화된 후에는 경화된 연마돌기유닛(30)에 프라이머 접착제(40)를 도포하고, 접착제(40)가 도포된 연마돌기유닛(30)에 기재(20)를 접착한다. 이때의 기재(20)는 PET 필름이나 종이 또는 직포 등을 선택적으로 사용할 수 있다.After the polishing protrusion unit 30 is cured, the primer adhesive 40 is applied to the cured polishing protrusion unit 30, and the substrate 20 is adhered to the polishing protrusion unit 30 to which the adhesive 40 is applied. . At this time, the substrate 20 may be selectively used PET film, paper or woven fabric.

⑤ 기재 분리 단계(S50)⑤ substrate separation step (S50)

연마돌기유닛(30)에 기재(20)를 접착한 후에는 일정시간이 경과 후 연마돌기유닛(30)이 접착된 기재(20)를 리무버블 페이퍼(10)로부터 분리한다. 이러한 과정에서 연마돌기유닛(30)은 기재(20)에 견고하에 결합되어 있는 상태를 유지한다. 즉, 기재(20)로부터 분리된 연마돌기유닛(30)은 도시된 바와 같이 지지층(31)과 이 지지층(31)에 일체로 마련되는 다수의 연마돌기(33)를 포함하는 형태를 유지한다.After the substrate 20 is adhered to the abrasive protrusion unit 30, the substrate 20 to which the abrasive protrusion unit 30 is adhered is separated from the removable paper 10 after a predetermined time has elapsed. In this process, the polishing protrusion unit 30 maintains a state in which it is firmly coupled to the substrate 20. That is, the polishing protrusion unit 30 separated from the substrate 20 maintains a shape including a supporting layer 31 and a plurality of polishing protrusions 33 provided integrally with the supporting layer 31 as shown.

따라서, 본 발명에서는 넓은 면적의 지지층(31) 상에 다수의 연마돌기(33)가 구비됨에 따라 기재(20)에 접착되는 면적이 넓은 동시에 반도체소자에 직접적으로 평탄화하는 연마돌기(33)의 면적이 작을 수 있다. 이에 따라 본 발명에서는 연마돌기(33)가 기재(20)로부터 탈락되는 것을 방지하는 동시에 연마성능을 향상시킬 수 있다.Therefore, in the present invention, as the plurality of polishing protrusions 33 are provided on the support layer 31 having a large area, the area of the polishing protrusions 33 which is largely bonded to the substrate 20 and is directly planarized on the semiconductor device. This can be small. Accordingly, in the present invention, the polishing protrusion 33 can be prevented from falling off from the substrate 20 and the polishing performance can be improved.

또한, 본 발명에서는 기재로부터 연마돌기의 탈락을 방지하기 위해 탑-코팅하고, 탑-코팅된 연마돌기의 상면을 다시 연마재질이 드러나도록 브레이크-인하는 공정을 거쳐야하는 종래와는 달리 탑-코팅과 브레이크-인 공정을 포함하지 않으므로 공정이 간소화되고 생산성이 증가되는 장점이 있다.In addition, in the present invention, the top-coating, in order to prevent the removal of the abrasive projections from the substrate, and the top-coating, unlike the conventional process of having to go through the process of brake-in the top surface of the top-coated abrasive projections again to reveal the abrasive material There is an advantage that the process is simplified and productivity is increased because it does not include the over-break-in process.

⑥ 연마돌기의 모서리부분 커팅 단계⑥ Cutting edge of grinding protrusion

리무버블 페이퍼(10)로부터 연마돌기유닛(30)이 접착된 기재(20)를 분리한 후에는, 도 5에 도시된 바와 같이 밀링장치(60)와 같은 부재를 이용하여 연마돌기유닛(30)의 다수의 연마돌기(33)의 모서리부분(32)을 커팅한다.After separating the substrate 20 to which the abrasive protrusion unit 30 is adhered from the removable paper 10, the abrasive protrusion unit 30 is formed using a member such as the milling apparatus 60 as shown in FIG. 5. The edge portion 32 of the plurality of abrasive projections 33 of the cutting.

상기와 같이 다수의 연마돌기(33)의 모서리부분(32)을 커팅하는 것은 본 발명의 연마지에 의해 반도체소자를 평탄화할때 이 반도체소자에 가장 먼저 접촉되는 부분이 연마돌기(33)의 측면이므로 모서리부분(32)의 커팅에 따라 연마돌기(33)의 연마성능을 향상시킬 수 있기 때문이다.Cutting the edge portion 32 of the plurality of abrasive projections 33 as described above is the first contacting part of the semiconductor device when the planarization of the semiconductor device by the abrasive paper of the present invention is the side of the abrasive projection 33 This is because the polishing performance of the polishing protrusion 33 can be improved by cutting the edge portion 32.

⑦ 연마돌기 상면의 연마 단계⑦ Polishing step of the upper surface of the grinding protrusion

리무버블 페이퍼(10)로부터 연마돌기유닛(30)이 접착된 기재(20)를 분리한 후 또는 연마돌기(33)의 모서리부분(32)을 커팅한 후에는, 도 6에 도시된 바와 같이 연마돌기(33)의 상면을 연마하는 과정을 거친다.After removing the substrate 20 to which the abrasive protrusion unit 30 is adhered from the removable paper 10 or after cutting the corner portion 32 of the abrasive protrusion 33, polishing is performed as shown in FIG. 6. The process of grinding the upper surface of the projection (33).

상기와 같이 연마돌기(33)의 상면을 연마하는 것은, 본 발명의 연마돌기(33)가 수지제와, 연마제 및 첨가제의 혼합성분으로 이루어짐에 따라 연마돌기(33)의 상면을 연마 시 중공형 미소구(36) 또한 연마되어 기공이 연마돌기(33)의 상면을 통해 노출되어 연마돌기(33)의 상면의 표면조도가 거칠게 되기 때문이다. 이로 인해 본 발명의 연마지의 연마성능은 더욱 향상될 수 있다.As described above, the polishing of the upper surface of the polishing protrusion 33 is performed when the polishing protrusion 33 of the present invention is made of a resin and a mixed component of an abrasive and an additive. This is because the microspheres 36 are also polished so that the pores are exposed through the top surface of the polishing protrusion 33 to roughen the surface roughness of the top surface of the polishing protrusion 33. This may further improve the polishing performance of the abrasive paper of the present invention.

10 : 리무버블 페이퍼 15 : 함몰부
20 ; 기재 30 : 연마돌기유닛
31 : 지지층 32 : 연마돌기의 모서리부분
33 : 연마돌기 36 : 중공형 미소구
40 : 접착제 60 ; 밀링장치10: removable paper 15: depression
20; Substrate 30: abrasive projection unit
31: support layer 32: corner portion of the grinding protrusion
33: abrasive projection 36: hollow microspheres
40: adhesive 60; Milling equipment

Claims (5)

기재(20)와, 상기 기재(20)에 접착되는 다수의 연마돌기유닛(30)을 포함하며,
상기 기재(20)에 서로 일정한 간격을 두고 분리되어 구비되되 각각은 저면이 상기 기재(20)에 전체적으로 접착되어 고정되는 복수개의 지지층(31)과,
상기 각 지지층(31)에 일체로 돌출되게 성형되어 구비되되 서로 일정한 간격을 두고 배치된 복수개의 연마돌기(33)를 포함하고,
상기 각 지지층(31)에 구비된 복수개의 연마돌기(33)들은 서로 인접하는 부분에서 컷팅되어 모서리부분(32)이 형성되며,
상기 연마돌기유닛(30)은,
수지제 35.95~63.90 중량%, 연마제 36.0~63.90 중량% 및 열가소성 수지로 성형된 중공형 미소구 0.05~0.2 중량%의 첨가제를 포함한 혼합물을 용융하여 몰드에 주입하여 일체로 성형되어 이루어지고,
상기 연마돌기유닛(30)의 연마돌기(33)의 표면은 연마되어 표면에 상기 중공형 미소구(36)의 기공이 노출된 것을 특징으로 하는 연마지.A base 20 and a plurality of abrasive projecting units 30 adhered to the base 20,
A plurality of support layers 31 provided separately from each other at regular intervals on the substrate 20, each of which has a bottom surface bonded and fixed to the substrate 20 as a whole;
It includes a plurality of polishing protrusions 33 are formed to be integrally protruded to each of the support layer 31, and are arranged at a predetermined interval from each other,
The plurality of polishing protrusions 33 provided in the support layers 31 are cut at adjacent portions to form corner portions 32.
The polishing protrusion unit 30,
A mixture containing 35.95 to 63.90 % by weight of resin, 36.0 to 63.90 % by weight of abrasive, and 0.05 to 0.2% by weight of hollow microspheres molded from thermoplastic resin is melted and injected into a mold to be integrally formed.
The surface of the polishing projections (33) of the polishing projection unit (30) is polished, characterized in that the pores of the hollow microspheres 36 exposed on the surface. 제1항에 있어서,
상기 지지층(31)은 0.03~0.5 mm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 연마지.The method of claim 1,
The support layer 31 is abrasive paper, characterized in that having a thickness of 0.03 ~ 0.5 mm. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 수지제는 우레탄, 에폭시, 아크릴레이트 중 어느 하나를 포함하고,
상기 연마제는 다이아몬드 파우더, 산화알루미늄, 실리콘 옥사이드, 지르크늄 옥사이드 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 연마지.The method of claim 1,
The resin agent contains any one of urethane, epoxy, acrylate,
The abrasive is abrasive paper comprising at least one of diamond powder, aluminum oxide, silicon oxide, zirconium oxide. 삭제delete
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