KR101274250B1 - 방사 패턴 재구성 안테나 - Google Patents

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KR101274250B1
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임성준
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중앙대학교 산학협력단
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Abstract

방사 패턴 재구성 안테나가 개시된다. 본 발명은, 내측부가 상기 방사 패치의 외측부와 서로 이격되는 접지 패치와 방사 패치 사이의 연결을 단속하여 방사 패턴을 가변한다. 본 발명에 따르면, 단일 안테나를 통해 수직 방향이나 수평 방향으로 방사 패턴을 변환할 수 있다.

Description

방사 패턴 재구성 안테나{RADIATION PATTERN RECONFIGURABLE ANTENNA}
본 발명은 방사 패턴 재구성 안테나에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 단일 안테나를 통해 수직 방향이나 수평 방향으로 방사 패턴을 변환할 수 있는 안테나에 관한 것이다.
이동통신 기술의 발전으로 인해 필요에 따라 안테나 특성의 일부를 변환할 수 있는 재구성 안테나(reconfigurable antenna)의 중요성이 증대되고 있다. 재구성 안테나는 기계적 또는 전기적인 방법으로 안테나의 특성인 중심 주파수(intermediate frequency), 방사 패턴(radiation pattern) 및 편파(polarization)를 변환한다. 구체적으로, 주파수 재구성 안테나는 다중 대역 또는 광대역 안테나를 대신할 수 있다. 또한 방사 패턴 재구성 안테나는 위상 배열 안테나에 대한 대안이 될 수 있다. 마지막으로 편파 재구성 안테나는 선형 편파와 원형 편파를 동일 동작 주파수에서 변환하며, 디지털 멀티미디어 브로드캐스팅(digital multimedia broadcasting : DMB) 시스템, RFID(radio-drequency identification) 태그 시스템 또는 적응적 스마트 안테나 시스템에 적용될 수 있다.
최근, 적응적 다중 입출력 스위칭(adaptive MIMO switching : AMS) 시스템은 운용 범위(area of coverage)의 감소없이 스펙트럼 효율성(spectral efficiency)을 최대화하기 위해 다른 MIMO 모드 사이의 스위칭을 하고 있다. 이러한 AMS 시스템을 통한 통신을 위해서는 방사 패턴이나 편파를 변환할 수 있는 재구성 안테나가 필요하다. 방사 패턴이나 편파 다이버시티(diversity) 기술은 다중경로 페이딩(multipath fading) 효과를 해결하는데 효과적이고, 공간 다이버시티 기술에 비해 안테나 설치 비용을 감소시킬 수 있다. 이에 따라 재구성 안테나에 대한 개발이 활발히 이루어지고 있다.
KR 10-2009-0100758 (주식회사 에이스안테나) 2009. 9. 24. 특허문헌 1은 스위칭수단을 이용한 주파수 가변형 안테나 장치로서, 특허문헌 1에는 안테나부가 연결 배치된 PCB의 접지면 상호간을 온-오프 동작하여 전기적으로 연결하는 스위칭수단의 연결 상태를 제어하여 접지면의 크기를 변화시키는 내용이 개시되어 있다. KR 10-2004-0093407 (알프스 덴키 주식회사) 2004. 11. 5. 특허문헌 2는 안테나 장치로서, 특허문헌 2에는 바이어스 전압에 따라 용량값이 변화하는 가변 용량 소자(버랙터 다이오드)를 설치하고, 가변 용량 소자의 용량값이 안테나 공진 주파수를 변화시키는 부가 용량값이 되도록 가변 용량 소자를 방사 전극과 전기적으로 접속하며, 가변 용량 소자에 공급하는 직류 바이어스 전압을 제어신호로 하여 안테나 공진 주파수를 수신 주파수에 따라 변화시키는 내용이 개시되어 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 단일 안테나를 통해 수직 방향이나 수평 방향으로 방사 패턴을 변환할 수 있는 방사 패턴 재구성 안테나를 제공하는 데 있다.
상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 방사 패턴 재구성 안테나는, 하부 기판과 이격되게 상기 하부 기판의 상부에 배치되고, 복수 개의 비아(via)를 통해 상기 하부 기판과 접속되는 방사 패치와, 상기 방사 패치의 외측부와 접속되는 급전 패치와, 내측부가 상기 방사 패치의 외측부와 서로 이격되고 복수 개의 비아를 통해 상기 하부 기판과 접속되는 접지 패치로 이루어진 상부 기판; 및 일측이 상기 방사 패치의 외측부의 일 지점과 접속되고, 타측이 상기 접지 패치의 내측부의 일 지점과 접속되며, 상기 방사 패치와 상기 접지 패치 사이의 연결을 단속하여 방사 패턴(radiation pattern)을 가변하는 스위칭부;를 포함한다.
본 발명에 따른 방사 패턴 재구성 안테나에 의하면, 단일 안테나를 통해 핀 다이오드(PIN Diode)를 이용하여 수직 방향이나 수평 방향으로 방사 패턴을 변환할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나의 구성을 도시한 사시도,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나의 방사 패턴 가변 동작의 원리를 설명하기 위한 도면,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나의 상면의 구성을 도시한 평면도,
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나의 방사 패턴을 모델링한 도면,
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나의 반사 손실을 나타낸 그래프,
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나의 상면의 구성을 도시한 평면도,
도 8 및 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나의 전계 분포를 나타내는 도면,
도 10 및 도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나의 방사 패턴을 모델링한 도면,
도 12는 스위칭부 배치의 다른 예를 설명하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나의 상면의 구성을 도시한 평면도,
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나의 반사 손실을 나타낸 그래프, 그리고,
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나의 방사 패턴을 나타낸 그래프이다.
이하에서 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 방사 패턴 재구성 안테나의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나의 구성을 도시한 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나는 하부 기판(300)의 상부에 상부 기판(100)이 이격되게 배치되고, 상부 기판(100)을 하부 기판(300)으로부터 이격시키는 폼층(200)이 배치된다. 이때, 폼층(200)의 높이는 실험적으로 구해지며, 본 발명의 일 실시예에 따른 폼층(200)의 높이는 5mm로 한다. 또한, 상부 기판(100) 및 하부 기판(300)의 두께는 실험적으로 구해지며, 본 발명의 일 실시예에 따른 상부 기판(100) 및 하부 기판(300)은 각각 0.6mm FR4 및 1.6mm FR4를 이용한다.
상부 기판(100)은 복수 개의 비아(via)를 통해 하부 기판(300)과 접속되는 방사 패치(110), 방사 패치(110)의 외측부와 접속되는 급전 패치(130) 및 내측부가 방사 패치(110)의 외측부와 서로 이격되게 복수 개의 비아(via)를 통해 하부 기판(300)과 접속되는 접지 패치(170)로 이루어진다. 한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 방사 패치를 원형으로 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 실시예에 따라 사각형 등과 같이 다른 도형 형태로 이루질 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나는 상부 기판(100)에 두 개의 스위칭 모듈(150a 및 150b)을 포함하는 스위칭부(150)를 구비한다. 스위칭부(150)는 일측이 방사 패치(110)의 외측부의 일 지점과 접속되고, 타측이 접지 패치(170)의 내측부의 일 지점과 접속되며, 방사 패치(110)와 접지 패치(170) 사이의 연결을 단속하여 방사 패턴(radiation pattern)을 가변한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나의 방사 패턴 가변 동작의 원리를 설명하기 위한 도면이다. 도 2의 (a)는 일반적인 CPWG(coplanar wave guide ground) 구조를 나타내고, 도 2의 (b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 CPWG 구조를 나타낸다.
도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 방사 패치(110)와 접지 패치(170)를 스위칭부(150)를 통해 연결(switch ON)하거나 분리(switch OFF)함으로써, 단일 안테나를 통해 방사 패턴을 수직 방향이나 수평 방향으로 변환할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나의 상면의 구성을 도시한 평면도이다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 급전 패치(130)는 급전 선로(131) 및 급전 선로(131)의 일측 단부에서 양 방향으로 연장 형성되고 방사 패치(110)의 외측부 중 일정 영역과 접속되는 스터브(133)를 구비한다.
스위칭부(150)는 두 개의 스위칭 모듈(150a 및 150b)을 포함한다. 스위칭 모듈(150a 및 150b) 각각은 방사 패치(110)와 접지 패치(170) 사이의 연결을 단속한다. 또한, 스위칭 모듈(150a 및 150b) 각각은 방사 패치(110)의 외측부 중 서로 다른 지점과 접속된다. 이때, 스위칭 모듈(150a 및 150b) 각각은 서로 60도의 간격을 두고 방사 패치(110)의 외측부와 접속될 수 있다. 물론, 스위칭 모듈(150a 및 150b) 각각이 방사 패치(110)와 접속되는 지점, 스위칭 모듈(150a 및 150b) 사이의 이격 각도 등은 실험적으로 구해진다.
제1스위칭 모듈(150a)은 제1핀 다이오드(PD_a), 제1DC 블록부(DCB_a), 제1RF 초크부(RFC_a) 및 제1바이어스부(BIAS_a)를 포함한다. 제1핀 다이오드(PD_a)는 방사 패치(110)의 외측부와 접지 패치(170)의 내측부 사이에 위치하여 방사 패치(110)와 접지 패치(170) 사이의 연결을 단속한다. 제1DC 블록부(DCB_a)는 직류(DC)가 세어 나가지 못하게 하고 원하는 주파수 성분을 통과시키기 위해 직렬로 배치된다. 제1RF 초크부(RFC_a)는 직류(DC) 전원에 이상 발진을 유발할 가능성이 있는 교류(AC) 성분을 차단하기 위해 배치된다. 제1바이어스부(BIAS_a)는 직류(DC) 전원을 공급한다.
보다 자세하게 설명하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나는 복합 좌우현(composite right/left-handed : CRLH) 전송 선로(transmission Line : TL)에 의해 실현된다. 일반적인 복합 좌우현 전송 선로(CRLH TL)는 직렬 인덕턴스(series inductance)
Figure 112012014900494-pat00001
과 직렬 커패시턴스(series capacitance)
Figure 112012014900494-pat00002
에 더하여 션트 인덕턴스(shunt inductance)
Figure 112012014900494-pat00003
과 션트 커패시턴스(shunt capacitance)
Figure 112012014900494-pat00004
로 구성된다. 오픈 엔드 구조(open ended structure)의 경우, 공진 주파수(resonant frequency)
Figure 112012014900494-pat00005
는 다음의 [수학식 1]과 같은 션트 공진 주파수(shunt resonant frequency)
Figure 112012014900494-pat00006
에 의해 결정된다.
Figure 112012014900494-pat00007
즉, 공진 주파수
Figure 112012014900494-pat00008
의 공진 조건(resonance condition)은 션트 파라미터(shunt parameter)들, 즉, 션트 인덕턴스(shunt inductance)
Figure 112012014900494-pat00009
과 션트 커패시턴스(shunt capacitance)
Figure 112012014900494-pat00010
에 달려 있다. 복합 좌우현 전송 선로(CRLH TL)들은 주기적 경계 조건(periodic boundary condition)을 가지기 때문에, 공진 주파수
Figure 112012014900494-pat00011
의 분산 관계(dispersion relation)
Figure 112012014900494-pat00012
는 다음의 [수학식 2]에 의해 결정된다.
Figure 112012014900494-pat00013
여기서,
Figure 112012014900494-pat00014
는 부호 함수(sign function)를 나타내고,
Figure 112012014900494-pat00015
는 극소 길이(differential length)를 나타낸다.
이러한 공진 주파수들에서,
Figure 112012014900494-pat00016
가 0인 경우, 즉 무한 파장(infinite wavelength)은 자류 밀도(magnetic current density)
Figure 112012014900494-pat00017
이 정위상(constant phase)을 가지는 원형 패치(circular patch)의 에지(edge)를 따라 형성되는 것을 지지할 수 있다. 수평 자류 밀도(horizontal magnetic current density)는 쌍대 정리(duality theorem)로부터 수직 전류 밀도(vertical electrical current density)에 해당한다.
본 발명에 따른 방사 패턴 재구성 안테나는 CPWG 타입 재구성 안테나이고, 상부 기판(100), 하부 기판(300) 및 폼층(200)을 구비한다. 션트 커패시턴스(shunt capacitance)
Figure 112012014900494-pat00018
은 방사 패치(110)와 접지 패치(170) 사이의 커패시턴스로부터 실현된다. 션트 인덕턴스(shunt inductance)
Figure 112012014900494-pat00019
은 방사 패치(110)와 하부 기판(300) 사이의 비아(via) 구조로부터 실현된다. 두 개의 스위칭 모듈(150a 및 150b)을 포함하는 스위칭부(150)는 방사 패치(110)와 접지 패치(170) 사이에 마운트(mount)된다. 공진 주파수(resonant frequency)는 스위칭부(150)의 위치에 의해 크게 영향을 받는다. 스위칭 모듈(150a 및 150b)은 양 상태(switch OFF 및 switch ON)에서 이상적인 공진 주파수를 가지기 위해 각각
Figure 112012014900494-pat00020
가 60도 및 120도인 곳에 위치한다. 이때,
Figure 112012014900494-pat00021
의 측정 기준선은 스위칭 모듈(150a 및 150b)에 포함된 핀 다이오드이다.
본 발명에 따른 방사 패턴 재구성 안테나는 방사 패치(110)와 접지 패치(170) 사이의 연결(switch ON)과 분리(switch OFF)는 스위칭 모듈(150a 및 150b)에 포함된 두 개의 핀 다이오드를 통해서 실현된다. 이와 같은 핀 다이오드 동작을 이용하여, 단일 안테나(single antenna)에서 두 개의 서로 다른 방사 패턴을 얻을 수 있다.
그러면, 도 4 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나의 성능에 대해 설명한다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나의 방사 패턴을 모델링한 도면이다.
방사 패치(110)와 접지 패치(170) 사이가 분리(switch OFF)된 경우(도 4 참조)와 방사 패치(110)와 접지 패치(170) 사이가 연결(switch ON)된 경우(도 5 참조)에 발생되는 방사 패턴은 서로 상이함을 확인할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나의 반사 손실을 나타낸 그래프이다. 여기서, 가로축은 주파수(frequency)를 나타내고, 세로축은 반사 손실(return loss)을 나타낸다. 선 ①은 방사 패치(110)와 접지 패치(170) 사이가 분리(switch OFF)된 경우에 시뮬레이션된 주파수별 반사 손실을 나타내고, 선 ②는 방사 패치(110)와 접지 패치(170) 사이가 분리(switch OFF)된 경우에 측정된 주파수별 반사 손실을 나타낸다. 그리고 선 ③은 방사 패치(110)와 접지 패치(170) 사이가 연결(switch ON)된 경우에 시뮬레이션된 주파수별 반사 손실을 나타내고, 선 ④는 방사 패치(110)와 접지 패치(170) 사이가 연결(switch ON)된 경우에 측정된 주파수별 반사 손실을 나타낸다.
도 6에 도시된 바와 같이, 측정된 주파수 대비 반사 손실과 시뮬레이션된 주파수 대비 반사 손실의 차이가 비교적 크지 않아 높은 효율을 보이고 있다. 이와 같이 단일 안테나를 통해서도 다양한 방사 패턴이 가능함을 확인할 수 있다.
그러면, 도 7 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나에 대해 설명한다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나의 상면의 구성을 도시한 평면도이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나의 스위칭부(150)는 세 개의 스위칭 모듈(150c, 150d 및 150e)을 포함한다. 스위칭 모듈(150c, 150d 및 150e)이 각각
Figure 112012014900494-pat00022
가 0도, 90도 및 180도인 곳에 위치한다. 물론, 스위칭 모듈(150c, 150d 및 150e)의 배치 위치는 실험적으로 구해진다. 예컨대, 스위칭 모듈(150c, 150d 및 150e)이 각각
Figure 112012014900494-pat00023
가 15도, 90도 및 165도인 곳에 위치할 수 있다. 또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나의 폼층(200)의 높이는 3mm로 한다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나의 전계 분포를 나타내는 도면이고, 도 10 및 도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나의 방사 패턴을 모델링한 도면이다.
방사 패치(110)와 접지 패치(170) 사이가 분리(switch OFF)된 경우(도 8 참조)에는 안테나 주변에 일정한 자계 루프가 발생하고 결과적으로 수직 전계 분포가 생성된다. 이에 반면, 방사 패치(110)와 접지 패치(170) 사이가 연결(switch ON)된 경우(도 9 참조)에는 스위칭 모듈(150c, 150d 및 150e)을 기준으로 불연속 지점이 존재하면서 자계가 양쪽으로 나누어짐을 확인할 수 있다.
이에 따라, 방사 패치(110)와 접지 패치(170) 사이가 분리(switch OFF)된 경우(도 10 참조)와 방사 패치(110)와 접지 패치(170) 사이가 연결(switch ON)된 경우(도 11 참조)에 발생되는 방사 패턴은 서로 상이함을 확인할 수 있다.
또한, 방사 패치(110)와 접지 패치(170) 사이가 분리(switch OFF)된 경우(도 8 및 도 10 참조)에는 2.3GHz에서 수직 편파 신호를 가지는 방사 패턴이 얻어지고, 방사 패치(110)와 접지 패치(170) 사이가 연결(switch ON)된 경우(도 9 및 도 11 참조)에는 2.6GHz에서 수평 편파 신호를 가지는 방사 패턴이 얻어짐을 확인할 수 있다.
도 12는 스위칭부 배치의 다른 예를 설명하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나의 상면의 구성을 도시한 평면도이고, 도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나의 반사 손실을 나타낸 그래프이며, 도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 방사 패턴 재구성 안테나의 방사 패턴을 나타낸 그래프이다.
도 12를 참조하면, 제3 및 제5스위칭 모듈(150c 및 150e)이 제4스위칭 모듈(150d)에 더 가까운 위치에 배치된다. 이를 통해, 방사 패치(110)와 접지 패치(170) 사이가 분리(switch OFF)나 연결(switch ON)에 따른 주파수의 차이를 제거할 수 있다. 즉, 방사 패치(110)와 접지 패치(170) 사이가 연결(switch ON)된 경우의 동작 주파수를 방사 패치(110)와 접지 패치(170) 사이가 분리(switch ON)된 경우의 동작 주파수와 일치시킬 수 있다.
도 13을 참조하면,
Figure 112012014900494-pat00024
가 0도 일 때 2.6GHz에서 동작하던 안테나는
Figure 112012014900494-pat00025
가 -20도이면 2.7GHz에서 동작하고
Figure 112012014900494-pat00026
가 20도이면 2.5GHz에서 동작함을 확인할 수 있다. +
Figure 112012014900494-pat00027
방향으로 스위칭 모듈의 배치 라인을 움직이면 동작 주파수가 낮아지고, -
Figure 112012014900494-pat00028
방향으로 스위칭 모듈의 배치 라인을 움직이면 동작 주파수가 올라간다. 이에 따라, 방사 패치(110)와 접지 패치(170) 사이가 분리(switch OFF)나 연결(switch ON)에 따른 주파수의 차이를 제거할 수 있다.
도 14를 참조하면,
Figure 112012014900494-pat00029
값의 변화는 안테나의 방사 패턴에 크게 영향을 미치지 않는 것을 확인할 수 있다. 즉, 스위칭 모듈의 배치 위치는 안테나의 방사 패턴에 큰 영향을 미치지 않으므로, 안테나의 성능은 유지된다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 다음의 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.
100: 상부 기판, 110: 방사 패치,
130: 급전 패치, 150: 스위칭부,
170: 접지 패치, 200: 폼층,
300: 하부 기판

Claims (6)

  1. 하부 기판과 이격되게 상기 하부 기판의 상부에 배치되고, 복수 개의 비아(via)를 통해 상기 하부 기판과 접속되는 방사 패치와, 상기 방사 패치의 외측부와 접속되는 급전 패치와, 내측부가 상기 방사 패치의 외측부와 서로 이격되고 복수 개의 비아를 통해 상기 하부 기판과 접속되는 접지 패치로 이루어진 상부 기판; 및
    일측이 상기 방사 패치의 외측부의 일 지점과 접속되고, 타측이 상기 접지 패치의 내측부의 일 지점과 접속되며, 상기 방사 패치와 상기 접지 패치 사이의 연결을 단속하여 방사 패턴(radiation pattern)을 가변하는 스위칭부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사 패턴 재구성 안테나.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 스위칭부는 상기 방사 패치와 상기 접지 패치 사이의 연결을 단속하는 복수 개의 핀 다이오드(PIN Diode)를 구비하고, 상기 복수 개의 핀 다이오드 각각은 상기 방사 패치의 외측부 중 서로 다른 지점과 접속되는 것을 특징으로 하는 방사 패턴 재구성 안테나.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 스위칭부는 2개의 핀 다이오드를 구비하고, 상기 2개의 핀 다이오드는 서로 60도의 간격을 두고 상기 방사 패치의 외측부와 접속되는 것을 특징으로 하는 방사 패턴 재구성 안테나.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 급전 패치는 급전 선로와, 상기 급전 선로의 일측 단부에서 양 방향으로 연장 형성되고 상기 방사 패치의 외측부 중 일정 영역과 접속되는 스터브를 구비하는 것을 특징으로 하는 방사 패턴 재구성 안테나.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 상부 기판과 상기 하부 기판 사이에 배치되는 폼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방사 패턴 재구성 안테나.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 상부 기판을 상기 하부 기판으로부터 이격시키는 상기 폼층의 높이는 5mm인 것을 특징으로 하는 방사 패턴 재구성 안테나.
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