KR101267078B1 - Array substrate and liquid crystal display of in-plane switching mode using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 빛샘 영역에서 화소 전극과 공통 전극의 구조 및 두 전극 간의 거리를 조절하여 빛샘을 억제하기 위한 것으로, 제 1 기판, 제 1 기판 상에 교차 배치되어 화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인, 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차 부위에 형성된 박막 트랜지스터, 게이트 라인과 평행하게 형성된 공통 라인 및 공통 라인으로부터 분기된 복수의 공통 전극, 공통 전극과 평행하게 형성되며 인출 라인을 통해 서로 연결된 복수의 화소 전극을 포함하며, 공통 라인과 소정의 간격을 두고 마주보는 화소 전극의 끝단부 모서리가 돌출되어 있는 것을 특징으로 하는 어레이 기판 및 그를 이용한 횡전계형 액정 표시 장치를 제공한다.The present invention is to suppress the light leakage by adjusting the structure of the pixel electrode and the common electrode in the light leakage region and the distance between the two electrodes, the gate line and data line intersecting on the first substrate, the first substrate to define the pixel region A thin film transistor formed at an intersection of the gate line and the data line, a common line formed in parallel with the gate line, a plurality of common electrodes branched from the common line, and a plurality of pixel electrodes formed in parallel with the common electrode and connected to each other through an extraction line The array substrate and a transverse electric field type liquid crystal display using the array substrate, wherein the edges of the pixel electrodes facing the common line at predetermined intervals protrude.

액정 표시 장치, 어레이 기판, 횡전계형 Liquid Crystal Display, Array Board, Transverse Field Type

Description

어레이 기판 및 그를 이용한 횡전계형 액정 표시 장치{Array substrate and liquid crystal display of in-plane switching mode using the same}Array substrate and liquid crystal display device using the same {Array substrate and liquid crystal display of in-plane switching mode using the same}

도 1은 종래 기술에 따른 어레이 기판의 일부 평면도이다.1 is a partial plan view of an array substrate according to the prior art.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 어레이 기판의 평면도이다.2 is a plan view of an array substrate according to a first embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 Ι-Ι', Ⅱ-Ⅱ'라인에 대응하는 액정 표시 장치의 단면도이다.FIG. 3 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device corresponding to the line II-II 'of FIG. 2.

도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 어레이 기판의 평면도이다.4 is a plan view of an array substrate according to a second embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 어레이 기판의 평면도이다.5 is a plan view of an array substrate according to a third embodiment of the present invention.

도 6은 도 5의 Ⅲ-Ⅲ', Ⅳ-Ⅳ'라인에 대응하는 액정 표시 장치의 단면도이다.FIG. 6 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device corresponding to lines III-III ′ and IV-IV ′ of FIG. 5.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS (S)

100: 어레이 기판 TFT: 박막 트랜지스터100: array substrate TFT: thin film transistor

110: 게이트 라인 111: 게이트 전극110: gate line 111: gate electrode

112: 반도체층 120: 데이터 라인112: semiconductor layer 120: data line

121: 소스 전극 122: 드레인 전극121: source electrode 122: drain electrode

124: 콘택홀 130: 인출 라인124: contact hole 130: withdrawal line

131, 132, 133: 화소 전극 140, 142: 공통 라인131, 132, and 133: pixel electrodes 140 and 142: common line

141, 143: 공통 전극 200: 컬러 필터 기판141 and 143: common electrode 200: color filter substrate

210: 블랙 매트릭스 220: 컬러 필터210: black matrix 220: color filter

300: 액정층300: liquid crystal layer

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 횡전계형 액정 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a transverse electric field type liquid crystal display device.

액정 표시 장치는 투명 절연 기판인 컬러 필터 기판과 어레이 기판 사이에 이방성 유전율을 갖는 액정층을 형성한 후, 액정층에 형성되는 전계의 세기를 조정하여 액정 물질의 분자 배열을 변경시키고, 이를 통하여 표시면인 컬러 필터 기판에 투과되는 빛의 양을 조절함으로써 원하는 화상을 표현하는 표시 장치이다.The liquid crystal display device forms a liquid crystal layer having anisotropic dielectric constant between the color filter substrate, which is a transparent insulating substrate, and the array substrate, and then adjusts the intensity of the electric field formed in the liquid crystal layer to change the molecular arrangement of the liquid crystal material. It is a display device which expresses a desired image by adjusting the amount of light transmitted to a color filter substrate which is a surface.

최근에는, 액정 표시 장치의 화소 전극과 공통 전극을 어레이 기판 상에 함께 형성하고, 두 전극 간의 수평 전계를 이용해 액정을 구동함으로써, 시야각을 넓힌 횡전계 방식의 수요가 늘고 있다.In recent years, by forming a pixel electrode and a common electrode of a liquid crystal display device together on an array substrate and driving a liquid crystal using a horizontal electric field between the two electrodes, the demand for a transverse electric field system having a wider viewing angle is increasing.

일반적으로, 횡전계형 액정 표시 장치는 서로 대향 배치되고, 그 사이에 액정층을 구비한 컬러 필터 기판과 어레이 기판을 구비한다.In general, the transverse electric field type liquid crystal display devices are disposed to face each other, and include a color filter substrate and an array substrate provided with a liquid crystal layer therebetween.

컬러 필터 기판에는 빛샘을 방지하기 위한 블랙 매트릭스와 색상을 구현하기 위한 적색, 녹색, 청색의 컬러 필터가 형성된다.The color filter substrate is formed with a black matrix to prevent light leakage and color filters of red, green, and blue to implement color.

그리고, 어레이 기판에는 화소 영역을 정의하는 게이트 라인과 데이터 라인, 두 라인의 교차 지점에 위치하는 박막 트랜지스터, 각 화소 영역에 서로 엇갈리게 교차 배치되어 수평 전계를 발생시키는 공통 전극 및 화소 전극이 형성된다.The array substrate is formed with a gate line and a data line defining a pixel region, a thin film transistor positioned at an intersection point of two lines, a common electrode and a pixel electrode alternately arranged in each pixel region to generate a horizontal electric field.

도 1은 종래 기술에 따른 어레이 기판의 일부 평면도이다.1 is a partial plan view of an array substrate according to the prior art.

어레이 기판은 매트릭스 형태로 배열된 복수의 화소 영역들을 포함하며, 각 화소 영역에는 도 1과 같이 서로 엇갈리는 화소 전극(10) 및 공통 전극(20)이 배치된다.The array substrate includes a plurality of pixel regions arranged in a matrix form, and the pixel electrodes 10 and the common electrode 20 that are alternate with each other are arranged in each pixel region as shown in FIG. 1.

화소 전극(10)과 공통 전극(20)이 평행하게 엇갈리는 영역에서는 E1 방향으로의 수평 전계가 발생되고, 그에 따라 액정의 장축이 전계에 평행하게 배열된다.In the region where the pixel electrode 10 and the common electrode 20 cross in parallel, a horizontal electric field in the E1 direction is generated, whereby the long axis of the liquid crystal is arranged in parallel to the electric field.

반면, 화소 전극(10)의 끝단이 위치하는 빛샘 영역(R1)에서는 화소 전극(10)과 공통 전극(20) 간에 발생하는 E1 방향의 전계와 E2 방향의 전계가 더해져 전경선(disclination)이 생기고, 이러한 전경선으로 인해 휘도가 감소하게 된다.On the other hand, in the light leakage region R1 where the end of the pixel electrode 10 is positioned, an electric field in the E1 direction and an electric field in the E2 direction between the pixel electrode 10 and the common electrode 20 are added to generate a foreground line. This foreground line causes the brightness to decrease.

또한, 공통 전극(20) 및 화소 전극(10)이 꺾인 구조를 갖는 경우에는, 일정한 방향(DR)으로 러빙(Rubbing) 공정을 수행할 때, 화소 영역의 꺾인 구조와 러빙 조건에 따라 러빙이 잘 되지 않는 단차부가 생겨나는 것이 불가피하다.In addition, when the common electrode 20 and the pixel electrode 10 have a bent structure, rubbing is performed well according to the bent structure and rubbing conditions of the pixel region when the rubbing process is performed in a constant direction DR. It is inevitable that stepped sections will be created.

빛샘 영역(R1)은 러빙이 불량한 단차부로서, 이러한 빛샘 영역(R1)에서는 액정 물질의 초기 배향이 불균일해져 빛샘이 강해지고, 그로 인해 블랙 휘도의 증가와 대비비 저하가 유발된다.The light leakage region R1 is a stepped portion having poor rubbing. In the light leakage region R1, the initial alignment of the liquid crystal material is uneven, resulting in a strong light leakage, thereby causing an increase in black brightness and a decrease in contrast ratio.

종래에는, 이러한 빛샘을 감소시키기 위하여 상부의 컬러 필터 기판 상에 형성되는 블랙 매트릭스(30)의 선폭(BM_W)을 증가시켜 화소 영역의 단차부 모두를 가리는 방식이 채용된다.Conventionally, in order to reduce such light leakage, a method of covering all of the stepped portions of the pixel area by increasing the line width BM_W of the black matrix 30 formed on the upper color filter substrate is adopted.

그러나, 이러한 경우, 컬러 필터 기판 및 어레이 기판의 합착 마진(margin)까지 적용되어 블랙 매트릭스(30)의 선폭(BM_W)이 과도하게 확장되므로, 개구율 및 휘도가 저하되는 문제점이 있다.However, in this case, since the line width BM_W of the black matrix 30 is excessively extended by being applied up to the bonding margin of the color filter substrate and the array substrate, the aperture ratio and the luminance are deteriorated.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 블랙 매트릭스의 선폭을 줄이고, 빛샘 영역에서 화소 전극과 공통 전극의 구조 및 두 전극 간의 거리를 조절하여 빛샘을 억제함으로써, 화질을 개선할 수 있는 어레이 기판을 제공하는 것이다.Accordingly, an aspect of the present invention is to reduce the line width of the black matrix, to control the structure of the pixel electrode and the common electrode in the light leakage region and to suppress the light leakage by adjusting the distance between the two electrodes, to provide an array substrate that can improve the image quality It is.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상술한 어레이 기판이 적용된 횡전계형 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a transverse electric field type liquid crystal display device to which the above-described array substrate is applied.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are not intended to limit the invention to the precise forms disclosed. Other objects, which will be apparent to those skilled in the art, It will be possible.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 어레이 기판은 제 1 기판; 상기 제 1 기판 상에 교차 배치되어 화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인; 상기 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차 부위에 형성된 박막 트랜지스터; 상기 게이트 라인과 평행하게 형성된 공통 라인 및 상기 공통 라인으로부터 분기된 복수의 공통 전극; 상기 공통 전극과 평행하게 형성되며, 인출 라인을 통해 서로 연결된 복수의 화소 전극을 포함하며, 상기 화소 전극의 끝단과 마주보는 상기 공통 라인의 일부가 돌출되나, 상기 화소 전극의 끝단은 돌출된 상기 공통 라인의 일부와 중첩되지 않고, 상기 공통 전극의 끝단과 마주보는 상기 인출 라인의 일부가 돌출되나, 상기 공통 전극의 끝단은 돌출된 상기 인출 라인의 일부와 중첩되지 않는 것을 특징으로 한다.An array substrate according to the present invention for achieving the above technical problem is a first substrate; A gate line and a data line intersecting the first substrate to define a pixel area; A thin film transistor formed at an intersection of the gate line and the data line; A common line formed in parallel with the gate line and a plurality of common electrodes branched from the common line; A plurality of pixel electrodes formed in parallel with the common electrode and connected to each other through a lead-out line, and a part of the common line facing the end of the pixel electrode protrudes, but the end of the pixel electrode protrudes from the common A portion of the lead-out line facing the end of the common electrode protrudes without overlapping a portion of the line, but the end of the common electrode does not overlap with a portion of the lead-out line protruding.

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또한, 본 발명에 따른 횡전계형 액정 표시 장치는 복수의 화소 영역들이 매트릭스 형태로 배열되고, 상기 화소 영역들 각각에 서로 평행한 화소 전극과 복수의 공통 전극이 형성되며, 상기 공통 전극을 서로 연결하는 공통 라인과 상기 화소 전극을 서로 연결하는 인출 라인이 형성된 제 1 기판; 상기 제 1 기판과 마주보도록 배치되며, 블랙 매트릭스와 컬러 필터를 갖는 제 2 기판; 및 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하며, 상기 화소 전극의 끝단과 마주보는 상기 공통 라인의 일부가 돌출되나, 상기 화소 전극의 끝단은 돌출된 상기 공통 라인의 일부와 중첩되지 않고, 상기 공통 전극의 끝단과 마주보는 상기 인출 라인의 일부가 돌출되나, 상기 공통 전극의 끝단은 돌출된 상기 인출 라인의 일부와 중첩되지 않는 것을 특징으로 한다.In addition, in the transverse field type liquid crystal display according to the present invention, a plurality of pixel regions are arranged in a matrix form, a pixel electrode and a plurality of common electrodes parallel to each other are formed in each of the pixel regions, and the common electrodes are connected to each other. A first substrate having a drawing line connecting the common line and the pixel electrode to each other; A second substrate disposed to face the first substrate and having a black matrix and a color filter; And a liquid crystal layer formed between the first substrate and the second substrate, wherein a part of the common line facing the end of the pixel electrode protrudes, but an end of the pixel electrode is part of the protruding common line. A portion of the lead-out line facing the end of the common electrode is not overlapped, but the end of the common electrode is not overlapped with a portion of the lead-out line protruding.

삭제delete

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings. Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. Like reference numerals refer to like elements throughout.

이하, 본 발명의 실시예들에 따른 어레이 기판 및 그를 이용한 횡전계형 액정 표시 장치에 대하여 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an array substrate and a transverse electric field type liquid crystal display using the same according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 어레이 기판의 평면도이고, 도 3은 도 2의 Ι-Ι', Ⅱ-Ⅱ'라인에 대응하는 액정 표시 장치의 단면도이다.FIG. 2 is a plan view of an array substrate according to a first exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device corresponding to lines II-II 'of FIG. 2.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 어레이 기판(100)은 매트릭스 형태로 배열된 복수의 화소 영역(P)들로 이루어지고, 액정 표시 장치는 일정한 간격을 두고 합착된 어레이 기판(100)과 컬러 필터 기판(200), 그 사이의 액정층(300)을 포함하도록 구성된다.2 and 3, the array substrate 100 according to the first embodiment of the present invention is composed of a plurality of pixel regions P arranged in a matrix form, and the liquid crystal display is bonded at regular intervals. It is configured to include the array substrate 100 and the color filter substrate 200, the liquid crystal layer 300 therebetween.

어레이 기판(100)은 도 2에 도시된 것처럼, 서로 교차 배치되면서 화소 영역(P)를 정의하는 게이트 라인(110)과 데이터 라인(120), 게이트 라인(110)과 평행 하게 이격된 공통 라인(140), 게이트 라인(110)과 데이터 라인(120)의 교차 지점에 위치한 박막 트랜지스터(TFT), 화소 영역(P) 상에 서로 엇갈리도록 배치되는 화소 전극(131)과 공통 전극(141) 등을 포함한다.As illustrated in FIG. 2, the array substrate 100 may be disposed to cross each other and be spaced apart from each other in parallel with the gate line 110, the data line 120, and the gate line 110 defining the pixel area P. 140, the thin film transistor TFT positioned at the intersection of the gate line 110 and the data line 120, and the pixel electrode 131 and the common electrode 141 disposed on the pixel region P to cross each other. Include.

보다 구체적으로 살펴보면, 어레이 기판(100) 상에서 수평 방향으로 게이트 라인(110)과 공통 라인(140)이 서로 평행을 이루고, 수직 방향으로 데이터 라인(120)이 꺾인 구조를 갖도록 형성되며, 공통 전극(141) 및 화소 전극(131)과 평행을 이루도록 배열된다.In more detail, the gate line 110 and the common line 140 are parallel to each other in the horizontal direction on the array substrate 100, and the data line 120 is bent in the vertical direction, and the common electrode ( 141 and the pixel electrode 131.

화소 전극(131)은 인출 라인(130)으로부터 공통 전극(141)과 서로 엇갈리면서 평행을 이루도록 배치되며, 콘택홀(124)을 통해 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(122)에 접촉된다.The pixel electrode 131 is disposed in parallel with the common electrode 141 from the lead line 130 to be parallel to each other, and is in contact with the drain electrode 122 of the thin film transistor TFT through the contact hole 124.

공통 전극(141)과 화소 전극(131)은 복수 개가 구성되며, 공통 전극(141)들은 게이트 라인(110)과 평행한 방향으로 형성되어 있는 공통 라인(140)을 통해 서로 연결되고, 화소 전극(131)들은 인출 라인(130)에 의해 서로 연결된다.The common electrode 141 and the pixel electrode 131 are formed in plural, and the common electrodes 141 are connected to each other through the common line 140 formed in a direction parallel to the gate line 110, and the pixel electrode ( 131 are connected to each other by the lead line 130.

공통 전극(141)과 화소 전극(131)은 도 3에 도시된 것처럼, 동일 평면인 보호막(102) 상에 형성한다.The common electrode 141 and the pixel electrode 131 are formed on the passivation layer 102 which is coplanar, as shown in FIG. 3.

박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 라인(110)으로부터 연장된 게이트 전극(111), 게이트 전극(111)의 상부에 구성된 반도체층(112), 게이트 전극(111)과 반도체층(112) 사이에 게재된 게이트 절연막(101), 반도체층(112)의 상부에 서로 마주보도록 형성된 소스 전극(121) 및 드레인 전극(122)을 포함한다. 도시되지는 않았으나, 소스 전극(121) 및 드레인 전극(122)과 반도체층(112) 간의 계면에는 n 형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 실리콘의 물질로 이루어진 오믹 콘택층(ohmic contact layer)이 형성된다.The thin film transistor TFT is disposed between the gate electrode 111 extending from the gate line 110, the semiconductor layer 112 formed on the gate electrode 111, and the gate electrode 111 and the semiconductor layer 112. The gate insulating layer 101 and the semiconductor layer 112 include a source electrode 121 and a drain electrode 122 formed to face each other. Although not shown, an ohmic contact layer made of a material of n + hydrogenated amorphous silicon in which n-type impurities are heavily doped at an interface between the source electrode 121 and the drain electrode 122 and the semiconductor layer 112. Is formed.

게이트 전극(111)의 상부에는 게이트 절연막(101)이 형성되고, 게이트 절연막(101) 상에 도핑되지 않은 비정질 실리콘 물질로 이루어지는 반도체층(112)이 형성된다.A gate insulating layer 101 is formed on the gate electrode 111, and a semiconductor layer 112 made of an undoped amorphous silicon material is formed on the gate insulating layer 101.

박막 트랜지스터(TFT)의 상부로는 실리콘 질화막(SiNx) 등의 물질로 이루어진 보호막(102)이 형성된다. 도시되지는 않았으나, 어레이 기판(100)과 컬러 필터 기판(200)이 서로 마주보는 전면에는 배향막이 각각 형성되어 러빙 처리된다.The passivation layer 102 made of a material such as a silicon nitride layer SiNx is formed on the thin film transistor TFT. Although not shown, an alignment layer is formed on the front surface of the array substrate 100 and the color filter substrate 200 facing each other to be rubbed.

컬러 필터 기판(200)에는 화소 영역(P)을 제외한 부분의 빛을 차단하기 위한 블랙 매트릭스(210)가 형성되고, 각 화소 영역(P)에 대응되는 부분에는 색상을 표현하기 위한 적색, 녹색, 청색의 컬러 필터(220)가 형성된다.A black matrix 210 is formed in the color filter substrate 200 to block light in portions other than the pixel region P, and red, green, and white colors may be formed in portions corresponding to the pixel regions P. A blue color filter 220 is formed.

이러한 구성을 갖는 액정 표시 장치는 화소 전극(131)과 공통 전극(141) 사이에 형성되는 수평 전계에 의해 어레이 기판(100)과 컬러 필터 기판(200) 사이에 형성된 액정층(300)을 배향하고, 액정층(300)의 배향 정도에 따라 빛의 투과량을 조절하여 화상을 표시한다.The liquid crystal display device having such a configuration orientates the liquid crystal layer 300 formed between the array substrate 100 and the color filter substrate 200 by a horizontal electric field formed between the pixel electrode 131 and the common electrode 141. The amount of light transmitted is adjusted according to the degree of alignment of the liquid crystal layer 300 to display an image.

화소 전극(131)의 끝단부 모서리는 도 2에 도시된 것처럼, 공통 전극(141)이 공통 라인(140)으로부터 분기되어 나오는 부분, 특히, 빛샘 영역(R2)을 향하여 연장되도록 형성한다.As shown in FIG. 2, the end edge of the pixel electrode 131 is formed to extend toward the portion where the common electrode 141 branches from the common line 140, particularly, the light leakage region R2.

빛샘 영역(R2)은 공통 라인(140)과 공통 전극(141)이 접하는 부분 중 일부로서, 단차로 인해 러빙 시 액정의 초기 배향이 불균일해지고, 전경선이 발생하여 균 일한 수평 전계가 형성되지 않는 영역이다.The light leakage region R2 is a portion of the portion where the common line 140 and the common electrode 141 contact each other, and an area in which the initial alignment of the liquid crystal becomes uneven during rubbing due to the step difference, and a foreground line is generated so that a uniform horizontal electric field is not formed. to be.

일정한 러빙 방향(DR)으로 러빙이 이루어지게 되면, 전극의 단차부가 형성되어 있고, 러빙 모가 쓸어 내려가게 되는 부분에서 러빙이 잘 이루어지지 않아 액정의 초기 배향이 불균일해지는 빛샘 영역(R2)이 생기게 된다.When rubbing is performed in a predetermined rubbing direction DR, a stepped portion of the electrode is formed, and rubbing is not performed well at a portion where the rubbing hair is swept away, resulting in a light leakage region R2 in which the initial alignment of the liquid crystal becomes uneven. .

도 2의 경우, 러빙 모가 러빙 방향(DR)으로 진행할 때, 공통 라인(140)과 공통 전극(141)이 접하는 부분 중 일부에서 러빙 모가 쓸어 내려가는 현상이 발생하게 되며, 이러한 부분이 빛샘이 강해지는 빛샘 영역(R2)이 된다.In the case of FIG. 2, when the rubbing hair advances in the rubbing direction DR, a phenomenon in which the rubbing hair is swept away from a part of the contact portion of the common line 140 and the common electrode 141 occurs, which causes light leakage to become stronger. It becomes the light leakage area R2.

따라서, 공통 라인(140)과 마주보는 화소 전극(131)의 끝단 형상이 돌출되도록 변형하여 화소 전극(131)의 끝단부 모서리가 공통 라인(140) 및 공통 전극(141)이 접하는 빛샘 영역(R2)을 향하여 연장되도록 한다.Accordingly, the light leakage region R2 is formed such that the end shape of the pixel electrode 131 facing the common line 140 protrudes so that the edge of the end of the pixel electrode 131 is in contact with the common line 140 and the common electrode 141. To extend toward

그럼으로써, 빛샘 영역(R2)의 크기 자체를 줄이고, 화소 전극(131)의 끝단부에서 빛샘 영역(R2) 방향으로 횡전계가 발생하는 구간을 넓혀 전경선을 감소시킬 수 있다.As a result, the size of the light leakage region R2 may be reduced, and the foreground line may be reduced by widening the section in which the transverse electric field is generated in the direction of the light leakage region R2 at the end of the pixel electrode 131.

이때, 화소 전극(131)의 끝단부 중 일측 모서리에 해당하는 부분만을 연장시킬 수도 있고, 연장된 부분의 모서리의 끝을 뾰족하게 형성할 수도 있다.In this case, only a portion corresponding to one edge of the edge portion of the pixel electrode 131 may be extended, or the edge of the edge of the extended portion may be sharply formed.

이와 같이, 화소 전극(131) 끝단부의 형상을 조절하여 화소 전극(131)과 공통 전극(141) 또는 화소 전극(131)과 공통 라인(140) 사이의 거리를 제어함으로써, 빛샘이 강하게 발생하는 빛샘 영역(R2)의 크기를 줄여 빛샘을 감소시킬 수 있다.As such, by controlling the distance between the pixel electrode 131 and the common electrode 141 or the pixel electrode 131 and the common line 140 by adjusting the shape of the end portion of the pixel electrode 131, the light leakage strongly occurs. Light leakage may be reduced by reducing the size of the region R2.

또한, 빛샘 영역(R2)의 크기가 작아지면, 이를 덮기 위한 블랙 매트릭스(210)의 선폭(BM_W)을 줄여 개구율 및 화질을 향상시킬 수 있다.In addition, when the size of the light leakage region R2 decreases, the line width BM_W of the black matrix 210 may be reduced to improve the aperture ratio and the image quality.

이때, 화소 전극(131)의 끝단부 모서리가 연장된 정도에 대응하여 블랙 매트릭스(210)의 선폭(BM_W)을 감소시킨다.In this case, the line width BM_W of the black matrix 210 is reduced in correspondence to the extent to which the end edges of the pixel electrode 131 extend.

특히, 블랙 매트릭스(210)를 크롬(Cr) 등의 금속이 아닌 수지 물질로 형성하게 되면, 수지 물질의 공정 특성 상 전극 패턴이 금속에 비해 선폭이 깨끗하게 형성되지 못하고 흔들린다. 이러한 블랙 매트릭스(210)가 크기가 큰 빛샘 영역(R2)과 겹쳐지면 표시 특성이 더욱 저하될 수 있으므로, 화소 전극(131)의 끝단부 형상을 조절하여 블랙 매트릭스(210)의 선폭(BM_W)을 감소시킴으로써, 이러한 문제점을 해결한다.In particular, when the black matrix 210 is formed of a resin material other than metal such as chromium (Cr), the electrode pattern of the resin material is not formed to have a clean line width compared to the metal, and thus shakes. When the black matrix 210 overlaps the large light leakage region R2, the display characteristics may be further reduced. Thus, the line width BM_W of the black matrix 210 may be adjusted by adjusting the shape of the end of the pixel electrode 131. By reducing, this problem is solved.

또한, 이러한 화소 영역(P)의 상부 영역에서와 마찬가지로, 하부 영역(Z1)의 경우에도 화소 전극(131)과 공통 전극(141) 사이의 빛샘이 생기게 되므로, 하부 영역(Z1)에서도 상부 영역에서와 마찬가지로 공통 전극(141)의 끝단부 형상을 변형하여 빛샘을 조정할 수 있다.In addition, as in the upper region of the pixel region P, since the light leakage occurs between the pixel electrode 131 and the common electrode 141 in the lower region Z1, the lower region Z1 may also be formed in the upper region. Similarly, the light leakage may be adjusted by modifying the shape of the end of the common electrode 141.

이러한 경우에는, 인출 라인(130)과 일정한 간격을 두고 마주보는 공통 전극(141)의 끝단부 모서리를 돌출시켜, 공통 전극(141)의 끝단부 모서리가 인출 라인(130) 및 화소 전극(131)이 접하는 영역을 향하여 연장되도록 한다.In this case, the end edges of the common electrode 141 facing the lead line 130 at regular intervals are projected so that the end edges of the common electrode 141 are the lead line 130 and the pixel electrode 131. It extends toward the contact area.

도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 어레이 기판의 평면도이다.4 is a plan view of an array substrate according to a second embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 제 1 실시예와 비교하여 화소 전극(132)의 끝단부 모서리가 양측 모두 연장되고, 화소 전극(132) 끝단부의 전체 길이가 보다 길게 형성되어 화소 전극(132)이 공통 라인(140) 측으로 더 근접하게 배치된다.Referring to FIG. 4, compared to the first embodiment, both edges of the end of the pixel electrode 132 extend and both sides of the pixel electrode 132 are formed to have a longer length, so that the pixel electrode 132 has a common line. It is disposed closer to the 140 side.

끝단부의 모서리가 연장되고, 끝단부의 전체 길이가 보다 길게 형성된 화소 전극(132)을 적용함으로써, 도 3의 경우와 같이, 빛샘 영역(R3)의 크기를 줄이고, 화소 전극(132)의 끝단부에서 빛샘 영역(R3) 방향으로 수평 전계가 발생하는 구간을 넓혀 전경선을 감소시킬 수 있다.By applying the pixel electrode 132 formed by extending the edge of the end portion and extending the entire length of the end portion, as shown in FIG. 3, the size of the light leakage region R3 is reduced and at the end portion of the pixel electrode 132. The foreground line may be reduced by widening the section in which the horizontal electric field is generated in the direction of the light leakage region R3.

하부 영역(Z2)에서도 공통 전극(141)의 끝단부 형상을 변형하여 빛샘을 조정할 수 있다. 즉, 인출 라인(130)과 일정한 간격을 두고 마주보는 공통 전극(141)의 끝단부 모서리를 일측 또는 양측으로 돌출시켜, 공통 전극(141)의 끝단부 모서리가 인출 라인(130) 및 화소 전극(132)이 접하는 영역을 향하여 연장되도록 한다.In the lower region Z2, light leakage may be adjusted by modifying an end shape of the common electrode 141. That is, the end edges of the common electrode 141 facing the lead line 130 at regular intervals protrude to one side or both sides, so that the end edges of the common electrode 141 are the lead line 130 and the pixel electrode ( 132 extends toward the abutting area.

도 4의 다른 구성 요소들은 도 2 및 도 3에 도시된 제 1 실시예의 구성 요소들과 대응하므로, 이에 대한 보다 상세한 설명은 생략하기로 한다.Since the other components of FIG. 4 correspond to those of the first embodiment shown in FIGS. 2 and 3, a detailed description thereof will be omitted.

도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 어레이 기판의 평면도이고, 도 6은 도 5의 Ⅲ-Ⅲ', Ⅳ-Ⅳ'라인에 대응하는 액정 표시 장치의 단면도이다.5 is a plan view of an array substrate according to a third exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device corresponding to lines III-III ′ and IV-IV ′ of FIG. 5.

도 5 및 도 6을 참조하면, 제 3 실시예에 따른 어레이 기판은 두 개의 공통 전극(143)들 사이에 배치된 화소 전극(133)과 화소 전극(133)의 끝단과 마주보는 일부분이 돌출 형성되어 있는 공통 라인(142)을 포함한다.5 and 6, in the array substrate according to the third embodiment, a portion of the pixel electrode 133 disposed between the two common electrodes 143 and an end portion of the pixel electrode 133 facing each other is formed to protrude. A common line 142.

액정 표시 장치는 이러한 어레이 기판(100), 일정한 간격을 두고 어레이 기판(100)과 마주보는 컬러 필터 기판(200), 어레이 기판(100) 및 컬러 필터 기판(200) 사이에 형성된 액정층(300)을 포함한다.The liquid crystal display device includes a liquid crystal layer 300 formed between the array substrate 100, the color filter substrate 200 facing the array substrate 100 at regular intervals, the array substrate 100, and the color filter substrate 200. It includes.

어레이 기판(100)의 각 화소 영역(P)에는 수평 방향으로 형성된 게이트 라인(110), 게이트 라인(110)에 수직한 방향으로 형성되어 화소 영역(P)을 정의하는 데이터 라인(120)이 배열된다.In each pixel area P of the array substrate 100, a gate line 110 formed in a horizontal direction and a data line 120 formed in a direction perpendicular to the gate line 110 to define the pixel area P are arranged. do.

각 화소 영역(P)에는 공통 라인(142)으로부터 분기된 공통 전극(143)과 인출 라인(130)에서 분기된 화소 전극(133)이 서로 평행하게 형성되며, 게이트 라인(110)과 데이터 라인(120)의 교차 부분에는 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된다.In each pixel area P, a common electrode 143 branched from the common line 142 and a pixel electrode 133 branched from the lead line 130 are formed in parallel with each other, and the gate line 110 and the data line ( The thin film transistor TFT is formed at an intersection portion of the 120.

박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 라인(110)으로부터의 스캔 신호에 의해 턴-온되어 데이터 라인(120)으로 인가된 데이터 전압을 화소 전극(133)으로 전달한다.The thin film transistor TFT is turned on by the scan signal from the gate line 110 to transfer the data voltage applied to the data line 120 to the pixel electrode 133.

이러한 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 전극(111), 그 상부의 게이트 절연막(101), 반도체층(112), 소스/드레인 전극(121, 122)을 포함하며, 박막 트랜지스터(TFT)의 상부에는 보호막(102)이 구성된다.The thin film transistor TFT includes a gate electrode 111, a gate insulating layer 101 thereon, a semiconductor layer 112, and source / drain electrodes 121 and 122, and a passivation layer on the thin film transistor TFT. 102 is configured.

여기서, 공통 전극(143), 화소 전극(133)은 동일 평면인 보호막(102) 상에 형성하며, 인듐-틴-옥사이드(ITO; Indium-Tin-Oxide)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명 도전성 금속으로 구성한다.Here, the common electrode 143 and the pixel electrode 133 are formed on the passivation layer 102 that is coplanar, and have a relatively high transmittance of light such as indium-tin oxide (ITO). Consists of metal.

컬러 필터 기판(200)에는 수지 물질 등으로 이루어져 빛샘을 차단하는 블랙 매트릭스(210)와 각 화소 영역(P)에 대응하는 컬러 필터(220)가 형성된다. 컬러 필터(220)로는 적색, 녹색, 청색의 컬러 필터가 형성된다.The color filter substrate 200 includes a black matrix 210 formed of a resin material and blocking light leakage, and a color filter 220 corresponding to each pixel region P. As the color filter 220, red, green, and blue color filters are formed.

도 5를 참조하면, 공통 라인(142)의 일부가 돌출되는 만큼 빛샘 영역(R4)의 크기가 감소하고, 공통 라인(142)과 화소 전극(133) 간의 거리가 줄어들게 되므로, 화소 전극(133)의 끝단과 마주보는 공통 라인(142)의 일부가 돌출된 정도에 대응하여 블랙 매트릭스(210)의 선폭(BM_W)을 감소시킬 수 있다.Referring to FIG. 5, as the portion of the common line 142 protrudes, the size of the light leakage region R4 is reduced, and the distance between the common line 142 and the pixel electrode 133 is reduced, so that the pixel electrode 133 is reduced. The line width BM_W of the black matrix 210 may be reduced in correspondence to the extent of the portion of the common line 142 facing the end of the black matrix 210.

이와 같이, 화소 전극(133)의 끝단부와 마주보는 공통 라인(142)의 일부를 돌출시켜 빛샘 영역(R4)의 크기를 줄이고, 전경선을 감소시킴으로써, 전경선 및 빛 샘으로 인한 휘도 저하를 개선할 수 있다.As described above, the portion of the common line 142 facing the end of the pixel electrode 133 may be projected to reduce the size of the light leakage region R4 and reduce the foreground line, thereby improving the luminance degradation due to the foreground line and the light leakage. Can be.

마찬가지로, 하부 영역(Z3)에서도, 공통 전극(142)의 끝단과 마주보는 인출 라인(130)의 일부를 돌출시켜 빛샘을 조절할 수 있다.Similarly, in the lower region Z3, light leakage may be adjusted by protruding a part of the lead line 130 facing the end of the common electrode 142.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, You will understand.

따라서, 이상에서 기술한 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이므로, 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 하며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are provided so that those skilled in the art can fully understand the scope of the present invention. Therefore, it should be understood that the embodiments are to be considered in all respects as illustrative and not restrictive, The invention is only defined by the scope of the claims.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명에 따른 어레이 기판 및 그를 이용한 횡전계형 액정 표시 장치는 블랙 매트릭스의 선폭을 줄이고, 빛샘 영역에서 화소 전극과 공통 전극의 구조 및 두 전극 간의 거리를 조절하여 빛샘을 억제함으로써 화질을 개선할 수 있다.The array substrate and the transverse field type liquid crystal display using the same according to the present invention made as described above reduce the line width of the black matrix, control the structure of the pixel electrode and the common electrode in the light leakage region, and suppress the light leakage by controlling the distance between the two electrodes. Can be improved.

Claims (22)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 기판;A first substrate; 상기 제 1 기판 상에 교차 배치되어 화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인;A gate line and a data line intersecting the first substrate to define a pixel area; 상기 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차 부위에 형성된 박막 트랜지스터;A thin film transistor formed at an intersection of the gate line and the data line; 상기 게이트 라인과 평행하게 형성된 공통 라인 및 상기 공통 라인으로부터 분기된 복수의 공통 전극;A common line formed in parallel with the gate line and a plurality of common electrodes branched from the common line; 상기 공통 전극과 평행하게 형성되며, 인출 라인을 통해 서로 연결된 복수의 화소 전극을 포함하며,Is formed in parallel with the common electrode, and includes a plurality of pixel electrodes connected to each other through the lead line, 상기 화소 전극의 끝단과 마주보는 상기 공통 라인의 일부가 돌출되나, 상기 화소 전극의 끝단은 돌출된 상기 공통 라인의 일부와 중첩되지 않고,A part of the common line facing the end of the pixel electrode protrudes, but the end of the pixel electrode does not overlap a part of the protruding common line, 상기 공통 전극의 끝단과 마주보는 상기 인출 라인의 일부가 돌출되나, 상기 공통 전극의 끝단은 돌출된 상기 인출 라인의 일부와 중첩되지 않는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.And a portion of the lead-out line facing the end of the common electrode protrudes, but the end of the common electrode does not overlap with the portion of the lead-out line protruding. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 복수의 화소 영역들이 매트릭스 형태로 배열되고, 상기 화소 영역들 각각에 서로 평행한 화소 전극과 복수의 공통 전극이 형성되며, 상기 공통 전극을 서로 연결하는 공통 라인과 상기 화소 전극을 서로 연결하는 인출 라인이 형성된 제 1 기판;A plurality of pixel regions are arranged in a matrix form, and a pixel electrode and a plurality of common electrodes parallel to each other are formed in each of the pixel regions, and a common line connecting the common electrodes to each other and a drawing line connecting the pixel electrodes to each other. A formed first substrate; 상기 제 1 기판과 마주보도록 배치되며, 블랙 매트릭스와 컬러 필터를 갖는 제 2 기판; 및A second substrate disposed to face the first substrate and having a black matrix and a color filter; And 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하며,A liquid crystal layer formed between the first substrate and the second substrate, 상기 화소 전극의 끝단과 마주보는 상기 공통 라인의 일부가 돌출되나, 상기 화소 전극의 끝단은 돌출된 상기 공통 라인의 일부와 중첩되지 않고,A part of the common line facing the end of the pixel electrode protrudes, but the end of the pixel electrode does not overlap a part of the protruding common line, 상기 공통 전극의 끝단과 마주보는 상기 인출 라인의 일부가 돌출되나, 상기 공통 전극의 끝단은 돌출된 상기 인출 라인의 일부와 중첩되지 않는 것을 특징으로 하는 횡전계형 액정 표시 장치.And a portion of the lead-out line facing the end of the common electrode protrudes, but the end of the common electrode does not overlap with the portion of the lead-out line protruding from the common electrode. 삭제delete 제19항에 있어서,20. The method of claim 19, 상기 블랙 매트릭스는,The black matrix, 상기 화소 전극의 끝단과 마주보는 상기 공통 라인의 일부가 돌출된 정도에 대응하여 선폭이 감소된 것을 특징으로 하는 횡전계형 액정 표시 장치.And a line width is reduced in correspondence to the degree of protrusion of a portion of the common line facing the end of the pixel electrode. 제19항에 있어서,20. The method of claim 19, 상기 블랙 매트릭스는,The black matrix, 수지 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계형 액정 표시 장치.A transverse electric field liquid crystal display device formed from a resin material.
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