KR101260437B1 - Plasma device using graphene and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

플라즈마 장치 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 플라즈마 장치는 방전 가스가 수용되는 하나 이상의 캐비티가 구비된 캐비티 형성부; 상기 캐비티 내에 전압을 인가하기 위해 마련된 것으로, 상기 캐비티 형성부 의 상부 및 하부에 각각 마련된 제1전극부 및 제2전극부; 상기 캐비티의 내벽의 적어도 일부에 형성된 것으로, 그래핀을 포함하는 재질로 이루어진 보호막;을 포함한다. A plasma device and a method of manufacturing the same are disclosed. The disclosed plasma apparatus includes a cavity forming unit having one or more cavities in which discharge gas is received; A first electrode part and a second electrode part which are provided to apply a voltage in the cavity and are respectively provided above and below the cavity forming part; It is formed on at least a portion of the inner wall of the cavity, a protective film made of a material containing graphene; includes.

Description

그래핀을 이용한 플라즈마 장치 및 이의 제조방법{Plasma device using graphene and method of manufacturing the same}Plasma device using graphene and method for manufacturing same {Plasma device using graphene and method of manufacturing the same}

본 개시는 그래핀을 이용한 플라즈마 장치 및 이의 제조방법에 대한 것이다. The present disclosure relates to a plasma device using graphene and a method of manufacturing the same.

플라즈마 장치는 전극이 형성된 두 기판 사이에 방전 가스가 봉인되는 방전셀을 구비하며, 방전셀 내에 방전 전압이 가해짐에 따라 자외선이 발생됨을 이용하는 장치이다. 이러한 플라즈마 장치는 방전 가스가 봉인되는 다수의 방전셀을 어레이하고, 예를 들어, 각 셀에 자외선 광을 흡수하여 가시광을 여기하는 형광체를 코팅하여, 백라이트나 디스플레이 패널 등으로 응용되고 있다. The plasma apparatus includes a discharge cell in which a discharge gas is sealed between two substrates on which electrodes are formed, and ultraviolet rays are generated when a discharge voltage is applied to the discharge cell. Such a plasma apparatus arrays a plurality of discharge cells in which the discharge gas is sealed, and coats a phosphor for absorbing ultraviolet light to excite visible light, for example, and is applied to a backlight or a display panel.

최근에는 약 104/cm2 의 픽셀 밀도가 가능한 마이크로캐비티 플라즈마 장치(microcavity plasma device)를 이용하여 대면적화하는 기술에도 관심이 모아지고 있으며, 이를 제조하는 방법등이 연구되고 있다.Recently, attention has also been drawn to a large area technology using a microcavity plasma device capable of a pixel density of about 10 4 / cm 2 , and a method of manufacturing the same has been studied.

이러한 플라즈마 장치는 방전셀의 벽을 이루는 유전물질을 플라즈마 노출로부터 보호하기 위한 보호막을 구비하게 된다. 즉, 플라즈마에 의해 방전셀의 벽을 이루는 유전물질이 산화되어 전극이 방전셀 내부의 공간에 노출되는 것을 방지하기 위한 것이다. 보호막은 통상, 내플라즈마 특성이 우수한 재질로 산화 마그네슘과 같은 재질이 사용되는데, 플라즈마 장치의 신뢰성 향상이나 소비 전력을 줄일 수 있는 측면에서, 보호막의 재질에 대한 연구도 행해지고 있다. The plasma apparatus includes a protective film for protecting the dielectric material constituting the wall of the discharge cell from plasma exposure. That is, the dielectric material constituting the wall of the discharge cell is oxidized by the plasma to prevent the electrode from being exposed to the space inside the discharge cell. As the protective film, a material such as magnesium oxide is usually used as a material having excellent plasma resistance. In view of improving the reliability of the plasma apparatus and reducing the power consumption, research on the material of the protective film is also conducted.

본 개시는 그래핀을 보호막에 사용하는 플라즈마 장치 및 그 제조방법을 제시하고자 한다. The present disclosure is to propose a plasma device using the graphene in a protective film and a method of manufacturing the same.

일 유형에 따르는 플라즈마 장치는 방전 가스가 수용되는 하나 이상의 캐비티가 구비된 캐비티 형성부; 상기 캐비티 내에 전압을 인가하기 위해 마련된 것으로, 상기 캐비티 형성부 의 상부 및 하부에 각각 마련된 제1전극부 및 제2전극부; 상기 캐비티의 내벽의 적어도 일부에 형성된 것으로, 그래핀을 포함하는 재질로 이루어진 보호막;을 포함한다. According to one type of plasma apparatus, a cavity forming unit including one or more cavities in which discharge gas is received; A first electrode part and a second electrode part which are provided to apply a voltage in the cavity and are respectively provided above and below the cavity forming part; It is formed on at least a portion of the inner wall of the cavity, a protective film made of a material containing graphene; includes.

상기 보호막은 불순물이 도핑된 그래핀을 포함하여 이루어질 수 있다.The passivation layer may include graphene doped with impurities.

상기 보호막은 상기 내벽 상에 도포된 것으로 유전물질을 포함하는 제1층과, 상기 제1층 위에 도포된 것으로 상기 불순물이 도핑된 그래핀을 포함하는 제2층으로 이루어질 수 있으며, 또는, 상기 내벽 상에 도포된 것으로, 그래핀을 포함하는 제1층과, 상기 제1층 위에 도포된 것으로 유전물질을 포함하는 제2층을 포함하여 이루어질 수 있으며, 또는, 상기 내벽 상에 도포된 것으로 유전물질을 포함하는 제1층; 상기 제1층 위에 도포된 것으로 그래핀을 포함하는 제2층; 상기 제2층 위에 도포된 것으로 유전물질을 포함하는 제3층;을 포함하여 이루어질 수 있다. The passivation layer may be formed on the inner wall, and may include a first layer including a dielectric material and a second layer including graphene doped with the impurity as applied on the first layer. It is applied to the first layer comprising a graphene, and a second layer containing a dielectric material to be applied on the first layer, it may be formed on, or is applied on the inner wall dielectric material A first layer comprising a; A second layer including graphene as applied on the first layer; And a third layer coated on the second layer and including a dielectric material.

상기 제1전극부 및 제2전극부 중 적어도 어느 하나가 그래핀으로 이루어질 수 있다. At least one of the first electrode portion and the second electrode portion may be made of graphene.

상기 캐비티 형성부는 제1유전체층; 상기 제1유전체층 위에 형성된 것으로, 상기 하나 이상의 캐비티의 측벽을 형성하도록 마련된 격벽부; 상기 격벽부 위에 마련되어, 상기 하나 이상의 캐비티를 밀봉하는 제2유전체층;을 포함하여 이루어질 수 있다. The cavity forming part includes a first dielectric layer; A partition portion formed on the first dielectric layer and formed to form sidewalls of the one or more cavities; And a second dielectric layer provided on the partition wall and sealing the one or more cavities.

상기 보호막은 상기 캐비티의 하면 및 측벽에 형성된 제1보호막; 상기 제2유전체층의 하면에 형성되어 상기 캐비티의 상부를 덮는 제2보호막;을 포함하여 이루어질 수 있다. The passivation layer may include a first passivation layer formed on a lower surface and a sidewall of the cavity; And a second passivation layer formed on a lower surface of the second dielectric layer to cover an upper portion of the cavity.

상기 제1유전체층과 상기 격벽부는 같은 재질로 일체형으로 형성될 수 있다. The first dielectric layer and the partition wall may be integrally formed of the same material.

상기 격벽부는 복수의 캐비티가 2차원 어레이로 배열되게 하는 형상으로 마련될 수 있다. The partition wall portion may be provided in a shape such that the plurality of cavities are arranged in a two-dimensional array.

상기 복수의 캐비티는 각각에는 적색 형광체 또는 녹색 형광체 또는 청색 형광체 중 어느 하나가 도포될 수 있다. Each of the plurality of cavities may be coated with one of a red phosphor, a green phosphor, and a blue phosphor.

일 유형에 따르는 플라즈마 장치 제조방법은 일면에 제1전극부가 형성된 제1기판을 준비하는 단계; 상기 제1전극부가 형성된 일면 상에 하나 이상의 그루브가 형성된 캐비티 패턴층을 형성하는 단계; 일면에 제2전극부가 형성된 제2기판을 준비하는 단계; 상기 제2전극부가 형성된 일면 상에 유전체층을 형성하는 단계; 상기 캐비티 패턴층 및 상기 유전체층 중 적어도 하나의 위에 그래핀을 포함하는 보호막을 형성하는 단계; 상기 유전체층과 상기 캐비티 패턴층이 서로 마주하도록, 상기 제1기판과 제2기판을 접합하여 상기 보호막이 노출되는 캐비티를 형성하는 단계;를 포함한다. Plasma apparatus manufacturing method according to one type comprises the steps of preparing a first substrate having a first electrode portion formed on one surface; Forming a cavity pattern layer having at least one groove formed on one surface of the first electrode part; Preparing a second substrate having a second electrode portion formed on one surface thereof; Forming a dielectric layer on one surface of the second electrode portion; Forming a protective film including graphene on at least one of the cavity pattern layer and the dielectric layer; And bonding the first substrate and the second substrate so that the dielectric layer and the cavity pattern layer face each other to form a cavity in which the protective film is exposed.

상기 보호막을 형성하는 단계는 상기 캐비티 패턴층의 표면을 따라 제1보호막을 형성하는 단계와, 상기 유전체층 상에 제2보호막을 형성하는 단계; 중 어느 한 단계를 포함할 수 있다. The forming of the passivation layer may include forming a first passivation layer along a surface of the cavity pattern layer, and forming a second passivation layer on the dielectric layer; It may include any one step.

상기 캐비티 패턴층을 형성하는 단계는 액상의 자외선 경화성 폴리머를 상기 제1기판의 상기 일면 상에 도포하는 단계; 상기 하나 이상의 그루브의 역상에 해당하는 형상을 가지는 스탬프를 준비하여 상기 액상의 자외선 경화성 폴리머에 임프린트 하는 단계; 상기 스탬프 위로 자외선을 조사하는 단계;를 포함할 수 있다. The forming of the cavity pattern layer may include applying a liquid ultraviolet curable polymer on the one surface of the first substrate; Preparing a stamp having a shape corresponding to a reverse phase of the at least one groove and imprinting the liquid ultraviolet curable polymer; And irradiating ultraviolet rays onto the stamp.

상기 보호막은 불순물이 도핑된 그래핀을 포함하여 이루어질 수 있다. The passivation layer may include graphene doped with impurities.

상기 보호막은 상기 내벽 상에 도포된 것으로 유전물질을 포함하는 제1층과, 상기 제1층 위에 도포된 것으로 상기 불순물이 도핑된 그래핀을 포함하는 제2층으로 이루어질 수 있으며, 또는, 상기 내벽 상에 도포된 것으로, 그래핀을 포함하는 제1층과, 상기 제1층 위에 도포된 것으로 유전물질을 포함하는 제2층을 포함하여 이루어질 수 있으며, 또는, 상기 내벽 상에 도포된 것으로 유전물질을 포함하는 제1층; 상기 제1층 위에 도포된 것으로 그래핀을 포함하는 제2층; 상기 제2층 위에 도포된 것으로 유전물질을 포함하는 제3층;을 포함하여 이루어질 수 있다. The passivation layer may be formed on the inner wall, and may include a first layer including a dielectric material and a second layer including graphene doped with the impurity as applied on the first layer. It is applied to the first layer comprising a graphene, and a second layer containing a dielectric material to be applied on the first layer, it may be formed on, or is applied on the inner wall dielectric material A first layer comprising a; A second layer including graphene as applied on the first layer; And a third layer coated on the second layer and including a dielectric material.

상술한 플라즈마 장치 및 이의 제조방법은 보호막에 그래핀을 포함하는 재질을 채용함으로써 내플라즈마 특성이 개선되며 신뢰성이 향상되는 플라즈마 장치를 제공한다. The above-described plasma apparatus and its manufacturing method provide a plasma apparatus in which plasma resistance is improved and reliability is improved by employing a material including graphene in the protective film.

도 1은 실시예에 따른 플라즈마 장치의 개략적인 구성을 보이는 단면도이다.
도 2 내지 도 5는 도 1의 플라즈마 장치에 채용될 수 있는 보호막의 실시예들을 보인다.
도 6은 다른 실시예에 따른 플라즈마 장치의 개략적인 구성을 보이는 분리 사시도이다.
도 7a 내지 도 7g는 실시예에 따른 플라즈마 장치 제조방법을 설명하는 도면들이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호설명>
100, 200, 300... 플라즈마 장치 110, 210,310... 제1기판
120, 220, 320... 제1전극부 140, 240... 제1유전체층
150, 250... 격벽부 160, 260... 제2유전체층
180, 280, 380... 제2전극부 190, 290, 390... 제2기판
PL, PL1, PL2... 보호막 345... 캐비티 패턴층1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a plasma apparatus according to the embodiment.
2 to 5 show embodiments of a protective film that may be employed in the plasma apparatus of FIG. 1.
6 is an exploded perspective view showing a schematic configuration of a plasma apparatus according to another embodiment.
7A to 7G are diagrams illustrating a method of manufacturing a plasma apparatus according to an embodiment.
Description of the Related Art [0002]
100, 200, 300 ... Plasma apparatus 110, 210, 310 ... First substrate
120, 220, 320 ... First electrode portion 140, 240 ... First dielectric layer
150, 250 ... Bulkhead 160, 260 ... Second dielectric layer
180, 280, 380 ... Second electrode section 190, 290, 390 ... Second substrate
PL, PL1, PL2 ... Shield 345 ... Cavity Pattern Layer

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 각 구성요소의 크기나 두께는 설명의 명료성을 위하여 과장되어 있을 수 있다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, like reference numerals refer to like elements, and the size and thickness of each element may be exaggerated for clarity of explanation.

도 1은 실시예에 따른 플라즈마 장치(100)의 개략적인 구성을 보이는 단면도이다. 도면을 참조하면, 플라즈마 장치(100)는 방전 가스(미도시)가 수용되는 하나 이상의 캐비티(C)가 구비된 캐비티 형성부(170), 캐비티 형성부(170)의 하부 및 상부에 각각 마련된 제1전극부(120) 및 제2전극부(180), 캐비티(C)의 내벽의 적어도 일부에 형성된 보호막(PL)을 포함한다.1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a plasma apparatus 100 according to an embodiment. Referring to the drawings, the plasma apparatus 100 may include a cavity forming unit 170 having one or more cavities C for receiving discharge gas (not shown), and lower and upper portions of the cavity forming unit 170, respectively. The first electrode part 120, the second electrode part 180, and the passivation layer PL formed on at least a portion of the inner wall of the cavity C are included.

플라즈마 장치(100)는 제1전극부(120)와 제2전극부(180)에 의해 캐비티(C) 내에 방전 전압이 인가되면 방전 가스로부터 자외선이 발생되는 장치로서, 보호막(PL)은 제1전극부(120), 제2전극부(180)가 캐비티(C)에 노출되지 않도록 캐비티 형성부(170)를 보호하는 역할을 하며, 실시예에서는 보호막(PL)에 그래핀(graphene)을 포함하는 재질을 사용하고 있다. The plasma apparatus 100 is an apparatus in which ultraviolet rays are generated from the discharge gas when a discharge voltage is applied to the cavity C by the first electrode 120 and the second electrode 180. The electrode unit 120 and the second electrode unit 180 serve to protect the cavity forming unit 170 from being exposed to the cavity C. In an embodiment, graphene is included in the protective layer PL. We use material to say.

그래핀(graphene)은 탄소로 이루어진 육방정계(hexagonal) 단층 구조물로서, 복수개의 탄소원자들이 서로 공유결합으로 연결되어 이차원 구조의 탄소 육각망면, 즉 벌집 구조의 2차원 박막을 형성한 폴리시클릭 방향족 분자를 의미한다. 이러한 공유결합으로 연결된 탄소원자들은 기본 반복단위로서 6원환을 형성하나, 5원환 및/또는 7원환을 더 포함하는 것도 가능하다. 따라서 그래핀은 서로 공유결합된 탄소원자들(통상 sp2 결합)의 단일층으로서 보이게 된다. 그래핀은 다양한 구조를 가질 수 있으며, 이와 같은 구조는 그래핀 내에 포함될 수 있는 5원환 및/또는 7원환의 함량에 따라 달라질 수 있다. 그래핀은 단일층으로 이루어질 수 있으나, 이들이 여러 개 서로 적층되어 복수층을 형성하는 것도 가능하다. Graphene is a hexagonal monolayer structure made of carbon. A polycyclic aromatic molecule in which a plurality of carbon atoms are covalently linked to each other to form a carbon hexagonal network of two-dimensional structure, that is, a two-dimensional thin film of honeycomb structure. Means. The covalently linked carbon atoms form a 6-membered ring as the basic repeating unit, but may further include a 5-membered ring and / or a 7-membered ring. Thus, graphene appears as a single layer of covalently bonded carbon atoms (usually sp 2 bonds). Graphene may have a variety of structures, such a structure may vary depending on the content of 5-membered and / or 7-membered rings that can be included in the graphene. The graphene may be formed of a single layer, but they may be stacked with each other to form a plurality of layers.

일반적으로 2차원 물질은 열역학적으로 불안정하여 자연스러운 형태로 존재할 수 없다고 생각되어 왔으나, 한 층의 그래핀은 매우 안정적이며 결정성이 뛰어나다는 것이 밝혀졌다. 이러한 그래핀은 안정적인 2차원 결정 구조에 의해 수분과 같은 외부 환경에 대해 강한 특성을 지닌다. In general, two-dimensional materials have been thought to be thermodynamically unstable and cannot exist in their natural form, but it has been found that a layer of graphene is very stable and excellent in crystallinity. Such graphene has strong characteristics against external environment such as moisture due to stable two-dimensional crystal structure.

그래핀은 또한, 우수한 투광성과 특징적인 전하이동 성질에 의해 전자소자 및 광학 분야에서 각광받고 있는데, 그래핀 시트(sheet)는 이차원 탄도 이동(2-dimensional ballistic transport) 특성을 갖는다. 전하가 물질 내에서 이차원 탄도 이동한다는 것은 산란(scattering)에 의한 저항이 거의 없는 상태로 이동한다는 것을 의미한다. 따라서 그래핀 시트내에서 전하의 이동도(mobility)는 매우 높고, 그래핀 시트는 매우 낮은 비저항을 갖는다. 이와 같이, 순수한 상태의 그래핀 시트는 밴드갭이 0인 금속으로 동작하는 한편, 불순물 도핑을 이용하여, 밴드갭을 형성할 수 있으며, 이에 따라 반도체 내지 절연체로서의 거동이 가능할 것으로 연구되고 있다. 일반적인 반도체에서, 재료의 결정구조에 의해 전도대와 가전자대의 간격이 유한하게 정해지는 것과 달리, 그래핀 시트는 예를 들어, 이중층 그래핀 시트의 대칭성이 변형되는 경우, 밴드갭이 변화, 조절될 수 있다.Graphene is also in the spotlight in the field of electronic devices and optics due to its excellent light transmittance and characteristic charge transfer properties. Graphene sheets have a two-dimensional ballistic transport property. The movement of two-dimensional ballistics within a material means that the charges move to a state where there is little resistance due to scattering. Thus, the mobility of charge in the graphene sheet is very high, and the graphene sheet has a very low resistivity. As described above, the graphene sheet in the pure state operates as a metal having a zero band gap, and can be formed using impurity doping to form a band gap, and thus, the semiconductor to insulator behavior has been studied. In general semiconductors, in contrast to the finite spacing between conduction and valence bands due to the crystal structure of the material, the graphene sheet can be changed and controlled when the symmetry of the bilayer graphene sheet is deformed, for example. Can be.

본 실시예에서는 이러한 그래핀을 포함하는 재질을 사용하여, 플라즈마 공간으로부터 유전체, 전극을 패시베이션 하는 보호막을 형성하여 플라즈마 장치의 신뢰성 향상 등 성능 개선을 도모하고 있다. In this embodiment, a protective film for passivating the dielectric and the electrode from the plasma space is formed by using such a graphene-based material to improve performance such as reliability of the plasma apparatus.

보다 구체적인 구성을 살펴보기로 한다. A more detailed configuration will be described.

제1전극부(120)는 제1기판(110) 상에 형성되고, 제2전극부(180)는 제2기판(190)에 형성되어 캐비티 형성부(170)의 상, 하부에 마련된다.The first electrode part 120 is formed on the first substrate 110, and the second electrode part 180 is formed on the second substrate 190 to be provided above and below the cavity forming part 170.

제1기판(110), 제2기판(190)은 투광성 소재로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 글래스나 투명 플라스틱 재질로 형성될 수 있다.The first substrate 110 and the second substrate 190 may be made of a light transmissive material. For example, the first substrate 110 and the second substrate 190 may be formed of glass or a transparent plastic material.

제1전극부(120), 제2전극부(180)는 캐비티(C) 내에 수용된 방전 가스(미도시)의 방전을 유도하기 위해 캐비티(C) 내에 전압을 인가하도록 마련된다. 제1전극부(120), 제2전극부(180)의 구체적인 형상은 도시된 형상에 제한되지 않으며, 방전을 유도하는 방식이나, 다수의 캐비티(C)를 개별 제어할 필요성 여하에 따라 다양하게 변형될 수 있다. 제1전극부(120), 제2전극부(180)는 방전을 일으키고 또한 유지시키는 역할을 하며, 가시광 투과율이 높은 투명 전극 재질, 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide)로 형성될 수 있다. 또한, 투광성과 전기전도성이 뛰어난 그래핀(graphene)을 이용하여 형성될 수도 있다. The first electrode part 120 and the second electrode part 180 are provided to apply a voltage in the cavity C to induce discharge of the discharge gas (not shown) contained in the cavity C. The specific shapes of the first electrode part 120 and the second electrode part 180 are not limited to those shown in the drawings, and may vary depending on a method of inducing discharge or the necessity of individually controlling a plurality of cavities C. It can be modified. The first electrode part 120 and the second electrode part 180 may serve to generate and maintain a discharge, and may be formed of a transparent electrode material having high visible light transmittance, for example, indium tin oxide (ITO). In addition, it may be formed using graphene (graphene) excellent in light transmittance and electrical conductivity.

캐비티 형성부(170)는 제1유전체층(140), 제1유전체층(140) 위에 형성된 격벽부(150), 격벽부(150) 위에 마련되어 캐비티(C)를 밀봉하는 제2유전체층(160)을 포함할 수 있다.The cavity forming unit 170 includes a first dielectric layer 140, a partition 150 formed on the first dielectric layer 140, and a second dielectric layer 160 provided on the partition 150 to seal the cavity C. can do.

제1유전체층(140)과 제2유전체층(160)은 방전 전류를 제한하여 글로우 방전을 유지하고, 벽전하 축적을 통해 메모리 기능과 전압을 저하하는 역할을 한다. 또한, 하전 입자의 충돌로부터 제1전극부(120), 제2전극부(180)를 보호하는 역할을 한다. 제1유전체층(140)과 제2유전체층(160)은 방전 효율을 증가시키기 위해 내전압과 가시광 투과율이 높은 재질로 형성되는 것이 바람직하다. The first dielectric layer 140 and the second dielectric layer 160 maintain the glow discharge by limiting the discharge current, and reduce the memory function and voltage through wall charge accumulation. In addition, it serves to protect the first electrode 120 and the second electrode 180 from the collision of the charged particles. The first dielectric layer 140 and the second dielectric layer 160 may be formed of a material having high withstand voltage and high visible light transmittance in order to increase discharge efficiency.

격벽부(150)는 제1유전체층(140)과 제2유전체층(160) 사이에서 캐비티(C)의 측벽을 형성하도록 마련되며, 형성하고자 하는 캐비티(C)의 개수, 간격, 크기에 알맞은 형상을 갖게 된다. The partition wall 150 is provided to form sidewalls of the cavity C between the first dielectric layer 140 and the second dielectric layer 160 and has a shape suitable for the number, spacing, and size of the cavity C to be formed. Will have

제1유전체층(140)과 격벽부(150)는 같은 재질로 일체형으로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 액상의 폴리머 재질위로, 다수의 그루브 형상을 임프린트하고 경화하는 방식으로 형성될 수 있으며, 이에 대해서는 제조방법에서 후술한다.The first dielectric layer 140 and the partition wall 150 may be integrally formed of the same material. For example, on a liquid polymer material, a plurality of groove shapes may be formed by imprinting and curing, which will be described later in the manufacturing method.

캐비티(C) 내에는 방전 가스가 주입되며, 방전 가스로는 예를 들어, 네온(Ne), 크세논(Xe), 헬륨(He)와 같은 비활성 기체 또는 이들의 혼합 기체들이 사용될 수 있다. A discharge gas is injected into the cavity C, and an inert gas such as neon (Ne), xenon (Xe), helium (He), or a mixture thereof may be used as the discharge gas.

또한, 캐비티(C) 내에는 방전 가스의 방전에 의해 발생되는 자외선을 흡수하여 가시광을 여기하는 형광체가 더 형성될 수 있다. In the cavity C, a phosphor for absorbing ultraviolet rays generated by the discharge of the discharge gas to excite the visible light may be further formed.

보호막(PL)은 그래핀(graphene)을 포함하는 재질로 이루어지며 캐비티(C) 내벽 상에 형성된다. 보호막(PL)은 캐비티(C) 내에서 방전이 일어날 때, 하전입자와 전자가 제1유전체층(140), 제2유전체층(160)에 충돌하여 제1유전체층(140), 제2유전체층(160)이 손상되어 제1전극부(120), 제2전극부(180)가 플라즈마 공간에 노출되는 것을 방지한다. 도면에서는 캐비티(C) 내벽 전체에 걸쳐 형성된 것으로 도시되고 있지만, 이는 예시적인 것이고, 보호막(PL)은 캐비티(C) 내벽 일부에만 형성될 수도 있다. 예를 들어, 캐비티(C)의 상면, 즉, 제2유전체층(160)의 하면에만 도포된 형태나, 또는 캐비티(C)의 하면과 측벽, 즉, 제1유전체층(140)의 상면과 격벽부(150)의 측벽을 따라 도포된 형태를 가질 수 있다. The passivation layer PL is made of a material including graphene and is formed on the inner wall of the cavity C. When the discharge occurs in the cavity C, the passivation layer PL collides with the first dielectric layer 140 and the second dielectric layer 160 so that charged particles and electrons collide with the first dielectric layer 140 and the second dielectric layer 160. This damage prevents the first electrode 120 and the second electrode 180 from being exposed to the plasma space. Although shown in the figure as being formed over the entire inner wall of the cavity (C), this is exemplary, and the protective film PL may be formed only on a portion of the inner wall of the cavity (C). For example, the upper surface of the cavity C, that is, the form applied only to the lower surface of the second dielectric layer 160, or the lower surface and the sidewall of the cavity C, that is, the upper surface and the partition wall portion of the first dielectric layer 140 It may have a form applied along the side wall of the (150).

도 2 내지 도 5는 도 1의 플라즈마 장치(100)에 채용될 수 있는 보호막의 실시예들을 보인다.2 to 5 show embodiments of a protective film that may be employed in the plasma apparatus 100 of FIG. 1.

도 2에 예시된 보호막(PL)은 절연물질로 기능할 수 있도록 불순물이 도핑된 그래핀을 포함하는 제1층(11)이다. 그래핀은 순수한 상태에서 밴드갭이 0인 금속으로 동작하는 한편, 불순물 도핑을 이용하여, 밴드갭을 형성할 수 있으며, 이에 따라 반도체 내지 절연체로서의 거동이 가능함은 전술한 바와 같다. The passivation layer PL illustrated in FIG. 2 is a first layer 11 including graphene doped with impurities so as to function as an insulating material. While graphene operates as a metal having a zero band gap in a pure state, it is possible to form a band gap by using impurity doping, and as a result, it is possible to behave as a semiconductor or an insulator.

도 3에 예시된 보호막(PL)은 유전물질을 포함하는 제2층(21)과, 제2층(21) 위에 형성된 것으로 불순물이 도핑된 그래핀을 포함하는 제1층(11)으로 이루어진다. 불순물이 도핑된 그래핀을 포함하는 제1층(11)이 캐비티(도 1의 C)에 접하는 쪽에 배치되는 적층 구조이다. 제2층(21)은 기존에 플라즈마 장치의 보호막 재질로 일반적으로 사용되는 물질, 예를 들어, TiO2, SiO2, Si3N4, Ta2O3, MgO 중 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.The passivation layer PL illustrated in FIG. 3 includes a second layer 21 including a dielectric material and a first layer 11 including graphene doped with impurities as formed on the second layer 21. The first layer 11 including the graphene doped with an impurity is a laminated structure disposed on the side in contact with the cavity (C of FIG. 1). The second layer 21 may include any one of materials conventionally used as a protective film material of a plasma apparatus, for example, TiO 2 , SiO 2 , Si 3 N 4 , Ta 2 O 3 , or MgO. have.

도 4에 예시된 보호막(PL)은 그래핀을 포함하는 제3층(12)과, 제3층(12) 위에 형성된 것으로, 유전물질을 포함하는 제2층(21)으로 이루어진다. 유전물질을 포함하는 제2층(21)이 캐비티(도 1의 C)에 접하는 쪽에 배치되는 적층 구조이다. 이 경우, 제3층(12)의 그래핀은 불순물이 도핑된 형태, 또는 도핑되지 않은 형태가 모두 가능하다.The passivation layer PL illustrated in FIG. 4 includes a third layer 12 including graphene and a second layer 21 formed on the third layer 12 and including a dielectric material. The second layer 21 including the dielectric material is a laminated structure disposed on the side in contact with the cavity (C of FIG. 1). In this case, the graphene of the third layer 12 may be in a form doped with an impurity or an undoped form.

도 5에 예시된 보호막(PL)은 유전물질을 포함하는 제4층(22), 그래핀을 포함하는 제3층(12), 유전물질을 포함하는 제2층(21)으로 이루어진다. 그래핀을 포함하는 제3층(12)이 유전물질을 포함하는 제4층(22), 제2층(21) 사이에 개재된 형태이다. 이 경우에도 제3층(12)의 그래핀은 불순물이 도핑된 형태, 또는 도핑되지 않은 형태가 모두 가능하다.The passivation layer PL illustrated in FIG. 5 includes a fourth layer 22 including a dielectric material, a third layer 12 including graphene, and a second layer 21 including a dielectric material. The third layer 12 including graphene is interposed between the fourth layer 22 and the second layer 21 including the dielectric material. In this case, the graphene of the third layer 12 may be either doped with dopant or undoped.

도 6은 다른 실시예에 따른 플라즈마 장치(200)의 개략적인 구성을 보이는 분리 사시도이다. 본 실시예의 플라즈마 장치(200)는 디스플레이 패널로 동작하는 구성예로서 제시된다. 이에 따라, 2차원 어레이로 배열된 복수의 캐비티(C)가 구비되며, 각 캐비티(C)를 개별적으로 제어하는 전극 구조를 구비하게 된다. 6 is an exploded perspective view showing a schematic configuration of a plasma apparatus 200 according to another embodiment. The plasma apparatus 200 of this embodiment is presented as an example of the configuration which operates as a display panel. Accordingly, a plurality of cavities C arranged in a two-dimensional array is provided, and an electrode structure for individually controlling the cavities C is provided.

구체적인 구성을 살펴보면 다음과 같다.The specific configuration is as follows.

플라즈마 장치(200)는 제1기판(210), 제2기판(290), 제1전극부(220), 제2전극부(280), 다수의 캐비티(C)를 형성하기 위한 격벽부(250), 보호막(PL), 제1유전체층(240), 제2유전체층(260), 캐비티(C) 내에 수용된 형광체(230R, 230G, 230B), 및 캐비티(C) 내에 수용된 방전 가스(미도시)를 구비한다. The plasma apparatus 200 includes the first substrate 210, the second substrate 290, the first electrode portion 220, the second electrode portion 280, and the partition wall portion 250 for forming a plurality of cavities C. ), The protective film PL, the first dielectric layer 240, the second dielectric layer 260, the phosphors 230R, 230G, and 230B contained in the cavity C, and the discharge gas (not shown) contained in the cavity C. Equipped.

제1전극부(220)는 제1기판(210) 상에 형성되고, 도시된 바와 같이 제1유전체층(240)에 매립된 형태를 가질 수 있다. 제2전극부(280)는 제2기판(290) 상에 형성되어 제2유전체층(260)에 매립된 형태를 가질 수 있다. The first electrode part 220 may be formed on the first substrate 210 and have a form embedded in the first dielectric layer 240 as shown. The second electrode part 280 may be formed on the second substrate 290 and embedded in the second dielectric layer 260.

제1기판(210), 제2기판(290)은 투광성 소재로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 글래스나 투명 플라스틱 재질로 형성될 수 있다.The first substrate 210 and the second substrate 290 may be made of a light transmissive material. For example, the first substrate 210 and the second substrate 290 may be formed of glass or a transparent plastic material.

제1유전체층(240)과 제2유전체층(260)은 방전 전류를 제한하여 글로우 방전을 유지하고, 벽전하 축적을 통해 메모리 기능과 전압을 저하하는 역할을 한다. 또한, 하전 입자의 충돌로부터 제1전극부(220), 제2전극부(280)를 보호하는 역할을 한다. 제1유전체층(240)과 제2유전체층(260)은 방전 효율을 증가시키기 위해 내전압과 가시광 투과율이 높은 재질, 예를 들어, PbO, B2O3, SiO2 등을 이용하여 형성될 수 있다. The first dielectric layer 240 and the second dielectric layer 260 maintain a glow discharge by limiting the discharge current, and reduce the memory function and voltage through wall charge accumulation. In addition, it serves to protect the first electrode portion 220 and the second electrode portion 280 from the collision of the charged particles. The first dielectric layer 240 and the second dielectric layer 260 may be formed using a material having high withstand voltage and high visible light transmittance, for example, PbO, B 2 O 3 , SiO 2, etc. to increase discharge efficiency.

격벽부(250)는 제1유전체층(240)과 제2유전체층(260) 사이에서 2차원 어레이로 배열된 다수의 캐비티(C)를 형성하도록 마련된다. 도면에는 격벽부(250)가 사각형의 횡단면을 가지는 매트릭스 배열의 캐비티(C)들을 형성하는 것으로 도시되었으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 격벽부(250)는 캐비티(C)들이 삼각형, 오각형 등의 다각형, 또는 원형, 타원형 등의 횡단면을 가지도록 형성될 수도 있으며, 스트라이프 등과 같은 개방형으로 형성될 수도 있다. 또한, 격벽부(250)는 캐비티(C)들을 와플이나 델타 배열로 배치하도록 형성될 수도 있다. The partition part 250 is provided to form a plurality of cavities C arranged in a two-dimensional array between the first dielectric layer 240 and the second dielectric layer 260. In the drawing, the partition wall part 250 is illustrated as forming the cavities C of the matrix array having a rectangular cross section, but is not limited thereto. That is, the partition 250 may be formed such that the cavities C have a polygonal shape such as a triangle, a pentagon, or a cross section such as a circle or an ellipse, or may be formed in an open shape such as a stripe. In addition, the partition 250 may be formed to arrange the cavities C in a waffle or delta arrangement.

캐비티(C) 내에는 방전 가스가 주입되며, 방전 가스로는 예를 들어, 네온(Ne), 크세논(Xe), 헬륨(He)와 같은 비활성 기체 또는 이들의 혼합 기체들이 사용될 수 있다. 또한, 캐비티(C) 내에는 방전 가스의 방전에 의해 발생되는 자외선을 흡수하여 가시광을 여기하는 형광체가 더 형성될 수 있다. 예를 들어, 자외선을 흡수하여 적색광을 여기하는 적색형광체(230R), 자외선을 흡수하여 녹색광을 여기하는 녹색형광체(230G), 자외선을 흡수하여 청색광을 여기하는 청색형광체(230B)가 다수의 캐비티(C) 내에 각각 형성될 수 있다. 적색형광체(230R)로는 예를 들어, Y(V,P)O4:Eu, 녹색형광체(230G)로는 Zn2SiO4:Mn, YBO3:Tb, 청색형광체(230B)로는 BAM:Eu 가 사용될 수 있다. A discharge gas is injected into the cavity C, and an inert gas such as neon (Ne), xenon (Xe), helium (He), or a mixture thereof may be used as the discharge gas. In the cavity C, a phosphor for absorbing ultraviolet rays generated by the discharge of the discharge gas and exciting the visible light may be further formed. For example, the red phosphor 230R absorbs ultraviolet rays to excite red light, the green phosphor 230G absorbs ultraviolet rays to excite green light, and the blue phosphor 230B absorbs ultraviolet rays to excite blue light. Each in C). For example, Y (V, P) O 4 : Eu is used as the red phosphor 230R, Zn 2 SiO 4 : Mn, YBO 3 : Tb is used as the green phosphor 230G, and BAM: Eu is used as the blue phosphor 230B. Can be.

제1전극부(220), 제2전극부(280)는 캐비티(C) 내에 수용된 방전 가스(미도시)의 방전을 유도하기 위해 캐비티(C) 내에 전압을 인가하도록 마련되며, 다수의 캐비티(C) 각각을 개별적으로 제어할 수 있는 구조를 가진다. The first electrode part 220 and the second electrode part 280 are provided to apply a voltage in the cavity C to induce the discharge of the discharge gas (not shown) contained in the cavity C. C) It has a structure that can control each one individually.

제1전극부(220)를 이루는 전극들과 제2전극부(280)를 이루는 전극들은 서로 교차하도록 배치되어 있다. Electrodes constituting the first electrode unit 220 and electrodes constituting the second electrode unit 280 are disposed to cross each other.

제2전극부(280)는 유지 전극쌍들(281, 282)를 포함한다. 각각의 유지 전극쌍들(281, 282)은 유지 방전을 일으키기 위하여 제2기판(290)의 배면에 형성된 한 쌍의 유지 전극들을 의미하고, 이러한 유지 전극쌍들(281, 282)이 소정의 간격으로 평행하게 배열되어 있다. 유지 전극쌍(281, 282) 중 일 유지 전극(281)은, 공통전극의 작용을 하고, 다른 유지 전극(282)은 주사전극의 작용을 할 수 있다. 유지 전극쌍들(281, 282)의 배치 위치는 도시된 위치에 한정되는 것은 아니다. The second electrode unit 280 includes sustain electrode pairs 281 and 282. Each of the sustain electrode pairs 281 and 282 refers to a pair of sustain electrodes formed on the rear surface of the second substrate 290 to cause sustain discharge, and the sustain electrode pairs 281 and 282 are spaced at predetermined intervals. Are arranged in parallel. One storage electrode 281 of the storage electrode pairs 281 and 282 may function as a common electrode, and the other storage electrode 282 may function as a scan electrode. The arrangement position of the storage electrode pairs 281 and 282 is not limited to the position shown.

유지 전극쌍들(281, 282) 각각은 투명 전극(281a, 282a) 및 버스 전극(281b, 282b)을 구비하고 있다. 투명 전극(281a, 282a)은 방전을 일으킬 수 있는 도전체이면서 형광체(230R, 230G, 230B)로부터 방출되는 빛이 제2기판(290)으로 나아가는 것을 방해하지 않는 투명한 재료로 형성되는데, 이와 같은 재료로서는 ITO(indium tin oxide) 등이 있다. 일반적으로 ITO와 같은 투명한 도전체는 저항이 크고, 따라서 투명전극으로만 유지 전극을 형성하면 그 길이방향으로의 전압강하가 커서 구동전력이 많이 소비되고 응답속도가 늦어지는바, 이를 개선하기 위하여 투명 전극(281a, 282a)과 전기적으로 접속되도록 금속재질로 이루어지고 좁은 폭으로 형성되는 버스 전극(281b, 282b)이 더 구비되는 것이다. Each of the sustain electrode pairs 281 and 282 includes transparent electrodes 281a and 282a and bus electrodes 281b and 282b. The transparent electrodes 281a and 282a are formed of a transparent material that is a conductor capable of causing a discharge and does not prevent light emitted from the phosphors 230R, 230G, and 230B from advancing to the second substrate 290. Examples thereof include indium tin oxide (ITO). In general, a transparent conductor such as ITO has a large resistance, and thus, when the sustain electrode is formed only by the transparent electrode, a large voltage drop in the longitudinal direction consumes a lot of driving power and a slow response time. Bus electrodes 281b and 282b made of a metal material and formed in a narrow width to be electrically connected to the electrodes 281a and 282a are further provided.

한편, 투광성과 전기전도성이 뛰어난 그래핀(graphene)을 이용하여 제2전극부(280)를 이루는 유지전극쌍(281, 282)들을 형성할 수 있으며, 이 경우, 별도의 버스 전극(281b, 282b)이 구비되지 않을 수도 있다. Meanwhile, the sustain electrode pairs 281 and 282 constituting the second electrode part 280 may be formed using graphene having excellent light transmittance and electrical conductivity, and in this case, separate bus electrodes 281b and 282b. ) May not be provided.

제1전극부(220)는 다수의 어드레스 전극(221)으로 이루어진다. 어드레스 전극(221)은 유지방전이 일어나는 캐비티(C)에서 유지전극들(281, 282) 사이의 유지방전을 보다 용이하게 하기 위하여 어드레스 방전을 일으키기 위한 것으로서, 보다 구체적으로는 유지방전이 일어나기 위한 전압을 낮추는 역할을 한다. The first electrode unit 220 includes a plurality of address electrodes 221. The address electrode 221 is to generate an address discharge in order to facilitate the sustain discharge between the sustain electrodes 281 and 282 in the cavity C where the sustain discharge occurs. More specifically, the address electrode 221 is a voltage for the sustain discharge. It serves to lower.

본 실시예에서는 한 쌍의 유지전극(281, 282)과 하나의 어드레스 전극(221)이 하나의 캐비티(C)를 제어하는 3전극 구조를 도시하고 있으나, 유지 전극쌍(281, 282)이 하나의 전극이 되는 2전극 구조가 사용될 수도 있다. In the present embodiment, a three-electrode structure in which a pair of sustain electrodes 281 and 282 and one address electrode 221 control one cavity C is illustrated, but one pair of sustain electrodes 281 and 282 is one. A two-electrode structure that is an electrode of may be used.

보호막(PL)은 그래핀(graphene)을 포함하는 재질로 이루어지며 제2유전체층(260)의 하면, 즉, 캐비티(C) 상부를 덮는 형태로 형성된다. 보호막(PL)의 배치는 이에 한정되지 않으며, 제1유전체층(240)의 상면이나 격벽부(250)의 측벽에도 더 형성될 수 있다. 보호막(PL)은 캐비티(C) 내에서 방전이 일어날 때, 하전입자와 전자가 제1유전체층(240)이나 제2유전체층(260)에 충돌하여 손상을 일으키고, 제1전극부(220)나 제2전극부(280)가 플라즈마 공간에 노출되는 것을 방지한다. 보호막(PL)으로는 도 2 내지 도 5에서 설명한 재질들이 사용될 수 있다. The passivation layer PL is formed of a material including graphene and is formed to cover a lower surface of the second dielectric layer 260, that is, an upper portion of the cavity C. The protective layer PL is not limited thereto, and may be further formed on the top surface of the first dielectric layer 240 or the sidewall of the partition 250. When the discharge occurs in the cavity C, the protective film PL collides with the first dielectric layer 240 or the second dielectric layer 260 to cause damage and causes damage to the first electrode part 220 or the first electrode. The second electrode unit 280 is prevented from being exposed to the plasma space. As the passivation layer PL, the materials described with reference to FIGS. 2 to 5 may be used.

도 7a 내지 도 7g는 실시예에 따른 플라즈마 장치 제조방법을 설명하는 도면들이다.7A to 7G are diagrams illustrating a method of manufacturing a plasma apparatus according to an embodiment.

도 7a와 같이, 일면에 제1전극부(320)가 형성된 제1기판(310)을 준비하고, 캐비티 패턴층을 형성할 소재, 예를 들어, 액상의 폴리머층(345')을 형성한다. 폴리머는 자외선 경화성 폴리머일 수 있다.As shown in FIG. 7A, a first substrate 310 having a first electrode portion 320 formed on one surface thereof is prepared, and a material for forming a cavity pattern layer, for example, a liquid polymer layer 345 ′ is formed. The polymer may be an ultraviolet curable polymer.

다음, 도 7b, 7c와 같이, 캐비티 패턴층에 형성될 그루브 패턴의 역상에 해당하는 형상을 가지는 스탬프(S)를 준비하여 액상의 폴리머층(345')에 임프린트 한다. 즉, 스탬프(S)를 폴리머층(345') 위에 올려 놓은 후, 자외선(UV)을 조사하여, 도 7d와 같은 형상의 캐비티 패턴층(345)을 형성한다. 이와 같은 공정에 따라, 미세한 크기의 캐비티 다수개를 보다 용이하게 형성할 수 있다. Next, as shown in FIGS. 7B and 7C, a stamp S having a shape corresponding to a reverse phase of the groove pattern to be formed in the cavity pattern layer is prepared and imprinted onto the liquid polymer layer 345 ′. That is, after the stamp S is placed on the polymer layer 345 ', ultraviolet rays are irradiated to form a cavity pattern layer 345 having a shape as shown in FIG. 7D. According to such a process, a plurality of fine-sized cavities can be formed more easily.

다음, 도 7e와 같이 캐비티 패턴층(345)의 표면을 따라 보호막(PL1)을 도포한다. 보호막(PL1)은 그래핀을 포함하는 소재로 이루어지며, 도 2 내지 도 5에서 설명한 재질들이 보호막(PL1)에 채용될 수 있다. 또한, 경우에 따라, 이 단계는 생략될 수도 있다. Next, as shown in FIG. 7E, the protective film PL1 is coated along the surface of the cavity pattern layer 345. The passivation layer PL1 may be formed of a material including graphene, and the materials described with reference to FIGS. 2 to 5 may be employed in the passivation layer PL1. Also, in some cases, this step may be omitted.

도 7f와 같이, 일면에 제2전극부(380)가 형성된 제2기판(390)을 준비하고, 제2전극부(380) 위로, 유전체층(360), 보호막(PL2)을 형성한다. 마찬가지로, 보호막(PL2)은 그래핀을 포함하는 소재로서, 도 2 내지 도 5에서 설명한 재질들이 보호막(PL2)에 채용될 수 있다. 또한, 경우에 따라, 보호막(PL2) 형성 단계는 생략될 수도 있다. As shown in FIG. 7F, a second substrate 390 having a second electrode portion 380 formed on one surface thereof is prepared, and a dielectric layer 360 and a protective film PL2 are formed on the second electrode portion 380. Similarly, the protective film PL2 is a material including graphene, and the materials described with reference to FIGS. 2 to 5 may be employed in the protective film PL2. In some cases, the forming of the protective film PL2 may be omitted.

다음, 도 7g와 같이, 유전체층(360)과 캐비티 패턴층(345)이 서로 마주하도록, 제1기판(310)과 제2기판(390)을 접합하여, 다수의 캐비티(C)가 구비된 플라즈마 장치(300)가 형성된다.Next, as shown in FIG. 7G, the first substrate 310 and the second substrate 390 are bonded to each other such that the dielectric layer 360 and the cavity pattern layer 345 face each other, and thus, the plasma having the plurality of cavities C is provided. Device 300 is formed.

설명한 단계에서 보호막(PL1)과 보호막(PL2) 중 어느 하나만이 선택적으로 형성될 수도 있으며, 플라즈마 장치(300)의 구체적인 용도에 따라, 제1전극부(320), 제2전극부(380)를 구성하는 전극 패턴이 정해진다. 또한, 캐비티(C) 내에 형광체가 더 형성될 수도 있다. Only one of the passivation layer PL1 and the passivation layer PL2 may be selectively formed in the above-described steps, and the first electrode unit 320 and the second electrode unit 380 may be formed according to a specific use of the plasma apparatus 300. The electrode pattern which comprises is determined. In addition, phosphors may be further formed in the cavity (C).

이러한 본원 발명인 플라즈마 장치 및 그 제조방법은 이해를 돕기 위하여 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.Such a plasma device and a method of manufacturing the present invention have been described with reference to the embodiments shown in the drawings for clarity, but these are merely exemplary, and those skilled in the art can make various modifications and equivalents therefrom. It will be appreciated that embodiments are possible. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the appended claims.

Claims (21)

방전 가스가 수용되는 하나 이상의 캐비티가 구비된 캐비티 형성부;
상기 캐비티 내에 전압을 인가하기 위해 마련된 것으로, 상기 캐비티 형성부 의 상부 및 하부에 각각 마련된 제1전극부 및 제2전극부;
상기 캐비티의 내벽의 적어도 일부에 형성된 것으로, 그래핀을 포함하는 재질로 이루어진 보호막;을 포함하는 플라즈마 장치. A cavity forming unit including one or more cavities for receiving discharge gas;
A first electrode part and a second electrode part which are provided to apply a voltage in the cavity and are respectively provided above and below the cavity forming part;
And a protective film formed on at least a portion of an inner wall of the cavity and made of a material including graphene. 제1항에 있어서,
상기 보호막은
불순물이 도핑된 그래핀을 포함하는 플라즈마 장치.The method of claim 1,
The protective film
A plasma device comprising graphene doped with an impurity. 제2항에 있어서,
상기 보호막은
상기 내벽 상에 도포된 것으로, 유전물질을 포함하는 제1층과,
상기 제1층 위에 도포된 것으로, 상기 불순물이 도핑된 그래핀을 포함하는 제2층;을 포함하는 플라즈마 장치.The method of claim 2,
The protective film
A first layer coated on the inner wall and comprising a dielectric material;
And a second layer coated on the first layer, the second layer including graphene doped with the impurity. 청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 4 has been abandoned due to the setting registration fee. 제3항에 있어서,
상기 제1층은
TiO2, SiO2, Si3N4, Ta2O3, MgO 중 어느 하나를 포함하여 이루어지는 플라즈마 장치.The method of claim 3,
The first layer
A plasma apparatus comprising any one of TiO 2 , SiO 2 , Si 3 N 4 , Ta 2 O 3 , and MgO. 제1항에 있어서,
상기 보호막은
상기 내벽 상에 도포된 것으로, 그래핀을 포함하는 제1층;,
상기 제1층 위에 도포된 것으로, 유전물질을 포함하는 제2층;을 포함하는 플라즈마 장치.The method of claim 1,
The protective film
A first layer coated on the inner wall and including graphene;
And a second layer coated on the first layer, the second layer including a dielectric material. 청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 6 has been abandoned due to the setting registration fee. 제5항에 있어서,
상기 제2층은
TiO2, SiO2, Si3N4, Ta2O3, MgO 중 어느 하나를 포함하여 이루어지는 플라즈마 장치.The method of claim 5,
The second layer
A plasma apparatus comprising any one of TiO 2 , SiO 2 , Si 3 N 4 , Ta 2 O 3 , and MgO. 제1항에 있어서,
상기 보호막은
상기 내벽 상에 도포된 것으로, 유전물질을 포함하는 제1층;
상기 제1층 위에 도포된 것으로, 그래핀을 포함하는 제2층;
상기 제2층 위에 도포된 것으로, 유전물질을 포함하는 제3층;을 포함하여 이루어지는 플라즈마 장치.The method of claim 1,
The protective film
A first layer coated on the inner wall and including a dielectric material;
A second layer coated on the first layer and comprising graphene;
And a third layer coated on the second layer and including a dielectric material. 청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 8 was abandoned when the registration fee was paid. 제7항에 있어서,
상기 제1층 및 제3층은
TiO2, SiO2, Si3N4, Ta2O3, MgO 중 어느 하나를 포함하여 이루어지는 플라즈마 장치.The method of claim 7, wherein
The first layer and the third layer
A plasma apparatus comprising any one of TiO 2 , SiO 2 , Si 3 N 4 , Ta 2 O 3 , and MgO. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1전극부 및 제2전극부 중 적어도 어느 하나가 그래핀으로 이루어지는 플라즈마 장치. The method according to any one of claims 1 to 8,
At least one of the first electrode portion and the second electrode portion is a plasma device made of graphene. 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 10 has been abandoned due to the setting registration fee. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 캐비티 형성부는
제1유전체층;
상기 제1유전체층 위에 형성된 것으로, 상기 하나 이상의 캐비티의 측벽을 형성하도록 마련된 격벽부;
상기 격벽부 위에 마련되어, 상기 하나 이상의 캐비티를 밀봉하는 제2유전체층;을 포함하여 이루어진 플라즈마 장치. The method according to any one of claims 1 to 8,
The cavity forming part
A first dielectric layer;
A partition portion formed on the first dielectric layer and formed to form sidewalls of the one or more cavities;
And a second dielectric layer provided on the partition wall and sealing the one or more cavities. 청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 11 was abandoned when the registration fee was paid. 제10항에 있어서,
상기 보호막은
상기 캐비티의 하면 및 측벽에 형성된 제1보호막;
상기 제2유전체층의 하면에 형성되어 상기 캐비티의 상부를 덮는 제2보호막;을 포함하여 이루어진 플라즈마 장치.The method of claim 10,
The protective film
A first passivation layer formed on a lower surface and a sidewall of the cavity;
And a second passivation layer formed on a bottom surface of the second dielectric layer to cover an upper portion of the cavity. 청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 12 is abandoned in setting registration fee. 제10항에 있어서,
상기 제1유전체층과 상기 격벽부는 같은 재질로 일체형으로 형성된 플라즈마 장치.The method of claim 10,
And the first dielectric layer and the partition wall are integrally formed of the same material. 청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 13 was abandoned upon payment of a registration fee. 제10항에 있어서,
상기 격벽부는
복수의 캐비티가 2차원 어레이로 배열되게 하는 형상으로 마련되는 플라즈마 장치.The method of claim 10,
The partition portion
And a cavity arranged in a shape such that the plurality of cavities are arranged in a two-dimensional array. 청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 14 has been abandoned due to the setting registration fee. 제13항에 있어서,
상기 복수의 캐비티는 각각에는 적색 형광체 또는 녹색 형광체 또는 청색 형광체 중 어느 하나가 도포된 플라즈마 장치. The method of claim 13,
Each of the plurality of cavities is a plasma apparatus is coated with any one of a red phosphor, a green phosphor or a blue phosphor. 일면에 제1전극부가 형성된 제1기판을 준비하는 단계;
상기 제1전극부가 형성된 일면 상에 하나 이상의 그루브가 형성된 캐비티 패턴층을 형성하는 단계;
일면에 제2전극부가 형성된 제2기판을 준비하는 단계;
상기 제2전극부가 형성된 일면 상에 유전체층을 형성하는 단계;
상기 캐비티 패턴층 및 상기 유전체층 중 적어도 하나의 위에 그래핀을 포함하는 보호막을 형성하는 단계;
상기 유전체층과 상기 캐비티 패턴층이 서로 마주하도록, 상기 제1기판과 제2기판을 접합하여 상기 보호막이 노출되는 캐비티를 형성하는 단계;를 포함하는 플라즈마 장치 제조방법.Preparing a first substrate having a first electrode portion formed on one surface thereof;
Forming a cavity pattern layer having at least one groove formed on one surface of the first electrode part;
Preparing a second substrate having a second electrode portion formed on one surface thereof;
Forming a dielectric layer on one surface of the second electrode portion;
Forming a protective film including graphene on at least one of the cavity pattern layer and the dielectric layer;
Bonding the first substrate and the second substrate to form a cavity in which the passivation layer is exposed, such that the dielectric layer and the cavity pattern layer face each other. 제15항에 있어서,
상기 보호막을 형성하는 단계는
상기 캐비티 패턴층의 표면을 따라 제1보호막을 형성하는 단계와,
상기 유전체층 상에 제2보호막을 형성하는 단계를 포함하는 플라즈마 장치 제조방법.16. The method of claim 15,
Forming the protective film
Forming a first passivation layer along a surface of the cavity pattern layer;
Forming a second passivation layer on the dielectric layer. 제15항에 있어서,
상기 캐비티 패턴층을 형성하는 단계는
액상의 자외선 경화성 폴리머를 상기 제1기판의 상기 일면 상에 도포하는 단계;
상기 하나 이상의 그루브의 역상에 해당하는 형상을 가지는 스탬프를 준비하여 상기 액상의 자외선 경화성 폴리머에 임프린트 하는 단계;
상기 스탬프 위로 자외선을 조사하는 단계;를 포함하는 플라즈마 장치 제조방법.16. The method of claim 15,
Forming the cavity pattern layer is
Applying a liquid ultraviolet curable polymer on the one surface of the first substrate;
Preparing a stamp having a shape corresponding to a reverse phase of the at least one groove and imprinting the liquid ultraviolet curable polymer;
And irradiating ultraviolet rays onto the stamp. 제15항에 있어서,
상기 보호막은
불순물이 도핑된 그래핀을 포함하여 이루어지는 플라즈마 장치 제조방법.16. The method of claim 15,
The protective film
A plasma device manufacturing method comprising graphene doped with an impurity. 청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 19 is abandoned in setting registration fee. 제15항에 있어서,
상기 보호막은
유전물질을 포함하는 제1층;과,
상기 제1층 위에 도포된 것으로, 불순물이 도핑된 그래핀을 포함하는 제2층;을 포함하는 플라즈마 장치 제조방법.16. The method of claim 15,
The protective film
A first layer comprising a dielectric material;
And a second layer coated on the first layer and comprising a graphene doped with impurities. 청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 20 has been abandoned due to the setting registration fee. 제15항에 있어서,
상기 보호막은
그래핀을 포함하는 제1층;과,
상기 제1층 위에 도포된 것으로, 유전물질로 이루어진 제2층;을 포함하는 플라즈마 장치 제조방법.16. The method of claim 15,
The protective film
A first layer comprising graphene; and
And a second layer coated on the first layer and made of a dielectric material. 청구항 21은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 21 has been abandoned due to the setting registration fee. 제15항에 있어서,
상기 보호막은
유전물질을 포함하는 제1층;
상기 제1층 위에 도포된 것으로, 그래핀을 포함하는 제2층;
상기 제2층 위에 도포된 것으로, 유전물질을 포함하는 제3층;을 포함하는 플라즈마 장치 제조방법.16. The method of claim 15,
The protective film
A first layer comprising a dielectric material;
A second layer coated on the first layer and comprising graphene;
And a third layer coated on the second layer and comprising a dielectric material.
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