KR101268952B1 - 전계발광소자 및 그의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판과, 기판 상에 구비된 두 개의 전극과 두 개의 전극 사이에 형성된 발광부를 포함하는 픽셀 회로부와, 픽셀 회로부를 덮도록 형성되며 상호 간 밀착되어 있는 배리어 필름과 보호용 기판을 다수 갖는 보호부를 포함하는 전계발광소자를 제공한다.

전계발광소자, 실링(Sealing)

Description

전계발광소자 및 그의 제조방법{Light Emitting Diodes and Method for Manufacturing the same}

도 1은 종래 기술의 제 1 실시예에 따른 전계발광소자의 단면도.

도 2는 종래 기술의 제 2 실시예에 따른 전계발광소자의 단면도.

도 3은 종래 기술의 제 3 실시예에 따른 전계발광소자의 단면도.

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 전계발광소자의 단면도.

도 5 및 도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 전계발광소자의 단계별 공정도.

* 도면의 주요부호에 대한 설명 *

10 : 전계발광소자 12 : 기판

14 : 제 1 전극 16 : 절연층

18 : 발광부 20 : 제 2 전극

22 : 보호부 22a : 보호용 기판

22b : 게터 30 : 전계발광소자

32 : 기판 34 : 박막트랜지스터부

34a : 반도체층 34b : 소스

34c : 드레인 34d : 게이트 전극

34e : 제 1 금속 전극 34f : 제 2 금속 전극

36 : 게이트 절연층 38 : 제 1 층간 절연층

40 : 제 2 층간 절연층 42 : 제 1 전극

46 : 발광부 48 : 제 2 전극

50 : 보호부 50a : 보호용 기판

50b : 게터 70 : 전계발광소자

72 : 기판 74 : 박막트랜지스터부

74a : 반도체층 74b : 소스

74c : 드레인 74d : 게이트 전극

74e : 제 1 금속 전극 74f : 제 2 금속 전극

76 : 게이트 절연층 78 : 제 1 층간 절연층

80 : 제 2 층간 절연층 82 : 제 1 전극

86 : 발광부 88 : 제 2 전극

90 : 보호부 90a : 보호용 기판

90b : 게터 102 : 기판

104 : 보호층 106 : 배리어 필름(Barrier film)

108 : 보호용 기판 B : 격벽

C : 보호부 C1 : 제 1 단위 보호부

C2 : 제 2 단위 보호부 P : 픽셀 회로부

S : 실란트(Sealant)

본 발명은 수명 및 신뢰도를 향상시킨 전계발광소자와 그 제조방법에 관한 것이다.

전계발광소자는 전자(election)주입 전극(cathode)과 정공(hole)주입 전극(anode)으로부터 각각 전자와 정공을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자와 정공이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 자발광 소자이다.

또한, 전계발광소자는 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 박형 등의 장점을 지니고 있다. 이러한 전계발광소자는 광시야각과 빠른 응답속도 등 종래 액정표시장치에서 문제로 지적되던 단점을 해결할 수 있는 차세대 디스플레이로 주목받고 있다.

전계발광소자는 발광방식에 따라 기판에 대향하는 방향으로 발광하는 상부발광형 전계발광소자(Top-Emission LED)와 기판 방향으로 발광하는 하부발광형 전계발광소자(Bottom-Emission LED)로 구분된다.

이하, 종래 기술은 발광부에 유기 발광층을 포함하는 경우로 예를 들어 설명한다.

도 1은 종래 기술의 제 1 실시예에 따른 전계발광소자의 단면도로, 패시브 매트릭스형 전계발광소자의 구조를 도시하였다.

도 1을 참조하며, 종래 기술의 제 1 실시예에 따른 전계발광소자(10)는 기판(12) 상에 제 1 전극(14)이 패터닝되어 있었다. 이어서, 제 1 전극(14) 상에 절연층(16)이 선택적으로 형성되어 있었고, 그 위에 격벽(B)이 형성되었다.

또한, 적어도 하나 이상의 전하 주입/수송층과 유기 발광층으로 구성된 발광부(18)와 제 2 전극(20)이 적층되어 픽셀 회로부(P)가 형성되었다.

또한, 기판(12) 상에는 픽셀 회로부(P)를 덮는 보호용 기판(22a)과 게터(22b)를 포함하는 보호부(22)가 형성되어 실란트(S)로 봉지되어 있었다.

이상과 같은 종래의 보호부(22)에는 서스캔(Sus Can)을 주로 사용하였고, 이러한 서스캔은 외부의 충격이나 수분, 가스로부터 소자를 보호하는 차단 효과가 우수하였다. 또한, 서스캔 내부에 수용된 게터는 2차적으로 수분을 차단하였다.

그러나, 서스캔의 무게와 두께 때문에 완성된 전계발광소자(10)의 두께가 두꺼워져 경박단소화를 추구하는 제품의 트랜드에 크게 반하는 문제점이 발생하였다.

또한, 게터를 수용하기 위해 서스캔에는 게터 수용부를 형성하는 가공이 추가로 필요하였고, 별도로 흡습제를 사용하였으므로 공정의 원가 상승이라는 문제가 발생하였다.

이하, 도 2 및 도 3에서는 종래의 액티브 매트릭스형 전계발광소자를 도시하였다.

도 2는 종래 기술의 제 2 실시예에 따른 전계발광소자의 단면도로, 하부 발광형의 전계발광소자를 도시하였다.

도 2를 참조하면, 종래 기술의 제 2 실시예에 따른 전계발광소자(30)는 기판(32) 상에 반도체층(34a)이 형성되고 그 일부에 B 또는 P와 같은 불순물이 첨가되어 박막트랜지스터부(34)의 소스(34b) 및 드레인(34c)이 형성되었다. 이어서, 게이트 절연층(36) 형성되고, 그 위에 게이트 전극(34d)형성되었으며, 그 위에 제 1 층간 절연층(38)이 형성되었다.

또한, 제 1 층간 절연층(38) 상에는 소스(34b) 및 드레인(34c)이 각각 노출되도록 제 1 및 제 2 금속 전극(34e, 34f)이 형성되었다.

제 1 및 제 2 금속 전극(34e, 34f) 상에는 제 2 층간 절연층(40)이 형성되었으며, 그 위에 드레인(34c)과 연결된 제 2 금속 전극(34f)이 노출되도록 제 1 전극(42)이 형성되었다.

또한, 박막트랜지스터부(34)를 기준으로 제 1 전극(42)의 노출 영역이 구분되도록 제 3 층간 절연층(44)이 형성되었고, 그 위에 발광부(46) 및 제 2 전극(48)이 형성되어 픽셀 회로부(P)가 형성되었다.

전술한 구조의 기판(32) 상에는 픽셀 회로부(P)를 덮도록 보호용 기판(50a)과 그 내부에 수용된 게터(50b)를 포함하는 보호부(50)가 실란트(S)로 봉지 되었다.

도 3은 종래 기술의 제 3 실시예에 따른 전계발광소자의 단면도로, 상부 발 광형의 전계발광소자를 도시하였다.

도 3을 참조하면, 종래 기술의 제 3 실시예에 따른 전계발광소자(70)는 기판(72) 상에 반도체층(74a)이 형성되고 그 일부에 B 또는 P와 같은 불순물이 첨가되어 박막트랜지스터부(74)의 소스(74b) 및 드레인(74c)이 형성되었다. 이어서, 게이트 절연층(76) 형성되고, 그 위에 게이트 전극(74d)형성되었으며, 그 위에 제 1 층간 절연층(78)이 형성되었다.

또한, 제 1 층간 절연층(78) 상에는 소스(74b) 및 드레인(74c)이 각각 노출되도록 제 1 및 제 2 금속 전극(74e, 74f)이 형성되었다.

제 1 및 제 2 금속 전극(74e, 74f) 상에는 제 2 층간 절연층(80)이 형성되었으며, 그 위에 평탄화막 역할을 하는 제 3 층간 절연층(82)이 형성되었다.

제 3 층간 절연층(82) 상에는 드레인(74c)과 연결된 제 2 금속 전극(74f)과 전기적으로 연결되며, 박막트랜지스터부(74)를 기준으로 구분되도록 제 1 전극(84)이 형성되었다.

이어서, 발광부(86) 및 제 2 전극(88)이 형성되어 픽셀 회로부(P)가 형성되었다.

또한, 전술한 구조의 기판(72) 상에는 픽셀 회로부(P)를 덮도록 보호용 기판(90)이 형성되어 실란트(S)로 봉지 되었다.

이상 제 3 실시예의 경우, 제 2 실시예와 달리 그 발광 특성 때문에 보호용 기판(90)에 게터를 수용할 수 없었고, 픽셀 회로부(도 3의 P)와 보호용 기판(90) 사이에 불활성 물질 예를 들어, 불활성 가스 또는 액체와 액상 실란트 중 어느 하 나 또는 하나 이상으로 채워져야 했다.

다른 측면에서, 이상 제 2 및 제 3 실시예에서는 픽셀 회로부와 구분되는 엣지 실링 영역에 게터가 형성될 수도 있었으나, 그 수용될 수 있는 게터량은 공간의 제약으로 매우 적을 수밖에 없었고, 따라서 그 실효성이 매우 떨어졌다.

이상과 같은 종래의 전계발광소자는 실링 및 패시베이션 구조의 특성 상, 완벽한 수분 및 가스의 차단이 어려웠고, 그 침투한 수분 및 가스로 인해 픽셀의 찌그러짐(Shrinkage) 및 디스플레이 상의 흑점(Dark Spot)이 발생하는 문제가 생겼다.

또한, 보호용 기판을 글라스로 형성시 그 재질이 비탄력적(rigid)이므로, 픽셀 회로부가 형성된 기판과 보호용 기판을 합착시 소자 내부에 버블(bubble)이 발생하는 문제가 생겼다.

따라서, 종래 전계발광소자 및 그 제조방법에서는 공정 수율과 소자의 수명 및 신뢰도가 크게 저하되는 문제가 발생하였다.

이러한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 소자의 보호부 구조를 개선하여 수분 및 가스의 소자 내부로의 침투를 방지함으로써 픽셀의 찌그러짐(Shrinkage) 및 디스플레이 상의 흑점(Dark Spot) 발생을 억제하고, 기판 합착시 소자 내 발생하는 버블을 제거함으로 공정 수율과 수명 및 신뢰도가 크게 향상된 전계발광소자를 제공하는 데 그 목적이 있다.

다른 측면에서, 이상과 같은 문제를 해결하기 위해 본 발명은 위에서 설명한 공정 수율과 수명 및 신뢰도가 크게 향상된 전계발광소자를 구현할 수 있는 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.

이상과 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명은 기판과, 기판 상에 구비된 두 개의 전극과 두 개의 전극 사이에 형성된 발광부를 포함하는 픽셀 회로부와, 픽셀 회로부를 덮도록 형성되며 상호 간 밀착되어 있는 배리어 필름과 보호용 기판을 다수 갖는 보호부를 포함하는 전계발광소자를 제공한다.

이상의 전계발광소자는 보호부의 상대적으로 상부에 형성된 배리어 필름 및 보호용 기판의 크기가 상대적으로 하부에 형성된 배리어 필름 및 보호용 기판의 크기보다 크게 형성된 것을 특징으로 한다.

또한, 이상의 전계발광소자는 픽셀 회로부와 보호부 사이에서 픽셀 회로부를 덮도록 형성된 하나 또는 하나 이상의 보호막을 추가로 포함할 수 있다.

위에서 설명한 보호부의 보호용 기판은 플라스틱인 것을 특징으로 한다.

한편, 위에서 설명한 보호부의 보호용 기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET; Polyethylene terephthalate) 또는 폴리카보네이트(PC; Polycabonate) 폴리에틸렌 나이트라이드(Polyethylene nitride) 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 한다.

위에서 설명한 발광부는 적어도 하나의 전하 주입/수송층과 유기물 발광층을 포함하는 것을 특징으로 한다.

다른 측면에서, 이상과 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명은 기판 상에 두 개의 전극과 두 개의 전극 사이에 발광부를 형성하는 픽셀 회로부 형성단계와, 다수의 배리어 필름과 보호용 기판을 교번 밀착하여 픽셀 회로부를 덮도록 보호부를 형성하는 보호부 형성단계를 포함하는 전계발광소자의 제조방법을 제공한다.

이상의 전계발광소자의 제조방법에 있어서, 보호부 형성단계에서는 상대적으로 상부에 형성된 배리어 필름 및 보호용 기판의 크기를 상대적으로 하부에 형성된 배리어 필름 및 보호용 기판의 크기보다 크게 형성하는 것을 특징으로 한다.

또한, 이상의 전계발광소자의 제조방법은 픽셀 회로부와 보호부 사이에 픽셀 회로부를 덮는 하나 또는 하나 이상의 보호막을 형성하는 보호막 형성단계를 추가로 포함할 수 있다.

또한, 이상의 보호부 형성단계에서는 보호용 기판을 플라스틱으로 형성하는 것을 특징으로 한다.

한편, 이상의 보호부 형성단계에서는 보호용 기판을 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET; Polyethylene terephthalate) 또는 폴리카보네이트(PC; Polycabonate) 폴리에틸렌 나이트라이드(Polyethylene nitride) 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 한다.

이상의 픽셀회로부 형성단계에서는 발광부를 적어도 하나 이상의 전하 주입/전달층과 유기물 발광층으로 형성하는 것을 특징으로 한다.

이하, 본 발명의 일실시예를 도시 참조하여 상세히 설명한다.

단, 본 발명은 상부 발광형과 하부 발광형에 모두 적용 가능하며, 패시브 매트릭스형과 액티브 매트릭스형에 모두 적용 가능하므로, 설명의 중복성을 피하고 이해를 돕기 위해 이하, 본 발명은 픽셀 회로부를 간략화하여 도시한다.

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 전계발광소자의 단면도이다.

도 4를 참조하면, 구동부가 패터닝된 기판(102) 상에 두 개의 전극과 그 사이에 형성된 발광부를 포함하는 픽셀 회로부(P)가 형성되며, 픽셀 회로부(P)를 보호하기 위한 보호층(104)이 형성되어 있다. 이때, 전술한 발광부는 적어도 하나 이상의 전하 주입/수송층과 발광층을 포함한다.

이어서, 픽셀 회로부(P)를 수분 또는 가스로부터 보호하기 위해 제 1 단위 보호부(C1)와 제 2 단위 보호부(C2)를 포함하는 보호부(C)를 전술한 픽셀 회로부(P)를 덮도록 형성한다.

전술한 보호부(C)의 구조를 상세히 설명하면 다음과 같다.

제 1 단위 보호부(C1)는 소자 내부로 침투하는 수분 및 가스에 대한 필터 역할을 하는 배리어 필름(106)과 배리어 필름(106)과 밀착 형성되는 보호용 기판(108)으로 구성된다.

이때, 배리어 필름(106)은 규소 산화물 또는 규소 질화물 중 어느 하나 또는 하나 이상으로 형성될 수 있다.

또한, 보호용 기판(108)은 플라스틱으로 형성되며, 예를 들어 폴리에틸렌 테 레프탈레이트(PET; Polyethylene terephthalate) 또는 폴리카보네이트(PC; Polycabonate) 폴리에틸렌 나이트라이드(Polyethylene nitride) 중 어느 하나로 형성될 수 있다.

계속해서, 제 2 단위 보호부(C2)는 전술한 제 1 단위 보호부(C1)와 동일한 구조로 형성되되 크기가 제 1 단위 보호부(C1) 보다 상대적으로 커서 제 1 단위 보호부(C1)를 덮도록 형성된다.

이때, 제 1 및 제 2 단위 보호부(C1, C2) 간의 크기 차이는 10 ~ 2000 ㎛의 범위 이내인 것이 바람직하다.

또한, 제 1 및 제 2 단위 보호부(C1, C2)는 그 두께가 20 ~ 5000 nm의 범위 이내로 형성되는 것이 바람직하다.

이상의 보호부(C)는 전술한 픽셀 회로부(P)가 형성된 기판(102) 상에 실란트(S)로 봉지된다.

이상 본 발명에서는 기판 상 픽셀 회로부와 보호부 사이에 픽셀 회로부를 덮도록 보호층이 형성된 구조로 전계발광소자를 설명하였으나, 본 발명은 이에 국한되지 않으며, 보호층은 하나 이상의 층으로 형성되거나 없을 수도 있다.

또한, 이상 본 발명에서는 픽셀 회로부가 형성된 기판 상에 봉지된 보호부가 실란트로 페이스 실링된 경우로 도시 설명하였으나, 본 발명의 실링 구조는 이에 국한되지 않으며, 본 발명의 전계발광소자는 엣지 실링되고 그 나머지 공간에 불활성 물질 예를 들어, 불활성 가스 또는 액체로 채워질 수 있다.

이하, 도 4에 도시한 구조에 따른 전계발광소자의 단계별 공정도를 도시 참조하여 그 형성 과정을 설명한다.

도 5 및 도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 전계발광소자의 단계별 공정도이다.

도 5를 참조하면, 픽셀 회로부 형성단계로 구동부가 패터닝된 기판(102) 상에 두 개의 전극과 전술한 두 개의 전극 사이에 적어도 하나 이상의 전하 주입/수송층과 발광층을 적층하여 발광부를 형성함으로써 픽셀 회로부(P)를 형성한다.

이어서, 픽셀 회로부(P) 상에 픽셀 회로부(P)를 수분 또는 가스로부터 보호하기 위한 보호층(104)을 형성한다.

도 6을 참조하면, 보호부 형성단계로 전술한 픽셀 회로부 형성단계를 거친 기판(102) 상에 1 차적으로 규소 산화물 또는 규소 질화물을 적용하여 배리어 필름(106)을 형성하고, 플라스틱 재료로 배리어 필름(106)과 밀착하는 보호용 기판(108)을 형성하여 제 1 단위 보호부(C1)를 형성하여 실란트(S)로 봉지한다.

이어서, 전술한 제 1 단위 보호부(C1)와 동일한 구조를 갖되 제 1 단위 보호부(C1) 보다 크게 제 2 단위 보호부(C2)를 형성한다.

계속해서, 이상의 제 1 및 제 2 단위 보호부(C1, C2)를 포함하는 보호부(C)를 픽셀 회로부(P)가 형성된 기판(102) 상에 실란트(S)로 봉지한다.

이상 본 발명에서는 보호부를 봉지하는 과정에서, 제 1 단위 보호부와 제 2 단위 보호부를 순차적으로 형성하여 봉지하는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 국한되지 않으며, 제 1 및 제 2 단위 보호부를 우선 밀착 형성하여 이를 포함하는 보호부를 형성하고 그 보호부를 픽셀 회로부가 형성된 기판 상에 실란트로 봉지할 수도 있다.

또한, 이상 본 발명에서는 보호부가 두 개의 단위 보호부로 형성된 것으로 도시 설명하였으나, 이는 보호부의 구조를 설명하기 위한 예시적인 내용으로 단위 보호부는 둘 이상일 수 있다.

또한, 이상 본 발명에서는 픽셀 회로부를 대향하는 방향으로 배리어 필름과 보호용 기판의 교번 형성된 구조로 보호부의 구조를 도시 설명하였으나, 본 발명의 보호부 구조는 이에 국한되지 않으며, 배리어 필름과 보호용 기판의 적층 순서는 반대로 형성될 수도 있다.

위에서 설명한 바와 같은 구조 및 제조 방법에 따르는 본 발명의 전계발광소자는 단위 보호부가 다수 구비된 보호부 구조에 의해 수분 및 가스의 침투 경로를 효과적으로 줄임으로써 소자의 산화 및 열화 현상을 억제 및 방지할 수 있다.

또한, 종래 비탄력적(rigid)이었던 보호부에 비하여 상대적으로 탄력적(flexible)이며 경박화된 단위 보호부의 구조에 따라 기판과 보호부의 합착 과정에서 발생하는 버블을 제거할 수 있다.

따라서, 본 발명은 소기 목적을 달성할 수 있다.

이상 본 발명에서는 단방향 발광형의 경우로 예를 들어 도시 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 이에 국한되지 않으며 양면 발광형의 경우에도 적용가능하다.

또한, 이상 본 발명은 발광부에 유기물뿐만 아니라 무기물 또한 이용 가능한 전계발광소자(LED)의 범주로 이해하여야 한다.

이상 다양한 실시예를 들어 본 발명에 대하여 서술하였으나, 본 발명의 범위는 전술한 상세 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고, 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

위에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 다수의 단위 보호부를 포함하도록 보호부 구조를 개선하여 소자 내 수분 및 가스의 침투를 최소한으로 억제 및 차단함으로써, 소자의 산화 및 열화 현상을 효과적으로 억제하거나 방지할 수 있다.

따라서, 소자 내 픽셀의 찌그러짐(Shrinkage) 및 디스플레이 상의 흑점(Dark Spot) 발생을 억제하고, 기판 합착시 소자 내 발생하는 버블을 제거함으로 공정 수율과 수명 및 신뢰도가 크게 향상된 전계발광소자를 제공할 수 있다.

다른 측면에서, 본 발명은 위에서 설명한 공정 수율과 수명 및 신뢰도가 크게 향상된 전계발광소자를 구현할 수 있는 제조방법을 제공할 수 있다.

Claims (12)

1. 기판과;

   상기 기판 상에 구비된 두 개의 전극과 상기 두 개의 전극 사이에 형성된 발광부를 포함하는 픽셀 회로부와;

   상기 픽셀 회로부를 덮도록 형성되며 상호 간 밀착되어 있는 배리어 필름과 보호용 기판을 포함해서 구성된 제1 및 제2 단위 보호부를 포함하고,

   상기 제2 단위 보호부는 상기 제1 단위 보호부보다 위에 형성되며, 상기 제1 단위 보호부보다 크기가 큰 전계발광소자.
2. 삭제
3. 제 1항에 있어서,

   상기 픽셀 회로부와 상기 제1 단위 보호부 사이에서 상기 픽셀 회로부를 덮도록 형성된 보호층을 더 포함하는 전계발광소자.
4. 제 1항에 있어서,

   상기 제1 및 제2 단위 보호부의 보호용 기판은 플라스틱인 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
5. 제 4항에 있어서,

   상기 제1 및 제2 단위 보호부의 보호용 기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET; Polyethylene terephthalate) 또는 폴리카보네이트(PC; Polycabonate) 폴리에틸렌 나이트라이드(Polyethylene nitride) 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
6. 제 1항에 있어서,

   상기 발광부는 적어도 하나의 전하 주입/수송층과 유기물 발광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
7. 기판 상에 두 개의 전극과 상기 두 개의 전극 사이에 발광부를 형성하는 단계와,

   배리어 필름과 보호용 기판을 밀착하여 상기 픽셀 회로부를 덮도록 제1 단위 보호부를 형성하는 단계와,

   상기 제1 단위 보호부 위에 배리어 필름과 보호용 기판을 밀착하여 상기 제1 단위 보호부보다 크기가 큰 제2 단위 보호부 형성하는 단계,

   를 포함하는 전계발광소자의 제조방법.
8. 삭제
9. 제 7항에 있어서,

   상기 픽셀 회로부와 상기 제1 단위 보호부 사이에 상기 픽셀 회로부를 덮는 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 전계발광소자의 제조방법.
10. 제 7항에 있어서,

    상기 제1 및 제2 단위 보호부를 형성하는 단계에서, 상기 보호용 기판을 플라스틱으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
11. 제 10항에 있어서,

    상기 제1 및 제2 단위 보호부를 형성하는 단계에서, 상기 보호용 기판을 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET; Polyethylene terephthalate) 또는 폴리카보네이트(PC; Polycabonate) 폴리에틸렌 나이트라이드(Polyethylene nitride) 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
12. 제 7항에 있어서,

    상기 픽셀회로부를 형성하는 단계에서는 상기 발광부를 적어도 하나 이상의 전하 주입/전달층과 유기물 발광층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.

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