KR101272502B1 - 시드층을 이용한 산화아연 나노 구조체 밀도 제어방법 - Google Patents

시드층을 이용한 산화아연 나노 구조체 밀도 제어방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 실리콘 기판 등의 다양한 기판 위에 수직 성장하는 산화아연 나노 구조체의 밀도 조절에 관한 것으로, 보다 상세하게는 액상 성장 방법으로 산화아연 나노 구조체를 성장시키며, 이를 위해 시드층을 형성할 때 사용하는 전구체 용액을 조절하여 성장된 구조체의 밀도 조절에 관한 것이다.
본 발명에 따른 산화아연 나노 구조체 밀도 제어 방법은, 산화아연 시드층(ZnO seed layer)을 형성하는 방법에 있어서, 산화아연 전구체 용액에 불순물 입자를 분산시키는 단계; 분산된 혼합물을 기판 위에 스핀코팅(spin coating)으로 도포하는 단계; 기판을 열처리(heat treatment)하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하며, 또한 나노 구조체를 성장시키는 방법에 있어서, 시드 용액 제조시, 산화아연 전구체 용액에 불순물 입자를 분산시키며, 불순물 입자의 크기와 농도를 조절하는 것을 특징으로 한다.

Description

시드층을 이용한 산화아연 나노 구조체 밀도 제어방법{METHOD FOR CONTROLLIG ZnO NANO STRUCTURE DENSITY USING SEED LAYER}
본 발명은 실리콘 기판 등의 다양한 기판 위에 시드층을 이용하여 수직 성장하는 산화아연 나노 구조체의 밀도 조절에 관한 것으로, 보다 상세하게는 액상 성장 방법으로 산화아연 나노 구조체 성장시키기 위해, 시드층을 형성할 때 이용하는 전구체 용액에 불순물을 분산시킴으로써, 성장되는 구조체의 밀도를 제어하는 방법에 관한 것이다.
최근 나노소자와 산화물 반도체에 대한 관심이 날로 높아지고 있는 가운데 산화아연 나노구조체를 이용한 나노소자 제작에 대한 많은 연구가 이루어지고 있으며, 산화아연은 나노 구조체 성장이 다른 산화물과 비교하여 용이하며 물리적, 화학적 특성이 매우 우수하기 때문에 나노소자 제작에 많이 이용되고 있다.
나노 구조체 중 나노와이어는 나노미터 단위의 크기를 가지는 와이어 구조체를 말하며, 대체로 수 내지 수십 나노미터 정도의 극미세선으로, 길이 방향으로 특별히 크기의 제한이 없으며, 금속성(Au, Ni, Pt), 반도체(Si, InP, GaN, ZnO), 절연성(SiO2, Tio2)등 많은 종류의 나노 와이어가 존재하며, 이는 레이저, 트렌지스터, 메모리, 화학감지용 센서 등 다양한 분야에 활용되기 때문에 지속적인 연구가 이루어지고 있는 실정이다.
이러한 나노와이어에 대한 연구에 있어서, 그 크기와 길이를 균일하게 제어하는 것도 중요하지만, 이를 실제 소자로 이용하기 위해서는 나노와이어의 위치를 균일하게 하여 배열 구조를 만들고 다양한 밀도 제어가 가능하도록 하는 것이 필수적이며, 특히 현재 200nm 내지 300nm 간격의 밀도 제어가 어려운 상태이다.
일반적으로, 나노 구조체 제작은 탑-다운(top-down)과 바텀-업(bottom-up)의 두 가지 방법으로 접근할 수 있는데, 그 동안 실리콘에 바탕을 둔 반도체 칩 제조방법으로 대표되는 리소그래피방법이 탑-다운 방법의 대표적인 예이지만, 이는 디바이스의 크기가 작아질수록 제조비용이 기하급수적으로 증가하는 단점이 있으며, 바텀-업 방법은 이러한 탑-다운 방법의 한계를 해결하며, 성능이 우수하며 나노 구조체의 성장속도가 빠른 방법으로 각광받고 있으며, 바텀-업 방법에 있어서, 금속 촉매 나노입자를 조절하여 수직 방향으로 성장하는 나노 구조체의 지름과 밀도를 조절하는 VLS(Vapor-Liquid Solid) 성장 방법이 이용되고 있는데, 이는 나노입자의 지름이 완전히 일정하거나 또는 리소그래피 방법을 이용하지 않는 한 지름과 위치를 미세하게 조절하기는 어렵다.
이와 같은 문제를 해결하기 위하여 많은 기술이 출현하였고, 그 중 하나가 한국공개특허 제0097549호 "산화아연 나노와이어를 이용한 박막 실리콘 태양전지 및 그의 제조방법"인데, 도 1을 참조하여 간략히 설명하면, 산화아연 나노와이어(3)는 기판(1)의 상부에 산화아연 시드층(2)(ZnO seed layer)을 형성하는 시드층(2) 형성 단계;와 상기 산화아연 시드층(2)을 열처리하는 열처리 단계;와 상기 열처리 된 시드층(2)을 수용액에 넣어 복수의 산화아연 나노와이어(3)(ZnO nanowire)를 성장시키는 나노와이어 성장 단계;를 거쳐 형성되고, 상기 산화아연 나노와이어(3)를 포함하여 상기 산화아연 시드층(2) 위에 다층의 박막 실리콘을 형성하는 박막 실리콘 형성단계;와 상기 산화아연 시드층(2) 및 박막 실리콘 위에 전극을 형성하는 전극 형성 단계;를 통해 박막 실리콘 태양전지를 제작한다.
또 다른 하나는 한국공개특허 제0071285호 "블록공중합체 마이셀을 이용한 수직성장 산화아연(ZnO) 나노와이어의 면밀도 제어방법"인데, 이는 기판 위에서 수직 방향으로 성장한 산화아연(ZnO) 나노와이어의 면밀도를 제어할 수 있는 방법을 제시하고 있는데, 이 방법은 한 종류의 블록공중합체 마이셀의 코어에는 금속나노입자의 전구체가 로딩되며, 나머지 한 종류의 마이셀의 코어에는 금속나노입자의 전구체가 로딩되지 않은 두 종류의 다른 블록공중합체 마이셀의 혼합비율을 조절함으로써, 기판 위의 스핀코팅된 금속나노입자 촉매의 면밀도를 조절하고, 결과적으로 금속나노입자 촉매로부터 VLS 방법에 의하여 성장하는 산화아연(ZnO) 나노와이어의 면밀도를 조절할 수 있다.
그러나 이와 같은 성장 용액을 통해 산화아연 나노 구조체의 밀도를 조절하는 밀도 조절 방법은, 일정한 방향성을 갖도록 성장시키기 때문에 수직 성장성이 떨어지고 대면적 성장에 한계가 있으며, 성장된 나노 구조체간 간격의 벌어짐을 확인하기 어렵고, 고온성장시에 전구체의 증발이 일어나는 문제점이 있기 때문에, 나노소자로써 사용되기 위해 다양한 밀도의 제어가 요구되는 상황에 적합하지 않다.
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은, 액상 성장 방법으로 산화아연(ZnO) 나노 구조체를 성장시킬 때, 초기 단계인 시드 용액 제조시에 이용되는 전구체 용액에 불순물 입자를 분산시켜 주며, 이 불순물 농도 및 입자의 크기 등의 물리적 특성을 이용하여 성장되는 구조체의 밀도를 조절함으로써, 기존 나노 구조체 성장에 영향을 주지 않고 추가 공정이 요구되지 않도록 하기 위한 것이다.
상기와 같은 과제 해결을 위하여 본 발명에 따른 산화아연 나노 구조체 밀도 제어 방법은, 산화아연 시드층(ZnO seed layer)을 형성하는 방법에 있어서, 산화아연 전구체 용액에 불순물 입자를 분산시키는 단계; 분산된 혼합물을 기판 위에 스핀코팅(spin coating)으로 도포하는 단계; 기판을 열처리(heat treatment)하는 단계; 를 포함하며, 산화아연 전구체 용액에 불순물 입자를 분산시키는 단계에서, 산화아연 전구체 용액에 불순물 입자를 분산시키며, 불순물의 농도와 입자의 크기를 조절하는 것으로 산화아연 나노 구조체의 밀도를 제어하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 구성적 특징을 갖는 본 발명에 따른 산화아연(ZnO) 나노 구조체 밀도 제어 방법은, 액상 성장 방법에 기반하여 산화아연(ZnO) 나노 구조체를 성장시킬 때, 초기 단계인 시드 용액 제조시에 이용되는 전구체 용액에 불순물 입자로써 전구체(아연)와 다른 종류의 금속의 산화물 입자(이종 금속 산화물)를 분산시켜 주며, 이종 금속 산화물 농도 및 입자의 크기를 이용하여 성장되는 구조체의 밀도를 조절함으로써, 대면적 성장을 용이하도록 하며, 특정 나노소자에 적합한 산화아연(ZnO) 나노 구조체의 성장 방법을 제공하며, 이 방법은 기존 나노 구조체 성장에 영향을 주지 않고 추가 공정이 요구되지 않는다.
도 1은 종래의 성장된 산화아연 나노와이어를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명에 따르는 산화아연 나노 구조체 밀도 제어를 위한 시드층 형성 과정을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명에 따르는 산화아연 나노 구조체 밀도 제어방법의 흐름도를 개략적으로 나타낸 도면이다.
본 발명에 따르는 산화아연 나노 구조체의 밀도 제어방법은, 시드층 형성할 때 사용하는 전구체 용액에 분산되는 불순물 농도와 입자의 크기를 조절하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에서 전구체 용액에 분산되는 불순물 입자로는 전구체(아연)와 다른 종류의 금속의 산화물 입자(이종(異種) 금속 산화물)을 이용하며, 예를 들어, TiO2 또는 Al2O3 등 산에 약하지 않은 금속산화물이 가능한 것을 특징으로 한다.
도 2를 참고하면, 시드층 형성 방법은 산화아연 전구체 용액에 불순물 입자를 분산시키는 단계; 분산된 혼합물을 기판 위에 스핀코팅(spin coating)으로 도포하는 단계; 기판을 열처리(heat treatment)하는 단계; 를 포함한다.
먼저, 산화아연 전구체 용액에 불순물 입자를 분산시키는 단계에서, 전구체 용액에 분산시키는 불순물의 농도 및 입자의 크기를 조절하여 성장하는 산화아연 나노 구조체의 밀도 제어가 가능하도록 하며, 이 경우에 전구체 용액과 불순물 입자의 응집현상을 막기 위해 분산제 또는 안정제를 사용하며, 예를 들어, 사용되는 분산제 또는 안정제는 GPTS(glycidoxypropyl-trimethoxysilane) 또는 APTS(3-Aminopropyl)-trimethoxysilane) 와 같은 Silane 화합물 또는 DBS(dibutyl sebacate)와 같은 분산제이다.
본 발명에 따른 어느 한 실시예에서, 시드 용액은 총 10㎖이며, 전구체 용액(0.5M, 1.097g)과 안정제(분산제)(0.5M, 0.306㎖)를 몰농도 1:1의 비율로 포함하며, 전구체 용액에 안정제(분산제)를 첨가하여 30분 동안 교반시킨 후, 불순물 입자인 이종 금속 산화물 입자를 분산시킨 뒤에 마찬가지로 30분동안 교반시키는 과정을 거치고, 불순물 입자로써 이종 금속 산화물 입자 용액은 시드 용액의 2％인 10㎕를 포함한다. 또한, 전구체 용액과 이종 금속 산화물 용액의 비율은 1:1.93×10-4이다.
다음 단계인, 불순물 입자가 분산된 전구체 용액을 기판 위에 도포하는 단계에서, 코팅 방법으로는 스핀코팅(spin coating), 딥코팅(dip coating), 롤코팅(roll coating), 스크린 코팅(screen coating), 분무코팅(spray coating), 스핀 캐스팅(spin casting), 흐름코팅(flow coating), 스크린 인쇄(screen printing), 잉크젯(ink jet) 또는 드롭캐스팅(drop casting) 등 다양한 방법을 이용할 수 있는데, 본 발명에 따르는 바람직한 예에서는 스핀 코팅에 의해 기판상에 불순물 입자가 분산된 전구체 용액을 기판 위에 떨어뜨리고 3000rpm으로 60초 동안 전구체 용액과 불순물 입자인 이종 금속 산화물입자 용액의 혼합물을 기판에 골고루 얇게 퍼지게 코팅하여 시드층을 안정화시키고, 또한 침지코팅(dip bar coating)도 병행하는 것이 가능하다.
그 다음 단계인, 불순물 입자가 분산된 전구체 용액이 도포된 기판의 본격적인 열처리 단계에 앞서, 약 80℃의 온도로 30분간 프리베이킹 과정(pre-baking process)을 거쳐 도포층의 안정화를 달성한 후, 배열성 저하를 방지할 수 있는 온도인 약 200℃ 내지 500℃에서 약 60분 동안 열처리하여 산화아연 시드(seed)와 불순물 입자인 이종 금속 산화물 입자가 혼재하는 시드층을 형성하며, 열처리를 통해 시드층의 결정면을 일정하게 만들어줌으로써 산화아연 나노와이어가 균일하게 성장되는 것이 가능하다.
이와 같이 본 발명에 따라 형성된 시드층을 이용하여 산화아연 나노 구조체를 액체촉매를 이용하여 증기상으로 원하는 성분을 끌어내어 그 성분을 고체화하는액상 성장 방법인 VLS기법을 통해 성장시키는데, 전구체 용액과 불순물 입자가 혼재되어 있는 혼합물을 성장시키게 되면 산화아연 시드(seed)에서만 성장하고 불순물 입자인 이종 금속 산화물에서는 성장이 일어나지 않기 때문에, 성장된 나노 구조체는 시드층 형성시에 고려한 불순물의 농도 및 입자의 크기에 따라 간격이 조절되는 것을 확인할 수 있다.
따라서, 시드용액의 제조시에, 불순물의 농도 및 입자의 크기에 따라 밀도를 조절함으로써 용액 공정에 기반하여 성장된 나노 구조체 밀도 제어를 통해 대면적 공정이 용이하며, 기존 산화아연 나노 구조체 형성과정에 다른 영향을 주거나 추가적인 공정이 요구되지 않는 것을 특징으로 한다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 갖는 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 게시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이런 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다.

Claims (8)

  1. 산화아연 전구체 용액에 불순물 입자를 분산시키는 단계;
    분산된 혼합물을 기판 위에 스핀코팅(spin coating)으로 도포하는 단계;
    상기 기판을 열처리(heat treatment)하는 단계;를 통해 산화아연 시드층(ZnO seed layer)을 형성하고, 이를 이용하여 산화아연 나노 구조체로 성장시키는 것을 특징으로 하는
    산화아연 나노 구조체 밀도 제어방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 산화아연 전구체 용액에 불순물 입자를 분산시키는 단계에서, 전구체 용액과 상기 불순물 입자의 응집현상을 방지하기 위해 분산제 또는 안정제가 사용되는 것을 특징으로 하는
    산화아연 나노 구조체 밀도 제어방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 산화아연 전구체 용액에 불순물 입자를 분산시키는 단계에서, 불순물 입자는 TiO2 또는 Al2O3 인 금속 산화물인 것을 특징으로 하는
    산화아연 나노 구조체 밀도 제어방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 열처리 단계는 200℃ 내지 500℃의 온도에서 이루어지며 산화아연 시드와 상기 불순물 입자가 혼재하는 시드층의 결정면을 일정하게 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는
    산화아연 나노 구조체 밀도 제어방법.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 불순물 농도 및 입자의 크기를 조절함에 따라, 성장되는 나노 구조체의 간격이 조절되는 것을 특징으로 하는
    산화아연 나노 구조체의 밀도 제어방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 시드층을 형성한 후, 액상 성장 방법을 이용하여 산화아연 나노 구조체를 성장시키면 상기 불순물 입자에서는 성장이 일어나지 않는 것을 특징으로 하는
    산화아연 나노 구조체의 밀도 제어방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 나노 구조체는 기판에 수직 방향으로 에픽텍셜(epitaxial) 성장하는 것을 특징으로 하는
    산화아연 나노 구조체의 밀도 제어방법.
  8. 삭제
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210155706A (ko) * 2020-06-16 2021-12-23 재단법인 아산사회복지재단 나노구조체 기반의 표면증강라만 기판 및 그 제조 방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102030066B1 (ko) * 2018-05-11 2019-10-08 울산과학기술원 실레인 결합층을 가지는 나노 구조체 전극, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 센서

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070072726A (ko) * 2006-01-02 2007-07-05 삼성전자주식회사 산화아연 나노와이어의 제조방법 및 그로부터 제조된나노와이어
KR20100097549A (ko) * 2009-02-26 2010-09-03 전자부품연구원 산화아연 나노와이어를 이용한 박막 실리콘 태양전지 및 그의 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070072726A (ko) * 2006-01-02 2007-07-05 삼성전자주식회사 산화아연 나노와이어의 제조방법 및 그로부터 제조된나노와이어
KR20100097549A (ko) * 2009-02-26 2010-09-03 전자부품연구원 산화아연 나노와이어를 이용한 박막 실리콘 태양전지 및 그의 제조방법

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Lori E. Greene et al. Nano Letters. 2005, Vol. 5, No. 7, pp. 1231-1236 *
Wan-Yu Wu et al. Journal of the Electrochemical Society. 2010, Vol. 157, No. 8, pp. K177-K181 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210155706A (ko) * 2020-06-16 2021-12-23 재단법인 아산사회복지재단 나노구조체 기반의 표면증강라만 기판 및 그 제조 방법
WO2021256701A1 (ko) * 2020-06-16 2021-12-23 재단법인 아산사회복지재단 나노구조체 기반의 표면증강라만 기판 및 그 제조 방법
KR102385554B1 (ko) * 2020-06-16 2022-04-13 재단법인 아산사회복지재단 나노구조체 기반의 표면증강라만 기판 및 그 제조 방법

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